Japanese only.
掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
2018年 2月号 | 窒化物超伝導体を利用 新型ジョセフソン素子作製 | 情通機構 | 日刊工業新聞 (2017年11月15日PP.27) | 窒化物超電導体 超電導量子コンピュータ,磁性ジョセフソン素子 | 120 220 |
2017年 5月号 | 単一超電導ナノチューブ利用 トランジスタ開発 | 東大 | 日刊工業新聞 (2017年2月27日PP.21) | 二硫化タングステンナノチューブにおいて超電導の発現を発見。単一ナノチューブにおける超電導の初めての報告。 | 220 |
2016年 9月号 | 超電導ナノワイヤで特異現象 http://www.keio.ac.jp/ja/press_release/2016/osa33qr000001r2pm.html | 慶大 物材機構 群馬大 | 日刊工業新聞 (2016年6月8日PP.21) | 超電導ナノワイヤ 超高感度光検出器 カーボンナノチューブ 量子位相スリップ 幅10nmのナノワイヤ 窒化ニオブ結晶 | 120 220 |
2015年12月号 | 120kmの量子暗号鍵伝送 http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0220150928eaaf.html | 東大 富士通研 NEC | 日刊工業新聞 (2015年9月28日PP.22) | 従来比2倍以上の距離,複数光子の同時発生率100万分の1 世界最長の量子暗号鍵伝送 120km伝送 低ノイズの超電導単一光子検出器 秘匿通信 | 220 340 440 |
2015年 6月号 | 光照射でON/OFFする超電導スイッチ https://www.ims.ac.jp/news/2015/02/13_3096.html | 分子科学研,理化学研 | 日刊工業新聞 (2015年3月17日PP.17) | 有機分子を組込んだ電界効果トランジスタ,スピロピラン,光に応答して電気的に分極 光駆動型トランジスタ | 240 220 |
2014年12月号 | 超電導回路で論理素子を作成 | 理化学研究所など | 日刊工業新聞 (2014年9月25日PP.27) | 量子計算機,読出し精度90%以上 | 220 |
2013年11月号 | 超電導トランジスタ | 分子研 理研 | 日経産業新聞 (2013年8月27日PP.10) | 有機材料 BEDD-TTF -265℃・数Vで電気抵抗0 | 220 |
2012年 7月号 | 磁束が超電導細線を透過する新現象 | 理研 NEC | 日経産業新聞 (2012年4月19日PP.11) 日刊工業新聞 (2012年4月24日PP.23) | 酸化インジウム 量子ビット マイクロ波 コヒーレント量子位相スリップ(CQPS)効果 幅35nmのInOを仕切りとして置き 微弱な磁場を加えながらマイクロ波を当てる 電流標準 | 120 220 |
2012年 4月号 | 超電導状態になる炭素繊維 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2012年1月5日PP.11) | 5Kで1cm2あたり200万Aの電流を流せる 合成条件によって直径90nm〜1μm 長さ3μm〜数mm フラーレン | 120 220 |
2012年 1月号 | 量子メモリーの原理実験に成功 | NTT 阪大 国立情報学研 | 日刊工業新聞 (2011年10月13日PP.21) 日経産業新聞 (2011年10月13日PP.11) | 量子もつれ振動を制御 量子メモリー ダイヤモンド基板と超電導の量子ビットを組み合わせたハイブリッドの量子状態 | 220 230 120 |
2011年 5月号 | 反強磁性と超電導が共存する構造の新材料 | 東工大 物材機構 | 日経産業新聞 (2011年2月3日PP.11) 日刊工業新聞 (2011年2月3日PP.24) | Ce・Ni・Bi層と電気抵抗のある常電導で反強磁性 有効質量が超電導層で1に対し常電導層で400 4.2K以下で超電導を観測 | 120 220 |
2010年 8月号 | 超電導の人工原子を組み込んだ量子光学素子 | 理研 NEC | 日刊工業新聞 (2010年5月11日PP.22) | 超電導量子ビット 巨視的量子散乱などの量子光学現象 | 120 220 |
2008年 7月号 | 鉄系加圧で超電導 | 日大 東工大 | 日経産業新聞 (2008年4月24日PP.11) 日刊工業新聞 (2008年4月24日PP.30) | 4万気圧をかけ-230℃で超電導 転移温度-230.15℃ | 120 220 |
2008年 5月号 | 新種の高温超電導体 | 東工大 | 日経産業新聞 (2008年2月19日PP.8) 日刊工業新聞 (2008年2月19日PP.22) | LaとO2が作る絶縁層とFeとAsが作る電導性の層を交互に積層させた層状化合物 酸素イオンの一部をフッ素イオンで置き換えると超電導 フッ素濃度11%で約-241℃で電気抵抗ゼロ | 120 160 220 |
2008年 1月号 | 線幅100nm以下の超電導回路 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2007年10月2日PP.1) | 光相変化材料Y123 Y Ba Cu O 近接場光 先端50nm径の光ファイバ 30nm径の超電導体ドットを50nm間隔で作成 10K以下で超電導状態 ジョセフソン接合 | 120 160 220 |
2007年 8月号 | 超電導A/D変換器 -次世代通信の基地局の中核部品に- | 国際超電導産技研 日立 横浜国大 | 日刊工業新聞 (2007年5月3日PP.1) | アナログ信号の処理に超電導回路を利用 熱雑音を抑える変調器 周波数を4つに分配 18.6GHzでの動作で帯域10MHzのアナログ信号を14ビットのデジタル信号に変換 | 220 240 |
2006年 7月号 | 共鳴トンネルダイオード使用で新回路動作に成功 | 上智大 独デュースブルク・エッセン大 | 日刊工業新聞 (2006年4月6日PP.24) | 超電導ジョセフソン接合素子(JJ) 室温で200GHz動作可能 4RTD回路 Al・Asの二重障壁層とIn・Ga・As系の積層構造で井戸層からなるRTD 試作サイズ15〜25μm2 論理積(AND)論理和(OR)回路 | 160 120 220 |
2005年11月号 | 高温超電導体臨界電流163A | 住友電工 | 日刊工業新聞 (2005年8月12日PP.1) | -196℃ 100m級のBi系線材 加圧焼成酸素の注入条件を最適化 粉末を均一化 結晶粒の向きを揃える | 120 160 220 |
2004年12月号 | 量子素子と伝送路接合 | NEC NTT 蘭デルフト大 | 日経産業新聞 (2004年9月9日PP.7) | 量子コンピュータ 超電導量子干渉素子SQUIDと量子ビット素子 | 220 |
2004年 5月号 | 超電導を利用したMPU | 横浜国大 名大 | 日刊工業新聞 (2004年2月17日PP.27) 日経産業新聞 (2004年2月20日PP.8) | 単一磁束量子回路で高速計算 演算速度15.2GHz 消費電力1.6mW | 220 |
2004年 2月号 | 高温超電導薄膜作製技術 -無線通信電波振り分け- | NTT物性科学基礎研 | 日経産業新聞 (2003年11月5日PP.10) | 薄膜材料の組成を厳密に制御 Nd | Ba Cuの酸化物 -178℃超電導フィルタ 160 220 |
2003年10月号 | MgB2超電導体 -27.5Kの高温で磁場1テスラ- | 芝浦工大 ソウル大 | 日刊工業新聞 (2003年7月28日PP.1) | SPS法でMgB2を生成 30mmφ・高さ6mm スパークプラズマ焼結法 高温超伝導 | 220 |
2003年 9月号 | 超電導物質のメモリー素子 | 横国大 名大 超伝導工学研 通信総研 | 日経産業新聞 (2003年6月12日PP.7) | 半導体素子の10倍の速度 応答時間2〜3ps 単一磁束量子回路 | 220 230 |
2006年 7月号 | 共鳴トンネルダイオード使用で新回路動作に成功 | 上智大 独デュースブルク・エッセン大 | 日刊工業新聞 (2006年4月6日PP.24) | 超電導ジョセフソン接合素子(JJ) 室温で200GHz動作可能 4RTD回路 Al・Asの二重障壁層とIn・Ga・As系の積層構造で井戸層からなるRTD 試作サイズ15〜25μm2 論理積(AND)論理和(OR)回路 | 160 120 220 |
2002年 9月号 | 3.3psの超高速スイッチ -新構造で低消費電力- | 東芝 | 日刊工業新聞 (2002年6月6日PP.4) | 高温超電導JJ リング発振器 微細CMOSの3倍の高速性と1/1000の消費電力 21個のJJ 単一磁束量子回路 30K | 220 |
2002年 1月号 | 磁束量子使う新理論LSI | NEC | 日経産業新聞 (2001年10月1日PP.11) | 単一磁束量子回路 金属系超電導材料 微小ループ LSI設計法 | 220 120 620 |
(2001年8月31日PP.17) | クロロホルム FET | 220 | |||
2001年 7月号 | 超電導素子使ったADコンバータ | 日立 | 日経産業新聞 (2001年5月29日PP.10) 日本経済新聞 (2001年5月24日PP.5) | 単一磁束量子(SFQ)回路 サンプリング周波数100GHz ジョセフソン効果 イットリウム系酸化物 | 120 220 |
2001年 5月号 | 高分子で超電導実現 | 米ルーセントテクノロジーズ社ベル研 | 日経産業新聞 (2001年3月8日PP.11) | 臨界温度2.35K ポリチオフェンFET ホール対 | 120 220 |
2000年 1月号 | 高温超電導素子製造技術 -1チップ上に10個の集積可能に- | 超電導研 NEC 東芝 日立 | 日経産業新聞 (1999年11月12日PP.5) 電波新聞 (1999年11月12日PP.2) | YBaCuO系 高温超電導素子 ジョセフソン素子 イオン照射 | 220 160 |
1999年12月号 | 新基本回路構造 -高速60GHz達成- | NEC | 日経産業新聞 (1999年10月20日PP.5) | 超電導 マイクロプロセッサ 60GHz 調停回路 単一磁束量子 MPU 基本回路構造 低消費電力 超電導回路 Nb | 220 |
1999年 9月号 | 移動体通信の送受信装置 | 松下電器 京セラ | 日経産業新聞 (1999年7月9日PP.5) | 超電導 フィルタ ホルミウム バリウム 銅酸化物系 高温超電導材料 | 220 340 |
1999年 9月号 | 第3の金属超電導線材 | 日立電子 | 日刊工業新聞 (1999年7月16日PP.7) | Nb3Al | 140 220 |
1999年 4月号 | 超高速の超電導素子 -赤外光超高感度で検出- | ロチェスタ大 モスクワ州立教育大 | 日経産業新聞 (1999年2月5日PP.5) | 窒化ニオブ薄膜 超電導状態 光子1個 250GHz 超電導素子 | 240 220 |
1999年 3月号 | ニオブ系超電導素子30GHz動作 | 名大 他 | 日刊工業新聞 (1999年1月22日PP.1) | 超電導単一磁束量子 ニオブ系超電導ジョセフソン結合 SFQ回路 | 220 |
1998年11月号 | 伝送データの一時記憶メモリー -超電導物質使う- | NEC | 日経産業新聞 (1998年9月24日PP.5) | バッファメモリー 超電導 ATMスイッチ | 220 230 |
1998年11月号 | 超電導回路 -室温半導体回路複合化に成功- | 富士通 | 日刊工業新聞 (1998年9月3日PP.1) | 超電導回路 室温半導体回路 ジョセフソン接合昇圧回路 HEMT Tb級システム | 220 |
1998年10月号 | サブミクロンサイズのジョセフソン素子 -高温超電導単結晶を採用- | 東北大 | 日経産業新聞 (1998年8月21日PP.5) 電波新聞 (1998年8月21日PP.2) | 超電導素子 ジョセフソン素子 単一電子の制御 素子の微細化 超電導 FIB加工技術 BiSrKCu酸化物 面積1μmで単電子 トンネル効果 液体ヘリウム温度動作 | 120 220 |
1998年10月号 | 高温超電導ジョセフソン接合 | 東芝 | 日刊工業新聞 (1998年8月20日PP.5) | 高温超電導 ジョセフソン接合 SFQ | 220 120 |
1998年 9月号 | 超電導素子使用の発振器 -1THzのサブミリ波実現- | 通信総研 | 日経産業新聞 (1998年7月10日PP.4) | サブミリ波 ジョセフソン素子 超電導 50mW | 220 140 150 |
1998年 6月号 | 電流変化を高速測定できる集積回路 | NEC | 日経産業新聞 (1998年4月6日PP.5) | イットリウム系高温超電導体 サンプラ SQUID 25K動作で5psごとに2.5μAを識別 | 220 660 |
1997年12月号 | 超電導チップ -データ交換速度10倍に- | NEC | 日経産業新聞 (1997年10月7日PP.5) | 超電導 | 220 320 |
1997年 5月号 | 高温超電導体利用の高性能計測回路 | NEC | 日経産業新聞 (1997年3月12日PP.5) | サンプラ イットリウム系超電導体 50K 2ps 7.5μV感度 単一量子磁束 | 220 240 |
1996年 9月号 | 超電導体の薄膜技術でジョセフソン効果 | 三洋電機 | 日経産業新聞 (1996年7月10日PP.4) 電波新聞 (1996年7月10日PP.1) | ジョセフソン素子 85Kでも高速スイッチング タリウム系 伝搬遅延0.05ps 薄膜 超電導 | 220 140 |
1996年 8月号 | 超電導量子干渉素子 -高温超電導体利用- | NEC | 日経産業新聞 (1996年6月3日PP.5) | SQUID レーザアブレーション | 220 160 |
1996年 7月号 | 高温超電導素子 | 超電導工学研 | 日経産業新聞 (1996年5月9日PP.5) | 高温超電導 論理回路 4.2〜30Kで5ns | 220 |
1996年 6月号 | 電極に超電導材料採用のトランジスタ | 慶大 | 日経産業新聞 (1996年4月19日PP.5) | 超電導 電界効果トランジスタ | 220 120 |
1996年 3月号 | サブミリ波受信超電導素子 | 通信総研 | 日経産業新聞 (1996年1月24日PP.5) | サブミリ波 超電導素子 超電導 305GHz サブミリ波受信 SIS構造 | 220 240 |
1995年11月号 | 高温超電導材で論理回路 | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1995年9月20日PP.5) | 磁束量子パラメトロン ジョセフソン素子 高温超電導材料 論理回路 高周波通信 | 120 220 |
1995年11月号 | 超電導体ミキサアンテナ一体型周波数変換器 -数THzまで対応可能- | 超電導工学研 | 日経産業新聞 (1995年9月5日PP.5) | 高温超電導体 超電導 100GHz 周波数変換器 ミキサアンテナ 数THz | 220 120 240 |
1995年10月号 | 高温超電導下ジョセフソン効果観測技術 | NTT | 電波新聞 (1995年8月29日PP.2) 日経産業新聞 (1995年8月29日PP.5) 日刊工業新聞 (1995年8月29日PP.6) | ジョセフソン素子 4.2〜80K超電導 高速新デバイスに道 高温超電導体 トンネル効果 | 220 120 660 |
1995年 8月号 | 世界初の200V級限流素子 | 三菱電機 | 電波新聞 (1995年6月15日PP.1) 日経産業新聞 (1995年6月15日PP.5) 日刊工業新聞 (1995年6月15日PP.9) | 限流素子 400Aを12Aに 超電導 | 220 |
1995年 4月号 | 超電導光データ処理装置 -画像処理高速化に有望- | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1995年2月10日PP.5) | ジョセフソン回路 超電導素子 光伝送 超電導 画像処理 | 220 |
1995年 1月号 | ミリ波受信IC | 三菱電機 | 電波新聞 (1994年11月2日PP.6) 日経産業新聞 (1994年11月2日PP.5) 日刊工業新聞 (1994年11月2日PP.8) | ミリ波 衛星 100GHz 超電導IC ミキサ用 フィルタ不要 | 220 440 |
1994年 9月号 | 高性能電波望遠鏡 -600GHz微弱信号をキャッチ- | 通信総研 | 日経産業新聞 (1994年7月1日PP.5) | 受信素子 超電導薄膜素子 SIS構造 電波望遠鏡 600GHz 無線通信 超高周波 低雑音 | 340 220 120 210 |
1993年10月号 | 超電導トランジスタ | 沖電気 | 日経産業新聞 (1993年8月19日PP.5) | -253℃ 実用水準の増幅率 酸化物高温超電導 -253℃で完全動作 初の実用水準の増幅率 | 220 |
1993年 9月号 | 超電導・超高速LSIマルチチップモジュール | 京セラ 電総研 | 電波新聞 (1993年7月27日PP.1) | 超電導LSI 1.2GHzクロック MCM(76×38×7mm) 超電導 ジョセフソン素子 | 220 |
1993年 6月号 | 大電流超電導トランジスタ -5Vで1000A達成- | 富士通 | 日刊工業新聞 (1993年4月15日PP.9) | バイポーラ型 超電導トランジスタ 初の実用レベル チタン酸ストロンチウム 5V/1000A | 220 |
1993年 5月号 | 光信号で動作するジョセフソン素子 -10Gbps高速通信に対応- | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1993年3月16日PP.4) | ジョセフソン素子 光電変換 超電導膜 OEIC 10Gbps通信伝送 | 220 240 |
1993年 3月号 | 超電導薄膜を量産化 | 同和鉱業 | 日経産業新聞 (1993年1月6日PP.1) | 超電導薄膜 MOCDV法 | 220 120 |
1993年 2月号 | 最小の22μm角ジョセフソン記憶セル | NEC | 日経産業新聞 (1992年12月16日PP.5) | 22μm角 300ps ジョセフソン接合 磁束量子転移型記憶セル 超電導コイル 小型化 高速 省電力 | 220 230 |
1993年 1月号 | 高温超電導磁気センサ | シャープ | 電波新聞 (1992年11月25日PP.1) | 超電導 | 120 220 |
1993年 1月号 | 高温超電導微細加工技術 | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1992年11月17日PP.1) | 高温超電導 微細加工技術 乾式エッング | 220 |
1993年 1月号 | 超電導3端子トランジスタ -1万倍の電流密度実現- | 富士通 | 日刊工業新聞 (1992年11月6日PP.7) | 超電導3端子トランジス 電流密度1万倍 超電導トランジスタ 2極式 電流密度10A | 220 |
1993年 1月号 | 超電導現象観測 | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1992年11月5日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年11月5日PP.8) 電波新聞 (1992年11月6日PP.2) | 超電導 | 120 220 |
1992年12月号 | ジョセフソン接合素子 -世界最小の0.4μm- | NEC | 日経産業新聞 (1992年10月20日PP.5) | ジョセフソン接合素子 φ0.4μm ニオブ系超電導体 | 220 |
1992年12月号 | ジョセフソン接合素子 | NTT | 日経産業新聞 (1992年10月2日PP.5) | 超電導薄膜 ジョセフソン素子 段差接合 | 220 |
1992年11月号 | ジョセフソン素子で高周波測定 -サブミリ波検出- | 神戸製鋼 | 日経産業新聞 (1992年9月8日PP.1) | 超電導薄膜 ジョセフソン電磁波検出器 サブミリ波 ジョセフソン素子 170GHz検出 高品位通信 | 220 210 |
1992年 9月号 | 超電導演算素子 -1つで10個分働く- | 日立製作所 | 電波新聞 (1992年7月31日PP.1) 日経産業新聞 (1992年7月31日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年7月31日PP.7) | アンドレエフ効果 超電導素子 量子効果 アンドレエフ反射 演算機能持つ単一素子 集積度2桁向上 | 220 120 |
1992年 8月号 | 平面型超電導デバイス | NTT | 日刊工業新聞 (1992年6月4日PP.6) | 超電導トランジスタ 3端子超電導デバイス HEMTにニオム電極 | 220 |
1992年 7月号 | 世界初の限流素子 | 三菱電機 | 電波新聞 (1992年5月8日PP.1) 日経産業新聞 (1992年5月8日PP.4) 日刊工業新聞 (1992年5月8日PP.7) | AC100Vの過電流抑制 イットリウム系超電導体を利用 限流素子 | 220 120 |
1992年 5月号 | 準粒子使い超電導トランジスタ動作実証 | 三洋電機 | 電波新聞 (1992年3月17日PP.1) 日刊工業新聞 (1992年3月17日PP.9) | 超電導素子 | 220 |
1992年 5月号 | 超電導量子干渉素子の信号多重化 | 富士通 | 日経産業新聞 (1992年3月13日PP.5) | SQUID ジョセフソン集積回路 多重信号 超電導素子 | 220 240 |
1991年12月号 | トンネル接合素子 | 三洋電機 | 電波新聞 (1991年10月12日PP.2) 日経産業新聞 (1991年10月12日PP.5) 日刊工業新聞 (1991年10月12日PP.5) | BKBOエピタキシャル薄膜 超電導論理素子 トンネル接合素子 高温超電導素子 | 220 |
1991年10月号 | 磁束量子パラメトロン -基本電子回路を試作- | 新技術事業団 | 日経産業新聞 (1991年8月26日PP.5) | 超電導素子 超高速コンピュータ | 220 520 120 |
1991年 5月号 | 高温超電導体使うトランジスタ | 富士通 | 日経産業新聞 (1991年3月23日PP.0) | 好悪の超電導体 電圧制御 | 220 |
1991年 2月号 | 超電導トランジスタにメド | 沖電気 | 日刊工業新聞 (1990年12月29日PP.0) | 応答速度3ps ビスマス系トランジスタ | 220 |
1991年 1月号 | 新型ダイオード | 富士通 | 日経産業新聞 (1990年11月9日PP.0) | 2〜3mv -269℃(液体He温度) 超電導 | 220 |
1990年12月号 | 応答0.5psの超高速トランジスタ | 三菱電機 | 日刊工業新聞 (1990年10月30日PP.0) | 超電導利用真空トランジスタのシミュレーション確認 応用:超高速トランジスタ SEM 高周波オシロの電子ビーム源 | 220 |
1990年11月号 | 新超電導体 | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1990年9月20日PP.0) | 臨界温度130K | 220 |
1990年 9月号 | 超電導A/D変換器 | 米WH | 日経産業新聞 (1990年7月26日PP.0) | 1nA以下の微弱な信号を検出 10の11乗のパルスをカウント | 220 |