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| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
| 2013年 3月号 | EUV利用のフォトマスク欠陥検査装置 | 東北大 EUVL基盤開発センター | 日経産業新聞 (2012年12月19日PP.7) | 13.5nm波長のEUV光 解析能力30nm 16nm世代パターン観察に適用可能 | 160 360 |
| 2011年 3月号 | 1基板で多色の発光が可能なLED | 東大 | 日経産業新聞 (2010年12月7日PP.10) | マスクを使ってGaN結晶の成長範囲を制御 青と緑の発光 1つの基板上で場所によって色や濃淡が異なる | 120 250 160 |
| 2007年10月号 | 線幅30nm以下の半導体量産向けナノインプリント技術用の石英ガラスモールド試作 | HOYA | 日経産業新聞 (2007年7月19日PP.1) | 位相シフトマスク作成原理を応用 回路パターンの材料であるCrやレジストの中身・厚さ・処理方法を最適化 型を熱硬化樹脂に押し付け紫外線で転写 | 160 |
| 2007年 8月号 | 回路線幅26nmの微細加工に成功 | NEDO | 日経産業新聞 (2007年5月31日PP.3) | 極紫外線(EUV)露光 光源波長13.5nm 0.5mmの範囲に幅26nmの回路を転写 反射型マスク 高性能反射鏡 | 160 |
| 2004年12月号 | PDPスクリーンマスク -最大級を高精度測定- | ブイ・テクノロジー | 日刊工業新聞 (2004年9月30日PP.1) | 多面取り 左右ドライブ方式 測定精度3σ トータルピッチ5μm 線幅測定時0.2μm 3500×3600mm | 250 320 660 |
| 2004年 7月号 | 次世代LSI向けマスク欠陥検査技術 | 東芝 Selete | 日経産業新聞 (2004年4月13日PP.7) | 198.5nmの遠紫外光採用 マスク1枚を2時間程度で検査 欠陥の種類によっては20nm程度も検出 | 360 |
| 2004年 6月号 | 線幅20nmで回路描画可能な微細加工技術 図使用 | 早大 | 日経産業新聞 (2004年3月29日PP.9) | 拡散光の重なりが回路になる マスクとウェハの距離20μm以上 X線使用 | 160 |
| 2003年11月号 | 極端紫外線対応ブランクスとマスク試作 | HOYA | 日刊工業新聞 (2003年8月22日PP.1) | EUV TaBNアモルファス材料のマスク吸収体 反射率65% | 160 |
| 2003年10月号 | 次々世代半導体の回路原板 -窒素化合物で精密描画- | HOYA | 日経産業新聞 (2003年7月23日PP.9) | 反射型マスク 極端紫外線 吸収層にTaとBと窒素化合物 10nm紫外線より短い紫外線 EUVの散乱防ぐ 反射層にM/Siを積み重ね | 120 160 |
| 2003年 9月号 | 現露光機で45nm幅LSI | 大日本印刷 米インテル | 日刊工業新聞 (2003年6月11日PP.1) | 最先端位相シフトマスク CPL 一枚のマスクで3度露光 | 160 |
| 2003年 3月号 | 光触媒リソグラフィ法 -解像度100倍- | 東大 大日本印刷 | 日刊工業新聞 (2002年12月4日PP.5) | 線幅5μm 光触媒とフォトマスクを一体化 レジスト不要 | 160 |
| 2002年12月号 | ホログラフィックメモリーの暗号化技術 | 東大 米コネチカット大 | 日刊工業新聞 (2002年9月12日PP.11) | 光学的暗号化 ランダム位相マスク | 230 |
| 2002年 8月号 | 電子ビーム露光装置 -マスク製造に成功- | HOYA 凸版印刷 | 日経産業新聞 (2002年5月28日PP.1) | φ200mm Siマスク 50nmプロセス用 | 160 |
| 2002年 4月号 | 0.05μm半導体加工技術 | 東北大 荏原総研 | 日経産業新聞 (2002年1月21日PP.1) | マイナス帯電マスク使用 中性粒子を基板に垂直照射 | 160 |
| 2001年10月号 | 新型露光装置 -フォトマスクを使わずに露光- | ソニー 熊本大 | 日経産業新聞 (2001年7月24日PP.1) | パターン幅5μm 突装基板露光装置 | 160 |
| 2001年 2月号 | トランジスタ製造コスト半減 | 東芝 日本真空技術 | 日経産業新聞 (2000年12月15日PP.1) | イオン注入装置 露光工程不要 マスク強度耐熱性向上 | 160 |
| 1997年 2月号 | CRT蛍光面とシャドウマスクの間隔精密に測定する装置 | 壷坂電機 | 日経産業新聞 (1996年12月10日PP.1) | CRT 間隔測定 | 320 660 250 |
| 1996年12月号 | 窒化膜で原子層マスク -STM使いナノ構造- | NTT | 日刊工業新聞 (1996年10月22日PP.6) | 微細加工 窒化膜原子層マスク STM MOCVD 窒化保護膜 低電流加工可能 量子効果素子 | 160 120 |
| 1996年12月号 | 原子層マスク技術 -ナノ構造を形成- | 工技院アトムテクノロジー研 | 日刊工業新聞 (1996年10月9日PP.6) | 1層原子層マスク | 160 |
| 1996年 7月号 | X線露光用マスク -表面平らで高純度- | NTT | 日経産業新聞 (1996年5月23日PP.5) | 炭化ケイ素 | 160 |
| 1995年12月号 | メタルマスク加工システム-高精度YAGレーザで加工- | 太陽化学工業 | 日刊工業新聞 (1995年10月6日PP.5) | YAGレーザ | 160 250 |
| 1995年11月号 | 記録密度10倍の光磁気ディスク -片面2GBの3.5インチMO- | 富士通 | 電波新聞 (1995年9月8日PP.1) 日経産業新聞 (1995年9月8日PP.9) 日本工業新聞 (1995年9月8日PP.9) | 光磁気ディスク 3.5インチ両面で4GB 3層構造 磁気ディスク 両面4GB ダブルマスク 磁気超解像再生 | 230 |
| 1995年 9月号 | 幅0.1μm回路パターン形成技術 | 東芝 | 日経産業新聞 (1995年7月21日PP.5) | マスクの低コントラスト化で回折現象を低減 マスクウェハ15μm間隔で0.09μmパターン | 160 |
| 1995年 1月号 | 半導体用処理技術 -ニューロチップでマスクデータを検査- | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1994年11月9日PP.1) | ニューロチップ 画像処理 | 520 |
| 1994年 6月号 | 半導体デバイス用マスク観察走査顕微鏡 | 日本電子 | 電波新聞 (1994年4月15日PP.2) | 顕微鏡 | 360 |
| 1993年 9月号 | X線縮小露光技術 | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1993年7月2日PP.9) | 縮小露光 反射型マスク 0.07μm | 160 |
| 1993年 8月号 | X線マスクによる極微細パターン加工 | ソルテック 日立製作所 | 日経産業新聞 (1993年6月17日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年6月17日PP.9) | 微細加工 SR光源 | 160 |
| 1992年 7月号 | X線リソグラフィ用マスク -最小線幅0.2μmで微細パターン描写- | NTTアドバンステクノロジ(NTEC) | 日刊工業新聞 (1992年5月13日PP.9) | X線リソグラフィ用マスク 線幅0.2μm | 160 |
| 1992年 3月号 | マスク7枚でCMOS製造 -新プロセス確立- | 日電 | 日刊工業新聞 (1992年1月17日PP.9) | CMOS マスク7枚 LPD技術 | 220 |
| 1991年 8月号 | エキシマレーザ使ったマスクパターン転写加工 -加工速度12倍向上- | 三菱電機 | 電波新聞 (1991年6月11日PP.1) | マスクパターン転写加工 エキシマレーザ 加工速度12倍向上 高反射マスクと高反射ミラー | 160 |
| 1991年 4月号 | 世界最高速の64MDRAM -高速アクセス実現- | 東芝 富士通 三菱電機 松下電器産業 | 日刊工業新聞 (1991年2月15日PP.0) 電波新聞 (1991年2月15日PP.0) | DRAM 位相シフトマスク 光露光 64M ISSCC | 230 |
| 1990年12月号 | ホログラムの実時間記録・再生 | NTT | 日刊工業新聞 (1990年10月25日PP.0) | 強誘電液晶による空間光変調器(SLM) 高速:応答速度70μs/高感度:入力光100mW 可視光でSLMに書き込み 赤外レーザで読みだし 応用:光ニューロコンピュータ用光マスク 3次元ホログラムのディスプレイ | 200 |