Japanese only.
| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
| 2017年 9月号 | ゲルマニウムLSIに一歩 超薄膜構造均一化 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2017年6月7日PP.23) | 10nm以下の均一な超薄膜構造 | 160 |
| 2017年 1月号 | ゲルマニウムで光10倍 | 東京都市大 | 日経産業新聞 (2016年10月25日PP.8) | 発光素子 LSI高速化 低消費電力化 | 220 |
| 2016年 9月号 | IoT無線IC受信感度2倍になる回路技術開発 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2016年6月14日PP.21) | 無線通信IC 受信感度 妨害波 | 220 |
| 2016年 9月号 | LSI回路幅半分に | 東北大 | 日経産業新聞 (2016年6月30日PP.8) | LSI(大規模集積回路) グラフェン 微細加工 | 220 |
| 2016年 5月号 | 8K実用へ高速伝送競う | 杉本貴司 | 日経産業新聞 (2016年2月24日PP.7) | 8K LSI SDN | 640 |
| 2016年 3月号 | ICの指紋で偽造防ぐ http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2015/pr20151207/pr20151207.html | 産総研 | 日刊工業新聞 (2015年12月7日PP.17) | ICの指紋 ICチップの作成時に自然に発生する性能の違いを利用してチップに固有の番号をつける技術 認証性能3倍以上 | 220 260 620 |
| 2016年 3月号 | 光ファイバ伝送量 世界記録を更新 1本当たりの光信号送受信 毎秒2.15ペタバイト達成 | NICT 住友電気工業 RAMフォトニクス LLC | 電波新聞 (2015年12月18日PP.4) | 光ファイバ伝送量 世界記録 毎秒2.15ペタバイト 22コア光ファイバ | 240 |
| 2015年12月号 | 光集積回路を作るための層間信号伝達技術 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2015年9月9日PP.23) | 厚み600nmの中間層を超えても減衰17% | 240 |
| 2015年11月号 | レーザ素子 安価に作成 集積回路に組込み容易 | 東京都市大 | 日経産業新聞 (2015年8月20日PP.8) | ゲルマニウムを使った近赤外線レーザ素子 | 160 250 |
| 2015年11月号 | ICタグ 通信距離3倍 | 帝人 | 日経産業新聞 (2015年8月27日PP.9) | RFID 通信距離 医療機器 シート型アンテナ | 340 |
| 2015年10月号 | 量子情報処理多彩に 光回路数秒で1000通り http://www.ntt.co.jp/news2015/1507/150709b.html | NTT | 日刊工業新聞 (2015年7月10日PP.23) 日経産業新聞 (2015年7月15日PP.8) | 光子を用いた量子情報処理に必要なあらゆる機能を一つのハードウェア上で提供する.再構成可能な集積回路を開発，石英系平面光波回路(PLC)技術，電流で更新通路変更，光集 積回路 | 120 220 |
| 2015年10月号 | 液晶IC 熱抵抗半減 | リボンディスプレイジャパン | 日刊工業新聞 (2015年7月28日PP.11) | 液晶ドライバIC(ソースドライバ) 液晶テレビの高機能化 放熱性40%改善 4Kテレビ用 ソースドライバー | 220 250 |
| 2015年 6月号 | 4K生中継用符号化LSI | NTT | 日経産業新聞 (2015年3月26日PP.6) | HEVC，60fpsの4K映像を実時間で1/200～1/300に圧縮 演算量を96%削減 35mm角のワンチップ，機器サイズ1/16 | 220 240 520 |
| 2015年 4月号 | データ秘匿し統計処理 | NICT | 日刊工業新聞 (2015年1月23日PP.23) | 秘密計算は計算内容やデータを暗号化したまま処理する技術 プライバシーを保護したままのデータ処理につながる | 620 |
| 2015年 4月号 | 暗号方式100年安全 | NICT | 日経産業新聞 (2015年1月26日PP.15) | 暗号の状態のまま統計処理 30分で100万処理 | 620 |
| 2015年 3月号 | 1ナノ素子で微弱光伝送 東大 LSI配線に応用へ http://www.t.u-tokyo.ac.jp/epage/release/2014/2014112601.html | 東大 | 日経産業新聞 (2014年12月3日PP.10) | 電子の代わりに光を使うLSIを実現する可能性 | 220 |
| 2015年 3月号 | 電流駆動力10倍のゲルマニウムトランジスタ | 産総研 | 日刊工業新聞 (2014年12月16日PP.23) | n型多結晶ゲルマニウムトランジスタ，LSIの3次元積層を実現 | 220 |
| 2014年12月号 | 論理演算で消費電力をほぼ0にする新型ICを開発・実証 | 横浜国大 | 日刊工業新聞 (2014年9月17日PP.25) | 磁束の有無で0，1を切り替えるICを開発。超伝導材料のニオブを用いて温度4.2Kで動作。消費電力が従来比100万分の1。 | 220 |
| 2014年 9月号 | 単層CNTを使い高速変調が可能な発光素子を開発 | 慶応大 | 日刊工業新聞 (2014年6月2日PP.17) | 光インターコネクトや光電子集積回路の実現につながる | 160 250 |
| 2014年 9月号 | 1チップで4K映像再生可能なシステムLSIの開発 | パナソニック | 日刊工業新聞 (2014年6月10日PP.10) | HEVC圧縮の4K 60fps 10ビットカラー映像を1チップで再生 HDCP2.2対応 | 220 |
| 2014年 5月号 | スピントロニクス活用で電池の寿命を延ばすMCU | 東北大 NEC | 日刊工業新聞 (2014年2月11日PP.13) | 不揮発レジスタの書き込み電力を削減 回路線幅90nmのCMOS回路と三端子MTJ素子を組み合わせたICチップ | 220 |
| 2014年 5月号 | 28Gbps伝送可能な60GHzミリ波無線機IC | 東工大 | 日刊工業新聞 (2014年2月12日PP.14) | ミキサファースト型IC 消費電力が送信機168mW・受信機155mW・発信器64mW 65nmのCMOSプロセス技術 60GHz帯 64QAM | 220 340 |
| 2014年 3月号 | 3次元LSI向け多結晶Geトランジスタ | 産総研 | 日刊工業新聞 (2013年12月18日PP.21) | GeのCMOS化 n型MOSFET 500℃以下で形成 p型n型の両極性 多結晶Geトランジスタ Siの3倍の電流駆動能力 | 220 |
| 2014年 1月号 | 発振を起こさない240GHz帯受信IC | 富士通 富士通研 | 日刊工業新聞 (2013年10月17日PP.20) | 6段階増幅器を検波識別器をワンチップ化 U型調整器で発振現象を解消 | 240 |
| 2013年12月号 | 50Gbps信号伝送 | 東工大 | 日刊工業新聞 (2013年9月3日PP.19) | LSIで使うSi材料と同じ半導体プロセスを利用，3次元光多層配線を作成，配線内に回折格子と高反射鏡を使う | 440 |
| 2013年12月号 | 光の90%以上を通す透明な半導体集積回路 | 名大 フィンランドアールト大 | 日本経済新聞 (2013年9月17日PP.11) 日経産業新聞 (2013年9月17日PP.10) | CNTで配線とトランジスタを製作 一辺0.5mmの回路 | 120 220 |
| 2013年11月号 | 伸縮自在な有機トランジスタ集積回路と有機LED | 東大 オーストリアヨハネス・ケプラー大 | 電波新聞 (2013年8月1日PP.4) | 世界最軽量(3g/m2)で最薄(2μm) くしゃくしゃに折り曲げても壊れない新しい光源 | 120 250 |
| 2013年11月号 | CNTだけで構成するIC | 名大 フィンランドアールト大 | 日刊工業新聞 (2013年8月13日PP.15) | 電極や配電材料にCNT薄膜，絶縁材料にアクリル樹脂を使う，移動度は毎秒1V当たり1000m2 | 120 220 |
| 2013年 9月号 | 0.37V動作のトランジスタを採用したロジックIC | 超低電圧デバイス技術研究組合 NEDO | 日刊工業新聞 (2013年6月11日PP.21) 日経産業新聞 (2013年6月11日PP.9) | SOTBトランジスタを用いたSRAM シリコン基板上に厚さ10nmの絶縁膜・その上に電極 SOTB 最小電圧0.37Vの演算用LSI | 220 230 |
| 2013年 8月号 | 雑音ゼロの量子通信増幅技術 | NICT 韓ソウル国立大 | 日刊工業新聞 (2013年5月13日PP.19) 日経産業新聞 (2013年5月15日PP.7) | 「量子重ね合わせ状態」 10kmで実験 中継増幅技術 | 240 |
| 2013年 6月号 | 組み込み用メニーコアLSI向け低消費電力OS | 東芝 | 日刊工業新聞 (2013年3月21日PP.13) | 超解像で消費電力24.6%削減 負荷予測に「依存数」手法 | 620 |
| 2013年 4月号 | 10nmサイズの光信号制御用技術 | NTT 東工大 | 日経産業新聞 (2013年1月16日PP.6) | グラフェン プラズモンの伝わる速さを制御 光信号のオンオフ LSI消費電力を1/100に | 120 |
| 2013年 3月号 | LSI集積度を100倍以上高める技術 | 東大 理研 | 日経産業新聞 (2012年12月11日PP.9) | 原子3個分のMoS2薄膜 0.6nm厚 トランジスタ | 120 220 |
| 2013年 1月号 | 粘菌の振る舞いを参考に計算量を節約できる半導体設計手法 | 理研 東大 NICT | 日本経済新聞 (2012年10月2日PP.14) | 巡回セールスマン問題waiya | 200 |
| 2013年 1月号 | テレビ周波数帯で無線LAN | NICT | 日刊工業新聞 (2012年10月17日PP.28) | IEEE802.11af | ホワイトスペース 実証実験成功 440 |
| 2012年 8月号 | ICタグの位置を正確に測定する技術 | 電通大 | 日経産業新聞 (2012年5月18日PP.8) | RFID 位置測定の誤差が平均5.4mm 6秒で25個のタグの位置をまとめて測定 | 340 |
| 2012年 7月号 | 動作寿命10年間のMRAM | 超低電圧デバイス技術研究組合 | 日刊工業新聞 (2012年4月17日PP.20) | MTJ素子のトンネル絶縁膜層を分割して作成 0.5V以下の低い電圧で10年間安定動作 MRAM混載LSI 低消費電力 次世代の不揮発性磁気メモリー | 230 |
| 2012年 5月号 | 光IC・光ファイバ結合技術 | NEC 産総研 | 日経産業新聞 (2012年2月7日PP.10) | 光ファイバを16本横に並べてつなげた結合部 ファイバ直径125μm | 中央の直径10μmの領域を光が通る 240 260 |
| 2012年 5月号 | スーパハイビジョン対応復号LSIを試作 | 早大 | 日刊工業新聞 (2012年2月20日PP.17) | 7680×4320×60fps H.264/AVCハイプロファイル 65nm CMOS 消費電力410mW | 220 |
| 2012年 4月号 | 60GHz帯対応無線装置 | NTT | 日刊工業新聞 (2012年1月18日PP.21) | 1chで最大伝送速度3.8Gbps 4ch同時伝送可 周波数帯域を57～66GHzに拡大 アンテナとMMICは低温同時焼成セラミック(LTCC)の多層基板に平面集積 | 340 |
| 2012年 3月号 | 省電力化と高速化を両立したLSI用電子回路 | 東北大 NEC | 日刊工業新聞 (2011年12月6日PP.1) 日経産業新聞 (2011年12月8日PP.11) | スピントロニクス素子とCMOS素子のハイブリッド回路を高速化 動作周波数600MHz ラッチ回路向け | 220 |
| 2012年 3月号 | 再構成可能LSI向け配線スイッチ | 超低電圧デバイス技術研究組合 | 日刊工業新聞 (2011年12月8日PP.18) | 10～50nm スイッチ素子を3端子で構成 | 220 |
| 2011年12月号 | シリコン光配線集積回路 | 東大 | 日刊工業新聞 (2011年9月19日PP.10) | チップ間の情報伝送容量3.5Tb/cm2 各光部品を5mmx4.5mmの小型シリコン基板上に集積 | 220 240 |
| 2011年 7月号 | 待機電力1/100の無線LAN対応LSI | 東芝 | 日刊工業新聞 (2011年4月21日PP.21) | 90nmのCMOSプロセスで試作したLSIで待機電力7μW LSI全体の消費電力を35.2mWから0.28mWへ削減 | 120 |
| 2011年 5月号 | 微小凹凸でLSI接合 | 九大 | 日経産業新聞 (2011年2月4日PP.10) | 突起電極と対向電極を30℃で20秒押しつけると接合 電気抵抗83mΩ 銅でできた直径数μmの突起と溝をかみ合わせて接合 加熱不要 | 220 260 |
| 2011年 5月号 | LSI間の通信速度向上 | 慶応大 | 日経産業新聞 (2011年2月25日PP.8) | 磁界結合でクロック同期 19.6Gbps 結合共振 | 220 |
| 2011年 3月号 | 28nm世代システムLSI向け混載DRAM技術 | ルネサスエレクトロニクス | 日刊工業新聞 (2010年12月9日PP.22) | 寄生容量・抵抗を削減 CMOSプロセスを導入 低誘電率の多孔質(MPS)膜を採用 配線層内にキャパシタ形成 | 160 230 |
| 2010年11月号 | LSIの消費電力を削減する光スイッチ | 東大 光産業技術振興協会 東芝 パイオニア コニカミノルタオプト | 日経産業新聞 (2010年8月25日PP.9) | GaAs 点滅する光を照射して光の通路を開閉 InAsの量子ドット2個 内部に量子ドットを縦に並べて埋め込む 近接場光 | 240 |
| 2010年10月号 | 光通信に量子計算 | 日大 | 日刊工業新聞 (2010年7月8日PP.19) | 非ガウス状態 光子数識別器 繰り返し速度1MHz超で従来比約10倍高速 低電力の量子ICT | 240 340 |
| 2010年 9月号 | 0.5Vで集積回路を動作させる技術 | 東大 | 日刊工業新聞 (2010年6月18日PP.21) | パスゲートトランジスタ SRAM動作時のマージンが70%改善 | 220 |
| 2010年 9月号 | 寿命2倍電力半減のLED照明用電源IC | タキオン | 日経産業新聞 (2010年6月24日PP.1) | 15μsに1回電源ON/OFF 電解コンデンサ不要 | 220 |
| 2010年 9月号 | 化合物半導体を使ったトランジスタ -LSI速度5倍に- | 東大 産総研 物材機構 住友化学 | 日経産業新聞 (2010年6月25日PP.15) | InGaAs 高速LSI | 220 |
| 2010年 6月号 | 波長1μm帯のTバンドでの光通信に成功 | NICT 青山学院大 | 電波タイムズ (2010年3月3日PP.1) | Cバンド Lバンド 広帯域光信号伝送 光ICTデバイス 低損失広帯域微細構造光ファイバ | 240 440 |
| 2010年 5月号 | LSIの駆動電圧を3割低減する誤動作防止技術 | 東芝 | 日経産業新聞 (2010年2月15日PP.12) | 駆動電圧を0.7Vへ下げた場合にSRAMの動作不良が起きる割合を従来の1/10000に抑えた | 120 |
| 2010年 3月号 | LSIの不純物濃度のばらつき測定 | 東芝 | 日経産業新聞 (2009年12月9日PP.11) | イオンビームで素子を切り出してキャリヤ濃度を測定 結晶構造の違いでキャリヤ分布が異なる 20nm回路に対応 | 660 220 210 |
| 2010年 3月号 | スピンMOSトランジスタの基本技術 | 東芝 | 電波新聞 (2009年12月9日PP.1) | 電子スピン ロジックLSI メモリー機能 磁気トンネル接合 スピン注入磁化反転 | 230 |
| 2010年 2月号 | LSI内1チップ光配線 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2009年11月10日PP.25) | 消費電力1/10 長さ600μmのレーザ光源部品 幅450nmのSi光導波路 受光素子の大きさ1/5 光源と導波路間の光結合効率60%以上 オンチップフォトニクス | 220 |
| 2009年 8月号 | 原子サイズの2層CNTトランジスタ | 青山学院大 名大 東邦大 | 日経産業新聞 (2009年5月15日PP.1) | 電子線によりナノチューブの層を分離 PN接合の特性を確認 太さ2～3nm 2層CNTをSi基板上に乗せる 大きさSiLSIの1/100程度 | 220 120 |
| 2009年 6月号 | USB3.0対応の通信用LSI | 富士通マイクロエレクトロニクス | 日経産業新聞 (2009年3月27日PP.1) | データの転送速度は従来比10倍以上 データの転送速度5Gbps アダプティブイコライザ | 520 220 |
| 2009年 3月号 | 22ナノ世代LSI向け量産化技術 | Selete | 日刊工業新聞 (2008年12月17日PP.21) | Si基板に約0.4nmの酸化イットリウムを原子層堆積法で薄く成膜 絶縁膜としてハフニウム系の高誘電率膜 MOSトランジスタの絶縁膜にイットリウムを導入 | 220 |
| 2009年 3月号 | ひずみSiを活用してLSI処理速度を40%向上させる技術 | 東大 | 日経産業新聞 (2008年12月18日PP.11) | 約500気圧の引っ張る力で電流量最大4%増加 チャネル幅1～20nmのトランジスタ試作 | 220 |
| 2009年 3月号 | センサネットワーク向け低電力通信技術 | NTT | 日経産業新聞 (2008年12月22日PP.1) | 送受信時の電波の補正 送受信部LSIの消費電力1/10 1mm角の無線送信LSI 300MHz帯の微弱な電波 10m先に1Mbpsのデータ送信 | 340 |
| 2009年 2月号 | CMOS微細化技術 | 東工大 | 日経産業新聞 (2008年11月14日PP.9) | 絶縁膜の厚さ0.37nm 回路線幅16nm以下のLSI開発に不可欠な技術 絶縁膜に酸化ランタンを採用 | 220 120 |
| 2009年 1月号 | 原子の「ムラ」検査技術 | 静岡大 | 日経産業新聞 (2008年10月2日PP.1) | Si内の原子の分布を検査 -260℃ 高密度の高集積回路開発への可能性 | 210 660 |
| 2008年12月号 | 高速無線通信向けLSIの小型化技術 | NECエレクトロニクス | 日経産業新聞 (2008年9月25日PP.11) | 磁性膜をLSIにのせる コイル数を抑制 UWBやミリ波での近距離通信向け | 220 440 240 |
| 2008年11月号 | CNTの導電ゴム素材 | 東大 理化学研 産総研 | 日本経済新聞 (2008年8月8日PP.42) | CNTとゴム状のポリマを混合 20cm四方の集積回路シート 70%引き伸ばしても安定駆動 フッ素系 | 120 260 |
| 2008年 9月号 | HDPhoto(JPEGXR)対応の撮影用LSI | メガチップス | 日経産業新聞 (2008年6月18日PP.1) | LSI内部で異なる処理を1つの回路で共有 画像圧縮 次世代規格に対応 | 220 520 |
| 2008年 9月号 | スーパコンピュータ搭載LSIの消費電力半減技術 | 日立 東大 | 日刊工業新聞 (2008年6月20日PP.24) | 電圧を従来の28倍高速の35ns以下で切替え 待機状態のプロセッサの周波数を低く設定 | 220 |
| 2008年 8月号 | CNTで回路を立体化 | 産総研 | 日経産業新聞 (2008年5月6日PP.6) | 単層CNT LSIの配線 MEMSへの応用 Si基板 イソプロピルアルコール 膜厚100nm～50μm | 120 160 |
| 2008年 7月号 | 光LSI配線構造解明 | 阪大 | 日経産業新聞 (2008年4月3日PP.9) | 光LSI 線幅10nm 表面プラズモン | 120 220 |
| 2008年 7月号 | 次世代大規模集積回路の実現に繋がる歪みSiLSI | 東京インスツルメンツ 群馬大 | 日経産業新聞 (2008年4月3日PP.1) | 近接場ラマン光 線幅32nm以降の次世代LSI 20nmひずみ分布を精密測定 | 120 220 660 |
| 2008年 7月号 | CMOSの特性変動を予測するシミュレーションモデルを開発 | Selete | 日刊工業新聞 (2008年4月23日PP.1) | 設計時のマージン不要 LSI性能20%向上 STI工程 | 220 620 |
| 2008年 6月号 | 書き換え1000億回を実現した256MbFeRAM向け新材料 | 東工大 富士通研 | 日刊工業新聞 (2008年3月28日PP.1) | ビスマスフェライト サマリウムを6～10%添加 ゾルゲル法 非接触ICカード RFID | 120 230 |
| 2008年 5月号 | 最先端LSIパターン作製高速化 | クレステック 農工大 | 日経産業新聞 (2008年2月18日PP.10) | 配線幅40nm回路を10mm角に0.3sで作製 面電子源 | 160 |
| 2008年 5月号 | 演算能力20倍の3次元LSI | 東芝 米スタンフォード大 | 日本経済新聞 (2008年2月18日PP.23) | CNT 素子配線 ReRAMを演算回路と積層 | 220 260 |
| 2008年 3月号 | 回路線幅32nmLSI向け製造プロセス技術 | Selete 日立建機ファインテック | 日経産業新聞 (2007年12月11日PP.1) | 電流漏れを防ぐ技術 電極素材と配線層間材料を新たに開発 ゲート材料にTiN 絶縁膜に窒化ハフニウムシリケート nMOSにMgO pMOSにAlO ポーラスシリカ SiO 比誘電率2.4 | 120 160 220 |
| 2008年 2月号 | 液晶向け駆動IC実装に樹脂 | セイコーエプソン | 日経産業新聞 (2007年11月5日PP.17) | かまぼこ形状のコア樹脂(バンプ) COG | 260 |
| 2008年 1月号 | 光配線LSIチップ -線幅22nmに道- | Selete | 日経産業新聞 (2007年10月23日PP.1) | 表面プラズモン SiとSi化合物を重ねた構造の表面にくし形の電極を並べた光電気変換器 縦10μm 横2μm クロック信号部分を光配線に置き換え | 160 240 |
| 2007年12月号 | 書換え回数100倍のSSD | 日立超LSIシステムズ | 日経産業新聞 (2007年9月27日PP.1) | ソリッドステートディスク(SSD) NAND型フラッシュに記憶させるデータを選択 書換え上限は約10万回 | 230 620 |
| 2007年12月号 | 厚さ300μmのチップ内蔵基板 | TDK | 日刊工業新聞 (2007年9月25日PP.1) | ICチップ厚さ50μm ベアチップのまま配線 モジュール部屋の高さを従来比20～30%低くできる 4層基板 | 260 |
| 2007年12月号 | 100Gbps超高速光スイッチ開発 | 産総研 | 日経産業新聞 (2007年9月3日PP.11) | インジウム・ガリウム・リン 屈折率の変化 光時分割多重 160Gbpsの信号から10Gbitの信号を取り出す 縦横10cm IC化容易な素子 | 240 |
| 2007年10月号 | 高精細画像圧縮速度30倍 | NEC | 日経産業新聞 (2007年7月25日PP.1) | 画像圧縮に必要な演算を簡略化 MPEG2000と比べて圧縮速度は30倍以上 集積回路の大きさは1/10 | 520 |
| 2007年 9月号 | 低抵抗CNT縦穴配線材料 -次世代LSIにおけるCNT配線実現に一歩- | Selete | 日刊工業新聞 (2007年6月5日PP.1) | ビア配線材料 弾道伝導現象 CVD ビア高さ60nm 直径160nm 化学機械研磨(CMP) 22nm世代 450℃で化学気相成長 Cuより低抵抗 | 120 160 |
| 2007年 9月号 | 周波数倍率10倍のシステムLSI用クロック発生回路 | 富士通研 | 日経産業新聞 (2007年6月13日PP.9) | クロック周波数範囲40～400MHz 回路線幅90nm半導体で試作 | 220 |
| 2007年 4月号 | LSI間の10Gbps光通信 | 先端フォトニクス | 日経産業新聞 (2007年1月18日PP.1) | GaAs製レーザ 直径50μm程度の光伝送路 電気配線の3倍のレート | 240 340 |
| 2007年 4月号 | 化粧品のICタグ実証実験 | 富士通 資生堂 三越 | 日経産業新聞 (2007年1月29日PP.7) | 仮想リアルタイムメイクアップシステム 顧客需要調査 | 340 620 |
| 2007年 3月号 | 線幅32nmLSI性能2倍に | 東芝 | 日経産業新聞 (2006年12月15日PP.10) | Si加工面に1%の歪を加えるn型トランジスタ 0.1%で解析 | 160 220 |
| 2007年 2月号 | 回路線幅55nmのシステムLSI量産技術 | NECエレクトロニクス | 日刊工業新聞 (2006年11月6日PP.1) | DRAM混載 液浸露光 ゲート絶縁膜上にハフニウム極薄膜 | 160 |
| 2006年12月号 | 素材別のUHF帯無線ICタグ | 凸版印刷 | 日経産業新聞 (2006年9月8日PP.3) | 素材別にアンテナの設計を変える 素材との干渉を減らし最適通信 | 340 |
| 2006年12月号 | 異種材料を分子間結合力で薄膜接合 | 沖電気 沖データ | 電波新聞 (2006年9月8日PP.1) | エピフィルムボンディング(EFB) 薄膜化したLEDアレイと駆動ICを結合 | 250 260 |
| 2006年 7月号 | 折り曲げ自在な次世代メモリー | セイコーエプソン | 日本経済新聞 (2006年4月4日PP.13) | FeRAM 電子ペーパー ICタグ フッ素系ポリマー 厚さ0.1mmのプラスチック基板上 | 120 230 |
| 2006年 7月号 | 線幅30μmの基板用樹脂剤 | 関西ペイント | 日経産業新聞 (2006年4月5日PP.1) | スクリーン印刷法 直径1μm以下の無機材料でレジスト剤の粘性を制御 ICタグ | 120 160 340 |
| 2006年 7月号 | ワンセグ受信LSI | メガチップス | 日経産業新聞 (2006年4月14日PP.1) | チャネル検索速度2.5～3秒 電波が弱いところでも受信するソフト技術 3.9mm角 | 340 220 620 |
| 2006年 6月号 | 1波長あたり100Gbpsの超高速光通信 | 沖電気 NICT | 日経産業新聞 (2006年3月15日PP.1) | 光分割多重で40Gbps光信号を束ねる 635kmの伝送 | 340 440 540 |
| 2006年 5月号 | 世界最小のICチップ | 日立 | 日経産業新聞 (2006年2月6日PP.8) | ミューチップ 0.15mm角 7.5μm厚 SOI技術 絶縁層で干渉を防止 素子の高集積化 | 160 220 340 |
| 2006年 4月号 | 非圧縮映像を6Gbpsで伝送実験 | NICT NTT NTTコミュニケーションズ | 日刊工業新聞 (2006年1月12日PP.8) 日経産業新聞 (2006年1月20日PP.11) | 35mm映画フィルムと同等のk高精細映像 JGN2 4k 6Gbps | 420 440 540 |
| 2006年 4月号 | 端子間配線間隔12μmのLCD駆動用ICのプリント基板 | 東レ | 日経産業新聞 (2006年1月20日PP.1) | エッチング工程の一部を工夫 銅メッキ膜を安定してエッチング | 160 250 |
| 2006年 3月号 | 丸められる0.3mm超薄型電池 | NEC | 日本経済新聞 (2005年12月8日PP.13) | 有機ラジカル材料 電圧3.7V 充電時間30秒 ICカード用 | 120 250 |
| 2006年 3月号 | 立体構造トランジスタの製造技術
-32nmLSI実現へ- | 東芝 | 日経産業新聞 (2005年12月8日PP.10) | フィンFET ゲート長20nm 不純物によりリーク電流を抑圧 寸法のばらつきをなくし歩留まり向上 基板上に立てたチャネルをゲートが挟み込む構造 | 160 220 230 |
| 2006年 3月号 | 無線機能を備えた曲がるCPU | 半導体エネ研 TDK | 日経産業新聞 (2005年12月16日PP.1) | 暗号処理機能 ガラス基板上に形成したトランジスタをプラスチック基板上に転写 13.56MHz帯 IC部分は14mm角 通信距離は数mm 厚み0.2mm 1.8V駆動で消費電力4mW | 160 220 260 340 |
| 2006年 2月号 | 曲面に貼りつけ可能なICラベル | トッパンフォームズ | 日経産業新聞 (2005年11月21日PP.7) | 磁性体をインクのように薄くする技術 磁性体の厚み0.5mm以下 | 120 160 340 |
| 2006年 1月号 | 金型でLSI製造 -線幅40ナノ回路に対応- | 凸版印刷 | 日経産業新聞 (2005年10月19日PP.3) | 従来の1/10の時間で作ることに成功 ナノインプリント 8インチウェハサイズ エッチングやメッキなどの工程を改良 | 160 220 230 |
| 2005年12月号 | 液晶ドライバLSI -配線ピッチ30μm- | シャープ | 日刊工業新聞 (2005年9月12日PP.11) | 高精細液晶テレビ フィルム素材や封止樹脂材料を改良 SOF | 120 160 250 |
| 2005年12月号 | ICタグ内蔵ペーパ -印字書換え1000回- | 凸版印刷 三和ニューテック | 日刊工業新聞 (2005年9月14日PP.1) | リライタブルペーパー(樹脂製) 青色ロイコ印字方式 専用プリンタ プリント速度毎分20枚 コスト1/4 | 330 340 |
| 2005年12月号 | コスト1/20のSi光スイッチ | NICT | 日経産業新聞 (2005年9月16日PP.6) | 160Gbps通信用 Si光経路を渦巻き状 切替え時間3ps ナノメートル単位の細い線上の経路 | 120 160 240 |
| 2005年10月号 | LSI配線中欠陥を3次元像化 -超高圧電子顕微鏡- | 阪大 | 日刊工業新聞 (2005年7月29日PP.37) | 断層撮影 トモグラフィー法 加速電圧300万V | 360 660 |
| 2005年 9月号 | 光電変換器 -1円玉より小さく- | NEC | 日経産業新聞 (2005年6月1日PP.10) | LSI間の配線も光ファイバで接続可能 14mm角 厚さ2mm 1個につき光ファイバを4本接続可能 業界の標準規格予定 | 240 |
| 2005年 9月号 | 分子細孔法を用いた45nLSI向け低誘電率膜 | NEC NECエレクトロニクス MIRAIプロジェクト | 日刊工業新聞 (2005年6月14日PP.27) | 内径1nm以下の環状シリカ材料 誘電率2.4 65n世代に対して倍の配線密度と16%減の配線容量 | 120 160 |
| 2005年 9月号 | 線幅32nmLSI向け新技術 -新構造TR・新多層配線技術- | MIRAIプロジェクト | 電波新聞 (2005年6月14日PP.1) 日経産業新聞 (2005年6月14日PP.7) | 高電流駆動力 プロセス損傷抑制可能 歪みSi薄膜 歪みGe薄膜 局所酸化濃縮法 ポーラシリカ低誘電絶縁材料 | 120 160 220 |
| 2005年 9月号 | UWB用GaN-MMIC -高周波・高耐圧を実現- | 松下電器 | 電波新聞 (2005年6月15日PP.1) | 22GHz帯で最小雑音指数2.6dB 信号増幅率13dB IIP3入力時7.5dB サージ耐圧150V チップサイズ2.6×1.3mm2 | 120 160 220 |
| 2005年 9月号 | 新概念LSIゲート絶縁膜 -Hf添加で移動度15～20%向上- | 日立 ルネサステクノロジ | 日刊工業新聞 (2005年6月15日PP.25) | 65nm世代 ゲート絶縁膜とゲート電極界面に短分子膜に満たない微量のHfO2添加 バンド構造 仕事関数を制御 | 120 160 220 |
| 2005年 7月号 | 37インチ液晶テレビのバックライトを1個のトランスで点灯する絶縁型インバータシステム | サンケン電気 | 日刊工業新聞 (2005年4月19日PP.1) | 最大20本の冷陰極蛍光管(CCFL)を点灯可能 二段階の電流変換 電力変換効率86% コントロールICで電源とインバータを一体化 | 250 |
| 2005年 6月号 | 90n世代システムLSIによるDRAM混載技術 -130n世代に比べセル面積60%に- | NECエレクトロニクス | 電波新聞 (2005年3月10日PP.1) | MIMキャパシタを形成する絶縁膜にZrO2 ALD方式 Ta2O5の3倍以上 Si3N4の5倍以上の電荷蓄積能力 最大500MHz | 120 160 |
| 2005年 6月号 | 超電導LSI設計自動化 | 超伝導工学研 | 日刊工業新聞 (2005年3月23日PP.37) | 超電導単一磁束量子(SFQ)論理合成ツール開発 セルライブラリ 自動配置配線ツール | 120 620 |
| 2005年 5月号 | 消費電力40mWのASIC用AD変換器 -回路融合で実現- 14と一つに | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2005年2月8日PP.33) | パイプライン型ADC 分解能10bit サンプリングレート125MHz サンプル保持回路とMDAC回路を融合 0.18μmCMOSプロセス 電源電圧1.8V | 220 |
| 2005年 4月号 | システムLSIの消費電力4割低減 | 東芝 | 日経産業新聞 (2005年1月27日PP.7) | 部分fV(周波数・電圧)制御 | 220 |
| 2005年 3月号 | 溶液中で性質を測定できるICタグ | 日立 | 日経産業新聞 (2004年12月6日PP.8) | 通信可能距離1～7.5cm 温度センサ -30～120℃の範囲で0.5℃精度 pH4～9まで対応 | 210 320 340 |
| 2005年 3月号 | 次世代LSIの電流漏れカット | 東芝 | 日経産業新聞 (2004年12月17日PP.7) 日刊工業新聞 (2004年12月17日PP.33) | ニッケルシリサイド層の形成前にSiにFを含ませNiの拡散を抑える 45nm半導体向け | 220 160 |
| 2005年 2月号 | 積層型3次元LSIを量産 -次世代機器向け用途開拓- | 東北大 ザイキューブ | 日刊工業新聞 (2004年11月16日PP.25) | センサチップ・アナログLSI・論理LSI・CPU・メモリーなどを積層 トレンチ溝 マイクロバンプ電極 膜の厚さ数十nm～数百μm トレンチ溝直径500nm～数μm | 160 |
| 2004年12月号 | 超精密切削平坦化技術 -先端LSI高密度実装可能に- | 富士通 ディスコ 東芝機械 | 日刊工業新聞 (2004年9月28日PP.1) | 超精密フライス加工 突起状電極のバンプを平坦化 半導体露光装置並みの超精密な吸着法 200mm径ウェハの面内吸着精度±0.5μm 加工精度の面内±1μm 加工後高さばらつき標準偏差±0.24μm 表面粗さ0.012μm | 360 |
| 2004年11月号 | 世界最速の浮動小数点演算用LSI | 理化学研 日立 | 日刊工業新聞 (2004年8月23日PP.21) | 浮動小数点演算230GFLOPS ブロードキャストメモリーアーキテクチャ MDGRAPE-3チップ 分子動力学計算 | 220 |
| 2004年11月号 | 絶縁層薄膜の印刷技術 -印刷でICカード・タグを作製可能- | 産総研 日立 | 朝日新聞 (2004年8月31日PP.2) | Siの酸化物をプラスチックに100℃以下で印刷 | 220 160 |
| 2004年 9月号 | 光通信用IC -最高速の144Gbps実現- | 富士通研 | 日経産業新聞 (2004年6月8日PP.8) 日刊工業新聞 (2004年6月8日PP.29) | InP系HEMT セレクタ回路 MUX WDM Y型HEMTゲート電極構造 | 240 220 |
| 2004年 9月号 | ステレオビジョンVLSIプロセッサ -3次元画像0.1秒で取得- | 東北大 | 日刊工業新聞 (2004年6月16日PP.25) | 3次元画像 ステレオビジョン VSIプロセッサ 約500倍の高速化 マッチング領域サイズ | 220 520 |
| 2004年 7月号 | 次世代LSI向けマスク欠陥検査技術 | 東芝 Selete | 日経産業新聞 (2004年4月13日PP.7) | 198.5nmの遠紫外光採用 マスク1枚を2時間程度で検査 欠陥の種類によっては20nm程度も検出 | 360 |
| 2004年 6月号 | 多層プリント配線板技術 -5Gbps 4000ピン対応- | 富士通研 FICT 富士通 | 日刊工業新聞 (2004年3月9日PP.1) | 高速伝送層と高密度実装層を独立に作製し張り合わせる 0.8mmピッチ BGA | 260 |
| 2004年 6月号 | ICタグと無線LANで人の屋内位置把握 | NEC | 日経産業新聞 (2004年3月22日) | 赤外線を受信するタグ | 340 440 660 |
| 2004年 6月号 | Siで高速光IC | 富士通 | 日経産業新聞 (2004年3月23日PP.1) | 50Gbps ゲート長45nm | 240 250 |
| 2004年 5月号 | 化学反応でLSI配線切り換え -ナノブリッジ- | NEC 物質・材料研究機構 科学技術研究機構 | 日刊工業新聞 (2004年2月17日PP.27) 日経産業新聞 (2004年2月17日PP.8) | プログラマブルロジックの配線切り換え 固体電解中の金属原子の移動を利用 書き換え可能なセルベースIC | 120 220 |
| 2004年 5月号 | 消費電力1Wの光送受信IC | 富士通研 | 電波新聞 (2004年2月18日PP.2) 日経産業新聞 (2004年2月18日PP.8) | 40Gbps以上の動作 マルチフェーズクロック技術 InP-HEMT 4対1マルチプレクサ | 220 |
| 2004年 4月号 | 光スイッチのワンチップ化 -微細加工で1/10サイズに- | NTT | 日経産業新聞 (2004年1月15日PP.7) | 3cm角で厚さ5mm 直径600μm鏡100個を配置 光ルータ 光スイッチ・LSI一体化 | 240 260 220 |
| 2004年 4月号 | フェムト秒レーザ使う顕微鏡 | 阪大 理化学研 | 日経産業新聞 (2004年1月23日PP.7) 日刊工業新聞 (2004年1月23日PP.24) | LSI故障診断 磁界分布変化を検出 分解能3μm LTEM | 360 |
| 2004年 4月号 | 光ファイバ専用の暗号LSI -高速通信データの機密保持- | 富士通 | 日経産業新聞 (2004年1月29日) | IPsec高速処理エンジン CPUと暗号LSIの接続方式を変更 100Mbps対応 | 220 520 |
| 2004年 2月号 | 65nmLSI向け絶縁膜 -量産技術確立- | Selete 東京エレクトロン | 日経産業新聞 (2003年11月6日PP.1) | 高誘電率絶縁膜 ハイK テルフォーミュラ 熱処理計2時間 | 160 |
| 2004年 2月号 | X線撮像器 -X線乱反射でIC実装を検査- | アイビット | 日経産業新聞 (2003年11月14日PP.1) | Al配線材に対応 解像度50μm 後方散乱線も利用 | 360 660 |
| 2003年12月号 | 光電子IC -超高速光信号を処理- | NTT | 日経産業新聞 (2003年9月8日PP.9) | 電子回路と光回路を一体化 時分割多重方式の通信網 | 220 240 |
| 2003年12月号 | 非接触ICカード表示窓用超薄型液晶パネル | 富士通フﾛンテｯク 富士通研 富士通 | 日経産業新聞 (2003年9月9日PP.9) | コレステリック液晶 5mmx10mm 厚さ0.25mm 0.2秒程度で書込 | 250 |
| 2003年11月号 | LSI配線用カーボンナノチューブ -触媒微粒子で直径制御- | 富士通 | 日経産業新聞 (2003年8月7日PP.5) | 直径4nmのFe Pt触媒を使用 直径3～10nmのCNTが林立 作成時基板温度600℃以下 | 120 160 |
| 2003年 9月号 | 解像度0.1㎜の磁場顕微鏡 -LSIの欠陥識別用- | 物質・材料研究機構 | 日経産業新聞 (2003年6月4日PP.7) | 超電導量子干渉素子 SQUID Ni合金製の探針 | 120 660 |
| 2003年 9月号 | 65nm幅LSI用新技術 -ウエハ研磨工程を改善- | Selete | 日経産業新聞 (2003年6月10日PP.1) | 多孔絶縁膜 CMPに耐える強度の膜弾性率12GPa 比誘電率2.3 | 160 |
| 2003年 9月号 | 現露光機で45nm幅LSI | 大日本印刷 米インテル | 日刊工業新聞 (2003年6月11日PP.1) | 最先端位相シフトマスク CPL 一枚のマスクで3度露光 | 160 |
| 2003年 9月号 | 進化ソフトクロックをGAで最適調整 -LSI消費電力を半減- | 産総研 | 日刊工業新聞 (2003年6月12日PP.5) 日本工業新聞 (2003年6月12日PP.2) 日経産業新聞 (2003年6月13日PP.9) | クロック周波数を25%向上 プログラマブル遅延素子 チップ毎に微調整 遺伝的アルゴリズム タイミング調整約1秒 | 220 620 520 |
| 2003年 9月号 | 電子荷札規格統一 -ICタグ180社参加- | ユビキタスIDセンター | 日本経済新聞 (2003年6月18日PP.1) 朝日新聞 (2003年6月24日PP.1) | 極小のICチップ 128ビット | 530 660 |
| 2003年 9月号 | 映像解像度を2倍にするICを開発 | 新潟精密 筑波大 豊田自動織機 | 日経産業新聞 (2003年6月26日) | 周波数特性6MHzから13.5MHz程度まで改善 フルーエンシ理論 脳神経のインパルス応答をまねた関数 水平解像度 | 520 220 |
| 2003年 8月号 | 電子荷札規格統一
-ICタグ180社参加- | ユビキタスIDセンタ | 日本経済新聞 (2003年5月18日PP.1) 朝日新聞 (2003年5月24日PP.1) | 極小のICチップ 2の128乗けた | 530 660 |
| 2003年 7月号 | 次世代トランジスタ -IC消費電力1/10 漏電抑える- | Selete 早大 物材機構 他 | 日経産業新聞 (2003年4月11日PP.1) | MOSFETの絶縁膜改良 HfOを使う技術 次世代トランジスタ 消費電力1/10 | 160 220 |
| 2007年 3月号 | 線幅32nmLSI性能2倍に | 東芝 | 日経産業新聞 (2006年12月15日PP.10) | Si加工面に1%の歪を加えるn型トランジスタ 0.1%で解析 | 160 220 |
| 2007年 2月号 | 回路線幅55nmのシステムLSI量産技術 | NECエレクトロニクス | 日刊工業新聞 (2006年11月6日PP.1) | DRAM混載 液浸露光 ゲート絶縁膜上にハフニウム極薄膜 | 160 |
| 2006年12月号 | 素材別のUHF帯無線ICタグ | 凸版印刷 | 日経産業新聞 (2006年9月8日PP.3) | 素材別にアンテナの設計を変える 素材との干渉を減らし最適通信 | 340 |
| 2006年12月号 | 異種材料を分子間結合力で薄膜接合 | 沖電気 沖データ | 電波新聞 (2006年9月8日PP.1) | エピフィルムボンディング(EFB) 薄膜化したLEDアレイと駆動ICを結合 | 250 260 |
| 2006年 7月号 | 折り曲げ自在な次世代メモリー | セイコーエプソン | 日本経済新聞 (2006年4月4日PP.13) | FeRAM 電子ペーパー ICタグ フッ素系ポリマー 厚さ0.1mmのプラスチック基板上 | 120 230 |
| 2006年 7月号 | 線幅30μmの基板用樹脂剤 | 関西ペイント | 日経産業新聞 (2006年4月5日PP.1) | スクリーン印刷法 直径1μm以下の無機材料でレジスト剤の粘性を制御 ICタグ | 120 160 340 |
| 2006年 7月号 | ワンセグ受信LSI | メガチップス | 日経産業新聞 (2006年4月14日PP.1) | チャネル検索速度2.5～3秒 電波が弱いところでも受信するソフト技術 3.9mm角 | 340 220 620 |
| 2006年 6月号 | 1波長あたり100Gbpsの超高速光通信 | 沖電気 NICT | 日経産業新聞 (2006年3月15日PP.1) | 光分割多重で40Gbps光信号を束ねる 635kmの伝送 | 340 440 540 |
| 2006年 5月号 | 世界最小のICチップ | 日立 | 日経産業新聞 (2006年2月6日PP.8) | ミューチップ 0.15mm角 7.5μm厚 SOI技術 絶縁層で干渉を防止 素子の高集積化 | 160 220 340 |
| 2006年 4月号 | 非圧縮映像を6Gbpsで伝送実験 | NICT NTT NTTコミュニケーションズ | 日刊工業新聞 (2006年1月12日PP.8) 日経産業新聞 (2006年1月20日PP.11) | 35mm映画フィルムと同等のk高精細映像 JGN2 4k 6Gbps | 420 440 540 |
| 2006年 4月号 | 端子間配線間隔12μmのLCD駆動用ICのプリント基板 | 東レ | 日経産業新聞 (2006年1月20日PP.1) | エッチング工程の一部を工夫 銅メッキ膜を安定してエッチング | 160 250 |
| 2003年 6月号 | ICタグ -標準化団体「ユビキタスIDセンター」設立- | ユビキタスIDセンター | 日本経済新聞 (2003年3月8日PP.11) | ユビキタスIDセンター 規格名「ユビキタスID」 ICタグ | 230 530 340 |
| 2003年 6月号 | 人工知能LSI | 大阪府立大 | 日刊工業新聞 (2003年3月14日PP.4) | アリの行動様式に着目 | 520 220 |
| 2003年 5月号 | ICタグ(荷札)を規格統一 | 経済産業省 | 日本経済新聞 (2003年2月3日PP.1) 日本経済新聞 (2003年2月6日PP.3) | 研究会設置 128ビット 数ミリのICチップ | 530 |
| 2003年 5月号 | LSI微細化に伴う低消費電力化技術 | 日立 | 日刊工業新聞 (2003年2月12日PP.3) | 2電源方式回路技術と低消費電力回路技術 ウェル共有型素子 動作条件を最適化して低消費電力化 | 220 320 |
| 2003年 5月号 | 2GHz帯1チップ受信IC | 東芝 | 日刊工業新聞 (2003年2月13日PP.4) | DCオフセｯト変動60mV以下 SiGeBiCMOS技術 第3世代携帯に対応 | 220 240 |
| 2003年 5月号 | バッテリーレスの無線送受信装置 -0.5Vで動くLSI- -微小エネで無線送受信- | NEDO | 日刊工業新聞 (2003年2月21日PP.5) 日経産業新聞 (2003年2月25日PP.12) | 0.5-1Vで動作 体温差・照明光を利用 FD-SOI 送信側1mW 受信表示全体40mW | 440 220 |
| 2003年 5月号 | フラーレンから単層CNT生成 -極小の集積回路実現に道- | 東大 | 日刊工業新聞 (2003年2月24日PP.1) | C60 触媒CVD法 触媒にFe・Co合金 | 160 |
| 2003年 3月号 | DRAM混載システムLSI -65nm世代プロセス- | 東芝 ソニー | 日刊工業新聞 (2002年12月4日PP.8) 電波新聞 (2002年12月4日PP.1) | SoC向け スイッチング速度0.72ps(NMOS) 1.41ps(PMOS) 0.6μm;2のメモリーセル | 220 230 160 |
| 2003年 3月号 | 新チャネル構造 -ゲート長30nm以下でトランジスタ動作- | 東芝 | 日刊工業新聞 (2002年12月10日PP.4) | オン電流960μA/1μm 65nmプロセスシステムLSI用 プラズマ窒化したゲート酸化膜 スイッチング速度0.72ps(NMOS) 1.41ps(PMOS) | 160 220 |
| 2003年 3月号 | ICカード用メモリー材料 | 理科大 | 日経産業新聞 (2002年12月13日PP.10) | FeRAM用 100kV/cm電解 8μC/cm2 | 130 |
| 2003年 3月号 | 次々世代LSI用金属成膜技術 | 三菱重工 | 日刊工業新聞 (2002年12月16日PP.11) | 45nmプロセス用 MCR-CVD 塩素ガス利用 200～300℃で製膜可 | 160 |
| 2003年 3月号 | ICタグ用最小チップ -アンテナ機能付き- | 凸版印刷 | 日本経済新聞 (2002年12月27日PP.11) | 1mm四方の大きさで読取り機能を備えたアンテナ付き製品 2.45GHzと915MHzにも対応 | 220 340 |
| 2003年 1月号 | 高速MOS素子中の漏れ電流1/10000に低減 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2002年10月2日PP.5) | 高速MOS素子 接合漏れ電流 ヒ素イオン 携帯端末用LSI | 220 160 |
| 2003年 1月号 | HDTVの圧縮・伸張処理1チップ化に成功 -伝送装置を大幅小型化- | NTTコム NHK | 電波新聞 (2002年10月16日PP.3) 日刊工業新聞 (2002年10月16日PP.7) | HDTV・CODEC・LSIを世界で初めて開発 0.13μmCMOS技術 ハガキ大の基板サイズ 180×120mm | 220 320 420 520 |
| 2002年10月号 | システムLSI設計期間1/10に短縮 | 日立 | 日経産業新聞 (2002年7月2日PP.2) | システムLSI設計 レベルシフタ | 220 |
| 2002年10月号 | 多層カーボンナノチューブ 垂直成長させる技術 | 富士通研 | 日経産業新聞 (2002年7月8日PP.9) 電波新聞 (2002年7月8日PP.1) 日本工業新聞 (2002年7月8日PP.2) 日本経済新聞 (2002年7月8日PP.21) | 微細なLSI配線 φ:50nmL: 500nmのCNT CMOS･FETのシリサイド層上にて成長 電極にNiやCoを混入 CH4とH2の混合ガスによるプラズマCVD法 | 120 160 220 |
| 2002年 9月号 | 90ナノ世代システムLSIプロセス技術 -世界最小SRAMセル内蔵- | 三菱電機 松下電器 | 電波新聞 (2002年6月13日PP.1) | 140万トランジスタ/mm2 SRAMセルサイズ1.56μm×0.64μm KrF露光 90nmプロセス | 220 230 |
| 2002年 9月号 | LSIの消費電力を1/10に低減するトランジスタ | 松下電器 | 日本経済新聞 (2002年6月20日PP.11) | SiGeのナノ構造薄膜をSi基板に形成 0.5V動作 CMOSトランジスタ | 220 160 |
| 2002年 9月号 | LSIの識別技術 -電子指紋で識別- | 三菱電機 | 日経産業新聞 (2002年6月21日PP.10) | 人工指紋デバイス PolySiTFTのバラッキ利用 | 220 230 |
| 2002年 8月号 | 繊維混ぜ込み偽造防止 | ニッパツ | 日本経済新聞 (2002年5月3日PP.13) | 磁気繊維 ICカード 磁気パターンとIC内の情報を照合 | 230 260 430 520 |
| 2002年 8月号 | 暗号高速処理LSI開発 一行紹介 | 東芝 | 日本経済新聞 (2002年5月31日PP.17) | 電子署名 RSA | 220 520 |
| 2002年 7月号 | ラジオ受信機用動画LSI開発へ | 富士通 エフエム東京 | 日本経済新聞 (2002年4月8日PP.17) | 地上波デジタルラジオ TV7ch | 220 240 540 |
| 2002年 7月号 | システムLSI高速化技術 | 奈良先端大 | 日経産業新聞 (2002年4月23日PP.10) | 0.1mm角リング発信器 回路間で信号のやり取り可能 1GHz 動作 | 220 120 |
| 2002年 7月号 | 次世代メモリーMRAM -1Gb以上に- | 産総研 | 日本経済新聞 (2002年4月26日PP.17) 日刊工業新聞 (2002年4月26日PP.5) | 抵抗値変化幅従来の3倍 厚さ1nmのFe単結晶薄膜 TMR素子をシリコンLSI上に作製 | 210 230 |
| 2002年 7月号 | 超高集積チップへ道 -ナノチューブトランジスタ試作超LSI配線応用- | 富士ゼロックス NTT | 日本経済新聞 (2002年4月29日PP.15) | CNT 直径20nmリング | 120 220 |
| 2002年 6月号 | ASICプラットフォーム | NEC | 日経産業新聞 (2002年3月20日PP.7) | 設計期間半減 チップ下層部に汎用回路埋込み ISSP5層配線構造 | 220 |
| 2002年 6月号 | CT・MRI画像その場で立体化 | アシストコンピュータシステムズ | 日刊工業新聞 (2002年3月26日PP.1) | アイ・ビューア(I-Viewer) CT MRI DICOM | 420 430 |
| 2002年 5月号 | 集積回路の停電力化技術 ISSCC2002で発表 -低消費電力化技術- (No5 7と合わせる) | 日立 | 日刊工業新聞 (2002年2月5日PP.10) | 電源電圧制御 基板バイアス制御 マルチメディアDSP マルチメディア向けメモリーアーキテクチャ | 220 |
| 2002年 5月号 | 集積回路の停電力化技術 ISSCC2002で発表 -ディジタル家電向けCPU- (No4 7と合わせる) | 松下電器 | 日経産業新聞 (2002年2月5日PP.8) | 500mW 400MHz 線幅0.13μm 銅配線 分割並例信号処理 | 220 |
| 2002年 5月号 | 小型メモリー素子 -DRAM 後の中核技術 | 東芝 | 日本経済新聞 (2002年2月8日PP.17) | システムLSI DRAM トランジスタ下にキャパシタ 消費電力2.5倍 面積半分に | 220 230 |
| 2002年 4月号 | 光ディスク用ピックアップ -受光と光学素子一体化- | パイオニア | 日経産業新聞 (2002年1月11日PP.6) | 集積回路 光ICピックアップ 短冊状の切込み 切込みは凸レンズ状の曲線 工程1/10 | 210 230 |
| 2002年 3月号 | システムLSI高速化技術 | 東芝 | 日本経済新聞 (2001年12月21日PP.7) | オン・オフ切換時間5ps 基板内に空洞 ゲート長50nm 漏れ電流防止 | 220 160 |
| 2002年 2月号 | フォトニック結晶 -簡単・安価に作製- | NEC北米研究所 | 日刊工業新聞 (2001年11月16日PP.6) | 球形の合成オパール(シリカ) シリコンウェハ上に作製 Siのみで光IC | 160 |
| 2002年 1月号 | 超高速光ネットワークスイッチ -LSI-CMOS設計感覚で実装- | NEC | 日刊工業新聞 (2001年10月1日PP.9) | CMOS 40Gb/s LSI 分散処理用ネットワーク RHINET | 220 260 240 |
| 2002年 1月号 | 磁束量子使う新理論LSI | NEC | 日経産業新聞 (2001年10月1日PP.11) | 単一磁束量子回路 金属系超電導材料 微小ループ LSI設計法 | 220 120 620 |
| 2002年 1月号 | LSI間を光データ転送できる配線技術 | 沖電気 | 日経産業新聞 (2001年10月4日PP.7) 日刊工業新聞 (2001年10月4日PP.11) | 光配線基板 1.55μmの光源 石英基板 | 240 260 |
| 2001年12月号 | MPEG-2用LSI -高速・逆転再生可能に- | 三洋電機 | 日経産業新聞 (2001年9月26日PP.7) | 68mm四方のLSI 消費電力800mW 30枚/sのフル画像 | 520 220 |
| 2001年11月号 | ICカード用LSI -FeRAMを量産化- | 富士通 | 日本経済新聞 (2001年8月3日PP.13) 日経産業新聞 (2001年8月3日PP.7) 電波新聞 (2001年8月3日PP.1) 日刊工業新聞 (2001年8月3日PP.10) | FeRAM RISCCPU 0.35μmプロセス | 220 230 |
| 2001年11月号 | チップの上に光の集積回路 | NTT | 日本経済新聞 (2001年8月3日PP.17) | 光導波路 ナノテクノロジー 光通信 1.3～1.6μmの光で確認 Si基板 | 240 160 |
| 2001年11月号 | 超小型で高音質コンデンサ型ICマイク | NHK | 日刊工業新聞 (2001年8月7日PP.5) | 厚さ5μmの振動膜 コンデサン型ICマイク 2 角 | 310 210 |
| 2001年11月号 | ブロードバンド用のデータ・通信処理一体化LSI | メガチップス | 日経産業新聞 (2001年8月23日PP.8) | MPEG-4 インタネット システムLSI | 220 |
| 2001年10月号 | JPEG2000対応LSI | リコー | 日経産業新聞 (2001年7月3日PP.1) | 静止画圧縮 動画対応 複数解像度対応 | 520 220 |
| 2001年10月号 | 光電子融合システム -Siと化合物半導体を無転位で一体化- | 豊橋技科大 | 日刊工業新聞 (2001年7月24日PP.7) | 光電子融合IC GaPN 分子線エピタキシー 同一格子定数 | 160 |
| 2001年 8月号,9月号 | 世界最小粉末状ICチップ | 日立 | 日本経済新聞 (2001年6月28日PP.1) 日経産業新聞 (2001年6月29日PP.9) | 0.4×0.4×0.06mm 無線ICチップ 128bROM 紙に埋め込み可能 | 220 340 |
| 2001年 7月号 | 似顔絵と泣き・笑いなど生成・変形技術 | 三菱電機 | 電波タイムズ (2001年5月7日PP.7) | インテリジェントイメージセンサ 人工網膜LSI 似顔絵アルゴリズム | 520 620 210 |
| 2001年 6月号 | 人工網膜LSIで似顔絵 | 三菱電機 | 日刊工業新聞 (2001年4月25日PP.11) 日経産業新聞 (2001年4月25日PP.3) | 画像センサ用LSI | 210 220 620 |
| 2001年 5月号 | W-CDMA対応LSI | 日立 | 日経産業新聞 (2001年3月15日PP.10) | 低消費電力 ベースバンドモデム 配線幅0.25μm 13mm角 384kbps | 220 |
| 2001年 4月号 | 画像認識が10倍速いLSI | 広島大 | 日経産業新聞 (2001年2月8日PP.12) | 画像認識速度10倍 | 220 620 |
| 2001年 4月号 | ワンチップシステムLSI -デジタルカメラ高速連写- | 三洋電機 | 日経産業新聞 (2001年2月22日PP.1) | 200万画素 15frame/s | 220 |
| 2001年 4月号 | 電磁波発生防ぐIC | 米パルス・コア | 日経産業新聞 (2001年2月12日PP.1) | クロックのタイミングを調整する EMC対策 | 220 |
| 2001年 4月号 | 携帯端末で複数動画処理 | 松下電器 | 日経産業新聞 (2001年2月7日PP.11) | 複数動画処理可能なLSI MPEG-4準拠 0.18μmCMOS 同時に2画像圧縮 4画像伸長 | 220 520 |
| 2001年 3月号 | Si LSIで量子計算 | 東大 | 日刊工業新聞 (2001年1月24日PP.7) | エミュレータ グローバの量子アルゴリズム | 320 420 |
| 2001年 3月号 | 電子状態を瞬時に変化させる光磁石 | 東大 | 日経産業新聞 (2001年1月23日PP.10) | 光で磁性を制御 金属錯体化合物 Fe Co プルシャンブルー 電子スピン状態 光で変化 ICの安定状態 スイッチング時間10の7乗秒 | 120 |
| 2001年 3月号 | インタフェースLSI -1チップで接続- | 松下電器 | 日本工業新聞 (2001年1月18日PP.7) | IEEE1394 LSI DTCP | 220 |
| 2001年 2月号 | 低雑音増幅IC | 沖電気 | 電波新聞 (2000年12月21日PP.6) | 38GHz帯 60GHz帯 P-HEMT構造 | 240 340 |
| 2001年 2月号 | 画像圧縮の新LSI | 米アナログ・デバイセズ | 日経産業新聞 (2000年12月18日PP.7) | JPEG2000 ウェーブレット 1/100圧縮 | 220 520 |
| 2001年 2月号 | LSI電流漏れ30%減 | 東芝 | 日経産業新聞 (2000年12月12日PP.9) | 超微細粒子制御クリーニング技術 重水素 | 160 220 |
| 2001年 2月号 | 新しい銅配線構造 -動作速度1.7倍に- | NEC | 電波新聞 (2000年12月12日PP.6) | ロジックLSI デュアルダマシン | 160 220 |
| 2001年 2月号 | ICチップの直接装着 | 新日鉄 | 日経産業新聞 (2000年12月6日PP.9) | ハンダボール 超音波振動で整列 フリップチップ | 260 |
| 2001年 2月号 | システムLSI -設計期間1/4に短縮- | シャープ | 日経産業新聞 (2000年12月6日PP.1) | C言語回路設計 冗長な演算・変数除去を自動化 CAD | 620 |
| 2001年 1月号 | 電源分離に新線路素子技術 -低インピーダンス 広い周波数帯で実現- | NEC | 日刊工業新聞 (2000年11月17日PP.7) | LSI 電源分離 | 220 |
| 2000年11月号 | 送受信モジュール -次世代規格に対応- | シリコンマジック | 日経産業新聞 (2000年9月7日PP.1) | Bluetooth 送受信モジュール プロトコル処理 LSI | 340 |
| 2000年11月号 | 40Gbpsの光受信機 | 日立 | 日本経済新聞 (2000年9月2日PP.13) | 40Gbps 全IC化 SiGeとInP 消費電力8.6kW | 240 340 |
| 2000年 6月号 | ニューロLSIを小形化する新手法 -面積1/10に- | デンソー | 日本経済新聞 (2000年4月29日PP.13) | シグモイド関数 確率関数 ニューロLSI | 220 520 |
| 2000年 5月号 | DRAM混載システムLSI -58.8GB/sでデータ送受信- | 三菱電機 | 日経産業新聞 (2000年3月23日PP.1) | DRAM LSI DRAM混載システムLSI | 220 |
| 2000年 4月号 | 「B-CAS」が発足 -BSデジタル放送の双方向技術基準などの運用管理- | B-CAS | 電波新聞 (2000年2月22日PP.2) 日刊工業新聞 (2000年2月22日PP.1) | BSデジタル放送 CAS 双方向サービス 受信確認 ICカード 限定受信システム | 540 640 |
| 2000年 4月号 | 最速トランジスタ -40Gbpsの信号処理- | 日立 | 日経産業新聞 (2000年2月8日PP.5) | 光通信向けIC 周波数変換IC ヘテロ接合バイポーラトランジスタ Si-GeHBT 最小線幅0.2μm | 220 |
| 2000年 3月号 | 従来形集積回路の1/10未満の実装面積を実現 | NTT | 電波タイムズ (2000年1月19日PP.1) | 半導体光集積回路 WDM 光通信 | 240 |
| 2000年 3月号 | LSI 3次元集積化技術 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2000年1月19日PP.7) | 3次元LSI 3次元集積化技術 マイクロマシン 3次元イメージセンサ | 210 160 |
| 2000年 3月号 | 新CDV法を確立 -0.1μmのトランジスタ- | 豊田工大 | 日経産業新聞 (2000年1月14日PP.5) 日刊工業新聞 (2000年1月14日PP.5) | LSI Si窒化薄膜 電子ビーム プラズマ ゲート絶縁膜 0.1μmルール半導体製造 低温 低圧力 | 160 |
| 2000年 1月号 | シリコン酸化膜形成の仕組み解明 | NTT | 日経産業新聞 (1999年11月4日PP.4) | Si酸化膜 LSI | 120 160 |
| 2001年 1月号 | 電源分離に新線路素子技術 -低インピーダンス 広い周波数帯で実現- | NEC | 日刊工業新聞 (2000年11月17日PP.7) | LSI 電源分離 | 220 |
| 1999年12月号 | CDの音質向上に新技術 | 日本ビクター | 日経産業新聞 (1999年10月22日PP.6) 電波タイムズ (1999年10月27日PP.7) | LSI CD DVD | 520 |
| 1999年11月号 | CG画像の処理最速LSI量産 -プレステ2向けの1.5倍- | リアルビジョン | 日経産業新聞 (1999年9月10日PP.1) | 9.1GFLOPS 3DCG専用画像処理LSI | 220 |
| 1999年11月号 | アナログ進化形半導体LSI -「進化」利用して設計- | 電総研 旭化成マイクロシステム | 日刊工業新聞 (1999年9月15日PP.5) 日経産業新聞 (1999年9月16日PP.5) | 遺伝的アルゴリズム アナログLSI 性能調整機能 小形化 省電力化 中間周波数フィルタ設計 回路面積約4割 消費電力約6割 | 520 220 |
| 1999年10月号 | カラー人工網膜LSI -携帯機器などに応用- | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1999年8月3日PP.5) | 人工網膜LSI CMOSセンサ カラー人工網膜LSI CMOS | 210 |
| 1999年10月号 | 光IC用微小ビーズ -自由な方向に光伝える- | 東大 | 日本経済新聞 (1999年8月23日PP.17) | 微小ビーズ ポリスチレン 光素子 光コンデンサ 光スイッチ | 240 140 |
| 1999年 8月号 | 光の人工分子を作製 -光ICの超小形化に道- | 東大 | 日刊工業新聞 (1999年6月7日PP.11) | ポリスチレン微小球 4μm WGM レーザ 光スイッチ | 120 140 240 |
| 1999年 8月号 | デジタルテレビ用LSI | 松下電器 | 日本工業新聞 (1999年6月9日PP.14) | デジタル放送 | 220 |
| 1999年 8月号 | 球面半導体を利用したICタグ | ボールセミコンダクタ 日立マクセル | 日経産業新聞 (1999年6月11日PP.1) | 直径1mm 10円以下 | 340 440 |
| 1999年 8月号 | 0.10μmのプロセスルールで新技術 -待機消費電力1/10以下- | 富士通研 | 日本工業新聞 (1999年6月16日PP.4) | LSI | 220 |
| 1999年 7月号 | LSI回路パターン用微細加工技術 -超臨界流体使い洗浄- | NTT | 日経産業新聞 (1999年5月21日PP.5) | 超臨界流体 LSI洗浄 液化二酸化炭素 | 160 |
| 1999年 7月号 | 次世代LSI用分子性レジスト -線幅0.04μm- | 阪大 | 日本工業新聞 (1999年4月30日PP.17) | 電子線照射 新規化学増幅形分子性レジスト(BCOTPB) アモルファス薄膜 | 160 |
| 1999年 6月号 | 光トランジスタ -光通信波長帯で動作- | 豊田工大 日本山村硝子 | 日刊工業新聞 (1999年4月16日PP.7) | NAND動作 光信号反転器 光増幅効果 波長1.5μm帯 エルビウムイオン 負性非線形吸収効果(NAA効果) 光IC 希土類 低電力 高速 増幅 | 220 |
| 1999年 6月号 | 世界初の球面集積回路 -球状半導体にIC形成- | 米ボールセミコンダクタ | 日本経済新聞 (1999年4月6日PP.11) 日刊工業新聞 (1999年4月13日PP.11) | 球面集積回路 球状Si N形MOS 球状半導体 インバータ回路 | 220 260 160 |
| 1999年 5月号 | 0.1μmプロセス用絶縁材料 -2GHz動作のLSI実現- | 富士通研 | 電波新聞 (1999年3月30日PP.1) | 2GHz動作 0.1μmプロセス用絶縁材料 ナノキャビティ技術 層間絶縁膜誘電率1.98 アリサイクリックモノマ | 220 120 160 |
| 1999年 4月号 | LSI遠隔操作で性能評価 | NTT | 日経産業新聞 (1999年2月23日PP.5) | 超高圧電子顕微鏡 | 360 440 |
| 1999年 4月号 | 次世代LSI向けFeRAM -消費電力1/5 面積半分に- | 松下電子 | 日経産業新聞 (1999年2月18日PP.1) | FeRAM | 230 |
| 1999年 4月号 | テレビ用音響制御LSI | ローム | 日本工業新聞 (1999年2月9日PP.4) | 音響制御LSI | 220 |
| 1999年 4月号 | 3次元Y/C分離LSI -10bA/D変換器内蔵- | NEC | 日本工業新聞 (1999年2月3日PP.4) | Y/C分離LSI | 220 |
| 1999年 3月号 | 高温超伝導 -集積回路実現へ突破口- | NEC | 朝日新聞 (1999年1月3日PP.3) | 高温超伝導 絶縁バリア層 ジョセフソン接合 集積回路 | 120 160 220 |
| 1999年 2月号 | 超高速・高機能ネット技術 | 日立製作所 NEC 古河電工 住友電工 | 日本経済新聞 (1998年12月22日PP.11) | インタネット ルータ コンソーシアム「RIC」 スーパコンピュータ技術 超高性能並列技術 | 340 |
| 1999年 2月号 | 消費電力1/25の新MOS型FET | シャープ | 日経産業新聞 (1998年12月11日PP.4) | 動作電圧0.5V MOSFET ロジックLSI LCSED-DTMOS 寄生容量65%伝送 | 220 |
| 1999年 2月号 | 書込み速度50倍のフラッシュメモリー | 松下電器産業 松下電子 ヘイロLSI社 | 日本経済新聞 (1998年12月7日PP.17) 電波新聞 (1998年12月7日PP.1) | ゲート間距離40nm 書込み200ns 書込み電圧5V バリスティック型トランジスタ 高効率エレクトロン | 220 230 |
| 1999年 1月号 | 30%高速化した次世代LSI -絶縁膜に新材料- | 富士通研 | 日経産業新聞 (1998年11月26日PP.5) | LSI 絶縁膜 二酸化ケイ素 水素シルセスキオキサン(HSQ) | 160 120 |
| 1999年 1月号 | 人工網膜LSI使用の無線カメラ | 三菱電機 | 電波新聞 (1998年11月6日PP.5) 日刊工業新聞 (1998年11月6日PP.5) | 人工網膜LSI 監視カメラ CDMA | 310 340 520 |
| 1998年12月号 | 小型高性能ミリ波帯IC -Siに3次元- | 松下通信工業 松下技研 | 日刊工業新聞 (1998年10月15日PP.5) | ミリ波IC | 220 |
| 1998年12月号 | 次世代携帯電話用LSIの新素子構造 | 東芝 | 日経産業新聞 (1998年10月1日PP.5) | 携帯電話 通信LSI 素子構造 | 220 160 |
| 1998年11月号 | 半導体の新素子構造 -高速動作維持し微細化- | 富士通研 | 日経産業新聞 (1998年9月7日PP.5) | IC ゲート | 220 |
| 1998年 8月号 | 超小型トランジスタ -金属使い集積度100倍- | 北陸先端院大 海軍研究所(米) | 日本経済新聞 (1998年6月22日PP.19) | 金属製トランジスタ トンネル効果 高集積 LSI 高集積化 | 220 120 |
| 1998年 8月号 | 次世代LSI用配線技術 | 東芝 | 日経産業新聞 (1998年6月19日PP.4) | 抵抗 容量減少 ニオブ 絶縁膜に配線用溝と接続用の孔 ニオブを使用 抵抗3～5割 静電容量4割程度削減 | 160 |
| 1998年 6月号 | 配線技術 -次世代高速ロジックLSI実現へ- | 富士通研 | 日経産業新聞 (1998年4月14日PP.5) | 有機高分子 絶縁膜 | 220 160 |
| 1998年 6月号 | 電流変化を高速測定できる集積回路 | NEC | 日経産業新聞 (1998年4月6日PP.5) | イットリウム系高温超電導体 サンプラ SQUID 25K動作で5psごとに2.5μAを識別 | 220 660 |
| 1998年 6月号 | 画像処理LSI -MPEG-2対応で1チップ- | GCL | 日本工業新聞 (1998年4月2日PP.4) | MPEG-2 | 220 520 |
| 1998年 6月号 | LSIチップ間の高速信号伝送技術 | 富士通 富士通研 富士通 VLSI | 電波新聞 (1998年4月2日PP.28) | PRDクロック配晶 | 220 230 |
| 1998年 5月号 | 高分解能磁界プローブ -LSI電流分布非接触で計測- | NEC | 日刊工業新聞 (1998年3月11日PP.8) | 磁界プローブ 方形構造 非接触計測 EMI 高分解能磁界プローブ | 320 |
| 1998年 4月号 | 家庭用高速通信ネット向け IC -2.5Gbpsの信号受信- | NEC | 日本工業新聞 (1998年2月10日PP.17) | 光IC CMOS 高速データ通信 | 220 240 |
| 1998年 4月号 | 最小幅で2GHz動作のLSI | 東芝 | 日経産業新聞 (1998年2月9日PP.5) | 0.09μm 閾値制御 | 220 |
| 1998年 4月号 | 新型メモリー -1Tb級も可能- | 日立製作所 | 日本経済新聞 (1998年2月7日PP.11) | LSI試作 1Tb級も 単一電子メモリー 1Tb LSI化 | 230 |
| 1998年 4月号 | 世界最高速IC | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1998年2月5日PP.6) | 遮断周波数100GHz Si系HBT HBT 最大発振周波数100GHz 8psの伝搬遅延時間 40～50Gbpsの光伝送システム用 | 220 |
| 1998年 4月号 | 画像圧縮 伸長LSI -MPEG-4に対応- | 東芝 | 日経産業新聞 (1998年2月5日PP.5) 日本工業新聞 (1998年2月5日PP.4) | MPEG-4 LSI | 220 520 |
| 1998年 3月号 | システムLSI高集積化を実現する新基板構造 | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1998年1月22日PP.5) | システムLSI | 220 230 |
| 1998年 3月号 | 高移動度連続粒界結晶Si半導体 | シャープ半導体エネルギー研究所 | 日本経済新聞 (1998年1月14日PP.13) 日刊工業新聞 (1998年1月14日PP.13) 電波新聞 (1998年1月14日PP.1) 日本工業新聞 (1998年1月14日PP.4) | CGS 液晶 システムオンパネル 電子移動度300cm2/Vs フルディジタル駆動 ディスプレイ シートコンピュータ 連続粒界結晶Si 高移動度 131万画素2.6型TFT液晶 Si 高速LSI | 250 220 |
| 1998年 3月号 | 地上波デジタル放送の受信用LSI | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1998年1月8日PP.1) | 地上波デジタル放送 受信用LSI 1チップ | 540 220 520 |
| 1998年 3月号 | 米の次世代地上デジタル放送受像機用半導体チップ | 三菱電機 米ルーセントテクノロジー | 電波新聞 (1998年1月7日PP.1) | 受信用IC 5チップ | 220 520 540 |
| 1998年 3月号 | 自ら回路を組替え蓄えるIC-状況に応じ進化- | 名大 名工大 他 | 日本経済新聞 (1998年1月5日PP.19) | 論理回路 遺伝子アルゴリズム IC 自ら組替え 遺伝的アルゴリズム | 220 520 |
| 1998年 2月号 | 画像表示用LSI | ヤマハ | 日本工業新聞 (1997年12月8日PP.5) | 画像表示用LSI | 220 |
| 1998年 1月号 | 超広帯域ベースバンドIC | NEC | 日刊工業新聞 (1997年11月11日PP.7) | 広帯域IC GaAsヘテロバイポーラ(HBT) | 220 |
| 1997年12月号 | 新感光性樹脂 -微細加工可能に- | 東芝 | 日経産業新聞 (1997年10月3日PP.5) | フォトレジスト 1Gb級LSI | 160 |
| 1997年12月号 | 画像処理IC -多放送方式に対応- | グラフィック ミュニケーション | 日本経済新聞 (1997年10月2日PP.1) | デジタル放送 画像処理 BS-4 | 540 220 520 |
| 1997年11月号 | 160新半導体 -半導体の配線に銅を使用- | IBM | 日本経済新聞 (1997年9月23日PP.11) 読売新聞 (1997年9月24日PP.10) | 銅配線ICの量産技術 高速CMOSロジック用 半導体 同配線 | 220 160 |
| 1997年11月号 | 高速通信用LSI基本回路 -消費電力1/5- | NEC | 日経産業新聞 (1997年9月11日PP.5) | フリップフロップ CMOS | 220 |
| 1997年11月号 | システムLSI -家庭用テレビ ネット家電に- | 米IGS | 日経産業新聞 (1997年9月3日PP.1) | フリッカ解消 方式変換 インタネットテレビ | 320 220 |
| 1997年 9月号 | 次世代の携帯電話受信用IC | 鷹山 NTTドコモ | 日本経済新聞 (1997年7月28日PP.16) | CDMA ニューロ マッチトフィルタ 消費電力30mW | 220 520 |
| 1997年 9月号 | LSI消費電力13～30%低減技術 | 東大 | 日経産業新聞 (1997年7月22日PP.5) | LSI | 220 |
| 1997年 9月号 | 厚さ最小のLSI用絶縁膜 | 東芝 | 日経産業新聞 (1997年7月18日PP.6) | LSI 絶縁膜 1.5nm 消費電力1/18 | 220 160 |
| 1997年 9月号 | 超小型ICメモリーカード | ソニー 他 | 電波新聞 (1997年7月17日PP.1) | メモリースティック メモリーカード | 230 |
| 1997年 9月号 | CSデジタル放送受信機用新IC -CS3放送，受信機1台で- | 米LSIロジック | 日経産業新聞 (1997年7月8日PP.1) | CSデジタル放送 IC | 240 |
| 1997年 9月号 | プログレッシブLSI -高画質画像フォーマット変換1チップで実現- | 日立製作所 | 電波新聞 (1997年7月1日PP.1) | プログレッシブLSI スケーリング機能 プログレッシブ | 220 520 |
| 1997年 8月号 | 地上波デジタル放送 -受信機チップで2提携- | 米LSIロジック BBC | 日経産業新聞 (1997年6月20日PP.9) | 地上波デジタル放送 受信機用チップ | 220 520 340 |
| 1997年 8月号 | ローパワーLSI技術 | 松下電器産業 NTT | 電波新聞 (1997年6月12日PP.1) | DSP 16bDSP 内部電圧1.2V 20MHz 12mW MTCMOS 最小動作電圧検出 | 220 |
| 1997年 8月号 | 低雑音増幅器用IC -155GHzで利得12.5dB- | 米TRW | 電波新聞 (1997年6月2日PP.2) | InP IC | 220 |
| 1997年 7月号 | CATVデジタル放送の技術標準 | 日本CATV技術協会 | 日刊工業新聞 (1997年5月30日PP.1) 日刊工業新聞 (1997年5月30日PP.9) | 限定受信 ICカード MPEG-2 | 440 540 |
| 1997年 6月号 | MPEG-2対応LSI | ソニー | 日経産業新聞 (1997年4月10日PP.10) | 動画符号化 圧縮装置 MPEG-2 エンコーダ LSI 1チップ化 | 520 220 |
| 1997年 5月号 | LSI平坦化技術 | NTT 触媒化成工業 | 日刊工業新聞 (1997年3月5日PP.5) | 層間絶縁膜シート 加熱加圧転写 | 160 |
| 1997年 4月号 | カラー動画高速伝送可能な画像圧縮用LSI | 東北大 | 日本経済新聞 (1997年2月24日PP.19) | 電話回線 30画面/s ベクトル量子化 並列処理 | 220 250 |
| 1997年 4月号 | 光伝送用LSI -消費電力1/10に- | NTT | 日経産業新聞 (1997年2月19日PP.5) | 光伝送 LSI 光伝送用LSI バイポーラトランジスタ | 240 |
| 1997年 4月号 | ディジタルビデオカメラ用 LSI -イメージセンサと画像処理を1チップ化- | 松下電器産業豊橋技科大 | 電波新聞 (1997年2月8日PP.1) 日経産業新聞 (1997年2月13日PP.5) | CMOS 128×128画素 イメージセンサ内蔵 DCT | 210 520 220 |
| 1997年 4月号 | ATM用LSI -スイッチ速度4倍- | NTT | 日経産業新聞 (1997年2月7日PP.5) | ATM LSI SOI | 240 |
| 1997年 4月号 | マルチメディア処理専用 LSI -2つの命令同時に処理- | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1997年2月7日PP.5) | LSI DSP | 220 |
| 1997年 4月号 | 1チップMPEG-2エンコーダLSI | NEC | 電波新聞 (1997年2月6日PP.7) 日本経済新聞 (1997年2月6日PP.13) 日刊工業新聞 (1997年2月6日PP.7) | MPEG-2 エンコーダ 2.5V動作 | 520 220 230 |
| 1997年 2月号 | データ駆動型IC -メディアプロセッサ市場に参入- | シャープ | 日経産業新聞 (1996年12月30日PP.1) | データ駆動方式 メディアプロセッサ | 220 |
| 1997年 2月号 | MPEG-4対応画像処理ボード -次世代の画像圧縮技術- | 松下電器産業 松下電子 | 日経産業新聞 (1996年12月25日PP.1) | MPEG-4 ウェーブレット変換 動画圧縮技術 LSI | 520 220 |
| 1997年 2月号 | 電圧0.6Vで動作するロジックLSI | シャープ | 日経産業新聞 (1996年12月12日PP.5) | LSI MOS FET ロジックLSI MOS型FET 低電圧動作 0.6V 3層構造チャンネル ゲート膜厚2.8nm 0.6V動作 低漏波電流形状 低電圧 MOSFET | 220 |
| 1997年 2月号 | 混載LSI向け配線形成技術 | 富士通研 | 日経産業新聞 (1996年12月11日PP.5) 電波新聞 (1996年12月11日PP.5) | プラグ アスペクト比8 ビアホール アルミニウム DRAM MPU | 260 220 230 |
| 1997年 1月号 | 携帯電話から動画送信できるLSI -1チップで1秒5～15枚- | NEC | 日経産業新聞 (1996年11月1日PP.5) | 音声用DSP 高速アルゴリズム LSI 低消費電力 | 220 520 |
| 1996年11月号 | LSI高集積化に新絶縁技術-多孔質膜で誤動作防止- | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1996年9月12日PP.5) | SOG中に空孔 誘電率2/3倍 速度25%向上 消費電力27%減 | 160 220 |
| 1996年11月号 | 面発光レーザ -連続発振に成功- | 名工大 | 日経産業新聞 (1996年9月3日PP.5) | OEIC 844nm | 250 |
| 1996年10月号 | 半導体ウェハ -平坦度2倍に- | 松下電器産業 松下電子 | 日経産業新聞 (1996年8月20日PP.5) | CMP 加圧リング 化学的機械研磨 多層LSI 凹凸0.05μm以内 | 160 |
| 1996年10月号 | 高解像度スタジオハンディカメラ -3方式に対応，フルディジタル化- | 池上通信機 | 電波新聞 (1996年8月9日PP.6) | ハイビジョン ワイドクリアビジョン NTSC ハイディジタル ハイディフィニションスタジオ/ハンディカメラ ディジタルプロセスIC | 310 |
| 1996年10月号 | ほぼチップサイズのLSI樹脂パッケージ | シャープ | 電波新聞 (1996年8月1日PP.5) | CSP | 260 |
| 1996年 9月号 | 画像処理素早く実行できる集積回路 | 東大 | 日経産業新聞 (1996年7月8日PP.5) | 1ms処理 | 210 520 |
| 1996年 8月号 | 高速光通信用IC -40Gb/Sの信号増幅- | NEC | 日経産業新聞 (1996年6月26日PP.5) | 光通信 増幅 IC | 220 |
| 1996年 8月号 | Siで次世代素子 -混載LSI実現に道- | 東芝 | 日経産業新聞 (1996年6月24日PP.5) | トンネル効果 Si | 220 |
| 1996年 8月号 | 次世代高速LSI向け新銅線配線技術 | 三菱電機 | 電波新聞 (1996年6月20日PP.11) 日経産業新聞 (1996年6月20日PP.5) 日刊工業新聞 (1996年6月20日PP.7) | 銅配線 バリアメタル 寿命1000倍 電気抵抗Alの60% | 160 |
| 1996年 8月号 | 漢字認識率99.9%のニューロLSI | 松下電器産業 | 電波新聞 (1996年6月14日PP.5) 日経産業新聞 (1996年6月14日PP.1) 日刊工業新聞 (1996年6月14日PP.11) | 適応増殖型ディジタルニューロLSI 認識率99.9% 50文字/s 適応増幅型 ニューロ 3000字学習時認識率99.9% 1チップで16384字認 識 | 520 220 |
| 1996年 8月号 | 超高速LSI配線技術 | NEC | 日刊工業新聞 (1996年6月12日PP.8) | 超高速LSI 配線技術 低誘電率 | 260 220 |
| 1996年 8月号 | MPEG-1の動画圧縮慎重LSI -世界初の1チップ化- | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1996年6月5日PP.11) | MPEG-1 リアルタイムコーデック 1チップLSI | 220 520 |
| 1996年 8月号 | STB用チップセット | 米LSIロジック | 日経産業新聞 (1996年6月3日PP.11) | ディジタル衛星放送 セットトップボックス チップセット デコーダ | 220 340 |
| 1996年 7月号 | DVD対応LSI -MPEG-2デコーダ1チップ化- | 松下電器産業 松下電子 | 電波新聞 (1996年5月14日PP.1) 日経産業新聞 (1996年5月14日PP.9) | DVD MPEG-2デコーダ LSI | 220 520 |
| 1996年 7月号 | CMOSで1Gbpsのデータ伝送 | LSIロジック | 日経産業新聞 (1996年5月8日PP.1) | CMOS 超高速データ伝送 ASIC用コアロジック 送受信を4線で イーサネット ATM対応 シリアルリンク | 220 240 540 |
| 1996年 6月号 | 高性能 高画質のビデオコーデック -LSI化へ新方式- | NEC | 日刊工業新聞 (1996年4月9日PP.1) | MPEG-2 VIT信号 DVC並 S/N 色解像度向上 | 520 |
| 1996年 5月号 | 放送局用MPEG-2エンコーディング | ソニー | 日経産業新聞 (1996年3月14日PP.10) | MPEG-2 LSI | 440 520 |
| 1996年 4月号 | 近赤外レーザ利用のLSI欠陥検査 | NEC | 日経産業新聞 (1996年2月29日PP.5) | 検査技術 近赤外レーザ | 660 250 |
| 1996年 4月号 | 光通信の信号処理用IC -SiCMOSで作製- | NEC | 日経産業新聞 (1996年2月16日PP.5) | 光通信 Si LSI CMOS MUX/DEMUX 3Gbps | 220 240 |
| 1996年 4月号 | パソコン画像にIC1個でテレビ変換 | 米アイテックインターナショナル | 日経産業新聞 (1996年2月11日PP.1) | スキャンコンバータ | 320 220 |
| 1996年 4月号 | ミリ波フリップチップIC技術 -50GHz帯MFICアンプ試作- | 松下電器産業 松下電子 | 電波新聞 (1996年2月10日PP.1) | 誘電体 ミリ波 MFIC | 220 260 |
| 1996年 4月号 | 高集積メモリー -ISSC開幕，LSI閾値制御競う- | 三菱電機 東芝 NEC NTT | 日経産業新聞 (1996年2月9日PP.4) 電波新聞 (1996年2月9日PP.1) 日刊工業新聞 (1996年2月9日PP.6) 日刊工業新聞 (1996年2月9日PP.9) 日刊工業新聞 (1996年2月16日PP.5) 日経産業新聞 (1996年2月19日PP.5) | DRAM 1Gb シンクロナスDRAM 8bADC 1.5V動作 15MSPS 8mW 3揮発性メモリー 1Mb 変調閾値制御 閾値 CMOS DCT ADC | 230 220 660 520 |
| 1996年 4月号 | 次世代端末用LSI | NTTドコモ 鷹山 | 日経産業新聞 (1996年2月6日PP.1) | CDMA ディジタル携帯電話 アナログ ニューロ | 520 220 |
| 1996年 4月号 | 世界最高FDD -名刺大のICカードと同サイズ- | 三菱電機 | 日刊工業新聞 (1996年2月6日PP.1) | 1.7インチFD PCMCIAタイプ 45g FDD | 230 330 |
| 1996年 3月号 | 単一電子メモリー -LSI化にメド- | 日立製作所 | 日本経済新聞 (1996年1月13日PP.10) | 単一電子メモリー 大容量 1Tb級メモリー | 230 120 |
| 1995年11月号 | マルチ デマルチプレクサLSI -超低電圧 高速化に成功- | NEC | 日刊工業新聞 (1995年9月21日PP.7) | 0.7V 2.4Gbps MUX/DEMUX | 220 |
| 1995年 9月号 | 高熱伝導性の封止樹脂 -発熱の大きな大型ASICをプラスチックでパッケージ- | 東芝 | 日刊工業新聞 (1995年7月5日PP.7) | エポキシ樹脂+複合セラミック 4W/mケルビン | 160 260 |
| 1995年 9月号 | 3次元画像処理LSI | 富士通 | 電波新聞 (1995年7月4日PP.5) | 画像処理 LSI | 520 220 |
| 1995年 8月号 | 京都の「LSIシンポジウム」開幕 -DRAMの省電力化- | 東芝 三菱電機 NEC | 日経産業新聞 (1995年6月11日PP.4) | DRAM ビット線の小電力ドライブ手法 | 220 230 |
| 1995年 8月号 | 変速再生できるMPEG-1デコーダLSI -動画像再生4倍速でも滑らか- | 三洋電機 | 電波新聞 (1995年6月8日PP.2) 日経産業新聞 (1995年6月8日PP.5) | MPEG-1 変速再生 IC | 520 220 |
| 1995年 8月号 | ミリ波を雑音半減で増幅できるIC | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1995年6月2日PP.1) | ミリ波 集積回路 低雑音増幅器 | 220 |
| 1995年 7月号 | ヘテロ接合FETを搭載した衛星用増幅器 -高出力 高効率- | NEC | 電波新聞 (1995年5月12日PP.1) 日経産業新聞 (1995年5月12日PP.5) 日本工業新聞 (1995年5月12日PP.2) 電波新聞 (1995年5月12日PP.5) | 高周波IC 通信衛星 FET 12GHz 10W | 220 240 |
| 1995年 6月号 | 動きベクトル検出LSI | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1995年4月28日PP.5) | 動きベクトル検出LSI MPEG-2 | 520 220 |
| 1995年 6月号 | 面方位異なる半導体材料接着技術 | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1995年4月7日PP.5) | OEIC 半導体レーザ | 220 160 |
| 1995年 6月号 | LSI配線を銅で形成する技術 -信号遅延解消へ- | 東芝 | 日経産業新聞 (1995年4月2日PP.4) | LSI配線 銅 信号遅延 カメラ | 160 |
| 1995年 5月号 | EDTV-II識別信号検出用IC | 東芝 | 電波新聞 (1995年3月25日PP.5) | EDTV-II | 420 220 |
| 1995年 4月号 | MPEG-2デコーダLSI -量産体制確率- | NEC | 電波新聞 (1995年2月25日PP.6) | MPEG2 デコーダIC LSI IC | 220 520 |
| 1995年 4月号 | 交換機関伝送用LSI -光信号で交換機直結- | NTT | 日経産業新聞 (1995年2月24日PP.5) | 光伝送 光スイッチ LSI 交換機 3.5Gbps | 340 240 220 |
| 1995年 4月号 | MPEG-2対応動画圧縮 IC | 三菱電機 | 日本経済新聞 (1995年2月18日PP.10) 電波新聞 (1995年2月20日PP.7) 日刊工業新聞 (1995年2月20日PP.6) | MPEG2 エンコーダ 動きベクトル検出 LSI 符号化 | 520 220 |
| 1995年 4月号 | 六角柱半導体レーザ | NTT | 日刊工業新聞 (1995年2月20日PP.6) | 六角柱半導体レーザ(HFLD) 光電子回路(OEIC) | 250 |
| 1995年 3月号 | Si結晶の表面構造変化 -電気抵抗1/1000に激減- | 東大 | 日経産業新聞 (1995年1月20日PP.5) | Si 結晶表面構造 電気抵抗1/1000 Si結晶の表面構造変化 Si結晶 結晶構造 超微細集積回路 | 120 160 220 |
| 1995年 3月号 | 光電子集積回路 -InP結晶をSi上に直接接合- | NEC | 日刊工業新聞 (1995年1月10日PP.7) | InP結晶 光電子集積回路 | 220 120 |
| 1995年 2月号 | 立体音響アダプタとAV機器向けIC -場所を問わず立体音響- | 米セポニクス | 日経産業新聞 (1994年12月23日PP.1) | 立体音響 | 450 520 |
| 1995年 2月号 | MPEG2対応LSI | パイオニア | 日刊工業新聞 (1994年12月6日PP.9) | MPEG2 デコーダLSI | 220 520 |
| 1995年 2月号 | スペクトラム拡散方式の汎用IC | 日本ビクター ローム | 電波新聞 (1994年12月1日PP.2) 日本工業新聞 (1994年12月1日PP.8) 日刊工業新聞 (1994年12月1日PP.8) 日経産業新聞 (1994年12月7日PP.8) | スペクトル拡散通信 IC | 440 220 |
| 1995年 1月号 | 90MHz帯1チップMMIC増幅器 | 三菱電機 | 電波新聞 (1994年11月25日PP.5) 日経産業新聞 (1994年11月25日PP.5) 日刊工業新聞 (1994年11月25日PP.7) | ミリ波増幅器 90GHz HEMT ゲート長0.15μm 高速IC MMIC 雑音3.4dB 利得8.7dB 環境衛星用 | 220 240 |
| 1995年 1月号 | ミリ波受信IC | 三菱電機 | 電波新聞 (1994年11月2日PP.6) 日経産業新聞 (1994年11月2日PP.5) 日刊工業新聞 (1994年11月2日PP.8) | ミリ波 衛星 100GHz 超電導IC ミキサ用 フィルタ不要 | 220 440 |
| 1994年12月号 | 周波数安定化発振回路 -55GHz帯で出力2.3mW- | ミリウェイブ NEC | 日刊工業新聞 (1994年10月26日PP.9) | ミリ波帯 55GHz 2.3mW MMIC | 440 220 |
| 1994年12月号 | ビデオ オン デマンド国際標準化 | NTT | 日経産業新聞 (1994年10月25日PP.2) | VOD DAVIC総会 | 540 |
| 1994年12月号 | ディジタルオーディオ -16ビット信号を20ビットに- | 日本ビクター | 電波新聞 (1994年10月8日PP.1) | ビット再生 IC | 520 220 |
| 1994年12月号 | GaAsHBTIC -40Gbpsの超高速処理，次世代光通信に道- | 東芝 | 日刊工業新聞 (1994年10月4日PP.6) | 光通信 GaAsHBTIC | 220 340 |
| 1994年12月号 | 超小型ICパッケージ -ICの面積1/4に- | 松下電器産業 松下電子 | 日経産業新聞 (1994年10月3日PP.1) | 小型ICパッケージ スタッドバンプ方式 | 260 |
| 1994年12月号 | ゴースト除去用フィルタを1チップ化したLSI | NEC NEC-HE | 電波新聞 (1994年10月1日PP.2) 日刊工業新聞 (1994年10月1日PP.6) | フィルタ LSI | 340 220 |
| 1994年11月号 | スペクトラム拡散通信用 LSI | ローム | 日経産業新聞 (1994年9月21日PP.1) 電波新聞 (1994年9月22日PP.17) | スペクトラム拡散通信 LSI | 220 340 440 |
| 1994年 9月号 | 符号化，複合化LSI -2国際標準に準拠- | 三菱電機 | 日刊工業新聞 (1994年7月26日PP.9) | JBIG JPEG QM-Coder 圧縮 伸長用LSI | 220 520 |
| 1994年 9月号 | 音声多重データ放送 | LSIジャパン テレビ朝日 | 日経産業新聞 (1994年7月21日PP.30) | 音声多重データ放送 送受信機 ソフト配信 | 540 340 |
| 1994年 9月号 | 光露光で0.13μmレジストパターン実現 | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1994年7月14日PP.7) | 4GbDRAM 0.13μm リソグラフィ 高解像度 LSI | 230 160 |
| 1994年 9月号 | 長時間音声録音，再生LSI | 三洋電機 | 電波新聞 (1994年7月14日PP.7) | 音声記録 LSI | 230 520 |
| 1994年 9月号 | テレビ信号処理用1チップIC | 東芝 | 電波新聞 (1994年7月8日PP.7) | テレビ受信機 | 220 350 |
| 1994年 8月号 | 2.488GHz マルチ デマルチLSI | 三菱電機 | 電波新聞 (1994年6月14日PP.6) 日経産業新聞 (1994年6月14日PP.5) 日刊工業新聞 (1994年6月14日PP.9) | LSI 2.488GHz対応マルチ，デマルチ | 220 240 |
| 1994年 8月号 | 金属酸化物でIC基板 | 富士通研 | 日経産業新聞 (1994年6月9日PP.1) | IC基板 透明 金属酸化物 無電源記憶保持 チタン酸ストロンチウム | 120 220 230 |
| 1994年 7月号 | 500℃の環境に耐えるIC -高温電子デバイスの製造に道- | 米ゼネラルエレクトリック | 日経産業新聞 (1994年5月31日PP.4) | シリコンカーバイド 高温デバイス | 120 220 |
| 1994年 7月号 | GaAsパワーMMIC -1.9GHzディジタル移動体通信用- | 松下電器産業 | 電波新聞 (1994年5月24日PP.1) | GaAsIC | 220 |
| 1994年 7月号 | 携帯電話システムのINMARSAT -普及促進のため別会社設置衛星は「中軌道周回」- | インマルサット | 電波新聞 (1994年5月18日PP.2) | PCS ICO(中軌道) 衛星10～12機 | 440 540 |
| 1994年 6月号 | 新概念の量子効果IC -電極も配線も不要に- | 東芝 | 日刊工業新聞 (1994年4月8日PP.6) | 量子効果 LSI 量子効果IC 配線不要 シミュレーション 量子効果集積回路 | 220 |
| 1994年 6月号 | カオス神経回路網IC | 東大 電機大 コロンビア大 | 日経産業新聞 (1994年4月4日PP.5) | カオス神経回路網 ニューロ素子9個集積 カオス ニューラルネットワーク | 520 220 |
| 1994年 4月号 | 動画像認識用高並列画像処理LSI -世界最高速を実現- | NEC | 電波新聞 (1994年2月18日PP.1) 日刊工業新聞 (1994年2月18日PP.7) | 画像処理LSI 高並列画像処理LSI 3.84GIPS 0.55μm 80MHz 動画像認識LSI 画像認識 | 220 520 |
| 1994年 4月号 | 第2世代量子効果トランジスタMERHET -1素子で論理動作- | 富士通 | 電波新聞 (1994年2月17日PP.6) 日刊工業新聞 (1994年2月17日PP.7) | 量子効果トランジスタ ME(マルチエミッタ) LSIを1/10小型化 RHET(共鳴トンネルホットエレクトロントランジスタ) | 220 |
| 1994年 4月号 | 20Gbpsの光通信用IC -超高速光基幹通信システム向け- | 東芝 | 電波新聞 (1994年2月17日PP.2) | 光通信用IC | 220 240 |
| 1994年 4月号 | 光受信器用IC | NEC | 電波新聞 (1994年2月15日PP.6) 日刊工業新聞 (1994年2月15日PP.9) 日本工業新聞 (1994年2月15日PP.7) | IC 光受信器 20Gb対応 | 220 240 |
| 1994年 4月号 | MPEG-2対応DSP | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1994年2月17日PP.9) | MPEGIC MPEG-2 DSP | 220 520 320 |
| 1994年 4月号 | MPEG-2対応IC -1チップでHDTV並み画質を復元- | 東芝 | 電波新聞 (1994年2月15日PP.1) 日経産業新聞 (1994年2月15日PP.9) 日刊工業新聞 (1994年2月15日PP.9) | MPEGIC 15mm×15mm CMOS MPEG-2復号LSI 0.5μm 70MHz MPEG-2 HDTV | 220 520 320 |
| 1994年 4月号 | MPEG-2対応DSP -世界初の1チップ化- | 米TI | 日経産業新聞 (1994年2月15日PP.1) | MPEGIC MPEG対応LSI 400万トランジスタ 初の1チップ化 MPEG-2 DSP | 220 520 320 |
| 1994年 3月号 | ATM制御用ICセット | 富士通 | 日経産業新聞 (1994年1月21日PP.1) | ATM用IC 156Mbps 4セット | 220 540 |
| 1994年 3月号 | フラーレン単結晶薄膜化 | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1994年1月12日PP.1) | 炭素物質フラーレン ICB法 マイカ基板 フラーレン(C60) 1cm2 膜厚15nm 半導体材料 t=15nm | 120 |
| 1994年 3月号 | ミリ波IC | NEC ミリウェイブ | 日経産業新聞 (1994年1月11日PP.4) | ミリ波IC 60GHz 37mW出力 | 220 |
| 1994年 2月号 | 高精細画像符号化LSI -12ビット画像圧縮に対処- | 富士通 | 電波新聞 (1993年12月20日PP.7) | 高精細画像符号化LSI JPEG拡張機能対応 | 220 520 |
| 1994年 2月号 | 光電子集積回路 | 松下電器産業 | 電波新聞 (1993年12月8日PP.1) 日経産業新聞 (1993年12月8日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年12月8日PP.9) | 面発光レーザ 光IC OEIC 面積1/3 0.9mm角 光ネットワーク制御 | 220 240 250 |
| 1994年 1月号 | 両面チップIC | 三井ハイテック 米インテル | 日経産業新聞 (1993年11月9日PP.1) | 薄型IC製造技術 記憶容量2倍 DDTSOPパッケージ フラッシュメモリー リードフレーム 両面実装 | 220 260 230 |
| 1993年12月号 | 小電力・超高速のHJHET | NEC | 日刊工業新聞 (1993年10月26日PP.6) | GaAsLSI技術 HJHET 10Gbps 0.8V 18mW | 220 |
| 1993年12月号 | 光IC型光増幅素子 -1cmで25倍の光増幅- | 豊橋技科大 | 日刊工業新聞 (1993年10月21日PP.7) | 装荷型導波路 光IC型 光増幅素子 25倍/cm | 220 240 |
| 1993年12月号 | 1チップ画像処理LSI | シャープ | 日経産業新聞 (1993年10月9日PP.1) | 画像処理LSI 静止画 動画対応 | 520 220 |
| 1993年11月号 | 表面トランジスタ -ギガビット級に道- | NEC | 日経産業新聞 (1993年9月27日PP.5) 日本経済新聞 (1993年9月27日PP.19) | ギガビット級LSI STT トンネル効果 | 220 |
| 1993年11月号 | LSIの障害電波抑制技術 | 松下電子 | 日経産業新聞 (1993年9月2日PP.1) | 不要電波抑制 強誘電体薄膜 | 120 220 |
| 1993年11月号 | カラー静止画像圧縮・伸長LSI | 三菱電機 | 電波新聞 (1993年9月2日PP.6) | 符号化 JPEG準拠 30フレーム/s | 520 220 |
| 1993年10月号 | 量子細線のSi形成技術 -超々LSIの製作へ利用- | 松下電器産業 | 電波新聞 (1993年8月30日PP.1) 日経産業新聞 (1993年8月30日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年8月30日PP.13) | 超々LSI 量子細線 | 220 |
| 1993年10月号 | 磁気表示機能付ICカード | 大日本印刷他 | 日刊工業新聞 (1993年8月27日PP.11) | ICカード | 230 |
| 1993年10月号 | ジョセフソンIC -集積度を5倍に- | 富士通研 | 日経産業新聞 (1993年8月10日PP.5) | ジョセフソン素子 ジルコニウム 10kG | 220 |
| 1993年 9月号 | クリーンルーム不要のIC製造システム | 米テキサスインスツルメンツ | 日経産業新聞 (1993年7月28日PP.1) | ウェハ加工システム 加工時間短縮 | 360 |
| 1993年 9月号 | 超電導・超高速LSIマルチチップモジュール | 京セラ 電総研 | 電波新聞 (1993年7月27日PP.1) | 超電導LSI 1.2GHzクロック MCM(76×38×7mm) 超電導 ジョセフソン素子 | 220 |
| 1993年 9月号 | 光スイッチ集積回路 -光信号の漏れ10万分の1- | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1993年7月2日PP.5) | 光スイッチ 漏れ10万分の1 増幅器と単一基板 4入力4出力 | 240 |
| 1993年 8月号 | DRAM技術でニューロLSI | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1993年6月29日PP.5) | ニューロ素子 ニューロLSI DRAMプロセス 基本回路試作 | 220 520 230 |
| 1993年 8月号 | 次世代LSI向け超微細配線 -最小線幅0.25μm銅使い，2層配線- | 富士通 | 日経産業新聞 (1993年6月8日PP.5) | 銅線 0.25μm 2層配線 超微細配線 寿命100倍 次世代LSI | 160 |
| 1993年 7月号 | 動画像リアルタイム圧縮初の1チップIC | シーキューブ | 日経産業新聞 (1993年5月4日PP.1) | MPEG準拠 | 520 220 |
| 1993年 7月号 | ディジタルニューロLSI -学習機能を持ち，演算速度20GCPSを実現- | 松下電器産業 | 電波新聞 (1993年5月19日PP.1) 日経産業新聞 (1993年5月19日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年5月19日PP.9) | ニューロLSI 文字認識 学習機能 ニューラルネットワーク | 520 220 |
| 1993年 7月号 | 誤り訂正LSI -従来比2.4倍の速さ- | NTT | 日経産業新聞 (1993年5月14日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年5月14日PP.7) | 誤り訂正LSI | 220 |
| 1993年 6月号 | ディジタル・シリアル伝送IC | 東芝 | 電波新聞 (1993年4月19日PP.1) | ディジタル伝送IC 10BIC/10bスクランブル両用 | 220 |
| 1993年 6月号 | GaAsゲートアレイ -世界最高速50ps/ゲート実現- | 富士通 | 電波新聞 (1993年4月6日PP.1) 日経産業新聞 (1993年4月6日PP.8) 日刊工業新聞 (1993年4月6日PP.10) | LSI GaAs ゲートディレイ50ps ゲートアレイ | 220 |
| 1993年 6月号 | 低消費電力ヘテロ接合バイポーラトランジスタ | NEC | 日刊工業新聞 (1993年4月1日PP.5) | HBT 消費電力0.5mW 超高速通信用LSI | 220 |
| 1993年 5月号 | フラッシュメモリーカードを音声記録媒体に | シャープ | 電波新聞 (1993年3月25日PP.1) | ICカード 音声記録 | 230 330 |
| 1993年 5月号 | ハイビジョン用M/NコンバータLSI | 富士通 | 電波新聞 (1993年3月24日PP.5) | ダウンコンバータ | |
| 1993年 5月号 | 光信号で動作するジョセフソン素子 -10Gbps高速通信に対応- | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1993年3月16日PP.4) | ジョセフソン素子 光電変換 超電導膜 OEIC 10Gbps通信伝送 | 220 240 |
| 1993年 4月号 | 人工知能向け超並列チップ | 東北大 | 電波新聞 (1993年2月23日PP.8) 日経産業新聞 (1993年2月23日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年2月23日PP.9) | LSI ニューロンMOSトランジスタ インテリジェントハードウェア ニューロLSI 超並列処理 集積システム スパコンの1000倍速度 柔らかいハードウェア | 520 220 |
| 1993年 3月号 | 文字拡大・縮小用LSI | 富士ゼロックス | 日刊工業新聞 (1993年1月14日PP.7) | 47種 処理時間1.8ms/1文字 | 220 |
| 1993年 2月号 | 動画像CODEC用LSIチップセット -2つの国際標準クリア- | 富士通 | 電波タイムズ (1992年12月25日PP.2) | 動画像CODEC用LSI | 240 440 |
| 1993年 1月号 | g線で0.35μmGaAsIC | 東芝 | 日刊工業新聞 (1992年11月24日PP.5) | イメージリバース 量産技術 | 260 |
| 1993年 1月号 | 2.5GHz超高速光通信用LSI | 三菱電機 | 電波新聞 (1992年11月18日PP.8) 日経産業新聞 (1992年11月18日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年11月18日PP.11) 日本工業新聞 (1992年11月18日PP.11) | GaAsIC シリアル-パラレル変換 B-ISDN 消費電力1.3W | 220 |
| 1992年12月号 | プリアンプIC -最高周波数帯域を実現- | NEC | 日刊工業新聞 (1992年10月6日PP.9) | プリアンプIC | 220 |
| 1992年11月号 | カオス現象のIC | 新日本無線 九州工大 | 電波新聞 (1992年9月19日PP.2) 日経産業新聞 (1992年9月19日PP.5) 日本経済新聞 (1992年9月19日PP.12) | 220 | |
| 1992年11月号 | 高速非線形光学材料 | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1992年9月12日PP.1) | 非線形光学材料 超格子薄膜 応答時間40ps 光集積回路 Se化亜鉛系半導体 | 220 130 |
| 1992年11月号 | 高真空反応性ICB法 | 三菱電機 | 電波新聞 (1992年9月8日PP.2) | 260 | |
| 1992年11月号 | フラーレン，導膜導電性を自由に制御する技術 -フラーレンC60使った半導体材料に道- | 三菱電機 | 電波新聞 (1992年9月2日PP.8) 日経産業新聞 (1992年9月2日PP.4) 日刊工業新聞 (1992年9月2日PP.7) | ICB法でC60の薄膜作製 サッカーボール型炭素分子フラーレン ICB法 | 120 |
| 1992年10月号 | 光理論回路 -電子回路と同じ動作原理- | 松下電器産業 | 日刊工業新聞 (1992年8月26日PP.4) | FF回路 OEIC 光電子集積回路 光論理回路 画像OEIC | 220 240 |
| 1992年10月号 | 1μmゲート長のCMOSトランジスタ -室温動作で28PS- | 東芝 | 電波新聞 (1992年8月26日PP.2) 日経産業新聞 (1992年8月26日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年8月26日PP.9) | CMOSLSI CMOSトランジスタ ゲート長0.1μm 速度2.8ps CMOSプロセス トランジスタ | 220 |
| 1992年 9月号 | 集積回路コンタクトホール界面接触抵抗1/1000に -ULSI開発に突破口- | 名大 | 日刊工業新聞 (1992年7月1日PP.11) | 4×10-8Ω ジルコニウム ハフニウム | 160 |
| 1992年 8月号 | レーザリソグラフィ技術 -0.25μmパターン- | 松下電器産業 | 電波新聞 (1992年6月5日PP.1) | 次世代LSI | 160 |
| 1992年 8月号 | 「虫なし」ソフト自動生成システム | 東芝 | 日刊工業新聞 (1992年6月1日PP.1) | ICOT MENDELSZONE | 520 |
| 1992年 7月号 | 1チップでカラー動画像を伸長できるVLSI | シーキューブマイクロシステムズ | 日経産業新聞 (1992年5月29日PP.1) | MPEG復号LSI 3Mbps | 220 |
| 1992年 7月号 | 世界初の並列推論マシン | 新世代コンピュータ技術開発機構(ICOT) | 電波新聞 (1992年5月9日PP.1) | 並列推論 | 540 |
| 1992年 6月号 | 有機薄膜特性を2.5倍向上 | NTT | 日刊工業新聞 (1992年4月1日PP.6) | 光メモリー スイッチ材料 3次元線形特性改善 ICB法 | 120 130 |
| 1992年 5月号 | 動作周波数1.2GHzATMスイッチLSI -HEMTで開発- | 富士通 富士通研 | 電波新聞 (1992年3月19日PP.6) | HEMT | 240 |
| 1992年 5月号 | 超電導量子干渉素子の信号多重化 | 富士通 | 日経産業新聞 (1992年3月13日PP.5) | SQUID ジョセフソン集積回路 多重信号 超電導素子 | 220 240 |
| 1992年 4月号 | テレビ信号変換器用IC -毎秒1億回作動- | 東芝 | 日経産業新聞 (1992年2月24日PP.5) | 超高速IC 毎秒1億回 | 220 |
| 1992年 4月号 | 低電圧動作LSI -1.0V動作SRAM 1.5V動作BiCMOS- | 日立製作所 | 電波新聞 (1992年2月22日PP.6) | LSI SRAM BiCMOS | 220 |
| 1992年 4月号 | 高性能マイクロプロセッサ -スパコン並みのLSI，最高速のMPU- | 日立製作所 富士通 | 電波新聞 (1992年2月20日PP.1) 日経産業新聞 (1992年2月20日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年2月20日PP.7) 日刊工業新聞 (1992年2月20日PP.11) | マイクロプロセッサ 289MFLOPS 1チップで1GIPS ISSCC | 220 |
| 1992年 4月号 | ニューロコンピュータ用IC | 東芝 三菱 NTT | 電波新聞 (1992年2月19日PP.6) 日経産業新聞 (1992年2月19日PP.5) 電波新聞 (1992年2月21日PP.6) 日刊工業新聞 (1992年2月21日PP.6) | ISSCC LSI ニューロコンピュータ ニューロチップ 消費電力1/100 | 220 |
| 1992年 4月号 | 5GbpsのECLゲートアレイ | 富士通 | 電波新聞 (1992年2月18日PP.6) 日経産業新聞 (1992年2月18日PP.9) 日刊工業新聞 (1992年2月18日PP.9) | ECLゲートアレイ シリコンIC 5Gbps | 220 |
| 1992年 4月号 | OEIC光通信応答2倍に -10Gbpsと世界最高- | NTT | 日刊工業新聞 (1992年2月14日PP.5) | OEIC 応答速度10Gbps | 220 |
| 1992年 3月号 | 第2世代MUSEデコーダ | 富士通 日立製作所 日本テキサスインスツルメンツ ソニー | 電波新聞 (1992年1月22日PP.1) 日経産業新聞 (1992年1月22日PP.6) 日刊工業新聞 (1992年1月22日PP.9) | HDTV MUSEデコーダ LSI 1/5 | 350 |
| 1992年 2月号 | 脳神経に似た集積回路 | カリフォルニア工科大(米) オックスフォード大(英) | 電波新聞 (1991年12月20日PP.3) | 220 520 | |
| 1992年 2月号 | 最高水準の符号化圧縮技術 | 三洋電機 | 電波新聞 (1991年12月27日PP.4) | 音声符号化LSI | 520 220 |
| 1992年 2月号 | 脳神経に似た集積回路 | カリフォルニア工科大(米) オックスフォード大(英) | 電波新聞 (1991年12月20日PP.3) | 220 520 | |
| 1992年 2月号 | 最高水準の符号化圧縮技術 | 三洋電機 | 電波新聞 (1991年12月27日PP.4) | 音声符号化LSI | 520 220 |
| 1992年 2月号 | 20Gb/sの高速IC | 沖電気 | 日経産業新聞 (1991年12月13日PP.5) 電波新聞 (1991年12月13日PP.6) 日刊工業新聞 (1991年12月13日PP.9) | 光伝送IC 現状の33倍 世界最高速 | 240 220 |
| 1992年 2月号 | 次々世代超LSI -1Gb級超LSIに道- | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1991年12月10日PP.5) | 製造加工技術 半地下電極 | 220 260 |
| 1992年 1月号 | 新構造光IC -発光素子とIC接合- | 徳島大 松下寿電子 | 日経産業新聞 (1991年11月22日PP.4) 日刊工業新聞 (1991年11月22日PP.9) 朝日新聞夕刊 (1991年11月27日PP.11) | 光IC 接合構造 | 220 240 |
| 1992年 1月号 | 世界最高速の画像編集用IC -毎秒40枚の画像編集- | 松下電器産業 松下電子 | 日経産業新聞 (1991年11月20日PP.1) | 世界最高速IC | 520 |
| 1992年 1月号 | HDTV用ICを基本開発 | 日電 松下電器産業 三菱電機 | 電波新聞 (1991年11月6日PP.2) | 420 | |
| 1991年12月号 | BS受信コンバータ -回路IC化面積1/200- | シャープ | 日経産業新聞 (1991年10月25日PP.1) | 面積1/200に | |
| 1991年12月号 | 立体IC -5層構造試作- | 三洋電機 | 日刊工業新聞 (1991年10月24日PP.1) | 単結晶横方向に成長 量産性あり 3次元回路素子 5層構造 横方向固相成長技術 | 260 220 |
| 1991年11月号 | 新タイプの光IC | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1991年9月11日PP.5) 日本工業新聞 (1991年9月11日PP.13) | 光信号受信用 InPonGaAs 0.6×0.8mmチップ 3mmφに5000個 | 240 |
| 1991年10月号 | ダイヤ薄膜トランジスタ -多結晶ダイヤをIC化- | 神戸製鋼 | 日経産業新聞 (1991年8月12日PP.1) | ダイヤ薄膜トランジスタ 高温，放射線に強いFET | 220 |
| 1991年 9月号 | ハイビジョン用次世代LSI | 三洋電機 LSIロジック | 電波新聞 (1991年7月16日PP.1) | ハイビジョン | 220 |
| 1991年 9月号 | 電子印鑑ESIGN | NTT | 日刊工業新聞 (1991年7月3日PP.7) | WP/PC文書改ざん検出 ICカード化 | 420 |
| 1991年 9月号 | バイオ素子を超LSI化 | 沖電気 | 日本工業新聞 (1991年7月3日PP.1) | 新素子 1mm殻に25万個集積 バイオ素子 リポゾーム アピジン ピオチン法 パターン認識素子 6.25M素子/mm2 | 120 220 |
| 1991年 7月号 | 光ディスク用制御IC | 富士通 | 電波新聞 (1991年5月21日PP.8) 日経産業新聞 (1991年5月21日PP.9) 日刊工業新聞 (1991年5月21日PP.11) | 光ディスクコントローラ 誤り訂正 | 220 |
| 1991年 7月号 | 自分割スイッチIC -入出力速度毎秒256Mb- | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1991年5月13日PP.5) 日経産業新聞 (1991年5月22日PP.5) | スイッチIC ISDN 従来の4倍 | 220 |
| 1991年 7月号 | 光電子集積回路 -演算処理高速化に道- | 米国TI | 日経産業新聞 (1991年5月9日PP.4) | OEIC | 640 |
| 1991年 6月号 | 早送りしても音声明瞭 -音声速度変換LSI- | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1991年4月25日PP.1) | 音声速度変換LSI 再生速度4～1/4倍 初の実用水準 | 220 |
| 1991年 6月号 | 次々世代LSI実現へ | 日電 ATT | 電波新聞 (1991年4月23日PP.1) | 次々世代LSI 3.5μmCMOSプロセス | 220 |
| 1991年 6月号 | 世界初500Vの高耐圧パワーIC | 東芝 | 電波新聞 (1991年4月20日PP.2) | 高耐圧ICプロセス | 220 |
| 1991年 6月号 | RHETによる全加算器IC | 富士通 | 電波新聞 (1991年4月16日PP.6) 日経産業新聞 (1991年4月16日PP.5) 日刊工業新聞 (1991年4月16日PP.9) 日本経済新聞 (1991年4月16日PP.11) 電波タイムズ (1991年4月19日PP.2) | 従来比密度5倍 速度10倍 消費電力1/2 電流増幅率10以上 遮断周波数200GHz以上 200GHzの高速化可能 処理能力50倍 量子効率利用したRHET 情報処理能力(×50) 演算と記憶機能は世界初 | 220 |
| 1991年 5月号 | 3次元IC | 日電 | 電波新聞 (1991年3月27日PP.1) 電波タイムズ (1991年3月29日PP.2) | 3次元IC 6層構造(世界初) 4Gbメモリーの可能性 2層×3枚残り合わせ DUALCMOS+CUBIC技術 | 260 |
| 1991年 5月号 | 受光素子をスイッチにした新しい光電子集積回路 | 東大 | 日刊工業新聞 (1991年3月8日PP.5) | 受光素子でANDOR回路 100psの応答速度 | 240 |
| 1991年 5月号 | カラー静止画像のデータ1/30までに圧縮可能な新LSI | 富士通 | 電波タイムズ (1991年3月6日PP.0) | 画像圧縮 ISDN LSI | 220 |
| 1991年 4月号 | カラー静止画符号化LSI -データ量1/10～1/30に- | 富士通 | 電波新聞 (1991年2月28日PP.0) | ISO標準コーデック 1/30に静止画データ圧縮静止画符号化 ISDN | 520 |
| 1991年 4月号 | 155.5MbpsATM変換機用LSI | 日電 | 電波新聞 (1991年2月15日PP.0) | ATM変換機 | 520 |
| 1991年 4月号 | ジョセフソンコンピュータ冷凍実装システム | 富士通 | 電波新聞 (1991年2月14日PP.0) | 冷凍実装システム ジョセフソンコンピュータビット 360ps加算 ジョセフソン素子.室温IC温蔵ボード | 220 |
| 1991年 4月号 | 科学計算用LSI -4MDRAM 512KSRAM- | 日電 | 日経産業新聞 (1991年2月14日PP.0) | アクセスタイム17ns アクセスタイム4ns サイクルタイム2ns ベクトル演算処理用LSI | 230 |
| 1991年 4月号 | 超高速ビデオ信号処理プロセッサLSI | 日電 | 電波新聞 (1991年2月13日PP.0) | 動画帯域圧縮 fCLK250MHz | 520 |
| 1991年 4月号 | ジョセフソン素子複合素子 | 富士通 | 電波新聞 (1991年2月13日PP.0) 朝日新聞夕刊 (1991年2月13日PP.0) 日本経済新聞夕刊 (1991年2月13日PP.0) | 極低温の同素子と常温 GaAsLSIの複合 | 220 |
| 1991年 3月号 | 超LSI素子 信頼性向上 | 沖電気 | 日経産業新聞 (1991年1月16日PP.0) | 絶縁膜を亜酸化窒素処理 | 220 260 |
| 1991年 2月号 | 半導体レーザ1600個集積のLSI | 日電 | 日本経済新聞 (1991年1月7日PP.0) | 開発に成功した段階 超並列光電算機に応用は3年後 | 220 |
| 1991年 2月号 | 厚さ0.5mm実現のICパッケージ | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1991年1月4日PP.0) | 220 | |
| 1991年 2月号 | 光演算IC -電子使用の200倍の処理速度- | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1990年12月6日PP.0) 日刊工業新聞 (1990年12月6日PP.0) 電波新聞 (1990年12月6日PP.0) | 256組のデータに対するEXOR演算素子 大きさ1mm2 処理40ps | 220 |
| 1991年 1月号 | OEIC実現に一歩 | 沖電気 | 日刊工業新聞 (1990年11月15日PP.0) | 5×735個のLED 80μm口 10mA発生 LED FETを主体的に積み上げ 4.5mm×3.5mmチップ | 250 |
| 1991年 1月号 | IC化容易な圧縮技術 | 日本ビクター | 日経産業新聞 (1990年11月13日PP.0) | 「D1」方式VTR 216Mbps→6Mbps(1/36)間引き 復元 | 520 530 |
| 1990年12月号 | D1/D2変換IC | 松下電器産業 | 電波新聞 (1990年11月5日PP.0) | ASIC開発/変換器自動化 | 320 |
| 1990年12月号 | ICカード DCT認識へ | 東芝 富士写真 | 日経産業新聞 (1990年11月1日PP.0) | ディジタルスチルカメラ 規格提案 | 230 |
| 1990年11月号 | ICパッケージ用超低融点ガラス | 日電硝子 | 日刊工業新聞 日経産業新聞 (1990年9月18日PP.0) | 360℃で融点 | 160 |
| 1990年10月号 | 実時間で動画処理LSI | 富士通 | 電波新聞 (1990年8月23日PP.0) | 5×5画素 9b×8bの乗算器10個 8b×8bの乗算器10個 15入力加算器を内蔵 | 220 |
| 1990年10月号 | 光ICの戻り光2桁減らす | 東工大 | 日刊工業新聞 (1990年8月22日PP.0) | 220 | |
| 1990年10月号 | 超LSIの回路再現 | 東芝 | 日経産業新聞 (1990年8月14日PP.0) | 0.5μm幅 | 160 |
| 1990年 9月号 | カラー静止画の圧縮伝送 -専用LSIで高速処理- | 日電 | 日経産業新聞 (1990年7月17日PP.0) | 圧縮率1/2～1/50 適応型コサイン変換 (ADCT) 静止画を縦横8画素ずつのブロックに分割 | 440 |