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掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
2016年11月号 | 反転層チャネルMOSFET ダイヤ半導体で作製 | 金沢大など | 日刊工業新聞 (2016年8月23日PP.23) | パワーデバイス向けノーマリーオフ特性 ダイヤモンドは最も高い絶縁破壊電界とキャリヤ移動度 熱伝導率を持つ究極のパワーデバイス材料 | 220 |
2016年 9月号 | 量子通信用の光子をダイヤに転写保存 | 横浜国大など | 日刊工業新聞 (2016年6月6日PP.15) | 量子テレポテーション | 120 |
2016年 2月号 | 単結晶ダイヤモンド基板 | 並木精密宝石 | 日刊工業新聞 (2015年11月25日PP.6) | 耐熱性や耐久性に優れており 次世代半導体の基板の可能性 | 120 |
2015年 3月号 | 世界最高耐圧のトランジスタを開発 | 早大 | 日刊工業新聞 (2014年12月16日PP.23) | 耐圧1600V,ダイヤモンド製トランジスタ | 220 |
2015年 1月号 | 半導体ダイヤモンドの高速成長法を開発 | 金沢大学,アリオス,産総研 | 日刊工業新聞 (2014年10月6日PP.20) | 結晶の成長速度は1時間当たり100μm,球形チャンバー内で炭素をプラズマでラジカル状態まで活性化し,ダイヤモンドの種基板と反応させ結晶を成長させる, | 120 260 |
2014年 9月号 | 透明スクリーンを開発 | 東工大 | 日経産業新聞 (2014年6月4日PP.10) | プロジェクタスクリーン ダイヤ微粒子を塗布 厚み2〜3μm | 250 |
2013年 3月号 | ダイヤモンド半導体を用いた真空パワースイッチ | 産総研 物材機構 | 日刊工業新聞 (2012年12月12日PP.24) 日経産業新聞 (2012年12月14日PP.8) | 10kVで動作 高濃度不純物層 伝達効率74% ダイヤモンド表面をHで覆う | 250 220 |
2012年11月号 | ダイヤモンド半導体を用いたFET | 東工大 産総研 | 日刊工業新聞 (2012年8月23日PP.19) | 高濃度のP不純物を添加したn型ダイヤモンド半導体 | 220 |
2012年 7月号 | 室温で動作する単一光子源 | 阪大 産総研 | 日刊工業新聞 (2012年4月16日PP.17) 日経産業新聞 (2012年4月17日PP.9) | ダイヤモンドを用いたLED リンを添加したn層 ホウ素を添加したp層 純粋なダイヤモンドをi層 人工ダイヤモンド薄膜 室温動作 | 120 250 240 |
2012年 3月号 | ダイヤ分子結晶の紫外線発光技術 | 東工大 米スタンフォード大 | 日経産業新聞 (2011年12月6日PP.10) | 波長230nm以下の紫外線を当てて300nmの紫外線を出す 面発光が可能になる | 120 150 |
2012年 1月号 | 量子メモリーの原理実験に成功 | NTT 阪大 国立情報学研 | 日刊工業新聞 (2011年10月13日PP.21) 日経産業新聞 (2011年10月13日PP.11) | 量子もつれ振動を制御 量子メモリー ダイヤモンド基板と超電導の量子ビットを組み合わせたハイブリッドの量子状態 | 220 230 120 |
2011年12月号 | ダイヤモンド半導体を使ったバイポーラトランジスタ | 産総研 | 日刊工業新聞 (2011年9月5日PP.19) 10 (0年0月0日) | ダイヤにB | Pを高濃度に添加した低抵抗ダイヤモンド薄膜 増幅率10 バイポーラトランジスタ 室温動作 220 |
2010年 5月号 | 出力10倍のダイヤ製LED | 産総研 物材機構 岩崎電気 シンテック | 日経産業新聞 (2010年2月9日PP.11) | 発光出力0.3mW 波長235nm 0.1mW程度の計100秒照射で大腸菌を殺菌 | 250 |
2010年 5月号 | CNT内にダイヤ型触媒 | 東京理科大 | 日刊工業新聞 (2010年2月16日PP.22) | 液相一段合成法 金属錯体触媒 アルコール アルゴンガス 抵抗加熱で約800℃ 太さ50nm前後 | 120 160 |
2010年 1月号 | ダイヤを用いた不純物のない単層CNT作製法 | NTT 東京理科大 | 日経産業新聞 (2009年10月6日PP.11) | 直径4〜5nmのナノダイヤ使用 SiO2などの基板上に敷き詰め 850℃のアルゴンガス エタノール吹き込み 直径1〜2nm 30分間で約100μmまで成長 | 120 160 |
2009年11月号 | 金属ガラスで1Tbpi以上の磁気記録媒体の製造技術 | RIMCOF | 日刊工業新聞 (2009年8月6日PP.25) | 熱インプリント パターンドメディア サファイアにダイヤモンドライクカーボン(DLC)薄膜 25nm間隔太さ12nmのドットを形成した金型を作製 | 160 230 |
2009年11月号 | 簡単構造で耐電圧1kVのダイヤ製ダイオード | 物材機構 | 日経産業新聞 (2009年8月21日PP.9) | ショットキーダイオード CVD エキシマランプで172nmの紫外線照射 | 220 |
2009年 9月号 | 発光出力2〜3倍のLEDアレイ | OKIデータ ユーテック クリスタル光学 | 日刊工業新聞 (2009年6月3日PP.9) | LED膜・ダイヤモンドライクカーボン(DLC)膜・Si基板の3層構造 エピフィルムボンディング技術 | 250 120 |
2009年 9月号 | 炭素のみを用いた超格子構造 | 産総研 | 日経産業新聞 (2009年6月12日PP.11) | ダイヤモンド同位体 炭素12と炭素13の同位体 各同位体で膜厚30nmの薄膜を作り交互に25層積層 マイクロ波プラズマCVD | 120 |
2009年 7月号 | 波長235nmで発光するダイヤモンド深紫外線LED | 産総研 | 日刊工業新聞 (2009年4月3日PP.22) | 従来比1000倍以上の発光強度 2000A/cm2以上の電流注入でも劣化なし 発光出力約30μW | 120 250 |
2009年 7月号 | ナノレベルの物差し | 産総研 | 日経産業新聞 (2009年4月20日PP.12) | ダイヤモンド結晶 0.2nmの目盛り 原子一層分の厚さ | 120 660 |
2009年 1月号 | ダイヤで高効率のLED
-作製条件をシミュレーションで解明- | 東工大 スタンフォード大 | 日経産業新聞 (2008年10月9日PP.11) | アダマンタン 直接遷移型電子構造 180nmの紫外線を放出 ダイヤ分子の大きさ0.5〜数nm | 250 |
2008年 9月号 | ダイヤモンド固体素子で「量子もつれ」を室温で実現 | 筑波大 産総研 独シュトゥットガルト大 | 日刊工業新聞 (2008年6月6日PP.23) 日経産業新聞 (2008年6月6日PP.8) | マイクロ波プラズマCVD 原子量13の炭素を多く含むダイヤとメタンガス 電子スピン 核スピン 3量子ビット | 120 160 |
2008年 4月号 | 最速120GHzで動作するダイヤモンド製トランジスタ | NTT 英エレメントシックス | 日経産業新聞 (2008年1月7日PP.9) | 車載用レーダ 多結晶ダイヤモンド基板上 科学的気相成長法 2GHz時の増幅率1万倍 ガリウム・ヒ素に比べて2倍以上の高出力 | 220 |
2006年 1月号 | FELの発光効率高める | 高知県産業振興センター | 日経産業新聞 (2005年10月27日PP.8) | 厚さ10nm以下のダイヤモンド薄膜 カーボンナノウォール 1700cd/m2 発光効率60lm/W 5cm角の面発光光源試作 | 120 160 250 |
2005年11月号 | 最薄の5μmのSiウェハ
-紙並みの曲がりに道- | 東京精密 | 日経産業新聞 (2005年8月24日PP.1) | 厚さ725μmのウェハを2種類のダイヤモンド砥石で10μm程度まで削った後SiOで研磨するポリッシュグラインダー | 160 360 |
2005年 9月号 | 単層CNT 最高密度の垂直成長 -ダイヤ薄膜成長技術を用いて成功- | 早大 | 日刊工業新聞 (2005年6月8日PP.25) | 先端アークマイクロ波プラズマ励起化学気相成長法(PAMPCVD) 0.5nm厚のFeをアルミナ薄膜で挟む構造 20時間で2mm成長 体積密度66kg/m3 | 120 160 |
2005年 8月号 | n型ダイヤモンド半導体 (001)面に初合成 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2005年5月10日PP.25) | 紫外線発光でpn接合確認 マイクロ波プラズマCVDでリンを添加して合成 | 160 220 |
2005年 5月号 | 電子線描画装置にダイヤ | 住友電工 | 日刊工業新聞 (2005年2月16日PP.1) | EB装置 ダイヤ電子源 10倍大きい照射電流 | 360 120 |
2005年 4月号 | 強度ダイヤモンド並みの導電性炭素皮膜 -ハードディスク保護膜向け- | NTTアフティ | 日経産業新聞 (2005年1月27日PP.9) | 厚み約40nm 直径2〜3nmの筒状炭素分子が林立 1000℃までの耐熱性 | 230 120 |
2005年 2月号 | マリモのようなナノ炭素材料 -航空機や燃料電池向け- | 物材機構 | 日刊工業新聞 (2004年11月24日PP.1) | 直径1μm〜10μm ダイヤモンド核の直径は10nm〜100nm 酸化ダイヤモンドを触媒単体 Fe Ni 500℃〜700℃のCVD マリモカーボン | 120 |
2003年11月号 | ダイヤモンドを使ったトランジスタ -世界最高の周波数特性- | NTT 独ウルム大 | 日刊工業新聞 (2003年8月21日PP.5) 日経産業新聞 (2003年8月21日PP.7) 電波タイムズ (2003年8月25日PP.1) | 最高動作周波数81GHz 高純度低欠陥結晶 出力0.3W ミリ波増幅 | 120 160 220 |
2003年 3月号 | ダイヤモンド半導体開発へ | 東芝 神戸製鋼 住友電工 | 日本経済新聞 (2002年12月26日PP.11) | 基板に人口ダイヤモンド 20倍の動作速度 摂氏1000度でも性能を維持 | 120 220 |
2002年10月号 | 高速・簡単に高品質ダイヤ薄膜 | 日本工大 | 日本工業新聞 (2002年7月9日PP.2) | 酸素-アセチレン炎 チャンバーフレーム法 1時間に20μm | 160 |
2002年 9月号 | ダイヤモンドLED -光出力が従来の600倍に- | 東京ガス | 日刊工業新聞 (2002年6月7日PP.5) 日経産業新聞 (2002年6月27日PP.11) | 紫外線LED 出力17μW 波長235nm 発光効率0.032% | 250 160 |
2002年 5月号 | 超微細ダイヤ針 -薄型テレビなどに応用- | 阪大 住友電工 ファインセラミックセンター | 日経産業新聞 (2002年2月14日PP.9) | FED 先端の直径2nm 400本/1mの集積可能 | 160 250 |
2002年 3月号 | ダイヤ薄膜に微細な穴形成 | 東大 都立大 | 日本経済新聞 (2001年12月17日PP.19) | 穴径数10nm 加工速度1μm/分 | 160 |
2001年10月号 | 先端径10nmのダイヤモンド・ナノエミッタ | 住友電工 ファインセラミックスセンター 阪大 | 日刊工業新聞 (2001年7月17日PP.1) | 電流を均質化 数mm角の基板に10μmピッチで配置 成長とエッチングの組合せ 単結晶ダイヤモンド φ3〜5mm円すい プラズマエッチング 高さ/先端径>10 | 160 250 |
2001年 8月号,9月号 | ダイヤで紫外光LED 人工ダイヤの「輝き」 | 物質・材料研究機構 | 日経産業新聞 (2001年6月8日PP.9) 朝日新聞・夕刊 (2001年6月13日PP.12) | 波長235nm 15V、0.1mAで発光 人工ダイヤモンド 約2mm角 波長235nm 青紫の可視光 | 250 |
2001年 3月号 | ダイヤ弾性表面波共振子 | 住友電工 | 日刊工業新聞 (2001年1月4日PP.1) | ダイヤモンド SAW 共振子 5GHz 櫛形電極サイズ0.5μm | 240 |
2000年 9月号 | ダイヤモンドナノチューブ | 東大 都立大 | 日本経済新聞 (2000年7月17日PP.15) | 人工ダイヤ CVD カーボンナノチューブ | 250 |
2000年 6月号 | ダイヤモンドFED -均一なエミッタ- | 東大 | 日刊工業新聞 (2000年4月21日PP.6) | 平面ディスプレイ 化学気相成長法 酸素プラズマ | 160 |
2000年 5月号 | 人工ダイヤ常温で紫外線発光 | 東京ガス | 日経産業新聞 (2000年3月3日PP.5) 毎日新聞 (2000年3月27日) | 紫外線 人工ダイヤモンド 波長235nm 常温で発光 LNG | 250 |
2000年 3月号 | 真空マイクロ素子 -ダイヤモンド状炭素エミッタに使用- | 東芝 | 日刊工業新聞 (2000年1月13日PP.6) | DLC 電子放出電圧24V 真空マイクロ素子 マイクロ波CVD法 | 250 150 160 220 |
1999年10月号 | ハイブリッド式成膜装置 -耐磨耗性を80倍に- | ナノテック | 日刊工業新聞 (1999年8月6日PP.7) | ダイヤモンド 磁気ディスク DLC | 130 160 |
1999年10月号 | ディスプレイの平板化技術 | 高知工科大 | 電波タイムズ (1999年8月9日PP.6) | ダイヤモンド薄膜 | 150 |
1999年 4月号 | ダイヤモンドの光記憶現象 | 宇都宮大 | 日本工業新聞 (1999年2月5日PP.1) | ボロンドープP形ダイヤモンド薄膜 MPCVD法 ダイヤモンド写真現象 | 130 |
1998年 9月号 | 放出効率50%の電子放出素子 | 阪大 | 日経産業新聞 (1998年7月24日PP.5) | 単結晶ダイヤモンド薄膜 電子放出 気相合成 表示用素子 放出電流 放出効率50% ダイヤモンド | 250 |
1998年 8月号 | 薄型CRT「HyFED」 | FEPET社(米) | 電波新聞 (1998年6月11日PP.2) | ダイヤモンド/カーボン薄膜 冷陰極 CRT 大型ディスプレイ フィールドエミッション | 250 |
1998年 1月号 | 薄型軽量フラットパネルディスプレイ -実用化開発に着手- | 高知工科大 カシオ | 日刊工業新聞 (1997年11月21日PP.6) | フラットパネルディスプレイ 薄膜ダイヤモンド半導体 薄膜ダイヤ | 250 |
1997年10月号 | ナノメートルの領域で硬さ測定 | 科学技術庁 | 日経産業新聞 (1997年8月25日PP.5) | AFM ダイヤモンド針 | 360 660 |
1997年 5月号 | 人工ダイヤ使用高周波フィルタ -耐久性8倍に- | 住友電工 | 日経産業新聞 (1997年3月24日PP.1) | SAWフィルタ 人工ダイヤモンド | 240 140 |
1997年 4月号 | 電子放出素子 -ダイヤモンド薄膜使用,ディスプレイ応用-木村) | 阪大 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1997年2月21日PP.5) | 薄膜 FED 電子放出素子 ダイヤモンド薄膜 効率2% 薄型ディスプレイ | 250 |
1997年 3月号 | ダイヤモンドトランジスタ-Si基板に形成- | 早大 | 日経産業新聞 (1997年1月8日PP.4) | ダイヤモンド トランジスタ Si基板 2cm角 | 220 120 |
1997年 1月号 | ダイヤモンドN型半導体の合成に成功 | 無機材質研 青学大 | 日刊工業新聞 (1996年11月26日PP.7) | マイクロ波プラズマ気相合成法 メタンとフォスフィン 移動度20cm2/V/s | 120 |
1996年 5月号 | SAWフィルタ -ダイヤで初の電子素子- | 住友電工 NEC | 日刊工業新聞 (1996年3月19日PP.13) | SAWフィルタ ダイヤモンド素子 | 140 240 |
1995年11月号 | ダイヤ使う高性能ダイオード -平坦な薄膜合成に成功- | 電総研 | 日刊工業新聞 (1995年9月1日PP.5) 日経産業新聞 (1995年9月1日PP.5) | ダイヤモンド ダイオード プラズマエッチング | 160 220 |
1995年10月号 | ダイヤ膜で3インチウェハ量産技術 | 住友電工 | 日経産業新聞 (1995年8月16日PP.1) | 気相成長 ダイヤモンドウェハ | 160 |
1995年 3月号 | 電話線によるビデオ番組サービス | 米ベル アトランティック | 日経産業新聞 (1995年1月13日PP.3) 電波新聞 (1995年1月14日PP.3) | 電話回線でビデオ映像伝送 ビデオ ダイヤル トーン CATV各社に対抗 高速信号変換装置 | 440 540 |
1995年 3月号 | ダイヤモンド膜を使った薄型ディスプレイ -米,官民共同で開発- | 米商務省 SIダイヤモンドテクノロジー | 日経産業新聞 (1995年1月4日PP.1) | ダイヤモンド薄膜 フラットパネル 薄型ディスプレイ | 250 |
1994年 9月号 | 製造加工技術 -ダイヤ成膜速度300倍- | 富士通研 | 日経産業新聞 (1994年7月19日PP.1) | 製造加工技術 人造ダイヤ | 160 |
1994年 8月号 | 気相ダイヤ膜利用SAWフィルタ -2.5GHz帯用容易に作製- | 住友電工 | 日刊工業新聞 (1994年6月3日PP.7) | ダイヤ SAWフィルタ 高周波 | 240 |
1993年 2月号 | 爆薬を利用したヘテロダイヤモンドの合成 | 工技院科学技研 | 日経産業新聞 (1992年12月11日PP.4) | 半導体材料 爆薬ホウ素 炭素 窒素 | 160 260 |
1992年 9月号 | 究極の素子に挑むスーパーダイヤ計画 -Si上回る特性- | 科学技術庁 | 日刊工業新聞 (1992年7月22日PP.7) | 新材料 スーパダイヤモンド cBNとダイヤ膜 | 220 |
1992年 2月号 | n型ダイヤ半導体 | 科技庁無機材料研 | 日刊工業新聞 (1991年12月9日PP.1) | ダイヤ半導体 n型 リン触媒 | 220 |
1992年 1月号 | 3カラットの人造ダイヤ | GE(米) | 日経産業新聞 (1991年11月22日PP.4) | C13を原料 | 100 |
1992年 1月号 | 低欠陥ダイヤモンド単結晶 | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1991年11月19日PP.5) 電波新聞 (1991年11月19日PP.2) | 材料 ダイヤモンド単結晶 | 160 |
1991年10月号 | ダイヤ薄膜トランジスタ -多結晶ダイヤをIC化- | 神戸製鋼 | 日経産業新聞 (1991年8月12日PP.1) | ダイヤ薄膜トランジスタ 高温,放射線に強いFET | 220 |
1991年 7月号 | 世界初ダイヤトランジスタ | 東海大 | 読売新聞 (1991年5月18日PP.1) | ダイヤモンド トランジスタ | 220 |