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| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
| 2018年 3月号 | 精度99.93%達成 量子ビット演算シリコン利用 | 理研 | 日刊工業新聞 (2017年12月19日PP.28) | シリコン基板を用いた量子ドット素子 小型磁石 シリコン利用 100倍の演算速度と10倍の情報保持時間 | 420 120 320 |
| 2017年 9月号 | 量子ナノディスク作成 発光効率100倍に | 東北大 | 日刊工業新聞 (2017年6月22日PP.25) | 窒化物量子ドット発光ダイオード 直径5nmの窒化インジウムガリウムと窒化ガリウムの3次元構造を持つ量子ドット(量子ナノディスク) 発光効率100倍 直径5nmの窒化インジウムガリウムと窒化ガリウムの3次元構造を持つ量子ドット | 160 250 |
| 2017年 5月号 | シリコンフォトニクス使用 省エネ光配線実 | 光電子融合基盤技術研究所 | 日刊工業新聞 (2017年2月23日PP.25) | シリコンフォトニクス 高速高密度光トランシーバ 25Gbpsで動作する高密度な光トランシーバ 量子ドットレーザ | 160 240 |
| 2016年12月号 | 高精度量子ビットをシリコン半導体に実装 | 理研 | 日刊工業新聞 (2016年9月6日PP.23) | 単一量子ビット操作を従来比約100倍に高速化 ビット忠実度99.6% 半導体量子ドット中に閉じ込めた電子スピンを利用 | 120 |
| 2016年11月号 | 量子ドットレーザ開発 | 東大 | 日刊工業新聞 (2016年8月1日PP.17) | エバネッセント型 | 250 |
| 2016年 9月号 | 電子1個のスピン情報 長距離伝送で検出 | 東大 | 日刊工業新聞 (2016年5月31日PP.31) | 単一電子スピン 量子ドット 伝送 | 120 140 |
| 2016年 7月号 | 機械振動子に量子ドット組み込み 微細振動高感度検出 http://www.ntt.co.jp/news2016/1604/160411a.html | NTT | 日刊工業新聞 (2016年4月12日PP.23) | 量子ドット メカニカル振動子 ハイブリッド素子 力や磁気などの極限計測技術を量子限界にまで向上 | 210 |
| 2016年 7月号 | 機械振動子に量子ドット組み込み 微細振動高感度検出 http://www.ntt.co.jp/news2016/1604/160411a.html | NTT | 日刊工業新聞 (2016年4月12日PP.23) | 量子ドット メカニカル振動子 ハイブリッド素子 力や磁気などの極限計測技術を量子限界にまで向上 | 210 |
| 2015年10月号 | 新ナノデバイス開発 もつれ電子対を離れた量子ドットに分離 http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0720150702eabl.html | 理研，阪大，東大 | 日刊工業新聞 (2015年7月2日PP.21) | もつれ電子対 非局所性 量子ドット ナノデバイス | 140 |
| 2015年 9月号 | ナノワイヤ型の量子ドットレーザを開発 http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0720150630eaaf.html | 東大 | 日刊工業新聞 (2015年6月30日PP.21) | 世界最小となるナノワイヤ型の量子ドットレーザ，従来に比べ面積は1/100以下，直径290nmのガリウムヒ素製ナノワイヤ，特性温度133K，27℃でレーザ動作に成功 | 240 250 |
| 2015年 5月号 | 量子ドット立体型ディスプレイ 各面に異なる画像表示 http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0720150218eaaq.html | 千葉大 | 日刊工業新聞 (2015年2月18日PP.19) | 直径5〜10nmの微細構造セレン化カドミウム製の量子ドットをシリコン樹脂に混ぜた立方体を3次元配置 紫外光を当てると発行する量子ドットを使った立体ディスプレイ 面ごとに異なる画像を同時に表示 | 250 450 |
| 2014年12月号 | バイオ技術で3D構造の量子ドットLED作製 | 東北大学原子分子材料科学高等研究機構 | 日刊工業新聞 (2014年9月5日PP.19) | バイオ技術で3D構造，柱状の3次元量子ドット構造を20nm間隔で高密度に配列，発光波長760ナノメートル | 120 250 |
| 2014年 7月号 | 量子ドットレーザ搭載Si光配線基板 | 東大 | 日刊工業新聞 (2014年4月16日PP.21) | Si基板上に光配線機能を一体集積 25〜125℃動作可能 伝送帯域速度15Tbit/cm2 | 150 160 240 |
| 2014年 5月号 | GaN系量子ドットで室温単一光子源 | 東大 | 日刊工業新聞 (2014年2月13日PP.19) 日経産業新聞 (2014年2月13日PP.11) | 有機金属気相成長法(MOCVD)で直径50nm・高さ1.5μmのGaNナノワイヤを作製 通常の半導体製造技術で製造可能 | 120 160 |
| 2014年 2月号 | 変換効率の高い量子ドット太陽電池 | 東大 | 日経産業新聞 (2013年11月18日PP.11) | φ20〜30nmの粒子 1兆個/cm2 試作品5.5mm格で変換効率15% | 250 |
| 2013年11月号 | 粘菌の行動原理応用した新概念のコンピュータ | 理研 東大 情通機構 | 日刊工業新聞 (2013年8月14日PP.13) | 不確実な環境下で正確で高速な意思決定を要求される局面に応用可能 量子ドット間の光移動を利用したアルゴリズム | 620 |
| 2013年10月号 | 幅広い波長の光を吸収させる太陽電池用素材 | 東大 | 日経産業新聞 (2013年7月4日PP.11) | 直径0.5〜1μmの量子ドット Cd-SeとZnOの5nm微粒子を樹脂で固め青・緑色レーザ光を照射。近接場光。紫外光は波長を伸ばし 赤外光は縮める波長変換効果を確認 | 120 250 |
| 2013年10月号 | 量子ドットでCNTの発光効率18倍に高める | 京大 東大 | 日刊工業新聞 (2013年7月8日PP.15) | 光励起 幅1nm長さ100nm 励起子がCNT線上で動く速度は100ps CNTの壁に酸素分子埋め込み励起子が端部や欠陥部から逃がさず発光させる | 120 250 |
| 2013年10月号 | 量子暗号通信向けの小型光源 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2013年7月31日PP.6) | 量子もつれ光子 AlGaAs薄膜にGaAs量子ドット 一辺15nm厚さ1.5nmの三角形 | 250 |
| 2012年 9月号 | 高密度量子ドット作製技術 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2012年6月5日PP.9) | 液滴エピタキシー法 30℃の常温 GaAs基板 7Gaの滴を作る温度を30℃に下げた 従来比5倍の1cm2あたり7300億個の量子ドット | 120 160 |
| 2012年 7月号 | 高効率1.3μm量子ドットレーザ | 東大 | 日刊工業新聞 (2012年4月2日PP.18) | ウェハ融着法 しきい値を改善 Si基板 | 120 250 |
| 2012年 7月号 | Ge製量子ドットを使った発光デバイス | 東京都市大 | 日刊工業新聞 (2012年4月26日PP.24) | 通信波長帯で1500以上の高いQ値で発光 フォトニック結晶微小共振器をGe製の量子ドットと組み合わせ | 120 |
| 2012年 3月号 | 波長1〜1.3μmのレーザ光発振素子 | 情通機構 光伸工学工業 セブンシックス | 日経産業新聞 (2011年12月15日PP.11) | InAs製高さ4〜6nmの量子ドットを素子に埋め込む 直径125μm 数百nmの穴を30から百数十個開けた石英ガラス製光ファイバを使用 | 140 240 250 |
| 2012年 2月号 | ナノ構造体を利用した高効率シリコン太陽電池 | 東北大 | 日経産業新聞 (2011年11月1日PP.10) | 基礎実験で変換効率が2%向上 量子ドットとフォトニック結晶を利用 ウェットエッチング | 250 |
| 2011年12月号 | 量子ドット間の電子移動に成功 | 東大 | 日刊工業新聞 (2011年9月22日PP.23) | 3μmを数nsで移動 GaAsの半導体中に3μmの距離を空け量子ドットを2つ作り電子の通り道でつなげた 表面弾性波 | 120 |
| 2011年10月号 | 消費電力ほぼ0の半導体素子 | 東大 NTT | 日本経済新聞 (2011年7月25日PP.11) | 100nmの量子ドットにスピンを閉じ込めた構造 わずかな電圧でスピンを制御 | 220 |
| 2011年 9月号 | 変換効率30%超のSi太陽電池 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2011年6月21日PP.1) | 量子ドット型 Si基板上に円盤状の量子ドットを形成する 直径10nm以下のSi量子ドットとSiCを中間層に組み合わせてをミニバンドを形成 タンパク質に鉄の微粒子を含ませ規則正しい構造を作る | 250 160 |
| 2011年 5月号 | 円偏光発光素子 | 東大 | 日刊工業新聞 (2011年2月2日PP.21) | 人工キラル周期構造 InAs製の量子ドットを埋め込み | 120 220 |
| 2011年 3月号 | フォトニック人工原子レーザ
-3次元結晶内で発振- | 東大 | 日刊工業新聞 (2010年12月20日PP.17) | 厚さ150nmのGaAsを25層積層 Q値は約4万 中心の層に面積約1.3μm2の欠陥共振器とInAs量子ドットを埋め込み | 140 |
| 2011年 1月号 | ナノ空間で多電子制御 | 物材機構 北大 | 日刊工業新聞 (2010年10月29日PP.29) | 直径10nmの半導体量子ドット 複数の電子を閉じ込めナノ空間の多電子状態を制御 液滴エピタキシー法 GaAs量子ドット イオン化励起子と呼ぶ3つの粒子の複合状態の観測に成功 | 120 |
| 2010年12月号 | 量子暗号の安全性向上 | 東大 | 日経産業新聞 (2010年9月10日PP.11) | 通信用の波長1.5μmの光を直径30〜40nmのInGaPの粒「量子ドット」にあてて光子を発生 50kmの伝送実験に成功 2光子つながるケースを5〜10パルスに低減 解読リスク0.01% | 340 440 |
| 2010年11月号 | LSIの消費電力を削減する光スイッチ | 東大 光産業技術振興協会 東芝 パイオニア コニカミノルタオプト | 日経産業新聞 (2010年8月25日PP.9) | GaAs 点滅する光を照射して光の通路を開閉 InAsの量子ドット2個 内部に量子ドットを縦に並べて埋め込む 近接場光 | 240 |
| 2010年 8月号 | 量子ドットレーザで25Gbpsでデータ通信 | 富士通 東大 | 日刊工業新聞 (2010年5月21日PP.23) | 従来比2.5倍 GaAs基板 InAsの量子ドット 600億個/cm2 量子ドット層8層 | 250 240 |
| 2010年 8月号 | 量子ドットで発光素子 | 東京都市大 | 日経産業新聞 (2010年5月25日PP.9) | Ge 円形構造 層内を円周方向に進み強め合う | 120 250 |
| 2010年 8月号 | 量子ドットを300層積層した半導体レーザ | 情通機構 | 日刊工業新聞 (2010年5月26日PP.23) 日経産業新聞 (2010年5月27日PP.13) | 温度調整装置が不要 80℃までの高温域で波長1.55μmでレーザ発振成功 | 120 250 |
| 2010年 8月号 | 量子ドットを使用した低消費電力レーザ発振素子 | 東大 | 日経産業新聞 (2010年5月31日PP.12) | Si基板上で微少なレーザ光を発振 InAsでできた直径20nmの「量子ドット」 長さ1mm・幅60μm・厚さ0.3mmの棒状素子 | 120 250 |
| 2010年 1月号 | 円盤状量子ドット形成技術を開発 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2009年10月7日PP.1) | Si基板上に直径12nmの鉄を核とするタンパク質を並べる 厚さを2nm〜6nmと変えるとバンドギャップが1.6〜2.2電子ボルトの範囲で変わる 高効率太陽電池に応用可能 | 120 250 160 |
| 2009年10月号 | グラフェンを使った人工分子 | 物材機構 理研 | 日経産業新聞 (2009年7月24日PP.11) | グラフェンが3層重なった薄いシートを電子線で加工 電圧制御で量子ドットの電子が複雑な結合状態を示す | 120 |
| 2009年 1月号 | 効率10倍の光子制御技術
-量子ドット埋め込み3次元フォトニック結晶発光- | 東大 | 日刊工業新聞 (2008年10月6日PP.20) 日経産業新聞 (2008年10月9日PP.11) | 膜を17層重ねた約10μm角の立方体形状 高さ5μmのフォトニック結晶 10nm四方の量子ドット 約200nmのGaAs半導体膜を交互に重畳 1.5μmで発光する量子ドットを埋めた膜を挟む GaAsSb Q値2300 | 120 250 |
| 2009年 1月号 | 量子ドットを用いた単一光子源実証実験 | 東大 NEC 富士通研 | 日刊工業新聞 (2008年10月23日PP.1) | 1.55μm波長帯 量子暗号 LED | 440 |
| 2008年11月号 | 多量子ビット素子
-超高速コンピュータに道- | 東大 NTT | 日刊工業新聞 (2008年8月18日PP.18) 日経産業新聞 (2008年8月18日PP.6) | GaAs化合物半導体 電子スピン コバルト製の微小な磁石 直径0.2μmの円盤形の量子ドット | 120 220 |
| 2008年 2月号 | InGaAsで縦型量子ドット作製 | 東北大 | 日経産業新聞 (2007年11月29日PP.13) 日刊工業新聞 (2007年11月29日PP.28) | 3次元のMOSゲート構造 原子層堆積法 均一で高耐圧なゲート絶縁膜を形成 電子スピンの状態を正確に制御 約10倍の効率 | 120 220 |
| 2008年 2月号 | 高密度な光メモリー基本素子を作成 | 東大 | 日本経済新聞 (2007年11月19日PP.19) | フラッシュメモリーの一万倍の記録密度 近接場光 GaAs基板に径5〜50nmの量子ドットを埋め込む 理論記録密度は10の15乗bit/inch2 | 120 160 230 |
| 2007年12月号 | 光子1個を電流駆動で発生 -量子暗号通信の実用帯域- | 東大 富士通研 | 日刊工業新聞 (2007年9月19日PP.29) 日経産業新聞 (2007年9月19日PP.9) | 波長帯域1.55μm 単一光子発生器 電流注入法 量子ドットをLEDに埋め込んで作製 InP | 160 250 |
| 2007年10月号 | ナノ炭素材料で単原子トランジスタを試作 | 青山学院大 名大 産総研 富士通研 | 日経産業新聞 (2007年7月20日PP.9) | ピーポッド 量子ドット SiO2の絶縁膜 金とチタンの合金の電極 CNTの内側に複数のフラーレンを並べて詰めた構造 | 120 220 |
| 2007年 8月号 | 単電子トランジスタの基本構造を簡単に作製 | 東北大 | 日経産業新聞 (2007年5月31日PP.13) | 既存の半導体プロセスと酸化処理の組合せ 量子ドット Si酸化膜上にAl電極成膜後露光装置で素子構造を作製 | 160 220 |
| 2007年 5月号 | 波長1.3μmの単一光子LEDと安全性を向上した量子暗号通信 | 英東芝欧州研 英ケンブリッジ大 英ロンドン王立大 | 日刊工業新聞 (2007年2月21日PP.24) 日経産業新聞 (2007年2月21日PP.10) 電波新聞 (2007年2月21日PP.1) | 新光源 デコイ手法 単一方向型量子暗号鍵配信技術 距離25kmで5.5kbpsの最終鍵配信速度を実証GaAsからなる基板上に直径45nm高さ10nmの量子ドットを形成 | 250 420 440 |
| 2007年 4月号 | 単電子トランジスタ試作 | 東大 | 日経産業新聞 (2007年1月19日PP.9) | 大きさ2nmの量子ドット | 220 160 |
| 2007年 1月号 | 不要発光量を94%抑制したレーザ発振源 | 京大 JST | 日刊工業新聞 (2006年10月13日PP.28) | GaAsの2次元フォトニック結晶 結晶中の発光中心に100〜200の量子ドットを導入 | 250 260 |
| 2006年 9月号 | 電子1個の動き捉える | NTT 東工大 JST | 日刊工業新聞 (2006年6月16日PP.29) | 半導体二重量子ドット(DQD) 超高感度な単電子電流計 単電子トランジスタ 電流雑音3aA | 120 220 660 |
| 2006年 6月号 | マルチモードファイバ(MMF) -10Gbps 300mの伝送に成功- | 富士通 東大 | 日刊工業新聞 (2006年3月3日PP.1) | 温度無依存の量子ドットレーザ(QDLD) 3Dのナノ構造に電子が閉じ込められて発光 冷却機・電流駆動制御不要 | 240 120 |
| 2006年 5月号 | LED型量子暗号通信素子 | 東芝欧州研究所 | 日経産業新聞 (2006年2月3日PP.8) | 量子もつれ光子対を任意に発生 高さ6nm直径12nmの量子ドット微細構造 半導体素子 | 120 240 250 220 |
| 2006年 4月号 | 多ビット素子 -光制御の量子計算機に道- | 産総研 | 日経産業新聞 (2006年1月18日PP.18) | GaAs基板に微細なInAsの量子ドット 数十〜数百ビットの同時処理が可能 | 130 230 220 |
| 2006年 3月号 | 高密度・高均一な量子ドットの製造に成功 | 産総研 | 電波新聞 (2005年12月30日PP.5) | 通信用半導体レーザ 大きな光増幅 40GHzを超える高速直接変調動作が理論的に可能 1.3μmでレーザ発振動作 As2分子線 組成傾斜歪み緩和層構造 | 160 250 120 |
| 2006年 1月号 | 量子ドットを活用した半導体レーザ | 産総研 | 日経産業新聞 (2005年10月24日PP.11) | InAs製 直径15nm GaAs基板上に1000億個/cm2形成 5層積層 波長1.3μmのレーザ光発振 10GHz高速光通信 | 160 250 120 |
| 2005年11月号 | 量子コンピュータ素子をSiで試作
-保持時間2桁長い量子ビット- | 日立 英ケンブリッジ大 | 日刊工業新聞 (2005年8月22日PP.22) 日経産業新聞 (2005年8月22日PP.7) | 縦50nm×横150nm二重結合量子ドット 配線をなくす構造 コヒーレンス時間200ns 酸化膜埋込み基板(SOI) 電界を介したゲートで制御 | 120 220 |
| 2005年10月号 | 半導体レーザ製造技術開発 -コスト1/1000に- | 情通機構 | 日経産業新聞 (2005年7月29日PP.7) | 面発光レーザ GaAs基板にSb系化合物微粒子の量子ドット 波長1.55μm | 120 160 250 |
| 2005年 8月号 | 1.55μm帯単一光子伝送 | 東大 富士通研 | 日刊工業新聞 (2005年5月20日PP.1) | 量子暗号通信 量子ドットQD MOCVDでQD形状を最適制御 Cバンド InAs/InPで2段階にQDを埋め込む成長技術 | 120 140 160 |
| 2004年10月号 | 量子ドットで単一光子 -光通信波長帯- | 東大(NCRC) 富士通研 | 日刊工業新聞 (2004年7月16日PP.24) 電波新聞 (2004年7月16日PP.2) 日本経済新聞 (2004年7月16日) 日経産業新聞 (2004年7月16日PP.8) | 転送速度100kbps InAs/InPによるQD 伝送距離200km以上 波長1.3〜1.55μmで発生 レーザ光源の約400倍の通信速度 | 240 250 340 140 |
| 2004年 6月号 | 単電子トランジスタ試作 図を使用(日経産業) | 東大生研 | 日経産業新聞 (2004年3月25日PP.9) 日刊工業新聞 (2004年3月10日PP.25) 日経産業新聞 (2004年3月10日PP.9) | 2nmの量子ドット 室温でTrとして機能 1素子2ビット記録 | 160 220 |
| 2004年 6月号 | 超広帯域量子ドット光増幅器 -帯域120nmで高出力- | 東大 富士通 | 日刊工業新聞 (2004年3月25日PP.37) | 出力200mW QDSOA 増幅媒体に30nm径InAs 光帯域1.26〜1.61μm | 220 250 |
| 2004年 2月号 | 量子ドットレーザ光通信用波長で発振 | 通信総研 | 日経産業新聞 (2003年11月14日PP.6) | 1.3μm波長 量子ドットをGa・As・Sbで覆う | 250 |
| 2004年 2月号 | SiやGeの量子ドット新製法 -基板上に高密度で形成- | 米オークリッジ国立研 | 日刊工業新聞 (2003年11月24日PP.13) | BLaC法 Geの量子ドットサイズ3nm径 高さ0.6nm 密度約3〜7×1012(上付) | 160 |
| 2003年 8月号 | 半導体レーザ量産技術
-安価な製造法開発- | 東大 富士通 | 日経産業新聞 (2003年5月14日PP.9) | 量子ドットレーザ 光通信 MOCVD 発光波長1.8μm | 240 160 250 |
| 2003年 7月号 | 紫外線LED | 日本EMC | 日本経済新聞 (2003年4月29日PP.12) | 量子ドット 発光波長360nm GaN | 250 |
| 2007年 1月号 | 不要発光量を94%抑制したレーザ発振源 | 京大 JST | 日刊工業新聞 (2006年10月13日PP.28) | GaAsの2次元フォトニック結晶 結晶中の発光中心に100〜200の量子ドットを導入 | 250 260 |
| 2006年 9月号 | 電子1個の動き捉える | NTT 東工大 JST | 日刊工業新聞 (2006年6月16日PP.29) | 半導体二重量子ドット(DQD) 超高感度な単電子電流計 単電子トランジスタ 電流雑音3aA | 120 220 660 |
| 2006年 6月号 | マルチモードファイバ(MMF) -10Gbps 300mの伝送に成功- | 富士通 東大 | 日刊工業新聞 (2006年3月3日PP.1) | 温度無依存の量子ドットレーザ(QDLD) 3Dのナノ構造に電子が閉じ込められて発光 冷却機・電流駆動制御不要 | 240 120 |
| 2006年 5月号 | LED型量子暗号通信素子 | 東芝欧州研究所 | 日経産業新聞 (2006年2月3日PP.8) | 量子もつれ光子対を任意に発生 高さ6nm直径12nmの量子ドット微細構造 半導体素子 | 120 240 250 220 |
| 2006年 4月号 | 多ビット素子 -光制御の量子計算機に道- | 産総研 | 日経産業新聞 (2006年1月18日PP.18) | GaAs基板に微細なInAsの量子ドット 数十〜数百ビットの同時処理が可能 | 130 230 220 |
| 2003年 3月号 | 単一光子光源で量子暗号通信 | JST NTT | 日刊工業新聞 (2002年12月19日PP.4) | InAs量子ドット 単一光子ターンスタイル 3次元微少共振器 | 440 240 |
| 2002年10月号 | 量子ドット形成法 -ナノオーダで制御- (NO31合わせる) | 富士通研 | 電波新聞 (2002年7月29日PP.1) | 化合物半導体 量子コンピュータ 分子線エピタキシ 結合量子スピンを利用 直径30nmと20nmの量子ドット | 120 160 |
| 2002年10月号 | 1次元鎖状に量子ドット配列 (NO29合わせる) | 電通大 | 日刊工業新聞 (2002年7月31日PP.5) | 分子線エピタキシャル法(MBE) 20nm〜30nm直径のIn・As量子ドット 5μm以上の長さに配列 | 120 160 |
| 2001年 1月号 | 粒ぞろいの量子ドット | 科学技術庁 東大 | 日経産業新聞 (2000年11月27日PP.10) | GaAs半導体微粒子 直径5〜20mm 液滴エピタキシィ法 | 160 120 |
| 2000年12月号 | 量子トッドメモリーー -電界 光で電荷制御に成功- | 富士通 | 日刊工業新聞 (2000年10月5日PP.6) | 量子ドットメモリー(QD) 正四面体溝(TSR) GaAs 縦形高電子移動トランジスタ(HEMT) 多値記憶 | 230 |
| 2000年11月号 | 量子箱で「近藤効果」 -量子ドットで最大に- | NTT 東大 デルフト工科大(オランダ) | 日刊工業新聞 (2000年9月22日PP.7) 日経産業新聞 (2000年9月22日PP.12) | 近藤効果 量子ドット 量子スピン 量子計算機 量子箱 量子コンピュータ AlGaAs | 120 220 |
| 1999年12月号 | 量子ドットの超高速技術 | フェムト秒テクノロジー研究機構(FESTA) | 日刊工業新聞 (1999年10月5日PP.6) | 回復時間1.8ps 光増幅素子構造 InAsの量子ドット GaAsのスペーサ 超高速光スイッチ ポトルネック問題 | 240 |
| 1999年 9月号 | 自己組織化を利用した材料 | 名大 東大 | 日経産業新聞 (1999年7月1日PP.5) 朝日新聞 (1999年7月12日PP.11) | 自己集合 分子メモリー 水滴状の量子ドット 磁気バブル | 120 |
| 1999年 7月号 | 青色半導体レーザ -量子ドットで実現- | 東大 | 日刊工業新聞 (1999年5月21日PP.1) | InGaN 量子ドット 10層構造 室温発振 閾値電流 MOCVD 直径約20nm 高さ約4.5nm 波長405nm 色素レーザ励起 | 250 |
| 1999年 2月号 | 量子メモリー -低電圧1Vで書込み消去- | 富士通 | 日刊工業新聞 (1998年12月9日PP.5) | テラビット級 HEMT 異方性エッチング TSR溝 量子ドット浮遊ゲート 不揮発性 書込み/消去電圧1V | 230 220 |
| 1999年 2月号 | 波長多重の光記憶素子 -切手大に映画200本分- | 富士通 | 日本経済新聞 (1998年12月7日PP.17) | 1.1Tb/in2 量子ドット波長多重メモリー GaAs基板 InAs 書込み速度5ns/b レーザ 波長多重光記録 光記憶素子 メモリー | 230 |
| 1998年12月号 | 量子計算機用素子 | NTT 理化学研 デルフト工科大 (オランダ) | 日本経済新聞 (1998年10月29日PP.11) 日本工業新聞 (1998年10月29日PP.24) | 共有結合状態 電圧変化 超高速コンピュータ 量子ドット分子 | 220 |
| 1997年10月号 | 超高密度光メモリー | 富士通 | 日本経済新聞 (1997年8月2日PP.10) | 波長多重記録 半導体媒体 量子ドット | 130 230 |
| 1997年 9月号 | 量子ドット -位置が制御された量子に道- | フェムト秒テクノロジー研究機構 | 日刊工業新聞 (1997年7月15日PP.6) | くぼみ形成 GaAs | 160 150 140 |
| 1996年 6月号 | 量子ドットレーザ -室温で連続発振- | NEC | 日経産業新聞 (1996年4月10日PP.5) | 閾値電流5〜6μA 多層構造 InGaAs | 250 |
| 1995年 9月号 | 世界初の量子ドットレーザ | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1995年7月25日PP.1) | 量子ドットレーザ 正孔とじこめ発光 InGaAs 閾値1.1A λ911nm/温度80K パルス発振 超低消費電力 | 250 150 |
| 1993年 1月号 | 量子ドットの大きさを制御 | NTT | 日経産業新聞 (1992年11月13日PP.5) | 量子ドット 電子閉込め | 260 |
| 1992年10月号 | GaAs基板上に量子ドットを形成 | 新技術事業団 | 日刊工業新聞 (1992年8月5日PP.7) | 量子ドット 光素子 レーザ | 220 |
| 1990年 9月号 | 量子ドット製作に新方法 | NTT | 日刊工業新聞 (1990年7月19日PP.0) | 三角形のGa Al As 0.1μmでも量子効果 | 160 |