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掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
2008年 3月号 | 高速・低消費電力の新トランジスタ | 日立 東大 | 日経産業新聞 (2007年12月14日PP.11) | 絶縁膜厚を10nmにして基板からも電圧制御 漏れ電流1/10 動作速度20%向上 SOI | 160 220 |
2006年 9月号 | 128MbキャパシタレスDRAMの動作実証 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2006年6月19日PP.1) | 酸化膜埋込み基板(SOI)の浮遊ボディ(FB)に電荷を記憶 2倍の高密度と低コスト化 | 160 230 |
2006年 6月号 | 再構成可能な光合分波器 -フォトニック結晶で実現- | 東大 NEC | 日刊工業新聞 (2006年3月29日PP.37) | 波長を変えて光経路を切替え R-OADM PCの対応波長幅約10nm 埋込みSOI基板のSi層に周期的に孔 | 160 240 |
2006年 5月号 | 世界最小のICチップ | 日立 | 日経産業新聞 (2006年2月6日PP.8) | ミューチップ 0.15mm角 7.5μm厚 SOI技術 絶縁層で干渉を防止 素子の高集積化 | 160 220 340 |
2006年 2月号 | 読出し速度30%高速化のSRAM -待機時漏れ電流1/100- | 日立 | 日刊工業新聞 (2005年11月1日PP.25) | ダブルゲート構造の完全空乏型埋込み酸化膜(FD-SOI) チップあたりの電池寿命20倍 背面ゲートに逆バイアス BOXを10mm | 160 230 |
2005年11月号 | 量子コンピュータ素子をSiで試作
-保持時間2桁長い量子ビット- | 日立 英ケンブリッジ大 | 日刊工業新聞 (2005年8月22日PP.22) 日経産業新聞 (2005年8月22日PP.7) | 縦50nm×横150nm二重結合量子ドット 配線をなくす構造 コヒーレンス時間200ns 酸化膜埋込み基板(SOI) 電界を介したゲートで制御 | 120 220 |
2004年 3月号 | Si層0.7nmトランジスタの動作確認 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2003年12月12日PP.1) | 5原子層 NEDO Si単結晶薄膜厚さ0.7nm SOI 試作素子のゲート長は2〜3μm 実現可能なゲート長は1.5〜3nmと予想 | 160 220 |
2003年 9月号 | SOI基板にDRAM混載 | 東芝 | 日経産業新聞 (2003年6月16日) | 96kbDRAM SOIにはキャパシタ不要な記憶回路 | 230 160 |
2006年 9月号 | 128MbキャパシタレスDRAMの動作実証 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2006年6月19日PP.1) | 酸化膜埋込み基板(SOI)の浮遊ボディ(FB)に電荷を記憶 2倍の高密度と低コスト化 | 160 230 |
2006年 6月号 | 再構成可能な光合分波器 -フォトニック結晶で実現- | 東大 NEC | 日刊工業新聞 (2006年3月29日PP.37) | 波長を変えて光経路を切替え R-OADM PCの対応波長幅約10nm 埋込みSOI基板のSi層に周期的に孔 | 160 240 |
2006年 5月号 | 世界最小のICチップ | 日立 | 日経産業新聞 (2006年2月6日PP.8) | ミューチップ 0.15mm角 7.5μm厚 SOI技術 絶縁層で干渉を防止 素子の高集積化 | 160 220 340 |
2003年 5月号 | バッテリーレスの無線送受信装置 -0.5Vで動くLSI- -微小エネで無線送受信- | NEDO | 日刊工業新聞 (2003年2月21日PP.5) 日経産業新聞 (2003年2月25日PP.12) | 0.5-1Vで動作 体温差・照明光を利用 FD-SOI 送信側1mW 受信表示全体40mW | 440 220 |
2003年 3月号 | SiMOSトランジスタ -ゲート長6nmと最小- | 米IBM | 日刊工業新聞 (2002年12月11日PP.4) | SOI上のSi膜厚4nm ハロー・インプラント技術 | 160 220 |
2001年 4月号 | 光ネット用送受信器 -10Gbpsでワンチップ- | 日立 | 日刊工業新聞 (2001年2月7日PP.6) | 0.25μmプロセス 10Gbps SiGe Bi-CMOS SOI シリコンゲルマ | 240 220 |
2001年 1月号 | 無線回路1Vで駆動 -切手大の端末可能- | NTT | 日経産業新聞 (2000年11月15日PP.11) | 従来の半分の1Vで駆動 10〜100mの近距離を通信 ブルートゥース対応 周波数変換 40mW以下 2〜2.4GHz SOI 0.2μmCMOS | 220 340 |
2000年 2月号 | 歪みSOIに作成したP形MOS構造 | 東芝 | 日刊工業新聞 (1999年12月6日PP.13) | 歪みSOI 正孔移動度1.3倍 | 120 220 |
2001年 1月号 | 無線回路1Vで駆動 -切手大の端末可能- | NTT | 日経産業新聞 (2000年11月15日PP.11) | 従来の半分の1Vで駆動 10〜100mの近距離を通信 ブルートゥース対応 周波数変換 40mW以下 2〜2.4GHz SOI 0.2μmCMOS | 220 340 |
1999年12月号 | 新形歪みSOI基板 | 東芝 | 日刊工業新聞 (1999年9月30日PP.6) | 歪みSi SiGe下地 キャリヤ移動度2倍以上 SIMOX技術 | 120 |
1999年11月号 | 2V動作の16Mb DRAM | 沖電気 | 日経産業新聞 (1999年9月1日PP.8) | 2V 16MbDRAM SOI技術 | 230 |
1999年11月号 | 次世代半導体ウェハ -SOI低コストで量産- | キヤノン | 日経産業新聞 (1999年9月24日PP.1) | SOIウェハ 高圧水流 張合せ法 ウォータジェット | 160 |
1997年12月号 | SRAM小型化技術 | 東芝 | 日経産業新聞 (1997年10月15日PP.5) | トンネル効果 3トランジスタ 負性抵抗 NOSトランジスタ SOI構造 0.35μmプロセス 室温動作 | 220 230 |
1997年 6月号 | 次世代光通信開発進む | NTT KDD | 日本経済新聞 (1997年4月21日PP.19) | ソリトン通信 光通信 SOI構造 100Gbps 20Gbps×4 光ソリトン通信 | 440 220 240 |
1997年 4月号 | ATM用LSI -スイッチ速度4倍- | NTT | 日経産業新聞 (1997年2月7日PP.5) | ATM LSI SOI | 240 |
1997年 4月号 | 算術論理回路 -0.5Vで駆動- | 東芝 | 日経産業新聞 (1997年2月6日PP.5) | ALU SOI 0.5V動作 低電圧 | 220 |
1997年 2月号 | SOI DRAM技術 -セル縮小 動作電圧半減- | NEC 三菱電機 | 日経産業新聞 (1996年12月10日PP.5) 電波新聞 (1996年12月10日PP.6) 日刊工業新聞 (1996年12月10日PP.5) | DRAM 厳密な位置合せ不要 0.151μmで0.21μm2のセル SOI 0.9V動作 16Mb セル 動作電圧半減 | 230 |
1996年10月号 | SOI方式トランジスタ -1〜2割高速化- | 東芝 | 日経産業新聞 (1996年8月27日PP.5) | SOI 速度オーバシュート | 220 |
1995年 7月号 | SOI型トランジスタ -耐久性向上・実用化へ- | 東芝 | 日経産業新聞 (1995年5月17日PP.5) | ゲルマニウムイオン注入 高耐圧 SOI SOI型トランジスタ | 220 |
1994年 4月号 | SOI-DRAM -1.5V〜4.0Vで動作実現- | 三菱電機 | 電波新聞 (1994年2月18日PP.3) | DRAM 低電圧駆動 | 230 |
1993年 2月号 | SOIを用いた新タイプのDRAM | ソニー | 日刊工業新聞 (1992年12月15日PP.9) | DRAM SOI 512MbDRAM向け | 220 260 |
1991年10月号 | 高速 低電圧動作の新型素子 -電子走行層厚み0.15μm- | 東芝 | 日刊工業新聞 (1991年8月16日PP.5) | 薄膜SOIに匹敵のSJET SJET | 220 260 |
1991年 7月号 | 横型バイポーラ | 富士通 | 日本工業新聞 (1991年5月29日PP.1) | トランジスタ(BJT) fT4GHz SOI基板 工程数1/2 | 220 |