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SOI 関係の注目記事
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掲載
予定
題 目発表社情報源キーポイント 分類
番号
2008年 3月号高速・低消費電力の新トランジスタ日立
東大
日経産業新聞
(2007年12月14日PP.11)
絶縁膜厚を10nmにして基板からも電圧制御
漏れ電流1/10
動作速度20%向上
SOI
160
220
2006年 9月号128MbキャパシタレスDRAMの動作実証東芝日刊工業新聞
(2006年6月19日PP.1)
酸化膜埋込み基板(SOI)の浮遊ボディ(FB)に電荷を記憶
2倍の高密度と低コスト化
160
230
2006年 6月号再構成可能な光合分波器
-フォトニック結晶で実現-
東大
NEC
日刊工業新聞
(2006年3月29日PP.37)
波長を変えて光経路を切替え
R-OADM
PCの対応波長幅約10nm
埋込みSOI基板のSi層に周期的に孔
160
240
2006年 5月号世界最小のICチップ日立日経産業新聞
(2006年2月6日PP.8)
ミューチップ
0.15mm角
7.5μm厚
SOI技術
絶縁層で干渉を防止
素子の高集積化
160
220
340
2006年 2月号読出し速度30%高速化のSRAM
-待機時漏れ電流1/100-
日立日刊工業新聞
(2005年11月1日PP.25)
ダブルゲート構造の完全空乏型埋込み酸化膜(FD-SOI)
チップあたりの電池寿命20倍
背面ゲートに逆バイアス
BOXを10mm
160
230
2005年11月号量子コンピュータ素子をSiで試作
-保持時間2桁長い量子ビット-
日立
英ケンブリッジ大
日刊工業新聞
(2005年8月22日PP.22)
日経産業新聞
(2005年8月22日PP.7)
縦50nm×横150nm二重結合量子ドット
配線をなくす構造
コヒーレンス時間200ns
酸化膜埋込み基板(SOI)
電界を介したゲートで制御
120
220
2004年 3月号Si層0.7nmトランジスタの動作確認東芝日刊工業新聞
(2003年12月12日PP.1)
5原子層
NEDO
Si単結晶薄膜厚さ0.7nm
SOI
試作素子のゲート長は2〜3μm
実現可能なゲート長は1.5〜3nmと予想
160
220
2003年 9月号SOI基板にDRAM混載東芝日経産業新聞
(2003年6月16日)
96kbDRAM
SOIにはキャパシタ不要な記憶回路
230
160
2006年 9月号128MbキャパシタレスDRAMの動作実証東芝日刊工業新聞
(2006年6月19日PP.1)
酸化膜埋込み基板(SOI)の浮遊ボディ(FB)に電荷を記憶
2倍の高密度と低コスト化
160
230
2006年 6月号再構成可能な光合分波器
-フォトニック結晶で実現-
東大
NEC
日刊工業新聞
(2006年3月29日PP.37)
波長を変えて光経路を切替え
R-OADM
PCの対応波長幅約10nm
埋込みSOI基板のSi層に周期的に孔
160
240
2006年 5月号世界最小のICチップ日立日経産業新聞
(2006年2月6日PP.8)
ミューチップ
0.15mm角
7.5μm厚
SOI技術
絶縁層で干渉を防止
素子の高集積化
160
220
340
2003年 5月号バッテリーレスの無線送受信装置
-0.5Vで動くLSI-
-微小エネで無線送受信-
NEDO日刊工業新聞
(2003年2月21日PP.5)
日経産業新聞
(2003年2月25日PP.12)
0.5-1Vで動作
体温差・照明光を利用
FD-SOI
送信側1mW
受信表示全体40mW
440
220
2003年 3月号SiMOSトランジスタ
-ゲート長6nmと最小-
米IBM日刊工業新聞
(2002年12月11日PP.4)
SOI上のSi膜厚4nm
ハロー・インプラント技術
160
220
2001年 4月号光ネット用送受信器
-10Gbpsでワンチップ-
日立日刊工業新聞
(2001年2月7日PP.6)
0.25μmプロセス
10Gbps
SiGe
Bi-CMOS
SOI
シリコンゲルマ
240
220
2001年 1月号無線回路1Vで駆動
-切手大の端末可能-
NTT日経産業新聞
(2000年11月15日PP.11)
従来の半分の1Vで駆動
10〜100mの近距離を通信
ブルートゥース対応
周波数変換
40mW以下
2〜2.4GHz
SOI
0.2μmCMOS
220
340
2000年 2月号歪みSOIに作成したP形MOS構造東芝日刊工業新聞
(1999年12月6日PP.13)
歪みSOI
正孔移動度1.3倍
120
220
2001年 1月号無線回路1Vで駆動
-切手大の端末可能-
NTT日経産業新聞
(2000年11月15日PP.11)
従来の半分の1Vで駆動
10〜100mの近距離を通信
ブルートゥース対応
周波数変換
40mW以下
2〜2.4GHz
SOI
0.2μmCMOS
220
340
1999年12月号新形歪みSOI基板東芝日刊工業新聞
(1999年9月30日PP.6)
歪みSi
SiGe下地
キャリヤ移動度2倍以上
SIMOX技術
120
1999年11月号2V動作の16Mb DRAM沖電気日経産業新聞
(1999年9月1日PP.8)
2V
16MbDRAM
SOI技術
230
1999年11月号次世代半導体ウェハ
-SOI低コストで量産-
キヤノン日経産業新聞
(1999年9月24日PP.1)
SOIウェハ
高圧水流
張合せ法
ウォータジェット
160
1997年12月号SRAM小型化技術東芝日経産業新聞
(1997年10月15日PP.5)
トンネル効果
3トランジスタ
負性抵抗
NOSトランジスタ
SOI構造
0.35μmプロセス
室温動作
220
230
1997年 6月号次世代光通信開発進むNTT
KDD
日本経済新聞
(1997年4月21日PP.19)
ソリトン通信
光通信
SOI構造
100Gbps
20Gbps×4
光ソリトン通信
440
220
240
1997年 4月号ATM用LSI
-スイッチ速度4倍-
NTT日経産業新聞
(1997年2月7日PP.5)
ATM
LSI
SOI
240
1997年 4月号算術論理回路
-0.5Vで駆動-
東芝日経産業新聞
(1997年2月6日PP.5)
ALU
SOI
0.5V動作
低電圧
220
1997年 2月号SOI
DRAM技術
-セル縮小
動作電圧半減-
NEC
三菱電機
日経産業新聞
(1996年12月10日PP.5)
電波新聞
(1996年12月10日PP.6)
日刊工業新聞
(1996年12月10日PP.5)
DRAM
厳密な位置合せ不要
0.151μmで0.21μm2のセル
SOI
0.9V動作
16Mb
セル
動作電圧半減
230
1996年10月号SOI方式トランジスタ
-1〜2割高速化-
東芝日経産業新聞
(1996年8月27日PP.5)
SOI
速度オーバシュート
220
1995年 7月号SOI型トランジスタ
-耐久性向上・実用化へ-
東芝日経産業新聞
(1995年5月17日PP.5)
ゲルマニウムイオン注入
高耐圧
SOI
SOI型トランジスタ
220
1994年 4月号SOI-DRAM
-1.5V〜4.0Vで動作実現-
三菱電機電波新聞
(1994年2月18日PP.3)
DRAM
低電圧駆動
230
1993年 2月号SOIを用いた新タイプのDRAMソニー日刊工業新聞
(1992年12月15日PP.9)
DRAM
SOI
512MbDRAM向け
220
260
1991年10月号高速
低電圧動作の新型素子
-電子走行層厚み0.15μm-
東芝日刊工業新聞
(1991年8月16日PP.5)
薄膜SOIに匹敵のSJET
SJET
220
260
1991年 7月号横型バイポーラ富士通日本工業新聞
(1991年5月29日PP.1)
トランジスタ(BJT)
fT4GHz
SOI基板
工程数1/2
220
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