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| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
| 2017年11月号 | STOで人工ニューロン開発 音声認識実証 世界初 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2017年8月8日PP.23) | スピントルク発振素子 ニューロモロフィック・コンピューティング 位相干渉で演算素子を表現 | 520 |
| 2017年 7月号 | レーザ発振・高速変調動作 ナノワイヤで実証 | NTT | 日刊工業新聞 (2017年4月7日PP.23) | 10Gbpsの高速変調動作に成功 | 240 |
| 2016年 7月号 | 大規模な人工スピン群 光共振器で生成 | NTTなど | 日刊工業新聞 (2016年4月19日PP.23) | 長さ1kmの光ファイバ共振器 四光波混合 一万時間を超える光パラメトリック発振器を一括生成 コヒーレントイマジングマシンに向けた基盤技術 | 120 420 240 |
| 2016年 7月号 | 大規模な人工スピン群 光共振器で生成 | NTTなど | 日刊工業新聞 (2016年4月19日PP.23) | 長さ1kmの光ファイバ共振器 四光波混合 一万時間を超える光パラメトリック発振器を一括生成 コヒーレントイマジングマシンに向けた基盤技術 | 120 420 240 |
| 2016年 4月号 | 水晶発振器 周波数可変に 部品数少なく コスト減 | 日本電波工業 | 日経産業新聞 (2016年1月5日PP.6) | 水晶発振器 光伝送装置 | 220 |
| 2014年 9月号 | 水晶発振器並みの周波数精度を持つCMOS発振器 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2014年6月12日PP.19) | 温度領域ごとに特性を補正するディジタル回路を用いて温度補償100ppm以下の周波数精度を実現 Si半導体発信機 | 220 |
| 2014年 4月号 | マイクロ波帯の小型発振器 | 産総研 キヤノンアネルバ 大阪大 | 日経産業新聞 (2014年1月9日PP.11) 日刊工業新聞 (2014年1月9日PP.21) | ナノコンタクト型スピントルク発振素子 振動子を100nm以下で作成 | 240 |
| 2014年 1月号 | 発振を起こさない240GHz帯受信IC | 富士通 富士通研 | 日刊工業新聞 (2013年10月17日PP.20) | 6段階増幅器を検波識別器をワンチップ化 U型調整器で発振現象を解消 | 240 |
| 2013年 8月号 | 手のひらをディスプレイ代わりに表示できる技術 | 東大 | 日経産業新聞 (2013年5月16日PP.11) 日刊工業新聞 (2013年5月16日PP.21) | 2台の高速カメラとプロジェクタ 手のひらの触覚を超音波で刺激する発振機 カメラで2msごとに位置確認 60cmの距離であれば直径1m範囲の映像ぶれずに表示 | 250 450 400 |
| 2013年 8月号 | 光を使わずレーザ発振 | 国立情報学研 | 日経産業新聞 (2013年5月29日PP.1) | 「励起子」 消費電力1/100 800nmの電磁波をあてる | 240 |
| 2013年 7月号 | 高精度超音波を発振する半導体素子 | NTT | 日経産業新聞 (2013年4月19日PP.10) | MEMS応用 GaAs 85μm×1.4μm×250μm セーザー 温度2.5Kで2.52MHz(バラツキ70Hz)を入力し174kHz(バラツキ0.08Hz)で発振 | 220 260 |
| 2013年 5月号 | 単純構造で製造容易なレーザ素子 | 産総研 | 日経産業新聞 (2013年2月15日PP.10) | ランダムレーザ 平均粒径約212nm のZnO微粒子 厚さ100μmに成膜 380nm波長でレーザ発振 ZnOなどでできた膜が光源 | 250 |
| 2012年 9月号 | 純緑色レーザー | ソニー 住友電工 | 日刊工業新聞 (2012年6月22日PP.8) 日経産業新聞 (2012年6月22日PP.4) | GaN結晶を斜めに切った基板 発振波長530nm 光出力100mW 輝度2倍 | 250 |
| 2012年 3月号 | 波長1〜1.3μmのレーザ光発振素子 | 情通機構 光伸工学工業 セブンシックス | 日経産業新聞 (2011年12月15日PP.11) | InAs製高さ4〜6nmの量子ドットを素子に埋め込む 直径125μm 数百nmの穴を30から百数十個開けた石英ガラス製光ファイバを使用 | 140 240 250 |
| 2011年 3月号 | フォトニック人工原子レーザ
-3次元結晶内で発振- | 東大 | 日刊工業新聞 (2010年12月20日PP.17) | 厚さ150nmのGaAsを25層積層 Q値は約4万 中心の層に面積約1.3μm2の欠陥共振器とInAs量子ドットを埋め込み | 140 |
| 2010年 9月号 | 液晶レーザ発振用有機材料 | 東工大 | 日刊工業新聞 (2010年6月2日PP.22) | 液晶レーザ 従来比1/20の低エネルギー発振 甲虫の上羽構造 コレステリック液晶 | 150 250 |
| 2010年 8月号 | 量子ドットを300層積層した半導体レーザ | 情通機構 | 日刊工業新聞 (2010年5月26日PP.23) 日経産業新聞 (2010年5月27日PP.13) | 温度調整装置が不要 80℃までの高温域で波長1.55μmでレーザ発振成功 | 120 250 |
| 2010年 8月号 | 量子ドットを使用した低消費電力レーザ発振素子 | 東大 | 日経産業新聞 (2010年5月31日PP.12) | Si基板上で微少なレーザ光を発振 InAsでできた直径20nmの「量子ドット」 長さ1mm・幅60μm・厚さ0.3mmの棒状素子 | 120 250 |
| 2008年11月号 | 高性能強磁性トンネル接合素子で高周波発振に成功 | 阪大 産総研 キヤノンアネルバ | 日刊工業新聞 (2008年8月29日PP.31) | 数-10GHz 発振出力約0.2μW 磁極フリー層(CoFeB) 絶縁性のトンネル障壁層(MgO) 磁極固定層(CoFeB)の3層構造 スピンの歳差運動 同素子を70nm×160nm断面の柱状に加工 | 120 220 |
| 2008年10月号 | 半導体レーザの世界最短波長を実現 | 浜松ホトニクス | 日経産業新聞 (2008年7月29日PP.8) | 波長342nmの紫外レーザ光を発振 化粧にAlを混ぜる 消費電力1/100以下 Al組成が30% AlGaNを発光層 | 250 120 |
| 2008年 8月号 | 数百種類のレーザ発振 | 東工大 | 日経産業新聞 (2008年5月9日PP.10) | WDM 多波長光源 発振波長0.8〜0.9μm | 250 |
| 2008年 3月号 | GaNフォトニック結晶面発光レーザ -青紫色領域で発振- | 京大 JST | 日経産業新聞 (2007年12月21日PP.11) 日刊工業新聞 (2007年12月21日PP.22) | 再成長空気孔形成法 波長406nm 素子内部に直径85nm 深さ100nmの微小な空洞を186nm間隔で配置 | 160 250 |
| 2008年 1月号 | 非極性面採用青色半導体レーザ -室温連続発振に成功- | ローム | 電波新聞 (2007年10月25日PP.1) | 非極性面(m面)GaN 波長463nm 共振器長400μm ストライプ幅2.5μm しきい値電流69mA しきい値電圧6.2V 出力2mW以上 | 120 250 |
| 2007年 6月号 | 4種の波長の光発振 | 富士通 | 日経産業新聞 (2007年3月30日PP.11) | 高密度波長多重伝送方式 光トランシーバを1/5に小型化 80kmの距離で10Gbpsの速度を安定して実現 | 240 440 |
| 2007年 1月号 | 不要発光量を94%抑制したレーザ発振源 | 京大 JST | 日刊工業新聞 (2006年10月13日PP.28) | GaAsの2次元フォトニック結晶 結晶中の発光中心に100〜200の量子ドットを導入 | 250 260 |
| 2006年 6月号 | 白色レーザ発振可能なフッ化物ファイバ | 住田光学ガラス | 日刊工業新聞 (2006年3月3日PP.1) | 1本で青色半導体レーザを白色レーザとして連続発振 PrをAlF系ガラスに含ませた独自素材 522nm・635nmとあわせ440nm ディスプレイ光源 高い変換効率 三原色の高い色再現性 | 120 160 240 250 |
| 2006年 3月号 | 高密度・高均一な量子ドットの製造に成功 | 産総研 | 電波新聞 (2005年12月30日PP.5) | 通信用半導体レーザ 大きな光増幅 40GHzを超える高速直接変調動作が理論的に可能 1.3μmでレーザ発振動作 As2分子線 組成傾斜歪み緩和層構造 | 160 250 120 |
| 2006年 1月号 | 量子ドットを活用した半導体レーザ | 産総研 | 日経産業新聞 (2005年10月24日PP.11) | InAs製 直径15nm GaAs基板上に1000億個/cm2形成 5層積層 波長1.3μmのレーザ光発振 10GHz高速光通信 | 160 250 120 |
| 2005年10月号 | 消費電力1/3の高速光通信用レーザ光源 | 日立 日本オプネクスト | 日経産業新聞 (2005年7月14日PP.8) | 発振波長1.55μm 出力2.5W Alを含む半導体材料で作った変調器を半導体レーザと同一基板に集積 | 120 160 250 |
| 2005年 7月号 | 液晶で光ダイオード -レーザ発振にも成功- | 東工大 | 日刊工業新聞 (2005年4月25日PP.26) | 色素1%混ぜてレーザ発振 フォトニック結晶構造 コレステリック液晶でネマチック液晶を挟むヘテロ構造液晶 | 120 160 250 |
| 2005年 1月号 | 青紫色半導体レーザ -室温連続発振300mW- | NEC | 日刊工業新聞 (2004年10月5日PP.1) | LD 405nm波長 室温〜80℃で動作 活性層の上のp型層にAlNを埋め込んだ | 250 |
| 2004年 8月号 | 世界最高光出力の青紫色半導体レーザ | 三洋電機 | 日刊工業新聞 (2004年5月27日PP.1) | パルス発振で120mW GaN基板 次世代大容量光ディスク | 250 |
| 2004年 6月号 | 安価な高速光通信用レーザ光源 | 東工大 | 電波新聞 (2004年3月2日PP.9) | LiF DFBレーザ 450nmの光を受けると波長710nmで発振 | 240 250 |
| 2004年 2月号 | 量子ドットレーザ光通信用波長で発振 | 通信総研 | 日経産業新聞 (2003年11月14日PP.6) | 1.3μm波長 量子ドットをGa・As・Sbで覆う | 250 |
| 2007年 1月号 | 不要発光量を94%抑制したレーザ発振源 | 京大 JST | 日刊工業新聞 (2006年10月13日PP.28) | GaAsの2次元フォトニック結晶 結晶中の発光中心に100〜200の量子ドットを導入 | 250 260 |
| 2006年 6月号 | 白色レーザ発振可能なフッ化物ファイバ | 住田光学ガラス | 日刊工業新聞 (2006年3月3日PP.1) | 1本で青色半導体レーザを白色レーザとして連続発振 PrをAlF系ガラスに含ませた独自素材 522nm・635nmとあわせ440nm ディスプレイ光源 高い変換効率 三原色の高い色再現性 | 120 160 240 250 |
| 2003年 2月号 | 量子カスケード半導体レーザの発振に成功 | 東北大 | 日本工業新聞 (2002年11月15日PP.2) | 遠赤外領域 ナノ構造 InAs AlSb 厚さ4〜7nm×20層の超格子×40周期 発光波長9.94μm | 250 220 |
| 2002年 9月号 | 3.3psの超高速スイッチ -新構造で低消費電力- | 東芝 | 日刊工業新聞 (2002年6月6日PP.4) | 高温超電導JJ リング発振器 微細CMOSの3倍の高速性と1/1000の消費電力 21個のJJ 単一磁束量子回路 30K | 220 |
| 2001年 8月号,9月号 | 赤色半導体レーザ -光利用効率20%向- | 三洋電機 | 電波新聞 (2001年6月15日PP.2) | アスクペクト比1対1.7の近円形ビーム 光利用効率20%向上 4倍の高速記録が可能 発振波長660nm AlGaInP系赤色半導体レーザ 低損質導波路 | 250 |
| 2001年 8月号,9月号 | 面発光レーザ -電流1/100で発振- | NTT | 日本経済新聞 (2001年6月15日PP.17) 日経産業新聞 (2001年6月15日PP.11) | 面発光レーザ 1.55μm帯 臨界電流0.38mA GaAs基板 InP発光層 GaAs系反射層 SiO系反射層 | 250 240 |
| 2001年 8月号,9月号 | 光スペクトル制御素子 | FESTA | 日刊工業新聞 (2001年6月28日PP.6) | ファイバ 回折格子 フェムト秒レーザによる多重情報発振 | 240 |
| 2001年 1月号 | GaN系電子素子 -最高発振周波数100GHz超- | NEDOコンソーシアム | 日刊工業新聞 (2000年11月30日PP.6) | 100GHz AlGaN | 220 |
| 2000年10月号 | 連続発振光ファイバレーザ | 工技院計量研 | 日刊工業新聞 (2000年8月10日PP.6) | 1.5μm帯域 モードホップのない連続発振 ファブリペロー共振器 波長の線幅1kHz | 250 240 |
| 2000年 6月号 | 光通信用固体レーザ -5fsの極短パルスで1.2GHz発振- | 日立 | 日刊工業新聞 (2000年4月20日PP.6) | YAGレーザ 極短パルスレーザ 1.5mm帯 5フェムト秒 L字形共振器 | 240 250 |
| 2000年 4月号 | 微小ピラミッド構造の光共振器 | 北大 | 日経産業新聞 (2000年2月22日PP.1) | 光共振器 半導体レーザ 硫化亜鉛 閾値電流 レーザ発振器 | 150 160 |
| 1999年11月号 | 青紫色面発光形半導体レーザ -室温発振に成功- | 東大 | 日刊工業新聞 (1999年9月17日PP.8) 日経産業新聞 (1999年9月17日PP.4) | 窒化ガリウム インジウム 発振波長399nm サファイア基板 多重量子井戸構造 青紫色面発光レーザ 室温発振 | 250 |
| 1999年 8月号 | 青紫色半導体レーザ -消費電力1/10に- | 東大 | 日本経済新聞 (1999年6月7日PP.19) | 青紫色半導体レーザ 量子箱 波長405nm 室温でパルス発振 | 250 |
| 1999年 7月号 | 青色半導体レーザ -量子ドットで実現- | 東大 | 日刊工業新聞 (1999年5月21日PP.1) | InGaN 量子ドット 10層構造 室温発振 閾値電流 MOCVD 直径約20nm 高さ約4.5nm 波長405nm 色素レーザ励起 | 250 |
| 1999年 6月号 | 青紫色半導体レーザ -量産タイプの素子構造，連続発振- | NEC | 日刊工業新聞 (1999年4月6日PP.6) | 青紫色半導体レーザ 室温連続発振 GaIn系 N形NGa基板 HVPE 低欠陥 裏面電極 へき開共振器 波長401.9nm | 250 |
| 1999年 6月号 | 面発光半導体レーザ -フォトニック結晶で製作- | 京大 | 日刊工業新聞 (1999年4月1日PP.6) | 2次元ホトニック結晶 InP半導体レーザ ビーム角1.8° 面発光半導体レーザ 室温パルス発振 | 240 250 |
| 1999年 4月号 | 低価格のミリ波発振モジュール | 新日本無線 | 電波新聞 (1999年2月9日PP.5) | ミリ波発振モジュール 76/60GHz帯 ガンダイオード | 240 |
| 1999年 4月号 | 紫色半導体レーザ -次世代DVD用光源- | 松下電器産業 | 電波新聞 (1999年2月4日PP.1) 日経産業新聞 (1999年2月4日PP.5) 日本経済新聞 (1999年2月4日PP.11) 日本工業新聞 (1999年2月4日PP.4) | 次世代DVD 波長400nm 集光特性 連続発振 多重量子井戸構造 GaN DVD 紫色半導体レーザ 半導体レーザ 記録用光源 | 230 250 |
| 1998年12月号 | 減圧CVD法による青紫色半導体レーザ -室温連続発振- | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1998年9月30日PP.6) | MOCVD 青紫色半導体レーザ 炭化シリコン基板 窒化ガリウム | 250 |
| 1998年11月号 | 青紫色半導体レーザ -室温連像発振に成功- | ソニー | 日刊工業新聞 (1998年9月17日PP.5) | 青紫色半導体レーザ 室温連続発振 窒化Ga 加圧型有機全層気相成長 MOCVD | 250 |
| 1998年10月号 | 新型色素レーザ素子 -駆動用の光源不要に- | NTT | 日経産業新聞 (1998年8月28日PP.5) | 色素レーザ素子 1×2cm 0.4mAで青色レーザ発振 | 250 |
| 1998年 9月号 | 超電導素子使用の発振器 -1THzのサブミリ波実現- | 通信総研 | 日経産業新聞 (1998年7月10日PP.4) | サブミリ波 ジョセフソン素子 超電導 50mW | 220 140 150 |
| 1998年 5月号 | 遠赤外光レーザ -平均出力100Wで発振- | 日本原子力研 | 日経産業新聞 (1998年3月6日PP.5) | 自由電子レーザ 遠赤外線レーザ光 | 250 |
| 1998年 4月号 | 超短パルスレーザ | イムラアメリカ | 日刊工業新聞 (1998年2月26日PP.1) | 光ファイバ内で発振 テラビット通信 コンパクト化 超短パルスレーザ | 250 240 |
| 1998年 4月号 | 世界最高速IC | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1998年2月5日PP.6) | 遮断周波数100GHz Si系HBT HBT 最大発振周波数100GHz 8psの伝搬遅延時間 40〜50Gbpsの光伝送システム用 | 220 |
| 1998年 2月号 | 半導体レーザの小型化 | NTT | 日本経済新聞 (1997年12月13日PP.10) | GaAs 正三角形 正六角形の形状 一辺が数μm 光入射でレーザ発振の可能性を確認 | 250 240 |
| 1997年10月号 | スクイーズド光発振装置 -構造を簡素化- | 通信総研 仏キャスレブロセル研 | 日経産業新聞 (1997年8月15日PP.4) | KTP結晶 波長0.53μm 出力3mW スクイーズド光 光通信 光計測 | 250 240 |
| 1997年 6月号 | 紫外光をレーザ発振する新材料 | 東工大 | 日本経済新聞 (1997年4月26日PP.10) | 紫外光をレーザ発振 パルスレーザ分子結晶成長 酸化亜鉛薄膜材料 | 230 250 150 |
| 1997年 6月号 | レーザ，小型で9.5テラワット発振 | 日本原子力研究所 | 日経産業新聞 (1997年4月8日PP.5) | レーザ | 250 |
| 1997年 2月号 | 電界の振動一定の面発光レーザ | ATR 東工大 | 日経産業新聞 (1996年12月10日PP.5) | GaAs311A面 25μm角 1mAで発振 1500nm 電界方向一定 面発光レーザ | 240 250 |
| 1996年11月号 | 面発光レーザ -連続発振に成功- | 名工大 | 日経産業新聞 (1996年9月3日PP.5) | OEIC 844nm | 250 |
| 1996年 9月号 | 高速通信用の光発振器 -新聞125年分1秒で送信- | NEC | 日経産業新聞 (1996年7月16日PP.5) | 光通信 光発振器 レーザ 500Gbps 半導体レーザを2連化 10Gbpsの光パルス列から500Gbpsの光パルス 列を発生 高速光通信 半導体レーザ | 240 440 250 |
| 1996年 8月号 | 自動電子レーザ発振技術 -半導体新材料開発に道- | 住友電工 | 日経産業新聞 (1996年6月9日PP.1) | 自由電子レーザ | 250 |
| 1996年 7月号 | DVD用自励発振型赤色半導体レーザ | 松下電子 | 電波新聞 (1996年5月18日PP.1) | DVD 半導体レーザ | 250 |
| 1996年 6月号 | 最短波長0.315μmのレーザ発振 | 自由電子レーザ研 | 日経産業新聞 (1996年4月16日PP.5) | 自由電子レーザ装置 | 250 |
| 1996年 6月号 | 量子ドットレーザ -室温で連続発振- | NEC | 日経産業新聞 (1996年4月10日PP.5) | 閾値電流5〜6μA 多層構造 InGaAs | 250 |
| 1996年 4月号 | 青緑色半導体レーザ -室温発振100時間突破- | ソニー | 電波新聞 (1996年2月1日PP.1) 日経産業新聞 (1996年2月1日PP.5) 日刊工業新聞 (1996年2月1日PP.6) | 波長515nm 1mW 青緑色半導体レーザ 室温連続発振101.5時間 | 250 |
| 1996年 3月号 | 紫外線レーザ -紫外線域で最短発振- | 自由電子レーザ | 日経産業新聞 (1996年1月11日PP.5) | 自由電子レーザ研 レーザ 紫外線:波長0.35μm | 250 |
| 1996年 2月号 | 青紫色半導体レーザ | 日亜化学工業 | 電波新聞 (1995年12月13日PP.1) 日経産業新聞 (1995年12月13日PP.10) 日刊工業新聞 (1995年12月13日PP.9) 日本経済新聞 (1995年12月13日PP.11) | 半導体レーザ 波長410nm DVD GaN 室温 パルス発振 高密度記録 | 250 |
| 1995年11月号 | 微小ガラス球でレーザ発振 | 京大 | 日刊工業新聞 (1995年9月6日PP.5) | レーザ | 250 150 |
| 1995年 9月号 | 面発光レーザ | 京大 | 日刊工業新聞 (1995年7月26日PP.5) | 円形回折格子 波長1.3μm 196K 面発光 レーザ パルス発振 | 250 150 |
| 1995年 9月号 | 世界初の量子ドットレーザ | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1995年7月25日PP.1) | 量子ドットレーザ 正孔とじこめ発光 InGaAs 閾値1.1A λ911nm/温度80K パルス発振 超低消費電力 | 250 150 |
| 1995年 7月号 | 波長多重通信用半導体レーザ -異なる波長の光均一発振- | 沖電気 | 日経産業新聞 (1995年5月10日PP.5) | 光ファイバ光源 半導体レーザ 波長多重伝送 多重通信 波長多重 | 240 250 |
| 1995年 5月号 | 60μA電流で発振発振する半導体レーザ -複数の反射鏡使い試作- | 東工大 | 日経産業新聞 (1995年3月15日PP.5) | 波長1.5μm 発振電流60μA | 250 |
| 1995年 5月号 | 70μAの電流で発振する面発光レーザ | 東工大 | 日経産業新聞 (1995年3月3日PP.5) | レーザ 面発光 発振電流70μA | 250 |
| 1995年 1月号 | 半導体レーザの発振安定化技術 -水晶エタロンで- | 東芝 | 日経産業新聞 (1994年11月18日PP.5) | レーザ 温度変化 | 250 160 |
| 1994年12月号 | 周波数安定化発振回路 -55GHz帯で出力2.3mW- | ミリウェイブ NEC | 日刊工業新聞 (1994年10月26日PP.9) | ミリ波帯 55GHz 2.3mW MMIC | 440 220 |
| 1994年11月号 | ルビジウム原子発振器 -周波数の安定化に成功- | 新技術事業団 アンリツ | 日経産業新聞 (1994年9月16日PP.5) | 原子発振器 レーザ ルビジウム | 250 150 |
| 1994年 5月号 | 青色半導体レーザ -室温で連続発振- | ソニー | 日刊工業新聞 (1994年3月29日PP.1) | 青色半導体レーザ 23℃ λ:189.9nm 半導体レーザ 青色室温連続発振 | 250 |
| 1994年 3月号 | 発振電流1/10以下の半導体レーザ | NEC | 日経産業新聞 (1994年1月5日PP.5) | 半導体レーザ 面発光型 発振電流190μA 光出力50μW/2mA 半導体レーザ素子 | 250 |
| 1994年 1月号 | 量子箱レーザ | 東工大 | 日経産業新聞 (1993年11月19日PP.5) | InGaAsP 波長1.3μm -196℃ 発振電流1.1A 半導体レーザ 量子箱 微小半導体粒 超低電流発振 | 250 |
| 1994年 1月号 | 赤色半導体レーザダイオード633n帯で5mW | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1993年11月25日PP.9) | 赤色半導体レーザダイオード 発振波長633nm帯 光出力5mW | 250 |
| 1993年 9月号 | 青緑色半導体レーザ -波長532nmの室温連続発振- | ソニー | 電波新聞 (1993年7月9日PP.1) 日経産業新聞 (1993年7月9日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年7月9日PP.7) | 青緑色半導体レーザ 波長523nm 室温連続発振 高密度記録 | 250 |
| 1993年 8月号 | ミリ波通信用トランジスタ | NEC | 日経産業新聞 (1993年6月28日PP.5) | HBT ミリ波トランジスタ 最大発振周波数:224GHz | 220 240 |
| 1993年 6月号 | 青緑色半導体レーザ -室温発振に成功- | 松下電器産業 | 電波新聞 (1993年4月14日PP.1) | 青色半導体レーザ | 250 |
| 1993年 5月号 | 波長1.3μmの面発光レーザ | 東工大 | 日経産業新聞 (1993年3月24日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年3月30日PP.4) | 面発光レーザ 室温で連続発振 世界初 | 250 |
| 1993年 2月号 | 第3の半導体光源誕生 | NTT | 日刊工業新聞 (1992年12月4日PP.7) 日経産業新聞 (1992年12月4日PP.5) 日本工業新聞 (1992年12月4日PP.5) 日本経済新聞 (1992年12月4日PP.13) 電波新聞 (1992年12月4日PP.3) | 半導体レーザ 10μA 800nm帯 極小電流発振 新発光素子 自然放出光 光コンピュータ | 250 150 |
| 1992年12月号 | 発振波長635nmの赤色半導体レーザ | 東芝 | 電波新聞 (1992年10月6日PP.2) | 半導体レーザ | 250 |
| 1992年11月号 | 世界初1.3μm帯レーザ発振 | 光技術研究開発 古河電工 | 日本工業新聞 (1992年9月22日PP.5) 電波新聞 (1992年9月23日PP.7) | InAsPレーザ 1.3μm帯 120℃で発振 | 230 |
| 1992年10月号 | 室温で連続発振可能な橙色半導体レーザ- -世界初発振波長615nm- | 三洋電機 | 電波新聞 (1992年8月6日PP.1) | レーザダイオード | 250 |
| 1992年 9月号 | 青色半導体レーザ -ダブルヘテロ構造- | ソニー | 読売新聞 (1992年7月22日PP.1) 電波新聞 (1992年7月24日PP.6) | 青色レーザ 青色半導体レーザ 440nm発振 音声3時間半/12cmCD CD情報量従来の3倍 | 250 330 |
| 1992年 3月号 | 偏波無依存型SLD | 東大 NTT | 日刊工業新聞 (1992年1月31日PP.9) | スーパールミネッセンスダイオード 量子井戸 TE/TMモード発振 分光計測 | 250 660 |
| 1992年 2月号 | 超高速レーザ発振 | 日電 | 日経産業新聞 (1991年12月2日PP.5) | 100Gbps | 250 |
| 1992年 1月号 | 新原理でレーザ発振 | 東大 | 日刊工業新聞 (1991年11月5日PP.1) | レーザ素子 400〜650nm | 250 |
| 1991年 8月号 | Si基板に光素子 | NTT | 電波新聞 (1991年6月26日PP.2) | 常温で1000時間寿命(これまで10数時間) 300μm2 連続発光可 耐用10年 常温発振 チップ間で光信号を送る | 250 150 |
| 1991年 8月号 | マイクロ波発振器 -平面型静磁波共振子を利用- | 日立製作所金属 | 電波新聞 (1991年6月5日PP.6) 日経産業新聞 (1991年6月5日PP.9) 日刊工業新聞 (1991年6月5日PP.10) | 平面型静磁波(MSW)共振子 広周波数可変幅で低雑音(5GHzで可変帯域幅1GHz以上) YIG(イットリウム 鉄 ガーネット)膜 | 340 |
| 1991年 6月号 | 磁場もディジタル化 新型SQUID開発 | 超電導センサ研究所 電総研 | 日経産業新聞 (1991年4月25日PP.5) 日刊工業新聞 (1991年4月25日PP.1) 朝日新聞 (1991年4月25日PP.8) | RO-SQUID 発振周波数500MHz | 210 |
| 1991年 5月号 | 青緑色レーザ発振に成功 | 京大 | 日刊工業新聞 (1991年3月15日PP.7) | 半導体レーザ -族青緑色で初 540nm(17℃)→490nm MQW11層と井戸層の薄膜化 | 250 |
| 1990年11月号 | 高密度半導体レーザ連続発振に成功 | 日経産業新聞 (1990年9月28日PP.0) 電波新聞 (1990年9月28日PP.0) 日刊工業新聞 (1990年9月28日PP.0) | 4.5μm間隔で集積102個 閾電流1.8 ΔI=0.017mA 8.5mW/個 840nm | 250 | |
| 1990年11月号 | 室温で青色レーザ発振 | HOYA | 日経産業新聞 (1990年9月21日PP.0) | 0.47μm 7mW RT | 250 |
| 1990年11月号 | 光出力のエネルギー変換効率世界最高42%の半導体レーザ | ソニー | 日経産業新聞 日刊工業新聞 (1990年9月11日PP.0) 日刊工業新聞 (1990年9月11日PP.0) | 0.84 発振最小電流0.88 最大40 | 250 |
| 1990年10月号 | 世界で最短波長 | 三洋電機 | 日経産業新聞 (1990年9月6日PP.0) | 631nm 35℃で発振2mW出力 | 250 |