Japanese only.
| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
| 2017年10月号 | シリコン・化合物半導体融合 により高性能光変調器作製 光通信大容量化に道 | NTT | 日刊工業新聞 (2017年7月19日PP.30) 日経産業新聞 (2017年7月21日PP.8) | インジウムリン系化合物半導体 従来比役10倍の変調効率 変調領域波 0.25nm 32Gbpsの変調性能 シリコンフォトニクス 光変調器 シリコン基板 小型化 | 240 |
| 2017年 5月号 | シリコンフォトニクス使用 省エネ光配線実 | 光電子融合基盤技術研究所 | 日刊工業新聞 (2017年2月23日PP.25) | シリコンフォトニクス 高速高密度光トランシーバ 25Gbpsで動作する高密度な光トランシーバ 量子ドットレーザ | 160 240 |
| 2016年 9月号 | 量子情報光チップに道 http://www.kyoto-u.ac.jp/ja/research/research_results/2016/160523_1.html | 京大 | 日刊工業新聞 (2016年5月20日PP.29) | フォトニック結晶 ナノ共振器 量子情報光チップ 光を数10ps以内に転送 | 120 220 |
| 2016年 6月号 | Q値 世界最高水準150万 光ナノ共振器大量作成 http://www.osakahu-u.ac.jp/info/publicity/release/2015/pr20160316.html | 大阪府大 産総研 | 日刊工業新聞 (2016年3月17日PP.27) | Q値150万 光ナノ共振器 フォトリソグラフィ法 大量作成 | 240 160 |
| 2016年 3月号 | ギガフォトン EUV光源で出力100W 24時間安定発光 メモリーなど 量産用EUVスキャナ実現へ前進 | ギガフォトン | 電波新聞 (2015年12月16日PP.3) | EUV光源 プラズマ 固体レーザ | 250 |
| 2016年 3月号 | 光ファイバ伝送量 世界記録を更新 1本当たりの光信号送受信 毎秒2.15ペタバイト達成 | NICT 住友電気工業 RAMフォトニクス LLC | 電波新聞 (2015年12月18日PP.4) | 光ファイバ伝送量 世界記録 毎秒2.15ペタバイト 22コア光ファイバ | 240 |
| 2016年 2月号 | 容量2テラバイトのディスク 2テラデータ長期保存 ホログラムメモリー開発 http://www.tus.ac.jp/today/20151105000.pdf | 理科大 三菱化学 大日本印刷 | 日経産業新聞 (2015年11月5日PP.8) 日刊工業新聞 (2015年11月5日PP.27) | 2TB ホログラムメモリー DVDの400倍の容量 30年以上の長期信頼性 フォトポリマーディスク DVDと同じサイズの透明ディスク | 230 430 |
| 2016年 1月号 | 光の振動変える半導体 | ナノフォトニクス工学推進機構 | 日経産業新聞 (2015年10月29日PP.8) | 進行方向に向かって一定方向だけ振動する光(直線偏光)の角度を変える半導体。高速液晶に応用 LCDの10倍以上高速 光の振動方向 | 250 120 |
| 2015年11月号 | 「フォトニック結晶ナノ光ファイバ」の二つの作製方法を開発 | 電通大 石原産業 | 日刊工業新聞 (2015年8月18日PP.17) | フェムト秒レーザを用いてナノファイバ自身に光共振器を形成 外部回折格子を接触させることで光共振器機能を組込む方法 光子機能を制御 | 240 260 |
| 2015年11月号 | 単一光子用い知的システム 意思決定を高効率化 http://www.nict.go.jp/press/2015/08/19-1.html http://www.nims.go.jp/news/press/2015/o8/20150819.html | 情通機構 物質・材料研究機構 | 日刊工業新聞 (2015年8月24日PP.24) | 単一光子を使って高効率に意思決定する知的フォトニックシステムを開発 | 420 |
| 2015年 9月号 | フォトレジスト技術でフルカラーOLEDを作成 | 富士フイﾙム IMEC(ベルギー) | 日刊工業新聞 (2015年6月3日PP.11) | サブミクロンサイズのパターン形成，パターニング材料やプロセスを改良，画素密度640ppi | 250 |
| 2015年 2月号 | 有機半導体表面での構造変化を初観測 http://www.kek.jp/ja/NewsRoom/Release/20141110100000/ | 阪大 東大 理研 KEK | 日刊工業新聞 (2014年11月21日PP.25) | KEKフォトンファクトリーの放射光で表面X線解析 伝導体ルブレン 非伝導体テトラセンを比較 後者では内部構造が表面と異なることを見出す | 120 660 |
| 2014年 8月号 | 低消費電力の光メモリーを開発 | NTT | 日本経済新聞 (2014年5月27日PP.15) | フォトニック結晶 光ナノ共振器 100bitを集積 | 120 230 |
| 2014年 7月号 | 透明・半透明フィルムのピンホールを検出する検査装置 | 浜松ホトニクス | 日経産業新聞 (2014年4月9日PP.13) | 最小50μmの微小穴検出 半導体レーザ光源とフォトダイオードによる検出部 検査速度600m/min | 360 |
| 2013年12月号 | フォトニック液晶レーザ | 浜ホト 京大 | 日刊工業新聞 (2013年9月27日PP.33) 日経産業新聞 (2013年9月27日PP.9) | 直径200μmの円形発光面 ビームの広がり角度1度未満 エムスクエア値1.1 | 250 |
| 2013年10月号 | Si材料で超小型レーザ | 大阪府立大 京大 JST | 日経産業新聞 (2013年7月12日PP.10) | フォトニック結晶 消費エネルギー1/10000 ラマン効果 | 250 |
| 2013年 9月号 | 小型・省エネ型ラマンシリコンレーザ | 大阪府大 京大 | 日刊工業新聞 (2013年6月27日PP.28) | フォトニック結晶 光共鳴装置 全光通信波長帯を利用可能 | 250 |
| 2013年 6月号 | 4波長Si集積レーザ | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2013年3月21日PP.13) | シリコンフォトニクス 反射ミラーによる波長選択 光増幅素子をSi上に0.5μmで貼り合わせた 波長間隔12±0.5nmの4波長を+5dBmで生成 | 240 |
| 2013年 3月号 | EUV利用のフォトマスク欠陥検査装置 | 東北大 EUVL基盤開発センター | 日経産業新聞 (2012年12月19日PP.7) | 13.5nm波長のEUV光 解析能力30nm 16nm世代パターン観察に適用可能 | 160 360 |
| 2013年 2月号 | 物体の3D情報即時記録・再生可能なホログラム材 | 青山学院大 | 日刊工業新聞 (2012年11月8日PP.22) | 高速フォトクロミック化合物 物体の3次元情報 ホログラム | 化合物 フィルム状 430 |
| 2012年 7月号 | Ge製量子ドットを使った発光デバイス | 東京都市大 | 日刊工業新聞 (2012年4月26日PP.24) | 通信波長帯で1500以上の高いQ値で発光 フォトニック結晶微小共振器をGe製の量子ドットと組み合わせ | 120 |
| 2012年 5月号 | 低消費電力で光通信を実現する光メモリー | NTT | 日経産業新聞 (2012年2月27日PP.11) | In | Ga製のフォトニック結晶を材料に使用 長さ10μm 動作に必要な電力30nW 40Gbpsで光信号を送信 一時保存と読出しが可能 220 240 |
| 2012年 2月号 | ナノ構造体を利用した高効率シリコン太陽電池 | 東北大 | 日経産業新聞 (2011年11月1日PP.10) | 基礎実験で変換効率が2%向上 量子ドットとフォトニック結晶を利用 ウェットエッチング | 250 |
| 2012年 2月号 | 応答速度100倍の近接覚センサ | 電通大 | 日刊工業新聞 (2011年11月16日PP.27) | 応答速度10μs フォトダイオード型フォトリフレクタ 光導電性モード6 | 210 |
| 2011年12月号 | 光インターコネクト用の超小型光源 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2011年9月16日PP.1) 日経産業新聞 (2011年9月20日PP.9) | シリコンフォトニクス光源 温度調節不要 長さ1mm 幅0.1mm(光源と光変調器合わせて) 光送受信器に載せる光源と光変調器の動作波長を自動的に一致させる機構 | 220 240 |
| 2011年10月号 | くし形電極で容量2倍以上のリチウムイオン二次電池 | 首都大学東京 東京応化工業 | 日刊工業新聞 (2011年7月7日PP.20) | 2×6mmで334μA/cm2 25μmの厚み 幅20μmの電極 負極にSn-Niの合金 | 正極にLiCoO2をフォトレジストを使って形成 250 |
| 2011年 6月号 | Si素子で小型光スイッチ | NEC | 日刊工業新聞 (2011年3月7日PP.20) | Siフォトニクス 800μm×60μmの光路切替素子 光合分波素子 素子の内部を局所的に加熱することで材料の屈折率を変更 130nmCMOSプロセス | 240 160 |
| 2011年 4月号 | 光子1個で変色する材料 | 奈良先端大 | 日刊工業新聞 (2011年1月10日PP.11) 日経産業新聞 (2011年1月12日PP.7) | チアゾリルベンゾチオフェン 光子1個で分子1個が反応 反応効率98% 光センサや記録材料向け フォトクロミック分子 | 130 |
| 2011年 4月号 | レアメタルを使わないReRAMの集積化技術 | 物材機構 | 日刊工業新聞 (2011年1月28日PP.30) | アルミニウム系材料のみで作製 フォトリソグラフィ デバイス構造はクロスバー方式 5〜100μm角で容量256ビット | 230 160 |
| 2011年 3月号 | フォトニック人工原子レーザ
-3次元結晶内で発振- | 東大 | 日刊工業新聞 (2010年12月20日PP.17) | 厚さ150nmのGaAsを25層積層 Q値は約4万 中心の層に面積約1.3μm2の欠陥共振器とInAs量子ドットを埋め込み | 140 |
| 2010年11月号 | 13fJ/bitで情報伝送可能な半導体レーザ | NTT | 日経産業新聞 (2010年8月3日PP.11) 日刊工業新聞 (2010年8月2日PP.19) | フォトニック結晶 既存の約1/20のエネルギー | 250 |
| 2010年 8月号 | 消費エネルギー1/200の光スイッチ | NTT | 日経産業新聞 (2010年5月3日PP.6) | フォトニック結晶 中核部品の幅0.5μm 420アトジュール | 340 440 |
| 2010年 8月号 | 発光効率100%に近づける緑色LED | 京大 | 日本経済新聞 (2010年5月24日PP.13) | フォトニック結晶 InGaN 波長500nm 効率従来比2〜3倍 | 250 120 |
| 2010年 5月号 | 2GHz動作の単一光子検出器 | 日大 | 日刊工業新聞 (2010年2月12日PP.1) | なだれフォトダイオード(APD) 約一万倍の電子増幅率で検出成功 | 210 320 |
| 2010年 5月号 | 人工原子1個でレーザ光を出す半導体 | 東大 | 日経産業新聞 (2010年2月22日PP.10) 日刊工業新聞 (2010年2月16日PP.22) | 直径100nmの穴を10個開けた厚さ160nmのGaAs半導体薄膜 中央に直径20〜25nm厚さ2〜3nmのInAsの人工原子を埋め込む 波長917nm フォトニック結晶体 ナノ共振器 | 120 250 240 |
| 2010年 4月号 | CNTの電気特性測定技術 | 九大 | 日経産業新聞 (2010年1月26日PP.11) | エネルギー準位 バンドギャップ フォトルミネッセンス | 120 660 |
| 2010年 2月号 | LSI内1チップ光配線 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2009年11月10日PP.25) | 消費電力1/10 長さ600μmのレーザ光源部品 幅450nmのSi光導波路 受光素子の大きさ1/5 光源と導波路間の光結合効率60%以上 オンチップフォトニクス | 220 |
| 2009年10月号 | 表面部に光を蓄積する3次元フォトニック結晶 | 京大 | 日経産業新聞 (2009年7月16日PP.14) | ガリウムヒ素の格子を8層積層 光の蓄積時間10ps | 120 |
| 2009年 7月号 | 光閉じ込め能力4倍の3次元フォトニック結晶 | 東大 | 日経産業新聞 (2009年4月27日PP.13) | くしの歯状に切り込みを入れた厚さ200nmの半導体の板を25層積層 縦横約10μm 波長1.3μmでQ値従来比約4倍 | 120 250 |
| 2009年 2月号 | 光信号を1/170に減速したスローライト新構造 | NTT | 日刊工業新聞 (2008年11月24日PP.14) 日経産業新聞 (2008年11月25日PP.11) | フォトニック結晶 結晶中に数nmレベルで穴を正確に配置 0.1μm3の微小な共振器 | 120 160 |
| 2009年 1月号 | 効率10倍の光子制御技術
-量子ドット埋め込み3次元フォトニック結晶発光- | 東大 | 日刊工業新聞 (2008年10月6日PP.20) 日経産業新聞 (2008年10月9日PP.11) | 膜を17層重ねた約10μm角の立方体形状 高さ5μmのフォトニック結晶 10nm四方の量子ドット 約200nmのGaAs半導体膜を交互に重畳 1.5μmで発光する量子ドットを埋めた膜を挟む GaAsSb Q値2300 | 120 250 |
| 2009年 1月号 | テラヘルツ波受信機 | 産総研 NTT | 日経産業新聞 (2008年10月21日PP.11) | 200〜500GHzのテラヘルツ波を受信 化合物半導体を使ったフォトダイオード 超電導電極 | 340 |
| 2009年 1月号 | 量子暗号鍵を最速で配信 | 東芝 | 日経産業新聞 (2008年10月21日PP.23) | アバランシェフォトダイオード(APD)を単一光子検出器に使用 動作周波数従来比約100倍 20kmを1.02Mbpsで鍵配送100kmを10.1kbps 自己差分型 | 210 320 340 440 |
| 2009年 1月号 | 原子レベルの物体の位置を測定可能な小型センサ | 日立 | 日経産業新聞 (2008年10月27日PP.11) | 40pmの測定精度 縦5cm・横2cm・高さ1.4cmの箱型センサ レーザ光 フォトニック結晶 | 210 320 660 |
| 2008年12月号 | 大きさ1/1000の光スイッチ | NEC | 日経産業新聞 (2008年9月24日PP.11) | 消費電力1/10 フォトニック結晶 光の屈折率を制御 小さな円柱が無数に並んだ構造 縦横20μmの素子 | 120 240 |
| 2008年12月号 | 線幅10μmまでの微細化スクリーン印刷法 | 大阪府立大 新中村化学工業 中沼アートスクリーン 和歌山県工業技術センター | 日経産業新聞 (2008年9月26日PP.9) | プラスチック基板上に線幅13μm アクリル系高分子フォトレジスト材料 波長365nm 254nmの光を照射 | 160 |
| 2008年11月号 | 超高密度で記録可能な色素材料 | 奈良先端大 | 日経産業新聞 (2008年8月5日PP.11) | ポルフィリン フォトクロミック分子 光ディスク1枚でテラバイト級の記憶容量 がん治療への応用 2光子吸収 波長800nmのレーザを照射 40000倍の効率で光を吸収 | 120 230 |
| 2008年 9月号 | 裸眼立体ライブ映像システム | 日立 東大 | 電波新聞 (2008年6月3日PP.2) | リアルタイム 生放送 自由視点映像合成技術 64台カメラ搭載可搬型カメラアレイシステム インテグラルフォトグラフィ インテグラルビデオグラフィ 60視点映像 LCD上にマイクロレンズアレイ | 540 450 310 |
| 2008年 8月号 | フォトニック結晶を用いた光ビットメモリー | NTT | 電波新聞 (2008年5月8日PP.5) | 最長150nsのメモリー持続時間 InGaAsP バイアス光パワーが最低40μW 結晶の厚さが200nm 直径200nmの空気穴を420nmの周期で三角格子状に配置 | 120 230 |
| 2008年 3月号 | GaNフォトニック結晶面発光レーザ -青紫色領域で発振- | 京大 JST | 日経産業新聞 (2007年12月21日PP.11) 日刊工業新聞 (2007年12月21日PP.22) | 再成長空気孔形成法 波長406nm 素子内部に直径85nm 深さ100nmの微小な空洞を186nm間隔で配置 | 160 250 |
| 2008年 3月号 | 最新の光変調器 | 米IBM | 電波新聞 (2007年12月11日PP.3) | マッハツェンダ光変調器 大きさ1/100〜1/1000 電気信号の代わりに光パルスを使用 シリコンナノフォトニック導波管 | 220 |
| 2007年11月号 | 光を2ns閉じ込め | 京大 JST | 日刊工業新聞 (2007年8月2日PP.22) | 厚さ250nm Si 直径100nmの空孔 屈折率の差により共振 波長1.5μmの光 フォトニック結晶 | 240 |
| 2007年10月号 | 幅50nmの複数線を同時に描画する並列走査型装置 | 立命館大 兵庫県立大 ユニソク 住友精密工業 JST | 日刊工業新聞 (2007年7月12日PP.20) | フォトレジスト Si基板 並列走査型プローブ ナノライティング装置 Si酸化膜を作製 エッチング 20〜60本を並列に配置 | 160 |
| 2007年 7月号 | Siを用いた1/100サイズの光スイッチ | NEC | 日経産業新聞 (2007年4月12日PP.1) | 光スイッチサイズ縦0.2mm横0.12mm シリコンナノフォトニクス 光の分岐点の角度をミクロン単位に鋭角化 | 140 240 |
| 2007年 7月号 | 大型有機EL量産技術 | ソニー | 日経産業新聞 (2007年4月13日PP.3) | 40型も量産可能 アモルファスSiをベースとしたマイクロSiTFT シリコンナノフォトニクス | 250 |
| 2007年 4月号 | LSI間の10Gbps光通信 | 先端フォトニクス | 日経産業新聞 (2007年1月18日PP.1) | GaAs製レーザ 直径50μm程度の光伝送路 電気配線の3倍のレート | 240 340 |
| 2007年 3月号 | 1ns間光を閉じ込める新共振器構造 | NTT | 日刊工業新聞 (2006年12月25日PP.15) | フォトニック結晶 導波路の幅を変調 直径200nm程度の穴を三角格子状に配列 穴の位置を局所的に3〜9nm移動 Q値120万 | 160 240 |
| 2007年 1月号 | 不要発光量を94%抑制したレーザ発振源 | 京大 JST | 日刊工業新聞 (2006年10月13日PP.28) | GaAsの2次元フォトニック結晶 結晶中の発光中心に100〜200の量子ドットを導入 | 250 260 |
| 2006年 9月号 | 半導体レーザのビーム形状を自在に制御 | 京大 ローム JST | 日刊工業新聞 (2006年6月22日PP.34) 日経産業新聞 (2006年6月22日PP.11) | 2次元フォトニック結晶 レーザ共振器の構造を制御して光分布を変化 格子点や格子間隔を変化 現在の数十倍の記録容量を持つ光ディスクの光源に利用可能 光ピンセットに応用可能 | 120 160 250 |
| 2006年 6月号 | CNT素子の新作成法 -電流変動1/1000- | 阪大 産総研 JST | 日刊工業新聞 (2006年3月1日PP.25) 電波新聞 (2006年3月14日PP.6) | CNTトランジスタ 電流の変動0.01% フォトレジストを改善 4μmの電極間に直径1.5nmのCNT CNTをSiN膜で保護 不純物を一切つけない新しいプロセスの開発 | 160 220 |
| 2006年 6月号 | 再構成可能な光合分波器 -フォトニック結晶で実現- | 東大 NEC | 日刊工業新聞 (2006年3月29日PP.37) | 波長を変えて光経路を切替え R-OADM PCの対応波長幅約10nm 埋込みSOI基板のSi層に周期的に孔 | 160 240 |
| 2006年 5月号 | 回路線幅29.9nmパターン生成 -深紫外線光リソグラフィ- | 米IBM JSR | 電波新聞 (2006年2月22日PP.3) 日経産業新聞 (2006年2月22日PP.3) | DUV193nm 光屈折率液侵技術 石英レンズや有機液体などの新素材 EUV(極紫外線)でなくArF対応ステッパの継続使用可能 独自開発のフォトレジスト | 120 160 |
| 2006年 5月号 | 電界集中効果2割増のCNT束エミッタ -ランプやディスプレイなど多用途- | 高知工科大 大阪大 ソナック | 日刊工業新聞 (2006年2月24日PP.29) | しきい電界強度0.4〜3V/μm 直径50μm 高さ125μm 個々のCNTの直径9nm フォトエッチング法 CVD法 | 160 250 |
| 2006年 4月号 | 光で分子構造が変化する物質を利用した大容量記録材料 ―書き込み・読み出し 3次元で可能に | 九大 | 日経産業新聞 (2006年1月4日PP.11) | ジアリールエテン フォトクロミック分子 紫外線で蛍光オフ 可視光で蛍光オン | 120 130 |
| 2006年 2月号 | 新イメージセンサSMPD | 韓国電子技術研 | 電波新聞 (2005年11月25日PP.3) | 単一キャリヤ変調フォトデテクタ 180nmプロセス技術 | 160 210 |
| 2005年 8月号 | 発光効率4〜5倍のLED -フォトニック結晶を導入し 不要な発光を禁止- | 京大 JST | 日刊工業新聞 (2005年5月27日PP.37) 日経産業新聞 (2005年5月27日PP.6) 読売新聞 (2005年5月27日PP.38) | 基本原理を実証 半導体に微細な周期構造 200nm厚のInGaAsP板に390〜480nm間隔の穴 特定の波長(バンドギャップ波長)の光を禁止する性質 エネルギー再配分 | 250 160 |
| 2005年 7月号 | 液晶で光ダイオード -レーザ発振にも成功- | 東工大 | 日刊工業新聞 (2005年4月25日PP.26) | 色素1%混ぜてレーザ発振 フォトニック結晶構造 コレステリック液晶でネマチック液晶を挟むヘテロ構造液晶 | 120 160 250 |
| 2005年 6月号 | 非線形光学効果を増大 -フォトニック結晶制御で観測- | 理研 東工大 | 日刊工業新聞 (2005年3月24日PP.31) | Tbクラス全光制御型光スイッチ素子 極端に遅い光の群速度を人工的に作り出す 光学ポリマー 金属クラッド | 140 240 |
| 2005年 5月号 | 2.0μm角画素サイズのMOSイメージセンサ 13とあわせて一件に | 松下電器 | 電波新聞 (2005年2月9日PP.1) | 0.15μmルール微細配線 4画素で1個検出アンプ回路 パルス電源方式 フォトダイオード面積比率30% 消費電力20mW 3400電子/lx・秒 1/4型200万画素 | 160 210 |
| 2005年 5月号 | 人体表面を伝送路に -触るだけで情報獲得- http://www.redtacton.com | NTT | 日刊工業新聞 (2005年2月21日PP.19) | ヒューマンエリアネットワーク レッドタクトン フォトニック電界センサ 体の任意の間で最大10Mbps高速双方向通信 | 140 440 620 540 |
| 2005年 1月号 | 空間光変調器 -磁気光学を利用し10倍の高速動作- | 豊橋技科大 | 日刊工業新聞 (2004年10月1日PP.31) | SLM MOSLM ファラデー効果 磁性フォトニック結晶 YIG | 240 340 250 |
| 2004年12月号 | 光の反射・屈折の法則修正促す現象発見 -反射・屈折光が横っ飛びも- | 産総研 東大 | 日刊工業新聞 (2004年9月9日PP.29) 朝日新聞 (2004年9月9日PP.3) | 「光のホール効果」 フォトニック結晶 偏光の自由度を考慮 屈折光・反射光の平面は入射光の平面からずれる スピン 電磁波と光子の二重性 ずれは波長程度 | 600 |
| 2004年11月号 | 超小型で省電力の光スイッチ | NEC | 日経産業新聞 (2004年8月20日PP.8) | フォトニック結晶 面積比で約1/100〜1/1000 サイズ80μm×50μm | 240 |
| 2004年 9月号 | 世界初のフォトニック結晶 | 京大 | 朝日新聞 (2004年6月4日PP.3) | 半導体の発光を制御 GaAs半導体棒を0.7μm間隔で並べ井桁状に重ねる 間隔の2倍の波長発光が1/100 | 160 240 |
| 2004年 6月号 | GaAs系フォトニック結晶 -1cm規模で超低損失- | FESTA | 日刊工業新聞 (2004年3月10日PP.25) | 0.7dB/1mmの超低損失 マトリクススイッチ大規模化 光通信用1.3μmのPC導波路 | 140 |
| 2004年 5月号 | MOSイメージセンサ -世界初の1/4型200万画素- | 松下電器 | 電波新聞 (2004年2月16日PP.1) | 画素サイズ2.25μm 1/4型200万画素 4画素共有トランジスタ構造 非対称電界フォトダイオード 並列共通配線構造 | 210 |
| 2004年 4月号 | 電磁波を蓄える「宝箱」 | 信州大 阪大物質・材料研究機構 | 朝日新聞 (2004年1月7日PP.1) | フォトニックフラクタル 光池 電磁波の残留時間0.1μsはフォトニック結晶に比べ数倍 27mm角のエポキシ樹脂 酸化チタン系の微粒子 | 120 250 |
| 2004年 3月号 | 伝送速度100倍以上の光ファイバ -空洞を設け波長拡大- | NTT | 日経産業新聞 (2003年12月18日PP.9) 日刊工業新聞 (2003年12月18日PP.29) | フォトニック結晶型ホーリーファイバ 1ペタbps 円形や6角形状の穴 光波長0.7〜1.7μm 1kmあたり損失0.28dB | 240 |
| 2004年 3月号 | 有機材料の発光効率を50%高める新技術 | パイオニア ローム 京大 | 日経産業新聞 (2003年12月25日PP.9) | ITOフォトニック結晶 300nm間隔で深さ60nmの穴 | 160 250 150 |
| 2004年 1月号 | 点欠陥式の光共振器 -フォトニック結晶で光閉じこめ- | 京大 住友電工 | 日刊工業新聞 (2003年10月30日PP.29) | 光閉じ込め効果100倍(従来比) Q値4500ポイント | 160 240 |
| 2004年 1月号 | 新構造光通信用変調器 | NTTフォトニクス研 | 日経産業新聞 (2003年10月31日PP.9) | 基幹光通信用素子 光導波路で光と電気信号を合流させて光変調 40Gbpsの動作を確認 | 240 |
| 2003年 8月号 | 小型で安価な光スイッチ
―1:128分岐が可能― | NTTフォトニスク研 | 日経産業新聞 (2003年5月2日PP.5) | 光ルータ用 Si基板上にガラス製の導波路を形成 大きさ従来比1/4 | 240 340 |
| 2003年 8月号 | 解像度高める有機EL新製法 | 大日本印刷 | 日経産業新聞 (2003年5月23日PP.6) 日刊工業新聞 (2003年5月23日PP.13) 電波新聞 (2003年5月23日PP.2) | フォトリソ法 フルカラー用 | 160 250 |
| 2003年 7月号 | 光通信に新素子 | フェムト秒テクノロジー研究機構 | 日経産業新聞 (2003年4月4日PP.9) | フォトニック結晶 光通信 光信号分岐・結合 | 240 |
| 2007年 3月号 | 1ns間光を閉じ込める新共振器構造 | NTT | 日刊工業新聞 (2006年12月25日PP.15) | フォトニック結晶 導波路の幅を変調 直径200nm程度の穴を三角格子状に配列 穴の位置を局所的に3〜9nm移動 Q値120万 | 160 240 |
| 2007年 1月号 | 不要発光量を94%抑制したレーザ発振源 | 京大 JST | 日刊工業新聞 (2006年10月13日PP.28) | GaAsの2次元フォトニック結晶 結晶中の発光中心に100〜200の量子ドットを導入 | 250 260 |
| 2006年 9月号 | 半導体レーザのビーム形状を自在に制御 | 京大 ローム JST | 日刊工業新聞 (2006年6月22日PP.34) 日経産業新聞 (2006年6月22日PP.11) | 2次元フォトニック結晶 レーザ共振器の構造を制御して光分布を変化 格子点や格子間隔を変化 現在の数十倍の記録容量を持つ光ディスクの光源に利用可能 光ピンセットに応用可能 | 120 160 250 |
| 2006年 6月号 | CNT素子の新作成法 -電流変動1/1000- | 阪大 産総研 JST | 日刊工業新聞 (2006年3月1日PP.25) 電波新聞 (2006年3月14日PP.6) | CNTトランジスタ 電流の変動0.01% フォトレジストを改善 4μmの電極間に直径1.5nmのCNT CNTをSiN膜で保護 不純物を一切つけない新しいプロセスの開発 | 160 220 |
| 2006年 6月号 | 再構成可能な光合分波器 -フォトニック結晶で実現- | 東大 NEC | 日刊工業新聞 (2006年3月29日PP.37) | 波長を変えて光経路を切替え R-OADM PCの対応波長幅約10nm 埋込みSOI基板のSi層に周期的に孔 | 160 240 |
| 2006年 5月号 | 回路線幅29.9nmパターン生成 -深紫外線光リソグラフィ- | 米IBM JSR | 電波新聞 (2006年2月22日PP.3) 日経産業新聞 (2006年2月22日PP.3) | DUV193nm 光屈折率液侵技術 石英レンズや有機液体などの新素材 EUV(極紫外線)でなくArF対応ステッパの継続使用可能 独自開発のフォトレジスト | 120 160 |
| 2006年 5月号 | 電界集中効果2割増のCNT束エミッタ -ランプやディスプレイなど多用途- | 高知工科大 大阪大 ソナック | 日刊工業新聞 (2006年2月24日PP.29) | しきい電界強度0.4〜3V/μm 直径50μm 高さ125μm 個々のCNTの直径9nm フォトエッチング法 CVD法 | 160 250 |
| 2006年 4月号 | 光で分子構造が変化する物質を利用した大容量記録材料 ―書き込み・読み出し 3次元で可能に | 九大 | 日経産業新聞 (2006年1月4日PP.11) | ジアリールエテン フォトクロミック分子 紫外線で蛍光オフ 可視光で蛍光オン | 120 130 |
| 2003年 6月号 | 高速光通信用全波長帯域受光素子 -動画伝送容易に- | 横河電機 | 日刊工業新聞 (2003年3月25日PP.1) | 全波長帯域(1.565〜1.625μm) L&Uバンド フォトダイオード | 210 240 |
| 2003年 4月号 | フォトニック結晶の光コントロール手法 | KAST 東大 | 日刊工業新聞 (2003年1月27日PP.5) | シリカ 逆オパール構造 光反応性アゾ化合物と液晶を封入 | 150 250 |
| 2003年 3月号 | 光触媒リソグラフィ法 -解像度100倍- | 東大 大日本印刷 | 日刊工業新聞 (2002年12月4日PP.5) | 線幅5μm 光触媒とフォトマスクを一体化 レジスト不要 | 160 |
| 2003年 3月号 | 単一分子光メモリー -DVDの100万倍の記録密度- | JST | 日刊工業新聞 (2002年12月19日PP.4) 日経産業新聞 (2002年12月25日PP.10) | ジアリールエテン フォトクロミック分子 | 130 |
| 2003年 3月号 | 膵臓ガン診断システム -早期発見に道- | 慶応大 | 日本経済新聞 (2002年12月27日PP.13) | 診断システム 波長630nmのレーザ 圧電素子 フォトフリン 治療も可 | 660 |
| 2003年 2月号 | 光で結晶変化する分子 -新記録材料に- | 九大 | 日刊工業新聞 (2002年11月14日PP.5) | ジアリールエテン分子 フォトクロミック材料 3次元光メモリー 数十nm単位の有機化合物 | 120 130 |
| 2002年12月号 | 10Gbps動作の発光・受光素子 | 日立 | 電波新聞 (2002年9月6日PP.2) | 85℃ 5000時間越す安定動作 InGaAlAs埋込みヘテロ型半導体レーザ InAlAsメサ型アバランシェフォトダイオード | 210 240 250 |
| 2002年12月号 | ハイビジョン映像を光無線で伝送 | 日本ビクター | 日経産業新聞 (2002年9月25日PP.11) 日刊工業新聞 (2002年9月25日PP.3) | レーザフォトダイオード アバランシェフォトダイオード アイセーフ光学系 1.25Gbps 最長10m伝送 | 340 |
| 2002年11月号 | ナノ応用光通信素子 -4大学と産学共同開発- | NEC 富士通 KDDI 東大等 | 日経産業新聞 (2002年8月19日PP.9) | フォトニックネットワーク 配線面積が現在の1/1000 WDM用 | 160 240 |
| 2002年 8月号 | 基板上に微細構造 | NTT 通信総研 早大 東北大 | 日経産業新聞 (2002年5月9日PP.8) | フォトニック結晶 InP基板 Si-SiO2多重層 | 140 |
| 2002年 4月号 | 光の速度を1/100に -人工結晶使い成功- | NTT | 日本経済新聞 (2002年1月28日PP.25) | フォトニック結晶 超小型光スイッチ用 Si結晶 直径200nm深さ200nmの周期的な穴 260nm幅の導波路 | 140 240 |
| 2002年 2月号 | フォトニック結晶 -簡単・安価に作製- | NEC北米研究所 | 日刊工業新聞 (2001年11月16日PP.6) | 球形の合成オパール(シリカ) シリコンウェハ上に作製 Siのみで光IC | 160 |
| 2001年10月号 | 新型露光装置 -フォトマスクを使わずに露光- | ソニー 熊本大 | 日経産業新聞 (2001年7月24日PP.1) | パターン幅5μm 突装基板露光装置 | 160 |
| 2000年12月号 | 光捕獲技術 -光信号を分離・合流- | 京大 | 日経産業新聞 (2000年10月5日PP.1) 日刊工業新聞 (2000年10月5日PP.6) | WDM 光結晶 導波路 点欠陥 波長多重用合分波器 2次元フォトニック結晶 | 240 |
| 2000年 9月号 | 3次元フォトニック結晶 -光通信帯で完全特性- | 京大 電総研 | 日刊工業新聞 (2000年7月21日PP.5) | 3次元フォトニック結晶 40dB以上の光禁止帯効果 90℃曲がり導波路 低温融着 | 240 |
| 2000年 9月号 | 電源不要装置 -光を無線信号に変換- | NTT | 日経産業新聞 (2000年7月13日PP.9) | 光信号 フォトダイオード 光マイクロ波変換装置 サイズ5×2×1cm 5.8GHz帯のマイクロ波 伝送速度20Mbps フォトダイオードとアンテナ | 340 440 |
| 2000年 8月号 | テラビット級ネットワーク -2001年めどに開発- | 郵政省 | 日刊工業新聞 (2000年6月16日PP.2) | 120Tbps 「フォトニックネットワークの研究開発の在り方に関する調査研究会」 | 540 |
| 2000年 5月号 | 120°の曲がり導波路 | NEC | 日刊工業新聞 (2000年3月8日PP.7) | フォトニック結晶 小形導波路 光回路 | 240 160 |
| 2000年 4月号 | 光で学習・情報処理するニューラルネットワーク | 工技院物質工学技研 | 日経産業新聞 (2000年2月17日PP.5) | 光信号 ニューラルネットワーク フォトクロミック材料 ジアリールエテン色素 紫外線 光コンピュータシステム シミュレーション確認 | 520 120 |
| 2000年 3月号 | 実時間ホログラフィ用1次元光学結晶 | 筑波大 | 日刊工業新聞 (2000年1月20日PP.6) | フォトニック結晶 半導体量子ビット セレン化カドミウム 非線形光学材料 酸化Si 酸化チタン 欠陥層 | 120 |
| 2000年 2月号 | CCD画質のCMOSセンサ | 東芝 | 日本工業新聞 (1999年12月6日PP.6) | CMOSイメージセンサ 埋込みフォトダイオード構造 ノイズ1/6 ワンチップ化 | 210 220 |
| 2000年 1月号 | CMOSを利用したイメージセンサ -映像から動く物体検出- | NEC | 日経産業新聞 (1999年11月12日PP.5) | CMOSイメージセンサ 物体検出回路 フォトダイオード 画素間に動体検出回路 36,864画素 | 210 |
| 2000年 1月号 | 近赤外波長帯域計測 -初の単一素子- | 工技院 | 日刊工業新聞 (1999年11月8日PP.1) | 微量ガス高感度濃度測定 InGaAsフォトダイオード 0.8〜2.5μm | 210 |
| 1999年 6月号 | 有機フォトクロミックを用いた光ニューラルネット | 物質研 | 日刊工業新聞 (1999年4月26日PP.11) | ジアル ルエテル系色素 可逆的光学異性化特性 連想記憶 | 120 520 |
| 1999年 6月号 | 面発光半導体レーザ -フォトニック結晶で製作- | 京大 | 日刊工業新聞 (1999年4月1日PP.6) | 2次元ホトニック結晶 InP半導体レーザ ビーム角1.8° 面発光半導体レーザ 室温パルス発振 | 240 250 |
| 1999年 5月号 | フォトニクス結晶で導波路 | 横浜国大 | 日刊工業新聞 (1999年3月30日PP.7) | フォトニクス結晶 導波路 | 140 240 |
| 1999年 4月号 | 有機フォトミクロンを用いた光ニューラルネット | 物質研 | 日刊工業新聞 (1999年2月26日PP.11) | ジアルルエテル系色素 可逆的光学異性化特性 連想記憶 | 120 420 |
| 1998年11月号 | DRAMを越える新メモリー-MRAM- | 東芝 | 日本経済新聞 (1998年9月19日PP.11) | 固体磁気メモリー MRAM 大容量 高速読出し アルミナ絶縁層 PtCo合金 強磁性二重トンネル接合 フォトリソグラフィ 読出し速度6ns 不揮発性メモリー | 230 |
| 1998年11月号 | 光通信用の光学部品1/100に小型化 -スーパプリズム効果実現- | NEC | 電波新聞 (1998年9月10日PP.2) 日経産業新聞 (1998年9月10日PP.5) 日刊工業新聞 (1998年9月10日PP.5) | スーパプリズム効果 光学材料 DVD 光進路変化 フォトニック結晶 | 240 120 |
| 1997年12月号 | 新感光性樹脂 -微細加工可能に- | 東芝 | 日経産業新聞 (1997年10月3日PP.5) | フォトレジスト 1Gb級LSI | 160 |
| 1997年11月号 | 全光スイッチ -ナノ秒でオンオフ- | 静岡大 | 日刊工業新聞 (1997年9月5日PP.7) | 光スイッチ フォトクロミック色素 | 120 240 |
| 1997年10月号 | 記録用新光学材料 | 東芝 | 日本経済新聞 (1997年8月4日PP.19) | ホログラム フォトリフラクティブ材料 ガラス基板に塗布 理論的には50Tb/cm3 フラーレン | 130 |
| 1997年 7月号 | 光効率5〜10倍のLCD | 英スクリーンテクノロジー | 電波新聞 (1997年5月27日PP.3) | フォトルミネッセントLCD 液晶光変調パネル 蛍光体スクリーン 紫外線バックライト | 250 |
| 1997年 4月号 | 有機分子結晶に光で字を書込む技術 | 九大 | 日経産業新聞 (1997年2月5日PP.5) | ジチエニルエチル 線幅10μm フォトクロミック材料 フォトクロミック 単結晶 | 130 |
| 1996年 9月号 | 大画面で立体静止画像 | 日鉄エレックス | 日経産業新聞 (1996年7月19日PP.11) | ピンホール メガネなし ピンホール型インテグラル フォトグラフィ 眼鏡不要 | 450 |
| 1996年 7月号 | 次世代高速通信向け受光素子-光電変換効率90%- | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1996年5月24日PP.5) | フォトダイオード 効率90% 半導体受光素子 光通信 | 210 |
| 1996年 4月号 | 感度3倍の受光素子 -10Gbps級の超高速光通信用- | NEC | 電波新聞 (1996年2月21日PP.6) 日経産業新聞 (1996年2月21日PP.5) 日刊工業新聞 (1996年2月21日PP.5) | 超格子構造 アバランシェフォトダイオード | 210 |
| 1996年 4月号 | 新写真システム | コダック 富士フイルム ニコン ミノルタ 京セラ | 日経産業新聞 (1996年2月2日PP.28) 日本経済新聞 (1996年2月2日PP.15) | アドバンスト フォト システム APS 幅24mm | 130 530 |
| 1995年11月号 | ディジタルフォトシステム -写真画像をMDに記録- | コニカ | 日経産業新聞 (1995年9月12日PP.11) 日刊工業新聞 (1995年9月12日PP.10) | 電子スチルカメラ MD 電子写真システム | 310 330 320 |
| 1995年11月号 | 新液晶材料 -光駆動で高速応答- | 東工大 | 日本工業新聞 (1995年9月5日PP.9) | アゾベンゼン(フォトクロミック化合物) 液晶材料 | 150 |
| 1995年 7月号 | 分子メス -実現に道- | 千葉大 | 日経産業新聞 (1995年5月11日PP.5) | 分子メス ハードフォトン | 160 |
| 1994年 9月号 | 高速作動受光素子 -高効率のフォトダイオード- | NTT | 日経産業新聞 (1994年7月13日PP.5) 日刊工業新聞 (1994年7月13日PP.7) 日本工業新聞 (1994年7月13日PP.7) | 受光素子 110Gbps フォトダイオード 超高速光信号 導波路型 二重コア構造 高効率 光電変換 110GHz/50% 50GHz/80% | 210 240 |
| 1994年 5月号 | フォトクロミック有機薄膜 -記録する点，直径0.2μmに- | 九大 | 日経産業新聞 (1994年3月28日PP.5) | 光ディスク用有機薄膜 0.2μm(面積1/16に) | 130 |
| 1993年 4月号 | 信号増幅型受光素子 | NEC | 日経産業新聞 (1993年2月8日PP.4) | アバランシェ フォトダイドード 16GHz 増幅率8倍 受光素子 超格子構造 APD 超高速光通信 感度2倍 電圧1/3 | 210 240 440 |
| 1992年12月号 | 光多重記録媒体 | 松下電器産業 | 日刊工業新聞 (1992年10月24日PP.1) | 波長の異なる5本のレーザ 記録現行の10倍 フォトクロミズム | 230 130 |
| 1992年 6月号 | 0.075μmで加工できる感光樹脂 | 富士通研 | 日経産業新聞 (1992年4月7日PP.1) 日刊工業新聞 (1992年4月7日PP.6) | フォトレジスト 電子線描画 | 160 260 |
| 1992年 4月号 | 高密度光記録技術 -光で変色する新素材- | 東大 | 電波新聞 (1992年2月13日PP.3) 日経産業新聞 (1992年2月28日PP.4) | 高密度記憶素子 高密度光記録材料 フォトクロミズム現象 三酸化モリブデン | 230 130 |
| 1991年 9月号 | 毎秒4500枚の世界最高速ビデオカメラ | 近畿大 フォトロン | 日刊工業新聞 (1991年7月24日PP.8) 日経産業新聞 (1991年7月24日PP.5) 電波新聞 (1991年7月24日PP.2) 日経産業新聞 (1991年7月25日PP.8) 電波新聞 (1991年7月29日PP.8) | 白黒画 蛍光灯の明りで可 モノクロ 65000画素 4500コマ/秒 4000画素 45000コマ/秒 カメラ 4万コマ/秒を実現(従来は2000コマ/秒) ディジタル記録方式ハイスピードビデオカメラ 320MB半導体メモリー | 310 |
| 1991年 7月号 | 有機フォトクロミック材料 | 三洋電機 九大 | 日経産業新聞 (1991年5月30日PP.5) | 非破壊読出し ジアリールエデン誘導体 | 120 |
| 1991年 4月号 | 米粒大の光・電気変換装置 -微小機械の動力源に- | 東北学院大 | 日経産業新聞 (1991年2月5日PP.0) 日刊工業新聞 (1991年2月5日PP.0) | マイクロマシンの駆動力公電変換 フォトセル 多尺 薄膜トランス電極をSi基板上に一体形成 3.0mm×1.4mmの大きさ830mm 130mW光で510mV(1kl)の出力 変換効率5〜10% | 310 |
| 1990年12月号 | 光で論理演算に成功 | 理科大 東大 | 日刊工業新聞 (1990年10月11日PP.0) | フォトリフラクティブ結晶(チタン酸バリウム) 機能確認 3本ビームで3種の像を照射 明暗読み取り 6種の論理演算 | 220 |