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| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
| 2016年 1月号 | 金属 光照射で電流流れず http://www.titech.ac.jp/news/2015/032494.html | 東工大 東北大 | 日経産業新聞 (2015年10月30日PP.8) | 電気を通す金属に光を当てると 電流が流れなくなる現象 光スイッチ | 120 240 |
| 2015年 1月号 | 光スイッチをを使った新ネットワーク技術を開発 | 産総研 NTT | 日本経済新聞 (2014年10月8日PP.15) | 消費電力1000分の1で伝送，8K映像を遅延なく送る実験 約6kWの消費電力で90Tb/sを扱える | 440 |
| 2012年 8月号 | 小型省電力の光スイッチ | 慶応大 産総研 | 日経産業新聞 (2012年5月8日PP.10) | 相変化材料(GeやSb) 長さ15.3μm幅1μmのスイッチを試作 | 240 |
| 2012年 6月号 | 0〜75℃で使えるSi製光スイッチ | NEC | 日刊工業新聞 (2012年3月6日PP.19) | 入力8ポート/出力8ポート間の光経路を切り替え 大きさ16mm×12mm ゲート素子2つで40dB以上の高いスイッチング時のオン・オフ比 | 240 340 440 |
| 2011年 6月号 | Si素子で小型光スイッチ | NEC | 日刊工業新聞 (2011年3月7日PP.20) | Siフォトニクス 800μm×60μmの光路切替素子 光合分波素子 素子の内部を局所的に加熱することで材料の屈折率を変更 130nmCMOSプロセス | 240 160 |
| 2011年 2月号 | SiGe製光スイッチ | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2010年11月9日PP.25) | Si上に約500nm×約200nmのSiGe製の細線構造 光スイッチ素子の大きさ0.4mm×50μm 動作電力1.5mW 動作可能な波長範囲1520nm〜1565nm | 120 240 |
| 2010年11月号 | LSIの消費電力を削減する光スイッチ | 東大 光産業技術振興協会 東芝 パイオニア コニカミノルタオプト | 日経産業新聞 (2010年8月25日PP.9) | GaAs 点滅する光を照射して光の通路を開閉 InAsの量子ドット2個 内部に量子ドットを縦に並べて埋め込む 近接場光 | 240 |
| 2010年11月号 | 超高精細映像の高速低消費電力伝送の実証実験 | 産総研 情通機構 | 日経産業新聞 (2010年8月25日PP.9) | スーパハイビジョン映像 光スイッチ応用 1/1000以下の消費電力 | 220 440 |
| 2010年10月号 | ナノサイズの光スイッチ | 阪大 物材機構 | 日刊工業新聞 (2010年7月14日PP.21) 日経産業新聞 (2010年7月14日PP.11) | 光伝導性分子 Ag電極とAg2S電極を10nm間隔で配置 | 240 |
| 2010年 8月号 | 消費エネルギー1/200の光スイッチ | NTT | 日経産業新聞 (2010年5月3日PP.6) | フォトニック結晶 中核部品の幅0.5μm 420アトジュール | 340 440 |
| 2009年12月号 | 偏光抑えた高性能大容量回線光スイッチ | 早大 日立 | 日経産業新聞 (2009年9月2日PP.9) | 大容量光ネットワーク 化合物半導体 インジウム・アルミニウム・ガリウムヒ素などを用いた光スイッチ材料 振り分けに要する時間約3ns | 240 120 |
| 2008年12月号 | 大きさ1/1000の光スイッチ | NEC | 日経産業新聞 (2008年9月24日PP.11) | 消費電力1/10 フォトニック結晶 光の屈折率を制御 小さな円柱が無数に並んだ構造 縦横20μmの素子 | 120 240 |
| 2007年12月号 | 100Gbps超高速光スイッチ開発 | 産総研 | 日経産業新聞 (2007年9月3日PP.11) | インジウム・ガリウム・リン 屈折率の変化 光時分割多重 160Gbpsの信号から10Gbitの信号を取り出す 縦横10cm IC化容易な素子 | 240 |
| 2007年 7月号 | Siを用いた1/100サイズの光スイッチ | NEC | 日経産業新聞 (2007年4月12日PP.1) | 光スイッチサイズ縦0.2mm横0.12mm シリコンナノフォトニクス 光の分岐点の角度をミクロン単位に鋭角化 | 140 240 |
| 2006年10月号 | CNTで非線形光学効果 | 東大 産総研 | 日刊工業新聞 (2006年7月6日PP.25) | 光学シュタルク効果 全光スイッチに応用 3次非線形感受率 | 120 240 |
| 2005年12月号 | 光路切換え15μs動作の光スイッチ | 横浜国大 | 日刊工業新聞 (2005年9月7日PP.25) | 積層微小リング共振器 任意のアドドロップ可能 高屈折率1.8の誘電導体Ta2O5など バーニャ効果 消光比40db 隣接干渉性-20db FSR波長選択範囲を約7倍 | 120 160 240 |
| 2005年12月号 | コスト1/20のSi光スイッチ | NICT | 日経産業新聞 (2005年9月16日PP.6) | 160Gbps通信用 Si光経路を渦巻き状 切替え時間3ps ナノメートル単位の細い線上の経路 | 120 160 240 |
| 2005年 6月号 | 1Tb級光スイッチ -エネルギー1/5で稼働- 図 | FESTA | 日経産業新聞 (2005年3月15日PP.7) | 制御用レーザ光出力100pJが20pJに 結合量子井戸構造 Al/As/Sb層とIn/Ga/As層の間に1nm以下のAl/As層 | 120 160 240 |
| 2005年 6月号 | 非線形光学効果を増大 -フォトニック結晶制御で観測- | 理研 東工大 | 日刊工業新聞 (2005年3月24日PP.31) | Tbクラス全光制御型光スイッチ素子 極端に遅い光の群速度を人工的に作り出す 光学ポリマー 金属クラッド | 140 240 |
| 2004年11月号 | 超小型で省電力の光スイッチ | NEC | 日経産業新聞 (2004年8月20日PP.8) | フォトニック結晶 面積比で約1/100〜1/1000 サイズ80μm×50μm | 240 |
| 2004年10月号 | 電気変換しない光スイッチ | 産総研 大日精化 | 日経産業新聞 (2004年7月13日PP.10) | 縦12cm横8cm厚さ2.7cm 660nmの光照射で制御 切替え速度0.5ms | 240 |
| 2004年 5月号 | 最速・最小の光スイッチ -毎秒40Gb- | 横河電機 | 日経産業新聞 (2004年2月17日PP.6) 日本経済新聞 (2004年2月17日PP.13) | 光の経路を2nsで切り換え 製品はA4判大 電気変換せず伝送 | 240 |
| 2004年 4月号 | 光スイッチのワンチップ化 -微細加工で1/10サイズに- | NTT | 日経産業新聞 (2004年1月15日PP.7) | 3cm角で厚さ5mm 直径600μm鏡100個を配置 光ルータ 光スイッチ・LSI一体化 | 240 260 220 |
| 2003年10月号 | Si基板を微細加工する新技術 -光スイッチ量産に道- | NTT物性科学基礎研究所 | 日経産業新聞 (2003年7月30日PP.9) | ナノレベルの微細な穴 200nm角で深さ100〜150nmの無数の穴 | 160 |
| 2003年 8月号 | 小型で安価な光スイッチ
―1:128分岐が可能― | NTTフォトニスク研 | 日経産業新聞 (2003年5月2日PP.5) | 光ルータ用 Si基板上にガラス製の導波路を形成 大きさ従来比1/4 | 240 340 |
| 2006年10月号 | CNTで非線形光学効果 | 東大 産総研 | 日刊工業新聞 (2006年7月6日PP.25) | 光学シュタルク効果 全光スイッチに応用 3次非線形感受率 | 120 240 |
| 2003年 6月号 | ルーチング光システム -波長変換と光スイッチを同時に実現- | 豊田工大 | 日刊工業新聞 (2003年3月12日PP.5) | 光トランジスタ2個 33倍に増幅 波長変換 光スイッチ HIRO AWG 切替え約10ns | 240 340 |
| 2003年 6月号 | 面状光スイッチ用いて超高速光通信のジッタスキューを低減 | 通信総研 FESTA | 電波新聞 (2003年3月15日PP.2) | 有機色素薄膜 面状光スイッチ ジッタスキュー空間パターンとして一括検出 | 240 |
| 2003年 1月号 | CNT光スイッチ | 産総研 フェムト秒テクノロジー研究機構 | 日経産業新聞 (2002年10月4日PP.10) | ガラス板に吹き付けたCNTに1.55μmのレーザを当て光の強さによってスイッチ動作 | 120 240 |
| 2003年 1月号 | 構造の新分子 羽根付き -フラーレン使い合成- | 東大 北大 | 日経産業新聞 (2002年10月18日PP.10) | 縦方向に積層 nmサイズの電線や光スイッチに応用有望 | 120 160 240 |
| 2002年12月号 | 温度変化で伸縮速い新型高分子 | 横浜国大 | 日経産業新聞 (2002年9月10日PP.8) | 光スイッチ アクリルアミド系 | 240 |
| 2002年10月号 | 光スイッチ大きさ1/10 | 住友電工 | 日経産業新聞 (2002年7月11日PP.1) | マイクロマシン技術 親指爪程度 従来価格の1/4 約10mm角で4mmの歯が16本 切替時間1.3μs | 240 260 440 |
| 2002年10月号 | 樹脂の超微小部品を金型で製作 -光スイッチ開発に道- | クラスターテクノロジー | 日刊工業新聞 (2002年7月24日PP.1) | 1μmの樹脂形成品 集中イオンビーム | 160 260 |
| 2002年 9月号 | 広い色再現性のGLV -高画質プロジェクタ用素子- | ソニー | 日刊工業新聞 (2002年6月12日PP.5) 日本経済新聞 (2002年6月12日PP.13) 日経産業新聞 (2002年6月12日PP.7) | グレーティング・ライト・バルブ 回折格子型光スイッチ 微小短冊状の鏡 1次元1080画素 MEMS コントラスト3000:1 米シリコンライトマシンズ社 プロジェクタ | 250 350 |
| 2002年 7月号 | HI-SMZ全光スイッチ - 半導体素子で最速 - | FESTAのNEC分散研究室 | 日刊工業新聞 (2002年4月12日PP.12) | 336Gbpsで信号分離動作 32分波で誤り率 10-9達成 | 240 |
| 2002年 6月号 | 光通信の高速分岐技術-毎秒100Gbps- 一行紹介 | NTT | 日本経済新聞 (2002年3月25日PP.25) | 100Gbpsで4つの宛先に送る 光ルータ 光スイッチの高速制御技術 | 340 440 |
| 2002年 5月号 | 光スイッチ -コスト1/3- | 三菱電機 | 日本経済新聞 (2002年2月15日PP.17) | 電気信号への変換省く フィルム状 3層構造 直交した導波路 45゜の切り込み 圧電素子 | 240 |
| 2002年 4月号 | 光の速度を1/100に -人工結晶使い成功- | NTT | 日本経済新聞 (2002年1月28日PP.25) | フォトニック結晶 超小型光スイッチ用 Si結晶 直径200nm深さ200nmの周期的な穴 260nm幅の導波路 | 140 240 |
| 2002年 1月号 | 有機薄膜面発光スイッチ -1Tbpsの直列パルス | FESTA | 日刊工業新聞 (2001年10月29日PP.9) | FESLAP 面方光スイッチ スクエアリリウム色素 光カーシャタ | 240 |
| 2001年10月号 | 伝送速度の落ちない光スイッチ | NTTエレクトロニクス | 日経産業新聞 (2001年7月4日PP.13) | 光信号で進路変更 光スイッチ 光回路利用 | 240 |
| 2000年12月号 | 超小形光スイッチ -大きさ1/50- | 日本航空電子 | 日経産業新聞 (2000年10月19日PP.1) | WDM 2×2光スイッチエレメント マイクロミラー 1mm×0.5mm | 240 |
| 2000年 9月号 | 電子ペーパー -光あて情報記録- | 富士ゼロックス | 日本経済新聞 (2000年7月1日PP.13) | 電子ペーパー 光スイッチ | 130 |
| 2000年 8月号 | 新光スイッチ・波長変調方式 -電気回路介さずに光を光で超高速制御- | 中部大 NTT | 日刊工業新聞 (2000年6月5日PP.9) | 光スイッチ 波長変換方式 40Gbps→10Gbpsを分離 吸収形半導体変調器 高速受光素子 | 240 |
| 2000年 7月号 | 準位間遷移で光スイッチ | FESTA | 日刊工業新聞 (2000年5月22日PP.9) | 光スイッチ 10fs 量子井戸構造 ISBT アンチモン系 窒化ガリウム系 | 240 |
| 1999年12月号 | 量子ドットの超高速技術 | フェムト秒テクノロジー研究機構(FESTA) | 日刊工業新聞 (1999年10月5日PP.6) | 回復時間1.8ps 光増幅素子構造 InAsの量子ドット GaAsのスペーサ 超高速光スイッチ ポトルネック問題 | 240 |
| 1999年10月号 | 光IC用微小ビーズ -自由な方向に光伝える- | 東大 | 日本経済新聞 (1999年8月23日PP.17) | 微小ビーズ ポリスチレン 光素子 光コンデンサ 光スイッチ | 240 140 |
| 1999年 9月号 | 新形光スイッチ -光だけで光信号制御,切替時間,電気式の1/10以下- | 東工大 東大 | 日本工業新聞 (1999年7月29日PP.1) | 光スイッチ GaInAsP 光導波路 | 240 |
| 1999年 8月号 | 光の人工分子を作製 -光ICの超小形化に道- | 東大 | 日刊工業新聞 (1999年6月7日PP.11) | ポリスチレン微小球 4μm WGM レーザ 光スイッチ | 120 140 240 |
| 1999年 5月号 | 大容量光通信用素子の基礎技術 -テラビット通信へ道筋- | フェムト秒テクノロジー研究機構 | 日経産業新聞 (1999年3月1日PP.5) | 光スイッチ 670fs | 240 |
| 1999年 4月号 | 光スイッチ用半導体素子 -信号の出力25倍- | フェムト秒テクノロジー研究機構 | 日経産業新聞 (1999年2月14日PP.4) | 光スイッチ 消費エネルギー削減 光通信ネットワーク GaAs | 240 |
| 1999年 4月号 | 光波基盤技術研究に着手 | 郵政省 | 日刊工業新聞 (1999年2月4日PP.2) | 光波利用基盤技術 超高速光スイッチアレー技術 光波面制御技術 | 540 440 |
| 1998年11月号 | 無機 有機材料を原子レベルで複合した新タイプの光学材料- | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1998年9月25日PP.4) | 光スイッチ 10Tb級 超格子 | 240 |
| 1998年11月号 | 「量子井戸」で効率10倍 光信号の波長変換素子 -量子井戸で効率10倍- | フェムト秒テクノロジー研究機構 | 日経産業新聞 (1998年9月17日PP.5) | 量子井戸 波長変換素子 光スイッチ | 240 |
| 1998年10月号 | 新素材ガラス -磁石にピタッ- | 住田光学ガラス | 日刊工業新聞 (1998年8月4日PP.1) | 光ファイバ 磁性体 光スイッチ | 120 240 |
| 1998年 9月号 | 超高速光スイッチ用有機薄膜 -室温300fs動作- | FESTA | 日刊工業新聞 (1998年7月13日PP.1) | 光スイッチ スクェアリリウム(SQ)色素 有機薄膜 J会合体 超高速光スイッチング 光電変換用色素 | 240 |
| 1998年 8月号 | 超高速光スイッチ用半導体 -光通信の波長で動作- | フェムト秒テクノロジー研究機構 | 日経産業新聞 (1998年6月14日PP.4) | 光スイッチ 量子井戸構造 | 240 |
| 1998年 7月号 | 超高速光スイッチ -窒化ガリウム量子井戸構造で実現- | フェムト秒テクノロジー研究機構 | 日刊工業新聞 (1998年5月8日PP.5) | 窒化ガリウム量子井戸 光スイッチ サブバンド間遷移 超高速光スイッチ ISBT 1.55μm 光ネットワーク | 240 140 160 |
| 1998年 6月号 | テラビット級光スイッチ -次世代光通信網に利用- | フェムト秒テクノロジー研究機構 | 日経産業新聞 (1998年4月23日PP.5) | 光スイッチ 光多重通信 1.5Tbps | 240 440 |
| 1998年 6月号 | 超並列演算光素子 -原子オーダの画素分解能- | 豊田工大 他 | 日刊工業新聞 (1998年4月8日PP.6) | 原子オーダの分解能 光コンピュータ 画像認識 光スイッチ 負性特性 超並列演算素子 光スイッチ素子 負性非線形光学吸収効 果 | 220 420 210 |
| 1998年 3月号 | 超低パワー駆動の光素子 | 豊田工大 | 日刊工業新聞 (1998年1月27日PP.1) | 負性の光学特性 全光スイッチ 数十mW/cm2で動作 | 240 |
| 1998年 2月号 | 光スイッチ向け素材 -屈折率変化量2倍に- | NTT | 日経産業新聞 (1997年12月26日PP.4) | 光スイッチ | 240 140 |
| 1998年 1月号 | 偏光利用の光スイッチ -200fs以下実証- | フェムト秒テクノロジー研究機構 | 日刊工業新聞 (1997年11月24日PP.5) | マッハ ツェンダ型 全光スイッチ 変調度80% スイッチング速度200fs以下 スイッチングエネルギー 2.5pJ 消光比10dB | 240 |
| 1997年12月号 | 超微小のハニカム構造 | NTT 都立大 | 日経産業新聞 (1997年10月28日PP.5) | アルミナ 光回路 光スイッチ 量子細線への応用期待 | 140 160 |
| 1997年11月号 | 全光スイッチ -ナノ秒でオンオフ- | 静岡大 | 日刊工業新聞 (1997年9月5日PP.7) | 光スイッチ フォトクロミック色素 | 120 240 |
| 1997年 9月号 | 新型光スイッチ素子 | フェムト秒テクノロジー研究機構 | 日経産業新聞 (1997年7月7日PP.5) | 880フェムト秒で切換え | 240 |
| 1997年 2月号 | 高信頼光スイッチ | NEC | 日刊工業新聞 (1996年12月25日PP.5) | 光スイッチ | 240 |
| 1996年11月号 | 光スイッチ向け非線形光学材料 -世界最速級の応答性- | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1996年9月19日PP.5) | 光スイッチ 非線形 光学材料 応答速度0.98ps 酸化アルミと金微粒子 スパッタ法で多重積層 感受性従来の30倍 光コンピュータ | 140 240 |
| 1996年11月号 | 光スイッチに信号増幅機能 | NEC | 日経産業新聞 (1996年9月16日PP.4) | 光スイッチ 信号増幅機能 | 240 |
| 1996年 9月号 | 光ATM交換機 -40Gbps処理可能に- | NTT | 日刊工業新聞 (1996年7月11日PP.6) 日刊工業新聞 (1996年7月11日PP.9) 日経産業新聞 (1996年7月11日PP.4) | 光ATM交換器 光スイッチ 光交換機 光通信 ATM | 240 340 440 540 |
| 1996年 9月号 | 超高速通信用の光スイッチ | NTT | 日経産業新聞 (1996年7月1日PP.5) | 光スイッチ 光通信 光交換機 100Gbps 光ファイバ | 240 340 440 |
| 1996年 4月号 | 超高速光スイッチ技術 -光使い光信号オンオフ- | 新技術事業団 | 日刊工業新聞 (1996年2月1日PP.1) 日本経済新聞 (1996年2月3日PP.10) | 光フィルタ 強誘電性物質 超高速 基本素子 光スイッチ BBO 100fs | 240 |
| 1996年 3月号 | 光信号の波長変換素子 | 富士通研 | 日経産業新聞 (1996年1月23日PP.4) | 光スイッチ DFBレーザ 光波長変換 波長多重光通信 半導体レーザ 波長変換 | 240 250 |
| 1996年 1月号 | 空間型光スイッチ -パス無依存方式- | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1995年11月17日PP.7) | パス無依存方式 PI-LOSS 光クロスコネクト用 | 240 |
| 1995年11月号 | 電子波を利用した光素子 | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1995年9月27日PP.5) 日刊工業新聞 (1995年9月27日PP.9) | コヒーレント干渉 光スイッチ素子 | 240 120 |
| 1995年11月号 | ディジタル光スイッチ -モジュール化に成功- | NTT | 日刊工業新聞 (1995年9月26日PP.7) | 光変換器 ディジタルスイッチ 体積1/10 | 240 |
| 1995年 5月号 | 超高速光スイッチング用光デバイス -光だけのオンオフ動作- | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1995年3月15日PP.8) | 電子スピン 超高速光スイッチング用 多重量子井戸構造 | 240 |
| 1995年 4月号 | 交換機関伝送用LSI -光信号で交換機直結- | NTT | 日経産業新聞 (1995年2月24日PP.5) | 光伝送 光スイッチ LSI 交換機 3.5Gbps | 340 240 220 |
| 1995年 3月号 | ミクロ電磁スイッチを使った光路切替え技術 -光ファイバ接続変更，簡単に- | NTT | 日経産業新聞 (1995年1月9日PP.5) | 光ファイバ 光スイッチ 電磁スイッチ ミクロ電磁スイッチ ファイバ網の接続変更装置 | 240 260 |
| 1995年 1月号 | 毛細管利用光スイッチ | NTT | 日経産業新聞 (1994年11月17日PP.5) | 光スイッチ | 240 |
| 1994年12月号 | 超高速光スイッチ | 東芝 | 日経産業新聞 (1994年10月6日PP.5) | 光スイッチ 100フェムト秒 光電算機 | 240 |
| 1994年10月号 | 紫外線で電流制御する光スイッチ | NEC 電通大 | 日経産業新聞 (1994年8月24日PP.5) | 光スイッチ | 240 |
| 1994年 5月号 | 高耐熱性EOポリマー | 富士通 | 日刊工業新聞 (1994年3月11日PP.5) | 有機EOポリマ 光スイッチ 120℃耐熱 | 140 240 100 |
| 1994年 4月号 | 超高速ピコ秒光スイッチ | 筑波大 | 日刊工業新聞 (1994年2月9日PP.5) | 光スイッチ 多重井戸量子構造 | 240 |
| 1994年 3月号 | 1テラビットの超高速半導体全光スイッチ | NEC | 電波新聞 (1994年1月13日PP.1) 日経産業新聞 (1994年1月13日PP.5) 日刊工業新聞 (1994年1月13日PP.7) 日本工業新聞 (1994年1月13日PP.7) | 光スイッチ 1Tb | 240 |
| 1993年11月号 | 光スイッチ用新半導体材料 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1993年9月2日PP.1) | 超高速スイッチング トンネル効果 光スイッチ材料 トンネル双量子井戸 スイッチ速度1〜2ps 応答速度1000倍 | 240 120 |
| 1993年 9月号 | 磁気光学方式2×2光スイッチ -240μsの高速切替- | 富士電気化学 | 電波新聞 (1993年7月7日PP.7) | 光スイッチ 磁気光学方式 | 220 240 |
| 1993年 9月号 | 光スイッチ集積回路 -光信号の漏れ10万分の1- | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1993年7月2日PP.5) | 光スイッチ 漏れ10万分の1 増幅器と単一基板 4入力4出力 | 240 |
| 1993年 8月号 | 光スイッチ | NTT | 電波新聞 (1993年6月25日PP.2) 日経産業新聞 (1993年6月25日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年6月25日PP.11) | 光スイッチ 8(入力)×8(出力) 10cm角 従来比1/10 光ファイバ | 240 |
| 1993年 7月号 | 非線形光学材料 -非線形特性が2倍に- | NTT | 日刊工業新聞 (1993年5月12日PP.6) | 非線形光学材料 非対称フタロシアニン 光スイッチ | 140 |
| 1993年 5月号 | インバータ型光双安定素子 | 豊田工大 | 日刊工業新聞 (1993年3月25日PP.6) 日本工業新聞 (1993年3月25日PP.16) | 光スイッチング 光双安定素子 エルビウムドープ YAG スイッチング速度100ps | 240 220 |
| 1993年 4月号 | 超高速光スイッチ | NEC | 日刊工業新聞 (1993年2月18日PP.5) | 光スイッチ 応答速度24ps B-ISDN | 240 220 |
| 1993年 1月号 | 高分子材料の光スイッチング素子 | ヘキストセラニーズ(米) | 日経産業新聞 (1992年11月26日PP.5) | 電圧制御 40GHz 高分子材料 光スイッチング素子 1〜40GHz | 220 240 |
| 1992年12月号 | 光スイッチ -動作毎秒200万回- | NTT | 日経産業新聞 (1992年10月26日PP.5) | 光スイッチ エキシトン吸収反射スイッチ(EARS) 200万回/s | 240 |
| 1992年11月号 | 光双安定素子 | 三菱電機 | 電波新聞 (1992年9月3日PP.2) 日経産業新聞 (1992年9月3日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年9月3日PP.7) 日本工業新聞 (1992年9月3日PP.15) | 光双安定素子 量子井戸構造 光スイッチング | 220 240 |
| 1992年 6月号 | オール光スイッチ | 日電 | 日刊工業新聞 (1992年4月2日PP.6) | 光スイッチ 応答速度100倍 800ps超高速スイッチ | 240 |
| 1991年11月号 | 量子井戸導波路型半導体スイッチ -どの偏光でもオンオフ- | 東大 | 日刊工業新聞 (1991年9月10日PP.7) | 量子とじ込めシュタルク効果 偏光無依存量子井戸導波路型半導体光スイッチ | 240 |
| 1991年11月号 | ホログラム型光スイッチ | NTT | 日刊工業新聞 (1991年9月5日PP.9) | 液晶型 4入力4出力 切替時間10ms以下 | 240 |
| 1991年10月号 | 光スイッチングシステム -光交換器で振り分け- | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1991年8月9日PP.5) | 光スイッチングシステム | 440 |
| 1991年 9月号 | 低い光エネルギーでスイッチング動作成功 | 日電 | 電波新聞 (1991年7月9日PP.1) 日経産業新聞 (1991年7月9日PP.5) 日刊工業新聞 (1991年7月9日PP.9) | 光電融合デバイス 光スイッチ 新素子 | 220 |
| 1991年 6月号 | 光トランジスタ -光電算機超高速化へ前進- | NTT | 日刊工業新聞 (1991年4月17日PP.1) 日経産業新聞 (1991年4月17日PP.5) | 論理素子 64b並列処理 3m2チップ上に64個のEARS(面型光スイッチング)素子を集積 光でXORなどの基本論理演算 応答速度20ns SW機能 増幅機能を持つ世界初の光素子 64b演算に成功 高速処理(×1000) 1000b 多重量子井戸構造 光トランジスタ 光コンピュー | 220 |
| 1990年12月号 | 2次元光スイッチングアレイ | 松下電器産業 | 日刊工業新聞 (1990年10月11日PP.0) | GaAs基板に光増幅機能を持つ4×4のSW 試作 オンオフ比10:1 目的:並列光伝送 処理 | 220 |