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強誘電体 関係の注目記事
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2015年11月号薄膜でも特性劣化せず
強誘電体エピタキシャル膜

http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0720150804eaab.html
東工大
東北大
日刊工業新聞
(2015年8月4日PP.23)
結晶方位がそろった単結晶膜
組成を変え薄膜を成長させる基材
15nm
強誘電体相400℃
120
160
2012年 4月号酸化物強誘電体を使った新型ReRAM産総研日刊工業新聞
(2012年1月18日PP.21)
電気分極反転
ビスマスフェライトを抵抗スイッチング層にして作製
100nsの電圧パルスで10^5回以上のデータ書き換えが可能
120
230
2011年 8月号曲げ自在の赤外センサ神戸大日刊工業新聞
(2011年5月10日PP.19)
18mm角・厚さ25μmに10個の素子を集積
1〜10μm帯の赤外線を検知可能
有機強誘電体薄膜
210
2011年 2月号曲がる人感センサダイキン工業
神戸大
日刊工業新聞
(2010年11月10日PP.1)
VDFオリゴマーを強誘電体に使用110
210
2011年 1月号厚さ10nmの薄膜を使用した強誘電体物材機構日刊工業新聞
(2010年10月27日PP.21)
酸化物ナノシート2種積層120
2010年 9月号10万倍の抵抗値変化を記憶できる強誘電体採用メモリスタパナソニック電波新聞
(2010年6月25日PP.1)
半導体と強誘電体の界面伝導を利用
トランジスタとの一体化
結晶成長技術
220
2010年 4月号有機分子で強誘電体東大日経産業新聞
(2010年1月13日PP.9)
磁性をもつ2種類の有機分子が重なった結晶
テトラチアフルバレン
ブロマニア
120
2009年11月号有害な鉛使わず強誘電体を作製金沢大日経産業新聞
(2009年8月19日PP.10)
BFO
マンガン
チタン
電流の漏れ0.1mA/cm2
120
2009年11月号強誘電体PZTをナノチューブ状に形成兵庫県立大
富士通研
日刊工業新聞
(2009年8月24日PP.20)
有機金属気相成長(MOCVD)装置
Si基板上に酸化亜鉛を直径約100nmの円柱状に形成
120
160
2009年 9月号世界最小の強誘電体
-CNT内の水分子-
首都大
産総研
日刊工業新聞
(2009年6月8日PP.18)
アイスナノチューブ
外部電圧で水素原子配列反転
異なる複数の状態を持つ電気分極
120
2007年11月号強誘電体により光の波長を変える素子物材機構
早大
日刊工業新聞
(2007年8月20日PP.18)
日経産業新聞
(2007年8月21日PP.10)
変換効率1000倍
接着リッジ導波路
波長1.5815μmの光から波長0.79075μmの第二高調波を1%以上の効率で発生
Mgを添加したLiNbO3の強誘電体膜
エキポシ樹脂でSi基板上に接着
120
220
260
2007年 3月号ハイビジョン放送を1500時間保存可能な次世代メモリーパイオニア
東北大
日本経済新聞
(2006年12月15日PP.17)
切手大のサイズ換算で10Tb以上の情報を記録
強誘電体プローブメモリー
230
2006年12月号光遮断機能をもつ強誘電体東大
JST
日刊工業新聞
(2006年9月8日PP.29)
エルビウム
光アイソレータと光増幅器の機能
チタン酸バリウム
120
160
240
2006年 6月号不揮発性強誘電体メモリー(FeRAM)新材料
-記憶保持能力を5倍に-
東工大
富士通
富士通研
日刊工業新聞
(2006年3月24日PP.33)
ビスマスフェライト(BFO)にMnを加えて漏れ電流低減
65nm世代で256MB実現
120
230
2004年12月号FeRAM最適結晶選別新技術松下電器日経産業新聞
(2004年9月15日PP.9)
強誘電体薄膜に電子線照射
結晶粒の大きさや向きを検出
230
360
2004年11月号光電変換素子1/6に小型化NEC
産総研
日経産業新聞
(2004年8月24日PP.7)
強誘電体セラミックス
PLZT
セラミックス結晶粒の大きさ20nm以下
変換素子大きさ数mm角程度
半導体基板上に形成
240
160
2004年 2月号強誘電体の分極を磁場制御東大
ロスアラモス研
筑波大
日刊工業新聞
(2003年11月12日PP.29)
巨大電機磁気効果(巨大ME効果)
MRAM
MnOTb単結晶
30K
120
2003年12月号1T型メモリー用強誘電体材料産総研日刊工業新聞
(2003年9月9日PP.1)
Trの上に強誘電体を一体化
(Y
Yb)MnO3(下付)薄膜
漏れ電流密度10-8(上付)/cm2(上付)以下
分極保持特性105(上付)/s以上
テーラードリキッド法
120
2003年11月号強誘電体ナノチューブサムコ研
英ケンブリッジ大
日刊工業新聞
(2003年8月20日PP.8)
直径800nm
厚さ100nm
長さ80μm
ミストデポジション法(CVD)
Sr
Bi
Ta2O5
160
120
2003年 7月号有機電荷移動錯体の相転移の観察に成功KAST
日刊工業新聞
(2003年4月25日PP.5)
光ドミノ現象
常誘電体→強誘電体
TTF-CA(テトラチアフルバレン-P-クロラニル)
130
140
2007年 3月号ハイビジョン放送を1500時間保存可能な次世代メモリーパイオニア
東北大
日本経済新聞
(2006年12月15日PP.17)
切手大のサイズ換算で10Tb以上の情報を記録
強誘電体プローブメモリー
230
2006年12月号光遮断機能をもつ強誘電体東大
JST
日刊工業新聞
(2006年9月8日PP.29)
エルビウム
光アイソレータと光増幅器の機能
チタン酸バリウム
120
160
240
2006年 6月号不揮発性強誘電体メモリー(FeRAM)新材料
-記憶保持能力を5倍に-
東工大
富士通
富士通研
日刊工業新聞
(2006年3月24日PP.33)
ビスマスフェライト(BFO)にMnを加えて漏れ電流低減
65nm世代で256MB実現
120
230
2003年 6月号強誘電体メモリー
-BLTで1Gb級に道-
東工大
新機能素子研究開発協会
日刊工業新聞
(2003年3月4日PP.4)
ビスマス・ランタン・チタン酸化物(BLT)を低温焼成
残留分極値27μC/cm2
130
230
2002年11月号紫外線でSBT薄膜の結晶構造を制御産総研日刊工業新聞
(2002年8月20日PP.1)
強誘電体メモリー
化学溶液法製膜プロセス
160
230
2002年 5月号強誘電体デバイス
-記憶と論理演算を同時に-
東北大
ローム
電波新聞
(2002年2月4日PP.1)
機能パスゲート
0.6
μm
1ポリ1メタル
Pb(Zr
Ti)O 薄膜
220
230
2002年 1月号鉛を使わない強誘電体
-メモリー材料に風穴-
東工大日刊工業新聞
(2001年10月19日PP.1)
非鉛系強誘電体
チタン酸ビスマス系
ネオジム置換
不揮発性メモリー
BNT
残留電荷量25μC/c
鉛規制
130
120
530
2001年11月号次世代強誘電体メモリー材料
-漏れ電流2桁改善-
東工大日刊工業新聞
(2001年8月17日PP.5)
SBTN
BTTを3割固溶
FeRAM用材料
薄膜化
130
2001年 6月号強誘電体メモリー材料東工大
東大
日刊工業新聞
(2001年4月18日PP.5)
日刊工業新聞
(2001年4月26日PP.6)
FeRAM
SBT
570℃でエピタキシャル成長
BLT
540℃でエピタキシャル成長
130
230
2000年11月号半導体製造
-製膜コスト半減-
東芝
東京エレクトロン
日本経済新聞
(2000年9月2日PP.13)
ノズル・スキャン塗布
強誘電体膜
低誘電率相関絶縁膜
160
2000年 5月号16MbのFeRAM
-強誘電体を低温で加工-
松下電子日経産業新聞
(2000年3月6日PP.1)
FeRAM
16Mb
積層形
強誘電体メモリー
低温で加工
650℃で結晶膜生成
230
1999年12月号FRAM用高性能材料ソウル大日経産業新聞
(1999年10月20日PP.5)
電波新聞
(1999年10月25日PP.2)
強誘電体メモリー
BiLaTi
薄膜材料
分極スイッチング疲労
230
130
1999年11月号シナプスまねし簡便な学習回路
-回路面積1/100以下-
東工大日刊工業新聞
(1999年9月21日PP.6)
日経産業新聞
(1999年9月22日PP.5)
神経シナプス
強誘電体膜
SBT
FET
適応学習機能
SBT
新トランジスタ
SBTの薄膜
ニューラルネットワーク
520
220
160
1998年11月号シリコン上で強誘電体の単結晶成長早大電波新聞
(1998年9月16日PP.1)
単結晶成長
不揮発性メモリー
FeRAM
Si
強誘電体メモリー
160
1998年11月号次世代メモリー用強誘電体材料トリケミカル研
東工大
日経産業新聞
(1998年9月13日PP.4)
効率10倍
トリメチルビスマス
強誘電体材料
CVD
160
1998年 7月号強誘電体メモリー
-多層配線で高速化-
NEC日経産業新聞
(1998年5月15日PP.5)
FeRAM
強誘電体メモリー
多層配線
230
1996年 1月号高密度記録で新技術
-光磁気ディスクの30倍-
アトムテクノロジー研究体日本経済新聞
(1995年11月20日PP.17)
PZT
光磁気ディスクの30倍以上
強誘電体メモリー
6GB以上/cm2
130
230
1995年 4月号0.9V動作のY1強誘電体不揮発性メモリー松下電子電波新聞
(1995年2月16日PP.1)
不揮発性メモリー
強誘電性メモリー
230
120
130
1995年 2月号強誘電体メモリーセルシャープ電波新聞
(1994年12月13日PP.1)
日経産業新聞
(1994年12月14日PP.5)
16Mb
DRAM
230
130
1994年 5月号強誘電体トランジスタ
-書換え1兆回実現-
ローム日刊工業新聞
(1994年3月16日PP.7)
電波新聞
(1994年3月16日PP.1)
新型メモリー
書換え1兆回
強誘電体素子
強誘電トランジスタ
220
1993年11月号LSIの障害電波抑制技術松下電子日経産業新聞
(1993年9月2日PP.1)
不要電波抑制
強誘電体薄膜
120
220
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