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| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
| 2017年 8月号 | 3次元MRAM 積層プロセス開発 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2017年5月17日PP.29) | CMOS形成ウェハとTMR薄膜ウェハを別々に形成後圧着 | 230 260 |
| 2016年12月号 | TMR素子開発 室温で抵抗変化率92% | 産総研 | 日刊工業新聞 (2016年9月19日PP.14) | 世界最高性能の半導体系のトンネル磁気抵抗(TMR)素子 磁気抵抗素子(TMR) 超省電力 抵抗変化率92% | 220 230 |
| 2016年11月号 | MRAM素子 薄膜で構成 | 東北大など | 日刊工業新聞 (2016年8月18日PP.1) | 磁気トンネル接合素子の出力を従来比約2倍の200mV メモリー MRAM タングステン | 230 |
| 2016年 6月号 | 記憶速く電流1/5 http://www.tohoku.ac.jp/japanese/2016/03/press20160317-01.html | 東北大 | 日本経済新聞 (2016年3月30日PP.8) | 高速動作 低消費電力 半導体メモリー MRAM | 230 |
| 2016年 5月号 | 世界最高の電力性能 磁性体メモリー回路開発 消費電力10分の1 http://www.toshiba.co.jp/rdc/detail/1602_02.htm | 東芝 東大 | 日刊工業新聞 (2016年2月2日PP.25) 電波新聞 (2016年2月4日PP.3) | STT-MRAM 消費電力 電力性能 ノーマリーオフ 磁性体メモリー 不揮発性メモリー | 230 |
| 2016年 4月号 | がん早期発見 1センチの壁崩す | GEヘルスケア シーメンス | 日経産業新聞 (2016年1月19日PP.1) | PET | MRI 360 |
| 2016年 4月号 | 強力磁石 MRIの10倍 | 理化学研究所 | 日経産業新聞 (2016年1月20日PP.8) | 磁石 MRI 超電導 | 120 |
| 2016年 3月号 | 「電圧方式」安定動作 MRAM書き込みエラー率実用水準へ http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2015/pr20151210/pr20151210.html | 産総研 | 日刊工業新聞 (2015年12月11日PP.31) | 不揮発性メモリー(MRAM) 電圧書き込み方式 低消費電力 書き込みエラー率 | 230 |
| 2016年 3月号 | 運動反復 脳働く場所変化 | 東大 | 日経産業新聞 (2015年12月17日PP.8) | MRI 運動記憶 | 520 |
| 2016年 3月号 | 思い込みを解読 | 京大 ATR | 日経産業新聞 (2015年12月18日PP.8) | 脳活動 fMRI | 520 |
| 2016年 3月号 | 多数の磁気情報収納 キラル磁石 ひねりの数制御 http://www.osakafu-u.ac.jp/info/publicity/release/2015/pr20151217.html | 大阪府立大など | 日刊工業新聞 (2015年12月18日PP.33) | 対掌性を持つらせん状の結晶構造の磁石 キラリティー 一つの磁石に多数の磁気情報を埋め込むことに成功 磁気メモリ 磁気センサ | 120 230 |
| 2016年 1月号 | 微小磁力で情報書き込み http://www.issp.u-tokyo.ac.jp/issp_wms/DATA/OPTION/relese20151029.pdf | 東大 | 日経産業新聞 (2015年10月29日PP.8) | 半導体メモリーの消費電力の大幅低下につながる新しい磁性現象 MRAM 消費電力1/1000 処理速度1000倍 反強磁性材料 ホール効果 | 120 230 |
| 2015年 2月号 | アモルファス合金のナノワイヤによる磁気センサ | 東北大 | 日刊工業新聞 (2014年11月25日PP.15) | コバルトと鉄を50対50，直径100nm～3000nm，応答速度従来比1000倍以上 | 210 |
| 2014年10月号 | 電子の結晶化観測 | NTT JST | 日刊工業新聞 (2014年7月21日PP.17) | ウィグナー結晶 NMRを使用し 半導体テヘロ構造に低温かつ強磁場で電子が結晶化する様子「ウィグナー結晶」を世界初観測 | 120 220 |
| 2013年12月号 | 高速物体の振動を測定し遠隔地で再現できるシステム | 東大 | 日刊工業新聞 (2013年9月6日PP.21) | 臨場感の高いエンタテインメントなどへの応用が可能 家MR後レーザ連動 臨場感忠実に | |
| 2013年 9月号 | 多値構造セルでMROM高速化 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2013年6月13日PP.21) | 1セル当たり2ビットの多値構造 40nm世代CMOSプロセスで試作 | 230 |
| 2013年 4月号 | 心臓・横隔膜の位置をMRI画像から自動検出 | 東芝 杏林大 東芝メディカルシステム | 日刊工業新聞 (2013年1月31日PP.33) | 平均的な体格のモデル画像を重ね合わせる位置合わせ技術 | 660 520 |
| 2013年 3月号 | 低消費電力のSTT-MRAM | 東芝 | 日刊工業新聞 (2012年12月11日PP.25) | 不揮発性磁性体メモリ 垂直磁化方式 30nmプロセス 待機電力を従来比1/10に低減 | 230 |
| 2012年 7月号 | 動作寿命10年間のMRAM | 超低電圧デバイス技術研究組合 | 日刊工業新聞 (2012年4月17日PP.20) | MTJ素子のトンネル絶縁膜層を分割して作成 0.5V以下の低い電圧で10年間安定動作 MRAM混載LSI 低消費電力 次世代の不揮発性磁気メモリー | 230 |
| 2012年 4月号 | 準粒子の存在を表す電子状態解明 | NTT JST | 日刊工業新聞 (2012年1月27日PP.27) | 非アーベリアン準粒子 トポロジカル量子計算への応用 NMR法により電子スピン状態を測定 | 120 |
| 2012年 3月号 | MRI並み強磁力の小型磁石 | 日立 | 日経産業新聞 (2011年12月15日PP.11) | 3.1T 35×115×60mm 23W 高温超電導 再生医療に向け ガドリニウム・バリウム・銅酸化物 | 320 |
| 2012年 1月号 | 相変化メモリーが常温で巨大磁気抵抗効果 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2011年10月17日PP.19) | Ge-Te合金とSb-Te合金の薄膜を配向軸をそろえて積層 超格子型相変化膜 室温から約150℃で200%超の磁気抵抗効果 MRAM | 120 230 |
| 2011年 9月号 | 心疾患診断 当日に結果 | 心臓画像クリニック飯田橋 | 日経産業新聞 (2011年6月10日PP.10) | 画像診断 CT MRI 数十分で再構成 | 520 620 |
| 2011年 9月号 | MRAMにかかる歪みを制御し性能向上 | 超低電圧デバイス技術研究組合 | 日刊工業新聞 (2011年6月15日PP.19) | ビラリ効果 低消費電力 | 230 120 |
| 2011年 4月号 | 高温超電導を利用した安価な微弱磁気センサ | 国際超電導産業技術研究センター(ISTEC) | 日経産業新聞 (2011年1月28日PP.10) | 超電導量子干渉素子(SQUID)センサ 77Kの液体窒素で冷却 10fTを検出可能 | 210 120 |
| 2011年 1月号 | 脳活動を計測し指の動きを高精度に再構成 | 情通機構 ATR | 日刊工業新聞 (2010年10月21日PP.18) 日経産業新聞 (2010年10月21日PP.11) | 機能的磁気共鳴断層撮影装置(fMRI) 指先の動きを20ms間隔でコンピュータ上に表せる 活発に働いている脳の位置情報を取得 ブレインマシンインタフェース(BMI) MEG(脳磁図) | 210 620 660 |
| 2010年10月号 | 大容量で不揮発性を兼ね備えたTMR素子 | 東北大 日立 | 日刊工業新聞 (2010年7月12日PP.1) | 素子寸法40nm 電源供給なしで10年保持 350℃の熱処理耐性 磁化方向を垂直 8Gb Co-Fe-B | 230 |
| 2010年 8月号 | スピンRAMの5Gb超の大容量化技術 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2010年5月14日PP.18) 日経産業新聞 (2010年5月14日PP.10) | トンネル磁気抵抗素子(TMR素子) MgO層の厚さを約1nmに 高いスピン分極 磁気抵抗比85% 素子抵抗値約4Ωμm2 | 230 |
| 2009年11月号 | 記録密度3倍の次世代HDD用ヘッド | セイコーインスツル データストレージインスティチュート | 日経産業新聞 (2009年8月3日PP.1) | 磁気ヘッドとディスクの間隔を従来の1/3程度の7nmで維持 熱アシスト磁気記録 1Tbpi 光ファイバ磁気ヘッド | 230 |
| 2009年 9月号 | 垂直磁化MRAMを開発
-500MHzの高速動作実現- | NEC NECエレクトロニクス | 日刊工業新聞 (2009年6月16日PP.25) | 500MHz動作 従来の2倍 スピントルク磁壁移動方式 電流書込み方式 | 230 |
| 2009年 9月号 | 10年以上作動する32MbMRAM | 日立 東北大 | 日経産業新聞 (2009年6月26日PP.11) | スピン注入RAM 酸化マグネシウムの膜をコバルト鉄ボロンで挟んだ素子構造 磁気の向きを電流で制御 | 230 |
| 2009年 4月号 | 絶対零度の量子相転移を解明 | 原子力機構 | 日刊工業新聞 (2009年1月22日PP.26) | 磁気ゆらぎ ウラン化合物 核磁気共鳴(NMR)法 磁気分極モデルに合致 | 120 |
| 2009年 4月号 | フラーレン-コバルト薄膜のTMR効果の機構解明 | 原子力機構 自然科学研究機構 東北大 東大 | 日刊工業新聞 (2009年1月23日PP.22) | 巨大トンネル磁気抵抗 スピン偏極 X線磁気円偏光2色性分光 局在スピン | 120 |
| 2009年 3月号 | 脳活動から視覚を画像化 | ATR | 日経産業新聞 (2008年12月11日PP.11) 朝日新聞 (2008年12月11日PP.38) | デジタル画像の圧縮技術を応用し解析 第1次視覚野 血流の変化から神経活動を読取る 機能的磁気共鳴断層撮影装置(fMRI) | 520 620 660 |
| 2009年 2月号 | 書換え電流抑え微細化したMRAM技術 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2008年11月12日PP.1) | スピン注入磁化反転方式 書換え電流従来比1/3程度 磁気トンネル接合素子(MTJ) | 220 230 |
| 2009年 1月号 | 結晶内のばらつきが半分のHDD磁気ヘッド | 東北大 富士通 | 日経産業新聞 (2008年10月15日PP.11) | 記憶密度従来の約3倍 1Tbpiまで可能 絶縁層の材料として酸化マグネシウムを積層 欠陥が半分以下 | 160 230 |
| 2008年12月号 | 10fm微細振動検出に成功 | NTT 蘭デルフト工科大 | 日経産業新聞 (2008年9月1日PP.9) 日刊工業新聞 (2008年9月1日PP.15) | 超電導量子干渉素子(SQUID) 長さ50μm 幅4μm 厚さ0.5μmの板バネ 量子現象の観察可能 超高感度の磁気センサ | 210 320 660 |
| 2008年 3月号 | ギガビット級のMRAM | 日立 東北大 | 日経産業新聞 (2007年12月20日PP.1) | 記録層を2層に増やす スピン注入方式 積層フェリ構造 コバルト鉄ボロン ルテニウム 回路線幅45nm 小型メモリー素子 長期間保持 | 230 |
| 2008年 1月号 | MRAM電流制御技術 | 高エネ機構 東大 | 日刊工業新聞 (2007年10月29日PP.21) | SrTiO3基板にμm寸法の(La Sr)MnO3の薄膜をパターン加工 Spring-8 ステップ方向に磁場をかけると単磁区構造になる | 120 160 230 |
| 2007年10月号 | 新磁気ヘッド -2.5インチHDD1TBに大容量化- | TDK | 日経産業新聞 (2007年7月24日PP.1) | 3.5インチHDDで2テラバイト ディスクリート・トラック・メディア(DTM) | 230 |
| 2007年 8月号 | HDの容量を10倍にする磁気ヘッド向け要素技術 | 東芝 東北大 | 日経産業新聞 (2007年5月21日PP.8) | 高い磁気抵抗比 低い素子抵抗 ナノコンタクト MgOの基板上にNi-Feの電極 電極の数十nmの隙間をNi-Feでつなぐ 最も細い部分1nm幅 磁気抵抗比室温で140% | 120 230 |
| 2007年 3月号 | MRAM大容量化に道を開く磁性体加工の新技術 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2006年12月5日PP.1) | パルス変調プラズマ方式 磁性体膜の揮発性の大幅向上 磁性特性の劣化改善 磁気トンネル接合素子 | 160 |
| 2007年 1月号 | HDD磁気ヘッド用積層型光素子 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2006年10月19日PP.25) | 熱アシスト磁気記録方式 波長の15%に相当する88nm×60nmの光ビーム径 Si材料を用いて光の透過層を積層 波長400nmの光で17%の光利用効率 | 120 230 |
| 2006年11月号 | 磁気ヘッド用素子 -次世代HDDに道- | 英日立ケンブリッジ研 英国立物理学研 英ケンブリッジ大 | 日経産業新聞 (2006年8月10日PP.7) | 記憶容量が数Tbを超えるHDDにつながる高性能素子 | 230 120 |
| 2006年 9月号 | 次世代メモリー「MRAM」 -電流値1/10に微細化可能- | ソニー | 日本経済新聞 (2006年6月2日PP.15) | 磁性記録式随時書込み読出しメモリーの高集積化技術 電流の方向による書込み方式 試作4kbit | 230 |
| 2006年 5月号 | 最速最大容量のMRAM | 東芝 NEC | 日経産業新聞 (2006年2月8日PP.11) | 記憶容量16Mb データ読み書き速度200MBps 電気抵抗約38%抑制 電源電圧1.8V | 230 |
| 2006年 4月号 | 腹腔鏡と超音波の画像重ね合せて表示 | 阪大 九大 | 日経産業新聞 (2006年1月11日PP.9) | 超音波立体画像 磁気センサーを腹腔鏡と超音波プローブの先端に取り付け 赤外線センサー 重ね合わせ精度約2mm | 210 320 520 620 |
| 2006年 4月号 | 呼吸で動く臓器3次元画像表示 | 東大 滋賀医大 GE横河メディカルシステム | 日経産業新聞 (2006年1月17日PP.10) | MRI 手術中の患者の呼吸に合わせ最適画像を3次元提示 呼吸は磁場で心臓の動きは心電図などで観察 手術中は2次元MRIと3次元画像を同時に表示 | 450 520 620 |
| 2006年 2月号 | 磁気抵抗比55%のMRAM -パーマロイ系材料を使用- | 東芝 NEC | 日刊工業新聞 (2005年11月2日PP.26) | 磁気トンネル接合(MTJ)の磁気固定層にAl2O3のトンネル絶縁層を介してNiFeのパーマロイ系フリー層を積層 新キャップ層として非磁気層のNiFeZr 512KbMRAM試作 | 160 230 120 |
| 2006年 1月号 | 化学反応によるMRAMエッチング技術 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2005年10月19日PP.1) | 時間変調(TM)プラズマ 高周波電界の供給を数十μs間隔でパルス的に行う 負イオン 生成物の離脱・蒸着 MRAM0.15μm世代 | 160 230 |
| 2005年12月号 | 電気を使わない小型液体レンズ | シンガポール素材工学研(IMRE) | 日経産業新聞 (2005年9月5日PP.2) | 直径10μm～10mm 1.5cm角以下にパッケージ 焦点距離3mm～∞ 10倍ズーム 液体への圧力レンズの形状を変化 | 310 260 |
| 2005年11月号 | 視覚のコントラスト順応メカニズム解明 | 理研 | 日刊工業新聞 (2005年8月18日PP.22) | 機能的磁気共鳴断層撮影装置(fMRI) S字型特性 コントラスト刺激に応じて応答関数が平行移動 V4野のみU字型曲線 | 120 620 660 |
| 2005年 9月号 | MRAM新型セル -2つのトンネル接合直列に- | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2005年6月17日PP.25) | 磁気トンネル接合(MTJ) 高信頼性 歩留まり向上 読出しに電圧センス方式 | 230 |
| 2005年 8月号 | ディスク状ナノ磁石 -磁化回転を初制御- | 東大 | 日刊工業新聞 (2005年5月11日PP.23) | MRAMの高密度化に道 放射光を用いた小型光電子顕微鏡(PEEM)を開発し観測ディスク構造の下側に微少なタグ | 120 |
| 2005年 8月号 | 高密度HDD用ヘッドを開発 | TDK | 日経産業新聞 (2005年5月12日PP.6) | 再生用ヘッドにTMR素子 垂直磁気記録 150Gbit/inch2 単磁極構造 | 230 |
| 2005年 7月号 | 次世代磁気メモリー -消費電力同じで1万倍高速- | 東北大 日立 | 電波新聞 (2005年4月5日PP.1) 日刊工業新聞 (2005年4月5日PP.23) | MgOの絶縁膜をBを含むCoFe膜2枚で挟む 室温で磁気抵抗比287% 1Gb級MRAMに道 スパッタ法 TMR素子 | 120 230 |
| 2005年 7月号 | 新固体量子計算機 -半導体で核スピンを精密制御- | NTT JST | 日刊工業新聞 (2005年4月21日PP.28) | NMR 多値核スピン 上端に高周波用アンテナゲート 中心部にGaAs/AlGaAs系量子井戸構造 4スピン準位を反映したコヒーレント振動 | 120 420 |
| 2005年 7月号 | 人の注意 画像で把握 | ATR 米プリンストン大 | 日経産業新聞 (2005年4月25日PP.9) | 脳の画像から把握 機能的磁気共鳴画像装置(fMRI) | 520 620 660 |
| 2005年 2月号 | 容量4倍のMRAM | 産総研 科技機構 | 日経産業新聞 (2004年11月2日PP.9) | TMRの素子出力電圧550mV 4層構造 | 230 |
| 2004年12月号 | ギガビット級MRAM量産技術 | アネルバ 産総研 | 日経産業新聞 (2004年9月8日PP.10) | スパッタ成膜法 Si基板上 | 230 160 |
| 2004年11月号 | 単分子膜を用いた微細位置決め技術 -ナノギャップを安価に加工- | 分子科研 米ペンシルバニア州立大 | 日刊工業新聞 (2004年8月11日PP.17) | 自己組織化単分子膜(SAM) 位置選択性分子定規(PS-MR) 低速電子線 16-メルカプト・ヘキサデカノイック酸(MHDA)と二化Cuイオンの層 数nm加工 | 120 160 |
| 2004年 9月号 | 永久磁石式で磁界5.5T実現 | NEOMAX | 日刊工業新聞 (2004年6月10日PP.1) | 磁気回路 NMR装置 パーメンジュール 57cm角高さ49cm ネオジム系磁石 | 250 260 |
| 2004年 8月号 | 磁気不揮発メモリー素子 -従来の1/100の電流で動作- | 東北大 | 日刊工業新聞 (2004年5月10日PP.21) 日経産業新聞 (2004年5月10日PP.7) | スピン素子 MRAM RuとCo90Fe10合金の二層構造 必要電流2×106A/㎝2 | 230 160 |
| 2004年 7月号 | スピンメモリー -電流のみで磁化反転- | 東北大 | 日経産業新聞 (2004年4月1日PP.9) 日刊工業新聞 (2004年4月1日PP.29) | 強磁性半導体 MRAM 従来より2～3桁少ない電流 Ga・AsにMn添加 -193℃ | 120 230 |
| 2004年 6月号 | 単結晶トンネル磁気抵抗素子(TMR) -記憶容量10倍- | 産総研 JST | 日経産業新聞 (2004年3月3日PP.8) 日刊工業新聞 (2004年3月3日PP.25) | MRAM 室温で磁気抵抗88% 出力電圧380mV MgO | 230 |
| 2004年 6月号 | スピンエレクトロニクスメモリー素子 | 東北大 | 日経産業新聞 (2004年3月22日PP.9) | TiO2にCo添加 MRAM | 230 |
| 2004年 4月号 | NMR用新超電導体高周波アンテナ | 日立 愛媛大 東京理科大 鹿児島大 島根大 茨城大 九大 | 日刊工業新聞 (2004年1月21日PP.1) | MgB2(下付) 巻き線型のソレノイドコイル 従来の10倍以上の共振特性 600MHz帯域 | 120 210 340 |
| 2004年 2月号 | 強誘電体の分極を磁場制御 | 東大 ロスアラモス研 筑波大 | 日刊工業新聞 (2003年11月12日PP.29) | 巨大電機磁気効果(巨大ME効果) MRAM MnOTb単結晶 30K | 120 |
| 2007年 3月号 | MRAM大容量化に道を開く磁性体加工の新技術 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2006年12月5日PP.1) | パルス変調プラズマ方式 磁性体膜の揮発性の大幅向上 磁性特性の劣化改善 磁気トンネル接合素子 | 160 |
| 2007年 1月号 | HDD磁気ヘッド用積層型光素子 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2006年10月19日PP.25) | 熱アシスト磁気記録方式 波長の15%に相当する88nm×60nmの光ビーム径 Si材料を用いて光の透過層を積層 波長400nmの光で17%の光利用効率 | 120 230 |
| 2006年11月号 | 磁気ヘッド用素子 -次世代HDDに道- | 英日立ケンブリッジ研 英国立物理学研 英ケンブリッジ大 | 日経産業新聞 (2006年8月10日PP.7) | 記憶容量が数Tbを超えるHDDにつながる高性能素子 | 230 120 |
| 2006年 9月号 | 次世代メモリー「MRAM」 -電流値1/10に微細化可能- | ソニー | 日本経済新聞 (2006年6月2日PP.15) | 磁性記録式随時書込み読出しメモリーの高集積化技術 電流の方向による書込み方式 試作4kbit | 230 |
| 2006年 5月号 | 最速最大容量のMRAM | 東芝 NEC | 日経産業新聞 (2006年2月8日PP.11) | 記憶容量16Mb データ読み書き速度200MBps 電気抵抗約38%抑制 電源電圧1.8V | 230 |
| 2006年 4月号 | 腹腔鏡と超音波の画像重ね合せて表示 | 阪大 九大 | 日経産業新聞 (2006年1月11日PP.9) | 超音波立体画像 磁気センサーを腹腔鏡と超音波プローブの先端に取り付け 赤外線センサー 重ね合わせ精度約2mm | 210 320 520 620 |
| 2006年 4月号 | 呼吸で動く臓器3次元画像表示 | 東大 滋賀医大 GE横河メディカルシステム | 日経産業新聞 (2006年1月17日PP.10) | MRI 手術中の患者の呼吸に合わせ最適画像を3次元提示 呼吸は磁場で心臓の動きは心電図などで観察 手術中は2次元MRIと3次元画像を同時に表示 | 450 520 620 |
| 2003年 6月号 | 低消費電力メモリー -情報読出し正確に- | NEC | 日本経済新聞 (2003年3月7日PP.17) | MRAM 記録速度20-100Mbps 記憶容量512kb | 230 |
| 2003年 4月号 | 超電導材料中の「磁束量子」新制御法 | 理化学研 | 日本経済新聞 (2003年1月6日PP.23) | 磁力線制御 高感度磁気センサ 超高速素子 理論考案 | 110 120 210 |
| 2003年 2月号 | ｢知っているけど思い出せない…｣大脳前方が活発な働き | 東大 | 日本経済新聞 (2002年11月4日PP.15) | メタ記憶 機能的磁気共鳴画像(fMRI)で測定 脳前方下部 | 630 640 |
| 2002年10月号 | ギガビットMRAMに道 -形状に依存せずに微細化 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2002年7月22日PP.1) | 低磁界スピン反転法 サンドイッチ構造 人工の反強磁性層 | 230 |
| 2002年 9月号 | 新観察技術 -磁気ヘッドの記録磁界分布をnmスケールで可視化- | 日立 | 電波新聞 (2002年6月25日PP.2) | ヘッド表面から30nm領域の記録磁界を可視化 透過型電子顕微鏡 | 660 230 360 |
| 2002年 8月号 | 携帯電話に地磁気センサ -徒歩ナビ可能に- | KDDI 松下通信工業 | 日経産業新聞 (2002年5月10日PP.8) | GPSケータイ フラックスゲート型センサ Miセンサ MRセンサ エーピーワンシステム | 340 210 |
| 2002年 8月号 | 磁気ヘッド用耐熱材料 | 松下電器 | 日本経済新聞 (2002年5月10日PP.17) | 耐熱温度400℃ NiCoFeの混合薄膜 2nm厚のPtをはさむ | 210 |
| 2002年 8月号 | スピンバルブトランジスタ-室温動作に成功- | 東芝 | 日刊工業新聞 (2002年5月16日PP.1) | 室温でMR比200% 磁気ヘッド SVT(スピンバルブトランジスタ) | 230 |
| 2002年 7月号 | リング状磁性体素子 - 100ギガMRAM可能に ポストDRAMとして有力 - (NO30と合わせる) | 阪大 | 日本経済新聞 (2002年4月8日PP.25) | リング状磁性体 直径0.5μm | 130 230 |
| 2002年 7月号 | 単電子スピンバルブ | 米ベル研 NEC北米研 カナダシモン・フレーザー大学 | 日刊工業新聞 (2002年4月19日PP.5) | 自己組織単分子膜室温で30%以上のGMR | 120 210 230 |
| 2002年 7月号 | 次世代メモリーMRAM -1Gb以上に- | 産総研 | 日本経済新聞 (2002年4月26日PP.17) 日刊工業新聞 (2002年4月26日PP.5) | 抵抗値変化幅従来の3倍 厚さ1nmのFe単結晶薄膜 TMR素子をシリコンLSI上に作製 | 210 230 |
| 2002年 6月号 | MRI造影剤-投与量1/10に- | 日本シューリング 名大 | 日本経済新聞 (2002年3月8日PP.17) | フラーレン C82 金属ガドリウム | 120 360 |
| 2002年 6月号 | CT・MRI画像その場で立体化 | アシストコンピュータシステムズ | 日刊工業新聞 (2002年3月26日PP.1) | アイ・ビューア(I-Viewer) CT MRI DICOM | 420 430 |
| 2002年 6月号 | 二重にTMRを用いたMRAM | 東芝 | 日刊工業新聞 (2002年3月29日PP.6) | 抵抗変化率の落込みを半減 高出力化 信号出力電圧200mV | 230 |
| 2002年 3月号 | MRAM -ギガ級可能に- | NEC | 日経産業新聞 (2001年12月4日PP.1) | 縦0.1μm横0.6μmの基本構造 消費電力DRAMの1/10 | 230 |
| 2001年11月号 | 記録密度25倍ハードディスク -HDに高密度記録- | 富士通研 東芝 | 日経産業新聞 (2001年8月21日PP.6) 日本経済新聞 (2001年8月31日) | 100Gb/inch2磁気記録 記憶層の結合力強化 ハードディスク 記録密度 200～500Gb/inch2 磁気ヘッド FeCo合金巨大磁気抵抗効果 0.1mm精度で積層磁気ヘッド製造技術 | 230 |
| 2001年 3月号 | 8ミリビデオ用磁気テープ記録技術 -1巻に1TBのデータ- | ソニー | 日本工業新聞 (2001年1月22日PP.7) | GMR 新蒸着テープ 6.5GB/in2 トラック幅1.8μm | 130 330 |
| 2001年 2月号 | MRAM向け成膜装置 | アネルバ | 日経産業新聞 (2000年12月4日PP.9) | 直径8inウェハ 1nm以下の磁性膜 真空技術 | 230 160 |
| 2000年 9月号 | 装置形ディスプレイ | MRシステム研 | 日経産業新聞 (2000年7月17日PP.1) | 風景とCGを合成するメガネ形表示装置 | 350 |
| 2000年 7月号 | 脳機能計測の新技術 | 日立 日立メディコ ナックイメージテクノロジ 特殊教育総合研 | 日本経済新聞 (2000年5月27日PP.13) | MRI 速度5倍 画質4倍 | 360 |
| 2000年 7月号 | 立体画像で脳の遠隔診断 | 郵政省 ケー・ジー・ティー 東邦大 | 日経産業新聞 (2000年5月1日PP.4) | MRI ネット会議システム | 440 620 |
| 2000年 6月号 | 垂直磁気記録技術 -面内を超える高密度- | 日立 超先端電子技術開発機構(ASET) | 日経産業新聞 (2000年4月6日PP.5) 日刊工業新聞 (2000年4月6日PP.6) | GMRヘッド 単磁極形薄膜ヘッド 垂直磁気記録 52.5Gb/in2 2層膜垂直媒体 | 230 130 |
| 2000年 5月号 | ヘリカルスキャン用MRヘッド -MR素子を磁気テープ装置用再生ヘッドに採用- | アルプス電気 | 電波新聞 (2000年3月15日PP.6) | MR素子 磁気テープ装置 再生ヘッド ヘリカルスキャン 1Gb/in2 MRヘッド | 230 210 |
| 2000年 5月号 | 手袋形認識装置 -手話を翻訳するシステム- | 日立 | 日経産業新聞 (2000年3月14日PP.5) 日刊工業新聞 (2000年3月22日PP.7) 電波タイムズ (2000年3月28日PP.2) | 手話認識 手袋形の認識装置 日本語翻訳 磁気センサ 1/30秒 | 520 620 |
| 2000年 3月号 | 次世代HDD用トンネルMRヘッド | NEC | 日本工業新聞 (2000年1月28日PP.25) | HDD 再生ヘッド TMRヘッド 40～50Gb/in2 INO法 | 230 210 |
| 2000年 3月号 | 次世代形HDDヘッド | TDK | 日本経済新聞 (2000年1月4日PP.7) | HDD 再生ヘッド TMRヘッド 50Gb/in2 | 230 210 |
| 1999年12月号 | 次世代HDD用スピントンネル素子 | NEC | 日本工業新聞 (1999年10月14日PP.15) | スピントンネル素子 トンネル効果 スピン効果 MR比30% 40Gb/in2 | 210 230 |
| 1999年11月号 | 酸化物基板上で単結晶成長 | 東大 | 日刊工業新聞 (1999年9月24日PP.5) | In As Ga As In Sb 軟磁性体 ホール素子 エピタキシャル成長 酸化物フェライト基板 化合物半導体単結晶成長 基板表面平坦化 メカケミカル研磨 超高感度磁気センサ | 110 160 |
| 1999年 7月号 | HDD用磁気記録ヘッド -書込み磁界2倍- | NEC | 日刊工業新聞 (1999年5月18日PP.6) | HDD用磁気ヘッド 書込み磁界2.1テスラ CoNiFeメッキ 7000Oe対応 磁気ヘッド | 120 220 230 |
| 1999年 5月号 | 超小形GMRヘッド | ヤマハ | 日経産業新聞 (1999年3月23日PP.1) | 超小形GMR HDD | 210 |
| 1999年 3月号 | マイクロマシン技術による磁気ヘッド制御システム | 情報ストレージ研究推進機構(SRC) | 日本工業新聞 (1999年1月14日PP.18) | 静電マイクロアクチュエータ 情報記録装置 トラッキング制御 20Gb/in2 | 260 230 |
| 1998年12月号 | 室温で巨大トンネル磁気抵抗効果を示す新材料 | アトムテクノロジー研究体 (JRCAT) | 日経産業新聞 (1998年10月15日PP.5) 日刊工業新聞 (1998年10月15日PP.5) | セラミックス 巨大トンネル磁気抵抗効果(TMR) コロッサル磁気抵抗(CMR) ストロンチウム 鉄 モリブデン 二重ペロブスカイト構造 トンネル伝導 高密度記録ヘッド | 120 130 |
| 1998年12月号 | 磁気ヘッド用薄膜材料 -記録密度1.5倍に- | 日本ビクター | 日経産業新聞 (1998年10月7日PP.1) | ハイテスラ 1GB HDD VTR 記録用磁気ヘッド 薄膜ヘッド 窒化鉄 | 230 |
| 1998年12月号 | HDD用GMRヘッドで新技術 -20Gb以上の磁気記録読取り- | アルプス電気 | 日本工業新聞 (1998年10月6日PP.4) | HDD GMR スピンバルブ膜 | 230 |
| 1998年11月号 | DRAMを越える新メモリー-MRAM- | 東芝 | 日本経済新聞 (1998年9月19日PP.11) | 固体磁気メモリー MRAM 大容量 高速読出し アルミナ絶縁層 PtCo合金 強磁性二重トンネル接合 フォトリソグラフィ 読出し速度6ns 不揮発性メモリー | 230 |
| 1998年10月号 | HDD記録密度10倍のヘッド膜 | 富士通研 | 日本工業新聞 (1998年8月18日PP.1) | HDD 記録密度40Gb/in2 読取りヘッド GMR パラジウム 白金 マンガン 反強磁性層 | 230 |
| 1998年 7月号 | テープストレージ「スーパーDLT」ドライブ | 米クアンタム | 電波新聞 (1998年5月20日PP.3) | ピボタル光学サーボ テープストレージ MRクラスタヘッド 100～500GB 転送速度10～40MB/s | 330 |
| 1998年 7月号 | 磁気抵抗センサ -人工格子を利用- | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1998年5月14日PP.5) | 磁気センサ 高感度 | 160 210 |
| 1998年 5月号 | 超電導薄膜材料 -絶対温度100°で使用可能- | 超電導工学研 | 日経産業新聞 (1998年3月27日PP.5) | 水銀を含む銅酸化化合超電導薄膜 磁気センサ 100K動作 1.5MA/cm2 | 120 210 |
| 1998年 3月号 | 巨大磁気抵抗効果 -最大で40倍に変化- | アトムテクノロジー研究体 (JRCAT) | 日経産業新聞 (1998年1月26日PP.5) | 巨大磁気効果 磁気抵抗 マンガン酸化物 ランタンストロンチウム酸化物 0.2nmで交互に積層 4.2K 4000気圧で 40倍/0.3T GMRヘッド用材料 | 120 |
| 1998年 2月号 | HDD向け薄膜技術 | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1997年12月25日PP.1) | GMRヘッド GMRヘッド用材料 3.5インチディスクに40GB | 230 130 210 |
| 1997年 9月号 | メガネ使わず3D映像 -液晶パネルで実現- | MR研 | 日刊工業新聞 (1997年7月9日PP.1) | 新方式3Dディスプレイ 直視型 リアレンチ方式 液晶パネル | 450 250 |
| 1997年 3月号 | 高密度ハードディスク -記録密度5Gb/inch2- | 米IBM | 日経産業新聞 (1997年1月9日PP.9) 電波新聞 (1997年1月10日PP.3) | 高性能MRヘッド 誤り率10-9 記録密度5Gb/inch2 | 230 330 |
| 1996年11月号 | 超高密度記録可能な磁気ヘッド走行方式 -記録密度20倍に- | NEC | 日経産業新聞 (1996年9月11日PP.5) 電波新聞 (1996年9月11日PP.1) 日本経済新聞 (1996年9月11日PP.13) | 密着型 イコライザ 20Gbps以上/cm2 コンタクト記録 CD-ROM | 230 330 |
| 1996年 3月号 | 磁気ヘッド用新材料 | NEC | 日経産業新聞 (1996年1月5日PP.4) | 磁気で電気抵抗1/10 TaMnの酸化物 GMR | 210 230 |
| 1996年 3月号 | MRヘッドの新素子 | NEC | 日本経済新聞 (1996年1月22日PP.15) | スピンバルブ素子 3.5インチMDに10GB MRヘッド | 210 230 |
| 1996年 2月号 | MRヘッド共通仕様 | TDK 富士通 | 日経産業新聞 (1995年12月20日PP.1) | MRヘッド HDD | 210 230 |
| 1996年 1月号 | HDDを大容量化する第3世代MRヘッド | TDK | 日刊工業新聞 (1995年11月17日PP.9) | MRヘッド 記録密度1.6Gb以上/inch2 | 230 210 |
| 1995年11月号 | 高性能磁気ヘッド -ハードディスクの記録密度6倍に- | 日立製作所 | 日本経済新聞 (1995年9月2日PP.12) | GMRヘッド 3.5インチで5GB | 230 |
| 1995年 9月号 | 残像を見ている時の脳を計測 | 日立製作所 東大 東京警察病院 | 日本経済新聞 (1995年7月22日PP.10) | 心理現象 MRI 残像 脳 | 660 |
| 1995年 4月号 | 超小型の高性能磁気センサ -検出速度5000倍に- | 名大 | 日経産業新聞 (1995年2月3日PP.5) | 磁気センサ アモルファス 磁気ディスク 磁気インピーダンス(MI)果 30φμm 1mm | 210 |
| 1995年 3月号 | 長さ3mm，温度変化に強い高性能磁気センサ | 中央大 | 日経産業新聞 (1995年1月10日PP.5) | 磁気センサ 感度0.5ガウス | 210 |
| 1994年12月号 | 光磁気ヘッド -体積1/20へ- | NEC | 日経産業新聞 (1994年10月21日PP.5) | 光磁気ディスク 偏光性格子 | 230 |
| 1994年 2月号 | 高感度MRI -脳機能を画像化- | 新技術事業団 | 日経産業新聞 (1993年12月20日PP.5) | ME 脳機能 | 360 |
| 1993年11月号 | ハイブリッド集積光ヘッド -体積1/10に- | NEC | 日刊工業新聞 (1993年9月21日PP.9) | 光磁気ヘッド | 230 210 |
| 1993年11月号 | 新方式磁気センサ | 名大 | 日刊工業新聞 (1993年9月9日PP.7) | 小型超感度磁気センサ 磁気ヘッド 検出限度10Oe | 210 |
| 1993年 7月号 | 小型でも感度10倍の磁気センサ | 豊橋技科大 | 日刊工業新聞 (1993年5月21日PP.7) | 超高感度磁気センサ フラックスゲート型 | 210 |
| 1993年 6月号 | 100倍の記録密度可能な磁気ヘッド技術 | NEC | 日刊工業新聞 (1993年4月6日PP.10) | 磁気ヘッド 10Gb 5Gb/1.3インチディスク 磁気記録 マザーシップ型スライダ | 230 |
| 1993年 1月号 | 高温超電導磁気センサ | シャープ | 電波新聞 (1992年11月25日PP.1) | 超電導 | 120 220 |
| 1992年 7月号 | 新型磁気ヘッド -磁場を直接検出- | 名大 ユニチカ | 日経産業新聞 (1992年5月7日PP.5) | 磁気ヘッド アモルファス 磁気インダクタンス ディスクの小型化 | 660 |
| 1992年 6月号 | ディジタルVTR用高性能磁気ヘッド -録再能力25%向上- | 日電 | 電波新聞 (1992年4月10日PP.1) | 磁気記録 磁気ヘッド | 200 230 330 |
| 1991年 9月号 | パルス密度変調型SQUID | 名大 アイシン | 日刊工業新聞 (1991年7月26日PP.1) | 磁気センサ 超電導 SQUID | 210 |
| 1991年 5月号 | センダストの材料製造技術 -高密度磁気ヘッドへの利用期待- | ミツミ電機 新技術事業団 東北大 | 電波新聞 (1991年3月28日PP.6) | センダスト 磁気ヘッド ブリッジマン法 | 130 |
| 1991年 5月号 | 磁気ディスク容量20倍の高密度磁気ディスク | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1991年3月2日PP.5) 電波タイムズ (1991年3月6日PP.2) | 高密度記録 磁気ディスク17000トラック/inch(10倍) 2Gb/inch^2 6MB/sトラック幅1μm(1/10倍) 120kb/inch(λmin=0.42μm) 磁気ディスク 磁気記録 MRセンサ | 230 |