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| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
| 2018年 3月号 | 精度99.93%達成 量子ビット演算シリコン利用 | 理研 | 日刊工業新聞 (2017年12月19日PP.28) | シリコン基板を用いた量子ドット素子 小型磁石 シリコン利用 100倍の演算速度と10倍の情報保持時間 | 420 120 320 |
| 2018年 2月号 | 窒化物超伝導体を利用 新型ジョセフソン素子作製 | 情通機構 | 日刊工業新聞 (2017年11月15日PP.27) | 窒化物超電導体 超電導量子コンピュータ，磁性ジョセフソン素子 | 120 220 |
| 2018年 2月号 | 量子コンピュータ エラー訂正容易に再現 | 東大 | 日経産業新聞 (2017年11月20日PP.6) | エラー訂正の再現 量子コンピュータのシミュレーション | 120 420 |
| 2018年 1月号 | 米インテル 17量子ビット搭載プロセッサ公開 オランダ研究機関に提供 | インテル | 電波新聞 (2017年10月13日PP.2) | 17量子ビット 量子コンピュータ | 220 |
| 2018年 0月号 | 量子コンピュータ 多数パルスで大規模計算 | 東大 | 日刊工業新聞 (2017年9月25日PP.17) 日経産業新聞 (2017年9月25日PP.8) | 光量子コンピュータ ループ状の回路 小型化 計算の種類を瞬時に変えて光パルスを次々に周回 | 420 120 |
| 2018年 0月号 | 量子コンピューター実用化へ マイクロソフト 開発「言語」を公開 外部の知見を活用 | マイクロソフト | 日本経済新聞 (2017年9月26日PP.3) | 量子コンピュータ 開発言語 | 320 |
| 2017年10月号 | 磁石中の集団スピン運動 量子レベルで定量評価 | 東大 | 日刊工業新聞 (2017年7月6日PP.21) | スピン運動の量子「マグノン」の数を一つずつ計測 | 120 |
| 2017年 9月号 | トポロジカル絶縁体に強磁性 室温で状態維持 | 東工大など | 日刊工業新聞 (2017年6月14日PP.25) | 量子異常ホール効果 | 120 |
| 2017年 9月号 | 量子ナノディスク作成 発光効率100倍に | 東北大 | 日刊工業新聞 (2017年6月22日PP.25) | 窒化物量子ドット発光ダイオード 直径5nmの窒化インジウムガリウムと窒化ガリウムの3次元構造を持つ量子ドット(量子ナノディスク) 発光効率100倍 直径5nmの窒化インジウムガリウムと窒化ガリウムの3次元構造を持つ量子ドット | 160 250 |
| 2017年 6月号 | 深紫外LED5倍効率化 | 理研 | 日刊工業新聞 (2017年3月29日PP.31) | 外部量子効率 275nmで 20.3% 水銀ランプの効率に迫る水準 | 250 |
| 2017年 5月号 | シリコンフォトニクス使用 省エネ光配線実 | 光電子融合基盤技術研究所 | 日刊工業新聞 (2017年2月23日PP.25) | シリコンフォトニクス 高速高密度光トランシーバ 25Gbpsで動作する高密度な光トランシーバ 量子ドットレーザ | 160 240 |
| 2017年 2月号 | 電子多い電流で量子効果 大電流で量子効果 | NTTなど | 日経産業新聞 (2016年11月9日PP.8) | 量子コンピュータ 量子効果 超電導 物理現象 2枚のアルミニウムで酸化アルミを挟んだ約90nm厚のジョセフソン結合 | 120 |
| 2017年 1月号 | 新原理の量子計算機開発 | NTTと情報学研 | 日刊工業新聞 (2016年10月21日PP.21) | 相転移 スピン数2000の組合せ最適化問題を5ms以下で解く | 420 |
| 2016年12月号 | 高精度量子ビットをシリコン半導体に実装 | 理研 | 日刊工業新聞 (2016年9月6日PP.23) | 単一量子ビット操作を従来比約100倍に高速化 ビット忠実度99.6% 半導体量子ドット中に閉じ込めた電子スピンを利用 | 120 |
| 2016年12月号 | 70Gbpsで100km伝送 東北大などが大容量・秘匿通信 | 東北大など | 日刊工業新聞 (2016年9月13日PP.26) | 量子雑音暗号(QNSC) 量子鍵配送(QKD)の組合せ 従来比2倍の1チャネルあたり70Gbps 量子雑音暗号 大容量の光通信システム | 340 440 |
| 2016年11月号 | 量子ドットレーザ開発 | 東大 | 日刊工業新聞 (2016年8月1日PP.17) | エバネッセント型 | 250 |
| 2016年11月号 | 極薄超電導シート | 東北大 | 日経産業新聞 (2016年8月25日PP.8) | 超電導材料 量子コンピュータ | 120 |
| 2016年11月号 | グラフェン内電子スピン方向 磁性酸化物で制御 | 量子科学機構 物材機構 筑波大 | 日刊工業新聞 (2016年7月26日PP.29) | 電子デバイスの高速化や省エネルギー化につながるスピントロニクスにグラフェンを応用する際のカギ | 120 |
| 2016年 9月号 | 量子通信用の光子をダイヤに転写保存 | 横浜国大など | 日刊工業新聞 (2016年6月6日PP.15) | 量子テレポテーション | 120 |
| 2016年 9月号 | 超電導ナノワイヤで特異現象 http://www.keio.ac.jp/ja/press_release/2016/osa33qr000001r2pm.html | 慶大 物材機構 群馬大 | 日刊工業新聞 (2016年6月8日PP.21) | 超電導ナノワイヤ 超高感度光検出器 カーボンナノチューブ 量子位相スリップ 幅10nmのナノワイヤ 窒化ニオブ結晶 | 120 220 |
| 2016年 9月号 | 量子情報光チップに道 http://www.kyoto-u.ac.jp/ja/research/research_results/2016/160523_1.html | 京大 | 日刊工業新聞 (2016年5月20日PP.29) | フォトニック結晶 ナノ共振器 量子情報光チップ 光を数10ps以内に転送 | 120 220 |
| 2016年 9月号 | 電子1個のスピン情報 長距離伝送で検出 | 東大 | 日刊工業新聞 (2016年5月31日PP.31) | 単一電子スピン 量子ドット 伝送 | 120 140 |
| 2016年 7月号 | 機械振動子に量子ドット組み込み 微細振動高感度検出 http://www.ntt.co.jp/news2016/1604/160411a.html | NTT | 日刊工業新聞 (2016年4月12日PP.23) | 量子ドット メカニカル振動子 ハイブリッド素子 力や磁気などの極限計測技術を量子限界にまで向上 | 210 |
| 2016年 7月号 | 機械振動子に量子ドット組み込み 微細振動高感度検出 http://www.ntt.co.jp/news2016/1604/160411a.html | NTT | 日刊工業新聞 (2016年4月12日PP.23) | 量子ドット メカニカル振動子 ハイブリッド素子 力や磁気などの極限計測技術を量子限界にまで向上 | 210 |
| 2016年 6月号 | 電子スピン長距離輸送に成功 http://www.ntt.co.jp/news2016/1603/160308c.html | NTT 東北大 | 日刊工業新聞 (2016年3月9日PP.29) | 電子スピン 量子コンピュータ 電界効果型スピントランジスタ スピン演算素子 半導体中の電子スピンの向きを安定的に操作 | 240 |
| 2016年 6月号 | 光の粒の波長変換 損失なく光子波長変換 http://www.ntt.co.jp/news2016/1603/160326a.html | NTT | 日本経済新聞 (2016年3月28日PP.8) 日刊工業新聞 (2016年3月28日PP.26) | 量子情報通信 波長変換量約3nm 量子暗号通信 相互位相変調 | 240 220 |
| 2016年 3月号 | 強いレーザパルスで量子状態高速操作 | 名大など | 日刊工業新聞 (2015年12月1日PP.31) | 量子コンピュータ 極紫外自由電子レーザ 近赤外高強度フェムト秒レーザ 50兆分の1秒で量子状態操作 | 120 |
| 2016年 3月号 | 量子暗号通信 NTT 通信距離2倍 http:// www.ntt.co.jp/news2015/1512/151216a.html | NTT | 日刊工業新聞 (2015年12月17日PP.28) 日経産業新聞 (2015年12月18日PP.8) | 量子中継なし 全光 光デバイスだけで800km圏内に対応 光損失への適応性を利用 傍受が困難な量子暗号 | 440 540 |
| 2016年 2月号 | 振動の「量子干渉」成功 http://resou.osaka-u.ac.jp/ja/reseach/2015/20151105_1 | 大阪大 | 日経産業新聞 (2015年11月5日PP.8) | 二つのイオンの微小な振動の間で量子コンピュータの計算の基本となる量子干渉を起こすことに成功 イオントラップ | 120 |
| 2015年12月号 | 伝送の誤り率監視不要 量子暗号実験に成功 http://www.ntt.co.jp/news2015/1509/150914a.html | NTT 東大 | 日刊工業新聞 (2015年9月15日PP.23) | 光子の伝送時の誤り率を監視せずに安全性を確保する量子暗号実験に成功 不確定性原理に基づかない 波束(量子状態)の収縮に基づく 総当たり差動位相シフト | 440 520 |
| 2015年12月号 | 120kmの量子暗号鍵伝送 http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0220150928eaaf.html | 東大 富士通研 NEC | 日刊工業新聞 (2015年9月28日PP.22) | 従来比2倍以上の距離，複数光子の同時発生率100万分の1 世界最長の量子暗号鍵伝送 120km伝送 低ノイズの超電導単一光子検出器 秘匿通信 | 220 340 440 |
| 2015年10月号 | 新ナノデバイス開発 もつれ電子対を離れた量子ドットに分離 http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0720150702eabl.html | 理研，阪大，東大 | 日刊工業新聞 (2015年7月2日PP.21) | もつれ電子対 非局所性 量子ドット ナノデバイス | 140 |
| 2015年10月号 | 量子情報処理多彩に 光回路数秒で1000通り http://www.ntt.co.jp/news2015/1507/150709b.html | NTT | 日刊工業新聞 (2015年7月10日PP.23) 日経産業新聞 (2015年7月15日PP.8) | 光子を用いた量子情報処理に必要なあらゆる機能を一つのハードウェア上で提供する.再構成可能な集積回路を開発，石英系平面光波回路(PLC)技術，電流で更新通路変更，光集 積回路 | 120 220 |
| 2015年10月号 | 超電導素子と磁性体の球 東大が量子的に接続 http://www.rcast.u-tokyo.ac.jp/pressrelease/pdf/270710release_rcast.pdf | 東大 | 日経産業新聞 (2015年7月30日PP.8) | 超電導を使った量子回路と，7課磁性体でできた球を，量子的に接続する技術を開発 | 120 |
| 2015年 9月号 | 画像認識データ16分の1に圧縮 スマホ向けアプリに提案 | 電通大 | 日刊工業新聞 (2015年6月4日PP.20) | スカラー量子化と機械学習を組合せ，画像認識用のデータを1/16に圧縮，分類モデル，スカラー量子化，機械学習 | 520 |
| 2015年 9月号 | 量子暗号通信で実証 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2015年6月19日PP.9) | 理論上盗聴不可能 | 440 |
| 2015年 9月号 | ナノワイヤ型の量子ドットレーザを開発 http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0720150630eaaf.html | 東大 | 日刊工業新聞 (2015年6月30日PP.21) | 世界最小となるナノワイヤ型の量子ドットレーザ，従来に比べ面積は1/100以下，直径290nmのガリウムヒ素製ナノワイヤ，特性温度133K，27℃でレーザ動作に成功 | 240 250 |
| 2015年 8月号 | 量子暗号最長記録更新 340km鍵配送実験に成功 | NTT | 日刊工業新聞 (2015年5月19日PP.25) | 約340kmの量子鍵配送実験に成功 | 440 |
| 2015年 7月号 | 暗号通信構築しやすく 光だけで長距離通信 http://www.ntt.co.jp/news2015/1504/150415a.html | NTT トロント大 | 日刊工業新聞 (2015年4月16日PP.23) 日経産業新聞 (2015年4月20日PP.11) | 量子暗号通信 記憶素子不要 量子中継で必要とされていた量子メモリー不要，中継器の中で量子もつれの生成に必要な状態を準備した上で量子演算を行い，その後に量子も連れを生成する「時間反転」方式 | 440 |
| 2015年 6月号 | 量子もつれ交換 1000倍超に高速化 http://www.nict.go.jp/press/2015/03/20-1.html | 情通機構 電通大 | 日刊工業新聞 (2015年3月23日PP.29) | 量子もつれ交換を従来技術に比べ1000倍以上高速化 | 240 |
| 2015年 6月号 | アインシュタイン「量子の非局所性」 東大が厳密に検証 http://www.t.u-tokyo.ac.jp/epage/release/2015/20150401003.html | 東大 | 日刊工業新聞 (2015年3月25日PP.30) | 「量子の非局所性」を世界で初めて厳密に検証 | 660 |
| 2015年 6月号 | 量子テレポーテーション用光素子をワンチップ化 | 東大 NTT | 日刊工業新聞 (2015年3月31日PP.25) 8 (0年0月0日) | 量子テレポーテーション装置の心臓部を光チップに作り込み。従来比10 | 000分の1に小型化。量子もつれ生成・検出部を26×4mmのSi基板上に石英系の光導波回路を形成。 120 220 240 |
| 2015年 5月号 | 量子ドット立体型ディスプレイ 各面に異なる画像表示 http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0720150218eaaq.html | 千葉大 | 日刊工業新聞 (2015年2月18日PP.19) | 直径5～10nmの微細構造セレン化カドミウム製の量子ドットをシリコン樹脂に混ぜた立方体を3次元配置 紫外光を当てると発行する量子ドットを使った立体ディスプレイ 面ごとに異なる画像を同時に表示 | 250 450 |
| 2015年 3月号 | 「量子もつれ光子対」高速30倍で生成 http://www.nict.go.jp/press/2014/12/19-1.html | 情通機構，電通大 | 日刊工業新聞 (2014年12月22日PP.18) | 従来比3倍以上高速，1550nm付近の光ファイバ通信波長帯において2個の光子が特殊な相関を持ち結びつく，高速で安定性の高い周波数コム光源を内蔵した2.5GHzの駆動型レーザシステム | 240 |
| 2014年12月号 | バイオ技術で3D構造の量子ドットLED作製 | 東北大学原子分子材料科学高等研究機構 | 日刊工業新聞 (2014年9月5日PP.19) | バイオ技術で3D構造，柱状の3次元量子ドット構造を20nm間隔で高密度に配列，発光波長760ナノメートル | 120 250 |
| 2014年12月号 | 超電導回路で論理素子を作成 | 理化学研究所など | 日刊工業新聞 (2014年9月25日PP.27) | 量子計算機，読出し精度90%以上 | 220 |
| 2014年 8月号 | 新原理の量子暗号方式 | 東大 | 日刊工業新聞 (2014年5月22日PP.19) | セキュリティ監視不要 既存のレーザー光線と干渉計を組み合わせ 盗聴者は一定の小さい情報しか得られない | 520 |
| 2014年 7月号 | 量子ドットレーザ搭載Si光配線基板 | 東大 | 日刊工業新聞 (2014年4月16日PP.21) | Si基板上に光配線機能を一体集積 25～125℃動作可能 伝送帯域速度15Tbit/cm2 | 150 160 240 |
| 2014年 6月号 | 多量の量子もつれを生成 | NTT | 日刊工業新聞 (2014年3月18日PP.21) | K原子 1μm間隔で100万個 0.1mm角の立方体光格子に閉じ込める 光格子レーザとゲート操作用レーザを使用 | 120 |
| 2014年 5月号 | GaN系量子ドットで室温単一光子源 | 東大 | 日刊工業新聞 (2014年2月13日PP.19) 日経産業新聞 (2014年2月13日PP.11) | 有機金属気相成長法(MOCVD)で直径50nm・高さ1.5μmのGaNナノワイヤを作製 通常の半導体製造技術で製造可能 | 120 160 |
| 2014年 2月号 | 光子の進み方を揃える量子コンピュータ向け技術 | NTT | 日経産業新聞 (2013年11月13日PP.6) 日刊工業新聞 (2013年11月13日PP.23) | 量子ビットのタイミングを合わせる Si製光導波路 φ210nmの穴を400個 22～55℃で調製 | 120 |
| 2014年 2月号 | 変換効率の高い量子ドット太陽電池 | 東大 | 日経産業新聞 (2013年11月18日PP.11) | φ20～30nmの粒子 1兆個/cm2 試作品5.5mm格で変換効率15% | 250 |
| 2014年 2月号 | 量子もつれの大規模生成装置 | 東大 | 日刊工業新聞 (2013年11月18日PP.14) 日経産業新聞 (2013年11月18日PP.11) | 時間領域多重 量子テレポーテーション 超大規模の量子もつれを生成する装置 複数の信号を時間的に束ねて送る時間領域多重という手法を使うことで実証 | 120 160 |
| 2013年11月号 | 粘菌の行動原理応用した新概念のコンピュータ | 理研 東大 情通機構 | 日刊工業新聞 (2013年8月14日PP.13) | 不確実な環境下で正確で高速な意思決定を要求される局面に応用可能 量子ドット間の光移動を利用したアルゴリズム | 620 |
| 2013年11月号 | 量子ビット高効率転送 | 東大 | 日刊工業新聞 (2013年8月15日PP.13) | 量子ビットの情報を遠隔地に送る「量子テレポーテーション」技術を従来比100倍以上 61%の高効率で量子ビットの情報を転送 光の波動の量子テレポーテーション装置 | 440 340 |
| 2013年10月号 | 幅広い波長の光を吸収させる太陽電池用素材 | 東大 | 日経産業新聞 (2013年7月4日PP.11) | 直径0.5～1μmの量子ドット Cd-SeとZnOの5nm微粒子を樹脂で固め青・緑色レーザ光を照射。近接場光。紫外光は波長を伸ばし 赤外光は縮める波長変換効果を確認 | 120 250 |
| 2013年10月号 | 量子ドットでCNTの発光効率18倍に高める | 京大 東大 | 日刊工業新聞 (2013年7月8日PP.15) | 光励起 幅1nm長さ100nm 励起子がCNT線上で動く速度は100ps CNTの壁に酸素分子埋め込み励起子が端部や欠陥部から逃がさず発光させる | 120 250 |
| 2013年10月号 | 量子暗号通信向けの小型光源 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2013年7月31日PP.6) | 量子もつれ光子 AlGaAs薄膜にGaAs量子ドット 一辺15nm厚さ1.5nmの三角形 | 250 |
| 2013年 8月号 | 雑音ゼロの量子通信増幅技術 | NICT 韓ソウル国立大 | 日刊工業新聞 (2013年5月13日PP.19) 日経産業新聞 (2013年5月15日PP.7) | 「量子重ね合わせ状態」 10kmで実験 中継増幅技術 | 240 |
| 2013年 2月号 | 高い信号強度の量子ビット判別技術 | 理研 NEC | 日経産業新聞 (2012年11月7日PP.7) | 量子ビット状態に応じた共振器の周波数変化を利用 Al製量子ビット作成回路とNb製共振器を結合 精度90% | 220 320 660 |
| 2013年 1月号 | 量子の世界 実験で作り出す
-「定まらぬ状態」操作 未解明の検証可能に- | 朝日新聞 (2012年10月11日PP.33) | シュレーディンガーの猫 ノーベル物理学賞 | 660 | |
| 2013年 1月号 | 外部変調器を使わず光通信量子暗号の信号生成 | 玉川大 | 日刊工業新聞 (2012年10月9日PP.15) | トランシーバの小型化が可能 | Y-00暗号生成 光信号に量子雑音を掛け合わせる 光ファイバーからの盗聴を防ぐ 520 |
| 2012年 9月号 | 高密度量子ドット作製技術 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2012年6月5日PP.9) | 液滴エピタキシー法 30℃の常温 GaAs基板 7Gaの滴を作る温度を30℃に下げた 従来比5倍の1cm2あたり7300億個の量子ドット | 120 160 |
| 2012年 7月号 | 高効率1.3μm量子ドットレーザ | 東大 | 日刊工業新聞 (2012年4月2日PP.18) | ウェハ融着法 しきい値を改善 Si基板 | 120 250 |
| 2012年 7月号 | 磁束が超電導細線を透過する新現象 | 理研 NEC | 日経産業新聞 (2012年4月19日PP.11) 日刊工業新聞 (2012年4月24日PP.23) | 酸化インジウム 量子ビット マイクロ波 コヒーレント量子位相スリップ(CQPS)効果 幅35nmのInOを仕切りとして置き 微弱な磁場を加えながらマイクロ波を当てる 電流標準 | 120 220 |
| 2012年 7月号 | Ge製量子ドットを使った発光デバイス | 東京都市大 | 日刊工業新聞 (2012年4月26日PP.24) | 通信波長帯で1500以上の高いQ値で発光 フォトニック結晶微小共振器をGe製の量子ドットと組み合わせ | 120 |
| 2012年 6月号 | 量子暗号で40Gbps実証実験 | 玉川大 | 日経産業新聞 (2012年3月6日PP.10) | Y-00方式 約120kmを光ファイバ接続 4つの波長の光でそれぞれ10Gbpsで送信 | 440 |
| 2012年 6月号 | 世界最高純度の量子もつれ光源 | 日大 OKI | 日刊工業新聞 (2012年3月9日PP.29) | 従来比100倍の高い信号雑音比 長距離量子鍵配送 波長1.5μm 長さ6cmのLiNbO3を使った導波路デバイス | 240 |
| 2012年 6月号 | 認証・暗号化を強化したネットワークスイッチ | 情通機構 | 電波タイムズ (2012年3月12日PP.1) | 量子鍵配送装置で生成される安全な鍵をL2・L3スイッチに提供 | 340 |
| 2012年 4月号 | 準粒子の存在を表す電子状態解明 | NTT JST | 日刊工業新聞 (2012年1月27日PP.27) | 非アーベリアン準粒子 トポロジカル量子計算への応用 NMR法により電子スピン状態を測定 | 120 |
| 2012年 3月号 | 波長1～1.3μmのレーザ光発振素子 | 情通機構 光伸工学工業 セブンシックス | 日経産業新聞 (2011年12月15日PP.11) | InAs製高さ4～6nmの量子ドットを素子に埋め込む 直径125μm 数百nmの穴を30から百数十個開けた石英ガラス製光ファイバを使用 | 140 240 250 |
| 2012年 2月号 | ナノ構造体を利用した高効率シリコン太陽電池 | 東北大 | 日経産業新聞 (2011年11月1日PP.10) | 基礎実験で変換効率が2%向上 量子ドットとフォトニック結晶を利用 ウェットエッチング | 250 |
| 2012年 2月号 | 光に量子情報を持たせた波長変換技術 | 阪大 東大 | 日経産業新聞 (2011年11月17日PP.11) | LiNbO3をを材料とした波長変換装置 | 440 |
| 2012年 1月号 | 量子メモリーの原理実験に成功 | NTT 阪大 国立情報学研 | 日刊工業新聞 (2011年10月13日PP.21) 日経産業新聞 (2011年10月13日PP.11) | 量子もつれ振動を制御 量子メモリー ダイヤモンド基板と超電導の量子ビットを組み合わせたハイブリッドの量子状態 | 220 230 120 |
| 2011年12月号 | 量子ドット間の電子移動に成功 | 東大 | 日刊工業新聞 (2011年9月22日PP.23) | 3μmを数nsで移動 GaAsの半導体中に3μmの距離を空け量子ドットを2つ作り電子の通り道でつなげた 表面弾性波 | 120 |
| 2011年12月号 | 量子コンピュータ向け基本素子 | 東大 NTT | 日経産業新聞 (2011年9月29日PP.11) | GaAsの素子 スピンが情報の最小単位 量子もつれ | 220 |
| 2011年11月号 | 新しい量子状態を作り出すことに成功 | NTT 京大 | 電波タイムズ (2011年8月3日PP.1) | 結晶の中に極低温の原子気体 イッテルビウム | 110 120 |
| 2011年10月号 | 消費電力ほぼ0の半導体素子 | 東大 NTT | 日本経済新聞 (2011年7月25日PP.11) | 100nmの量子ドットにスピンを閉じ込めた構造 わずかな電圧でスピンを制御 | 220 |
| 2011年10月号 | ビット誤り率の限界を打破した光通信用量子受信機 | 情通機構 産総研 日大 | 日刊工業新聞 (2011年7月29日PP.28) | 光の光子としての性質を制御 光子数検出器 | 340 |
| 2011年 9月号 | 変換効率30%超のSi太陽電池 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2011年6月21日PP.1) | 量子ドット型 Si基板上に円盤状の量子ドットを形成する 直径10nm以下のSi量子ドットとSiCを中間層に組み合わせてをミニバンドを形成 タンパク質に鉄の微粒子を含ませ規則正しい構造を作る | 250 160 |
| 2011年 8月号 | 半導体製単一光子検出器 | 日大 NTT | 日刊工業新聞 (2011年5月16日PP.15) | 量子暗号通信 InGaAsとInPで構成するAPD 24kbpsで100km伝送可能 | 340 440 |
| 2011年 7月号 | 「シュレーディンガーの猫」量子操作使い実証 | 東大 | 日刊工業新聞 (2011年4月15日PP.21) | 量子もつれ状態 量子テレポーテーション 位相が反転した光の波動の重ね合わせとして表現 | 120 |
| 2011年 6月号 | スピン軌道相互作用の大きさを精密に決定 | 北大 NTT | 日刊工業新聞 (2011年3月21日PP.9) | In・Ga・Asをベースとした半導体の量子井戸構造 バンドエンジニアリング 半導体内の電子スピンをトランジスタのゲート電極で制御 | 120 |
| 2011年 5月号 | 円偏光発光素子 | 東大 | 日刊工業新聞 (2011年2月2日PP.21) | 人工キラル周期構造 InAs製の量子ドットを埋め込み | 120 220 |
| 2011年 4月号 | 電子対の量子もつれをナノテクで定量測定 | 物材機構 | 日刊工業新聞 (2011年1月20日PP.24) | 量子テレポーテーション 2つの超電導体の先端に2本のナノワイヤをつないだデバイスを作製 | 120 |
| 2011年 4月号 | Si半導体中の量子もつれを生成・検出 | 慶応大 英オックスフォード大 | 日刊工業新聞 (2011年1月20日PP.24) 日経産業新聞 (2011年1月24日PP.11) | エンタングルメント リン原子核のスピンとそこに捉えられている電子のスピンをそれぞれ量子ビットとする Si原子1個で演算処理 温度20K | 120 |
| 2011年 4月号 | 高温超電導を利用した安価な微弱磁気センサ | 国際超電導産業技術研究センター(ISTEC) | 日経産業新聞 (2011年1月28日PP.10) | 超電導量子干渉素子(SQUID)センサ 77Kの液体窒素で冷却 10fTを検出可能 | 210 120 |
| 2011年 3月号 | フォトニック人工原子レーザ
-3次元結晶内で発振- | 東大 | 日刊工業新聞 (2010年12月20日PP.17) | 厚さ150nmのGaAsを25層積層 Q値は約4万 中心の層に面積約1.3μm2の欠陥共振器とInAs量子ドットを埋め込み | 140 |
| 2011年 2月号 | 分数量子ホール効果を酸化物の界面で観測 | 東大 東北大 | 日刊工業新聞 (2010年11月3日PP.16) | 単結晶のZnOの上に分子線エキタピシー法を使いMgを添加し結晶を成長させて界面を作製 酸化物系の界面での最高値と比べて9倍の値 | 660 |
| 2011年 1月号 | スピンの量子引きこもり現象の構造解明 | 東工大 東京理科大 | 日刊工業新聞 (2010年10月6日PP.21) | 籠目格子反強磁性体 フッ化ルビジウム銅スズ 電子スピン対のシングレット状態が風車のように配列した構造 | 120 |
| 2011年 1月号 | 量子暗号ネットワークで動画配信実験に成功
・一行 | NEC 三菱電機 NTT 情通機構 米スタンフォード大 | 日刊工業新聞 (2010年10月15日PP.22) | 配信距離総計140km 従来比100倍の100kbpsで暗号鍵を生成 差動位相シフト量子鍵配送プロトコル | 440 520 |
| 2011年 1月号 | ナノ空間で多電子制御 | 物材機構 北大 | 日刊工業新聞 (2010年10月29日PP.29) | 直径10nmの半導体量子ドット 複数の電子を閉じ込めナノ空間の多電子状態を制御 液滴エピタキシー法 GaAs量子ドット イオン化励起子と呼ぶ3つの粒子の複合状態の観測に成功 | 120 |
| 2011年 1月号 | 酸化亜鉛使用の高速電子素子 | 東大 東北大 東工大 ローム | 日経産業新聞 (2010年10月29日PP.9) | 厚さ0.8μmのZnO単結晶TFT 分数量子ホール効果 電子移動度がSiの約10倍の可能性 | 220 120 |
| 2010年12月号 | 量子暗号の安全性向上 | 東大 | 日経産業新聞 (2010年9月10日PP.11) | 通信用の波長1.5μmの光を直径30～40nmのInGaPの粒「量子ドット」にあてて光子を発生 50kmの伝送実験に成功 2光子つながるケースを5～10パルスに低減 解読リスク0.01% | 340 440 |
| 2010年12月号 | 発電効率45%超を実現する太陽電池向け新素材 | 東大 シャープ | 日経産業新聞 (2010年9月29日PP.13) | 多接合 厚み3nmのInGaAsの膜と原子1個分の厚みのInGaPの膜を交互に60個積み重ねる 量子井戸効果 多接合タイプ太陽電池 | 120 250 220 |
| 2010年11月号 | LSIの消費電力を削減する光スイッチ | 東大 光産業技術振興協会 東芝 パイオニア コニカミノルタオプト | 日経産業新聞 (2010年8月25日PP.9) | GaAs 点滅する光を照射して光の通路を開閉 InAsの量子ドット2個 内部に量子ドットを縦に並べて埋め込む 近接場光 | 240 |
| 2010年10月号 | 情報を暗号化する素子 | 北大 浜松ホトニクス NTT 東京理科大 | 日経産業新聞 (2010年7月8日PP.12) | p型InPにn型のInGaAsやニオブを積層 ニオブ層の厚さ80nm 光子対 量子もつれ合い状態 | 120 220 |
| 2010年10月号 | 光通信に量子計算 | 日大 | 日刊工業新聞 (2010年7月8日PP.19) | 非ガウス状態 光子数識別器 繰り返し速度1MHz超で従来比約10倍高速 低電力の量子ICT | 240 340 |
| 2010年 9月号 | 光による量子ホール効果を確認 | 東大 | 日経産業新聞 (2010年6月29日PP.11) | GaAs AlGaAsを張り合わせた試料 -270℃に冷やし4～6テスラの磁力を加え波長0.15～0.6mmのテラヘルツ波を当てる | 120 |
| 2010年 8月号 | 超電導の人工原子を組み込んだ量子光学素子 | 理研 NEC | 日刊工業新聞 (2010年5月11日PP.22) | 超電導量子ビット 巨視的量子散乱などの量子光学現象 | 120 220 |
| 2010年 8月号 | 量子ドットレーザで25Gbpsでデータ通信 | 富士通 東大 | 日刊工業新聞 (2010年5月21日PP.23) | 従来比2.5倍 GaAs基板 InAsの量子ドット 600億個/cm2 量子ドット層8層 | 250 240 |
| 2010年 8月号 | 量子ドットで発光素子 | 東京都市大 | 日経産業新聞 (2010年5月25日PP.9) | Ge 円形構造 層内を円周方向に進み強め合う | 120 250 |
| 2010年 8月号 | 量子ドットを300層積層した半導体レーザ | 情通機構 | 日刊工業新聞 (2010年5月26日PP.23) 日経産業新聞 (2010年5月27日PP.13) | 温度調整装置が不要 80℃までの高温域で波長1.55μmでレーザ発振成功 | 120 250 |
| 2010年 8月号 | 量子ドットを使用した低消費電力レーザ発振素子 | 東大 | 日経産業新聞 (2010年5月31日PP.12) | Si基板上で微少なレーザ光を発振 InAsでできた直径20nmの「量子ドット」 長さ1mm・幅60μm・厚さ0.3mmの棒状素子 | 120 250 |
| 2010年 1月号 | 円盤状量子ドット形成技術を開発 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2009年10月7日PP.1) | Si基板上に直径12nmの鉄を核とするタンパク質を並べる 厚さを2nm～6nmと変えるとバンドギャップが1.6～2.2電子ボルトの範囲で変わる 高効率太陽電池に応用可能 | 120 250 160 |
| 2010年 1月号 | 物質の微細化による新しい量子効果を発見 | 千葉大 広島大 東北大 | 日刊工業新聞 (2009年10月22日PP.24) | 電子スピン エネルギー消費量が従来の1/1000 ラシュバ効果 | 120 |
| 2009年10月号 | 量子情報の保存を最長にする暗号通信向け技術 | 情報学研 | 日刊工業新聞 (2009年7月3日PP.22) | 半導体量子メモリー 7μ秒のコヒーレンス時間で量子情報転写 光パルススピンエコー コヒーレンス時間従来比7000倍 | 120 230 |
| 2009年10月号 | グラフェンを使った人工分子 | 物材機構 理研 | 日経産業新聞 (2009年7月24日PP.11) | グラフェンが3層重なった薄いシートを電子線で加工 電圧制御で量子ドットの電子が複雑な結合状態を示す | 120 |
| 2009年 9月号 | 9者間の量子もつれの誤り訂正実験成功 | 東大 | 日刊工業新聞 (2009年6月29日PP.4) | 量子演算 量子コンピュータ もつれた光 ビームスプリッタ | 120 |
| 2009年 8月号 | 量子コンピュータ素子の誤差発生を抑制 | 米国立標準技術研 | 日経産業新聞 (2009年5月27日PP.11) | 誤差を数10分の1に低減 ある時間間隔で124GHzのマイクロ波をあてて誤差補正 | 120 |
| 2009年 5月号 | 量子状態を光で測定 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2009年2月5日PP.26) 日経産業新聞 (2009年2月5日PP.11) | 量子を重ね合わせた状態を電子スピンに転写 光で測定 電子スピントモグラフィ 光子の偏光状態 電子のスピン状態 レーザ | 120 660 |
| 2009年 4月号 | 絶対零度の量子相転移を解明 | 原子力機構 | 日刊工業新聞 (2009年1月22日PP.26) | 磁気ゆらぎ ウラン化合物 核磁気共鳴(NMR)法 磁気分極モデルに合致 | 120 |
| 2009年 4月号 | 特定の光子対のみを通すフィルタ回路 | 北大 広島大 英ブリストル大 JST | 日経産業新聞 (2009年1月23日PP.10) 日刊工業新聞 (2009年1月23日PP.22) | 量子もつれ 半透明の鏡や特殊な偏光板で構成 大きさ50cm四方 2つの光子が同じ偏光方向をもつ場合に透過 異なる場合に吸収 量子ゲート 経路干渉 単一光子 | 240 220 120 |
| 2009年 2月号 | 光による電子スピンの制御技術 | 国立情報学研 | 日経産業新聞 (2008年11月13日PP.10) | 特定周波数の光 1～10psでスピンを制御 情報が消えるまで最大10億回の計算が可能 量子コンピュータ | 120 |
| 2009年 1月号 | 効率10倍の光子制御技術
-量子ドット埋め込み3次元フォトニック結晶発光- | 東大 | 日刊工業新聞 (2008年10月6日PP.20) 日経産業新聞 (2008年10月9日PP.11) | 膜を17層重ねた約10μm角の立方体形状 高さ5μmのフォトニック結晶 10nm四方の量子ドット 約200nmのGaAs半導体膜を交互に重畳 1.5μmで発光する量子ドットを埋めた膜を挟む GaAsSb Q値2300 | 120 250 |
| 2009年 1月号 | 量子暗号鍵を最速で配信 | 東芝 | 日経産業新聞 (2008年10月21日PP.23) | アバランシェフォトダイオード(APD)を単一光子検出器に使用 動作周波数従来比約100倍 20kmを1.02Mbpsで鍵配送100kmを10.1kbps 自己差分型 | 210 320 340 440 |
| 2009年 1月号 | 量子ドットを用いた単一光子源実証実験 | 東大 NEC 富士通研 | 日刊工業新聞 (2008年10月23日PP.1) | 1.55μm波長帯 量子暗号 LED | 440 |
| 2008年12月号 | 10fm微細振動検出に成功 | NTT 蘭デルフト工科大 | 日経産業新聞 (2008年9月1日PP.9) 日刊工業新聞 (2008年9月1日PP.15) | 超電導量子干渉素子(SQUID) 長さ50μm 幅4μm 厚さ0.5μmの板バネ 量子現象の観察可能 超高感度の磁気センサ | 210 320 660 |
| 2008年11月号 | 多量子ビット素子
-超高速コンピュータに道- | 東大 NTT | 日刊工業新聞 (2008年8月18日PP.18) 日経産業新聞 (2008年8月18日PP.6) | GaAs化合物半導体 電子スピン コバルト製の微小な磁石 直径0.2μmの円盤形の量子ドット | 120 220 |
| 2008年10月号 | 光ファイバの自然雑音下で量子もつれ光子対を伝送 | 阪大 | 日刊工業新聞 (2008年7月12日PP.13) | 1つの光子の量子情報を2つの光子に変換 500m配信実験 雑音の影響を受けにくい空間(DFS) 忠実度0.87 波長0.79μm | 340 440 |
| 2008年 9月号 | ダイヤモンド固体素子で「量子もつれ」を室温で実現 | 筑波大 産総研 独シュトゥットガルト大 | 日刊工業新聞 (2008年6月6日PP.23) 日経産業新聞 (2008年6月6日PP.8) | マイクロ波プラズマCVD 原子量13の炭素を多く含むダイヤとメタンガス 電子スピン 核スピン 3量子ビット | 120 160 |
| 2008年 8月号 | 量子テレポーテーション型を利用した高速演算の実験に成功 | NTT 阪大 | 日経産業新聞 (2008年5月27日PP.11) 日刊工業新聞 (2008年5月27日PP.33) | 量子もつれ 手元の量子素子の情報を遠隔地にある素子に“飛ばす” 4つの光子で高精度なもつれ状態 | 320 420 |
| 2008年 6月号 | 量子暗号通信の長距離・高速伝送に成功 | 情通機構 | 日経産業新聞 (2008年3月12日PP.11) | 光ファイバ 97km 量子暗号通信 従来の100倍の速度 700bps | 440 340 |
| 2008年 5月号 | 量子暗号通信の中継技術 | 東北大 産総研 | 日経産業新聞 (2008年2月27日PP.12) 日刊工業新聞 (2008年2月27日PP.31) | 量子中継器 光子から電子へ1対1で転写 AlGaAsに井戸幅11nmのGaAsを挟んだ量子井戸構造の素子を作製 電子と光子のもつれ合い解消 | 120 160 220 |
| 2008年 2月号 | 量子多体現象 超高速で計算処理 | NII 米スタンフォード大 | 日経産業新聞 (2007年11月22日PP.9) 日刊工業新聞 (2007年11月22日PP.20) | 光と閉じ込める微細構造を相互に連結 厚さ3nm半導体薄膜12層 ボーズアインシュタイン凝縮体を約20個形成 超流動的 | 120 160 220 |
| 2008年 2月号 | InGaAsで縦型量子ドット作製 | 東北大 | 日経産業新聞 (2007年11月29日PP.13) 日刊工業新聞 (2007年11月29日PP.28) | 3次元のMOSゲート構造 原子層堆積法 均一で高耐圧なゲート絶縁膜を形成 電子スピンの状態を正確に制御 約10倍の効率 | 120 220 |
| 2008年 2月号 | 高密度な光メモリー基本素子を作成 | 東大 | 日本経済新聞 (2007年11月19日PP.19) | フラッシュメモリーの一万倍の記録密度 近接場光 GaAs基板に径5～50nmの量子ドットを埋め込む 理論記録密度は10の15乗bit/inch2 | 120 160 230 |
| 2007年12月号 | 光子1個を電流駆動で発生 -量子暗号通信の実用帯域- | 東大 富士通研 | 日刊工業新聞 (2007年9月19日PP.29) 日経産業新聞 (2007年9月19日PP.9) | 波長帯域1.55μm 単一光子発生器 電流注入法 量子ドットをLEDに埋め込んで作製 InP | 160 250 |
| 2007年11月号 | 「絶対安全」の量子暗号に攻撃手法考案 | 三菱電機 | 日本経済新聞 (2007年8月20日PP.21) | 通信距離が約100km超で盗聴の危険性 盗聴後複製を光の強度を調整し再送信 受信側のノイズで検出不可能に | 440 520 |
| 2007年11月号 | 光のゆらぎを利用した通信技術 | 日立 東大 | 日経産業新聞 (2007年8月31日PP.1) | 理論的に盗聴不可能 位相変調方式 量子ゆらぎ | 440 520 |
| 2007年10月号 | ナノ炭素材料で単原子トランジスタを試作 | 青山学院大 名大 産総研 富士通研 | 日経産業新聞 (2007年7月20日PP.9) | ピーポッド 量子ドット SiO2の絶縁膜 金とチタンの合金の電極 CNTの内側に複数のフラーレンを並べて詰めた構造 | 120 220 |
| 2007年 9月号 | 量子暗号通信で従来の2倍の200kmの長距離伝送に成功 | NTT 国立情報学研究所 米NIST | 日本経済新聞 (2007年6月2日PP.11) 電波新聞 (2007年6月4日PP.4) 日経産業新聞 (2007年6月4日PP.9) 日刊工業新聞 (2007年6月4日PP.17) | 情報を光子にのせて送る 盗聴検知 12bpsの通信速度で伝送 差動位相シフト量子鍵配送システム 超電導単一光子検出器 105km時点で17000bps 10GHzのパルス配列 | 440 420 |
| 2007年 8月号 | 量子ビット可変式結合回路 | NEC JST 理化学研 | 電波新聞 (2007年5月4日PP.3) 日刊工業新聞 (2007年5月5日PP.10) | 1量子ビットと2量子ビットの操作が同一回路で可能 寿命を犠牲にせず 3演算ステップまで実証 量子コンピュータ 結合制御器 | 120 220 |
| 2007年 8月号 | 単電子トランジスタの基本構造を簡単に作製 | 東北大 | 日経産業新聞 (2007年5月31日PP.13) | 既存の半導体プロセスと酸化処理の組合せ 量子ドット Si酸化膜上にAl電極成膜後露光装置で素子構造を作製 | 160 220 |
| 2007年 5月号 | 中性粒子ビームで直径10nm厚さ2nmの円盤構造作成 | 東北大 | 日経産業新聞 (2007年2月19日PP.11) | 量子効果を室温で確認 塩素原子を基に電荷を持たない中性粒子ビーム加工技術 | 160 |
| 2007年 5月号 | 波長1.3μmの単一光子LEDと安全性を向上した量子暗号通信 | 英東芝欧州研 英ケンブリッジ大 英ロンドン王立大 | 日刊工業新聞 (2007年2月21日PP.24) 日経産業新聞 (2007年2月21日PP.10) 電波新聞 (2007年2月21日PP.1) | 新光源 デコイ手法 単一方向型量子暗号鍵配信技術 距離25kmで5.5kbpsの最終鍵配信速度を実証GaAsからなる基板上に直径45nm高さ10nmの量子ドットを形成 | 250 420 440 |
| 2007年 5月号 | RGB3色発光の新結晶 | 岩手大 | 日経産業新聞 (2007年2月26日PP.8) | 硫酸カリウムの中に部分的にアミノベンゼンスルホン酸を溶かして冷却 1cm角の結晶 波長355nmのレーザを照射 リン光 量子効率70% | 120 160 250 |
| 2007年 4月号 | 単電子トランジスタ試作 | 東大 | 日経産業新聞 (2007年1月19日PP.9) | 大きさ2nmの量子ドット | 220 160 |
| 2007年 4月号 | 酸化亜鉛を用いた積層薄膜 -透明エレクトロニクスに道- | 東北大 | 日刊工業新聞 (2007年1月26日PP.33) 日経産業新聞 (2007年1月26日PP.10) | 量子ホール効果 温度傾斜法 電子密度1/10の16乗 移動度440cm2/Vs 酸化亜鉛マグネシウム(MgZnO) 膜厚0.6μm | 120 160 |
| 2007年 1月号 | 不要発光量を94%抑制したレーザ発振源 | 京大 JST | 日刊工業新聞 (2006年10月13日PP.28) | GaAsの2次元フォトニック結晶 結晶中の発光中心に100～200の量子ドットを導入 | 250 260 |
| 2006年10月号 | テラヘルツ光検出技術 | 理化学研 JST | 日刊工業新聞 (2006年7月7日PP.31) 日経産業新聞 (2006年7月7日PP.8) | CNTでつくったトランジスタ 単電子トランジスタ 極低温領域で光子として量子的に検出 CNT人工原子 テラヘルツ光の周波数約2.5THz | 120 160 320 660 |
| 2006年10月号 | Si量子計算機読出しに目処 | 慶応大など | 日刊工業新聞 (2006年7月12日PP.25) | レーザ光照射でリン原子核スピン検出 励起子の発光を計測 単電子トランジスタ | 320 |
| 2006年 9月号 | 電子1個の動き捉える | NTT 東工大 JST | 日刊工業新聞 (2006年6月16日PP.29) | 半導体二重量子ドット(DQD) 超高感度な単電子電流計 単電子トランジスタ 電流雑音3aA | 120 220 660 |
| 2006年 8月号 | 量子暗号の中継成功 | 三菱電機 NEC 東大 | 日経産業新聞 (2006年5月15日PP.9) 電波新聞 (2006年5月15日PP.1) 日刊工業新聞 (2006年5月15日PP.22) | 鍵データを光子で送受信する技術 100kmごとに中継局 異なる量子暗号システム間で秘密鍵を共有 絶対安全保証 | 340 440 |
| 2006年 7月号 | 量子暗号通信を高速化 -光子検出器動作80倍- | 日大 | 日刊工業新聞 (2006年4月28日PP.1) | 光通信波長1.55μm帯で800MHz APD 光子検出電流を下げてノイズ低減 | 160 250 340 |
| 2006年 6月号 | マルチモードファイバ(MMF) -10Gbps 300mの伝送に成功- | 富士通 東大 | 日刊工業新聞 (2006年3月3日PP.1) | 温度無依存の量子ドットレーザ(QDLD) 3Dのナノ構造に電子が閉じ込められて発光 冷却機・電流駆動制御不要 | 240 120 |
| 2006年 6月号 | 拡張性に優れた量子計算機 | 国情研 英HP | 日刊工業新聞 (2006年3月3日PP.29) | 量子ビット間に直接相関不要 二つの量子ビットと量子バスを通じて構成 量子ビットを構成する物理系に依存しない キューバス | 660 |
| 2006年 6月号 | 量子コンピュータ素子の計算性能を直接測定 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2006年3月20日PP.12) | 素子から出る光の干渉を利用 わずかな距離の差をつけ重ね合せたときの干渉の強さから時間を測定 2個の励起子分子の継続時間5.4psを測定 | 220 320 |
| 2006年 6月号 | 量子もつれ振動を観測 | NTT JST | 日刊工業新聞 (2006年3月31日PP.37) | 超電導量子ビットと単一光子の組合せ 超電導量子ビットと電気回路を微細加工技術で同一半導体チップ上に作製し極低温で測定 | 160 320 |
| 2006年 5月号 | LED型量子暗号通信素子 | 東芝欧州研究所 | 日経産業新聞 (2006年2月3日PP.8) | 量子もつれ光子対を任意に発生 高さ6nm直径12nmの量子ドット微細構造 半導体素子 | 120 240 250 220 |
| 2006年 5月号 | 有機発光トランジスタで8×8のアクティブマトリクスディスプレイパネル | ローム パイオニア 三菱化学 京大 | 電波新聞 (2006年2月21日PP.1) 日刊工業新聞 (2006年2月21日PP.12) | 有機スイッチングトランジスタ 黄色に発光 発光外部量子効率0.8% 表面改質したSi酸化膜のゲート絶縁膜表面にTPPyにルブレンをドープした共蒸着膜を形成 駆動電圧80V 1000cd/m2 | 160 220 250 |
| 2006年 5月号 | テラヘルツ光用新型レーザ -コスト1/100- | 情通機構 東大 | 日経産業新聞 (2006年2月22日PP.1) | 透過撮影用光源 量子カスケードレーザ 縦3mm 幅500μm 厚さ10μm GaAs化合物半導体の多層膜構造 3.4THz 動作温度-220℃ | 120 160 250 |
| 2006年 4月号 | 光通信量子暗号伝送装置 -世界最速の2.5Gbpsで伝送- | 日立ハイブリッドネットワーク 玉川大 | 日刊工業新聞 (2006年1月17日PP.35) 電波新聞 (2006年1月18日PP.4) | 量子ゆらぎ 定量的安定性評価 256の強度多値変調 ビット誤り率1×10-12(上付)の場合に受信感度0.0398mW Y-00方式 定量的な安全性評価 128段階の基底値 伝送距離20km 物理的暗号化 | 340 440 520 |
| 2006年 4月号 | 多ビット素子 -光制御の量子計算機に道- | 産総研 | 日経産業新聞 (2006年1月18日PP.18) | GaAs基板に微細なInAsの量子ドット 数十～数百ビットの同時処理が可能 | 130 230 220 |
| 2006年 3月号 | 高密度・高均一な量子ドットの製造に成功 | 産総研 | 電波新聞 (2005年12月30日PP.5) | 通信用半導体レーザ 大きな光増幅 40GHzを超える高速直接変調動作が理論的に可能 1.3μmでレーザ発振動作 As2分子線 組成傾斜歪み緩和層構造 | 160 250 120 |
| 2006年 1月号 | 量子ドットを活用した半導体レーザ | 産総研 | 日経産業新聞 (2005年10月24日PP.11) | InAs製 直径15nm GaAs基板上に1000億個/cm2形成 5層積層 波長1.3μmのレーザ光発振 10GHz高速光通信 | 160 250 120 |
| 2005年11月号 | 全光量子計算で新方式
-量子非破壊測定法を利用- | 国立情報学研 英HP研 | 日刊工業新聞 (2005年8月9日PP.23) | 単一光子方式とレーザパルス方式の組合せ 量子計算システムと光量子通信とのインタフェース 量子ビット間に相関 QND | 120 220 |
| 2005年11月号 | 量子コンピュータ素子をSiで試作
-保持時間2桁長い量子ビット- | 日立 英ケンブリッジ大 | 日刊工業新聞 (2005年8月22日PP.22) 日経産業新聞 (2005年8月22日PP.7) | 縦50nm×横150nm二重結合量子ドット 配線をなくす構造 コヒーレンス時間200ns 酸化膜埋込み基板(SOI) 電界を介したゲートで制御 | 120 220 |
| 2005年10月号 | 半導体レーザ製造技術開発 -コスト1/1000に- | 情通機構 | 日経産業新聞 (2005年7月29日PP.7) | 面発光レーザ GaAs基板にSb系化合物微粒子の量子ドット 波長1.55μm | 120 160 250 |
| 2005年 9月号 | 単一のT字型量子細線光吸収を初めて観測 | 東大物性研 ベル研 | 日刊工業新聞 (2005年6月14日PP.27) | 量子細線 光吸収測定 量子細線レーザ 光変調器 GaAsとAlGaAsで断面が14×6nm | 120 360 660 |
| 2005年 9月号 | 量子暗号通信 -8×8規模で実証- | NTT | 日刊工業新聞 (2005年6月15日PP.25) | 微弱な単一光子 マッハツェンダ型光干渉マトリックススイッチ 差動位相シフト方式 15km伝送 鍵生成率2kbps 商用ネットで混在伝送 | 240 440 |
| 2005年 8月号 | 1.55μm帯単一光子伝送 | 東大 富士通研 | 日刊工業新聞 (2005年5月20日PP.1) | 量子暗号通信 量子ドットQD MOCVDでQD形状を最適制御 Cバンド InAs/InPで2段階にQDを埋め込む成長技術 | 120 140 160 |
| 2005年 7月号 | 新固体量子計算機 -半導体で核スピンを精密制御- | NTT JST | 日刊工業新聞 (2005年4月21日PP.28) | NMR 多値核スピン 上端に高周波用アンテナゲート 中心部にGaAs/AlGaAs系量子井戸構造 4スピン準位を反映したコヒーレント振動 | 120 420 |
| 2005年 6月号 | 1Tb級光スイッチ -エネルギー1/5で稼働- 図 | FESTA | 日経産業新聞 (2005年3月15日PP.7) | 制御用レーザ光出力100pJが20pJに 結合量子井戸構造 Al/As/Sb層とIn/Ga/As層の間に1nm以下のAl/As層 | 120 160 240 |
| 2005年 6月号 | 超電導LSI設計自動化 | 超伝導工学研 | 日刊工業新聞 (2005年3月23日PP.37) | 超電導単一磁束量子(SFQ)論理合成ツール開発 セルライブラリ 自動配置配線ツール | 120 620 |
| 2005年 4月号 | 薄くて曲げられる有機ELディスプレイ -フレキシブル透明基板と有機発光TRを開発- | 京大 パイオニア 三菱化学 ローム | 日本経済新聞 (2005年1月25日) 電波新聞 (2005年1月26日PP.1) | 名刺サイズ 厚さ0.2mm 生物が作り出した特殊な繊維 直径100nmのバイオナノファイバコンポジット 発光外部量子効率0.8% 輝度300cd/m2(上付) | 120 160 220 250 |
| 2005年 3月号 | 数百倍高輝度なLED -柱状ナノ構造で実現 GaN系- | 上智大 | 日刊工業新聞 (2004年12月7日PP.29) | 多重量子ディスク(MQD)ナノコラム構造 100～200nm径 高周波分子線エピタキシャル成長で無欠陥形成 | 250 160 |
| 2005年 2月号 | シンチレータPET -室温で超高速・高強度- | 東大 東北大 | 日刊工業新聞 (2004年11月8日PP.1) | 有機と無機を組合わせて量子井戸構造を形成 ペロブスカイト構造 センサ 陽電子放射断層撮像装置(PET) | 210 310 |
| 2005年 1月号 | 単一光子を連続発生 | 情通機構 独マックスブランク量子光学研 | 日刊工業新聞 (2004年10月28日PP.29) 日経産業新聞 (2004年10月29日PP.8) | 時間波形とタイミングを高精度に制御 イオントラップ使用 90分間 6万発の単一光子 Caの単一イオン 866nmの単一光子 | 120 140 |
| 2004年12月号 | 量子素子と伝送路接合 | NEC NTT 蘭デルフト大 | 日経産業新聞 (2004年9月9日PP.7) | 量子コンピュータ 超電導量子干渉素子SQUIDと量子ビット素子 | 220 |
| 2004年12月号 | 新量子暗号通信技術 -半導体から光子の対を発生- | 東北大 阪大 | 日経産業新聞 (2004年9月9日PP.7) 朝日新聞 (2004年9月9日PP.3) | CuAlの結晶に390nmの紫外線レーザ 量子もつれ 光子対 | 220 240 250 120 |
| 2004年12月号 | 実用水準の量子暗号通信 -40km先まで10秒- | NEC 情通機構 | 日本経済新聞 (2004年9月27日PP.21) | A4判数枚の文章情報 受光素子の構造を工夫 | 210 240 250 440 |
| 2004年10月号 | 量子ドットで単一光子 -光通信波長帯- | 東大(NCRC) 富士通研 | 日刊工業新聞 (2004年7月16日PP.24) 電波新聞 (2004年7月16日PP.2) 日本経済新聞 (2004年7月16日) 日経産業新聞 (2004年7月16日PP.8) | 転送速度100kbps InAs/InPによるQD 伝送距離200km以上 波長1.3～1.55μmで発生 レーザ光源の約400倍の通信速度 | 240 250 340 140 |
| 2004年 8月号 | 世界最速の量子暗号通信 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2004年5月13日PP.25) 日経産業新聞 (2004年5月13日PP.7) | 10MHz光子検出装置で実現 光ファイバ通信波長1550nm帯 45kbpsの鍵生成率 素子放電時の電流特性から光子の有無判別 | 340 520 440 |
| 2004年 6月号 | 単電子トランジスタ試作 図を使用(日経産業) | 東大生研 | 日経産業新聞 (2004年3月25日PP.9) 日刊工業新聞 (2004年3月10日PP.25) 日経産業新聞 (2004年3月10日PP.9) | 2nmの量子ドット 室温でTrとして機能 1素子2ビット記録 | 160 220 |
| 2004年 6月号 | 超広帯域量子ドット光増幅器 -帯域120nmで高出力- | 東大 富士通 | 日刊工業新聞 (2004年3月25日PP.37) | 出力200mW QDSOA 増幅媒体に30nm径InAs 光帯域1.26～1.61μm | 220 250 |
| 2004年 5月号 | 超電導を利用したMPU | 横浜国大 名大 | 日刊工業新聞 (2004年2月17日PP.27) 日経産業新聞 (2004年2月20日PP.8) | 単一磁束量子回路で高速計算 演算速度15.2GHz 消費電力1.6mW | 220 |
| 2004年 5月号 | 分子にバーコード | 岡崎国立共同研究機構 | 東京新聞 (2004年2月17日PP.2) | 量子計算機に応用 二つの紫外線レーザパルス | 120 |
| 2004年 2月号 | 量子ドットレーザ光通信用波長で発振 | 通信総研 | 日経産業新聞 (2003年11月14日PP.6) | 1.3μm波長 量子ドットをGa・As・Sbで覆う | 250 |
| 2004年 2月号 | SiやGeの量子ドット新製法 -基板上に高密度で形成- | 米オークリッジ国立研 | 日刊工業新聞 (2003年11月24日PP.13) | BLaC法 Geの量子ドットサイズ3nm径 高さ0.6nm 密度約3～7×1012(上付) | 160 |
| 2004年 1月号 | 量子演算回路の原型完成 -基本素子を2個結合- | NEC 理化学研 | 電波新聞 (2003年10月30日PP.3) 日刊工業新聞 (2003年10月30日PP.29) 日経産業新聞 (2003年10月30日PP.8) | CNOT回路(制御付き否定回路)を動作結合時間200ps(0.02K) | 120 220 |
| 2003年12月号 | ナノチューブで超電導現象確認 -量子計算機開発に道- | 青山学院大 NTT研 科学技術振興事業団 | 日経産業新聞 (2003年9月5日PP.7) | Alの上に微細な穴のアルミナの穴の中に0.8μmのCNT NbとAlの電極間にCNT -272.4℃で超電導 | 120 160 |
| 2003年11月号 | 量子コンピュータ用基本素子 -半導体微細加工技術を使用- | NTT 科学技術事業団 | 日経産業新聞 (2003年8月12日PP.5) | 半導体の表面に3本の長い電極とその間に短い電極を並列に置いた | 160 220 |
| 2003年11月号 | 高温超電導現象のしくみを発見 -電子の量子的な「ゆらぎ」で発生- | 電力中研 米ロスアラモス国立研究所 | 日刊工業新聞 (2003年8月21日PP.5) | 単層Bi系銅酸化物(-138℃)で発見 | 660 |
| 2003年10月号 | 量子暗号通信システム -量子暗号を長距離伝送- | NEC 科学技術振興事業団 TAO 東芝欧州研究所 | 日本経済新聞 (2003年7月4日PP.17) | 量子暗号通信 100㎞超伝送 波長1.5μm | 440 |
| 2003年 9月号 | 解像度0.1㎜の磁場顕微鏡 -LSIの欠陥識別用- | 物質・材料研究機構 | 日経産業新聞 (2003年6月4日PP.7) | 超電導量子干渉素子 SQUID Ni合金製の探針 | 120 660 |
| 2003年 9月号 | 超電導物質のメモリー素子 | 横国大 名大 超伝導工学研 通信総研 | 日経産業新聞 (2003年6月12日PP.7) | 半導体素子の10倍の速度 応答時間2～3ps 単一磁束量子回路 | 220 230 |
| 2003年 9月号 | 絶縁体にナノ量子細線 -導電性付与に成功- | 科学技術振興財団 | 日刊工業新聞 (2003年6月16日PP.5) | 超高温透明セラミックス 転位構造配列制御 サファイア結晶内に5nmの金属細線 | 120 160 |
| 2003年 8月号 | 半導体レーザ量産技術
-安価な製造法開発- | 東大 富士通 | 日経産業新聞 (2003年5月14日PP.9) | 量子ドットレーザ 光通信 MOCVD 発光波長1.8μm | 240 160 250 |
| 2003年 8月号 | 太陽系外とも光通信可能
-量子技術で室内実験- | 通信総研 | 日本経済新聞 (2003年5月26日PP.19) | 情報を光の振動方向と経路で表す 2倍以上の情報量 | 440 660 |
| 2003年 7月号 | 量子コンピュータ向け新素子 -電気的雑音に強い- | NEC デﾙフト工科大 | 日経産業新聞 (2003年4月11日PP.10) | 電磁石の電流の向きで情報を記録 情報の二重記録と電磁波により比率の制御 | 120 220 230 |
| 2003年 7月号 | ナノシリコンで赤緑青色安定発光 | 東海大 電通大 | 日刊工業新聞 (2003年4月23日PP.5) | スパッタ形式 石英ガラスとシリコンのターゲット 寿命赤3年・青10日 動作電圧10V以下 量子サイズ効果による発光を確認 | 150 250 |
| 2003年 7月号 | 紫外線LED | 日本EMC | 日本経済新聞 (2003年4月29日PP.12) | 量子ドット 発光波長360nm GaN | 250 |
| 2007年 1月号 | 不要発光量を94%抑制したレーザ発振源 | 京大 JST | 日刊工業新聞 (2006年10月13日PP.28) | GaAsの2次元フォトニック結晶 結晶中の発光中心に100～200の量子ドットを導入 | 250 260 |
| 2006年10月号 | テラヘルツ光検出技術 | 理化学研 JST | 日刊工業新聞 (2006年7月7日PP.31) 日経産業新聞 (2006年7月7日PP.8) | CNTでつくったトランジスタ 単電子トランジスタ 極低温領域で光子として量子的に検出 CNT人工原子 テラヘルツ光の周波数約2.5THz | 120 160 320 660 |
| 2006年10月号 | Si量子計算機読出しに目処 | 慶応大など | 日刊工業新聞 (2006年7月12日PP.25) | レーザ光照射でリン原子核スピン検出 励起子の発光を計測 単電子トランジスタ | 320 |
| 2006年 9月号 | 電子1個の動き捉える | NTT 東工大 JST | 日刊工業新聞 (2006年6月16日PP.29) | 半導体二重量子ドット(DQD) 超高感度な単電子電流計 単電子トランジスタ 電流雑音3aA | 120 220 660 |
| 2006年 8月号 | 量子暗号の中継成功 | 三菱電機 NEC 東大 | 日経産業新聞 (2006年5月15日PP.9) 電波新聞 (2006年5月15日PP.1) 日刊工業新聞 (2006年5月15日PP.22) | 鍵データを光子で送受信する技術 100kmごとに中継局 異なる量子暗号システム間で秘密鍵を共有 絶対安全保証 | 340 440 |
| 2006年 7月号 | 量子暗号通信を高速化 -光子検出器動作80倍- | 日大 | 日刊工業新聞 (2006年4月28日PP.1) | 光通信波長1.55μm帯で800MHz APD 光子検出電流を下げてノイズ低減 | 160 250 340 |
| 2006年 6月号 | マルチモードファイバ(MMF) -10Gbps 300mの伝送に成功- | 富士通 東大 | 日刊工業新聞 (2006年3月3日PP.1) | 温度無依存の量子ドットレーザ(QDLD) 3Dのナノ構造に電子が閉じ込められて発光 冷却機・電流駆動制御不要 | 240 120 |
| 2006年 6月号 | 拡張性に優れた量子計算機 | 国情研 英HP | 日刊工業新聞 (2006年3月3日PP.29) | 量子ビット間に直接相関不要 二つの量子ビットと量子バスを通じて構成 量子ビットを構成する物理系に依存しない キューバス | 660 |
| 2006年 6月号 | 量子コンピュータ素子の計算性能を直接測定 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2006年3月20日PP.12) | 素子から出る光の干渉を利用 わずかな距離の差をつけ重ね合せたときの干渉の強さから時間を測定 2個の励起子分子の継続時間5.4psを測定 | 220 320 |
| 2006年 6月号 | 量子もつれ振動を観測 | NTT JST | 日刊工業新聞 (2006年3月31日PP.37) | 超電導量子ビットと単一光子の組合せ 超電導量子ビットと電気回路を微細加工技術で同一半導体チップ上に作製し極低温で測定 | 160 320 |
| 2006年 5月号 | LED型量子暗号通信素子 | 東芝欧州研究所 | 日経産業新聞 (2006年2月3日PP.8) | 量子もつれ光子対を任意に発生 高さ6nm直径12nmの量子ドット微細構造 半導体素子 | 120 240 250 220 |
| 2006年 5月号 | 有機発光トランジスタで8×8のアクティブマトリクスディスプレイパネル | ローム パイオニア 三菱化学 京大 | 電波新聞 (2006年2月21日PP.1) 日刊工業新聞 (2006年2月21日PP.12) | 有機スイッチングトランジスタ 黄色に発光 発光外部量子効率0.8% 表面改質したSi酸化膜のゲート絶縁膜表面にTPPyにルブレンをドープした共蒸着膜を形成 駆動電圧80V 1000cd/m2 | 160 220 250 |
| 2006年 5月号 | テラヘルツ光用新型レーザ -コスト1/100- | 情通機構 東大 | 日経産業新聞 (2006年2月22日PP.1) | 透過撮影用光源 量子カスケードレーザ 縦3mm 幅500μm 厚さ10μm GaAs化合物半導体の多層膜構造 3.4THz 動作温度-220℃ | 120 160 250 |
| 2006年 4月号 | 光通信量子暗号伝送装置 -世界最速の2.5Gbpsで伝送- | 日立ハイブリッドネットワーク 玉川大 | 日刊工業新聞 (2006年1月17日PP.35) 電波新聞 (2006年1月18日PP.4) | 量子ゆらぎ 定量的安定性評価 256の強度多値変調 ビット誤り率1×10-12(上付)の場合に受信感度0.0398mW Y-00方式 定量的な安全性評価 128段階の基底値 伝送距離20km 物理的暗号化 | 340 440 520 |
| 2006年 4月号 | 多ビット素子 -光制御の量子計算機に道- | 産総研 | 日経産業新聞 (2006年1月18日PP.18) | GaAs基板に微細なInAsの量子ドット 数十～数百ビットの同時処理が可能 | 130 230 220 |
| 2003年 5月号 | 量子コンピュータ -基礎回路を開発- | 理化学研 NEC | 日刊工業新聞 (2003年2月20日PP.4) 日本経済新聞 (2003年2月20日PP.1) 日本経済新聞 (2003年2月20日PP.13) | 固体2量子ビット Alを幅1μm程に加工した素子を2つ並べた 4種類のデータが同時に記録 半導体技術 | 120 210 220 |
| 2003年 4月号 | 量子リソグラフィー技術の原理を実証 | 阪大 | 日本経済新聞 (2003年1月6日PP.23) | ペア光子 波長860nmで波長430nm相当の干渉縞を確認 | 160 |
| 2003年 4月号 | 超電導材料中の「磁束量子」新制御法 | 理化学研 | 日本経済新聞 (2003年1月6日PP.23) | 磁力線制御 高感度磁気センサ 超高速素子 理論考案 | 110 120 210 |
| 2003年 4月号 | 量子連結相関を復元 | 総研大 科学技術振興事業団 | 日刊工業新聞 (2003年1月23日PP.4) | 量子計算 量子暗号 | 120 |
| 2003年 4月号 | 光子から電子への変換素子 -量子暗号通信へ前進- | NEC 総研大 科学技術振興事業団 | 日本経済新聞 (2003年1月27日PP.17) | 単一光子と単一電子スピンの間の情報伝達 中継用新素子 2個の光子対「ベルペア」 量子暗号通信 | 140 240 |
| 2003年 3月号 | 単一光子光源で量子暗号通信 | JST NTT | 日刊工業新聞 (2002年12月19日PP.4) | InAs量子ドット 単一光子ターンスタイル 3次元微少共振器 | 440 240 |
| 2003年 2月号 | 盗聴不可能な｢量子暗号｣通信 -87km伝送システム実験- | 三菱電機 | 日本経済新聞 (2002年11月15日PP.15) 日本工業新聞 (2002年11月15日PP.6) | 光子検出素子改良 共通鍵の送受信のみ量子暗号 87km通信システム実験 | 520 440 |
| 2003年 2月号 | 量子カスケード半導体レーザの発振に成功 | 東北大 | 日本工業新聞 (2002年11月15日PP.2) | 遠赤外領域 ナノ構造 InAs AlSb 厚さ4～7nm×20層の超格子×40周期 発光波長9.94μm | 250 220 |
| 2003年 1月号 | 電力1/100のレーザ -速度100倍 光通信などに応用- | 科学技術振興事業団 量子もつれプロジェクト | 日経産業新聞 (2002年10月7日PP.10) | エキシトンレーザ ボーズ・アインシュタイン凝縮 -269℃ | 240 250 |
| 2002年12月号 | 量子レジスタ | 科学技術振興事業団 | 日刊工業新聞 (2002年9月12日PP.4) | 量子コンピュータ Si同位体の核スピンを利用 デコヒーレンス時間0.4秒 振動回数3000万回を室温で達成 | 120 230 |
| 2002年10月号 | 「スピン偏極共鳴トンネル効果」発見 -新機能素子実現に道- | 産業総研 科学技術振興事業団 | 日本工業新聞 (2002年7月12日PP.2) 日本経済新聞 (2002年7月12日PP.17) | スピン偏極共鳴トンネル効果 厚さ3μmのCuと単結晶Co 素本偏極量子井戸準位確認 | 120 220 230 |
| 2002年10月号 | 電流 一定方向に電子の自転利用の新素子 | 東大 NTT JST | 日経産業新聞 (2002年7月26日PP.13) 日刊工業新聞 (2002年7月26日PP.5) | 単一スピンダイオード スピンメモリー 量子コンピュータの出力装置 スピンデバイス 直径0.5μm長さ0.5μmの円筒状 GaAs GaInAs 極低温 電圧2～6mVで0.1nA | 220 230 |
| 2002年10月号 | 量子ドット形成法 -ナノオーダで制御- (NO31合わせる) | 富士通研 | 電波新聞 (2002年7月29日PP.1) | 化合物半導体 量子コンピュータ 分子線エピタキシ 結合量子スピンを利用 直径30nmと20nmの量子ドット | 120 160 |
| 2002年10月号 | 1次元鎖状に量子ドット配列 (NO29合わせる) | 電通大 | 日刊工業新聞 (2002年7月31日PP.5) | 分子線エピタキシャル法(MBE) 20nm～30nm直径のIn・As量子ドット 5μm以上の長さに配列 | 120 160 |
| 2002年 9月号 | 3.3psの超高速スイッチ -新構造で低消費電力- | 東芝 | 日刊工業新聞 (2002年6月6日PP.4) | 高温超電導JJ リング発振器 微細CMOSの3倍の高速性と1/1000の消費電力 21個のJJ 単一磁束量子回路 30K | 220 |
| 2002年 8月号 | 光通信技術 | 科学技術振興事業団 | 日経産業新聞 (2002年5月27日PP.9) | 光子の受信感度10倍 量子暗号の伝達距離220km 光子検出器の雑音除去，成功 | 440 210 |
| 2002年 4月号 | 画像劣化抑えたプロジェクタ -新画像圧縮方式応用- | シャープ 東北大 アイ・アンド・エフ | 日本経済新聞 (2002年1月23日PP.13) | 無線LAN 11Mbpsの無線LAN使用 ベクトル量子化技術 VQ 1台で複数PC対応 | 350 520 440 |
| 2002年 3月号 | 盗聴不可能な量子暗号 -通信用素子開発- 一行紹介 | 東芝欧州研 | 日本経済新聞 (2001年12月14日PP.15) | 単一構造LED | 250 |
| 2002年 3月号 | 量子コンピュータで因数分解 | MIT IBM | 日経産業新聞 (2001年12月20日PP.10) 日本工業新聞 (2001年12月21日PP.2) | 人工分子溶液 分子中の7つの原子核をメモリーとして利用 マイクロ波 15=3×5 スピン傾きを変化 | 320 |
| 2002年 1月号 | 磁束量子使う新理論LSI | NEC | 日経産業新聞 (2001年10月1日PP.11) | 単一磁束量子回路 金属系超電導材料 微小ループ LSI設計法 | 220 120 620 |
| 2001年12月号 | Si薄膜にナノ穴形成 -電子線を光速照射アモルファス化可能に- | 阪大 | 日刊工業新聞 (2001年9月18日PP.7) | 量子サイズ効果 直径約3mm | 160 |
| 2001年11月号 | ナノサイズのくぼみ -レーザで瞬時形成- | 科学技術振興事業団 | 日本経済新聞 (2001年8月24日PP.17) | 量子コンピュータ fsレーザ 干渉を利用 0.1mmの領域に1μm間隔で10～200nmのくぼみ | 160 |
| 2001年 7月号 | 超電導素子使ったADコンバータ | 日立 | 日経産業新聞 (2001年5月29日PP.10) 日本経済新聞 (2001年5月24日PP.5) | 単一磁束量子(SFQ)回路 サンプリング周波数100GHz ジョセフソン効果 イットリウム系酸化物 | 120 220 |
| 2001年 3月号 | 蒸着パネル -光止める実験に成功- | ハーバード大 | 電波タイムズ (2001年1月29日PP.2) | 光の制御 量子コンピュータ ポラリトン | 120 660 |
| 2001年 3月号 | Si LSIで量子計算 | 東大 | 日刊工業新聞 (2001年1月24日PP.7) | エミュレータ グローバの量子アルゴリズム | 320 420 |
| 2001年 3月号 | 人工光合成を実現 | 阪大 | 日刊工業新聞 (2001年1月12日PP.7) | 量子収率50% フェロセン ポルフィリン フラーレン ボロン色素 | 250 |
| 2001年 1月号 | 粒ぞろいの量子ドット | 科学技術庁 東大 | 日経産業新聞 (2000年11月27日PP.10) | GaAs半導体微粒子 直径5～20mm 液滴エピタキシィ法 | 160 120 |
| 2000年12月号 | 量子トッドメモリーー -電界 光で電荷制御に成功- | 富士通 | 日刊工業新聞 (2000年10月5日PP.6) | 量子ドットメモリー(QD) 正四面体溝(TSR) GaAs 縦形高電子移動トランジスタ(HEMT) 多値記憶 | 230 |
| 2000年11月号 | 量子箱で「近藤効果」 -量子ドットで最大に- | NTT 東大 デルフト工科大(オランダ) | 日刊工業新聞 (2000年9月22日PP.7) 日経産業新聞 (2000年9月22日PP.12) | 近藤効果 量子ドット 量子スピン 量子計算機 量子箱 量子コンピュータ AlGaAs | 120 220 |
| 2000年11月号 | 量子暗号伝送 | 三菱電機 北大 | 日経産業新聞 (2000年9月18日PP.12) | 光子 通信速度1kbps データ誤り率1% 光ファイバ | 520 440 |
| 2000年10月号 | 量子コンピュータで数学問題処理 | 米IBM 米スタンフォード大 加カルガリー大 | 日本経済新聞 (2000年8月19日PP.13) | 5個のフッ素原子を制御 状態の重ね合せ 核スピン | 320 |
| 2000年 7月号 | 準位間遷移で光スイッチ | FESTA | 日刊工業新聞 (2000年5月22日PP.9) | 光スイッチ 10fs 量子井戸構造 ISBT アンチモン系 窒化ガリウム系 | 240 |
| 2000年 4月号 | 量子情報通信 -光の粒子で情報伝送- | 郵政省 | 日刊工業新聞 (2000年2月10日PP.1) | 量子情報通信技術 光子 | 540 |
| 2000年 3月号 | 半導体量子素子 -単一光子を検出- | 東大 | 日経産業新聞 (2000年1月27日PP.5) 日刊工業新聞 (2000年1月27日PP.6) | 半導体量子素子 AlGaAs THz通信 SET ゲート電極20μm 垂直磁場 遠赤外 単一光子 光検出器 | 210 220 |
| 2000年 3月号 | 実時間ホログラフィ用1次元光学結晶 | 筑波大 | 日刊工業新聞 (2000年1月20日PP.6) | フォトニック結晶 半導体量子ビット セレン化カドミウム 非線形光学材料 酸化Si 酸化チタン 欠陥層 | 120 |
| 2000年 3月号 | 量子ホール効果を確認 -新形素子開発に道- | NTT 東北大 | 日経産業新聞 (2000年1月14日PP.5) | 量子ホール効果 量子コンピュータ GaAs AlGaAs 3nm厚 | 120 210 660 220 |
| 2000年 2月号 | 半導体接合面にスピンの向きそろった電流 | 東北大 米カリフォルニア大 | 日経産業新聞 (1999年12月16日PP.5) 日刊工業新聞 (1999年12月17日PP.6) | 電子スピン 量子コンピュータ 半導体接合面 高速コンピュータ GaMnAs強磁性半導体 発光ダイオード 偏光度確認 | 120 250 |
| 2000年 2月号 | 半導体で最短の発光波長 | 理化学研 | 日刊工業新聞 (1999年12月14日PP.6) 日本工業新聞 (1999年12月16日PP.18) | 量子井戸構造 AlN AlGaN 波長230nm 紫外波長域 波長234nm | 250 |
| 1999年12月号 | 量子ドットの超高速技術 | フェムト秒テクノロジー研究機構(FESTA) | 日刊工業新聞 (1999年10月5日PP.6) | 回復時間1.8ps 光増幅素子構造 InAsの量子ドット GaAsのスペーサ 超高速光スイッチ ポトルネック問題 | 240 |
| 1999年12月号 | 新基本回路構造 -高速60GHz達成- | NEC | 日経産業新聞 (1999年10月20日PP.5) | 超電導 マイクロプロセッサ 60GHz 調停回路 単一磁束量子 MPU 基本回路構造 低消費電力 超電導回路 Nb | 220 |
| 1999年11月号 | 青紫色面発光形半導体レーザ -室温発振に成功- | 東大 | 日刊工業新聞 (1999年9月17日PP.8) 日経産業新聞 (1999年9月17日PP.4) | 窒化ガリウム インジウム 発振波長399nm サファイア基板 多重量子井戸構造 青紫色面発光レーザ 室温発振 | 250 |
| 1999年10月号 | 10nmを切る半導体量子細線 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1999年8月25日PP.5) | ガスエッチング 有機金属気相成長 光通信帯で発光 InGaAs細線 | 250 160 |
| 1999年 9月号 | 自己組織化を利用した材料 | 名大 東大 | 日経産業新聞 (1999年7月1日PP.5) 朝日新聞 (1999年7月12日PP.11) | 自己集合 分子メモリー 水滴状の量子ドット 磁気バブル | 120 |
| 1999年 8月号 | 青紫色半導体レーザ -消費電力1/10に- | 東大 | 日本経済新聞 (1999年6月7日PP.19) | 青紫色半導体レーザ 量子箱 波長405nm 室温でパルス発振 | 250 |
| 1999年 7月号 | 青色半導体レーザ -量子ドットで実現- | 東大 | 日刊工業新聞 (1999年5月21日PP.1) | InGaN 量子ドット 10層構造 室温発振 閾値電流 MOCVD 直径約20nm 高さ約4.5nm 波長405nm 色素レーザ励起 | 250 |
| 1999年 7月号 | 固体電子素子で量子コンピュータ動作確認 | NEC 科学技術振興事業団 | 日刊工業新聞 (1999年4月29日PP.5) 日本工業新聞 (1999年4月30日PP.17) | 超電導単一電子帯トンネル素子 Al薄膜 量子コンピュータ | 420 |
| 1999年 6月号 | 超並列計算実現へ第一歩 | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1999年4月19日PP.5) | 量子計算 暗号 | 120 320 |
| 1999年 5月号 | 量子コンピュータの新基本設計法 | スタンフォード大(米) | 日経産業新聞 (1999年3月16日PP.5) | 量子コンピュータスピン 量子コンピュータ マイクロ波照射 | 120 |
| 1999年 4月号 | 新形発光素子 -「量子ゆらぎ」を克服 1粒ずつ発生可能に- | 科学技術振興事業団 山本プロジェクト NTT | 日刊工業新聞 (1999年2月11日PP.1) 日本経済新聞 (1999年2月11日PP.11) 朝日新聞 (1999年2月11日PP.11) 日経産業新聞 (1999年2月12日PP.4) | 光通信 量子ゆらぎ 単一光子 ターンスティル素子 GaAs 新形発光素子 単一光子素子 AlGaAa | 150 250 240 |
| 1999年 4月号 | 量子計算機で基礎実験 | 大工研 他 | 日経産業新聞 (1999年2月10日PP.5) | 量子計算機 | 120 660 |
| 1999年 4月号 | 紫色半導体レーザ -次世代DVD用光源- | 松下電器産業 | 電波新聞 (1999年2月4日PP.1) 日経産業新聞 (1999年2月4日PP.5) 日本経済新聞 (1999年2月4日PP.11) 日本工業新聞 (1999年2月4日PP.4) | 次世代DVD 波長400nm 集光特性 連続発振 多重量子井戸構造 GaN DVD 紫色半導体レーザ 半導体レーザ 記録用光源 | 230 250 |
| 1999年 3月号 | ニオブ系超電導素子30GHz動作 | 名大 他 | 日刊工業新聞 (1999年1月22日PP.1) | 超電導単一磁束量子 ニオブ系超電導ジョセフソン結合 SFQ回路 | 220 |
| 1999年 3月号 | 量子コンピュータ -数十億年かかる計算瞬時に- | 三菱電機 | 日本経済新聞 (1999年1月9日PP.11) | 光の量子性 4bの判別 量子コンピュータ 量子計算 高速演算 暗号解読 | 120 320 |
| 1999年 2月号 | 量子メモリー -低電圧1Vで書込み消去- | 富士通 | 日刊工業新聞 (1998年12月9日PP.5) | テラビット級 HEMT 異方性エッチング TSR溝 量子ドット浮遊ゲート 不揮発性 書込み/消去電圧1V | 230 220 |
| 1999年 2月号 | 波長多重の光記憶素子 -切手大に映画200本分- | 富士通 | 日本経済新聞 (1998年12月7日PP.17) | 1.1Tb/in2 量子ドット波長多重メモリー GaAs基板 InAs 書込み速度5ns/b レーザ 波長多重光記録 光記憶素子 メモリー | 230 |
| 1999年 1月号 | 量子効果素子 | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1998年11月25日PP.7) | 量子効果素子 | 220 |
| 1998年12月号 | 量子計算機用素子 | NTT 理化学研 デルフト工科大 (オランダ) | 日本経済新聞 (1998年10月29日PP.11) 日本工業新聞 (1998年10月29日PP.24) | 共有結合状態 電圧変化 超高速コンピュータ 量子ドット分子 | 220 |
| 1998年12月号 | 半導体レーザ -温度調節器不要に- | 東工大 | 日経産業新聞 (1998年10月20日PP.5) | 半導体レーザ 光通信 歪み量子井戸構造 温度調節器不要 | 250 |
| 1998年11月号 | 「量子井戸」で効率10倍 光信号の波長変換素子 -量子井戸で効率10倍- | フェムト秒テクノロジー研究機構 | 日経産業新聞 (1998年9月17日PP.5) | 量子井戸 波長変換素子 光スイッチ | 240 |
| 1998年 8月号 | 0.4V以下の超低電圧Si量子素子 | 松下電器産業 | 電波新聞 (1998年6月24日PP.1) 日刊工業新聞 (1998年6月24日PP.11) 日経産業新聞 (1998年6月24日PP.5) | トンネル障壁 酸化膜 負性特性 エサキダイオード 消費電力 Si量子素子 超低電圧駆動 多結晶Si 量子化機能素子 3nm以下の薄いSi酸化膜 負性抵抗素子 3素子でメモリー | 220 120 |
| 1998年 8月号 | 超高速光スイッチ用半導体 -光通信の波長で動作- | フェムト秒テクノロジー研究機構 | 日経産業新聞 (1998年6月14日PP.4) | 光スイッチ 量子井戸構造 | 240 |
| 1998年 7月号 | 量子箱半導体レーザ | 富士通研 | 日経産業新聞 (1998年5月12日PP.1) | 半導体レーザ 40mW出力 量子箱 閾値電流31mA | 250 |
| 1998年 7月号 | 超高速光スイッチ -窒化ガリウム量子井戸構造で実現- | フェムト秒テクノロジー研究機構 | 日刊工業新聞 (1998年5月8日PP.5) | 窒化ガリウム量子井戸 光スイッチ サブバンド間遷移 超高速光スイッチ ISBT 1.55μm 光ネットワーク | 240 140 160 |
| 1998年 5月号 | 量子箱から光観測 -超高速光通信に道- | 東大 | 日経産業新聞 (1998年3月19日PP.5) | テラビット級通信 InAs | 150 |
| 1998年 3月号 | ナノ構造の量子ドッド | アトムテクノロジー研究体 (JRCAT) | 日刊工業新聞 (1998年1月20日PP.9) | ゲルマニウム 10nm径 | 160 |
| 1997年12月号 | 超微小のハニカム構造 | NTT 都立大 | 日経産業新聞 (1997年10月28日PP.5) | アルミナ 光回路 光スイッチ 量子細線への応用期待 | 140 160 |
| 1997年10月号 | 超高速の半導体素子 | ソニー 他 | 日本経済新聞 (1997年8月25日PP.19) | 半導体素子 量子化機能素子 共鳴トンネルダイオード | 220 |
| 1997年10月号 | ディジタル音楽信号の符号化技術 -伝送エラーに強く，移動体通信でもステレオ音楽- | NTT | 日経産業新聞 (1997年8月20日PP.5) | 符号化 移動体通信 PHS ベクトル量子化 AMステレオ放送並み エラー検出データ付加 データ欠落は前後から推測 不特定多数に同時送信可 | 520 440 540 |
| 1997年10月号 | 超高密度光メモリー | 富士通 | 日本経済新聞 (1997年8月2日PP.10) | 波長多重記録 半導体媒体 量子ドット | 130 230 |
| 1997年 9月号 | 量子ドット -位置が制御された量子に道- | フェムト秒テクノロジー研究機構 | 日刊工業新聞 (1997年7月15日PP.6) | くぼみ形成 GaAs | 160 150 140 |
| 1997年 5月号 | 高温超電導体利用の高性能計測回路 | NEC | 日経産業新聞 (1997年3月12日PP.5) | サンプラ イットリウム系超電導体 50K 2ps 7.5μV感度 単一量子磁束 | 220 240 |
| 1997年 4月号 | カラー動画高速伝送可能な画像圧縮用LSI | 東北大 | 日本経済新聞 (1997年2月24日PP.19) | 電話回線 30画面/s ベクトル量子化 並列処理 | 220 250 |
| 1997年 2月号 | 金属の量子細線 -電気的特性を測定- | 金属材料研 | 日経産業新聞 (1996年12月6日PP.5) | 金 量子細線 | 160 660 |
| 1996年12月号 | 窒化膜で原子層マスク -STM使いナノ構造- | NTT | 日刊工業新聞 (1996年10月22日PP.6) | 微細加工 窒化膜原子層マスク STM MOCVD 窒化保護膜 低電流加工可能 量子効果素子 | 160 120 |
| 1996年10月号 | 幅20μm 深さ600nmの量子細線 | 松下電器産業 | 日刊工業新聞 (1996年8月15日PP.7) | レーザ加工 GaAs基板 量子細線 20μm 600nm厚 | 160 140 240 |
| 1996年 8月号 | 超電導量子干渉素子 -高温超電導体利用- | NEC | 日経産業新聞 (1996年6月3日PP.5) | SQUID レーザアブレーション | 220 160 |
| 1996年 6月号 | 量子ドットレーザ -室温で連続発振- | NEC | 日経産業新聞 (1996年4月10日PP.5) | 閾値電流5～6μA 多層構造 InGaAs | 250 |
| 1996年 5月号 | 波長多重光メモリー -基礎実験に成功- | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1996年3月14日PP.7) | 光メモリー 波長多重 大容量 1Tb/cm2に道 量子箱 ホールバーニング(PHB)効果 0.48msのホール寿命 量子サイズばらつきで波長多重 | 230 130 260 |
| 1996年 3月号 | 量子細線形成技術 -厚さ幅とも10nm 均一に形成- | NTT | 日経産業新聞 (1996年1月19日PP.5) 日刊工業新聞 (1996年1月19日PP.5) | 量子細線 光吸収ピーク観測 製造加工技術 | 120 160 |
| 1996年 2月号 | 多値トランジスタ -電流値量子化を確認- | NTT | 日経産業新聞 (1995年12月1日PP.5) | 電流量子化 0.01K 3ビット分を確認 量子トランジスタ 8段階3ビット | 220 120 |
| 1995年11月号 | 高温超電導材で論理回路 | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1995年9月20日PP.5) | 磁束量子パラメトロン ジョセフソン素子 高温超電導材料 論理回路 高周波通信 | 120 220 |
| 1995年11月号 | 量子箱の直接観測に成功 | NTT光エレ研 | 日刊工業新聞 (1995年9月4日PP.9) | 量子箱 | 160 660 |
| 1995年10月号 | 高品位情報再生技術 -高能率でも画像鮮明- | ドーム | 日本経済新聞 (1995年8月17日PP.11) | フロッピーディスク ベクトル量子化 | 520 |
| 1995年 9月号 | 世界初の量子ドットレーザ | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1995年7月25日PP.1) | 量子ドットレーザ 正孔とじこめ発光 InGaAs 閾値1.1A λ911nm/温度80K パルス発振 超低消費電力 | 250 150 |
| 1995年 9月号 | 量子干渉効果を観測 | NTT | 日刊工業新聞 (1995年7月20日PP.7) | 半導体中の超電導電流 HEMT+超電導電極 量子効果 観測技術 | 120 660 360 |
| 1995年 8月号 | インジウムの量子箱 -次世代メモリー開発へ- | 富士通研 | 日経産業新聞 (1995年6月5日PP.5) | 量子箱 RHET | 230 160 120 |
| 1995年 5月号 | 超高速光スイッチング用光デバイス -光だけのオンオフ動作- | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1995年3月15日PP.8) | 電子スピン 超高速光スイッチング用 多重量子井戸構造 | 240 |
| 1995年 2月号 | 層状物質CaSeの垂直エピタキシャル成長に成功 | 東工大 | 日刊工業新聞 (1994年12月27日PP.4) | 結晶成長 量子細線 | 120 160 |
| 1995年 2月号 | 単電子トランジスタ | NTT | 日経産業新聞 (1994年12月16日PP.5) 電波新聞 (1994年12月16日PP.2) 日刊工業新聞 (1994年12月16日PP.7) 日本工業新聞 (1994年12月16日PP.8) | 単電子トランジスタ 量子効果現象 室温動作 | 220 |
| 1994年11月号 | 波長1.3μm帯の半導体レーザ | NEC 日立製作所 | 日経産業新聞 (1994年9月26日PP.5) | 半導体レーザ 1Gbps 0.58mA 歪み量子井戸構造 最低電流は3mA | 250 |
| 1994年11月号 | 走査型電子線露光 -初の5nmパターン形成- | NEC | 日刊工業新聞 (1994年9月13日PP.7) | 無機レジスト法 量子効果素子 イオンビームスパッタ法 | 120 160 |
| 1994年11月号 | 二重障壁構造の量子井戸 -1テラメモリーに道- | 松下電器産業 | 日刊工業新聞 (1994年9月19日PP.15) | 単結晶Si 共鳴トンネル現象 | 220 230 |
| 1994年10月号 | 10nm幅のSi細線 - -173℃で量子効果- | NTT | 日経産業新聞 (1994年8月26日PP.5) | Si細線 量子効果 極細構造 | 160 220 |
| 1994年10月号 | 新構造光通信用半導体レーザ | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1994年8月31日PP.5) | 応力補償型歪み量子井戸構造 130km伝送 | 250 440 |
| 1994年 9月号 | 半導体ナノ細線製造技術 -超高速素子に道- | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1994年7月12日PP.5) | 半導体細線製造加工 量子効果 太さ十数nm 超極細線半導体細線 超高速素子 半導体製造技術 | 160 |
| 1994年 7月号 | 量子箱構造を自然形成 | NTT | 日経産業新聞 (1994年5月12日PP.5) | 量子箱 半導体レーザ 直径50～200nm | 160 250 |
| 1994年 6月号 | 新概念の量子効果IC -電極も配線も不要に- | 東芝 | 日刊工業新聞 (1994年4月8日PP.6) | 量子効果 LSI 量子効果IC 配線不要 シミュレーション 量子効果集積回路 | 220 |
| 1994年 4月号 | 第2世代量子効果トランジスタMERHET -1素子で論理動作- | 富士通 | 電波新聞 (1994年2月17日PP.6) 日刊工業新聞 (1994年2月17日PP.7) | 量子効果トランジスタ ME(マルチエミッタ) LSIを1/10小型化 RHET(共鳴トンネルホットエレクトロントランジスタ) | 220 |
| 1994年 4月号 | 超高速ピコ秒光スイッチ | 筑波大 | 日刊工業新聞 (1994年2月9日PP.5) | 光スイッチ 多重井戸量子構造 | 240 |
| 1994年 3月号 | 磁束量子パラメトロン | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1994年1月24日PP.5) | 磁束量子パラメトロン 36GHz-269℃ | 220 |
| 1994年 1月号 | 量子箱レーザ | 東工大 | 日経産業新聞 (1993年11月19日PP.5) | InGaAsP 波長1.3μm -196℃ 発振電流1.1A 半導体レーザ 量子箱 微小半導体粒 超低電流発振 | 250 |
| 1993年12月号 | 共鳴ホットエレクトロントランジスタ | 富士通 | 日経産業新聞 (1993年10月26日PP.5) 日経産業新聞 (1993年10月29日PP.5) | トランジスタ 記憶素子 量子効果 ダブルエミッタRHET メモリー 5×7μm | 220 230 |
| 1993年12月号 | 微小共振器型量子細線レーザ -「究極レーザ」へ一歩- | 東大 | 日刊工業新聞 (1993年10月23日PP.1) | 量子細線 選択的有機金属 気相成長法 | 250 |
| 1993年12月号 | 高温超電導体磁束量子観測 -動的観察に成功- | 日立製作所 | 電波新聞 (1993年10月22日PP.1) 日経産業新聞 (1993年10月22日PP.4) | 超電導体磁束量子観測 高温超電導 | 360 |
| 1993年11月号 | 光スイッチ用新半導体材料 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1993年9月2日PP.1) | 超高速スイッチング トンネル効果 光スイッチ材料 トンネル双量子井戸 スイッチ速度1～2ps 応答速度1000倍 | 240 120 |
| 1993年10月号 | 量子細線のSi形成技術 -超々LSIの製作へ利用- | 松下電器産業 | 電波新聞 (1993年8月30日PP.1) 日経産業新聞 (1993年8月30日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年8月30日PP.13) | 超々LSI 量子細線 | 220 |
| 1993年 9月号 | 立体交差不要の新方式 | 東芝 | 日刊工業新聞 (1993年7月26日PP.6) | 量子配線技術 2次元電子ガス層 | 120 220 |
| 1993年 6月号 | 欠陥の少い量子細線作製 -光を電子に素早く変換- | 光技術研究開発つくば研究所 | 日経産業新聞 (1993年4月19日PP.5) | 次世代の半導体素材 高変換効率 | 160 |
| 1993年 5月号 | 化合物半導体量子効果トランジスタ | 三洋電機 | 電波新聞 (1993年3月24日PP.1) | 220 | |
| 1993年 4月号 | AlGaAs化合物の選択成長技術 | 三菱化成 | 日刊工業新聞 (1993年2月3日PP.6) | MOCVDHSE法 選択成長技術 量子化機能素子 レーザ | 260 250 |
| 1993年 3月号 | 量子干渉トランジスタ -電界で波動を制御- | NTT | 日刊工業新聞 (1993年1月13日PP.7) | 量子干渉トランジスタ 超高速低消費電力 電界効果型Tr 素子数1/50 | 220 |
| 1993年 2月号 | 最小の22μm角ジョセフソン記憶セル | NEC | 日経産業新聞 (1992年12月16日PP.5) | 22μm角 300ps ジョセフソン接合 磁束量子転移型記憶セル 超電導コイル 小型化 高速 省電力 | 220 230 |
| 1993年 2月号 | 半導体光アンプ -横波と縦波100倍に増幅- | 沖電気 | 日刊工業新聞 (1992年12月2日PP.6) | 光アンプ 量子井戸 偏波無依存型 100倍増幅 半導体光増幅 TE/TM混在で増幅 12層量子井戸構造 | 220 250 240 |
| 1993年 2月号 | 多数信号処理の新型トランジスタ -量子波素子を直列接続- | NTT | 日刊工業新聞 (1992年12月1日PP.9) 日経産業新聞 (1992年12月1日PP.5) | 共鳴トンネル効果 多入力 重み付け演算 量子効果 負性抵抗 量子波素子 4入力演算機能 | 220 |
| 1993年 1月号 | 室温発光のSi系LED | 東大 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1992年11月25日PP.7) | シリコンゲルマニウムLED 室温動作 量子井戸構造 LED 室温発光 | 250 |
| 1993年 1月号 | 量子ドットの大きさを制御 | NTT | 日経産業新聞 (1992年11月13日PP.5) | 量子ドット 電子閉込め | 260 |
| 1993年 1月号 | 高真空中でGaAs基板微細加工技術 -量子細線構造を試作- | 新技術事業団 | 日刊工業新聞 (1992年11月11日PP.15) | 量子細線デバイス 超高真空 電子ビーム照射 量子細線構造 超高速スイッチング素子 | 260 220 |
| 1992年12月号 | 2ビーム・レーザ | ソニー | 日経産業新聞 (1992年10月21日PP.5) | 量子井戸構造 波長780nm 間隔100μm 出力50mW | 250 |
| 1992年11月号 | 10Gbの量子化メモリー素子 -1チップで文庫本5000冊- | 富士通 | 日刊工業新聞 (1992年9月28日PP.1) | トンネル共鳴 量子効果 量子化メモリー 10Gb 新型メモリー RHET/トンネルダイオード | 230 |
| 1992年11月号 | 光双安定素子 | 三菱電機 | 電波新聞 (1992年9月3日PP.2) 日経産業新聞 (1992年9月3日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年9月3日PP.7) 日本工業新聞 (1992年9月3日PP.15) | 光双安定素子 量子井戸構造 光スイッチング | 220 240 |
| 1992年10月号 | 1Gbを超える半導体用新型トランジスタ | NEC | 日本経済新聞 (1992年8月21日PP.1) | 半導体トランジスタ 量子効果 大きさ1/30 電力1/10 | 220 |
| 1992年10月号 | 発光層幅30nm以下の量子細線レーザ構造 | NTT | 日刊工業新聞 (1992年8月20日PP.6) | 30nmの発光層幅 | 250 |
| 1992年10月号 | GaAs基板上に量子ドットを形成 | 新技術事業団 | 日刊工業新聞 (1992年8月5日PP.7) | 量子ドット 光素子 レーザ | 220 |
| 1992年 9月号 | 超電導演算素子 -1つで10個分働く- | 日立製作所 | 電波新聞 (1992年7月31日PP.1) 日経産業新聞 (1992年7月31日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年7月31日PP.7) | アンドレエフ効果 超電導素子 量子効果 アンドレエフ反射 演算機能持つ単一素子 集積度2桁向上 | 220 120 |
| 1992年 6月号 | 光で光の強度を変調 | 京大 | 日刊工業新聞 (1992年4月9日PP.6) | 量子井戸構造 0.5ps応答 | 220 |
| 1992年 6月号 | 0.01μm以下の量子細線構造 -室温で量子効果示す- | 新技術事業団 | 日刊工業新聞 (1992年4月7日PP.6) | ALE法で幅0.01μm | 100 160 |
| 1992年 5月号 | 超電導量子干渉素子の信号多重化 | 富士通 | 日経産業新聞 (1992年3月13日PP.5) | SQUID ジョセフソン集積回路 多重信号 超電導素子 | 220 240 |
| 1992年 4月号 | ディジタル音声符号化装置 -2倍の情報圧縮率- | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1992年2月6日PP.6) 日刊工業新聞 (1992年2月6日PP.7) 電波新聞 (1992年2月6日PP.5) | 1.2kbpsで2.4kbpsと同等の音質 音声符号化システム ベクトル量子化方式(ADVQ) 従来の1/2 | 520 420 |
| 1992年 3月号 | 偏波無依存型SLD | 東大 NTT | 日刊工業新聞 (1992年1月31日PP.9) | スーパールミネッセンスダイオード 量子井戸 TE/TMモード発振 分光計測 | 250 660 |
| 1992年 3月号 | 出力世界最高310mW達成の半導体レーザ | 住友電工 | 日刊工業新聞 (1992年1月30日PP.5) | 半導体レーザ 1.48μm 出力1.2倍 量子井戸 | 250 |
| 1992年 2月号 | 赤色可視光半導体レーザ | 三菱電機 | 電波新聞 (1991年12月11日PP.6) 日経産業新聞 (1991年12月11日PP.5) 日刊工業新聞 (1991年12月11日PP.9) | 90℃で10mW 多重量子障壁半導体レーザ 電子波干渉効果 | 250 |
| 1991年11月号 | 超高速新トランジスタ -トンネル効果利用- | NTT | 電波新聞 (1991年9月13日PP.3) 日経産業新聞 (1991年9月13日PP.5) 日刊工業新聞 (1991年9月13日PP.9) | 結合量子井戸構造 電流増幅率5.5 増幅確認 トンネル効果利用の共鳴トンネルトランジスタ 動作速度0.1ps(現在最高速の19倍) 動作速度0.1ps(現在最高速の19倍) 量子とじ込めシュタルク効果 | 220 |
| 1991年11月号 | 量子井戸導波路型半導体スイッチ -どの偏光でもオンオフ- | 東大 | 日刊工業新聞 (1991年9月10日PP.7) | 量子とじ込めシュタルク効果 偏光無依存量子井戸導波路型半導体光スイッチ | 240 |
| 1991年11月号 | DFBレーザ -外部変調器なしで100km光伝送可能- | 東芝 | 日刊工業新聞 (1991年9月25日PP.7) 日経産業新聞 (1991年9月23日PP.1) | 10Gbps 量子井戸 光のゆらぎ0.4nm | 250 440 |
| 1991年10月号 | 磁束量子パラメトロン -基本電子回路を試作- | 新技術事業団 | 日経産業新聞 (1991年8月26日PP.5) | 超電導素子 超高速コンピュータ | 220 520 120 |
| 1991年 7月号 | 発光するSi実現 | NTT | 日刊工業新聞 (1991年5月15日PP.9) 日経産業新聞 (1991年5月15日PP.5) | 素材 量子サイズ効果で発光 Si原子 微細加工 | 150 |
| 1991年 7月号 | 新型の電子波干渉素子 | NTT | 日刊工業新聞 (1991年5月9日PP.5) | 単一量子細線 マッハツェンダ構造 | 220 |
| 1991年 6月号 | 光トランジスタ -光電算機超高速化へ前進- | NTT | 日刊工業新聞 (1991年4月17日PP.1) 日経産業新聞 (1991年4月17日PP.5) | 論理素子 64b並列処理 3m2チップ上に64個のEARS(面型光スイッチング)素子を集積 光でXORなどの基本論理演算 応答速度20ns SW機能 増幅機能を持つ世界初の光素子 64b演算に成功 高速処理(×1000) 1000b 多重量子井戸構造 光トランジスタ 光コンピュー | 220 |
| 1991年 6月号 | RHETによる全加算器IC | 富士通 | 電波新聞 (1991年4月16日PP.6) 日経産業新聞 (1991年4月16日PP.5) 日刊工業新聞 (1991年4月16日PP.9) 日本経済新聞 (1991年4月16日PP.11) 電波タイムズ (1991年4月19日PP.2) | 従来比密度5倍 速度10倍 消費電力1/2 電流増幅率10以上 遮断周波数200GHz以上 200GHzの高速化可能 処理能力50倍 量子効率利用したRHET 情報処理能力(×50) 演算と記憶機能は世界初 | 220 |
| 1991年 6月号 | 波長幅4nmで可変のレーザ | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1991年4月10日PP.5) | 多重量子井戸構造分布レーザ 1548～1552nmと4nm可変 出力20mW 可変幅 従来の2倍 出力20mn コヒーレント光通信に応用可 | 250 |
| 1991年 3月号 | 量子化半導体レーザ | 科学技術庁 金属材料研 | 日刊工業新聞 (1991年1月25日PP.0) | 250 | |
| 1991年 2月号 | 負性抵抗効果を確認 | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1990年12月11日PP.0) | Si系量子細線(0.1μm)素子で負性抵抗効果を確認 RHET(共鳴トンネリングホットトランジスタ)では確認されていたがシリコン系は初めて | 220 |
| 1990年11月号 | 量子細線精密作製で電子波素子に道 | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1990年9月24日PP.0) | Ga原子16個を1つのブロック | 160 |
| 1990年11月号 | スペクトル全幅0.5mm 2.4G対応1.55μm半導体レーザ | 日立製作所 | 電波新聞 (1990年9月17日PP.0) | 閾電流15 微分量子効率0.2mW/mA 光出力 | 250 |
| 1990年10月号 | 量子効果トランジスタ | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1990年8月24日PP.0) | Si | 220 |
| 1990年 9月号 | 量子ドット製作に新方法 | NTT | 日刊工業新聞 (1990年7月19日PP.0) | 三角形のGa Al As 0.1μmでも量子効果 | 160 |