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ダイヤモンド 関係の注目記事
学会誌に掲載された記事は青色で表示しています。

掲載
予定
題 目発表社情報源キーポイント 分類
番号
2016年11月号反転層チャネルMOSFET
ダイヤ半導体で作製
金沢大など日刊工業新聞
(2016年8月23日PP.23)
パワーデバイス向けノーマリーオフ特性

ダイヤモンドは最も高い絶縁破壊電界とキャリヤ移動度
熱伝導率を持つ究極のパワーデバイス材料
220
2016年 9月号量子通信用の光子をダイヤに転写保存横浜国大など日刊工業新聞
(2016年6月6日PP.15)
量子テレポテーション120
2016年 2月号単結晶ダイヤモンド基板並木精密宝石日刊工業新聞
(2015年11月25日PP.6)
耐熱性や耐久性に優れており
次世代半導体の基板の可能性
120
2015年 3月号世界最高耐圧のトランジスタを開発早大日刊工業新聞
(2014年12月16日PP.23)
耐圧1600V,ダイヤモンド製トランジスタ220
2015年 1月号半導体ダイヤモンドの高速成長法を開発金沢大学,アリオス,産総研日刊工業新聞
(2014年10月6日PP.20)
結晶の成長速度は1時間当たり100μm,球形チャンバー内で炭素をプラズマでラジカル状態まで活性化し,ダイヤモンドの種基板と反応させ結晶を成長させる,120
260
2014年 9月号透明スクリーンを開発東工大日経産業新聞
(2014年6月4日PP.10)
プロジェクタスクリーン
ダイヤ微粒子を塗布
厚み2〜3μm
250
2013年 3月号ダイヤモンド半導体を用いた真空パワースイッチ産総研
物材機構
日刊工業新聞
(2012年12月12日PP.24)
日経産業新聞
(2012年12月14日PP.8)
10kVで動作
高濃度不純物層
伝達効率74%
ダイヤモンド表面をHで覆う
250
220
2012年11月号ダイヤモンド半導体を用いたFET東工大
産総研
日刊工業新聞
(2012年8月23日PP.19)
高濃度のP不純物を添加したn型ダイヤモンド半導体220
2012年 7月号室温で動作する単一光子源阪大
産総研
日刊工業新聞
(2012年4月16日PP.17)
日経産業新聞
(2012年4月17日PP.9)
ダイヤモンドを用いたLED
リンを添加したn層
ホウ素を添加したp層
純粋なダイヤモンドをi層
人工ダイヤモンド薄膜
室温動作
120
250
240
2012年 3月号ダイヤ分子結晶の紫外線発光技術東工大
米スタンフォード大
日経産業新聞
(2011年12月6日PP.10)
波長230nm以下の紫外線を当てて300nmの紫外線を出す
面発光が可能になる
120
150
2012年 1月号量子メモリーの原理実験に成功NTT
阪大
国立情報学研
日刊工業新聞
(2011年10月13日PP.21)
日経産業新聞
(2011年10月13日PP.11)
量子もつれ振動を制御
量子メモリー
ダイヤモンド基板と超電導の量子ビットを組み合わせたハイブリッドの量子状態
220
230
120
2011年12月号ダイヤモンド半導体を使ったバイポーラトランジスタ産総研日刊工業新聞
(2011年9月5日PP.19)
10
(0年0月0日)
ダイヤにBPを高濃度に添加した低抵抗ダイヤモンド薄膜


増幅率10
バイポーラトランジスタ
室温動作
220
2010年 5月号出力10倍のダイヤ製LED産総研
物材機構
岩崎電気
シンテック
日経産業新聞
(2010年2月9日PP.11)
発光出力0.3mW
波長235nm
0.1mW程度の計100秒照射で大腸菌を殺菌
250
2010年 5月号CNT内にダイヤ型触媒東京理科大日刊工業新聞
(2010年2月16日PP.22)
液相一段合成法
金属錯体触媒
アルコール
アルゴンガス
抵抗加熱で約800℃
太さ50nm前後
120
160
2010年 1月号ダイヤを用いた不純物のない単層CNT作製法NTT
東京理科大
日経産業新聞
(2009年10月6日PP.11)
直径4〜5nmのナノダイヤ使用
SiO2などの基板上に敷き詰め
850℃のアルゴンガス
エタノール吹き込み
直径1〜2nm
30分間で約100μmまで成長
120
160
2009年11月号金属ガラスで1Tbpi以上の磁気記録媒体の製造技術RIMCOF日刊工業新聞
(2009年8月6日PP.25)
熱インプリント
パターンドメディア
サファイアにダイヤモンドライクカーボン(DLC)薄膜
25nm間隔太さ12nmのドットを形成した金型を作製
160
230
2009年11月号簡単構造で耐電圧1kVのダイヤ製ダイオード物材機構日経産業新聞
(2009年8月21日PP.9)
ショットキーダイオード
CVD
エキシマランプで172nmの紫外線照射
220
2009年 9月号発光出力2〜3倍のLEDアレイOKIデータ
ユーテック
クリスタル光学
日刊工業新聞
(2009年6月3日PP.9)
LED膜・ダイヤモンドライクカーボン(DLC)膜・Si基板の3層構造
エピフィルムボンディング技術
250
120
2009年 9月号炭素のみを用いた超格子構造産総研日経産業新聞
(2009年6月12日PP.11)
ダイヤモンド同位体
炭素12と炭素13の同位体
各同位体で膜厚30nmの薄膜を作り交互に25層積層
マイクロ波プラズマCVD
120
2009年 7月号波長235nmで発光するダイヤモンド深紫外線LED産総研日刊工業新聞
(2009年4月3日PP.22)
従来比1000倍以上の発光強度
2000A/cm2以上の電流注入でも劣化なし
発光出力約30μW
120
250
2009年 7月号ナノレベルの物差し産総研日経産業新聞
(2009年4月20日PP.12)
ダイヤモンド結晶
0.2nmの目盛り
原子一層分の厚さ
120
660
2009年 1月号ダイヤで高効率のLED
-作製条件をシミュレーションで解明-
東工大
スタンフォード大
日経産業新聞
(2008年10月9日PP.11)
アダマンタン
直接遷移型電子構造
180nmの紫外線を放出
ダイヤ分子の大きさ0.5〜数nm
250
2008年 9月号ダイヤモンド固体素子で「量子もつれ」を室温で実現筑波大
産総研
独シュトゥットガルト大
日刊工業新聞
(2008年6月6日PP.23)
日経産業新聞
(2008年6月6日PP.8)
マイクロ波プラズマCVD
原子量13の炭素を多く含むダイヤとメタンガス
電子スピン
核スピン
3量子ビット
120
160
2008年 4月号最速120GHzで動作するダイヤモンド製トランジスタNTT
英エレメントシックス
日経産業新聞
(2008年1月7日PP.9)
車載用レーダ
多結晶ダイヤモンド基板上
科学的気相成長法
2GHz時の増幅率1万倍
ガリウム・ヒ素に比べて2倍以上の高出力
220
2006年 1月号FELの発光効率高める高知県産業振興センター日経産業新聞
(2005年10月27日PP.8)
厚さ10nm以下のダイヤモンド薄膜
カーボンナノウォール
1700cd/m2
発光効率60lm/W
5cm角の面発光光源試作
120
160
250
2005年11月号最薄の5μmのSiウェハ
-紙並みの曲がりに道-
東京精密日経産業新聞
(2005年8月24日PP.1)
厚さ725μmのウェハを2種類のダイヤモンド砥石で10μm程度まで削った後SiOで研磨するポリッシュグラインダー160
360
2005年 9月号単層CNT
最高密度の垂直成長
-ダイヤ薄膜成長技術を用いて成功-
早大日刊工業新聞
(2005年6月8日PP.25)
先端アークマイクロ波プラズマ励起化学気相成長法(PAMPCVD)
0.5nm厚のFeをアルミナ薄膜で挟む構造
20時間で2mm成長
体積密度66kg/m3
120
160
2005年 8月号n型ダイヤモンド半導体
(001)面に初合成
産総研日刊工業新聞
(2005年5月10日PP.25)
紫外線発光でpn接合確認
マイクロ波プラズマCVDでリンを添加して合成
160
220
2005年 5月号電子線描画装置にダイヤ住友電工日刊工業新聞
(2005年2月16日PP.1)
EB装置
ダイヤ電子源
10倍大きい照射電流
360
120
2005年 4月号強度ダイヤモンド並みの導電性炭素皮膜
-ハードディスク保護膜向け-
NTTアフティ日経産業新聞
(2005年1月27日PP.9)
厚み約40nm
直径2〜3nmの筒状炭素分子が林立
1000℃までの耐熱性
230
120
2005年 2月号マリモのようなナノ炭素材料
-航空機や燃料電池向け-
物材機構日刊工業新聞
(2004年11月24日PP.1)
直径1μm〜10μm
ダイヤモンド核の直径は10nm〜100nm
酸化ダイヤモンドを触媒単体
Fe
Ni
500℃〜700℃のCVD
マリモカーボン
120
2003年11月号ダイヤモンドを使ったトランジスタ
-世界最高の周波数特性-
NTT
独ウルム大
日刊工業新聞
(2003年8月21日PP.5)
日経産業新聞
(2003年8月21日PP.7)
電波タイムズ
(2003年8月25日PP.1)
最高動作周波数81GHz
高純度低欠陥結晶
出力0.3W
ミリ波増幅
120
160
220
2003年 3月号ダイヤモンド半導体開発へ東芝
神戸製鋼
住友電工
日本経済新聞
(2002年12月26日PP.11)
基板に人口ダイヤモンド
20倍の動作速度
摂氏1000度でも性能を維持
120
220
2002年10月号高速・簡単に高品質ダイヤ薄膜日本工大日本工業新聞
(2002年7月9日PP.2)
酸素-アセチレン炎
チャンバーフレーム法
1時間に20μm
160
2002年 9月号ダイヤモンドLED
-光出力が従来の600倍に-
東京ガス日刊工業新聞
(2002年6月7日PP.5)
日経産業新聞
(2002年6月27日PP.11)
紫外線LED
出力17μW
波長235nm
発光効率0.032%
250
160
2002年 5月号超微細ダイヤ針
-薄型テレビなどに応用-
阪大
住友電工
ファインセラミックセンター
日経産業新聞
(2002年2月14日PP.9)
FED
先端の直径2nm
400本/1mの集積可能
160
250
2002年 3月号ダイヤ薄膜に微細な穴形成東大
都立大
日本経済新聞
(2001年12月17日PP.19)
穴径数10nm
加工速度1μm/分
160
2001年10月号先端径10nmのダイヤモンド・ナノエミッタ住友電工
ファインセラミックスセンター
阪大
日刊工業新聞
(2001年7月17日PP.1)
電流を均質化
数mm角の基板に10μmピッチで配置
成長とエッチングの組合せ
単結晶ダイヤモンド
φ3〜5mm円すい
プラズマエッチング
高さ/先端径>10
160
250
2001年 8月号,9月号ダイヤで紫外光LED
人工ダイヤの「輝き」
物質・材料研究機構日経産業新聞
(2001年6月8日PP.9)
朝日新聞・夕刊
(2001年6月13日PP.12)
波長235nm
15V、0.1mAで発光
人工ダイヤモンド
約2mm角
波長235nm
青紫の可視光
250
2001年 3月号ダイヤ弾性表面波共振子住友電工日刊工業新聞
(2001年1月4日PP.1)
ダイヤモンド
SAW 共振子
5GHz
櫛形電極サイズ0.5μm
240
2000年 9月号ダイヤモンドナノチューブ東大
都立大
日本経済新聞
(2000年7月17日PP.15)
人工ダイヤ
CVD
カーボンナノチューブ
250
2000年 6月号ダイヤモンドFED
-均一なエミッタ-
東大日刊工業新聞
(2000年4月21日PP.6)
平面ディスプレイ
化学気相成長法
酸素プラズマ
160
2000年 5月号人工ダイヤ常温で紫外線発光東京ガス日経産業新聞
(2000年3月3日PP.5)
毎日新聞
(2000年3月27日)
紫外線
人工ダイヤモンド
波長235nm
常温で発光
LNG
250
2000年 3月号真空マイクロ素子
-ダイヤモンド状炭素エミッタに使用-
東芝日刊工業新聞
(2000年1月13日PP.6)
DLC
電子放出電圧24V
真空マイクロ素子
マイクロ波CVD法
250
150
160
220
1999年10月号ハイブリッド式成膜装置
-耐磨耗性を80倍に-
ナノテック日刊工業新聞
(1999年8月6日PP.7)
ダイヤモンド
磁気ディスク
DLC
130
160
1999年10月号ディスプレイの平板化技術高知工科大電波タイムズ
(1999年8月9日PP.6)
ダイヤモンド薄膜150
1999年 4月号ダイヤモンドの光記憶現象宇都宮大日本工業新聞
(1999年2月5日PP.1)
ボロンドープP形ダイヤモンド薄膜
MPCVD法
ダイヤモンド写真現象
130
1998年 9月号放出効率50%の電子放出素子阪大日経産業新聞
(1998年7月24日PP.5)
単結晶ダイヤモンド薄膜
電子放出
気相合成
表示用素子
放出電流
放出効率50%
ダイヤモンド
250
1998年 8月号薄型CRT「HyFED」FEPET社(米)電波新聞
(1998年6月11日PP.2)
ダイヤモンド/カーボン薄膜
冷陰極
CRT
大型ディスプレイ
フィールドエミッション
250
1998年 1月号薄型軽量フラットパネルディスプレイ
-実用化開発に着手-
高知工科大
カシオ
日刊工業新聞
(1997年11月21日PP.6)
フラットパネルディスプレイ
薄膜ダイヤモンド半導体
薄膜ダイヤ
250
1997年10月号ナノメートルの領域で硬さ測定科学技術庁日経産業新聞
(1997年8月25日PP.5)
AFM
ダイヤモンド針
360
660
1997年 5月号人工ダイヤ使用高周波フィルタ
-耐久性8倍に-
住友電工日経産業新聞
(1997年3月24日PP.1)
SAWフィルタ
人工ダイヤモンド
240
140
1997年 4月号電子放出素子
-ダイヤモンド薄膜使用,ディスプレイ応用-木村)
阪大
松下電器産業
日経産業新聞
(1997年2月21日PP.5)
薄膜
FED
電子放出素子
ダイヤモンド薄膜
効率2%
薄型ディスプレイ
250
1997年 3月号ダイヤモンドトランジスタ-Si基板に形成-早大日経産業新聞
(1997年1月8日PP.4)
ダイヤモンド
トランジスタ
Si基板
2cm角
220
120
1997年 1月号ダイヤモンドN型半導体の合成に成功無機材質研
青学大
日刊工業新聞
(1996年11月26日PP.7)
マイクロ波プラズマ気相合成法
メタンとフォスフィン
移動度20cm2/V/s
120
1996年 5月号SAWフィルタ
-ダイヤで初の電子素子-
住友電工
NEC
日刊工業新聞
(1996年3月19日PP.13)
SAWフィルタ
ダイヤモンド素子
140
240
1995年11月号ダイヤ使う高性能ダイオード
-平坦な薄膜合成に成功-
電総研日刊工業新聞
(1995年9月1日PP.5)
日経産業新聞
(1995年9月1日PP.5)
ダイヤモンド
ダイオード
プラズマエッチング
160
220
1995年10月号ダイヤ膜で3インチウェハ量産技術住友電工日経産業新聞
(1995年8月16日PP.1)
気相成長
ダイヤモンドウェハ
160
1995年 3月号電話線によるビデオ番組サービス米ベル
アトランティック
日経産業新聞
(1995年1月13日PP.3)
電波新聞
(1995年1月14日PP.3)
電話回線でビデオ映像伝送
ビデオ
ダイヤル
トーン
CATV各社に対抗
高速信号変換装置
440
540
1995年 3月号ダイヤモンド膜を使った薄型ディスプレイ
-米,官民共同で開発-
米商務省
SIダイヤモンドテクノロジー
日経産業新聞
(1995年1月4日PP.1)
ダイヤモンド薄膜
フラットパネル
薄型ディスプレイ
250
1994年 9月号製造加工技術
-ダイヤ成膜速度300倍-
富士通研日経産業新聞
(1994年7月19日PP.1)
製造加工技術
人造ダイヤ
160
1994年 8月号気相ダイヤ膜利用SAWフィルタ
-2.5GHz帯用容易に作製-
住友電工日刊工業新聞
(1994年6月3日PP.7)
ダイヤ
SAWフィルタ
高周波
240
1993年 2月号爆薬を利用したヘテロダイヤモンドの合成工技院科学技研日経産業新聞
(1992年12月11日PP.4)
半導体材料
爆薬ホウ素
炭素
窒素
160
260
1992年 9月号究極の素子に挑むスーパーダイヤ計画
-Si上回る特性-
科学技術庁日刊工業新聞
(1992年7月22日PP.7)
新材料
スーパダイヤモンド
cBNとダイヤ膜
220
1992年 2月号n型ダイヤ半導体科技庁無機材料研日刊工業新聞
(1991年12月9日PP.1)
ダイヤ半導体
n型
リン触媒
220
1992年 1月号3カラットの人造ダイヤGE(米)日経産業新聞
(1991年11月22日PP.4)
C13を原料100
1992年 1月号低欠陥ダイヤモンド単結晶松下電器産業日経産業新聞
(1991年11月19日PP.5)
電波新聞
(1991年11月19日PP.2)
材料
ダイヤモンド単結晶
160
1991年10月号ダイヤ薄膜トランジスタ
-多結晶ダイヤをIC化-
神戸製鋼日経産業新聞
(1991年8月12日PP.1)
ダイヤ薄膜トランジスタ
高温,放射線に強いFET
220
1991年 7月号世界初ダイヤトランジスタ東海大読売新聞
(1991年5月18日PP.1)
ダイヤモンド
トランジスタ
220
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