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MOSトランジスタ 関係の注目記事
学会誌に掲載された記事は青色で表示しています。

掲載
予定
題 目発表社情報源キーポイント 分類
番号
2017年 8月号3次元MRAM 積層プロセス開発産総研日刊工業新聞
(2017年5月17日PP.29)
CMOS形成ウェハとTMR薄膜ウェハを別々に形成後圧着230
260
2017年 1月号単眼カメラ高性能化
夜間歩行者を認識
デンソー日刊工業新聞
(2016年10月26日PP.7)
自動ブレーキシステム用画像センサ
CMOS採用
210
2016年11月号反転層チャネルMOSFET
ダイヤ半導体で作製
金沢大など日刊工業新聞
(2016年8月23日PP.23)
パワーデバイス向けノーマリーオフ特性

ダイヤモンドは最も高い絶縁破壊電界とキャリヤ移動度
熱伝導率を持つ究極のパワーデバイス材料
220
2016年 5月号毎秒56ギガビットで無線伝送

http://pr.fujitsu.com/jp/news/2016/02/1-1.html
東工大
富士通研
日刊工業新聞
(2016年2月1日PP.18)
CMOS製無線送受信チップ
周波数インターリーブ
72G-100GHz
340
2016年 5月号照度0.01ルクスでカラーハイビジョン動画撮像パナソニック日刊工業新聞
(2016年2月3日PP.1)
APD-CMOSイメージセンサ210
2016年 5月号逆光下の被写体も鮮明
有機薄膜採用
CMOSイメージセンサー技術開発
パナソニック電波新聞
(2016年2月4日PP.1)
逆光やライト照射したの被写体も鮮明に撮影
123dBのダイナミックレンジ
明暗同時撮像ダイナミックレンジ100倍
有機薄膜
CMOSイメージセンサ
車載用
210
2016年 3月号最高感度CMOSイメージセンサ
暗所で画像を鮮明検知

https://www.nikkan.co.jp/articles/view/00368399
静岡大日刊工業新聞
(2015年12月17日PP.28)
CMOSイメージセンサ
星明かり程度の1mlxの照度でもノイズなし
1mlxの照度での平均ノイズ0.27
暗所で画像を鮮明検知
実用化されている高感度イメージセンサーの1/3以下の平均ノイズ
210
2016年 1月号オン・セミコンダクター 230万画素のCMOSイメージセンサー LEDフリッカ抑制技術を搭載オン・セミコンダクター電波新聞
(2015年10月22日PP.3)
CMOSイメージセンサ
LEDフリッカ抑制
210
2015年12月号積層構造作製 ゲルマニウムトランジスタ
酸化膜品質3倍超
東北大日刊工業新聞
(2015年9月28日PP.22)
ゲルマニウムMOSトランジスタ
酸化膜
ゲートスタック構造 酸素中性子ビーム
220
2015年 6月号毎秒2億コマ撮影のCMOSセンサ

http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0720150304eaal.html
静岡大日刊工業新聞
(2015年3月4日PP.21)
現行品の100倍の速度,多眼レンズを採用
撮像部がメモリーを兼ねる構造,
210
2015年 3月号トンネルFETの長寿命化を実証

http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2014/pr20141216_2/pr20141216_2.html
産総研日刊工業新聞
(2014年12月17日PP.23)
電界効果トランジスタ(MOSFET)に比べて10万倍以上長寿命,センサネットワーク回路の駆動に必要な相補型金酸化膜半導体の構成に使用220
2014年 9月号水晶発振器並みの周波数精度を持つCMOS発振器東芝日刊工業新聞
(2014年6月12日PP.19)
温度領域ごとに特性を補正するディジタル回路を用いて温度補償100ppm以下の周波数精度を実現
Si半導体発信機
220
2014年 7月号高感度な曲面型CMOSソニー日経産業新聞
(2014年4月24日PP.3)
周辺部の感度従来比2倍・中央部1.4倍
裏面照射型
チップ厚10μm
案電流従来比1/5
210
2014年 5月号スピントロニクス活用で電池の寿命を延ばすMCU東北大
NEC
日刊工業新聞
(2014年2月11日PP.13)
不揮発レジスタの書き込み電力を削減
回路線幅90nmのCMOS回路と三端子MTJ素子を組み合わせたICチップ
220
2014年 5月号28Gbps伝送可能な60GHzミリ波無線機IC東工大日刊工業新聞
(2014年2月12日PP.14)
ミキサファースト型IC
消費電力が送信機168mW・受信機155mW・発信器64mW
65nmのCMOSプロセス技術
60GHz帯
64QAM
220
340
2014年 3月号3次元LSI向け多結晶Geトランジスタ産総研日刊工業新聞
(2013年12月18日PP.21)
GeのCMOS化
n型MOSFET
500℃以下で形成
p型n型の両極性
多結晶Geトランジスタ
Siの3倍の電流駆動能力
220
2013年 9月号低消費電力通信用MOSFET東芝日刊工業新聞
(2013年6月11日PP.21)
CMOSでプロセッサ部と通信部を1チップに小型・集積化可能
ゲート電極材料を2種類
220
2013年 9月号低電圧CMOSインバータ産総研
住化
日刊工業新聞
(2013年6月11日PP.21)
GeのpMOSFETとInGaAsのnMOSFETを積層
0.2Vで動作
220
2013年 9月号有機CMOSイメージセンサ富士フイルム
パナソニック
電波新聞
(2013年6月12日PP.2)
受光部に厚さ0.5μmの有機薄膜を使用
ダイナミックレンジ88dB
従来比1.2倍の開口率
入射光線範囲60°
110
210
2013年 9月号多値構造セルでMROM高速化東芝日刊工業新聞
(2013年6月13日PP.21)
1セル当たり2ビットの多値構造
40nm世代CMOSプロセスで試作
230
2013年 9月号微弱な光でも色や形を正確に映せる内視鏡カメラ国立成育医療研究センター日経産業新聞
(2013年6月13日PP.11)
CMOS310
2013年 9月号損失1/10のパワー半導体情通機構
タムラ製作所
日経産業新聞
(2013年6月20日PP.11)
Ga203
0.4mm角
MOSトランジスタ
オンオフ比10桁以上
220
2013年 3月号リーク低減したSiCパワー半導体阪大
京大
ローム
東京エレクトロン
日経産業新聞
(2012年12月12日PP.6)
日刊工業新聞
(2012年12月12日PP.24)
ゲート絶縁膜にアルミ酸化物
N添加によりリーク90%減
耐圧1.5倍
高誘電率ゲート絶縁膜採用のSiC製MOSFET
120
220
250
2012年12月号SHV対応液晶ディスプレイNHK電波タイムズ
(2012年9月5日PP.3)
IBC展示
85インチ直視型
120Hz SHV CMOS イメージセンサ
IBC国際栄誉賞
660
2012年 9月号CMOSの省エネを実現する低電圧トランジスタLEAP
東大
日刊工業新聞
(2012年6月20日PP.21)
SOTBを独自の構造にして0.4Vで動作
しきい値電圧の制御が簡単
LGP構造
210
2012年 5月号スーパハイビジョン対応復号LSIを試作早大日刊工業新聞
(2012年2月20日PP.17)
7680×4320×60fps
H.264/AVCハイプロファイル
65nm CMOS
消費電力410mW
220
2012年 3月号省電力化と高速化を両立したLSI用電子回路東北大
NEC
日刊工業新聞
(2011年12月6日PP.1)
日経産業新聞
(2011年12月8日PP.11)
スピントロニクス素子とCMOS素子のハイブリッド回路を高速化
動作周波数600MHz
ラッチ回路向け
220
2012年 1月号25Gbpsで100m伝送可能な小型光送信機日立日刊工業新聞
(2011年10月19日PP.23)
1Gbpsあたり9mWの低消費電力で動作
回路面積を35%縮小
消費電力を30%低減
CMOSレーザ駆動回路
340
440
2011年 9月号業務用4K対応ビデオカメラ発売へソニー日経産業新聞
(2011年6月30日PP.4)
4K用高感度CMOS310
2011年 8月号60GHz帯ミリ波無線機東工大日刊工業新聞
(2011年5月3日PP.12)
11Gbps
16QAM変調に対応したダイレクトコンバージョン型無線機
65nmCMOSプロセスで試作
340
2011年 7月号2000万fps撮影可能なイメージセンサ東北大
島津製作所
日経産業新聞
(2011年4月18日PP.11)
日刊工業新聞
(2011年4月19日PP.26)
CMOS採用により消費電力抑制
45mm角チップを試作
内蔵メモリへ一時保存して読出す
1コマ50nsで処理
既存の半導体製造工程で製造可能
低消費電力
10万画素で約250コマ撮影可能なチップを試作
210
220
2011年 7月号待機電力1/100の無線LAN対応LSI東芝日刊工業新聞
(2011年4月21日PP.21)
90nmのCMOSプロセスで試作したLSIで待機電力7μW
LSI全体の消費電力を35.2mWから0.28mWへ削減
120
2011年 6月号Si素子で小型光スイッチNEC日刊工業新聞
(2011年3月7日PP.20)
Siフォトニクス
800μm×60μmの光路切替素子
光合分波素子
素子の内部を局所的に加熱することで材料の屈折率を変更
130nmCMOSプロセス
240
160
2011年 3月号28nm世代システムLSI向け混載DRAM技術ルネサスエレクトロニクス日刊工業新聞
(2010年12月9日PP.22)
寄生容量・抵抗を削減
CMOSプロセスを導入
低誘電率の多孔質(MPS)膜を採用
配線層内にキャパシタ形成
160
230
2010年11月号暗所でも高感度な大型CMOSセンサキヤノン日経産業新聞
(2010年8月31日PP.1)
202mm×205mm
160万画素
0.3Lxで60fps撮像
210
220
2010年 3月号スピンMOSトランジスタの基本技術東芝電波新聞
(2009年12月9日PP.1)
電子スピン
ロジックLSI
メモリー機能
磁気トンネル接合
スピン注入磁化反転
230
2010年 3月号動作速度が3割向上した高速無線用半導体NECエレクトロニクス日経産業新聞
(2009年12月18日PP.11)
アナログ部の配線抵抗を従来と比べて半減
動作クロック200GHz
線幅40nmのCMOS
220
2009年 3月号22ナノ世代LSI向け量産化技術Selete日刊工業新聞
(2008年12月17日PP.21)
Si基板に約0.4nmの酸化イットリウムを原子層堆積法で薄く成膜
絶縁膜としてハフニウム系の高誘電率膜
MOSトランジスタの絶縁膜にイットリウムを導入
220
2009年 2月号CMOS微細化技術東工大日経産業新聞
(2008年11月14日PP.9)
絶縁膜の厚さ0.37nm
回路線幅16nm以下のLSI開発に不可欠な技術
絶縁膜に酸化ランタンを採用
220
120
2008年 9月号車載・監視CMOSカメラ
-明暗が肉眼より鮮明-
セイコーエプソン日経産業新聞
(2008年6月11日PP.1)
撮影可能な明暗差は120dB
0.2lxから15万lxを認識
1秒間に120枚撮影
1秒間に30枚の画像出力
33万画素
210
310
2008年 9月号感度2倍のCMOSセンサソニー日刊工業新聞
(2008年6月12日PP.8)
Si基板の裏側から光を照射
画素寸法1.75μm角
有効画素数500万
60fps
ノイズを2dB低減
210
2008年 7月号CMOSの特性変動を予測するシミュレーションモデルを開発Selete日刊工業新聞
(2008年4月23日PP.1)
設計時のマージン不要
LSI性能20%向上
STI工程
220
620
2008年 5月号ダイナミックレンジ140dBのMOSイメージセンサ松下電器日経産業新聞
(2008年2月6日PP.7)
露光時間を変えた3枚の画像を画素単位で合成出力
一つのメモリー素子で高速制御
ほぼリアルタイムで処理
210
2008年 3月号回路線幅32nmLSI向け製造プロセス技術Selete
日立建機ファインテック
日経産業新聞
(2007年12月11日PP.1)
電流漏れを防ぐ技術
電極素材と配線層間材料を新たに開発
ゲート材料にTiN
絶縁膜に窒化ハフニウムシリケート
nMOSにMgO
pMOSにAlO
ポーラスシリカ
SiO
比誘電率2.4
120
160
220
2008年 3月号世界初のトレンチ型SiC MOSFETと大電流容量を実現したSiC SBDローム電波新聞
(2007年12月21日PP.1)
1cm角で300A
900V耐圧
オン抵抗2mΩcm2
JFET抵抗
SBD逆方向耐圧660V
160
220
2008年 2月号InGaAsで縦型量子ドット作製東北大日経産業新聞
(2007年11月29日PP.13)
日刊工業新聞
(2007年11月29日PP.28)
3次元のMOSゲート構造
原子層堆積法
均一で高耐圧なゲート絶縁膜を形成
電子スピンの状態を正確に制御
約10倍の効率
120
220
2007年12月号次世代CMOS素子
-しきい値電圧の時間変動の仕組み解明-
Selete
筑波大
広島大
早大
日刊工業新聞
(2007年9月20日PP.28)
45nm世代
窒化ハフニウムシリケートの劣化
界面特性
120
220
2007年10月号低電圧駆動有機CMOS回路東大
シャープ
日経産業新聞
(2007年7月31日PP.11)
日刊工業新聞
(2007年7月31日PP.33)
駆動電圧1〜5V
動作電圧範囲従来の2倍以上
p型にペンタセン
n型にフラーレン
絶縁膜にチタンSi酸化膜
上下をSi酸化膜が挟む3層構造
120
220
2007年 9月号CMOSトランジスタのしきい値電圧の仕組み解明産総研
超先端電子技術開発機構
日刊工業新聞
(2007年6月12日PP.24)
高誘電率絶縁膜
Si酸化膜と下部絶縁膜の界面でしきい値に大きくずれ
Si酸化膜上の絶縁膜を0.1nm寸法で精度よく制御することが閾値電流を制御する鍵
120
220
160
2007年 9月号5000万画素のCMOSセンサキヤノン日経産業新聞
(2007年6月13日PP.7)
縦18.7×横28.1mm
1画素の大きさ3.2μm角
受光容量従来比50%拡大
210
2007年 9月号有機材料とCMOSセンサーを組み合わせたカラー撮像素子富士フイルム日経産業新聞
(2007年6月22日PP.10)
CMOSセンサーの緑部分を有機材料に置換
高感度化可能
余分な電子を除去する材料でS/N改善
有機材料はCMOSに比べて感度を3倍高められる
210
310
2007年 4月号Siチップ上での光データ通信の速度遅延方法米IBM電波新聞
(2007年1月3日PP.2)
最大100個の小型リングを縦接続した共振器を構築する光遅延線
既存のSiCMOS製造ツール利用可
240
340
2007年 3月号可視光・近赤外同時撮像可能なCMOSカメラ豊田中研日経産業新聞
(2006年12月15日PP.10)
波長780〜1100nmの近赤外線
二つある緑色カラーフィルタの一つを近赤外線用に変更
画素サイズ7.4μm角
210
2006年12月号フルメタルゲートCMOS半導体先端テクノロジーズ(Selete)電波新聞
(2006年9月13日PP.1)
回路線幅45nm以降
0.84nmの高誘電率(High-k)ゲート絶縁膜
デュアルメタルCMOSプロセス
窒化ハフニウムシリケート(HfSiON)
160
220
2006年 6月号高解像度CMOSセンサ
-光で距離と画像を認識-
シャープ
静大
スズキ
電波新聞
(2006年3月24日PP.1)
日経産業新聞
(2006年3月24日PP.8)
日刊工業新聞
(2006年3月24日PP.12)
LED光源からの近赤外光が対象物で反射しセンサまでの光の飛行距離と光の速度から距離計算
信号電荷検出機能を集積化
TOF
OVGA
距離分解能パルス幅20nm距離1mで1cm
68ピンLCCパッケージ
210
220
320
2006年 5月号ロボットハンド用滑りセンサ奈良先端大日経産業新聞
(2006年2月6日PP.8)
指先に半球状のゲル状物質
ゲル状物質表面に等間隔の点
CMOSカメラで点の動きを検出
310
120
210
320
2006年 3月号起立型ダブルゲートMOSトランジスタ
-中性粒子ビームエッチング技術確立-
産総研電波新聞
(2005年12月16日PP.6)
時間変調塩素プラズマ
加速した負イオン効率よく中性化
Si基板表面の平坦性も1nm以下
160
360
2006年 1月号次世代メモリーPRAM日立
ルネサステクノロジ
日経産業新聞
(2005年10月6日PP.1)
1.5Vでデータの読み書き可能
厚さ100nmの薄膜をMOSトランジスタ上に配線
230
160
2005年 5月号消費電力40mWのASIC用AD変換器
-回路融合で実現-

14と一つに
富士通研日刊工業新聞
(2005年2月8日PP.33)
パイプライン型ADC
分解能10bit
サンプリングレート125MHz
サンプル保持回路とMDAC回路を融合
0.18μmCMOSプロセス
電源電圧1.8V
220
2005年 5月号2.0μm角画素サイズのMOSイメージセンサ


13とあわせて一件に
松下電器電波新聞
(2005年2月9日PP.1)
0.15μmルール微細配線
4画素で1個検出アンプ回路
パルス電源方式
フォトダイオード面積比率30%
消費電力20mW
3400電子/lx・秒
1/4型200万画素
160
210
2005年 5月号32nm世代の壁を越えた超微細化SRAM技術NEC日刊工業新聞
(2005年2月9日PP.1)
読出しループを切ってデータを反転させない役割の素子
CMOSロジックとともに微細化・低電圧化に対応
面積9%増
160
230
2005年 5月号極端な明暗差を忠実再現する撮像素子静大日刊工業新聞
(2005年2月22日PP.29)
ダイナミックレンジ117dB
CMOSイメージセンサ
四つのアナログ信号を12bitのディジタル信号にするA/D変換器
1000階調以上
210
2005年 3月号SiCを用いた低抵抗パワーMOSFET三菱電機電波新聞
(2004年12月17日PP.2)
耐圧1.2kV
電流1Aでオン抵抗率12.9mΩcm2
チャンネルエピタキシャル成長層形成技術
単位セル25×25μm
チャネル長2μm
160
220
2005年 1月号空間光変調器
-磁気光学を利用し10倍の高速動作-
豊橋技科大日刊工業新聞
(2004年10月1日PP.31)
SLM
MOSLM
ファラデー効果
磁性フォトニック結晶
YIG
240
340
250
2004年 9月号電子・正孔の移動度を厳密計算東芝日刊工業新聞
(2004年6月21日PP.21)
正孔のエネルギー形状の異方性を考慮したアルゴリズムを明確化
高性能CMOS
モンテカルロ法
120
220
2004年 7月号電子線ホログラフィでCMOS解析


図使用
ファインセラミックスセンター(JFCC)日経産業新聞
(2004年4月19日PP.8)
半導体断面電位解析
不純物の分布を利用
360
430
660
2004年 5月号MOSイメージセンサ
-世界初の1/4型200万画素-
松下電器電波新聞
(2004年2月16日PP.1)
画素サイズ2.25μm
1/4型200万画素
4画素共有トランジスタ構造
非対称電界フォトダイオード
並列共通配線構造
210
2004年 3月号ダブルゲートMOSFET
-4端子駆動を実現-
産総研日刊工業新聞
(2003年12月10日PP.25)
2つのゲートを分離独立
結晶面異方性ウエットエッチング
微細CMP技術
220
2004年 3月号35nmCMOS接合技術Selete日刊工業新聞
(2003年12月19日PP.27)
SPE
FLA
p型MOS駆動電流2倍
300mmウェハ上に101段のリング発信器回路
160
220
2003年 8月号透明トランジスタ科学技術振興事業団
東工大
毎日新聞
(2003年5月23日PP.28)
日経産業新聞
(2003年5月23日PP.8)
MOS
液晶ディスプレイ用
ZrO基板単結晶薄膜
HfOの絶縁体
電流100倍
窓ガラスに映像
150
250
2003年 7月号次世代トランジスタ
-IC消費電力1/10
漏電抑える-
Selete
早大
物材機構
日経産業新聞
(2003年4月11日PP.1)
MOSFETの絶縁膜改良
HfOを使う技術
次世代トランジスタ
消費電力1/10
160
220
2003年 7月号明暗差大きい撮影に対応する画像センサシャープ日経産業新聞
(2003年4月15日PP.8)
日刊工業新聞
(2003年4月15日PP.9)
対数変換型CMOSイメージセンサ
0.01〜100klx
210
2003年 7月号800万画素動画ライブ伝送実験
-HDTVの4倍の解像度-
通信総研電波新聞
(2003年4月17日PP.4)
CMOS動画像カメラ
研究用ギガビットネットワークを用いてATM600Mbps
同期バッファ並列伝送方式
540
440
2007年 3月号可視光・近赤外同時撮像可能なCMOSカメラ豊田中研日経産業新聞
(2006年12月15日PP.10)
波長780〜1100nmの近赤外線
二つある緑色カラーフィルタの一つを近赤外線用に変更
画素サイズ7.4μm角
210
2006年12月号フルメタルゲートCMOS半導体先端テクノロジーズ(Selete)電波新聞
(2006年9月13日PP.1)
回路線幅45nm以降
0.84nmの高誘電率(High-k)ゲート絶縁膜
デュアルメタルCMOSプロセス
窒化ハフニウムシリケート(HfSiON)
160
220
2006年 6月号高解像度CMOSセンサ
-光で距離と画像を認識-
シャープ
静大
スズキ
電波新聞
(2006年3月24日PP.1)
日経産業新聞
(2006年3月24日PP.8)
日刊工業新聞
(2006年3月24日PP.12)
LED光源からの近赤外光が対象物で反射しセンサまでの光の飛行距離と光の速度から距離計算
信号電荷検出機能を集積化
TOF
OVGA
距離分解能パルス幅20nm距離1mで1cm
68ピンLCCパッケージ
210
220
320
2006年 5月号ロボットハンド用滑りセンサ奈良先端大日経産業新聞
(2006年2月6日PP.8)
指先に半球状のゲル状物質
ゲル状物質表面に等間隔の点
CMOSカメラで点の動きを検出
310
120
210
320
2003年 5月号CMOSイメージセンサ
-画像ごとに信号増幅-
ソニー
静岡大
日経産業新聞
(2003年2月13日PP.7)
CMOSイメージセンサ
ノイズを半減
210
2003年 5月号2GHz帯1チップ受信IC東芝日刊工業新聞
(2003年2月13日PP.4)
DCオフセット変動60mV以下
SiGeBiCMOS技術
第3世代携帯に対応
220
240
2003年 3月号DRAM混載システムLSI
-65nm世代プロセス-
東芝
ソニー
日刊工業新聞
(2002年12月4日PP.8)
電波新聞
(2002年12月4日PP.1)
SoC向け
スイッチング速度0.72ps(NMOS)
1.41ps(PMOS)
0.6μm;2のメモリーセル
220
230
160
2003年 3月号新チャネル構造
-ゲート長30nm以下でトランジスタ動作-
東芝日刊工業新聞
(2002年12月10日PP.4)
オン電流960μA/1μm
65nmプロセスシステムLSI用
プラズマ窒化したゲート酸化膜
スイッチング速度0.72ps(NMOS)
1.41ps(PMOS)
160
220
2003年 3月号SiMOSトランジスタ
-ゲート長6nmと最小-
米IBM日刊工業新聞
(2002年12月11日PP.4)
SOI上のSi膜厚4nm
ハロー・インプラント技術
160
220
2003年 1月号高速MOS素子中の漏れ電流1/10000に低減東芝日刊工業新聞
(2002年10月2日PP.5)
高速MOS素子
接合漏れ電流
ヒ素イオン
携帯端末用LSI
220
160
2003年 1月号HDTVの圧縮・伸張処理1チップ化に成功
-伝送装置を大幅小型化-
NTTコム
NHK
電波新聞
(2002年10月16日PP.3)
日刊工業新聞
(2002年10月16日PP.7)
HDTV・CODEC・LSIを世界で初めて開発
0.13μmCMOS技術
ハガキ大の基板サイズ
180×120mm
220
320
420
520
2002年12月号1110万画素受像のCMOSセンサキヤノン日本経済新聞
(2002年9月24日PP.9)
デジタルカメラ用
23.8mm×35.8mm
3回露光の微細加工技術
210
160
2002年10月号多層カーボンナノチューブ
垂直成長させる技術
富士通研日経産業新聞
(2002年7月8日PP.9)
電波新聞
(2002年7月8日PP.1)
日本工業新聞
(2002年7月8日PP.2)
日本経済新聞
(2002年7月8日PP.21)
微細なLSI配線
φ:50nmL: 500nmのCNT
CMOS・FETのシリサイド層上にて成長
電極にNiやCoを混入
CH4とH2の混合ガスによるプラズマCVD法
120
160
220
2002年 9月号3.3psの超高速スイッチ
-新構造で低消費電力-
東芝日刊工業新聞
(2002年6月6日PP.4)
高温超電導JJ
リング発振器
微細CMOSの3倍の高速性と1/1000の消費電力
21個のJJ
単一磁束量子回路
30K
220
2002年 9月号高速トランジスタ富士通研日経産業新聞
(2002年6月12日PP.12)
動作速度従来の1.5倍
Si・Ge薄膜
pMOS
220
2002年 9月号LSIの消費電力を1/10に低減するトランジスタ松下電器日本経済新聞
(2002年6月20日PP.11)
SiGeのナノ構造薄膜をSi基板に形成
0.5V動作
CMOSトランジスタ
220
160
2002年 8月号ナノチューブトランジスタ米IBM日経産業新聞
(2002年5月22日PP.8)
Si製の2倍の動作速度
p-n型の作り分け
MOSFETと同構造
220
2002年 7月号立体認識画像CMOSセンサ
-1mmの物を立体視-
山武
静大
日経産業新聞
(2002年4月9日PP.3)
2つの画像センサ
画像変換器
210
520
2002年 7月号画像処理可能なセンサ奈良先端大日経産業新聞
(2002年4月16日PP.10)
半球の全方位観測可能なカメラ用半導体センサ
CMOS構造
処理能力を持つ画像センサ
8.9mm角
32×32の画像素子
210
520
2002年 5月号低消費電力化技術
ISSCC2002で発表
-CMOS周波数変換回路-

(No4
5と合わせる)
東芝日刊工業新聞
(2002年2月7日PP.6)
消費電力30%削減
信号電流加算と自己スイッチング
220
2002年 5月号携帯電話搭載に最適な指紋センサ富士通日刊工業新聞
(2002年2月28日PP.15)
静電容量方式
スウィープ型
0.5μmのCMOSプロセス
210
620
2002年 1月号超高速光ネットワークスイッチ
-LSI-CMOS設計感覚で実装-
NEC日刊工業新聞
(2001年10月1日PP.9)
CMOS
40Gb/s
LSI
分散処理用ネットワーク
RHINET
220
260
240
2001年11月号無線回路1チップに
-腕時計型パソコンに道-
米UCLA日本経済新聞
(2001年8月17日PP.17)
1.8mm×2.4mm
消費電力2.2mW
500bps
ウエアラブル機器CMOSトランジスタ
220
240
2001年 8月号,9月号ハイビジョンの4倍の高画質画像システム通信総研
日本ビクター
日経産業新聞
(2001年6月6日PP.10)
日刊工業新聞
(2001年6月6日PP.7)
電波新聞
(2001年6月7日PP.3)
HDTVの4倍解像度
300インチプロジェクタ
1.3インチ800万画素
CMOS素子
反射形液晶表示素子(D-ILA)
210
310
350
250
2001年 6月号トランジスタ素子
-1/500の大きさ-
米IBM日本経済新聞
(2001年4月30日PP.25)
カーボンナノチューブ
大電流で金属タイプを焼き切る
MOSトランジスタ
220
2001年 5月号内部抵抗1/10のトランジスタ電総研日経産業新聞
(2001年3月19日PP.11)
SiCトランジスタ
MOSFET
1kV-1mΩ
220
2001年 5月号最高移動度と最小抵抗実現のSiC素子電総研
新機能素子研究開発協会
(FED)
日刊工業新聞
(2001年3月16日PP.7)
チャネル移動度140cm2/Vs
4H-SiC-MOSFET
エンハンスメント形
ソースドレインのシート抵抗38Ω
220
2001年 5月号新形CMOSセンサ東芝
MIT(米)
日経産業新聞
(2001年3月2日PP.7)
電波新聞
(2001年3月16日PP.6)
DSP一体化
128×128画素
210
220
2001年 4月号光ネット用送受信器
-10Gbpsでワンチップ-
日立日刊工業新聞
(2001年2月7日PP.6)
0.25μmプロセス
10Gbps
SiGe
Bi-CMOS
SOI
シリコンゲルマ
240
220
2001年 4月号携帯端末で複数動画処理松下電器日経産業新聞
(2001年2月7日PP.11)
複数動画処理可能なLSI
MPEG-4準拠
0.18μmCMOS
同時に2画像圧縮
4画像伸長
220
520
2001年 2月号MPUで新技術
-0.03μmゲート幅のトランジスタ-
インテル日経産業新聞
(2000年12月12日PP.1)
MPU
CMOS
ゲート長0.03μm
線幅0.07μm
220
2001年 1月号無線回路1Vで駆動
-切手大の端末可能-
NTT日経産業新聞
(2000年11月15日PP.11)
従来の半分の1Vで駆動
10〜100mの近距離を通信
ブルートゥース対応
周波数変換
40mW以下
2〜2.4GHz
SOI
0.2μmCMOS
220
340
2000年10月号ワイドダイナミックレンジ視覚センサ本田技研日刊工業新聞
(2000年8月9日PP.18)
CMOSイメージセンサ
明暗比130dB
ワイドダイナミックレンジ
210
2000年 9月号皮膚の微小振動センサ名大日経産業新聞
(2000年7月6日PP.1)
日刊工業新聞
(2000年7月1日PP.6)
マイクロ加速度センサ
CMOS
応力インピーダンス効果
感度26倍
脳機図センサ
210
2000年 4月号高画質化技術ソニー日経産業新聞
(2000年2月9日PP.6)
1/3インチ
33万画素
CMOSイメージセンサ
210
2000年 2月号1GHzの微小トランジスタ日立日経産業新聞
(1999年12月7日PP.5)
1GHz
ゲート長0.1μm
トランジスタ
CMOS
2層構造絶縁膜
タングステン薄膜
220
2000年 2月号歪みSOIに作成したP形MOS構造東芝日刊工業新聞
(1999年12月6日PP.13)
歪みSOI
正孔移動度1.3倍
120
220
2000年 2月号CCD画質のCMOSセンサ東芝日本工業新聞
(1999年12月6日PP.6)
CMOSイメージセンサ
埋込みフォトダイオード構造
ノイズ1/6
ワンチップ化
210
220
2000年 1月号CMOSを利用したイメージセンサ
-映像から動く物体検出-
NEC日経産業新聞
(1999年11月12日PP.5)
CMOSイメージセンサ
物体検出回路
フォトダイオード
画素間に動体検出回路
36,864画素
210
2001年 1月号無線回路1Vで駆動
-切手大の端末可能-
NTT日経産業新聞
(2000年11月15日PP.11)
従来の半分の1Vで駆動
10〜100mの近距離を通信
ブルートゥース対応
周波数変換
40mW以下
2〜2.4GHz
SOI
0.2μmCMOS
220
340
1999年10月号カラー人工網膜LSI
-携帯機器などに応用-
三菱電機日経産業新聞
(1999年8月3日PP.5)
人工網膜LSI
CMOSセンサ
カラー人工網膜LSI
CMOS
210
1999年 9月号CMOSエリアイメージセンサ
-100倍のダイナミックレンジ-
ミノルタ
ローム
電波新聞
(1999年7月13日PP.2)
CMOS
イメージセンサ
対数変換回路
ダイナミックレンジ105
210
220
1999年 8月号0.05μm世代のCM0S素子日立日刊工業新聞
(1999年6月15日PP.6)
CMOS
RTA炉
160
220
1999年 8月号世界最小のトランジスタ
-構造試作
動作を確認-
NEC日経産業新聞
(1999年6月17日PP.5)
ゲート電極長50nm
P-MOS
MOSトランジスタ
MOSFET
160
220
1999年 6月号世界初の球面集積回路
-球状半導体にIC形成-
米ボールセミコンダクタ日本経済新聞
(1999年4月6日PP.11)
日刊工業新聞
(1999年4月13日PP.11)
球面集積回路
球状Si
N形MOS
球状半導体
インバータ回路
220
260
160
1999年 6月号横形ホットエレクトロントランジスタNEC日刊工業新聞
(1999年3月29日PP.1)
横形HET
ホットエレクトロン効果
10Tbメモリー
MOSトランジスタ
電界変調浅接合形
220
1999年 5月号世界最小MOSトランジスタ
-ゲート長8nm-
NEC日刊工業新聞
(1999年3月29日PP.1)
MOSトランジスタ
HET
10Tbメモリー
ホットエレクトロン効果
トランジスタ
ゲート長8nm
電子線レジスト
横形HEMT
220
160
1999年 3月号動作速度25%の向上のトランジスタNEC日経産業新聞
(1999年1月4日PP.4)
0.1μm
C-MOS
トランジスタ
220
1999年 2月号消費電力1/25の新MOS型FETシャープ日経産業新聞
(1998年12月11日PP.4)
動作電圧0.5V
MOSFET
ロジックLSI
LCSED-DTMOS
寄生容量65%伝送
220
1999年 2月号1.2nm極薄酸化膜使用のMOS素子広島大日刊工業新聞
(1998年12月8日PP.6)
1.2nmシリコン酸化膜220
160
1998年 9月号人間の目と脳を持つビジョンチップ東大日本工業新聞
(1998年7月29日PP.21)
視覚センサ
並列演算処理回路
高速画像処理
ビジョンチップ
CMOS
画像処理
210
220
1998年 4月号家庭用高速通信ネット向け
IC
-2.5Gbpsの信号受信-
NEC日本工業新聞
(1998年2月10日PP.17)
光IC
CMOS
高速データ通信
220
240
1998年 2月号MOSトランジスタ用高信頼ゲート電極構造
-ゲート長0.25μm以下-
NEC電波新聞
(1997年12月8日PP.7)
LGP2層
SiOx
220
160
1997年11月号160新半導体
-半導体の配線に銅を使用-
IBM日本経済新聞
(1997年9月23日PP.11)
読売新聞
(1997年9月24日PP.10)
銅配線ICの量産技術
高速CMOSロジック用
半導体
同配線
220
160
1997年11月号超微細MOSトランジスタ
-模擬素子で正常動作-
NEC電波新聞
(1997年9月12日PP.1)
日経産業新聞
(1997年9月12日PP.5)
ゲート長14nm
EJ-MOSFET
2重ゲート構造
10Tbメモリーへ道
10Tb
MOS
220
1997年11月号高速通信用LSI基本回路
-消費電力1/5-
NEC日経産業新聞
(1997年9月11日PP.5)
フリップフロップ
CMOS
220
1997年 9月号携帯電話向け新型CMOS
-1チップ化可能に-
松下電器産業日経産業新聞
(1997年7月28日PP.5)
CMOS
メッシュ状配列
220
1997年 8月号ローパワーLSI技術松下電器産業
NTT
電波新聞
(1997年6月12日PP.1)
DSP
16bDSP
内部電圧1.2V
20MHz
12mW
MTCMOS
最小動作電圧検出
220
1997年 7月号小型・高感度CCDNHK日経産業新聞
(1997年5月7日PP.5)
CCD
HARP膜
絶縁耐圧75V
高感度カメラ
CMOS
210
310
1997年 6月号新型半導体素子
-電源回路1/5に-
NTT日経産業新聞
(1997年4月21日PP.5)
パワーMOSFET220
1997年 6月号MOSトランジスタ
-正常な動作を実証-
NEC日経産業新聞
(1997年4月3日PP.5)
ゲート長0.03μm
Tb級メモリー
電界印加でソースドレイン領域を作成
220
1997年 4月号CMOSイメージセンサ
-130万画素タイプ-
東芝電波新聞
(1997年2月26日PP.1)
日本経済新聞
(1997年2月26日PP.13)
センサ
CMOS
130万画素
CMOS撮像素子
210
1997年 4月号ディジタルビデオカメラ用
LSI
-イメージセンサと画像処理を1チップ化-
松下電器産業豊橋技科大電波新聞
(1997年2月8日PP.1)
日経産業新聞
(1997年2月13日PP.5)
CMOS
128×128画素
イメージセンサ内蔵
DCT
210
520
220
1997年 2月号CMOS向け微細化技術松下電器産業日経産業新聞
(1996年12月24日PP.4)
MOS
FET
微細化
220
160
1997年 2月号電圧0.6Vで動作するロジックLSIシャープ日経産業新聞
(1996年12月12日PP.5)
LSI
MOS
FET
ロジックLSI
MOS型FET
低電圧動作
0.6V
3層構造チャンネル
ゲート膜厚2.8nm
0.6V動作
低漏波電流形状
低電圧
MOSFET
220
1996年12月号14GB光磁気ディスク
-再生実験に成功-
日立製作所マクセル
三洋電機
日経産業新聞
(1996年10月29日PP.9)
日刊工業新聞
(1996年10月29日PP.11)
日本経済新聞
(1996年10月29日PP.11)
MAMMOS
記録層と磁気増幅層
動画5時間
CDサイズに14GB
5.25インチ
MO
14GB
230
1996年10月号半導体の素子分離技術
-回路線幅0.25μmまで対応-
松下電器産業
松下電子
日経産業新聞
(1996年8月28日PP.5)
CMOS
トレンチ法
0.25μm幅
BとPを含むSiO2
260
160
1996年 9月号新動作原理のMOSFET北大
日立製作所
日刊工業新聞
(1996年7月11日PP.6)
MOSFETのゲート部に微小コンタクト追加
ゲート長1.3μm
バイポーラトランジスタ
MOS
バイポーラ
FET
220
1996年 8月号MOS電界効果のトランジスタ
-半導体素子の不純物混入-
松下電器産業日経産業新聞
(1996年6月12日PP.5)
プラズマドーピング220
260
1996年 7月号CMOSで1Gbpsのデータ伝送LSIロジック日経産業新聞
(1996年5月8日PP.1)
CMOS
超高速データ伝送
ASIC用コアロジック
送受信を4線で
イーサネット
ATM対応
シリアルリンク
220
240
540
1996年 4月号光通信の信号処理用IC
-SiCMOSで作製-
NEC日経産業新聞
(1996年2月16日PP.5)
光通信
Si
LSI
CMOS
MUX/DEMUX
3Gbps
220
240
1996年 4月号高集積メモリー
-ISSC開幕,LSI閾値制御競う-
三菱電機
東芝
NEC
NTT
日経産業新聞
(1996年2月9日PP.4)
電波新聞
(1996年2月9日PP.1)
日刊工業新聞
(1996年2月9日PP.6)
日刊工業新聞
(1996年2月9日PP.9)
日刊工業新聞
(1996年2月16日PP.5)
日経産業新聞
(1996年2月19日PP.5)
DRAM
1Gb
シンクロナスDRAM
8bADC
1.5V動作
15MSPS
8mW
3揮発性メモリー
1Mb
変調閾値制御
閾値
CMOS
DCT
ADC
230
220
660
520
1996年 2月号世界初ゲート長0.1μmの非対称NMOSトランジスタ
-世界で初めて開発-
松下電器産業電波新聞
(1995年12月9日PP.1)
ゲート長0.1μm
非対称NMOSトランジスタ
1.5V動作
220
1995年10月号0.15μmのCMOS
-世界最高速-
東芝日刊工業新聞
(1995年8月22日PP.1)
シングルゲート構造
ゲート遅延15.4ps
220
1995年 9月号銅配線のCMOSトランジスタNTT日経産業新聞
(1995年7月19日PP.5)
CMOS
銅配線
160
1995年 8月号0.075μmP型MOS
-短チャンネルの効果抑制-
東芝日刊工業新聞
(1995年6月7日PP.7)
新構造
ゲート長0.075μm
相互コンダクタンス42ms/mm
0.075μmP型MOS
電流高駆動能力
220
520
160
1995年 8月号ギガヘルツ対応0.07μmCMOSNEC電波新聞
(1995年6月6日PP.7)
日刊工業新聞
(1995年6月6日PP.9)
日経産業新聞
(1995年6月6日PP.5)
ゲート長0.07μm
低電源電圧1.5V
3.5nm接合
CMOS
遅延時間19.7ps
DRAM
16Gbps
220
520
160
1995年 5月号Si基板採用の人工網膜チップ
-30倍速で画像検出-
三菱電機日経産業新聞
(1995年3月15日PP.5)
日刊工業新聞
(1995年3月15日PP.9)
電波新聞
(1995年3月15日PP.1)
人工網膜チップ
画素サイズ60μm
撮像素子
画像認識
MOSセンサ
210
220
520
1995年 4月号1GbDRAMNEC電波新聞
(1995年2月14日PP.1)
日経産業新聞
(1995年2月14日PP.9)
日刊工業新聞
(1995年2月14日PP.7)
日本経済新聞
(1995年2月14日PP.1)
日本経済新聞
(1995年2月14日PP.13)
'98年サンプル出荷
1GbDRAM
0.25μmCMOSプロセス
DRAM
1Gb
230
1995年 2月号世界最高速の省電力MOSトランジスタ東芝朝日新聞
(1994年12月9日PP.13)
電波新聞
(1994年12月9日PP.2)
日経産業新聞
(1994年12月9日PP.5)
MOSトランジスタ
膜厚1.5nm
1.5V動作
1〜4GbDRAM
ゲート長0.09μm
省電力
220
1994年12月号低コストバイCMOS製造技術
-製造費15%減-
NEC日経産業新聞
(1994年10月14日PP.5)
エッチング
小型化
160
1994年 4月号MPEG-2対応IC
-1チップでHDTV並み画質を復元-
東芝電波新聞
(1994年2月15日PP.1)
日経産業新聞
(1994年2月15日PP.9)
日刊工業新聞
(1994年2月15日PP.9)
MPEGIC
15mm×15mm
CMOS
MPEG-2復号LSI
0.5μm
70MHz
MPEG-2
HDTV
220
520
320
1994年 2月号世界最小MOSトランジスタ
-ゲート長世界最小実現-
東芝電波新聞
(1993年12月3日PP.1)
日経産業新聞
(1993年12月3日PP.5)
日刊工業新聞
(1993年12月3日PP.7)
日本工業新聞
(1993年12月3日PP.6)
MOSトランジスタ
ゲート長0.4μm
超微細加工技術
世界最小
100GbpsのDRAM
1.5V動作
従来ゲート長0.07μm
固層拡散法
220
260
1993年 7月号次世代バイCMOS日立製作所日経産業新聞
(1993年5月21日PP.5)
低電圧
高速動作
220
1993年 4月号人工知能向け超並列チップ東北大電波新聞
(1993年2月23日PP.8)
日経産業新聞
(1993年2月23日PP.5)
日刊工業新聞
(1993年2月23日PP.9)
LSI
ニューロンMOSトランジスタ
インテリジェントハードウェア
ニューロLSI
超並列処理
集積システム
スパコンの1000倍速度
柔らかいハードウェア
520
220
1993年 3月号スイッチング速度20psの高速CMOS富士通日刊工業新聞
(1993年1月20日PP.5)
ディレイ20ps
CMOSトランジスタ
27ps
ゲート長0.17μm
2ゲート構造
従来は28ps(常温)
走査線2000本
従来プロセス
220
1993年 2月号超微細MOSトランジスタ
-ゲート長0.1μm以下に-
東芝日刊工業新聞
(1992年12月21日PP.8)
超微細加工技術
PMOSトランジスタ
固相拡散ドレイン(SPDD)構造
ゲート長0.08μm
260
220
1992年10月号1μmゲート長のCMOSトランジスタ
-室温動作で28PS-
東芝電波新聞
(1992年8月26日PP.2)
日経産業新聞
(1992年8月26日PP.5)
日刊工業新聞
(1992年8月26日PP.9)
CMOSLSI
CMOSトランジスタ
ゲート長0.1μm
速度2.8ps
CMOSプロセス
トランジスタ
220
1992年 8月号放射光使い0.2μm級のCMOS回路NTT日刊工業新聞
(1992年6月30日PP.6)
加工技術
0.2μmCMOS
遅延時間60ns
160
220
1992年 8月号動作中のMOS圧縮応力で劣化防止日立製作所日刊工業新聞
(1992年6月23日PP.6)
新型デバイスの可能性
ホットキャリヤ劣化10%改善
160
1992年 4月号低電圧動作LSI
-1.0V動作SRAM 1.5V動作BiCMOS-
日立製作所電波新聞
(1992年2月22日PP.6)
LSI
SRAM
BiCMOS
220
1992年 4月号最先端メモリー技術相次ぐ日電
東芝
電波新聞
(1992年2月19日PP.6)
日経産業新聞
(1992年2月19日PP.8)
日刊工業新聞
(1992年2月19日PP.9)
日電:64MDRAM 16MSRAM
東芝:5V動作4MフラッシュEEPROM
3.3V動作
MOSRAM
230
260
1992年 3月号256メガ級に対応可能なCMOS松下電器産業日刊工業新聞
(1992年1月25日PP.1)
CMOS
256MbDRAM
220
1992年 3月号マスク7枚でCMOS製造
-新プロセス確立-
日電日刊工業新聞
(1992年1月17日PP.9)
CMOS
マスク7枚
LPD技術
220
1992年 3月号77Kで高速動作するバイポーラトランジスタ
-超高速BiCMOSに道-
東芝日刊工業新聞
(1992年1月16日PP.5)
160
1992年 2月号ゲート長0.1μmCMOSNTT日経産業新聞
(1991年12月13日PP.5)
製造加工技術
1Gbメモリーへ道
260
1992年 2月号ニューロンMOSトランジスタ
-脳神経細胞と同じ機能-
東北大電波新聞
(1991年12月6日PP.2)
朝日新聞
(1991年12月6日PP.1)
日経産業新聞
(1991年12月6日PP.5)
日刊工業新聞
(1991年12月6日PP.1)
日本工業新聞
(1991年12月6日PP.1)
新素子
新型トランジスタ
従来の10倍
多入力,機能可変
220
520
1991年 6月号次々世代LSI実現へ日電
ATT
電波新聞
(1991年4月23日PP.1)
次々世代LSI
3.5μmCMOSプロセス
220
1991年 5月号3次元IC日電電波新聞
(1991年3月27日PP.1)
電波タイムズ
(1991年3月29日PP.2)
3次元IC
6層構造(世界初)
4Gbメモリーの可能性
2層×3枚残り合わせ
DUALCMOS+CUBIC技術
260
1991年 4月号4MbBi-CMOS型SRAM富士通電波新聞
(1991年2月13日PP.0)
64kHEMTSRAM 1.2ns
4MSRAM 7ns
230
1991年 3月号40万ゲートアレイのCMOSゲートアレイ三菱電機日刊工業新聞
(1991年1月31日PP.0)
日経産業新聞
(1991年1月31日PP.0)
125psの遅延時間
6μW/gate
220
1991年 2月号BiCMOSの低温動作日電日刊工業新聞
(1990年12月21日PP.0)
BiCMOS
83K(-190℃)の低温動作
電流利得124
遅延時間200ps
220
1991年 1月号TRON仕様の32bMPU沖電気電波新聞
(1990年11月9日PP.0)
0.8μ
CMOSプロセス14.75×14.75mm2
70万個TRS
208pinPGA
320
1990年10月号BiCMOS使う新回路日電日刊工業新聞
(1990年8月16日PP.0)
0.6μmプロセス
15万ゲート
164m
180ps/負荷
350ps/負荷
220
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