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| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
| 2018年 1月号 | 有機半導体に高電流 | 東北大 東工大 | 日経産業新聞 (2017年10月25日PP.8) | ディスプレイ 有機半導体 テトラテトラコンタン 発光 半導体レーザ | 120 |
| 2015年10月号 | 最小の半導体レーザ | 東大 | 日経産業新聞 (2015年7月7日PP.8) | 太さ鉛筆の2万5000分の1 ガリウム・ヒ素 | 250 |
| 2014年 7月号 | 透明・半透明フィルムのピンホールを検出する検査装置 | 浜松ホトニクス | 日経産業新聞 (2014年4月9日PP.13) | 最小50μmの微小穴検出 半導体レーザ光源とフォトダイオードによる検出部 検査速度600m/min | 360 |
| 2013年 8月号 | 半導体レーザを光源に使用した新照明 | 東芝ライテック | 日経産業新聞 (2013年5月21日PP.1) | 青色ダイオード 140Mcd/m2 LED照明の倍以上の明るさ 光ファイバ 寿命2万時間 | 250 |
| 2011年12月号 | 市販の半導体レーザで「16値」高速光通信 | 日立 | 日刊工業新聞 (2011年9月20日PP.1) | 80Gbpsの信号を320km伝送 位相積算回路 | 440 340 |
| 2010年11月号 | 13fJ/bitで情報伝送可能な半導体レーザ | NTT | 日経産業新聞 (2010年8月3日PP.11) 日刊工業新聞 (2010年8月2日PP.19) | フォトニック結晶 既存の約1/20のエネルギー | 250 |
| 2010年10月号 | ピーク出力100W超の青紫色半導体レーザ | 東北大 ソニー | 日刊工業新聞 (2010年7月21日PP.27) 日経産業新聞 (2010年7月21日) | パルスの出力間隔3ps 波長405nm 2光子吸収 繰り返し周波数1GHz | 250 |
| 2010年10月号 | コヒーレント光通信技術で40Gbpsの安定受信を実現 | 沖電気 | 日経産業新聞 (2010年7月26日PP.12) | 消費電力1/10 光モード同期半導体レーザ 電気信号に変換不要 消費電力1/10 光モード同期半導体レーザ 2時間以上安定受信 受信した光信号をレーザの光と重ね合わせ | 250 340 440 |
| 2010年 8月号 | 量子ドットを300層積層した半導体レーザ | 情通機構 | 日刊工業新聞 (2010年5月26日PP.23) 日経産業新聞 (2010年5月27日PP.13) | 温度調整装置が不要 80℃までの高温域で波長1.55μmでレーザ発振成功 | 120 250 |
| 2009年11月号 | 携帯電話端末に1Gbpsの赤外線通信機能を開発 | KDDI | 日経産業新聞 (2009年8月6日PP.1) | 1Gbpsの赤外線通信技術が国際標準団体IrDAに採用 半導体レーザ 通信速度従来の250倍 従来のLEDと同じ850nm | 440 540 |
| 2009年10月号 | 純緑色半導体レーザ | 住友電工 | 日本経済新聞 (2009年7月16日PP.11) | 窒化ガリウムの結晶の切り出し方を工夫 室温で波長が531nmのレーザ光 薄型テレビ プロジェクタ | 250 |
| 2009年 2月号 | 半導体レーザ出力光を利用した高速乱数生成手法 | NTT 拓殖大 | 日刊工業新聞 (2008年11月24日PP.14) | 1.7Gbps レーザ出力光を反射鏡で再びレーザに戻す 約2～5GHzで振動 | 250 |
| 2008年10月号 | 半導体レーザの世界最短波長を実現 | 浜松ホトニクス | 日経産業新聞 (2008年7月29日PP.8) | 波長342nmの紫外レーザ光を発振 化粧にAlを混ぜる 消費電力1/100以下 Al組成が30% AlGaNを発光層 | 250 120 |
| 2008年 6月号 | 25Gbps伝送が可能な半導体レーザ | 日立 日本オプネクスト | 日経産業新聞 (2008年3月3日PP.9) | 波長1300nm 4つの波長を組合せれば100Gbps 伝送実験12kmに成功 0℃～85℃の間で安定動作 | 240 |
| 2008年 4月号 | 通信速度が250倍の赤外線通信技術
-CDアルバムの無線転送1秒で- | KDDI研 | 日経産業新聞 (2008年1月8日PP.1) | 1Gbpsの近距離通信 半導体レーザ 通信距離数cm データ損失を高精度で認識・再送する通信プロトコル 不揮発メモリー | 440 |
| 2008年 1月号 | 非極性面採用青色半導体レーザ -室温連続発振に成功- | ローム | 電波新聞 (2007年10月25日PP.1) | 非極性面(m面)GaN 波長463nm 共振器長400μm ストライプ幅2.5μm しきい値電流69mA しきい値電圧6.2V 出力2mW以上 | 120 250 |
| 2007年 6月号 | 深紫外固体紫外線レーザ | 三菱電機 阪大 | 電波新聞 (2007年3月15日PP.6) | 波長213nm 出力10W LD励起固体レーザの基本ユニットを最大9段まで連結 非線形光学結晶により波長変換 | 160 250 |
| 2006年11月号 | GaInNAs半導体レーザ -40Gbps動作に成功- | 日立 | 電波新聞 (2006年8月25日PP.1) | Alフリー分子線エピタキシ技術 活性層 逆メサ型リッジ構造 | 120 160 240 |
| 2006年 9月号 | 半導体レーザのビーム形状を自在に制御 | 京大 ローム JST | 日刊工業新聞 (2006年6月22日PP.34) 日経産業新聞 (2006年6月22日PP.11) | 2次元フォトニック結晶 レーザ共振器の構造を制御して光分布を変化 格子点や格子間隔を変化 現在の数十倍の記録容量を持つ光ディスクの光源に利用可能 光ピンセットに応用可能 | 120 160 250 |
| 2006年 6月号 | マルチモードファイバ(MMF) -10Gbps 300mの伝送に成功- | 富士通 東大 | 日刊工業新聞 (2006年3月3日PP.1) | 温度無依存の量子ドットレーザ(QDLD) 3Dのナノ構造に電子が閉じ込められて発光 冷却機・電流駆動制御不要 | 240 120 |
| 2006年 6月号 | 白色レーザ発振可能なフッ化物ファイバ | 住田光学ガラス | 日刊工業新聞 (2006年3月3日PP.1) | 1本で青色半導体レーザを白色レーザとして連続発振 PrをAlF系ガラスに含ませた独自素材 522nm・635nmとあわせ440nm ディスプレイ光源 高い変換効率 三原色の高い色再現性 | 120 160 240 250 |
| 2006年 3月号 | 高密度・高均一な量子ドットの製造に成功 | 産総研 | 電波新聞 (2005年12月30日PP.5) | 通信用半導体レーザ 大きな光増幅 40GHzを超える高速直接変調動作が理論的に可能 1.3μmでレーザ発振動作 As2分子線 組成傾斜歪み緩和層構造 | 160 250 120 |
| 2006年 1月号 | 量子ドットを活用した半導体レーザ | 産総研 | 日経産業新聞 (2005年10月24日PP.11) | InAs製 直径15nm GaAs基板上に1000億個/cm2形成 5層積層 波長1.3μmのレーザ光発振 10GHz高速光通信 | 160 250 120 |
| 2005年10月号 | 消費電力1/3の高速光通信用レーザ光源 | 日立 日本オプネクスト | 日経産業新聞 (2005年7月14日PP.8) | 発振波長1.55μm 出力2.5W Alを含む半導体材料で作った変調器を半導体レーザと同一基板に集積 | 120 160 250 |
| 2005年10月号 | 半導体レーザ製造技術開発 -コスト1/1000に- | 情通機構 | 日経産業新聞 (2005年7月29日PP.7) | 面発光レーザ GaAs基板にSb系化合物微粒子の量子ドット 波長1.55μm | 120 160 250 |
| 2005年 8月号 | 波長2μm帯伝導冷却型レーザ -460mJの最高出力達成- | 情通機構 | 日刊工業新聞 (2005年5月20日PP.35) | LD励起伝導冷却型レーザ 従来は100mJ CO2の排出量測定に適する | 250 |
| 2005年 6月号 | 90n世代システムLSIによるDRAM混載技術 -130n世代に比べセル面積60%に- | NECエレクトロニクス | 電波新聞 (2005年3月10日PP.1) | MIMキャパシタを形成する絶縁膜にZrO2 ALD方式 Ta2O5の3倍以上 Si3N4の5倍以上の電荷蓄積能力 最大500MHz | 120 160 |
| 2005年 1月号 | 青紫色半導体レーザ -室温連続発振300mW- | NEC | 日刊工業新聞 (2004年10月5日PP.1) | LD 405nm波長 室温～80℃で動作 活性層の上のp型層にAlNを埋め込んだ | 250 |
| 2004年12月号 | 医療向けスーパルミネッセントダイオード -高出力・広波長域を実現- | NTT NTTエレクトロニクス | 日刊工業新聞 (2004年9月3日PP.28) | 1.31μm帯 50mW以上の高出力 50nm以上の広波長帯域 LEDとLDの利点を併せ持つ SLD | 250 |
| 2004年12月号 | 低密度パリティチェック符号がIEEEの標準規格に | 産総研 | 日刊工業新聞 (2004年9月7日PP.27) | LDPC符号 10GBASE-T用 AISTスーパークラスタで有効性を実証 | 520 |
| 2004年 8月号 | 広帯域で集光しやすい新たな光源開発 | 東大 santec | 日経産業新聞 (2004年5月11日PP.9) | 白色ランプなみで半導体レーザに匹敵 集光性2～3μm 波長1.2～2μm 光の強度白色ランプの1000倍 光の増幅にErを使う 高非線形ファイバ | 250 350 |
| 2004年 8月号 | 世界最高光出力の青紫色半導体レーザ | 三洋電機 | 日刊工業新聞 (2004年5月27日PP.1) | パルス発振で120mW GaN基板 次世代大容量光ディスク | 250 |
| 2003年 8月号 | 面発光型半導体レーザ
-素子1個で20種の波長- | 東工大 | 日経産業新聞 (2003年5月7日PP.10) | 約1mm角のチップ 950nm～1500nm 半導体幅で | 240 250 |
| 2003年 8月号 | 半導体レーザ量産技術
-安価な製造法開発- | 東大 富士通 | 日経産業新聞 (2003年5月14日PP.9) | 量子ドットレーザ 光通信 MOCVD 発光波長1.8μm | 240 160 250 |
| 2003年 7月号 | 緑色レーザダイオード開発へ | 電力中研 | 日経産業新聞 (2003年4月28日PP.6) | LEDに比べ明るさが100倍 素子の構造をナノﾚベﾙで制御 研究開始 | 160 250 |
| 2006年11月号 | GaInNAs半導体レーザ -40Gbps動作に成功- | 日立 | 電波新聞 (2006年8月25日PP.1) | Alフリー分子線エピタキシ技術 活性層 逆メサ型リッジ構造 | 120 160 240 |
| 2006年 9月号 | 半導体レーザのビーム形状を自在に制御 | 京大 ローム JST | 日刊工業新聞 (2006年6月22日PP.34) 日経産業新聞 (2006年6月22日PP.11) | 2次元フォトニック結晶 レーザ共振器の構造を制御して光分布を変化 格子点や格子間隔を変化 現在の数十倍の記録容量を持つ光ディスクの光源に利用可能 光ピンセットに応用可能 | 120 160 250 |
| 2006年 6月号 | マルチモードファイバ(MMF) -10Gbps 300mの伝送に成功- | 富士通 東大 | 日刊工業新聞 (2006年3月3日PP.1) | 温度無依存の量子ドットレーザ(QDLD) 3Dのナノ構造に電子が閉じ込められて発光 冷却機・電流駆動制御不要 | 240 120 |
| 2006年 6月号 | 白色レーザ発振可能なフッ化物ファイバ | 住田光学ガラス | 日刊工業新聞 (2006年3月3日PP.1) | 1本で青色半導体レーザを白色レーザとして連続発振 PrをAlF系ガラスに含ませた独自素材 522nm・635nmとあわせ440nm ディスプレイ光源 高い変換効率 三原色の高い色再現性 | 120 160 240 250 |
| 2003年 6月号 | 半導体レーザ -青紫色の出力2倍に- | 三洋電機 | 日本経済新聞 (2003年3月27日PP.13) | 出力100mW 2層ディスク書込み可能 | 250 |
| 2003年 4月号 | 原子1層の半導体膜 | FEC | 日刊工業新聞 (2003年1月24日PP.1) | 次世代半導体製造用化学ガスを高速切替え ALD | 160 |
| 2003年 2月号 | 量子カスケード半導体レーザの発振に成功 | 東北大 | 日本工業新聞 (2002年11月15日PP.2) | 遠赤外領域 ナノ構造 InAs AlSb 厚さ4～7nm×20層の超格子×40周期 発光波長9.94μm | 250 220 |
| 2002年12月号 | 10Gbps動作の発光・受光素子 | 日立 | 電波新聞 (2002年9月6日PP.2) | 85℃ 5000時間越す安定動作 InGaAlAs埋込みヘテロ型半導体レーザ InAlAsメサ型アバランシェフォトダイオード | 210 240 250 |
| 2002年10月号 | 半導体レーザ -消費電力を半減- | NEC | 日本経済新聞 (2002年7月12日PP.17) | 発光部の幅を2μmから10μm 45%の消費電力で同一出力 | 240 250 |
| 2002年10月号 | 次世代DVD -容量4倍パソコン用で標準目指す- | NEC | 日刊工業新聞 (2002年7月16日PP.1) | 光ディスク 405nm青色半導体レーザ 片面最大20.5GB・32Mbps DVDとの互換制を重視 保護層厚0.6mm カートリッジ不要 | 230 330 530 |
| 2001年12月号 | 次世代光ディスク加工技術 -DVDの容量20倍に 赤色半導体レーザ利用- | シャープ 産総研 TDK | 日経産業新聞 (2001年9月11日PP.13) | 原盤加工 吸光発熱薄膜 熱疑固薄膜 幅100nmの線 直径80nmの突起 | 230 160 |
| 2001年10月号 | 低温p-Si技術-ガラス基板に超高速回路- | 富士通 | 日刊工業新聞 (2001年7月13日PP.1) | 粒界3×20μm､ガラス基板 Si2バッファ層 半導体レーザ励起固体レーザによる結晶化 低温p-Si技術 プロセス温度450℃以下 移動度500cm2/V・s | 160 220 250 |
| 2001年 8月号,9月号 | 赤色半導体レーザ -光利用効率20%向- | 三洋電機 | 電波新聞 (2001年6月15日PP.2) | アスクペクト比1対1.7の近円形ビーム 光利用効率20%向上 4倍の高速記録が可能 発振波長660nm AlGaInP系赤色半導体レーザ 低損質導波路 | 250 |
| 2000年11月号 | 半導体レーザ -180mW世界最高出力- | 松下電子 | 電波新聞 (2000年9月22日PP.5) | 分布帰還形 マストランスポート法 1.5μm帯 | 240 250 |
| 2000年11月号 | 記録形DVD用赤色半導体レーザ -世界最高の80mW達成- | 三洋電機 | 日本工業新聞 (2000年9月1日PP.9) | 赤色半導体レーザ 単一横モード AlGaInP結晶 | 250 230 |
| 2000年 4月号 | 微小ピラミッド構造の光共振器 | 北大 | 日経産業新聞 (2000年2月22日PP.1) | 光共振器 半導体レーザ 硫化亜鉛 閾値電流 レーザ発振器 | 150 160 |
| 2000年 4月号 | 単結晶窒化ガリウム基板 | 住友電工 | 日経産業新聞 (2000年2月18日PP.1) | 窒化ガリウム 青紫色半導体レーザ | 160 150 |
| 1999年11月号 | 光発生装置 -超短波長連続的に- | 郵政省 | 日経産業新聞 (1999年9月1日PP.5) | 半導体レーザ 波長変換技術 | 240 250 |
| 1999年11月号 | 青紫色面発光形半導体レーザ -室温発振に成功- | 東大 | 日刊工業新聞 (1999年9月17日PP.8) 日経産業新聞 (1999年9月17日PP.4) | 窒化ガリウム インジウム 発振波長399nm サファイア基板 多重量子井戸構造 青紫色面発光レーザ 室温発振 | 250 |
| 1999年11月号 | 簡易部品でミリ波発生 | ATR | 日経産業新聞 (1999年9月22日PP.5) | ミリ波光源 半導体レーザ ファブリペロー形 | 440 240 |
| 1999年11月号 | 紫色半導体レーザ -世界初の実用化- | 日亜化学 | 電波新聞 (1999年9月22日PP.2) 電波タイムズ (1999年9月27日PP.7) | DVD 紫色半導体レーザ 波長405nm 出力5mW | 250 |
| 1999年 9月号 | 20fsの光パルス発生システム | FESTA | 日刊工業新聞 (1999年7月13日PP.7) | 半導体レーザ ソリトン | 240 250 |
| 1999年 8月号 | 青紫色半導体レーザ -消費電力1/10に- | 東大 | 日本経済新聞 (1999年6月7日PP.19) | 青紫色半導体レーザ 量子箱 波長405nm 室温でパルス発振 | 250 |
| 1999年 7月号 | 青色半導体レーザ -量子ドットで実現- | 東大 | 日刊工業新聞 (1999年5月21日PP.1) | InGaN 量子ドット 10層構造 室温発振 閾値電流 MOCVD 直径約20nm 高さ約4.5nm 波長405nm 色素レーザ励起 | 250 |
| 1999年 6月号 | 青紫色半導体レーザ -量産タイプの素子構造，連続発振- | NEC | 日刊工業新聞 (1999年4月6日PP.6) | 青紫色半導体レーザ 室温連続発振 GaIn系 N形NGa基板 HVPE 低欠陥 裏面電極 へき開共振器 波長401.9nm | 250 |
| 1999年 6月号 | 面発光半導体レーザ -フォトニック結晶で製作- | 京大 | 日刊工業新聞 (1999年4月1日PP.6) | 2次元ホトニック結晶 InP半導体レーザ ビーム角1.8° 面発光半導体レーザ 室温パルス発振 | 240 250 |
| 1999年 4月号 | 紫色半導体レーザ -次世代DVD用光源- | 松下電器産業 | 電波新聞 (1999年2月4日PP.1) 日経産業新聞 (1999年2月4日PP.5) 日本経済新聞 (1999年2月4日PP.11) 日本工業新聞 (1999年2月4日PP.4) | 次世代DVD 波長400nm 集光特性 連続発振 多重量子井戸構造 GaN DVD 紫色半導体レーザ 半導体レーザ 記録用光源 | 230 250 |
| 1999年 3月号 | 集積型半導体レーザ -テラビット級に対応可能- | NEC | 日経産業新聞 (1999年1月12日PP.5) 日本工業新聞 (1999年1月12日PP.14) | 集積型半導体レーザ 光ソリトン 10Gbps 1.55μm 6ps 半導体レーザ | 240 250 |
| 1999年 3月号 | 紫色半導体レーザ出荷 -DVD記録容量 赤の2.6倍- | 日亜化学工業 | 日経産業新聞 (1999年1月12日PP.1) | 400nm 50mW 紫色半導体レーザ | 250 |
| 1999年 2月号 | 光ファイバ通信用半導体レーザ | 三菱電機 | 日本工業新聞 (1998年12月11日PP.4) | 光ファイバ DFBレーザ 電解吸収型半導体変調器 | 240 250 |
| 1999年 1月号 | 波長多重光通信用半導体レーザ -4枚のウェハで64種類- | NEC | 日経産業新聞 (1998年11月24日PP.4) | 半導体レーザ 変調器 変調器集積光源 変調光集積 波長多重通信 | 240 250 |
| 1999年 1月号 | 条件により光通す結晶 -紫外線レーザに道- | 東芝 | 日本経済新聞 (1998年11月16日PP.19) | セラミックス 電磁気誘起透明化 Y Al酸化物セラミクス プラセジオムイオン 190nm以下 紫外線域 半導体レーザ | 150 |
| 1999年 1月号 | 1.55μm半導体レーザ -25℃～85℃まで温度変化- | 東工大 | 電波新聞 (1998年11月3日PP.5) | 閾値電流 1.6倍 波長1.55μm帯 | 250 |
| 1998年12月号 | 半導体レーザ -温度調節器不要に- | 東工大 | 日経産業新聞 (1998年10月20日PP.5) | 半導体レーザ 光通信 歪み量子井戸構造 温度調節器不要 | 250 |
| 1998年12月号 | 光ディスク用半導体レーザ -100mWの高出力- | 松下電子 | 日経産業新聞 (1998年10月6日PP.5) 日刊工業新聞 (1998年10月6日PP.11) | CD-R 光ディスク 半導体レーザ | 250 230 |
| 1998年12月号 | 減圧CVD法による青紫色半導体レーザ -室温連続発振- | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1998年9月30日PP.6) | MOCVD 青紫色半導体レーザ 炭化シリコン基板 窒化ガリウム | 250 |
| 1998年11月号 | 青紫色半導体レーザ -室温連像発振に成功- | ソニー | 日刊工業新聞 (1998年9月17日PP.5) | 青紫色半導体レーザ 室温連続発振 窒化Ga 加圧型有機全層気相成長 MOCVD | 250 |
| 1998年11月号 | 世界初の完全単一モード -面発光半導体レーザ開発- | 東工大 | 電波新聞 (1998年9月13日PP.5) 日経産業新聞 (1998年9月21日PP.5) | 単一モードレーザ 面発光レーザ GaAs 傾斜基板 閾値260μA 波長985nm 出力0.7mW 単一波長 | 250 |
| 1998年 7月号 | 量子箱半導体レーザ | 富士通研 | 日経産業新聞 (1998年5月12日PP.1) | 半導体レーザ 40mW出力 量子箱 閾値電流31mA | 250 |
| 1998年 6月号 | 青色半導体レーザ -基板に窒化ガリウム採用- | 日亜化学工業 | 日刊工業新聞 (1998年4月28日PP.7) | 青色半導体レーザ 出力90mW | 250 |
| 1998年 6月号 | DVD用半導体レーザ | NEC | 日経産業新聞 (1998年4月17日PP.5) | 低消費電力 高温動作 5mW出力 波長650nm 共振器長を350μmに短縮 磁界電流70mA 最高動作温度100℃ | 250 330 |
| 1998年 5月号 | 高出力レーザ -材料加工コスト低減- | 阪大 | 日経産業新聞 (1998年3月23日PP.5) | 高出力レーザ技術 半導体レーザ | 250 |
| 1998年 4月号 | 半導体レーザで新技術 | NEC | 日本工業新聞 (1998年2月25日PP.23) | 光通信 半導体レーザ 接合効率 | 250 240 |
| 1998年 2月号 | 半導体レーザの小型化 | NTT | 日本経済新聞 (1997年12月13日PP.10) | GaAs 正三角形 正六角形の形状 一辺が数μm 光入射でレーザ発振の可能性を確認 | 250 240 |
| 1998年 1月号 | 面発光半導体レーザ -制御回路不要に- | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1997年11月10日PP.5) | FTTH 光インタコネクション 面発光 半導体レーザ GaInNAs 波長1.2μm 20～70℃で臨界電流変化1.2倍 AlAs/GaAsの多層ミラー 低温度依存性 | 250 240 |
| 1998年 1月号 | 光無線LANシステム | 浜松ホトニクス | 日経産業新聞 (1997年11月5日PP.9) | 光無線LAN 半導体レーザ | 440 240 |
| 1997年12月号 | 半導体レーザ -青紫色 実用化にメド- | 日亜化学工業 | 日経産業新聞 (1997年10月30日PP.1) | 青紫色半導体レーザ 50℃で寿命1500時間 室温換算寿命10000時間以上 電流密度4kA/m2 波長403nm 片面15GBのDVD用 | 250 |
| 1997年11月号 | 眼鏡なしで立体画像 | 通信 放送機構 | 日経産業新聞 (1997年9月22日PP.5) | めがねなし 立体 多眼ステレオグラム 半導体レーザ レーザ 立体視 | 450 250 350 |
| 1997年11月号 | 青色半導体レーザ -来年末DVD進化に弾み- | 日亜化学工業 | 日刊工業新聞 (1997年9月10日PP.1) | 青色半導体レーザ 窒化Ga In半導体 | 250 330 |
| 1997年 9月号 | 半導体レーザユニット -携帯電話地下用基地局- | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1997年7月16日PP.1) | 携帯電話 基地局 半導体電話 | 340 440 |
| 1997年 7月号 | 次世代大容量光ディスク -DVD越す12GB実現- | ソニー | 電波新聞 (1997年5月21日PP.1) 日刊工業新聞 (1997年5月21日PP.8) 日本経済新聞 (1997年5月21日PP.13) 日経産業新聞 (1997年5月21日PP.9) | CDサイズに片面12GB 青緑色レーザ 515nm 20mW CDサイズ 光ディスク 青緑色半導体レーザ 波長515nm 出力20mWの半導体レーザ 9.5Gb/in2 | 230 330 250 |
| 1997年 6月号 | CATV用レーザ -消費電力1/10に低減- | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1997年4月23日PP.5) | 半導体レーザ 双方向CATV 動作温度-40～85℃ 冷却不要 レーザ | 240 250 |
| 1997年 6月号 | 超小型半導体レーザ | 横浜国大 | 日経産業新聞 (1997年4月11日PP.4) | 1/15サイズ 波長1.55μm 半導体レーザ 電流1/5 | 250 240 |
| 1997年 5月号 | 光増幅器向け半導体レーザ | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1997年3月28日PP.5) | 光増幅器 半導体レーザ | 250 240 |
| 1997年 4月号 | 半導体レーザを集積 -40波長を1チップに- | NEC | 電波新聞 (1997年2月18日PP.1) 日経産業新聞 (1997年2月18日PP.5) | 半導体レーザ 多重通信 波長多重通信 | 240 |
| 1997年 3月号 | YAGレーザ -励起光源に半導体- | 松尾産業 | 日経産業新聞 (1997年1月22日PP.1) | 半導体レーザ YAGレーザ | 250 |
| 1997年 2月号 | 青色半導体レーザ -発光を長期安定- | ソニー | 日経産業新聞 (1996年12月26日PP.4) | レーザ 青色半導体レーザ | 250 |
| 1997年 1月号 | 赤外半導体レーザ -出力1.5倍に- | 三井石化 | 日経産業新聞 (1996年11月25日PP.1) | 860nm 300mW 寿命10000時間以上 | 250 |
| 1996年11月号 | 青色半導体レーザ | 東芝 | 日経産業新聞 (1996年9月12日PP.5) 日本経済新聞 (1996年9月12日PP.11) | 半導体レーザ DVD | 250 330 |
| 1996年 9月号 | 高速通信用の光発振器 -新聞125年分1秒で送信- | NEC | 日経産業新聞 (1996年7月16日PP.5) | 光通信 光発振器 レーザ 500Gbps 半導体レーザを2連化 10Gbpsの光パルス列から500Gbpsの光パルス 列を発生 高速光通信 半導体レーザ | 240 440 250 |
| 1996年 8月号 | 半導体レーザの新製造技術 -素子均一性2倍に- | NEC | 日経産業新聞 (1996年6月17日PP.5) | レーザ 1.3μm MOVPE法で選択結晶成長 エッチング工程なし 2μA以下の閾値電流 | 240 160 |
| 1996年 7月号 | 表示部不要の新型ディスプレイ装置 | マイクロビジョン(米) | 日経産業新聞 (1996年5月22日PP.1) | ディスプレイ 半導体レーザ 仮想網膜表示装置 網膜 | 250 350 620 |
| 1996年 7月号 | DVD用自励発振型赤色半導体レーザ | 松下電子 | 電波新聞 (1996年5月18日PP.1) | DVD 半導体レーザ | 250 |
| 1996年 6月号 | 青色半導体レーザの新製造 -基板に炭化ケイ素利用- | 富士通研 | 日経産業新聞 (1996年4月18日PP.5) | 青色レーザ 炭化ケイ素 SiC基板 高性能レーザ反射面 AlNでバッファ層形成 GaNレーザ 半導体レーザ 製造技術 | 250 260 |
| 1996年 6月号 | 超高速光通信用送信機 | NTT | 日経産業新聞 (1996年4月2日PP.5) | 光通信 波長多重通信 InP 半導体レーザと光変調器一体化 1.55μm 20Gbps | 250 440 240 |
| 1996年 5月号 | 新型赤外発光Si結晶 -10倍強力な赤外光発光- | 東大 | 日経産業新聞 (1996年3月28日PP.5) | 半導体レーザ Si結晶 赤外発光 従来比10倍 Si超格子 1.2μm -170℃で動作 | 250 150 |
| 1996年 4月号 | 光信号中継システム -光信号，4波に分け伝送- | 古河電工 | 日経産業新聞 (1996年2月27日PP.5) | 光増幅器 4波長多重 10Gbps 560km 光通信 半導体レーザ 光ファイバ | 440 240 |
| 1996年 4月号 | 青緑色半導体レーザ -室温発振100時間突破- | ソニー | 電波新聞 (1996年2月1日PP.1) 日経産業新聞 (1996年2月1日PP.5) 日刊工業新聞 (1996年2月1日PP.6) | 波長515nm 1mW 青緑色半導体レーザ 室温連続発振101.5時間 | 250 |
| 1996年 3月号 | 光信号の波長変換素子 | 富士通研 | 日経産業新聞 (1996年1月23日PP.4) | 光スイッチ DFBレーザ 光波長変換 波長多重光通信 半導体レーザ 波長変換 | 240 250 |
| 1996年 2月号 | 半導体レーザによる刷版作製技術 | 千葉大 | 日経産業新聞 (1995年12月28日PP.4) | オフセット印刷 レーザ | 160 250 330 |
| 1996年 2月号 | 青紫色半導体レーザ | 日亜化学工業 | 電波新聞 (1995年12月13日PP.1) 日経産業新聞 (1995年12月13日PP.10) 日刊工業新聞 (1995年12月13日PP.9) 日本経済新聞 (1995年12月13日PP.11) | 半導体レーザ 波長410nm DVD GaN 室温 パルス発振 高密度記録 | 250 |
| 1996年 1月号 | 可変波長半導体レーザ -光通信の検波用- | アンリツ | 日経産業新聞 (1995年11月6日PP.5) | 波長1.55±0.015μm 温度制御で波長可変 | 250 |
| 1995年12月号 | 光CATV用PCレーザ -チャンネル2倍に拡大- | NEC | 日刊工業新聞 (1995年10月24日PP.5) | 光双方向通信向け 部分回折格子型半導体レーザ(PCLD) 半導体レーザ | 250 240 440 |
| 1995年11月号 | 導波路レンズ付き半導体レーザ | 三菱電機 | 電波新聞 (1995年9月14日PP.8) 日本工業新聞 (1995年9月14日PP.10) | 半導体レーザ 光ファイバ | 250 240 |
| 1995年11月号 | 半導体レーザアレイ | 東芝 | 日経産業新聞 (1995年9月12日PP.5) | 半導体レーザ アレイ 27mW 100mA 12素子 | 250 |
| 1995年10月号 | 衛星間光通信 | 通信総研 宇宙開発事業団 | 日刊工業新聞 (1995年8月21日PP.8) | レーザ通信 上り:0.51μmアンゴンレーザ 下り:0.83μm半導体レーザ 衛星通信 光通信 | 440 |
| 1995年10月号 | 波長可変の半導体レーザ | NEC | 日刊工業新聞 (1995年8月4日PP.7) | 半導体レーザ MOCVD法 1.55μm帯 可変幅±3.8nm 連続波長可変 | 250 240 |
| 1995年 9月号 | 半導体レーザの短波長化用簡易デバイス | 米バーゴ オプティクス社 | 日刊工業新聞 (1995年7月19日PP.4) | 半導体レーザ メモリーデバイス | 250 |
| 1995年 8月号 | 半導体レーザ -Si基板上に高速光配線に応用- | 沖電気 | 日経産業新聞 (1995年6月19日PP.1) | 化合物半導体レーザとSiの直接接合 光配線 | 250 260 |
| 1995年 7月号 | 光通信加入者向け半導体レーザ -低価格接続器に道- | 富士通研 | 日経産業新聞 (1995年5月25日PP.5) | レンズなし | 250 240 |
| 1995年 7月号 | 面状に72個集積の半導体レーザ | ソニー | 日経産業新聞 (1995年5月22日PP.5) | 半導体レーザ | 250 |
| 1995年 7月号 | 波長多重通信用半導体レーザ -異なる波長の光均一発振- | 沖電気 | 日経産業新聞 (1995年5月10日PP.5) | 光ファイバ光源 半導体レーザ 波長多重伝送 多重通信 波長多重 | 240 250 |
| 1995年 6月号 | 面方位異なる半導体材料接着技術 | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1995年4月7日PP.5) | OEIC 半導体レーザ | 220 160 |
| 1995年 5月号 | 60μA電流で発振発振する半導体レーザ -複数の反射鏡使い試作- | 東工大 | 日経産業新聞 (1995年3月15日PP.5) | 波長1.5μm 発振電流60μA | 250 |
| 1995年 4月号 | 六角柱半導体レーザ | NTT | 日刊工業新聞 (1995年2月20日PP.6) | 六角柱半導体レーザ(HFLD) 光電子回路(OEIC) | 250 |
| 1995年 3月号 | 680nmの2ビーム赤色半導体レーザ | 松下電器産業 | 電波新聞 (1995年1月6日PP.1) | 2ビーム半導体レーザ | 250 |
| 1995年 3月号 | 150ch伝送可能な半導体レーザ -CATV送信機に- | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1995年1月1日PP.1) | 半導体レーザ CATV送信機 | 440 250 |
| 1995年 1月号 | 半導体レーザの発振安定化技術 -水晶エタロンで- | 東芝 | 日経産業新聞 (1994年11月18日PP.5) | レーザ 温度変化 | 250 160 |
| 1994年11月号 | 波長1.3μm帯の半導体レーザ | NEC 日立製作所 | 日経産業新聞 (1994年9月26日PP.5) | 半導体レーザ 1Gbps 0.58mA 歪み量子井戸構造 最低電流は3mA | 250 |
| 1994年11月号 | POF向け半導体レーザ -可視光で世界最高速- | NEC | 日経産業新聞 (1994年9月7日PP.1) | POF用レーザダイオード 可視光 波長50nm 光通信レーザ 波長の短い可視光で世界最速2.5Gbps | 250 |
| 1994年11月号 | 光ディスクで高画質動画再生 | 三洋電機 | 電波新聞 (1994年9月2日PP.1) 日経産業新聞 (1994年9月2日PP.8) | MOディスク 12cm 2.5GB 135分 4倍密度 光ディスク動画記録 635nmの半導体レーザ | 230 530 |
| 1994年10月号 | 新構造光通信用半導体レーザ | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1994年8月31日PP.5) | 応力補償型歪み量子井戸構造 130km伝送 | 250 440 |
| 1994年10月号 | 150km無中継伝送できる変調器付半導体レーザ | 三菱電機 | 電波新聞 (1994年8月25日PP.6) 日経産業新聞 (1994年8月25日PP.5) 日刊工業新聞 (1994年8月25日PP.9) | 光伝送 無中継伝送 2.5Gbps 選択領域成長技術 半導体レーザ 150km無中継伝送 | 240 440 250 |
| 1994年 9月号 | 赤色レーザダイオード | 日立製作所 | 電波新聞 (1994年7月4日PP.7) | レーザダイオード 光ディスク 512MB | 230 250 |
| 1994年 8月号 | InGaAs系半導体レーザの結晶成長に成功 | NEC | 電波新聞 (1994年6月2日PP.1) | InGaAsP系半導体レーザ | 250 |
| 1994年 7月号 | 量子箱構造を自然形成 | NTT | 日経産業新聞 (1994年5月12日PP.5) | 量子箱 半導体レーザ 直径50～200nm | 160 250 |
| 1994年 5月号 | 青色半導体レーザ -室温で連続発振- | ソニー | 日刊工業新聞 (1994年3月29日PP.1) | 青色半導体レーザ 23℃ λ:189.9nm 半導体レーザ 青色室温連続発振 | 250 |
| 1994年 5月号 | 光通信向け半導体レーザ -変調差歪み1/3に- | NEC | 電波新聞 (1994年3月11日PP.1) 日経産業新聞 (1994年3月11日PP.5) 日刊工業新聞 (1994年3月11日PP.7) | 半導体レーザ 部分回折格子 変調歪み1/3 1GHz | 250 |
| 1994年 4月号 | 光通信用半導体レーザ g-1.54THz光パルス列発生- | 沖電気 | 電波新聞 (1994年2月25日PP.5) 日経産業新聞 (1994年2月25日PP.9) 日刊工業新聞 (1994年2月25日PP.9) | 光通信半導体レーザ 世界最速1.54THz 1.55μm 光出力16mW 半導体レーザ InP分布反射型構造 超高速光パルス列 | 250 |
| 1994年 3月号 | 発振電流1/10以下の半導体レーザ | NEC | 日経産業新聞 (1994年1月5日PP.5) | 半導体レーザ 面発光型 発振電流190μA 光出力50μW/2mA 半導体レーザ素子 | 250 |
| 1994年 2月号 | 光ディスク用2ビーム赤色半導体レーザ | 松下電器産業 | 電波新聞 (1993年12月16日PP.1) 日経産業新聞 (1993年12月16日PP.4) | 半導体レーザ 光ディスク2.6倍高速化 | 250 |
| 1994年 2月号 | CATV用レーザモジュール -100ch伝送可能- | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1993年12月8日PP.9) 日刊工業新聞 (1993年12月8日PP.10) | 分布帰還型レーザモジュール CATV DFB半導体レーザ | 250 440 |
| 1994年 1月号 | 量子箱レーザ | 東工大 | 日経産業新聞 (1993年11月19日PP.5) | InGaAsP 波長1.3μm -196℃ 発振電流1.1A 半導体レーザ 量子箱 微小半導体粒 超低電流発振 | 250 |
| 1994年 1月号 | 赤色半導体レーザダイオード633n帯で5mW | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1993年11月25日PP.9) | 赤色半導体レーザダイオード 発振波長633nm帯 光出力5mW | 250 |
| 1993年12月号 | 自動的に焦点を合わせる半導体レーザ | 米AT&Tベル研 | 日経産業新聞 (1993年10月19日PP.1) | 半導体レーザ ゾーンレーザ素子 面発光レーザ 光インタコネクション | 250 |
| 1993年12月号 | 高密度光ディスク装置用赤色半導体レーザ | 松下電器産業 | 電波新聞 (1993年10月14日PP.1) | 半導体レーザ | 250 |
| 1993年11月号 | 実用的集積光源 -同一基板に半導体レーザと変調器- | NEC | 日刊工業新聞 (1993年9月15日PP.5) | 実用的集積光源 1.5μm帯レーザ 選択気相成長技術 光通信 | 240 250 440 |
| 1993年10月号 | 面発光半導体レーザ | 松下電器産業 | 日刊工業新聞 (1993年8月26日PP.9) | 面発光半導体レーザ 190μA 50μW 波長0.98μm 常温 | 250 |
| 1993年 9月号 | 圧縮なしのハイビジョンLD | パイオニア | 日本工業新聞 (1993年7月14日PP.4) | LD ハイビジョン 3ビーム方式 | 330 |
| 1993年 9月号 | 青緑色半導体レーザ -波長532nmの室温連続発振- | ソニー | 電波新聞 (1993年7月9日PP.1) 日経産業新聞 (1993年7月9日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年7月9日PP.7) | 青緑色半導体レーザ 波長523nm 室温連続発振 高密度記録 | 250 |
| 1993年 9月号 | 世界最高出力の赤色半導体レーザ | 三洋電機 | 電波新聞 (1993年7月5日PP.1) | 半導体レーザ | 250 |
| 1993年 7月号 | 光CATV | NEC | 日経産業新聞 (1993年5月11日PP.5) | 光通信 高性能半導体レーザ | 440 |
| 1993年 7月号 | コヒーレント光通信用半導体レーザ | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1993年5月7日PP.4) | 半導体レーザ 光のばらつき3.6kHz以下 高品質半導体レーザ 1.55μm | 250 |
| 1993年 6月号 | 半導体レーザによるホログラム | 東海大 | 日経産業新聞 (1993年4月26日PP.1) | ホログラフィ 半導体レーザ | 300 250 |
| 1993年 6月号 | 青緑色半導体レーザ -室温発振に成功- | 松下電器産業 | 電波新聞 (1993年4月14日PP.1) | 青色半導体レーザ | 250 |
| 1993年 6月号 | 超高速光通信用光電子素子 -変調器一体化- | 沖電気 | 日経産業新聞 (1993年4月6日PP.5) | 光通信 半導体レーザ 光変調器 16～20GHz対応 光電子素子 レーザと変調器一体化 波長1.55μm コスト削減 電圧半分 | 240 250 220 |
| 1993年 5月号 | 世界最高出力の半導体レーザ | NEC | 日経産業新聞 (1993年3月29日PP.5) | 半導体レーザ DFB構造 波長1.55μm 光出力120mW 分布帰還型 10倍以上の大容量化 | 250 |
| 1993年 2月号 | 第3の半導体光源誕生 | NTT | 日刊工業新聞 (1992年12月4日PP.7) 日経産業新聞 (1992年12月4日PP.5) 日本工業新聞 (1992年12月4日PP.5) 日本経済新聞 (1992年12月4日PP.13) 電波新聞 (1992年12月4日PP.3) | 半導体レーザ 10μA 800nm帯 極小電流発振 新発光素子 自然放出光 光コンピュータ | 250 150 |
| 1992年12月号 | 発振波長635nmの赤色半導体レーザ | 東芝 | 電波新聞 (1992年10月6日PP.2) | 半導体レーザ | 250 |
| 1992年12月号 | 10本を1チップ化した半導体レーザ | 三菱電機 | 日刊工業新聞 (1992年10月23日PP.7) | MOCVD法 波長1.3μm 閾値13mA 80℃ P型基板 1チップ化レーザ 10本を集積 1.3Gbps | 250 |
| 1992年12月号 | ハイビジョンLDプレーヤ | ソニー パイオニア ソニー 三洋電機 東芝 | 電波新聞 (1992年10月8日PP.11) | ハイビジョンLDプレーヤ | 420 430 |
| 1992年11月号 | 光通信用半導体レーザ | 三菱電機 | 電波新聞 (1992年9月25日PP.1) | 光通信 半導体レーザ | 250 440 |
| 1992年11月号 | 103nmの広波長可変レーザ | NTT | 電波新聞 (1992年9月22日PP.6) 日本工業新聞 (1992年9月22日PP.5) | 波長可変半導体レーザ 可変域103nm 1.5μm | 250 |
| 1992年11月号 | 光結合技術 -半導体レーザに光導波路- | NTT | 日本経済新聞 (1992年9月5日PP.12) | 250 | |
| 1992年10月号 | 小電流で出力100mWの半導体レーザ | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1992年8月19日PP.6) | 出力100mW 波長1.48μm帯 | 250 |
| 1992年10月号 | 3.3W超高出力レーザダイオード | ソニー | 電波新聞 (1992年8月12日PP.7) | レーザダイオード | 250 |
| 1992年10月号 | 室温で連続発振可能な橙色半導体レーザ- -世界初発振波長615nm- | 三洋電機 | 電波新聞 (1992年8月6日PP.1) | レーザダイオード | 250 |
| 1992年 9月号 | 光感応型有機色素系追記型記録媒体 -記録可能なLDへ道- | パイオニア | 電波新聞 (1992年7月25日PP.1) | レーザディスク | 330 |
| 1992年 9月号 | 青色半導体レーザ -ダブルヘテロ構造- | ソニー | 読売新聞 (1992年7月22日PP.1) 電波新聞 (1992年7月24日PP.6) | 青色レーザ 青色半導体レーザ 440nm発振 音声3時間半/12cmCD CD情報量従来の3倍 | 250 330 |
| 1992年 8月号 | 14.6mWの青色レーザ | 旭硝子 | 日経産業新聞 (1992年6月5日PP.5) | 半導体レーザ 非線形光学結晶 | 250 |
| 1992年 7月号 | 半導体レーザ作製新プロセス -結晶成長1工程に- | NTT | 日刊工業新聞 (1992年5月8日PP.5) | 半導体レーザ製造技術 工程半減，歩留向上 | 160 250 |
| 1992年 6月号 | 633nmの半導体レーザ | 上智大 | 日刊工業新聞 (1992年4月24日PP.7) | ガスレーザの代替で小型化可能 | 250 |
| 1992年 5月号 | 光ディスク書込み用赤色可視光半導体レーザ | 三菱電機 | 電波新聞 (1992年3月26日PP.1) | 半導体レーザ 赤色可視光 | 250 |
| 1992年 4月号 | 高密度光ディスク記録技術 -記録密度2倍- | 東芝 | 電波新聞 (1992年2月8日PP.1) 日刊工業新聞 (1992年2月8日PP.4) 日本工業新聞 (1992年2月10日PP.15) | 赤色半導体レーザ 光ディスク 690nmレーザ | 230 250 |
| 1992年 4月号 | 出力35mWを実現した赤色半導体レーザ -光ディスク用に開発- | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1992年2月5日PP.5) | 赤色半導体レーザ 35mW 680nmレーザ | 250 |
| 1992年 3月号 | 偏波無依存型SLD | 東大 NTT | 日刊工業新聞 (1992年1月31日PP.9) | スーパールミネッセンスダイオード 量子井戸 TE/TMモード発振 分光計測 | 250 660 |
| 1992年 3月号 | 出力世界最高310mW達成の半導体レーザ | 住友電工 | 日刊工業新聞 (1992年1月30日PP.5) | 半導体レーザ 1.48μm 出力1.2倍 量子井戸 | 250 |
| 1992年 3月号 | 周波数可変半導体レーザ | 三菱電機 | 電波新聞 (1992年1月22日PP.2) 日経産業新聞 (1992年1月22日PP.4) 日刊工業新聞 (1992年1月22日PP.9) 日本工業新聞 (1992年1月22日PP.13) | 4個1チップ化 FDM光通信可能 半導体レーザ | 220 |
| 1992年 2月号 | 世界最小の半導体レーザ | ベル研(米) | 日経産業新聞 (1991年12月18日PP.1) | 直径5μm厚さ0.1μm | 250 |
| 1992年 2月号 | 赤色可視光半導体レーザ | 三菱電機 | 電波新聞 (1991年12月11日PP.6) 日経産業新聞 (1991年12月11日PP.5) 日刊工業新聞 (1991年12月11日PP.9) | 90℃で10mW 多重量子障壁半導体レーザ 電子波干渉効果 | 250 |
| 1992年 1月号 | 世界最小のグリーンレーザ -従来比1/70- | 三菱電機 | 電波新聞 (1991年11月27日PP.1) 日経産業新聞 (1991年11月27日PP.5) 日刊工業新聞 (1991年11月27日PP.9) | レーザ素子 半導体レーザ グリーンレーザ ハイビジョン録画 録画時間3倍 外寸10mm×17.5mm 532nm 4mW 集光レンズなし | 250 |
| 1991年11月号 | ハイビジョンLDの仕様にMUSE方式採用 | 三洋電機 ソニー 東芝 パイオニア 松下電器産業 | 電波新聞 (1991年9月19日PP.1) 日経産業新聞 (1991年9月19日PP.7) 日刊工業新聞 (1991年9月19日PP.10) | ハイビジョンLD 1125本/60HzMUSE方式 MUSE片面2時間 トラックピッチ1.1μm | 530 |
| 1991年10月号 | 青-緑色光線レーザ | 米3M | 電波新聞 (1991年8月29日PP.3) | レーザダイオード | 250 |
| 1991年 8月号 | 半導体レーザ光による論理回路 | NTT | 日経産業新聞 (1991年6月18日PP.5) | 四角形の光進路，回転方向にI/O 15μm2 光論理演算 | 220 |
| 1991年 7月号 | 高出力赤色半導体レーザ | 三洋電機 | 電波新聞 (1991年5月13日PP.1) | 赤色レーザ 半導体レーザ 635nm 33mW He-Neレーザ置替え | 250 |
| 1991年 7月号 | 親指大のグリーンレーザ -低雑音特性を達成- | 松下電子 | 日刊工業新聞 (1991年5月9日PP.9) 電波新聞 (1991年5月9日PP.1) | グリーンレーザ 半導体レーザ 1060nmのレーザ光を非線型光学結晶で波長変換して532nmの波長 親指サイズ(16φ×20mm) 532nm/3mW/-135dB/Hz | 250 |
| 1991年 6月号 | 動画像のシーンの違いを自在に編集できるVTR LD | 日立製作所 | 電波新聞 (1991年4月27日PP.4) | 映像情報オーサリング リアルタイム画像処理 | 330 |
| 1991年 5月号 | 青緑色レーザ発振に成功 | 京大 | 日刊工業新聞 (1991年3月15日PP.7) | 半導体レーザ -族青緑色で初 540nm(17℃)→490nm MQW11層と井戸層の薄膜化 | 250 |
| 1991年 4月号 | 次世代光通信用半導体レーザ | 沖電気 | 日経産業新聞 (1991年2月26日PP.0) | コヒーレント光通信に利用 光の周波数ばらつき80kHz以下 高品質半導体レーザ素子Δf80kHz | 240 |
| 1991年 4月号 | 光磁気ディスクの記録6倍に | ソニー | 電波新聞 (1991年2月22日PP.0) 日刊工業新聞 (1991年2月22日PP.0) 朝日新聞 (1991年2月22日PP.0) 日経産業新聞 (1991年2月22日PP.0) | 再生時にレーザスポットの中の高温部のみ読出す新技術 超高解像度光信号録再技術スポット径を等価的に縮小 現行半導体レーザ(λ7404nm)で記録波長370nm(1/2)の再生可能 光磁気ディスク 超解像 超解像光信号記録再生 アイソスター | 230 |
| 1991年 3月号 | 量子化半導体レーザ | 科学技術庁 金属材料研 | 日刊工業新聞 (1991年1月25日PP.0) | 250 | |
| 1991年 2月号 | 半導体レーザ1600個集積のLSI | 日電 | 日本経済新聞 (1991年1月7日PP.0) | 開発に成功した段階 超並列光電算機に応用は3年後 | 220 |
| 1990年12月号 | 波長0.98μm 余分の信号半減の半導体レーザ | 日電 | 日経産業新聞 (1990年10月29日PP.0) | エルビウム添加光ファイバ増幅用半導体レーザの試作 30mW数1000時間確認(推定寿命数万時間あと10倍長寿命化必要) | 250 |
| 1990年11月号 | 高密度半導体レーザ連続発振に成功 | 日経産業新聞 (1990年9月28日PP.0) 電波新聞 (1990年9月28日PP.0) 日刊工業新聞 (1990年9月28日PP.0) | 4.5μm間隔で集積102個 閾電流1.8 ΔI=0.017mA 8.5mW/個 840nm | 250 | |
| 1990年11月号 | スペクトル全幅0.5mm 2.4G対応1.55μm半導体レーザ | 日立製作所 | 電波新聞 (1990年9月17日PP.0) | 閾電流15 微分量子効率0.2mW/mA 光出力 | 250 |
| 1990年11月号 | 光出力のエネルギー変換効率世界最高42%の半導体レーザ | ソニー | 日経産業新聞 日刊工業新聞 (1990年9月11日PP.0) 日刊工業新聞 (1990年9月11日PP.0) | 0.84 発振最小電流0.88 最大40 | 250 |
| 1990年11月号 | 世界最高出力の半導体レーザ | 松下 | 日経産業新聞 (1990年9月10日PP.0) | 2.4W 0.83μm 数十psで点滅 | 250 |
| 1990年11月号 | 世界最高出力可視光半導体レーザ | 日電 | 電波新聞 (1990年9月7日PP.0) 日本経済新聞 (1990年9月7日PP.0) 日経産業新聞 (1990年9月7日PP.0) 日刊工業新聞 (1990年9月7日PP.0) | 0.68μm 300mA 78mW | 250 |