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| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
| 1995年 8月号 | インジウムの量子箱 -次世代メモリー開発へ- | 富士通研 | 日経産業新聞 (1995年6月5日PP.5) | 量子箱 RHET | 230 160 120 |
| 1994年 4月号 | 第2世代量子効果トランジスタMERHET -1素子で論理動作- | 富士通 | 電波新聞 (1994年2月17日PP.6) 日刊工業新聞 (1994年2月17日PP.7) | 量子効果トランジスタ ME(マルチエミッタ) LSIを1/10小型化 RHET(共鳴トンネルホットエレクトロントランジスタ) | 220 |
| 1993年12月号 | 共鳴ホットエレクトロントランジスタ | 富士通 | 日経産業新聞 (1993年10月26日PP.5) 日経産業新聞 (1993年10月29日PP.5) | トランジスタ 記憶素子 量子効果 ダブルエミッタRHET メモリー 5×7μm | 220 230 |
| 1992年11月号 | 10Gbの量子化メモリー素子 -1チップで文庫本5000冊- | 富士通 | 日刊工業新聞 (1992年9月28日PP.1) | トンネル共鳴 量子効果 量子化メモリー 10Gb 新型メモリー RHET/トンネルダイオード | 230 |
| 1991年 6月号 | RHETによる全加算器IC | 富士通 | 電波新聞 (1991年4月16日PP.6) 日経産業新聞 (1991年4月16日PP.5) 日刊工業新聞 (1991年4月16日PP.9) 日本経済新聞 (1991年4月16日PP.11) 電波タイムズ (1991年4月19日PP.2) | 従来比密度5倍 速度10倍 消費電力1/2 電流増幅率10以上 遮断周波数200GHz以上 200GHzの高速化可能 処理能力50倍 量子効率利用したRHET 情報処理能力(×50) 演算と記憶機能は世界初 | 220 |
| 1991年 2月号 | 負性抵抗効果を確認 | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1990年12月11日PP.0) | Si系量子細線(0.1μm)素子で負性抵抗効果を確認 RHET(共鳴トンネリングホットトランジスタ)では確認されていたがシリコン系は初めて | 220 |