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| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
| 2017年 8月号 | 3次元MRAM 積層プロセス開発 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2017年5月17日PP.29) | CMOS形成ウェハとTMR薄膜ウェハを別々に形成後圧着 | 230 260 |
| 2016年11月号 | MRAM素子 薄膜で構成 | 東北大など | 日刊工業新聞 (2016年8月18日PP.1) | 磁気トンネル接合素子の出力を従来比約2倍の200mV メモリー MRAM タングステン | 230 |
| 2016年 6月号 | 記憶速く電流1/5 http://www.tohoku.ac.jp/japanese/2016/03/press20160317-01.html | 東北大 | 日本経済新聞 (2016年3月30日PP.8) | 高速動作 低消費電力 半導体メモリー MRAM | 230 |
| 2016年 5月号 | 世界最高の電力性能 磁性体メモリー回路開発 消費電力10分の1 http://www.toshiba.co.jp/rdc/detail/1602_02.htm | 東芝 東大 | 日刊工業新聞 (2016年2月2日PP.25) 電波新聞 (2016年2月4日PP.3) | STT-MRAM 消費電力 電力性能 ノーマリーオフ 磁性体メモリー 不揮発性メモリー | 230 |
| 2016年 3月号 | 「電圧方式」安定動作 MRAM書き込みエラー率実用水準へ http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2015/pr20151210/pr20151210.html | 産総研 | 日刊工業新聞 (2015年12月11日PP.31) | 不揮発性メモリー(MRAM) 電圧書き込み方式 低消費電力 書き込みエラー率 | 230 |
| 2016年 1月号 | 微小磁力で情報書き込み http://www.issp.u-tokyo.ac.jp/issp_wms/DATA/OPTION/relese20151029.pdf | 東大 | 日経産業新聞 (2015年10月29日PP.8) | 半導体メモリーの消費電力の大幅低下につながる新しい磁性現象 MRAM 消費電力1/1000 処理速度1000倍 反強磁性材料 ホール効果 | 120 230 |
| 2014年10月号 | 厚さ4μmのDRAM基板 | 東工大 | 日経産業新聞 (2014年7月2日PP.10) | DRAM基板の厚さを従来比1/200に。同体積で200倍の容量を持ち1/100の消費電力で動く3次元メモリーが実現可能 | 230 |
| 2014年 5月号 | 低消費電力のSRAM | 東芝 ルネサスエレクトロニクス | 日経産業新聞 (2014年2月12日PP.7) | 配線幅65nm 消費電力1/100 | 230 |
| 2013年 9月号 | 0.37V動作のトランジスタを採用したロジックIC | 超低電圧デバイス技術研究組合 NEDO | 日刊工業新聞 (2013年6月11日PP.21) 日経産業新聞 (2013年6月11日PP.9) | SOTBトランジスタを用いたSRAM シリコン基板上に厚さ10nmの絶縁膜・その上に電極 SOTB 最小電圧0.37Vの演算用LSI | 220 230 |
| 2013年 5月号 | SRAMの消費電力削減 | 東芝 | 日経産業新聞 (2013年2月22日PP.1) | 動作時用と待機時用の回路 動作時電力27%減 待機時は85%減 | 230 |
| 2013年 3月号 | 低消費電力のSTT-MRAM | 東芝 | 日刊工業新聞 (2012年12月11日PP.25) | 不揮発性磁性体メモリ 垂直磁化方式 30nmプロセス 待機電力を従来比1/10に低減 | 230 |
| 2012年 7月号 | 動作寿命10年間のMRAM | 超低電圧デバイス技術研究組合 | 日刊工業新聞 (2012年4月17日PP.20) | MTJ素子のトンネル絶縁膜層を分割して作成 0.5V以下の低い電圧で10年間安定動作 MRAM混載LSI 低消費電力 次世代の不揮発性磁気メモリー | 230 |
| 2012年 1月号 | 相変化メモリーが常温で巨大磁気抵抗効果 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2011年10月17日PP.19) | Ge-Te合金とSb-Te合金の薄膜を配向軸をそろえて積層 超格子型相変化膜 室温から約150℃で200%超の磁気抵抗効果 MRAM | 120 230 |
| 2011年 9月号 | 低消費電力のDRAM | エルピーダメモリ | 日経産業新聞 (2011年6月15日PP.1) | High-Kメタルゲート技術 40nmプロセス 絶縁膜にハフニウム 電極にTiを使用 | 230 160 |
| 2011年 9月号 | MRAMにかかる歪みを制御し性能向上 | 超低電圧デバイス技術研究組合 | 日刊工業新聞 (2011年6月15日PP.19) | ビラリ効果 低消費電力 | 230 120 |
| 2011年 3月号 | 28nm世代システムLSI向け混載DRAM技術 | ルネサスエレクトロニクス | 日刊工業新聞 (2010年12月9日PP.22) | 寄生容量・抵抗を削減 CMOSプロセスを導入 低誘電率の多孔質(MPS)膜を採用 配線層内にキャパシタ形成 | 160 230 |
| 2010年 9月号 | 0.5Vで集積回路を動作させる技術 | 東大 | 日刊工業新聞 (2010年6月18日PP.21) | パスゲートトランジスタ SRAM動作時のマージンが70%改善 | 220 |
| 2010年 6月号 | GPUとDRAM間の通信速度32倍の8Tbps | 慶応大 | 日経産業新聞 (2010年3月2日PP.11) | GPUとDRAM間を無線通信 回路面積1/66 1024個のコイルでデータを送受信 | 220 520 |
| 2010年 5月号 | LSIの駆動電圧を3割低減する誤動作防止技術 | 東芝 | 日経産業新聞 (2010年2月15日PP.12) | 駆動電圧を0.7Vへ下げた場合にSRAMの動作不良が起きる割合を従来の1/10000に抑えた | 120 |
| 2009年11月号 | 8枚積層したDRAM | エルピーダメモリ | 日経産業新聞 (2009年8月27日PP.1) | 8Gbit ウェハにエッチング装置で直径50μmの穴を開けDRAM回路を形成 待機電力1/4 | 230 |
| 2009年10月号 | SRAMの駆動電圧均一化 | 東大 | 日経産業新聞 (2009年7月13日PP.10) | 回路線幅65nm以降のメモリー 製造後のSRAMにいったん大きな電圧をかけ素子の性能を修復 | 230 |
| 2009年 9月号 | 垂直磁化MRAMを開発
-500MHzの高速動作実現- | NEC NECエレクトロニクス | 日刊工業新聞 (2009年6月16日PP.25) | 500MHz動作 従来の2倍 スピントルク磁壁移動方式 電流書込み方式 | 230 |
| 2009年 9月号 | 10年以上作動する32MbMRAM | 日立 東北大 | 日経産業新聞 (2009年6月26日PP.11) | スピン注入RAM 酸化マグネシウムの膜をコバルト鉄ボロンで挟んだ素子構造 磁気の向きを電流で制御 | 230 |
| 2009年 5月号 | 世界最高速度と容量のFeRAM | 東芝 | 日経産業新聞 (2009年2月10日PP.11) | 読み書き速度1.6Gbps 記憶容量128Mb | 230 |
| 2009年 3月号 | 6つのFinFETを用いた世界最小SRAMセル
・16と一つにまとめる | 東芝 米IBM 米AMD | 日刊工業新聞 (2008年12月18日PP.26) 日経産業新聞 (2008年12月24日PP.11) | 面積0.128μm2 不純物の添加不要 半分以下に小型化 | 230 |
| 2009年 3月号 | 安定性2倍のSRAM
・13と一つにまとめる | 産総研 | 日経産業新聞 (2008年12月24日PP.11) | 4端子タイプのフィン型FET | 230 |
| 2009年 2月号 | 書換え電流抑え微細化したMRAM技術 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2008年11月12日PP.1) | スピン注入磁化反転方式 書換え電流従来比1/3程度 磁気トンネル接合素子(MTJ) | 220 230 |
| 2008年 6月号 | 書き換え1000億回を実現した256MbFeRAM向け新材料 | 東工大 富士通研 | 日刊工業新聞 (2008年3月28日PP.1) | ビスマスフェライト サマリウムを6～10%添加 ゾルゲル法 非接触ICカード RFID | 120 230 |
| 2008年 3月号 | ギガビット級のMRAM | 日立 東北大 | 日経産業新聞 (2007年12月20日PP.1) | 記録層を2層に増やす スピン注入方式 積層フェリ構造 コバルト鉄ボロン ルテニウム 回路線幅45nm 小型メモリー素子 長期間保持 | 230 |
| 2008年 1月号 | MRAM電流制御技術 | 高エネ機構 東大 | 日刊工業新聞 (2007年10月29日PP.21) | SrTiO3基板にμm寸法の(La Sr)MnO3の薄膜をパターン加工 Spring-8 ステップ方向に磁場をかけると単磁区構造になる | 120 160 230 |
| 2007年 3月号 | MRAM大容量化に道を開く磁性体加工の新技術 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2006年12月5日PP.1) | パルス変調プラズマ方式 磁性体膜の揮発性の大幅向上 磁性特性の劣化改善 磁気トンネル接合素子 | 160 |
| 2007年 3月号 | 8枚積層4GbDRAM | NECエレクトロニクス エルピーダメモリ 沖電気 | 日経産業新聞 (2006年12月14日PP.1) | ワンチップ方式より開発期間を3～6年先行 チップを貫通する配線・電極 チップ間を最短距離で接続 | 230 260 |
| 2007年 2月号 | 回路線幅55nmのシステムLSI量産技術 | NECエレクトロニクス | 日刊工業新聞 (2006年11月6日PP.1) | DRAM混載 液浸露光 ゲート絶縁膜上にハフニウム極薄膜 | 160 |
| 2006年12月号 | DRAMの消費電力を10%削減 -絶縁膜材料に水使用- | 日立 | 日刊工業新聞 (2006年9月14日PP.37) | Al2O3絶縁膜 成膜時間半減 シリコン酸窒化膜 漏れ電流抑制 界面の酸化を回避 酸化膜換算膜圧2.9nm | 230 160 |
| 2006年 9月号 | 次世代メモリー「MRAM」 -電流値1/10に微細化可能- | ソニー | 日本経済新聞 (2006年6月2日PP.15) | 磁性記録式随時書込み読出しメモリーの高集積化技術 電流の方向による書込み方式 試作4kbit | 230 |
| 2006年 9月号 | 55nm素子形成技術 -SRAMで実用性確認- | NECエレクトロニクス | 日刊工業新聞 (2006年6月16日PP.29) | 酸窒化膜上に極薄膜のハフニウムシリケートを載せたゲート絶縁膜 トランジスタのしきい値制御範囲拡大 漏れ電流10%低減 ArF液浸露光装置 | 160 220 |
| 2006年 9月号 | 128MbキャパシタレスDRAMの動作実証 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2006年6月19日PP.1) | 酸化膜埋込み基板(SOI)の浮遊ボディ(FB)に電荷を記憶 2倍の高密度と低コスト化 | 160 230 |
| 2006年 7月号 | 次世代半導体メモリー -蓄積電荷5倍の新材料を開発- | 東工大 富士通 | 日経産業新聞 (2006年4月3日PP.17) | FeRAM ビスマスフェライト(BFO)に微量のMnを加えた新材料 65nmまで微細化可能 | 120 230 |
| 2006年 7月号 | 折り曲げ自在な次世代メモリー | セイコーエプソン | 日本経済新聞 (2006年4月4日PP.13) | FeRAM 電子ペーパー ICタグ フッ素系ポリマー 厚さ0.1mmのプラスチック基板上 | 120 230 |
| 2006年 6月号 | 不揮発性強誘電体メモリー(FeRAM)新材料 -記憶保持能力を5倍に- | 東工大 富士通 富士通研 | 日刊工業新聞 (2006年3月24日PP.33) | ビスマスフェライト(BFO)にMnを加えて漏れ電流低減 65nm世代で256MB実現 | 120 230 |
| 2006年 5月号 | 最速最大容量のMRAM | 東芝 NEC | 日経産業新聞 (2006年2月8日PP.11) | 記憶容量16Mb データ読み書き速度200MBps 電気抵抗約38%抑制 電源電圧1.8V | 230 |
| 2006年 5月号 | 最高速アクセス実現のDDR-ⅢSDRAM回路技術 | エルピーダメモリ | 日刊工業新聞 (2006年2月8日PP.23) | アクセス時間8.13ns 1.5Vで1.67Gbpsの最速転送 メモリーアレイからデータを時分割でバッファ回路に転送 動作余裕を確保するカウンタ回路 最大入力クロック入力800MHz | 220 |
| 2006年 2月号 | 読出し速度30%高速化のSRAM -待機時漏れ電流1/100- | 日立 | 日刊工業新聞 (2005年11月1日PP.25) | ダブルゲート構造の完全空乏型埋込み酸化膜(FD-SOI) チップあたりの電池寿命20倍 背面ゲートに逆バイアス BOXを10mm | 160 230 |
| 2006年 2月号 | 磁気抵抗比55%のMRAM -パーマロイ系材料を使用- | 東芝 NEC | 日刊工業新聞 (2005年11月2日PP.26) | 磁気トンネル接合(MTJ)の磁気固定層にAl2O3のトンネル絶縁層を介してNiFeのパーマロイ系フリー層を積層 新キャップ層として非磁気層のNiFeZr 512KbMRAM試作 | 160 230 120 |
| 2006年 1月号 | 化学反応によるMRAMエッチング技術 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2005年10月19日PP.1) | 時間変調(TM)プラズマ 高周波電界の供給を数十μs間隔でパルス的に行う 負イオン 生成物の離脱・蒸着 MRAM0.15μm世代 | 160 230 |
| 2005年 9月号 | 携帯LCDにDRAM集積 | NEC NEC液晶テクノ | 日刊工業新聞 (2005年6月9日PP.1) | 1画素18ビットを12ビットに圧縮 スマートピクセルデータ符号化(SPC) 510kbで24万色の高階調 第3世代SOG | 160 250 230 |
| 2005年 9月号 | MRAM新型セル -2つのトンネル接合直列に- | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2005年6月17日PP.25) | 磁気トンネル接合(MTJ) 高信頼性 歩留まり向上 読出しに電圧センス方式 | 230 |
| 2005年 8月号 | ディスク状ナノ磁石 -磁化回転を初制御- | 東大 | 日刊工業新聞 (2005年5月11日PP.23) | MRAMの高密度化に道 放射光を用いた小型光電子顕微鏡(PEEM)を開発し観測ディスク構造の下側に微少なタグ | 120 |
| 2005年 7月号 | 次世代磁気メモリー -消費電力同じで1万倍高速- | 東北大 日立 | 電波新聞 (2005年4月5日PP.1) 日刊工業新聞 (2005年4月5日PP.23) | MgOの絶縁膜をBを含むCoFe膜2枚で挟む 室温で磁気抵抗比287% 1Gb級MRAMに道 スパッタ法 TMR素子 | 120 230 |
| 2005年 6月号 | 90n世代システムLSIによるDRAM混載技術 -130n世代に比べセル面積60%に- | NECエレクトロニクス | 電波新聞 (2005年3月10日PP.1) | MIMキャパシタを形成する絶縁膜にZrO2 ALD方式 Ta2O5の3倍以上 Si3N4の5倍以上の電荷蓄積能力 最大500MHz | 120 160 |
| 2005年 5月号 | 32nm世代の壁を越えた超微細化SRAM技術 | NEC | 日刊工業新聞 (2005年2月9日PP.1) | 読出しループを切ってデータを反転させない役割の素子 CMOSロジックとともに微細化・低電圧化に対応 面積9%増 | 160 230 |
| 2005年 4月号 | 待機電流1/20のDDR型DRAM | エルピーダメモリ | 日経産業新聞 (2005年1月17日PP.5) | DRAM内部にエラー訂正回路で電荷補充間隔延ばす 400Mbps製品の消費電流が25℃下で0.04mA | 230 |
| 2005年 3月号 | 線幅50nmのSRAM -誘電率高い新材料使用- | Selete | 日経産業新聞 (2004年12月21日PP.7) | 高温にさらす時間を1/100にして結晶化を防ぐ HfSiO 容量1Mb 漏れ電流0.1A以下/cm2(実効膜厚1.2nm) | 160 230 |
| 2005年 2月号 | 容量4倍のMRAM | 産総研 科技機構 | 日経産業新聞 (2004年11月2日PP.9) | TMRの素子出力電圧550mV 4層構造 | 230 |
| 2005年 2月号 | 半導体回路技術 -テレビ画像解像度を4倍に- | ルネサステクノロジ 新潟精密 | 日経産業新聞 (2004年11月5日PP.1) | PXG-4 回路規模やチップの価格を1/3程度 数100kbのSRAMを内蔵するのみで可 フルーエンシ関数 画像補正 | 520 250 |
| 2004年12月号 | ギガビット級MRAM量産技術 | アネルバ 産総研 | 日経産業新聞 (2004年9月8日PP.10) | スパッタ成膜法 Si基板上 | 230 160 |
| 2004年12月号 | FeRAM最適結晶選別新技術 | 松下電器 | 日経産業新聞 (2004年9月15日PP.9) | 強誘電体薄膜に電子線照射 結晶粒の大きさや向きを検出 | 230 360 |
| 2004年12月号 | 次世代DRAM向け65nm対応キャパシタ -Nbで高性能化- | 日立 エルピーダメモリ | 日経産業新聞 (2004年9月16日PP.8) | Nb2O5とTaを積層 結晶化温度500℃ | 230 |
| 2004年 9月号 | メモリーのDRAM新技術 -DRAM読出し時間を大幅短縮- | エルピーダメモリ | 日経産業新聞 (2004年6月29日PP.13) | 1ビット当たり二つのメモリーセル 読出し時間6ns以下 センスアンプの感度を1.7倍 | 230 |
| 2004年 8月号 | 磁気不揮発メモリー素子 -従来の1/100の電流で動作- | 東北大 | 日刊工業新聞 (2004年5月10日PP.21) 日経産業新聞 (2004年5月10日PP.7) | スピン素子 MRAM RuとCo90Fe10合金の二層構造 必要電流2×106A/㎝2 | 230 160 |
| 2004年 7月号 | スピンメモリー -電流のみで磁化反転- | 東北大 | 日経産業新聞 (2004年4月1日PP.9) 日刊工業新聞 (2004年4月1日PP.29) | 強磁性半導体 MRAM 従来より2～3桁少ない電流 Ga・AsにMn添加 -193℃ | 120 230 |
| 2004年 6月号 | 単結晶トンネル磁気抵抗素子(TMR) -記憶容量10倍- | 産総研 JST | 日経産業新聞 (2004年3月3日PP.8) 日刊工業新聞 (2004年3月3日PP.25) | MRAM 室温で磁気抵抗88% 出力電圧380mV MgO | 230 |
| 2004年 6月号 | スピンエレクトロニクスメモリー素子 | 東北大 | 日経産業新聞 (2004年3月22日PP.9) | TiO2にCo添加 MRAM | 230 |
| 2004年 2月号 | 強誘電体の分極を磁場制御 | 東大 ロスアラモス研 筑波大 | 日刊工業新聞 (2003年11月12日PP.29) | 巨大電機磁気効果(巨大ME効果) MRAM MnOTb単結晶 30K | 120 |
| 2004年 2月号 | 65nmプロセスSRAM | 米インテル | 日本経済新聞 (2003年11月26日PP.3) | ゆがみSi技術 高速インタコネクト 低誘電率絶縁材料 0.57μm2(上付)に4MB | 160 230 |
| 2004年 1月号 | 書き換え回数が無制限の不揮発SRAM | 富士通研 富士通 | 日刊工業新聞 (2003年10月17日PP.30) | 6T4C型 FRAM利用 電源オン・オフ時のみ不揮発性蓄積 | 230 |
| 2003年 9月号 | SOI基板にDRAM混載 | 東芝 | 日経産業新聞 (2003年6月16日) | 96kbDRAM SOIにはキャパシタ不要な記憶回路 | 230 160 |
| 2007年 3月号 | MRAM大容量化に道を開く磁性体加工の新技術 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2006年12月5日PP.1) | パルス変調プラズマ方式 磁性体膜の揮発性の大幅向上 磁性特性の劣化改善 磁気トンネル接合素子 | 160 |
| 2007年 3月号 | 8枚積層4GbDRAM | NECエレクトロニクス エルピーダメモリ 沖電気 | 日経産業新聞 (2006年12月14日PP.1) | ワンチップ方式より開発期間を3～6年先行 チップを貫通する配線・電極 チップ間を最短距離で接続 | 230 260 |
| 2007年 2月号 | 回路線幅55nmのシステムLSI量産技術 | NECエレクトロニクス | 日刊工業新聞 (2006年11月6日PP.1) | DRAM混載 液浸露光 ゲート絶縁膜上にハフニウム極薄膜 | 160 |
| 2006年12月号 | DRAMの消費電力を10%削減 -絶縁膜材料に水使用- | 日立 | 日刊工業新聞 (2006年9月14日PP.37) | Al2O3絶縁膜 成膜時間半減 シリコン酸窒化膜 漏れ電流抑制 界面の酸化を回避 酸化膜換算膜圧2.9nm | 230 160 |
| 2006年 9月号 | 次世代メモリー「MRAM」 -電流値1/10に微細化可能- | ソニー | 日本経済新聞 (2006年6月2日PP.15) | 磁性記録式随時書込み読出しメモリーの高集積化技術 電流の方向による書込み方式 試作4kbit | 230 |
| 2006年 9月号 | 55nm素子形成技術 -SRAMで実用性確認- | NECエレクトロニクス | 日刊工業新聞 (2006年6月16日PP.29) | 酸窒化膜上に極薄膜のハフニウムシリケートを載せたゲート絶縁膜 トランジスタのしきい値制御範囲拡大 漏れ電流10%低減 ArF液浸露光装置 | 160 220 |
| 2006年 9月号 | 128MbキャパシタレスDRAMの動作実証 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2006年6月19日PP.1) | 酸化膜埋込み基板(SOI)の浮遊ボディ(FB)に電荷を記憶 2倍の高密度と低コスト化 | 160 230 |
| 2006年 7月号 | 次世代半導体メモリー -蓄積電荷5倍の新材料を開発- | 東工大 富士通 | 日経産業新聞 (2006年4月3日PP.17) | FeRAM ビスマスフェライト(BFO)に微量のMnを加えた新材料 65nmまで微細化可能 | 120 230 |
| 2006年 7月号 | 折り曲げ自在な次世代メモリー | セイコーエプソン | 日本経済新聞 (2006年4月4日PP.13) | FeRAM 電子ペーパー ICタグ フッ素系ポリマー 厚さ0.1mmのプラスチック基板上 | 120 230 |
| 2006年 6月号 | 不揮発性強誘電体メモリー(FeRAM)新材料 -記憶保持能力を5倍に- | 東工大 富士通 富士通研 | 日刊工業新聞 (2006年3月24日PP.33) | ビスマスフェライト(BFO)にMnを加えて漏れ電流低減 65nm世代で256MB実現 | 120 230 |
| 2006年 5月号 | 最速最大容量のMRAM | 東芝 NEC | 日経産業新聞 (2006年2月8日PP.11) | 記憶容量16Mb データ読み書き速度200MBps 電気抵抗約38%抑制 電源電圧1.8V | 230 |
| 2006年 5月号 | 最高速アクセス実現のDDR-ⅢSDRAM回路技術 | エルピーダメモリ | 日刊工業新聞 (2006年2月8日PP.23) | アクセス時間8.13ns 1.5Vで1.67Gbpsの最速転送 メモリーアレイからデータを時分割でバッファ回路に転送 動作余裕を確保するカウンタ回路 最大入力クロック入力800MHz | 220 |
| 2003年 6月号 | 低消費電力メモリー -情報読出し正確に- | NEC | 日本経済新聞 (2003年3月7日PP.17) | MRAM 記録速度20-100Mbps 記憶容量512kb | 230 |
| 2003年 3月号 | DRAM混載システムLSI -65nm世代プロセス- | 東芝 ソニー | 日刊工業新聞 (2002年12月4日PP.8) 電波新聞 (2002年12月4日PP.1) | SoC向け スイッチング速度0.72ps(NMOS) 1.41ps(PMOS) 0.6μm;2のメモリーセル | 220 230 160 |
| 2003年 3月号 | ICカード用メモリー材料 | 理科大 | 日経産業新聞 (2002年12月13日PP.10) | FeRAM用 100kV/cm電解 8μC/cm2 | 130 |
| 2002年10月号 | ギガビットMRAMに道 -形状に依存せずに微細化 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2002年7月22日PP.1) | 低磁界スピン反転法 サンドイッチ構造 人工の反強磁性層 | 230 |
| 2002年 9月号 | 90ナノ世代システムLSIプロセス技術 -世界最小SRAMセル内蔵- | 三菱電機 松下電器 | 電波新聞 (2002年6月13日PP.1) | 140万トランジスタ/mm2 SRAMセルサイズ1.56μm×0.64μm KrF露光 90nmプロセス | 220 230 |
| 2002年 9月号 | SRAM回路 -0.4Vで安定動作- | 日立 | 日経産業新聞 (2002年6月17日PP.10) | 記録領域だけ電圧を高める 動作時140μW 32KB | 230 |
| 2002年 7月号 | リング状磁性体素子 - 100ギガMRAM可能に ポストDRAMとして有力 - (NO30と合わせる) | 阪大 | 日本経済新聞 (2002年4月8日PP.25) | リング状磁性体 直径0.5μm | 130 230 |
| 2002年 7月号 | 次世代メモリーMRAM -1Gb以上に- | 産総研 | 日本経済新聞 (2002年4月26日PP.17) 日刊工業新聞 (2002年4月26日PP.5) | 抵抗値変化幅従来の3倍 厚さ1nmのFe単結晶薄膜 TMR素子をシリコンLSI上に作製 | 210 230 |
| 2002年 6月号 | 二重にTMRを用いたMRAM | 東芝 | 日刊工業新聞 (2002年3月29日PP.6) | 抵抗変化率の落込みを半減 高出力化 信号出力電圧200mV | 230 |
| 2002年 5月号 | 小型メモリー素子 -DRAM 後の中核技術 | 東芝 | 日本経済新聞 (2002年2月8日PP.17) | システムLSI DRAM トランジスタ下にキャパシタ 消費電力2.5倍 面積半分に | 220 230 |
| 2002年 4月号 | 近接場光学顕微鏡 -100nm程度の物体判別- | 東大 | 日本経済新聞 (2002年1月21日PP.25) | 近接場光学顕微鏡 生きている細胞観察用 分解能100nm | 波長も観察 光ファイバ 16ギガビットDRAM用 360 |
| 2002年 3月号 | MRAM -ギガ級可能に- | NEC | 日経産業新聞 (2001年12月4日PP.1) | 縦0.1μm横0.6μmの基本構造 消費電力DRAMの1/10 | 230 |
| 2002年 3月号 | 4層構造のスタックドCSP | シャープ | 日経産業新聞 (2001年12月19日PP.6) | 64Mbと16Mbフラッシュメモリー+16Mbと4Mb SRAM 100μm/chip パッケージサイズ8×11×厚さ1.4mm | 230 260 |
| 2001年11月号 | ICカード用LSI -FeRAMを量産化- | 富士通 | 日本経済新聞 (2001年8月3日PP.13) 日経産業新聞 (2001年8月3日PP.7) 電波新聞 (2001年8月3日PP.1) 日刊工業新聞 (2001年8月3日PP.10) | FeRAM RISCCPU 0.35μmプロセス | 220 230 |
| 2001年11月号 | 次世代強誘電体メモリー材料 -漏れ電流2桁改善- | 東工大 | 日刊工業新聞 (2001年8月17日PP.5) | SBTN BTTを3割固溶 FeRAM用材料 薄膜化 | 130 |
| 2001年11月号 | 低消費電力DRAM | 日立 | 日経産業新聞 (2001年8月21日PP.7) | クリアモード/キャッシュモード適応選択 オンチップ制御回路 | 230 |
| 2001年 8月号,9月号 | 加工容易なキャパシタ | エルピーダメモリ 日立 | 日経産業新聞 (2001年6月22日PP.17) | Ru利用 線幅0.13μmの加工 DRAM | 160 230 |
| 2001年 6月号 | 強誘電体メモリー材料 | 東工大 東大 | 日刊工業新聞 (2001年4月18日PP.5) 日刊工業新聞 (2001年4月26日PP.6) | FeRAM SBT 570℃でエピタキシャル成長 BLT 540℃でエピタキシャル成長 | 130 230 |
| 2001年 4月号 | 消費電力1/10の新形SRAM | 東大 | 日経産業新聞 (2001年2月20日PP.9) | 低消費電力形SRAM 不良セルの特定 チップサイズ増が1%未満 | 230 |
| 2001年 3月号 | 画像データを1チップで圧縮・伸長 | 東芝 | 電波新聞 (2001年1月16日PP.2) 日経産業新聞 (2001年1月16日PP.4) | MPEG-4 12MbDRAM QCIF(176×144画素) | 220 |
| 2001年 2月号 | MRAM向け成膜装置 | アネルバ | 日経産業新聞 (2000年12月4日PP.9) | 直径8inウェハ 1nm以下の磁性膜 真空技術 | 230 160 |
| 2000年 5月号 | DRAM混載システムLSI -58.8GB/sでデータ送受信- | 三菱電機 | 日経産業新聞 (2000年3月23日PP.1) | DRAM LSI DRAM混載システムLSI | 220 |
| 2000年 5月号 | 16MbのFeRAM -強誘電体を低温で加工- | 松下電子 | 日経産業新聞 (2000年3月6日PP.1) | FeRAM 16Mb 積層形 強誘電体メモリー 低温で加工 650℃で結晶膜生成 | 230 |
| 2000年 4月号 | 新構造のDRAM -高速性と集積性両立- | 松下電器 | 日経産業新聞 (2000年2月25日PP.1) | 2T1Cセル ランダムサイクル時間8ns セル面積1T1Cセルの1.8倍 | 230 |
| 1999年12月号 | FeRAM用微細回路作製技術 | 京大 | 日経産業新聞 (1999年10月28日PP.5) | 誘電体薄膜 Ti溶液 常温・常圧 酸化ホウ素 | 160 |
| 1999年11月号 | 2V動作の16Mb DRAM | 沖電気 | 日経産業新聞 (1999年9月1日PP.8) | 2V 16MbDRAM SOI技術 | 230 |
| 1999年 7月号 | DRAMを超える新形メモリー -記憶性能DRAMの2倍- | 日立製作所 英ケンブリッジ大 | 日本経済新聞 (1999年5月18日PP.1) 日刊工業新聞 (1999年5月19日PP.11) 日経産業新聞 (1999年5月25日PP.9) | PLEDM セルサイズ半分 不揮発性 絶縁膜埋込み 新形メモリー | 220 230 |
| 1999年 6月号 | 初のDRAM混載形画像処理用DSP | 富士通研 | 日本工業新聞 (1999年4月19日PP.1) | 画像処理用DSP 1MT-2000 MSPM SIMD形 DSP DRAM | 220 230 |
| 1999年 4月号 | 次世代LSI向けFeRAM -消費電力1/5 面積半分に- | 松下電子 | 日経産業新聞 (1999年2月18日PP.1) | FeRAM | 230 |
| 1999年 4月号 | 宇宙線エラー防ぐSRAM | 三菱電機 | 日本経済新聞 (1999年2月16日PP.13) | ソフトエラー発生率1/100 500MHz動作 DRAMのメモリーセル構造 | 230 |
| 1999年 3月号 | EBステッパ -16GDRAM生産に道- | ニコン 米IBM | 日本経済新聞 (1999年1月27日PP.13) | EBステッパ 処理能力40枚/h | 160 |
| 1999年 3月号 | 世界最小DRAM | 東芝 米IBM 独シーメンス | 日本経済新聞 (1999年1月8日PP.1) | 64Mbで30mm2 | 230 |
| 1999年 2月号 | 0.18μmDRAM混載技術 -性能と低コスト両立- | NEC | 日刊工業新聞 (1998年12月8日PP.6) | 0.18μmプロセス タングステンプラグ | 230 |
| 1999年 2月号 | セル面積2/3のSRAM | NEC | 日経産業新聞 (1998年12月7日PP.5) | SRAM NP2個ずつの4T型セル 1.9μm2 | 230 |
| 1999年 2月号 | メモリー混載プロセス技術 -低コストで高性能- | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1998年12月3日PP.5) | ルテニウム金属 DRAM | 160 |
| 1998年11月号 | SRAM -データ転送レート2倍に- | 富士通 | 電波新聞 (1998年9月29日PP.6) | SDRAM DDR-SDRAM | 230 |
| 1998年11月号 | DRAMを越える新メモリー-MRAM- | 東芝 | 日本経済新聞 (1998年9月19日PP.11) | 固体磁気メモリー MRAM 大容量 高速読出し アルミナ絶縁層 PtCo合金 強磁性二重トンネル接合 フォトリソグラフィ 読出し速度6ns 不揮発性メモリー | 230 |
| 1998年11月号 | シリコン上で強誘電体の単結晶成長 | 早大 | 電波新聞 (1998年9月16日PP.1) | 単結晶成長 不揮発性メモリー FeRAM Si 強誘電体メモリー | 160 |
| 1998年11月号 | 大容量FeRAM -記憶容量大幅に拡大- | 富士通 | 日本経済新聞 (1998年9月8日PP.12) | FeRAM 50nmの絶縁体膜 BiOxとSTBの積層絶縁膜 | 230 |
| 1998年10月号 | 大容量DRAMの新設計法 | 三菱電機 | 日刊工業新聞 (1998年8月25日PP.6) | DRAM NAND型 | 230 |
| 1998年 9月号 | セル作製技術 -容量2倍のFeRAM- | NEC | 日経産業新聞 (1998年7月13日PP.5) | FeRAM 1組トランジスタ 参照電圧 | 230 |
| 1998年 9月号 | DVDRAM装置 -アレイ構成で高速化- | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1998年7月7日PP.1) | DVDRAM | 230 |
| 1998年 7月号 | 強誘電体メモリー -多層配線で高速化- | NEC | 日経産業新聞 (1998年5月15日PP.5) | FeRAM 強誘電体メモリー 多層配線 | 230 |
| 1998年 6月号 | 次世代メモリー -FeRAM高速化- | ローム | 日経産業新聞 (1998年4月16日PP.1) | FeRAM 高速化 低消費電力化 製造技術 PZT成膜温度を550℃に低温化 トランジスタ線幅0.18μm可能に | 230 160 |
| 1998年 4月号 | DRAM付加価値向上 -内部電源が不用に- | 富士通 | 日経産業新聞 (1998年2月5日PP.5) | シンクロナスDRAM | 230 220 |
| 1998年 4月号 | DRAMの付加価値向上 -メモリーに論理回路- | NEC | 日経産業新聞 (1998年2月5日PP.5) | ロジック混載DRAM | 230 220 |
| 1998年 3月号 | 初の128MbDRAM | 日立製作所 | 日本工業新聞 (1998年1月27日PP.4) | DRAM | 230 260 |
| 1998年 3月号 | 16MbDRAM生産計画見直し | 大手半導体メーカ | 日本工業新聞 (1998年1月21日PP.1) | DRAM | 230 |
| 1998年 3月号 | DRAMメモリーセルを最小にできる技術 | NEC | 日経産業新聞 (1998年1月13日PP.5) | DRAM 4GbDRAM 位置ズレ防止 | 230 260 |
| 1998年 2月号 | 4Gbを実現できる新製造技術 | 富士通研 富士フイルム | 日経産業新聞 (1997年12月18日PP.5) | 4GbDRAM ビア柱 | 230 160 |
| 1998年 2月号 | SRAM低電圧で高速動作 | 三菱電機 | 電波新聞 (1997年12月11日PP.1) 日経産業新聞 (1997年12月11日PP.5) | BBCセル SRAM 1.5V 89nsec | 230 |
| 1998年 2月号 | DRAM16Gb対応の微細加工 | 超先端電子技術開発機構 | 日本経済新聞 (1997年12月10日PP.13) | 0.04μm ArFエキシマレーザ ガスエッチング | 160 |
| 1998年 2月号 | FeRAM -究極の半導体メモリー- | NEC 富士通 富士通研 沖電気 | 日本経済新聞 (1997年12月8日PP.19) 日経産業新聞 (1997年12月9日PP.9) 日経産業新聞 (1997年12月14日PP.4) | FeRAM メモリー | 230 |
| 1998年 1月号 | 0.1μm超微細加工技術 | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1997年11月12日PP.5) 電波新聞 (1997年11月12日PP.1) | 4GbDRAM 塩素ガス 2室構造 | 160 |
| 1997年12月号 | 幅0.13μmの微細電極 | NEC | 日経産業新聞 (1997年10月16日PP.5) | プラズマエッチング 4GDRAM | 160 |
| 1997年12月号 | SRAM小型化技術 | 東芝 | 日経産業新聞 (1997年10月15日PP.5) | トンネル効果 3トランジスタ 負性抵抗 NOSトランジスタ SOI構造 0.35μmプロセス 室温動作 | 220 230 |
| 1997年 9月号 | 1GbDRAM -メモリーセル面積4割減- | 東芝 | 日経産業新聞 (1997年7月4日PP.5) | DRAM スタック方式 | 230 |
| 1997年 8月号 | SRAM高集積で新技術 -メモリーセル面積最小に- | 富士通 | 日経産業新聞 (1997年6月10日PP.4) | SRAM メモリーセル 高集積 MPU CSI 高絶縁 | 230 160 220 |
| 1997年 4月号 | 自己診断機能付き1Gbps DRAM | 沖電気 | 日経産業新聞 (1997年2月7日PP.5) 日刊工業新聞 (1997年2月7日PP.9) 電波新聞 (1997年2月7日PP.5) | シンクロナスDRAM テスト機能 | 230 |
| 1997年 4月号 | 256MbpsDRAM | 富士通 | 電波新聞 (1997年2月7日PP.5) | シンクロナスDRAM DLL | 230 |
| 1997年 4月号 | 4GDRAM | NEC | 電波新聞 (1997年2月7日PP.1) 日刊工業新聞 (1997年2月7日PP.1) | DRAM | 230 |
| 1997年 2月号 | 混載LSI向け配線形成技術 | 富士通研 | 日経産業新聞 (1996年12月11日PP.5) 電波新聞 (1996年12月11日PP.5) | プラグ アスペクト比8 ビアホール アルミニウム DRAM MPU | 260 220 230 |
| 1997年 2月号 | SOI DRAM技術 -セル縮小 動作電圧半減- | NEC 三菱電機 | 日経産業新聞 (1996年12月10日PP.5) 電波新聞 (1996年12月10日PP.6) 日刊工業新聞 (1996年12月10日PP.5) | DRAM 厳密な位置合せ不要 0.151μmで0.21μm2のセル SOI 0.9V動作 16Mb セル 動作電圧半減 | 230 |
| 1996年12月号 | 4GbDRAM | NEC | 電波新聞 (1996年10月23日PP.1) | メモリー DRAM | 230 |
| 1996年12月号 | 最高速DSPチップ | 日本ルーセント | 日経産業新聞 (1996年10月9日PP.9) | DSP SRAM | 220 |
| 1996年 8月号 | 高速転送技術 -DRAMと論理回路混戦- | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1996年6月14日PP.11) | DRAM 論理回路 高速転送 | 230 220 |
| 1996年 8月号 | 4GbDRAM用光露光技術 | 富士通 富士通研 東芝 | 電波新聞 (1996年6月12日PP.1) 日経産業新聞 (1996年6月12日PP.5) 日本経済新聞 (1996年6月12日PP.13) 日経産業新聞 (1996年6月14日PP.5) 日経産業新聞 (1996年6月14日PP.14) | メモリー DRAM 露光技術 | 230 260 160 |
| 1996年 7月号 | メモリー多層化に新手法 | NEC | 日経産業新聞 (1996年5月22日PP.5) | メモリー DRAM 多層化 | 230 260 |
| 1996年 5月号 | 32ビットRISC型マイコン-8MbDRAM内蔵- | 三菱電機 | 電波新聞 (1996年3月13日PP.6) | マイコン DRAM | 220 230 |
| 1996年 4月号 | 高速SRAM | 東芝 富士通 | 日経産業新聞 (1996年2月15日PP.5) | SRAM 400～500MHz | 230 |
| 1996年 4月号 | 高集積メモリー -ISSC開幕，LSI閾値制御競う- | 三菱電機 東芝 NEC NTT | 日経産業新聞 (1996年2月9日PP.4) 電波新聞 (1996年2月9日PP.1) 日刊工業新聞 (1996年2月9日PP.6) 日刊工業新聞 (1996年2月9日PP.9) 日刊工業新聞 (1996年2月16日PP.5) 日経産業新聞 (1996年2月19日PP.5) | DRAM 1Gb シンクロナスDRAM 8bADC 1.5V動作 15MSPS 8mW 3揮発性メモリー 1Mb 変調閾値制御 閾値 CMOS DCT ADC | 230 220 660 520 |
| 1996年 4月号 | 超先端電子技術開発機構発足 | NEC 日立製作所 他数十社 | 日刊工業新聞 (1996年2月1日PP.1) | 超先端電子技術開発機構 DRAM ハードディスク 液晶ディスプレイ | 230 250 660 |
| 1996年 2月号 | 新DRAMセル構造 -MPUとDRAMの混載容易に- | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1995年12月12日PP.7) 電波新聞 (1995年12月12日PP.6) | DRAM MPU 裏面配線 セル構造 CMP(研磨平坦化) 多層配線 | 230 160 220 260 |
| 1995年12月号 | 1GbDRAM共同開発 | 東芝 他米4社 | 電波新聞 (1995年10月26日PP.1) | DRAM 1Gb | 230 |
| 1995年 9月号 | 超微細半導体エッチング技術 -0.15μmの超微細加工可能- | 三菱電機 | 電波新聞 (1995年7月13日PP.1) 日経産業新聞 (1995年7月13日PP.5) 日刊工業新聞 (1995年7月13日PP.9) | ガスパフRIE技術 従来0.35μm 1GbDRAMに応用 RIE 0.15μm エッチング | 160 |
| 1995年 8月号 | 高速トランジスタの電極形成技術 -16GbDRAMに対応- | 東芝 | 日経産業新聞 (1995年6月27日PP.5) | トランジスタ電極 ゲート抵抗1/10 | 220 160 |
| 1995年 8月号 | 京都の「LSIシンポジウム」開幕 -DRAMの省電力化- | 東芝 三菱電機 NEC | 日経産業新聞 (1995年6月11日PP.4) | DRAM ビット線の小電力ドライブ手法 | 220 230 |
| 1995年 8月号 | ギガヘルツ対応0.07μmCMOS | NEC | 電波新聞 (1995年6月6日PP.7) 日刊工業新聞 (1995年6月6日PP.9) 日経産業新聞 (1995年6月6日PP.5) | ゲート長0.07μm 低電源電圧1.5V 3.5nm接合 CMOS 遅延時間19.7ps DRAM 16Gbps | 220 520 160 |
| 1995年 4月号 | 1GbDRAM | 日立製作所 | 日本経済新聞 (1995年2月14日PP.13) 日本経済新聞 (1995年2月15日PP.5) 日刊工業新聞 (1995年2月16日PP.5) 日経産業新聞 (1995年2月16日PP.7) | 1GbDRAM 転送レート400Mbps DRAM 1Gb | 230 |
| 1995年 4月号 | 1GbDRAM | NEC | 電波新聞 (1995年2月14日PP.1) 日経産業新聞 (1995年2月14日PP.9) 日刊工業新聞 (1995年2月14日PP.7) 日本経済新聞 (1995年2月14日PP.1) 日本経済新聞 (1995年2月14日PP.13) | '98年サンプル出荷 1GbDRAM 0.25μmCMOSプロセス DRAM 1Gb | 230 |
| 1995年 3月号 | 1GbDRAM用キャパシタ | NEC | 日経産業新聞 (1995年1月5日PP.5) | 1Gb チタン酸ストロンチウム 1GbDRAM 高誘電率薄膜 | 230 130 |
| 1995年 2月号 | 1GbDRAM用超小型トランジスタ | 松下電器産業 三菱電機 | 日経産業新聞 (1994年12月14日PP.5) | 13.1ps/1.5V 1GbDRAM 松下ゲート長:0.05μm 三菱ゲート長:0.15μm 加工技術 | 220 230 160 |
| 1995年 2月号 | 強誘電体メモリーセル | シャープ | 電波新聞 (1994年12月13日PP.1) 日経産業新聞 (1994年12月14日PP.5) | 16Mb DRAM | 230 130 |
| 1995年 2月号 | 1GbDRAMのセル | NEC 日立製作所 | 日経産業新聞 (1994年12月13日PP.5) 電波新聞 (1994年12月13日PP.1) 日刊工業新聞 (1994年12月13日PP.7) 日本工業新聞 (1994年12月13日PP.8) 電波新聞 (1994年12月11日PP.5) | 1GbDRAM 基本単位素子 線幅0.16μm DRAM | 230 220 160 |
| 1995年 2月号 | 世界最高速の省電力MOSトランジスタ | 東芝 | 朝日新聞 (1994年12月9日PP.13) 電波新聞 (1994年12月9日PP.2) 日経産業新聞 (1994年12月9日PP.5) | MOSトランジスタ 膜厚1.5nm 1.5V動作 1～4GbDRAM ゲート長0.09μm 省電力 | 220 |
| 1995年 2月号 | 二酸化ルテニウム電極のエッチング技術 -1ギガビット級DRAMに適用- | NEC | 日経産業新聞 (1994年12月1日PP.5) | エッチング技術 誘電体製キャパシタ DRAM RuO キャパシタ電極 0.2μm/分 | 160 |
| 1994年10月号 | 1Gb以上対応トランジスタ | NEC | 日本工業新聞 (1994年8月16日PP.5) | 0.1μmプロセス DRAM 1GbDRAM以上 トンネル効果を利用 | 220 230 |
| 1994年 9月号 | 光露光で0.13μmレジストパターン実現 | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1994年7月14日PP.7) | 4GbDRAM 0.13μm リソグラフィ 高解像度 LSI | 230 160 |
| 1994年 9月号 | 高速FET -ゲート電極，長さ0.1μm- | NEC | 日経産業新聞 (1994年7月5日PP.5) | 高速FET ゲート電極 長さ0.1μm 従来構造の1.5倍 大容量DRAM | 220 |
| 1994年 8月号 | 1GHzDRAM | NEC | 日経産業新聞 (1994年6月15日PP.5) | DRAM 1Gb 0.15μm | 230 |
| 1994年 8月号 | 高速4MbSRAM -アクセス時間1/10に- | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1994年6月17日PP.1) | DRAM アクセスタイム 4MbSRAM | 230 |
| 1994年 8月号 | 16MbpsDRAM世界最高速を実現 -データ転送ロス時間低減- | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1994年6月14日PP.5) 電波新聞 (1994年6月14日PP.6) | 世界最高の200MHz シンクロナンスDRAM マルチメディア向け DRAM アクセスタイム | 230 |
| 1994年 5月号 | 256MDRAMの開発対応エキシマステッパ出荷 | ニコン | 電波新聞 (1994年3月17日PP.9) | 160 360 | |
| 1994年 4月号 | SOI-DRAM -1.5V～4.0Vで動作実現- | 三菱電機 | 電波新聞 (1994年2月18日PP.3) | DRAM 低電圧駆動 | 230 |
| 1994年 4月号 | 動画記録に最適の256MbDRAM -データ転送速度1.6Gb- | 松下電器産業 | 電波新聞 (1994年2月18日PP.1) 日刊工業新聞 (1994年2月18日PP.7) | 256MDRAM 動画像記憶用 動作速度100MHz DRAM | 220 230 |
| 1994年 3月号 | 256MDRAM商品化 | NEC | 電波新聞 (1994年1月21日PP.1) | DRAM 256Mb | 230 |
| 1994年 2月号 | DRAM用成膜材料 -256Mbps以降に照準- | 同和鉱業 | 日刊工業新聞 (1993年12月20日PP.13) | DRAMのMOCVD用成膜材料 256Mbps以降 バリウム複合材料 | 230 130 |
| 1994年 2月号 | 1GbDRAM -酸化タンタルで容量絶縁膜- | NEC | 日刊工業新聞 (1993年12月16日PP.5) | 酸化タンタル膜 1GbpsDRAM用 | 230 |
| 1994年 2月号 | 高誘電体記憶素子 | 三菱電機 | 電波新聞 (1993年12月9日PP.1) 日経産業新聞 (1993年12月9日PP.4) 日刊工業新聞 (1993年12月9日PP.6) | DRAM BST酸化物 高誘電体メモリー 256MbDRAM | 230 130 |
| 1994年 2月号 | 世界最小MOSトランジスタ -ゲート長世界最小実現- | 東芝 | 電波新聞 (1993年12月3日PP.1) 日経産業新聞 (1993年12月3日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年12月3日PP.7) 日本工業新聞 (1993年12月3日PP.6) | MOSトランジスタ ゲート長0.4μm 超微細加工技術 世界最小 100GbpsのDRAM 1.5V動作 従来ゲート長0.07μm 固層拡散法 | 220 260 |
| 1993年 8月号 | DRAM技術でニューロLSI | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1993年6月29日PP.5) | ニューロ素子 ニューロLSI DRAMプロセス 基本回路試作 | 220 520 230 |
| 1993年 5月号 | 64MbSRAM | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1993年3月3日PP.7) | SRAM メモリーセル セル面積-30% | 230 |
| 1993年 5月号 | SRAM用セル -駆動電流40%減- | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1993年3月2日PP.5) | 駆動電流40%減 | 230 |
| 1993年 4月号 | 256MbDRAM | NEC 東芝 日立製作所 富士通 | 電波新聞 (1993年2月25日PP.1) | 半導体メモリー DRAM | 230 |
| 1993年 2月号 | 1GbDRAM用0.2μm以下の超微細パターン形成技術 | 松下電器産業 | 電波新聞 (1992年12月15日PP.1) 日経産業新聞 (1992年12月15日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年12月15日PP.9) 電波新聞ハイテクノロジ (1992年12月17日PP.1) | ArFエキシマレーザ 1GbDRAM 微細加工技術 | 260 230 |
| 1993年 2月号 | SOIを用いた新タイプのDRAM | ソニー | 日刊工業新聞 (1992年12月15日PP.9) | DRAM SOI 512MbDRAM向け | 220 260 |
| 1993年 2月号 | 256MbDRAM用メモリーセル -世界最小面積を実現- | NEC | 電波新聞 (1992年12月12日PP.1) 日経産業新聞 (1992年12月11日PP.4) | DRAM 微細加工技術 | 230 |
| 1993年 2月号 | 256MbDRAM試作 | 富士通 | 日刊工業新聞 (1992年12月9日PP.7) 日本経済新聞 (1992年12月9日PP.1) | 256MbDRAM 線幅0.2μm フィン型電極コンデンサ | 230 |
| 1993年 2月号 | 1Gb級のDRAM量産に必要な光源にメド | ソルテック | 朝日新聞夕刊 (1992年12月2日PP.9) 日経産業新聞 (1992年12月2日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年12月9日PP.9) | 微細加工技術 | 230 |
| 1992年 8月号 | 世界最小の256MbDRAM | 日立製作所 | 電波新聞 (1992年6月3日PP.7) 電波新聞 (1992年6月3日PP.1) 日経産業新聞 (1992年6月3日PP.6) 日刊工業新聞 (1992年6月3日PP.9) 電波新聞 (1992年6月11日PP.11) ハイテクノロジー (1992年6月11日PP.0) | 0.72μm2 256MDRAM開発可能 | 220 230 |
| 1992年 4月号 | 低電圧動作LSI -1.0V動作SRAM 1.5V動作BiCMOS- | 日立製作所 | 電波新聞 (1992年2月22日PP.6) | LSI SRAM BiCMOS | 220 |
| 1992年 4月号 | 最先端メモリー技術相次ぐ | 日電 東芝 | 電波新聞 (1992年2月19日PP.6) 日経産業新聞 (1992年2月19日PP.8) 日刊工業新聞 (1992年2月19日PP.9) | 日電:64MDRAM 16MSRAM 東芝:5V動作4MフラッシュEEPROM 3.3V動作 MOSRAM | 230 260 |
| 1992年 3月号 | 256メガ級に対応可能なCMOS | 松下電器産業 | 日刊工業新聞 (1992年1月25日PP.1) | CMOS 256MbDRAM | 220 |
| 1992年 2月号 | 次々世代メモリーセル | 日電 | 電波新聞 (1991年12月10日PP.1) 日刊工業新聞 (1991年12月10日PP.9) | 256MbDRAM 6Mbフラッシュメモリー | 230 |
| 1991年11月号 | 極薄絶縁膜形成技術 | 沖電気 | 日経産業新聞 (1991年9月5日PP.5) | 酸窒化シリコン膜，厚さ5nm 256M～1GbDRAM用 | 260 |
| 1991年10月号 | 256MDRAM向き新プロセス技術 | 日立製作所 | 電波新聞 (1991年8月28日PP.9) | 製造プロセス | 260 |
| 1991年 7月号 | 高速64kSRAM -セル面積1/6- | 日立製作所 | 電波新聞 (1991年5月29日PP.7) 日経産業新聞 (1991年5月30日PP.5) | セル面積1/6 アクセス時間1.5ns | 260 |
| 1991年 7月号 | 256MDRAM向け微細配線技術 | 日電 | 日経産業新聞 (1991年5月28日PP.1) | アルミ合金配線0.25μm 口径で深さ1μm │ | 260 |
| 1991年 7月号 | 世界最高速の読出し可能な64MDRAM | 東芝 | 日刊工業新聞 (1991年5月15日PP.11) 電波新聞 (1991年5月15日PP.1) 日経産業新聞 (1991年5月15日PP.8) | 8kbまでのデータを1ブロックとしてシリアルアクセス 9ns/bの読出し速度 3次元構造メモリーセル スタティックカラム | 230 |
| 1991年 7月号 | 米で「マイクロテック2000」構想浮上 | 米国 | 電波新聞 (1991年5月2日PP.5) | 次世代1GbSRAMの開発促進 産管合同による戦略立案 | 250 |
| 1991年 6月号 | 64MDRAM量産へ新技術 | 日電 | 日経産業新聞 (1991年4月24日PP.4) | 64MDRAM 低温処理で凹凸(表面積2倍) エッチング工程不要 | 220 |
| 1991年 4月号 | 世界最高速の64MDRAM -高速アクセス実現- | 東芝 富士通 三菱電機 松下電器産業 | 日刊工業新聞 (1991年2月15日PP.0) 電波新聞 (1991年2月15日PP.0) | DRAM 位相シフトマスク 光露光 64M ISSCC | 230 |
| 1991年 4月号 | 科学計算用LSI -4MDRAM 512KSRAM- | 日電 | 日経産業新聞 (1991年2月14日PP.0) | アクセスタイム17ns アクセスタイム4ns サイクルタイム2ns ベクトル演算処理用LSI | 230 |
| 1991年 4月号 | 4MbBi-CMOS型SRAM | 富士通 | 電波新聞 (1991年2月13日PP.0) | 64kHEMTSRAM 1.2ns 4MSRAM 7ns | 230 |
| 1991年 4月号 | ノントラッキング方式採用のディジタルテープレコーダ | ソニー | 日刊工業新聞 (1991年2月13日PP.0) | ノントラッキング方式郵便切手サイズテープ カセット:3cm×2cm×3mm 往復で120分の記録 1MDRAMで5000個分 超小型テレコ | 330 |
| 1991年 4月号 | HEMT64kbSRAM | 富士通 | 日刊工業新聞 (1991年2月13日PP.0) 電波新聞 (1991年2月13日PP.0) | 常温で1.2nsの世界最高アクセス時間 | 230 |
| 1991年 3月号 | 4MSRAM製品化 | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1991年1月25日PP.0) 電波新聞 (1991年1月25日PP.0) | SRAM製品化 55ns | 220 |
| 1991年 2月号 | 16MSRAM用 メモリーセル | 日立製作所 | 電波新聞 日経産業新聞 (1990年12月12日PP.0) 日経産業新聞 (1990年12月12日PP.0) | 5.9μm2の大きさ 現在試作段階にある4MSRAMに比し集積度1/3に | 230 |
| 1991年 1月号 | ハイビジョン画像大量 蓄積・再生 | 東芝 | 日経産業新聞 (1990年11月21日PP.0) | 4MDRAM×864個 | 330 |
| 1991年 1月号 | 64Mb級DRAMの10nm厚極薄窒化Si膜形成技術 | 沖電気 | 電波新聞 (1990年11月16日PP.0) | 急速加熱法で極薄膜のSiN 純酸素を亜酸化窒素に置き換え | 260 |
| 1990年11月号 | 25KbNV-DRAM | シャープ | 電波新聞 (1990年9月28日PP.0) | 32K×8 チップサイズ4.69×10.92m 120万素子 80ns 52mA/200μA 動作時/スタンバイ時ストア時間10ms 0～70℃で十年以上保持 | 230 |