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| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
| 2016年11月号 | 反転層チャネルMOSFET ダイヤ半導体で作製 | 金沢大など | 日刊工業新聞 (2016年8月23日PP.23) | パワーデバイス向けノーマリーオフ特性 ダイヤモンドは最も高い絶縁破壊電界とキャリヤ移動度 熱伝導率を持つ究極のパワーデバイス材料 | 220 |
| 2015年10月号 | 有機FET内部の電子状態を動作中に観測 | 東大，物材機構 | 日刊工業新聞 (2015年7月24日PP.33) | スプリング8，3次元走査型光電子顕微鏡装置，空間分解能70ナノメートル | 360 |
| 2015年 3月号 | トンネルFETの長寿命化を実証 http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2014/pr20141216_2/pr20141216_2.html | 産総研 | 日刊工業新聞 (2014年12月17日PP.23) | 電界効果トランジスタ(MOSFET)に比べて10万倍以上長寿命，センサネットワーク回路の駆動に必要な相補型金酸化膜半導体の構成に使用 | 220 |
| 2014年 3月号 | 3次元LSI向け多結晶Geトランジスタ | 産総研 | 日刊工業新聞 (2013年12月18日PP.21) | GeのCMOS化 n型MOSFET 500℃以下で形成 p型n型の両極性 多結晶Geトランジスタ Siの3倍の電流駆動能力 | 220 |
| 2014年 3月号 | より低電圧で動作するトンネルFET | 東大 | 日経産業新聞 (2013年12月18日PP.6) 日刊工業新聞 (2013年12月27日PP.13) | Znの拡散による不純物分布を持つ新型接合技術 動作電圧0.3V 接合部にZn拡散 従来の1/3の電圧で動作 | 220 260 120 |
| 2013年 9月号 | 低消費電力通信用MOSFET | 東芝 | 日刊工業新聞 (2013年6月11日PP.21) | CMOSでプロセッサ部と通信部を1チップに小型・集積化可能 ゲート電極材料を2種類 | 220 |
| 2013年 9月号 | 動作電流が大きなトンネルFET | 産総研 | 日経産業新聞 (2013年6月11日PP.9) 日刊工業新聞 (2013年6月13日PP.21) | 合成電界効果トンネルFET 立体構造 | 220 |
| 2013年 9月号 | 低電圧CMOSインバータ | 産総研 住化 | 日刊工業新聞 (2013年6月11日PP.21) | GeのpMOSFETとInGaAsのnMOSFETを積層 0.2Vで動作 | 220 |
| 2013年 8月号 | グラフェンFET電子状態精密測定 | 東大 | 日刊工業新聞 (2013年5月31日PP.31) | 高抵抗領域の形成メカニズムを明らかに 物質の3次元方向の電子・科学状態を解析する走査型光電子顕微鏡 | 320 360 |
| 2013年 3月号 | リーク低減したSiCパワー半導体 | 阪大 京大 ローム 東京エレクトロン | 日経産業新聞 (2012年12月12日PP.6) 日刊工業新聞 (2012年12月12日PP.24) | ゲート絶縁膜にアルミ酸化物 N添加によりリーク90%減 耐圧1.5倍 高誘電率ゲート絶縁膜採用のSiC製MOSFET | 120 220 250 |
| 2012年11月号 | ダイヤモンド半導体を用いたFET | 東工大 産総研 | 日刊工業新聞 (2012年8月23日PP.19) | 高濃度のP不純物を添加したn型ダイヤモンド半導体 | 220 |
| 2012年10月号 | 酸化物と電界でFET | 理研 東大 | 日刊工業新聞 (2012年7月26日PP.21) | 強相関酸化物 電気二重層をVO2に適用 1Vで制御 | 220 |
| 2012年 7月号 | 14GHz帯で100Wの出力のGaN系HEMT増幅器 | 三菱電機 | 日刊工業新聞 (2012年4月26日PP.24) | 素子の微線化 低損失回路 衛星通信基地局の電力増幅器向け | 340 |
| 2012年 4月号 | 高周波で動作するパワーJFET | 京大 住友電工 | 日経産業新聞 (2012年1月24日PP.10) | SiCを採用 実験では最大1.5A・約30Vで動作 周波数13.56MHz | 220 |
| 2011年 1月号 | GaN-HEMTを使った高出力な送信用増幅器 | 富士通 | 日刊工業新聞 (2010年10月4日PP.18) | ミリ波帯向け 出力1.3W 67〜80GHzで10Gbps 通信可能距離10km | 240 220 |
| 2009年 9月号 | X帯で出力101WのHEMT増幅器 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2009年6月12日PP.26) | n型窒化ガリウム技術 ゲート長0.25μm 効率53% 出力4倍を達成 | 240 220 |
| 2009年 3月号 | 6つのFinFETを用いた世界最小SRAMセル
・16と一つにまとめる | 東芝 米IBM 米AMD | 日刊工業新聞 (2008年12月18日PP.26) 日経産業新聞 (2008年12月24日PP.11) | 面積0.128μm2 不純物の添加不要 半分以下に小型化 | 230 |
| 2009年 3月号 | 安定性2倍のSRAM
・13と一つにまとめる | 産総研 | 日経産業新聞 (2008年12月24日PP.11) | 4端子タイプのフィン型FET | 230 |
| 2009年 1月号 | 通電遮断回路不要なGaN-HEMTトランジスタ | 富士通 富士通研 | 日刊工業新聞 (2008年10月10日PP.24) | 2nmのn型GaN膜 AlN 300Vの高耐性で動作 | 220 |
| 2008年 9月号 | 立体構造トランジスタの消費電力を1/3以下に抑える技術 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2008年6月19日PP.24) 電波新聞 (2008年6月19日PP.1) | FinFET 漏れ電流70%低減 待機電力20%低減 歪みSiチャネル技術 | 220 |
| 2008年 3月号 | 世界初のトレンチ型SiC MOSFETと大電流容量を実現したSiC SBD | ローム | 電波新聞 (2007年12月21日PP.1) | 1cm角で300A 900V耐圧 オン抵抗2mΩcm2 JFET抵抗 SBD逆方向耐圧660V | 160 220 |
| 2007年12月号 | 第4世代携帯基地局向け高出力増幅器 | 富士通 | 日経産業新聞 (2007年9月21日PP.11) | GaN製高電子移動トランジスタ(HEMT) ゲート電極下層にTa2O5 素子サイズ1mm×4mm 143Wで電波増幅可能 漏れ電流は1/10以下 消費電力3割減 | 220 340 |
| 2007年 9月号 | ミリ波可視化技術 | 富士通 東北大 | 日刊工業新聞 (2007年6月7日PP.20) | 94GHz帯 InP仕様のHEMT 配線距離最適化 不要な電波の吸収層 チップサイズ1.25mm×2.2mm 増幅率33dB 雑音指数3.2dB ITS | 310 340 |
| 2006年 4月号 | 地デジ用高効率電力増幅器 -従来の2倍の効率で低コスト- | NHK アールアンドケイ | 電波新聞 (2006年1月11日PP.10) 電波タイムズ (2006年1月16日PP.3) | GaN-HEMT 低歪 CN確保 出力5Wで約9%の電力効率 | 120 220 340 |
| 2006年 3月号 | 立体構造トランジスタの製造技術
-32nmLSI実現へ- | 東芝 | 日経産業新聞 (2005年12月8日PP.10) | フィンFET ゲート長20nm 不純物によりリーク電流を抑圧 寸法のばらつきをなくし歩留まり向上 基板上に立てたチャネルをゲートが挟み込む構造 | 160 220 230 |
| 2006年 3月号 | 印刷によりプラスチック基板上にメモリー素子作製 | 産総研 | 電波新聞 (2005年12月26日PP.5) | 全印刷フレキシブルデバイス FeFET 3×3アレイ 生体高分子材料 | 120 160 230 |
| 2005年 3月号 | SiCを用いた低抵抗パワーMOSFET | 三菱電機 | 電波新聞 (2004年12月17日PP.2) | 耐圧1.2kV 電流1Aでオン抵抗率12.9mΩcm2 チャンネルエピタキシャル成長層形成技術 単位セル25×25μm チャネル長2μm | 160 220 |
| 2004年 9月号 | 光通信用IC -最高速の144Gbps実現- | 富士通研 | 日経産業新聞 (2004年6月8日PP.8) 日刊工業新聞 (2004年6月8日PP.29) | InP系HEMT セレクタ回路 MUX WDM Y型HEMTゲート電極構造 | 240 220 |
| 2004年 5月号 | 消費電力1Wの光送受信IC | 富士通研 | 電波新聞 (2004年2月18日PP.2) 日経産業新聞 (2004年2月18日PP.8) | 40Gbps以上の動作 マルチフェーズクロック技術 InP-HEMT 4対1マルチプレクサ | 220 |
| 2004年 4月号 | 有機半導体電子ペーパ | (オランダ)フィリップス ポリマービジョン | 日刊工業新聞 (2004年1月26日PP.25) | OFET アクティブマトリクス 駆動周波数5kHz 電気泳動 モノクロ表示 輝度35% コントラスト比9 25μm | 250 |
| 2004年 3月号 | ダブルゲートMOSFET -4端子駆動を実現- | 産総研 | 日刊工業新聞 (2003年12月10日PP.25) | 2つのゲートを分離独立 結晶面異方性ウエットエッチング 微細CMP技術 | 220 |
| 2003年10月号 | 半導体スピンメモリー -電界アシストで書込み- | 東北大 | 日刊工業新聞 (2003年7月11日PP.5) 日経産業新聞 (2003年7月11日PP.7) | MIS型FET Mn添加のInAs 書込み磁力を大幅低減 | 230 |
| 2003年 8月号 | CNTを用いた固体発光素子 | 米IBM | 日刊工業新聞 (2003年5月5日PP.4) | 3端子素子 1.5μm帯の赤外線 ノンドープ単層CNT FET型 | 220 250 120 |
| 2003年 7月号 | 次世代トランジスタ -IC消費電力1/10 漏電抑える- | Selete 早大 物材機構 他 | 日経産業新聞 (2003年4月11日PP.1) | MOSFETの絶縁膜改良 HfOを使う技術 次世代トランジスタ 消費電力1/10 | 160 220 |
| 2006年 4月号 | 地デジ用高効率電力増幅器 -従来の2倍の効率で低コスト- | NHK アールアンドケイ | 電波新聞 (2006年1月11日PP.10) 電波タイムズ (2006年1月16日PP.3) | GaN-HEMT 低歪 CN確保 出力5Wで約9%の電力効率 | 120 220 340 |
| 2003年 4月号 | GaN系高周波トランジスタ | 松下電器 | 電波新聞 (2003年1月20日PP.1) | 受信用低雑音アンプ向け サージ保護回路不要 HFET 雑音指数0.5db | 220 |
| 2003年 2月号 | トップゲート型FET -単層CNTで試作- | NEC 科学技術振興事業団 | 日刊工業新聞 (2002年11月8日PP.5) 日経産業新聞 (2002年11月8日PP.7) | レーザ蒸着法で合成 単相CNTの上にTi層 酸化チタンゲート絶縁膜 相互コンダクタンスが320ns | 160 220 |
| 2003年 2月号 | カーボンナノチューブでFET試作 | NEC | 日刊工業新聞 (2002年11月8日PP.5) | CNT | 220 |
| 2002年10月号 | 多層カーボンナノチューブ 垂直成長させる技術 | 富士通研 | 日経産業新聞 (2002年7月8日PP.9) 電波新聞 (2002年7月8日PP.1) 日本工業新聞 (2002年7月8日PP.2) 日本経済新聞 (2002年7月8日PP.21) | 微細なLSI配線 φ:50nmL: 500nmのCNT CMOS･FETのシリサイド層上にて成長 電極にNiやCoを混入 CH4とH2の混合ガスによるプラズマCVD法 | 120 160 220 |
| 2002年 8月号 | ナノチューブトランジスタ | 米IBM | 日経産業新聞 (2002年5月22日PP.8) | Si製の2倍の動作速度 p-n型の作り分け MOSFETと同構造 | 220 |
| 2002年 6月号 | 最速トランジスタ-動作周波数500GHz超- | 富士通研 通信総研 阪大 | 日経産業新聞 (2002年3月26日PP.14) | 動作周波数562GHz HEMT InP基板 InAIAs電子供給層 InGaAs電子走行層 | 220 |
(2001年8月31日PP.17) | クロロホルム FET | 220 | |||
| 2001年 5月号 | 内部抵抗1/10のトランジスタ | 電総研 | 日経産業新聞 (2001年3月19日PP.11) | SiCトランジスタ MOSFET 1kV-1mΩ | 220 |
| 2001年 5月号 | 最高移動度と最小抵抗実現のSiC素子 | 電総研 新機能素子研究開発協会 (FED) | 日刊工業新聞 (2001年3月16日PP.7) | チャネル移動度140cm2/Vs 4H-SiC-MOSFET エンハンスメント形 ソースドレインのシート抵抗38Ω | 220 |
| 2001年 5月号 | 高分子で超電導実現 | 米ルーセントテクノロジーズ社ベル研 | 日経産業新聞 (2001年3月8日PP.11) | 臨界温度2.35K ポリチオフェンFET ホール対 | 120 220 |
| 2001年 2月号 | 低雑音増幅IC | 沖電気 | 電波新聞 (2000年12月21日PP.6) | 38GHz帯 60GHz帯 P-HEMT構造 | 240 340 |
| 2001年 2月号 | 100GHz超の信号処理用HEMT | 立命館大 工技院大阪工業技研 他 | 日経産業新聞 (2000年12月4日PP.12) 電波タイムズ (2000年12月6日PP.2) | GaN HEMT 130GHz | 220 |
| 2001年 1月号 | SiCパワー素子 | 松下電器 | 電波新聞 (2000年11月22日PP.1) | SiCパワー素子 DACFET ナノ制御δドープ層状構造 113cm2/Vs | 220 |
| 2000年12月号 | 量子トッドメモリーー -電界 光で電荷制御に成功- | 富士通 | 日刊工業新聞 (2000年10月5日PP.6) | 量子ドットメモリー(QD) 正四面体溝(TSR) GaAs 縦形高電子移動トランジスタ(HEMT) 多値記憶 | 230 |
| 2000年 3月号 | 世界最高速のHEMT | 郵政省 富士通 阪大 | 日経産業新聞 (2000年1月21日PP.5) | HEMT 362GHz 電子走行層10nm InGaAs 電子供給層 InAlAs ミリ波 | 220 |
| 2000年 3月号 | 窒化ガリウム系HEMT -室温から350℃安定に動作- | 名工大 | 日刊工業新聞 (2000年1月7日PP.6) | GaN系HEMT 146mS/mm ゲート長2.1μm 電子移動度740cm2/Vs リセス構造 MOCVD法 | 220 |
| 2001年 1月号 | SiCパワー素子 | 松下電器 | 電波新聞 (2000年11月22日PP.1) | SiCパワー素子 DACFET ナノ制御δドープ層状構造 113cm2/Vs | 220 |
| 1999年12月号 | 炭化シリコンFETを試作 | 京大 | 日刊工業新聞 (1999年10月11日PP.5) | チャネル移動度95.9c /V/s c面->a面で移動度15〜17倍 4H-SiCと6H-SiCで確認 | 220 |
| 1999年11月号 | シナプスまねし簡便な学習回路 -回路面積1/100以下- | 東工大 | 日刊工業新聞 (1999年9月21日PP.6) 日経産業新聞 (1999年9月22日PP.5) | 神経シナプス 強誘電体膜 SBT FET 適応学習機能 SBT 新トランジスタ SBTの薄膜 ニューラルネットワーク | 520 220 160 |
| 1999年 8月号 | 世界最小のトランジスタ -構造試作 動作を確認- | NEC | 日経産業新聞 (1999年6月17日PP.5) | ゲート電極長50nm P-MOS MOSトランジスタ MOSFET | 160 220 |
| 1999年 6月号 | 電界効果トランジスタ - 400℃で安定動作 - | NTT | 日経産業新聞 (1999年4月23日PP.5) | FET GaN ヘテロ接合 | 220 |
| 1999年 5月号 | 世界最小MOSトランジスタ -ゲート長8nm- | NEC | 日刊工業新聞 (1999年3月29日PP.1) | MOSトランジスタ HET 10Tbメモリー ホットエレクトロン効果 トランジスタ ゲート長8nm 電子線レジスト 横形HEMT | 220 160 |
| 1999年 5月号 | 世界最大の容量伝送 -350GHzと最高速実現- | NTT | 日刊工業新聞 (1999年3月19日PP.4) 電波タイムズ (1999年3月19日PP.1) | In P系 HEMT 遮断周波数350GHz 3Tbpsを40km伝送 2段階リセスゲート フラーレン添加 電子線レジスト | 220 240 160 |
| 1999年 2月号 | 消費電力1/25の新MOS型FET | シャープ | 日経産業新聞 (1998年12月11日PP.4) | 動作電圧0.5V MOSFET ロジックLSI LCSED-DTMOS 寄生容量65%伝送 | 220 |
| 1999年 2月号 | 量子メモリー -低電圧1Vで書込み消去- | 富士通 | 日刊工業新聞 (1998年12月9日PP.5) | テラビット級 HEMT 異方性エッチング TSR溝 量子ドット浮遊ゲート 不揮発性 書込み/消去電圧1V | 230 220 |
| 1999年 1月号 | 電界効果トランジスタ -低雑音性で世界最高水準- | NEC | 日本工業新聞 (1998年11月13日PP.1) | FET ヘテロ構造 周波数コンバータ NF0.35dB 低雑音 | 220 |
| 1998年11月号 | 超電導回路 -室温半導体回路複合化に成功- | 富士通 | 日刊工業新聞 (1998年9月3日PP.1) | 超電導回路 室温半導体回路 ジョセフソン接合昇圧回路 HEMT Tb級システム | 220 |
| 1998年 4月号 | 携帯電話の小型化可能に | 松下電子 | 日経産業新聞 (1998年2月25日PP.5) | 高移動度 GaAsFET | 220 |
| 1998年 3月号 | ミリ波で動作するGaAsFET | 村田製作所 | 電波新聞 (1998年1月7日PP.7) | GaAsFET 遮断周波数110GHz 以上 0.2μmゲート ヘテロ接合 | 220 |
| 1997年11月号 | 超微細MOSトランジスタ -模擬素子で正常動作- | NEC | 電波新聞 (1997年9月12日PP.1) 日経産業新聞 (1997年9月12日PP.5) | ゲート長14nm EJ-MOSFET 2重ゲート構造 10Tbメモリーへ道 10Tb MOS | 220 |
| 1997年 6月号 | 新型半導体素子 -電源回路1/5に- | NTT | 日経産業新聞 (1997年4月21日PP.5) | パワーMOSFET | 220 |
| 1997年 3月号 | 高性能の光制御FET | 上智大 | 日刊工業新聞 (1997年1月16日PP.7) | 光制御 62.5GHz | 220 240 |
| 1997年 2月号 | CMOS向け微細化技術 | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1996年12月24日PP.4) | MOS FET 微細化 | 220 160 |
| 1997年 2月号 | 電圧0.6Vで動作するロジックLSI | シャープ | 日経産業新聞 (1996年12月12日PP.5) | LSI MOS FET ロジックLSI MOS型FET 低電圧動作 0.6V 3層構造チャンネル ゲート膜厚2.8nm 0.6V動作 低漏波電流形状 低電圧 MOSFET | 220 |
| 1996年11月号 | 多値論理回路試作 | NTT | 日経産業新聞 (1996年9月23日PP.4) | 共鳴トンネル素子 HEMT InGaAs系 多値回路 4値 室温動作 | 220 |
| 1996年 9月号 | 新動作原理のMOSFET | 北大 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1996年7月11日PP.6) | MOSFETのゲート部に微小コンタクト追加 ゲート長1.3μm バイポーラトランジスタ MOS バイポーラ FET | 220 |
| 1996年 5月号 | 真空マイクロ素子 | 電総研 | 日経産業新聞 (1996年3月27日PP.5) | 平面ディスプレイ 真空マイクロ素子 微細加工技術 安定動作 FET構造 冷陰極 | 220 250 260 |
| 1996年 2月号 | 低電圧動作のFET -パワートランジスタ電池1本，1.2Vで駆動- | NEC 松下電子 | 日本工業新聞 (1995年12月14日PP.1) 日経産業新聞 (1995年12月20日PP.5) | 電力増幅用FET 低電圧 携帯電話 1.5V動作 FET V型ゲート 1Vで1.2W | 220 |
| 1995年 9月号 | 量子干渉効果を観測 | NTT | 日刊工業新聞 (1995年7月20日PP.7) | 半導体中の超電導電流 HEMT+超電導電極 量子効果 観測技術 | 120 660 360 |
| 1995年 7月号 | ヘテロ接合FETを搭載した衛星用増幅器 -高出力 高効率- | NEC | 電波新聞 (1995年5月12日PP.1) 日経産業新聞 (1995年5月12日PP.5) 日本工業新聞 (1995年5月12日PP.2) 電波新聞 (1995年5月12日PP.5) | 高周波IC 通信衛星 FET 12GHz 10W | 220 240 |
| 1995年 6月号 | 1.5V動作のFET | NEC | 日経産業新聞 (1995年4月5日PP.5) | 1.5V動作 ヘテロ接合 | 220 |
| 1995年 1月号 | 90MHz帯1チップMMIC増幅器 | 三菱電機 | 電波新聞 (1994年11月25日PP.5) 日経産業新聞 (1994年11月25日PP.5) 日刊工業新聞 (1994年11月25日PP.7) | ミリ波増幅器 90GHz HEMT ゲート長0.15μm 高速IC MMIC 雑音3.4dB 利得8.7dB 環境衛星用 | 220 240 |
| 1994年10月号 | GaAsFETパワーアンプ | 太陽誘電 | 電波新聞 (1994年8月24日PP.5) 日刊工業新聞 (1994年8月24日PP.9) | FET 800MHz帯 | 220 |
| 1994年 9月号 | 高速FET -ゲート電極，長さ0.1μm- | NEC | 日経産業新聞 (1994年7月5日PP.5) | 高速FET ゲート電極 長さ0.1μm 従来構造の1.5倍 大容量DRAM | 220 |
| 1994年 8月号 | T型トランジスタ-ゲート電極，長さ70nmに- | NEC | 日経産業新聞 (1994年6月21日PP.4) | ゲート電極 長さ70nm 増幅率ほぼ2倍 高効率 FET ゲート長70nm 電界効果型トランジスタ | 220 |
| 1994年 8月号 | 高出力GaAsFET -信頼性10倍に向上- | 三菱電機 | 電波新聞 (1994年6月3日PP.5) 日経産業新聞 (1994年6月3日PP.5) 日刊工業新聞 (1994年6月3日PP.5) | GaAs 高出力 FET 18GHz 9.5dB 0.5W/18GHz 18GHz帯GaAsFET 出力500mW マイクロ波通信 | 220 |
| 1994年 7月号 | ミリ波帯高出力ヘテロ接合FET -ミリ波帯で高出力実現- | NEC | 日刊工業新聞 (1994年5月10日PP.6) | 衛星用ヘテロ接合FET 23GHz帯 0.3W(2段) | 220 |
| 1994年 1月号 | 世界トップレベルのミリ波HEMT | 三菱電機 | 日刊工業新聞 (1993年11月19日PP.7) 電波新聞 (1993年11月19日PP.6) | ミリ波帯用HEMT 雑音指数0.9dB 増幅率9dB InP基板 60GHz | 220 |
| 1993年11月号 | BS受信用HEMT -雑音特性世界最高に- | 富士通研 | 日経産業新聞 (1993年9月1日PP.5) | HEMT InGaP系HEMT f12GHz NF0.45dB G14.5dB | 220 |
| 1993年11月号 | 通信分野向けHEMT -素子特性で世界最高- | 東芝 | 日刊工業新聞 (1993年9月1日PP.8) 電波新聞 (1993年9月10日PP.5) 日経産業新聞 (1993年9月10日PP.9) 日刊工業新聞 (1993年9月10日PP.7) | HEMT 低雑音 高性能 MOCVD In P基板系HEMT NF0.3dB(NF0.38dB) G14.4dB | 220 |
| 1993年 6月号 | 雑音が世界最低のミリ波用HEMT | 三菱電機 | 電波新聞 (1993年4月7日PP.6) 日経産業新聞 (1993年4月7日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年4月7日PP.9) | HEMT 60GHz 雑音指数1.6dB 利得6.5dB 雑音が世界最低 | 220 |
| 1993年 2月号 | HEMTと共鳴トンネルダイオードを一体化 | 富士通研 | 日経産業新聞 (1992年12月15日PP.5) 電波新聞 (1992年12月15日PP.6) 日刊工業新聞 (1992年12月15日PP.9) | HEMT 共鳴トンネルダイオード | 220 |
| 1993年 1月号 | 耐圧メカニズム解明 -新開発のGaAsMESFETで- | NEC | 電波新聞 (1992年11月24日PP.1) | GaAs 製造プロセス GaAs半導体 | 120 160 220 |
| 1992年 8月号 | 平面型超電導デバイス | NTT | 日刊工業新聞 (1992年6月4日PP.6) | 超電導トランジスタ 3端子超電導デバイス HEMTにニオム電極 | 220 |
| 1992年 7月号 | 全国発明表彰恩賜賞 -高電子移動度トランジスタ(HEMT)- 特許庁長官賞-日本語ワードプロセッサの同音語選択装置- | 発明協会 | 朝日新聞 (1992年5月24日PP.21) | 600 | |
| 1992年 5月号 | 動作周波数1.2GHzATMスイッチLSI -HEMTで開発- | 富士通 富士通研 | 電波新聞 (1992年3月19日PP.6) | HEMT | 240 |
| 1992年 2月号 | マイクロ波高出力増幅器用GaAs MESFET | 日電 | 電波新聞 (1991年12月6日PP.8) 日経産業新聞 (1991年12月6日PP.5) 日刊工業新聞 (1991年12月6日PP.9) | 12GHzで9W出力 GaAsMESFET 電力付加効率40.1% | 220 |
| 1991年11月号 | 低雑音トランジスタ -次世代の衛星通信受信用- | 三菱電機 | 電波新聞 (1991年9月5日PP.7) 日経産業新聞 (1991年9月5日PP.5) | HEMT 衛星通信 | 220 |
| 1991年10月号 | ダイヤ薄膜トランジスタ -多結晶ダイヤをIC化- | 神戸製鋼 | 日経産業新聞 (1991年8月12日PP.1) | ダイヤ薄膜トランジスタ 高温，放射線に強いFET | 220 |
| 1991年 7月号 | BS向けHJ-FET -0.5dBの低雑音特性- | 日電 | 電波新聞 (1991年5月21日PP.7) 日経産業新聞 (1991年5月22日PP.8) 日刊工業新聞 (1991年5月22日PP.9) | 電界効果トランジスタ 雑音指数0.5dB BSコンバータ | 220 |
| 1991年 5月号 | スーパーHEMT -雑音指数など大幅改善- | 富士通 | 電波新聞 (1991年3月20日PP.6) | HEMT 雑音指数 | 220 |
| 1991年 4月号 | 30〜60GのHEMT | 東芝 | 電波新聞 (1991年2月22日PP.0) | ゲートを0.1μmの微細加工 | 220 |
| 1991年 4月号 | 4MbBi-CMOS型SRAM | 富士通 | 電波新聞 (1991年2月13日PP.0) | 64kHEMTSRAM 1.2ns 4MSRAM 7ns | 230 |
| 1991年 4月号 | HEMT64kbSRAM | 富士通 | 日刊工業新聞 (1991年2月13日PP.0) 電波新聞 (1991年2月13日PP.0) | 常温で1.2nsの世界最高アクセス時間 | 230 |
| 1991年 1月号 | OEIC実現に一歩 | 沖電気 | 日刊工業新聞 (1990年11月15日PP.0) | 5×735個のLED 80μm口 10mA発生 LED FETを主体的に積み上げ 4.5mm×3.5mmチップ | 250 |
| 1990年12月号 | VMTの実用化にメド | NTT | 日刊工業新聞 (1990年10月31日PP.0) | 速度変調Tr(VMT) GaAs/AlAsの2重チャンネルFET 高速室温で1ps以下の応答確認 基礎実験 | 220 |
| 1990年12月号 | ガリひ素上回る高速動作FET | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1990年10月12日PP.0) | Si系FET 液晶窒素温度 電界効果移動度:10m/s SiGeのヘテロ接合 キャリアは正孔 | 220 |
| 1990年10月号 | 15倍以上の移動度を達成した新構造FET | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1990年8月28日PP.0) | 77Kにおけるホールの移動度が8000ー10000/cm2/Vs | 220 |