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パッケージ 関係の注目記事
学会誌に掲載された記事は青色で表示しています。

掲載
予定
題 目発表社情報源キーポイント 分類
番号
2009年12月号大きさ1/2のジャイロセンサエプソントヨコム日経産業新聞
(2009年9月11日PP.1)
3.2×2.5mm角
検出感度100°/sec
パッケージ内部で水晶を支える仕組みや振動方法を改良
210
2008年 9月号金使用量6割削減可能な半導体パッケージ新手法TOWA日経産業新聞
(2008年6月24日PP.1)
コンプレッションモールド法
液体状樹脂に半導体チップを浸して固める
配線ワイヤ直径16μm
260
2006年 6月号高解像度CMOSセンサ
-光で距離と画像を認識-
シャープ
静大
スズキ
電波新聞
(2006年3月24日PP.1)
日経産業新聞
(2006年3月24日PP.8)
日刊工業新聞
(2006年3月24日PP.12)
LED光源からの近赤外光が対象物で反射しセンサまでの光の飛行距離と光の速度から距離計算
信号電荷検出機能を集積化
TOF
OVGA
距離分解能パルス幅20nm距離1mで1cm
68ピンLCCパッケージ
210
220
320
2005年12月号電気を使わない小型液体レンズシンガポール素材工学研(IMRE)日経産業新聞
(2005年9月5日PP.2)
直径10μm〜10mm
1.5cm角以下にパッケージ
焦点距離3mm〜∞
10倍ズーム
液体への圧力レンズの形状を変化
310
260
2005年11月号半導体パッケージHMT三井ハイテック日経産業新聞
(2005年8月26日PP.1)
最大端子数304で大きさ12mm×12mm
チップと端子間を直接全線で接続
260
2005年 9月号携帯向け高歩留まり1.4mm厚の複合電子部品日本IBM
新潟精密
日経産業新聞
(2005年6月24日PP.1)
パッケージ・オン・パッケージ(PoP)技術
動作試験可能な基板を積層
電池スペース確保可能
260
220
2004年 7月号チップ積層密度1.7倍にSiPコンソーシアム日経産業新聞
(2004年4月13日PP.6)
チップ間に樹脂
パッケージ後厚さ1.2mmなら5枚のチップ積層可
チップオンワイヤ技術
260
2004年 4月号業界最多の9層積層MCP東芝日経産業新聞
(2004年1月22日)
チップ一枚70μm
パッケージの厚さは最薄で1.4mm
5種類のメモリーの組合せ可能
260
2006年 6月号高解像度CMOSセンサ
-光で距離と画像を認識-
シャープ
静大
スズキ
電波新聞
(2006年3月24日PP.1)
日経産業新聞
(2006年3月24日PP.8)
日刊工業新聞
(2006年3月24日PP.12)
LED光源からの近赤外光が対象物で反射しセンサまでの光の飛行距離と光の速度から距離計算
信号電荷検出機能を集積化
TOF
OVGA
距離分解能パルス幅20nm距離1mで1cm
68ピンLCCパッケージ
210
220
320
2002年 3月号4層構造のスタックドCSPシャープ日経産業新聞
(2001年12月19日PP.6)
64Mbと16Mbフラッシュメモリー+16Mbと4Mb SRAM
100μm/chip
パッケージサイズ8×11×厚さ1.4mm
230
260
2001年11月号複合メモリーシャープ日経産業新聞
(2001年8月27日PP.5)
フラッシュメモリーとRAMの一体化
64Mb フラッシュ×2と32Mb RAM×1をパッケージ
スタックドCSP
8mm×11mm
230
260
1999年 2月号トランジスタパッケージ
-最小の環境配慮型-
三洋電機日本経済新聞
(1998年12月11日PP.11)
チップサイズパッケージ
鉛使用量ゼロ
260
1998年 7月号メモリー実装に新技術
-4倍の高密度化可能-
日立製作所日経産業新聞
(1998年5月27日PP.9)
メモリー
実装技術
スライドパッケージ方式
230
260
1998年 2月号半導体の超小型パッケージ
-技術供与へ-
NEC日本経済新聞
(1997年12月5日PP.11)
チップとほぼ同等の大きさ
ワイヤボンドなし
実装面積1/9
重量1/31
260
1996年10月号ほぼチップサイズのLSI樹脂パッケージシャープ電波新聞
(1996年8月1日PP.5)
CSP260
1995年 9月号高熱伝導性の封止樹脂
-発熱の大きな大型ASICをプラスチックでパッケージ-
東芝日刊工業新聞
(1995年7月5日PP.7)
エポキシ樹脂+複合セラミック
4W/mケルビン
160
260
1994年12月号超小型ICパッケージ
-ICの面積1/4に-
松下電器産業
松下電子
日経産業新聞
(1994年10月3日PP.1)
小型ICパッケージ
スタッドバンプ方式
260
1994年 1月号両面チップIC三井ハイテック
米インテル
日経産業新聞
(1993年11月9日PP.1)
薄型IC製造技術
記憶容量2倍
DDTSOPパッケージ
フラッシュメモリー
リードフレーム
両面実装
220
260
230
1991年 2月号厚さ0.5mm実現のICパッケージ三菱電機日経産業新聞
(1991年1月4日PP.0)
220
1990年11月号ICパッケージ用超低融点ガラス日電硝子日刊工業新聞
日経産業新聞
(1990年9月18日PP.0)
360℃で融点160
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