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| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
| 2017年 7月号 | 次世代メモリー新素材 安価に「スピン液体」作製 | 東北大 英リバプール大 | 日経産業新聞 (2017年4月25日PP.8) 日刊工業新聞 (2017年4月25日PP.29) | スピン液体 フェナントレン 安価な炭化水素分子「フェナンスレン」に電子を導入 | 230 120 |
| 2017年 5月号 | 次世代メモリー 19年量産 | パナソニック | 日本経済新聞 (2017年2月1日PP.12) | 230 | |
| 2017年 4月号 | 抵抗変化メモリーへ挙動 電流ノイズから解明 | 産総研 筑波大 | 日刊工業新聞 (2017年1月16日PP.17) | ReRAM | 酸素欠陥と電気的特性の相関を明らかに 230 |
| 2017年 3月号 | ルネサスエレクトロニクスが初開発 フィン構造SG-MONOSメモリーセル | ルネサスエレクトロニクス | 電波新聞 (2016年12月9日PP.3) | フィン構造 SG-MONOS | 230 |
| 2017年 1月号 | 600℃でも機能維持する不揮発性メモリー素子 600度でも記録保持 | 千葉工大など | 日刊工業新聞 (2016年10月17日PP.16) 日経産業新聞 (2016年10月27日PP.8) | 白金のナノギャップ構造を利用 二つの白金電極をナノレベルの間隔を隔てて並べた 半導体が動作しない高温環境下でも動作 | 230 |
| 2016年12月号 | 光で電気の性質を制御 | 東北大 | 日経産業新聞 (2016年9月2日PP.8) | 高速次世代メモリー スピン | 230 |
| 2016年12月号 | 高密度分子メモリー HDD 容量数百倍 微小な分子を操作 | 東工大 阪大 | 日刊工業新聞 (2016年9月9日PP.25) 日経産業新聞 (2016年9月14日PP.8) | 1平方インチあたり600TB スマネン フラーレン おわん状の微小分子 HDD 大容量 炭素分子 スマネン探針で裏表をひっくり返してデータを記録する | 230 |
| 2016年11月号 | データ分析速度100倍 メモリー活用し並列処理 | 日立 | 日刊工業新聞 (2016年8月4日PP.27) | FPGAの内部メモリーを活用したデータベース管理システム | 420 |
| 2016年11月号 | MRAM素子 薄膜で構成 | 東北大など | 日刊工業新聞 (2016年8月18日PP.1) | 磁気トンネル接合素子の出力を従来比約2倍の200mV メモリー MRAM タングステン | 230 |
| 2016年 9月号 | 消費電力1/100メモリー開発 | 東北大 | 日経産業新聞 (2016年6月15日PP.8) | 省電力化 磁気メモリー CPU IoT スピン | 230 |
| 2016年 9月号 | バイオ由来のメモリー 透明でガラス・眼鏡向け http://www.jaist.ac.jp/whatsnew/press/2016/06/22-1.html | 北陸先端大 | 日刊工業新聞 (2016年6月27日PP.17) | バイオプラスチック 透明 メモリーデバイス | 230 |
| 2016年 6月号 | 記憶速く電流1/5 http://www.tohoku.ac.jp/japanese/2016/03/press20160317-01.html | 東北大 | 日本経済新聞 (2016年3月30日PP.8) | 高速動作 低消費電力 半導体メモリー MRAM | 230 |
| 2016年 5月号 | 世界最高の電力性能 磁性体メモリー回路開発 消費電力10分の1 http://www.toshiba.co.jp/rdc/detail/1602_02.htm | 東芝 東大 | 日刊工業新聞 (2016年2月2日PP.25) 電波新聞 (2016年2月4日PP.3) | STT-MRAM 消費電力 電力性能 ノーマリーオフ 磁性体メモリー 不揮発性メモリー | 230 |
| 2016年 4月号 | 記憶性能2倍を実現する次世代不揮発メモリ技術 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2016年1月11日PP.13) | 19nmの素子サイズのスピントルク書き込み型磁気ランダムアクセスメモリーの実現 | 230 |
| 2016年 3月号 | 「電圧方式」安定動作 MRAM書き込みエラー率実用水準へ http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2015/pr20151210/pr20151210.html | 産総研 | 日刊工業新聞 (2015年12月11日PP.31) | 不揮発性メモリー(MRAM) 電圧書き込み方式 低消費電力 書き込みエラー率 | 230 |
| 2016年 3月号 | ギガフォトン EUV光源で出力100W 24時間安定発光 メモリーなど 量産用EUVスキャナ実現へ前進 | ギガフォトン | 電波新聞 (2015年12月16日PP.3) | EUV光源 プラズマ 固体レーザ | 250 |
| 2016年 2月号 | 磁壁に金属的性質 多値磁気メモリーに道 光で電流「オン・オフ」 | 理研 スタンフォード大 | 日刊工業新聞 (2015年11月3日PP.17) | 銅酸化物半導体 切り替え1ピコ秒以内 磁性絶縁体 磁壁に金属的性質 金属状態の壁の厚さは100?以下 | 120 230 |
| 2016年 2月号 | 容量2テラバイトのディスク 2テラデータ長期保存 ホログラムメモリー開発 http://www.tus.ac.jp/today/20151105000.pdf | 理科大 三菱化学 大日本印刷 | 日経産業新聞 (2015年11月5日PP.8) 日刊工業新聞 (2015年11月5日PP.27) | 2TB ホログラムメモリー DVDの400倍の容量 30年以上の長期信頼性 フォトポリマーディスク DVDと同じサイズの透明ディスク | 230 430 |
| 2016年 2月号 | 超電導オン・オフ転換 低消費電力メモリーに道 http://www.titech.ac.jp/news/2015/032655.html | 東工大 | 日経産業新聞 (2015年11月12日PP.8) | チタン酸リチウムを用いるリチウムイオン電池で 放電時に電気抵抗がゼロの超電導 充電時に常電導に切り替わることを確認 | 120 |
| 2016年 1月号 | 微小磁力で情報書き込み http://www.issp.u-tokyo.ac.jp/issp_wms/DATA/OPTION/relese20151029.pdf | 東大 | 日経産業新聞 (2015年10月29日PP.8) | 半導体メモリーの消費電力の大幅低下につながる新しい磁性現象 MRAM 消費電力1/1000 処理速度1000倍 反強磁性材料 ホール効果 | 120 230 |
| 2015年12月号 | 相変化メモリー高速化 メカニズム解明 http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0720150928eaac.html | 筑波大 産総研 | 日刊工業新聞 (2015年9月28日PP.22) | 相変化メモリー 動作を高速化 格子振動(フォノン)の振動 振幅を約100フェムト秒で操作 高速スイッチング相変化 | 230 |
| 2015年 7月号 | 暗号通信構築しやすく 光だけで長距離通信 http://www.ntt.co.jp/news2015/1504/150415a.html | NTT トロント大 | 日刊工業新聞 (2015年4月16日PP.23) 日経産業新聞 (2015年4月20日PP.11) | 量子暗号通信 記憶素子不要 量子中継で必要とされていた量子メモリー不要，中継器の中で量子もつれの生成に必要な状態を準備した上で量子演算を行い，その後に量子も連れを生成する「時間反転」方式 | 440 |
| 2015年 6月号 | 毎秒2億コマ撮影のCMOSセンサ http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0720150304eaal.html | 静岡大 | 日刊工業新聞 (2015年3月4日PP.21) | 現行品の100倍の速度，多眼レンズを採用 撮像部がメモリーを兼ねる構造， | 210 |
| 2015年 5月号 | SSD高速読み出し技術 | 中央大 | 日刊工業新聞 (2015年2月26日PP.21) | フラッシュメモリー セル干渉補正 セル劣化に応じた読出しレベル変更 高速化(6倍)・高信頼化(5倍) | 230 |
| 2015年 2月号 | 磁性体に光の偏光状態を記録・読み出しすることに成功 http://www.kyushu-u.ac.jp/pressrelease/2014/2014_11_14_2.pdf | 九大，東大，JST | 日経産業新聞 (2014年11月26日PP.10) | イットリウム，マンガンの磁性体，偏光と呼ぶ光の進み方の違いを磁性体に記録，大量のデータを高速で保存，磁化振動モード，偏光自由度，多重度・偏光メモリー，YMnO3 | 120 130 |
| 2015年 1月号 | 16ギガバイトNAND型フラッシュメモリー http://www.toshiba.co.jp/about/press/2014_10/pr_j0202.htm | 東芝 | 日刊工業新聞 (2014年10月3日PP.8) | 回路線幅15nmのNANDチップ搭載，従来比約26%小型化，スマートフォンやタブレット向け，コントローラ一体型 | 230 |
| 2014年10月号 | 厚さ4μmのDRAM基板 | 東工大 | 日経産業新聞 (2014年7月2日PP.10) | DRAM基板の厚さを従来比1/200に。同体積で200倍の容量を持ち1/100の消費電力で動く3次元メモリーが実現可能 | 230 |
| 2014年10月号 | SSD向け新型相変化メモリー | LEAP 名大 | 日刊工業新聞 (2014年7月17日PP.22) | 相補型金属酸化膜半導体基板上で世界初試作 超格子材料を使用 | 従来比半分以下の動作電圧2V 60%減の低消費電力 不揮発性メモリーとして機能 130 230 |
| 2014年 9月号 | 半導体チップを低コストで積層する技術の開発 | 慶応大 | 日経産業新聞 (2014年6月12日PP.7) | 磁力線を使いプロセッサやメモリーを磁力線により非接触接続 製造コスト40%減 低消費電力 44GB | 220 260 |
| 2014年 9月号 | SSDエラー80%削減 | 中央大 | 日刊工業新聞 (2014年6月18日PP.30) | SSD メモリーエラー 1000年保存 3ビット/セルを記録するフラッシュメモリー 新しい信号変調方式 | 230 |
| 2014年 8月号 | 片面256GBのデータアーカイブ用光ディスクを開発 | パイオニア メモリーテック | 電波新聞 (2014年5月14日PP.1) | ガイド層分離型多層ディスク構造 記録層片面8層 BDドライブとの共用可能 | 230 |
| 2014年 8月号 | 低消費電力の光メモリーを開発 | NTT | 日本経済新聞 (2014年5月27日PP.15) | フォトニック結晶 光ナノ共振器 100bitを集積 | 120 230 |
| 2014年 5月号 | ReRAMをフラッシュメモリーに用いたSSD用コントローラー | 中央大 | 日刊工業新聞 (2014年2月19日PP.21) | ハイブリッドSSD向け誤り訂正機能開発，書き込み時間500ns高速 ReRAMの書込条件を最適制御 エラー80%削減 | 230 520 |
| 2014年 3月号 | 省電力次世代メモリー「IGZO」で1/10に | 半導体エネ研 | 日本経済新聞 (2013年12月24日PP.11) | IGZO | 230 |
| 2012年 9月号 | Co薄膜によるメモリー技術 | 京大 | 日経産業新聞 (2012年6月7日PP.11) | 磁壁 数10nm～数100nm 磁壁移動によりメモリー記録 | 130 |
| 2012年 7月号 | 動作寿命10年間のMRAM | 超低電圧デバイス技術研究組合 | 日刊工業新聞 (2012年4月17日PP.20) | MTJ素子のトンネル絶縁膜層を分割して作成 0.5V以下の低い電圧で10年間安定動作 MRAM混載LSI 低消費電力 次世代の不揮発性磁気メモリー | 230 |
| 2012年 5月号 | 裸眼3次元画像の広角度表示技術 | 豊橋技科大 | 日刊工業新聞 (2012年2月16日PP.19) | Fe-Tbの垂直磁化膜 厚さ数十nm 左右15°の視野で裸眼閲覧可能 FeとTbの合金による磁性薄膜とnmサイズの光メモリー用磁気記録ビットを再生画素に利用 | 450 250 |
| 2012年 5月号 | 低消費電力で光通信を実現する光メモリー | NTT | 日経産業新聞 (2012年2月27日PP.11) | In | Ga製のフォトニック結晶を材料に使用 長さ10μm 動作に必要な電力30nW 40Gbpsで光信号を送信 一時保存と読出しが可能 220 240 |
| 2012年 4月号 | 12個の原子で1ビットの情報を記録できる小型磁気メモリー | IBM | 電波新聞 (2012年1月17日PP.2) | 反強磁性構造 超低温下 記録密度は現行HDDの約100倍 | 230 |
| 2012年 1月号 | 量子メモリーの原理実験に成功 | NTT 阪大 国立情報学研 | 日刊工業新聞 (2011年10月13日PP.21) 日経産業新聞 (2011年10月13日PP.11) | 量子もつれ振動を制御 量子メモリー ダイヤモンド基板と超電導の量子ビットを組み合わせたハイブリッドの量子状態 | 220 230 120 |
| 2012年 1月号 | 相変化メモリーが常温で巨大磁気抵抗効果 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2011年10月17日PP.19) | Ge-Te合金とSb-Te合金の薄膜を配向軸をそろえて積層 超格子型相変化膜 室温から約150℃で200%超の磁気抵抗効果 MRAM | 120 230 |
| 2011年11月号 | たんぱくでナノ粒子3次元配置 | 奈良先端大 | 日刊工業新聞 (2011年8月8日PP.15) | たんぱく質を使うバイオ技術で作製した高密度の均一なナノ粒子を含む3次元の蓄積電極メモリーを動作 | 130 |
| 2011年10月号 | 容量・転送速度200倍のホログラムメモリー | 北大 | 日経産業新聞 (2011年7月21日PP.11) | 信号光のみで参照光を使わずにホログラムメモリーを構築する自己参照型 | 430 |
| 2011年 9月号 | 待機電力0のメモリー | 東北大 NEC | 日経産業新聞 (2011年6月14日PP.9) | スピントロニクスを使う不揮発性メモリー | 230 120 |
| 2011年 4月号 | 低電力で磁場を制御可能な現象を常温でも発見 | 東大 JST 物材機構 理化学研 | 日経産業新聞 (2011年1月4日PP.10) | 鉄合金内にnmの磁気の渦巻き スキルミオン結晶 磁気メモリーの低電力化 2℃で確認 | 120 230 |
| 2010年 9月号 | 6Gbpsでデータ伝送可能な非接触メモリカード | 東大 慶応大 東芝 | 日刊工業新聞 (2010年6月21日PP.18) | 従来メモリーカード比7.5倍の伝送容量 電力伝送効率を従来比2倍以上の10% フラッシュメモリーの数24個 書込み速度60%向上 | 340 230 |
| 2010年 3月号 | スピンMOSトランジスタの基本技術 | 東芝 | 電波新聞 (2009年12月9日PP.1) | 電子スピン ロジックLSI メモリー機能 磁気トンネル接合 スピン注入磁化反転 | 230 |
| 2010年 3月号 | 折り曲げ可能な低電圧の有機フラッシュメモリー | 東大 独マックスプランク研 | 日刊工業新聞 (2009年12月11日PP.24) 日経産業新聞 (2009年12月11日PP.11) | 駆動電圧1/2の不揮発性メモリー ゲート絶縁膜に薄い単分子膜 書込み電圧6V 読出し電圧1V 脂肪族リン酸系の材料を使った絶縁膜 | 120 160 230 210 |
| 2010年 2月号 | 光3色を使ったホログラフィック光メモリー | 日本女子大 | 日経産業新聞 (2009年11月2日PP.11) | 記憶容量3倍以上 直径50μmの光ファイバを4万本束ねたファイババンドル | 230 |
| 2009年10月号 | 量子情報の保存を最長にする暗号通信向け技術 | 情報学研 | 日刊工業新聞 (2009年7月3日PP.22) | 半導体量子メモリー 7μ秒のコヒーレンス時間で量子情報転写 光パルススピンエコー コヒーレンス時間従来比7000倍 | 120 230 |
| 2009年10月号 | SRAMの駆動電圧均一化 | 東大 | 日経産業新聞 (2009年7月13日PP.10) | 回路線幅65nm以降のメモリー 製造後のSRAMにいったん大きな電圧をかけ素子の性能を修復 | 230 |
| 2009年 9月号 | 電子の自転向き制御技術
-新型メモリー実現に道- | 東北大 | 日経産業新聞 (2009年6月5日PP.11) | トランジスタ 高速 低消費電力 スピン 不揮発メモリー インジウムガリウムヒ素を1μm以下の幅の細線構造に加工 スピンの寿命を10～65倍に 半導体素子 | 120 |
| 2009年 6月号 | 酸化ニッケルのナノワイヤでReRAMを製作 | 阪大 | 日刊工業新聞 (2009年3月19日PP.24) 日経産業新聞 (2009年3月19日PP.10) | 50nm以下抵抗変化型不揮発メモリー オンオフ比ニッケル薄膜より100倍高い ナノ-ピコA程度で動作 直径10～20nm 長さ10～20μm | 160 230 |
| 2009年 6月号 | 明るさ1.5倍のカラー電子ペーパ | リコー 山田化学工業 | 日経産業新聞 (2009年3月26日PP.1) | エレクトロクロミック化合物 メモリー特性 表現できる色の範囲5倍以上 基板と透明電極の枚数が従来方式の半分以下 CMY三食それぞれの発色層と透明電極を重ねたものを絶縁層で区切る | 120 250 |
| 2009年 5月号 | 印刷でメモリー作製 | 日産化学工業 九大 | 日経産業新聞 (2009年2月10日PP.1) | ポリスチレン系樹脂 金の超微粒子 記録密度2.5kb/cm2 | 120 230 |
| 2009年 5月号 | 大きさ1/8のSSD
-半導体チップを立体的に積層- | 慶応大 | 日経産業新聞 (2009年2月16日PP.11) | 半導体チップ間を無線で通信 電磁誘導 NANDフラッシュメモリーを6枚積層 消費電力1/2 通信回路の大きさ1/40 | 230 260 |
| 2008年 8月号 | フォトニック結晶を用いた光ビットメモリー | NTT | 電波新聞 (2008年5月8日PP.5) | 最長150nsのメモリー持続時間 InGaAsP バイアス光パワーが最低40μW 結晶の厚さが200nm 直径200nmの空気穴を420nmの周期で三角格子状に配置 | 120 230 |
| 2008年 7月号 | 持続時間60倍の光メモリー | NTT | 日刊工業新聞 (2008年4月25日PP.26) | InGaAsP 持続時間最大150ns 厚さ200nmの半導体結晶に直径200nmの空気穴を420nm周期で三角格子状に配置 Q値13万 | 120 |
| 2008年 5月号 | ダイナミックレンジ140dBのMOSイメージセンサ | 松下電器 | 日経産業新聞 (2008年2月6日PP.7) | 露光時間を変えた3枚の画像を画素単位で合成出力 一つのメモリー素子で高速制御 ほぼリアルタイムで処理 | 210 |
| 2008年 4月号 | 通信速度が250倍の赤外線通信技術
-CDアルバムの無線転送1秒で- | KDDI研 | 日経産業新聞 (2008年1月8日PP.1) | 1Gbpsの近距離通信 半導体レーザ 通信距離数cm データ損失を高精度で認識・再送する通信プロトコル 不揮発メモリー | 440 |
| 2008年 3月号 | 15nmNANDフラッシュメモリー用基本素子を試作 | 東芝 | 日経産業新聞 (2007年12月13日PP.12) 日本経済新聞 (2007年12月13日PP.12) | 100Gb級の集積度 フローティングゲートを挟む酸化膜を極薄化 微細化しても高速書込みと長期記録保持可能 | 160 230 |
| 2008年 3月号 | ギガビット級のMRAM | 日立 東北大 | 日経産業新聞 (2007年12月20日PP.1) | 記録層を2層に増やす スピン注入方式 積層フェリ構造 コバルト鉄ボロン ルテニウム 回路線幅45nm 小型メモリー素子 長期間保持 | 230 |
| 2008年 3月号 | 酸化鉄でReRAM素子 | 松下電器 | 日経産業新聞 (2007年12月26日PP.9) | 不揮発性メモリー 相転移 電気抵抗が最大10の5乗まで変化 180nmプロセス 書き換え耐性3万回以上 抵抗変化式メモリー 10nsで書込み可能 データ保持時間2000時間 | 120 230 160 |
| 2008年 2月号 | 高密度な光メモリー基本素子を作成 | 東大 | 日本経済新聞 (2007年11月19日PP.19) | フラッシュメモリーの一万倍の記録密度 近接場光 GaAs基板に径5～50nmの量子ドットを埋め込む 理論記録密度は10の15乗bit/inch2 | 120 160 230 |
| 2007年11月号 | 書込み速度10倍のフラッシュメモリー | 東工大 | 日経産業新聞 (2007年8月21日PP.10) | 電圧は1/3 NAND型フラッシュメモリー ハイK 人工分極積層 | 230 |
| 2007年 7月号 | 600GBの100層光ディスク | イスラエルメンパイル メモリーテック | 日経産業新聞 (2007年4月5日PP.1) | 焦点調整 蛍光を感知 記録層1枚の厚さ5μm 焦点を結んだ部分以外の光を透過 | 230 |
| 2007年 3月号 | ハイビジョン放送を1500時間保存可能な次世代メモリー | パイオニア 東北大 | 日本経済新聞 (2006年12月15日PP.17) | 切手大のサイズ換算で10Tb以上の情報を記録 強誘電体プローブメモリー | 230 |
| 2007年 2月号 | 持ち運び可能な音声合成装置 | 日立 | 日本経済新聞 (2006年11月4日PP.11) | パソコンにUSBメモリーを接続すればメールの着信や内容を音声で読み上げ可能 | |
| 2006年11月号 | 証拠保存技術 -PC利用履歴を簡単保存- | 東京電機大 | 日経産業新聞 (2006年8月10日PP.7) | PCの操作情報を圧縮してUSBメモリーに保存 電子署名 | 320 620 |
| 2006年 9月号 | 次世代メモリー「MRAM」 -電流値1/10に微細化可能- | ソニー | 日本経済新聞 (2006年6月2日PP.15) | 磁性記録式随時書込み読出しメモリーの高集積化技術 電流の方向による書込み方式 試作4kbit | 230 |
| 2006年 9月号 | 強度2倍層間絶縁膜 -50nm世代メモリー向け- | 日立 日立化成 | 日刊工業新聞 (2006年6月13日PP.27) | 塗布型 強固な分子構造 耐熱性800℃ 比誘電率2.4 薬品耐性向上 平坦性維持 | 160 |
| 2006年 7月号 | 次世代半導体メモリー -蓄積電荷5倍の新材料を開発- | 東工大 富士通 | 日経産業新聞 (2006年4月3日PP.17) | FeRAM ビスマスフェライト(BFO)に微量のMnを加えた新材料 65nmまで微細化可能 | 120 230 |
| 2006年 7月号 | 折り曲げ自在な次世代メモリー | セイコーエプソン | 日本経済新聞 (2006年4月4日PP.13) | FeRAM 電子ペーパー ICタグ フッ素系ポリマー 厚さ0.1mmのプラスチック基板上 | 120 230 |
| 2006年 7月号 | 書き込み速度1000倍の次世代メモリー | 静大 シャープ | 日経産業新聞 (2006年4月7日PP.1) | RRAM(抵抗式随時書込み読出しメモリー) TiNを活用 読出し時間20ns/bit 既存施設の利用可能 TiNの表面にTiO2薄膜 2V程度の電圧による抵抗値の変化利用 | 120 160 230 |
| 2006年 6月号 | 不揮発性強誘電体メモリー(FeRAM)新材料 -記憶保持能力を5倍に- | 東工大 富士通 富士通研 | 日刊工業新聞 (2006年3月24日PP.33) | ビスマスフェライト(BFO)にMnを加えて漏れ電流低減 65nm世代で256MB実現 | 120 230 |
| 2006年 5月号 | 超小型メモリーカード -メモリースティックマイクロ- | ソニー 米サンディスク | 日経産業新聞 (2006年2月7日PP.9) | 最大1GB 厚さ1.2mm 縦15mm 横12.5mm | 230 |
| 2006年 5月号 | 最高速アクセス実現のDDR-ⅢSDRAM回路技術 | エルピーダメモリ | 日刊工業新聞 (2006年2月8日PP.23) | アクセス時間8.13ns 1.5Vで1.67Gbpsの最速転送 メモリーアレイからデータを時分割でバッファ回路に転送 動作余裕を確保するカウンタ回路 最大入力クロック入力800MHz | 220 |
| 2006年 5月号 | たんぱく質で半導体メモリー | 奈良先端大 松下電器 | 日刊工業新聞 (2006年2月9日PP.27) | 不揮発性半導体メモリー フローティングゲートにフェリチンを利用した直径7nmのCoOナノ粒子 フェリチンの外径13nm | 120 220 230 |
| 2006年 3月号 | 印刷によりプラスチック基板上にメモリー素子作製 | 産総研 | 電波新聞 (2005年12月26日PP.5) | 全印刷フレキシブルデバイス FeFET 3×3アレイ 生体高分子材料 | 120 160 230 |
| 2006年 2月号 | 次世代光メモリー「RRAM」 -既存の電子材料- | NTT | 日経産業新聞 (2005年11月21日PP.10) | 抵抗式随時書き込み読み出しメモリー Bi4Ti3012の30～50nmの薄膜を電極で挟む ECRスパッタ法を利用 | 120 160 230 |
| 2006年 1月号 | 次世代メモリーPRAM | 日立 ルネサステクノロジ | 日経産業新聞 (2005年10月6日PP.1) | 1.5Vでデータの読み書き可能 厚さ100nmの薄膜をMOSトランジスタ上に配線 | 230 160 |
| 2006年 1月号 | 超高速メモリー基本素子 | 産総研 | 日経産業新聞 (2005年10月20日PP.12) | 磁気抵抗効果 LaとSrとMnからなる酸化物 絶対温度10℃で動作 磁場を加えると抵抗値が大きく低下 | 120 230 |
| 2005年12月号 | 16Gbフラッシュメモリー | サムスン電子 | 日経産業新聞 (2005年9月13日PP.3) | 回路線幅50nm フラッシュメモリー | 230 |
| 2005年10月号 | メモリーモジュール間を光で -サーバ用拡張メモリー- | 富士ゼロックス | 日経産業新聞 (2005年7月14日PP.1) | 光信号を多方向に拡散する光学樹脂 ポリオレフィン 光シートバス 試作品16GB 2.5GB/sec | 120 240 440 |
| 2005年 8月号 | メモリー性液晶 | シチズン | 日刊工業新聞 (2005年5月9日PP.1) | 2枚のガラス基板に独自の配向膜を形成 ガラス基板のギャップ2μm以下 パッシブマトリクス方式 駆動電圧5V | 250 |
| 2005年 7月号 | 次世代磁気メモリー -消費電力同じで1万倍高速- | 東北大 日立 | 電波新聞 (2005年4月5日PP.1) 日刊工業新聞 (2005年4月5日PP.23) | MgOの絶縁膜をBを含むCoFe膜2枚で挟む 室温で磁気抵抗比287% 1Gb級MRAMに道 スパッタ法 TMR素子 | 120 230 |
| 2005年 3月号 | 現行DVDとHD DVDを1枚で収録再生 | 東芝 メモリーテック | 日経産業新聞 (2004年12月8日PP.5) | 2層構造 | 160 230 530 |
| 2005年 3月号 | トンネル絶縁膜厚さ2.7nmのフラッシュメモリー -二重接合技術で実現- | 東芝 | 日刊工業新聞 (2004年12月17日PP.33) | 1nmの2枚のシリコン酸化膜で2nm径のシリコン微結晶をサンドウィッチ クーロンブロッケード効果 単一電子素子 | 160 230 |
| 2005年 2月号 | 積層型3次元LSIを量産 -次世代機器向け用途開拓- | 東北大 ザイキューブ | 日刊工業新聞 (2004年11月16日PP.25) | センサチップ・アナログLSI・論理LSI・CPU・メモリーなどを積層 トレンチ溝 マイクロバンプ電極 膜の厚さ数十nm～数百μm トレンチ溝直径500nm～数μm | 160 |
| 2004年11月号 | 世界最速の浮動小数点演算用LSI | 理化学研 日立 | 日刊工業新聞 (2004年8月23日PP.21) | 浮動小数点演算230GFLOPS ブロードキャストメモリーアーキテクチャ MDGRAPE-3チップ 分子動力学計算 | 220 |
| 2004年 9月号 | メモリーのDRAM新技術 -DRAM読出し時間を大幅短縮- | エルピーダメモリ | 日経産業新聞 (2004年6月29日PP.13) | 1ビット当たり二つのメモリーセル 読出し時間6ns以下 センスアンプの感度を1.7倍 | 230 |
| 2004年 8月号 | 磁気不揮発メモリー素子 -従来の1/100の電流で動作- | 東北大 | 日刊工業新聞 (2004年5月10日PP.21) 日経産業新聞 (2004年5月10日PP.7) | スピン素子 MRAM RuとCo90Fe10合金の二層構造 必要電流2×106A/㎝2 | 230 160 |
| 2004年 7月号 | スピンメモリー -電流のみで磁化反転- | 東北大 | 日経産業新聞 (2004年4月1日PP.9) 日刊工業新聞 (2004年4月1日PP.29) | 強磁性半導体 MRAM 従来より2～3桁少ない電流 Ga・AsにMn添加 -193℃ | 120 230 |
| 2004年 7月号 | 単電子メモリーの新型素子 -1個の記憶容量5倍- 図使用 | NTT | 日経産業新聞 (2004年4月26日PP.9) | 単電子転送メモリー 配線幅35nm 動作温度-247℃ | 160 230 |
| 2004年 6月号 | スピンエレクトロニクスメモリー素子 | 東北大 | 日経産業新聞 (2004年3月22日PP.9) | TiO2にCo添加 MRAM | 230 |
| 2004年 5月号 | ホログラム応用の光メモリー | NTT | 日経産業新聞 (2004年2月13日PP.7) 日刊工業新聞 (2004年2月13日PP.28) 日本経済新聞 (2004年2月13日PP.17) | ホログラムの光学像 薄膜ホログラム インフォ･マイカ 切手サイズに1GB | 230 330 430 |
| 2004年 4月号 | 光メモリー -蛍光現象使い情報記録- | 東大 化学技術戦略推進機構 | 日経産業新聞 (2004年1月21日PP.8) | 半導体微粒子に紫外線照射 容量DVDの25倍 CdSe 記憶容量5値で100Gbpi | 120 130 |
| 2004年 4月号 | 業界最多の9層積層MCP | 東芝 | 日経産業新聞 (2004年1月22日) | チップ一枚70μm パッケージの厚さは最薄で1.4mm 5種類のメモリーの組合せ可能 | 260 |
| 2003年12月号 | 1T型メモリー用強誘電体材料 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2003年9月9日PP.1) | Trの上に強誘電体を一体化 (Y | Yb)MnO3(下付)薄膜 漏れ電流密度10-8(上付)/cm2(上付)以下 分極保持特性105(上付)/s以上 テｰﾗｰドﾘキｯド法 120 |
| 2003年10月号 | 半導体スピンメモリー -電界アシストで書込み- | 東北大 | 日刊工業新聞 (2003年7月11日PP.5) 日経産業新聞 (2003年7月11日PP.7) | MIS型FET Mn添加のInAs 書込み磁力を大幅低減 | 230 |
| 2003年 9月号 | 超電導物質のメモリー素子 | 横国大 名大 超伝導工学研 通信総研 | 日経産業新聞 (2003年6月12日PP.7) | 半導体素子の10倍の速度 応答時間2～3ps 単一磁束量子回路 | 220 230 |
| 2003年 9月号 | 線幅90nmのフラッシュメモリー回路 | 東芝 米サンディスク | 日経産業新聞 (2003年6月12日) | 線幅90nm 2GbのNANDフラッシュメモリー用回路 | 230 |
| 2003年 9月号 | 新概念のメモリーセル | 日立 | 日刊工業新聞 (2003年6月17日PP.1) | MIM 2素子型メモリーセル 低電圧動作 | 230 160 340 |
| 2003年 8月号 | 高感度・超高速3板式カラーカメラ | NHK 近畿大 島津製作所 日立国際電気 | 電波新聞 (2003年5月3日PP.3) 日経産業新聞 (2003年5月14日PP.9) | 8万画素CCD 各画素に映像記録メモリーが直結 ISO2000相当の感度 1MFPSまで可 | 210 310 |
| 2003年 7月号 | 不揮発メモリー -絶縁膜にアルミナ採用- | 富士通研 | 日本工業新聞 (2003年4月3日PP.2) | ミラーフラッシュ 2b/セル記録 | 230 |
| 2007年 3月号 | ハイビジョン放送を1500時間保存可能な次世代メモリー | パイオニア 東北大 | 日本経済新聞 (2006年12月15日PP.17) | 切手大のサイズ換算で10Tb以上の情報を記録 強誘電体プローブメモリー | 230 |
| 2007年 2月号 | 持ち運び可能な音声合成装置 | 日立 | 日本経済新聞 (2006年11月4日PP.11) | パソコンにUSBメモリーを接続すればメールの着信や内容を音声で読み上げ可能 | |
| 2006年11月号 | 証拠保存技術 -PC利用履歴を簡単保存- | 東京電機大 | 日経産業新聞 (2006年8月10日PP.7) | PCの操作情報を圧縮してUSBメモリーに保存 電子署名 | 320 620 |
| 2006年 9月号 | 次世代メモリー「MRAM」 -電流値1/10に微細化可能- | ソニー | 日本経済新聞 (2006年6月2日PP.15) | 磁性記録式随時書込み読出しメモリーの高集積化技術 電流の方向による書込み方式 試作4kbit | 230 |
| 2006年 9月号 | 強度2倍層間絶縁膜 -50nm世代メモリー向け- | 日立 日立化成 | 日刊工業新聞 (2006年6月13日PP.27) | 塗布型 強固な分子構造 耐熱性800℃ 比誘電率2.4 薬品耐性向上 平坦性維持 | 160 |
| 2006年 7月号 | 次世代半導体メモリー -蓄積電荷5倍の新材料を開発- | 東工大 富士通 | 日経産業新聞 (2006年4月3日PP.17) | FeRAM ビスマスフェライト(BFO)に微量のMnを加えた新材料 65nmまで微細化可能 | 120 230 |
| 2006年 7月号 | 折り曲げ自在な次世代メモリー | セイコーエプソン | 日本経済新聞 (2006年4月4日PP.13) | FeRAM 電子ペーパー ICタグ フッ素系ポリマー 厚さ0.1mmのプラスチック基板上 | 120 230 |
| 2006年 7月号 | 書き込み速度1000倍の次世代メモリー | 静大 シャープ | 日経産業新聞 (2006年4月7日PP.1) | RRAM(抵抗式随時書込み読出しメモリー) TiNを活用 読出し時間20ns/bit 既存施設の利用可能 TiNの表面にTiO2薄膜 2V程度の電圧による抵抗値の変化利用 | 120 160 230 |
| 2006年 6月号 | 不揮発性強誘電体メモリー(FeRAM)新材料 -記憶保持能力を5倍に- | 東工大 富士通 富士通研 | 日刊工業新聞 (2006年3月24日PP.33) | ビスマスフェライト(BFO)にMnを加えて漏れ電流低減 65nm世代で256MB実現 | 120 230 |
| 2006年 5月号 | 超小型メモリーカード -メモリースティックマイクロ- | ソニー 米サンディスク | 日経産業新聞 (2006年2月7日PP.9) | 最大1GB 厚さ1.2mm 縦15mm 横12.5mm | 230 |
| 2006年 5月号 | 最高速アクセス実現のDDR-ⅢSDRAM回路技術 | エルピーダメモリ | 日刊工業新聞 (2006年2月8日PP.23) | アクセス時間8.13ns 1.5Vで1.67Gbpsの最速転送 メモリーアレイからデータを時分割でバッファ回路に転送 動作余裕を確保するカウンタ回路 最大入力クロック入力800MHz | 220 |
| 2006年 5月号 | たんぱく質で半導体メモリー | 奈良先端大 松下電器 | 日刊工業新聞 (2006年2月9日PP.27) | 不揮発性半導体メモリー フローティングゲートにフェリチンを利用した直径7nmのCoOナノ粒子 フェリチンの外径13nm | 120 220 230 |
| 2003年 6月号 | 強誘電体メモリー -BLTで1Gb級に道- | 東工大 新機能素子研究開発協会 | 日刊工業新聞 (2003年3月4日PP.4) | ビスマス･ランタン・チタン酸化物(BLT)を低温焼成 残留分極値27μC/cm2 | 130 230 |
| 2003年 6月号 | 低消費電力メモリー -情報読出し正確に- | NEC | 日本経済新聞 (2003年3月7日PP.17) | MRAM 記録速度20-100Mbps 記憶容量512kb | 230 |
| 2003年 4月号 | 速度100倍の新型メモリー | シャープ | 日経産業新聞 (2003年1月15日PP.3) | 不揮発性メモリー モバイル機器向け 電気抵抗の変化が10～1000倍 電気抵抗値メモリー材料 | 130 230 |
| 2003年 3月号 | DRAM混載システムLSI -65nm世代プロセス- | 東芝 ソニー | 日刊工業新聞 (2002年12月4日PP.8) 電波新聞 (2002年12月4日PP.1) | SoC向け スイッチング速度0.72ps(NMOS) 1.41ps(PMOS) 0.6μm;2のメモリーセル | 220 230 160 |
| 2003年 3月号 | ICカード用メモリー材料 | 理科大 | 日経産業新聞 (2002年12月13日PP.10) | FeRAM用 100kV/cm電解 8μC/cm2 | 130 |
| 2003年 3月号 | 単一分子光メモリー -DVDの100万倍の記録密度- | JST | 日刊工業新聞 (2002年12月19日PP.4) 日経産業新聞 (2002年12月25日PP.10) | ジアリールエテン フォトクロミック分子 | 130 |
| 2003年 2月号 | 光で結晶変化する分子 -新記録材料に- | 九大 | 日刊工業新聞 (2002年11月14日PP.5) | ジアリールエテン分子 フォトクロミック材料 3次元光メモリー 数十nm単位の有機化合物 | 120 130 |
| 2003年 2月号 | ネマチック液晶デバイス -消費電力さらに低減- | 科学技術振興事業団 | 日刊工業新聞 (2002年11月14日PP.4) | 3安定性液晶デバイス ナノラビング 多重安定メモリー性のあるネマチック液晶デバイス | 250 |
| 2002年12月号 | ホログラフィックメモリーの暗号化技術 | 東大 米コネチカット大 | 日刊工業新聞 (2002年9月12日PP.11) | 光学的暗号化 ランダム位相マスク | 230 |
| 2002年11月号 | 紫外線でSBT薄膜の結晶構造を制御 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2002年8月20日PP.1) | 強誘電体メモリー 化学溶液法製膜プロセス | 160 230 |
| 2002年11月号 | 低温で液晶用酸化膜作成技術 | 産総研 明電舎 | 日経産業新聞 (2002年8月30日PP.11) | 高精細液晶表示板 フラッシュメモリー生産の基盤技術 温度400℃ 赤外線ランプ オゾン | 160 |
| 2002年10月号 | ホログラフィックメモリー -DVD200枚分記録 書換え自在に- | 富士ゼロックス | 日本工業新聞 (2002年7月24日PP.1) | ホログラフィックメモリー 高分子の並び方で記録 演算機能 ポリエステル系高分子 | 230 |
| 2002年10月号 | 電流 一定方向に電子の自転利用の新素子 | 東大 NTT JST | 日経産業新聞 (2002年7月26日PP.13) 日刊工業新聞 (2002年7月26日PP.5) | 単一スピンダイオード スピンメモリー 量子コンピュータの出力装置 スピンデバイス 直径0.5μm長さ0.5μmの円筒状 GaAs GaInAs 極低温 電圧2～6mVで0.1nA | 220 230 |
| 2002年10月号 | 携帯向け液晶 -静止画の消費電力1/30- | 三洋電機 | 日経産業新聞 (2002年7月26日PP.17) | 静止画は表示部内蔵メモリーを利用 表示色数は動画時64万色・静止画時8色 1～2mW →0.07mW | 250 420 |
| 2002年 9月号 | 3次元メモリー -角砂糖大に1TB記録- | 大阪大 | 日経産業新聞 (2002年6月13日PP.1) | 3次元多層光メモリー | 230 |
| 2002年 8月号 | 64Mbフラッシュメモリー | 富士通 米AMD | 日経産業新聞 (2002年5月20日PP.6) | 1つの記憶回路に2つの電子保持領域 NOR型 ミラーフラッシュ | 230 |
| 2002年 7月号 | AND型フラッシュメモリー | 日立 | 日経産業新聞 (2002年4月3日PP.7) | メモリー管理機能・誤り訂正回路内蔵 128Mb | 230 |
| 2002年 7月号 | 次世代メモリーMRAM -1Gb以上に- | 産総研 | 日本経済新聞 (2002年4月26日PP.17) 日刊工業新聞 (2002年4月26日PP.5) | 抵抗値変化幅従来の3倍 厚さ1nmのFe単結晶薄膜 TMR素子をシリコンLSI上に作製 | 210 230 |
| 2002年 6月号 | 単電子素子を用いた多値動作メモリー | NEC | 日刊工業新聞 (2002年3月5日PP.1) | 単電子素子11値の多値メモリー SET -269℃での動作確認 二重ゲート構造 | 230 |
| 2002年 5月号 | 集積回路の停電力化技術 ISSCC2002で発表 -低消費電力化技術- (No5 7と合わせる) | 日立 | 日刊工業新聞 (2002年2月5日PP.10) | 電源電圧制御 基板バイアス制御 マルチメディアDSP マルチメディア向けメモリーアーキテクチャ | 220 |
| 2002年 5月号 | 小型メモリー素子 -DRAM 後の中核技術 | 東芝 | 日本経済新聞 (2002年2月8日PP.17) | システムLSI DRAM トランジスタ下にキャパシタ 消費電力2.5倍 面積半分に | 220 230 |
| 2002年 5月号 | 1Gbフラッシュメモリー | 東芝 サンディスク | 日経産業新聞 (2002年2月8日PP.9) | NAND型 1MBps書込み・読出し 0.13μm加工 チップ面積125m | 230 |
| 2002年 3月号 | 16GBフラッシュメモリー -2006年にも達成 容量10倍以上に- | シャープ 東北大 | 日本経済新聞 (2001年12月7日PP.15) | 微細円柱の周囲にセル素子 多段重ねで高密度化 セルを2段積んだ素子を試作 | 230 160 |
| 2002年 3月号 | 4層構造のスタックドCSP | シャープ | 日経産業新聞 (2001年12月19日PP.6) | 64Mbと16Mbフラッシュメモリー+16Mbと4Mb SRAM 100μm/chip パッケージサイズ8×11×厚さ1.4mm | 230 260 |
| 2002年 3月号 | 量子コンピュータで因数分解 | MIT IBM | 日経産業新聞 (2001年12月20日PP.10) 日本工業新聞 (2001年12月21日PP.2) | 人工分子溶液 分子中の7つの原子核をメモリーとして利用 マイクロ波 15=3×5 スピン傾きを変化 | 320 |
| 2002年 2月号 | 微細構造作る新技術 -ナノ大の金属粒子均一配列- | 松下電器 | 日本経済新聞 (2001年11月9日PP.17) | 球状タンパク質 外径12nm 空洞径6nm フェリチン Si基板 メモリー | 160 |
| 2002年 1月号 | 鉛を使わない強誘電体 -メモリー材料に風穴- | 東工大 | 日刊工業新聞 (2001年10月19日PP.1) | 非鉛系強誘電体 チタン酸ビスマス系 ネオジム置換 不揮発性メモリー BNT 残留電荷量25μC/c 鉛規制 | 130 120 530 |
| 2001年11月号 | 書き替え可能光メモリ- -DVDの1万倍容量を可能- | 京大 | 日刊工業新聞 (2001年8月7日PP.6) | 書き替え可能光メモリー DVDの約1万倍 37Tb/ 3 直径200nmのスポットに記録 100nm間隔立で体的に記録 サマリウムイオン フェムト秒レーザ | 130 230 |
| 2001年11月号 | 次世代強誘電体メモリー材料 -漏れ電流2桁改善- | 東工大 | 日刊工業新聞 (2001年8月17日PP.5) | SBTN BTTを3割固溶 FeRAM用材料 薄膜化 | 130 |
| 2001年11月号 | 複合メモリー | シャープ | 日経産業新聞 (2001年8月27日PP.5) | フラッシュメモリーとRAMの一体化 64Mb フラッシュ×2と32Mb RAM×1をパッケージ スタックドCSP 8mm×11mm | 230 260 |
| 2001年 6月号 | 強誘電体メモリー材料 | 東工大 東大 | 日刊工業新聞 (2001年4月18日PP.5) 日刊工業新聞 (2001年4月26日PP.6) | FeRAM SBT 570℃でエピタキシャル成長 BLT 540℃でエピタキシャル成長 | 130 230 |
| 2001年 6月号 | 次世代光メモリー -DVDの2500倍実現- | セントラル硝子 京大 | 日刊工業新聞 (2001年4月20日PP.1) | 1cm3に8Tb ガラスにフェムト秒でレーザ照射 希土類元素の価数が変化 波長680nm 光メモリー | 230 130 430 |
| 2001年 5月号 | 光で伸縮する単結晶 | 九州大 | 日経産業新聞 (2001年3月2日PP.7) | 1nm単位で長さが変化 スチルベン Tb級メモリー 紫外線で着色/可視光で無色化 光照射で20pmずつ伸張 | 120 130 |
| 2001年 3月号 | 不揮発性メモリー材料 -分極特性で最高値- | 東大 | 日本工業新聞 (2001年1月19日PP.29) | 不揮発性メモリー BLMS 強誘導体メモリー チタン酸ビスマス BiTiO3 45μクーロン/cm2 | 230 130 |
| 2001年 3月号 | 3次元メモリー試作 | 東北大 | 日経産業新聞 (2001年1月16日PP.7) | 1層あたり4kb 3層 情報共有 | 230 |
| 2001年 1月号 | ガラス内部に発光中心形成 | 岡本硝子 | 日刊工業新聞 (2000年11月21日PP.22) | フェムト秒レーザパルス 蛍光発光するイオン 光メモリー | 130 |
| 2000年12月号 | 量子トッドメモリーー -電界 光で電荷制御に成功- | 富士通 | 日刊工業新聞 (2000年10月5日PP.6) | 量子ドットメモリー(QD) 正四面体溝(TSR) GaAs 縦形高電子移動トランジスタ(HEMT) 多値記憶 | 230 |
| 2000年11月号 | ホログラフィックメモリー用高性能材料と小形記録再生システム | 科学技術庁無機材研 パイオニア | 電波新聞 (2000年9月22日PP.1) 日刊工業新聞 (2000年9月22日PP.9) | ホログラフィックメモリー 多重記録 角度多重記録 ニオブ酸リチウム単結晶 鉄 テルビウム 紫外線 | 230 430 130 |
| 2000年11月号 | 微細加工に新感光剤 | NEC | 日経産業新聞 (2000年9月13日PP.9) | 1ギガ超メモリー レジスト用感光剤 フッ化アルゴンレーザ 微細加工技術 線幅0.13μm | 160 |
| 2000年 9月号 | 親指大のデジタルスチルカメラ | ソニー | 日経産業新聞 (2000年7月27日PP.1) 日刊工業新聞 (2000年7月31日PP.14) | サイズ21.5×62.6×13.0mm 質量26g 33万画素 メモリースティックDuo | 310 |
| 2000年 8月号 | 8値フラッシュメモリー -書込み速度2倍に- | 日立 | 電波新聞 (2000年6月15日PP.6) | 8値フラッシュメモリー 選別ベリファイ回路 | 230 |
| 2000年 5月号 | Si単電子トランジスタ集積化技術 -メモリードットを利用- | 東大 | 日本工業新聞 (2000年3月10日PP.17) | 単電子トランジスタ 集積化 メモリードット | 220 |
| 2000年 5月号 | 16MbのFeRAM -強誘電体を低温で加工- | 松下電子 | 日経産業新聞 (2000年3月6日PP.1) | FeRAM 16Mb 積層形 強誘電体メモリー 低温で加工 650℃で結晶膜生成 | 230 |
| 2001年 1月号 | 折り曲げ可能なディスプレイ | キヤノン | 日本経済新聞 (2000年11月21日PP.13) | 電気泳動ディスプレイ 0.25mm厚 樹脂シート | 250 |
| 2001年 1月号 | ガラス内部に発光中心形成 | 岡本硝子 | 日刊工業新聞 (2000年11月21日PP.22) | フェムト秒レーザパルス 蛍光発光するイオン 光メモリー | 130 |
| 1999年12月号 | FRAM用高性能材料 | ソウル大 | 日経産業新聞 (1999年10月20日PP.5) 電波新聞 (1999年10月25日PP.2) | 強誘電体メモリー BiLaTi 薄膜材料 分極スイッチング疲労 | 230 130 |
| 1999年10月号 | 著作権保護機能付きメモリーカード | 松下電器 米サンディスクコーポレーション 東芝 | 日刊工業新聞 (1999年8月26日PP.13) | SDメモリーカード ディジタル音響映像機器用 外形寸法24×32×2.1mm 記録容量32MBと64MB | 230 |
| 1999年 9月号 | 自己組織化を利用した材料 | 名大 東大 | 日経産業新聞 (1999年7月1日PP.5) 朝日新聞 (1999年7月12日PP.11) | 自己集合 分子メモリー 水滴状の量子ドット 磁気バブル | 120 |
| 1999年 8月号 | 1兆ビット不揮発メモリーに道 -電子数に応じ“多値”確認- | NEC | 日刊工業新聞 (1999年6月10日PP.1) | 単一電子トランジスタ(SET) 不揮発性メモリー 多値動作 Si窒化膜 高集積 低消費電力 3.5K 6値を確認 | 230 |
| 1999年 8月号 | 新形フラッシュメモリー -0.9Vで読み書き- | 松下電子 | 日本工業新聞 (1999年6月15日PP.4) | フラッシュメモリー | 230 |
| 1999年 7月号 | 超高密度光メモリー | NTT | 日本経済新聞 (1999年5月24日PP.19) 日経産業新聞 (1999年5月26日PP.5) | 積層記録 ホログラム 散乱光 光メモリー | 230 430 130 |
| 1999年 7月号 | DRAMを超える新形メモリー -記憶性能DRAMの2倍- | 日立製作所 英ケンブリッジ大 | 日本経済新聞 (1999年5月18日PP.1) 日刊工業新聞 (1999年5月19日PP.11) 日経産業新聞 (1999年5月25日PP.9) | PLEDM セルサイズ半分 不揮発性 絶縁膜埋込み 新形メモリー | 220 230 |
| 1999年 6月号 | 最小メモリーカード | 日立製作所 独シーメンス | 日本経済新聞 (1999年4月23日PP.13) | フラッシュメモリー MPU マルチメディアカード 16～128MB | 220 230 |
| 1999年 6月号 | 横形ホットエレクトロントランジスタ | NEC | 日刊工業新聞 (1999年3月29日PP.1) | 横形HET ホットエレクトロン効果 10Tbメモリー MOSトランジスタ 電界変調浅接合形 | 220 |
| 1999年 5月号 | 世界最小MOSトランジスタ -ゲート長8nm- | NEC | 日刊工業新聞 (1999年3月29日PP.1) | MOSトランジスタ HET 10Tbメモリー ホットエレクトロン効果 トランジスタ ゲート長8nm 電子線レジスト 横形HEMT | 220 160 |
| 1999年 4月号 | 宇宙線エラー防ぐSRAM | 三菱電機 | 日本経済新聞 (1999年2月16日PP.13) | ソフトエラー発生率1/100 500MHz動作 DRAMのメモリーセル構造 | 230 |
| 1999年 3月号 | 有機分子に「連想」機能材料 | 理化学研 | 日本経済新聞 (1999年1月23日PP.11) | カルバゾールオリゴマー ホログラムメモリー 連想記憶 ホログラム 画像情報処理 | 230 120 130 |
| 1999年 2月号 | 量子メモリー -低電圧1Vで書込み消去- | 富士通 | 日刊工業新聞 (1998年12月9日PP.5) | テラビット級 HEMT 異方性エッチング TSR溝 量子ドット浮遊ゲート 不揮発性 書込み/消去電圧1V | 230 220 |
| 1999年 2月号 | 書込み速度50倍のフラッシュメモリー | 松下電器産業 松下電子 ヘイロLSI社 | 日本経済新聞 (1998年12月7日PP.17) 電波新聞 (1998年12月7日PP.1) | ゲート間距離40nm 書込み200ns 書込み電圧5V バリスティック型トランジスタ 高効率エレクトロン | 220 230 |
| 1999年 2月号 | 波長多重の光記憶素子 -切手大に映画200本分- | 富士通 | 日本経済新聞 (1998年12月7日PP.17) | 1.1Tb/in2 量子ドット波長多重メモリー GaAs基板 InAs 書込み速度5ns/b レーザ 波長多重光記録 光記憶素子 メモリー | 230 |
| 1999年 2月号 | メモリー混載プロセス技術 -低コストで高性能- | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1998年12月3日PP.5) | ルテニウム金属 DRAM | 160 |
| 1999年 1月号 | 3次元記録高密度光メモリー -1立方センチにDVD2000枚分- | 科学技術振興事業団 | 日本経済新聞 (1998年11月14日PP.11) | 立体光メモリー フェムト秒レーザ サマリウム微粒子 ホールバーニング光記録 1Tb/cm3 1Tb/cc 光メモリー | 130 230 |
| 1998年11月号 | 伝送データの一時記憶メモリー -超電導物質使う- | NEC | 日経産業新聞 (1998年9月24日PP.5) | バッファメモリー 超電導 ATMスイッチ | 220 230 |
| 1998年11月号 | DRAMを越える新メモリー-MRAM- | 東芝 | 日本経済新聞 (1998年9月19日PP.11) | 固体磁気メモリー MRAM 大容量 高速読出し アルミナ絶縁層 PtCo合金 強磁性二重トンネル接合 フォトリソグラフィ 読出し速度6ns 不揮発性メモリー | 230 |
| 1998年11月号 | シリコン上で強誘電体の単結晶成長 | 早大 | 電波新聞 (1998年9月16日PP.1) | 単結晶成長 不揮発性メモリー FeRAM Si 強誘電体メモリー | 160 |
| 1998年11月号 | 次世代メモリー用強誘電体材料 | トリケミカル研 東工大 | 日経産業新聞 (1998年9月13日PP.4) | 効率10倍 トリメチルビスマス 強誘電体材料 CVD | 160 |
| 1998年10月号 | 単一電子メモリー -室温で単一電子動作- | 電総研 | 日経産業新聞 (1998年8月26日PP.4) | 単一電子メモリー 室温動作 多重トンネル接合 | 230 220 |
| 1998年10月号 | 256MbAND型フラッシュメモリー -1メモリーに2b情報記憶- | 日立製作所 三菱電機 | 電波新聞 (1998年8月25日PP.10) 日刊工業新聞 (1998年8月25日PP.6) | AND型フラッシュメモリー 多値技術 | 230 |
| 1998年 9月号 | メモリーカード -独自規格品- | ソニー | 日本経済新聞 (1998年7月31日PP.13) | メモリーカード AV | 230 |
| 1998年 9月号 | ネット対応携帯オーディオ機器 -音声取込み再生- | NTT 神戸製鋼 | 日本経済新聞 (1998年7月24日PP.13) 日経産業新聞 (1998年7月24日PP.3) | 半導体メモリーに録音 CD並みで約25分 FMラジオ並みで約50分 著作権保護を重視 ネットワーク配信 固体メモリー 音声信号圧縮 著作権 マルチメディアコンテンツ 音声圧縮技術 ネットワーク | 330 440 |
| 1998年 8月号 | 0.4V以下の超低電圧Si量子素子 | 松下電器産業 | 電波新聞 (1998年6月24日PP.1) 日刊工業新聞 (1998年6月24日PP.11) 日経産業新聞 (1998年6月24日PP.5) | トンネル障壁 酸化膜 負性特性 エサキダイオード 消費電力 Si量子素子 超低電圧駆動 多結晶Si 量子化機能素子 3nm以下の薄いSi酸化膜 負性抵抗素子 3素子でメモリー | 220 120 |
| 1998年 8月号 | 新型フラッシュメモリーセル -低電圧で書込み消去 セル小型化 工程4割減- | NEC 東芝 | 日経産業新聞 (1998年6月22日PP.5) | フラッシュメモリー 角型構造 情報記憶用電極に角構造 表面積2倍 書込み消去電圧20Vから16V 絶縁溝を配線後に作る | 230 160 |
| 1998年 8月号 | 半導体メモリー量産技術 | NEC | 日本工業新聞 (1998年6月11日PP.1) | 半導体メモリー | 230 160 |
| 1998年 7月号 | メモリー実装に新技術 -4倍の高密度化可能- | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1998年5月27日PP.9) | メモリー 実装技術 スライドパッケージ方式 | 230 260 |
| 1998年 7月号 | 強誘電体メモリー -多層配線で高速化- | NEC | 日経産業新聞 (1998年5月15日PP.5) | FeRAM 強誘電体メモリー 多層配線 | 230 |
| 1998年 6月号 | 次世代メモリー -FeRAM高速化- | ローム | 日経産業新聞 (1998年4月16日PP.1) | FeRAM 高速化 低消費電力化 製造技術 PZT成膜温度を550℃に低温化 トランジスタ線幅0.18μm可能に | 230 160 |
| 1998年 5月号 | 走査型トンネル顕微鏡 -144個の原子を一挙に操作- | 米コーネル大 | 日経産業新聞 (1998年3月24日PP.5) | 走査型トンネル顕微鏡 STM 大容量メモリー 原子記憶素子 | 360 230 |
| 1998年 4月号 | 新型メモリー -1Tb級も可能- | 日立製作所 | 日本経済新聞 (1998年2月7日PP.11) | LSI試作 1Tb級も 単一電子メモリー 1Tb LSI化 | 230 |
| 1998年 4月号 | DRAMの付加価値向上 -メモリーに論理回路- | NEC | 日経産業新聞 (1998年2月5日PP.5) | ロジック混載DRAM | 230 220 |
| 1998年 3月号 | DRAMメモリーセルを最小にできる技術 | NEC | 日経産業新聞 (1998年1月13日PP.5) | DRAM 4GbDRAM 位置ズレ防止 | 230 260 |
| 1998年 2月号 | FeRAM -究極の半導体メモリー- | NEC 富士通 富士通研 沖電気 | 日本経済新聞 (1997年12月8日PP.19) 日経産業新聞 (1997年12月9日PP.9) 日経産業新聞 (1997年12月14日PP.4) | FeRAM メモリー | 230 |
| 1997年12月号 | チタン酸バリウム透明結晶を合成 | 東大 九工大 | 日経産業新聞 (1997年10月17日PP.4) | チタン酸バリウム 光メモリー 多結晶 | 130 160 |
| 1997年12月号 | ホログラフィック メモリー-記録量DVDの200倍- | 米IBM 等 | 日本経済新聞 (1997年10月11日PP.11) | 1.5GB/in角 ニオブ酸リチウム | 230 130 |
| 1997年11月号 | 光メモリー用新材料 | 名工大 | 日刊工業新聞 (1997年9月24日PP.5) | PHB ユーロビウム 記録密度3倍以上 | 130 |
| 1997年11月号 | 超微細MOSトランジスタ -模擬素子で正常動作- | NEC | 電波新聞 (1997年9月12日PP.1) 日経産業新聞 (1997年9月12日PP.5) | ゲート長14nm EJ-MOSFET 2重ゲート構造 10Tbメモリーへ道 10Tb MOS | 220 |
| 1997年10月号 | 単一電子メモリー -3値でデータを蓄積- | 農工大 | 日経産業新聞 (1997年8月27日PP.5) | 半導体メモリー 多値記録 コンデンサをトンネル接合でサンドイッチ シミュレーション | 130 230 |
| 1997年10月号 | 超高密度光メモリー | 富士通 | 日本経済新聞 (1997年8月2日PP.10) | 波長多重記録 半導体媒体 量子ドット | 130 230 |
| 1997年 9月号 | 超小型ICメモリーカード | ソニー 他 | 電波新聞 (1997年7月17日PP.1) | メモリースティック メモリーカード | 230 |
| 1997年 9月号 | 1GbDRAM -メモリーセル面積4割減- | 東芝 | 日経産業新聞 (1997年7月4日PP.5) | DRAM スタック方式 | 230 |
| 1997年 8月号 | SRAM高集積で新技術 -メモリーセル面積最小に- | 富士通 | 日経産業新聞 (1997年6月10日PP.4) | SRAM メモリーセル 高集積 MPU CSI 高絶縁 | 230 160 220 |
| 1997年 8月号 | 次世代放送の記録装置 -家庭向けに試作- | NHK | 日経産業新聞 (1997年6月6日PP.5) | ISDB メモリー HDD VTR 記録 再成 マルチメディア | 330 440 |
| 1997年 7月号 | 多値回路用トランジスタ | NEC | 日経産業新聞 (1997年5月19日PP.5) | 負性抵抗 多ピーク 多値回路用トランジスタ GaAs 複数のトンネル接合 3値電流出力 メモリーを試作 | 220 |
| 1997年 7月号 | LB膜で高密度記録・再生 | キヤノン | 日経産業新聞 (1997年5月12日PP.5) | 分子素子 LB(ラングミュア ブロシト)膜 次世代メモリー 1Tb/cm2 SPM 分子素子材料 高密度記録再生 メモリー 記録速度2μs/b 読出し100kbps SPM書込み AFM読出し | 130 360 |
| 1997年 6月号 | MOSトランジスタ -正常な動作を実証- | NEC | 日経産業新聞 (1997年4月3日PP.5) | ゲート長0.03μm Tb級メモリー 電界印加でソースドレイン領域を作成 | 220 |
| 1997年 6月号 | 単一電子トランジスタ --170℃で作動- | NEC | 日経産業新聞 (1997年4月2日PP.5) | 単一電子素 メモリー -170℃ AL蒸着 -170℃作動 不揮発性メモリー アルミニウム 単一電子トランジスタ | 220 230 |
| 1997年 5月号 | 色素分子による光メモリー-情報量DVDの200倍- | 東芝 | 日経産業新聞 (1997年3月4日PP.1) | 色素分子 光メモリー 原子間力顕微鏡記録 光ファイバ読取り Tb級メモリー Si基板に有機分子蒸着 2010年頃実用化へ 色素 DVD | 130 230 360 |
| 1997年 4月号 | 多値連想メモリー | 東北大 | 日刊工業新聞 (1997年2月7日PP.6) | 高並列論理演算 瞬時に画像処理 | 520 230 |
| 1996年12月号 | ディジタルカメラの画像記憶方式を統一 | 富士フイルム ミノルタ | 日本工業新聞 (1996年10月25日PP.1) | IS規格 メモリーカード SSFDC ディジタルカメラ | 310 530 230 |
| 1996年12月号 | 4GbDRAM | NEC | 電波新聞 (1996年10月23日PP.1) | メモリー DRAM | 230 |
| 1996年10月号 | Tb級メモリー | 富士通 | 電波新聞 (1996年8月26日PP.6) | メモリー Tb 共鳴トンネル効果 | 230 220 |
| 1996年 9月号 | X線による微細加工技術 -半導体基板上に0.07μm幅の溝- | NTT | 日本経済新聞 (1996年6月29日PP.12) | 半導体 64Gbメモリー X線 微細加工 | 220 160 230 |
| 1996年 8月号 | 4GbDRAM用光露光技術 | 富士通 富士通研 東芝 | 電波新聞 (1996年6月12日PP.1) 日経産業新聞 (1996年6月12日PP.5) 日本経済新聞 (1996年6月12日PP.13) 日経産業新聞 (1996年6月14日PP.5) 日経産業新聞 (1996年6月14日PP.14) | メモリー DRAM 露光技術 | 230 260 160 |
| 1996年 7月号 | メモリー多層化に新手法 | NEC | 日経産業新聞 (1996年5月22日PP.5) | メモリー DRAM 多層化 | 230 260 |
| 1996年 6月号 | 連想メモリー | NTT 東北大 | 日本経済新聞 (1996年4月13日PP.10) | 連想メモリー 演算処理機能 | 230 220 |
| 1996年 5月号 | 画像精度3倍のディジタルカメラ | 大日本印刷 | 日経産業新聞 (1996年3月5日PP.1) | ディジタルカメラ 液晶 2000万画素 解像力80ライン/mm 液晶高分子複合体 ディジタルスチルカメラ 液晶記録素子 80line/mm 35mmサイズ 有機感光体+液晶メモリー | 230 330 130 310 |
| 1996年 5月号 | 128Mbフラッシュメモリー | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1996年3月22日PP.5) | フラッシュメモリー 128Mb | 230 |
| 1996年 5月号 | 単一電子メモリー -初のチップ化- | 日立製作所 | 日本経済新聞 (1996年3月18日PP.17) | 単一電子メモリー 記録素子 | 230 |
| 1996年 5月号 | 波長多重光メモリー -基礎実験に成功- | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1996年3月14日PP.7) | 光メモリー 波長多重 大容量 1Tb/cm2に道 量子箱 ホールバーニング(PHB)効果 0.48msのホール寿命 量子サイズばらつきで波長多重 | 230 130 260 |
| 1996年 4月号 | 光信号遅延技術 | NHK | 日経産業新聞 (1996年2月22日PP.5) | ATM 環状光ファイバ ループメモリー カオス現象 | 240 540 520 |
| 1996年 4月号 | 小型メモリーカード -新規格で商品化- | 東芝 他 | 日本経済新聞 (1996年2月18日PP.1) 日本経済新聞 (1996年2月18日PP.7) | 小型メモリーカード S＆amp;FDC ミニチュアカード対抗 | 230 530 |
| 1996年 4月号 | 高集積メモリー -ISSC開幕，LSI閾値制御競う- | 三菱電機 東芝 NEC NTT | 日経産業新聞 (1996年2月9日PP.4) 電波新聞 (1996年2月9日PP.1) 日刊工業新聞 (1996年2月9日PP.6) 日刊工業新聞 (1996年2月9日PP.9) 日刊工業新聞 (1996年2月16日PP.5) 日経産業新聞 (1996年2月19日PP.5) | DRAM 1Gb シンクロナスDRAM 8bADC 1.5V動作 15MSPS 8mW 3揮発性メモリー 1Mb 変調閾値制御 閾値 CMOS DCT ADC | 230 220 660 520 |
| 1996年 3月号 | 切手サイズの次世代メモリーカード -仕様標準化で合意- | メーカ13社 | 電波新聞 (1996年1月25日PP.2) 日経産業新聞 (1996年1月25日PP.2) 日本経済新聞 (1996年1月25日PP.1) 日刊工業新聞 (1996年1月25日PP.11) | メモリーカード 切手大 38×33×3.5 規格化 64GB | 230 530 |
| 1996年 3月号 | 単一電子メモリー -LSI化にメド- | 日立製作所 | 日本経済新聞 (1996年1月13日PP.10) | 単一電子メモリー 大容量 1Tb級メモリー | 230 120 |
| 1996年 2月号 | 世界初の「分子素子」 | 三菱電機 | 日本経済新聞 (1995年12月18日PP.21) | 10Tb級 たんぱく質 分子素子 巨大容量メモリー | 130 230 |
| 1996年 2月号 | フラッシュメモリー -性能を大幅向上- | 東芝 | 日経産業新聞 (1995年12月15日PP.5) | フラッシュメモリー | 230 |
| 1996年 1月号 | 高密度記録で新技術 -光磁気ディスクの30倍- | アトムテクノロジー研究体 | 日本経済新聞 (1995年11月20日PP.17) | PZT 光磁気ディスクの30倍以上 強誘電体メモリー 6GB以上/cm2 | 130 230 |
| 1995年12月号 | メモリーカード利用初の携帯ビデオ -通勤電車でビデオを楽しむ- | NEC | 日本経済新聞 (1995年10月13日PP.13) 日経産業新聞 (1995年10月13日PP.5) 日刊工業新聞 (1995年10月13日PP.11) 電波新聞 (1995年10月13日PP.1) | 半導体メモリーカード 録画 再生約4分 MPEG-1 2.5インチTN液晶パネル メモリーカード(40MB) 静止画3000枚 動画40分 | 330 350 230 520 |
| 1995年10月号 | フラッシュメモリー -消費電力1/20に- | NEC | 日経産業新聞 (1995年8月18日PP.5) | ホウ素注入 書込み3V フラッシュメモリー | 230 |
| 1995年 9月号 | 半導体レーザの短波長化用簡易デバイス | 米バーゴ オプティクス社 | 日刊工業新聞 (1995年7月19日PP.4) | 半導体レーザ メモリーデバイス | 250 |
| 1995年 8月号 | 極小高分子で情報記憶 -微小メモリー素子開発へ道- | 阪大 | 日経産業新聞 (1995年6月22日PP.5) | CD 分子素子 記憶素子 高分子 | 230 130 |
| 1995年 8月号 | インジウムの量子箱 -次世代メモリー開発へ- | 富士通研 | 日経産業新聞 (1995年6月5日PP.5) | 量子箱 RHET | 230 160 120 |
| 1995年 4月号 | フラッシュメモリー | 三菱電機 日立製作所 | 電波新聞 (1995年2月17日PP.5) | 16MbDINOR型(三菱) 32MbAND型(日立製作所) | 230 |
| 1995年 4月号 | フラッシュメモリー | 東芝 | 電波新聞 (1995年2月16日PP.9) | 32MbNAND型 | 230 |
| 1995年 4月号 | 0.9V動作のY1強誘電体不揮発性メモリー | 松下電子 | 電波新聞 (1995年2月16日PP.1) | 不揮発性メモリー 強誘電性メモリー | 230 120 130 |
| 1995年 2月号 | 強誘電体メモリーセル | シャープ | 電波新聞 (1994年12月13日PP.1) 日経産業新聞 (1994年12月14日PP.5) | 16Mb DRAM | 230 130 |
| 1995年 2月号 | 書換え可能100万回フラッシュメモリー | 三菱電機 | 電波新聞 (1994年12月13日PP.7) 日経産業新聞 (1994年12月13日PP.5) 日刊工業新聞 (1994年12月13日PP.6) | フラッシュメモリー 書換え100万回 | 230 |
| 1995年 2月号 | 次世代メモリーの新技術 -記憶容量10万倍に道- | 東芝 | 日本経済新聞 (1994年12月5日PP.17) | 超高密度記憶素子 AFM 1兆個/cm2の電荷情報 有機色素分子のアモルファス | 230 160 |
| 1995年 1月号 | 半導体メモリーカードオーディオプレーヤ | NEC | 電波新聞 (1994年12月2日PP.1) | メモリーカード オーディオプレーヤ | 230 330 |
| 1994年11月号 | 二重障壁構造の量子井戸 -1テラメモリーに道- | 松下電器産業 | 日刊工業新聞 (1994年9月19日PP.15) | 単結晶Si 共鳴トンネル現象 | 220 230 |
| 1994年11月号 | 超高密度光メモリー用新材料 -常温ホールバーニング効果を利用- | 名大 | 日刊工業新聞 (1994年9月16日PP.3) | PHB 超高密度メモリー 常温 ケイ酸塩ガラス | 130 230 |
| 1994年10月号 | 新型PHB材料 -有機と無機を複合化- | 東大 | 日本工業新聞 (1994年8月10日PP.5) | PHB 光メモリー 動作温度140K | 130 230 |
| 1994年 5月号 | 究極の大容量記憶装置 -原子メモリーへ前進- | 新技術開発事業団 | 日刊工業新聞 (1994年3月28日PP.10) | 原子単位メモリー リアルタイム書込み消去 | 130 230 |
| 1994年 5月号 | 人工蛋白質で電子素子 -半導体チップ越す集積度- | 三菱電機 サントリー | 日経産業新聞 (1994年3月24日PP.1) | 電子素子 バイオテクノロジ チトクロームC552 1Tbメモリー 分子素子 半導体超える集積度 バイオ素子 ダイオード/スイッチ材料 有機電子素子 蛋白質 | 160 120 220 |
| 1994年 5月号 | 強誘電体トランジスタ -書換え1兆回実現- | ローム | 日刊工業新聞 (1994年3月16日PP.7) 電波新聞 (1994年3月16日PP.1) | 新型メモリー 書換え1兆回 強誘電体素子 強誘電トランジスタ | 220 |
| 1994年 5月号 | 高密度分子メモリー -1枚でCD100万枚分- | 京大 | 日刊工業新聞 (1994年3月15日PP.4) | 分子メモリー 1nmの有機分子 STM利用 メモリー 超高密度メモリー 1nm2/b | 130 230 |
| 1994年 4月号 | 64Mbフラッシュメモリー | NEC | 電波新聞 (1994年2月17日PP.8) 日経産業新聞 (1994年2月17日PP.9) 日刊工業新聞 (1994年2月17日PP.9) | 64Mフラッシュメモリー NOR論理回路 アクセス50ns | 230 |
| 1994年 2月号 | 高誘電体記憶素子 | 三菱電機 | 電波新聞 (1993年12月9日PP.1) 日経産業新聞 (1993年12月9日PP.4) 日刊工業新聞 (1993年12月9日PP.6) | DRAM BST酸化物 高誘電体メモリー 256MbDRAM | 230 130 |
| 1994年 2月号 | 単一電子メモリー -室温動作に成功- | 日立製作所 | 電波新聞 (1993年12月8日PP.1) 日経産業新聞 (1993年12月8日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年12月8日PP.9) 日本工業新聞 (1993年12月8日PP.6) | メモリー 初の室温動作 16Gb級 電子1個で1b記録 1カ月のメモリー Si結晶粒子 | 230 220 |
| 1994年 1月号 | 両面チップIC | 三井ハイテック 米インテル | 日経産業新聞 (1993年11月9日PP.1) | 薄型IC製造技術 記憶容量2倍 DDTSOPパッケージ フラッシュメモリー リードフレーム 両面実装 | 220 260 230 |
| 1993年12月号 | 共鳴ホットエレクトロントランジスタ | 富士通 | 日経産業新聞 (1993年10月26日PP.5) 日経産業新聞 (1993年10月29日PP.5) | トランジスタ 記憶素子 量子効果 ダブルエミッタRHET メモリー 5×7μm | 220 230 |
| 1993年 8月号 | 新フラッシュメモリー | 新日鉄 | 日本工業新聞 (1993年6月11日PP.0) | フラッシュメモリー | 230 |
| 1993年 7月号 | ソリッドステートファイル | 東芝 IBM | 電波新聞 (1993年5月18日PP.3) 日刊工業新聞 (1993年5月18日PP.10) | ソリッドステートファイル 厚さ3.3mm 20MB NAND型フラッシュメモリー | 230 |
| 1993年 5月号 | X線露光用レジスト | 東芝 | 日経産業新聞 (1993年3月25日PP.1) | 半導体用レジスト 0.15μm線幅 1Gbメモリー用 有機化合物系 | 120 160 |
| 1993年 5月号 | フラッシュメモリーカードを音声記録媒体に | シャープ | 電波新聞 (1993年3月25日PP.1) | ICカード 音声記録 | 230 330 |
| 1993年 5月号 | ジョセフソン接合素子16kb級RAM | 電総研 | 日刊工業新聞 (1993年3月10日PP.5) | 処理 ジョセフソンメモリー 16kb アクセス速度100倍 消費電力1/20(Si系比) | 220 |
| 1993年 5月号 | 64MbSRAM | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1993年3月3日PP.7) | SRAM メモリーセル セル面積-30% | 230 |
| 1993年 4月号 | 256MbDRAM | NEC 東芝 日立製作所 富士通 | 電波新聞 (1993年2月25日PP.1) | 半導体メモリー DRAM | 230 |
| 1993年 4月号 | 単一電子メモリー -動作実験成功- | 日立製作所英国研 ケンブリッジ大 | 電波新聞 (1993年2月19日PP.1) 日経産業新聞 (1993年2月19日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年2月19日PP.7) 電波ハイテクノロジー (1993年2月25日PP.0) | 電子1個で情報記録 クーロンブロッケード現象 極超低温動作 メモリー 16Gb 多重トンネル接合(MTJ) 単一電子メモリー 半導体メモリー 新原理メモリー 容量1000倍 | 230 220 |
| 1993年 2月号 | フラッシュメモリーセル -3V単一電源で動作- | 三菱電機 | 電波新聞 (1992年12月17日PP.2) 日経産業新聞 (1992年12月17日PP.7) | メモリー DINOR型 フラッシュメモリー 単一電源 | 230 |
| 1993年 2月号 | フラッシュメモリーセル -AND型- | 日立製作所 | 電波新聞 (1992年12月15日PP.1) 日経産業新聞 (1992年12月15日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年12月15日PP.9) | メモリー AND型 フラッシュメモリー | 230 |
| 1993年 2月号 | 256MbDRAM用メモリーセル -世界最小面積を実現- | NEC | 電波新聞 (1992年12月12日PP.1) 日経産業新聞 (1992年12月11日PP.4) | DRAM 微細加工技術 | 230 |
| 1993年 1月号 | 次世代半導体材料 -ストロンチウム・チタン酸化物- | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1992年11月6日PP.4) | ストロンチウム チタン酸化物 容量50倍 Si利用の50倍にメモリー増 | 120 160 110 |
| 1992年12月号 | 記憶密度100倍の次世代光ディスク -次世代ホログラムメモリーへ道- | NTT | 日本経済新聞(夕刊) (1992年10月26日PP.1) | 次世代光ディスク ホログラムメモリー 光ディスクの100倍 光ファイバ | 130 230 |
| 1992年12月号 | 4値不揮発性メモリー | 新日鉄 | 日刊工業新聞 (1992年10月19日PP.9) | 230 | |
| 1992年11月号 | 10Gbの量子化メモリー素子 -1チップで文庫本5000冊- | 富士通 | 日刊工業新聞 (1992年9月28日PP.1) | トンネル共鳴 量子効果 量子化メモリー 10Gb 新型メモリー RHET/トンネルダイオード | 230 |
| 1992年11月号 | 超高密度記録・消去STMメモリー -室温大気中で10nmレベル- | NEC | 電波新聞 (1992年9月9日PP.1) 日経産業新聞 (1992年9月9日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年9月9日PP.9) | 記録波長10nm 超高密度記録再生 トンネル顕微鏡(STM) 1インチ四方に1兆ビット 書換え可能STMメモリー ピット径10nm CDROMの3000倍 | 230 330 |
| 1992年 6月号 | 磁気記録密度10倍の新メモリー | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1992年5月7日PP.1) | 230 | |
| 1992年 6月号 | 有機薄膜特性を2.5倍向上 | NTT | 日刊工業新聞 (1992年4月1日PP.6) | 光メモリー スイッチ材料 3次元線形特性改善 ICB法 | 120 130 |
| 1992年 4月号 | 最先端メモリー技術相次ぐ | 日電 東芝 | 電波新聞 (1992年2月19日PP.6) 日経産業新聞 (1992年2月19日PP.8) 日刊工業新聞 (1992年2月19日PP.9) | 日電:64MDRAM 16MSRAM 東芝:5V動作4MフラッシュEEPROM 3.3V動作 MOSRAM | 230 260 |
| 1992年 2月号 | ゲート長0.1μmCMOS | NTT | 日経産業新聞 (1991年12月13日PP.5) | 製造加工技術 1Gbメモリーへ道 | 260 |
| 1992年 2月号 | 次々世代メモリーセル | 日電 | 電波新聞 (1991年12月10日PP.1) 日刊工業新聞 (1991年12月10日PP.9) | 256MbDRAM 6Mbフラッシュメモリー | 230 |
| 1991年11月号 | 学習知識を記憶する光ニューロチップ | 三菱電機 | 電波新聞 (1991年9月19日PP.1) 日経産業新聞 (1991年9月19日PP.5) 日刊工業新聞 (1991年9月19日PP.11) | アナログメモリー内蔵5×6mmチップ 受光素子を集積化 光ニューロチップ 画像処理 記憶機能付ニューロチップ | 210 220 230 |
| 1991年 9月号 | 毎秒4500枚の世界最高速ビデオカメラ | 近畿大 フォトロン | 日刊工業新聞 (1991年7月24日PP.8) 日経産業新聞 (1991年7月24日PP.5) 電波新聞 (1991年7月24日PP.2) 日経産業新聞 (1991年7月25日PP.8) 電波新聞 (1991年7月29日PP.8) | 白黒画 蛍光灯の明りで可 モノクロ 65000画素 4500コマ/秒 4000画素 45000コマ/秒 カメラ 4万コマ/秒を実現(従来は2000コマ/秒) ディジタル記録方式ハイスピードビデオカメラ 320MB半導体メモリー | 310 |
| 1991年 8月号 | 有機薄膜素子試作 | 東芝 | 日経産業新聞 (1991年6月24日PP.5) | 記録 光メモリーや波長変換素子に利用 | 120 130 |
| 1991年 7月号 | ミニディスクシステム | ソニー | 電波新聞 (1991年5月16日PP.1) 日経産業新聞 (1991年5月16日PP.5) 日刊工業新聞 (1991年5月16日PP.10) 朝日新聞 (1991年5月16日PP.8) 日本経済新聞 (1991年5月16日PP.11) 読売新聞 (1991年5月16日PP.0) 電波タイムズ (1991年5月22日PP.2) | 光磁気ディスク コンパクトディスク パーソナルオーディオシステム ディジタル録音 再生可能 信号帯域圧縮技術 帯域圧縮で74分 φ64mmMOディスク SCMS採用 ショック プルーフ メモリー | 230 |
| 1991年 7月号 | 世界最高速の読出し可能な64MDRAM | 東芝 | 日刊工業新聞 (1991年5月15日PP.11) 電波新聞 (1991年5月15日PP.1) 日経産業新聞 (1991年5月15日PP.8) | 8kbまでのデータを1ブロックとしてシリアルアクセス 9ns/bの読出し速度 3次元構造メモリーセル スタティックカラム | 230 |
| 1991年 7月号 | 各ブロックで消去可能 -フラッシュメモリー発売- | インテルジャパン | 電波新聞 (1991年5月14日PP.6) 日経産業新聞 (1991年5月14日PP.9) 日刊工業新聞 (1991年5月14日PP.9) | フラッシュメモリー | 230 |
| 1991年 5月号 | 3次元IC | 日電 | 電波新聞 (1991年3月27日PP.1) 電波タイムズ (1991年3月29日PP.2) | 3次元IC 6層構造(世界初) 4Gbメモリーの可能性 2層×3枚残り合わせ DUALCMOS+CUBIC技術 | 260 |
| 1991年 2月号 | 16MSRAM用 メモリーセル | 日立製作所 | 電波新聞 日経産業新聞 (1990年12月12日PP.0) 日経産業新聞 (1990年12月12日PP.0) | 5.9μm2の大きさ 現在試作段階にある4MSRAMに比し集積度1/3に | 230 |
| 1991年 2月号 | 5V動作の16MEEPROM用メモリーセル | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1990年12月11日PP.0) 日刊工業新聞 (1990年12月11日PP.0) | 230 | |
| 1990年10月号 | メモリーセル大容量化 | シャープ | 日経産業新聞 (1990年8月15日PP.0) | 6.8平方μm 55fF | 160 |