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| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
| 2017年 7月号 | 次世代メモリー新素材 安価に「スピン液体」作製 | 東北大 英リバプール大 | 日経産業新聞 (2017年4月25日PP.8) 日刊工業新聞 (2017年4月25日PP.29) | スピン液体 フェナントレン 安価な炭化水素分子「フェナンスレン」に電子を導入 | 230 120 |
| 2017年 5月号 | 次世代メモリー 19年量産 | パナソニック | 日本経済新聞 (2017年2月1日PP.12) | 230 | |
| 2017年 2月号 | トポロジカル絶縁体―「表面だけ導電」に熱い視線 トポロジカル物質 次世代デバイスに道 | 産業技術総合研究所 東大など | 日経産業新聞 (2016年11月25日PP.8) 日刊工業新聞 (2016年11月25日PP.31) | トポロジカル 絶縁体 半金属ビスマスがトポロジカル物質であること発見 | 120 |
| 2016年12月号 | 光で電気の性質を制御 | 東北大 | 日経産業新聞 (2016年9月2日PP.8) | 高速次世代メモリー スピン | 230 |
| 2016年 5月号 | スマホ充電 次世代技術 | 杉本貴司 | 日経産業新聞 (2016年2月25日PP.7) | ソーラースマホ 燃料電池 | 250 |
| 2016年 4月号 | 記憶性能2倍を実現する次世代不揮発メモリ技術 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2016年1月11日PP.13) | 19nmの素子サイズのスピントルク書き込み型磁気ランダムアクセスメモリーの実現 | 230 |
| 2016年 2月号 | 単結晶ダイヤモンド基板 | 並木精密宝石 | 日刊工業新聞 (2015年11月25日PP.6) | 耐熱性や耐久性に優れており 次世代半導体の基板の可能性 | 120 |
| 2015年 9月号 | 復権モノづくり TRAFAM | 上野 | 次世代3D積層造形技術総合開発機構 (0年2015月6日PP.30) | 1 | 金属3Dプリンタ，レーザ粉体肉盛り法，粉末焼結積層造形法 360 |
| 2015年 1月号 | 次世代スパコン 共同開発計画 | 理研，富士通 | 日刊工業新聞 (2014年10月2日PP.19) | 「京」の100倍速，2020年度運用開始，毎秒100京回の計算速度 | 420 |
| 2014年10月号 | 次世代スパコン用多層型接続方式 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2014年7月15日PP.26) | スイッチ台数4割削減 クラスター型スパコン 省電力 | 440 |
| 2014年 9月号 | 「4K」世界初試験放送
・一行 | 次世代放送推進フォーラム スカパーJSAT | 日刊工業新聞 (2014年6月3日PP.3) | 通信衛星を通じた広範な放送は初 スカパーJSAT Channel 4K 1日6時間程度 | 540 |
| 2014年 3月号 | 単層CNT量産 ・14と合わせる | 日本ゼオン | 日刊工業新聞 (2013年12月2日PP.1) | 次世代炭素材料CNTの商業生産，コスト従来比1/1000，スーパーグローブ法を利用，NECOと共同で純度99%以上の単層CNTの連続生産を可能に | 120 160 |
| 2014年 3月号 | 省電力次世代メモリー「IGZO」で1/10に | 半導体エネ研 | 日本経済新聞 (2013年12月24日PP.11) | IGZO | 230 |
| 2012年12月号 | 次世代STB 海外で普及へ | 電波新聞 (2012年9月20日PP.1) | ケーブルテレビ ハイブリッドBox Android4.0 日本ケーブルラボ | 440 | |
| 2012年 8月号 | 次世代電子材料「シリセン」の大面積製造技術 | 北陸先端大 | 日刊工業新聞 (2012年5月31日PP.29) 日経産業新聞 (2012年5月31日PP.12) | 蜂の巣構造 厚さ原子1個分のSi結晶 2ホウ化ジルコニウム バンドギャップ導入可能 900℃に加熱 縦横1×2cmの基板 | 120 160 |
| 2012年 7月号 | 動作寿命10年間のMRAM | 超低電圧デバイス技術研究組合 | 日刊工業新聞 (2012年4月17日PP.20) | MTJ素子のトンネル絶縁膜層を分割して作成 0.5V以下の低い電圧で10年間安定動作 MRAM混載LSI 低消費電力 次世代の不揮発性磁気メモリー | 230 |
| 2012年 5月号 | 次世代電池向け接着剤 | I.S.T 産総研 | 日経産業新聞 (2012年2月2日PP.1) | Si系合金の負極材を使う大容量電池向け ポリイミドを使用 鎖状のポリマ同士をつなぎ合わせた構造 | 150 160 |
| 2011年 9月号 | 電子移動度4.2倍の次世代素子 | 東大 産総研 住友化学 物材機構 | 日刊工業新聞 (2011年6月15日PP.19) | 化合物半導体とGe基板を使用 | 220 |
| 2010年 8月号 | 光の位相で多値化した次世代光ディスク -転送速度3倍に- | 日立 | 日刊工業新聞 (2010年5月25日PP.1) | マイクロホログラム 位相多値記録再生方式 8値信号 | 230 |
| 2010年 5月号 | 次世代テレビ向け画像拡大技術 | 三菱電機 | 日経産業新聞 (2010年2月19日PP.11) | 4K2K 多重解像度解析技術 拡大した場合の輪郭図を推定 輪郭を抽出して合成 | 520 540 |
| 2010年 1月号 | 顕微鏡技術を応用した次世代光ディスク向けデータ読出し技術 | 静岡大 | 日経産業新聞 (2009年10月28日PP.11) | ファイバ共焦点顕微鏡 記録層の間隔2μm以下 縦横方向間隔に3μmで記録したデータを正確に検出 | 230 |
| 2009年12月号 | 光照射による次世代液晶配向技術 | シャープ | 電波新聞 (2009年9月17日PP.1) 日経産業新聞 (2009年9月17日PP.3) | TFT液晶 UV2A 紫外線照射で高分子膜の向きを制御 液晶分子の傾きを20pmの範囲で制御 コントﾗスト5000:1 バｯクﾗイトの透過率20%向上 応答速度2倍 消費電力2割削減 | 250 160 |
| 2009年11月号 | 記録密度3倍の次世代HDD用ヘッド | セイコーインスツル データストレージインスティチュート | 日経産業新聞 (2009年8月3日PP.1) | 磁気ヘッドとディスクの間隔を従来の1/3程度の7nmで維持 熱アシスト磁気記録 1Tbpi 光ファイバ磁気ヘッド | 230 |
| 2009年 1月号 | 次世代高速無線用トランジスタ
-消費電力1/3に- | 日立 | 日経産業新聞 (2008年10月17日PP.1) | シリコンゲルマニウムを使った独自の薄膜形成技術 エピタキシャル成長 不純物を約8%抑制 真空集で水素を流し込み酸素を除去 | 160 220 |
| 2008年 9月号 | HDPhoto(JPEGXR)対応の撮影用LSI | メガチップス | 日経産業新聞 (2008年6月18日PP.1) | LSI内部で異なる処理を1つの回路で共有 画像圧縮 次世代規格に対応 | 220 520 |
| 2008年 7月号 | 次世代大規模集積回路の実現に繋がる歪みSiLSI | 東京インスツルメンツ 群馬大 | 日経産業新聞 (2008年4月3日PP.1) | 近接場ラマン光 線幅32nm以降の次世代LSI 20nmひずみ分布を精密測定 | 120 220 660 |
| 2008年 6月号 | 光周波数の純度を従来比1000倍の光源 | 電通大 日本航空電子工業 | 日刊工業新聞 (2008年3月25日PP.1) | 200Gbps級の次世代高速光通信システム 反射干渉回路(エタロン) 消費電力1.5W 10GHz 高速パルス光源 | 240 |
| 2008年 5月号 | 記録容量20倍の次世代HD | クレステック | 日経産業新聞 (2008年2月7日PP.1) | パターンドメディア 記録容量は1Tb/in2 直径6インチのSi基板上の感光性樹脂に電子ビームで同心円状に直径10nmの微小な穴を開ける | 230 160 |
| 2007年12月号 | 次世代CMOS素子 -しきい値電圧の時間変動の仕組み解明- | Selete 筑波大 広島大 早大 | 日刊工業新聞 (2007年9月20日PP.28) | 45nm世代 窒化ハフニウムシリケートの劣化 界面特性 | 120 220 |
| 2007年 9月号 | 低抵抗CNT縦穴配線材料 -次世代LSIにおけるCNT配線実現に一歩- | Selete | 日刊工業新聞 (2007年6月5日PP.1) | ビア配線材料 弾道伝導現象 CVD ビア高さ60nm 直径160nm 化学機械研磨(CMP) 22nm世代 450℃で化学気相成長 Cuより低抵抗 | 120 160 |
| 2007年 8月号 | 超電導A/D変換器 -次世代通信の基地局の中核部品に- | 国際超電導産技研 日立 横浜国大 | 日刊工業新聞 (2007年5月3日PP.1) | アナログ信号の処理に超電導回路を利用 熱雑音を抑える変調器 周波数を4つに分配 18.6GHzでの動作で帯域10MHzのアナログ信号を14ビットのデジタル信号に変換 | 220 240 |
| 2007年 8月号 | オールSiの次世代半導体素子 | 日立 | 日経産業新聞 (2007年5月8日PP.11) | 信号伝達はすべて光 SiO2の絶縁層で挟んだ厚さ9nmのSi薄膜が発光 0.5mm離れたSi受光部 室温動作 | 160 220 |
| 2007年 5月号 | 水など液体不要で高い安全性と携帯性がある固体メタノール燃料 | 栗田工業 | 日刊工業新聞 (2007年2月7日PP.11) | 固体状メタノール燃料 ダイレクトメタノール型燃料電池 DMFC 次世代燃料電池 引火点40℃以上 | 250 |
| 2007年 4月号 | 青紫色レーザで次世代DVD書込み | 三洋電機 | 日経産業新聞 (2007年1月11日PP.1) | 2層で6倍速 4層記録可能 レーザ光の強さを200mW HD-DVD BD 70℃で1000時間以上安定動作 | 230 250 |
| 2007年 4月号 | 次世代HD用酸化アルミ膜 | 山形富士通 富士通研 神奈川科学技術アカデミー | 日刊工業新聞 (2007年1月11日PP.27) | 酸化アルミニウム膜 ハードディスク 25nm間隔の穴 磁性金属 記録容量5倍以上 1Tbpi | 230 260 |
| 2007年 3月号 | ハイビジョン放送を1500時間保存可能な次世代メモリー | パイオニア 東北大 | 日本経済新聞 (2006年12月15日PP.17) | 切手大のサイズ換算で10Tb以上の情報を記録 強誘電体プローブメモリー | 230 |
| 2007年 3月号 | 駆動電流が50%超向上する次世代立体型トランジスタ | 東芝 | 日刊工業新聞 (2006年12月15日PP.30) | 雪かき効果 金属シリサイドとチャネル部分のSi界面に不純物原子を高濃度で2〜3nm厚に偏析した層を形成 | 160 220 |
| 2007年 1月号 | 動画解像度の測定方式 | 次世代PDP開発センター | 電波新聞 (2006年10月19日PP.1) 日刊工業新聞 (2006年10月23日PP.6) | 電子ディスプレイ APDC方式 動画再生時に発生する乱れを定量的に測定 4本の線で作られた9種類の楔形を縦に配置 | 250 660 |
| 2006年11月号 | 磁気ヘッド用素子 -次世代HDDに道- | 英日立ケンブリッジ研 英国立物理学研 英ケンブリッジ大 | 日経産業新聞 (2006年8月10日PP.7) | 記憶容量が数Tbを超えるHDDにつながる高性能素子 | 230 120 |
| 2006年11月号 | 次世代光通信網向け光制御技術 | 情通機構 | 日本経済新聞 (2006年8月18日PP.15) | 光信号を遅らせ タイミング制御によりデータの交通整理 光信号遅延用光ファイバを開発 | 440 240 |
| 2006年10月号 | ホログラムディスク用記録材料 | 産総研 | 日経産業新聞 (2006年7月13日PP.1) | 次世代DVDの10倍以上の容量 3次元記録 書換え可能 アゾベンゼン高分子 複屈折率0.28以上 厚さ3μm程度 | 120 130 230 |
| 2006年 9月号 | 次世代メモリー「MRAM」 -電流値1/10に微細化可能- | ソニー | 日本経済新聞 (2006年6月2日PP.15) | 磁性記録式随時書込み読出しメモリーの高集積化技術 電流の方向による書込み方式 試作4kbit | 230 |
| 2006年 7月号 | 次世代半導体メモリー -蓄積電荷5倍の新材料を開発- | 東工大 富士通 | 日経産業新聞 (2006年4月3日PP.17) | FeRAM ビスマスフェライト(BFO)に微量のMnを加えた新材料 65nmまで微細化可能 | 120 230 |
| 2006年 7月号 | 折り曲げ自在な次世代メモリー | セイコーエプソン | 日本経済新聞 (2006年4月4日PP.13) | FeRAM 電子ペーパー ICタグ フッ素系ポリマー 厚さ0.1mmのプラスチック基板上 | 120 230 |
| 2006年 7月号 | 書き込み速度1000倍の次世代メモリー | 静大 シャープ | 日経産業新聞 (2006年4月7日PP.1) | RRAM(抵抗式随時書込み読出しメモリー) TiNを活用 読出し時間20ns/bit 既存施設の利用可能 TiNの表面にTiO2薄膜 2V程度の電圧による抵抗値の変化利用 | 120 160 230 |
| 2006年 7月号 | 次世代ITS通信規格統一 | 国土交通省 トヨタ自動車 NTTドコモ 他23社 | 日経産業新聞 (2006年4月28日PP.3) | DSRC(狭域無線) ETC | 540 530 |
| 2006年 6月号 | 伝送速度2.5倍の面発光レーザ -次世代スーパコンピュータ向け- | NEC | 日経産業新聞 (2006年3月8日PP.13) | 大きさ250μm角 伝送速度25Gbps GaAsIn | 120 250 |
| 2006年 2月号 | 次世代光メモリー「RRAM」 -既存の電子材料- | NTT | 日経産業新聞 (2005年11月21日PP.10) | 抵抗式随時書き込み読み出しメモリー Bi4Ti3012の30〜50nmの薄膜を電極で挟む ECRスパッタ法を利用 | 120 160 230 |
| 2006年 2月号 | 200GB光ディスク可能に -次世代DVDの4倍の記憶容量読出し技術- | リコー | 日本経済新聞 (2005年11月25日PP.15) | ハイビジョン放送であればディスク1枚で約18時間分の映像に相当 8層の光ディスク | 230 330 |
| 2006年 1月号 | 次世代メモリーPRAM | 日立 ルネサステクノロジ | 日経産業新聞 (2005年10月6日PP.1) | 1.5Vでデータの読み書き可能 厚さ100nmの薄膜をMOSトランジスタ上に配線 | 230 160 |
| 2005年12月号 | 次世代型光通信レーザ装置 -光信号数10〜100倍に- | 東北大 アドバンテスト研 | 日経産業新聞 (2005年9月7日PP.7) | DWDM 53cm×42cm×16cmの装置 Er添加光ファイバに光信号を通して増幅後アセチレンガスを通し周波数安定 周波数間隔を10MHz以上に狭める | 120 240 250 340 |
| 2005年11月号 | 次世代スピントランジスタ | 産総研 | 日経産業新聞 (2005年8月24日PP.8) | p型(Ga Mn)As半導体をn型ZnSe半導体でサンドイッチした構造 移動の5〜6割は磁石の向きを維持 | 220 |
| 2005年 7月号 | 次世代磁気メモリー -消費電力同じで1万倍高速- | 東北大 日立 | 電波新聞 (2005年4月5日PP.1) 日刊工業新聞 (2005年4月5日PP.23) | MgOの絶縁膜をBを含むCoFe膜2枚で挟む 室温で磁気抵抗比287% 1Gb級MRAMに道 スパッタ法 TMR素子 | 120 230 |
| 2005年 7月号 | 次世代無線「WiMAX」 -2006年度にも実用化- | 総務省 | 日刊工業新聞 (2005年4月7日PP.1) | 周波数2〜5GHz検討 IEEE802.16e 上り下りでブロードバンド使用可能 情報家電 | 440 540 |
| 2005年 7月号 | FSKからPSKへの光信号を直接変換 | 情通機構 | 日刊工業新聞 (2005年4月11日PP.29) | 次世代通信システムをシームレスに統合 高速大容量化に貢献 光強度変調器と光フィルタを組合せる 10Gbpsを信号化 | 340 440 320 |
| 2005年 5月号 | 次世代MPU「セル」の技術概要をISSCCで発表 | ソニー 東芝 米IBM | 日経産業新聞 (2005年2月9日PP.2) 日本経済新聞 (2005年2月9日PP.11) | マルチコア構造 処理能力10倍 9個のマルチコア | 220 260 |
| 2005年 5月号 | 希土類元素をナノクラスタにした次世代白色LED材料 | KRI | 日刊工業新聞 (2005年2月21日PP.1) | 希土類元素の周囲にAlなどの金属を配した1〜2nmサイズのクラスタ 有機溶媒にEu(赤)Tb(緑)Ce(青)を添加したクラスタに紫外線を照射 | 250 |
| 2005年 3月号 | 100Mbps次世代無線アクセス -アンテナ数に応じ容量増- | NTT | 日刊工業新聞 (2004年12月2日PP.25) | 多入力多出力(MIMO)伝送技術 MIMO-OFDM 送受信アンテナ2式試作実験 5GHz帯 | 340 440 660 |
| 2005年 3月号 | 次世代LSIの電流漏れカット | 東芝 | 日経産業新聞 (2004年12月17日PP.7) 日刊工業新聞 (2004年12月17日PP.33) | ニッケルシリサイド層の形成前にSiにFを含ませNiの拡散を抑える 45nm半導体向け | 220 160 |
| 2005年 3月号 | 次世代半導体材料の劣化長期予測 | 半導体MIRAIプロジェクト 東大 | 日経産業新聞 (2004年12月28日PP.7) | HfAlO ゲート電極にマイナス電圧を印加すると電子の量に比例して劣化 プラス電圧を印加すると正孔の量に比例して劣化 シミュレーションモデル | 120 660 |
| 2005年 2月号 | 次々世代光ディスク -DVD1枚で映画100本分記録- | パイオニア | 日経産業新聞 (2004年11月8日PP.8) | 500GB記録可能 電子線描画 ピット間隔約70nm 感光性樹脂を塗った炭素基板 紫外線レーザ | 230 |
| 2005年 2月号 | 積層型3次元LSIを量産 -次世代機器向け用途開拓- | 東北大 ザイキューブ | 日刊工業新聞 (2004年11月16日PP.25) | センサチップ・アナログLSI・論理LSI・CPU・メモリーなどを積層 トレンチ溝 マイクロバンプ電極 膜の厚さ数十nm〜数百μm トレンチ溝直径500nm〜数μm | 160 |
| 2005年 1月号 | ナノ空孔3次元解析 -次世代半導体量産化に貢献- | Selete | 日経産業新聞 (2004年10月6日PP.1) | 透過型電子顕微鏡(TEM) 数十枚の顕微鏡画像を合成 65nm半導体 多孔質ローK膜 最適な絶縁膜を選べる | 660 360 |
| 2004年12月号 | 次世代DRAM向け65nm対応キャパシタ -Nbで高性能化- | 日立 エルピーダメモリ | 日経産業新聞 (2004年9月16日PP.8) | Nb2O5とTaを積層 結晶化温度500℃ | 230 |
| 2004年 9月号 | 65nm次世代半導体 -配線強化で歩留まり2倍に向上- | 東芝 ソニー | 日経産業新聞 (2004年6月24日PP.9) | 配線の剥落を防ぐ技術 高密度配線 層間絶縁膜 電子ビームで配線材料強度高める | 160 220 260 |
| 2004年 8月号 | 世界最高光出力の青紫色半導体レーザ | 三洋電機 | 日刊工業新聞 (2004年5月27日PP.1) | パルス発振で120mW GaN基板 次世代大容量光ディスク | 250 |
| 2004年 7月号 | 次世代LSI向けマスク欠陥検査技術 | 東芝 Selete | 日経産業新聞 (2004年4月13日PP.7) | 198.5nmの遠紫外光採用 マスク1枚を2時間程度で検査 欠陥の種類によっては20nm程度も検出 | 360 |
| 2004年 7月号 | 紙でできた次世代光ディスク | 凸版印刷 ソニー | 日経産業新聞 (2004年4月16日PP.5) 日刊工業新聞 (2004年4月16日PP.9) | Blu-ray 25Gb 紙比率51%以上 ポリカーボネイトを紙に染み込ませる | 230 |
| 2004年 6月号 | 次世代半導体向け製造技術 -露光処理せず微細配線- | 東芝 | 日経産業新聞 (2004年3月17日PP.11) | 1時間の工程を1分に短縮 ソフトリソグラフィ 直径50nmの粒子を50nm間隔で碁盤の目に並べる | 160 |
| 2004年 3月号 | 線幅45nm対応の絶縁膜 -次々世代半導体向け- | NEDO 富士通 東芝など24社 | 電波新聞 (2003年12月8日PP.1) 日経産業新聞 (2003年12月8日PP.9) | 半導体MIRAIプロジェクト 多孔質無機Low-kの改良 弾性率8GPa プラズマ共重合 TMCTSガス処理 | 160 220 |
| 2004年 3月号 | 極低損傷プラズマエッチング技術 -次世代CCD量産に道- | 東北大 三洋電機 | 日刊工業新聞 (2003年12月10日PP.1) | 暗電流を劇的に低減 マイクロレンズ パルス変調プラズマエッチング CF4(下付) | 210 260 |
| 2003年11月号 | 次世代半導体用絶縁膜 -溶液中で作製- | 理化学研 | 日経産業新聞 (2003年8月21日PP.7) | Hfを含む溶液 400℃加熱 絶縁膜10〜15nm | 160 |
| 2003年10月号 | 次々世代半導体の回路原板 -窒素化合物で精密描画- | HOYA | 日経産業新聞 (2003年7月23日PP.9) | 反射型マスク 極端紫外線 吸収層にTaとBと窒素化合物 10nm紫外線より短い紫外線 EUVの散乱防ぐ 反射層にM/Siを積み重ね | 120 160 |
| 2003年10月号 | 国産次世代ルータ | 経済産業省 | 日刊工業新聞 (2003年7月25日PP.1) | 現在の4倍速 40Gb | 340 |
| 2003年10月号 | 次世代のディジタル署名 -暗号技術の実装方式- | NTT 日立 三菱電機 | 日本経済新聞 (2003年7月28日PP.9) 電波新聞 (2003年7月29日PP.1) | 電子暗号技術実装 技術だ円曲線暗号 CRESERC | 520 |
| 2003年 8月号 | 次世代ネット接続ソフト
-日米で開発- | 日立 米シスコシステムズ NEC 富士通 米ジュニパー・ネットワークス | 日本経済新聞 (2003年5月2日PP.1) | ルータ 接続ソフト共同開発 事実上の世界標準 IPv6 ネット家電 | 540 620 440 |
| 2003年 8月号 | 次世代光ディスク
-現行設備で製造- | 東芝 | 日本経済新聞 (2003年5月9日PP.17) | AOD 片面二層 36GB | 230 |
| 2003年 7月号 | 次世代トランジスタ -IC消費電力1/10 漏電抑える- | Selete 早大 物材機構 他 | 日経産業新聞 (2003年4月11日PP.1) | MOSFETの絶縁膜改良 HfOを使う技術 次世代トランジスタ 消費電力1/10 | 160 220 |
| 2007年 3月号 | ハイビジョン放送を1500時間保存可能な次世代メモリー | パイオニア 東北大 | 日本経済新聞 (2006年12月15日PP.17) | 切手大のサイズ換算で10Tb以上の情報を記録 強誘電体プローブメモリー | 230 |
| 2007年 3月号 | 駆動電流が50%超向上する次世代立体型トランジスタ | 東芝 | 日刊工業新聞 (2006年12月15日PP.30) | 雪かき効果 金属シリサイドとチャネル部分のSi界面に不純物原子を高濃度で2〜3nm厚に偏析した層を形成 | 160 220 |
| 2007年 1月号 | 動画解像度の測定方式 | 次世代PDP開発センター | 電波新聞 (2006年10月19日PP.1) 日刊工業新聞 (2006年10月23日PP.6) | 電子ディスプレイ APDC方式 動画再生時に発生する乱れを定量的に測定 4本の線で作られた9種類の楔形を縦に配置 | 250 660 |
| 2006年11月号 | 磁気ヘッド用素子 -次世代HDDに道- | 英日立ケンブリッジ研 英国立物理学研 英ケンブリッジ大 | 日経産業新聞 (2006年8月10日PP.7) | 記憶容量が数Tbを超えるHDDにつながる高性能素子 | 230 120 |
| 2006年11月号 | 次世代光通信網向け光制御技術 | 情通機構 | 日本経済新聞 (2006年8月18日PP.15) | 光信号を遅らせ タイミング制御によりデータの交通整理 光信号遅延用光ファイバを開発 | 440 240 |
| 2006年10月号 | ホログラムディスク用記録材料 | 産総研 | 日経産業新聞 (2006年7月13日PP.1) | 次世代DVDの10倍以上の容量 3次元記録 書換え可能 アゾベンゼン高分子 複屈折率0.28以上 厚さ3μm程度 | 120 130 230 |
| 2006年 9月号 | 次世代メモリー「MRAM」 -電流値1/10に微細化可能- | ソニー | 日本経済新聞 (2006年6月2日PP.15) | 磁性記録式随時書込み読出しメモリーの高集積化技術 電流の方向による書込み方式 試作4kbit | 230 |
| 2006年 7月号 | 次世代半導体メモリー -蓄積電荷5倍の新材料を開発- | 東工大 富士通 | 日経産業新聞 (2006年4月3日PP.17) | FeRAM ビスマスフェライト(BFO)に微量のMnを加えた新材料 65nmまで微細化可能 | 120 230 |
| 2006年 7月号 | 折り曲げ自在な次世代メモリー | セイコーエプソン | 日本経済新聞 (2006年4月4日PP.13) | FeRAM 電子ペーパー ICタグ フッ素系ポリマー 厚さ0.1mmのプラスチック基板上 | 120 230 |
| 2006年 7月号 | 書き込み速度1000倍の次世代メモリー | 静大 シャープ | 日経産業新聞 (2006年4月7日PP.1) | RRAM(抵抗式随時書込み読出しメモリー) TiNを活用 読出し時間20ns/bit 既存施設の利用可能 TiNの表面にTiO2薄膜 2V程度の電圧による抵抗値の変化利用 | 120 160 230 |
| 2006年 7月号 | 次世代ITS通信規格統一 | 国土交通省 トヨタ自動車 NTTドコモ 他23社 | 日経産業新聞 (2006年4月28日PP.3) | DSRC(狭域無線) ETC | 540 530 |
| 2006年 6月号 | 伝送速度2.5倍の面発光レーザ -次世代スーパコンピュータ向け- | NEC | 日経産業新聞 (2006年3月8日PP.13) | 大きさ250μm角 伝送速度25Gbps GaAsIn | 120 250 |
| 2003年 4月号 | 原子1層の半導体膜 | FEC | 日刊工業新聞 (2003年1月24日PP.1) | 次世代半導体製造用化学ガスを高速切替え ALD | 160 |
| 2003年 3月号 | 次々世代LSI用金属成膜技術 | 三菱重工 | 日刊工業新聞 (2002年12月16日PP.11) | 45nmプロセス用 MCR-CVD 塩素ガス利用 200〜300℃で製膜可 | 160 |
| 2003年 2月号 | DVDフォーラムが次世代規格「AOD」を認定 | DVDフォーラム | 日本経済新聞 (2002年11月7日PP.11) | 仮称｢アドバンスト・オプティカル・ディスク(AOD)｣ 来春一般公開予定 ブルーレイ | 530 |
| 2002年12月号 | 次世代メトロ向け光変調器 -光増幅なしで2km伝送に成功- | 日立 | 日刊工業新聞 (2002年9月18日PP.1) | 40Gbps | インビーダンス整合技術 240 340 |
| 2002年11月号 | 次世代DVD新規格 | 東芝 NEC | 日本経済新聞 (2002年8月24日PP.1) 日本経済新聞 (2002年8月24日PP.14) 朝日新聞 (2002年8月24日PP.3) 日本経済新聞 (2002年8月30日PP.13) | 二重の記録層の凹凸にデータを焼き込む ディジタルハイビジョンを5時間余り 片面2層40GB 保護層0.6mm厚 DVDフォｰﾗムに公開 ランドグループ方式 405nm青色レーザ | 230 530 |
| 2002年10月号 | 次世代DVD -容量4倍パソコン用で標準目指す- | NEC | 日刊工業新聞 (2002年7月16日PP.1) | 光ディスク 405nm青色半導体レーザ 片面最大20.5GB・32Mbps DVDとの互換制を重視 保護層厚0.6mm カートリッジ不要 | 230 330 530 |
| 2002年10月号 | ビタビデコーダ -小型・最高速の次世代技術- | 中大 機械学習研 | 日刊工業新聞 (2002年7月25日PP.4) | 最尤パス探索アルゴリズム 動的計画法 バックトラック法 83MHz動作 FPGA 誤り訂正符号 | 340 520 |
| 2002年 9月号 | 次世代ディスプレイ技術 -来年春にも実用化- | 東芝 キヤノン | 日本経済新聞 (2002年6月22日PP.11) | SED サーフェイス コンダクションエレクトロン・エミッタディスプレイ 画素を超微細な電子銃で発光 | 250 |
| 2002年 8月号 | 次世代式薄型ディスプレイ-省エネ・大画面- | 松下電工 | 日本経済新聞・夕刊 (2002年5月1日PP.3) | FED 10〜40インチ画面 超微細なSi結晶 | 250 |
| 2002年 8月号 | 次世代光伝送向けトランジスタ | 沖電気 | 日経産業新聞 (2002年5月27日PP.7) | ゲート幅100nm 積層部をInとPで構成 ウェットエッチング 6層構造 | 220 160 |
| 2002年 7月号 | 次世代メモリーMRAM -1Gb以上に- | 産総研 | 日本経済新聞 (2002年4月26日PP.17) 日刊工業新聞 (2002年4月26日PP.5) | 抵抗値変化幅従来の3倍 厚さ1nmのFe単結晶薄膜 TMR素子をシリコンLSI上に作製 | 210 230 |
| 2002年 5月号 | DVDに世界規格 -次世代光ディスク規格統一- | 松下電器 ソニー 日立 パイオニア シャープ 蘭フィリップス 仏トムソン・マルチメディア 韓サムソン電子 韓LG電子 | 日本経済新聞 (2002年2月16日PP.13) 日本経済新聞 (2002年2月16日PP.1) 日本経済新聞 (2002年2月20日PP.14) 電波新聞 (2002年2月22日PP.15) 学会誌4月号 (0年0月0日) | 波長405nm青紫色レーザ Blu-rayDisc 片面27GB 直径12cm ピックアップ | 330 230 530 |
| 2002年 4月号 | 次世代大容量書換え型光ディスク | 東芝 | 電波新聞 (2002年1月8日PP.1) 日経産業新聞 (2002年1月8日PP.9) 日刊工業新聞 (2002年1月8日PP.13) 日本工業新聞 (2002年1月8日PP.5) | 30GB直径120mm光ディスク 波長405nmの青色レーザ ランドグルーブ方式 PRML技術 UDF カバー層厚0.1mm | 230 330 |
| 2002年 2月号 | 次世代マイクロチップ -化学実験をチップ上で可能に- | 東大 他 学者グループ 島津製作所 他 企業グループ | 朝日新聞 (2001年11月24日PP.2) | 次世代マイクロチップ 化学とエレクトロニクスの融合 チップ上で化学実験 | 120 |
| 2002年 2月号 | 次世代宅内ネットの実証 | 総務省 宅内情報通信・放送高度化フォーラム 旭化成 積水化学 | 日刊工業新聞 (2001年11月26日PP.2) | 情報コンセント 100Mbps-200Mbps | 540 |
| 2002年 1月号 | 次世代DVD用対物レンズ -新型光ヘッド開発- | 日立 旭光学 | 日経産業新聞 (2001年10月12日PP.8) 日刊工業新聞 (2001年10月12日PP.11) 電波新聞 (2001年10月12日PP.1) | 片面2層に読み書き可能 100GB高密度記録 高屈折率ガラス 単レンズ 屈折率可変液晶 レンズディスク間隔 0.7mm 外径5mm NA0.85 レーザ光焦点を自動補正 | 210 230 250 |
| 2001年12月号 | 第3次世代携帯電話 -「FOMA」10/1スタート- | NTTドコモ | 日経産業新聞 (2001年9月4日PP.3) | FOMA 映像音楽配信は来年以降 | CDMA 540 |
| 2001年12月号 | 次世代光ディスク加工技術 -DVDの容量20倍に 赤色半導体レーザ利用- | シャープ 産総研 TDK | 日経産業新聞 (2001年9月11日PP.13) | 原盤加工 吸光発熱薄膜 熱疑固薄膜 幅100nmの線 直径80nmの突起 | 230 160 |
| 2001年11月号 | 次世代強誘電体メモリー材料 -漏れ電流2桁改善- | 東工大 | 日刊工業新聞 (2001年8月17日PP.5) | SBTN BTTを3割固溶 FeRAM用材料 薄膜化 | 130 |
| 2001年 8月号,9月号 | 137GB容量の壁破るHDD -開発プロジェクト発足- | 米マックストア | 電波新聞 (2001年6月29日PP.5) | 144PB(ペタバイト)まで 次世代ATA | 530 230 |
| 2001年 7月号 | 次々世代携帯の基本仕様 | 総務省 NTTドコモ KDDI 日本テレコム 他 | 日本経済新聞 (2001年5月10日PP.1) | 端末互換 100Mbps | 540 640 |
| 2001年 6月号 | 次世代動画像伝送規格 | 東芝 NEC NTT 松下電器 沖電気 | 日本経済新聞 (2001年4月10日PP.13) | MPEG-4 IETF インタネット・無線送信 | 520 540 |
| 2001年 6月号 | 次世代テレビ双方向サービス | 総務省 | 日本経済新聞 (2001年4月11日PP.1) | 番組自動録画 4000時間録画 テレビ機能更新 | 540 640 |
| 2001年 6月号 | 次世代光ディスク -容量DVDの5倍- | NEC | 日経産業新聞 (2001年4月19日PP.8) | 25GB大容量光ディスク 青色レーザダイオ-ド光ヘッド 情報転送速度50Mbps | 230 330 |
| 2001年 6月号 | 次世代光メモリー -DVDの2500倍実現- | セントラル硝子 京大 | 日刊工業新聞 (2001年4月20日PP.1) | 1cm3に8Tb ガラスにフェムト秒でレーザ照射 希土類元素の価数が変化 波長680nm 光メモリー | 230 130 430 |
| 2001年 5月号 | 長距離国際通話料市内並み -次々世代携帯ネット電話化- | 総務省 | 日本経済新聞 (2001年3月27日PP.1) | 次々世代携帯電話 インタネット電話 | 540 440 |
| 2001年 5月号 | 電子署名技術 -次世代言語「XML」対応- | 日本アイ・ビー・エム | 日経産業新聞 (2001年3月6日PP.1) | SOAP(Single Object Access Protocol) 電子署名用サーバ 企業間電子商取引用 | 440 620 |
| 2001年 2月号 | 次世代ネット技術 -IPv6接続実験- | 富士通 | 日経産業新聞 (2000年12月8日PP.2) | IPv6 | 440 |
| 2001年 1月号 | PHSに動画配信 | NTTドコモ | 日本経済新聞 (2000年11月28日PP.1) | 次世代携帯電話 毎秒30コマ 72kbps | 440 |
| 2000年12月号 | 10万種の動画同時配信 -1波長でテラビット伝送- | NTT | 日本経済新聞 (2000年10月21日PP.13) | 次世代ブロードバンド通信 光通信 光ファイバ 1Tbps超 TDM | 240 440 |
| 2000年11月号 | 次世代ディスプレイ -曲げても映像表示- | パイオニア | 日本経済新聞 (2000年9月27日PP.1) | 0.2mm厚 プラスチック製有機EL 大きさ約4.5×2.2cm 重さ1g | 250 |
| 2000年11月号 | 送受信モジュール -次世代規格に対応- | シリコンマジック | 日経産業新聞 (2000年9月7日PP.1) | Bluetooth 送受信モジュール プロトコル処理 LSI | 340 |
| 2000年 9月号 | 次世代無線システム研究へ | 郵政省 | 日刊工業新聞 (2000年7月17日PP.2) | WLL TAO | 540 |
| 2000年 9月号 | 次世代平面テレビのディスプレイ用新素材 | NTT | 日本経済新聞 (2000年7月8日PP.15) | FED 窒化アルミニウム | 250 |
| 2000年 8月号 | 国境なき次世代携帯 | 郵政省 | 朝日新聞 (2000年6月10日PP.13) | 次世代携帯 | 540 |
| 2000年 8月号 | 次世代露光技術に期待 -極度に明るいレンズで高解像度- | 電機大 | 日本工業新聞 (2000年6月7日PP.17) | 薄膜レジスト 極度に明るいレンズ | 160 |
| 2000年 8月号 | 次世代ネットプロトコル「Lpv6」 -ハード処理で速度10倍- | NEC | 日刊工業新聞 (2000年6月6日PP.1) | lv6 インタネットオプロトコル | 340 |
| 2000年 8月号 | 次世代技術でネット電話 | ワールドアクセル 東工大 京大 | 日経産業新聞 (2000年6月5日PP.1) | VoIP対応の新プロトコルを利用して CATV網に電話機を直結する新技術 | 440 340 |
| 2000年 7月号 | 世界最速の次世代光ディスク -記録レート70Mbps- | TDK | 日刊工業新聞 (2000年5月30日PP.6) | 次世代光ディスク 記録レート70Mbps 青色レーザ 相変化 | 230 |
| 2000年 7月号 | 長波長面発光レーザ -次世代LANの光源に応用期待- | 新情報処理開発機構(RWCP) NEC | 日刊工業新聞 (2000年5月17日PP.7) | VCSEL | 240 250 |
| 2000年 7月号 | 次世代無線通信用アンテナ -電波送受信方向自由に- | ATR | 日経産業新聞 (2000年5月12日PP.1) | 電波制御導波器アレイアンテナ アドホックネットワーク アレイアンテナ 小形アンテナ 360度送受信 放射パターン可変 周波数1GHz | 340 |
| 2000年 5月号 | 「リナックス」搭載の次世代スーパーコンピュータ | 次世代スーパーコン開発チーム | 日本経済新聞 (2000年3月23日PP.3) | Linux サーバ256台 | 320 420 620 |
| 2000年 3月号 | 次世代HDD用トンネルMRヘッド | NEC | 日本工業新聞 (2000年1月28日PP.25) | HDD 再生ヘッド TMRヘッド 40〜50Gb/in2 INO法 | 230 210 |
| 2000年 3月号 | 次世代形HDDヘッド | TDK | 日本経済新聞 (2000年1月4日PP.7) | HDD 再生ヘッド TMRヘッド 50Gb/in2 | 230 210 |
| 1999年12月号 | 次世代HDD用スピントンネル素子 | NEC | 日本工業新聞 (1999年10月14日PP.15) | スピントンネル素子 トンネル効果 スピン効果 MR比30% 40Gb/in2 | 210 230 |
| 1999年12月号 | 液晶ディスプレイ用次世代インタフェース | 日本IBM シャープ 東芝 日立 | 日刊工業新聞 (1999年10月21日PP.9) 日経産業新聞 (1999年10月22日PP.6) | 液晶ディスプレイ | 540 |
| 1999年11月号 | 次世代半導体ウェハ -SOI低コストで量産- | キヤノン | 日経産業新聞 (1999年9月24日PP.1) | SOIウェハ 高圧水流 張合せ法 ウォータジェット | 160 |
| 1999年 9月号 | 次世代半導体素子 -微細構造を精密検査- | 富士通研 阪大 | 日経産業新聞 (1999年7月13日PP.5) | 次世代半導体素子 微細構造 顕微鏡 | 360 |
| 1999年 9月号 | 次世代の高速放送衛星 -開発計画を策定- | 郵政省 | 日本経済新聞 (1999年7月26日PP.21) | UDTV 立体テレビ放送 21GHz帯 | 640 |
| 1999年 8月号 | カーボンナノチューブ使用表示装置 | 物資工学研 | 日経産業新聞 (1999年6月13日PP.4) | カーボンナノチューブ 次世代平面ディスプレイ 3kV加圧で発光 100万A/cm2以上 | 250 |
| 1999年 8月号 | 業界最高レベルの超小形次世代シグナルリレー | NEC | 電波新聞 (1999年6月21日PP.11) | シグナルリレー | 220 |
| 1999年 7月号 | DVD-RAM次世代機 | 松下電器産業 | 日本経済新聞 (1999年5月25日PP.13) | 片面4.7GB 650nm | 230 330 160 130 |
| 1999年 7月号 | 次世代LSI用分子性レジスト -線幅0.04μm- | 阪大 | 日本工業新聞 (1999年4月30日PP.17) | 電子線照射 新規化学増幅形分子性レジスト(BCOTPB) アモルファス薄膜 | 160 |
| 1999年 6月号 | 次世代衛星システム | 日立製作所 | 朝日新聞 (1999年4月15日PP.2) | 次世代衛星システム 長楕円軌道衛星 | 540 440 |
| 1999年 5月号 | 磁界で電流を制御 -次世代複合半導体に道- | 北陸先端大 | 日刊工業新聞 (1999年3月24日PP.7) | ニッケル微粒子 次世代複合半導体 単電子効果 強磁性体微粒子 磁気ドメイン スイッチング機能 | 120 |
| 1999年 5月号 | 次世代携帯電話 -国際規格を統一- | 郵政省 ITU | 日本経済新聞 (1999年3月20日PP.1) | ITU 次世代携帯電話 IMT-2000 CDMA 日欧方式+北米方式の一体形携帯電話 | 540 |
| 1999年 5月号 | 次世代携帯電話 -共通規格で合意- | エリクソン クアルコム | 日本経済新聞 (1999年3月12日PP.13) | CDMA | 540 |
| 1999年 5月号 | 専用HDD搭載の次世代AV -AV用途HDD搭載コンセプトモデル- | 松下電器産業 松下寿電子 米クアンタム | 日本工業新聞 (1999年3月9日PP.4) 電波新聞 (1999年3月9日PP.1) | HDD AV用途 ディジタルコンテンツ ホームサーバ 3.5in 容量12.5GB | 330 |
| 1999年 4月号 | 次世代ネット研究 日米の学者ら結集 | JAIRC | 日本経済新聞 (1999年2月19日PP.13) | IPv6 セキュリティ技術 | 540 |
| 1999年 4月号 | 次世代LSI向けFeRAM -消費電力1/5 面積半分に- | 松下電子 | 日経産業新聞 (1999年2月18日PP.1) | FeRAM | 230 |
| 1999年 4月号 | 紫色半導体レーザ -次世代DVD用光源- | 松下電器産業 | 電波新聞 (1999年2月4日PP.1) 日経産業新聞 (1999年2月4日PP.5) 日本経済新聞 (1999年2月4日PP.11) 日本工業新聞 (1999年2月4日PP.4) | 次世代DVD 波長400nm 集光特性 連続発振 多重量子井戸構造 GaN DVD 紫色半導体レーザ 半導体レーザ 記録用光源 | 230 250 |
| 1999年 3月号 | ナチュラルビジョン -実物の色彩忠実に- | 郵政省 | 産経新聞 (1999年1月10日PP.1) 電波タイムズ (1999年1月20日PP.1) | ナチュラルビジョン 次世代映像表示 伝送システム 16原色 環境情報 色再現性 | 540 |
| 1999年 3月号 | 超高速インタネット -速さ130倍 実証実験- | NTT 他10社 3大学 | 日本経済新聞 (1999年1月13日PP.1) | 19.2Gbps MAPOS 次世代インタネット | 440 540 |
| 1999年 2月号 | 次世代基幹ネットワーク -伝送速度1/10- | 日本テレコム | 日本経済新聞 (1998年12月4日PP.13) | TCP/IP通信機 次世代基幹ネットワーク | 640 440 |
| 1999年 1月号 | 30%高速化した次世代LSI -絶縁膜に新材料- | 富士通研 | 日経産業新聞 (1998年11月26日PP.5) | LSI 絶縁膜 二酸化ケイ素 水素シルセスキオキサン(HSQ) | 160 120 |
| 1999年 1月号 | 動画送受信する携帯電話 | 松下通信工業 | 日経産業新聞 (1998年11月13日PP.6) | 次世代携帯電話 テレビ電話 小型カメラ カラー液晶表示装置 W-CDMA | 340 540 |
| 1998年12月号 | 次世代携帯電話用LSIの新素子構造 | 東芝 | 日経産業新聞 (1998年10月1日PP.5) | 携帯電話 通信LSI 素子構造 | 220 160 |
| 1998年12月号 | 次世代ディジタル機器向け画像圧縮技術 | 松下電器産業 | 日本経済新聞 (1998年10月1日PP.13) | DVD-RAM リアルタイム圧縮 明るさ色から重要領域を予測 圧縮効率5割以上 | 330 520 |
| 1998年11月号 | 次世代メモリー用強誘電体材料 | トリケミカル研 東工大 | 日経産業新聞 (1998年9月13日PP.4) | 効率10倍 トリメチルビスマス 強誘電体材料 CVD | 160 |
| 1998年10月号 | FEDの新型電極 -次世代表示装置向けに開発- | 電総研 | 日経産業新聞 (1998年8月31日PP.5) | FED 電極 放電電流の変動 大画面表示 薄型表示装置 微細電極 薄型トランジスタ a-Si FED電極 TFTで電流ばらつ き低減 | 250 160 |
| 1998年10月号 | 次世代光通信 -全国縦断網構築へ- | 郵政省 | 日本経済新聞 (1998年8月24日PP.1) | 光ファイバ通信網 1Tb | 540 440 |
| 1998年10月号 | 次世代無線LAN国際規格 -5GHz高速無線LAN 日米標準化で合意- | NTT ルーセント | 日本経済新聞 (1998年8月17日PP.17) 日刊工業新聞 (1998年8月17日PP.1) | 無線LAN OFDM マルチキャリヤ伝送方式 5GHz帯 30Mbps LAN 無線通信 | 440 540 |
| 1998年 9月号 | 次世代光ディスク -100GB級を共同開発- | ソニー 松下電器産業 等13社 | 日経産業新聞 (1998年7月30日PP.1) | 光ディスク 多値化 | 230 330 |
| 1998年 9月号 | 次世代携帯電話 -参入は最大3社- | 郵政省 | 日本経済新聞 (1998年7月28日PP.5) | 次世代携帯電話の基本方針を決定 1社で全国カバーを認める 2001年中に実用化 1.92〜1.98GHz(携帯端末→基地局) 2.11〜2.17GHz(基地局→携帯端末) 動画伝送用に20MHzを1社に割当て | 540 640 |
| 1998年 9月号 | 低ノイズ型青色SHGレーザ-シングルモード法- | 日立製作所金属 | 電波新聞 (1998年7月14日PP.9) | 固体レーザ 高周波ノイズ シングルモード マルチモード 青色レーザ 次世代DVD | 250 |
| 1998年 8月号 | 次世代LSI用配線技術 | 東芝 | 日経産業新聞 (1998年6月19日PP.4) | 抵抗 容量減少 ニオブ 絶縁膜に配線用溝と接続用の孔 ニオブを使用 抵抗3〜5割 静電容量4割程度削減 | 160 |
| 1998年 7月号 | スーパコンピュータ並み超高速計算機 -パソコン100台を連結- | 東大 | 日本経済新聞 (1998年5月11日PP.19) | 次世代公衆回線網 パソコン100台連動 協調作動 | 440 420 |
| 1998年 6月号 | テラビット級光スイッチ -次世代光通信網に利用- | フェムト秒テクノロジー研究機構 | 日経産業新聞 (1998年4月23日PP.5) | 光スイッチ 光多重通信 1.5Tbps | 240 440 |
| 1998年 6月号 | 次世代メモリー -FeRAM高速化- | ローム | 日経産業新聞 (1998年4月16日PP.1) | FeRAM 高速化 低消費電力化 製造技術 PZT成膜温度を550℃に低温化 トランジスタ線幅0.18μm可能に | 230 160 |
| 1998年 6月号 | 次世代超高速無線LAN -5GHz帯割当へ- | 郵政省 | 日刊工業新聞 (1998年4月15日PP.9) | 無線LAN 5GHz帯 20Mbps以上 郵政省 高速データ通信 | 640 440 540 |
| 1998年 6月号 | 配線技術 -次世代高速ロジックLSI実現へ- | 富士通研 | 日経産業新聞 (1998年4月14日PP.5) | 有機高分子 絶縁膜 | 220 160 |
| 1998年 5月号 | 次世代インタネット -米 1億ドルを投入- | 米政府 | 日本経済新聞 (1998年3月13日PP.3) | NGI(次世代インタネット) | 640 |
| 1998年 4月号 | 次世代携帯電話統一規格 | 欧州電気通信標準化機構(ETSI) | 電波新聞 (1998年1月31日PP.1) | 次世代携帯電話 規格統一 CDMA | 440 540 |
| 1998年 3月号 | 米の次世代地上デジタル放送受像機用半導体チップ | 三菱電機 米ルーセントテクノロジー | 電波新聞 (1998年1月7日PP.1) | 受信用IC 5チップ | 220 520 540 |
| 1998年 3月号 | 次世代PHS技術 -実験開始- | NTT 他 | 日本経済新聞 (1998年1月7日PP.11) | PHS マルチメディア移動アクセス | 440 540 |
| 1998年 1月号 | 次世代暗号 -電子決済に対応- | NEC | 日経産業新聞 (1997年11月20日PP.1) | 楕円曲線暗号 暗号 | 620 520 |
| 1998年 1月号 | スピントンネル素子 -電気抵抗2ケタ低減- | NEC | 日刊工業新聞 (1997年11月7日PP.5) | スピントンネル素子 次世代HDD用 Fe/Al2O3/CoFe 真空連続成膜 2.4μΩ/cm2 | 210 230 |
| 1997年10月号 | 次世代光ディスク | NEC | 日本経済新聞 (1997年8月14日PP.11) | 片面5.2GB MMVF | 230 330 |
| 1997年 9月号 | 次世代の携帯電話受信用IC | 鷹山 NTTドコモ | 日本経済新聞 (1997年7月28日PP.16) | CDMA ニューロ マッチトフィルタ 消費電力30mW | 220 520 |
| 1997年 9月号 | 次世代光ディスク -記憶容量CDの1000倍- | 工技院産業技術融合領域研 日立製作所 他 | 日本経済新聞 (1997年7月19日PP.10) | CDサイズで1TBが目標 近接場光 駆動制御技術 | 230 |
| 1997年 9月号 | 有機ELディスプレイ -省電力が強み，実用秒読み- | メーカ 各社 | 日経産業新聞 (1997年7月13日PP.4) | 次世代薄型ディスプレイ 有機EL カラー動画表示 | 250 |
| 1997年 9月号 | 次世代光磁気ディスク -日米等15社が統一規格- | 富士通 フィリップス 等 | 日本経済新聞 (1997年7月4日PP.11) | ASMO 記憶容量6GB CDサイズで6GB | 230 530 |
| 1997年 8月号 | 次世代放送の記録装置 -家庭向けに試作- | NHK | 日経産業新聞 (1997年6月6日PP.5) | ISDB メモリー HDD VTR 記録 再成 マルチメディア | 330 440 |
| 1997年 8月号 | 次世代の磁気記録媒体技術-磁気記録媒体容量を5倍に- | 日本ビクター | 日刊工業新聞 (1997年6月4日PP.1) | 磁気記録媒体 コバルトサマリウム | 130 230 |
| 1997年 8月号 | 次世代携帯電話 -米加4社が規格統一- | ルーセントテクノトジ | 日本経済新聞 (1997年6月1日PP.1) 日刊工業新聞 (1997年6月5日PP.11) | 次世代携帯電話 CDMA 規格統一 | 440 540 530 340 |
| 1997年 7月号 | 次世代大容量光ディスク -DVD越す12GB実現- | ソニー | 電波新聞 (1997年5月21日PP.1) 日刊工業新聞 (1997年5月21日PP.8) 日本経済新聞 (1997年5月21日PP.13) 日経産業新聞 (1997年5月21日PP.9) | CDサイズに片面12GB 青緑色レーザ 515nm 20mW CDサイズ 光ディスク 青緑色半導体レーザ 波長515nm 出力20mWの半導体レーザ 9.5Gb/in2 | 230 330 250 |
| 1997年 7月号 | LB膜で高密度記録・再生 | キヤノン | 日経産業新聞 (1997年5月12日PP.5) | 分子素子 LB(ラングミュア ブロシト)膜 次世代メモリー 1Tb/cm2 SPM 分子素子材料 高密度記録再生 メモリー 記録速度2μs/b 読出し100kbps SPM書込み AFM読出し | 130 360 |
| 1997年 6月号 | 次世代光通信開発進む | NTT KDD | 日本経済新聞 (1997年4月21日PP.19) | ソリトン通信 光通信 SOI構造 100Gbps 20Gbps×4 光ソリトン通信 | 440 220 240 |
| 1997年 4月号 | 次世代DSP | TI | 日本経済新聞 (1997年2月4日PP.13) 電波新聞 (1997年2月5日PP.5) | DSP 1600MIPS | 220 |
| 1997年 3月号 | 次世代情報伝送技術 -官民共同で研究促進- | 郵政省 通産省 NHK 日本テレビ フジテレビ ソニー 松下電器産業 リコー | 日本経済新聞 (1997年1月18日PP.9) | 基盤技術促進センター 次世代情報伝送技術 | 640 |
| 1997年 2月号 | MPEG-4対応画像処理ボード -次世代の画像圧縮技術- | 松下電器産業 松下電子 | 日経産業新聞 (1996年12月25日PP.1) | MPEG-4 ウェーブレット変換 動画圧縮技術 LSI | 520 220 |
| 1997年 1月号 | 次世代ディジタルテレビ -米国2規格併存で放送，'98年春に商品化- | 米家電，放送，コンピュータ業界 | 日本経済新聞 (1996年11月27日PP.9) 電波新聞 (1996年11月28日PP.3) 日本経済新聞 (1996年11月28日PP.11) | ディジタルテレビ 地上波 FCC '98年開始へ ATV インタフェース方式 プログレッシブ方式 次世代テレビ | 640 540 |
| 1996年11月号 | 次世代大容量DVD -原盤の製造技術開発- | パイオニア | 日経産業新聞 (1996年9月6日PP.1) | 色素層 15GB DVD 原盤 光退色性色素を積層 トラックピッチ0.4μm | 130 230 160 |
| 1996年11月号 | 次世代携帯電話 | 郵政省 | 日本経済新聞 (1996年9月3日PP.1) | 2000年実用化へ 2Mbps程度 CDMA 国際標準化へ | 440 540 640 |
| 1996年10月号 | 次世代衛星通信システム -動画伝送へ大容量化- | 郵政省 | 日刊工業新聞 (1996年8月27日PP.1) | 移動体衛星通信 周回衛星通信システム | 540 440 |
| 1996年10月号 | 次世代薄型ディスプレイFED | 双葉電子 | 日経産業新聞 (1996年8月23日PP.1) | LCD 薄型ディスプレイ FED 自発光ディスプレイ 白黒 5インチ 厚さ2mm 寿命10000時間以上 320H×420V画素 300cd/m2 コントラスト40:1 | 250 |
| 1996年 9月号 | 次世代光磁気ディスク -日欧8社で開発- | 富士通 ソニー オランダフィリップス 等8社 | 日本経済新聞 (1996年7月17日PP.1) 日本経済新聞 (1996年7月17日PP.13) | MO DVD 光磁気ディスク 6〜7GB 5インチ | 230 530 |
| 1996年 9月号 | 次世代道路交通システム | 政府 警察庁 通産省 運輸省 郵政省 建設省 | 電波新聞 (1996年7月5日PP.12) 日本経済新聞 (1996年7月6日PP.1) 電波新聞 (1996年7月9日PP.2) | ITS 2010年に「自動走行」 | 660 420 |
| 1996年 8月号 | Siで次世代素子 -混載LSI実現に道- | 東芝 | 日経産業新聞 (1996年6月24日PP.5) | トンネル効果 Si | 220 |
| 1996年 8月号 | 次世代高速LSI向け新銅線配線技術 | 三菱電機 | 電波新聞 (1996年6月20日PP.11) 日経産業新聞 (1996年6月20日PP.5) 日刊工業新聞 (1996年6月20日PP.7) | 銅配線 バリアメタル 寿命1000倍 電気抵抗Alの60% | 160 |
| 1996年 7月号 | 次世代高速通信向け受光素子-光電変換効率90%- | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1996年5月24日PP.5) | フォトダイオード 効率90% 半導体受光素子 光通信 | 210 |
| 1996年 4月号 | 次世代の光磁気ディスク -規格共同開発提案- | 富士通 | 日刊工業新聞 (1996年2月20日PP.1) | MOディスク ディスクドライブ 規格 | 330 530 230 |
| 1996年 4月号 | 次世代端末用LSI | NTTドコモ 鷹山 | 日経産業新聞 (1996年2月6日PP.1) | CDMA ディジタル携帯電話 アナログ ニューロ | 520 220 |
| 1996年 3月号 | 切手サイズの次世代メモリーカード -仕様標準化で合意- | メーカ13社 | 電波新聞 (1996年1月25日PP.2) 日経産業新聞 (1996年1月25日PP.2) 日本経済新聞 (1996年1月25日PP.1) 日刊工業新聞 (1996年1月25日PP.11) | メモリーカード 切手大 38×33×3.5 規格化 64GB | 230 530 |
| 1996年 3月号 | CDMA実験開始 -次世代移動通信に応用- | 郵政省 | 日刊工業新聞 (1996年1月18日PP.1) | CDMA 移動体通信 移動通信 | 440 540 520 |
| 1995年12月号 | 001面のSi基板 -原子レベルで平坦化- | JRCAT | 日刊工業新聞 (1995年10月27日PP.7) | 次世代表面処理技術 水素終端プロセス | 160 |
| 1995年12月号 | 次世代画像表示素子DMD | 米TI | 日本経済新聞 (1995年10月9日PP.15) 電波新聞 (1995年10月21日PP.5) | DMD 1.5cm×1.1cmに44万枚の鏡 | 250 260 |
| 1995年 8月号 | インジウムの量子箱 -次世代メモリー開発へ- | 富士通研 | 日経産業新聞 (1995年6月5日PP.5) | 量子箱 RHET | 230 160 120 |
| 1995年 7月号 | 並列電算機 -次世代へ新方式- | 米ウィスコンシン大 | 日経産業新聞 (1995年5月12日PP.5) | 並列電算機 マルチスカラー | 420 |
| 1995年 6月号 | 次世代の番組編集システム用OS -端末OSにウィンドウズ- | ソニー 米オラクル | 日経産業新聞 (1995年4月6日PP.6) | 編集システム 末端OS Windows IBM互換 | 420 520 620 |
| 1995年 5月号 | 次世代半導体装置向け非接触の基板搬送技術 -5kgの基板触れずに浮揚- | カイジョー | 日経産業新聞 (1995年3月13日PP.1) | 5kg 7mm浮上 | 360 160 |
| 1995年 5月号 | 次世代画像表示装置 | ソニー TI | 日本経済新聞 (1995年3月4日PP.10) | DMD(ディジタル マイクディスプレイ) ミラーデバイス マイクロミラー 半導体チップ状に形成 | 350 260 |
| 1995年 4月号 | 次世代マイクロチッププロセッサ | 米インテル | 電波新聞 (1995年2月18日PP.2) | CPU P6 MPU | 220 |
| 1995年 3月号 | 次世代通信衛星システム | 郵政省 | 日本経済新聞 (1995年1月17日PP.1) | 1〜2Gbps 衛星通信 | 440 540 |
| 1995年 2月号 | 次世代メモリーの新技術 -記憶容量10万倍に道- | 東芝 | 日本経済新聞 (1994年12月5日PP.17) | 超高密度記憶素子 AFM 1兆個/cm2の電荷情報 有機色素分子のアモルファス | 230 160 |
| 1995年 1月号 | 次世代CATV規格，日米欧作成で合意 | ITU-T | 日本経済新聞(夕刊) (1994年11月15日PP.1) | CATV VOD 標準化 国際規格 | 540 440 |
| 1994年12月号 | 次世代CATVディジタル伝送実験開始 | 郵政省 | 日本経済新聞 (1994年10月22日PP.12) | 次世代CATV 伝送帯域1GHz MPEG2 | 440 520 |
| 1994年12月号 | GaAsHBTIC -40Gbpsの超高速処理，次世代光通信に道- | 東芝 | 日刊工業新聞 (1994年10月4日PP.6) | 光通信 GaAsHBTIC | 220 340 |
| 1994年10月号 | 長持ち次世代電池 -ニッカドの6倍- | 米ホープテクノロジー | 日本経済新聞 (1994年8月28日PP.1) | 充電式電池 リチウム ポリマー電池 | 250 |
| 1994年10月号 | 光磁気ディスク次世代規格統一 | 日米欧24社 | 日本経済新聞 (1994年8月2日PP.1) | 光磁気ディスク 3.5インチ | 230 530 |
| 1994年 6月号 | '96年までに次世代デジタル放送を標準化 | 郵政省 | 日本経済新聞 (1994年4月25日PP.1) | デジタル放送標準化 | 540 |
| 1994年 3月号 | 次世代RISCプロセッサ -処理速度10倍以上- | 米ヒューレットパッカード | 日刊工業新聞 (1994年1月24日PP.10) | 縮小命令型コンピュータプロセッサ VLIW方式 | 220 320 |
| 1993年 9月号 | 反強誘電性液晶 | 三菱瓦斯化学総研 | 日経産業新聞 (1993年7月1日PP.5) | 反強誘電性LCD 速度70μs/TVL コントラスト30:1 視野角60° ディスプレイ 次世代液晶材料 | 250 150 |
| 1993年 8月号 | 米の次世代のディジタル・ワイヤレス通信サービス用に新周波数を割当 | FCC | 電波新聞 (1993年6月29日PP.1) | ディジタル通信サービス | 540 |
| 1993年 8月号 | 次世代ディジタルオフィスシステム -基本構想発表- | マイクロソフト | 電波新聞 (1993年6月11日PP.1) | OS OA機器 | 320 420 |
| 1993年 8月号 | 次世代LSI向け超微細配線 -最小線幅0.25μm銅使い，2層配線- | 富士通 | 日経産業新聞 (1993年6月8日PP.5) | 銅線 0.25μm 2層配線 超微細配線 寿命100倍 次世代LSI | 160 |
| 1993年 7月号 | 次世代バイCMOS | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1993年5月21日PP.5) | 低電圧 高速動作 | 220 |
| 1993年 6月号 | 欠陥の少い量子細線作製 -光を電子に素早く変換- | 光技術研究開発つくば研究所 | 日経産業新聞 (1993年4月19日PP.5) | 次世代の半導体素材 高変換効率 | 160 |
| 1993年 6月号 | PCS | サザンウエスタンベル パナソニック(米) | 電波新聞 (1993年4月13日PP.4) | 携帯電話 次世代通信サービス | 540 440 |
| 1993年 5月号 | 次世代高密度磁気ディスク | ソニー | 電波新聞 (1993年3月23日PP.12) | 光磁気ディスク 高密度記録 記録 PERMディスク技術 200MB/2.5インチ 5000TPI | 230 |
| 1993年 5月号 | 次世代光磁気ディスクの国際統一規格提案 | 日本IBM ソニー 松下電器産業 フィリップス | 日本工業新聞 (1993年3月2日PP.1) | 3.5インチ 230MB ZCZVフォーマット ISO規格 | 530 |
| 1993年 1月号 | 次世代半導体材料 -ストロンチウム・チタン酸化物- | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1992年11月6日PP.4) | ストロンチウム チタン酸化物 容量50倍 Si利用の50倍にメモリー増 | 120 160 110 |
| 1992年12月号 | 記憶密度100倍の次世代光ディスク -次世代ホログラムメモリーへ道- | NTT | 日本経済新聞(夕刊) (1992年10月26日PP.1) | 次世代光ディスク ホログラムメモリー 光ディスクの100倍 光ファイバ | 130 230 |
| 1992年 8月号 | レーザリソグラフィ技術 -0.25μmパターン- | 松下電器産業 | 電波新聞 (1992年6月5日PP.1) | 次世代LSI | 160 |
| 1992年 5月号 | 次世代記憶媒体 -RAMとROM1枚のディスクに共存- | 富士通 | 日刊工業新聞 (1992年3月23日PP.1) | 記憶媒体 パーシャルROM光磁気ディスク | 330 |
| 1992年 3月号 | 次世代通信放送技術衛星 | 郵政省 | 日刊工業新聞 (1992年1月10日PP.7) | 通信衛星 衛星間通信 | 640 |
| 1992年 2月号 | 次々世代超LSI -1Gb級超LSIに道- | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1991年12月10日PP.5) | 製造加工技術 半地下電極 | 220 260 |
| 1992年 2月号 | 次々世代メモリーセル | 日電 | 電波新聞 (1991年12月10日PP.1) 日刊工業新聞 (1991年12月10日PP.9) | 256MbDRAM 6Mbフラッシュメモリー | 230 |
| 1991年12月号 | 次世代ディスク -現行CDと互換- | 松下電器産業 | 電波新聞 (1991年10月14日PP.1) | CD MD | |
| 1991年11月号 | 低雑音トランジスタ -次世代の衛星通信受信用- | 三菱電機 | 電波新聞 (1991年9月5日PP.7) 日経産業新聞 (1991年9月5日PP.5) | HEMT 衛星通信 | 220 |
| 1991年 9月号 | ハイビジョン用次世代LSI | 三洋電機 LSIロジック | 電波新聞 (1991年7月16日PP.1) | ハイビジョン | 220 |
| 1991年 7月号 | 米で「マイクロテック2000」構想浮上 | 米国 | 電波新聞 (1991年5月2日PP.5) | 次世代1GbSRAMの開発促進 産管合同による戦略立案 | 250 |
| 1991年 6月号 | 次々世代LSI実現へ | 日電 ATT | 電波新聞 (1991年4月23日PP.1) | 次々世代LSI 3.5μmCMOSプロセス | 220 |
| 1991年 4月号 | 次世代光通信用半導体レーザ | 沖電気 | 日経産業新聞 (1991年2月26日PP.0) | コヒーレント光通信に利用 光の周波数ばらつき80kHz以下 高品質半導体レーザ素子Δf80kHz | 240 |
| 1990年 9月号 | 次世代HDTV開発へ研究会 | 超精細画像通信処理技術研究会 | 日本経済新聞 (1990年7月19日PP.0) | 420 |