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| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
| 2012年 7月号 | 14GHz帯で100Wの出力のGaN系HEMT増幅器 | 三菱電機 | 日刊工業新聞 (2012年4月26日PP.24) | 素子の微線化 低損失回路 衛星通信基地局の電力増幅器向け | 340 |
| 2011年 1月号 | GaN-HEMTを使った高出力な送信用増幅器 | 富士通 | 日刊工業新聞 (2010年10月4日PP.18) | ミリ波帯向け 出力1.3W 67〜80GHzで10Gbps 通信可能距離10km | 240 220 |
| 2009年 9月号 | X帯で出力101WのHEMT増幅器 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2009年6月12日PP.26) | n型窒化ガリウム技術 ゲート長0.25μm 効率53% 出力4倍を達成 | 240 220 |
| 2009年 1月号 | 通電遮断回路不要なGaN-HEMTトランジスタ | 富士通 富士通研 | 日刊工業新聞 (2008年10月10日PP.24) | 2nmのn型GaN膜 AlN 300Vの高耐性で動作 | 220 |
| 2007年12月号 | 第4世代携帯基地局向け高出力増幅器 | 富士通 | 日経産業新聞 (2007年9月21日PP.11) | GaN製高電子移動トランジスタ(HEMT) ゲート電極下層にTa2O5 素子サイズ1mm×4mm 143Wで電波増幅可能 漏れ電流は1/10以下 消費電力3割減 | 220 340 |
| 2007年 9月号 | ミリ波可視化技術 | 富士通 東北大 | 日刊工業新聞 (2007年6月7日PP.20) | 94GHz帯 InP仕様のHEMT 配線距離最適化 不要な電波の吸収層 チップサイズ1.25mm×2.2mm 増幅率33dB 雑音指数3.2dB ITS | 310 340 |
| 2006年 4月号 | 地デジ用高効率電力増幅器 -従来の2倍の効率で低コスト- | NHK アールアンドケイ | 電波新聞 (2006年1月11日PP.10) 電波タイムズ (2006年1月16日PP.3) | GaN-HEMT 低歪 CN確保 出力5Wで約9%の電力効率 | 120 220 340 |
| 2004年 9月号 | 光通信用IC -最高速の144Gbps実現- | 富士通研 | 日経産業新聞 (2004年6月8日PP.8) 日刊工業新聞 (2004年6月8日PP.29) | InP系HEMT セレクタ回路 MUX WDM Y型HEMTゲート電極構造 | 240 220 |
| 2004年 5月号 | 消費電力1Wの光送受信IC | 富士通研 | 電波新聞 (2004年2月18日PP.2) 日経産業新聞 (2004年2月18日PP.8) | 40Gbps以上の動作 マルチフェーズクロック技術 InP-HEMT 4対1マルチプレクサ | 220 |
| 2006年 4月号 | 地デジ用高効率電力増幅器 -従来の2倍の効率で低コスト- | NHK アールアンドケイ | 電波新聞 (2006年1月11日PP.10) 電波タイムズ (2006年1月16日PP.3) | GaN-HEMT 低歪 CN確保 出力5Wで約9%の電力効率 | 120 220 340 |
| 2002年 6月号 | 最速トランジスタ-動作周波数500GHz超- | 富士通研 通信総研 阪大 | 日経産業新聞 (2002年3月26日PP.14) | 動作周波数562GHz HEMT InP基板 InAIAs電子供給層 InGaAs電子走行層 | 220 |
| 2001年 2月号 | 低雑音増幅IC | 沖電気 | 電波新聞 (2000年12月21日PP.6) | 38GHz帯 60GHz帯 P-HEMT構造 | 240 340 |
| 2001年 2月号 | 100GHz超の信号処理用HEMT | 立命館大 工技院大阪工業技研 他 | 日経産業新聞 (2000年12月4日PP.12) 電波タイムズ (2000年12月6日PP.2) | GaN HEMT 130GHz | 220 |
| 2000年12月号 | 量子トッドメモリーー -電界 光で電荷制御に成功- | 富士通 | 日刊工業新聞 (2000年10月5日PP.6) | 量子ドットメモリー(QD) 正四面体溝(TSR) GaAs 縦形高電子移動トランジスタ(HEMT) 多値記憶 | 230 |
| 2000年 3月号 | 世界最高速のHEMT | 郵政省 富士通 阪大 | 日経産業新聞 (2000年1月21日PP.5) | HEMT 362GHz 電子走行層10nm InGaAs 電子供給層 InAlAs ミリ波 | 220 |
| 2000年 3月号 | 窒化ガリウム系HEMT -室温から350℃安定に動作- | 名工大 | 日刊工業新聞 (2000年1月7日PP.6) | GaN系HEMT 146mS/mm ゲート長2.1μm 電子移動度740cm2/Vs リセス構造 MOCVD法 | 220 |
| 1999年 5月号 | 世界最小MOSトランジスタ -ゲート長8nm- | NEC | 日刊工業新聞 (1999年3月29日PP.1) | MOSトランジスタ HET 10Tbメモリー ホットエレクトロン効果 トランジスタ ゲート長8nm 電子線レジスト 横形HEMT | 220 160 |
| 1999年 5月号 | 世界最大の容量伝送 -350GHzと最高速実現- | NTT | 日刊工業新聞 (1999年3月19日PP.4) 電波タイムズ (1999年3月19日PP.1) | In P系 HEMT 遮断周波数350GHz 3Tbpsを40km伝送 2段階リセスゲート フラーレン添加 電子線レジスト | 220 240 160 |
| 1999年 2月号 | 量子メモリー -低電圧1Vで書込み消去- | 富士通 | 日刊工業新聞 (1998年12月9日PP.5) | テラビット級 HEMT 異方性エッチング TSR溝 量子ドット浮遊ゲート 不揮発性 書込み/消去電圧1V | 230 220 |
| 1998年11月号 | 超電導回路 -室温半導体回路複合化に成功- | 富士通 | 日刊工業新聞 (1998年9月3日PP.1) | 超電導回路 室温半導体回路 ジョセフソン接合昇圧回路 HEMT Tb級システム | 220 |
| 1996年11月号 | 多値論理回路試作 | NTT | 日経産業新聞 (1996年9月23日PP.4) | 共鳴トンネル素子 HEMT InGaAs系 多値回路 4値 室温動作 | 220 |
| 1995年 9月号 | 量子干渉効果を観測 | NTT | 日刊工業新聞 (1995年7月20日PP.7) | 半導体中の超電導電流 HEMT+超電導電極 量子効果 観測技術 | 120 660 360 |
| 1995年 1月号 | 90MHz帯1チップMMIC増幅器 | 三菱電機 | 電波新聞 (1994年11月25日PP.5) 日経産業新聞 (1994年11月25日PP.5) 日刊工業新聞 (1994年11月25日PP.7) | ミリ波増幅器 90GHz HEMT ゲート長0.15μm 高速IC MMIC 雑音3.4dB 利得8.7dB 環境衛星用 | 220 240 |
| 1994年 1月号 | 世界トップレベルのミリ波HEMT | 三菱電機 | 日刊工業新聞 (1993年11月19日PP.7) 電波新聞 (1993年11月19日PP.6) | ミリ波帯用HEMT 雑音指数0.9dB 増幅率9dB InP基板 60GHz | 220 |
| 1993年11月号 | BS受信用HEMT -雑音特性世界最高に- | 富士通研 | 日経産業新聞 (1993年9月1日PP.5) | HEMT InGaP系HEMT f12GHz NF0.45dB G14.5dB | 220 |
| 1993年11月号 | 通信分野向けHEMT -素子特性で世界最高- | 東芝 | 日刊工業新聞 (1993年9月1日PP.8) 電波新聞 (1993年9月10日PP.5) 日経産業新聞 (1993年9月10日PP.9) 日刊工業新聞 (1993年9月10日PP.7) | HEMT 低雑音 高性能 MOCVD In P基板系HEMT NF0.3dB(NF0.38dB) G14.4dB | 220 |
| 1993年 6月号 | 雑音が世界最低のミリ波用HEMT | 三菱電機 | 電波新聞 (1993年4月7日PP.6) 日経産業新聞 (1993年4月7日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年4月7日PP.9) | HEMT 60GHz 雑音指数1.6dB 利得6.5dB 雑音が世界最低 | 220 |
| 1993年 2月号 | HEMTと共鳴トンネルダイオードを一体化 | 富士通研 | 日経産業新聞 (1992年12月15日PP.5) 電波新聞 (1992年12月15日PP.6) 日刊工業新聞 (1992年12月15日PP.9) | HEMT 共鳴トンネルダイオード | 220 |
| 1992年 8月号 | 平面型超電導デバイス | NTT | 日刊工業新聞 (1992年6月4日PP.6) | 超電導トランジスタ 3端子超電導デバイス HEMTにニオム電極 | 220 |
| 1992年 7月号 | 全国発明表彰恩賜賞 -高電子移動度トランジスタ(HEMT)- 特許庁長官賞-日本語ワードプロセッサの同音語選択装置- | 発明協会 | 朝日新聞 (1992年5月24日PP.21) | 600 | |
| 1992年 5月号 | 動作周波数1.2GHzATMスイッチLSI -HEMTで開発- | 富士通 富士通研 | 電波新聞 (1992年3月19日PP.6) | HEMT | 240 |
| 1991年11月号 | 低雑音トランジスタ -次世代の衛星通信受信用- | 三菱電機 | 電波新聞 (1991年9月5日PP.7) 日経産業新聞 (1991年9月5日PP.5) | HEMT 衛星通信 | 220 |
| 1991年 5月号 | スーパーHEMT -雑音指数など大幅改善- | 富士通 | 電波新聞 (1991年3月20日PP.6) | HEMT 雑音指数 | 220 |
| 1991年 4月号 | 30〜60GのHEMT | 東芝 | 電波新聞 (1991年2月22日PP.0) | ゲートを0.1μmの微細加工 | 220 |
| 1991年 4月号 | 4MbBi-CMOS型SRAM | 富士通 | 電波新聞 (1991年2月13日PP.0) | 64kHEMTSRAM 1.2ns 4MSRAM 7ns | 230 |
| 1991年 4月号 | HEMT64kbSRAM | 富士通 | 日刊工業新聞 (1991年2月13日PP.0) 電波新聞 (1991年2月13日PP.0) | 常温で1.2nsの世界最高アクセス時間 | 230 |