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| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
| 2018年 3月号 | SiCパワー半導体 電気抵抗1/3に | 三菱電機 東大 | 日刊工業新聞 (2017年12月6日PP.25) | 界面近傍を避けるように電子を流す | 220 |
| 2018年 3月号 | 液体原子個々に観察 | 東大など | 日刊工業新聞 (2017年12月18日PP.29) | 散乱電子を検出 不揮発性液体に金イオンを混ぜ 走査透過型電子顕微鏡で観察 | 660 |
| 2018年 2月号 | 透過中性子計測 電子スピン配列解明 | 物材機構 原子力機構 | 日刊工業新聞 (2017年11月20日PP.19) | 透過中性子 | 120 |
| 2018年 0月号 | ナノ多層薄膜 常温常圧で容易構築 | 大阪府大 | 日刊工業新聞 (2017年9月20日PP.27) | π電子の相互作用により積層されやすいフラットな形状の分子を使用 | 160 |
| 2017年11月号 | デジタル署名の新技術 | NTTなど | 日経産業新聞 (2017年8月10日PP.8) | アプリ制作 暗号技術との組合せ 処理工程削減 電子送金 電子投票 | 520 |
| 2017年10月号 | 電子が偏る様子観測 | 東京農工大 | 日経産業新聞 (2017年7月28日PP.12) | レーザ 微細加工 電子の偏り ナノメートルサイズ | 120 250 160 |
| 2017年 9月号 | 電子波動関数可視化 アト秒テク発展に貢献 | 早大 | 日刊工業新聞 (2017年6月16日PP.25) | アト秒テクノロジー | 660 |
| 2017年 9月号 | 電子伝導性と白色発光発見 | 名大 | 日刊工業新聞 (2017年6月20日PP.34) | カーボンナノリング | 120 |
| 2017年 8月号 | グラフェンに赤外光照射 高次高調波が発生 | 京大 | 日刊工業新聞 (2017年5月25日PP.23) | 楕円偏光で可視光の生成効率最大 ディラック電子状態に起因 炭素の単一原子層超薄膜のグラフェンに赤外パルス光を照射すると 波長が短い可視光パルス光に変換される 高次高周波 | 120 |
| 2017年 7月号 | 次世代メモリー新素材 安価に「スピン液体」作製 | 東北大 英リバプール大 | 日経産業新聞 (2017年4月25日PP.8) 日刊工業新聞 (2017年4月25日PP.29) | スピン液体 フェナントレン 安価な炭化水素分子「フェナンスレン」に電子を導入 | 230 120 |
| 2017年 5月号 | 傾いた画面に正確投映 | 千葉大 | 日経産業新聞 (2017年2月10日PP.8) | プロジェクタ 画像処理 電子看板 | 350 |
| 2017年 5月号 | 金属内の透過劣化場所特定 計測電子顕微鏡 | 物性機構 東邦大 | 日刊工業新聞 (2017年2月17日PP.25) | 水素脆化の解明 2000x2000画素の解像度で400sの測定時間 | 360 |
| 2017年 5月号 | シリコンフォトニクス使用 省エネ光配線実 | 光電子融合基盤技術研究所 | 日刊工業新聞 (2017年2月23日PP.25) | シリコンフォトニクス 高速高密度光トランシーバ 25Gbpsで動作する高密度な光トランシーバ 量子ドットレーザ | 160 240 |
| 2017年 5月号 | 電子のスピン 自在に操作 | 東大 | 日刊工業新聞 (2017年2月27日PP.21) | レーザー光利用 | 120 |
| 2017年 3月号 | 東北大 電子素子に活用 | 東北大 | 日経産業新聞 (2016年12月14日PP.8) | トポロジカル絶縁体 電子素子 低消費電力化 | 120 |
| 2017年 3月号 | 電子機器への影響試験 | NTTなど | 日経産業新聞 (2016年12月22日PP.8) | 中性子線 エラー検出 電子回路 電子機器 | 660 |
| 2017年 2月号 | 電子多い電流で量子効果 大電流で量子効果 | NTTなど | 日経産業新聞 (2016年11月9日PP.8) | 量子コンピュータ 量子効果 超電導 物理現象 2枚のアルミニウムで酸化アルミを挟んだ約90nm厚のジョセフソン結合 | 120 |
| 2017年 2月号 | 金属と半導体作り分け | 東北大 | 日経産業新聞 (2016年11月10日PP.8) | 半導体 電子部品 炭素原子 | 120 |
| 2017年 1月号 | 原子一層の半導体性質を電子線照射で制御 | 千葉大 | 日刊工業新聞 (2016年10月18日PP.27) | 二硫化モリブデン 電子線照射でバンドギャップ制御 | 120 |
| 2017年 1月号 | 磁石内に超電導電子ペア | 京大 | 日刊工業新聞 (2016年10月27日PP.27) | ルテニウム酸化物の超電導体 エネルギー損失ゼロのスピントロニクス素子 | 120 |
| 2017年 1月号 | ガズバリアフィルム開発 折り曲げ可能な有機EL向け | アサヒ電子研究所 | 日刊工業新聞 (2016年10月28日PP.17) | ガズバリアフィルム PET，CAT-CVD 厚さ0.5μm以下の透明薄膜 | 250 |
| 2016年12月号 | 高精度量子ビットをシリコン半導体に実装 | 理研 | 日刊工業新聞 (2016年9月6日PP.23) | 単一量子ビット操作を従来比約100倍に高速化 ビット忠実度99.6% 半導体量子ドット中に閉じ込めた電子スピンを利用 | 120 |
| 2016年12月号 | フルカラーで曲がる32インチ電子ペーパー | 凸版印刷 | 日経産業新聞 (2016年9月14日PP.6) | 電子ペーパー | 350 |
| 2016年12月号 | パラパラ漫画風8K動画 | PDC | 日経産業新聞 (2016年9月30日PP.13) | ディジタルサイネージ 電子看板 8K動画 モーフィング CG | 520 |
| 2016年11月号 | 電子の移動 1個ずつ制御 シリコン単電子転送素子 電流再定義へ一歩 | NTT | 日経産業新聞 (2016年7月6日PP.8) 日刊工業新聞 (2016年7月6日PP.23) | シリコン半導体素子 1GHz動作で10-6以下の転送エラー率 直径10nmのシリコン線上に2個のシリコントランジスタを配置した200nmの素子 | 220 660 |
| 2016年11月号 | ディスプレイ 形自在 電源オフ後も表示維持 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2016年7月21日PP.8) | 電子が移動すると有機物と結合した金属イオンの色が変わる現象を応用 ハサミなどで好きな形に切れる | 250 |
| 2016年11月号 | グラフェン内電子スピン方向 磁性酸化物で制御 | 量子科学機構 物材機構 筑波大 | 日刊工業新聞 (2016年7月26日PP.29) | 電子デバイスの高速化や省エネルギー化につながるスピントロニクスにグラフェンを応用する際のカギ | 120 |
| 2016年 9月号 | 電子質量0に見える物質 | 東北大 | 日経産業新聞 (2016年5月13日PP.8) | ニオブとリンの合金 | 120 |
| 2016年 9月号 | 電子1個のスピン情報 長距離伝送で検出 | 東大 | 日刊工業新聞 (2016年5月31日PP.31) | 単一電子スピン 量子ドット 伝送 | 120 140 |
| 2016年 7月号 | 窒化ガリウム半導体 電子運動初観測 http:// www.ntt.co.jp/news2016/1604/160411b.html | NTT 理科大 | 日刊工業新聞 (2016年4月13日PP.27) | ペタヘルツ アト秒 窒化ガリウム半導体 電子振動 ペタヘルツの高周波現象を利用して，アト秒で振動する電子運動の観測に成功 | 120 220 |
| 2016年 7月号 | 微細な電子回路量産 | 産総研など | 日刊工業新聞 (2016年4月21日PP.23) | スーパーナップ法を開発，フィルムに電子回路状の紫外線を当てインクを塗布 | 160 |
| 2016年 7月号 | 窒化ガリウム半導体 電子運動初観測 http:// www.ntt.co.jp/news2016/1604/160411b.html | NTT 理科大 | 日刊工業新聞 (2016年4月13日PP.27) | ペタヘルツ アト秒 窒化ガリウム半導体 電子振動 ペタヘルツの高周波現象を利用して，アト秒で振動する電子運動の観測に成功 | 120 220 |
| 2016年 7月号 | 微細な電子回路量産 | 産総研など | 日刊工業新聞 (2016年4月21日PP.23) | スーパーナップ法を開発，フィルムに電子回路状の紫外線を当てインクを塗布 | 160 |
| 2016年 6月号 | 電子スピン長距離輸送に成功 http://www.ntt.co.jp/news2016/1603/160308c.html | NTT 東北大 | 日刊工業新聞 (2016年3月9日PP.29) | 電子スピン 量子コンピュータ 電界効果型スピントランジスタ スピン演算素子 半導体中の電子スピンの向きを安定的に操作 | 240 |
| 2016年 3月号 | 強いレーザパルスで量子状態高速操作 | 名大など | 日刊工業新聞 (2015年12月1日PP.31) | 量子コンピュータ 極紫外自由電子レーザ 近赤外高強度フェムト秒レーザ 50兆分の1秒で量子状態操作 | 120 |
| 2016年 1月号 | 超電導材料の表面 特殊な電子状態に | 東大 東工大 | 日経産業新聞 (2015年10月21日PP.9) | 超電導材料 マヨラナ粒子 | 120 |
| 2015年12月号 | 「ビームスプリッター」動作 NTTなど原理実証 http://www.ntt.co.jp/news2015/1509/150904a.html | NTT | 日刊工業新聞 (2015年9月7日PP.21) | グラフェンpn接合を使った電子のビームスプリッター | 240 |
| 2015年12月号 | ビスマス薄膜が半導体に変わることを実証 | 東工大 東大 自然科学研究機構 お茶の水女子大 | 日刊工業新聞 (2015年9月11日PP.23) | シンクロトロン放射光施設UVSORで測定 偏光可変の低エネルギー角度分光電子分光装置で内部の電子状態を高精度で観測 | 120 |
| 2015年10月号 | 新ナノデバイス開発 もつれ電子対を離れた量子ドットに分離 http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0720150702eabl.html | 理研，阪大，東大 | 日刊工業新聞 (2015年7月2日PP.21) | もつれ電子対 非局所性 量子ドット ナノデバイス | 140 |
| 2015年10月号 | 有機FET内部の電子状態を動作中に観測 | 東大，物材機構 | 日刊工業新聞 (2015年7月24日PP.33) | スプリング8，3次元走査型光電子顕微鏡装置，空間分解能70ナノメートル | 360 |
| 2015年 9月号 | 組成後も書き換え可能 分子回路部品を開発 http://www.titech.ac.jp/news/2015/031658.html | 東工大 東大 | 日刊工業新聞 (2015年6月22日PP.16) | 電子回路を組んだ後でも回路部品の機能を入れ替えられる素子を一つの有機分子で実現，かご状分子と，その中に入れる分子の組合せで抵抗とダイオード，導線を作り分け | 120 220 260 |
| 2015年 9月号 | 導電性インクで電子回路 布に印刷 曲げ伸ばし可 http://www.jst.go.jp/pr/announce/20150625/ | 東大 | 日経産業新聞 (2015年6月26日PP.13) | 布の上に印刷して曲げ伸ばし可能な電子回路を作れる導電性インクを開発 | 160 |
| 2015年 8月号 | 光ファイバー 波長数2倍 http://www.tohoku.ac.jp/japanese/2015/05/press20150513-01.html | 東北大学 | 日経産業新聞 (2015年5月20日PP.8) | 光ファイバーで 一度に送る情報を2倍にできる電子部品を開発 | 240 |
| 2015年 8月号 | 低電圧で電子増幅2400倍 | 桐蔭横浜大学 | 日刊工業新聞 (2015年5月22日PP.17) | ペロプスカイトを使い 光を大電流に変換する光ダイオードを開発 | 210 |
| 2015年 7月号 | 原子1個を判別可能な電子顕微鏡 | 日立 | 日経産業新聞 (2015年4月13日PP.13) | 分解能0.043nm 加速電圧120万ボルト 電子を高速の95%まで加速 | 360 |
| 2015年 5月号 | ホログラフィ電子顕微鏡 | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (2015年2月18日PP.19) | 点分解能43ピコメートル 加速電圧1.2メガボルト | 360 |
| 2015年 5月号 | 切れた配線自己修復 | 早大 | 日経産業新聞 (2015年2月19日PP.10) | 電気ケーブルや電子回路の配線が切れてもしばらくすると自然につながる自己修復技術 | 160 |
| 2015年 4月号 | 鉄系高温超電導の原因究明 | 東大 | 日刊工業新聞 (2015年1月23日PP.16) | 電子密度のゆらぎ増大 スーパーコンピューター「京」 | 660 |
| 2015年 3月号 | 1ナノ素子で微弱光伝送 東大 LSI配線に応用へ http://www.t.u-tokyo.ac.jp/epage/release/2014/2014112601.html | 東大 | 日経産業新聞 (2014年12月3日PP.10) | 電子の代わりに光を使うLSIを実現する可能性 | 220 |
| 2015年 3月号 | チタンなどの金属酸化物製 基盤 電子の動き解明 | 東北大 | 日経産業新聞 (2014年12月12日PP.10) | シリコンに代わる半導体基盤，チタンとストロンチウムの金属酸化物基盤 | 220 |
| 2015年 3月号 | 内殻電子観測に成功 | NTT | 理科大 (0年2014月12日PP.17) | 23 | アト秒パルス，スペクトル位相干渉法 120 |
| 2015年 1月号 | 単電子転送の高速化 | NTT | 日刊工業新聞 (2014年10月7日PP.25) | 3.5GHで単電子転送，ナノメートル寸法で2層ゲート構造を持つシリコントランジスタをウエハーレベルで作成 | 120 220 |
| 2014年11月号 | 脳の神経細胞を電子回路に応用したニューロシナプス・チップを開発 | IBM | 日刊工業新聞 (2014年8月19日PP.10) | トランジスタ数54億個 100万個のニューロンと2億5600万個のシナプスで構成 ニューロン数100万個 消費電力70ミリワット | 520 220 |
| 2014年10月号 | 厚さ1μmの薄型フィルムにトランジスタ回路印刷 | 山形大 | 日刊工業新聞 (2014年7月2日PP.19) | ガラス基板上に高分子の薄型フィルム(パリレン-C)を形成 インクジェット法で線幅5?mでトランジスタ回路を印刷 ガラスから電子回路を作製したフィルムを剥がす技術などを開発 | 260 |
| 2014年10月号 | 電子の結晶化観測 | NTT JST | 日刊工業新聞 (2014年7月21日PP.17) | ウィグナー結晶 NMRを使用し 半導体テヘロ構造に低温かつ強磁場で電子が結晶化する様子「ウィグナー結晶」を世界初観測 | 120 220 |
| 2014年10月号 | 電子ビームを使い微小金属の立体加工 | 理研 | 日刊工業新聞 (2014年7月31日PP.29) | 4mm四方に直径2.2μmの金のリング構造体を約1億5000万個 | 160 |
| 2014年 9月号 | 単層CNTを使い高速変調が可能な発光素子を開発 | 慶応大 | 日刊工業新聞 (2014年6月2日PP.17) | 光インターコネクトや光電子集積回路の実現につながる | 160 250 |
| 2014年 9月号 | 衣服内の危険物をミリ波で画像化して探知 | 東北大 マスプロ電工 中央電子 | 日刊工業新聞 (2014年6月27日PP.22) | ミリ波パッシブイメージング装置 人体や物体の出すミリ波を検出 | 320 310 |
| 2014年 8月号 | 室温で核磁気共鳴信号を増大 | 阪大 | 日刊工業新聞 (2014年5月13日PP.19) | 光励起三重項状態の電子スピンを用いた動的核偏極法 通常の1万倍の信号 | 120 |
| 2014年 6月号 | 磁石材料を低コストで解析 | 京大 | 日経産業新聞 (2014年3月3日PP.11) | 放射光メスバウアー吸収分光法 5倍の速度で解析 電子を検出 | 660 |
| 2014年 6月号 | 半導体中の電子を直接観測 | 東工大 | 日経産業新聞 (2014年3月7日PP.9) | GaAs 200fs間隔で測定 レーザパルス光源と光電子顕微鏡を組合せる 電子の移動速度を秒速8万mと測定 | 660 |
| 2014年 6月号 | 半導体のスピン異常信号解明 | 東北大 独レーゲンスブルク大 | 日刊工業新聞 (2014年3月11日PP.22) | 強磁性半導体(Ga | Mn)As と非磁性半導体GaAs のヘテロ接合 スピンエサキダイオード構造 電子スピンの検出感度40倍 120 660 |
| 2014年 5月号 | 電力供給やデータ通信を無線で行う水分検出センサ | 東大 | 日刊工業新聞 (2014年2月10日PP.15) | ポリイミドフィルムに三つの有機センサを電子回路に集積 縦78mmx横53mmx厚さ12.5μm | 210 |
| 2014年 4月号 | 電子の動きを観察 | 北大 筑波大 | 日経産業新聞 (2014年1月22日PP.6) | プラズモニック太陽電池 nmオーダのAu微粒子 | 250 |
| 2014年 3月号 | 有機薄膜太陽電池の発電動作解明 | 神戸大 JST | 日経産業新聞 (2013年12月24日PP.9) | マイクロ波で電子と正孔が生じる向きを調べる | 250 |
| 2014年 2月号 | 市販プリンタで電子回路を印刷 | 東大 英MSリサーチ 米ジョージア工大 | 日経産業新聞 (2013年11月7日PP.11) 日刊工業新聞 (2013年11月8日PP.25) | 化学焼結銀ナノ粒子インク 印刷後の加熱不要 | 320 330 360 |
| 2014年 1月号 | 電子透かし入り動画コンテンツの高速生成技術 | KDDI研 三菱電機インフォメーションシステムズ | 電波新聞 (2013年10月9日PP.2) 電波タイムズ (2013年10月11日PP.2) | 10分の電子透かし入り動画コンテンツを約2秒(ビットレート7Mbps・サイズ約500MB)で生成 | |
| 2014年 1月号 | グラフェンを超える電子材料 | 東工大 英オックスフォード大 米スタンフォード大 | 日刊工業新聞 (2013年10月16日PP.21) | トポロジカル絶縁体 Bi-Te-Clが積層した結晶 表裏に極性 | 120 |
| 2013年12月号 | 銅ペースト電極材料に | 旭硝子 | 日刊工業新聞 (2013年9月2日PP.10) | タッチパネルやフレキシブル電子素材向け低温硬化型電極材料，120℃から150℃の焼成効果で銀ペーストと同等の比抵抗率 | 250 |
| 2013年11月号 | 薄膜中のスピン方向検出技術 | 日本原子力機構 千葉大 高エネ研 | 日経産業新聞 (2013年8月5日PP.11) | 表面から2nmまでX線照射し放出電子を解析 | 120 660 |
| 2013年11月号 | 独自の電子化物使用して室温でCO2分解 | 東工大 英ロンドン大 | 日刊工業新聞 (2013年8月30日PP.26) | C12A7エレクトライド(電子化物) 多種類のガスからCO2を選択的に吸着 直後に分解 | 120 160 |
| 2013年 9月号 | 新色素で有機系太陽電池 | 東大 | 日刊工業新聞 (2013年6月21日PP.25) | エネルギー交換率が約12%と世界最高レベル，分子が光を吸収する際に電子の持つスピンの向きを反転できる新色素(DX)を開発 | 250 |
| 2013年 8月号 | ナノ粒子で紫外線を捕集 | 北大 | 日経産業新聞 (2013年5月8日PP.7) | 太陽電池の効率向上 光を当てると電子発生 | 250 |
| 2013年 8月号 | 超電導体転移温度と電子対の強さとの関係を解明 | 広島大 大阪府立大 | 日刊工業新聞 (2013年5月14日PP.21) | 超電導が起こる温度と超電導を担う電子対の強さが関係，転移温度-182℃のビスマス系銅酸化物について角度分解光電子分光実験 | 120 |
| 2013年 8月号 | グラフェンFET電子状態精密測定 | 東大 | 日刊工業新聞 (2013年5月31日PP.31) | 高抵抗領域の形成メカニズムを明らかに 物質の3次元方向の電子・科学状態を解析する走査型光電子顕微鏡 | 320 360 |
| 2013年 7月号 | SPring-8のX線に明るさを増大 | 理研 高輝度光科学センター | 日経産業新聞 (2013年4月3日) | 高周波電場で電子の振動を制御 | 660 |
| 2013年 7月号 | 生きたままの昆虫を電子顕微鏡で観察可能に | 浜松医科大 | 日経産業新聞 (2013年4月16日PP.9) | 「ナノスーツ」 50～100nm厚の薄膜で覆う | 360 660 |
| 2013年 7月号 | 有機分子の構造変化をピコ秒オーダで観測 | 東工大 | 日経産業新聞 (2013年4月23日PP.9) | 超短パルスレーザと高輝度超短パルス電子線 分子の動きを画像化 | 360 |
| 2013年 6月号 | マイクロ波でスピン制御 | 阪大 東北大 | 日経産業新聞 (2013年3月6日PP.7) | Si製基板にNi・Fe合金・Pdの電極を設けた装置 Ni・Fe合金の電極に磁場をかけスピンの向きをそろえる マイクロ波照射で電子がPd側に移動 | 220 |
| 2013年 6月号 | 電子スピン素子につながる物理現象発見 | NTT 東北大 独ポールドルーデ固体エレクトロニクス研 | 日経産業新聞 (2013年3月19日PP.10) | 電子スピン共鳴現象(ESR) 電子自体の磁場でESR 移動スピン共鳴 | 120 |
| 2013年 4月号 | 曲がるスマートフォン用ディスプレイ | 韓国サムスン電子 | 東京新聞 (2013年1月10日PP.2) | 有機ELディスプレイ | 250 |
| 2013年 4月号 | 発色型と発光型を切替えられるディスプレイ材料 | 千葉大 | 日経産業新聞 (2013年1月21日PP.11) | サーモクロミック材料 温度変化で切り替え 電子ペーパ | 150 |
| 2013年 4月号 | 高い熱電変換効率の高分子材 | 富士フイルム | 日刊工業新聞 (2013年1月31日PP.33) | 体温や電子機器の排熱を利用可能，照明に取り付ける用途を想定 有機系高分子材を開発 P型半導体の高分子とCの混合物 25～100℃で高いZT(熱電変換の性能) | 250 150 |
| 2013年 3月号 | X線自由電子レーザを4万倍に集光 | 高輝度光科学選球センタ 阪大 東大 理研 | 日経産業新聞 (2012年12月18日PP.10) | 反射面が楕円形状 集光鏡面を原子レベルで凹凸調整 | 250 |
| 2013年 3月号 | 電気で銀粒子制御透明から赤・青や鏡に変幻自在のガラス | 千葉大 | 日本経済新聞 (2012年12月25日PP.9) | 電子ペーパー | 250 |
| 2013年 2月号 | 搭載が容易な聞こえる範囲限定スピーカ | 三菱電機エンジニアリング | 日経産業新聞 (2012年11月7日PP.4) | 指向性スピーカ 2装置一体化 ATM・電子看板向け | 350 |
| 2013年 2月号 | 電子移動度が高い半導体 | 物材機構 理研 住友金属鉱山 | 日経産業新聞 (2012年11月7日PP.7) | IWO(インジウム タングステン 酸素) 電子移動度18 作製温度は100℃ IGZO(In・Ga・Zn・O)後継の半導体試作 | 250 220 |
| 2013年 2月号 | エレクトロクロミック素子の印刷製造法 | 産総研 東和製作所 関東化学 | 日経産業新聞 (2012年11月21日PP.7) 日刊工業新聞 (2012年11月21日PP.23) | ナノ粒子インク +0.4～-0.4Vで青色から透明に変化 スプレー印刷とスクリーン印刷の組合せ 化学反応 インク 電子ペーパ 調光ガラス 酸化還元反応 プルシアンブルー | 160 250 |
| 2013年 1月号 | 1画面に多視点の映像 | NTT 東北大 | 日刊工業新聞 (2012年10月1日PP.13) 250 (350年0月0日) | 3方向の視点で撮影した映像を同時に表示 多くの人が同時に遠くから視聴可能 TV電話 | 電子看板 1枚のディスプレイで複数視点からの映像 多指向映像表現技術 ディスプレイの背後から映す |
| 2012年12月号 | 超小型テラヘルツ波プローブ | 情通機構 スタック電子 | 日刊工業新聞 (2012年9月25日PP.26) | 直径10mm 長さ60mm ペン型 3THzまで検出 | 360 |
| 2012年11月号 | 絶縁体を用いたデータ記憶用電子素子 | 理研 東大 | 日経産業新聞 (2012年8月3日PP.10) | 酸化バナジウム(VO) 1Vの電圧印加で電子が自由に動けるようになる | 120 |
| 2012年11月号 | 熱電素子併用し太陽電池の効率を5割向上 | 名大 中国電子科技大 | 日経産業新聞 (2012年8月17日PP.5) | 太陽電池の下に熱電素子を張り合わせる 複合材を挟むと発電効率13.8% 色素増感型 | 250 260 |
| 2012年10月号 | 有機太陽電池向け新材料 | 東大 | 日経産業新聞 (2012年7月18日PP.7) 日刊工業新聞 (2012年7月18日PP.19) | フラーレン(C60) 電子の流れやすさ3倍 電子を一つ受け取るのに0.43V 有機高分子の層にLiイオンを含んだC60を入れる | 150 |
| 2012年 9月号 | 電子顕微鏡で原子レベルの電場観察 | 東大 | 日刊工業新聞 (2012年6月25日PP.17) 日経産業新聞 (2012年6月27日PP.7) | SEMの検出器を4分割 | 360 660 |
| 2012年 9月号 | 電子信号を20万倍に増幅する検出器 | 浜松ホトニクス 東大 | 日経産業新聞 (2012年6月1日PP.10) | ニュートリノ ハイパーカミオカンデ | 320 |
| 2012年 8月号 | 伝導準位を正確に測定する装置 | 京大 | 日刊工業新聞 (2012年5月14日PP.18) | 光検出の分解能は0.3eV以下 誘電多層膜帯域通過フィルタ 光電子増倍管 屈折率の大きく異なる2つの薄膜を100層交互に重ねる 太陽電池等に使われる有機半導体 石英ガラスの光学素子 | 320 410 |
| 2012年 8月号 | 廃プリント基板のタンタル素子の選別・回収装置 | 産総研 日本エリーズマグネチックス | 日刊工業新聞 (2012年5月18日PP.20) | 最大95%の純度で回収 比重で電子素子を選別 均一に空気が流れるように管の構造を改良 | 460 |
| 2012年 8月号 | 次世代電子材料「シリセン」の大面積製造技術 | 北陸先端大 | 日刊工業新聞 (2012年5月31日PP.29) 日経産業新聞 (2012年5月31日PP.12) | 蜂の巣構造 厚さ原子1個分のSi結晶 2ホウ化ジルコニウム バンドギャップ導入可能 900℃に加熱 縦横1×2cmの基板 | 120 160 |
| 2012年 5月号 | 発光型/電子ペーパの切り替え可能な表示装置 | 千葉大 | 日経産業新聞 (2012年2月7日PP.10) | 紫外光を当てると光るユーロピウム発光体と 電圧をかけると青く色が付く有機物の着色材料の組み合わせ | 250 350 |
| 2012年 5月号 | 高集積型の電子素子 | 産総研 東大 | 日経産業新聞 (2012年2月9日PP.11) | 強相関電子材料 CaMnO3を使った素子 10nm以下の微細加工でも高性能を維持 Caの一部をCeに置換 2mm四方のトランジスタを試作 | 220 120 |
| 2012年 5月号 | 半導体中の自由電子をテラヘルツ光で1000倍に増幅 | 京大 | 日刊工業新聞 (2012年2月15日PP.25) | GaAsの半導体試料で確認 テラヘルツ光を半導体に一兆分の一秒間照射 | 120 150 |
| 2012年 4月号 | 金が磁石の性質を持つことを発見 | 高輝度光科学研究センター 香川大 秋田大 北陸先端大 スペインのバスク州立大学 | 日経産業新聞 (2012年1月24日PP.10) | 金を5mm四方 厚さ5μmの反磁性状態の薄膜にして 円偏光X線を当て 電子スピンを検出 | 120 |
| 2012年 4月号 | 準粒子の存在を表す電子状態解明 | NTT JST | 日刊工業新聞 (2012年1月27日PP.27) | 非アーベリアン準粒子 トポロジカル量子計算への応用 NMR法により電子スピン状態を測定 | 120 |
| 2012年 3月号 | 省電力化と高速化を両立したLSI用電子回路 | 東北大 NEC | 日刊工業新聞 (2011年12月6日PP.1) 日経産業新聞 (2011年12月8日PP.11) | スピントロニクス素子とCMOS素子のハイブリッド回路を高速化 動作周波数600MHz ラッチ回路向け | 220 |
| 2012年 3月号 | 絶縁体基板にグラフェンが吸着する機構を解明 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2011年12月7日PP.25) | 特定の電子構造を持つSiO2上にグラフェンが強く吸着 | 160 120 |
| 2011年12月号 | ゲルマニウム酸化物を使った透明な電子伝導体 | 東工大 | 日刊工業新聞 (2011年9月20日PP.18) | SrGeO3を使用 | 150 120 |
| 2011年12月号 | 量子ドット間の電子移動に成功 | 東大 | 日刊工業新聞 (2011年9月22日PP.23) | 3μmを数nsで移動 GaAsの半導体中に3μmの距離を空け量子ドットを2つ作り電子の通り道でつなげた 表面弾性波 | 120 |
| 2011年11月号 | 全身使う電子ゲーム | エウレカコンピュータ | 日経産業新聞 (2011年8月12日PP.1) | 電上に設置したセンサーが手足や体全体の動きを感知 1/60秒の速さで足下に映し出されるゲーム画面に反映 | |
| 2011年11月号 | 耐熱210℃の有機導電性材料 | 東工大 | 日経産業新聞 (2011年8月25日PP.11) | 電子移動度3.6 BTBTを改良した材料 大気中で基板に塗布し薄膜作成 | 120 |
| 2011年10月号 | 絶縁体に電子を溶かして導体を生成 | 東工大 | 日刊工業新聞 (2011年7月1日PP.21) | 1600℃の絶縁体 液体金属 ガラス半導体 普通の透明ガラスと比べて数桁以上の電導度 | 120 |
| 2011年10月号 | 熱で情報を入力する新現象 | 産総研 オランダ基礎科学財団 | 日刊工業新聞 (2011年7月5日PP.22) | ゼーベック・スピントンネル現象 熱を利用して磁性体の電子スピンが持つデジタル情報をSi中に入力 | 230 120 |
| 2011年10月号 | 3D原子像を可視化する電子顕微鏡 | 東北大 堀場製作所 | 日刊工業新聞 (2011年7月22日PP.23) 日本経済新聞 (2011年7月25日PP.11) | 逆X線光電子ホログラフィ 光の波としての性質を使用 走査型電子顕微鏡を改良 | 360 |
| 2011年10月号 | HD画質を維持した高速電子透かし技術 | NHK 三菱電機 | 電波タイムズ (2011年7月29日PP.3) | 多分割の埋込みアルゴリズム 検出アルゴリズムを最適化 | 520 |
| 2011年 9月号 | 電子移動度4.2倍の次世代素子 | 東大 産総研 住友化学 物材機構 | 日刊工業新聞 (2011年6月15日PP.19) | 化合物半導体とGe基板を使用 | 220 |
| 2011年 9月号 | スピン偏極を持つ電子材料 | 東大 理研 広島大 高エネルギー研 産総研 | 日刊工業新聞 (2011年6月20日PP.17) | 結晶構造に生じる電気的偏りを持つ半導体ビスマス・テルル・ヨウ素の単結晶 | 120 |
| 2011年 8月号 | 高精細電子ペーパーデバイス | セイコーエプソン 元太科技工業 | 日経産業新聞 (2011年5月18日PP.3) | 9.68インチ 300dpi | 250 |
| 2011年 8月号 | 室温で低消費電力な半導体素子
・14と一つにまとめ | 東大 東北大 ファインセラミックスセンター | 日経産業新聞 (2011年5月27日PP.11) | 電子のスピンによる磁石の向きを電圧で制御 電流は通常の1億分の1 La Alの酸化物基板上に微量のCoを添加したTiO2で素子を作成 | 220 120 |
| 2011年 7月号 | 鉄系超電導体の電子対結合の第3の機構発見 | 東大 | 日刊工業新聞 (2011年4月8日PP.19) | 電子対を結び付ける働きをする「のり」 格子振動 スピン 高分解能レーザ光電子分光装置 | 120 |
| 2011年 7月号 | ポジトロニウムから電子分離 | 東京理科大 高エネルギー加速器研究機構 宮崎大 東大 | 日刊工業新聞 (2011年4月12日PP.21) 日経産業新聞 (2011年4月28日PP.11) | 光脱離 ポジトロニウム負イオンにレーザ照射 ポジトロニウムビーム | 120 |
| 2011年 6月号 | 有機半導体薄膜の高精度作製技術 | 東工大 | 日経産業新聞 (2011年3月9日PP.7) | 真空装置不要 液晶状態で塗布 BTBT 電子移動度約3 | 120 160 |
| 2011年 6月号 | 試料の反射で凹凸観察するミラー電子顕微鏡 | 日立 | 日経産業新聞 (2011年3月11日PP.9) | 視野が広く観察効率10倍 50nm/画素での観察で16nmのずれを見分ける 試料表面をマイナスに帯電させる | 360 |
| 2011年 6月号 | スピン軌道相互作用の大きさを精密に決定 | 北大 NTT | 日刊工業新聞 (2011年3月21日PP.9) | In・Ga・Asをベースとした半導体の量子井戸構造 バンドエンジニアリング 半導体内の電子スピンをトランジスタのゲート電極で制御 | 120 |
| 2011年 5月号 | 室温で安定動作する単一電子素子 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2011年2月16日PP.9) | Si基板のうえにSiO2とAl2O3の薄膜を重ねた 薄膜間にフタロシアニンやフラーレンなどの分子 7℃で動作 | 120 230 |
| 2011年 4月号 | 電子対の量子もつれをナノテクで定量測定 | 物材機構 | 日刊工業新聞 (2011年1月20日PP.24) | 量子テレポーテーション 2つの超電導体の先端に2本のナノワイヤをつないだデバイスを作製 | 120 |
| 2011年 4月号 | Si半導体中の量子もつれを生成・検出 | 慶応大 英オックスフォード大 | 日刊工業新聞 (2011年1月20日PP.24) 日経産業新聞 (2011年1月24日PP.11) | エンタングルメント リン原子核のスピンとそこに捉えられている電子のスピンをそれぞれ量子ビットとする Si原子1個で演算処理 温度20K | 120 |
| 2011年 4月号 | 3D映像の立体効果判定 | リーダー電子 | 日経産業新聞 (2011年1月28日PP.14) | 3D映像の飛び出し量や引っ込み量を数値化 左右の画像の視差を分析 3D酔いのリスクを判定 | 620 660 |
| 2011年 3月号 | テラヘルツ波で電子スピンの磁力線状態を制御する技術 | 東大 | 日経産業新聞 (2010年12月8日PP.7) | 磁性材料はイットリウム・鉄酸化物(Y3Fe5O12) 3.3ps周期の回転する磁力線 0.3ps間隔で振幅を制御 | 120 |
| 2011年 2月号 | 水素原子の撮影に成功 | 東大 | 朝日新聞 (2010年11月4日PP.12) | 電子ビームを水素とパナジウムの化合物の結晶にぶつけ撮影 | 660 |
| 2011年 2月号 | 有機太陽電池で1000nmの近赤外線光を光電変換 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2010年11月25日PP.31) | 電子を放出しやすい分子と受け取りやすい分子が交互に積み重なった構造 励起子が広がる距離がフラーレンの1000倍 | 150 |
| 2011年 1月号 | スピンの量子引きこもり現象の構造解明 | 東工大 東京理科大 | 日刊工業新聞 (2010年10月6日PP.21) | 籠目格子反強磁性体 フッ化ルビジウム銅スズ 電子スピン対のシングレット状態が風車のように配列した構造 | 120 |
| 2011年 1月号 | 電子移動度がSiの10倍の新素材 | 東工大 | 日経産業新聞 (2010年10月11日PP.5) | グラフェンより加工が容易 セレン原子が並んだ3層の間にビスマス原子が入った5層構造 ファンデルワールス力 | 120 |
| 2011年 1月号 | ナノ空間で多電子制御 | 物材機構 北大 | 日刊工業新聞 (2010年10月29日PP.29) | 直径10nmの半導体量子ドット 複数の電子を閉じ込めナノ空間の多電子状態を制御 液滴エピタキシー法 GaAs量子ドット イオン化励起子と呼ぶ3つの粒子の複合状態の観測に成功 | 120 |
| 2011年 1月号 | 酸化亜鉛使用の高速電子素子 | 東大 東北大 東工大 ローム | 日経産業新聞 (2010年10月29日PP.9) | 厚さ0.8μmのZnO単結晶TFT 分数量子ホール効果 電子移動度がSiの約10倍の可能性 | 220 120 |
| 2010年12月号 | 電子のスピンを直接観察 | 東北大 | 日経産業新聞 (2010年9月7日PP.11) | 半球型電子のエネルギー分析器 モット散乱型スピン検出器 1～50電子Vの間で8m電子Vの分解能で測定 | 320 |
| 2010年12月号 | 電子顕微鏡の性能向上 | 物材機構 | 日刊工業新聞 (2010年9月9日PP.24) | 6ホウ化ランタンのφ50nmのワイヤ 電界イオン顕微鏡の分析性能1桁向上 | 210 |
| 2010年12月号 | 分解能を10倍以上のスピン分解光電子分光装置 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2010年9月11日PP.13) | スピントロニクス 物質の電子状態をスピンに分解 | 120 |
| 2010年11月号 | グラフェン上の電子移動速度を改善した新基板 | 物材機構 米コロンビア大 韓国成均館大 | 日経産業新聞 (2010年8月24日PP.9) | 六方晶BNを基板に使用 グラフェンと似た層状構造で表面が原子レベルで平ら ガラス基板と比べて速度が10倍 | 120 |
| 2010年 9月号 | 絶対零度でも電子スピンが継続する特殊構造物質 | 京大 理研 | 日経産業新聞 (2010年6月4日PP.11) | 超電導 三角形に並んだ特殊な分子構造 炭素 水素 パラジウム | 120 |
| 2010年 8月号 | Cs添加フラーレンが超電導状態となる条件解明 | 高輝度光科学研 理研 英リバプール大 | 日経産業新聞 (2010年5月20日PP.13) | 面心立方構造でも-238℃で超電導状態 特定の電子状態で超電導となる | 120 |
| 2010年 7月号 | 真空で軌道角運動量を持つ電子 | 理化学研 | 日刊工業新聞 (2010年4月16日PP.19) | 素粒子 真空中 らせん状の構造の黒鉛 電子の波面構造を制御 | 120 |
| 2010年 7月号 | 鉄系高温超電導体の電子構造を詳細分析 | 理化学研 | 日刊工業新聞 (2010年4月23日PP.22) 日経産業新聞 (2010年4月23日PP.9) | 磁性関与 クーパー対の構造を実験的に決定 電子のさざなみ | 120 |
| 2010年 6月号 | 絶縁体を使った電気信号伝送 | 東北大 慶応大 | 日経産業新聞 (2010年3月11日PP.12) | 電子のスピン波 磁性ガーネット結晶 1mm離れた先に伝送 | 120 |
| 2010年 6月号 | 電子質量「ゼロ」の物質 | 東北大 | 日経産業新聞 (2010年3月25日PP.13) | 低温下で見かけ上の電子の質量がゼロ バリウム・鉄・ヒ素からなる化合物 ディラックコーン | 120 |
| 2010年 5月号 | 2GHz動作の単一光子検出器 | 日大 | 日刊工業新聞 (2010年2月12日PP.1) | なだれフォトダイオード(APD) 約一万倍の電子増幅率で検出成功 | 210 320 |
| 2010年 5月号 | 電子の見かけの質量を1000倍に | 京大 名大 | 日経産業新聞 (2010年2月19日PP.11) 日刊工業新聞 (2010年2月19日PP.20) | 大気の1/10兆の真空状態 特殊な基板にセリウム・インジウム・ランタンなどを蒸着 薄膜の厚さ約300nm 縦横1cm ほぼ絶対零度 分子線エピタキシー 電子を平面上空間に閉じ込める | 120 |
| 2010年 4月号 | 19型電子ペーパ | LGディスプレー | 日経産業新聞 (2010年1月15日PP.3) | イーインク 重さ130g 厚さ0.3mm メタルフォイル | 250 |
| 2010年 4月号 | 有機半導体で電子移動度5cm2/Vs | 日本化薬 | 日経産業新聞 (2010年1月29日PP.1) | 電子移動度5倍 印刷可能 ペンタセン | 120 |
| 2010年 4月号 | 生産効率6割向上のリチウムイオン電池用電極製造装置 | ヒラノテクシード | 日経産業新聞 (2010年1月15日PP.1) | 液体の噴射と停止をつかさどる電子制御の信号速度が1000倍以上に向上 | 250 |
| 2010年 3月号 | スピンMOSトランジスタの基本技術 | 東芝 | 電波新聞 (2009年12月9日PP.1) | 電子スピン ロジックLSI メモリー機能 磁気トンネル接合 スピン注入磁化反転 | 230 |
| 2010年 1月号 | 円盤状量子ドット形成技術を開発 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2009年10月7日PP.1) | Si基板上に直径12nmの鉄を核とするタンパク質を並べる 厚さを2nm～6nmと変えるとバンドギャップが1.6～2.2電子ボルトの範囲で変わる 高効率太陽電池に応用可能 | 120 250 160 |
| 2010年 1月号 | 物質の微細化による新しい量子効果を発見 | 千葉大 広島大 東北大 | 日刊工業新聞 (2009年10月22日PP.24) | 電子スピン エネルギー消費量が従来の1/1000 ラシュバ効果 | 120 |
| 2010年 1月号 | 薄さ3.9mmの液晶パネル | サムスン電子 | 日経産業新聞 (2009年10月27日PP.3) | CCFL 冷陰極蛍光管 発光ダイオード LED バックライト エッジライト型 | 250 350 |
| 2009年12月号 | 超電導臨界温度「冷凍庫」レベルに道 | 東工大 米スタンフォード大 | 日経産業新聞 (2009年9月4日PP.11) | 角度分解光電子分光 クーパー対 超電導ギャップ 超電導物質に圧力 -27℃に高められる可能性 | 120 |
| 2009年11月号 | 偏光を電気信号に変換する受光素子
-光通信容量2倍以上に- | 日立 チェコ科学アカデミー 英ケンブリッジ大 | 日経産業新聞 (2009年8月5日PP.11) | 電子スピン 半導体 ガリウムヒ素の素子に数μm間隔で電極を配置 電圧で偏光状態を検出 偏光板なしに偏光状態を区別する受光素子 | 140 240 120 |
| 2009年11月号 | フラーレンに穴を開けて化合物を作る新手法
-長波長の光を吸収- | 京大 | 日刊工業新聞 (2009年8月21日PP.1) | 約900nmまでの光を吸収 電子を受け取り易い性質 | 120 |
| 2009年11月号 | ナノサイズの電子回路配線技術 | 阪大 | 日刊工業新聞 (2009年8月28日PP.1) | シリコンナノチェインがCNTに変化 タングステンの針で数十Vの電圧印加 直径10～20nm ワイヤ状のナノ材料に電圧でCNTを生成 | 120 160 |
| 2009年10月号 | ReRAM内の「電子の通る道」を確認 | 東大 | 日刊工業新聞 (2009年7月13日PP.24) | CuO 白金電極膜 Cu2O X線を照射し光電子を検出して画像化 | 120 230 |
| 2009年10月号 | グラフェンを使った人工分子 | 物材機構 理研 | 日経産業新聞 (2009年7月24日PP.11) | グラフェンが3層重なった薄いシートを電子線で加工 電圧制御で量子ドットの電子が複雑な結合状態を示す | 120 |
| 2009年10月号 | 黒鉛系超電導物質の電子構造解明 | 岡山大 高輝度光科学研究センター 大分大 物材機構 広島大 | 日経産業新聞 (2009年7月31日PP.11) | グラフェンシート間にカルシウムが挟まった物質 共鳴光電子分光 超電導現象は3d軌道で示す | 120 |
| 2009年 9月号 | 電子の自転向き制御技術
-新型メモリー実現に道- | 東北大 | 日経産業新聞 (2009年6月5日PP.11) | トランジスタ 高速 低消費電力 スピン 不揮発メモリー インジウムガリウムヒ素を1μm以下の幅の細線構造に加工 スピンの寿命を10～65倍に 半導体素子 | 120 |
| 2009年 9月号 | 合成樹脂基板の上にのせた太陽電池 | 積水樹脂 | 日経産業新聞 (2009年6月9日PP.1) | 耐薬品性のある樹脂に紫外線を吸収する有機物を均一にちりばめる方法 色素増感型 太陽光に反応して電子を発する色素と電子を運ぶ酸化亜鉛を組合せて発電 | 250 |
| 2009年 8月号 | 原子サイズの2層CNTトランジスタ | 青山学院大 名大 東邦大 | 日経産業新聞 (2009年5月15日PP.1) | 電子線によりナノチューブの層を分離 PN接合の特性を確認 太さ2～3nm 2層CNTをSi基板上に乗せる 大きさSiLSIの1/100程度 | 220 120 |
| 2009年 8月号 | 巨大磁気抵抗効果に酸素原子が関与 | 高輝度光科学研究センター 兵庫県立大 阪大など | 日経産業新聞 (2009年5月20日PP.11) | 高エネルギーX線をMn・La・ストロンチウム(Sr)からなる酸化物に照射 絶縁体と金属で酸素原子の電子状態が大きく変化 | 120 660 |
| 2009年 7月号 | 発光効率4倍の有機EL材料 | 大阪府大 | 日経産業新聞 (2009年4月7日PP.11) | メチレンシクロプロパン誘導体 放射線で誘導体の電子が分離し環状構造が開き発光 電子が再結合すれば元の環状構造に戻る X線照射で電子分離 汎用X線装置のX線で緑色に発光 | 120 250 |
| 2009年 6月号 | 超電導状態のクーパ対を観察する手法 | 理化学研 | 日刊工業新聞 (2009年3月2日PP.19) | はぐれ電子 電子のさざなみ 電子間引力 銅酸化物超電導 | 120 |
| 2009年 6月号 | 原子レベルで分析可能な透過型電子顕微鏡 | 日本電子 | 日刊工業新聞 (2009年3月5日PP.7) | 球面収差補正装置 分解能0.08nm | 360 |
| 2009年 6月号 | 2層CNTの内部構造を観察する技術 | 日立 名大 東北大 | 日経産業新聞 (2009年3月23日PP.12) | 走査型トンネル顕微鏡(STM) 電子の干渉 先端直径30nm以下のSTM探針 0.1V印加 外側の直径2nm 内側の直径1.4nmの2層CNT 画像処理で電子の密度を色の濃淡で示す | 120 360 |
| 2009年 6月号 | 明るさ1.5倍のカラー電子ペーパ | リコー 山田化学工業 | 日経産業新聞 (2009年3月26日PP.1) | エレクトロクロミック化合物 メモリー特性 表現できる色の範囲5倍以上 基板と透明電極の枚数が従来方式の半分以下 CMY三食それぞれの発色層と透明電極を重ねたものを絶縁層で区切る | 120 250 |
| 2009年 5月号 | 量子状態を光で測定 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2009年2月5日PP.26) 日経産業新聞 (2009年2月5日PP.11) | 量子を重ね合わせた状態を電子スピンに転写 光で測定 電子スピントモグラフィ 光子の偏光状態 電子のスピン状態 レーザ | 120 660 |
| 2009年 5月号 | 印刷用インクに混ぜられる微小な液晶粒子 | 千葉大 | 日刊工業新聞 (2009年2月20日PP.1) | 折り曲げ可能 マイクロカプセル インクに分散 電子ペーパ ELディスプレイに比べて低消費電力 | 120 250 |
| 2009年 4月号 | グラフェンで透明基板 | 韓国成均館大 サムスン綜合技術院 | 日刊工業新聞 (2009年1月15日PP.29) | グラフェンを6～10層積層 折り曲げ自在な電子基板 Si基板 ニッケル薄膜 メタン・水素・アルゴンを混合 1000℃に加熱 25℃に冷却 | 120 |
| 2009年 3月号 | 電子ペーパ製造費半減 | リコー | 日経産業新聞 (2008年12月4日PP.1) | インクジェット方式印刷技術 電気泳動式 解像度160ppi 厚さ0.3mm 1画素縦横159μm 紫外光で親水性を増す樹脂 | 160 250 |
| 2009年 3月号 | 広視野角立体映像を表示する電子ホログラフィ | 情通機構 | 日経産業新聞 (2008年12月29日PP.10) | 2cm四方の液晶パネルを3枚組み合わせ 視野角15° 30cmの距離で立体視可能 | 430 450 |
| 2009年 2月号 | 光による電子スピンの制御技術 | 国立情報学研 | 日経産業新聞 (2008年11月13日PP.10) | 特定周波数の光 1～10psでスピンを制御 情報が消えるまで最大10億回の計算が可能 量子コンピュータ | 120 |
| 2009年 1月号 | ダイヤで高効率のLED
-作製条件をシミュレーションで解明- | 東工大 スタンフォード大 | 日経産業新聞 (2008年10月9日PP.11) | アダマンタン 直接遷移型電子構造 180nmの紫外線を放出 ダイヤ分子の大きさ0.5～数nm | 250 |
| 2009年 1月号 | 電圧で回る電子ペーパ向け極小ボール | 綜研化学 東大 | 日経産業新聞 (2008年10月22日PP.1) | 直径100μm アクリル樹脂材料 2色に塗り分けた微細な粒子を電圧をかけて回転させ片方の色だけをパネル表面に向ける ツイストボール マイクロ流路 | 250 |
| 2009年 1月号 | 銀塩の技術を使った白黒鮮明な電子ペーパ | コニカミノルタテクノロジーセンター | 日経産業新聞 (2008年10月30日PP.1) | コントラスト比20超 反射率約63% 銀イオンが銀に還元して黒表示 酸化チタンの量を自由に調整可能 約5時間画像保持 3.5インチの電子ペーパを試作 | 120 160 250 |
| 2008年12月号 | 地上デジタル放送を使い電子看板にデータを配信 | ストリートメディア | 日経産業新聞 (2008年9月25日PP.1) | ディジタルサイネージシステム あき時間枠に配信 | 640 440 |
| 2008年11月号 | 高温超電導の機構解明 | 東大 電通大 | 日経産業新聞 (2008年8月4日PP.10) | 鉄 ヒ素 鉄ニクタイド系超電導物質 電子間相互作用 超電導により有利な形状のフェルミ面 結晶内のFe原子が磁性を相互に打ち消す | 120 |
| 2008年11月号 | 多量子ビット素子
-超高速コンピュータに道- | 東大 NTT | 日刊工業新聞 (2008年8月18日PP.18) 日経産業新聞 (2008年8月18日PP.6) | GaAs化合物半導体 電子スピン コバルト製の微小な磁石 直径0.2μmの円盤形の量子ドット | 120 220 |
| 2008年10月号 | ナノSi電子源採用の放電レス発光デバイス | 松下電工 農工大 | 電波新聞 (2008年7月9日PP.1) | キセノンガス 真空紫外光 | 250 |
| 2008年10月号 | 結像レンズを使わない電子顕微鏡 | 北大 日立 | 日刊工業新聞 (2008年7月30日PP.28) | TEMと同等の分解能 光の回折パターンを計算処理 SEM | 410 360 |
| 2008年 9月号 | ダイヤモンド固体素子で「量子もつれ」を室温で実現 | 筑波大 産総研 独シュトゥットガルト大 | 日刊工業新聞 (2008年6月6日PP.23) 日経産業新聞 (2008年6月6日PP.8) | マイクロ波プラズマCVD 原子量13の炭素を多く含むダイヤとメタンガス 電子スピン 核スピン 3量子ビット | 120 160 |
| 2008年 9月号 | グラフェン薄膜をSi基板に作製 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2008年6月25日PP.22) 日経産業新聞 (2008年6月25日PP.11) | 厚さ80nmの炭化ケイ素の薄膜作製 熱処理 電子移動度数万cm2/Vs | 120 160 |
| 2008年 9月号 | TiO2ナノ粒子の発光特性解明 | 阪大 物材機構 | 日刊工業新聞 (2008年6月30日PP.25) | Euイオンを添加 粒子表面の電子と正孔との再結合によるエネルギーがEuイオンのみ励起 酸素があると消光 | 120 250 |
| 2008年 8月号 | 磁場で電流変化する有機物質 | 東大 | 日経産業新聞 (2008年5月9日PP.10) 日刊工業新聞 (2008年5月9日PP.23) | 硫黄 セレン -253～-271℃に冷却 9Tの磁場で抵抗が70%以下 テトラチアフルバレン(TTF)に不対電子を持つ有機分子を結合 | 120 |
| 2008年 6月号 | 電子や熱を通しやすいナノ炭素の新構造体 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2008年3月3日PP.1) 日経産業新聞 (2008年3月5日PP.10) | CNT 窒化チタン コバルト CVD法 直径約10nm高さ約3μm 約50層に積層した厚さ18nmのグラフェン | 120 |
| 2008年 6月号 | 光周波数の純度を従来比1000倍の光源 | 電通大 日本航空電子工業 | 日刊工業新聞 (2008年3月25日PP.1) | 200Gbps級の次世代高速光通信システム 反射干渉回路(エタロン) 消費電力1.5W 10GHz 高速パルス光源 | 240 |
| 2008年 5月号 | 記録容量20倍の次世代HD | クレステック | 日経産業新聞 (2008年2月7日PP.1) | パターンドメディア 記録容量は1Tb/in2 直径6インチのSi基板上の感光性樹脂に電子ビームで同心円状に直径10nmの微小な穴を開ける | 230 160 |
| 2008年 5月号 | 最先端LSIパターン作製高速化 | クレステック 農工大 | 日経産業新聞 (2008年2月18日PP.10) | 配線幅40nm回路を10mm角に0.3sで作製 面電子源 | 160 |
| 2008年 5月号 | 量子暗号通信の中継技術 | 東北大 産総研 | 日経産業新聞 (2008年2月27日PP.12) 日刊工業新聞 (2008年2月27日PP.31) | 量子中継器 光子から電子へ1対1で転写 AlGaAsに井戸幅11nmのGaAsを挟んだ量子井戸構造の素子を作製 電子と光子のもつれ合い解消 | 120 160 220 |
| 2008年 4月号 | 高精細の電子ペーパーが駆動可能な有機TFT | 凸版印刷 ソニー | 日経産業新聞 (2008年1月21日PP.19) | オフセット印刷の原理 線幅5mmの回路形成 32型HD相当の高精細 10.5型サイズ 縦480画素・横640画素のモノクロ電子ペーパーが駆動可能 従来と比べて線幅約4分 | 250 |
| 2008年 4月号 | Siを用いた高感度な赤外線検出技術 | NTT | 日経産業新聞 (2008年1月22日PP.9) | 単電子トランジスタ 検出に必要な時間は10億分の1秒 波長が1.3mmと1.5mmの赤外線を区別可能 | 210 |
| 2008年 3月号 | 映画向け新電子透かし技術 | NHK 三菱電機 | 電波新聞 (2007年12月6日PP.2) 日経産業新聞 (2007年12月6日PP.12) | 再撮しても場所・時刻の特定ができる 認識不可能なレベルで映像信号を微妙に変化 | 520 |
| 2008年 2月号 | InGaAsで縦型量子ドット作製 | 東北大 | 日経産業新聞 (2007年11月29日PP.13) 日刊工業新聞 (2007年11月29日PP.28) | 3次元のMOSゲート構造 原子層堆積法 均一で高耐圧なゲート絶縁膜を形成 電子スピンの状態を正確に制御 約10倍の効率 | 120 220 |
| 2008年 1月号 | GaAs光源利用の半導体ジャイロ | ローム ATR波動工学研 日本航空電子工業 古河電工 | 電波新聞 (2007年10月4日PP.1) | リングレーザジャイロ S-FOG 半導体光増幅器から赤外光を光ファイバで時計回りと反時計回りに発光させ光分岐カプラー合成しPDで受光 サニャック効果 | 210 320 |
| 2008年 1月号 | 不正ワンセグを見抜くことができる電子署名技術 | KDDI研 | 日経産業新聞 (2007年10月11日PP.1) | 複数のパケットをまとめて一つの電子署名を付ける 処理負荷は送信機側で1/9000 受信機側では1/167 | 440 520 |
| 2008年 1月号 | ZnO-TFT電子ペーパ表示技術 | 高知工科大 コニカミノルタテクノロジーセンター | 日刊工業新聞 (2007年10月26日PP.26) | 酸化亜鉛薄膜トランジスタ駆動 プロセス温度250℃ 64画素コレステリック液晶電子ペーパ表示 | 250 |
| 2008年 1月号 | 厚さ2mmの電子ペーパ | 物材機構 | 日経産業新聞 (2007年10月26日PP.8) 日刊工業新聞 (2007年10月26日PP.26) | ゲル状電解質 固体での駆動に成功 有機・金属ハイブリットポリマー エレクトロクロミック材料を活用 デバイス部は0.5mm | 120 250 |
| 2007年12月号 | 有機EL素子の効率的製法 | 京大 | 日経産業新聞 (2007年9月14日PP.9) | 発光分子を正孔を通す分子と電子を通す分子で挟み込んだ導電性高分子を合成 1回の印刷で素子形成を可能 芳香環高分子 3機能を1工程で製造可能 | 120 250 160 |
| 2007年12月号 | ナノインプリント方式で回路線幅18nmの半導体製造技術 | 大日本印刷 | 日経産業新聞 (2007年9月18日PP.1) | 電子ビームのビームを細くするとともに強度や照射量を調整 石英ガラスのエッチングの条件最適化 面積は1/10程度 露光でなく転写で回路形成 | 160 220 |
| 2007年12月号 | 第4世代携帯基地局向け高出力増幅器 | 富士通 | 日経産業新聞 (2007年9月21日PP.11) | GaN製高電子移動トランジスタ(HEMT) ゲート電極下層にTa2O5 素子サイズ1mm×4mm 143Wで電波増幅可能 漏れ電流は1/10以下 消費電力3割減 | 220 340 |
| 2007年12月号 | 従来の約1/10以下の細さの金属微細配線技術 | 東北大 チッソ 日本電子精機 | 日刊工業新聞 (2007年9月26日PP.29) | フレキシブルプリンタブルエレクトロニクスへの応用 数百nmの微細配線 波長488nmのアルゴンレーザ | 220 160 |
| 2007年11月号 | 界面活性分子を使用したナノ自立膜の新製法 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2007年8月6日PP.8) 日刊工業新聞 (2007年8月6日PP.17) | ドデシルホスホコリン シャボン膜 スパッタ法 電子ビーム蒸着法 熱蒸着法 厚さ1～100nm | 160 |
| 2007年 9月号 | CMOSトランジスタのしきい値電圧の仕組み解明 | 産総研 超先端電子技術開発機構 | 日刊工業新聞 (2007年6月12日PP.24) | 高誘電率絶縁膜 Si酸化膜と下部絶縁膜の界面でしきい値に大きくずれ Si酸化膜上の絶縁膜を0.1nm寸法で精度よく制御することが閾値電流を制御する鍵 | 120 220 160 |
| 2007年 9月号 | スピンの向きがそろった電子の室温での移動に成功 | 阪大 | 日刊工業新聞 (2007年6月21日PP.33) | 2つのコバルト電極 幅250nmのグラフェンを通過してもスピンの向きがそろった電子の移動を示す電圧変化を観測 | 120 |
| 2007年 9月号 | 有機材料とCMOSセンサーを組み合わせたカラー撮像素子 | 富士フイルム | 日経産業新聞 (2007年6月22日PP.10) | CMOSセンサーの緑部分を有機材料に置換 高感度化可能 余分な電子を除去する材料でS/N改善 有機材料はCMOSに比べて感度を3倍高められる | 210 310 |
| 2007年 8月号 | 単電子トランジスタの基本構造を簡単に作製 | 東北大 | 日経産業新聞 (2007年5月31日PP.13) | 既存の半導体プロセスと酸化処理の組合せ 量子ドット Si酸化膜上にAl電極成膜後露光装置で素子構造を作製 | 160 220 |
| 2007年 6月号 | ナノ構造物を半導体基板上に作製 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2007年3月9日PP.8) | 透過型電子顕微鏡 形成したい元素の酸化化合物ガスを吹き込んで電子ビーム照射 大きさ数nmのアンテナ型構造物を作製 | 160 |
| 2007年 5月号 | ホログラムに3μm微細文字 | 凸版印刷 | 日経産業新聞 (2007年2月1日PP.1) | 半導体回路を描く電子ビーム 従来比1/30程度の微細な文字やイラスト | 430 |
| 2007年 4月号 | 携帯などにHD画像伝送可能な「A-VSB」技術を発表 | 韓国サムスン電子 | 電波新聞 (2007年1月11日PP.3) | HD画像伝送 A-VSB 先端残留側波帯 地デジ放送方式 | 540 |
| 2007年 4月号 | 銅・銅直接接合で100万端子チップ間接続 | 東大 電子実装工学研 | 日刊工業新聞 (2007年1月16日PP.29) | 接合精度3～6μmピッチに微細化 表面活性化接合 バンプを持たない構造 | 260 |
| 2007年 4月号 | 単電子トランジスタ試作 | 東大 | 日経産業新聞 (2007年1月19日PP.9) | 大きさ2nmの量子ドット | 220 160 |
| 2007年 4月号 | 酸化亜鉛を用いた積層薄膜 -透明エレクトロニクスに道- | 東北大 | 日刊工業新聞 (2007年1月26日PP.33) 日経産業新聞 (2007年1月26日PP.10) | 量子ホール効果 温度傾斜法 電子密度1/10の16乗 移動度440cm2/Vs 酸化亜鉛マグネシウム(MgZnO) 膜厚0.6μm | 120 160 |
| 2007年 3月号 | 光電変換CNT | 東大 | 日経産業新聞 (2006年12月15日PP.10) | 電子を放出する層を電子を受け取る分子の層で包んだ中空構造 直径16nm 壁の厚さ3nm 長さ数μm | 120 |
| 2007年 2月号 | FED材料に適した2層CNT | 産総研 ノリタケカンパニーリミテッド | 日経産業新聞 (2006年11月8日PP.11) 日刊工業新聞 (2006年11月8日PP.28) | CNT長さ2.2mm 純度99.95% 2層CNT含有率85%以上 「スーパーグロース法」 水分添加CVD法を改良 電解放出ディスプレイ用の電極 均一な電子放出特性 | 120 160 250 |
| 2007年 1月号 | 動画解像度の測定方式 | 次世代PDP開発センター | 電波新聞 (2006年10月19日PP.1) 日刊工業新聞 (2006年10月23日PP.6) | 電子ディスプレイ APDC方式 動画再生時に発生する乱れを定量的に測定 4本の線で作られた9種類の楔形を縦に配置 | 250 660 |
| 2007年 1月号 | 高速高画質で電子割符作成 -2枚の画像から秘密画像- | KDDI研 | 日刊工業新聞 (2006年10月27日PP.8) | 秘密分散方式 白と黒の細かい濃淡を再計算して配置 自然画像使用可能 | 520 620 |
| 2006年12月号 | 電圧1.5倍 スペース2/3の色素増感太陽電池 | 日本化薬 | 日経産業新聞 (2006年9月14日PP.1) | 1つのセルで電圧1.0V 有機色素 色素が放出した電子を受け取る金属にTiO2にMgを加えた材料 1セルサイズ縦57mm×横4.5mm×厚さ1mm | 250 120 |
| 2006年12月号 | HEED冷陰極HARP撮像板の高解像度化を実現 | パイオニア NHK | 電波新聞 (2006年9月26日PP.2) | 640×480画素 感度は一般的なCCDの約20倍 サイズ12.8×9.6mm 電荷を膜の内部で倍増 低い駆動電圧で安定的に電子を放出 | 210 |
| 2006年11月号 | 証拠保存技術 -PC利用履歴を簡単保存- | 東京電機大 | 日経産業新聞 (2006年8月10日PP.7) | PCの操作情報を圧縮してUSBメモリーに保存 電子署名 | 320 620 |
| 2006年11月号 | 手書き文書電子化技術 | 日立 | 日刊工業新聞 (2006年8月31日PP.30) | デジタルペンとドットパターンが印刷された専用ノート 電子署名技術を応用 筆記者の特定や筆記時刻を記録 | 620 420 |
| 2006年10月号 | テラヘルツ光検出技術 | 理化学研 JST | 日刊工業新聞 (2006年7月7日PP.31) 日経産業新聞 (2006年7月7日PP.8) | CNTでつくったトランジスタ 単電子トランジスタ 極低温領域で光子として量子的に検出 CNT人工原子 テラヘルツ光の周波数約2.5THz | 120 160 320 660 |
| 2006年10月号 | Si量子計算機読出しに目処 | 慶応大など | 日刊工業新聞 (2006年7月12日PP.25) | レーザ光照射でリン原子核スピン検出 励起子の発光を計測 単電子トランジスタ | 320 |
| 2006年10月号 | 電子眼鏡 -網膜上に直接投影- | 宝塚造形芸大 ウェアビジョン | 日刊工業新聞 (2006年7月14日PP.35) | 小型液晶パネル 瞳孔内に集光 低視力用網膜投影電子眼鏡 ハンディスコープタイプ | |
| 2006年 9月号 | 電子1個の動き捉える | NTT 東工大 JST | 日刊工業新聞 (2006年6月16日PP.29) | 半導体二重量子ドット(DQD) 超高感度な単電子電流計 単電子トランジスタ 電流雑音3aA | 120 220 660 |
| 2006年 8月号 | 湿式で電流効率2倍の有機EL | 九州電力 | 日刊工業新聞 (2006年5月2日PP.1) | 電流効率41.7cd/A インクジェット方式 アルコール系溶媒に溶ける電子輸送材料 | 120 250 260 |
| 2006年 8月号 | 電子ペーパー -紙により近く- | ブリヂストン | 日経産業新聞 (2006年5月8日PP.15) | PET(ポリエチレンテレフタレート) 2007年量産 厚さ0.3mm 電子粉流体 直径10μmの帯電した高分子材料 | 120 250 |
| 2006年 8月号 | 薄型ディスプレイ -FED小型パネル生産- | 双葉電子工業 | 日本経済新聞 (2006年5月14日PP.7) | 電界放出型ディスプレイ 自動車や産業機器向け 初の量産化 数インチ～11インチ フルカラーやモノクロに対応 | 250 |
| 2006年 7月号 | 折り曲げ自在な次世代メモリー | セイコーエプソン | 日本経済新聞 (2006年4月4日PP.13) | FeRAM 電子ペーパー ICタグ フッ素系ポリマー 厚さ0.1mmのプラスチック基板上 | 120 230 |
| 2006年 7月号 | 黒鉛基板上の銀ナノ粒子加熱で液化せず蒸発 | 阪大 | 日刊工業新聞 (2006年4月12日PP.29) | 透過型電子顕微鏡(TEM) 黒鉛基板を680℃で保持 約2分で消滅 ナノ粒子により融点が下がる | 160 |
| 2006年 6月号 | マルチモードファイバ(MMF) -10Gbps 300mの伝送に成功- | 富士通 東大 | 日刊工業新聞 (2006年3月3日PP.1) | 温度無依存の量子ドットレーザ(QDLD) 3Dのナノ構造に電子が閉じ込められて発光 冷却機・電流駆動制御不要 | 240 120 |
| 2006年 6月号 | アモルファスTFTの曲がる電子ペーパ | 凸版印刷 | 日経産業新聞 (2006年3月31日PP.1) 日刊工業新聞 (2006年3月31日PP.13) | 室温で作製可能 基板にプラスチックを利用し前面板を組合せ すべての層を室温プロセスで作製 2インチ 4800画素 厚さ約320μm | 150 250 120 220 |
| 2006年 2月号 | 次世代光メモリー「RRAM」 -既存の電子材料- | NTT | 日経産業新聞 (2005年11月21日PP.10) | 抵抗式随時書き込み読み出しメモリー Bi4Ti3012の30～50nmの薄膜を電極で挟む ECRスパッタ法を利用 | 120 160 230 |
| 2006年 2月号 | 新イメージセンサSMPD | 韓国電子技術研 | 電波新聞 (2005年11月25日PP.3) | 単一キャリヤ変調フォトデテクタ 180nmプロセス技術 | 160 210 |
| 2005年12月号 | 新原理のトランジスタ | 東北大 | フジサンケイビジネスアイ (2005年9月8日PP.9) | プラスチック製 ゲート部分の分子を電子化学的に酸化・還元させることで電流抵抗値を変化 1.2Vでオン・オフ比2000倍 ポリチオフェン | 120 220 160 |
| 2005年12月号 | 16Gbフラッシュメモリー | サムスン電子 | 日経産業新聞 (2005年9月13日PP.3) | 回路線幅50nm フラッシュメモリー | 230 |
| 2005年11月号 | 最高性能45nmトランジスタ
-電極に金属材料- | Selete | 日経産業新聞 (2005年8月12日PP.4) | 電極にタンタルシリサイド 電子移動度値が5割高 | 120 220 |
| 2005年10月号 | 電源切っても表示できるカラー電子ペーパー | 富士通研 富士通フロンテック 富士通 | 日刊工業新聞 (2005年7月14日PP.1) | RGB三原色の各反射型液晶をフレキシブル基板に積層 カラーフィルタ不使用 偏光板不使用 | 160 250 |
| 2005年10月号 | LSI配線中欠陥を3次元像化 -超高圧電子顕微鏡- | 阪大 | 日刊工業新聞 (2005年7月29日PP.37) | 断層撮影 トモグラフィー法 加速電圧300万V | 360 660 |
| 2005年 9月号 | AG・ANDフラッシュメモリ -書込み20倍高速化- | 日立 ルネサステクノロジ | 日刊工業新聞 (2005年6月17日PP.25) | 書込み速度100ns以下 最上位電圧の書込み時間10%短縮 従来0Vのソース電圧を負にしてホットエレクトロンの発生と浮遊ゲートへの電子の引き込み効率を向上 定電荷注入書き込み方式をビット線切り替え技術で改良 | 230 160 |
| 2005年 9月号 | ナノ電子機械システム(MEMS) -二層CNTを電流で20～30度の塑性変形- | 大阪府大 | 日刊工業新聞 (2005年6月24日PP.25) | 曲がる部分を五角形や七角形に変形 CNTの直径が太くなるほど曲げに必要なエネルギーは小さくなる TEMで観察 | 120 |
| 2005年 9月号 | 携帯向け高歩留まり1.4mm厚の複合電子部品 | 日本IBM 新潟精密 | 日経産業新聞 (2005年6月24日PP.1) | パッケージ・オン・パッケージ(PoP)技術 動作試験可能な基板を積層 電池スペース確保可能 | 260 220 |
| 2005年 8月号 | ディスク状ナノ磁石 -磁化回転を初制御- | 東大 | 日刊工業新聞 (2005年5月11日PP.23) | MRAMの高密度化に道 放射光を用いた小型光電子顕微鏡(PEEM)を開発し観測ディスク構造の下側に微少なタグ | 120 |
| 2005年 7月号 | CG動画用電子透かし | 産総研 | 日経産業新聞 (2005年4月5日PP.1) | 動画の中に特殊な印を埋め込む 動きに電子透かし | 620 520 |
| 2005年 7月号 | パソコン文書自動要約 -重要単語を優先的に選択- | 青山学院大 | 日経産業新聞 (2005年4月8日PP.1) | 単語の意味を解析する技術 EDR電子化辞書 精度96% | 620 |
| 2005年 7月号 | 光硬化樹脂を用いたカーボンファイバ整列技術 | 首都大 | 日刊工業新聞 (2005年4月13日PP.27) | 垂直に揃える 引っ張り上げながら紫外線で硬化 直径150nmのカーボンファイバ混入光硬化樹脂をアクリル基板に吐出 5%で密集 FED用電子銃 | 120 160 |
| 2005年 6月号 | CNTの密度を定量測定 -TEM断面像を利用- | 富士通 富士通研 | 日刊工業新聞 (2005年3月15日PP.26) | TEMの試料作成手法を応用 平面テレビ用CNT電子銃の密度最適化に応用 スライス間隔80nm | 120 660 |
| 2005年 6月号 | 電子移動速い新型TFTパネル量産 | 日立ディスプレイズ | 日経産業新聞 (2005年3月31日PP.7) | 電子移動が低温poly-Siパネルの2～3倍 SELAX(擬似単結晶Si) 2.4インチ | 220 250 160 |
| 2005年 5月号 | 電子放出2倍のナノチューブ | 筑波大 東京学芸大 | 日経産業新聞 (2005年2月1日PP.9) | 表面にケイ素化合物 電圧140Vで蛍光体発光に充分な電子放出 | 120 |
| 2005年 5月号 | 微細孔1平方インチに400Gb | 群馬大 太陽誘電 日本ビクター | 日刊工業新聞 (2005年2月2日PP.1) | 超高密度ディスク用 外径20nm 電子描画技術 | 230 160 |
| 2005年 5月号 | CNTを電子線で容易に切断 | NTT | 日経産業新聞 (2005年2月3日PP.10) | 約100Vの電圧で発生させた電子線で切断 照射後空気と反応 | 160 120 |
| 2005年 5月号 | 2.0μm角画素サイズのMOSイメージセンサ 13とあわせて一件に | 松下電器 | 電波新聞 (2005年2月9日PP.1) | 0.15μmルール微細配線 4画素で1個検出アンプ回路 パルス電源方式 フォトダイオード面積比率30% 消費電力20mW 3400電子/lx・秒 1/4型200万画素 | 160 210 |
| 2005年 5月号 | 電子線描画装置にダイヤ | 住友電工 | 日刊工業新聞 (2005年2月16日PP.1) | EB装置 ダイヤ電子源 10倍大きい照射電流 | 360 120 |
| 2005年 5月号 | 運転手の疲労を瞬時に判定 | 電子航法研 鉄道総合技術研 東北大 東京学芸大 | 日経産業新聞 (2005年2月25日PP.6) | 声をカオス理論で分析 分析時間4～5秒 | 520 660 |
| 2005年 4月号 | カラー表示電子ペーパー技術 | 千葉大 科学技術戦略推進機構 | 日経産業新聞 (2005年1月4日PP.9) | 特殊色素 テレフタル酸 4㎝角ガラス基板 64画素表示 8色発光 揮発性 | 120 160 250 |
| 2005年 3月号 | 電子掲示板 -話題の流れを見つけるソフト- | NEC | 日本経済新聞 (2004年12月3日PP.17) | データマイニング 電子掲示板 | 620 |
| 2005年 3月号 | 有機半導体シート型スキャナ | 東大 国際産学共同研究センター | 日刊工業新聞 (2004年12月11日PP.1) | 電子的にスキャン 駆動トランジスタシートを2層化 実効動作速度5倍 消費電力1/7 解像度36dpi 読取り範囲5×8㎝ 曲る | 160 210 |
| 2005年 3月号 | トンネル絶縁膜厚さ2.7nmのフラッシュメモリー -二重接合技術で実現- | 東芝 | 日刊工業新聞 (2004年12月17日PP.33) | 1nmの2枚のシリコン酸化膜で2nm径のシリコン微結晶をサンドウィッチ クーロンブロッケード効果 単一電子素子 | 160 230 |
| 2005年 3月号 | ナノコイル15倍速合成 | 豊橋技科大 東邦ガス 双葉電子工業 日本バルカー工業 | 日経産業新聞 (2004年12月20日PP.8) | 直径200～700nm 長さ1～150μm 1時間あたり2g生産可能 C2H2 CNT合成可能 | 120 160 |
| 2005年 3月号 | 次世代半導体材料の劣化長期予測 | 半導体MIRAIプロジェクト 東大 | 日経産業新聞 (2004年12月28日PP.7) | HfAlO ゲート電極にマイナス電圧を印加すると電子の量に比例して劣化 プラス電圧を印加すると正孔の量に比例して劣化 シミュレーションモデル | 120 660 |
| 2005年 2月号 | 次々世代光ディスク -DVD1枚で映画100本分記録- | パイオニア | 日経産業新聞 (2004年11月8日PP.8) | 500GB記録可能 電子線描画 ピット間隔約70nm 感光性樹脂を塗った炭素基板 紫外線レーザ | 230 |
| 2005年 2月号 | シンチレータPET -室温で超高速・高強度- | 東大 東北大 | 日刊工業新聞 (2004年11月8日PP.1) | 有機と無機を組合わせて量子井戸構造を形成 ペロブスカイト構造 センサ 陽電子放射断層撮像装置(PET) | 210 310 |
| 2005年 2月号 | H.264に電子透かし | KDDI研 | 日経産業新聞 (2004年11月16日PP.1) | 動画圧縮技術 携帯電話向け地上デジタル放送 配布先ごとに異なる数字を埋め込む 埋め込み・検出時間それぞれ1秒未満 | 520 620 |
| 2005年 2月号 | 45nm半導体向け絶縁膜 -2005年春 成膜装置供給へ- | MIRAIプロジェクト | 日経産業新聞 (2004年11月25日PP.1) | 絶縁膜材料にHfAlO 窒化処理と酸化処理 電子移動度260 窒化処理でSiO2(下付)膜薄く | 120 160 |
| 2005年 1月号 | ナノ空孔3次元解析 -次世代半導体量産化に貢献- | Selete | 日経産業新聞 (2004年10月6日PP.1) | 透過型電子顕微鏡(TEM) 数十枚の顕微鏡画像を合成 65nm半導体 多孔質ローK膜 最適な絶縁膜を選べる | 660 360 |
| 2005年 1月号 | 紙並み超薄型画面 -0.25mm電子値札に採用- | ブリヂストン | 日本経済新聞 (2004年10月20日PP.11) | 電子粉流体 高分子ポリマー使用 画面サイズ4.5インチ 粒子の大きさ約10μm | 250 120 |
| 2004年12月号 | 電子移動100倍速い有機LED用新材料 | 信州大 保土谷化学工業 | 日経産業新聞 (2004年9月1日PP.9) | 電子輸送材料OXDm Alq 駆動電圧半分 消費電力70%節減 輸送速度正孔並 | 120 250 |
| 2004年12月号 | 単層CNTの位置･直径を初制御 | NEC | 日刊工業新聞 (2004年9月3日PP.28) | SWNT ナノレベルで位置と直径を制御できる成長技術 触媒金属を混ぜた電子線レジストで微細な触媒金属微粒子を配置する技術 CVD 直径1.3nm ばらつき±0.4nm 長さ2μm | 120 160 |
| 2004年12月号 | 走査型トンネル電子顕微鏡(STM) -半導体の不純物分布を数ナノレベルで計測- | 半導体MIRAIプロジェクト | 日経産業新聞 (2004年9月6日PP.7) | Si表面をNH4Fで処理 洗浄用純水中の酸素濃度を減らし 映像ノイズを減らす | 660 360 |
| 2004年12月号 | FeRAM最適結晶選別新技術 | 松下電器 | 日経産業新聞 (2004年9月15日PP.9) | 強誘電体薄膜に電子線照射 結晶粒の大きさや向きを検出 | 230 360 |
| 2004年11月号 | 高精細有機TFT | 産総研 日立 | 日経産業新聞 (2004年8月3日PP.10) | 電子ペーパに応用 液晶との保護膜を有機と無機の二層化 | 250 160 |
| 2004年11月号 | 炭素分子の新構造体 | 名大 | 日経産業新聞 (2004年8月5日PP.1) | カーボンナノウォール FEDの性能大幅向上 CNTよりも多くの電子を放出 CVD装置 厚さ数nm～数十nmのC分子の壁 | 120 150 |
| 2004年11月号 | 2.6インチ300ppiTFT-液晶ディスプレイ | 韓国サムスン電子 | 電波新聞 (2004年8月11日PP.1) | a-Si VGA解像度 コントラスト比200対1 輝度150Cd/m2 | 160 250 |
| 2004年11月号 | 単分子膜を用いた微細位置決め技術 -ナノギャップを安価に加工- | 分子科研 米ペンシルバニア州立大 | 日刊工業新聞 (2004年8月11日PP.17) | 自己組織化単分子膜(SAM) 位置選択性分子定規(PS-MR) 低速電子線 16-メルカプト・ヘキサデカノイック酸(MHDA)と二化Cuイオンの層 数nm加工 | 120 160 |
| 2004年11月号 | ナノチューブの炭素原子の配列・格子欠陥 | 産総研 | 日経産業新聞 (2004年8月19日PP.6) | 透過型電子顕微鏡 電子ビームに加える電圧を低下 感度5～6倍向上 | 360 660 |
| 2004年11月号 | Ge基板の半導体素子 | 東大 | 日経産業新聞 (2004年8月20日PP.8) | Ge基板上のHfO2がキャパシタとして動作 低温製造 電子の移動度Siの2倍 | 120 160 |
| 2004年11月号 | 高温超電導の仕組みの一端を解明 -格子状の電子分布- | 理化学研 JST | 日刊工業新聞 (2004年8月26日PP.25) 日経産業新聞 (2004年8月26日PP.7) | 銅酸化物二次元面を走査型トンネル電子分光で擬ギャップ状態を観察 カルシウム銅オキシクロライド | 120 660 |
| 2004年10月号 | 印刷画像に隠れデータ | 富士通研 | 日本経済新聞 (2004年7月1日PP.11) | 電子あぶり出し技術 バーコード 12桁の数字 1㎝四方の画像 | 520 620 |
| 2004年10月号 | プラズマパネル -放電・発光現象を解析- | NHK | 日経産業新聞 (2004年7月22日PP.7) | 画素内部のガスや電子の状態 紫外線の発生具合 計算手法 PCで立体的に再現 | 250 620 660 |
| 2004年10月号 | アイソレーション型高速伝送装置 -壁に遮られない伝送網- | 日放電子 | 日経産業新聞 (2004年7月28日PP.1) | 部分的に電波を使う 100Mbps 2.4GHz帯の電波に変換 最大20cm幅の障害物 | 340 440 |
| 2004年 9月号 | 65nm次世代半導体 -配線強化で歩留まり2倍に向上- | 東芝 ソニー | 日経産業新聞 (2004年6月24日PP.9) | 配線の剥落を防ぐ技術 高密度配線 層間絶縁膜 電子ビームで配線材料強度高める | 160 220 260 |
| 2004年 9月号 | 電子・正孔の移動度を厳密計算 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2004年6月21日PP.21) | 正孔のエネルギー形状の異方性を考慮したアルゴリズムを明確化 高性能CMOS モンテカルロ法 | 120 220 |
| 2004年 9月号 | デジカメ・携帯向け電子基板材料 -耐熱5倍ポリイミド代替- | 京セラケミカル | 日経産業新聞 (2004年6月24日PP.1) | 折り曲げ可能な電子基板材料 ガラス繊維 不繊布 エポキシ樹脂 積層板 | 160 |
| 2004年 8月号 | CNTを均等にした電子放出素子 -省電力型FED向け- | 阪大 | 日経産業新聞 (2004年5月28日PP.8) 日刊工業新聞 (2004年5月28日PP.32) | CVD法で作製 平均直径10nmのCNTを束ねて直径50μm・高さ125μmにまとめ250μm間隔で配置 CNT密度10G本/㎝2 駆動電圧1V 冷電子エミッタ | 160 250 |
| 2004年 7月号 | 有機トランジスタ 6と合わせて一記事に | 東北大 北陸先端大 岩手大 | 日経産業新聞 (2004年4月5日PP.7) 朝日新聞 (2004年4月5日PP.18) | 自己組織化 半導体と基板の間の膜で電子を制御 電圧制御 ペンタセン アルキシラン フラーレン チャンネル幅50μm | 220 120 |
| 2004年 7月号 | 電子線ホログラフィでCMOS解析 図使用 | ファインセラミックスセンター(JFCC) | 日経産業新聞 (2004年4月19日PP.8) | 半導体断面電位解析 不純物の分布を利用 | 360 430 660 |
| 2004年 7月号 | 単電子メモリーの新型素子 -1個の記憶容量5倍- 図使用 | NTT | 日経産業新聞 (2004年4月26日PP.9) | 単電子転送メモリー 配線幅35nm 動作温度-247℃ | 160 230 |
| 2004年 7月号 | エレクトライド化合物を使った冷電子エミッター | 東工大 | 日刊工業新聞 (2004年4月30日PP.14) | FED セメント素材使用 省エネ・省コスト C12A7 室温下で安定 | 150 |
| 2004年 6月号 | BN薄膜 -CNTしのぐ電子材料- | 物質・材料研究機構 | 日経産業新聞 (2004年3月11日PP.8) 日刊工業新聞 (2004年3月11日PP.25) | FED 照明器具 100倍以上の電界電子放出特性 8.6V/μmで電流密度0.9A/cm2 | 150 |
| 2004年 6月号 | 解像度1.5倍の電子ペーパ | 千葉大 | 日経産業新聞 (2004年3月16日) | 250dpi 直径200nmの電子インク | 160 250 |
| 2004年 6月号 | 単電子トランジスタ試作 図を使用(日経産業) | 東大生研 | 日経産業新聞 (2004年3月25日PP.9) 日刊工業新聞 (2004年3月10日PP.25) 日経産業新聞 (2004年3月10日PP.9) | 2nmの量子ドット 室温でTrとして機能 1素子2ビット記録 | 160 220 |
| 2004年 6月号 | 二重ロックの電子透かし | 佐賀大 | 日刊工業新聞 (2004年3月31日PP.11) | データ固有の特徴を見つけだす処理 | 520 |
| 2004年 4月号 | 電子ペーパ材料 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2004年1月16日PP.1) | エレクトロクロミック(EC) 2電極間に高分子固体電解質を挟む 白色度80%以上 コントラスト比15以上 樹脂原料を3次元のネットワーク状にする | 250 |
| 2004年 4月号 | 有機半導体電子ペーパ | (オランダ)フィリップス ポリマービジョン | 日刊工業新聞 (2004年1月26日PP.25) | OFET アクティブマトリクス 駆動周波数5kHz 電気泳動 モノクロ表示 輝度35% コントラスト比9 25μm | 250 |
| 2004年 2月号 | 世界最高輝度の電子放出材 -CNTにRuO2(下付)を結合- | 化研 高エネルギー加速器研究機構(KEK) | 日刊工業新聞 (2003年11月13日PP.1) | 電子放出電界強度2V/μm以下 4V/μmでの電流密度100mA/cm2(上付)以上 FED電極 | 120 150 160 |
| 2004年 1月号 | FED用CNT電極 -30V以下で電子放出- | 日立造船 | 日刊工業新聞 (2003年10月9日PP.10) | カソード電極 | 250 160 |
| 2004年 1月号 | 幅8nmの微細配線用レジスト | NEC トクヤマ | 日経産業新聞 (2003年10月13日PP.5) | 低分子材料 電子ビーム加工用 | 160 |
| 2003年12月号 | 光電子IC -超高速光信号を処理- | NTT | 日経産業新聞 (2003年9月8日PP.9) | 電子回路と光回路を一体化 時分割多重方式の通信網 | 220 240 |
| 2003年12月号 | 電子書籍普及へ団体設立 | 松下 東芝 イｰブｯクイニシアティブジャパン 勁草書房など19社 | 日経産業新聞 (2003年9月11日PP.3) | コンテンツ拡充 著作権保護技術 流通経路の確立 eブック | 660 |
| 2003年12月号 | 液晶式の電子ペーパ | 富士ゼロックス | 日刊工業新聞 (2003年9月22日PP.7) | コレステリック液晶 光書込み型 | 250 350 |
| 2003年11月号 | 高温超電導現象のしくみを発見 -電子の量子的な「ゆらぎ」で発生- | 電力中研 米ロスアラモス国立研究所 | 日刊工業新聞 (2003年8月21日PP.5) | 単層Bi系銅酸化物(-138℃)で発見 | 660 |
| 2003年11月号 | 200GB級光ディスク -記憶容量10倍に- | 産総研 サムスン電子 | 日経産業新聞 (2003年8月29日PP.9) 日刊工業新聞 (2003年8月29日PP.5) 日本経済新聞 (2003年8月29日PP.17) | 青色DVDの10倍 Tb Fe Co SiO2 ZnS 熱で薄膜が山形に盛り上がり記録 50nmの山が100nmの間隔 熱体積変化膜 記録技術のみ開発 | 160 230 |
| 2003年10月号 | 画像に電子透かしでURLを埋込む技術 | NTT | 日本経済新聞 (2003年7月8日PP.13) | 画像を撮影してURLを取得 カメラ付携帯電話で自動接続 印刷媒体でも有効 | 520 630 |
| 2003年10月号 | 次世代のディジタル署名 -暗号技術の実装方式- | NTT 日立 三菱電機 | 日本経済新聞 (2003年7月28日PP.9) 電波新聞 (2003年7月29日PP.1) | 電子暗号技術実装 技術だ円曲線暗号 CRESERC | 520 |
| 2003年 9月号 | 基幹系光通信機器の中核部品のコスト半減 | 超先端電子技術開発機構 | 日経産業新聞 (2003年6月6日PP.6) | マイクロレンズ不要 複合部品内にL字型の導波路 3㎝角×高さ3㎜ | 240 260 |
| 2003年 9月号 | 電子荷札規格統一 -ICタグ180社参加- | ユビキタスIDセンター | 日本経済新聞 (2003年6月18日PP.1) 朝日新聞 (2003年6月24日PP.1) | 極小のICチップ 128ビット | 530 660 |
| 2003年 8月号 | 電子荷札規格統一
-ICタグ180社参加- | ユビキタスIDセンタ | 日本経済新聞 (2003年5月18日PP.1) 朝日新聞 (2003年5月24日PP.1) | 極小のICチップ 2の128乗けた | 530 660 |
| 2003年 8月号 | 2バンド超電導機構解明
-新物質探索の指針に- | 東工大 | 日刊工業新聞 (2003年5月1日PP.5) | MgB2 角度分解光電子分光ARPES Mgを中心にBが6角形の2次元面を持つ結晶 | 120 |
| 2003年 8月号 | 電気二重層キャパシタ用新電極材 | フロンティアカーボン 関西熱化学 | 日本経済新聞 (2003年5月30日PP.1) | フラーレン混合電極材料 大電流での充放電可 電池の長寿命化 携帯型電子機器用 | 250 |
| 2007年 3月号 | 光電変換CNT | 東大 | 日経産業新聞 (2006年12月15日PP.10) | 電子を放出する層を電子を受け取る分子の層で包んだ中空構造 直径16nm 壁の厚さ3nm 長さ数μm | 120 |
| 2007年 2月号 | FED材料に適した2層CNT | 産総研 ノリタケカンパニーリミテッド | 日経産業新聞 (2006年11月8日PP.11) 日刊工業新聞 (2006年11月8日PP.28) | CNT長さ2.2mm 純度99.95% 2層CNT含有率85%以上 「スーパーグロース法」 水分添加CVD法を改良 電解放出ディスプレイ用の電極 均一な電子放出特性 | 120 160 250 |
| 2007年 1月号 | 動画解像度の測定方式 | 次世代PDP開発センター | 電波新聞 (2006年10月19日PP.1) 日刊工業新聞 (2006年10月23日PP.6) | 電子ディスプレイ APDC方式 動画再生時に発生する乱れを定量的に測定 4本の線で作られた9種類の楔形を縦に配置 | 250 660 |
| 2007年 1月号 | 高速高画質で電子割符作成 -2枚の画像から秘密画像- | KDDI研 | 日刊工業新聞 (2006年10月27日PP.8) | 秘密分散方式 白と黒の細かい濃淡を再計算して配置 自然画像使用可能 | 520 620 |
| 2006年12月号 | 電圧1.5倍 スペース2/3の色素増感太陽電池 | 日本化薬 | 日経産業新聞 (2006年9月14日PP.1) | 1つのセルで電圧1.0V 有機色素 色素が放出した電子を受け取る金属にTiO2にMgを加えた材料 1セルサイズ縦57mm×横4.5mm×厚さ1mm | 250 120 |
| 2006年12月号 | HEED冷陰極HARP撮像板の高解像度化を実現 | パイオニア NHK | 電波新聞 (2006年9月26日PP.2) | 640×480画素 感度は一般的なCCDの約20倍 サイズ12.8×9.6mm 電荷を膜の内部で倍増 低い駆動電圧で安定的に電子を放出 | 210 |
| 2006年11月号 | 証拠保存技術 -PC利用履歴を簡単保存- | 東京電機大 | 日経産業新聞 (2006年8月10日PP.7) | PCの操作情報を圧縮してUSBメモリーに保存 電子署名 | 320 620 |
| 2006年11月号 | 手書き文書電子化技術 | 日立 | 日刊工業新聞 (2006年8月31日PP.30) | デジタルペンとドットパターンが印刷された専用ノート 電子署名技術を応用 筆記者の特定や筆記時刻を記録 | 620 420 |
| 2006年10月号 | テラヘルツ光検出技術 | 理化学研 JST | 日刊工業新聞 (2006年7月7日PP.31) 日経産業新聞 (2006年7月7日PP.8) | CNTでつくったトランジスタ 単電子トランジスタ 極低温領域で光子として量子的に検出 CNT人工原子 テラヘルツ光の周波数約2.5THz | 120 160 320 660 |
| 2006年10月号 | Si量子計算機読出しに目処 | 慶応大など | 日刊工業新聞 (2006年7月12日PP.25) | レーザ光照射でリン原子核スピン検出 励起子の発光を計測 単電子トランジスタ | 320 |
| 2006年10月号 | 電子眼鏡 -網膜上に直接投影- | 宝塚造形芸大 ウェアビジョン | 日刊工業新聞 (2006年7月14日PP.35) | 小型液晶パネル 瞳孔内に集光 低視力用網膜投影電子眼鏡 ハンディスコープタイプ | |
| 2006年 9月号 | 電子1個の動き捉える | NTT 東工大 JST | 日刊工業新聞 (2006年6月16日PP.29) | 半導体二重量子ドット(DQD) 超高感度な単電子電流計 単電子トランジスタ 電流雑音3aA | 120 220 660 |
| 2006年 8月号 | 湿式で電流効率2倍の有機EL | 九州電力 | 日刊工業新聞 (2006年5月2日PP.1) | 電流効率41.7cd/A インクジェット方式 アルコール系溶媒に溶ける電子輸送材料 | 120 250 260 |
| 2006年 8月号 | 電子ペーパー -紙により近く- | ブリヂストン | 日経産業新聞 (2006年5月8日PP.15) | PET(ポリエチレンテレフタレート) 2007年量産 厚さ0.3mm 電子粉流体 直径10μmの帯電した高分子材料 | 120 250 |
| 2006年 8月号 | 薄型ディスプレイ -FED小型パネル生産- | 双葉電子工業 | 日本経済新聞 (2006年5月14日PP.7) | 電界放出型ディスプレイ 自動車や産業機器向け 初の量産化 数インチ～11インチ フルカラーやモノクロに対応 | 250 |
| 2006年 7月号 | 折り曲げ自在な次世代メモリー | セイコーエプソン | 日本経済新聞 (2006年4月4日PP.13) | FeRAM 電子ペーパー ICタグ フッ素系ポリマー 厚さ0.1mmのプラスチック基板上 | 120 230 |
| 2006年 7月号 | 黒鉛基板上の銀ナノ粒子加熱で液化せず蒸発 | 阪大 | 日刊工業新聞 (2006年4月12日PP.29) | 透過型電子顕微鏡(TEM) 黒鉛基板を680℃で保持 約2分で消滅 ナノ粒子により融点が下がる | 160 |
| 2006年 6月号 | マルチモードファイバ(MMF) -10Gbps 300mの伝送に成功- | 富士通 東大 | 日刊工業新聞 (2006年3月3日PP.1) | 温度無依存の量子ドットレーザ(QDLD) 3Dのナノ構造に電子が閉じ込められて発光 冷却機・電流駆動制御不要 | 240 120 |
| 2006年 6月号 | アモルファスTFTの曲がる電子ペーパ | 凸版印刷 | 日経産業新聞 (2006年3月31日PP.1) 日刊工業新聞 (2006年3月31日PP.13) | 室温で作製可能 基板にプラスチックを利用し前面板を組合せ すべての層を室温プロセスで作製 2インチ 4800画素 厚さ約320μm | 150 250 120 220 |
| 2003年 6月号 | 低電圧駆動可能な青色LED用材料 | 細野透明電子活性プロジェクト(東工大) | 日刊工業新聞 (2003年3月3日PP.5) | オキシカルコゲナイド結晶 P型透明材料 窒素ガリウムより2桁低抵抗 | 250 150 |
| 2003年 6月号 | 地上波デジタル放送で電子自治体の実証実験 | 総務省 | 日刊工業新聞 (2003年3月7日PP.1) | セットトップボックス(STB)配布 データ放送 インタネット | 540 440 |
| 2003年 6月号 | 多層CNT -単層の2倍の電子放出を確認- | NKK | 日刊工業新聞 (2003年3月11日PP.16) | ほぼ100%の純度で合成 テープ状の多層CNT | 150 160 |
| 2003年 6月号 | 世界で最も明るい平面発光素子 | 長岡技科大 | 日本工業新聞 (2003年3月26日PP.2) | 大気開放型のCVD法 赤色光で輝度が1400cd/m2 単結晶ウィスカー先端から電子放出 FEDに利用可能 | 150 |
| 2003年 5月号 | トリシラアレン安定化合物合成 -電子機能材料開発に光- | 東北大 | 日本工業新聞 (2003年2月13日PP.2) | シリレン くの字形 | 120 160 |
| 2003年 4月号 | 光子から電子への変換素子 -量子暗号通信へ前進- | NEC 総研大 科学技術振興事業団 | 日本経済新聞 (2003年1月27日PP.17) | 単一光子と単一電子スピンの間の情報伝達 中継用新素子 2個の光子対「ベルペア」 量子暗号通信 | 140 240 |
| 2003年 3月号 | 米ディジタル･ミレニアム著作権法 -違反の被告 無罪判決- | 日本経済新聞 (2002年12月25日PP.11) | エルコムソフト社 電子ブックの暗号解読ソフト 公開時に法を犯す意志なし | 620 660 | |
| 2003年 2月号 | ウィンドウズ設計開示 | 米マイクロソフト | 日経産業新聞 (2002年11月1日PP.1) 電波新聞 (2002年11月28日PP.1) | シェアドソース ソースコードの契約開示 電子政府のプロジェクト | 620 |
| 2003年 2月号 | ナノ対応の3次元電子顕微鏡 | 日本電子 東大 | 日本経済新聞 (2002年11月22日PP.15) | CT手法 様々な角度から電子照射 分解能5～10nm 撮影2時間 立体画像処理2時間 | 360 320 |
| 2003年 2月号 | 電子イメージングシステム -本を開けずに閲覧- | 英リーズ大 | 日刊工業新聞 (2002年11月25日PP.5) | テラヘルツ波 電磁イメージングシステム | 310 210 |
| 2003年 2月号 | 多層CNTで10倍高輝度の電子線 -安定で超寿命- | 蘭フィリップス | 日刊工業新聞 (2002年11月28日PP.5) | 多層CNT(MWCNT) タングステンチップの上に固定 | 120 360 |
| 2002年12月号 | 量素ドット中の電子スピン保持時間0.2msに | 科学技術振興事業団 NTT | 日刊工業新聞 (2002年9月19日PP.4) | 保持時間1msにメド 人工原子中の電子スピンで実現 電気的ポンププローブ法 | 120 230 |
| 2002年12月号 | ナノ応力電子顕微鏡 -素材構造を1nm単位で観察- | 京都工芸繊維大 | 日本経済新聞 (2002年9月13日PP.17) | ナノ応力電子顕微鏡 | 360 |
| 2002年12月号 | 単一電子素子 -量産化メドに- | 産総研 科学技術新興事業団 富士通研 | 日経産業新聞 (2002年9月17日PP.3) 日本工業新聞 (2002年9月9日PP.2) | 単一電子トランジスタ 室温動作 信号ノイズ従来比1/1000 CNT | 120 220 |
| 2002年11月号 | 電子顕微鏡 -最高解像度0.075nm- | 米IBM ニオン | 日刊工業新聞 (2002年8月13日PP.4) | 走査型電子顕微鏡 磁気レンズ収差を0.1nm以下に動的補正 7枚の磁気レンズ | 360 320 |
| 2002年11月号 | CPU30%高速化 -銅配線の結晶大きく- | 京大 | 日経産業新聞 (2002年8月14日PP.1) | 銅配線の結晶構造を変化させる 250～300℃で数時間加熱 電子の結晶境界面衝突の低減 結晶サイズ10倍で電気抵抗が半減 | 160 |
| 2002年11月号 | 電子ペーパ用送信技術 -1秒で3ページ送信- | NEC | 日経産業新聞 (2002年8月23日PP.1) | PDA 雑誌や新聞の記事の効率配信技術 めくる感覚 JPEG2000 レイアウト情報抽出技術 従来の半分のデータ量 | 440 520 |
| 2002年11月号 | 紙→電子文書変換を自動化 | 東芝 | 日本経済新聞 (2002年8月23日PP.17) | XML 文字情報の識別・分類を自動化 OCR | 520 620 |
| 2002年10月号 | 電流 一定方向に電子の自転利用の新素子 | 東大 NTT JST | 日経産業新聞 (2002年7月26日PP.13) 日刊工業新聞 (2002年7月26日PP.5) | 単一スピンダイオード スピンメモリー 量子コンピュータの出力装置 スピンデバイス 直径0.5μm長さ0.5μmの円筒状 GaAs GaInAs 極低温 電圧2～6mVで0.1nA | 220 230 |
| 2002年 9月号 | 解読最も難しい暗号 -電子署名用- | 東大 横浜国大 日本学術振興会 | 日経産業新聞 (2002年6月5日PP.1) | 電子署名用暗号 方程式と未知数で構成 電子政府 DVD 偶然が2-160 | 520 620 |
| 2002年 9月号 | 演算処理担う論理素子 -すべて金属で作製- 1行紹介 | 英ダーラム大 | 日本経済新聞 (2002年6月14日PP.15) | 磁性鉄合金 電子スピン利用 サイズ100nm NOT回路 | 220 |
| 2002年 9月号 | LSIの識別技術 -電子指紋で識別- | 三菱電機 | 日経産業新聞 (2002年6月21日PP.10) | 人工指紋デバイス PolySiTFTのバラッキ利用 | 220 230 |
| 2002年 9月号 | 次世代ディスプレイ技術 -来年春にも実用化- | 東芝 キヤノン | 日本経済新聞 (2002年6月22日PP.11) | SED サーフェイス コンダクションエレクトロン・エミッタディスプレイ 画素を超微細な電子銃で発光 | 250 |
| 2002年 9月号 | 単一電子トランジスタ -ナノチューブで作製- | 産総研 富士通研 | 日本経済新聞 (2002年6月24日PP.23) | SiO2基板上 自己組織化 チューブ径 2nm | 220 120 |
| 2002年 9月号 | 新観察技術 -磁気ヘッドの記録磁界分布をnmスケールで可視化- | 日立 | 電波新聞 (2002年6月25日PP.2) | ヘッド表面から30nm領域の記録磁界を可視化 透過型電子顕微鏡 | 660 230 360 |
| 2002年 8月号 | 番組の電子取引システム | NHK | 日本経済新聞 (2002年5月13日PP.15) | 放送コンテンツ 不正アクセス防止 違法コピー防止 | 440 540 620 |
| 2002年 8月号 | 動画像内に電子透かし 一行紹介 | NHK技研 三菱電機 | 日刊工業新聞 (2002年5月13日PP.11) 日経産業新聞 (2002年5月15日PP.9) | 著作権保護 専用ハードウェア デジタルコンテンツ リアルタイム | 340 520 |
| 2002年 8月号 | BN薄膜で電子放出増加 -FEDなどに応用- | 阪大 | 日刊工業新聞 (2002年5月16日PP.4) | プラズマアシスト化学気相法 CNTにBNナノ薄膜被覆 放出電流100倍 | 120 150 |
| 2002年 8月号 | 64Mbフラッシュメモリー | 富士通 米AMD | 日経産業新聞 (2002年5月20日PP.6) | 1つの記憶回路に2つの電子保持領域 NOR型 ミラーフラッシュ | 230 |
| 2002年 8月号 | 電子ビーム露光装置 -マスク製造に成功- | HOYA 凸版印刷 | 日経産業新聞 (2002年5月28日PP.1) | φ200mm Siマスク 50nmプロセス用 | 160 |
| 2002年 8月号 | 暗号高速処理LSI開発 一行紹介 | 東芝 | 日本経済新聞 (2002年5月31日PP.17) | 電子署名 RSA | 220 520 |
| 2002年 7月号 | カーボンナノチューブのフィールドエミッタ - 4V 低電圧で電子放出 - | 産総研 | 日本経済新聞 (2002年4月5日PP.17) 日刊工業新聞 (2002年4月11日PP.4) | 高さ1μmの山のあるSi基板 Fe蒸着後CNTを成長 電子放出電圧4V FED | 250 120 |
| 2002年 7月号 | 部品ネット調達システム - 値引き交渉自動化 - | NTT COM科学基礎研究所 | 日経産業新聞 (2002年4月12日PP.17) | 4000のエージェント 電子商取引き | 620 420 |
| 2002年 7月号 | 手書き情報をディジタル化する技術 | 日立 アノト (スウェーデン) | 日経産業新聞 (2002年4月17日PP.14) | 電子政府・電子自治体向けシステム | 620 610 |
| 2002年 7月号 | 単電子スピンバルブ | 米ベル研 NEC北米研 カナダシモン・フレーザー大学 | 日刊工業新聞 (2002年4月19日PP.5) | 自己組織単分子膜室温で30%以上のGMR | 120 210 230 |
| 2002年 7月号 | 単一電子素子 -消費電力1/1000に 室温で作動成功 | NTT | 日経産業新聞 (2002年4月30日PP.7) | 30nm幅のSi細線温室動作SET | 220 |
| 2002年 6月号 | 単電子素子を用いた多値動作メモリー | NEC | 日刊工業新聞 (2002年3月5日PP.1) | 単電子素子11値の多値メモリー SET -269℃での動作確認 二重ゲート構造 | 230 |
| 2002年 6月号 | 消費電力1/500の電子表示装置 | ブリジヂストン | 日本経済新聞 (2002年3月20日PP.1) | 電子分流体 反応速度0.2ms 反射率70% | 250 |
| 2002年 6月号 | 最速トランジスタ-動作周波数500GHz超- | 富士通研 通信総研 阪大 | 日経産業新聞 (2002年3月26日PP.14) | 動作周波数562GHz HEMT InP基板 InAIAs電子供給層 InGaAs電子走行層 | 220 |
| 2002年 6月号 | 新方式の液晶 | 東大 | 日本工業新聞 (2002年3月29日PP.2) | 電子ペーパ アミノ酸を混入 | 250 |
| 2002年 5月号 | DVDに世界規格 -次世代光ディスク規格統一- | 松下電器 ソニー 日立 パイオニア シャープ 蘭フィリップス 仏トムソン・マルチメディア 韓サムソン電子 韓LG電子 | 日本経済新聞 (2002年2月16日PP.13) 日本経済新聞 (2002年2月16日PP.1) 日本経済新聞 (2002年2月20日PP.14) 電波新聞 (2002年2月22日PP.15) 学会誌4月号 (0年0月0日) | 波長405nm青紫色レーザ Blu-rayDisc 片面27GB 直径12cm ピックアップ | 330 230 530 |
| 2002年 4月号 | 印刷物に電子透かし | 凸版印刷 | 日経産業新聞 (2002年1月10日PP.7) | 不正コピー防止 印刷前工程で埋込み処理 | 520 330 |
| 2002年 3月号 | 歪みシリコントランジスタ -電子移動度2.2倍- | 日立 | 電波新聞 (2001年12月6日PP.6) | 平坦化SiGe電子移動度2.2倍 正孔移動度1.42倍 | 220 |
| 2002年 2月号 | ズーム対応電子透かし | ライブピクチャージャパン エム研 | 日経産業新聞 (2001年11月5日PP.2) | 画像の拡大縮小に対応できる電子透かし | 520 440 |
| 2002年 2月号 | 携帯使う電子チケット -2段階発行で偽造防止- | 慶応大 | 日本経済新聞 (2001年11月16日PP.17) | 電子チケットシステム 仮チケットと直前発行の本チケット SSL暗号通信方式 | 620 520 |
| 2002年 1月号 | 14.5インチカラーFEDの試作 | 伊勢電子 | 日経産業新聞 (2001年10月31日PP.1) | 耐久10,000時間 多層化構造CNTの電子銃 カーボンナノチューブ FED 壁掛けテレビ 画素ピッチ 2.54mm | 250 350 |
| 2001年12月号 | Si薄膜にナノ穴形成 -電子線を光速照射アモルファス化可能に- | 阪大 | 日刊工業新聞 (2001年9月18日PP.7) | 量子サイズ効果 直径約3mm | 160 |
| 2001年12月号 | 薄型表示装置「電子ペーパー」 -トナーを利用- | 富士ゼロックス | 日本経済新聞 (2001年9月28日PP.17) | コピートナー用黒粒子 酸化チタンの白粒子 厚さ2.5mm | 250 |
| 2001年10月号 | 電子透かし技術 -静止画の不正改ざん探知- | 沖電気 | 日経産業新聞 (2001年7月5日PP.4) | 電子透かし | 520 620 |
| 2001年10月号 | 手書き文字認識ソフト -続け字・崩れ字も認識- | クールデザイン (早大系) | 日経産業新聞 (2001年7月23日PP.1) | パータン認識 署名電子認識 認識率98% 時間・筆圧・座標で認識 | 620 |
| 2001年10月号 | 光電子融合システム -Siと化合物半導体を無転位で一体化- | 豊橋技科大 | 日刊工業新聞 (2001年7月24日PP.7) | 光電子融合IC GaPN 分子線エピタキシー 同一格子定数 | 160 |
| 2001年 8月号,9月号 | 電子線ホログラフィ法 | ファインセラミックセンター | 日刊工業新聞 (2001年6月27日PP.7) | フレネル回折 | 光の補正で精度が3～6倍アップ顕微鏡 660 360 |
| 2001年 7月号 | 3倍明るい液晶ディスプレイ | 経済産業省 超先端電子技術開発機構(ASET) NEC | 日経産業新聞 (2001年5月24日PP.11) 電波新聞 (2001年5月23日PP.2) | 反射形液晶ディスプレイ 光の反射率95%(従来の3倍) 多層形 | 250 |
| 2001年 5月号 | 単電子CCD -電子1個自在に転送- | NTT物性科学基礎研 | 日刊工業新聞 (2001年3月30日PP.7) | 単電子電荷結合素子(CCD) 電子1個 25Kで動作 | 220 |
| 2001年 5月号 | 電子雲の「波を」とらえた! -超高速スイッチに道- | アトムテクノロジー研究体(JRCAT) | 日刊工業新聞 (2001年3月8日PP.1) | オービトン フォノン 軌道波制御 THz並みの超高速磁気スイッチ ランタン・マンガン酸化物 光散乱法 | 660 |
| 2001年 5月号 | 電子署名技術 -次世代言語「XML」対応- | 日本アイ・ビー・エム | 日経産業新聞 (2001年3月6日PP.1) | SOAP(Single Object Access Protocol) 電子署名用サーバ 企業間電子商取引用 | 440 620 |
| 2001年 4月号 | フルカラーFED | 双葉電子 | 日経産業新聞 (2001年2月23日PP.1) | FED 発光寿命5000時間超 輝度350cd/m2 | 250 |
| 2001年 3月号 | カーボンナノチューブ -溶接機で簡易合成- | 豊橋技科大 名城大 双葉電子工業 | 日経産業新聞 (2001年1月30日PP.1) | 内径1nm以下 外形数十nm 長さ数百nm～1μm 大気中アーク放電 ナノチューブ率80% | 150 120 |
| 2001年 3月号 | 電子状態を瞬時に変化させる光磁石 | 東大 | 日経産業新聞 (2001年1月23日PP.10) | 光で磁性を制御 金属錯体化合物 Fe Co プルシャンブルー 電子スピン状態 光で変化 ICの安定状態 スイッチング時間10の7乗秒 | 120 |
| 2001年 2月号 | 特徴電子顕微鏡使い検出 | 科技庁日仏共同研究チーム | 東京新聞 (2000年12月22日PP.10) | 金属原子ガドニウム カーボンナノチューブ チューブの直径1.6nm | 320 360 |
| 2001年 2月号 | X線レーザ装置を小形化 | 豊田工大 | 日経産業新聞 (2000年12月20日PP.13) | 波長15.4nmのX線レーザ X線光電子顕微鏡 | 350 250 360 |
| 2001年 2月号 | 単一電子素子で開発競争 | 東芝 NTT | 日本経済新聞 (2000年12月16日PP.15) | 単一電子素子 常温作動 | 230 220 |
| 2001年 2月号 | 小形硬X線発生装置 | 立命館大 | 日刊工業新聞 (2000年12月1日PP.7) | 卓上サイズの装置 硬X線発生 200k電子V以上 | 350 360 |
| 2001年 1月号 | GaN系電子素子 -最高発振周波数100GHz超- | NEDOコンソーシアム | 日刊工業新聞 (2000年11月30日PP.6) | 100GHz AlGaN | 220 |
| 2001年 1月号 | 携帯電話の振動装置 -スピーカと一体化- | 松下電子部品 | 日経産業新聞 (2000年11月29日PP.1) | 振動装置 スピーカ 携帯電話 | 310 350 |
| 2001年 1月号 | 「電子の紙」商品化進む | 米国Eインク社 | 朝日新聞 (2000年11月28日PP.30) | エレクトリックインク 直径0.1mmのカプセル | 250 |
| 2001年 1月号 | 冷陰極HARP撮像板 -厚さ10mmに小形化- | NHK 双葉電子 | 電波タイムズ (2000年11月10日PP.3) | 超高感度ハイビジョンカメラ HARP 128(H)×96(V)画素 | 210 |
| 2000年12月号 | 最大10ギガの広帯域形ソフトウェア無線機 | ソニーコンピュータサイエンス研 電子情報通信学会 | 日刊工業新聞 (2000年10月27日PP.7) 日刊工業新聞 (2000年10月30日PP.9) | マルチポート・ダイレクト・コンバージョン方式 80M～10GHz ベースバンドに直接変換 ミキサ不要 ソフトウェア入替えにより無線方式変換 | 340 120 |
| 2000年12月号 | 超小形光スイッチ -大きさ1/50- | 日本航空電子 | 日経産業新聞 (2000年10月19日PP.1) | WDM 2×2光スイッチエレメント マイクロミラー 1mm×0.5mm | 240 |
| 2000年12月号 | 量子トッドメモリーー -電界 光で電荷制御に成功- | 富士通 | 日刊工業新聞 (2000年10月5日PP.6) | 量子ドットメモリー(QD) 正四面体溝(TSR) GaAs 縦形高電子移動トランジスタ(HEMT) 多値記憶 | 230 |
| 2000年12月号 | 赤外線自由電子レーザ | 理科大 川崎重工 | 日経産業新聞 (2000年10月3日PP.1) | 赤外光 小形自由電子レーザ 9m×1.2m×1m | 250 |
| 2000年11月号 | 半導体レーザ -180mW世界最高出力- | 松下電子 | 電波新聞 (2000年9月22日PP.5) | 分布帰還形 マストランスポート法 1.5μm帯 | 240 250 |
| 2000年10月号 | 新形X線顕微鏡 -細胞や染色体鮮明に- | 明大 千葉大 | 日経産業新聞 (2000年8月24日PP.9) | X線顕微鏡 走査形電子顕微鏡を利用 10nmに絞った電子ビーム 分解能0.1μm 立体的な像 | 360 |
| 2000年10月号 | HD容量上げる微細加工技術 -容量10倍超へ- | 東芝 | 日本経済新聞 (2000年8月19日PP.13) | 高分子材料 自己組織化 ナノテクノロジー 単一電子トランジスタ ハードディスク | 160 230 |
| 2000年10月号 | コンテンツ流通促進実験 | 郵政省 | 日刊工業新聞 (2000年8月1日PP.1) | コンテンツ流通 電子透かし 著作権 | 540 |
| 2000年 9月号 | 電子文書改ざん防止ソフト | リコー NTTデータ | 日経産業新聞 (2000年7月4日PP.1) | トラスティ・キャビネット 暗号技術 XML | 620 |
| 2000年 9月号 | 薄形液晶電子ペーパー | 東海大 大日本印刷 | 日経産業新聞 (2000年7月6日PP.1) | 薄い液晶を使った電子ペーパー PET樹脂 染料 液晶分子 60℃で消去 | 250 |
| 2000年 9月号 | 電子ペーパー -光あて情報記録- | 富士ゼロックス | 日本経済新聞 (2000年7月1日PP.13) | 電子ペーパー 光スイッチ | 130 |
| 2000年 8月号 | 201GBの大容量ディスク -電子線で書込み- | パイオニア | 日本経済新聞 (2000年6月10日PP.15) | 記録再生25GB 記録のみ201GB 電子線 青色レーザ 光ディスク DVD | 230 |
| 2000年 7月号 | 1.7形の携帯用カラーフィルムLCD | 松下電子 | 日刊工業新聞 (2000年5月23日PP.1) | LCD | 250 |
| 2000年 6月号 | 申請や通達を電子化 -国と自治体- | 政府 | 日本経済新聞 (2000年4月23日PP.1) | 広域LAN 電子自治体 電子政府 総合行政ネットワーク | 440 |
| 2000年 6月号 | 装着形パソコン向けに新入力装置 -軌跡を電子的に記憶- | 電総研 玉川大 | 日刊工業新聞 (2000年4月19日PP.1) | ヘッドマウントディスプレイ ジャイロセンサ ウェアラブルパソコン 空気ペン HMD AR | 210 250 320 520 |
| 2000年 6月号 | 垂直磁気記録技術 -面内を超える高密度- | 日立 超先端電子技術開発機構(ASET) | 日経産業新聞 (2000年4月6日PP.5) 日刊工業新聞 (2000年4月6日PP.6) | GMRヘッド 単磁極形薄膜ヘッド 垂直磁気記録 52.5Gb/in2 2層膜垂直媒体 | 230 130 |
| 2000年 6月号 | 多層構造電子回路作成技術 | 茨城大 | 日本工業新聞 (2000年4月4日PP.15) | 多層構造電子回路 レーザマイクロ造形法 オール・ソリッドステート・システム 微粉体テープ | 160 260 |
| 2000年 5月号 | IEEE1394上で長距離伝送 -世界初 10m以上を実証- | 日本電子機械工業会 | 日刊工業新聞 (2000年3月29日PP.15) | IEEE1394 長距離伝送 伝送距離10m以上 40Mbps POF | 240 440 |
| 2000年 5月号 | カーボンナノチューブで電子銃作成 | 電総研 | 日本経済新聞 (2000年3月27日PP.19) | 直径2～3nmφ Si突起 炭化水素系ガス カーボンナノチューブ 放電開始電圧10V 電子銃 | 260 250 150 |
| 2000年 5月号 | 電子ペーパー -表示技術進む- | 千葉大 東芝 | 日本経済新聞 (2000年3月1日PP.1) | フッ化炭素 トナー 白黒粒子 静電気 電子ペーパー | 250 |
| 2000年 5月号 | Si単電子トランジスタ集積化技術 -メモリードットを利用- | 東大 | 日本工業新聞 (2000年3月10日PP.17) | 単電子トランジスタ 集積化 メモリードット | 220 |
| 2000年 5月号 | 干渉形電子顕微鏡 -世界最高の分解能- | 日立 | 日本経済新聞 (2000年3月7日PP.3) 日経産業新聞 (2000年3月8日PP.5) | 電子顕微鏡 分解能49.8pm 電子線ホログラフィ | 360 |
| 2000年 5月号 | 16MbのFeRAM -強誘電体を低温で加工- | 松下電子 | 日経産業新聞 (2000年3月6日PP.1) | FeRAM 16Mb 積層形 強誘電体メモリー 低温で加工 650℃で結晶膜生成 | 230 |
| 2000年 4月号 | 網膜投影ディスプレイ -電子画像を網膜に直接投影- | イメージ情報研 | 日刊工業新聞 (2000年2月23日PP.7) | レーザ光 ホログラフィック光学素子 立体映像 2眼式立体表示ディスプレイ HMD 赤色レーザ HOE 網膜上に直接投影 | 250 450 |
| 2000年 3月号 | 世界最高速のHEMT | 郵政省 富士通 阪大 | 日経産業新聞 (2000年1月21日PP.5) | HEMT 362GHz 電子走行層10nm InGaAs 電子供給層 InAlAs ミリ波 | 220 |
| 2000年 3月号 | 新CDV法を確立 -0.1μmのトランジスタ- | 豊田工大 | 日経産業新聞 (2000年1月14日PP.5) 日刊工業新聞 (2000年1月14日PP.5) | LSI Si窒化薄膜 電子ビーム プラズマ ゲート絶縁膜 0.1μmルール半導体製造 低温 低圧力 | 160 |
| 2000年 3月号 | 真空マイクロ素子 -ダイヤモンド状炭素エミッタに使用- | 東芝 | 日刊工業新聞 (2000年1月13日PP.6) | DLC 電子放出電圧24V 真空マイクロ素子 マイクロ波CVD法 | 250 150 160 220 |
| 2000年 3月号 | 光・電子機能を持つ有機材料 -導電性に優れ加工も容易- | 京大 | 日経産業新聞 (2000年1月13日PP.5) | 共役系高分子 EL素子 光電変換機能 ホウ素 誘電性 非線形性 有機材料 光通信用素子 | 150 120 140 |
| 2000年 3月号 | 窒化ガリウム系HEMT -室温から350℃安定に動作- | 名工大 | 日刊工業新聞 (2000年1月7日PP.6) | GaN系HEMT 146mS/mm ゲート長2.1μm 電子移動度740cm2/Vs リセス構造 MOCVD法 | 220 |
| 2000年 2月号 | 半導体接合面にスピンの向きそろった電流 | 東北大 米カリフォルニア大 | 日経産業新聞 (1999年12月16日PP.5) 日刊工業新聞 (1999年12月17日PP.6) | 電子スピン 量子コンピュータ 半導体接合面 高速コンピュータ GaMnAs強磁性半導体 発光ダイオード 偏光度確認 | 120 250 |
| 2000年 2月号 | 単電子トランジスタの論理回路 -消費電力10万分の1- | NTT | 日経産業新聞 (1999年12月10日PP.5) 日刊工業新聞 (1999年12月10日PP.7) 電波タイムズ (1999年12月17日PP.1) | 単一電子トランジスタ(SET) 論理回路 パターン依存酸化法 V-PADOX法 超低消費電力 1/100,000 Si熱酸化手法 インバータ回路 低温動作:-243℃ | 220 160 |
| 2000年 1月号 | 弾道電子面放出形ディスプレイ | 松下電工 | 電波新聞 (1999年11月26日PP.1) | BSD FED コントラスト比50:1 2.6形 53×40画素 厚さ8mm | 0cd/m2 42形で10W以下の消費電力 2.6in試作パネル 大形平面ディスプレイ 低消費電力 高精細 250 |
| 2000年 1月号 | 特許国際出願の電子化 | WIPO | 日本経済新聞 (1999年11月18日PP.5) | 特許 WIPO インタネット 電子出版 | 660 |
| 2000年 1月号 | 3次元電子顕微鏡 -ナノ構造を立体で観察- | 理化学研 日本原子力研 名大 工学院大 日立 | 日刊工業新聞 (1999年11月3日PP.5) 日経産業新聞 (1999年11月4日PP.4) | 分解能0.2nm 3次元画像 3次元顕微鏡 画像処理 エネルギー分析 | 360 320 520 |
| 2001年 1月号 | 冷陰極HARP撮像板 -厚さ10mmに小形化- | NHK 双葉電子 | 電波タイムズ (2000年11月10日PP.3) | 超高感度ハイビジョンカメラ HARP 128(H)×96(V)画素 | 210 |
| 1999年12月号 | スピントランジスタ -基本動作確認- | 日立 | 日経産業新聞 (1999年10月7日PP.5) | 電子スピン カーボンナノチューブ | 220 |
| 1999年12月号 | 高輝度X線発生に成功 | 日米光エネルギー物理学共同研究チーム | 日刊工業新聞 (1999年10月8日PP.1) | 電子ビームとレーザの線形衝突 6800eVのX線 2000万個/パルスの光子 半導体露光用X線光源 | 650 |
| 1999年12月号 | 情報記録密度最高に-6.45cm2当たり0.7Tb- | 早大 | 日刊工業新聞 (1999年10月26日PP.6) | 0.7Tb/inch2 Si酸化膜 電子線露光 ウエットエッチング 読出し専用 | 230 |
| 1999年11月号 | BSディジタル電子番組ガイド共同提供 | NHK 民放各社 | 日本経済新聞 (1999年9月12日PP.7) | BSデジタル放送 電子番組ガイド(EPG) データ放送 | 540 640 |
| 1999年10月号 | 不正配信防ぐ「電子透かし」 -電子署名暗号で- | 東大 | 日経産業新聞 (1999年8月23日PP.5) | 電子透かし 電子署名 暗号 | 620 520 |
| 1999年 9月号 | 電子ペーパ | 米ゼロックス スリーエム | 日経産業新聞 (1999年7月1日PP.1) 電波新聞 (1999年7月1日PP.3) | トナー粒子 Gyricoシート | 250 130 |
| 1999年 9月号 | 無線送信素子 | テラテック | 日経産業新聞 (1999年7月2日PP.5) | 146.7GHz ヘテロバイポーラ | 250 |
| 1999年 9月号 | Si発光解明に手がかり | 日立 東海大 電通大 日立サイエンスシステムズ | 日本経済新聞 (1999年7月3日PP.11) | Si 結晶成長プロセス 透過電子顕微鏡 | 150 |
| 1999年 9月号 | 第3の金属超電導線材 | 日立電子 | 日刊工業新聞 (1999年7月16日PP.7) | Nb3Al | 140 220 |
| 1999年 9月号 | 単一電子素子量産用製造技術 | 東芝 | 日本経済新聞 (1999年7月19日PP.19) | 自己組織化 超微細加工 半導体基板 20～30nmの凹凸 単一電子素子 製造技術 エッチング | 160 220 260 120 |
| 1999年 9月号 | 電子透かし技術 -改ざん元特定可能- | 電通大 東大 キヤノン | 日経産業新聞 (1999年7月26日PP.5) | 電子透かし 誤り訂正 データ復旧 | 520 620 |
| 1999年 9月号 | 顔検索技術 -同一人物を高速・高精度に照合- | 学術情報センター | 日本工業新聞 (1999年7月26日PP.27) | 顔情報 情報データベース 検索 | 520 620 |
| 1999年 8月号 | ATM交換機用電子部品 -光信号を直接入出力- | NTT | 日経産業新聞 (1999年6月2日PP.5) | ATM 80Gbps | 240 440 540 |
| 1999年 8月号 | 1兆ビット不揮発メモリーに道 -電子数に応じ“多値”確認- | NEC | 日刊工業新聞 (1999年6月10日PP.1) | 単一電子トランジスタ(SET) 不揮発性メモリー 多値動作 Si窒化膜 高集積 低消費電力 3.5K 6値を確認 | 230 |
| 1999年 8月号 | 新形フラッシュメモリー -0.9Vで読み書き- | 松下電子 | 日本工業新聞 (1999年6月15日PP.4) | フラッシュメモリー | 230 |
| 1999年 7月号 | LEDの輝度を2倍にした新実装技術 | 鹿児島松下電子 | 日経産業新聞 (1999年5月7日PP.4) | サファイア 高耐性 | 250 |
| 1999年 7月号 | 次世代LSI用分子性レジスト -線幅0.04μm- | 阪大 | 日本工業新聞 (1999年4月30日PP.17) | 電子線照射 新規化学増幅形分子性レジスト(BCOTPB) アモルファス薄膜 | 160 |
| 1999年 7月号 | 固体電子素子で量子コンピュータ動作確認 | NEC 科学技術振興事業団 | 日刊工業新聞 (1999年4月29日PP.5) 日本工業新聞 (1999年4月30日PP.17) | 超電導単一電子帯トンネル素子 Al薄膜 量子コンピュータ | 420 |
| 1999年 6月号 | ノンリニア送出サーバ-HDTV対応で4チャネル- | 日立製作所電子 | 日本工業新聞 (1999年4月16日PP.4) | HDTV ノンリニア送出バンク | 230 330 |
| 1999年 6月号 | 電子物理の原理実証 | NTT | 日経産業新聞 (1999年4月9日PP.5) | アンチバンチング効果 フェルミ粒子 | 120 660 |
| 1999年 5月号 | 世界最小MOSトランジスタ -ゲート長8nm- | NEC | 日刊工業新聞 (1999年3月29日PP.1) | MOSトランジスタ HET 10Tbメモリー ホットエレクトロン効果 トランジスタ ゲート長8nm 電子線レジスト 横形HEMT | 220 160 |
| 1999年 5月号 | 磁界で電流を制御 -次世代複合半導体に道- | 北陸先端大 | 日刊工業新聞 (1999年3月24日PP.7) | ニッケル微粒子 次世代複合半導体 単電子効果 強磁性体微粒子 磁気ドメイン スイッチング機能 | 120 |
| 1999年 5月号 | 世界最大の容量伝送 -350GHzと最高速実現- | NTT | 日刊工業新聞 (1999年3月19日PP.4) 電波タイムズ (1999年3月19日PP.1) | In P系 HEMT 遮断周波数350GHz 3Tbpsを40km伝送 2段階リセスゲート フラーレン添加 電子線レジスト | 220 240 160 |
| 1999年 5月号 | 専用HDD搭載の次世代AV -AV用途HDD搭載コンセプトモデル- | 松下電器産業 松下寿電子 米クアンタム | 日本工業新聞 (1999年3月9日PP.4) 電波新聞 (1999年3月9日PP.1) | HDD AV用途 ディジタルコンテンツ ホームサーバ 3.5in 容量12.5GB | 330 |
| 1999年 4月号 | LSI遠隔操作で性能評価 | NTT | 日経産業新聞 (1999年2月23日PP.5) | 超高圧電子顕微鏡 | 360 440 |
| 1999年 4月号 | 次世代LSI向けFeRAM -消費電力1/5 面積半分に- | 松下電子 | 日経産業新聞 (1999年2月18日PP.1) | FeRAM | 230 |
| 1999年 4月号 | 電子透かしの規格統一 | 日立製作所 IBM NEC ソニー パイオニア | 日本経済新聞 (1999年2月18日PP.13) | 電子透かし 規格統一 DVD 不正コピー | 530 520 |
| 1999年 4月号 | 電子ビームステッパ技術 -高生産性の0.1μm以下対応- | ニコン IBM | 電波新聞 (1999年2月3日PP.7) | EBステッパ 0.1μm 電子ビームレクチル転写方式 | 160 |
| 1999年 3月号 | インタネット使ったデータ放送 | フジテレビ | 日本工業新聞 (1999年1月14日PP.6) | データ放送 インタネット 電子透かし | 440 540 |
| 1999年 3月号 | Si表面の未結合手細線 -電子状態を確認- | 東北大 東大 東工大 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1999年1月12日PP.5) | Si 未結合手細線 STM ソリトン | 120 |
| 1999年 3月号 | 独自「回路言語」 -電子回路図を英文表現- | 福岡工大 | 日本工業新聞 (1999年1月5日PP.14) | 電子回路図 回路言語 インタプリタ | 620 |
| 1999年 2月号 | シリコン酸化膜の微細構造解析 -歪み層が信頼性決定- | 松下電子 | 日経産業新聞 (1998年12月8日PP.5) | 1nm歪み層 絶縁破壊 | 160 |
| 1999年 2月号 | 書込み速度50倍のフラッシュメモリー | 松下電器産業 松下電子 ヘイロLSI社 | 日本経済新聞 (1998年12月7日PP.17) 電波新聞 (1998年12月7日PP.1) | ゲート間距離40nm 書込み200ns 書込み電圧5V バリスティック型トランジスタ 高効率エレクトロン | 220 230 |
| 1999年 1月号 | STMで元素識別 -X線当て光電子検出- | 東北大 金属材料研 | 日刊工業新聞 (1998年11月30日PP.1) | 光電子 STM | 360 |
| 1999年 1月号 | 炭素の微小管を使った平面ディスプレイ技術 | 米バファロー大 | 日経産業新聞 (1998年11月18日PP.5) | カーボンナノチューブ 平面ディスプレイ 電子銃 | 150 |
| 1998年12月号 | 高輝度の大型表示装置 | 大宇電子 | 日経産業新聞 (1998年10月29日PP.1) | TMA 投射型映像表示装置 DMD 投射型 | 250 350 |
| 1998年12月号 | 光ディスク用半導体レーザ -100mWの高出力- | 松下電子 | 日経産業新聞 (1998年10月6日PP.5) 日刊工業新聞 (1998年10月6日PP.11) | CD-R 光ディスク 半導体レーザ | 250 230 |
| 1998年11月号 | 投写型ディスプレイ新技術 -明るさCRTの10倍- | 大宇電子(韓国) | 電波新聞 (1998年9月24日PP.2) | TMA DMD 投写型 | 350 250 |
| 1998年10月号 | 弱い電子線でも明るく | 静岡大 | 日経産業新聞 (1998年8月31日PP.5) | Ga S Srの蒸着薄膜 0.5μm 2kV 60μA/cm2で40cdの発光 | 150 |
| 1998年10月号 | 単一電子メモリー -室温で単一電子動作- | 電総研 | 日経産業新聞 (1998年8月26日PP.4) | 単一電子メモリー 室温動作 多重トンネル接合 | 230 220 |
| 1998年10月号 | サブミクロンサイズのジョセフソン素子 -高温超電導単結晶を採用- | 東北大 | 日経産業新聞 (1998年8月21日PP.5) 電波新聞 (1998年8月21日PP.2) | 超電導素子 ジョセフソン素子 単一電子の制御 素子の微細化 超電導 FIB加工技術 BiSrKCu酸化物 面積1μmで単電子 トンネル効果 液体ヘリウム温度動作 | 120 220 |
| 1998年10月号 | 0.1μmの微細加工技術 | 東芝 | 日経産業新聞 (1998年8月7日PP.1) | 電子ビーム 微細加工 ステッパ | 160 |
| 1998年 9月号 | 放出効率50%の電子放出素子 | 阪大 | 日経産業新聞 (1998年7月24日PP.5) | 単結晶ダイヤモンド薄膜 電子放出 気相合成 表示用素子 放出電流 放出効率50% ダイヤモンド | 250 |
| 1998年 9月号 | 電子線(EB)露光用ネガレジスト -7nmの最小パターン形成可能- | NEC | 日刊工業新聞 (1998年7月10日PP.4) | アルファメチルスチレン EB用 | 160 |
| 1998年 9月号 | 衛星使い「電子書籍」 | 電子書籍コンソーシアム | 日本経済新聞 (1998年7月3日PP.1) | 2000年実用化 新書判サイズの専用端末 出版社30社 流通業5社等が9月に結成 通産省が支援 今秋から約3万台の端末で実験 記憶媒体はMD | 540 440 |
| 1998年 8月号 | ナノ結晶の原子レベル挙動 観察に成功 | 金属材料研 | 日刊工業新聞 (1998年6月19日PP.4) | 金属結晶 イオン照射 ナノ結晶 キセノン 電子顕微鏡 | 360 660 |
| 1998年 8月号 | 信号伝達の遅れを改善した配線技術 | 松下電子 | 日経産業新聞 (1998年6月10日PP.5) | すきま配線 多層配線 中空構造絶縁体 | 160 |
| 1998年 7月号 | 画像データ圧縮率2倍の電子回路 | 電総研 | 日経産業新聞 (1998年5月29日PP.5) | 遺伝アルゴリズム 印刷 電子印刷機 | 520 220 330 |
| 1998年 5月号 | 遠赤外光レーザ -平均出力100Wで発振- | 日本原子力研 | 日経産業新聞 (1998年3月6日PP.5) | 自由電子レーザ 遠赤外線レーザ光 | 250 |
| 1998年 5月号 | 電子ビーム露光技術 | 富士通研 | 日経産業新聞 (1998年3月6日PP.5) | 0.015μm 広ビーム | 160 |
| 1998年 4月号 | 携帯電話の小型化可能に | 松下電子 | 日経産業新聞 (1998年2月25日PP.5) | 高移動度 GaAsFET | 220 |
| 1998年 4月号 | 新型メモリー -1Tb級も可能- | 日立製作所 | 日本経済新聞 (1998年2月7日PP.11) | LSI試作 1Tb級も 単一電子メモリー 1Tb LSI化 | 230 |
| 1998年 3月号 | 光電子顕微鏡 -原子レベルの精度に- | NTT 他 | 日経産業新聞 (1998年1月26日PP.5) | 放射光 エネルギー分解能0.05eV ビーム径0.16μm 原子間化学結合状態と電子のエネルギー状態を観測 | 360 |
| 1998年 3月号 | 高移動度連続粒界結晶Si半導体 | シャープ半導体エネルギー研究所 | 日本経済新聞 (1998年1月14日PP.13) 日刊工業新聞 (1998年1月14日PP.13) 電波新聞 (1998年1月14日PP.1) 日本工業新聞 (1998年1月14日PP.4) | CGS 液晶 システムオンパネル 電子移動度300cm2/Vs フルディジタル駆動 ディスプレイ シートコンピュータ 連続粒界結晶Si 高移動度 131万画素2.6型TFT液晶 Si 高速LSI | 250 220 |
| 1998年 2月号 | DRAM16Gb対応の微細加工 | 超先端電子技術開発機構 | 日本経済新聞 (1997年12月10日PP.13) | 0.04μm ArFエキシマレーザ ガスエッチング | 160 |
| 1998年 2月号 | 単一電子素子スイッチ | NTT | 日経産業新聞 (1997年12月10日PP.5) 電波新聞 (1997年12月10日PP.2) | 単一電子素子 トンネル効果 電子1個を電流制御 | 220 |
| 1998年 2月号 | 界面の電子状態微細制御 | 科技振興事業団 | 日経産業新聞 (1997年12月8日PP.5) | 100nm未満 SiAu 縞模様 | 160 120 |
| 1998年 1月号 | 次世代暗号 -電子決済に対応- | NEC | 日経産業新聞 (1997年11月20日PP.1) | 楕円曲線暗号 暗号 | 620 520 |
| 1998年 1月号 | 単電子トランジスタ -室温動作に成功- | 東工大 | 日刊工業新聞 (1997年11月6日PP.7) | 単電子トランジスタ オイルミスト EBID | 220 160 |
| 1997年12月号 | 電子透かし技術 | 日立製作所 奈良先端院大 | 日経産業新聞 (1997年10月8日PP.5) 日経産業新聞 (1997年10月27日PP.5) | 電子透かし 静止画に24～36kb | 620 |
| 1997年12月号 | 屋外電話でメール交換 | NTT | 日経産業新聞 (1997年10月3日PP.1) | インタネット 電子メール | 340 440 |
| 1997年12月号 | 音楽ソフトに電子透かし -不正コピー防止- | 防衛大 エム研 | 日経産業新聞 (1997年9月30日PP.5) 日本経済新聞 (1997年10月27日PP.19) | 電子透かし 音楽ソフト MIDI | 620 520 |
| 1997年12月号 | 可視表示技術 -半導体中の電子の流れを表示- | 電総研 東大 浜松ホトニクス | 日経産業新聞 (1997年9月30日PP.5) | 半導体検査技術 | 320 660 |
| 1997年12月号 | 走査型水素検出顕微鏡 | 日本電子 豊田工大 | 日経産業新聞 (1997年9月26日PP.5) | 走査型水素検出 顕微鏡 分解能1μm以下 | 360 |
| 1997年11月号 | 楕円曲線暗号実用化 | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1997年9月17日PP.2) | 公開鍵暗号方式 計算量少ない 電子商取引 | 620 520 |
| 1997年10月号 | 単一電子メモリー -3値でデータを蓄積- | 農工大 | 日経産業新聞 (1997年8月27日PP.5) | 半導体メモリー 多値記録 コンデンサをトンネル接合でサンドイッチ シミュレーション | 130 230 |
| 1997年10月号 | 電子顕微鏡を小型化できる新技術 | 富士通研 | 日本経済新聞 (1997年8月23日PP.10) | Si冷陰極 解像度0.2μm 電子銃 | 360 |
| 1997年 9月号 | 「電子透かし」技術 | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1997年7月7日PP.5) | ウェーブレット変換 著作権保護 | 620 520 |
| 1997年 9月号 | マルチメディア法成立 -独，電子署名認める- | ドイツ連邦参議院 | 日本経済新聞 (1997年7月5日PP.9) | 8月1日施行 暗号化した電子署名に法的効力 | 640 |
| 1997年 8月号 | パソコン機能内蔵光ディスクに | オプトロム | 日経産業新聞 (1997年6月26日PP.1) | ディスクに電子回路張付け 電波による給電 光ディスク CPU RAM 通信機能 CPU内蔵光ディスク インテリジェントディスク(ID) | 230 220 420 |
| 1997年 8月号 | 電子画像の色彩世界標準づくり | 産学共同チーム 他 | 日本経済新聞 (1997年6月23日PP.19) | 産学共同研究 電子画像の色彩の世界標準 | 550 660 |
| 1997年 8月号 | 電子干渉効果39Kの高温観測 | NTT | 日刊工業新聞 (1997年6月10日PP.6) | SIMOX基板 39K クーロンブロッケード効果 | 120 |
| 1997年 7月号 | 超音波探傷システム -電子走査式で高分解能- | 東レテクノ 日本クラウトクレーマー社 | 電波新聞 (1997年5月12日PP.7) | 超音波 アレイプローブ | 320 |
| 1997年 6月号 | ディジタルコンテンツ著作権保護技術 | エム研 | 日経産業新聞 (1997年4月16日PP.1) | 著作権保護 電子透かし | 620 520 |
| 1997年 6月号 | 単一電子トランジスタ --170℃で作動- | NEC | 日経産業新聞 (1997年4月2日PP.5) | 単一電子素 メモリー -170℃ AL蒸着 -170℃作動 不揮発性メモリー アルミニウム 単一電子トランジスタ | 220 230 |
| 1997年 5月号 | 電子放出素子 -高効率で放出- | パイオニア | 日経産業新聞 (1997年3月18日PP.11) 電波新聞 (1997年3月18日PP.1) 電波新聞 (1997年3月19日PP.6) | 放出効率30% MIS構造 白金薄膜 多結晶Si HEED フラットパネルディスプレイ 効率30% 発光素子 電子放出 MISダイオード構造 高効率電子放出素子 | 150 250 |
| 1997年 5月号 | 気球から電子メール | 米スカイステーションインターナショナル | 日経産業新聞 (1997年3月3日PP.1) | インタネット スカイステーション 気球 | 440 640 |
| 1997年 4月号 | 電子放出素子 -ダイヤモンド薄膜使用，ディスプレイ応用-木村) | 阪大 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1997年2月21日PP.5) | 薄膜 FED 電子放出素子 ダイヤモンド薄膜 効率2% 薄型ディスプレイ | 250 |
| 1997年 3月号 | 半導体薄膜製造技術 -電子線照射，室温で製造- | 三菱重工 | 日経産業新聞 (1997年1月20日PP.5) | 半導体薄膜 室温 成長速度0.015μm/6H 室温で絶縁膜 半導体膜 金属膜を形成 | 160 |
| 1997年 2月号 | MPEG-4対応画像処理ボード -次世代の画像圧縮技術- | 松下電器産業 松下電子 | 日経産業新聞 (1996年12月25日PP.1) | MPEG-4 ウェーブレット変換 動画圧縮技術 LSI | 520 220 |
| 1997年 1月号 | 最低被写体照度0.001lxのカメラ | 日立製作所電子 | 日刊工業新聞 (1996年11月12日PP.11) 電波新聞 (1996年11月13日PP.5) | 蓄積型ディジタル3板式 解像度850本 ベルチェ冷却 | 310 |
| 1997年 1月号 | 2nmのSi細線 -電子線露光で作製- | NTT | 日経産業新聞 (1996年11月5日PP.6) | 幅2nm エッチング 電子線露光 Si細線 単一電子トランジスタ | 120 260 160 |
| 1996年12月号 | レーザ受光素子-電子回路と一体化 -レーザ受光素子/電子回路と一体化 | NTT | 日経産業新聞 (1996年10月23日PP.4) | レーザ 受光素子 チップ Si電子回路 化合物半導体薄膜 | 160 220 250 |
| 1996年12月号 | 電子線を照射しガラスの曇り防ぐ方法開発 | 東海大 | 電波新聞 (1996年10月8日PP.2) | 水分吸着 医療用 | 350 160 110 |
| 1996年10月号 | 半導体の素子分離技術 -回路線幅0.25μmまで対応- | 松下電器産業 松下電子 | 日経産業新聞 (1996年8月28日PP.5) | CMOS トレンチ法 0.25μm幅 BとPを含むSiO2 | 260 160 |
| 1996年10月号 | 次世代薄型ディスプレイFED | 双葉電子 | 日経産業新聞 (1996年8月23日PP.1) | LCD 薄型ディスプレイ FED 自発光ディスプレイ 白黒 5インチ 厚さ2mm 寿命10000時間以上 320H×420V画素 300cd/m2 コントラスト40:1 | 250 |
| 1996年10月号 | 半導体ウェハ -平坦度2倍に- | 松下電器産業 松下電子 | 日経産業新聞 (1996年8月20日PP.5) | CMP 加圧リング 化学的機械研磨 多層LSI 凹凸0.05μm以内 | 160 |
| 1996年 8月号 | 高感度カメラ用撮像素子 -撮像管長さ2mmに圧縮- | NHK | 日経産業新聞 (1996年6月25日PP.5) | カメラ 撮像管 撮像素子 高感度カメラ用撮像素子 高感度カメラ 2mm厚 真空管 冷陰極マイクロ電子銃 1μm幅 1μm高 | 210 |
| 1996年 8月号 | 単一電子素子 | 東大 | 日経産業新聞 (1996年6月24日PP.5) | Si 単一電子素子 | 220 160 |
| 1996年 8月号 | 自動電子レーザ発振技術 -半導体新材料開発に道- | 住友電工 | 日経産業新聞 (1996年6月9日PP.1) | 自由電子レーザ | 250 |
| 1996年 7月号 | 1/4インチCCD | 松下電子 | 日経産業新聞 (1996年5月23日PP.12) | CCD カメラ 2層レンズ | 210 |
| 1996年 7月号 | DVD用自励発振型赤色半導体レーザ | 松下電子 | 電波新聞 (1996年5月18日PP.1) | DVD 半導体レーザ | 250 |
| 1996年 7月号 | DVD対応LSI -MPEG-2デコーダ1チップ化- | 松下電器産業 松下電子 | 電波新聞 (1996年5月14日PP.1) 日経産業新聞 (1996年5月14日PP.9) | DVD MPEG-2デコーダ LSI | 220 520 |
| 1996年 7月号 | 広偏向角ディスプレイカラー管 | 松下電子 | 電波新聞 (1996年5月13日PP.1) | 偏向角100° ディスプレイ管 薄型 | 250 350 |
| 1996年 6月号 | 映像音声に電子の「すかし」を組込む技術 | NEC北米研 | 日経産業新聞 (1996年4月25日PP.1) | スペクトラム拡散 不正コピー防止 スペクトラム拡散方式 著作権保護 | 520 620 |
| 1996年 6月号 | セラミックス超音波モータ | 本多電子 | 日経産業新聞 (1996年4月16日PP.1) | 超音波モータ セラミックスモータ | 250 |
| 1996年 6月号 | 最短波長0.315μmのレーザ発振 | 自由電子レーザ研 | 日経産業新聞 (1996年4月16日PP.5) | 自由電子レーザ装置 | 250 |
| 1996年 5月号 | 電子線露光用レジスト -フラーレンを利用- | アトムテクノロジ-研究体 | 日刊工業新聞 (1996年3月12日PP.5) | 電子線用レジスト フラーレン 感度0.01クーロン/cm2 10nmオーダの加工 | 160 |
| 1996年 5月号 | 単一電子メモリー -初のチップ化- | 日立製作所 | 日本経済新聞 (1996年3月18日PP.17) | 単一電子メモリー 記録素子 | 230 |
| 1996年 5月号 | SAWフィルタ -ダイヤで初の電子素子- | 住友電工 NEC | 日刊工業新聞 (1996年3月19日PP.13) | SAWフィルタ ダイヤモンド素子 | 140 240 |
| 1996年 4月号 | ミリ波フリップチップIC技術 -50GHz帯MFICアンプ試作- | 松下電器産業 松下電子 | 電波新聞 (1996年2月10日PP.1) | 誘電体 ミリ波 MFIC | 220 260 |
| 1996年 4月号 | 触覚伝える電子グローブ -VR画面上で遠隔操作も- | ソリッドレイ研究所 | 日経産業新聞 (1996年2月5日PP.7) | 仮想現実 ヒューマンインタフェース | 620 |
| 1996年 4月号 | 超先端電子技術開発機構発足 | NEC 日立製作所 他数十社 | 日刊工業新聞 (1996年2月1日PP.1) | 超先端電子技術開発機構 DRAM ハードディスク 液晶ディスプレイ | 230 250 660 |
| 1996年 3月号 | 電子シャッタカメラ -ハイコントラストな被写体の高輝度部も暗部も鮮明画像- | 日立製作所電子 | 電波新聞 (1996年1月22日PP.4) | CCTV カメラ | 310 |
| 1996年 3月号 | 単一電子メモリー -LSI化にメド- | 日立製作所 | 日本経済新聞 (1996年1月13日PP.10) | 単一電子メモリー 大容量 1Tb級メモリー | 230 120 |
| 1996年 3月号 | 紫外線レーザ -紫外線域で最短発振- | 自由電子レーザ | 日経産業新聞 (1996年1月11日PP.5) | 自由電子レーザ研 レーザ 紫外線:波長0.35μm | 250 |
| 1996年 2月号 | 低電圧動作のFET -パワートランジスタ電池1本，1.2Vで駆動- | NEC 松下電子 | 日本工業新聞 (1995年12月14日PP.1) 日経産業新聞 (1995年12月20日PP.5) | 電力増幅用FET 低電圧 携帯電話 1.5V動作 FET V型ゲート 1Vで1.2W | 220 |
| 1996年 2月号 | 世界初の電子新聞 | 産経新聞 フジテレビ 三菱電機 三菱商事 | 日刊工業新聞 (1995年12月8日PP.11) | E-NEWS 地上データ放送 | 540 640 |
| 1996年 2月号 | 電子新聞サービス | フジテレビ 他4社 | 日経産業新聞 (1995年12月8日PP.3) 日本工業新聞 (1995年12月8日PP.1) | 電子新聞 | 540 640 |
| 1996年 2月号 | 新音声圧縮符号化方式の16bDSP | 松下電子 | 電波新聞 (1995年12月6日PP.2) | 音声圧縮符号化 CS-ACELP 8kbpsコーデック DSP | 520 220 |
| 1996年 2月号 | 2/3インチ130万全画素読出しCCD | ソニー | 日経産業新聞 (1995年12月4日PP.11) | 全画素読出しCCD 電子スチル 2/3インチ 130万画素 | 210 |
| 1996年 1月号 | ディジタル映像信号の測定装置 -監視 保守機能も追加- | リーダー電子 NHK | 日経産業新聞 (1995年11月15日PP.11) | ディジタル映像信号 測定システム | 320 |
| 1996年 1月号 | 低価格ポータブルハイビジョンカメラ -限界解像度1200本を達成- | 松下通信工業 松下電器産業 松下電子 NHK | 電波新聞 (1995年11月10日PP.5) | シングルチャンネル2M画素CCD 水平解像度:1200TV本 200lx F8 S/N54dB ポータブルハイビジョンカメラ | 310 |
| 1996年 1月号 | 0.02lxで撮影可能なCCDカメラ | 日立製作所電子 | 日刊工業新聞 (1995年11月10日PP.13) | CCDカメラ 高感度 0.02lx | 310 |
| 1995年11月号 | 電子波を利用した光素子 | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1995年9月27日PP.5) 日刊工業新聞 (1995年9月27日PP.9) | コヒーレント干渉 光スイッチ素子 | 240 120 |
| 1995年11月号 | ディジタルフォトシステム -写真画像をMDに記録- | コニカ | 日経産業新聞 (1995年9月12日PP.11) 日刊工業新聞 (1995年9月12日PP.10) | 電子スチルカメラ MD 電子写真システム | 310 330 320 |
| 1995年10月号 | 自動電子回路設計技術 -設計期間短縮- | 東芝 | 日経産業新聞 (1995年8月30日PP.5) | 自動設計技術 電子回路設計 C言語 | 620 |
| 1995年10月号 | テレビ用で初のカラーPDP | 松下電子 | 電波新聞 (1995年8月22日PP.1) 日経産業新聞 (1995年8月22日PP.5) 日刊工業新聞 (1995年8月22日PP.9) 日本工業新聞 (1995年8月22日PP.9) | 横長テレビ 壁掛けテレビ DC型PDP 40型'96年6月供給 | 350 250 |
| 1995年 9月号 | 17型ピュアフラットディスプレイカラー管 | 松下電子 | 電波新聞 (1995年7月13日PP.2) | スクリーンフェイスが完全フラット 変更ヨークマルチセクション化 | 250 |
| 1995年 8月号 | 連想記憶する電子回路 -カオス神経回路網で実現- | 電機大 米コロンビア大 | 日経産業新聞 (1995年6月19日PP.5) | 連想記憶 カオス神経回路網 信号処理 | 520 |
| 1995年 7月号 | フッ素樹脂上に電子回路作成 | 工業技術院 上村工業 | 日経産業新聞 (1995年5月18日PP.4) | フッ素樹脂 親水性 エキシマレーザ | 160 |
| 1995年 7月号 | 120MBのFDD | 松下寿電子 米コンパックコンピュータ 3M | 日経産業新聞 (1995年5月9日PP.7) 日刊工業新聞 (1995年5月9日PP.8) | フロッピーディスク 120MB | 230 330 |
| 1995年 6月号 | 単電子トンネルトランジスタ | 東洋大 | 日刊工業新聞 (1995年4月21日PP.5) | 単電子トランジスタ | 220 |
| 1995年 6月号 | 広ダイナミックレンジCCD -光量差1万階調まで撮影- | 松下電器産業 松下電子 | 電波新聞 (1995年4月14日PP.6) 日経産業新聞 (1995年4月14日PP.9) 日本工業新聞 (1995年4月14日PP.8) | CCD 1万階調 光量差10000階調 ダイナミックレンジ 10000階調 ハイパーDCCD | 210 |
| 1995年 5月号 | 超高速光スイッチング用光デバイス -光だけのオンオフ動作- | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1995年3月15日PP.8) | 電子スピン 超高速光スイッチング用 多重量子井戸構造 | 240 |
| 1995年 4月号 | シーン一覧表示システム | 日立製作所電子 | 電波新聞 (1995年2月27日PP.5) | 画像検出 画像変化抽出 | 320 |
| 1995年 4月号 | 六角柱半導体レーザ | NTT | 日刊工業新聞 (1995年2月20日PP.6) | 六角柱半導体レーザ(HFLD) 光電子回路(OEIC) | 250 |
| 1995年 4月号 | 80万画素CCD | 松下電子 | 電波新聞 (1995年2月17日PP.1) | CCD 80万画素 2/3インチ アスペクト比16:9/4:3 | 210 |
| 1995年 4月号 | 0.9V動作のY1強誘電体不揮発性メモリー | 松下電子 | 電波新聞 (1995年2月16日PP.1) | 不揮発性メモリー 強誘電性メモリー | 230 120 130 |
| 1995年 3月号 | 光電子集積回路 -InP結晶をSi上に直接接合- | NEC | 日刊工業新聞 (1995年1月10日PP.7) | InP結晶 光電子集積回路 | 220 120 |
| 1995年 2月号 | 単電子トランジスタ | NTT | 日経産業新聞 (1994年12月16日PP.5) 電波新聞 (1994年12月16日PP.2) 日刊工業新聞 (1994年12月16日PP.7) 日本工業新聞 (1994年12月16日PP.8) | 単電子トランジスタ 量子効果現象 室温動作 | 220 |
| 1995年 2月号 | シリコン電子銃 | 松下電器産業 電総研 | 電波新聞 (1994年12月13日PP.7) 日本工業新聞 (1994年12月13日PP.9) | Si微小電子源 低電圧 高密度 8V/14V 1μmピッチ マイクロ電子銃 8V動作 | 250 160 |
| 1995年 1月号 | ハイビジョンカメラ用CCD -2/3インチ200万画素- | 松下電子 | 日刊工業新聞 (1994年11月16日PP.6) | 200万画素CCD M-FIT 2/3インチで200万画素 出力，感度1.5倍アップ | 210 |
| 1995年 1月号 | 双方向マルチバンドのFPU | 日立製作所電子 | 電波新聞 (1994年11月8日PP.7) | FPU 送受一体型 マルチバンド 5W | 340 440 |
| 1994年12月号 | エミー賞 -マイクロレンズ技術- -コントロール エッジ ハンスメント技術- -オンチップレンズ技術- | 松下電器産業 松下電子池上通信ソニー | 電波新聞 (1994年10月6日PP.1) 日経産業新聞 (1994年10月6日PP.9) 電波新聞 (1994年10月12日PP.4) | エミー賞 マイクロレンズ CCD | 660 |
| 1994年12月号 | 超小型ICパッケージ -ICの面積1/4に- | 松下電器産業 松下電子 | 日経産業新聞 (1994年10月3日PP.1) | 小型ICパッケージ スタッドバンプ方式 | 260 |
| 1994年11月号 | 走査型電子線露光 -初の5nmパターン形成- | NEC | 日刊工業新聞 (1994年9月13日PP.7) | 無機レジスト法 量子効果素子 イオンビームスパッタ法 | 120 160 |
| 1994年10月号 | 高画質ディジタル電子スチルカメラ | 富士フイルム ニコン | 電波新聞 (1994年8月24日PP.1) 日刊工業新聞 (1994年8月24日PP.11) | 130万画素 PCカード スチルカメラ | 310 230 210 |
| 1994年10月号 | マイクロ焦電型赤外線センサ-小型(体積1/100)，高速(5mm/s)- | 松下電子 | 電波新聞 (1994年8月2日PP.1) | 焦電型 赤外線センサ | 210 |
| 1994年 9月号 | 線形加速器で1psの電子パルス | 東大 | 日経産業新聞 (1994年7月20日PP.5) 日刊工業新聞 (1994年7月20日PP.7) | 線形加速器 パルス幅1ps | 120 150 |
| 1994年 8月号 | 元素分布高分解能で高速撮影 | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1994年6月24日PP.5) | 透過型電子顕微鏡 | 360 |
| 1994年 8月号 | GaAsパワーモジュール | 松下電子 | 電波新聞 (1994年6月17日PP.6) | 低電圧動作(3.5V) 30.5dBm/800～900MHz | 220 |
| 1994年 8月号 | 磁力線の強さと方向の立体的な観察 | 新技術事業団(外村位相情プロジェクト) | 電波新聞 (1994年6月14日PP.2) | 電子線ホログラフィ 磁力線観察 | 120 430 |
| 1994年 8月号 | -20℃～70℃の動作温度範囲を実現 -128×128ドットSTN結晶モジュール販売へ- | セイコー電子 | 電波新聞 (1994年6月1日PP.2) | 液晶 広動作温度 | 120 250 |
| 1994年 7月号 | 500℃の環境に耐えるIC -高温電子デバイスの製造に道- | 米ゼネラルエレクトリック | 日経産業新聞 (1994年5月31日PP.4) | シリコンカーバイド 高温デバイス | 120 220 |
| 1994年 6月号 | 半導体デバイス用マスク観察走査顕微鏡 | 日本電子 | 電波新聞 (1994年4月15日PP.2) | 顕微鏡 | 360 |
| 1994年 5月号 | ネオAV提案 -家庭用マルチメディア市場予測- | 電子機械工業会 | 電波新聞 (1994年3月29日PP.1) | マルチメディア | 640 |
| 1994年 5月号 | 人工蛋白質で電子素子 -半導体チップ越す集積度- | 三菱電機 サントリー | 日経産業新聞 (1994年3月24日PP.1) | 電子素子 バイオテクノロジ チトクロームC552 1Tbメモリー 分子素子 半導体超える集積度 バイオ素子 ダイオード/スイッチ材料 有機電子素子 蛋白質 | 160 120 220 |
| 1994年 5月号 | 高周波透磁率測定器 | アモルファス 電子デバイス研 | 日刊工業新聞 (1994年3月12日PP.1) | 測定器 高周波透率測定 1GHz パラレルライン法 | 360 |
| 1994年 5月号 | MPEG2準拠リアルタイムコーデックシステム -世界初の商品化- | 日立製作所電子 NELGCT | 電波新聞 (1994年3月11日PP.2) 日経産業新聞 (1994年3月11日PP.7) | MPEG2コーデック 初のシステム化 18Mbps 画像コーデック | 420 520 |
| 1994年 4月号 | 2/3インチ200万画素ハイビジョン用CCD | 松下電子 NHK | 電波新聞 (1994年2月18日PP.5) 日経産業新聞 (1994年2月18日PP.5) 日刊工業新聞 (1994年2月18日PP.7) | CCD ハイビジョン 2/3インチ200万画素 | 210 |
| 1994年 3月号 | 物質の凹凸と性質を同時に調べる新型顕微鏡 | セイコー電子 東工大 | 日経産業新聞 (1994年1月31日PP.5) | 走査型近視野 原子力間顕微鏡 光ファイバ針 分子レベル調査 | 360 |
| 1994年 2月号 | 光電子集積回路 | 松下電器産業 | 電波新聞 (1993年12月8日PP.1) 日経産業新聞 (1993年12月8日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年12月8日PP.9) | 面発光レーザ 光IC OEIC 面積1/3 0.9mm角 光ネットワーク制御 | 220 240 250 |
| 1994年 2月号 | 単一電子メモリー -室温動作に成功- | 日立製作所 | 電波新聞 (1993年12月8日PP.1) 日経産業新聞 (1993年12月8日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年12月8日PP.9) 日本工業新聞 (1993年12月8日PP.6) | メモリー 初の室温動作 16Gb級 電子1個で1b記録 1カ月のメモリー Si結晶粒子 | 230 220 |
| 1994年 1月号 | CD-ROM電子出版に新規格 | EPWINGコンソーシアム | 電波新聞 (1993年11月26日PP.5) | CD-ROM | 230 540 |
| 1994年 1月号 | 電子放射顕微鏡 -有機物質表面の分子一層を観察- | 東大 日本電子 | 日経産業新聞 (1993年11月4日PP.5) | 電子放射顕微鏡 | 360 |
| 1993年11月号 | ハイビジョン静止画「電子看板」 | 日立製作所 | 電波新聞 (1993年9月28日PP.1) | ハイビジョン 静止画 | 420 350 |
| 1993年11月号 | 磁化分布直接観察電子顕微鏡 -20nmの磁化分布直接観察- | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1993年9月21日PP.6) | スピンSEM 分解能20nm 磁気記録媒体の評価 電子顕微鏡 | 360 |
| 1993年11月号 | LSIの障害電波抑制技術 | 松下電子 | 日経産業新聞 (1993年9月2日PP.1) | 不要電波抑制 強誘電体薄膜 | 120 220 |
| 1993年 9月号 | 立体交差不要の新方式 | 東芝 | 日刊工業新聞 (1993年7月26日PP.6) | 量子配線技術 2次元電子ガス層 | 120 220 |
| 1993年 9月号 | 電子を放出する薄膜 | NHK | 日本工業新聞 (1993年7月20日PP.15) | 陰極材料 フラットディスプレイ 薄膜冷陰極 平面テレビ | 150 250 |
| 1993年 9月号 | 原子レベル観察の特殊顕微鏡 | 阪大 日立製作所計測エンジニアリング | 日刊工業新聞 (1993年7月6日PP.1) | 特殊ヒータ付 原子レベル観測・分析 電子顕微鏡 | 360 |
| 1993年 9月号 | 多結晶TFT -電子移動度50%向上- | 東工大 | 日刊工業新聞 (1993年7月2日PP.7) | 多結晶SiTFT LCD低コスト化 LCD小型化 | 250 220 |
| 1993年 8月号 | カラー画像送れる電子メール | 松下電器産業 | 日本工業新聞 (1993年6月29日PP.1) | カラー画像電子メール 初のMHS準拠 JPEG方式 | 520 340 |
| 1993年 7月号 | 電子波干渉新素子 -「電子波」干渉を電圧制御- | NTT | 日経産業新聞 (1993年5月13日PP.5) | 電子波素子 電子波干渉 1.6V電圧制御 通路幅0.1μm AD変換利用可 GaAs素子 | 220 120 |
| 1993年 6月号 | 1.4インチTFT液晶ディスプレイ -33万画素を実現- | 松下電子 | 電波新聞 (1993年4月23日PP.1) | TFTLCD | 250 |
| 1993年 6月号 | 欠陥の少い量子細線作製 -光を電子に素早く変換- | 光技術研究開発つくば研究所 | 日経産業新聞 (1993年4月19日PP.5) | 次世代の半導体素材 高変換効率 | 160 |
| 1993年 6月号 | 自動車・航空機用小型BS受信装置 | 協立電子工業 NHK | 日刊工業新聞 (1993年4月17日PP.5) 電波新聞 (1993年4月26日PP.4) | BS受信システム 自動追尾 | 440 |
| 1993年 6月号 | 超高速光通信用光電子素子 -変調器一体化- | 沖電気 | 日経産業新聞 (1993年4月6日PP.5) | 光通信 半導体レーザ 光変調器 16～20GHz対応 光電子素子 レーザと変調器一体化 波長1.55μm コスト削減 電圧半分 | 240 250 220 |
| 1993年 5月号 | 次期大容量21MB3.5フロッピーディスク | 電子協 | 電波新聞 (1993年3月10日PP.1) | フロッピーディスク 高密度記録 | |
| 1993年 4月号 | 2/3インチワイド対応CCD | 松下電子 | 電波新聞 (1993年2月25日PP.7) | 固体撮像素子 CCD 2/3インチで52万画素 | 210 |
| 1993年 4月号 | 単一電子メモリー -動作実験成功- | 日立製作所英国研 ケンブリッジ大 | 電波新聞 (1993年2月19日PP.1) 日経産業新聞 (1993年2月19日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年2月19日PP.7) 電波ハイテクノロジー (1993年2月25日PP.0) | 電子1個で情報記録 クーロンブロッケード現象 極超低温動作 メモリー 16Gb 多重トンネル接合(MTJ) 単一電子メモリー 半導体メモリー 新原理メモリー 容量1000倍 | 230 220 |
| 1993年 3月号 | 赤外線空間伝送 -周波数割当制定- | 日本電子機械工業会 | 電波新聞 (1993年1月7日PP.1) | 540 | |
| 1993年 2月号 | 30GHz帯進行波管 | NEC | 日刊工業新聞 (1992年12月9日PP.1) | 30GHz帯衛星通信 進行波管 100W電子ビーム効率12% | 240 |
| 1993年 2月号 | 電顕画像ボケ修正 | 新技術開発事業団 | 日経産業新聞 (1992年12月2日PP.5) | 電子線ホログラフィ | 350 |
| 1993年 1月号 | 量子ドットの大きさを制御 | NTT | 日経産業新聞 (1992年11月13日PP.5) | 量子ドット 電子閉込め | 260 |
| 1993年 1月号 | 高真空中でGaAs基板微細加工技術 -量子細線構造を試作- | 新技術事業団 | 日刊工業新聞 (1992年11月11日PP.15) | 量子細線デバイス 超高真空 電子ビーム照射 量子細線構造 超高速スイッチング素子 | 260 220 |
| 1993年 1月号 | 新スイッチング素子 | 東大 | 日経産業新聞 (1992年11月9日PP.5) | トンネル現象 GaAs スイッチング素子 電子波スイッチング素子 トンネル現象利用 | 220 240 |
| 1992年11月号 | 電子スチルカメラ | リコー | 日経産業新聞 (1992年9月16日PP.1) | 電子スチルカメラ 画像処理プロセッサ 2860万画素/s 動画 音声 | 310 |
| 1992年10月号 | 光理論回路 -電子回路と同じ動作原理- | 松下電器産業 | 日刊工業新聞 (1992年8月26日PP.4) | FF回路 OEIC 光電子集積回路 光論理回路 画像OEIC | 220 240 |
| 1992年10月号 | 分析透過型電子顕微鏡 | 日立製作所 | 電波新聞 (1992年8月4日PP.5) | 310 | |
| 1992年 9月号 | 視聴者が思い通りに画像の移動や固定が可能なテレビカメラ技術 -超広角カメラと拘束通信ネットを結合- | ベルコア | 電波新聞 (1992年7月11日PP.4) | 双方向テレビ 高速通信ネットワーク ビデオカメラ 双方向通信 電子パニシング スパン域360度 | 540 640 310 440 |
| 1992年 8月号 | 多チャンネル信号伝送装置 -映像3ch音声6ch一度に伝送可能に- | NHK 日立製作所電子 | 電波タイムズ (1992年6月15日PP.3) | 画像圧縮 ディジタル多ch テレビ伝送 | 440 |
| 1992年 7月号 | 全国発明表彰恩賜賞 -高電子移動度トランジスタ(HEMT)- 特許庁長官賞-日本語ワードプロセッサの同音語選択装置- | 発明協会 | 朝日新聞 (1992年5月24日PP.21) | 600 | |
| 1992年 7月号 | 26インチフルカラー高輝度PDP | 松下電子 NHK 富士通 | 日刊工業新聞 (1992年5月9日PP.6) 電波新聞 (1992年5月11日PP.1) 日経産業新聞 (1992年5月11日PP.9) 電波新聞 (1992年5月14日PP.8) | 輝度100Cd/m2 46万絵素 横長サイズ フルカラーPDP 256色階調 ワイド画面 26インチ | 250 |
| 1992年 6月号 | 50μm観察の陽電子顕微鏡 | 電総研 三菱電機 三洋電機 住友電工 日本電子 | 日経産業新聞 (1992年4月21日PP.5) | 310 | |
| 1992年 6月号 | 業務用ハイビジョンCCDハンディカメラ | NHK 松下通信工業 松下電子 松下電器産業 | 電波新聞 (1992年4月8日PP.5) 日経産業新聞 (1992年4月8日PP.9) 日刊工業新聞 (1992年4月10日PP.10) | 2/3インチFIT-CCD 水平解像度1100本 S/N50dB ハイビジョンカメラ | 310 |
| 1992年 6月号 | 0.075μmで加工できる感光樹脂 | 富士通研 | 日経産業新聞 (1992年4月7日PP.1) 日刊工業新聞 (1992年4月7日PP.6) | フォトレジスト 電子線描画 | 160 260 |
| 1992年 6月号 | 暗号電子メールシステム | 東芝 | 日本工業新聞 (1992年4月7日PP.15) | 電子メール ハイブリッド暗号方式 処理速度5倍 | 440 520 |
| 1992年 4月号 | 高速・新電子波素子 | 東工大 | 日刊工業新聞 (1992年2月19日PP.5) | 応答0.2ps(Siの100倍) 共鳴トンネルダイオード 0.2ps | 220 |
| 1992年 3月号 | 500MHz 1チップA/Dコンバータ | 松下電子 | 電波新聞 (1992年1月29日PP.1) | 220 | |
| 1992年 3月号 | 高温超電導体の酸素原子を直接観察 | 科技庁無機材研 | 電波新聞 (1992年1月10日PP.2) 日経産業新聞 (1992年1月10日PP.4) 日刊工業新聞 (1992年1月10日PP.2) 日本工業新聞 (1992年1月10日PP.11) | 電子顕微鏡 高温超電導 分解能1А 倍率35万倍 | 660 |
| 1992年 2月号 | 赤色可視光半導体レーザ | 三菱電機 | 電波新聞 (1991年12月11日PP.6) 日経産業新聞 (1991年12月11日PP.5) 日刊工業新聞 (1991年12月11日PP.9) | 90℃で10mW 多重量子障壁半導体レーザ 電子波干渉効果 | 250 |
| 1992年 1月号 | 新構造光IC -発光素子とIC接合- | 徳島大 松下寿電子 | 日経産業新聞 (1991年11月22日PP.4) 日刊工業新聞 (1991年11月22日PP.9) 朝日新聞夕刊 (1991年11月27日PP.11) | 光IC 接合構造 | 220 240 |
| 1992年 1月号 | レーザ顕微鏡 -微小電流の検出感度1万倍に- | 日本電子 | 日経産業新聞 (1991年11月21日PP.1) | 1nAの電流漏れ発見50nAから測定可能 レーザ顕微鏡 | 660 |
| 1992年 1月号 | 世界最高速の画像編集用IC -毎秒40枚の画像編集- | 松下電器産業 松下電子 | 日経産業新聞 (1991年11月20日PP.1) | 世界最高速IC | 520 |
| 1992年 1月号 | 1チップ画像プロセッサ | 松下電器産業 松下電子 | 電波新聞 (1991年11月20日PP.5) | 信号処理 | 520 |
| 1992年 1月号 | 走査電子顕微鏡 -0.6nmの超高分解能- | 日立製作所 | 電波新聞 (1991年11月13日PP.2) | 電子顕微鏡 | 660 |
| 1992年 1月号 | 入射器の技術確立 -1GeVの電子加速に成功- | 三菱電機 | 電波新聞 (1991年11月1日PP.2) | 電子ビーム | 660 |
| 1991年12月号 | X線露光用光源装置 | 新技術事業団 | 日経産業新聞 (1991年10月11日PP.5) | 小型電子波動リング SR装置 | 260 |
| 1991年10月号 | 磁束量子パラメトロン -基本電子回路を試作- | 新技術事業団 | 日経産業新聞 (1991年8月26日PP.5) | 超電導素子 超高速コンピュータ | 220 520 120 |
| 1991年10月号 | 1/3インチ36万画素CCD | 松下電子 | 電波新聞 (1991年8月20日PP.1) 日刊工業新聞 (1991年8月20日PP.9) | インタライン1/3インチ 682×492画素 0.8μmプロセス | 210 |
| 1991年10月号 | 高速 低電圧動作の新型素子 -電子走行層厚み0.15μm- | 東芝 | 日刊工業新聞 (1991年8月16日PP.5) | 薄膜SOIに匹敵のSJET SJET | 220 260 |
| 1991年10月号 | 原子スイッチ -1個の原子で電流開閉- | 米IBM | 電波新聞 (1991年8月16日PP.2) 日経産業新聞 (1991年8月16日PP.4) | 原子スイッチ タングステン ニッケル電極にキセノン原子 1個の原子でon-off 電子素子 スイッチング素子 | 220 120 230 |
| 1991年10月号 | HDハンディカメラ用2/3インチCCD | NHK 松下電子 | 日本工業新聞 (1991年8月6日PP.12) | 130万画素 3板(デュアルグリーン) 5kg | 310 |
| 1991年 9月号 | 電子公報の仕様案を公表 | 特許庁 | 日刊工業新聞 (1991年7月24日PP.5) | CDROMにより'92.1から週2回(1万件)発行予定 | 530 |
| 1991年 9月号 | 電子印鑑ESIGN | NTT | 日刊工業新聞 (1991年7月3日PP.7) | WP/PC文書改ざん検出 ICカード化 | 420 |
| 1991年 7月号 | 新型の電子波干渉素子 | NTT | 日刊工業新聞 (1991年5月9日PP.5) | 単一量子細線 マッハツェンダ構造 | 220 |
| 1991年 7月号 | 親指大のグリーンレーザ -低雑音特性を達成- | 松下電子 | 日刊工業新聞 (1991年5月9日PP.9) 電波新聞 (1991年5月9日PP.1) | グリーンレーザ 半導体レーザ 1060nmのレーザ光を非線型光学結晶で波長変換して532nmの波長 親指サイズ(16φ×20mm) 532nm/3mW/-135dB/Hz | 250 |
| 1991年 7月号 | 光電子集積回路 -演算処理高速化に道- | 米国TI | 日経産業新聞 (1991年5月9日PP.4) | OEIC | 640 |
| 1991年 6月号 | 高温超電導体電子デバイス実現へ | 東芝 | 電波新聞 (1991年4月26日PP.1) | ビスマス系酸化物高温超電導体 分子線エピキタシー(MBE)法 SNS結合 | 100 |
| 1991年 5月号 | 世界最高の電子移動度を実現 | NTT 郵政省 | 日刊工業新聞 (1991年3月19日PP.7) ×日本経済新聞 (1991年3月9日PP.0) | 半導体材料 移動度千万cm2/Vs 弾道輸送距離200μm 入札制 | 120 |
| 1991年 5月号 | 受光素子をスイッチにした新しい光電子集積回路 | 東大 | 日刊工業新聞 (1991年3月8日PP.5) | 受光素子でANDOR回路 100psの応答速度 | 240 |
| 1991年 5月号 | CCDカラーリニアイメージセンサ -2592画素3ライン- | 松下電子 | 電波新聞 (1991年3月8日PP.7) | CCD イメージセンサ | 210 |
| 1991年 4月号 | DAT使い電子出版 | 大日本印刷 | 日経産業新聞 (1991年2月28日PP.0) | OAT | 330 |
| 1991年 4月号 | ハイビジョンハンディカメラ用CCD撮像素子 | 松下電子 | 電波新聞 (1991年2月16日PP.0) 日刊工業新聞 (1991年2月16日PP.0) 日本経済新聞 (1991年2月16日PP.0) | 2/3インチ FIT 130F画質(1258×1035)ダイナッミクレンジ70dB 30万画素 | 210 |
| 1991年 2月号 | 光演算IC -電子使用の200倍の処理速度- | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1990年12月6日PP.0) 日刊工業新聞 (1990年12月6日PP.0) 電波新聞 (1990年12月6日PP.0) | 256組のデータに対するEXOR演算素子 大きさ1mm2 処理40ps | 220 |
| 1991年 1月号 | 新型光素子 | 日立製作所 | 日本経済新聞 (1990年11月24日PP.0) | ポラリトン(光電子) 6K | 210 |
| 1991年 1月号 | 幅1nmの溝刻む | 日本電子 | 日経産業新聞 (1990年11月22日PP.0) | STM | 360 |
| 1990年12月号 | 応答0.5psの超高速トランジスタ | 三菱電機 | 日刊工業新聞 (1990年10月30日PP.0) | 超電導利用真空トランジスタのシミュレーション確認 応用:超高速トランジスタ SEM 高周波オシロの電子ビーム源 | 220 |
| 1990年12月号 | 分子大の文字を描く | NTT | 日経産業新聞 (1990年10月25日PP.0) | Si基板にGeSe化合物 AgSe化合物をつけたフィルム材料 走査型トンネル電子顕微鏡の探針で原子をとばして溝を掘った 溝幅13nm 文字サイズ:40×70nm | 160 |
| 1990年11月号 | 量子細線精密作製で電子波素子に道 | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1990年9月24日PP.0) | Ga原子16個を1つのブロック | 160 |
| 1990年10月号 | Si基板上GaAs成長 | 富士通 東工大 | 日刊工業新聞 (1990年8月21日PP.0) | 電子移動度2500cm/Vs | 100 |
| 1990年10月号 | 電子波デバイス実現へ道 | 富士通研 | 電波新聞 (1990年8月10日PP.0) | 電子波1/s | 120 |