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| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
| 2017年 8月号 | 3次元MRAM 積層プロセス開発 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2017年5月17日PP.29) | CMOS形成ウェハとTMR薄膜ウェハを別々に形成後圧着 | 230 260 |
| 2017年 6月号 | 何もないのにARで「触覚」 | 宇都宮大 | 日経産業新聞 (2017年3月9日PP.8) | AR HMD 触覚 | 450 |
| 2017年 3月号 | ルネサスエレクトロニクスが初開発 フィン構造SG-MONOSメモリーセル | ルネサスエレクトロニクス | 電波新聞 (2016年12月9日PP.3) | フィン構造 SG-MONOS | 230 |
| 2017年 1月号 | 単眼カメラ高性能化 夜間歩行者を認識 | デンソー | 日刊工業新聞 (2016年10月26日PP.7) | 自動ブレーキシステム用画像センサ CMOS採用 | 210 |
| 2016年11月号 | 反転層チャネルMOSFET ダイヤ半導体で作製 | 金沢大など | 日刊工業新聞 (2016年8月23日PP.23) | パワーデバイス向けノーマリーオフ特性 ダイヤモンドは最も高い絶縁破壊電界とキャリヤ移動度 熱伝導率を持つ究極のパワーデバイス材料 | 220 |
| 2016年 5月号 | 毎秒56ギガビットで無線伝送 http://pr.fujitsu.com/jp/news/2016/02/1-1.html | 東工大 富士通研 | 日刊工業新聞 (2016年2月1日PP.18) | CMOS製無線送受信チップ 周波数インターリーブ 72G-100GHz | 340 |
| 2016年 5月号 | 照度0.01ルクスでカラーハイビジョン動画撮像 | パナソニック | 日刊工業新聞 (2016年2月3日PP.1) | APD-CMOSイメージセンサ | 210 |
| 2016年 5月号 | 逆光下の被写体も鮮明 有機薄膜採用 CMOSイメージセンサー技術開発 | パナソニック | 電波新聞 (2016年2月4日PP.1) | 逆光やライト照射したの被写体も鮮明に撮影 123dBのダイナミックレンジ 明暗同時撮像ダイナミックレンジ100倍 有機薄膜 CMOSイメージセンサ 車載用 | 210 |
| 2016年 3月号 | 最高感度CMOSイメージセンサ 暗所で画像を鮮明検知 https://www.nikkan.co.jp/articles/view/00368399 | 静岡大 | 日刊工業新聞 (2015年12月17日PP.28) | CMOSイメージセンサ 星明かり程度の1mlxの照度でもノイズなし 1mlxの照度での平均ノイズ0.27 暗所で画像を鮮明検知 実用化されている高感度イメージセンサーの1/3以下の平均ノイズ | 210 |
| 2016年 1月号 | オン・セミコンダクター 230万画素のCMOSイメージセンサー LEDフリッカ抑制技術を搭載 | オン・セミコンダクター | 電波新聞 (2015年10月22日PP.3) | CMOSイメージセンサ LEDフリッカ抑制 | 210 |
| 2016年 1月号 | 光の振動変える半導体 | ナノフォトニクス工学推進機構 | 日経産業新聞 (2015年10月29日PP.8) | 進行方向に向かって一定方向だけ振動する光(直線偏光)の角度を変える半導体。高速液晶に応用 LCDの10倍以上高速 光の振動方向 | 250 120 |
| 2015年12月号 | 積層構造作製 ゲルマニウムトランジスタ 酸化膜品質3倍超 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2015年9月28日PP.22) | ゲルマニウムMOSトランジスタ 酸化膜 ゲートスタック構造 酸素中性子ビーム | 220 |
| 2015年 6月号 | 毎秒2億コマ撮影のCMOSセンサ http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0720150304eaal.html | 静岡大 | 日刊工業新聞 (2015年3月4日PP.21) | 現行品の100倍の速度，多眼レンズを採用 撮像部がメモリーを兼ねる構造， | 210 |
| 2015年 3月号 | 多入力多出力の無線伝送 1素子アンテナで成功 http://www.keio.ac.jp/ja/press_release/2014/osa3qr000000f8qb-att/141127_1.pdf | 慶大 | 日刊工業新聞 (2014年12月4日PP.23) | 1素子の受信アンテナでMIMO伝送 | 340 440 |
| 2015年 3月号 | トンネルFETの長寿命化を実証 http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2014/pr20141216_2/pr20141216_2.html | 産総研 | 日刊工業新聞 (2014年12月17日PP.23) | 電界効果トランジスタ(MOSFET)に比べて10万倍以上長寿命，センサネットワーク回路の駆動に必要な相補型金酸化膜半導体の構成に使用 | 220 |
| 2014年 9月号 | 水晶発振器並みの周波数精度を持つCMOS発振器 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2014年6月12日PP.19) | 温度領域ごとに特性を補正するディジタル回路を用いて温度補償100ppm以下の周波数精度を実現 Si半導体発信機 | 220 |
| 2014年 8月号 | 片面256GBのデータアーカイブ用光ディスクを開発 | パイオニア メモリーテック | 電波新聞 (2014年5月14日PP.1) | ガイド層分離型多層ディスク構造 記録層片面8層 BDドライブとの共用可能 | 230 |
| 2014年 7月号 | 高感度な曲面型CMOS | ソニー | 日経産業新聞 (2014年4月24日PP.3) | 周辺部の感度従来比2倍・中央部1.4倍 裏面照射型 チップ厚10μm 案電流従来比1/5 | 210 |
| 2014年 5月号 | スピントロニクス活用で電池の寿命を延ばすMCU | 東北大 NEC | 日刊工業新聞 (2014年2月11日PP.13) | 不揮発レジスタの書き込み電力を削減 回路線幅90nmのCMOS回路と三端子MTJ素子を組み合わせたICチップ | 220 |
| 2014年 5月号 | 28Gbps伝送可能な60GHzミリ波無線機IC | 東工大 | 日刊工業新聞 (2014年2月12日PP.14) | ミキサファースト型IC 消費電力が送信機168mW・受信機155mW・発信器64mW 65nmのCMOSプロセス技術 60GHz帯 64QAM | 220 340 |
| 2014年 5月号 | GaN系量子ドットで室温単一光子源 | 東大 | 日刊工業新聞 (2014年2月13日PP.19) 日経産業新聞 (2014年2月13日PP.11) | 有機金属気相成長法(MOCVD)で直径50nm・高さ1.5μmのGaNナノワイヤを作製 通常の半導体製造技術で製造可能 | 120 160 |
| 2014年 3月号 | 3次元LSI向け多結晶Geトランジスタ | 産総研 | 日刊工業新聞 (2013年12月18日PP.21) | GeのCMOS化 n型MOSFET 500℃以下で形成 p型n型の両極性 多結晶Geトランジスタ Siの3倍の電流駆動能力 | 220 |
| 2014年 2月号 | 水中・病院などで利用可能なLED使った可視光通信モジュール | 太陽誘電 | 日刊工業新聞 (2013年11月1日PP.11) | 光ディスク関連技術を応用 10Mbpsの高速通信 | |
| 2013年10月号 | 業務用光ディスク | ソニー パナソニック | 朝日新聞 (2013年7月30日PP.7) | 光ディスク ソニーとパナソニックが共同開発 | |
| 2013年 9月号 | 低消費電力通信用MOSFET | 東芝 | 日刊工業新聞 (2013年6月11日PP.21) | CMOSでプロセッサ部と通信部を1チップに小型・集積化可能 ゲート電極材料を2種類 | 220 |
| 2013年 9月号 | 低電圧CMOSインバータ | 産総研 住化 | 日刊工業新聞 (2013年6月11日PP.21) | GeのpMOSFETとInGaAsのnMOSFETを積層 0.2Vで動作 | 220 |
| 2013年 9月号 | 有機CMOSイメージセンサ | 富士フイルム パナソニック | 電波新聞 (2013年6月12日PP.2) | 受光部に厚さ0.5μmの有機薄膜を使用 ダイナミックレンジ88dB 従来比1.2倍の開口率 入射光線範囲60° | 110 210 |
| 2013年 9月号 | 多値構造セルでMROM高速化 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2013年6月13日PP.21) | 1セル当たり2ビットの多値構造 40nm世代CMOSプロセスで試作 | 230 |
| 2013年 9月号 | 微弱な光でも色や形を正確に映せる内視鏡カメラ | 国立成育医療研究センター | 日経産業新聞 (2013年6月13日PP.11) | CMOS | 310 |
| 2013年 9月号 | 損失1/10のパワー半導体 | 情通機構 タムラ製作所 | 日経産業新聞 (2013年6月20日PP.11) | Ga203 0.4mm角 MOSトランジスタ オンオフ比10桁以上 | 220 |
| 2013年 8月号 | ナノアンテナでLEDの発光強度を増強 | 京大 蘭AMOLF研 フィリップス研 | 日刊工業新聞 (2013年5月16日PP.21) | ガラス基板上に金属Al粒子の周期構造を作製し650nmのポリマー膜を塗布 | 150 250 |
| 2013年 3月号 | リーク低減したSiCパワー半導体 | 阪大 京大 ローム 東京エレクトロン | 日経産業新聞 (2012年12月12日PP.6) 日刊工業新聞 (2012年12月12日PP.24) | ゲート絶縁膜にアルミ酸化物 N添加によりリーク90%減 耐圧1.5倍 高誘電率ゲート絶縁膜採用のSiC製MOSFET | 120 220 250 |
| 2012年12月号 | SHV対応液晶ディスプレイ | NHK | 電波タイムズ (2012年9月5日PP.3) | IBC展示 85インチ直視型 120Hz SHV CMOS イメージセンサ IBC国際栄誉賞 | 660 |
| 2012年12月号 | 石英ガラスにCD並み密度で記録 | 日立 京大 | 日刊工業新聞 (2012年9月25日PP.26) | フェムト秒パルスレーザ 多層記録技術や一括記録技術を開発 4層記録でSN比15dB 40MB/inch 高温劣化加速試験で数億年劣化しない | 330 430 |
| 2012年 9月号 | CMOSの省エネを実現する低電圧トランジスタ | LEAP 東大 | 日刊工業新聞 (2012年6月20日PP.21) | SOTBを独自の構造にして0.4Vで動作 しきい値電圧の制御が簡単 LGP構造 | 210 |
| 2012年 5月号 | スーパハイビジョン対応復号LSIを試作 | 早大 | 日刊工業新聞 (2012年2月20日PP.17) | 7680×4320×60fps H.264/AVCハイプロファイル 65nm CMOS 消費電力410mW | 220 |
| 2012年 4月号 | 光照射で磁石化する新材料 | 東大 | 日経産業新聞 (2012年1月12日PP.11) | Co・W・ピリミジンを組み合わせた材料 -225℃以下で波長785nmの光を当てると強い磁石になる 保持力27kOeで光ディスク材料の9倍 | 120 |
| 2012年 3月号 | 省電力化と高速化を両立したLSI用電子回路 | 東北大 NEC | 日刊工業新聞 (2011年12月6日PP.1) 日経産業新聞 (2011年12月8日PP.11) | スピントロニクス素子とCMOS素子のハイブリッド回路を高速化 動作周波数600MHz ラッチ回路向け | 220 |
| 2012年 1月号 | 25Gbpsで100m伝送可能な小型光送信機 | 日立 | 日刊工業新聞 (2011年10月19日PP.23) | 1Gbpsあたり9mWの低消費電力で動作 回路面積を35%縮小 消費電力を30%低減 CMOSレーザ駆動回路 | 340 440 |
| 2011年10月号 | 光ディスク容量を2倍にする技術 | 日立 | 日刊工業新聞 (2011年7月20日PP.29) | 多値化技術 ニオブ酸リチウム材料 マイクロホログラム 位相多値記録再生方式 20nmの記録マーク | 230 |
| 2011年 9月号 | 業務用4K対応ビデオカメラ発売へ | ソニー | 日経産業新聞 (2011年6月30日PP.4) | 4K用高感度CMOS | 310 |
| 2011年 8月号 | 60GHz帯ミリ波無線機 | 東工大 | 日刊工業新聞 (2011年5月3日PP.12) | 11Gbps 16QAM変調に対応したダイレクトコンバージョン型無線機 65nmCMOSプロセスで試作 | 340 |
| 2011年 8月号 | 顔から年齢 性別を推定する小型センサ | NEC | 日経産業新聞 (2011年5月31日PP.10) | 7×12×1cmサイズ CCDカメラ一体型 顔から輪郭や目尻を抽出 | 310 620 |
| 2011年 7月号 | 2000万fps撮影可能なイメージセンサ | 東北大 島津製作所 | 日経産業新聞 (2011年4月18日PP.11) 日刊工業新聞 (2011年4月19日PP.26) | CMOS採用により消費電力抑制 45mm角チップを試作 内蔵メモリへ一時保存して読出す 1コマ50nsで処理 既存の半導体製造工程で製造可能 低消費電力 10万画素で約250コマ撮影可能なチップを試作 | 210 220 |
| 2011年 7月号 | 待機電力1/100の無線LAN対応LSI | 東芝 | 日刊工業新聞 (2011年4月21日PP.21) | 90nmのCMOSプロセスで試作したLSIで待機電力7μW LSI全体の消費電力を35.2mWから0.28mWへ削減 | 120 |
| 2011年 6月号 | Si素子で小型光スイッチ | NEC | 日刊工業新聞 (2011年3月7日PP.20) | Siフォトニクス 800μm×60μmの光路切替素子 光合分波素子 素子の内部を局所的に加熱することで材料の屈折率を変更 130nmCMOSプロセス | 240 160 |
| 2011年 6月号 | 広いエリアで映像が乱れない移動中継受信システム | NHK | 電波新聞 (2011年3月8日PP.2) 電波タイムズ (2011年3月11日PP.3) 映像新聞 (2011年3月14日PP.11) | 異なる受信点の受信映像を組み合わせる 映像到達時間のずれを補正 MIMO-OFDM方式にも対応 | 340 |
| 2011年 3月号 | 28nm世代システムLSI向け混載DRAM技術 | ルネサスエレクトロニクス | 日刊工業新聞 (2010年12月9日PP.22) | 寄生容量・抵抗を削減 CMOSプロセスを導入 低誘電率の多孔質(MPS)膜を採用 配線層内にキャパシタ形成 | 160 230 |
| 2011年 1月号 | 記録容量が両面で1TBの光ディスク | TDK | 日刊工業新聞 (2010年10月5日PP.1) | 記録層を16層積み上げ | 230 |
| 2010年11月号 | 暗所でも高感度な大型CMOSセンサ | キヤノン | 日経産業新聞 (2010年8月31日PP.1) | 202mm×205mm 160万画素 0.3Lxで60fps撮像 | 210 220 |
| 2010年 8月号 | 光の位相で多値化した次世代光ディスク -転送速度3倍に- | 日立 | 日刊工業新聞 (2010年5月25日PP.1) | マイクロホログラム 位相多値記録再生方式 8値信号 | 230 |
| 2010年 4月号 | 近接場技術で200GBの新型光ディスク | パイオニア | 日経産業新聞 (2010年1月6日PP.5) | 近接場光 ピット長さ53nm 青色レーザ 光源のレンズとディスクの間隔20nm 100・200GB作製技術および100GB再生技術を確立 BDの8倍の記憶容量 | 230 |
| 2010年 3月号 | 光ディスクの読み書き誤差抑制技術 | ソニー | 日経産業新聞 (2009年12月3日PP.3) | 光ディスク駆動装置向け球面収差補正技術 5mm2の可変形鏡で光をゆがませて誤差抑制 カバー層による球面収差が従来の1/6以下 反射鏡の形状を圧電素子で変形 ピエゾ素子 | 230 250 |
| 2010年 3月号 | スピンMOSトランジスタの基本技術 | 東芝 | 電波新聞 (2009年12月9日PP.1) | 電子スピン ロジックLSI メモリー機能 磁気トンネル接合 スピン注入磁化反転 | 230 |
| 2010年 3月号 | 動作速度が3割向上した高速無線用半導体 | NECエレクトロニクス | 日経産業新聞 (2009年12月18日PP.11) | アナログ部の配線抵抗を従来と比べて半減 動作クロック200GHz 線幅40nmのCMOS | 220 |
| 2010年 2月号 | 多層光ディスクを高精度に読取るための素子 | 日立 | 日経産業新聞 (2009年11月17日PP.9) | 4mm2のグレーディング 溝の間隔などを調節して目的の記録層からの光のみを通過 データのばらつき従来の1/3 3層式光ディスク 3個の検出器 | 330 230 |
| 2010年 1月号 | ネット暗号に2010年問題 | 署名記事 | 日本経済新聞 (2009年10月5日PP.12) | インターネット セキュリティ ハッシュ関数 公開鍵暗号 MD5 | 520 |
| 2010年 1月号 | 顕微鏡技術を応用した次世代光ディスク向けデータ読出し技術 | 静岡大 | 日経産業新聞 (2009年10月28日PP.11) | ファイバ共焦点顕微鏡 記録層の間隔2μm以下 縦横方向間隔に3μmで記録したデータを正確に検出 | 230 |
| 2009年12月号 | 大容量 多層光ディスク | TDK | 日経産業新聞 (2009年9月30日PP.1) | 320GB BDと同一形状 青色レーザ ポリカーボネイト 各層で光学特性を変化させる材料の比率を調整 ハイビジョン200時間録画可能 10層構造 | 230 120 160 |
| 2009年11月号 | 強誘電体PZTをナノチューブ状に形成 | 兵庫県立大 富士通研 | 日刊工業新聞 (2009年8月24日PP.20) | 有機金属気相成長(MOCVD)装置 Si基板上に酸化亜鉛を直径約100nmの円柱状に形成 | 120 160 |
| 2009年 8月号 | 空中映像を指先操作できるタッチディスプレイ | 情通機構 | 日刊工業新聞 (2009年5月8日PP.24) | 光学素子の下にLCDを配置 赤外線のタッチパネルで映像を触る指先の位置を検出 | 250 210 |
| 2009年 3月号 | 22ナノ世代LSI向け量産化技術 | Selete | 日刊工業新聞 (2008年12月17日PP.21) | Si基板に約0.4nmの酸化イットリウムを原子層堆積法で薄く成膜 絶縁膜としてハフニウム系の高誘電率膜 MOSトランジスタの絶縁膜にイットリウムを導入 | 220 |
| 2009年 3月号 | 6つのFinFETを用いた世界最小SRAMセル
・16と一つにまとめる | 東芝 米IBM 米AMD | 日刊工業新聞 (2008年12月18日PP.26) 日経産業新聞 (2008年12月24日PP.11) | 面積0.128μm2 不純物の添加不要 半分以下に小型化 | 230 |
| 2009年 2月号 | CMOS微細化技術 | 東工大 | 日経産業新聞 (2008年11月14日PP.9) | 絶縁膜の厚さ0.37nm 回路線幅16nm以下のLSI開発に不可欠な技術 絶縁膜に酸化ランタンを採用 | 220 120 |
| 2008年12月号 | 人の眼に近いCCD撮像素子 | 富士フイルム | 日経産業新聞 (2008年9月22日PP.1) | 赤青緑の同色の画素が斜め方向に2個以上並ぶカラーフィルタ配列 2倍の感度 スーパーCCDハニカムEXR | 210 |
| 2008年11月号 | 超高密度で記録可能な色素材料 | 奈良先端大 | 日経産業新聞 (2008年8月5日PP.11) | ポルフィリン フォトクロミック分子 光ディスク1枚でテラバイト級の記憶容量 がん治療への応用 2光子吸収 波長800nmのレーザを照射 40000倍の効率で光を吸収 | 120 230 |
| 2008年11月号 | さらにリアルな立体映像用LCDパネル | セイコーエプソン | 日経産業新聞 (2008年8月6日PP.1) | 3次元(3D)表示 視野角5割増 1つの画像を微妙に見た角度の異なる8つの画像に分割 レンチキュラレンズ 視野角25° ステップ3D画素配列 1024×768画素 見た目の解像度がQVGA相当 | 450 250 |
| 2008年10月号 | 400GBが記録できる16層光ディスク | パイオニア | 日経産業新聞 (2008年7月8日PP.3) | ハイビジョン40時間記録 | 230 |
| 2008年10月号 | 手で曲げても壊れないナノ炭素繊維不織布シート | 東工大 | 日刊工業新聞 (2008年7月31日PP.1) | 繊維に多層CNTを成長 電界紡糸法 直径200nmの繊維 500m2/gの比表面積 化学気相成長(CDV)法 CNT直径80nm 繊維と垂直に成長 | 120 |
| 2008年 9月号 | 発光効率2倍のLED基板 | 三菱化学 | 日経産業新聞 (2008年6月2日PP.16) | 窒化ガリウム基板 有機金属化学気相成長法(MOCVD) m面 基板の厚さ0.1mm 大きさ12mm×20mm | 250 160 |
| 2008年 9月号 | 裸眼立体ライブ映像システム | 日立 東大 | 電波新聞 (2008年6月3日PP.2) | リアルタイム 生放送 自由視点映像合成技術 64台カメラ搭載可搬型カメラアレイシステム インテグラルフォトグラフィ インテグラルビデオグラフィ 60視点映像 LCD上にマイクロレンズアレイ | 540 450 310 |
| 2008年 9月号 | 車載・監視CMOSカメラ
-明暗が肉眼より鮮明- | セイコーエプソン | 日経産業新聞 (2008年6月11日PP.1) | 撮影可能な明暗差は120dB 0.2lxから15万lxを認識 1秒間に120枚撮影 1秒間に30枚の画像出力 33万画素 | 210 310 |
| 2008年 9月号 | 感度2倍のCMOSセンサ | ソニー | 日刊工業新聞 (2008年6月12日PP.8) | Si基板の裏側から光を照射 画素寸法1.75μm角 有効画素数500万 60fps ノイズを2dB低減 | 210 |
| 2008年 7月号 | CMOSの特性変動を予測するシミュレーションモデルを開発 | Selete | 日刊工業新聞 (2008年4月23日PP.1) | 設計時のマージン不要 LSI性能20%向上 STI工程 | 220 620 |
| 2008年 5月号 | ダイナミックレンジ140dBのMOSイメージセンサ | 松下電器 | 日経産業新聞 (2008年2月6日PP.7) | 露光時間を変えた3枚の画像を画素単位で合成出力 一つのメモリー素子で高速制御 ほぼリアルタイムで処理 | 210 |
| 2008年 4月号 | 通信速度が250倍の赤外線通信技術
-CDアルバムの無線転送1秒で- | KDDI研 | 日経産業新聞 (2008年1月8日PP.1) | 1Gbpsの近距離通信 半導体レーザ 通信距離数cm データ損失を高精度で認識・再送する通信プロトコル 不揮発メモリー | 440 |
| 2008年 3月号 | 回路線幅32nmLSI向け製造プロセス技術 | Selete 日立建機ファインテック | 日経産業新聞 (2007年12月11日PP.1) | 電流漏れを防ぐ技術 電極素材と配線層間材料を新たに開発 ゲート材料にTiN 絶縁膜に窒化ハフニウムシリケート nMOSにMgO pMOSにAlO ポーラスシリカ SiO 比誘電率2.4 | 120 160 220 |
| 2008年 3月号 | 世界初のトレンチ型SiC MOSFETと大電流容量を実現したSiC SBD | ローム | 電波新聞 (2007年12月21日PP.1) | 1cm角で300A 900V耐圧 オン抵抗2mΩcm2 JFET抵抗 SBD逆方向耐圧660V | 160 220 |
| 2008年 3月号 | 厚さ266μmのLCD向け偏光板 | 住友化学 | 日刊工業新聞 (2007年12月11日PP.15) | 輝度向上フィルムの厚さを大幅に薄くし 接着剤の均一性を原材料の配合と粘度を調整して確保 | 250 260 |
| 2008年 2月号 | InGaAsで縦型量子ドット作製 | 東北大 | 日経産業新聞 (2007年11月29日PP.13) 日刊工業新聞 (2007年11月29日PP.28) | 3次元のMOSゲート構造 原子層堆積法 均一で高耐圧なゲート絶縁膜を形成 電子スピンの状態を正確に制御 約10倍の効率 | 120 220 |
| 2007年12月号 | 次世代CMOS素子 -しきい値電圧の時間変動の仕組み解明- | Selete 筑波大 広島大 早大 | 日刊工業新聞 (2007年9月20日PP.28) | 45nm世代 窒化ハフニウムシリケートの劣化 界面特性 | 120 220 |
| 2007年12月号 | 眼鏡使わず立体映像 -色の明暗で奥行き感を表現- | 日立 NTT-IT | 日経産業新聞 (2007年9月28日PP.9) | 3D映像表示 LCDとリアプロを組合せ 異なる明るさで表示 左右の目で同一映像を見るため疲労感が少ない | 350 450 |
| 2007年10月号 | 低電圧駆動有機CMOS回路 | 東大 シャープ | 日経産業新聞 (2007年7月31日PP.11) 日刊工業新聞 (2007年7月31日PP.33) | 駆動電圧1〜5V 動作電圧範囲従来の2倍以上 p型にペンタセン n型にフラーレン 絶縁膜にチタンSi酸化膜 上下をSi酸化膜が挟む3層構造 | 120 220 |
| 2007年 9月号 | CMOSトランジスタのしきい値電圧の仕組み解明 | 産総研 超先端電子技術開発機構 | 日刊工業新聞 (2007年6月12日PP.24) | 高誘電率絶縁膜 Si酸化膜と下部絶縁膜の界面でしきい値に大きくずれ Si酸化膜上の絶縁膜を0.1nm寸法で精度よく制御することが閾値電流を制御する鍵 | 120 220 160 |
| 2007年 9月号 | 5000万画素のCMOSセンサ | キヤノン | 日経産業新聞 (2007年6月13日PP.7) | 縦18.7×横28.1mm 1画素の大きさ3.2μm角 受光容量従来比50%拡大 | 210 |
| 2007年 9月号 | 有機材料とCMOSセンサーを組み合わせたカラー撮像素子 | 富士フイルム | 日経産業新聞 (2007年6月22日PP.10) | CMOSセンサーの緑部分を有機材料に置換 高感度化可能 余分な電子を除去する材料でS/N改善 有機材料はCMOSに比べて感度を3倍高められる | 210 310 |
| 2007年 7月号 | バックライトの厚さを6割程度に薄くすることが可能なLCD用シート | クラレ | 日経産業新聞 (2007年4月3日PP.1) | 直径40μm程度の半円形のマイクロレンズを拡散シートに並べた構造 光の全反射を利用し取り出し効率2割向上 バックライト厚さ0.6mm 機械化可能 | 250 |
| 2007年 7月号 | 600GBの100層光ディスク | イスラエルメンパイル メモリーテック | 日経産業新聞 (2007年4月5日PP.1) | 焦点調整 蛍光を感知 記録層1枚の厚さ5μm 焦点を結んだ部分以外の光を透過 | 230 |
| 2007年 7月号 | 高分子発光で世界最大の21型有機ELディスプレイ | TMD | 日経産業新聞 (2007年4月10日PP.3) | 赤・緑・青の高分子発光材料 インクジェット方式 低音ポリシリコンTFT | 250 |
| 2007年 7月号 | 光信号50種を1台で暗号化 | 情通機構 | 日経産業新聞 (2007年4月27日PP.10) | 光CDMA 長さ100kmの光ファイバ回線で1.24Tbps | 340 440 |
| 2007年 5月号 | 高速磁気光による映写技術 | 豪パノラマ・ラブズ | 電波新聞 (2007年2月22日PP.3) | ナノスケール構造でピクセルの輝度を15nsという超高速で切替える プラズマやDLPより1000倍LCDより100万倍速い | 250 350 |
| 2007年 4月号 | Siチップ上での光データ通信の速度遅延方法 | 米IBM | 電波新聞 (2007年1月3日PP.2) | 最大100個の小型リングを縦接続した共振器を構築する光遅延線 既存のSiCMOS製造ツール利用可 | 240 340 |
| 2007年 4月号 | 透過光72方向の高精細立体画像LCD -本物のような質感表現- | 東京農工大 | 日経産業新聞 (2007年1月11日PP.15) | 22インチサイズ912万画素 バックライト光を0.38度に絞るレンズ 焦点位置が画面と画像で一致 特殊な眼鏡不要 | 450 250 |
| 2007年 3月号 | 液晶フィルタ色欠陥自動修正装置 | NTN | 日経産業新聞 (2006年12月6日PP.1) | 白抜け欠陥 黒欠陥 CCDカメラで撮影 | 250 260 |
| 2007年 3月号 | 可視光・近赤外同時撮像可能なCMOSカメラ | 豊田中研 | 日経産業新聞 (2006年12月15日PP.10) | 波長780〜1100nmの近赤外線 二つある緑色カラーフィルタの一つを近赤外線用に変更 画素サイズ7.4μm角 | 210 |
| 2006年12月号 | フルメタルゲートCMOS | 半導体先端テクノロジーズ(Selete) | 電波新聞 (2006年9月13日PP.1) | 回路線幅45nm以降 0.84nmの高誘電率(High-k)ゲート絶縁膜 デュアルメタルCMOSプロセス 窒化ハフニウムシリケート(HfSiON) | 160 220 |
| 2006年12月号 | HEED冷陰極HARP撮像板の高解像度化を実現 | パイオニア NHK | 電波新聞 (2006年9月26日PP.2) | 640×480画素 感度は一般的なCCDの約20倍 サイズ12.8×9.6mm 電荷を膜の内部で倍増 低い駆動電圧で安定的に電子を放出 | 210 |
| 2006年11月号 | 可視光通信対応プロジェクタ | 東大 | 日経産業新聞 (2006年8月23日PP.11) | 微細な鏡を78万画素DMDチップ 光源の光を反射させて投影 1/8000s周期で切替え | 250 340 350 440 |
| 2006年 9月号 | 半導体レーザのビーム形状を自在に制御 | 京大 ローム JST | 日刊工業新聞 (2006年6月22日PP.34) 日経産業新聞 (2006年6月22日PP.11) | 2次元フォトニック結晶 レーザ共振器の構造を制御して光分布を変化 格子点や格子間隔を変化 現在の数十倍の記録容量を持つ光ディスクの光源に利用可能 光ピンセットに応用可能 | 120 160 250 |
| 2006年 9月号 | 液晶導光板をインクジェットで生産 -金型不要 コスト1/10- | ミヤカワ | 日経産業新聞 (2006年6月22日PP.1) | オンデマンドマルチドロップ(ODMD)技術 ヘッドからポリカーボネート板に6plのエポキシ樹脂を300万個/秒で吹き付け紫外線照射 14〜15型まで対応可能 | 250 260 |
| 2006年 9月号 | 視野角自在に切替え可能なLCD | 日立 | 日経産業新聞 (2006年6月23日PP.9) | 厚さ1mmの特殊なフィルムが光の透過量を調節 フィルムにかける電圧により液晶分子の向きを変化させ視野角を変える 視野角45〜180° | 250 |
| 2006年 8月号 | 大口径光電導アンテナ活用の画像計測 -毎秒1000枚- | 筑波大 | 日刊工業新聞 (2006年5月31日PP.33) | テラヘルツ波 超高速CCDカメラ 電極間を従来より1/3000 30Vで大出力化 フェムト秒レーザ GaAs基板 | 210 250 320 |
| 2006年 6月号 | 世界最大100インチ液晶パネル | LGフィリップスLCD | 日経産業新聞 (2006年3月9日PP.3) | 幅2.2m×高さ1.2m 622万画素 フルハイビジョン 第7世代 | 250 |
| 2006年 6月号 | 高解像度CMOSセンサ -光で距離と画像を認識- | シャープ 静大 スズキ | 電波新聞 (2006年3月24日PP.1) 日経産業新聞 (2006年3月24日PP.8) 日刊工業新聞 (2006年3月24日PP.12) | LED光源からの近赤外光が対象物で反射しセンサまでの光の飛行距離と光の速度から距離計算 信号電荷検出機能を集積化 TOF OVGA 距離分解能パルス幅20nm距離1mで1cm 68ピンLCCパッケージ | 210 220 320 |
| 2006年 5月号 | ロボットハンド用滑りセンサ | 奈良先端大 | 日経産業新聞 (2006年2月6日PP.8) | 指先に半球状のゲル状物質 ゲル状物質表面に等間隔の点 CMOSカメラで点の動きを検出 | 310 120 210 320 |
| 2006年 4月号 | 端子間配線間隔12μmのLCD駆動用ICのプリント基板 | 東レ | 日経産業新聞 (2006年1月20日PP.1) | エッチング工程の一部を工夫 銅メッキ膜を安定してエッチング | 160 250 |
| 2006年 3月号 | 起立型ダブルゲートMOSトランジスタ
-中性粒子ビームエッチング技術確立- | 産総研 | 電波新聞 (2005年12月16日PP.6) | 時間変調塩素プラズマ 加速した負イオン効率よく中性化 Si基板表面の平坦性も1nm以下 | 160 360 |
| 2006年 3月号 | 横方向の解像度1.5倍の液晶ディスプレイ
-カラーフィルタを3枚から2枚にした高精細LCD- | キヤノン | 日経産業新聞 (2005年12月21日PP.10) | 10.4インチの試作品 水平方向に1.5倍の解像度 グリーンとマゼンタのカラーフィルタ 赤・青に近い微妙な色合いの表現は困難 反射型 30万色が限界 省電力型 | 250 260 |
| 2006年 2月号 | 1000万画素のCCD | シャープ | 日刊工業新聞 (2005年11月2日PP.11) | 光学系サイズ1/1.7 画素サイズ2.05μm独自の微細加工で感度維持 | 160 210 |
| 2006年 2月号 | 200GB光ディスク可能に -次世代DVDの4倍の記憶容量読出し技術- | リコー | 日本経済新聞 (2005年11月25日PP.15) | ハイビジョン放送であればディスク1枚で約18時間分の映像に相当 8層の光ディスク | 230 330 |
| 2006年 1月号 | 次世代メモリーPRAM | 日立 ルネサステクノロジ | 日経産業新聞 (2005年10月6日PP.1) | 1.5Vでデータの読み書き可能 厚さ100nmの薄膜をMOSトランジスタ上に配線 | 230 160 |
| 2005年10月号 | 100GB光ディスク | シャープ | 日刊工業新聞 (2005年7月8日PP.12) | 記録層を二層化 レーザ光からの情報ピットを読取る超解像機能膜に特殊金属酸化膜を使用 青色レーザ | 160 230 |
| 2005年 9月号 | 大容量新記憶メディア -DVDの6倍- | オプトウェア | 日経産業新聞 (2005年6月7日PP.1) | 光ディスク クレジットカード大 コリニア式ホログラム技術 データ転送速度160Mbps ホログラフィック・バーサタイル・カード(HVC) | 230 430 |
| 2005年 9月号 | 携帯LCDにDRAM集積 | NEC NEC液晶テクノ | 日刊工業新聞 (2005年6月9日PP.1) | 1画素18ビットを12ビットに圧縮 スマートピクセルデータ符号化(SPC) 510kbで24万色の高階調 第3世代SOG | 160 250 230 |
| 2005年 9月号 | 新型ホログラム光ディスク | GE | 日経産業新聞 (2005年6月16日PP.1) | 理論容量5TB 熱可塑性プラスチック 射出成型 一層構造 | 230 120 160 |
| 2005年 8月号 | 1.55μm帯単一光子伝送 | 東大 富士通研 | 日刊工業新聞 (2005年5月20日PP.1) | 量子暗号通信 量子ドットQD MOCVDでQD形状を最適制御 Cバンド InAs/InPで2段階にQDを埋め込む成長技術 | 120 140 160 |
| 2005年 5月号 | 消費電力40mWのASIC用AD変換器 -回路融合で実現- 14と一つに | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2005年2月8日PP.33) | パイプライン型ADC 分解能10bit サンプリングレート125MHz サンプル保持回路とMDAC回路を融合 0.18μmCMOSプロセス 電源電圧1.8V | 220 |
| 2005年 5月号 | 2.0μm角画素サイズのMOSイメージセンサ 13とあわせて一件に | 松下電器 | 電波新聞 (2005年2月9日PP.1) | 0.15μmルール微細配線 4画素で1個検出アンプ回路 パルス電源方式 フォトダイオード面積比率30% 消費電力20mW 3400電子/lx・秒 1/4型200万画素 | 160 210 |
| 2005年 5月号 | 32nm世代の壁を越えた超微細化SRAM技術 | NEC | 日刊工業新聞 (2005年2月9日PP.1) | 読出しループを切ってデータを反転させない役割の素子 CMOSロジックとともに微細化・低電圧化に対応 面積9%増 | 160 230 |
| 2005年 5月号 | 画素密度2倍のCCD開発 9とあわせて一件に | 三洋電機 | 日本経済新聞 (2005年2月10日PP.13) | 画素の1辺の長さ1.56μm コンパクトディジタルカメラで1/4.5インチ310万画素 | 210 160 |
| 2005年 5月号 | 極端な明暗差を忠実再現する撮像素子 | 静大 | 日刊工業新聞 (2005年2月22日PP.29) | ダイナミックレンジ117dB CMOSイメージセンサ 四つのアナログ信号を12bitのディジタル信号にするA/D変換器 1000階調以上 | 210 |
| 2005年 4月号 | 200GBのホログラム光ディスク | 日立マクセル 米インフェイズテクノロジーズ | 日経産業新聞 (2005年1月14日PP.1) | 5インチサイズ 転送速度20MBps 二光束干渉方式 干渉縞を3次元で記録 青色レーザ使用 | 230 430 |
| 2005年 3月号 | 100Mbps次世代無線アクセス -アンテナ数に応じ容量増- | NTT | 日刊工業新聞 (2004年12月2日PP.25) | 多入力多出力(MIMO)伝送技術 MIMO-OFDM 送受信アンテナ2式試作実験 5GHz帯 | 340 440 660 |
| 2005年 3月号 | 第4世代移動体通信システム -1Gbpsで通信実験に成功- | NTTドコモ | 日刊工業新聞 (2004年12月16日PP.8) 日経産業新聞 (2004年12月20日PP.8) | MIMO 4G VSF-OFCDM方式 複数のアンテナを使用 | 440 340 540 |
| 2005年 3月号 | SiCを用いた低抵抗パワーMOSFET | 三菱電機 | 電波新聞 (2004年12月17日PP.2) | 耐圧1.2kV 電流1Aでオン抵抗率12.9mΩcm2 チャンネルエピタキシャル成長層形成技術 単位セル25×25μm チャネル長2μm | 160 220 |
| 2005年 2月号 | 次々世代光ディスク -DVD1枚で映画100本分記録- | パイオニア | 日経産業新聞 (2004年11月8日PP.8) | 500GB記録可能 電子線描画 ピット間隔約70nm 感光性樹脂を塗った炭素基板 紫外線レーザ | 230 |
| 2005年 2月号 | ホログラム光ディスク高速読取り技術 | 理科大 | 日経産業新聞 (2004年11月29日PP.9) | 2次元パターンデータの四隅に印を付けて位置検出を250倍に高速化 データ検出時間14μs | 430 |
| 2005年 1月号 | 空間光変調器 -磁気光学を利用し10倍の高速動作- | 豊橋技科大 | 日刊工業新聞 (2004年10月1日PP.31) | SLM MOSLM ファラデー効果 磁性フォトニック結晶 YIG | 240 340 250 |
| 2005年 1月号 | 両面に別画像表示の有機EL -アクティブマトリクス駆動- | 台湾友達光電 | 電波新聞 (2004年10月14日PP.1) | Double Sided AMOLED フルカラー 143p/in2 200nits(Cd/m2) 2インチと1.5インチ 厚み1.8mm | 250 |
| 2004年12月号 | 光ディスクの記録原理解明 | 産総研 | 日経産業新聞 (2004年9月30日PP.8) | DVD X線解析 Ge原子 Spring-8 | 230 600 |
| 2004年12月号 | 1TB光ディスク向け新技術 -液晶で光の位相操作- | NHK | 日経産業新聞 (2004年9月30日PP.8) | ホログラム記録 現行DVD1枚と同サイズで映画120本分 | 230 430 |
| 2004年11月号 | 解像度3倍の新型撮像素子 | NHK | 日経産業新聞 (2004年8月5日PP.6) | 超高感度カメラ CCDの200倍 HARP膜と冷陰極板間に金網状電極 1画素50μm角 | 210 |
| 2004年11月号 | 世界最速の浮動小数点演算用LSI | 理化学研 日立 | 日刊工業新聞 (2004年8月23日PP.21) | 浮動小数点演算230GFLOPS ブロードキャストメモリーアーキテクチャ MDGRAPE-3チップ 分子動力学計算 | 220 |
| 2004年11月号 | 200GBホログラム光ディスク -動画を記録再生- | オプトウェア | 日経産業新聞 (2004年8月24日PP.1) | 大容量光ディスク コリニア方式 光学系の機構を簡素化可能 波長選択膜構造 | 230 430 |
| 2004年 9月号 | 電子・正孔の移動度を厳密計算 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2004年6月21日PP.21) | 正孔のエネルギー形状の異方性を考慮したアルゴリズムを明確化 高性能CMOS モンテカルロ法 | 120 220 |
| 2004年 8月号 | 世界最高光出力の青紫色半導体レーザ | 三洋電機 | 日刊工業新聞 (2004年5月27日PP.1) | パルス発振で120mW GaN基板 次世代大容量光ディスク | 250 |
| 2004年 7月号 | LCD128枚で3D映像 | 農工大 | 日経産業新聞 (2004年4月1日PP.9) | 16台のパソコンで制御 眼鏡不要 左右上下30°以内 | 250 450 350 |
| 2004年 7月号 | 紙でできた次世代光ディスク | 凸版印刷 ソニー | 日経産業新聞 (2004年4月16日PP.5) 日刊工業新聞 (2004年4月16日PP.9) | Blu-ray 25Gb 紙比率51%以上 ポリカーボネイトを紙に染み込ませる | 230 |
| 2004年 7月号 | 電子線ホログラフィでCMOS解析 図使用 | ファインセラミックスセンター(JFCC) | 日経産業新聞 (2004年4月19日PP.8) | 半導体断面電位解析 不純物の分布を利用 | 360 430 660 |
| 2004年 6月号 | 液晶製品の消費電力削減 | 三洋電機 | 電波新聞 (2004年3月12日PP.1) | 低温p-SiTFT LCD ドット反転駆動 消費電力半減 SmartDIDM | 250 |
| 2004年 5月号 | MOSイメージセンサ -世界初の1/4型200万画素- | 松下電器 | 電波新聞 (2004年2月16日PP.1) | 画素サイズ2.25μm 1/4型200万画素 4画素共有トランジスタ構造 非対称電界フォトダイオード 並列共通配線構造 | 210 |
| 2004年 5月号 | CCDの大きさ1/4に | ASET 三洋電機 | 日経産業新聞 (2004年2月23日PP.9) | 大きさ縦2.5mm×横3.6mm 画素数縦288×横352 Si基板に銅薄膜で縁取りしたφ50μm程度の穴 | 210 260 |
| 2004年 3月号 | ダブルゲートMOSFET -4端子駆動を実現- | 産総研 | 日刊工業新聞 (2003年12月10日PP.25) | 2つのゲートを分離独立 結晶面異方性ウエットエッチング 微細CMP技術 | 220 |
| 2004年 3月号 | 極低損傷プラズマエッチング技術 -次世代CCD量産に道- | 東北大 三洋電機 | 日刊工業新聞 (2003年12月10日PP.1) | 暗電流を劇的に低減 マイクロレンズ パルス変調プラズマエッチング CF4(下付) | 210 260 |
| 2004年 3月号 | 35nmCMOS接合技術 | Selete | 日刊工業新聞 (2003年12月19日PP.27) | SPE FLA p型MOS駆動電流2倍 300mmウェハ上に101段のリング発信器回路 | 160 220 |
| 2004年 2月号 | 無線電波切り替え自在の車載用ルータ | KDDI KDDI研 | 日経産業新聞 (2003年11月4日PP.7) | 第三世代携帯電話と無線LANを自在に切替え CDMA 1X EV-DO IEEE802.11a | 440 520 |
| 2004年 1月号 | 350GB容量の光ディスク | 日立 | 日経産業新聞 (2003年10月31日PP.9) 日本経済新聞 (2003年10月31日PP.17) | 映画140時間分を1枚に レーザ光により結晶構造を変化させてアルカリ溶液によるエッチング 記録点40nm 読出し専用ディスク | 160 230 |
| 2003年11月号 | 最小・最薄のメガピクセルCCDカメラモジュール | シャープ | 電波新聞 (2003年8月27日PP.6) | 容積1.44cm3 高さ9.7mm 1/4インチ型 出力画素数1144×880 | 210 260 |
| 2003年11月号 | 200GB級光ディスク -記憶容量10倍に- | 産総研 サムスン電子 | 日経産業新聞 (2003年8月29日PP.9) 日刊工業新聞 (2003年8月29日PP.5) 日本経済新聞 (2003年8月29日PP.17) | 青色DVDの10倍 Tb Fe Co SiO2 ZnS 熱で薄膜が山形に盛り上がり記録 50nmの山が100nmの間隔 熱体積変化膜 記録技術のみ開発 | 160 230 |
| 2003年10月号 | テレビ受信機能付携帯電話の試作機 ―地上波デジタル放送対応― | NEC | 日本経済新聞 (2003年7月11日PP.13) | 地上デジタル放送 W-CDMA機に内蔵 | 540 350 |
| 2003年10月号 | 4色フィルタの新型CCDカメラモジュール | ソニー | 日経産業新聞 (2003年7月17日PP.5) | 赤緑青エメラルドのカラーフィルタ ディジタルカメラ向け エメラルド色を追加 演算で3色に変換 | 210 310 |
| 2003年10月号 | 立体動画像システム -眼鏡不要 立体動画を大勢で- | 農工大 | 日経産業新聞 (2003年7月18日PP.9) | 64枚のLCD 64台のPCを一体化 | 450 540 |
| 2003年 8月号 | 高感度・超高速3板式カラーカメラ | NHK 近畿大 島津製作所 日立国際電気 | 電波新聞 (2003年5月3日PP.3) 日経産業新聞 (2003年5月14日PP.9) | 8万画素CCD 各画素に映像記録メモリーが直結 ISO2000相当の感度 1MFPSまで可 | 210 310 |
| 2003年 8月号 | 次世代光ディスク
-現行設備で製造- | 東芝 | 日本経済新聞 (2003年5月9日PP.17) | AOD 片面二層 36GB | 230 |
| 2003年 8月号 | 半導体レーザ量産技術
-安価な製造法開発- | 東大 富士通 | 日経産業新聞 (2003年5月14日PP.9) | 量子ドットレーザ 光通信 MOCVD 発光波長1.8μm | 240 160 250 |
| 2003年 8月号 | 透明トランジスタ | 科学技術振興事業団 東工大 | 毎日新聞 (2003年5月23日PP.28) 日経産業新聞 (2003年5月23日PP.8) | MOS 液晶ディスプレイ用 ZrO基板単結晶薄膜 HfOの絶縁体 電流100倍 窓ガラスに映像 | 150 250 |
| 2003年 7月号 | 次世代トランジスタ -IC消費電力1/10 漏電抑える- | Selete 早大 物材機構 他 | 日経産業新聞 (2003年4月11日PP.1) | MOSFETの絶縁膜改良 HfOを使う技術 次世代トランジスタ 消費電力1/10 | 160 220 |
| 2003年 7月号 | 明暗差大きい撮影に対応する画像センサ | シャープ | 日経産業新聞 (2003年4月15日PP.8) 日刊工業新聞 (2003年4月15日PP.9) | 対数変換型CMOSイメージセンサ 0.01〜100klx | 210 |
| 2003年 7月号 | 800万画素動画ライブ伝送実験 -HDTVの4倍の解像度- | 通信総研 | 電波新聞 (2003年4月17日PP.4) | CMOS動画像カメラ 研究用ギガビットネットワークを用いてATM600Mbps 同期バッファ並列伝送方式 | 540 440 |
| 2007年 3月号 | 液晶フィルタ色欠陥自動修正装置 | NTN | 日経産業新聞 (2006年12月6日PP.1) | 白抜け欠陥 黒欠陥 CCDカメラで撮影 | 250 260 |
| 2007年 3月号 | 可視光・近赤外同時撮像可能なCMOSカメラ | 豊田中研 | 日経産業新聞 (2006年12月15日PP.10) | 波長780〜1100nmの近赤外線 二つある緑色カラーフィルタの一つを近赤外線用に変更 画素サイズ7.4μm角 | 210 |
| 2006年12月号 | フルメタルゲートCMOS | 半導体先端テクノロジーズ(Selete) | 電波新聞 (2006年9月13日PP.1) | 回路線幅45nm以降 0.84nmの高誘電率(High-k)ゲート絶縁膜 デュアルメタルCMOSプロセス 窒化ハフニウムシリケート(HfSiON) | 160 220 |
| 2006年12月号 | HEED冷陰極HARP撮像板の高解像度化を実現 | パイオニア NHK | 電波新聞 (2006年9月26日PP.2) | 640×480画素 感度は一般的なCCDの約20倍 サイズ12.8×9.6mm 電荷を膜の内部で倍増 低い駆動電圧で安定的に電子を放出 | 210 |
| 2006年11月号 | 可視光通信対応プロジェクタ | 東大 | 日経産業新聞 (2006年8月23日PP.11) | 微細な鏡を78万画素DMDチップ 光源の光を反射させて投影 1/8000s周期で切替え | 250 340 350 440 |
| 2006年 9月号 | 半導体レーザのビーム形状を自在に制御 | 京大 ローム JST | 日刊工業新聞 (2006年6月22日PP.34) 日経産業新聞 (2006年6月22日PP.11) | 2次元フォトニック結晶 レーザ共振器の構造を制御して光分布を変化 格子点や格子間隔を変化 現在の数十倍の記録容量を持つ光ディスクの光源に利用可能 光ピンセットに応用可能 | 120 160 250 |
| 2006年 9月号 | 液晶導光板をインクジェットで生産 -金型不要 コスト1/10- | ミヤカワ | 日経産業新聞 (2006年6月22日PP.1) | オンデマンドマルチドロップ(ODMD)技術 ヘッドからポリカーボネート板に6plのエポキシ樹脂を300万個/秒で吹き付け紫外線照射 14〜15型まで対応可能 | 250 260 |
| 2006年 9月号 | 視野角自在に切替え可能なLCD | 日立 | 日経産業新聞 (2006年6月23日PP.9) | 厚さ1mmの特殊なフィルムが光の透過量を調節 フィルムにかける電圧により液晶分子の向きを変化させ視野角を変える 視野角45〜180° | 250 |
| 2006年 8月号 | 大口径光電導アンテナ活用の画像計測 -毎秒1000枚- | 筑波大 | 日刊工業新聞 (2006年5月31日PP.33) | テラヘルツ波 超高速CCDカメラ 電極間を従来より1/3000 30Vで大出力化 フェムト秒レーザ GaAs基板 | 210 250 320 |
| 2006年 6月号 | 世界最大100インチ液晶パネル | LGフィリップスLCD | 日経産業新聞 (2006年3月9日PP.3) | 幅2.2m×高さ1.2m 622万画素 フルハイビジョン 第7世代 | 250 |
| 2006年 6月号 | 高解像度CMOSセンサ -光で距離と画像を認識- | シャープ 静大 スズキ | 電波新聞 (2006年3月24日PP.1) 日経産業新聞 (2006年3月24日PP.8) 日刊工業新聞 (2006年3月24日PP.12) | LED光源からの近赤外光が対象物で反射しセンサまでの光の飛行距離と光の速度から距離計算 信号電荷検出機能を集積化 TOF OVGA 距離分解能パルス幅20nm距離1mで1cm 68ピンLCCパッケージ | 210 220 320 |
| 2006年 5月号 | ロボットハンド用滑りセンサ | 奈良先端大 | 日経産業新聞 (2006年2月6日PP.8) | 指先に半球状のゲル状物質 ゲル状物質表面に等間隔の点 CMOSカメラで点の動きを検出 | 310 120 210 320 |
| 2006年 4月号 | 端子間配線間隔12μmのLCD駆動用ICのプリント基板 | 東レ | 日経産業新聞 (2006年1月20日PP.1) | エッチング工程の一部を工夫 銅メッキ膜を安定してエッチング | 160 250 |
| 2003年 5月号 | CMOSイメージセンサ -画像ごとに信号増幅- | ソニー 静岡大 | 日経産業新聞 (2003年2月13日PP.7) | CMOSイメージセンサ ノイズを半減 | 210 |
| 2003年 5月号 | 2GHz帯1チップ受信IC | 東芝 | 日刊工業新聞 (2003年2月13日PP.4) | DCオフセｯト変動60mV以下 SiGeBiCMOS技術 第3世代携帯に対応 | 220 240 |
| 2003年 5月号 | 高感度センサ -人間の触覚 センサで再現- | ニッタ 東大 | 日本経済新聞 (2003年2月28日PP.17) | 透明なシリコンゴム中に2層の格子点 変形をCCDカメラでとらえ分析 格子点間隔は2nm | 210 410 |
| 2003年 4月号 | 家庭用ディジタルビデオカメラ -ハイビジョン撮影可能に- | 日本ビクター | 日本経済新聞 (2003年1月23日PP.13) | ミニディジタルビデオテープ MPEG2 118万画素CCD | 310 330 520 |
| 2003年 3月号 | DRAM混載システムLSI -65nm世代プロセス- | 東芝 ソニー | 日刊工業新聞 (2002年12月4日PP.8) 電波新聞 (2002年12月4日PP.1) | SoC向け スイッチング速度0.72ps(NMOS) 1.41ps(PMOS) 0.6μm;2のメモリーセル | 220 230 160 |
| 2003年 3月号 | 52インチのTFT-LCD | LGフィリップスLCD | 日経産業新聞 (2002年12月5日PP.3) | 画素数縦1080，横1920の計207万画素 視野角176° | 250 350 |
| 2003年 3月号 | 新チャネル構造 -ゲート長30nm以下でトランジスタ動作- | 東芝 | 日刊工業新聞 (2002年12月10日PP.4) | オン電流960μA/1μm 65nmプロセスシステムLSI用 プラズマ窒化したゲート酸化膜 スイッチング速度0.72ps(NMOS) 1.41ps(PMOS) | 160 220 |
| 2003年 3月号 | SiMOSトランジスタ -ゲート長6nmと最小- | 米IBM | 日刊工業新聞 (2002年12月11日PP.4) | SOI上のSi膜厚4nm ハロー・インプラント技術 | 160 220 |
| 2003年 3月号 | 容量DVDの300倍の光ディスク | 松下電器 リコー 阪大 パイオニア 三菱化学 アイシン精機 九大 静岡大 | 日本経済新聞 (2002年12月22日PP.1) | 直径12cm 容量1.5TB 150GB/層 光多重層記録技術 2時間の映画が300本 | 230 |
| 2003年 2月号 | フィルム使ったカラーLCD用フィルタ | 共同印刷 | 日経産業新聞 (2002年11月25日PP.1) | 樹脂フィルム基板を使ったカラー液晶表示装置用カラーフィルタ ガラス製フィルタの1/5の重さ ITO透明電極 ガラスから転写 | 150 |
| 2003年 1月号 | 高速MOS素子中の漏れ電流1/10000に低減 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2002年10月2日PP.5) | 高速MOS素子 接合漏れ電流 ヒ素イオン 携帯端末用LSI | 220 160 |
| 2003年 1月号 | HDTVの圧縮・伸張処理1チップ化に成功 -伝送装置を大幅小型化- | NTTコム NHK | 電波新聞 (2002年10月16日PP.3) 日刊工業新聞 (2002年10月16日PP.7) | HDTV・CODEC・LSIを世界で初めて開発 0.13μmCMOS技術 ハガキ大の基板サイズ 180×120mm | 220 320 420 520 |
| 2003年 1月号 | 光ディスク -容量250GB開発にメド- | 東芝 パイオニア 日本サムスン 日本ビクター シャープ TDK パルステック工業 産総研 | 日本経済新聞 (2002年10月18日PP.17) | スーパーレンズ 4nmPtO薄膜 青色レーザ80GB・赤色レーザ60〜70GB ディジタルハイビジョン映像を20時間録画可能 ライトワンス | 230 330 |
| 2002年12月号 | めがねなし立体液晶ディスプレイ | シャープ | 日本経済新聞 (2002年9月28日PP.9) 日本工業新聞 (2002年9月30日PP.8) 日経産業新聞 (2002年9月30日PP.7) 日刊工業新聞 (2002年9月30日PP.10) | 専用眼鏡不要 二重構造 バックライトの光路制御用液 2次元表示と3次元表示の切り換え可能なLCD スイッチ液晶 | 250 450 |
| 2002年12月号 | Agナノ粒子を均一成形 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2002年9月19日PP.4) 日経産業新聞 (2002年9月27日PP.10) | 光ディスク上に均一成形 ナノ粒子ナノワイヤを3次元形成 粒径20〜30nm | 230 160 |
| 2002年12月号 | 1110万画素受像のCMOSセンサ | キヤノン | 日本経済新聞 (2002年9月24日PP.9) | デジタルカメラ用 23.8mm×35.8mm 3回露光の微細加工技術 | 210 160 |
| 2002年11月号 | デジカメ用300万画素CCD -世界最小1/2.7型- | ソニー | 日経産業新聞 (2002年8月29日PP.1) | セルの大きさを2.5μmに微細加工 セルの内部に超薄型のレンズを2枚積層 | 210 |
| 2002年10月号 | 「ブルーレイ」用ディスク -互換性高い追記型- | パイオニア | 日刊工業新聞 (2002年7月3日PP.9) | 光ディスク ブルーレイ追記型 | 230 330 530 |
| 2002年10月号 | 多層カーボンナノチューブ 垂直成長させる技術 | 富士通研 | 日経産業新聞 (2002年7月8日PP.9) 電波新聞 (2002年7月8日PP.1) 日本工業新聞 (2002年7月8日PP.2) 日本経済新聞 (2002年7月8日PP.21) | 微細なLSI配線 φ:50nmL: 500nmのCNT CMOS･FETのシリサイド層上にて成長 電極にNiやCoを混入 CH4とH2の混合ガスによるプラズマCVD法 | 120 160 220 |
| 2002年10月号 | 次世代DVD -容量4倍パソコン用で標準目指す- | NEC | 日刊工業新聞 (2002年7月16日PP.1) | 光ディスク 405nm青色半導体レーザ 片面最大20.5GB・32Mbps DVDとの互換制を重視 保護層厚0.6mm カートリッジ不要 | 230 330 530 |
| 2002年 9月号 | 3.3psの超高速スイッチ -新構造で低消費電力- | 東芝 | 日刊工業新聞 (2002年6月6日PP.4) | 高温超電導JJ リング発振器 微細CMOSの3倍の高速性と1/1000の消費電力 21個のJJ 単一磁束量子回路 30K | 220 |
| 2002年 9月号 | 感度10倍のCCD | 東北大 三洋電機 | 日経産業新聞 (2002年6月7日PP.1) | プラズマ照射のオン・オフ切替え 紫外線の影響を1/10に低減 | 210 160 |
| 2002年 9月号 | 高速トランジスタ | 富士通研 | 日経産業新聞 (2002年6月12日PP.12) | 動作速度従来の1.5倍 Si・Ge薄膜 pMOS | 220 |
| 2002年 9月号 | 眼鏡なしで立体像を見られる画像表示システム -多人数で同時に鑑賞- | 農工大 | 日経産業新聞 (2002年6月13日PP.8) | 多眼式3次元表示方式 64個の画像合成 画面サイズ9インチ LCD 画像処理コンピュータ 画像合成用レンズ | 450 |
| 2002年 9月号 | LSIの消費電力を1/10に低減するトランジスタ | 松下電器 | 日本経済新聞 (2002年6月20日PP.11) | SiGeのナノ構造薄膜をSi基板に形成 0.5V動作 CMOSトランジスタ | 220 160 |
| 2002年 8月号 | 64Mbフラッシュメモリー | 富士通 米AMD | 日経産業新聞 (2002年5月20日PP.6) | 1つの記憶回路に2つの電子保持領域 NOR型 ミラーフラッシュ | 230 |
| 2002年 8月号 | ナノチューブトランジスタ | 米IBM | 日経産業新聞 (2002年5月22日PP.8) | Si製の2倍の動作速度 p-n型の作り分け MOSFETと同構造 | 220 |
| 2002年 8月号 | 映画並み画像中継 -800万画素ビデオ- | オリンパス | 日経産業新聞 (2002年5月23日PP.10) | 200万画素CCDを4つ組合せ高性細画像での生中継医療や教育 | 210 540 |
| 2002年 7月号 | 立体認識画像CMOSセンサ -1mmの物を立体視- | 山武 静大 | 日経産業新聞 (2002年4月9日PP.3) | 2つの画像センサ 画像変換器 | 210 520 |
| 2002年 7月号 | 35GBの光ディスク - 容量DVDの7倍 - | NEC | 日本経済新聞 (2002年4月12日PP.17) | 波長405nm 直径12cm | 230 330 |
| 2002年 7月号 | 画像処理可能なセンサ | 奈良先端大 | 日経産業新聞 (2002年4月16日PP.10) | 半球の全方位観測可能なカメラ用半導体センサ CMOS構造 処理能力を持つ画像センサ 8.9mm角 32×32の画像素子 | 210 520 |
| 2002年 7月号 | 走査線4000本の映像システム -未来のハイビジョン- | NHK 池上通信機 日本ビクター | 日刊工業新聞 (2002年4月23日PP.1) | デュアルG 4CCDカメラ 4320×7680画素 | 250 310 350 420 |
| 2002年 7月号 | 携帯用に動画変換 | KDDI | 日経産業新聞 (2002年4月25日PP.1) | 第3世代携帯 CDMA2000 1x ムービー携帯 パソコン用ソフト | 620 |
| 2002年 6月号 | 集光機能薄膜 | ニューガラスフォーラム(NGF) | 日刊工業新聞 (2002年3月15日PP.6) | 記録密度4倍に向上 コバルト・クロム・ジルコニウム系 酸化コバルト系 金属ガラス 柱状結晶 光ディスク | 120 130 |
| 2002年 5月号 | 低消費電力化技術 ISSCC2002で発表 -CMOS周波数変換回路- (No4 5と合わせる) | 東芝 | 日刊工業新聞 (2002年2月7日PP.6) | 消費電力30%削減 信号電流加算と自己スイッチング | 220 |
| 2002年 5月号 | 1TB光ディスク -映画120本分- | オプトウェア | 日経産業新聞 (2002年2月14日PP.1) | 駆動装置 3次元記録 ホログラム記録技術 光を変調器で格子状に分割 1Gbpsディスク直径12cm | 230 330 |
| 2002年 5月号 | DVDに世界規格 -次世代光ディスク規格統一- | 松下電器 ソニー 日立 パイオニア シャープ 蘭フィリップス 仏トムソン・マルチメディア 韓サムソン電子 韓LG電子 | 日本経済新聞 (2002年2月16日PP.13) 日本経済新聞 (2002年2月16日PP.1) 日本経済新聞 (2002年2月20日PP.14) 電波新聞 (2002年2月22日PP.15) 学会誌4月号 (0年0月0日) | 波長405nm青紫色レーザ Blu-rayDisc 片面27GB 直径12cm ピックアップ | 330 230 530 |
| 2002年 5月号 | CD-Rディスク面に文字や絵を印字描画する技術 | ヤマハ | 電波新聞 (2002年2月19日PP.2) | CAV方式 ディスク容量内に印刷 | 330 |
| 2002年 5月号 | 携帯電話搭載に最適な指紋センサ | 富士通 | 日刊工業新聞 (2002年2月28日PP.15) | 静電容量方式 スウィープ型 0.5μmのCMOSプロセス | 210 620 |
| 2002年 4月号 | 両面LCD | シャープ | 日経産業新聞 (2002年1月8日PP.1) | カラーSTN液晶画面+小型プラスチック液晶サブ画面 厚さ30〜40%薄 20%軽量化 導光板を共有 | 250 |
| 2002年 4月号 | 次世代大容量書換え型光ディスク | 東芝 | 電波新聞 (2002年1月8日PP.1) 日経産業新聞 (2002年1月8日PP.9) 日刊工業新聞 (2002年1月8日PP.13) 日本工業新聞 (2002年1月8日PP.5) | 30GB直径120mm光ディスク 波長405nmの青色レーザ ランドグルーブ方式 PRML技術 UDF カバー層厚0.1mm | 230 330 |
| 2002年 4月号 | 光ディスク用ピックアップ -受光と光学素子一体化- | パイオニア | 日経産業新聞 (2002年1月11日PP.6) | 集積回路 光ICピックアップ 短冊状の切込み 切込みは凸レンズ状の曲線 工程1/10 | 210 230 |
| 2002年 4月号 | ポリマーネット型のLCD -新聞紙なみの反射率- | 大日本インキ | 日本工業新聞 (2002年1月30日PP.19) | 反射率約35% コントラスト1:16 6V駆動白黒LCD | 250 |
| 2002年 2月号 | 微量物質測れるバイオセンサ | 堀場製作所 バイオ・アプライド・システムズ 豊橋技科大 | 日本経済新聞 (2001年11月2日PP.15) | バイオセンサ CCD 抗体 DNAチップ | 210 |
| 2002年 2月号 | 世界最高密度を誇る光多重伝送 | 通信総研 阪大 | 電波タイムズ (2001年11月21日PP.1) | 周波数効率 OCDM WDM Cバンド波長帯 QPSK 1.6bps/Hz | 440 |
| 2002年 1月号 | 超高速光ネットワークスイッチ -LSI-CMOS設計感覚で実装- | NEC | 日刊工業新聞 (2001年10月1日PP.9) | CMOS 40Gb/s LSI 分散処理用ネットワーク RHINET | 220 260 240 |
| 2002年 1月号 | 2層で50GBの書換え光ディスク装置 -記憶容量10倍に- | 松下電器 | 日刊工業新聞 (2001年10月3日PP.1) 日経産業新聞 (2001年10月16日PP.9) 電波新聞 (2001年10月16日PP.1) 日本工業新聞 (2001年10月16日PP.5) | 青色レーザSHG 50GB 保護層0.1mm 深層記録方式 片面2層 相変化材料 直径12cm Ge・Sb・Te | 230 330 |
| 2002年 1月号 | MOの記録密度増幅技術 | 三洋電機 日立マクセル | 日経産業新聞 (2001年10月24日PP.7) | 磁区拡大再生技術 赤色レーザでDVDの2.2倍青色レーザで7.5倍の記録密度 iDフォーマット1.3GB | 230 |
| 2001年12月号 | 第3次世代携帯電話 -「FOMA」10/1スタート- | NTTドコモ | 日経産業新聞 (2001年9月4日PP.3) | FOMA 映像音楽配信は来年以降 | CDMA 540 |
| 2001年12月号 | 次世代光ディスク加工技術 -DVDの容量20倍に 赤色半導体レーザ利用- | シャープ 産総研 TDK | 日経産業新聞 (2001年9月11日PP.13) | 原盤加工 吸光発熱薄膜 熱疑固薄膜 幅100nmの線 直径80nmの突起 | 230 160 |
| 2001年12月号 | CD-ROM不正コピー防止技術 | 三洋マービック・メディア | 日経産業新聞 (2001年9月12日PP.1) | コピー防止技術 「マクロファージ」隠しファイル 読取りエラー | 530 |
| 2001年11月号 | 液晶で10億色表示のソフトウェア -ディジタルテレビ級- | シャープ | 日経産業新聞 (2001年8月2日PP.1) | 擬似10ビット画像表示 画素の色と明るさを制御できる特性 LCD ソフトで10億色 | 250 620 520 |
| 2001年11月号 | 無線回路1チップに -腕時計型パソコンに道- | 米UCLA | 日本経済新聞 (2001年8月17日PP.17) | 1.8mm×2.4mm 消費電力2.2mW 500bps ウエアラブル機器CMOSトランジスタ | 220 240 |
| 2001年 8月号,9月号 | ハイビジョンの4倍の高画質画像システム | 通信総研 日本ビクター | 日経産業新聞 (2001年6月6日PP.10) 日刊工業新聞 (2001年6月6日PP.7) 電波新聞 (2001年6月7日PP.3) | HDTVの4倍解像度 300インチプロジェクタ 1.3インチ800万画素 CMOS素子 反射形液晶表示素子(D-ILA) | 210 310 350 250 |
| 2001年 8月号,9月号 | 毎秒1.5Tbpsの光通信 -80kmの伝送実験に成功 | 通信総研 阪大 | 日本工業新聞 (2001年6月6日PP.2) 日刊工業新聞 (2001年6月8日PP.9) 日本経済新聞 (2001年6月12日PP.11) | 光符号分割多重方式 TDM20Gb/s OCDM4種 19波長WDM | 440 |
| 2001年 7月号 | 光ディスクで「追っかけ再生」 | 松下電器 | 電波新聞 (2001年5月30日PP.1) 日刊工業新聞 (2001年5月30日PP.10) | DVD-RAM DVD-R 両面9.4GB光ディスク 同時録画再生 DVDビデオレコーダ | 330 |
| 2001年 6月号 | 次世代光ディスク -容量DVDの5倍- | NEC | 日経産業新聞 (2001年4月19日PP.8) | 25GB大容量光ディスク 青色レーザダイオ-ド光ヘッド 情報転送速度50Mbps | 230 330 |
| 2001年 6月号 | トランジスタ素子 -1/500の大きさ- | 米IBM | 日本経済新聞 (2001年4月30日PP.25) | カーボンナノチューブ 大電流で金属タイプを焼き切る MOSトランジスタ | 220 |
| 2001年 5月号 | 単電子CCD -電子1個自在に転送- | NTT物性科学基礎研 | 日刊工業新聞 (2001年3月30日PP.7) | 単電子電荷結合素子(CCD) 電子1個 25Kで動作 | 220 |
| 2001年 5月号 | 3.5インチ形MO装置 ｰ2.3GBに拡張- | 富士通 ソニー | 電波新聞 (2001年3月22日PP.2) 日経産業新聞 (2001年3月26日PP.7) | GIGAMO 2.3GB 個別ID | 230 330 |
| 2001年 5月号 | 内部抵抗1/10のトランジスタ | 電総研 | 日経産業新聞 (2001年3月19日PP.11) | SiCトランジスタ MOSFET 1kV-1mΩ | 220 |
| 2001年 5月号 | 最高移動度と最小抵抗実現のSiC素子 | 電総研 新機能素子研究開発協会 (FED) | 日刊工業新聞 (2001年3月16日PP.7) | チャネル移動度140cm2/Vs 4H-SiC-MOSFET エンハンスメント形 ソースドレインのシート抵抗38Ω | 220 |
| 2001年 5月号 | W-CDMA対応LSI | 日立 | 日経産業新聞 (2001年3月15日PP.10) | 低消費電力 ベースバンドモデム 配線幅0.25μm 13mm角 384kbps | 220 |
| 2001年 5月号 | 新形CMOSセンサ | 東芝 MIT(米) | 日経産業新聞 (2001年3月2日PP.7) 電波新聞 (2001年3月16日PP.6) | DSP一体化 128×128画素 | 210 220 |
| 2001年 4月号 | 空間が表示装置 -浮かぶCG 指でクリック- | 電総研 | 日本経済新聞 (2001年2月19日PP.25) | メガネ形の装置 CCD小形カメラ 頭の動きをとらえるセンサ付きイヤホン | 620 520 |
| 2001年 4月号 | 光ネット用送受信器 -10Gbpsでワンチップ- | 日立 | 日刊工業新聞 (2001年2月7日PP.6) | 0.25μmプロセス 10Gbps SiGe Bi-CMOS SOI シリコンゲルマ | 240 220 |
| 2001年 4月号 | 携帯端末で複数動画処理 | 松下電器 | 日経産業新聞 (2001年2月7日PP.11) | 複数動画処理可能なLSI MPEG-4準拠 0.18μmCMOS 同時に2画像圧縮 4画像伸長 | 220 520 |
| 2001年 4月号 | TFT方式LCD -消費電力1/3に- | シャープ | 日経産業新聞 (2001年2月1日PP.1) | 消費電力削減 電荷蓄積 光の透過を調整 TFT LCD ULC(ウルトラ・ローパワー・コンサンプション) 2in画面で静止画(3mW)・動画(25mW) 低粘着性液晶 画素周辺に電荷保持 画像劣化時のみ駆動 | 250 |
| 2001年 3月号 | 液晶画面で立体画像 | 有沢製作所 | 日経産業新聞 (2001年1月29日PP.7) | LCD装置特殊パネル 偏光技術利用 | 250 450 |
| 2001年 2月号 | CD-R記録密度・転送速度3倍 | TDK 米カリメトリクス | 日経産業新聞 (2000年12月20日PP.1) | CD-R ML(多値記録) 短い線幅 8段階記憶 | 220 |
| 2001年 2月号 | MPUで新技術 -0.03μmゲート幅のトランジスタ- | インテル | 日経産業新聞 (2000年12月12日PP.1) | MPU CMOS ゲート長0.03μm 線幅0.07μm | 220 |
| 2001年 1月号 | MPEG-4マルチキャスト配信 | TDK オプティベース | 日経産業新聞 (2000年11月24日PP.5) | MPEG-4 CD-ROM ストリーミング マルチキャスト | 520 440 340 |
| 2001年 1月号 | 無線回路1Vで駆動 -切手大の端末可能- | NTT | 日経産業新聞 (2000年11月15日PP.11) | 従来の半分の1Vで駆動 10〜100mの近距離を通信 ブルートゥース対応 周波数変換 40mW以下 2〜2.4GHz SOI 0.2μmCMOS | 220 340 |
| 2001年 1月号 | 反射形液晶明るさ3倍のカラーフィルタ | 凸版印刷 | 日経産業新聞 (2000年11月9日PP.1) | 明るさ3倍 カラーフィルタ 厚さ5μmの散乱膜 反射形LCD | 250 |
| 2001年 1月号 | W-CDMA用増幅素子 -面積1/5に- | シャープ | 日経産業新聞 (2000年11月6日PP.1) | GaAs 広帯域符号化分割多重接続(W-CDMA)方式 1.9GHz帯 消費電力20%減 従来の1/5に小形化 | 220 230 |
| 2000年12月号 | 40万画素CCD | シャープ | 電波新聞 (2000年10月26日PP.6) | CCD ディジタルスチルカメラ 1/1.8 | 220 210 |
| 2000年12月号 | ナノ結晶に光導電性 -CCDなどに応用- | NHK 広島大 | 日経産業新聞 (2000年10月24日PP.1) | Siナノ結晶 光導電性 | 210 120 |
| 2000年11月号 | 携帯電話網向け増幅器 -消費電力20%削減ｰ | 住友電工 | 日経産業新聞 (2000年9月26日PP.1) | W-CDMA トランジスタ | 140 |
| 2000年11月号 | 導波路一体形光ヘッドスライダ | 東大 | 日本工業新聞 (2000年9月19日PP.19) | 光ディスク 近接場 紫外線硬化エポキシ樹脂 | 230 |
| 2000年11月号 | 光スポットのゆがみを自動補正 | 日立 | 日経産業新聞 (2000年9月7日PP.9) | 光ディスク 光学ヘッド 可動レンズ 液晶素子 | 230 630 |
| 2000年10月号 | ワイドダイナミックレンジ視覚センサ | 本田技研 | 日刊工業新聞 (2000年8月9日PP.18) | CMOSイメージセンサ 明暗比130dB ワイドダイナミックレンジ | 210 |
| 2000年 9月号 | OCDM方式 -同一波長に3チャネル多重化- | 郵政省 阪大 | 電波タイムズ (2000年7月12日PP.1) | 光符号化分割多重 光ネットワーク | 440 |
| 2000年 9月号 | 皮膚の微小振動センサ | 名大 | 日経産業新聞 (2000年7月6日PP.1) 日刊工業新聞 (2000年7月1日PP.6) | マイクロ加速度センサ CMOS 応力インピーダンス効果 感度26倍 脳機図センサ | 210 |
| 2000年 9月号 | CD-ROM/R/RW倍密化で新規格策定 | ソニー | 日刊工業新聞 (2000年7月6日PP.13) | DDCD 1 | 3GB 530 230 |
| 2000年 8月号 | 携帯電話(上) -第三世代の攻防- | 通信関連企業 | 日刊工業新聞 (2000年6月21日PP.1) | CDMA MC1x HDR | 440 |
| 2000年 8月号 | 201GBの大容量ディスク -電子線で書込み- | パイオニア | 日本経済新聞 (2000年6月10日PP.15) | 記録再生25GB 記録のみ201GB 電子線 青色レーザ 光ディスク DVD | 230 |
| 2000年 8月号 | 反射形カラー液晶表示装置 -明るさ2倍に- | シャープ | 日経産業新聞 (2000年6月7日PP.9) | 干渉反射膜を利用し LCDの明るさを引上げる技術 | 250 |
| 2000年 7月号 | 世界最速の次世代光ディスク -記録レート70Mbps- | TDK | 日刊工業新聞 (2000年5月30日PP.6) | 次世代光ディスク 記録レート70Mbps 青色レーザ 相変化 | 230 |
| 2000年 7月号 | 1.7形の携帯用カラーフィルムLCD | 松下電子 | 日刊工業新聞 (2000年5月23日PP.1) | LCD | 250 |
| 2000年 7月号 | 60gの単眼ヘッド・マウント・ディスプレイ -視野角拡大し高解像- | 島津製作所 | 日刊工業新聞 (2000年5月22日PP.1) | HMD | 250 |
| 2000年 7月号 | 2倍の情報録画・再生する技術 -赤色レーザ使って実現- | NEC | 日経産業新聞 (2000年5月17日PP.1) | 書換え可能形光ディスク 記録容量10GB 直径12cm 読取りエラー軽減 ズレ検出装置 多層構造 | 230 330 |
| 2000年 7月号 | 光磁気ディスク -記録情報30倍に- | 日大 日立マクセル 富士通 三洋電機 シャープ | 日本経済新聞 (2000年5月15日PP.17) | 光磁気ディスク 64Gb/in2 青色レーザ | 230 |
| 2000年 6月号 | 装着形パソコン向けに新入力装置 -軌跡を電子的に記憶- | 電総研 玉川大 | 日刊工業新聞 (2000年4月19日PP.1) | ヘッドマウントディスプレイ ジャイロセンサ ウェアラブルパソコン 空気ペン HMD AR | 210 250 320 520 |
| 2000年 5月号 | ROMディスク -光学系変えずに密度4倍- | TDK | 電波新聞 (2000年3月24日PP.1) 日本工業新聞 (2000年3月24日PP.7) | 反射膜 半導体材料 超解像 CD DVD | 230 |
| 2000年 5月号 | 直径50.8mmの小形・高密度光磁気ディスク | シャープ ソニー | 日経産業新聞 (2000年3月24日PP.10) 電波新聞 (2000年3月24日PP.1) | 光磁気ディスク 小形・高密度 直径50.8mm 赤色レーザ 1GB | 230 |
| 2000年 4月号 | 網膜投影ディスプレイ -電子画像を網膜に直接投影- | イメージ情報研 | 日刊工業新聞 (2000年2月23日PP.7) | レーザ光 ホログラフィック光学素子 立体映像 2眼式立体表示ディスプレイ HMD 赤色レーザ HOE 網膜上に直接投影 | 250 450 |
| 2000年 4月号 | 高速性と高画質と両立したCCD | NEC | 日刊工業新聞 (2000年2月10日PP.6) | 75フレーム/s 1/3インチ 130万画素 飛び越し 駆動 | 210 |
| 2000年 4月号 | 高画質化技術 | ソニー | 日経産業新聞 (2000年2月9日PP.6) | 1/3インチ 33万画素 CMOSイメージセンサ | 210 |
| 2000年 3月号 | 新CDV法を確立 -0.1μmのトランジスタ- | 豊田工大 | 日経産業新聞 (2000年1月14日PP.5) 日刊工業新聞 (2000年1月14日PP.5) | LSI Si窒化薄膜 電子ビーム プラズマ ゲート絶縁膜 0.1μmルール半導体製造 低温 低圧力 | 160 |
| 2000年 3月号 | 窒化ガリウム系HEMT -室温から350℃安定に動作- | 名工大 | 日刊工業新聞 (2000年1月7日PP.6) | GaN系HEMT 146mS/mm ゲート長2.1μm 電子移動度740cm2/Vs リセス構造 MOCVD法 | 220 |
| 2000年 2月号 | 1GHzの微小トランジスタ | 日立 | 日経産業新聞 (1999年12月7日PP.5) | 1GHz ゲート長0.1μm トランジスタ CMOS 2層構造絶縁膜 タングステン薄膜 | 220 |
| 2000年 2月号 | 歪みSOIに作成したP形MOS構造 | 東芝 | 日刊工業新聞 (1999年12月6日PP.13) | 歪みSOI 正孔移動度1.3倍 | 120 220 |
| 2000年 2月号 | CCD画質のCMOSセンサ | 東芝 | 日本工業新聞 (1999年12月6日PP.6) | CMOSイメージセンサ 埋込みフォトダイオード構造 ノイズ1/6 ワンチップ化 | 210 220 |
| 2000年 1月号 | 被写体までの距離も測定可能なCCDシステム | 松下電器 | 日刊工業新聞 (1999年11月26日PP.6) | CCD ストロボ CCDカメラ 距離測定 | 620 410 |
| 2000年 1月号 | 分子動力学専用計算機 | 理化学研 | 日刊工業新聞 (1999年11月17日PP.6) | 50テラFLOPS MDM 超並列計算機 | 320 420 |
| 2000年 1月号 | CMOSを利用したイメージセンサ -映像から動く物体検出- | NEC | 日経産業新聞 (1999年11月12日PP.5) | CMOSイメージセンサ 物体検出回路 フォトダイオード 画素間に動体検出回路 36,864画素 | 210 |
| 2001年 1月号 | MPEG-4マルチキャスト配信 | TDK オプティベース | 日経産業新聞 (2000年11月24日PP.5) | MPEG-4 CD-ROM ストリーミング マルチキャスト | 520 440 340 |
| 2001年 1月号 | 無線回路1Vで駆動 -切手大の端末可能- | NTT | 日経産業新聞 (2000年11月15日PP.11) | 従来の半分の1Vで駆動 10〜100mの近距離を通信 ブルートゥース対応 周波数変換 40mW以下 2〜2.4GHz SOI 0.2μmCMOS | 220 340 |
| 2001年 1月号 | 反射形液晶明るさ3倍のカラーフィルタ | 凸版印刷 | 日経産業新聞 (2000年11月9日PP.1) | 明るさ3倍 カラーフィルタ 厚さ5μmの散乱膜 反射形LCD | 250 |
| 2001年 1月号 | W-CDMA用増幅素子 -面積1/5に- | シャープ | 日経産業新聞 (2000年11月6日PP.1) | GaAs 広帯域符号化分割多重接続(W-CDMA)方式 1.9GHz帯 消費電力20%減 従来の1/5に小形化 | 220 230 |
| 1999年12月号 | 新形歪みSOI基板 | 東芝 | 日刊工業新聞 (1999年9月30日PP.6) | 歪みSi SiGe下地 キャリヤ移動度2倍以上 SIMOX技術 | 120 |
| 1999年12月号 | 解像度が1.6倍に高まる新設計のCCD -同一画素数でも高感度- | 富士写真フイルム 富士フイルムマイクロデバイス | 日刊工業新聞 (1999年10月21日PP.9) 日経産業新聞 (1999年10月21日PP.13) | CCD ハニカム構造 解像度1.6倍 | 210 |
| 1999年12月号 | CDの音質向上に新技術 | 日本ビクター | 日経産業新聞 (1999年10月22日PP.6) 電波タイムズ (1999年10月27日PP.7) | LSI CD DVD | 520 |
| 1999年11月号 | 直径3mmの巨大なゼオライト単結晶 -記憶素子なども応用- | 科学技術戦略推進機構物質工学工業技研 | 日経産業新聞 (1999年9月17日PP.4) 日刊工業新聞 (1999年9月17日PP.8) | ゼオライト大形単結晶 直径3mm バルク溶解(BMD)法 | 160 |
| 1999年10月号 | カラー人工網膜LSI -携帯機器などに応用- | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1999年8月3日PP.5) | 人工網膜LSI CMOSセンサ カラー人工網膜LSI CMOS | 210 |
| 1999年10月号 | 明るい場所でも高画質の新形LCD | 富士通 | 日経産業新聞 (1999年8月25日PP.6) | LCD MVA 輝度25%向上 250cd/in2 コントラスト比500:1 | 250 |
| 1999年10月号 | 新形DVD -80時間の画像を記録- | 工技院融合領域研 | 日経産業新聞 (1999年8月26日PP.4) | 近接場光 光ディスク 酸化銀の薄膜 記録容量200GB | 230 |
| 1999年 9月号 | CMOSエリアイメージセンサ -100倍のダイナミックレンジ- | ミノルタ ローム | 電波新聞 (1999年7月13日PP.2) | CMOS イメージセンサ 対数変換回路 ダイナミックレンジ105 | 210 220 |
| 1999年 9月号 | 光ディスクのディジタル録画システム | NEC | 日経産業新聞 (1999年7月23日PP.9) 日本経済新聞 (1999年7月23日PP.11) | ディジタル録画 MVDISC 片面5.2GB SVHS並みで2時間 最長4時間 | 330 |
| 1999年 9月号 | 耐熱追記形光ディスク | NHK | 日本工業新聞 (1999年7月27日PP.1) | 600℃ 3倍高密度 酸化膜 ガーネット膜 追記・書換え併用ディスク | 230 |
| 1999年 8月号 | 0.05μm世代のCM0S素子 | 日立 | 日刊工業新聞 (1999年6月15日PP.6) | CMOS RTA炉 | 160 220 |
| 1999年 8月号 | 世界最小のトランジスタ -構造試作 動作を確認- | NEC | 日経産業新聞 (1999年6月17日PP.5) | ゲート電極長50nm P-MOS MOSトランジスタ MOSFET | 160 220 |
| 1999年 7月号 | 青色半導体レーザ -量子ドットで実現- | 東大 | 日刊工業新聞 (1999年5月21日PP.1) | InGaN 量子ドット 10層構造 室温発振 閾値電流 MOCVD 直径約20nm 高さ約4.5nm 波長405nm 色素レーザ励起 | 250 |
| 1999年 7月号 | 特殊光学フィルム -LCDの輝度1.5倍- | 日東電工 | 日刊工業新聞 (1999年5月19日PP.11) | ||
| 1999年 7月号 | 3D表示可能な高速応答LCD | デンソー 出光興産 | 日本工業新聞 (1999年5月11日PP.1) | TSS(三状態切替駆動)方式LCD 液晶偏光シャッタ 毎秒60回 応答速度1000倍 3D | 250 450 |
| 1999年 6月号 | 初のDRAM混載形画像処理用DSP | 富士通研 | 日本工業新聞 (1999年4月19日PP.1) | 画像処理用DSP 1MT-2000 MSPM SIMD形 DSP DRAM | 220 230 |
| 1999年 6月号 | CCDセンサ-消費電力30%削減- | NEC | 日経産業新聞 (1999年4月6日PP.5) | 電力30% 一層電極 CCD | 210 |
| 1999年 6月号 | 世界初の球面集積回路 -球状半導体にIC形成- | 米ボールセミコンダクタ | 日本経済新聞 (1999年4月6日PP.11) 日刊工業新聞 (1999年4月13日PP.11) | 球面集積回路 球状Si N形MOS 球状半導体 インバータ回路 | 220 260 160 |
| 1999年 6月号 | 光ディスク使用の放送用VDR | NEC | 日本工業新聞 (1999年4月2日PP.1) | VDR 光ディスク | 330 230 |
| 1999年 6月号 | 横形ホットエレクトロントランジスタ | NEC | 日刊工業新聞 (1999年3月29日PP.1) | 横形HET ホットエレクトロン効果 10Tbメモリー MOSトランジスタ 電界変調浅接合形 | 220 |
| 1999年 5月号 | 世界最小MOSトランジスタ -ゲート長8nm- | NEC | 日刊工業新聞 (1999年3月29日PP.1) | MOSトランジスタ HET 10Tbメモリー ホットエレクトロン効果 トランジスタ ゲート長8nm 電子線レジスト 横形HEMT | 220 160 |
| 1999年 5月号 | 次世代携帯電話 -国際規格を統一- | 郵政省 ITU | 日本経済新聞 (1999年3月20日PP.1) | ITU 次世代携帯電話 IMT-2000 CDMA 日欧方式+北米方式の一体形携帯電話 | 540 |
| 1999年 5月号 | 次世代携帯電話 -共通規格で合意- | エリクソン クアルコム | 日本経済新聞 (1999年3月12日PP.13) | CDMA | 540 |
| 1999年 3月号 | 動作速度25%の向上のトランジスタ | NEC | 日経産業新聞 (1999年1月4日PP.4) | 0.1μm C-MOS トランジスタ | 220 |
| 1999年 3月号 | 高速・広視野角のLCD | シャープ | 日経産業新聞 (1999年1月1日PP.1) | TFT LCD 高速応答 広視野角 | 250 |
| 1999年 2月号 | 波長多重光磁気ディスク | NHK | 日経産業新聞 (1998年12月24日PP.5) | 光磁気ディスク 波長多重 20HB | 230 |
| 1999年 2月号 | 消費電力1/25の新MOS型FET | シャープ | 日経産業新聞 (1998年12月11日PP.4) | 動作電圧0.5V MOSFET ロジックLSI LCSED-DTMOS 寄生容量65%伝送 | 220 |
| 1999年 2月号 | 1.2nm極薄酸化膜使用のMOS素子 | 広島大 | 日刊工業新聞 (1998年12月8日PP.6) | 1.2nmシリコン酸化膜 | 220 160 |
| 1999年 1月号 | 動画送受信する携帯電話 | 松下通信工業 | 日経産業新聞 (1998年11月13日PP.6) | 次世代携帯電話 テレビ電話 小型カメラ カラー液晶表示装置 W-CDMA | 340 540 |
| 1999年 1月号 | 記憶容量5ギガの新記憶システム -MOとHDD接合- | 三菱化学 米クィンタ | 日本工業新聞 (1998年11月13日PP.4) 日経産業新聞 (1998年11月13日PP.8) | OAW方式 浮上ヘッド方法 ポリカーボネート基板 | 330 |
| 1999年 1月号 | 容量2倍のMO | 富士通 ソニー | 日本経済新聞 (1998年11月6日PP.11) 電波タイムズ (1998年11月20日PP.2) | 3.5インチ 1.3GB 来春発売 ギガMO | 230 330 |
| 1999年 1月号 | 人工網膜LSI使用の無線カメラ | 三菱電機 | 電波新聞 (1998年11月6日PP.5) 日刊工業新聞 (1998年11月6日PP.5) | 人工網膜LSI 監視カメラ CDMA | 310 340 520 |
| 1998年12月号 | 高輝度の大型表示装置 | 大宇電子 | 日経産業新聞 (1998年10月29日PP.1) | TMA 投射型映像表示装置 DMD 投射型 | 250 350 |
| 1998年12月号 | 光ディスク用半導体レーザ -100mWの高出力- | 松下電子 | 日経産業新聞 (1998年10月6日PP.5) 日刊工業新聞 (1998年10月6日PP.11) | CD-R 光ディスク 半導体レーザ | 250 230 |
| 1998年12月号 | 減圧CVD法による青紫色半導体レーザ -室温連続発振- | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1998年9月30日PP.6) | MOCVD 青紫色半導体レーザ 炭化シリコン基板 窒化ガリウム | 250 |
| 1998年11月号 | 投写型ディスプレイ新技術 -明るさCRTの10倍- | 大宇電子(韓国) | 電波新聞 (1998年9月24日PP.2) | TMA DMD 投写型 | 350 250 |
| 1998年11月号 | 青紫色半導体レーザ -室温連像発振に成功- | ソニー | 日刊工業新聞 (1998年9月17日PP.5) | 青紫色半導体レーザ 室温連続発振 窒化Ga 加圧型有機全層気相成長 MOCVD | 250 |
| 1998年11月号 | 片面8.5GBの2層相変化ディスク -片面記録容量を2倍に- | 松下電器産業 | 電波新聞 (1998年9月9日PP.1) 日経産業新聞 (1998年9月9日PP.5) 日本経済新聞 (1998年9月9日PP.11) 日刊工業新聞 (1998年9月9日PP.13) | 光ディスク 多層記録 8.5GB DVD 相変化光ディスク 片面2層ディスク 片面記録容量8.5GB 2層相変化ディスク GeSbTe | 230 530 |
| 1998年 9月号 | 次世代光ディスク -100GB級を共同開発- | ソニー 松下電器産業 等13社 | 日経産業新聞 (1998年7月30日PP.1) | 光ディスク 多値化 | 230 330 |
| 1998年 9月号 | 人間の目と脳を持つビジョンチップ | 東大 | 日本工業新聞 (1998年7月29日PP.21) | 視覚センサ 並列演算処理回路 高速画像処理 ビジョンチップ CMOS 画像処理 | 210 220 |
| 1998年 9月号 | ネット対応携帯オーディオ機器 -音声取込み再生- | NTT 神戸製鋼 | 日本経済新聞 (1998年7月24日PP.13) 日経産業新聞 (1998年7月24日PP.3) | 半導体メモリーに録音 CD並みで約25分 FMラジオ並みで約50分 著作権保護を重視 ネットワーク配信 固体メモリー 音声信号圧縮 著作権 マルチメディアコンテンツ 音声圧縮技術 ネットワーク | 330 440 |
| 1998年 9月号 | 中国とビデオCD新規格 | ソニー 日本ビクター オランダ フィリップス | 日本経済新聞 (1998年7月15日PP.11) | 中国 東南アジア向け 中国の情報産業省と共同策定 記録時間50分 VCD | 530 |
| 1998年 9月号 | 最薄のTFT型LCD | 日本IBM | 日経産業新聞 (1998年7月14日PP.1) | 導光体1.7mm | 250 260 |
| 1998年 9月号 | 衛星使い「電子書籍」 | 電子書籍コンソーシアム | 日本経済新聞 (1998年7月3日PP.1) | 2000年実用化 新書判サイズの専用端末 出版社30社 流通業5社等が9月に結成 通産省が支援 今秋から約3万台の端末で実験 記憶媒体はMD | 540 440 |
| 1998年 8月号 | 高記録密度光ディスク -記録密度 DVDの15倍- | 工技院融合研 | 日本経済新聞 (1998年6月20日PP.11) 日経産業新聞 (1998年6月22日PP.5) | 光ディスク DVD 近接場光 アンチモン アンチモン薄膜 大容量記録 160nm直径の光スポット 波長680nm | 230 |
| 1998年 8月号 | 高集積光素子 -精度向上に新手法- | NEC | 日経産業新聞 (1998年6月1日PP.5) | MOVPE SiO2被覆のすきま形状で性質と構造を制御 1.3〜1.55μmの発光素子と受光素子を同時作成 | 160 210 250 |
| 1998年 7月号 | 新構造のCCD | ソニー | 電波新聞 (1998年5月22日PP.5) | CCD 近赤外CCD | 210 |
| 1998年 6月号 | 40倍速CD-ROM駆動装置 | ケンウッド | 日経産業新聞 (1998年4月3日PP.5) | CD-ROM マルチビーム | 330 |
| 1998年 5月号 | 光集積センサ -全機能を1チップ化- | 阪大 横河電機 | 日刊工業新聞 (1998年3月6日PP.7) | 光素子 1チップ化 変位センサ 光ピックアップ 集積光センサ 光ディスク用 | 210 250 |
| 1998年 4月号 | プラスチックテレビスクリーン -厚さ2mmの薄型構造- | エプソン 英CDT | 日本工業新聞 (1998年2月17日PP.4) | プラスチック テレビスクリーン 発光プラスチック Poly-SiTFT 厚さ2mm | 250 |
| 1998年 4月号 | 家庭用高速通信ネット向け IC -2.5Gbpsの信号受信- | NEC | 日本工業新聞 (1998年2月10日PP.17) | 光IC CMOS 高速データ通信 | 220 240 |
| 1998年 4月号 | 書込み速度8倍速のCD-R装置 | 三洋電機 | 日本工業新聞 (1998年2月3日PP.1) | CD-R | 230 330 |
| 1998年 4月号 | 次世代携帯電話統一規格 | 欧州電気通信標準化機構(ETSI) | 電波新聞 (1998年1月31日PP.1) | 次世代携帯電話 規格統一 CDMA | 440 540 |
| 1998年 2月号 | DVDオーディオ規格最終案 | DVDオーディオ ワーキンググループ | 日本経済新聞 (1997年12月30日PP.7) | 上限再生周波数 96kHz 最大収録時間CD7枚分 DVD ディジタルオーディオ | 530 230 |
| 1998年 2月号 | MOSトランジスタ用高信頼ゲート電極構造 -ゲート長0.25μm以下- | NEC | 電波新聞 (1997年12月8日PP.7) | LGP2層 SiOx | 220 160 |
| 1998年 1月号 | DVD-RAM使用光ディスクカメラ | NHK | 電波新聞 (1997年11月16日PP.3) | DVD-RAM ディスクカメラ MPEG-2 422プロファイル@ML フレーム内圧縮 実験機 記録ビットレート11Mbps 2000年以降実用化 30Mbpsで60分以上記録 | 330 230 310 520 |
| 1998年 1月号 | 大容量光磁気ディスク | キヤノン | 日本経済新聞 (1997年11月4日PP.9) 日経産業新聞 (1997年11月6日PP.9) | 12cm盤に22GB 動画10時間 3層構造 | 230 |
| 1997年12月号 | 光ディスク装置 -4時間半の映像記録- | ソニー | 日経産業新聞 (1997年10月23日PP.8) | 12GB/面 光ディスク | 230 330 |
| 1997年12月号 | 反射型カラーLCD -開発 商品化が活発に- | シャープ 松下電器産業 ホシデン セイコーエプソン カシオ 東芝 | 電波新聞 (1997年10月17日PP.1) | 反射型LCD 高速応答 低消費電力 広視野角 | 250 |
| 1997年12月号 | 広視野角LCD | 三洋電機 | 日経産業新聞 (1997年10月3日PP.11) 日刊工業新聞 (1997年10月3日PP.9) | LCD 広視野角 上下左右160° | 250 |
| 1997年12月号 | コンピュータ機能内蔵のディスク | オプトロム | 日刊工業新聞 (1997年9月29日PP.7) | 光ディスク | 230 220 420 |
| 1997年11月号 | 160新半導体 -半導体の配線に銅を使用- | IBM | 日本経済新聞 (1997年9月23日PP.11) 読売新聞 (1997年9月24日PP.10) | 銅配線ICの量産技術 高速CMOSロジック用 半導体 同配線 | 220 160 |
| 1997年11月号 | 超微細MOSトランジスタ -模擬素子で正常動作- | NEC | 電波新聞 (1997年9月12日PP.1) 日経産業新聞 (1997年9月12日PP.5) | ゲート長14nm EJ-MOSFET 2重ゲート構造 10Tbメモリーへ道 10Tb MOS | 220 |
| 1997年11月号 | 高速通信用LSI基本回路 -消費電力1/5- | NEC | 日経産業新聞 (1997年9月11日PP.5) | フリップフロップ CMOS | 220 |
| 1997年10月号 | 次世代光ディスク | NEC | 日本経済新聞 (1997年8月14日PP.11) | 片面5.2GB MMVF | 230 330 |
| 1997年 9月号 | 次世代の携帯電話受信用IC | 鷹山 NTTドコモ | 日本経済新聞 (1997年7月28日PP.16) | CDMA ニューロ マッチトフィルタ 消費電力30mW | 220 520 |
| 1997年 9月号 | 携帯電話向け新型CMOS -1チップ化可能に- | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1997年7月28日PP.5) | CMOS メッシュ状配列 | 220 |
| 1997年 9月号 | 次世代光ディスク -記憶容量CDの1000倍- | 工技院産業技術融合領域研 日立製作所 他 | 日本経済新聞 (1997年7月19日PP.10) | CDサイズで1TBが目標 近接場光 駆動制御技術 | 230 |
| 1997年 9月号 | 次世代光磁気ディスク -日米等15社が統一規格- | 富士通 フィリップス 等 | 日本経済新聞 (1997年7月4日PP.11) | ASMO 記憶容量6GB CDサイズで6GB | 230 530 |
| 1997年 8月号 | パソコン機能内蔵光ディスクに | オプトロム | 日経産業新聞 (1997年6月26日PP.1) | ディスクに電子回路張付け 電波による給電 光ディスク CPU RAM 通信機能 CPU内蔵光ディスク インテリジェントディスク(ID) | 230 220 420 |
| 1997年 8月号 | 高精細サンプリングレートコンバート技術 -ディジタル信号規格内で自由に変換- | パイオニア | 電波新聞 (1997年6月24日PP.1) 日経産業新聞 (1997年6月24日PP.8) | CD，MD，DVDの音声データ相互変換 96kHz 24b対応 リアルタイム変換 | 320 520 |
| 1997年 8月号 | LCD用バックライト -明るくムラ少なく- | 電通大 日立製作所 | 日経産業新聞 (1997年6月23日PP.5) | LCD用バックライト 平板型 10000cd/m2 5.6インチ | 250 |
| 1997年 8月号 | ローパワーLSI技術 | 松下電器産業 NTT | 電波新聞 (1997年6月12日PP.1) | DSP 16bDSP 内部電圧1.2V 20MHz 12mW MTCMOS 最小動作電圧検出 | 220 |
| 1997年 8月号 | 電子干渉効果39Kの高温観測 | NTT | 日刊工業新聞 (1997年6月10日PP.6) | SIMOX基板 39K クーロンブロッケード効果 | 120 |
| 1997年 8月号 | 15GBの高密度記録技術 -光ディスク記憶容量で世界最大- | 松下電器産業 | 電波新聞 (1997年6月10日PP.1) 日本経済新聞 (1997年6月10日PP.11) 日刊工業新聞 (1997年6月10日PP.10) | 8mW 425nm青色レーザ 光ディスク DVD 高密度記録 SHG 425nm 15mW SHGレーザ 相変化ディスク トラックピッチ0.33μm マーク長0.42μm 片面15GB | 230 250 |
| 1997年 8月号 | 次世代携帯電話 -米加4社が規格統一- | ルーセントテクノトジ | 日本経済新聞 (1997年6月1日PP.1) 日刊工業新聞 (1997年6月5日PP.11) | 次世代携帯電話 CDMA 規格統一 | 440 540 530 340 |
| 1997年 7月号 | 光効率5〜10倍のLCD | 英スクリーンテクノロジー | 電波新聞 (1997年5月27日PP.3) | フォトルミネッセントLCD 液晶光変調パネル 蛍光体スクリーン 紫外線バックライト | 250 |
| 1997年 7月号 | 高精細カメラ | オリンパス | 日経産業新聞 (1997年5月27日PP.5) | CMD 縦横2048画素×3枚 遠隔医療 | 210 310 |
| 1997年 7月号 | 次世代大容量光ディスク -DVD越す12GB実現- | ソニー | 電波新聞 (1997年5月21日PP.1) 日刊工業新聞 (1997年5月21日PP.8) 日本経済新聞 (1997年5月21日PP.13) 日経産業新聞 (1997年5月21日PP.9) | CDサイズに片面12GB 青緑色レーザ 515nm 20mW CDサイズ 光ディスク 青緑色半導体レーザ 波長515nm 出力20mWの半導体レーザ 9.5Gb/in2 | 230 330 250 |
| 1997年 7月号 | 明るさフィルムで1.6倍のLCD | 日東電工 | 日経産業新聞 (1997年5月14日PP.1) | LCD 棒状有機化合物 偏光反射フィルム 光利用率70% | 150 250 |
| 1997年 7月号 | 小型・高感度CCD | NHK | 日経産業新聞 (1997年5月7日PP.5) | CCD HARP膜 絶縁耐圧75V 高感度カメラ CMOS | 210 310 |
| 1997年 6月号 | TFT式カラーLCD -バックライト不要- | シャープ | 日経産業新聞 (1997年4月30日PP.1) | TFT方式LCD | 250 |
| 1997年 6月号 | 新型半導体素子 -電源回路1/5に- | NTT | 日経産業新聞 (1997年4月21日PP.5) | パワーMOSFET | 220 |
| 1997年 6月号 | Ka帯マイクロ波増幅 -出力最高の150W- | NEC | 日経産業新聞 (1997年4月10日PP.1) | Ka帯 LMDS | 340 |
| 1997年 6月号 | MOSトランジスタ -正常な動作を実証- | NEC | 日経産業新聞 (1997年4月3日PP.5) | ゲート長0.03μm Tb級メモリー 電界印加でソースドレイン領域を作成 | 220 |
| 1997年 5月号 | 広視野角LCD -反強誘電性液晶を利用- | 東芝 | 日経産業新聞 (1997年3月13日PP.1) | 反強誘電性液晶 高速応答 15インチ | 250 |
| 1997年 5月号 | 1/3型カラーCCDエリアセンサ -109万画素実現- | シャープ | 電波新聞 (1997年3月12日PP.10) 日刊工業新聞 (1997年3月12日PP.13) | 1/3インチカラーCCD 1156H×866V 4.6μm角画素 | 210 |
| 1997年 4月号 | 反射型カラーLCD | 東芝 | 電波新聞 (1997年2月27日PP.1) 日刊工業新聞 (1997年2月27日PP.10) | 3原色積層構造 消費電力0.1/W | 250 |
| 1997年 4月号 | 2層光磁気ディスク | 日立製作所マクセル 日大 | 日経産業新聞 (1997年2月26日PP.5) | 光磁気ディスク | 230 |
| 1997年 4月号 | CMOSイメージセンサ -130万画素タイプ- | 東芝 | 電波新聞 (1997年2月26日PP.1) 日本経済新聞 (1997年2月26日PP.13) | センサ CMOS 130万画素 CMOS撮像素子 | 210 |
| 1997年 4月号 | ディジタルビデオカメラ用 LSI -イメージセンサと画像処理を1チップ化- | 松下電器産業豊橋技科大 | 電波新聞 (1997年2月8日PP.1) 日経産業新聞 (1997年2月13日PP.5) | CMOS 128×128画素 イメージセンサ内蔵 DCT | 210 520 220 |
| 1997年 3月号 | 顔料分散法カラーフィルタ -LCD明るく色あざやかに- | 凸版印刷 | 日経産業新聞 (1997年1月28日PP.1) | 顔料分散法 塗布型 | 250 120 |
| 1997年 2月号 | CCD製造技術 -1層構造で低コスト化- | NEC | 日経産業新聞 (1996年12月26日PP.4) | CCD 製造工程25%減 | 210 |
| 1997年 2月号 | CMOS向け微細化技術 | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1996年12月24日PP.4) | MOS FET 微細化 | 220 160 |
| 1997年 2月号 | MDデータを大容量化 | ソニー | 電波新聞 (1996年12月17日PP.4) 日経産業新聞 (1996年12月17日PP.11) 日刊工業新聞 (1996年12月17日PP.13) 日本経済新聞 (1996年12月17日PP.13) | MDデータ 容量従来比4.6倍 650MB ミニディスク 短波長化 | 230 330 |
| 1997年 2月号 | LCD用バックライト -輝度50%向上- | 三菱レイヨン | 日経産業新聞 (1996年12月13日PP.1) | プリズムシート 光利用効率90% 2600cd/m2 生産コスト約30%削減 下向きプリズムシート 拡散板不要 LCD バックライト | 250 |
| 1997年 2月号 | 電圧0.6Vで動作するロジックLSI | シャープ | 日経産業新聞 (1996年12月12日PP.5) | LSI MOS FET ロジックLSI MOS型FET 低電圧動作 0.6V 3層構造チャンネル ゲート膜厚2.8nm 0.6V動作 低漏波電流形状 低電圧 MOSFET | 220 |
| 1997年 2月号 | ビデオCDのインタネット接続 -ビデオCD再生中にインタネット- | ソニー 日立製作所 日本ビクター フィリップス 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1996年12月6日PP.1) | ビデオCD インタネット 規格統一 | 530 440 |
| 1997年 1月号 | ディジタル光ディスクカメラ | NEC | 電波新聞 (1996年11月8日PP.5) 日経産業新聞 (1996年11月8日PP.13) 日刊工業新聞 (1996年11月8日PP.7) 日本経済新聞 (1996年11月8日PP.13) | 12インチ 光ディスク カメラ 業務用 両面40分 片面4.16GB 12cm 相変化ディスク ディジタルビデオカメラ ビデオカメラ DVD-RAM | 310 230 330 |
| 1996年12月号 | 14GB光磁気ディスク -再生実験に成功- | 日立製作所マクセル 三洋電機 | 日経産業新聞 (1996年10月29日PP.9) 日刊工業新聞 (1996年10月29日PP.11) 日本経済新聞 (1996年10月29日PP.11) | MAMMOS 記録層と磁気増幅層 動画5時間 CDサイズに14GB 5.25インチ MO 14GB | 230 |
| 1996年12月号 | 窒化膜で原子層マスク -STM使いナノ構造- | NTT | 日刊工業新聞 (1996年10月22日PP.6) | 微細加工 窒化膜原子層マスク STM MOCVD 窒化保護膜 低電流加工可能 量子効果素子 | 160 120 |
| 1996年12月号 | CDリライタブルの規格統一 | フィリップス ソニー 他 | 日本経済新聞 (1996年10月19日PP.9) 日本工業新聞 (1996年10月24日PP.8) 朝日新聞 (1996年10月24日PP.13) 日経産業新聞 (1996年10月28日PP.11) | CD リライタブル | 530 230 330 530 |
| 1996年12月号 | 液晶ディスプレイ -視野角を100°に- | NEC | 日刊工業新聞 (1996年10月15日PP.7) | 液晶(LCD) 液晶ディスプレイ 視野角 TN液晶 4分割電極 ねじれ方向の混在 | 250 |
| 1996年12月号 | 9色使えるEL表示装置 | シャープ | 日経産業新聞 (1996年10月1日PP.5) | ELディスプレイ LCD EL フラットディスプレイ コントラスト15:1 160°の視野角 寿命3万時間 | 250 |
| 1996年12月号 | 新TFT式LCD | 富士通 メルクジャパン | 日経産業新聞 (1996年9月30日PP.1) | VA液晶パネル ネガ型液晶 応答速度25ms 200cd/m2 視野角140°以上 | 250 150 |
| 1996年11月号 | 発光ポリマー使用のディスプレイ | ケンブリッジディスプレイテクノロジー(英) | 日経産業新聞 (1996年9月18日PP.0) | ディスプレイ 発光性樹脂膜 発光ダイオード以上の率 LCD用バックライト 5μm角の画素制御可能 LEP 発光ポリマー | 250 |
| 1996年11月号 | 超高密度記録可能な磁気ヘッド走行方式 -記録密度20倍に- | NEC | 日経産業新聞 (1996年9月11日PP.5) 電波新聞 (1996年9月11日PP.1) 日本経済新聞 (1996年9月11日PP.13) | 密着型 イコライザ 20Gbps以上/cm2 コンタクト記録 CD-ROM | 230 330 |
| 1996年11月号 | 亜鉛酸化物 光記録媒体に利用 | 大阪産業大 | 日刊工業新聞 (1996年9月5日PP.6) | 亜鉛酸化物 光ディスク | 130 230 |
| 1996年11月号 | 次世代携帯電話 | 郵政省 | 日本経済新聞 (1996年9月3日PP.1) | 2000年実用化へ 2Mbps程度 CDMA 国際標準化へ | 440 540 640 |
| 1996年11月号 | 冷陰極管最高の発光効率 | スタンレー電気 カシオ | 日経産業新聞 (1996年9月3日PP.1) | 冷陰極管 LCD | 250 |
| 1996年10月号 | 半導体の素子分離技術 -回路線幅0.25μmまで対応- | 松下電器産業 松下電子 | 日経産業新聞 (1996年8月28日PP.5) | CMOS トレンチ法 0.25μm幅 BとPを含むSiO2 | 260 160 |
| 1996年10月号 | 次世代薄型ディスプレイFED | 双葉電子 | 日経産業新聞 (1996年8月23日PP.1) | LCD 薄型ディスプレイ FED 自発光ディスプレイ 白黒 5インチ 厚さ2mm 寿命10000時間以上 320H×420V画素 300cd/m2 コントラスト40:1 | 250 |
| 1996年10月号 | 2Mb大容量伝送に成功 | NTTドコモ | 日本工業新聞 (1996年8月22日PP.1) | CDMA 衛星通信 | 440 |
| 1996年10月号 | ビデオCDの再生画質向上新技術 | 大日本印刷 | 日刊工業新聞 (1996年8月16日PP.6) | 領域分割型フィルタ処理システム ノイズ抑制システム シーン変化自動検索 逆2-3プルダウンシステム | 520 330 |
| 1996年10月号 | マルチフィールド駆動法 -動電力60%減，反射型 TFTに有望- | 東芝 | 日経産業新聞 (1996年8月14日PP.1) | LCD 消費電力 動画静止画を識別 駆動周波数 反射型TFT | 250 |
| 1996年10月号 | 目の動き計測可能なヘッドマウントディスプレイ | 京大 松下電工 | 日経産業新聞 (1996年8月2日PP.5) | HMD 視線 ヘッドマウントディスプレイ ディスプレイ ヘッドマウント 立体映像 | 620 350 310 |
| 1996年 9月号 | 次世代光磁気ディスク -日欧8社で開発- | 富士通 ソニー オランダフィリップス 等8社 | 日本経済新聞 (1996年7月17日PP.1) 日本経済新聞 (1996年7月17日PP.13) | MO DVD 光磁気ディスク 6〜7GB 5インチ | 230 530 |
| 1996年 9月号 | 新動作原理のMOSFET | 北大 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1996年7月11日PP.6) | MOSFETのゲート部に微小コンタクト追加 ゲート長1.3μm バイポーラトランジスタ MOS バイポーラ FET | 220 |
| 1996年 9月号 | 眼鏡不要の立体テレビ | NHK技研 | 日経産業新聞 (1996年7月9日PP.5) | ブラウン管 LCD 4画面 立体テレビ 眼鏡不要 4眼方式 | 450 250 350 |
| 1996年 8月号 | 半導体レーザの新製造技術 -素子均一性2倍に- | NEC | 日経産業新聞 (1996年6月17日PP.5) | レーザ 1.3μm MOVPE法で選択結晶成長 エッチング工程なし 2μA以下の閾値電流 | 240 160 |
| 1996年 8月号 | レーザ焼き付け写真プリント機 -逆光撮影写真くっきり補正- | 富士フイルム | 日経産業新聞 (1996年6月13日PP.1) | CCDカメラ レーザ焼き付け 1000枚/時間 | 310 330 |
| 1996年 8月号 | MOS電界効果のトランジスタ -半導体素子の不純物混入- | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1996年6月12日PP.5) | プラズマドーピング | 220 260 |
| 1996年 7月号 | 1/4インチCCD | 松下電子 | 日経産業新聞 (1996年5月23日PP.12) | CCD カメラ 2層レンズ | 210 |
| 1996年 7月号 | 低コストで立体テレビ -シート状光学素子活用- | 大阪市大 | 日経産業新聞 (1996年5月16日PP.5) | LCD 液晶パネル ホログラフィック光学素子シート ホログラフ | 450 250 350 |
| 1996年 7月号 | 1Tbの光ディスク記録技術 | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1996年5月13日PP.5) | 顕微鏡 光ディスク 高密度 走査型近接場光顕微鏡 1Tb ディスク 相変化ディスク 170Gb/inch2 読出し速度10Mbps SNOM 相変化型 12cmディスクに1Tb | 230 260 360 |
| 1996年 7月号 | 低温多結晶SiTFTのLCD | 富士通研 | 日経産業新聞 (1996年5月9日PP.10) | LCD 低温多結晶SiTFT 130万画素 3.2インチ 光透過率60% Poly-SiLCD | 250 350 |
| 1996年 7月号 | CMOSで1Gbpsのデータ伝送 | LSIロジック | 日経産業新聞 (1996年5月8日PP.1) | CMOS 超高速データ伝送 ASIC用コアロジック 送受信を4線で イーサネット ATM対応 シリアルリンク | 220 240 540 |
| 1996年 6月号 | 17インチカラーLCD | NEC | 日経産業新聞 (1996年4月17日PP.10) | TFT LCD CRT | 250 |
| 1996年 6月号 | X線顕微鏡 -生物試料そのまま観察- | 理化学研 | 日経産業新聞 (1996年4月12日PP.5) | X線顕微鏡 CCD | 360 |
| 1996年 5月号 | 固体型エレクトロニクスクロミック表示素子 -固体有機材使用- | 慶応大 | 日経産業新聞 (1996年3月4日PP.5) | 固体有機材 ECD EL 有機化合物 | 250 150 |
| 1996年 5月号 | 家庭用ディジタルビデオカメラの高速処理技術 -撮影間隔1/240秒- | 三洋電機 | 日経産業新聞 (1996年3月26日PP.1) | CCD ディジタルビデオ 撮影間隔1/240秒 スロー再生 | 210 310 330 |
| 1996年 4月号 | 次世代の光磁気ディスク -規格共同開発提案- | 富士通 | 日刊工業新聞 (1996年2月20日PP.1) | MOディスク ディスクドライブ 規格 | 330 530 230 |
| 1996年 4月号 | 光通信の信号処理用IC -SiCMOSで作製- | NEC | 日経産業新聞 (1996年2月16日PP.5) | 光通信 Si LSI CMOS MUX/DEMUX 3Gbps | 220 240 |
| 1996年 4月号 | 高集積メモリー -ISSC開幕，LSI閾値制御競う- | 三菱電機 東芝 NEC NTT | 日経産業新聞 (1996年2月9日PP.4) 電波新聞 (1996年2月9日PP.1) 日刊工業新聞 (1996年2月9日PP.6) 日刊工業新聞 (1996年2月9日PP.9) 日刊工業新聞 (1996年2月16日PP.5) 日経産業新聞 (1996年2月19日PP.5) | DRAM 1Gb シンクロナスDRAM 8bADC 1.5V動作 15MSPS 8mW 3揮発性メモリー 1Mb 変調閾値制御 閾値 CMOS DCT ADC | 230 220 660 520 |
| 1996年 4月号 | 次世代端末用LSI | NTTドコモ 鷹山 | 日経産業新聞 (1996年2月6日PP.1) | CDMA ディジタル携帯電話 アナログ ニューロ | 520 220 |
| 1996年 3月号 | CDMA運用開始 | 米国 | 日刊工業新聞 (1996年1月29日PP.1) | 携帯電話 狭帯域CDMA方式 | 440 540 520 |
| 1996年 3月号 | MRヘッドの新素子 | NEC | 日本経済新聞 (1996年1月22日PP.15) | スピンバルブ素子 3.5インチMDに10GB MRヘッド | 210 230 |
| 1996年 3月号 | CDMA実験開始 -次世代移動通信に応用- | 郵政省 | 日刊工業新聞 (1996年1月18日PP.1) | CDMA 移動体通信 移動通信 | 440 540 520 |
| 1996年 3月号 | 高精細ランダムアクセスカメラ | オリンパス | 日経産業新聞 (1996年1月11日PP.5) | 見たい領域を抽出 増幅型固体撮像素子 CMD 高精細カメラ ランダムアクセスカメラ 400万画素 | 310 210 |
| 1996年 3月号 | マルチメディア対応テレビ | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1996年1月10日PP.1) | マルチメディア対応テレビ インタネット CD-ROM | 350 230 320 440 |
| 1996年 3月号 | 液晶プロジェックションテレビ -ハイビジョン用40インチ- | シャープ | 日経産業新聞 (1996年1月8日PP.1) | TET 液晶表示装置 40インチ LCD | 250 350 420 |
| 1996年 2月号 | DVD，CD再生互換可能な光ピックアップ | 三洋電機 | 電波新聞 (1995年12月22日PP.1) 日刊工業新聞 (1995年12月22日PP.8) | DVD CD 光ピックアップ 液晶絞り | 230 210 |
| 1996年 2月号 | バックライトの要らない LCD -消費電力1/100に- | 農工大 スタンレー電気 | 日経産業新聞 (1995年12月13日PP.5) | LCD 反射型ゲストホスト方式 | 250 350 |
| 1996年 2月号 | 世界初ゲート長0.1μmの非対称NMOSトランジスタ -世界で初めて開発- | 松下電器産業 | 電波新聞 (1995年12月9日PP.1) | ゲート長0.1μm 非対称NMOSトランジスタ 1.5V動作 | 220 |
| 1996年 2月号 | 2/3インチ130万全画素読出しCCD | ソニー | 日経産業新聞 (1995年12月4日PP.11) | 全画素読出しCCD 電子スチル 2/3インチ 130万画素 | 210 |
| 1996年 1月号 | CCD搭載ディジタルスチルカメラ -携帯型で高解像度- | キヤノン コダック | 電波新聞 (1995年11月22日PP.2) 日経産業新聞 (1995年11月22日PP.15) 日刊工業新聞 (1995年11月22日PP.10) | ディジタルスチルカメラ 600万画素CCD RGB各12b | 310 330 |
| 1996年 1月号 | 高密度記録で新技術 -光磁気ディスクの30倍- | アトムテクノロジー研究体 | 日本経済新聞 (1995年11月20日PP.17) | PZT 光磁気ディスクの30倍以上 強誘電体メモリー 6GB以上/cm2 | 130 230 |
| 1996年 1月号 | TFT方式の液晶表示装置 -視野角拡大する光学フィルム- | 富士フイルム シャープ | 日経産業新聞 (1995年11月14日PP.1) | 光学フィルム LCD 視野角 上下2倍，左右1.4倍に拡大 TFT方式LCD 視野角上下90° 左右120° 有機化合物 Loss:0.5% | 250 150 120 420 |
| 1996年 1月号 | 内視鏡手術に立体映像 | オリンパス | 日経産業新聞 (1995年11月12日PP.4) | 2CCD 眼鏡式3次元ディスプレイ CCDの傾きを電算機制御 立体画像 内視鏡 | 150 |
| 1996年 1月号 | 低価格ポータブルハイビジョンカメラ -限界解像度1200本を達成- | 松下通信工業 松下電器産業 松下電子 NHK | 電波新聞 (1995年11月10日PP.5) | シングルチャンネル2M画素CCD 水平解像度:1200TV本 200lx F8 S/N54dB ポータブルハイビジョンカメラ | 310 |
| 1996年 1月号 | 0.02lxで撮影可能なCCDカメラ | 日立製作所電子 | 日刊工業新聞 (1995年11月10日PP.13) | CCDカメラ 高感度 0.02lx | 310 |
| 1996年 1月号 | 光磁気ディスクに直径0.2μmの記録領域 | 豊田工大 IBM | 日経産業新聞 (1995年11月1日PP.5) | 光磁気ディスク 10GB/cm 記録波長830nm | 230 |
| 1995年12月号 | 10GB級DVD相変化方式 '97年度投入 | TDK | 日刊工業新聞 (1995年10月21日PP.1) | DVD-RAM 相変化型光ディスク | 230 |
| 1995年12月号 | 書換え可能光ディスクレコーダ -両面で10.4GB記録- | NEC | 日経産業新聞 (1995年10月18日PP.12) 日刊工業新聞 (1995年10月18日PP.9) 電波新聞 (1995年10月18日PP.1) | 光ディスク 両面で10.4GB 記録波長680nm 相変化 両面で10.4GB 12cmディスク | 230 330 |
| 1995年12月号 | マルチメディアサービスシステム -パソコンとつないで故障診断- | 日本ビクター | 電波新聞 (1995年10月13日PP.2) 日経産業新聞 (1995年10月13日PP.3) | 故障診断 マルチメディアサービスシステム CD-ROM利用 | 320 |
| 1995年12月号 | 視野角140°TFT方式新技術 -LCDブラウン管並みに- | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1995年10月17日PP.13) | 液晶回転を基板と平行に 13.3インチ 18W | 250 |
| 1995年12月号 | 超高開口率TFTLCD -LCDで3つの新技術- | シャープ | 電波新聞 (1995年10月13日PP.2) | 高開口率 低温プロセス 28型パネル | 250 |
| 1995年12月号 | 次世代画像表示素子DMD | 米TI | 日本経済新聞 (1995年10月9日PP.15) 電波新聞 (1995年10月21日PP.5) | DMD 1.5cm×1.1cmに44万枚の鏡 | 250 260 |
| 1995年12月号 | 光ディスクの記録動作モニタリング技術 -記録速度3倍に- | NEC | 日刊工業新聞 (1995年10月5日PP.1) | 光ディスク モニタリング技術 | 230 |
| 1995年11月号 | 有機ELディスプレイ -2mm厚の自発光表示装置- | TDK | 日経産業新聞 (1995年9月27日PP.1) | 有機ELディスプレイ ブラウン管なみ視野角 応答速度LCDの5倍 TFT駆動 動画表示 2mm厚 高精細 | 250 |
| 1995年11月号 | 低温Poly-SiTFT-LCD -世界初 2.4型で23万画素- | 三洋電機 | 電波新聞 (1995年9月27日PP.1) 日経産業新聞 (1995年9月27日PP.11) 日刊工業新聞 (1995年9月27日PP.11) | Poly-SiTFT-LCD ドライバ回路一体化 低温ポリシリコン 液晶ディスプレイ 低コスト化 | 250 |
| 1995年11月号 | DVD規格統一 | 電波新聞 (1995年9月16日PP.1) 日本経済新聞 (1995年9月16日PP.1) | DVD 規格 SD/MMCD | 530 330 230 | |
| 1995年11月号 | ディジタルフォトシステム -写真画像をMDに記録- | コニカ | 日経産業新聞 (1995年9月12日PP.11) 日刊工業新聞 (1995年9月12日PP.10) | 電子スチルカメラ MD 電子写真システム | 310 330 320 |
| 1995年11月号 | 記録密度10倍の光磁気ディスク -片面2GBの3.5インチMO- | 富士通 | 電波新聞 (1995年9月8日PP.1) 日経産業新聞 (1995年9月8日PP.9) 日本工業新聞 (1995年9月8日PP.9) | 光磁気ディスク 3.5インチ両面で4GB 3層構造 磁気ディスク 両面4GB ダブルマスク 磁気超解像再生 | 230 |
| 1995年11月号 | 読取り・表示・タッチ機能を持つTFT-LCDパネル | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1995年9月2日PP.9) 電波新聞 (1995年9月2日PP.1) 日刊工業新聞 (1995年9月2日PP.6) | TFT LCD表示器 スキャナ ディスプレイ LCD | 250 210 |
| 1995年10月号 | 0.15μmのCMOS -世界最高速- | 東芝 | 日刊工業新聞 (1995年8月22日PP.1) | シングルゲート構造 ゲート遅延15.4ps | 220 |
| 1995年10月号 | 書換え可能大容量光ディスク | TDK | 日経産業新聞 (1995年8月17日PP.1) | 相変化型 DVD対応 12cm片面に4GB 光ディスク | 230 |
| 1995年10月号 | 波長可変の半導体レーザ | NEC | 日刊工業新聞 (1995年8月4日PP.7) | 半導体レーザ MOCVD法 1.55μm帯 可変幅±3.8nm 連続波長可変 | 250 240 |
| 1995年 9月号 | 家庭用ディジタルビデオカメラ -業界初の商品化- | ソニー | 電波新聞 (1995年7月25日PP.1) 日経産業新聞 (1995年7月25日PP.9) 日刊工業新聞 (1995年7月25日PP.9) | ディジタルVTR 水平解像度:500TV本 3CCD ビデオカメラ付VTR | 330 310 |
| 1995年 9月号 | 銅配線のCMOSトランジスタ | NTT | 日経産業新聞 (1995年7月19日PP.5) | CMOS 銅配線 | 160 |
| 1995年 9月号 | 焦点ずれなしレンズ -ガラスレンズの焦点ずれ解消- | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1995年7月6日PP.5) 日刊工業新聞 (1995年7月6日PP.9) | ガラス成形 同心円状溝 光ディスク用 | 330 160 |
| 1995年 8月号 | 超高感度カラーカメラ | NEC | 電波新聞 (1995年6月23日PP.1) | CCDカメラ 0.005lx 38万画素 F8 2000lx | 310 210 |
| 1995年 8月号 | 極小高分子で情報記憶 -微小メモリー素子開発へ道- | 阪大 | 日経産業新聞 (1995年6月22日PP.5) | CD 分子素子 記憶素子 高分子 | 230 130 |
| 1995年 8月号 | 2/3インチ200万画素ハイビジョンCCDカメラ | 松下電器産業 | 電波新聞 (1995年6月9日PP.1) | ハイビジョン CCD カメラ | 210 310 |
| 1995年 8月号 | 0.075μmP型MOS -短チャンネルの効果抑制- | 東芝 | 日刊工業新聞 (1995年6月7日PP.7) | 新構造 ゲート長0.075μm 相互コンダクタンス42ms/mm 0.075μmP型MOS 電流高駆動能力 | 220 520 160 |
| 1995年 8月号 | ギガヘルツ対応0.07μmCMOS | NEC | 電波新聞 (1995年6月6日PP.7) 日刊工業新聞 (1995年6月6日PP.9) 日経産業新聞 (1995年6月6日PP.5) | ゲート長0.07μm 低電源電圧1.5V 3.5nm接合 CMOS 遅延時間19.7ps DRAM 16Gbps | 220 520 160 |
| 1995年 7月号 | DMD採用の高精細画像投射型表示装置 | ソニー 米TI | 電波新聞 (1995年5月24日PP.2) 日刊工業新聞 (1995年5月24日PP.11) | ディスプレイ DMD 投射型表示装置 ディジタルマイクロミラー 高精細 1500ml 1920×1080 DMD採用 | 350 250 |
| 1995年 7月号 | 書換え可能DVD | SD規格グループ | 電波新聞 (1995年5月19日PP.1) 日経産業新聞 (1995年5月19日PP.9) 日本経済新聞 (1995年5月19日PP.15) | 光ディスク 書換え可能 | 230 330 530 |
| 1995年 7月号 | 神経回路使った画素補正手法 | 松下技研 | 日経産業新聞 (1995年5月15日PP.5) | ニューラルネットワーク 輝度値推定 補間法推定 CCD 神経回路網 | 520 210 |
| 1995年 6月号 | マルチメディアCD規格最終決定 | ソニー フィリップス | 電波新聞 (1995年4月26日PP.1) | DVD CD | 230 530 330 |
| 1995年 6月号 | TFT方式LCD -業界最薄7.5- | NEC | 日経産業新聞 (1995年4月25日PP.9) | 10.4インチ TFT方式 LCD 業界最薄7.5 | 250 |
| 1995年 6月号 | 光ディスクの高速読出手法速度3倍 | NTT | 日経産業新聞 (1995年4月19日PP.5) | 光ディスク 読出し速度3倍 | 230 |
| 1995年 6月号 | 広ダイナミックレンジCCD -光量差1万階調まで撮影- | 松下電器産業 松下電子 | 電波新聞 (1995年4月14日PP.6) 日経産業新聞 (1995年4月14日PP.9) 日本工業新聞 (1995年4月14日PP.8) | CCD 1万階調 光量差10000階調 ダイナミックレンジ 10000階調 ハイパーDCCD | 210 |
| 1995年 6月号 | 動画対応LCD | オプトレックス | 日経産業新聞 (1995年4月13日PP.1) | 動画対応STN 方式液晶表示装置 | 250 |
| 1995年 5月号 | 強誘電性液晶カラーディスプレイ | キヤノン | 電波新聞 (1995年3月24日PP.1) | LCD 強誘電性液晶 | 250 |
| 1995年 5月号 | 超小型集積光ヘッド | 九州松下電器産業 | 日経産業新聞 (1995年3月23日PP.5) | 光磁気ディスク ミニディスク | 210 230 |
| 1995年 5月号 | 高性能の光機能素子 -感度，従来の10倍以上- | KDD | 日経産業新聞 (1995年3月23日PP.5) | 三角バリア構造 光機能素子 感度従来の10倍 光磁気ディスク ミニディスク 三角バリア | 230 210 |
| 1995年 5月号 | 新しい光記録技術 -石英ガラスにCD100枚分の情報記録- | 徳島大 | 日本経済新聞 (1995年3月13日PP.17) | 2cm角にCD100枚分 1mm層に350層 パルス状レーザ | 130 230 |
| 1995年 5月号 | Si基板採用の人工網膜チップ -30倍速で画像検出- | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1995年3月15日PP.5) 日刊工業新聞 (1995年3月15日PP.9) 電波新聞 (1995年3月15日PP.1) | 人工網膜チップ 画素サイズ60μm 撮像素子 画像認識 MOSセンサ | 210 220 520 |
| 1995年 5月号 | 15GBの光ディスク | ソニー | 日経産業新聞 (1995年3月9日PP.7) 日刊工業新聞 (1995年3月9日PP.8) | 光ディスク | 230 |
| 1995年 5月号 | 次世代画像表示装置 | ソニー TI | 日本経済新聞 (1995年3月4日PP.10) | DMD(ディジタル マイクディスプレイ) ミラーデバイス マイクロミラー 半導体チップ状に形成 | 350 260 |
| 1995年 4月号 | TFTカラー液晶ディスプレイ -消費電力1Wで3.3V 動作- | シャープ | 電波新聞 (1995年2月23日PP.5) | LCD 低消費電力 1W 8.4型 | 250 |
| 1995年 4月号 | 新駆動方式のSTN方式カラー液晶ディスプレイ -周辺部小型化，輝度も高まる- | 鳥取三洋電機 日本TI | 日経産業新聞 (1995年2月17日PP.1) | LCD STN式 40%小型化 | 250 |
| 1995年 4月号 | 80万画素CCD | 松下電子 | 電波新聞 (1995年2月17日PP.1) | CCD 80万画素 2/3インチ アスペクト比16:9/4:3 | 210 |
| 1995年 4月号 | 回折格子利用眼鏡不要立体テレビ | 凸版印刷 | 日経産業新聞 (1995年2月15日PP.1) | 立体テレビ 回折格子 4種類の画像 ホログラム LCD | 350 450 250 |
| 1995年 4月号 | 1GbDRAM | NEC | 電波新聞 (1995年2月14日PP.1) 日経産業新聞 (1995年2月14日PP.9) 日刊工業新聞 (1995年2月14日PP.7) 日本経済新聞 (1995年2月14日PP.1) 日本経済新聞 (1995年2月14日PP.13) | '98年サンプル出荷 1GbDRAM 0.25μmCMOSプロセス DRAM 1Gb | 230 |
| 1995年 4月号 | 記憶容量1GBの3.5インチ光磁気ディスク -記憶容量8倍- | ブラザー工業 | 日本工業新聞 (1995年2月10日PP.1) | 3.5インチ 光磁気ディスク 1GB ガラス基板 金属Crガイド | 230 130 |
| 1995年 4月号 | 樹脂熱圧着方式 -LCDのフレーム面積を大幅に削減- | シャープ | 電波新聞 (1995年2月9日PP.7) | リードフレーム | 250 360 |
| 1995年 4月号 | 酸化Si高速成膜LCD -大型化に弾み- | 日本真空技術 | 日経産業新聞 (1995年2月7日PP.1) | 大型LCD CVD | 360 250 |
| 1995年 3月号 | CCDカラーカメラ -直径7mm 長さ42mm- | 東芝 | 電波新聞 (1995年1月27日PP.5) 朝日新聞夕刊 (1995年2月1日PP.12) | CCDカメラ | 310 |
| 1995年 2月号 | LCDプロジェクタ -初の140型- | NEC | 日経産業新聞 (1994年12月19日PP.1) | 四面分割方式 LCDプロジェクタ 140型 液晶プロジェクタ 250cd 2048×2560画素 | 350 250 |
| 1995年 2月号 | DVDで独自規格 | ソニー フィリップス | 日刊工業新聞 (1994年12月17日PP.6) | DVD CD互換性 規格 MPEG2 | 530 440 520 |
| 1995年 2月号 | 世界最高速の省電力MOSトランジスタ | 東芝 | 朝日新聞 (1994年12月9日PP.13) 電波新聞 (1994年12月9日PP.2) 日経産業新聞 (1994年12月9日PP.5) | MOSトランジスタ 膜厚1.5nm 1.5V動作 1〜4GbDRAM ゲート長0.09μm 省電力 | 220 |
| 1995年 2月号 | EDTV-II放送用カメラ -本格受注- | 松下電器産業 | 日刊工業新聞 (1994年12月1日PP.8) | EDTV-II プログレッシブ方式 放送用カメラ M-FIT CCD | 310 420 |
| 1995年 1月号 | 超小型ハイビジョンカメラ -4CCDプリズム方式- | 池上通信機 | 電波新聞 (1994年11月19日PP.5) | ハイビジョンカメラ 4CCD方式 | 540 310 |
| 1995年 1月号 | ハイビジョンカメラ用CCD -2/3インチ200万画素- | 松下電子 | 日刊工業新聞 (1994年11月16日PP.6) | 200万画素CCD M-FIT 2/3インチで200万画素 出力，感度1.5倍アップ | 210 |
| 1995年 1月号 | オーディオCDとCD-ROMのハイブリッド方式 -新規格を提案- | ソニー フィリップス | 電波新聞 (1994年11月16日PP.1) 日本経済新聞 (1994年11月16日PP.11) | CD CD-ROM 規格化 | 530 |
| 1995年 1月号 | 光磁気ディスク -容量3倍- | キヤノン | 日経産業新聞 (1994年11月10日PP.1) | 光磁気 128MB | 330 230 |
| 1995年 1月号 | 3.5インチ大容量光ディスク | 東芝 | 電波新聞 (1994年11月8日PP.1) | 相変化光ディスク 3.5インチで1.3GB M-CAV記録 | 230 |
| 1995年 1月号 | STN方式LCD -動画像表示可能に- | オプトレックス | 日経産業新聞 (1994年11月2日PP.1) | 液晶ディスプレイ 動画表示 STN コントラスト40 50ms応答 | 250 |
| 1994年12月号 | LCD用ガラス基板製造技術 | 日本板硝子 | 日経産業新聞 (1994年10月28日PP.5) | LCD基板 LPD法 | 160 250 |
| 1994年12月号 | 光磁気ヘッド -体積1/20へ- | NEC | 日経産業新聞 (1994年10月21日PP.5) | 光磁気ディスク 偏光性格子 | 230 |
| 1994年12月号 | カラー静止画を記録再生するためのピクチャーMD規格 | ソニー | 電波新聞 (1994年10月18日PP.1) | MD 規格化 JPEG 静止画記録再生 静止画 | 530 230 520 |
| 1994年12月号 | 100倍速の撮像素子 | 三菱電機 | 日本経済新聞 (1994年10月15日PP.14) | CCD | 210 |
| 1994年12月号 | 低コストバイCMOS製造技術 -製造費15%減- | NEC | 日経産業新聞 (1994年10月14日PP.5) | エッチング 小型化 | 160 |
| 1994年12月号 | 110インチ590万画素液晶プロジェクタ -ハイビジョンより4倍 鮮明- | NTT | 電波新聞 (1994年10月14日PP.1) 日経産業新聞 (1994年10月14日PP.5) 日刊工業新聞 (1994年10月14日PP.10) 日本経済新聞 (1994年10月14日PP.13) | LCD プロジェクタ 590万画素 超高精細 重量投写方式 液晶プロジェクタ ハイビジョンの4倍の解像度 | 250 350 420 |
| 1994年12月号 | エミー賞 -マイクロレンズ技術- -コントロール エッジ ハンスメント技術- -オンチップレンズ技術- | 松下電器産業 松下電子池上通信ソニー | 電波新聞 (1994年10月6日PP.1) 日経産業新聞 (1994年10月6日PP.9) 電波新聞 (1994年10月12日PP.4) | エミー賞 マイクロレンズ CCD | 660 |
| 1994年12月号 | 高精細TFT方式LCD | 三洋電機 | 日経産業新聞 (1994年10月5日PP.9) | LCDハイビジョンプロジェクタ TFTLCD 2.5型150万画素 乾式プロセス | 250 350 420 |
| 1994年12月号 | SHG式ブルーレーザ | パイオニア | 日経産業新聞 (1994年10月5日PP.1) | 光ディスク SHG方式ブルーレーザ DVD | 250 |
| 1994年11月号 | カラー強誘電性液晶表示装置 | キヤノン | 日経産業新聞 (1994年9月14日PP.1) | FLCD 15型 1024×1280画素 輝度85cd/m2 ブラウン管の代替可 | 250 |
| 1994年11月号 | 3.5インチ光磁気ディスク -記憶容量10〜20倍に- | 日立製作所マクセル | 電波新聞 (1994年9月22日PP.1) 日刊工業新聞 (1994年9月22日PP.8) | 4値記録 2層膜 3.5インチで1.3〜2.6GB | 230 |
| 1994年11月号 | 高密度記録再生技術 -12cm光ディスクの記録再生容量 CDの8倍に- | パイオニア | 電波新聞 (1994年9月20日PP.1) | レーザディスク 135分録画 ダブルデンシティ サンプルサ 青色レーザ 12cmの盤に6Mbpsを135分 | 230 330 520 |
| 1994年11月号 | 超高密度記録の光ディスク -相変化光ディスク1Tb/cm2- | 松下電器産業 | 電波新聞 (1994年9月17日PP.1) 日刊工業新聞 (1994年9月17日PP.5) | 相変化光ディスク 1Tb/cm2 3.5インチ 1800時間 AFM利用 原子間顕微鏡 探針記録方式(AFM)方式 ビット径10nm | 230 360 |
| 1994年11月号 | 光ディスクで高画質動画再生 | 三洋電機 | 電波新聞 (1994年9月2日PP.1) 日経産業新聞 (1994年9月2日PP.8) | MOディスク 12cm 2.5GB 135分 4倍密度 光ディスク動画記録 635nmの半導体レーザ | 230 530 |
| 1994年11月号 | HDTV用光磁気ディスク | NEC | 日経産業新聞 (1994年9月2日PP.5) | MOディスク 30インチ 32分 MPEGでない方式 | 230 540 330 |
| 1994年10月号 | 4倍密度の光ディスク再生実現 | 三洋電機 | 電波新聞 (1994年9月2日PP.1) | 光ディスク | 230 |
| 1994年10月号 | 液晶で情報記録 -高分子分散液晶に情報を記録する基礎技術- | NTT | 日経産業新聞 (1994年8月10日PP.5) | 記録媒体 文字 静止画像の記録，保持 薄型表示媒体 高分子分散型液晶フィルム 分散型LCD 20μm高分子 | 250 130 210 230 |
| 1994年10月号 | 光磁気ディスク次世代規格統一 | 日米欧24社 | 日本経済新聞 (1994年8月2日PP.1) | 光磁気ディスク 3.5インチ | 230 530 |
| 1994年 9月号 | 液晶パネル用位相差フィルム -CRT並み広視野角- | 住友化学 | 日刊工業新聞 (1994年7月8日PP.1) | LCD 広視野角 テレビ | 250 120 |
| 1994年 9月号 | 開発進む立体テレビ | テルモ | 日経産業新聞 (1994年7月13日PP.5) | LCD 立体テレビ | 540 450 |
| 1994年 9月号 | TFT方式カラーLCD -消費電力2〜3割低減- | シャープ | 日経産業新聞 (1994年7月4日PP.1) | LCD 低電力 | 250 |
| 1994年 9月号 | 赤色レーザダイオード | 日立製作所 | 電波新聞 (1994年7月4日PP.7) | レーザダイオード 光ディスク 512MB | 230 250 |
| 1994年 8月号 | 液晶プロジェクタ -業界最高1000lx- | 富士通 | 日刊工業新聞 (1994年6月15日PP.8) | 液晶プロジェクタ フルカラー表示 TFTのLCD | 350 250 |
| 1994年 8月号 | 初の21型TFTカラー液晶ディスプレイ | シャープ | 電波新聞 (1994年6月9日PP.1) 日経産業新聞 (1994年6月9日PP.8) 日本経済新聞 (1994年6月9日PP.12) 日本工業新聞 (1994年6月9日PP.7) 日刊工業新聞 (1994年6月9日PP.7) | 21インチテレビ 液晶ディスプレイ 大画面化 液晶表示装置 TFT LCD ディスプレイ a-Si薄膜トランジスタ 厚さ27mm | 250 350 |
| 1994年 7月号 | 高密度光磁気ディスク -光ファイバ使用- | 日立製作所 | 日本経済新聞 (1994年5月30日PP.1) | 光ディスク 光ファイバ | 230 |
| 1994年 7月号 | 1/4インチ41万画素カラーCCD | ソニー | 電波新聞 (1994年5月18日PP.1) | 1/4インチ 41万画素 CCD | 210 |
| 1994年 7月号 | 相変化型光ディスク -面記録密度4.4倍に向上- | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1994年5月19日PP.5) 電波新聞 (1994年5月19日PP.5) | 記憶容量4倍 4.1Mb/mm2(4.4倍に) 相変化光ディスク ランド グループ記録 6GB/5.25インチ 相変化MO 面記録密度 4.1Mb/mm2 | 230 |
| 1994年 7月号 | 3.5インチ相変化式光ディスク装置 | 東芝 | 日経産業新聞 (1994年5月16日PP.1) | 光ディスク装置 相変化方式 600MB/3.5インチ | 230 |
| 1994年 7月号 | 多層構造の透明光ディスク -10倍以上の記憶容量- | IBM | 電波新聞 (1994年5月14日PP.2) | 光ディスク 多層構造 透明光学ディスク CDの10倍記録 多層ディスク | 230 |
| 1994年 7月号 | 高密度光ディスク -ピットエッジ多値記録技術- | ソニー | 電波新聞 (1994年5月13日PP.2) 日経産業新聞 (1994年5月13日PP.5) | 光ディスク 多値記録 ピットエッジ多値記録 | 230 520 |
| 1994年 5月号 | フォトクロミック有機薄膜 -記録する点，直径0.2μmに- | 九大 | 日経産業新聞 (1994年3月28日PP.5) | 光ディスク用有機薄膜 0.2μm(面積1/16に) | 130 |
| 1994年 5月号 | 1/4インチで32万画素CCD | 東芝 | 電波新聞 (1994年3月24日PP.2) | CCD | 210 |
| 1994年 5月号 | 256MDRAMの開発対応エキシマステッパ出荷 | ニコン | 電波新聞 (1994年3月17日PP.9) | 160 360 | |
| 1994年 5月号 | 高密度分子メモリー -1枚でCD100万枚分- | 京大 | 日刊工業新聞 (1994年3月15日PP.4) | 分子メモリー 1nmの有機分子 STM利用 メモリー 超高密度メモリー 1nm2/b | 130 230 |
| 1994年 5月号 | 新型CCDセンサ -撮れる明暗幅1000倍以上に- | ミノルタ | 日経産業新聞 (1994年3月3日PP.1) | 新型CCDセンサ 対数変換方式 ダイナミックレンジ1000倍 固体撮像素子 明暗幅1000倍 高ダイナミックレンジ | 210 |
| 1994年 5月号 | MDデータシステム商品化 | ソニー | 電波新聞 (1994年3月1日PP.4) | MD | 530 230 330 |
| 1994年 5月号 | 相変化型光ディスク -5.25インチで3.5GBの記録容量実現にメド- | 松下電器産業 | 電波新聞 (1994年3月1日PP.2) | 相変化光ディスク | 230 |
| 1994年 5月号 | CD-ROMで特許公開 | 日本パテントデータサービス | 日刊工業新聞 (1994年3月1日PP.4) | 特許公開 | 660 |
| 1994年 4月号 | 動画記録に最適の256MbDRAM -データ転送速度1.6Gb- | 松下電器産業 | 電波新聞 (1994年2月18日PP.1) 日刊工業新聞 (1994年2月18日PP.7) | 256MDRAM 動画像記憶用 動作速度100MHz DRAM | 220 230 |
| 1994年 4月号 | 2/3インチ200万画素ハイビジョン用CCD | 松下電子 NHK | 電波新聞 (1994年2月18日PP.5) 日経産業新聞 (1994年2月18日PP.5) 日刊工業新聞 (1994年2月18日PP.7) | CCD ハイビジョン 2/3インチ200万画素 | 210 |
| 1994年 4月号 | MPEG-2対応IC -1チップでHDTV並み画質を復元- | 東芝 | 電波新聞 (1994年2月15日PP.1) 日経産業新聞 (1994年2月15日PP.9) 日刊工業新聞 (1994年2月15日PP.9) | MPEGIC 15mm×15mm CMOS MPEG-2復号LSI 0.5μm 70MHz MPEG-2 HDTV | 220 520 320 |
| 1994年 3月号 | 1/3インチCCDエリアセンサ -+5/+12Vの電源駆動- | シャープ | 電波新聞 (1994年1月28日PP.2) | CCD | 210 |
| 1994年 3月号 | 256MDRAM商品化 | NEC | 電波新聞 (1994年1月21日PP.1) | DRAM 256Mb | 230 |
| 1994年 3月号 | 高密度光磁気ディスク -従来比8倍の大容量記録再生を実現- | NEC | 日経産業新聞 (1994年1月14日PP.4) 電波新聞 (1994年1月14日PP.1) | 光磁気ディスク 光ディスク 5.2GB(8倍) 0.5μm/b 0.6mmピッチ 高密度記録 ランド/グループ記録 | 230 |
| 1994年 2月号 | DRAM用成膜材料 -256Mbps以降に照準- | 同和鉱業 | 日刊工業新聞 (1993年12月20日PP.13) | DRAMのMOCVD用成膜材料 256Mbps以降 バリウム複合材料 | 230 130 |
| 1994年 2月号 | 光ディスク用2ビーム赤色半導体レーザ | 松下電器産業 | 電波新聞 (1993年12月16日PP.1) 日経産業新聞 (1993年12月16日PP.4) | 半導体レーザ 光ディスク2.6倍高速化 | 250 |
| 1994年 2月号 | 超小型・高集積CCD -1/4インチで38万画素- | NEC | 日経産業新聞 (1993年12月14日PP.1) | 微細化 1/4インチCCD 従来は1/3インチで38万画素 38万画素 小型ビデオカメラ | 210 |
| 1994年 2月号 | 世界最小MOSトランジスタ -ゲート長世界最小実現- | 東芝 | 電波新聞 (1993年12月3日PP.1) 日経産業新聞 (1993年12月3日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年12月3日PP.7) 日本工業新聞 (1993年12月3日PP.6) | MOSトランジスタ ゲート長0.4μm 超微細加工技術 世界最小 100GbpsのDRAM 1.5V動作 従来ゲート長0.07μm 固層拡散法 | 220 260 |
| 1994年 2月号 | 運動物体を認識するロボットの目 | 東大 | 日経産業新聞 (1993年12月3日PP.5) | CCDカメラ ロボット アクティブアイセンサ | 410 520 310 |
| 1994年 1月号 | CD-ROM電子出版に新規格 | EPWINGコンソーシアム | 電波新聞 (1993年11月26日PP.5) | CD-ROM | 230 540 |
| 1994年 1月号 | パソコンとCDROMドライブ接続 -最終仕様案が完成- | ウエスタン デジタル | 電波新聞 (1993年11月22日PP.1) | CDROM 規格 | 230 540 |
| 1994年 1月号 | EDTV-II対応3CCDカメラ | 松下電器産業 | 電波新聞 (1993年11月5日PP.1) | プログレッシブカメラ M-FIT 価格20〜30%高 CCDカメラ 順次走査 | 310 |
| 1993年12月号 | LC-D立体表示装置 -好きな角度から立体画像- | NEC | 日刊工業新聞 (1993年10月15日PP.6) | LCD立体表示装置 手で操作 | 540 350 250 |
| 1993年12月号 | 高密度光ディスク装置用赤色半導体レーザ | 松下電器産業 | 電波新聞 (1993年10月14日PP.1) | 半導体レーザ | 250 |
| 1993年12月号 | 新CD動画フォーマットαビジョン | パイオニア | 電波新聞 (1993年10月1日PP.1) | 高精細映像/音声4ch 1時間/12インチ MPEG-1 4.7Mbps CD動画 4.7Mbps×1h | 520 230 530 330 |
| 1993年11月号 | 緑色波長用光磁気記録媒体 -MOの記録容量10倍に- | 新日鉄 NHK | 日刊工業新聞 (1993年9月7日PP.10) 電波新聞 (1993年9月7日PP.3) | ビスマス置換 ガーネット 波長500nm 5インチ 3GB MOディスク | 230 130 |
| 1993年11月号 | 通信分野向けHEMT -素子特性で世界最高- | 東芝 | 日刊工業新聞 (1993年9月1日PP.8) 電波新聞 (1993年9月10日PP.5) 日経産業新聞 (1993年9月10日PP.9) 日刊工業新聞 (1993年9月10日PP.7) | HEMT 低雑音 高性能 MOCVD In P基板系HEMT NF0.3dB(NF0.38dB) G14.4dB | 220 |
| 1993年10月号 | CDで高画質ディジタル動画システム | パイオニア | 電波新聞 (1993年8月27日PP.1) | CD動画 帯域圧縮 | 330 530 |
| 1993年10月号 | ビデオCDの基本規格を確率 | 松下電器産業 日本ビクター フィリップス ソニー | 電波新聞 (1993年8月26日PP.1) | CDビデオCD | 330 530 |
| 1993年 9月号 | MDデータ規格 | ソニー | 電波新聞 (1993年7月16日PP.5) | MD 光ディスク | 530 |
| 1993年 9月号 | 記録密度2倍のCD | ソニー | 日刊工業新聞 (1993年7月8日PP.5) | 光ディスク 超解像 | 230 |
| 1993年 9月号 | 追記型CDレコーダ-4倍速でCD書込み - | ヤマハ | 電波新聞 (1993年7月7日PP.6) | CD-R CD | 330 |
| 1993年 9月号 | 多結晶TFT -電子移動度50%向上- | 東工大 | 日刊工業新聞 (1993年7月2日PP.7) | 多結晶SiTFT LCD低コスト化 LCD小型化 | 250 220 |
| 1993年 9月号 | 世界最高記録密度の青色レーザ光記録装置 | 米IBM | 電波新聞 (1993年7月2日PP.1) | 光磁気ディスク 2.5Gb/inch 6.5Gb/5inch | 230 |
| 1993年 9月号 | 反強誘電性液晶 | 三菱瓦斯化学総研 | 日経産業新聞 (1993年7月1日PP.5) | 反強誘電性LCD 速度70μs/TVL コントラスト30:1 視野角60° ディスプレイ 次世代液晶材料 | 250 150 |
| 1993年 8月号 | 指紋照合技術 | 浜松ホトニクス | 日経産業新聞 (1993年6月19日PP.1) | CCDカメラ SLMフィルタ 画像処理 指紋照合技術 光変調フィルタ 0.1秒 | 520 |
| 1993年 8月号 | 420万画素CCDカメラ | 日本コダック | 電波新聞 (1993年6月10日PP.3) | CCD 420万画素 2.1コマ/s | 310 210 |
| 1993年 8月号 | 画素密度1.6倍高精細LCD | セイコーエプソン | 日経産業新聞 (1993年6月10日PP.1) | 0.7インチTFT方式LCD 16万画素 世界初 | 250 |
| 1993年 7月号 | 次世代バイCMOS | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1993年5月21日PP.5) | 低電圧 高速動作 | 220 |
| 1993年 7月号 | 記録膜材料 | 東北大 | 日経産業新聞 (1993年5月20日PP.5) | 光磁気ディスク材料 記録密度4倍 | 130 |
| 1993年 7月号 | 光磁気ディスク加工技術 -読み書き1.4倍速，ガラス基板を精密加工- | シャープ | 日経産業新聞 (1993年5月19日PP.1) | 光磁気ディスク加工技術 ガラス基板 40%高速化 | 230 160 |
| 1993年 6月号 | CD動画カラオケ標準規格化完了 | 日本ビクター フィリップス | 電波新聞 (1993年4月23日PP.1) | CDカラオケ MPEG | 530 540 |
| 1993年 6月号 | 1.4インチTFT液晶ディスプレイ -33万画素を実現- | 松下電子 | 電波新聞 (1993年4月23日PP.1) | TFTLCD | 250 |
| 1993年 6月号 | MIM方式のLCD | セイコーエプソン | 電波新聞 (1993年4月20日PP.6) 日経産業新聞 (1993年4月20日PP.10) 日刊工業新聞 (1993年4月20日PP.10) | LCD MIM方式 64諧調 | 250 |
| 1993年 5月号 | TFT式のLCD -画素数2.5倍に- | NEC | 日経産業新聞 (1993年3月31日PP.9) | 画素数2.5倍 | 250 |
| 1993年 5月号 | 次世代高密度磁気ディスク | ソニー | 電波新聞 (1993年3月23日PP.12) | 光磁気ディスク 高密度記録 記録 PERMディスク技術 200MB/2.5インチ 5000TPI | 230 |
| 1993年 5月号 | 記録容量4倍のCD-ROM | NEC | 日刊工業新聞 (1993年3月8日PP.1) | CD-ROM 光ディスク λ=363.8nm 記録容量2MB | 230 |
| 1993年 5月号 | 次世代光磁気ディスクの国際統一規格提案 | 日本IBM ソニー 松下電器産業 フィリップス | 日本工業新聞 (1993年3月2日PP.1) | 3.5インチ 230MB ZCZVフォーマット ISO規格 | 530 |
| 1993年 4月号 | 2/3インチワイド対応CCD | 松下電子 | 電波新聞 (1993年2月25日PP.7) | 固体撮像素子 CCD 2/3インチで52万画素 | 210 |
| 1993年 4月号 | 1/5インチ超小型CCD | 三洋電機 | 日経産業新聞 (1993年2月25日PP.9) 電波新聞 (1993年2月25日PP.7) | CCD 1/5インチで25〜30万画素 | 210 |
| 1993年 4月号 | 人工知能向け超並列チップ | 東北大 | 電波新聞 (1993年2月23日PP.8) 日経産業新聞 (1993年2月23日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年2月23日PP.9) | LSI ニューロンMOSトランジスタ インテリジェントハードウェア ニューロLSI 超並列処理 集積システム スパコンの1000倍速度 柔らかいハードウェア | 520 220 |
| 1993年 4月号 | マルチメディアCD-ROMプレーヤ -マルチメディアシステム家庭用VTRで実現- | 富士通 | 電波新聞 (1993年2月17日PP.1) | マルチメディアシステム CD-ROMプレーヤ | 420 |
| 1993年 4月号 | 新プロジェクションディスプレイ -CMDプロジェクタ- | テキサスインスツルメンツ | 電波新聞 (1993年2月6日PP.3) | プロジェクタ ディジタルマイクロミラーデバイス(DMD) | 250 |
| 1993年 4月号 | AlGaAs化合物の選択成長技術 | 三菱化成 | 日刊工業新聞 (1993年2月3日PP.6) | MOCVDHSE法 選択成長技術 量子化機能素子 レーザ | 260 250 |
| 1993年 3月号 | スイッチング速度20psの高速CMOS | 富士通 | 日刊工業新聞 (1993年1月20日PP.5) | ディレイ20ps CMOSトランジスタ 27ps ゲート長0.17μm 2ゲート構造 従来は28ps(常温) 走査線2000本 従来プロセス | 220 |
| 1993年 3月号 | 3.5インチ350MB光磁気ディスク | キヤノン | 電波新聞 (1993年1月8日PP.1) 日経産業新聞 (1993年1月8日PP.7) 日刊工業新聞 (1993年1月8日PP.8) | 3.5インチ 350MB 現行の2.7倍の容量 2層構造 記録2.3MB/sのスピード 記録速度従来の10倍 交換結合型 光磁気ディスク | 230 |
| 1993年 3月号 | 超電導薄膜を量産化 | 同和鉱業 | 日経産業新聞 (1993年1月6日PP.1) | 超電導薄膜 MOCDV法 | 220 120 |
| 1993年 3月号 | 書換え可能CD | 日立製作所化成 | 日本工業新聞 (1993年1月4日PP.1) | 書換型光ディスク CDプレーヤ互換 数十回書換え可能 色素系 0.78μm 5〜8mW | 230 |
| 1993年 3月号 | 低温成膜多結晶SiTFTLCD | セイコーエプソン | 日経産業新聞 (1993年1月4日PP.1) | 低温Poly-SiTFT 多結晶SiTFT LCD 400〜600℃で低温成膜 ガラス基板 小型 400〜600℃ | 250 |
| 1993年 2月号 | 超微細MOSトランジスタ -ゲート長0.1μm以下に- | 東芝 | 日刊工業新聞 (1992年12月21日PP.8) | 超微細加工技術 PMOSトランジスタ 固相拡散ドレイン(SPDD)構造 ゲート長0.08μm | 260 220 |
| 1993年 2月号 | CCD高画質化技術 | NEC | 日刊工業新聞 (1992年12月16日PP.9) | スミア1/10 | 210 |
| 1993年 2月号 | 超解像光磁気ディスク -記録密度6倍以上- | シャープ | 日刊工業新聞 (1992年12月9日PP.10) 電波新聞 (1992年12月9日PP.1) 日経産業新聞 (1992年12月9日PP.9) | 記録圧縮6倍 記録密度6倍 再生時マスキング方式 角速度一定回転方式光磁気ディスク | 230 |
| 1993年 1月号 | 130万画素のバックライト式カラーディスプレイ | シュツットガルト大(独) | 電波新聞 (1992年11月30日PP.2) | LCD フラットディスプレイ | 250 |
| 1993年 1月号 | 駆動回路内蔵型LCD | 富士ゼロックス | 日経産業新聞 (1992年11月26日PP.1) | 多結晶SiTFT 低温再結晶 LCD | 250 |
| 1993年 1月号 | 応答速80倍のLCD駆動素子 | 三菱電機 | 日刊工業新聞 (1992年11月11日PP.7) | 多結晶SiのTFT | 220 |
| 1993年 1月号 | 業務用追記型ビデオディスクレコーダ | ソニー | 電波新聞 (1992年11月7日PP.1) | ハイビジョン 光ディスク | 230 |
| 1992年12月号 | 記憶密度100倍の次世代光ディスク -次世代ホログラムメモリーへ道- | NTT | 日本経済新聞(夕刊) (1992年10月26日PP.1) | 次世代光ディスク ホログラムメモリー 光ディスクの100倍 光ファイバ | 130 230 |
| 1992年12月号 | 死角のないLCD | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1992年10月26日PP.1) | ポリマー分散型 LCD(PDL) 10.4インチ TFTLCD 球状液晶分子 視野角60° 10.4インチ 640×480 広視野角LCD 上下左右60° | 250 |
| 1992年12月号 | 10本を1チップ化した半導体レーザ | 三菱電機 | 日刊工業新聞 (1992年10月23日PP.7) | MOCVD法 波長1.3μm 閾値13mA 80℃ P型基板 1チップ化レーザ 10本を集積 1.3Gbps | 250 |
| 1992年12月号 | 1.8インチ光ディスク | 富士通 | 日経産業新聞 (1992年10月21日PP.7) | 95年度メド 128MB | 230 |
| 1992年12月号 | 超高感度CCD(内容要調査) | 浜松ホトニクス | 日経産業新聞 (1992年10月9日PP.1) | 超高感度FFT型CCD 感度10万倍 民生用 量産化 100万画素 | 210 |
| 1992年11月号 | CD動画ディスク | 日本ビクター | 電波新聞 (1992年9月18日PP.1) | MPEG | 330 |
| 1992年11月号 | CD-ROM用小型光学モジュール | NEC | 日経産業新聞 (1992年9月14日PP.5) | 光ヘッドの厚さ1/3 | 210 310 |
| 1992年11月号 | 超高密度記録・消去STMメモリー -室温大気中で10nmレベル- | NEC | 電波新聞 (1992年9月9日PP.1) 日経産業新聞 (1992年9月9日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年9月9日PP.9) | 記録波長10nm 超高密度記録再生 トンネル顕微鏡(STM) 1インチ四方に1兆ビット 書換え可能STMメモリー ピット径10nm CDROMの3000倍 | 230 330 |
| 1992年10月号 | 光磁気ディスク採用「追っかけ再生システム」 | NHK大阪 NHK名古屋 | 電波新聞 (1992年8月31日PP.4) | 光磁気ディスク 番組送出 | 230 430 |
| 1992年10月号 | 相変化型光ディスク | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1992年8月26日PP.5) | 書換型光ディスク 低出力レーザ光 | 230 |
| 1992年10月号 | 1μmゲート長のCMOSトランジスタ -室温動作で28PS- | 東芝 | 電波新聞 (1992年8月26日PP.2) 日経産業新聞 (1992年8月26日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年8月26日PP.9) | CMOSLSI CMOSトランジスタ ゲート長0.1μm 速度2.8ps CMOSプロセス トランジスタ | 220 |
| 1992年10月号 | 特許公報検索システム -特許庁発行のCD-ROMに対応- | 富士通 | 電波新聞 (1992年8月25日PP.5) | 平成5年1月からの特許庁発行のCD-ROMに対応 | 420 |
| 1992年10月号 | 光磁気記録技術 -従来比100倍の記録密度- | AT＆amp;Tベル研 | 日本経済新聞 (1992年8月11日PP.1) | 光磁気ディスク 近視野光走査顕微鏡技術 HDTVを17時間記録 | 220 230 |
| 1992年 9月号 | 追記型ビデオディスク -LSとフォーマット互換- | 日立製作所 | 電波新聞 (1992年7月24日PP.1) | レーザディスク 追記型光ディスク | 330 230 |
| 1992年 9月号 | 青色半導体レーザ -ダブルヘテロ構造- | ソニー | 読売新聞 (1992年7月22日PP.1) 電波新聞 (1992年7月24日PP.6) | 青色レーザ 青色半導体レーザ 440nm発振 音声3時間半/12cmCD CD情報量従来の3倍 | 250 330 |
| 1992年 9月号 | 高密度光ディスク読取り技術 | 日本ビクター | 電波新聞 (1992年7月17日PP.1) | ニューラルネット 波形等化技術 光ディスク 光読取り装置 ニューロ | 520 230 |
| 1992年 9月号 | 光学ヘッドの小型化技術 -光信号の検出部品1個の素子に集約- | 東芝 | 日経産業新聞 (1992年7月15日PP.5) | ホログラム素子 光ディスク駆動装置 | 360 230 |
| 1992年 8月号 | 放射光使い0.2μm級のCMOS回路 | NTT | 日刊工業新聞 (1992年6月30日PP.6) | 加工技術 0.2μmCMOS 遅延時間60ns | 160 220 |
| 1992年 8月号 | CD動画カラオケ規格を共同開発 | ビクター フィリップス | 電波新聞 (1992年6月24日PP.1) | 動画圧縮 CD カラオケ | 230 330 630 |
| 1992年 8月号 | 動作中のMOS圧縮応力で劣化防止 | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1992年6月23日PP.6) | 新型デバイスの可能性 ホットキャリヤ劣化10%改善 | 160 |
| 1992年 8月号 | 折り曲げ可能なLCD | カシオ | 日経産業新聞 (1992年6月21日PP.0) | 250 | |
| 1992年 8月号 | 世界最小の256MbDRAM | 日立製作所 | 電波新聞 (1992年6月3日PP.7) 電波新聞 (1992年6月3日PP.1) 日経産業新聞 (1992年6月3日PP.6) 日刊工業新聞 (1992年6月3日PP.9) 電波新聞 (1992年6月11日PP.11) ハイテクノロジー (1992年6月11日PP.0) | 0.72μm2 256MDRAM開発可能 | 220 230 |
| 1992年 7月号 | CD-I完全動画ビデオ | フィリップス | 電波新聞 (1992年5月30日PP.1) | CD-I 帯域圧縮 | 520 |
| 1992年 7月号 | 41万画素の赤外線CCD | ニコン | 日経産業新聞 (1992年5月29日PP.9) 日刊工業新聞 (1992年5月29日PP.9) | 210 | |
| 1992年 7月号 | 1GBの情報記憶可能な光磁気ディスク | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1992年5月12日PP.7) 日刊工業新聞 (1992年5月12日PP.9) 電波新聞 (1992年5月12日PP.5) | 国際標準規格案 マークエッジ記録方式 光ディスク 1GB/5.25インチ 両面に2GB | 230 |
| 1992年 6月号 | 業務用ハイビジョンCCDハンディカメラ | NHK 松下通信工業 松下電子 松下電器産業 | 電波新聞 (1992年4月8日PP.5) 日経産業新聞 (1992年4月8日PP.9) 日刊工業新聞 (1992年4月10日PP.10) | 2/3インチFIT-CCD 水平解像度1100本 S/N50dB ハイビジョンカメラ | 310 |
| 1992年 5月号 | 60万画素の2/3インチCCD | 東芝 | 電波新聞 (1992年3月26日PP.7) 日刊工業新聞 (1992年3月26日PP.9) 日経産業新聞 (1992年3月27日PP.9) | 従来最高52万画素 | 200 |
| 1992年 5月号 | 光ディスク書込み用赤色可視光半導体レーザ | 三菱電機 | 電波新聞 (1992年3月26日PP.1) | 半導体レーザ 赤色可視光 | 250 |
| 1992年 5月号 | 次世代記憶媒体 -RAMとROM1枚のディスクに共存- | 富士通 | 日刊工業新聞 (1992年3月23日PP.1) | 記憶媒体 パーシャルROM光磁気ディスク | 330 |
| 1992年 5月号 | 書換え可能なホログラム | NTT | 日刊工業新聞 (1992年3月13日PP.5) | ホログラム 書換え型 光磁気記録 MOディスク 5インチディスクで2400枚画像記録. 光コンピュータに利用可 | 230 |
| 1992年 4月号 | 低電圧動作LSI -1.0V動作SRAM 1.5V動作BiCMOS- | 日立製作所 | 電波新聞 (1992年2月22日PP.6) | LSI SRAM BiCMOS | 220 |
| 1992年 4月号 | 2/3インチ200万画素HD用CCD撮像素子 | ソニー | 日経産業新聞 (1992年2月21日PP.9) 電波新聞 (1992年2月21日PP.6) | ||
| 1992年 4月号 | 最先端メモリー技術相次ぐ | 日電 東芝 | 電波新聞 (1992年2月19日PP.6) 日経産業新聞 (1992年2月19日PP.8) 日刊工業新聞 (1992年2月19日PP.9) | 日電:64MDRAM 16MSRAM 東芝:5V動作4MフラッシュEEPROM 3.3V動作 MOSRAM | 230 260 |
| 1992年 4月号 | 2板式CCDカメラ | ミノルタ 日立製作所 | 電波新聞 (1992年2月18日PP.2) 電波新聞 (1992年2月18日PP.23) 日経産業新聞 (1992年2月18日PP.9) 日刊工業新聞 (1992年2月18日PP.8) | 2板式CCDカメラ RGB原色 ハイ8 | 310 |
| 1992年 4月号 | 高密度光ディスク記録技術 -記録密度2倍- | 東芝 | 電波新聞 (1992年2月8日PP.1) 日刊工業新聞 (1992年2月8日PP.4) 日本工業新聞 (1992年2月10日PP.15) | 赤色半導体レーザ 光ディスク 690nmレーザ | 230 250 |
| 1992年 4月号 | 容量10倍以上の光磁気ディスク装置 | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1992年2月8日PP.1) | 光磁気ディスク 短波長化 トラック幅0.9μm 6GB/5インチ | 230 |
| 1992年 4月号 | 出力35mWを実現した赤色半導体レーザ -光ディスク用に開発- | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1992年2月5日PP.5) | 赤色半導体レーザ 35mW 680nmレーザ | 250 |
| 1992年 3月号 | 256メガ級に対応可能なCMOS | 松下電器産業 | 日刊工業新聞 (1992年1月25日PP.1) | CMOS 256MbDRAM | 220 |
| 1992年 3月号 | マスク7枚でCMOS製造 -新プロセス確立- | 日電 | 日刊工業新聞 (1992年1月17日PP.9) | CMOS マスク7枚 LPD技術 | 220 |
| 1992年 3月号 | 77Kで高速動作するバイポーラトランジスタ -超高速BiCMOSに道- | 東芝 | 日刊工業新聞 (1992年1月16日PP.5) | 160 | |
| 1992年 3月号 | 200万画素HDTV用CMD撮像素子 | オリンパス | 日経産業新聞 (1992年1月14日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年1月14日PP.9) 日本工業 (1992年1月14日PP.11) | HDTV CMD撮像素子 | 210 |
| 1992年 3月号 | 新微小駆動装置 -光磁気ディスク装置を薄型化- | 富士通 | 日刊工業新聞 (1992年1月9日PP.5) | 光磁気ディスク 薄型化 | 330 |
| 1992年 2月号 | 書換型相変化光ディスク | 旭化成 | 日刊工業新聞 (1991年12月17日PP.16) | 相変化光ディスク 書換型 直接オーバライト アンチモン テルル ゲルマニウム合金 | 230 |
| 1992年 2月号 | ゲート長0.1μmCMOS | NTT | 日経産業新聞 (1991年12月13日PP.5) | 製造加工技術 1Gbメモリーへ道 | 260 |
| 1992年 2月号 | ニューロンMOSトランジスタ -脳神経細胞と同じ機能- | 東北大 | 電波新聞 (1991年12月6日PP.2) 朝日新聞 (1991年12月6日PP.1) 日経産業新聞 (1991年12月6日PP.5) 日刊工業新聞 (1991年12月6日PP.1) 日本工業新聞 (1991年12月6日PP.1) | 新素子 新型トランジスタ 従来の10倍 多入力，機能可変 | 220 520 |
| 1992年 1月号 | 200万画素のCCD搭載ハイビジョンカラーカメラ | ソニー | 電波新聞 (1991年11月15日PP.1) | テレビカメラ ハイビジョン | 310 540 |
| 1991年12月号 | 次世代ディスク -現行CDと互換- | 松下電器産業 | 電波新聞 (1991年10月14日PP.1) | CD MD | |
| 1991年12月号 | 超高精細LCD | 日立製作所 武田薬品 | 日経産業新聞 (1991年10月1日PP.5) | 強誘電性LCD 365万画素 3.3インチ | 250 |
| 1991年11月号 | 「再生」「記録」部分のCD上に自在配置 | 日本ビクター | 日経産業新聞 (1991年9月19日PP.1) | 記録 ハイブリッド型CD | 230 |
| 1991年11月号 | MOビデオディスクレコーダ | パイオニア | 電波新聞 (1991年9月13日PP.1) | コンポーネント記録 片面32分 | 330 |
| 1991年10月号 | 256MDRAM向き新プロセス技術 | 日立製作所 | 電波新聞 (1991年8月28日PP.9) | 製造プロセス | 260 |
| 1991年10月号 | 1/3インチ36万画素CCD | 松下電子 | 電波新聞 (1991年8月20日PP.1) 日刊工業新聞 (1991年8月20日PP.9) | インタライン1/3インチ 682×492画素 0.8μmプロセス | 210 |
| 1991年10月号 | 立体映像システム -通常のCCD・TV利用- | 東芝 | 日経産業新聞 (1991年8月14日PP.4) | 立体映像 液晶偏光パネル 3次元映像 | 300 400 350 |
| 1991年10月号 | 強誘電性LCD | ヘキストジャパン | 日経産業新聞 (1991年8月7日PP.5) | 明るさ3倍 コントラスト20倍 | 250 |
| 1991年10月号 | HDハンディカメラ用2/3インチCCD | NHK 松下電子 | 日本工業新聞 (1991年8月6日PP.12) | 130万画素 3板(デュアルグリーン) 5kg | 310 |
| 1991年 9月号 | 電子公報の仕様案を公表 | 特許庁 | 日刊工業新聞 (1991年7月24日PP.5) | CDROMにより'92.1から週2回(1万件)発行予定 | 530 |
| 1991年 9月号 | ハイビジョン信号30分以上連続再生 -生のまま光ディスクへ- | 三洋電機 | 日刊工業新聞 (1991年7月25日PP.7) | ハイビジョン 光ディスク | 230 |
| 1991年 7月号 | CCDイメージセンサ -チップ上に周辺回路も- | 日電 | 電波新聞 (1991年5月30日PP.7) | CCDリニアイメージセンサ 19倍高感度 出力増幅回路内蔵 周辺回路内蔵 | 260 |
| 1991年 7月号 | 緑レーザ書き替え型光磁気ディスク | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1991年5月29日PP.1) | SHG素子 2層膜媒体 書き替え可能 5インチMOディスク 出力15mW 波長530nm 記録媒体を2層膜にして記録密度3倍に | 330 |
| 1991年 7月号 | 256MDRAM向け微細配線技術 | 日電 | 日経産業新聞 (1991年5月28日PP.1) | アルミ合金配線0.25μm 口径で深さ1μm │ | 260 |
| 1991年 7月号 | 光ディスク用制御IC | 富士通 | 電波新聞 (1991年5月21日PP.8) 日経産業新聞 (1991年5月21日PP.9) 日刊工業新聞 (1991年5月21日PP.11) | 光ディスクコントローラ 誤り訂正 | 220 |
| 1991年 7月号 | ミニディスクシステム | ソニー | 電波新聞 (1991年5月16日PP.1) 日経産業新聞 (1991年5月16日PP.5) 日刊工業新聞 (1991年5月16日PP.10) 朝日新聞 (1991年5月16日PP.8) 日本経済新聞 (1991年5月16日PP.11) 読売新聞 (1991年5月16日PP.0) 電波タイムズ (1991年5月22日PP.2) | 光磁気ディスク コンパクトディスク パーソナルオーディオシステム ディジタル録音 再生可能 信号帯域圧縮技術 帯域圧縮で74分 φ64mmMOディスク SCMS採用 ショック プルーフ メモリー | 230 |
| 1991年 7月号 | 世界最高速の読出し可能な64MDRAM | 東芝 | 日刊工業新聞 (1991年5月15日PP.11) 電波新聞 (1991年5月15日PP.1) 日経産業新聞 (1991年5月15日PP.8) | 8kbまでのデータを1ブロックとしてシリアルアクセス 9ns/bの読出し速度 3次元構造メモリーセル スタティックカラム | 230 |
| 1991年 6月号 | 64MDRAM量産へ新技術 | 日電 | 日経産業新聞 (1991年4月24日PP.4) | 64MDRAM 低温処理で凹凸(表面積2倍) エッチング工程不要 | 220 |
| 1991年 6月号 | 次々世代LSI実現へ | 日電 ATT | 電波新聞 (1991年4月23日PP.1) | 次々世代LSI 3.5μmCMOSプロセス | 220 |
| 1991年 6月号 | フルカラーLCD量産 -4096表示，9.8インチサイズ- | 日電 | 日刊工業新聞 (1991年4月17日PP.11) | TFT方式 640×400ドット | 250 |
| 1991年 6月号 | 脂肪酸使った記憶素材 -レーザ光で書き込み消去- | リコー | 日経産業新聞 (1991年4月12日PP.5) | 原理的確認 記憶素材 光ディスク 非結晶/結晶の状態変化 ノイズレベル以下に消去 記憶情報を完全消去 | 130 |
| 1991年 5月号 | 3次元IC | 日電 | 電波新聞 (1991年3月27日PP.1) 電波タイムズ (1991年3月29日PP.2) | 3次元IC 6層構造(世界初) 4Gbメモリーの可能性 2層×3枚残り合わせ DUALCMOS+CUBIC技術 | 260 |
| 1991年 5月号 | CCDカラーリニアイメージセンサ -2592画素3ライン- | 松下電子 | 電波新聞 (1991年3月8日PP.7) | CCD イメージセンサ | 210 |
| 1991年 4月号 | 光磁気ディスクの記録6倍に | ソニー | 電波新聞 (1991年2月22日PP.0) 日刊工業新聞 (1991年2月22日PP.0) 朝日新聞 (1991年2月22日PP.0) 日経産業新聞 (1991年2月22日PP.0) | 再生時にレーザスポットの中の高温部のみ読出す新技術 超高解像度光信号録再技術スポット径を等価的に縮小 現行半導体レーザ(λ7404nm)で記録波長370nm(1/2)の再生可能 光磁気ディスク 超解像 超解像光信号記録再生 アイソスター | 230 |
| 1991年 4月号 | ハイビジョンハンディカメラ用CCD撮像素子 | 松下電子 | 電波新聞 (1991年2月16日PP.0) 日刊工業新聞 (1991年2月16日PP.0) 日本経済新聞 (1991年2月16日PP.0) | 2/3インチ FIT 130F画質(1258×1035)ダイナッミクレンジ70dB 30万画素 | 210 |
| 1991年 4月号 | 1チップ状に32×104画素を集積 | 日電 | 電波新聞 (1991年2月15日PP.0) | 高解像度赤外線CCD イメージセンサ | 210 |
| 1991年 4月号 | 世界最高速の64MDRAM -高速アクセス実現- | 東芝 富士通 三菱電機 松下電器産業 | 日刊工業新聞 (1991年2月15日PP.0) 電波新聞 (1991年2月15日PP.0) | DRAM 位相シフトマスク 光露光 64M ISSCC | 230 |
| 1991年 4月号 | 科学計算用LSI -4MDRAM 512KSRAM- | 日電 | 日経産業新聞 (1991年2月14日PP.0) | アクセスタイム17ns アクセスタイム4ns サイクルタイム2ns ベクトル演算処理用LSI | 230 |
| 1991年 4月号 | 4MbBi-CMOS型SRAM | 富士通 | 電波新聞 (1991年2月13日PP.0) | 64kHEMTSRAM 1.2ns 4MSRAM 7ns | 230 |
| 1991年 4月号 | ノントラッキング方式採用のディジタルテープレコーダ | ソニー | 日刊工業新聞 (1991年2月13日PP.0) | ノントラッキング方式郵便切手サイズテープ カセット:3cm×2cm×3mm 往復で120分の記録 1MDRAMで5000個分 超小型テレコ | 330 |
| 1991年 3月号 | 40万ゲートアレイのCMOSゲートアレイ | 三菱電機 | 日刊工業新聞 (1991年1月31日PP.0) 日経産業新聞 (1991年1月31日PP.0) | 125psの遅延時間 6μW/gate | 220 |
| 1991年 3月号 | 追記型CD 反射層にアルミ使用 | 日本ビクター | 日経産業新聞 (1991年1月25日PP.0) | 12インチ | 230 260 |
| 1991年 2月号 | ナビゲーション用CDROMに統一規格 | ナビ研究会 | 日経産業新聞 (1990年12月21日PP.0) | 530 | |
| 1991年 2月号 | BiCMOSの低温動作 | 日電 | 日刊工業新聞 (1990年12月21日PP.0) | BiCMOS 83K(-190℃)の低温動作 電流利得124 遅延時間200ps | 220 |
| 1991年 1月号 | 高速書換え光ディスク | 東レ | 日経産業新聞 (1990年11月29日PP.0) | 十万個の書換え才能 | 330 |
| 1991年 1月号 | ハイビジョン画像大量 蓄積・再生 | 東芝 | 日経産業新聞 (1990年11月21日PP.0) | 4MDRAM×864個 | 330 |
| 1991年 1月号 | TRON仕様の32bMPU | 沖電気 | 電波新聞 (1990年11月9日PP.0) | 0.8μ CMOSプロセス14.75×14.75mm2 70万個TRS 208pinPGA | 320 |
| 1990年12月号 | 130万画素のCCDハイビジョンカメラ | 松下通信工業 | 電波新聞 (1990年10月31日PP.0) | 1インチ 130万画素 FIT-CCDHDTVカメラ 商品化 | 210 |
| 1990年12月号 | 3.5インチ光磁気ディスク規格統一へ | 日本IBM | 日経産業新聞 (1990年10月26日PP.0) | IBM製品化 規格一本化呼びかけ(5インチは規格が2つに分かれた) | 230 |
| 1990年12月号 | 1万倍の高密度光ディスク | 東大 | 日経産業新聞 (1990年10月18日PP.0) | 光電気的記録1000b/μm アゾベンデソ誘導体薄膜 記録:レーザ光+斜状電極 電圧印加(還元)→ヒドロアゾベシデン 再生:吸収光波長/電圧印加時の電流 消去:酸化 | 230 |
| 1990年11月号 | 記録密度10倍の光磁気ディスク | 名大 三洋電機 | 日刊工業新聞 (1990年10月9日PP.0) | 0.2μmビット長 | 230 |
| 1990年11月号 | 写真画集をCDに | 米コダック フィリップス | 日経産業新聞 (1990年9月19日PP.0) | 330 | |
| 1990年11月号 | 2倍に感度アップした放送用CCDカメラ | ソニー | 電波新聞 (1990年9月19日PP.0) | F8 2000lx 700TV本 140dBスミア | 310 |
| 1990年11月号 | バックライト不要のLCD | 大日本インキ | 日経産業新聞 (1990年9月17日PP.0) | 1ms応答速度 光線透過律70% 視野角度60゜ | 250 |
| 1990年11月号 | 世界初のFLCD | 半導体エネ研 | 電波新聞 (1990年9月14日PP.0) | A5版 動画表示 ディスプレイ640×400 19μs応答速度 32画面/s | 250 |
| 1990年10月号 | BiCMOS使う新回路 | 日電 | 日刊工業新聞 (1990年8月16日PP.0) | 0.6μmプロセス 15万ゲート 164m 180ps/負荷 350ps/負荷 | 220 |
| 1990年 9月号 | 新素子プリンタ | 米TI | 日経産業新聞 (1990年7月23日PP.0) | 変形可能ミラー(DMD) 20μm角○ 4μm厚さ 1μm間隔で2400個 | 350 |