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| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
| 2014年 5月号 | 低消費電力のSRAM | 東芝 ルネサスエレクトロニクス | 日経産業新聞 (2014年2月12日PP.7) | 配線幅65nm 消費電力1/100 | 230 |
| 2013年 9月号 | 0.37V動作のトランジスタを採用したロジックIC | 超低電圧デバイス技術研究組合 NEDO | 日刊工業新聞 (2013年6月11日PP.21) 日経産業新聞 (2013年6月11日PP.9) | SOTBトランジスタを用いたSRAM シリコン基板上に厚さ10nmの絶縁膜・その上に電極 SOTB 最小電圧0.37Vの演算用LSI | 220 230 |
| 2013年 5月号 | SRAMの消費電力削減 | 東芝 | 日経産業新聞 (2013年2月22日PP.1) | 動作時用と待機時用の回路 動作時電力27%減 待機時は85%減 | 230 |
| 2010年 9月号 | 0.5Vで集積回路を動作させる技術 | 東大 | 日刊工業新聞 (2010年6月18日PP.21) | パスゲートトランジスタ SRAM動作時のマージンが70%改善 | 220 |
| 2010年 5月号 | LSIの駆動電圧を3割低減する誤動作防止技術 | 東芝 | 日経産業新聞 (2010年2月15日PP.12) | 駆動電圧を0.7Vへ下げた場合にSRAMの動作不良が起きる割合を従来の1/10000に抑えた | 120 |
| 2009年10月号 | SRAMの駆動電圧均一化 | 東大 | 日経産業新聞 (2009年7月13日PP.10) | 回路線幅65nm以降のメモリー 製造後のSRAMにいったん大きな電圧をかけ素子の性能を修復 | 230 |
| 2009年 3月号 | 6つのFinFETを用いた世界最小SRAMセル
・16と一つにまとめる | 東芝 米IBM 米AMD | 日刊工業新聞 (2008年12月18日PP.26) 日経産業新聞 (2008年12月24日PP.11) | 面積0.128μm2 不純物の添加不要 半分以下に小型化 | 230 |
| 2009年 3月号 | 安定性2倍のSRAM
・13と一つにまとめる | 産総研 | 日経産業新聞 (2008年12月24日PP.11) | 4端子タイプのフィン型FET | 230 |
| 2006年 9月号 | 55nm素子形成技術 -SRAMで実用性確認- | NECエレクトロニクス | 日刊工業新聞 (2006年6月16日PP.29) | 酸窒化膜上に極薄膜のハフニウムシリケートを載せたゲート絶縁膜 トランジスタのしきい値制御範囲拡大 漏れ電流10%低減 ArF液浸露光装置 | 160 220 |
| 2006年 2月号 | 読出し速度30%高速化のSRAM -待機時漏れ電流1/100- | 日立 | 日刊工業新聞 (2005年11月1日PP.25) | ダブルゲート構造の完全空乏型埋込み酸化膜(FD-SOI) チップあたりの電池寿命20倍 背面ゲートに逆バイアス BOXを10mm | 160 230 |
| 2005年 5月号 | 32nm世代の壁を越えた超微細化SRAM技術 | NEC | 日刊工業新聞 (2005年2月9日PP.1) | 読出しループを切ってデータを反転させない役割の素子 CMOSロジックとともに微細化・低電圧化に対応 面積9%増 | 160 230 |
| 2005年 3月号 | 線幅50nmのSRAM -誘電率高い新材料使用- | Selete | 日経産業新聞 (2004年12月21日PP.7) | 高温にさらす時間を1/100にして結晶化を防ぐ HfSiO 容量1Mb 漏れ電流0.1A以下/cm2(実効膜厚1.2nm) | 160 230 |
| 2005年 2月号 | 半導体回路技術 -テレビ画像解像度を4倍に- | ルネサステクノロジ 新潟精密 | 日経産業新聞 (2004年11月5日PP.1) | PXG-4 回路規模やチップの価格を1/3程度 数100kbのSRAMを内蔵するのみで可 フルーエンシ関数 画像補正 | 520 250 |
| 2004年 2月号 | 65nmプロセスSRAM | 米インテル | 日本経済新聞 (2003年11月26日PP.3) | ゆがみSi技術 高速インタコネクト 低誘電率絶縁材料 0.57μm2(上付)に4MB | 160 230 |
| 2004年 1月号 | 書き換え回数が無制限の不揮発SRAM | 富士通研 富士通 | 日刊工業新聞 (2003年10月17日PP.30) | 6T4C型 FRAM利用 電源オン・オフ時のみ不揮発性蓄積 | 230 |
| 2006年 9月号 | 55nm素子形成技術 -SRAMで実用性確認- | NECエレクトロニクス | 日刊工業新聞 (2006年6月16日PP.29) | 酸窒化膜上に極薄膜のハフニウムシリケートを載せたゲート絶縁膜 トランジスタのしきい値制御範囲拡大 漏れ電流10%低減 ArF液浸露光装置 | 160 220 |
| 2002年 9月号 | 90ナノ世代システムLSIプロセス技術 -世界最小SRAMセル内蔵- | 三菱電機 松下電器 | 電波新聞 (2002年6月13日PP.1) | 140万トランジスタ/mm2 SRAMセルサイズ1.56μm×0.64μm KrF露光 90nmプロセス | 220 230 |
| 2002年 9月号 | SRAM回路 -0.4Vで安定動作- | 日立 | 日経産業新聞 (2002年6月17日PP.10) | 記録領域だけ電圧を高める 動作時140μW 32KB | 230 |
| 2002年 3月号 | 4層構造のスタックドCSP | シャープ | 日経産業新聞 (2001年12月19日PP.6) | 64Mbと16Mbフラッシュメモリー+16Mbと4Mb SRAM 100μm/chip パッケージサイズ8×11×厚さ1.4mm | 230 260 |
| 2001年 4月号 | 消費電力1/10の新形SRAM | 東大 | 日経産業新聞 (2001年2月20日PP.9) | 低消費電力形SRAM 不良セルの特定 チップサイズ増が1%未満 | 230 |
| 1999年 4月号 | 宇宙線エラー防ぐSRAM | 三菱電機 | 日本経済新聞 (1999年2月16日PP.13) | ソフトエラー発生率1/100 500MHz動作 DRAMのメモリーセル構造 | 230 |
| 1999年 2月号 | セル面積2/3のSRAM | NEC | 日経産業新聞 (1998年12月7日PP.5) | SRAM NP2個ずつの4T型セル 1.9μm2 | 230 |
| 1998年11月号 | SRAM -データ転送レート2倍に- | 富士通 | 電波新聞 (1998年9月29日PP.6) | SDRAM DDR-SDRAM | 230 |
| 1998年 2月号 | SRAM低電圧で高速動作 | 三菱電機 | 電波新聞 (1997年12月11日PP.1) 日経産業新聞 (1997年12月11日PP.5) | BBCセル SRAM 1.5V 89nsec | 230 |
| 1997年12月号 | SRAM小型化技術 | 東芝 | 日経産業新聞 (1997年10月15日PP.5) | トンネル効果 3トランジスタ 負性抵抗 NOSトランジスタ SOI構造 0.35μmプロセス 室温動作 | 220 230 |
| 1997年 8月号 | SRAM高集積で新技術 -メモリーセル面積最小に- | 富士通 | 日経産業新聞 (1997年6月10日PP.4) | SRAM メモリーセル 高集積 MPU CSI 高絶縁 | 230 160 220 |
| 1996年12月号 | 最高速DSPチップ | 日本ルーセント | 日経産業新聞 (1996年10月9日PP.9) | DSP SRAM | 220 |
| 1996年 4月号 | 高速SRAM | 東芝 富士通 | 日経産業新聞 (1996年2月15日PP.5) | SRAM 400〜500MHz | 230 |
| 1994年 8月号 | 高速4MbSRAM -アクセス時間1/10に- | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1994年6月17日PP.1) | DRAM アクセスタイム 4MbSRAM | 230 |
| 1993年 5月号 | 64MbSRAM | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1993年3月3日PP.7) | SRAM メモリーセル セル面積-30% | 230 |
| 1993年 5月号 | SRAM用セル -駆動電流40%減- | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1993年3月2日PP.5) | 駆動電流40%減 | 230 |
| 1992年 4月号 | 低電圧動作LSI -1.0V動作SRAM 1.5V動作BiCMOS- | 日立製作所 | 電波新聞 (1992年2月22日PP.6) | LSI SRAM BiCMOS | 220 |
| 1992年 4月号 | 最先端メモリー技術相次ぐ | 日電 東芝 | 電波新聞 (1992年2月19日PP.6) 日経産業新聞 (1992年2月19日PP.8) 日刊工業新聞 (1992年2月19日PP.9) | 日電:64MDRAM 16MSRAM 東芝:5V動作4MフラッシュEEPROM 3.3V動作 MOSRAM | 230 260 |
| 1991年 7月号 | 高速64kSRAM -セル面積1/6- | 日立製作所 | 電波新聞 (1991年5月29日PP.7) 日経産業新聞 (1991年5月30日PP.5) | セル面積1/6 アクセス時間1.5ns | 260 |
| 1991年 7月号 | 米で「マイクロテック2000」構想浮上 | 米国 | 電波新聞 (1991年5月2日PP.5) | 次世代1GbSRAMの開発促進 産管合同による戦略立案 | 250 |
| 1991年 4月号 | 科学計算用LSI -4MDRAM 512KSRAM- | 日電 | 日経産業新聞 (1991年2月14日PP.0) | アクセスタイム17ns アクセスタイム4ns サイクルタイム2ns ベクトル演算処理用LSI | 230 |
| 1991年 4月号 | 4MbBi-CMOS型SRAM | 富士通 | 電波新聞 (1991年2月13日PP.0) | 64kHEMTSRAM 1.2ns 4MSRAM 7ns | 230 |
| 1991年 4月号 | HEMT64kbSRAM | 富士通 | 日刊工業新聞 (1991年2月13日PP.0) 電波新聞 (1991年2月13日PP.0) | 常温で1.2nsの世界最高アクセス時間 | 230 |
| 1991年 3月号 | 4MSRAM製品化 | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1991年1月25日PP.0) 電波新聞 (1991年1月25日PP.0) | SRAM製品化 55ns | 220 |
| 1991年 2月号 | 16MSRAM用 メモリーセル | 日立製作所 | 電波新聞 日経産業新聞 (1990年12月12日PP.0) 日経産業新聞 (1990年12月12日PP.0) | 5.9μm2の大きさ 現在試作段階にある4MSRAMに比し集積度1/3に | 230 |