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| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
| 2018年 3月号 | 電流の流れ磁石で制御 | 理研 | 日経産業新聞 (2017年12月14日PP.5) | トポロジカル絶縁体 電流制御 省電力メモリへ応用 | 120 230 |
| 2018年 1月号 | GaNトランジスタの結晶層を発見 | 物材機構 | 日刊工業新聞 (2017年10月26日PP.23) | 絶縁層とGaNの界面に1.5nmのガリウム磁化膜の薄層 | 220 |
| 2017年 9月号 | トポロジカル絶縁体に強磁性 室温で状態維持 | 東工大など | 日刊工業新聞 (2017年6月14日PP.25) | 量子異常ホール効果 | 120 |
| 2017年 5月号 | トポロジカル絶縁体 表面金属絶縁化 | 理研など | 日刊工業新聞 (2017年2月24日PP.25) | 二つの磁性層の磁化が反平行になり表面が絶縁化 積層構造の薄膜 | 120 |
| 2017年 3月号 | 東北大 電子素子に活用 | 東北大 | 日経産業新聞 (2016年12月14日PP.8) | トポロジカル絶縁体 電子素子 低消費電力化 | 120 |
| 2017年 2月号 | トポロジカル絶縁体―「表面だけ導電」に熱い視線 トポロジカル物質 次世代デバイスに道 | 産業技術総合研究所 東大など | 日経産業新聞 (2016年11月25日PP.8) 日刊工業新聞 (2016年11月25日PP.31) | トポロジカル 絶縁体 半金属ビスマスがトポロジカル物質であること発見 | 120 |
| 2016年11月号 | 「トポロジカル絶縁体」表面に 高効率スピン流生成 | 理研 | 日刊工業新聞 (2016年8月5日PP.31) | 界面における電流-スピン流の高効率の変換現象を観測 | 120 |
| 2016年11月号 | 反転層チャネルMOSFET ダイヤ半導体で作製 | 金沢大など | 日刊工業新聞 (2016年8月23日PP.23) | パワーデバイス向けノーマリーオフ特性 ダイヤモンドは最も高い絶縁破壊電界とキャリヤ移動度 熱伝導率を持つ究極のパワーデバイス材料 | 220 |
| 2016年11月号 | 新演算素子を開発 スピン波利用 絶縁体で制御 | 豊橋技科大 | 日刊工業新聞 (2016年7月26日PP.29) | 世界最高の性能を持つスピン波干渉を利用した論理演算素子 | 220 |
| 2016年 3月号 | 省電力素子向け材料 電気流れる仕組み解明 | 広島大 中国科学院海微系統研究所 | 日経産業新聞 (2015年12月16日PP.8) | トポロジカル絶縁体 アンチモンとクロムとビスマス 極低温 | 120 |
| 2016年 2月号 | 磁壁に金属的性質 多値磁気メモリーに道 光で電流「オン・オフ」 | 理研 スタンフォード大 | 日刊工業新聞 (2015年11月3日PP.17) | 銅酸化物半導体 切り替え1ピコ秒以内 磁性絶縁体 磁壁に金属的性質 金属状態の壁の厚さは100?以下 | 120 230 |
| 2015年 9月号 | ネットワーク接続の機器 半導体チップで識別 http://www.toshiba.co.jp/rdc/detail/1506_03.htm | 東芝 | 日経産業新聞 (2015年6月22日PP.9) | IT機器の個体識別の新手法を開発，半導体チップの製造工程で発生する絶縁膜の模様を 人間の指紋のように個体認証に活用する仕組み | 520 |
| 2015年 3月号 | 「ジョセフソン接合」量産 超電導デバイス実現に一歩 http://www.nims.go.jp/mana/jp/research/topics/n8erta000000p1h8.html | 物質・材料研究機構(MANA)，東大 | 日刊工業新聞 (2014年12月11日PP.25) | 原子スケールの超電導デバイスを実現するための要素技術，薄い絶縁体を二つの超伝導体で挟んだ「ジョセフソン接合」，原子一つ分の高さの段差のある珪素基板上にインジウムを原子一層だけ重ねた | 120 |
| 2014年12月号 | 超伝導体がスピン流の絶縁体になることを発見 | 九大 | 日刊工業新聞 (2014年9月4日PP.21) | 超伝導体が磁力の元になるスピン流に対して絶縁体となることを発見。スピンデバイス開発につながる。 | 450 |
| 2014年 1月号 | グラフェンを超える電子材料 | 東工大 英オックスフォード大 米スタンフォード大 | 日刊工業新聞 (2013年10月16日PP.21) | トポロジカル絶縁体 Bi-Te-Clが積層した結晶 表裏に極性 | 120 |
| 2014年 1月号 | 太陽電池の感度高める新構造 | 理研 東大 | 日経産業新聞 (2013年10月24日PP.11) | 有機薄膜太陽電池 1nm厚の絶縁層を追加 効率0.4%から0.53%に | 250 |
| 2013年11月号 | CNTだけで構成するIC | 名大 フィンランドアールト大 | 日刊工業新聞 (2013年8月13日PP.15) | 電極や配電材料にCNT薄膜，絶縁材料にアクリル樹脂を使う，移動度は毎秒1V当たり1000m2 | 120 220 |
| 2013年 9月号 | 0.37V動作のトランジスタを採用したロジックIC | 超低電圧デバイス技術研究組合 NEDO | 日刊工業新聞 (2013年6月11日PP.21) 日経産業新聞 (2013年6月11日PP.9) | SOTBトランジスタを用いたSRAM シリコン基板上に厚さ10nmの絶縁膜・その上に電極 SOTB 最小電圧0.37Vの演算用LSI | 220 230 |
| 2013年 9月号 | 磁化の向きを電圧で高効率制御 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2013年6月24日PP.14) | スピントロニクス 1.5nmの金属磁石層 MgOの絶縁層で挟んだ構造 | 230 |
| 2013年 3月号 | リーク低減したSiCパワー半導体 | 阪大 京大 ローム 東京エレクトロン | 日経産業新聞 (2012年12月12日PP.6) 日刊工業新聞 (2012年12月12日PP.24) | ゲート絶縁膜にアルミ酸化物 N添加によりリーク90%減 耐圧1.5倍 高誘電率ゲート絶縁膜採用のSiC製MOSFET | 120 220 250 |
| 2013年 1月号 | トポロジカル絶縁体の新種発見 | 東北大 | 日経産業新聞 (2012年10月2日PP.10) | Sn・Teの化合物 トポロジカルクリスタル絶縁体 | 110 120 |
| 2012年11月号 | 絶縁体を用いたデータ記憶用電子素子 | 理研 東大 | 日経産業新聞 (2012年8月3日PP.10) | 酸化バナジウム(VO) 1Vの電圧印加で電子が自由に動けるようになる | 120 |
| 2012年11月号 | 絶縁体酸化物磁石の極性を電場のみで反転 | 理研 東大 | 日刊工業新聞 (2012年8月20日PP.16) | ジスプロシウム(Dy)・テルビウムフェライト -270.5℃で電場を加えて正負の電極を反転 | 120 |
| 2012年 8月号 | 排熱から電気を生成する変換効率40倍の素子 | 東北大 東北セラミック | 日経産業新聞 (2012年5月21日PP.11) | Mn | Siと Feを含むMn Siでそれぞれ厚さ150μmの薄膜を作り 厚さ15μmの絶縁層を挟みながら交互に重ねる 1cm2厚さ2.5mmの素子を切り出す ゼーベック効果 熱電素子 120 250 |
| 2012年 7月号 | 動作寿命10年間のMRAM | 超低電圧デバイス技術研究組合 | 日刊工業新聞 (2012年4月17日PP.20) | MTJ素子のトンネル絶縁膜層を分割して作成 0.5V以下の低い電圧で10年間安定動作 MRAM混載LSI 低消費電力 次世代の不揮発性磁気メモリー | 230 |
| 2012年 5月号 | タッチパネル用液状樹脂の絶縁材 | タムラ製作所 | 日経産業新聞 (2012年2月14日PP.1) | ガラス基板に塗布可能で厚さ15μm エポキシ樹脂やアクリル樹脂を配合 | 150 |
| 2012年 3月号 | 絶縁体基板にグラフェンが吸着する機構を解明 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2011年12月7日PP.25) | 特定の電子構造を持つSiO2上にグラフェンが強く吸着 | 160 120 |
| 2012年 3月号 | ホランダイト型クロム酸化物の構造を解析 | 千葉大 東大 高エネルギー加速器研究機構 | 日刊工業新聞 (2011年12月27日PP.18) | 強磁性のまま絶縁体の酸化物 -178℃で絶縁体に変化 | 120 |
| 2011年10月号 | 絶縁体に電子を溶かして導体を生成 | 東工大 | 日刊工業新聞 (2011年7月1日PP.21) | 1600℃の絶縁体 液体金属 ガラス半導体 普通の透明ガラスと比べて数桁以上の電導度 | 120 |
| 2011年 9月号 | 低消費電力のDRAM | エルピーダメモリ | 日経産業新聞 (2011年6月15日PP.1) | High-Kメタルゲート技術 40nmプロセス 絶縁膜にハフニウム 電極にTiを使用 | 230 160 |
| 2011年 8月号 | 導電・絶縁切替可能な液晶素子 | 山梨大 パイオニア | 日経産業新聞 (2011年5月19日PP.11) | 導電性液晶の層(厚さ200nm)をAl電極層とITO電極層で挟んだ構造 電圧を加えずに瞬間加熱200℃で導電性になる 10〜30Vの電圧を加えて瞬間加熱で絶縁性になる | 230 250 120 |
| 2011年 6月号 | InGaN製の高感度紫外線センサ | 物材機構 | 日刊工業新聞 (2011年3月7日PP.20) | 絶縁層に5nm厚のCaF2 320nm〜400nmの領域を検出 | 210 |
| 2011年 3月号 | 電流漏れの少ないトランジスタ絶縁膜 | 産総研 | 日経産業新聞 (2010年12月22日PP.7) | ハフニウム化合物の絶縁膜 電流漏れがSi酸化膜比1/100万 | 120 160 |
| 2011年 3月号 | 演算と記憶の複合素子を開発 | 物材機構 阪大 東大 | 日刊工業新聞 (2010年12月24日PP.20) | アトムトランジスタ わずかな金属素子を絶縁体中で移動させることで動作させる 不揮発性ロジック回路 | 220 230 |
| 2011年 2月号 | 絶縁体が金属に変化する仕組みを解明 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2010年11月3日PP.16) | チタン酸ストロンチウムの絶縁体 キャリヤ供給層を間に挟み込んだ酸化膜の超格子構造 | 660 |
| 2010年 8月号 | 巻き取り可能な有機ELディスプレイ | ソニー | 日経産業新聞 (2010年5月27日PP.5) | 4.1型 厚さ0.08mm 回路の絶縁膜に有機材料を使用 0.02mm基板 有機TFT 半径4mmの棒に巻き取れる 121ppi | 250 |
| 2010年 6月号 | 絶縁体を使った電気信号伝送 | 東北大 慶応大 | 日経産業新聞 (2010年3月11日PP.12) | 電子のスピン波 磁性ガーネット結晶 1mm離れた先に伝送 | 120 |
| 2010年 3月号 | 折り曲げ可能な低電圧の有機フラッシュメモリー | 東大 独マックスプランク研 | 日刊工業新聞 (2009年12月11日PP.24) 日経産業新聞 (2009年12月11日PP.11) | 駆動電圧1/2の不揮発性メモリー ゲート絶縁膜に薄い単分子膜 書込み電圧6V 読出し電圧1V 脂肪族リン酸系の材料を使った絶縁膜 | 120 160 230 210 |
| 2009年11月号 | 室温で世界最高の磁気抵抗効果を示す素子 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2009年8月6日PP.25) | 2枚の強磁性膜に絶縁膜を挟む構造 強磁性トンネル接合(MTJ) 二重トンネル障壁MTJ 中間磁性膜厚さ1.2nm 電圧約±0.1Vで磁気抵抗効果最大 | 120 230 |
| 2009年10月号 | 絶縁膜の欠陥1/10のトランジスタ | 東工大 | 日経産業新聞 (2009年7月7日PP.11) | 酸化ランタンに複数のセリウム酸化物を積層 過剰な酸素を制御 二酸化セリウム 三酸化二セリウム | 230 260 |
| 2009年 9月号 | インジウム不使用の透明・高電導の有機薄膜製造技術 | 山梨大 | 日経産業新聞 (2009年6月2日PP.11) | 有機高分子PEDOT 絶縁性高分子PSS 膜厚100nm以下 光透過率89% レアメタルを不使用 | 120 |
| 2009年 8月号 | 巨大磁気抵抗効果に酸素原子が関与 | 高輝度光科学研究センター 兵庫県立大 阪大など | 日経産業新聞 (2009年5月20日PP.11) | 高エネルギーX線をMn・La・ストロンチウム(Sr)からなる酸化物に照射 絶縁体と金属で酸素原子の電子状態が大きく変化 | 120 660 |
| 2009年 6月号 | 明るさ1.5倍のカラー電子ペーパ | リコー 山田化学工業 | 日経産業新聞 (2009年3月26日PP.1) | エレクトロクロミック化合物 メモリー特性 表現できる色の範囲5倍以上 基板と透明電極の枚数が従来方式の半分以下 CMY三食それぞれの発色層と透明電極を重ねたものを絶縁層で区切る | 120 250 |
| 2009年 3月号 | 22ナノ世代LSI向け量産化技術 | Selete | 日刊工業新聞 (2008年12月17日PP.21) | Si基板に約0.4nmの酸化イットリウムを原子層堆積法で薄く成膜 絶縁膜としてハフニウム系の高誘電率膜 MOSトランジスタの絶縁膜にイットリウムを導入 | 220 |
| 2009年 2月号 | CMOS微細化技術 | 東工大 | 日経産業新聞 (2008年11月14日PP.9) | 絶縁膜の厚さ0.37nm 回路線幅16nm以下のLSI開発に不可欠な技術 絶縁膜に酸化ランタンを採用 | 220 120 |
| 2009年 1月号 | 結晶内のばらつきが半分のHDD磁気ヘッド | 東北大 富士通 | 日経産業新聞 (2008年10月15日PP.11) | 記憶密度従来の約3倍 1Tbpiまで可能 絶縁層の材料として酸化マグネシウムを積層 欠陥が半分以下 | 160 230 |
| 2008年12月号 | 磁化方向を電気的に直接制御することに成功 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2008年9月25日PP.29) | 強磁性半導体 ヒ化ガリウムマンガン 高比誘電率を持つ絶縁膜金属膜ゲート電極を積層 キャリヤ濃度を電界で増減 磁気異方性 | 120 |
| 2008年11月号 | 高性能強磁性トンネル接合素子で高周波発振に成功 | 阪大 産総研 キヤノンアネルバ | 日刊工業新聞 (2008年8月29日PP.31) | 数-10GHz 発振出力約0.2μW 磁極フリー層(CoFeB) 絶縁性のトンネル障壁層(MgO) 磁極固定層(CoFeB)の3層構造 スピンの歳差運動 同素子を70nm×160nm断面の柱状に加工 | 120 220 |
| 2008年10月号 | 絶縁体接合の境界に金属層ができる仕組みを解明 | 東大 | 日経産業新聞 (2008年7月11日PP.9) | 2種類の絶縁体を接合 ランタンのAl酸化物とストロンチウムとTiの酸化物を接合 境界部分に電気が伝わる金属層 | 120 |
| 2008年 5月号 | 新種の高温超電導体 | 東工大 | 日経産業新聞 (2008年2月19日PP.8) 日刊工業新聞 (2008年2月19日PP.22) | LaとO2が作る絶縁層とFeとAsが作る電導性の層を交互に積層させた層状化合物 酸素イオンの一部をフッ素イオンで置き換えると超電導 フッ素濃度11%で約-241℃で電気抵抗ゼロ | 120 160 220 |
| 2008年 3月号 | 回路線幅32nmLSI向け製造プロセス技術 | Selete 日立建機ファインテック | 日経産業新聞 (2007年12月11日PP.1) | 電流漏れを防ぐ技術 電極素材と配線層間材料を新たに開発 ゲート材料にTiN 絶縁膜に窒化ハフニウムシリケート nMOSにMgO pMOSにAlO ポーラスシリカ SiO 比誘電率2.4 | 120 160 220 |
| 2008年 3月号 | 高速・低消費電力の新トランジスタ | 日立 東大 | 日経産業新聞 (2007年12月14日PP.11) | 絶縁膜厚を10nmにして基板からも電圧制御 漏れ電流1/10 動作速度20%向上 SOI | 160 220 |
| 2008年 2月号 | InGaAsで縦型量子ドット作製 | 東北大 | 日経産業新聞 (2007年11月29日PP.13) 日刊工業新聞 (2007年11月29日PP.28) | 3次元のMOSゲート構造 原子層堆積法 均一で高耐圧なゲート絶縁膜を形成 電子スピンの状態を正確に制御 約10倍の効率 | 120 220 |
| 2007年12月号 | 絶縁体が赤外線で導電する現象を発見 | 産総研 | 日経産業新聞 (2007年9月6日PP.9) | 相転移 ペロブスカイト パルス状の赤外線 格子状に並んだ原子が振動 抵抗値が約1/10万に変化 | 120 210 |
| 2007年12月号 | 折り曲げ可能な縦型有機トランジスタ | 千葉大 | 日刊工業新聞 (2007年9月7日PP.1) | 横型では実現できない低電圧駆動の曲がるディスプレイ 従来比約100倍 ±2Vの低電圧で駆動 ペンタセン薄膜 銅フタロシアニン薄膜 ゲート絶縁膜不要 1000以上オンオフ比 | 250 220 160 |
| 2007年11月号 | 回路幅45nm対応の塗布型絶縁膜 | JSR | 日経産業新聞 (2007年8月22日PP.1) | 低誘電層間絶縁膜材料(Low-k材料) Cの割合を高めCとSiの分子の結びつきで強度アップ 誘電率2.4 | 120 160 |
| 2007年10月号 | 半導体層にCNTを用いたTFT素子 | 東北大 ブラザー工業 阪大 | 日経産業新聞 (2007年7月4日PP.13) | ポリエステル系樹脂製基盤上に金とクロムの合金で3つの電極作成 絶縁膜にポリイミド樹脂 インクジェット技術で積層 | 220 260 120 |
| 2007年10月号 | ナノ炭素材料で単原子トランジスタを試作 | 青山学院大 名大 産総研 富士通研 | 日経産業新聞 (2007年7月20日PP.9) | ピーポッド 量子ドット SiO2の絶縁膜 金とチタンの合金の電極 CNTの内側に複数のフラーレンを並べて詰めた構造 | 120 220 |
| 2007年10月号 | 低電圧駆動有機CMOS回路 | 東大 シャープ | 日経産業新聞 (2007年7月31日PP.11) 日刊工業新聞 (2007年7月31日PP.33) | 駆動電圧1〜5V 動作電圧範囲従来の2倍以上 p型にペンタセン n型にフラーレン 絶縁膜にチタンSi酸化膜 上下をSi酸化膜が挟む3層構造 | 120 220 |
| 2007年 9月号 | 45nm世代以降トランジスタしきい値電圧制御技術 | Selete 物質・材料研究機構 筑波大 早大 阪大 広島大 | 日刊工業新聞 (2007年6月12日PP.24) | 金属電極にAlを10%程度 電圧変動の要因となる絶縁膜中の酸素欠損を解消 窒化ハフニウムシリケート | 220 160 |
| 2007年 9月号 | CMOSトランジスタのしきい値電圧の仕組み解明 | 産総研 超先端電子技術開発機構 | 日刊工業新聞 (2007年6月12日PP.24) | 高誘電率絶縁膜 Si酸化膜と下部絶縁膜の界面でしきい値に大きくずれ Si酸化膜上の絶縁膜を0.1nm寸法で精度よく制御することが閾値電流を制御する鍵 | 120 220 160 |
| 2007年 9月号 | 45nm半導体の製造工程を2割削減する技術 | NECエレクトロニクス | 日経産業新聞 (2007年6月14日PP.9) | 絶縁膜にHfを加えることにより絶縁体の厚みでトランジスタの特性を決定 不純物添加工程が1/6 | 120 160 |
| 2007年 8月号 | オールSiの次世代半導体素子 | 日立 | 日経産業新聞 (2007年5月8日PP.11) | 信号伝達はすべて光 SiO2の絶縁層で挟んだ厚さ9nmのSi薄膜が発光 0.5mm離れたSi受光部 室温動作 | 160 220 |
| 2007年 3月号 | PRAM駆動電力1/10 | 日立 ルネサステクノロジ | 日経産業新聞 (2006年12月13日PP.9) | 記録層と絶縁膜の間に厚さ2〜3nmのTa2O5薄膜 記録時電流数百μA | 160 230 |
| 2007年 2月号 | 回路線幅55nmのシステムLSI量産技術 | NECエレクトロニクス | 日刊工業新聞 (2006年11月6日PP.1) | DRAM混載 液浸露光 ゲート絶縁膜上にハフニウム極薄膜 | 160 |
| 2006年12月号 | DRAMの消費電力を10%削減 -絶縁膜材料に水使用- | 日立 | 日刊工業新聞 (2006年9月14日PP.37) | Al2O3絶縁膜 成膜時間半減 シリコン酸窒化膜 漏れ電流抑制 界面の酸化を回避 酸化膜換算膜圧2.9nm | 230 160 |
| 2006年12月号 | フルメタルゲートCMOS | 半導体先端テクノロジーズ(Selete) | 電波新聞 (2006年9月13日PP.1) | 回路線幅45nm以降 0.84nmの高誘電率(High-k)ゲート絶縁膜 デュアルメタルCMOSプロセス 窒化ハフニウムシリケート(HfSiON) | 160 220 |
| 2006年 9月号 | 強度2倍層間絶縁膜 -50nm世代メモリー向け- | 日立 日立化成 | 日刊工業新聞 (2006年6月13日PP.27) | 塗布型 強固な分子構造 耐熱性800℃ 比誘電率2.4 薬品耐性向上 平坦性維持 | 160 |
| 2006年 9月号 | 55nm素子形成技術 -SRAMで実用性確認- | NECエレクトロニクス | 日刊工業新聞 (2006年6月16日PP.29) | 酸窒化膜上に極薄膜のハフニウムシリケートを載せたゲート絶縁膜 トランジスタのしきい値制御範囲拡大 漏れ電流10%低減 ArF液浸露光装置 | 160 220 |
| 2006年 5月号 | 世界最小のICチップ | 日立 | 日経産業新聞 (2006年2月6日PP.8) | ミューチップ 0.15mm角 7.5μm厚 SOI技術 絶縁層で干渉を防止 素子の高集積化 | 160 220 340 |
| 2006年 5月号 | 有機発光トランジスタで8×8のアクティブマトリクスディスプレイパネル | ローム パイオニア 三菱化学 京大 | 電波新聞 (2006年2月21日PP.1) 日刊工業新聞 (2006年2月21日PP.12) | 有機スイッチングトランジスタ 黄色に発光 発光外部量子効率0.8% 表面改質したSi酸化膜のゲート絶縁膜表面にTPPyにルブレンをドープした共蒸着膜を形成 駆動電圧80V 1000cd/m2 | 160 220 250 |
| 2006年 2月号 | 磁気抵抗比55%のMRAM -パーマロイ系材料を使用- | 東芝 NEC | 日刊工業新聞 (2005年11月2日PP.26) | 磁気トンネル接合(MTJ)の磁気固定層にAl2O3のトンネル絶縁層を介してNiFeのパーマロイ系フリー層を積層 新キャップ層として非磁気層のNiFeZr 512KbMRAM試作 | 160 230 120 |
| 2005年 9月号 | 線幅32nmLSI向け新技術 -新構造TR・新多層配線技術- | MIRAIプロジェクト | 電波新聞 (2005年6月14日PP.1) 日経産業新聞 (2005年6月14日PP.7) | 高電流駆動力 プロセス損傷抑制可能 歪みSi薄膜 歪みGe薄膜 局所酸化濃縮法 ポーラシリカ低誘電絶縁材料 | 120 160 220 |
| 2005年 9月号 | 新概念LSIゲート絶縁膜 -Hf添加で移動度15〜20%向上- | 日立 ルネサステクノロジ | 日刊工業新聞 (2005年6月15日PP.25) | 65nm世代 ゲート絶縁膜とゲート電極界面に短分子膜に満たない微量のHfO2添加 バンド構造 仕事関数を制御 | 120 160 220 |
| 2005年 7月号 | 次世代磁気メモリー -消費電力同じで1万倍高速- | 東北大 日立 | 電波新聞 (2005年4月5日PP.1) 日刊工業新聞 (2005年4月5日PP.23) | MgOの絶縁膜をBを含むCoFe膜2枚で挟む 室温で磁気抵抗比287% 1Gb級MRAMに道 スパッタ法 TMR素子 | 120 230 |
| 2005年 7月号 | 省電力・部品削減液晶バックライト用インバータ | タムラ製作所 | 日経産業新聞 (2005年4月8日PP.5) | バックライト駆動に交流100Vを使用 電力利用効率5%向上 安全基準が要求する絶縁機能を確保 | 350 250 |
| 2005年 7月号 | 37インチ液晶テレビのバックライトを1個のトランスで点灯する絶縁型インバータシステム | サンケン電気 | 日刊工業新聞 (2005年4月19日PP.1) | 最大20本の冷陰極蛍光管(CCFL)を点灯可能 二段階の電流変換 電力変換効率86% コントロールICで電源とインバータを一体化 | 250 |
| 2005年 6月号 | 90n世代システムLSIによるDRAM混載技術 -130n世代に比べセル面積60%に- | NECエレクトロニクス | 電波新聞 (2005年3月10日PP.1) | MIMキャパシタを形成する絶縁膜にZrO2 ALD方式 Ta2O5の3倍以上 Si3N4の5倍以上の電荷蓄積能力 最大500MHz | 120 160 |
| 2005年 3月号 | 携帯電話向けトランジスタ -消費電力1/10に- | 日立 ルネサステクノロジ | 日経産業新聞 (2004年12月14日PP.9) | データ処理速度2割向上 65nm半導体向け 絶縁膜厚さ10nm | 220 |
| 2005年 3月号 | トンネル絶縁膜厚さ2.7nmのフラッシュメモリー -二重接合技術で実現- | 東芝 | 日刊工業新聞 (2004年12月17日PP.33) | 1nmの2枚のシリコン酸化膜で2nm径のシリコン微結晶をサンドウィッチ クーロンブロッケード効果 単一電子素子 | 160 230 |
| 2005年 2月号 | 45nm半導体向け絶縁膜 -2005年春 成膜装置供給へ- | MIRAIプロジェクト | 日経産業新聞 (2004年11月25日PP.1) | 絶縁膜材料にHfAlO 窒化処理と酸化処理 電子移動度260 窒化処理でSiO2(下付)膜薄く | 120 160 |
| 2005年 1月号 | ナノ空孔3次元解析 -次世代半導体量産化に貢献- | Selete | 日経産業新聞 (2004年10月6日PP.1) | 透過型電子顕微鏡(TEM) 数十枚の顕微鏡画像を合成 65nm半導体 多孔質ローK膜 最適な絶縁膜を選べる | 660 360 |
| 2005年 1月号 | 強度6倍の絶縁膜 | 三菱 | 日経産業新聞 (2004年10月14日PP.7) | 回路線幅65nm 層間絶縁膜 ボラジン CVD 65nm半導体向け 誘電率2.3 | 120 220 |
| 2004年11月号 | 45nm半導体向けに電流漏れ少ない絶縁膜 | MIRAIプロジェクト | 日経産業新聞 (2004年8月2日PP.9) | 炭素不純物を5〜9割除去 HfO2 Al2O3 リーク電流1μm/cm2 | 160 |
| 2004年11月号 | 絶縁層薄膜の印刷技術 -印刷でICカード・タグを作製可能- | 産総研 日立 | 朝日新聞 (2004年8月31日PP.2) | Siの酸化物をプラスチックに100℃以下で印刷 | 220 160 |
| 2004年 9月号 | 65nm半導体絶縁膜技術 | 富士通 | 日経産業新聞 (2004年6月17日PP.7) | 絶縁膜のひずみを利用 成膜の温度や時間を細かく制御 導電率15%改善 | 160 220 |
| 2004年 9月号 | 65nm次世代半導体 -配線強化で歩留まり2倍に向上- | 東芝 ソニー | 日経産業新聞 (2004年6月24日PP.9) | 配線の剥落を防ぐ技術 高密度配線 層間絶縁膜 電子ビームで配線材料強度高める | 160 220 260 |
| 2004年 3月号 | 線幅45nm対応の絶縁膜 -次々世代半導体向け- | NEDO 富士通 東芝など24社 | 電波新聞 (2003年12月8日PP.1) 日経産業新聞 (2003年12月8日PP.9) | 半導体MIRAIプロジェクト 多孔質無機Low-kの改良 弾性率8GPa プラズマ共重合 TMCTSガス処理 | 160 220 |
| 2004年 2月号 | 65nmLSI向け絶縁膜 -量産技術確立- | Selete 東京エレクトロン | 日経産業新聞 (2003年11月6日PP.1) | 高誘電率絶縁膜 ハイK テルフォーミュラ 熱処理計2時間 | 160 |
| 2004年 2月号 | 65nmプロセスSRAM | 米インテル | 日本経済新聞 (2003年11月26日PP.3) | ゆがみSi技術 高速インタコネクト 低誘電率絶縁材料 0.57μm2(上付)に4MB | 160 230 |
| 2003年11月号 | 次世代半導体用絶縁膜 -溶液中で作製- | 理化学研 | 日経産業新聞 (2003年8月21日PP.7) | Hfを含む溶液 400℃加熱 絶縁膜10〜15nm | 160 |
| 2003年 9月号 | 65nm幅LSI用新技術 -ウエハ研磨工程を改善- | Selete | 日経産業新聞 (2003年6月10日PP.1) | 多孔絶縁膜 CMPに耐える強度の膜弾性率12GPa 比誘電率2.3 | 160 |
| 2003年 9月号 | 絶縁体にナノ量子細線 -導電性付与に成功- | 科学技術振興財団 | 日刊工業新聞 (2003年6月16日PP.5) | 超高温透明セラミックス 転位構造配列制御 サファイア結晶内に5nmの金属細線 | 120 160 |
| 2003年 8月号 | 透明トランジスタ | 科学技術振興事業団 東工大 | 毎日新聞 (2003年5月23日PP.28) 日経産業新聞 (2003年5月23日PP.8) | MOS 液晶ディスプレイ用 ZrO基板単結晶薄膜 HfOの絶縁体 電流100倍 窓ガラスに映像 | 150 250 |
| 2003年 7月号 | 不揮発メモリー -絶縁膜にアルミナ採用- | 富士通研 | 日本工業新聞 (2003年4月3日PP.2) | ミラーフラッシュ 2b/セル記録 | 230 |
| 2003年 7月号 | 次世代トランジスタ -IC消費電力1/10 漏電抑える- | Selete 早大 物材機構 他 | 日経産業新聞 (2003年4月11日PP.1) | MOSFETの絶縁膜改良 HfOを使う技術 次世代トランジスタ 消費電力1/10 | 160 220 |
| 2007年 3月号 | PRAM駆動電力1/10 | 日立 ルネサステクノロジ | 日経産業新聞 (2006年12月13日PP.9) | 記録層と絶縁膜の間に厚さ2〜3nmのTa2O5薄膜 記録時電流数百μA | 160 230 |
| 2007年 2月号 | 回路線幅55nmのシステムLSI量産技術 | NECエレクトロニクス | 日刊工業新聞 (2006年11月6日PP.1) | DRAM混載 液浸露光 ゲート絶縁膜上にハフニウム極薄膜 | 160 |
| 2006年12月号 | DRAMの消費電力を10%削減 -絶縁膜材料に水使用- | 日立 | 日刊工業新聞 (2006年9月14日PP.37) | Al2O3絶縁膜 成膜時間半減 シリコン酸窒化膜 漏れ電流抑制 界面の酸化を回避 酸化膜換算膜圧2.9nm | 230 160 |
| 2006年12月号 | フルメタルゲートCMOS | 半導体先端テクノロジーズ(Selete) | 電波新聞 (2006年9月13日PP.1) | 回路線幅45nm以降 0.84nmの高誘電率(High-k)ゲート絶縁膜 デュアルメタルCMOSプロセス 窒化ハフニウムシリケート(HfSiON) | 160 220 |
| 2006年 9月号 | 強度2倍層間絶縁膜 -50nm世代メモリー向け- | 日立 日立化成 | 日刊工業新聞 (2006年6月13日PP.27) | 塗布型 強固な分子構造 耐熱性800℃ 比誘電率2.4 薬品耐性向上 平坦性維持 | 160 |
| 2006年 9月号 | 55nm素子形成技術 -SRAMで実用性確認- | NECエレクトロニクス | 日刊工業新聞 (2006年6月16日PP.29) | 酸窒化膜上に極薄膜のハフニウムシリケートを載せたゲート絶縁膜 トランジスタのしきい値制御範囲拡大 漏れ電流10%低減 ArF液浸露光装置 | 160 220 |
| 2006年 5月号 | 世界最小のICチップ | 日立 | 日経産業新聞 (2006年2月6日PP.8) | ミューチップ 0.15mm角 7.5μm厚 SOI技術 絶縁層で干渉を防止 素子の高集積化 | 160 220 340 |
| 2006年 5月号 | 有機発光トランジスタで8×8のアクティブマトリクスディスプレイパネル | ローム パイオニア 三菱化学 京大 | 電波新聞 (2006年2月21日PP.1) 日刊工業新聞 (2006年2月21日PP.12) | 有機スイッチングトランジスタ 黄色に発光 発光外部量子効率0.8% 表面改質したSi酸化膜のゲート絶縁膜表面にTPPyにルブレンをドープした共蒸着膜を形成 駆動電圧80V 1000cd/m2 | 160 220 250 |
| 2003年 4月号 | トランジスタ製造技術 -線幅65nm技術確立- | 半導体先端テクノロジーズ | 日経産業新聞 (2003年1月21日PP.8) | 高誘電率絶縁膜 ハイK 25%のHfO2含有ON2O3 | 120 220 |
| 2003年 2月号 | トップゲート型FET -単層CNTで試作- | NEC 科学技術振興事業団 | 日刊工業新聞 (2002年11月8日PP.5) 日経産業新聞 (2002年11月8日PP.7) | レーザ蒸着法で合成 単相CNTの上にTi層 酸化チタンゲート絶縁膜 相互コンダクタンスが320ns | 160 220 |
| 2003年 2月号 | Si製半導体 -｢2世代先｣実現にメド- | 東芝 | 日本経済新聞 (2002年11月29日PP.17) | ゲート電極幅14nmのトランジスタ 基板正負電極間の絶縁膜最適化 ゲート電極材料の改良 | 220 160 |
| 2003年 1月号 | セラミックス絶縁体を紫外線で半導体に変換 | 東工大 | 朝日新聞 (2002年10月3日PP.2) | C12A7 | 120 |
| 2002年 8月号 | 分子集合でナノ配線 | 東大 | 日経産業新聞 (2002年5月10日PP.8) | ピロール 1本あたりの太さ2.7nm 自己組織化 表面にシリカの絶縁層 相田ナノ空間プロジェクト | 120 160 |
| 2002年 3月号 | 耐久性の高い半導体素子 -寿命数倍に- | 広島大 | 日経産業新聞 (2001年12月26日PP.8) | 駆動電極部の絶縁層に保護膜 原子層成長法 SiN | 160 220 |
| 2000年11月号 | 半導体製造 -製膜コスト半減- | 東芝 東京エレクトロン | 日本経済新聞 (2000年9月2日PP.13) | ノズル・スキャン塗布 強誘電体膜 低誘電率相関絶縁膜 | 160 |
| 2000年 3月号 | 新CDV法を確立 -0.1μmのトランジスタ- | 豊田工大 | 日経産業新聞 (2000年1月14日PP.5) 日刊工業新聞 (2000年1月14日PP.5) | LSI Si窒化薄膜 電子ビーム プラズマ ゲート絶縁膜 0.1μmルール半導体製造 低温 低圧力 | 160 |
| 2000年 2月号 | 1GHzの微小トランジスタ | 日立 | 日経産業新聞 (1999年12月7日PP.5) | 1GHz ゲート長0.1μm トランジスタ CMOS 2層構造絶縁膜 タングステン薄膜 | 220 |
| 1999年 7月号 | DRAMを超える新形メモリー -記憶性能DRAMの2倍- | 日立製作所 英ケンブリッジ大 | 日本経済新聞 (1999年5月18日PP.1) 日刊工業新聞 (1999年5月19日PP.11) 日経産業新聞 (1999年5月25日PP.9) | PLEDM セルサイズ半分 不揮発性 絶縁膜埋込み 新形メモリー | 220 230 |
| 1999年 6月号 | リモコン受信待機電力3mW | SMK | 電波新聞 (1999年4月15日PP.6) | 待機電力3mW 非絶縁形回路 省エネ | 340 210 |
| 1999年 5月号 | 0.1μmプロセス用絶縁材料 -2GHz動作のLSI実現- | 富士通研 | 電波新聞 (1999年3月30日PP.1) | 2GHz動作 0.1μmプロセス用絶縁材料 ナノキャビティ技術 層間絶縁膜誘電率1.98 アリサイクリックモノマ | 220 120 160 |
| 1999年 3月号 | 高温超伝導 -集積回路実現へ突破口- | NEC | 朝日新聞 (1999年1月3日PP.3) | 高温超伝導 絶縁バリア層 ジョセフソン接合 集積回路 | 120 160 220 |
| 1999年 2月号 | シリコン酸化膜の微細構造解析 -歪み層が信頼性決定- | 松下電子 | 日経産業新聞 (1998年12月8日PP.5) | 1nm歪み層 絶縁破壊 | 160 |
| 1999年 1月号 | 30%高速化した次世代LSI -絶縁膜に新材料- | 富士通研 | 日経産業新聞 (1998年11月26日PP.5) | LSI 絶縁膜 二酸化ケイ素 水素シルセスキオキサン(HSQ) | 160 120 |
| 1998年11月号 | DRAMを越える新メモリー-MRAM- | 東芝 | 日本経済新聞 (1998年9月19日PP.11) | 固体磁気メモリー MRAM 大容量 高速読出し アルミナ絶縁層 PtCo合金 強磁性二重トンネル接合 フォトリソグラフィ 読出し速度6ns 不揮発性メモリー | 230 |
| 1998年11月号 | 大容量FeRAM -記憶容量大幅に拡大- | 富士通 | 日本経済新聞 (1998年9月8日PP.12) | FeRAM 50nmの絶縁体膜 BiOxとSTBの積層絶縁膜 | 230 |
| 1998年 8月号 | 新型フラッシュメモリーセル -低電圧で書込み消去 セル小型化 工程4割減- | NEC 東芝 | 日経産業新聞 (1998年6月22日PP.5) | フラッシュメモリー 角型構造 情報記憶用電極に角構造 表面積2倍 書込み消去電圧20Vから16V 絶縁溝を配線後に作る | 230 160 |
| 1998年 8月号 | 次世代LSI用配線技術 | 東芝 | 日経産業新聞 (1998年6月19日PP.4) | 抵抗 容量減少 ニオブ 絶縁膜に配線用溝と接続用の孔 ニオブを使用 抵抗3〜5割 静電容量4割程度削減 | 160 |
| 1998年 8月号 | 信号伝達の遅れを改善した配線技術 | 松下電子 | 日経産業新聞 (1998年6月10日PP.5) | すきま配線 多層配線 中空構造絶縁体 | 160 |
| 1998年 6月号 | 配線技術 -次世代高速ロジックLSI実現へ- | 富士通研 | 日経産業新聞 (1998年4月14日PP.5) | 有機高分子 絶縁膜 | 220 160 |
| 1997年 9月号 | 厚さ最小のLSI用絶縁膜 | 東芝 | 日経産業新聞 (1997年7月18日PP.6) | LSI 絶縁膜 1.5nm 消費電力1/18 | 220 160 |
| 1997年 8月号 | SRAM高集積で新技術 -メモリーセル面積最小に- | 富士通 | 日経産業新聞 (1997年6月10日PP.4) | SRAM メモリーセル 高集積 MPU CSI 高絶縁 | 230 160 220 |
| 1997年 7月号 | 小型・高感度CCD | NHK | 日経産業新聞 (1997年5月7日PP.5) | CCD HARP膜 絶縁耐圧75V 高感度カメラ CMOS | 210 310 |
| 1997年 5月号 | LSI平坦化技術 | NTT 触媒化成工業 | 日刊工業新聞 (1997年3月5日PP.5) | 層間絶縁膜シート 加熱加圧転写 | 160 |
| 1997年 3月号 | 磁界とプラズマ併用し，薄膜形成 | 理科大 | 日経産業新聞 (1997年1月20日PP.5) | 磁力で高ガス密度 60℃で絶縁膜形成 有磁界プラズマ装置 | 160 |
| 1997年 3月号 | 半導体薄膜製造技術 -電子線照射，室温で製造- | 三菱重工 | 日経産業新聞 (1997年1月20日PP.5) | 半導体薄膜 室温 成長速度0.015μm/6H 室温で絶縁膜 半導体膜 金属膜を形成 | 160 |
| 1996年11月号 | LSI高集積化に新絶縁技術-多孔質膜で誤動作防止- | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1996年9月12日PP.5) | SOG中に空孔 誘電率2/3倍 速度25%向上 消費電力27%減 | 160 220 |
| 1996年 5月号 | 酸化物結晶薄膜 | 東芝 | 日経産業新聞 (1996年3月20日PP.4) | 導電性 超電導性 絶縁性 強磁性 MBE法 | 160 |
| 1996年 4月号 | GaAs絶縁膜形成に成功 | 理科大 | 日刊工業新聞 (1996年2月15日PP.6) | GaAs 絶縁膜 MIS構造 | 160 |
| 1995年 2月号 | 光を当てると絶縁体に変わるシリコン材料 | 東芝シリコーン | 日経産業新聞 (1994年12月5日PP.5) | Si材料 配線技術 | 100 |
| 1994年 2月号 | 1GbDRAM -酸化タンタルで容量絶縁膜- | NEC | 日刊工業新聞 (1993年12月16日PP.5) | 酸化タンタル膜 1GbpsDRAM用 | 230 |
| 1994年 2月号 | 共鳴トンネルトランジスタ -金属と絶縁体で試作- | 東工大 | 日経産業新聞 (1993年12月6日PP.5) | 共鳴トランジスタ | 220 |
| 1994年 1月号 | 画期的な防鼠絶縁カバー -塩化ビニール内に唐辛子の辛味成分- | 品川商工 | 電波新聞 (1993年11月25日PP.11) | ケーブル 防鼠絶縁カバー | 140 |
| 1993年 4月号 | 超高速トランジスタ | 東工大 | 日経産業新聞 (1993年2月16日PP.5) | 超薄膜 HET -196℃ 従来の5〜6倍速 金属 絶縁体Tr コバルトシリサイト フッ化カルシウム 分子線結晶成長法 800GHz | 220 |
| 1992年 6月号 | Si表面にC60単結晶薄膜形成 | 東北大 三重大 | 日刊工業新聞 (1992年4月3日PP.1) | C60 :半導体/絶縁体/金属/超電導にもなる未来材料 | 100 120 |
| 1991年11月号 | 極薄絶縁膜形成技術 | 沖電気 | 日経産業新聞 (1991年9月5日PP.5) | 酸窒化シリコン膜，厚さ5nm 256M〜1GbDRAM用 | 260 |
| 1991年 3月号 | 超LSI素子 信頼性向上 | 沖電気 | 日経産業新聞 (1991年1月16日PP.0) | 絶縁膜を亜酸化窒素処理 | 220 260 |