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| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
| 2005年 9月号 | 単一のT字型量子細線光吸収を初めて観測 | 東大物性研 ベル研 | 日刊工業新聞 (2005年6月14日PP.27) | 量子細線 光吸収測定 量子細線レーザ 光変調器 GaAsとAlGaAsで断面が14×6nm | 120 360 660 |
| 2003年 9月号 | 絶縁体にナノ量子細線 -導電性付与に成功- | 科学技術振興財団 | 日刊工業新聞 (2003年6月16日PP.5) | 超高温透明セラミックス 転位構造配列制御 サファイア結晶内に5nmの金属細線 | 120 160 |
| 1999年10月号 | 10nmを切る半導体量子細線 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1999年8月25日PP.5) | ガスエッチング 有機金属気相成長 光通信帯で発光 InGaAs細線 | 250 160 |
| 1997年12月号 | 超微小のハニカム構造 | NTT 都立大 | 日経産業新聞 (1997年10月28日PP.5) | アルミナ 光回路 光スイッチ 量子細線への応用期待 | 140 160 |
| 1997年 2月号 | 金属の量子細線 -電気的特性を測定- | 金属材料研 | 日経産業新聞 (1996年12月6日PP.5) | 金 量子細線 | 160 660 |
| 1996年10月号 | 幅20μm 深さ600nmの量子細線 | 松下電器産業 | 日刊工業新聞 (1996年8月15日PP.7) | レーザ加工 GaAs基板 量子細線 20μm 600nm厚 | 160 140 240 |
| 1996年 3月号 | 量子細線形成技術 -厚さ幅とも10nm 均一に形成- | NTT | 日経産業新聞 (1996年1月19日PP.5) 日刊工業新聞 (1996年1月19日PP.5) | 量子細線 光吸収ピーク観測 製造加工技術 | 120 160 |
| 1995年 2月号 | 層状物質CaSeの垂直エピタキシャル成長に成功 | 東工大 | 日刊工業新聞 (1994年12月27日PP.4) | 結晶成長 量子細線 | 120 160 |
| 1993年12月号 | 微小共振器型量子細線レーザ -「究極レーザ」へ一歩- | 東大 | 日刊工業新聞 (1993年10月23日PP.1) | 量子細線 選択的有機金属 気相成長法 | 250 |
| 1993年10月号 | 量子細線のSi形成技術 -超々LSIの製作へ利用- | 松下電器産業 | 電波新聞 (1993年8月30日PP.1) 日経産業新聞 (1993年8月30日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年8月30日PP.13) | 超々LSI 量子細線 | 220 |
| 1993年 6月号 | 欠陥の少い量子細線作製 -光を電子に素早く変換- | 光技術研究開発つくば研究所 | 日経産業新聞 (1993年4月19日PP.5) | 次世代の半導体素材 高変換効率 | 160 |
| 1993年 1月号 | 高真空中でGaAs基板微細加工技術 -量子細線構造を試作- | 新技術事業団 | 日刊工業新聞 (1992年11月11日PP.15) | 量子細線デバイス 超高真空 電子ビーム照射 量子細線構造 超高速スイッチング素子 | 260 220 |
| 1992年10月号 | 発光層幅30nm以下の量子細線レーザ構造 | NTT | 日刊工業新聞 (1992年8月20日PP.6) | 30nmの発光層幅 | 250 |
| 1992年 6月号 | 0.01μm以下の量子細線構造 -室温で量子効果示す- | 新技術事業団 | 日刊工業新聞 (1992年4月7日PP.6) | ALE法で幅0.01μm | 100 160 |
| 1991年 7月号 | 新型の電子波干渉素子 | NTT | 日刊工業新聞 (1991年5月9日PP.5) | 単一量子細線 マッハツェンダ構造 | 220 |
| 1991年 2月号 | 負性抵抗効果を確認 | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1990年12月11日PP.0) | Si系量子細線(0.1μm)素子で負性抵抗効果を確認 RHET(共鳴トンネリングホットトランジスタ)では確認されていたがシリコン系は初めて | 220 |
| 1990年11月号 | 量子細線精密作製で電子波素子に道 | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1990年9月24日PP.0) | Ga原子16個を1つのブロック | 160 |