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掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
2015年11月号 | 薄膜でも特性劣化せず 強誘電体エピタキシャル膜 http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0720150804eaab.html | 東工大 東北大 | 日刊工業新聞 (2015年8月4日PP.23) | 結晶方位がそろった単結晶膜 組成を変え薄膜を成長させる基材 15nm 強誘電体相400℃ | 120 160 |
2012年 4月号 | 酸化物強誘電体を使った新型ReRAM | 産総研 | 日刊工業新聞 (2012年1月18日PP.21) | 電気分極反転 ビスマスフェライトを抵抗スイッチング層にして作製 100nsの電圧パルスで10^5回以上のデータ書き換えが可能 | 120 230 |
2011年 8月号 | 曲げ自在の赤外センサ | 神戸大 | 日刊工業新聞 (2011年5月10日PP.19) | 18mm角・厚さ25μmに10個の素子を集積 1〜10μm帯の赤外線を検知可能 有機強誘電体薄膜 | 210 |
2011年 2月号 | 曲がる人感センサ | ダイキン工業 神戸大 | 日刊工業新聞 (2010年11月10日PP.1) | VDFオリゴマーを強誘電体に使用 | 110 210 |
2011年 1月号 | 厚さ10nmの薄膜を使用した強誘電体 | 物材機構 | 日刊工業新聞 (2010年10月27日PP.21) | 酸化物ナノシート2種積層 | 120 |
2010年 9月号 | 10万倍の抵抗値変化を記憶できる強誘電体採用メモリスタ | パナソニック | 電波新聞 (2010年6月25日PP.1) | 半導体と強誘電体の界面伝導を利用 トランジスタとの一体化 結晶成長技術 | 220 |
2010年 4月号 | 有機分子で強誘電体 | 東大 | 日経産業新聞 (2010年1月13日PP.9) | 磁性をもつ2種類の有機分子が重なった結晶 テトラチアフルバレン ブロマニア | 120 |
2009年11月号 | 有害な鉛使わず強誘電体を作製 | 金沢大 | 日経産業新聞 (2009年8月19日PP.10) | BFO マンガン チタン 電流の漏れ0.1mA/cm2 | 120 |
2009年11月号 | 強誘電体PZTをナノチューブ状に形成 | 兵庫県立大 富士通研 | 日刊工業新聞 (2009年8月24日PP.20) | 有機金属気相成長(MOCVD)装置 Si基板上に酸化亜鉛を直径約100nmの円柱状に形成 | 120 160 |
2009年 9月号 | 世界最小の強誘電体
-CNT内の水分子- | 首都大 産総研 | 日刊工業新聞 (2009年6月8日PP.18) | アイスナノチューブ 外部電圧で水素原子配列反転 異なる複数の状態を持つ電気分極 | 120 |
2007年11月号 | 強誘電体により光の波長を変える素子 | 物材機構 早大 | 日刊工業新聞 (2007年8月20日PP.18) 日経産業新聞 (2007年8月21日PP.10) | 変換効率1000倍 接着リッジ導波路 波長1.5815μmの光から波長0.79075μmの第二高調波を1%以上の効率で発生 Mgを添加したLiNbO3の強誘電体膜 エキポシ樹脂でSi基板上に接着 | 120 220 260 |
2007年 3月号 | ハイビジョン放送を1500時間保存可能な次世代メモリー | パイオニア 東北大 | 日本経済新聞 (2006年12月15日PP.17) | 切手大のサイズ換算で10Tb以上の情報を記録 強誘電体プローブメモリー | 230 |
2006年12月号 | 光遮断機能をもつ強誘電体 | 東大 JST | 日刊工業新聞 (2006年9月8日PP.29) | エルビウム 光アイソレータと光増幅器の機能 チタン酸バリウム | 120 160 240 |
2006年 6月号 | 不揮発性強誘電体メモリー(FeRAM)新材料 -記憶保持能力を5倍に- | 東工大 富士通 富士通研 | 日刊工業新聞 (2006年3月24日PP.33) | ビスマスフェライト(BFO)にMnを加えて漏れ電流低減 65nm世代で256MB実現 | 120 230 |
2004年12月号 | FeRAM最適結晶選別新技術 | 松下電器 | 日経産業新聞 (2004年9月15日PP.9) | 強誘電体薄膜に電子線照射 結晶粒の大きさや向きを検出 | 230 360 |
2004年11月号 | 光電変換素子1/6に小型化 | NEC 産総研 | 日経産業新聞 (2004年8月24日PP.7) | 強誘電体セラミックス PLZT セラミックス結晶粒の大きさ20nm以下 変換素子大きさ数mm角程度 半導体基板上に形成 | 240 160 |
2004年 2月号 | 強誘電体の分極を磁場制御 | 東大 ロスアラモス研 筑波大 | 日刊工業新聞 (2003年11月12日PP.29) | 巨大電機磁気効果(巨大ME効果) MRAM MnOTb単結晶 30K | 120 |
2003年12月号 | 1T型メモリー用強誘電体材料 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2003年9月9日PP.1) | Trの上に強誘電体を一体化 (Y | Yb)MnO3(下付)薄膜 漏れ電流密度10-8(上付)/cm2(上付)以下 分極保持特性105(上付)/s以上 テーラードリキッド法 120 |
2003年11月号 | 強誘電体ナノチューブ | サムコ研 英ケンブリッジ大 | 日刊工業新聞 (2003年8月20日PP.8) | 直径800nm 厚さ100nm 長さ80μm ミストデポジション法(CVD) Sr Bi Ta2O5 | 160 120 |
2003年 7月号 | 有機電荷移動錯体の相転移の観察に成功 | KAST 他 | 日刊工業新聞 (2003年4月25日PP.5) | 光ドミノ現象 常誘電体→強誘電体 TTF-CA(テトラチアフルバレン-P-クロラニル) | 130 140 |
2007年 3月号 | ハイビジョン放送を1500時間保存可能な次世代メモリー | パイオニア 東北大 | 日本経済新聞 (2006年12月15日PP.17) | 切手大のサイズ換算で10Tb以上の情報を記録 強誘電体プローブメモリー | 230 |
2006年12月号 | 光遮断機能をもつ強誘電体 | 東大 JST | 日刊工業新聞 (2006年9月8日PP.29) | エルビウム 光アイソレータと光増幅器の機能 チタン酸バリウム | 120 160 240 |
2006年 6月号 | 不揮発性強誘電体メモリー(FeRAM)新材料 -記憶保持能力を5倍に- | 東工大 富士通 富士通研 | 日刊工業新聞 (2006年3月24日PP.33) | ビスマスフェライト(BFO)にMnを加えて漏れ電流低減 65nm世代で256MB実現 | 120 230 |
2003年 6月号 | 強誘電体メモリー -BLTで1Gb級に道- | 東工大 新機能素子研究開発協会 | 日刊工業新聞 (2003年3月4日PP.4) | ビスマス・ランタン・チタン酸化物(BLT)を低温焼成 残留分極値27μC/cm2 | 130 230 |
2002年11月号 | 紫外線でSBT薄膜の結晶構造を制御 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2002年8月20日PP.1) | 強誘電体メモリー 化学溶液法製膜プロセス | 160 230 |
2002年 5月号 | 強誘電体デバイス -記憶と論理演算を同時に- | 東北大 ローム | 電波新聞 (2002年2月4日PP.1) | 機能パスゲート 0.6 μm 1ポリ1メタル Pb(Zr Ti)O 薄膜 | 220 230 |
2002年 1月号 | 鉛を使わない強誘電体 -メモリー材料に風穴- | 東工大 | 日刊工業新聞 (2001年10月19日PP.1) | 非鉛系強誘電体 チタン酸ビスマス系 ネオジム置換 不揮発性メモリー BNT 残留電荷量25μC/c 鉛規制 | 130 120 530 |
2001年11月号 | 次世代強誘電体メモリー材料 -漏れ電流2桁改善- | 東工大 | 日刊工業新聞 (2001年8月17日PP.5) | SBTN BTTを3割固溶 FeRAM用材料 薄膜化 | 130 |
2001年 6月号 | 強誘電体メモリー材料 | 東工大 東大 | 日刊工業新聞 (2001年4月18日PP.5) 日刊工業新聞 (2001年4月26日PP.6) | FeRAM SBT 570℃でエピタキシャル成長 BLT 540℃でエピタキシャル成長 | 130 230 |
2000年11月号 | 半導体製造 -製膜コスト半減- | 東芝 東京エレクトロン | 日本経済新聞 (2000年9月2日PP.13) | ノズル・スキャン塗布 強誘電体膜 低誘電率相関絶縁膜 | 160 |
2000年 5月号 | 16MbのFeRAM -強誘電体を低温で加工- | 松下電子 | 日経産業新聞 (2000年3月6日PP.1) | FeRAM 16Mb 積層形 強誘電体メモリー 低温で加工 650℃で結晶膜生成 | 230 |
1999年12月号 | FRAM用高性能材料 | ソウル大 | 日経産業新聞 (1999年10月20日PP.5) 電波新聞 (1999年10月25日PP.2) | 強誘電体メモリー BiLaTi 薄膜材料 分極スイッチング疲労 | 230 130 |
1999年11月号 | シナプスまねし簡便な学習回路 -回路面積1/100以下- | 東工大 | 日刊工業新聞 (1999年9月21日PP.6) 日経産業新聞 (1999年9月22日PP.5) | 神経シナプス 強誘電体膜 SBT FET 適応学習機能 SBT 新トランジスタ SBTの薄膜 ニューラルネットワーク | 520 220 160 |
1998年11月号 | シリコン上で強誘電体の単結晶成長 | 早大 | 電波新聞 (1998年9月16日PP.1) | 単結晶成長 不揮発性メモリー FeRAM Si 強誘電体メモリー | 160 |
1998年11月号 | 次世代メモリー用強誘電体材料 | トリケミカル研 東工大 | 日経産業新聞 (1998年9月13日PP.4) | 効率10倍 トリメチルビスマス 強誘電体材料 CVD | 160 |
1998年 7月号 | 強誘電体メモリー -多層配線で高速化- | NEC | 日経産業新聞 (1998年5月15日PP.5) | FeRAM 強誘電体メモリー 多層配線 | 230 |
1996年 1月号 | 高密度記録で新技術 -光磁気ディスクの30倍- | アトムテクノロジー研究体 | 日本経済新聞 (1995年11月20日PP.17) | PZT 光磁気ディスクの30倍以上 強誘電体メモリー 6GB以上/cm2 | 130 230 |
1995年 4月号 | 0.9V動作のY1強誘電体不揮発性メモリー | 松下電子 | 電波新聞 (1995年2月16日PP.1) | 不揮発性メモリー 強誘電性メモリー | 230 120 130 |
1995年 2月号 | 強誘電体メモリーセル | シャープ | 電波新聞 (1994年12月13日PP.1) 日経産業新聞 (1994年12月14日PP.5) | 16Mb DRAM | 230 130 |
1994年 5月号 | 強誘電体トランジスタ -書換え1兆回実現- | ローム | 日刊工業新聞 (1994年3月16日PP.7) 電波新聞 (1994年3月16日PP.1) | 新型メモリー 書換え1兆回 強誘電体素子 強誘電トランジスタ | 220 |
1993年11月号 | LSIの障害電波抑制技術 | 松下電子 | 日経産業新聞 (1993年9月2日PP.1) | 不要電波抑制 強誘電体薄膜 | 120 220 |