Japanese only.
| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
| 2018年 3月号 | 窒化ガリウムパワー半導体 プロセス技術開発 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2017年12月6日PP.1) | 閾値電圧変動を従来比1/20 | 220 |
| 2018年 3月号 | SiCパワー半導体 電気抵抗1/3に | 三菱電機 東大 | 日刊工業新聞 (2017年12月6日PP.25) | 界面近傍を避けるように電子を流す | 220 |
| 2018年 3月号 | 力で色と通電性変化 | 東大 | 日経産業新聞 (2017年12月15日PP.6) | 圧力センサ 半導体 結晶構造の変化 | 120 210 220 |
| 2018年 1月号 | 有機半導体に高電流 | 東北大 東工大 | 日経産業新聞 (2017年10月25日PP.8) | ディスプレイ 有機半導体 テトラテトラコンタン 発光 半導体レーザ | 120 |
| 2017年11月号 | ペロブスカイト半導体 高効率変換の仕組み解明 | 原子力機構など | 日刊工業新聞 (2017年8月15日PP.17) | ヨウ化鉛メチルアンモニウム | 120 250 |
| 2017年10月号 | シリコン・化合物半導体融合 により高性能光変調器作製 光通信大容量化に道 | NTT | 日刊工業新聞 (2017年7月19日PP.30) 日経産業新聞 (2017年7月21日PP.8) | インジウムリン系化合物半導体 従来比役10倍の変調効率 変調領域波 0.25nm 32Gbpsの変調性能 シリコンフォトニクス 光変調器 シリコン基板 小型化 | 240 |
| 2017年10月号 | 食物アレルゲンすぐ検出 | 早大 | 日経産業新聞 (2017年7月24日PP.8) | 半導体素子 抗原結合性フラグメント | 210 |
| 2017年 8月号 | 熱ノイズから電力生成 温度差ゼロでも発電 | NTT | 日刊工業新聞 (2017年5月17日PP.29) 日経産業新聞 (2017年5月18日PP.8) | マクスウェルの悪魔の原理 マクスウェルの悪魔の利用 半導体素子 「マクスウェルの悪魔」の原理 省エネ化 | 220 |
| 2017年 8月号 | 固体中の熱流制御 | 東大 | 日経産業新聞 (2017年5月29日PP.8) | フォノン 半導体の放熱性向上 | 120 |
| 2017年 4月号 | パワー半導体 印刷で配線 配線に銀粒子印刷 | 阪大 産総研 | 日経産業新聞 (2017年1月19日PP.8) 日刊工業新聞 (2017年1月23日PP.19) | 耐熱250℃ シリコン製パワーモジュールと比較して1/5～1/10のサイズ パワー半導体 配線技術 | 160 220 |
| 2017年 4月号 | 車載カメラ用半導体 HD映像をアナログ伝送 | 日経産業新聞 (2017年1月26日PP.6) | 340 | ||
| 2017年 2月号 | 金属と半導体作り分け | 東北大 | 日経産業新聞 (2016年11月10日PP.8) | 半導体 電子部品 炭素原子 | 120 |
| 2017年 1月号 | 600℃でも機能維持する不揮発性メモリー素子 600度でも記録保持 | 千葉工大など | 日刊工業新聞 (2016年10月17日PP.16) 日経産業新聞 (2016年10月27日PP.8) | 白金のナノギャップ構造を利用 二つの白金電極をナノレベルの間隔を隔てて並べた 半導体が動作しない高温環境下でも動作 | 230 |
| 2017年 1月号 | 原子一層の半導体性質を電子線照射で制御 | 千葉大 | 日刊工業新聞 (2016年10月18日PP.27) | 二硫化モリブデン 電子線照射でバンドギャップ制御 | 120 |
| 2016年12月号 | 高精度量子ビットをシリコン半導体に実装 | 理研 | 日刊工業新聞 (2016年9月6日PP.23) | 単一量子ビット操作を従来比約100倍に高速化 ビット忠実度99.6% 半導体量子ドット中に閉じ込めた電子スピンを利用 | 120 |
| 2016年12月号 | TMR素子開発 室温で抵抗変化率92% | 産総研 | 日刊工業新聞 (2016年9月19日PP.14) | 世界最高性能の半導体系のトンネル磁気抵抗(TMR)素子 磁気抵抗素子(TMR) 超省電力 抵抗変化率92% | 220 230 |
| 2016年11月号 | 反転層チャネルMOSFET ダイヤ半導体で作製 | 金沢大など | 日刊工業新聞 (2016年8月23日PP.23) | パワーデバイス向けノーマリーオフ特性 ダイヤモンドは最も高い絶縁破壊電界とキャリヤ移動度 熱伝導率を持つ究極のパワーデバイス材料 | 220 |
| 2016年11月号 | 電子の移動 1個ずつ制御 シリコン単電子転送素子 電流再定義へ一歩 | NTT | 日経産業新聞 (2016年7月6日PP.8) 日刊工業新聞 (2016年7月6日PP.23) | シリコン半導体素子 1GHz動作で10-6以下の転送エラー率 直径10nmのシリコン線上に2個のシリコントランジスタを配置した200nmの素子 | 220 660 |
| 2016年 9月号 | 強磁性半導体の機構解明 http://www.tohoku.ac.jp/japanese/2016/06/press20160602-02.html | 東北大 | 日経産業新聞 (2016年6月8日PP.8) | 磁性半導体 ガリウム・マンガン・ヒ素 スピントロニクス | 120 |
| 2016年 9月号 | 計算科学で新物質合成 新たなLED開発の礎に レアメタルを使わない赤色発光半導体 http://www.titech.ac.jp/news/2016/035528.html | 東工大など | 日経産業新聞 (2016年6月22日PP.8) 日刊工業新聞 (2016年6月22日PP.31) | マテリアルズ・インフォマティクス コンピュータ利用 新物質合成 窒化カルシウム亜鉛 窒素の3元素で構成 希少元素を使わない赤色発光半導体 | 230 250 260 |
| 2016年 7月号 | 大容量パワー半導体モジュール 電鉄・電力などの大型産業機器向け | 三菱電機 | 電波新聞 (2016年4月7日PP.1) | 大容量 パワー半導体 | 250 |
| 2016年 7月号 | 窒化ガリウム半導体 電子運動初観測 http:// www.ntt.co.jp/news2016/1604/160411b.html | NTT 理科大 | 日刊工業新聞 (2016年4月13日PP.27) | ペタヘルツ アト秒 窒化ガリウム半導体 電子振動 ペタヘルツの高周波現象を利用して，アト秒で振動する電子運動の観測に成功 | 120 220 |
| 2016年 7月号 | 小さな圧力で発電 半導体通信機器向け | ルネサスエレクトロニクス | 日本経済新聞 (2016年4月20日PP.12) | 圧力 電力 半導体 圧電素子 | 250 |
| 2016年 7月号 | 省電力パワー半導体量産 | ローム | 日経産業新聞 (2016年4月21日PP.6) | パワー半導体 省電力 量産化 | 220 |
| 2016年 7月号 | 指で曲げれば電流2倍の有機半導体材料 | 東大など | 日刊工業新聞 (2016年4月22日PP.35) | 従来比感度15倍の応力応答デバイス | 120 210 |
| 2016年 7月号 | 大容量パワー半導体モジュール 電鉄・電力などの大型産業機器向け | 三菱電機 | 電波新聞 (2016年4月7日PP.1) | 大容量 パワー半導体 | 250 |
| 2016年 7月号 | 窒化ガリウム半導体 電子運動初観測 http:// www.ntt.co.jp/news2016/1604/160411b.html | NTT 理科大 | 日刊工業新聞 (2016年4月13日PP.27) | ペタヘルツ アト秒 窒化ガリウム半導体 電子振動 ペタヘルツの高周波現象を利用して，アト秒で振動する電子運動の観測に成功 | 120 220 |
| 2016年 7月号 | 小さな圧力で発電 半導体通信機器向け | ルネサスエレクトロニクス | 日本経済新聞 (2016年4月20日PP.12) | 圧力 電力 半導体 圧電素子 | 250 |
| 2016年 7月号 | 省電力パワー半導体量産 | ローム | 日経産業新聞 (2016年4月21日PP.6) | パワー半導体 省電力 量産化 | 220 |
| 2016年 7月号 | 指で曲げれば電流2倍の有機半導体材料 | 東大など | 日刊工業新聞 (2016年4月22日PP.35) | 従来比感度15倍の応力応答デバイス | 120 210 |
| 2016年 6月号 | 電子スピン長距離輸送に成功 http://www.ntt.co.jp/news2016/1603/160308c.html | NTT 東北大 | 日刊工業新聞 (2016年3月9日PP.29) | 電子スピン 量子コンピュータ 電界効果型スピントランジスタ スピン演算素子 半導体中の電子スピンの向きを安定的に操作 | 240 |
| 2016年 6月号 | 有機半導体動作速度2倍 http://www.toray.co.jp/news/it_related/detail.html?key=DA8EA1B0DF6BA34349257f8000172E84?OpenDocument | 東レ | 日経産業新聞 (2016年3月24日PP.10) | 有機半導体 カーボンナノチューブ 動作速度2倍 フィルムに印刷 | 260 220 |
| 2016年 6月号 | 記憶速く電流1/5 http://www.tohoku.ac.jp/japanese/2016/03/press20160317-01.html | 東北大 | 日本経済新聞 (2016年3月30日PP.8) | 高速動作 低消費電力 半導体メモリー MRAM | 230 |
| 2016年 5月号 | 半導体チップ-光モジュール データ通信2倍高速化 | 富士通研 ソシオネクスト | 日刊工業新聞 (2016年2月1日PP.18) | 半導体チップ 光モジュール | 220 |
| 2016年 3月号 | 省エネ半導体素子試作 | 東大 | 日経産業新聞 (2015年12月4日PP.8) | ほぼ消費電力なし | 120 |
| 2016年 2月号 | 磁壁に金属的性質 多値磁気メモリーに道 光で電流「オン・オフ」 | 理研 スタンフォード大 | 日刊工業新聞 (2015年11月3日PP.17) | 銅酸化物半導体 切り替え1ピコ秒以内 磁性絶縁体 磁壁に金属的性質 金属状態の壁の厚さは100?以下 | 120 230 |
| 2016年 2月号 | 単結晶ダイヤモンド基板 | 並木精密宝石 | 日刊工業新聞 (2015年11月25日PP.6) | 耐熱性や耐久性に優れており 次世代半導体の基板の可能性 | 120 |
| 2016年 1月号 | 光の振動変える半導体 | ナノフォトニクス工学推進機構 | 日経産業新聞 (2015年10月29日PP.8) | 進行方向に向かって一定方向だけ振動する光(直線偏光)の角度を変える半導体。高速液晶に応用 LCDの10倍以上高速 光の振動方向 | 250 120 |
| 2016年 1月号 | 微小磁力で情報書き込み http://www.issp.u-tokyo.ac.jp/issp_wms/DATA/OPTION/relese20151029.pdf | 東大 | 日経産業新聞 (2015年10月29日PP.8) | 半導体メモリーの消費電力の大幅低下につながる新しい磁性現象 MRAM 消費電力1/1000 処理速度1000倍 反強磁性材料 ホール効果 | 120 230 |
| 2015年12月号 | ビスマス薄膜が半導体に変わることを実証 | 東工大 東大 自然科学研究機構 お茶の水女子大 | 日刊工業新聞 (2015年9月11日PP.23) | シンクロトロン放射光施設UVSORで測定 偏光可変の低エネルギー角度分光電子分光装置で内部の電子状態を高精度で観測 | 120 |
| 2015年12月号 | パワー半導体 窒化ガリウムでエネルギー損失1/7 | 法政大 住友化学子会社サイオクス | 日経産業新聞 (2015年9月16日PP.9) | パワー半導体 窒化ガリウム 省エネ 車モータ制御装置1/10に小型化 パワーダイオード | 220 340 |
| 2015年11月号 | 有機太陽電池効率3割増 | 東工大 | 日経産業新聞 (2015年8月19日PP.8) | 半導体被膜合成の新手法 構造工夫し数分で作成 | 250 |
| 2015年10月号 | 最小の半導体レーザ | 東大 | 日経産業新聞 (2015年7月7日PP.8) | 太さ鉛筆の2万5000分の1 ガリウム・ヒ素 | 250 |
| 2015年 9月号 | ネットワーク接続の機器 半導体チップで識別 http://www.toshiba.co.jp/rdc/detail/1506_03.htm | 東芝 | 日経産業新聞 (2015年6月22日PP.9) | IT機器の個体識別の新手法を開発，半導体チップの製造工程で発生する絶縁膜の模様を 人間の指紋のように個体認証に活用する仕組み | 520 |
| 2015年 8月号 | パワー半導体向けSiC単結晶膜 高速で製造 | 電中研など | 日刊工業新聞 (2015年5月13日PP.19) | 直径150ミリ 膜厚10マイクロメートルのSiC単結晶膜を 一日当たり100枚。膜厚の均一性2%以下 不純物密度の不均一性4%以下 | 260 |
| 2015年 7月号 | シート状炭素分子グラフェン カルシウム加え半導体に http://www.tohoku.ac.jp/japanese/2015/04/press20150406-01.html | 東北大 | 日経産業新聞 (2015年4月10日PP.10) | グラフェンに金属カルシウムを添加した半導体素材を開発 | 120 |
| 2015年 7月号 | 液晶性を活用した高性能有機トランジスタ材料を開発 東工大が「液晶性」付与 http://www.titech.ac.jp/news/2015/030831.html | 東工大 | 日刊工業新聞 (2015年4月13日PP.15) 日経産業新聞 (2015年4月15日PP.10) | 半導体素子を大気中で作製できる技術を開発 「液晶性」を持つ新規の有機トランジスタ材料を開発 | 160 |
| 2015年 5月号 | 半導体線幅20nmに対応するナノインプリントリソグラフィ用テンプレートを開発 http://www.dnp.co.jp/news/10107733_2482.html | 大日本印刷 | 日経産業新聞 (2015年2月20日PP.6) | 微細な回路パターンをテンプレートに作製 紫外線硬化樹脂を利用 | 160 |
| 2015年 4月号 | ねじれた有機分子合成 光の色変化半導体などの配線に http://www.nagoya-u.ac.jp/about-nu/public-relations/researchinfo/upload_images/20150106_eng.pdf | 名大 | 日経産業新聞 (2015年1月16日PP.10) | らせん状にねじれた有機分子の鎖 有機ELや有機半導体の新しい材料開発につながる | 120 250 |
| 2015年 4月号 | 温度センサーとデジタル回路融合 単結晶有機半導体で http://www.nedo.go.jp/news/press/AA5_100348.html | 東京大学などの産学官共同チーム | 日刊工業新聞 (2015年1月27日PP.26) | 多結晶シリコン半導体と同等で 既存の多結晶有機半導体に比べて10倍以上の性能を持つ | 160 220 |
| 2015年 3月号 | チタンなどの金属酸化物製 基盤 電子の動き解明 | 東北大 | 日経産業新聞 (2014年12月12日PP.10) | シリコンに代わる半導体基盤，チタンとストロンチウムの金属酸化物基盤 | 220 |
| 2015年 3月号 | トンネルFETの長寿命化を実証 http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2014/pr20141216_2/pr20141216_2.html | 産総研 | 日刊工業新聞 (2014年12月17日PP.23) | 電界効果トランジスタ(MOSFET)に比べて10万倍以上長寿命，センサネットワーク回路の駆動に必要な相補型金酸化膜半導体の構成に使用 | 220 |
| 2015年 2月号 | 有機半導体表面での構造変化を初観測 http://www.kek.jp/ja/NewsRoom/Release/20141110100000/ | 阪大 東大 理研 KEK | 日刊工業新聞 (2014年11月21日PP.25) | KEKフォトンファクトリーの放射光で表面X線解析 伝導体ルブレン 非伝導体テトラセンを比較 後者では内部構造が表面と異なることを見出す | 120 660 |
| 2015年 1月号 | 半導体ダイヤモンドの高速成長法を開発 | 金沢大学，アリオス，産総研 | 日刊工業新聞 (2014年10月6日PP.20) | 結晶の成長速度は1時間当たり100μm，球形チャンバー内で炭素をプラズマでラジカル状態まで活性化し，ダイヤモンドの種基板と反応させ結晶を成長させる， | 120 260 |
| 2014年11月号 | パワー半導体の性能向 | 東大 | 日経産業新聞 (2014年8月5日PP.8) | パワー半導体の性能低下の原因になる不純物を1/3に減らす製造技術を開発。熱処理温度を高めた | 260 |
| 2014年10月号 | SSD向け新型相変化メモリー | LEAP 名大 | 日刊工業新聞 (2014年7月17日PP.22) | 相補型金属酸化膜半導体基板上で世界初試作 超格子材料を使用 | 従来比半分以下の動作電圧2V 60%減の低消費電力 不揮発性メモリーとして機能 130 230 |
| 2014年10月号 | 電子の結晶化観測 | NTT JST | 日刊工業新聞 (2014年7月21日PP.17) | ウィグナー結晶 NMRを使用し 半導体テヘロ構造に低温かつ強磁場で電子が結晶化する様子「ウィグナー結晶」を世界初観測 | 120 220 |
| 2014年 9月号 | 半導体チップを低コストで積層する技術の開発 | 慶応大 | 日経産業新聞 (2014年6月12日PP.7) | 磁力線を使いプロセッサやメモリーを磁力線により非接触接続 製造コスト40%減 低消費電力 44GB | 220 260 |
| 2014年 9月号 | 水晶発振器並みの周波数精度を持つCMOS発振器 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2014年6月12日PP.19) | 温度領域ごとに特性を補正するディジタル回路を用いて温度補償100ppm以下の周波数精度を実現 Si半導体発信機 | 220 |
| 2014年 7月号 | 透明・半透明フィルムのピンホールを検出する検査装置 | 浜松ホトニクス | 日経産業新聞 (2014年4月9日PP.13) | 最小50μmの微小穴検出 半導体レーザ光源とフォトダイオードによる検出部 検査速度600m/min | 360 |
| 2014年 6月号 | 半導体中の電子を直接観測 | 東工大 | 日経産業新聞 (2014年3月7日PP.9) | GaAs 200fs間隔で測定 レーザパルス光源と光電子顕微鏡を組合せる 電子の移動速度を秒速8万mと測定 | 660 |
| 2014年 6月号 | 半導体のスピン異常信号解明 | 東北大 独レーゲンスブルク大 | 日刊工業新聞 (2014年3月11日PP.22) | 強磁性半導体(Ga | Mn)As と非磁性半導体GaAs のヘテロ接合 スピンエサキダイオード構造 電子スピンの検出感度40倍 120 660 |
| 2014年 5月号 | GaN系量子ドットで室温単一光子源 | 東大 | 日刊工業新聞 (2014年2月13日PP.19) 日経産業新聞 (2014年2月13日PP.11) | 有機金属気相成長法(MOCVD)で直径50nm・高さ1.5μmのGaNナノワイヤを作製 通常の半導体製造技術で製造可能 | 120 160 |
| 2014年 5月号 | パワー半導体向け接合技術 | 日亜化学 阪大 | 日経産業新聞 (2014年2月19日PP.7) | Ag薄膜 SiCとCu基板を接合 250℃で加熱接合 | 120 160 |
| 2014年 5月号 | 印刷法によるn型有機半導体 | 山形大 | 日経産業新聞 (2014年2月20日PP.11) | 分子構造の設計を変更 | 120 160 |
| 2014年 5月号 | 積層半導体の貫通電極を高速でメッキ | 大阪府立大 | 日刊工業新聞 (2014年2月20日PP.1) | TSVのCuメッキを5分に短縮 円錐形の穴で90mAのPR電流 貫通穴の直径6μm 深さ25μm メッキ液にジアリルアミン系成分を添加 | 160 |
| 2014年 5月号 | 化合物半導体ナノワイヤとSi光結晶混載で集積する技術 | NTT | 日刊工業新聞 (2014年2月21日PP.17) | 直径90nmのインジウム・ヒ素・リンによる化合物半導体 人工的なSi光結晶中の幅約150nmの溝に載せる Siチップ上に化合物半導体素子を混載 | 120 |
| 2014年 3月号 | 省電力次世代メモリー「IGZO」で1/10に | 半導体エネ研 | 日本経済新聞 (2013年12月24日PP.11) | IGZO | 230 |
| 2014年 2月号 | 解像度0.7mmのPET診断装置 | 名大 阪大 東北大 | 日経産業新聞 (2013年11月14日PP.11) | 小動物診断向け 半導体検出器 | 360 |
| 2014年 1月号 | X線位相法を利用した半導体欠陥検査 | 産総研 東北大 | 日刊工業新聞 (2013年10月3日PP.17) 日経産業新聞 (2013年10月25日PP.10) | X線タルボ干渉法 封止材内部の微小空洞などを観察 | 660 |
| 2014年 1月号 | 高感度なスピントルクダイオード | 阪大 産総研 | 日刊工業新聞 (2013年10月21日PP.16) | 磁気トンネル接合素子 半導体ダイオードの3倍感度 ナノサイズ磁石利用 非線形効果 | 220 |
| 2013年12月号 | 50Gbps信号伝送 | 東工大 | 日刊工業新聞 (2013年9月3日PP.19) | LSIで使うSi材料と同じ半導体プロセスを利用，3次元光多層配線を作成，配線内に回折格子と高反射鏡を使う | 440 |
| 2013年12月号 | 光の90%以上を通す透明な半導体集積回路 | 名大 フィンランドアールト大 | 日本経済新聞 (2013年9月17日PP.11) 日経産業新聞 (2013年9月17日PP.10) | CNTで配線とトランジスタを製作 一辺0.5mmの回路 | 120 220 |
| 2013年12月号 | 安価な有機太陽電池向け素子 10と一つに | ダイキン工業 阪大 | 日経産業新聞 (2013年9月18日PP.7) | n型半導体 フラーレンに有機物をつける 変換効率7.3% | 250 |
| 2013年12月号 | GaやZuを使用しないディスプレイ向け半導体 | 物材機構 | 日刊工業新聞 (2013年9月24日PP.15) | 酸化膜半導体 In2O3薄膜にTiO2 WO3 SiO2を添加 オンオフ比9桁 | 250 |
| 2013年12月号 | 有機半導体を微細加工する露光技術など | 富士フイルム ベルギーImec | 日経産業新聞 (2013年9月27日PP.9) | 線幅0.5μmまで加工 非フッ素系レジスト 365nmのi線による露光技術により製造 | 160 260 |
| 2013年 9月号 | 損失1/10のパワー半導体 | 情通機構 タムラ製作所 | 日経産業新聞 (2013年6月20日PP.11) | Ga203 0.4mm角 MOSトランジスタ オンオフ比10桁以上 | 220 |
| 2013年 8月号 | 半導体レーザを光源に使用した新照明 | 東芝ライテック | 日経産業新聞 (2013年5月21日PP.1) | 青色ダイオード 140Mcd/m2 LED照明の倍以上の明るさ 光ファイバ 寿命2万時間 | 250 |
| 2013年 7月号 | 高精度超音波を発振する半導体素子 | NTT | 日経産業新聞 (2013年4月19日PP.10) | MEMS応用 GaAs 85μm×1.4μm×250μm セーザー 温度2.5Kで2.52MHz(バラツキ70Hz)を入力し174kHz(バラツキ0.08Hz)で発振 | 220 260 |
| 2013年 5月号 | 有機TFT液晶ディスプレイ | 阪大 大阪産総研 | 日刊工業新聞 (2013年2月5日PP.25) | 有機半導体を用いた 従来の9倍に相当する高速表示ができる有機薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ | 250 |
| 2013年 4月号 | 半導体材料を使った波長2μmで使える赤外受光素子 | 茨城大 東北大 | 日刊工業新聞 (2013年1月18日PP.33) | Mg2Siの基板上にp型層を熱拡散法で作成 | 210 |
| 2013年 4月号 | 高い熱電変換効率の高分子材 | 富士フイルム | 日刊工業新聞 (2013年1月31日PP.33) | 体温や電子機器の排熱を利用可能，照明に取り付ける用途を想定 有機系高分子材を開発 P型半導体の高分子とCの混合物 25～100℃で高いZT(熱電変換の性能) | 250 150 |
| 2013年 3月号 | ダイヤモンド半導体を用いた真空パワースイッチ | 産総研 物材機構 | 日刊工業新聞 (2012年12月12日PP.24) 日経産業新聞 (2012年12月14日PP.8) | 10kVで動作 高濃度不純物層 伝達効率74% ダイヤモンド表面をHで覆う | 250 220 |
| 2013年 3月号 | リーク低減したSiCパワー半導体 | 阪大 京大 ローム 東京エレクトロン | 日経産業新聞 (2012年12月12日PP.6) 日刊工業新聞 (2012年12月12日PP.24) | ゲート絶縁膜にアルミ酸化物 N添加によりリーク90%減 耐圧1.5倍 高誘電率ゲート絶縁膜採用のSiC製MOSFET | 120 220 250 |
| 2013年 3月号 | 複数の半導体薄膜を使った太陽電池 | 北大 | 日本経済新聞 (2012年12月25日PP.9) | 理論上の変換効率85% | 250 |
| 2013年 2月号 | 電子移動度が高い半導体 | 物材機構 理研 住友金属鉱山 | 日経産業新聞 (2012年11月7日PP.7) | IWO(インジウム タングステン 酸素) 電子移動度18 作製温度は100℃ IGZO(In・Ga・Zn・O)後継の半導体試作 | 250 220 |
| 2013年 2月号 | 機能変更できる半導体素子 | 物材機構 UCLA | 日経産業新聞 (2012年11月27日PP.10) | 「オンデマンド素子」 酸化タングステンと白金で挟みこむ 入力電圧によりダイオード キャパシタ スイッチ等として機能 | 120 220 |
| 2013年 1月号 | 粘菌の振る舞いを参考に計算量を節約できる半導体設計手法 | 理研 東大 NICT | 日本経済新聞 (2012年10月2日PP.14) | 巡回セールスマン問題waiya | 200 |
| 2013年 1月号 | 23.5kV耐圧のパワー半導体 | 京大 | 日経産業新聞 (2012年10月24日PP.7) | SiC 表面をポリイミドで覆う バイポーラトランジスタ | 220 |
| 2012年11月号 | ダイヤモンド半導体を用いたFET | 東工大 産総研 | 日刊工業新聞 (2012年8月23日PP.19) | 高濃度のP不純物を添加したn型ダイヤモンド半導体 | 220 |
| 2012年11月号 | 炭素・水素原子でカゴ状分子 | 名大 産総研 | 日経産業新聞 (2012年8月28日PP.9) | 半導体の性質 青色光を出す 内側に他の分子・原子を取り込める C120個・H78個で構成 直径2nmで内側に1.8nmの空間 | 120 |
| 2012年10月号 | プローブを使った半導体描画技術 | 東芝 技術研究組合BEANS研究所 東大 | 日刊工業新聞 (2012年7月10日PP.23) | 回路線幅50nmの微細加工が可能 プローブの先端に庇部と接触部を設けた新構造 | 260 360 |
| 2012年10月号 | 1000℃までの熱を電気に変換する素材 | 物材機構 東北大 | 日経産業新聞 (2012年7月27日PP.10) | ホウ素(B)に微量のAl Yを加えた材料 B原子で構成する直径0.5nm球状分子が立体的に積み重なり 球と球の隙間にAlとYが入る n型p型2種類の半導体の温度差で電気が発生 | 120 |
| 2012年 9月号 | 消費電力1/100のCPU | 半導体エネルギー研 | 日経産業新聞 (2012年6月6日PP.1) | ごく短時間ずつCPUを動作 レジスタにIGZOを使用 8ビットCPUを試作 IGZOを使いCPUの消費電力を削減 | 220 |
| 2012年 9月号 | GaN半導体による携帯基地局向け増幅器 | 三菱電機 | 日刊工業新聞 (2012年6月21日PP.18) 日経産業新聞 (2012年6月21日PP.11) | 出力170Wで電力変換効率70% | 340 |
| 2012年 8月号 | 伝導準位を正確に測定する装置 | 京大 | 日刊工業新聞 (2012年5月14日PP.18) | 光検出の分解能は0.3eV以下 誘電多層膜帯域通過フィルタ 光電子増倍管 屈折率の大きく異なる2つの薄膜を100層交互に重ねる 太陽電池等に使われる有機半導体 石英ガラスの光学素子 | 320 410 |
| 2012年 7月号 | CNT製トランジスタの印刷技術 | 単層CNT融合新素材研究開発機構 産総研 NEC | 日刊工業新聞 (2012年4月19日PP.17) 日経産業新聞 (2012年4月20日PP.10) | 半導体型ナノチューブ プラスチックフィルムに印刷 出力電流のばらつき30% 印刷面にあらかじめ単分子膜を形成しインクの吸着を促進 インクに純度95%以上の半導体型ナノチューブを使用 | 220 260 |
| 2012年 6月号 | ミリ波通信向け半導体素子 | パナソニック 東芝 | 日本経済新聞 (2012年3月19日PP.11) | ミリ波 60GHzの電波消費電力1W以下 パナソニック:5m以内の距離を2.5Gbps 東芝:3m以内を2.07Gbps | 240 |
| 2012年 6月号 | 放射性物質の可視化技術 | JAXA | 日経産業新聞 (2012年3月30日PP.10) | 人工衛星用センサを改良 半導体コンプトンカメラ 視野180° 1μSv/時以上で検出可 ガンマ線を検出 | 310 320 |
| 2012年 5月号 | 半導体中の自由電子をテラヘルツ光で1000倍に増幅 | 京大 | 日刊工業新聞 (2012年2月15日PP.25) | GaAsの半導体試料で確認 テラヘルツ光を半導体に一兆分の一秒間照射 | 120 150 |
| 2012年 2月号 | ゲルマニウムを使った半導体素子 | 九大 | 日経産業新聞 (2011年11月10日PP.11) 日刊工業新聞 (2011年11月10日PP.23) | Ge薄膜上にソースゲートドレインを取り付け界面部分を原子層レベルで制御 | 220 |
| 2012年 2月号 | グラフェンを金属性と半導体性に作り分け | 東北大 | 日刊工業新聞 (2011年11月16日PP.27) 日経産業新聞 (2011年11月16日PP.7) | Si基板上に単結晶SiC薄膜を成長させ真空状態で加熱 面が斜めだと半導体性 水平・垂直面だと金属性 モノメチルシランの圧力を調整 | 120 160 |
| 2012年 2月号 | 光通信並みの速さの無線通信素子 | 阪大 ローム | 日刊工業新聞 (2011年11月22日PP.8) 日経産業新聞 (2011年11月22日PP.10) | 300GHz 1.5×3.0mmの半導体基板 1.5Gbps伝送 トンネル効果 縦1cm 横2cmの大きさの素子 テラヘルツ波の送受信 | 240 120 340 440 |
| 2011年12月号 | ダイヤモンド半導体を使ったバイポーラトランジスタ | 産総研 | 日刊工業新聞 (2011年9月5日PP.19) 10 (0年0月0日) | ダイヤにB | Pを高濃度に添加した低抵抗ダイヤモンド薄膜 増幅率10 バイポーラトランジスタ 室温動作 220 |
| 2011年12月号 | 市販の半導体レーザで「16値」高速光通信 | 日立 | 日刊工業新聞 (2011年9月20日PP.1) | 80Gbpsの信号を320km伝送 位相積算回路 | 440 340 |
| 2011年12月号 | 量子ドット間の電子移動に成功 | 東大 | 日刊工業新聞 (2011年9月22日PP.23) | 3μmを数nsで移動 GaAsの半導体中に3μmの距離を空け量子ドットを2つ作り電子の通り道でつなげた 表面弾性波 | 120 |
| 2011年11月号 | 磁気・電気的な性質を制御可能な磁性半導体 | 原子力機構 東大 | 日刊工業新聞 (2011年8月10日PP.15) | スピントロニクス 磁気的な性質と電気的な性質を独立に制御可能 | 220 230 |
| 2011年10月号 | 絶縁体に電子を溶かして導体を生成 | 東工大 | 日刊工業新聞 (2011年7月1日PP.21) | 1600℃の絶縁体 液体金属 ガラス半導体 普通の透明ガラスと比べて数桁以上の電導度 | 120 |
| 2011年10月号 | 有機半導体の単結晶膜を作るインクジェット印刷法 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2011年7月14日PP.26) | 有機半導体を溶かした液滴と液晶化するための液滴を交互に印刷するダブルショットインクジェット印刷法 | 160 220 |
| 2011年10月号 | 消費電力ほぼ0の半導体素子 | 東大 NTT | 日本経済新聞 (2011年7月25日PP.11) | 100nmの量子ドットにスピンを閉じ込めた構造 わずかな電圧でスピンを制御 | 220 |
| 2011年 9月号 | 超音波を使ったスピンの長時間制御技術 | NTT 東北大 独ポールドルーデ研 | 日経産業新聞 (2011年6月2日PP.11) | 半導体中の複数のスピンの向きを揃えたまま約40μm移動 超音波がない場合と比べて100倍以上の移動距離 | 120 |
| 2011年 9月号 | 大電流・高電圧に対応するGaN半導体 | 名工大 | 日刊工業新聞 (2011年6月8日PP.22) 160 (260年0月0日) | 耐電圧1800V | 移動度3000cm2/Vs 膜厚9μm NH3とトリメチルアルミニウムを用いたAlNとGaNによるバッファ層 220 120 |
| 2011年 9月号 | 電子移動度4.2倍の次世代素子 | 東大 産総研 住友化学 物材機構 | 日刊工業新聞 (2011年6月15日PP.19) | 化合物半導体とGe基板を使用 | 220 |
| 2011年 9月号 | スピン偏極を持つ電子材料 | 東大 理研 広島大 高エネルギー研 産総研 | 日刊工業新聞 (2011年6月20日PP.17) | 結晶構造に生じる電気的偏りを持つ半導体ビスマス・テルル・ヨウ素の単結晶 | 120 |
| 2011年 8月号 | 半導体製単一光子検出器 | 日大 NTT | 日刊工業新聞 (2011年5月16日PP.15) | 量子暗号通信 InGaAsとInPで構成するAPD 24kbpsで100km伝送可能 | 340 440 |
| 2011年 8月号 | 室温で低消費電力な半導体素子
・14と一つにまとめ | 東大 東北大 ファインセラミックスセンター | 日経産業新聞 (2011年5月27日PP.11) | 電子のスピンによる磁石の向きを電圧で制御 電流は通常の1億分の1 La Alの酸化物基板上に微量のCoを添加したTiO2で素子を作成 | 220 120 |
| 2011年 7月号 | 2000万fps撮影可能なイメージセンサ | 東北大 島津製作所 | 日経産業新聞 (2011年4月18日PP.11) 日刊工業新聞 (2011年4月19日PP.26) | CMOS採用により消費電力抑制 45mm角チップを試作 内蔵メモリへ一時保存して読出す 1コマ50nsで処理 既存の半導体製造工程で製造可能 低消費電力 10万画素で約250コマ撮影可能なチップを試作 | 210 220 |
| 2011年 7月号 | 1mm2以下の超小型光ゲートスイッチ素子 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2011年4月26日PP.19) 電波タイムズ (2011年4月27日PP.1) | 超高速半導体全光位相変調素子をInP基板上に集積 160Gbpsを40Gbpsの光信号に多重・分離 モノシリック集積型 ドライエッチング法で1回加工するだけで集積化 帰還回路が不要 | 240 |
| 2011年 6月号 | GaMnAs半導体の強磁性発現の構造発見 | 東大 | 日刊工業新聞 (2011年3月3日PP.22) | 共鳴トンネル分光法 フェルミ準位の位置を解明 | 120 |
| 2011年 6月号 | 有機半導体薄膜の高精度作製技術 | 東工大 | 日経産業新聞 (2011年3月9日PP.7) | 真空装置不要 液晶状態で塗布 BTBT 電子移動度約3 | 120 160 |
| 2011年 6月号 | スピン軌道相互作用の大きさを精密に決定 | 北大 NTT | 日刊工業新聞 (2011年3月21日PP.9) | In・Ga・Asをベースとした半導体の量子井戸構造 バンドエンジニアリング 半導体内の電子スピンをトランジスタのゲート電極で制御 | 120 |
| 2011年 4月号 | Si半導体中の量子もつれを生成・検出 | 慶応大 英オックスフォード大 | 日刊工業新聞 (2011年1月20日PP.24) 日経産業新聞 (2011年1月24日PP.11) | エンタングルメント リン原子核のスピンとそこに捉えられている電子のスピンをそれぞれ量子ビットとする Si原子1個で演算処理 温度20K | 120 |
| 2011年 4月号 | 半導体材料を紫外線で研磨する技術 | 熊本大 | 日経産業新聞 (2011年1月26日PP.9) | 紫外線を照射して表面を酸化 酸化した部分を研磨 SiCやGaNなどの硬い素材に適用可能 | 260 |
| 2011年 3月号 | 酸化物半導体TFTで作った整流回路 | 日立 | 日刊工業新聞 (2010年12月7日PP.1) | 13.56MHzの電波を直流電力へ変換可能 ガラス基板上に0.4mm×2mmを試作 インジウムガリウム酸化亜鉛(InGaZnO)の金属組成比を改良 | 220 250 |
| 2011年 2月号 | 半導体薄膜を従来より200℃低く結晶化する手法 | 兵庫県立大 | 日刊工業新聞 (2010年11月26日PP.1) | プラスチック基板 420～580℃で結晶化 | 120 250 |
| 2011年 1月号 | ナノ空間で多電子制御 | 物材機構 北大 | 日刊工業新聞 (2010年10月29日PP.29) | 直径10nmの半導体量子ドット 複数の電子を閉じ込めナノ空間の多電子状態を制御 液滴エピタキシー法 GaAs量子ドット イオン化励起子と呼ぶ3つの粒子の複合状態の観測に成功 | 120 |
| 2010年11月号 | 13fJ/bitで情報伝送可能な半導体レーザ | NTT | 日経産業新聞 (2010年8月3日PP.11) 日刊工業新聞 (2010年8月2日PP.19) | フォトニック結晶 既存の約1/20のエネルギー | 250 |
| 2010年10月号 | ピーク出力100W超の青紫色半導体レーザ | 東北大 ソニー | 日刊工業新聞 (2010年7月21日PP.27) 日経産業新聞 (2010年7月21日) | パルスの出力間隔3ps 波長405nm 2光子吸収 繰り返し周波数1GHz | 250 |
| 2010年10月号 | コヒーレント光通信技術で40Gbpsの安定受信を実現 | 沖電気 | 日経産業新聞 (2010年7月26日PP.12) | 消費電力1/10 光モード同期半導体レーザ 電気信号に変換不要 消費電力1/10 光モード同期半導体レーザ 2時間以上安定受信 受信した光信号をレーザの光と重ね合わせ | 250 340 440 |
| 2010年 9月号 | 10万倍の抵抗値変化を記憶できる強誘電体採用メモリスタ | パナソニック | 電波新聞 (2010年6月25日PP.1) | 半導体と強誘電体の界面伝導を利用 トランジスタとの一体化 結晶成長技術 | 220 |
| 2010年 9月号 | 化合物半導体を使ったトランジスタ -LSI速度5倍に- | 東大 産総研 物材機構 住友化学 | 日経産業新聞 (2010年6月25日PP.15) | InGaAs 高速LSI | 220 |
| 2010年 8月号 | 半導体上に原子積み上げてナノ構造を作成 | NTT 独ポール・ドルーデ研 | 日刊工業新聞 (2010年5月12日PP.1) | In原子を1個ずつ積み上げ STMの金属製プローブ nm寸法の構造 InAs基板 | 120 160 |
| 2010年 8月号 | 量子ドットを300層積層した半導体レーザ | 情通機構 | 日刊工業新聞 (2010年5月26日PP.23) 日経産業新聞 (2010年5月27日PP.13) | 温度調整装置が不要 80℃までの高温域で波長1.55μmでレーザ発振成功 | 120 250 |
| 2010年 7月号 | グラフェン薄膜を半導体上に作製する技術 | 日立 東北大 東洋大 | 日経産業新聞 (2010年4月8日PP.12) | 800℃の加熱条件に設定した熱CVD(化学気相成長)法で作製 厚さ30nm 幅約3μmのアルミナ薄膜 | 120 |
| 2010年 7月号 | 半導体を使った人工視覚装置を試作 | 奈良先端大 ニデック 阪大 | 日経産業新聞 (2010年4月23日PP.9) | チップは0.6mm四方で9個の電極を配置 光信号を電気信号に変換 動物実験で性能確認 | 220 310 |
| 2010年 6月号 | LEDの光取り出し効率1.5倍 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2010年3月19日PP.28) 日経産業新聞 (2010年3月23日PP.11) | 半導体表面にリッジ(うねり) 厚さ約150nmの酸化シリコン膜 プラズマ化学気相成長(CVD)法 | 160 250 |
| 2010年 5月号 | 人工原子1個でレーザ光を出す半導体 | 東大 | 日経産業新聞 (2010年2月22日PP.10) 日刊工業新聞 (2010年2月16日PP.22) | 直径100nmの穴を10個開けた厚さ160nmのGaAs半導体薄膜 中央に直径20～25nm厚さ2～3nmのInAsの人工原子を埋め込む 波長917nm フォトニック結晶体 ナノ共振器 | 120 250 240 |
| 2010年 4月号 | CNTを高純度に分離する技術 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2010年1月5日PP.22) | アガロース コストが従来の1/10以下 分離後のCNTが半導体型95% 金属型90% | 120 |
| 2010年 4月号 | 有機半導体で電子移動度5cm2/Vs | 日本化薬 | 日経産業新聞 (2010年1月29日PP.1) | 電子移動度5倍 印刷可能 ペンタセン | 120 |
| 2010年 3月号 | マイクロレンズアレイ用熱硬化性樹脂 | JSR | 日経産業新聞 (2009年12月3日PP.10) | 液状で感光すると固化し150℃加熱によりいったん溶けた後硬化 半導体製造技術で成型可能 切削加工や金型が不要 | 210 250 160 |
| 2010年 3月号 | 電流が両方向に流れる液晶性有機半導体 | 理化学研 東大 | 日経産業新聞 (2009年12月8日PP.11) | アリの巣のような形に分岐 トリフェニレン イミダゾリウムイオン 分子の長さや温度を調整 電気伝導度があらゆる方向で円筒形の場合と同程度まで向上 | 120 160 |
| 2010年 3月号 | 動作速度が3割向上した高速無線用半導体 | NECエレクトロニクス | 日経産業新聞 (2009年12月18日PP.11) | アナログ部の配線抵抗を従来と比べて半減 動作クロック200GHz 線幅40nmのCMOS | 220 |
| 2010年 3月号 | 光照射で発光波長を制御するLED発光層の成膜技術 | 東大 ブイ・テクノロジー 日東光器 | 日経産業新聞 (2009年12月25日PP.11) | InGaN化合物半導体層を光を当てながら均一成膜 サファイア基板 緑色光と紫外線 波長532nm LED発光層の厚さ1/5 厚さ200nmの薄膜 | 250 160 120 |
| 2009年12月号 | 偏光抑えた高性能大容量回線光スイッチ | 早大 日立 | 日経産業新聞 (2009年9月2日PP.9) | 大容量光ネットワーク 化合物半導体 インジウム・アルミニウム・ガリウムヒ素などを用いた光スイッチ材料 振り分けに要する時間約3ns | 240 120 |
| 2009年12月号 | 性能100倍の有機半導体 | 東洋大 | 日経産業新聞 (2009年9月8日PP.11) | 有機薄膜トランジスタ 不純物層 シミュレーションで確認 | 220 |
| 2009年11月号 | 偏光を電気信号に変換する受光素子
-光通信容量2倍以上に- | 日立 チェコ科学アカデミー 英ケンブリッジ大 | 日経産業新聞 (2009年8月5日PP.11) | 電子スピン 半導体 ガリウムヒ素の素子に数μm間隔で電極を配置 電圧で偏光状態を検出 偏光板なしに偏光状態を区別する受光素子 | 140 240 120 |
| 2009年11月号 | 携帯電話端末に1Gbpsの赤外線通信機能を開発 | KDDI | 日経産業新聞 (2009年8月6日PP.1) | 1Gbpsの赤外線通信技術が国際標準団体IrDAに採用 半導体レーザ 通信速度従来の250倍 従来のLEDと同じ850nm | 440 540 |
| 2009年11月号 | ガラスより軽く曲げやすい半導体素子 | 帝人 米ナノグラム | 日本経済新聞 (2009年8月19日PP.1) | ガラス基板に比べて重さ半分以下 縦横1.5cm 厚さ120μmの切手サイズ | 120 160 |
| 2009年10月号 | 量子情報の保存を最長にする暗号通信向け技術 | 情報学研 | 日刊工業新聞 (2009年7月3日PP.22) | 半導体量子メモリー 7μ秒のコヒーレンス時間で量子情報転写 光パルススピンエコー コヒーレンス時間従来比7000倍 | 120 230 |
| 2009年10月号 | 純緑色半導体レーザ | 住友電工 | 日本経済新聞 (2009年7月16日PP.11) | 窒化ガリウムの結晶の切り出し方を工夫 室温で波長が531nmのレーザ光 薄型テレビ プロジェクタ | 250 |
| 2009年 9月号 | 電子の自転向き制御技術
-新型メモリー実現に道- | 東北大 | 日経産業新聞 (2009年6月5日PP.11) | トランジスタ 高速 低消費電力 スピン 不揮発メモリー インジウムガリウムヒ素を1μm以下の幅の細線構造に加工 スピンの寿命を10～65倍に 半導体素子 | 120 |
| 2009年 7月号 | 光閉じ込め能力4倍の3次元フォトニック結晶 | 東大 | 日経産業新聞 (2009年4月27日PP.13) | くしの歯状に切り込みを入れた厚さ200nmの半導体の板を25層積層 縦横約10μm 波長1.3μmでQ値従来比約4倍 | 120 250 |
| 2009年 5月号 | 大きさ1/8のSSD
-半導体チップを立体的に積層- | 慶応大 | 日経産業新聞 (2009年2月16日PP.11) | 半導体チップ間を無線で通信 電磁誘導 NANDフラッシュメモリーを6枚積層 消費電力1/2 通信回路の大きさ1/40 | 230 260 |
| 2009年 2月号 | 微細回路に対応する半導体洗浄超純水 | 栗田工業 | 日経産業新聞 (2008年11月12日PP.1) | 過酸化水素を除去 1ppb以下 過酸化水素による酸化を抑制 | 220 |
| 2009年 2月号 | 半導体レーザ出力光を利用した高速乱数生成手法 | NTT 拓殖大 | 日刊工業新聞 (2008年11月24日PP.14) | 1.7Gbps レーザ出力光を反射鏡で再びレーザに戻す 約2～5GHzで振動 | 250 |
| 2009年 1月号 | 効率10倍の光子制御技術
-量子ドット埋め込み3次元フォトニック結晶発光- | 東大 | 日刊工業新聞 (2008年10月6日PP.20) 日経産業新聞 (2008年10月9日PP.11) | 膜を17層重ねた約10μm角の立方体形状 高さ5μmのフォトニック結晶 10nm四方の量子ドット 約200nmのGaAs半導体膜を交互に重畳 1.5μmで発光する量子ドットを埋めた膜を挟む GaAsSb Q値2300 | 120 250 |
| 2009年 1月号 | テラヘルツ波受信機 | 産総研 NTT | 日経産業新聞 (2008年10月21日PP.11) | 200～500GHzのテラヘルツ波を受信 化合物半導体を使ったフォトダイオード 超電導電極 | 340 |
| 2008年12月号 | ワイヤ状の有機半導体 導電性10倍 | 物材機構 静大 | 日経産業新聞 (2008年9月10日PP.13) | ペンタゼン メチルチオ基 直径20～100nmで長さが1～5μmのワイヤ状の有機半導体 抵抗率10000Ωm | 120 220 |
| 2008年12月号 | 磁化方向を電気的に直接制御することに成功 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2008年9月25日PP.29) | 強磁性半導体 ヒ化ガリウムマンガン 高比誘電率を持つ絶縁膜金属膜ゲート電極を積層 キャリヤ濃度を電界で増減 磁気異方性 | 120 |
| 2008年11月号 | 多量子ビット素子
-超高速コンピュータに道- | 東大 NTT | 日刊工業新聞 (2008年8月18日PP.18) 日経産業新聞 (2008年8月18日PP.6) | GaAs化合物半導体 電子スピン コバルト製の微小な磁石 直径0.2μmの円盤形の量子ドット | 120 220 |
| 2008年11月号 | 半導体装置を用いた液体の膜蒸着技術 | 東工大 | 日経産業新聞 (2008年8月29日PP.9) | イオン液体 1cm2あたり360plのイオン液体が蒸着 厚さ9pmの薄膜を作成 燃料電池の電解質に応用可 イミダゾリウム系 | 120 160 |
| 2008年10月号 | 半導体レーザの世界最短波長を実現 | 浜松ホトニクス | 日経産業新聞 (2008年7月29日PP.8) | 波長342nmの紫外レーザ光を発振 化粧にAlを混ぜる 消費電力1/100以下 Al組成が30% AlGaNを発光層 | 250 120 |
| 2008年 9月号 | 金使用量6割削減可能な半導体パッケージ新手法 | TOWA | 日経産業新聞 (2008年6月24日PP.1) | コンプレッションモールド法 液体状樹脂に半導体チップを浸して固める 配線ワイヤ直径16μm | 260 |
| 2008年 7月号 | 板バネ微細振動を利用した省エネ半導体素子 | NTT | 日経産業新聞 (2008年4月15日PP.9) 日刊工業新聞 (2008年4月15日PP.26) | 消費電力1000～1万分の1 1ビット分の情報処理に成功 長さ250μm 厚さ1.4μm約10nmの幅で振動 | 220 |
| 2008年 7月号 | 持続時間60倍の光メモリー | NTT | 日刊工業新聞 (2008年4月25日PP.26) | InGaAsP 持続時間最大150ns 厚さ200nmの半導体結晶に直径200nmの空気穴を420nm周期で三角格子状に配置 Q値13万 | 120 |
| 2008年 6月号 | 25Gbps伝送が可能な半導体レーザ | 日立 日本オプネクスト | 日経産業新聞 (2008年3月3日PP.9) | 波長1300nm 4つの波長を組合せれば100Gbps 伝送実験12kmに成功 0℃～85℃の間で安定動作 | 240 |
| 2008年 6月号 | 放熱性が3倍の半導体封止材用金属粒子 | 日立ハイテクノロジーズ | 日経産業新聞 (2008年3月14日PP.1) | 電磁波を吸収する機能 二酸化ケイ素 直径20μm 熱伝導率は1mあたり1.61W ヒートシンク | 120 |
| 2008年 6月号 | 曲がる有機ELへ新素材 | 東レ | 日本経済新聞 (2008年3月28日PP.17) | 硫黄を含む有機半導体 CNTを混合 電気を通す性質はSi半導体並みに向上 コスト1/10 | 120 220 |
| 2008年 5月号 | Siでミリ波通信向け送受信チップ | NEC | 日経産業新聞 (2008年2月4日PP.5) | 出力7mW 通信距離数10m 90nm半導体製造技術 2.6Gbps サイズ2mm角 | 140 240 |
| 2008年 5月号 | 発色純度高い無機EL
-ブラウン管並み- | HOYA | 日経産業新聞 (2008年2月8日PP.1) | CdとSeの化合物半導体の発光材料 粒径2～6nmのナノ結晶 | 250 120 |
| 2008年 5月号 | 単層CNTを金属型と半導体型に分離する技術 | 産総研 | 日経産業新聞 (2008年2月27日PP.12) 日刊工業新聞 (2008年2月27日PP.31) | ゲル電気泳動法応用 界面活性剤 超音波 半導体型純度95%以上 金属型純度70%以上 回収率100%近い | 120 160 |
| 2008年 4月号 | 通信速度が250倍の赤外線通信技術
-CDアルバムの無線転送1秒で- | KDDI研 | 日経産業新聞 (2008年1月8日PP.1) | 1Gbpsの近距離通信 半導体レーザ 通信距離数cm データ損失を高精度で認識・再送する通信プロトコル 不揮発メモリー | 440 |
| 2008年 2月号 | 新有機半導体材料 | 広島大 日本化薬 | 日経産業新聞 (2007年11月2日PP.10) | DNTT 動作速度3倍 大気中で使用可能 | 120 |
| 2008年 2月号 | 量子多体現象 超高速で計算処理 | NII 米スタンフォード大 | 日経産業新聞 (2007年11月22日PP.9) 日刊工業新聞 (2007年11月22日PP.20) | 光と閉じ込める微細構造を相互に連結 厚さ3nm半導体薄膜12層 ボーズアインシュタイン凝縮体を約20個形成 超流動的 | 120 160 220 |
| 2008年 1月号 | GaAs光源利用の半導体ジャイロ | ローム ATR波動工学研 日本航空電子工業 古河電工 | 電波新聞 (2007年10月4日PP.1) | リングレーザジャイロ S-FOG 半導体光増幅器から赤外光を光ファイバで時計回りと反時計回りに発光させ光分岐カプラー合成しPDで受光 サニャック効果 | 210 320 |
| 2008年 1月号 | 非極性面採用青色半導体レーザ -室温連続発振に成功- | ローム | 電波新聞 (2007年10月25日PP.1) | 非極性面(m面)GaN 波長463nm 共振器長400μm ストライプ幅2.5μm しきい値電流69mA しきい値電圧6.2V 出力2mW以上 | 120 250 |
| 2007年12月号 | ナノインプリント方式で回路線幅18nmの半導体製造技術 | 大日本印刷 | 日経産業新聞 (2007年9月18日PP.1) | 電子ビームのビームを細くするとともに強度や照射量を調整 石英ガラスのエッチングの条件最適化 面積は1/10程度 露光でなく転写で回路形成 | 160 220 |
| 2007年10月号 | 半導体層にCNTを用いたTFT素子 | 東北大 ブラザー工業 阪大 | 日経産業新聞 (2007年7月4日PP.13) | ポリエステル系樹脂製基盤上に金とクロムの合金で3つの電極作成 絶縁膜にポリイミド樹脂 インクジェット技術で積層 | 220 260 120 |
| 2007年10月号 | 線幅30nm以下の半導体量産向けナノインプリント技術用の石英ガラスモールド試作 | HOYA | 日経産業新聞 (2007年7月19日PP.1) | 位相シフトマスク作成原理を応用 回路パターンの材料であるCrやレジストの中身・厚さ・処理方法を最適化 型を熱硬化樹脂に押し付け紫外線で転写 | 160 |
| 2007年 9月号 | 周波数倍率10倍のシステムLSI用クロック発生回路 | 富士通研 | 日経産業新聞 (2007年6月13日PP.9) | クロック周波数範囲40～400MHz 回路線幅90nm半導体で試作 | 220 |
| 2007年 9月号 | 45nm半導体の製造工程を2割削減する技術 | NECエレクトロニクス | 日経産業新聞 (2007年6月14日PP.9) | 絶縁膜にHfを加えることにより絶縁体の厚みでトランジスタの特性を決定 不純物添加工程が1/6 | 120 160 |
| 2007年 8月号 | オールSiの次世代半導体素子 | 日立 | 日経産業新聞 (2007年5月8日PP.11) | 信号伝達はすべて光 SiO2の絶縁層で挟んだ厚さ9nmのSi薄膜が発光 0.5mm離れたSi受光部 室温動作 | 160 220 |
| 2007年 8月号 | 発光効率2.5倍超の酸化亜鉛を用いた半導体新材料 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2007年5月25日PP.29) | ZnOに15%のマグネシウム混入 分子線エピタキシャル法 紫外領域で高効率に発光 | 120 250 |
| 2007年 8月号 | 単電子トランジスタの基本構造を簡単に作製 | 東北大 | 日経産業新聞 (2007年5月31日PP.13) | 既存の半導体プロセスと酸化処理の組合せ 量子ドット Si酸化膜上にAl電極成膜後露光装置で素子構造を作製 | 160 220 |
| 2007年 6月号 | ナノ構造物を半導体基板上に作製 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2007年3月9日PP.8) | 透過型電子顕微鏡 形成したい元素の酸化化合物ガスを吹き込んで電子ビーム照射 大きさ数nmのアンテナ型構造物を作製 | 160 |
| 2007年 6月号 | バイオの力でSi薄膜 | 松下電器 奈良先端大 | 電波新聞 (2007年3月22日PP.1) | フェリチンタンパクをSi半導体上に吸着 紫外線処理 700℃程度の温度で5～6秒加熱 粒径10μm | 160 |
| 2007年 6月号 | ナノテクノロジー応用の高誘電率半導体素材 -記憶容量100倍に- | 物材機構 | 日経産業新聞 (2007年3月23日PP.11) | 厚さ約1nm横幅数十μmのシート状の酸化チタン 5～15nmの積層薄膜 | 120 |
| 2007年 5月号 | ホログラムに3μm微細文字 | 凸版印刷 | 日経産業新聞 (2007年2月1日PP.1) | 半導体回路を描く電子ビーム 従来比1/30程度の微細な文字やイラスト | 430 |
| 2007年 5月号 | 半導体チップ間の無線高速通信 | 慶応大 | 日経産業新聞 (2007年2月20日PP.10) | 半導体チップ内に30μm角のコイルを加工 15μm間隔のコイルで1Gbpsの通信 消費エネルギー0.14pJ | 220 240 260 340 |
| 2007年 2月号 | Si基板の青色LED | 紫明半導体 | 日経産業新聞 (2006年11月9日PP.1) | 20mAで輝度1.5～2cd サファイア バッファ層 下部に電極取り付け可能なためコストダウン可 最高10mW Si基板とGaN系の結晶を作製 | 160 250 |
| 2006年12月号 | フルメタルゲートCMOS | 半導体先端テクノロジーズ(Selete) | 電波新聞 (2006年9月13日PP.1) | 回路線幅45nm以降 0.84nmの高誘電率(High-k)ゲート絶縁膜 デュアルメタルCMOSプロセス 窒化ハフニウムシリケート(HfSiON) | 160 220 |
| 2006年11月号 | 特殊フィルムで半導体を実装 | ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス | 日経産業新聞 (2006年8月3日PP.1) | 異方性導電膜(ACF) パッドの材質に均等に圧力がかかるものを使用 | 120 160 260 |
| 2006年11月号 | GaInNAs半導体レーザ -40Gbps動作に成功- | 日立 | 電波新聞 (2006年8月25日PP.1) | Alフリー分子線エピタキシ技術 活性層 逆メサ型リッジ構造 | 120 160 240 |
| 2006年 9月号 | 直径1㎝の青色LEDの円形素子 | 東京理科大 | 日経産業新聞 (2006年6月1日PP.11) | サファイア基板上に半導体結晶を成長 2種類の半導体をGaNで作製 明るさ向上 | 250 160 |
| 2006年 9月号 | 電子1個の動き捉える | NTT 東工大 JST | 日刊工業新聞 (2006年6月16日PP.29) | 半導体二重量子ドット(DQD) 超高感度な単電子電流計 単電子トランジスタ 電流雑音3aA | 120 220 660 |
| 2006年 9月号 | 半導体レーザのビーム形状を自在に制御 | 京大 ローム JST | 日刊工業新聞 (2006年6月22日PP.34) 日経産業新聞 (2006年6月22日PP.11) | 2次元フォトニック結晶 レーザ共振器の構造を制御して光分布を変化 格子点や格子間隔を変化 現在の数十倍の記録容量を持つ光ディスクの光源に利用可能 光ピンセットに応用可能 | 120 160 250 |
| 2006年 7月号 | 次世代半導体メモリー -蓄積電荷5倍の新材料を開発- | 東工大 富士通 | 日経産業新聞 (2006年4月3日PP.17) | FeRAM ビスマスフェライト(BFO)に微量のMnを加えた新材料 65nmまで微細化可能 | 120 230 |
| 2006年 6月号 | 白色レーザ発振可能なフッ化物ファイバ | 住田光学ガラス | 日刊工業新聞 (2006年3月3日PP.1) | 1本で青色半導体レーザを白色レーザとして連続発振 PrをAlF系ガラスに含ませた独自素材 522nm・635nmとあわせ440nm ディスプレイ光源 高い変換効率 三原色の高い色再現性 | 120 160 240 250 |
| 2006年 6月号 | 量子もつれ振動を観測 | NTT JST | 日刊工業新聞 (2006年3月31日PP.37) | 超電導量子ビットと単一光子の組合せ 超電導量子ビットと電気回路を微細加工技術で同一半導体チップ上に作製し極低温で測定 | 160 320 |
| 2006年 5月号 | LED型量子暗号通信素子 | 東芝欧州研究所 | 日経産業新聞 (2006年2月3日PP.8) | 量子もつれ光子対を任意に発生 高さ6nm直径12nmの量子ドット微細構造 半導体素子 | 120 240 250 220 |
| 2006年 5月号 | たんぱく質で半導体メモリー | 奈良先端大 松下電器 | 日刊工業新聞 (2006年2月9日PP.27) | 不揮発性半導体メモリー フローティングゲートにフェリチンを利用した直径7nmのCoOナノ粒子 フェリチンの外径13nm | 120 220 230 |
| 2006年 5月号 | テラヘルツ光用新型レーザ -コスト1/100- | 情通機構 東大 | 日経産業新聞 (2006年2月22日PP.1) | 透過撮影用光源 量子カスケードレーザ 縦3mm 幅500μm 厚さ10μm GaAs化合物半導体の多層膜構造 3.4THz 動作温度-220℃ | 120 160 250 |
| 2006年 3月号 | 無線機能を備えた曲がるCPU | 半導体エネ研 TDK | 日経産業新聞 (2005年12月16日PP.1) | 暗号処理機能 ガラス基板上に形成したトランジスタをプラスチック基板上に転写 13.56MHz帯 IC部分は14mm角 通信距離は数mm 厚み0.2mm 1.8V駆動で消費電力4mW | 160 220 260 340 |
| 2006年 3月号 | 高密度・高均一な量子ドットの製造に成功 | 産総研 | 電波新聞 (2005年12月30日PP.5) | 通信用半導体レーザ 大きな光増幅 40GHzを超える高速直接変調動作が理論的に可能 1.3μmでレーザ発振動作 As2分子線 組成傾斜歪み緩和層構造 | 160 250 120 |
| 2006年 2月号 | 曲げられる点字ディスプレイ -厚さ1mmで家電などに装着容易- | 東大 | 日本経済新聞 (2005年11月25日PP.15) 日刊工業新聞 (2005年11月25日PP.37) | 4cm角 一度に点字を24文字分表示 有機半導体 シート型 シート上のイオン導電性高分子が電界で屈曲する性質を利用 約1mm径の点を上下 約1秒で1フレームの表示が可能 | 220 250 120 |
| 2006年 1月号 | 半導体デバイス閾値電圧を低減 -単一イオン注入法(SII)で不純物原子を制御- | 早大 | 日刊工業新聞 (2005年10月20日PP.1) | 閾値電圧ゆらぎ低減 閾値電圧0.4V 60nm精度の位置制御 Si基板にP原子を100nm間隔で規則配列注入 | 160 |
| 2006年 1月号 | 量子ドットを活用した半導体レーザ | 産総研 | 日経産業新聞 (2005年10月24日PP.11) | InAs製 直径15nm GaAs基板上に1000億個/cm2形成 5層積層 波長1.3μmのレーザ光発振 10GHz高速光通信 | 160 250 120 |
| 2005年12月号 | 高輝度青色発光素子 | 米カルフォルニア大 JSTなど | 日経産業新聞 (2005年9月22日PP.9) | 窒化ガリウム半導体結晶 「無極性」「半分極性」という異なる性質を持つ結晶薄膜 200ルーメン/W目標 可視光領域のレーザを簡単に作りわける 発生光は偏光性を持つ | 250 120 160 |
| 2005年11月号 | 次世代スピントランジスタ | 産総研 | 日経産業新聞 (2005年8月24日PP.8) | p型(Ga Mn)As半導体をn型ZnSe半導体でサンドイッチした構造 移動の5～6割は磁石の向きを維持 | 220 |
| 2005年11月号 | 半導体パッケージHMT | 三井ハイテック | 日経産業新聞 (2005年8月26日PP.1) | 最大端子数304で大きさ12mm×12mm チップと端子間を直接全線で接続 | 260 |
| 2005年10月号 | 消費電力1/3の高速光通信用レーザ光源 | 日立 日本オプネクスト | 日経産業新聞 (2005年7月14日PP.8) | 発振波長1.55μm 出力2.5W Alを含む半導体材料で作った変調器を半導体レーザと同一基板に集積 | 120 160 250 |
| 2005年10月号 | 半導体レーザ製造技術開発 -コスト1/1000に- | 情通機構 | 日経産業新聞 (2005年7月29日PP.7) | 面発光レーザ GaAs基板にSb系化合物微粒子の量子ドット 波長1.55μm | 120 160 250 |
| 2005年 8月号 | n型ダイヤモンド半導体 (001)面に初合成 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2005年5月10日PP.25) | 紫外線発光でpn接合確認 マイクロ波プラズマCVDでリンを添加して合成 | 160 220 |
| 2005年 8月号 | 発光効率4～5倍のLED -フォトニック結晶を導入し 不要な発光を禁止- | 京大 JST | 日刊工業新聞 (2005年5月27日PP.37) 日経産業新聞 (2005年5月27日PP.6) 読売新聞 (2005年5月27日PP.38) | 基本原理を実証 半導体に微細な周期構造 200nm厚のInGaAsP板に390～480nm間隔の穴 特定の波長(バンドギャップ波長)の光を禁止する性質 エネルギー再配分 | 250 160 |
| 2005年 7月号 | 新固体量子計算機 -半導体で核スピンを精密制御- | NTT JST | 日刊工業新聞 (2005年4月21日PP.28) | NMR 多値核スピン 上端に高周波用アンテナゲート 中心部にGaAs/AlGaAs系量子井戸構造 4スピン準位を反映したコヒーレント振動 | 120 420 |
| 2005年 5月号 | 半導体二重ナノリング | 物材機構 | 日経産業新聞 (2005年2月15日PP.8) | GaAs製 内側リング直径40～50nm 外側リング直径100nm 高さ4～5nm 分子線エピタキシ 2ビット/リングの記録素子 | 120 160 230 |
| 2005年 4月号 | 省エネ・高速ナノスイッチ -消費電力半導体の1/100万- | 物材機構 科学技術振興機構 理研 | 朝日新聞 (2005年1月6日PP.2) 日経産業新聞 (2005年1月6日PP.7) 日刊工業新聞 (2005年1月6日PP.25) | 原子スイッチ 消費電力を1nW Ag突起の伸び縮み Ag2(下付)S電極とPt電極を1nm間隔 固体電解質の特性利用 金属原子の動き1個単位で精密制御 | 120 160 220 |
| 2005年 4月号 | 有機薄膜太陽電池 -エネルギー変換効率4%- | 産総研 | 日刊工業新聞 (2005年1月28日PP.26) | n型有機半導体にフラーレン p型に亜鉛フタロシアニン使用 i層により実効的な接合面積を増加 厚さp層5nm・i層15nm・n層30nm Pn接合の界面にナノ構造のi層を挿入 タンダム積層 | 120 160 250 |
| 2005年 3月号 | 有機半導体シート型スキャナ | 東大 国際産学共同研究センター | 日刊工業新聞 (2004年12月11日PP.1) | 電子的にスキャン 駆動トランジスタシートを2層化 実効動作速度5倍 消費電力1/7 解像度36dpi 読取り範囲5×8㎝ 曲る | 160 210 |
| 2005年 3月号 | 携帯電話向けトランジスタ -消費電力1/10に- | 日立 ルネサステクノロジ | 日経産業新聞 (2004年12月14日PP.9) | データ処理速度2割向上 65nm半導体向け 絶縁膜厚さ10nm | 220 |
| 2005年 3月号 | 次世代LSIの電流漏れカット | 東芝 | 日経産業新聞 (2004年12月17日PP.7) 日刊工業新聞 (2004年12月17日PP.33) | ニッケルシリサイド層の形成前にSiにFを含ませNiの拡散を抑える 45nm半導体向け | 220 160 |
| 2005年 3月号 | 次世代半導体材料の劣化長期予測 | 半導体MIRAIプロジェクト 東大 | 日経産業新聞 (2004年12月28日PP.7) | HfAlO ゲート電極にマイナス電圧を印加すると電子の量に比例して劣化 プラス電圧を印加すると正孔の量に比例して劣化 シミュレーションモデル | 120 660 |
| 2005年 2月号 | 半導体回路技術 -テレビ画像解像度を4倍に- | ルネサステクノロジ 新潟精密 | 日経産業新聞 (2004年11月5日PP.1) | PXG-4 回路規模やチップの価格を1/3程度 数100kbのSRAMを内蔵するのみで可 フルーエンシ関数 画像補正 | 520 250 |
| 2005年 2月号 | ファーレン塗れば半導体に | 産総研 | 日経産業新聞 (2004年11月9日PP.11) | 半導体薄膜 アルキル鎖を結合 n型半導体 | 120 |
| 2005年 2月号 | 45nm半導体向け絶縁膜 -2005年春 成膜装置供給へ- | MIRAIプロジェクト | 日経産業新聞 (2004年11月25日PP.1) | 絶縁膜材料にHfAlO 窒化処理と酸化処理 電子移動度260 窒化処理でSiO2(下付)膜薄く | 120 160 |
| 2005年 2月号 | 透明で曲がるトランジスタ | 科技機構 東工大 | 読売新聞 (2004年11月25日PP.3) 朝日新聞 (2004年11月25日PP.3) 日経産業新聞 (2004年11月25日PP.8) | プラスチックのフィルム InGaZnアモルファス酸化物半導体 | 220 260 |
| 2005年 1月号 | 青紫色半導体レーザ -室温連続発振300mW- | NEC | 日刊工業新聞 (2004年10月5日PP.1) | LD 405nm波長 室温～80℃で動作 活性層の上のp型層にAlNを埋め込んだ | 250 |
| 2005年 1月号 | ナノ空孔3次元解析 -次世代半導体量産化に貢献- | Selete | 日経産業新聞 (2004年10月6日PP.1) | 透過型電子顕微鏡(TEM) 数十枚の顕微鏡画像を合成 65nm半導体 多孔質ローK膜 最適な絶縁膜を選べる | 660 360 |
| 2005年 1月号 | 強度6倍の絶縁膜 | 三菱 | 日経産業新聞 (2004年10月14日PP.7) | 回路線幅65nm 層間絶縁膜 ボラジン CVD 65nm半導体向け 誘電率2.3 | 120 220 |
| 2005年 1月号 | 色素増感太陽電池 -蓄電機能もたせ実用化へ- | ペクセル・テクノロジーズ | 神奈川新聞 (2004年10月28日PP.9) | 光合成の原理を応用 軽量で折り曲げ可能 150℃程度で融合する半導体膜 | 250 |
| 2004年12月号 | 走査型トンネル電子顕微鏡(STM) -半導体の不純物分布を数ナノレベルで計測- | 半導体MIRAIプロジェクト | 日経産業新聞 (2004年9月6日PP.7) | Si表面をNH4Fで処理 洗浄用純水中の酸素濃度を減らし 映像ノイズを減らす | 660 360 |
| 2004年12月号 | 新量子暗号通信技術 -半導体から光子の対を発生- | 東北大 阪大 | 日経産業新聞 (2004年9月9日PP.7) 朝日新聞 (2004年9月9日PP.3) | CuAlの結晶に390nmの紫外線レーザ 量子もつれ 光子対 | 220 240 250 120 |
| 2004年12月号 | 超精密切削平坦化技術 -先端LSI高密度実装可能に- | 富士通 ディスコ 東芝機械 | 日刊工業新聞 (2004年9月28日PP.1) | 超精密フライス加工 突起状電極のバンプを平坦化 半導体露光装置並みの超精密な吸着法 200mm径ウェハの面内吸着精度±0.5μm 加工精度の面内±1μm 加工後高さばらつき標準偏差±0.24μm 表面粗さ0.012μm | 360 |
| 2004年11月号 | 45nm半導体向けに電流漏れ少ない絶縁膜 | MIRAIプロジェクト | 日経産業新聞 (2004年8月2日PP.9) | 炭素不純物を5～9割除去 HfO2 Al2O3 リーク電流1μm/cm2 | 160 |
| 2004年11月号 | 高精細有機TFT | 産総研 日立 光産業技術振興協会 | 日刊工業新聞 (2004年8月3日PP.29) | 有機半導体と電極界面の形状の最適化 印刷可能な保護膜 接触抵抗約1/5 80ppi 画面サイズ1.4インチ | 250 160 |
| 2004年11月号 | Ge基板の半導体素子 | 東大 | 日経産業新聞 (2004年8月20日PP.8) | Ge基板上のHfO2がキャパシタとして動作 低温製造 電子の移動度Siの2倍 | 120 160 |
| 2004年11月号 | 光電変換素子1/6に小型化 | NEC 産総研 | 日経産業新聞 (2004年8月24日PP.7) | 強誘電体セラミックス PLZT セラミックス結晶粒の大きさ20nm以下 変換素子大きさ数mm角程度 半導体基板上に形成 | 240 160 |
| 2004年 9月号 | 半導体を蒸気洗浄 | アクアサイエンス | 日経産業新聞 (2004年6月4日PP.1) | 純水を約120～150℃で蒸気にし吹き付ける 1～2分/枚で感光剤やポリマーを剥離 | 160 |
| 2004年 9月号 | 世界初のフォトニック結晶 | 京大 | 朝日新聞 (2004年6月4日PP.3) | 半導体の発光を制御 GaAs半導体棒を0.7μm間隔で並べ井桁状に重ねる 間隔の2倍の波長発光が1/100 | 160 240 |
| 2004年 9月号 | 65nm半導体絶縁膜技術 | 富士通 | 日経産業新聞 (2004年6月17日PP.7) | 絶縁膜のひずみを利用 成膜の温度や時間を細かく制御 導電率15%改善 | 160 220 |
| 2004年 9月号 | 65nm次世代半導体 -配線強化で歩留まり2倍に向上- | 東芝 ソニー | 日経産業新聞 (2004年6月24日PP.9) | 配線の剥落を防ぐ技術 高密度配線 層間絶縁膜 電子ビームで配線材料強度高める | 160 220 260 |
| 2004年 8月号 | 広帯域で集光しやすい新たな光源開発 | 東大 santec | 日経産業新聞 (2004年5月11日PP.9) | 白色ランプなみで半導体レーザに匹敵 集光性2～3μm 波長1.2～2μm 光の強度白色ランプの1000倍 光の増幅にErを使う 高非線形ファイバ | 250 350 |
| 2004年 8月号 | 磁力でCNTの性質を制御 | 米国ライス大 | 日経産業新聞 (2004年5月26日PP.9) | 半導体と導体の性質を切換え | 120 |
| 2004年 8月号 | 世界最高光出力の青紫色半導体レーザ | 三洋電機 | 日刊工業新聞 (2004年5月27日PP.1) | パルス発振で120mW GaN基板 次世代大容量光ディスク | 250 |
| 2004年 7月号 | スピンメモリー -電流のみで磁化反転- | 東北大 | 日経産業新聞 (2004年4月1日PP.9) 日刊工業新聞 (2004年4月1日PP.29) | 強磁性半導体 MRAM 従来より2～3桁少ない電流 Ga・AsにMn添加 -193℃ | 120 230 |
| 2004年 7月号 | 有機トランジスタ 6と合わせて一記事に | 東北大 北陸先端大 岩手大 | 日経産業新聞 (2004年4月5日PP.7) 朝日新聞 (2004年4月5日PP.18) | 自己組織化 半導体と基板の間の膜で電子を制御 電圧制御 ペンタセン アルキシラン フラーレン チャンネル幅50μm | 220 120 |
| 2004年 7月号 | プラスチックフィルム基板上にTFT -自在に曲がるCPU- 5と合わせて一記事に | 半導体エネルギー研 | 日刊工業新聞 (2004年4月8日PP.1) | 低温p-SiTFTでCPU形成 8ビットCPU 素子数3万程度 動作周波数25MHz/5V・13MHz/3.3V | 220 260 160 |
| 2004年 7月号 | 電子線ホログラフィでCMOS解析 図使用 | ファインセラミックスセンター(JFCC) | 日経産業新聞 (2004年4月19日PP.8) | 半導体断面電位解析 不純物の分布を利用 | 360 430 660 |
| 2004年 6月号 | 次世代半導体向け製造技術 -露光処理せず微細配線- | 東芝 | 日経産業新聞 (2004年3月17日PP.11) | 1時間の工程を1分に短縮 ソフトリソグラフィ 直径50nmの粒子を50nm間隔で碁盤の目に並べる | 160 |
| 2004年 6月号 | 32nm幅の半導体加工技術 | Selete | 日経産業新聞 (2004年3月30日PP.1) | F2(下付)レーザ 波長157nm 液浸技術 | 160 |
| 2004年 5月号 | 65nm半導体向けレジスト除去技術 | Selete | 日経産業新聞 (2004年2月18日PP.1) | レジスト除去にH2とHeの混合ガス 誘電率上昇ほぼ0 レジスト能力厚さ1μm/分 | 160 |
| 2004年 4月号 | 光メモリー -蛍光現象使い情報記録- | 東大 化学技術戦略推進機構 | 日経産業新聞 (2004年1月21日PP.8) | 半導体微粒子に紫外線照射 容量DVDの25倍 CdSe 記憶容量5値で100Gbpi | 120 130 |
| 2004年 4月号 | 有機半導体電子ペーパ | (オランダ)フィリップス ポリマービジョン | 日刊工業新聞 (2004年1月26日PP.25) | OFET アクティブマトリクス 駆動周波数5kHz 電気泳動 モノクロ表示 輝度35% コントラスト比9 25μm | 250 |
| 2004年 3月号 | 線幅45nm対応の絶縁膜 -次々世代半導体向け- | NEDO 富士通 東芝など24社 | 電波新聞 (2003年12月8日PP.1) 日経産業新聞 (2003年12月8日PP.9) | 半導体MIRAIプロジェクト 多孔質無機Low-kの改良 弾性率8GPa プラズマ共重合 TMCTSガス処理 | 160 220 |
| 2003年12月号 | ナノチューブで半導体 -トランジスタ実現へ- | 東北大 ソニー 都立大 科学技術振興事業団 高輝度光化学研究センター | 日本経済新聞 (2003年9月8日PP.21) 日本工業新聞 (2003年9月9日PP.2) | CNT内部に有機分子 導電性の制御に成功 Spring-8 | 120 160 |
| 2003年12月号 | カーボンナノチューブの発光を電気制御 | 米IBM | 日経産業新聞 (2003年9月15日PP.5) | CNTを半導体素材に応用 1.5μmの波長で発光 | 120 160 |
| 2003年12月号 | 超高速トランジスタ -カーボンナノチューブ活用- | NEC | 日本経済新聞 (2003年9月19日PP.11) | Siの10倍以上高速に動作 CNTの半導体の性質を利用 | 220 120 |
| 2003年12月号 | 高速認識カメラ -産業ロボットの目- | 浜松ホトニクス | 日経産業新聞 (2003年9月26日PP.1) | 毎秒1000枚(1000fps) インテリジェントビジョンシステム(IVS) 各画素ごとに処理回路 約16000個の光半導体 チップサイズ8mm×11mm | 310 210 |
| 2003年11月号 | 量子コンピュータ用基本素子 -半導体微細加工技術を使用- | NTT 科学技術事業団 | 日経産業新聞 (2003年8月12日PP.5) | 半導体の表面に3本の長い電極とその間に短い電極を並列に置いた | 160 220 |
| 2003年11月号 | 次世代半導体用絶縁膜 -溶液中で作製- | 理化学研 | 日経産業新聞 (2003年8月21日PP.7) | Hfを含む溶液 400℃加熱 絶縁膜10～15nm | 160 |
| 2003年10月号 | 半導体スピンメモリー -電界アシストで書込み- | 東北大 | 日刊工業新聞 (2003年7月11日PP.5) 日経産業新聞 (2003年7月11日PP.7) | MIS型FET Mn添加のInAs 書込み磁力を大幅低減 | 230 |
| 2003年10月号 | 次々世代半導体の回路原板 -窒素化合物で精密描画- | HOYA | 日経産業新聞 (2003年7月23日PP.9) | 反射型マスク 極端紫外線 吸収層にTaとBと窒素化合物 10nm紫外線より短い紫外線 EUVの散乱防ぐ 反射層にM/Siを積み重ね | 120 160 |
| 2003年 9月号 | 超電導物質のメモリー素子 | 横国大 名大 超伝導工学研 通信総研 | 日経産業新聞 (2003年6月12日PP.7) | 半導体素子の10倍の速度 応答時間2～3ps 単一磁束量子回路 | 220 230 |
| 2003年 8月号 | 面発光型半導体レーザ
-素子1個で20種の波長- | 東工大 | 日経産業新聞 (2003年5月7日PP.10) | 約1mm角のチップ 950nm～1500nm 半導体幅で | 240 250 |
| 2003年 8月号 | 半導体レーザ量産技術
-安価な製造法開発- | 東大 富士通 | 日経産業新聞 (2003年5月14日PP.9) | 量子ドットレーザ 光通信 MOCVD 発光波長1.8μm | 240 160 250 |
| 2003年 7月号 | HDTV伝送瞬時に暗号処理 | 通信総研 | 電波新聞 (2003年4月16日PP.2) 日本経済新聞 (2003年4月17日PP.11) | カオス理論 半導体チップ 伝送速度14.85Gbps ハイビジョン リアルタイム暗号化 | 220 520 540 440 |
| 2007年 2月号 | Si基板の青色LED | 紫明半導体 | 日経産業新聞 (2006年11月9日PP.1) | 20mAで輝度1.5～2cd サファイア バッファ層 下部に電極取り付け可能なためコストダウン可 最高10mW Si基板とGaN系の結晶を作製 | 160 250 |
| 2006年12月号 | フルメタルゲートCMOS | 半導体先端テクノロジーズ(Selete) | 電波新聞 (2006年9月13日PP.1) | 回路線幅45nm以降 0.84nmの高誘電率(High-k)ゲート絶縁膜 デュアルメタルCMOSプロセス 窒化ハフニウムシリケート(HfSiON) | 160 220 |
| 2006年11月号 | 特殊フィルムで半導体を実装 | ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス | 日経産業新聞 (2006年8月3日PP.1) | 異方性導電膜(ACF) パッドの材質に均等に圧力がかかるものを使用 | 120 160 260 |
| 2006年11月号 | GaInNAs半導体レーザ -40Gbps動作に成功- | 日立 | 電波新聞 (2006年8月25日PP.1) | Alフリー分子線エピタキシ技術 活性層 逆メサ型リッジ構造 | 120 160 240 |
| 2006年 9月号 | 直径1㎝の青色LEDの円形素子 | 東京理科大 | 日経産業新聞 (2006年6月1日PP.11) | サファイア基板上に半導体結晶を成長 2種類の半導体をGaNで作製 明るさ向上 | 250 160 |
| 2006年 9月号 | 電子1個の動き捉える | NTT 東工大 JST | 日刊工業新聞 (2006年6月16日PP.29) | 半導体二重量子ドット(DQD) 超高感度な単電子電流計 単電子トランジスタ 電流雑音3aA | 120 220 660 |
| 2006年 9月号 | 半導体レーザのビーム形状を自在に制御 | 京大 ローム JST | 日刊工業新聞 (2006年6月22日PP.34) 日経産業新聞 (2006年6月22日PP.11) | 2次元フォトニック結晶 レーザ共振器の構造を制御して光分布を変化 格子点や格子間隔を変化 現在の数十倍の記録容量を持つ光ディスクの光源に利用可能 光ピンセットに応用可能 | 120 160 250 |
| 2006年 7月号 | 次世代半導体メモリー -蓄積電荷5倍の新材料を開発- | 東工大 富士通 | 日経産業新聞 (2006年4月3日PP.17) | FeRAM ビスマスフェライト(BFO)に微量のMnを加えた新材料 65nmまで微細化可能 | 120 230 |
| 2006年 6月号 | 白色レーザ発振可能なフッ化物ファイバ | 住田光学ガラス | 日刊工業新聞 (2006年3月3日PP.1) | 1本で青色半導体レーザを白色レーザとして連続発振 PrをAlF系ガラスに含ませた独自素材 522nm・635nmとあわせ440nm ディスプレイ光源 高い変換効率 三原色の高い色再現性 | 120 160 240 250 |
| 2006年 6月号 | 量子もつれ振動を観測 | NTT JST | 日刊工業新聞 (2006年3月31日PP.37) | 超電導量子ビットと単一光子の組合せ 超電導量子ビットと電気回路を微細加工技術で同一半導体チップ上に作製し極低温で測定 | 160 320 |
| 2006年 5月号 | LED型量子暗号通信素子 | 東芝欧州研究所 | 日経産業新聞 (2006年2月3日PP.8) | 量子もつれ光子対を任意に発生 高さ6nm直径12nmの量子ドット微細構造 半導体素子 | 120 240 250 220 |
| 2006年 5月号 | たんぱく質で半導体メモリー | 奈良先端大 松下電器 | 日刊工業新聞 (2006年2月9日PP.27) | 不揮発性半導体メモリー フローティングゲートにフェリチンを利用した直径7nmのCoOナノ粒子 フェリチンの外径13nm | 120 220 230 |
| 2006年 5月号 | テラヘルツ光用新型レーザ -コスト1/100- | 情通機構 東大 | 日経産業新聞 (2006年2月22日PP.1) | 透過撮影用光源 量子カスケードレーザ 縦3mm 幅500μm 厚さ10μm GaAs化合物半導体の多層膜構造 3.4THz 動作温度-220℃ | 120 160 250 |
| 2003年 6月号 | 半導体レーザ -青紫色の出力2倍に- | 三洋電機 | 日本経済新聞 (2003年3月27日PP.13) | 出力100mW 2層ディスク書込み可能 | 250 |
| 2003年 5月号 | 半導体EB露光装置 -つなぎ精度実用化レベル- | ニコン Selete | 日経産業新聞 (2003年2月6日PP.1) | 回路半導体EB露光装置 つなぎ精度23nm 65nmプロセス用 2005年の製品化 | 260 330 |
| 2003年 5月号 | 量子コンピュータ -基礎回路を開発- | 理化学研 NEC | 日刊工業新聞 (2003年2月20日PP.4) 日本経済新聞 (2003年2月20日PP.1) 日本経済新聞 (2003年2月20日PP.13) | 固体2量子ビット Alを幅1μm程に加工した素子を2つ並べた 4種類のデータが同時に記録 半導体技術 | 120 210 220 |
| 2003年 4月号 | トランジスタ製造技術 -線幅65nm技術確立- | 半導体先端テクノロジーズ | 日経産業新聞 (2003年1月21日PP.8) | 高誘電率絶縁膜 ハイK 25%のHfO2含有ON2O3 | 120 220 |
| 2003年 4月号 | 原子1層の半導体膜 | FEC | 日刊工業新聞 (2003年1月24日PP.1) | 次世代半導体製造用化学ガスを高速切替え ALD | 160 |
| 2003年 3月号 | ダイヤモンド半導体開発へ | 東芝 神戸製鋼 住友電工 | 日本経済新聞 (2002年12月26日PP.11) | 基板に人口ダイヤモンド 20倍の動作速度 摂氏1000度でも性能を維持 | 120 220 |
| 2003年 2月号 | 量子カスケード半導体レーザの発振に成功 | 東北大 | 日本工業新聞 (2002年11月15日PP.2) | 遠赤外領域 ナノ構造 InAs AlSb 厚さ4～7nm×20層の超格子×40周期 発光波長9.94μm | 250 220 |
| 2003年 2月号 | Si製半導体 -｢2世代先｣実現にメド- | 東芝 | 日本経済新聞 (2002年11月29日PP.17) | ゲート電極幅14nmのトランジスタ 基板正負電極間の絶縁膜最適化 ゲート電極材料の改良 | 220 160 |
| 2003年 1月号 | セラミックス絶縁体を紫外線で半導体に変換 | 東工大 | 朝日新聞 (2002年10月3日PP.2) | C12A7 | 120 |
| 2002年12月号 | 10Gbps動作の発光・受光素子 | 日立 | 電波新聞 (2002年9月6日PP.2) | 85℃ 5000時間越す安定動作 InGaAlAs埋込みヘテロ型半導体レーザ InAlAsメサ型アバランシェフォトダイオード | 210 240 250 |
| 2002年12月号 | 35GHzで動作するパケットスイッチ | NEC | 日刊工業新聞 (2002年9月19日PP.4) | 現状の半導体パケットスイッチより50倍高速 超電導体ニオブ系SFQ回路 2×2クロスバースイッチ | 240 |
| 2002年10月号 | 半導体レーザ -消費電力を半減- | NEC | 日本経済新聞 (2002年7月12日PP.17) | 発光部の幅を2μmから10μm 45%の消費電力で同一出力 | 240 250 |
| 2002年10月号 | 次世代DVD -容量4倍パソコン用で標準目指す- | NEC | 日刊工業新聞 (2002年7月16日PP.1) | 光ディスク 405nm青色半導体レーザ 片面最大20.5GB・32Mbps DVDとの互換制を重視 保護層厚0.6mm カートリッジ不要 | 230 330 530 |
| 2002年10月号 | 量子ドット形成法 -ナノオーダで制御- (NO31合わせる) | 富士通研 | 電波新聞 (2002年7月29日PP.1) | 化合物半導体 量子コンピュータ 分子線エピタキシ 結合量子スピンを利用 直径30nmと20nmの量子ドット | 120 160 |
| 2002年 7月号 | HI-SMZ全光スイッチ - 半導体素子で最速 - | FESTAのNEC分散研究室 | 日刊工業新聞 (2002年4月12日PP.12) | 336Gbpsで信号分離動作 32分波で誤り率 10-9達成 | 240 |
| 2002年 7月号 | 画像処理可能なセンサ | 奈良先端大 | 日経産業新聞 (2002年4月16日PP.10) | 半球の全方位観測可能なカメラ用半導体センサ CMOS構造 処理能力を持つ画像センサ 8.9mm角 32×32の画像素子 | 210 520 |
| 2002年 4月号 | ガラスの中にSi単結晶 | 京大 | 日刊工業新聞 (2002年1月1日PP.1) | フェムト秒レーザパルス p型とn型の半導体 立体的な金配線 | 160 |
| 2002年 4月号 | 0.05μm半導体加工技術 | 東北大 荏原総研 | 日経産業新聞 (2002年1月21日PP.1) | マイナス帯電マスク使用 中性粒子を基板に垂直照射 | 160 |
| 2002年 3月号 | 耐久性の高い半導体素子 -寿命数倍に- | 広島大 | 日経産業新聞 (2001年12月26日PP.8) | 駆動電極部の絶縁層に保護膜 原子層成長法 SiN | 160 220 |
一行紹介 | (2001年11月9日PP.17) | 有機半導体分子層 | |||
| 2001年12月号 | 次世代光ディスク加工技術 -DVDの容量20倍に 赤色半導体レーザ利用- | シャープ 産総研 TDK | 日経産業新聞 (2001年9月11日PP.13) | 原盤加工 吸光発熱薄膜 熱疑固薄膜 幅100nmの線 直径80nmの突起 | 230 160 |
| 2001年10月号 | 低温p-Si技術-ガラス基板に超高速回路- | 富士通 | 日刊工業新聞 (2001年7月13日PP.1) | 粒界3×20μm､ガラス基板 Si2バッファ層 半導体レーザ励起固体レーザによる結晶化 低温p-Si技術 プロセス温度450℃以下 移動度500cm2/V・s | 160 220 250 |
| 2001年10月号 | 光電子融合システム -Siと化合物半導体を無転位で一体化- | 豊橋技科大 | 日刊工業新聞 (2001年7月24日PP.7) | 光電子融合IC GaPN 分子線エピタキシー 同一格子定数 | 160 |
| 2001年 8月号,9月号 | 半導体材料でミクロンの折り紙 -一辺1/20mmの折り紙- | ATR環境適応通信研 | 日本経済新聞 (2001年6月8日PP.17) | 格子定数の違い GaAs InGaAs | 160 260 |
| 2001年 8月号,9月号 | 赤色半導体レーザ -光利用効率20%向- | 三洋電機 | 電波新聞 (2001年6月15日PP.2) | アスクペクト比1対1.7の近円形ビーム 光利用効率20%向上 4倍の高速記録が可能 発振波長660nm AlGaInP系赤色半導体レーザ 低損質導波路 | 250 |
| 2001年 7月号 | 半導体チップ多段積層技術 | 東芝 | 日本経済新聞 (2001年5月4日PP.11) | 放熱ギャップ チップonチップ | 230 260 |
| 2001年 6月号 | 半導体チップ -極紫外線で加工- | 大手半導体メーカ エネルギー省傘下の研究所 | 日本経済新聞 (2001年4月13日PP.17) | EUV 波長13nm 線幅30nm | 160 |
| 2001年 6月号 | 球面半導体の活用加速 | 山武 凸版印刷 米ボールセミコンダクタ | 日経産業新聞 (2001年4月17日PP.1) | 無線温度センサ 表面弾性波素子 直径1mmの球状Si -55～125℃ | 210 240 |
| 2001年 4月号 | 半導体チップOS技術 | 日立 | 電波新聞 (2001年2月6日PP.1) | 電力制御 IP活性コントロール | 220 |
| 2001年 3月号 | 最大200GBの記録技術 | 松下電器 | 日経産業新聞 (2001年1月25日PP.1) | 最大記録容量200GB サーボトラック信号の短時間書込み 磁気転写 半導体露光技術 3.5インチ/ディスク | 160 230 |
| 2001年 2月号 | 永久磁石の磁性を電圧で制御 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2000年12月21日PP.6) 日経産業新聞 (2000年12月21日PP.7) | -250℃で動作確認 磁性半導体InMnAs 材料の磁気の向きを制御 | 120 |
| 2001年 1月号 | 粒ぞろいの量子ドット | 科学技術庁 東大 | 日経産業新聞 (2000年11月27日PP.10) | GaAs半導体微粒子 直径5～20mm 液滴エピタキシィ法 | 160 120 |
| 2000年11月号 | 半導体レーザ -180mW世界最高出力- | 松下電子 | 電波新聞 (2000年9月22日PP.5) | 分布帰還形 マストランスポート法 1.5μm帯 | 240 250 |
| 2000年11月号 | 半導体製造 -製膜コスト半減- | 東芝 東京エレクトロン | 日本経済新聞 (2000年9月2日PP.13) | ノズル・スキャン塗布 強誘電体膜 低誘電率相関絶縁膜 | 160 |
| 2000年11月号 | 記録形DVD用赤色半導体レーザ -世界最高の80mW達成- | 三洋電機 | 日本工業新聞 (2000年9月1日PP.9) | 赤色半導体レーザ 単一横モード AlGaInP結晶 | 250 230 |
| 2000年 8月号 | 新光スイッチ・波長変調方式 -電気回路介さずに光を光で超高速制御- | 中部大 NTT | 日刊工業新聞 (2000年6月5日PP.9) | 光スイッチ 波長変換方式 40Gbps→10Gbpsを分離 吸収形半導体変調器 高速受光素子 | 240 |
| 2000年 7月号 | 放射光で半導体微細加工 | 岡崎分子研 | 日経産業新聞 (2000年5月1日PP.4) | 自己組織化 加工温度50℃ SI基板の表面に酸化膜 | 160 |
| 2000年 5月号 | ROMディスク -光学系変えずに密度4倍- | TDK | 電波新聞 (2000年3月24日PP.1) 日本工業新聞 (2000年3月24日PP.7) | 反射膜 半導体材料 超解像 CD DVD | 230 |
| 2000年 4月号 | 新半導体製造法 -垂直構造で高集積- | 米ルーセントテクノロジー | 日経産業新聞 (2000年2月25日PP.5) | トランジスタ 半導体 ゲート長50nm 垂直構造 | 220 160 |
| 2000年 4月号 | 微小ピラミッド構造の光共振器 | 北大 | 日経産業新聞 (2000年2月22日PP.1) | 光共振器 半導体レーザ 硫化亜鉛 閾値電流 レーザ発振器 | 150 160 |
| 2000年 4月号 | 単結晶窒化ガリウム基板 | 住友電工 | 日経産業新聞 (2000年2月18日PP.1) | 窒化ガリウム 青紫色半導体レーザ | 160 150 |
| 2000年 4月号 | 光空気2次電池 -永遠に切れない「夢の蓄電池」- | NTT | 日刊工業新聞 (2000年2月7日PP.13) | 光エネルギー 水素吸蔵合金 n形酸化半導体 燃料電池 光空気2次電池 光充放電機能 | 250 |
| 2000年 3月号 | 半導体回路微細化で新技術 -線幅0.1μm以下- | 工技院 | 日本経済新聞 (2000年1月31日PP.17) | 半導体 微細化 線幅0.1μm アンチモン薄膜 | 160 |
| 2000年 3月号 | 半導体量子素子 -単一光子を検出- | 東大 | 日経産業新聞 (2000年1月27日PP.5) 日刊工業新聞 (2000年1月27日PP.6) | 半導体量子素子 AlGaAs THz通信 SET ゲート電極20μm 垂直磁場 遠赤外 単一光子 光検出器 | 210 220 |
| 2000年 3月号 | 実時間ホログラフィ用1次元光学結晶 | 筑波大 | 日刊工業新聞 (2000年1月20日PP.6) | フォトニック結晶 半導体量子ビット セレン化カドミウム 非線形光学材料 酸化Si 酸化チタン 欠陥層 | 120 |
| 2000年 3月号 | 従来形集積回路の1/10未満の実装面積を実現 | NTT | 電波タイムズ (2000年1月19日PP.1) | 半導体光集積回路 WDM 光通信 | 240 |
| 2000年 3月号 | 新CDV法を確立 -0.1μmのトランジスタ- | 豊田工大 | 日経産業新聞 (2000年1月14日PP.5) 日刊工業新聞 (2000年1月14日PP.5) | LSI Si窒化薄膜 電子ビーム プラズマ ゲート絶縁膜 0.1μmルール半導体製造 低温 低圧力 | 160 |
| 2000年 2月号 | 半導体接合面にスピンの向きそろった電流 | 東北大 米カリフォルニア大 | 日経産業新聞 (1999年12月16日PP.5) 日刊工業新聞 (1999年12月17日PP.6) | 電子スピン 量子コンピュータ 半導体接合面 高速コンピュータ GaMnAs強磁性半導体 発光ダイオード 偏光度確認 | 120 250 |
| 2000年 2月号 | 半導体で最短の発光波長 | 理化学研 | 日刊工業新聞 (1999年12月14日PP.6) 日本工業新聞 (1999年12月16日PP.18) | 量子井戸構造 AlN AlGaN 波長230nm 紫外波長域 波長234nm | 250 |
| 2000年 2月号 | 超高速半導体チップ | 米TRW社 | 電波新聞 (1999年12月9日PP.3) | 動作周波数69GHz リン化インジウム 40Gb通信 | 220 |
| 1999年12月号 | 高輝度X線発生に成功 | 日米光エネルギー物理学共同研究チーム | 日刊工業新聞 (1999年10月8日PP.1) | 電子ビームとレーザの線形衝突 6800eVのX線 2000万個/パルスの光子 半導体露光用X線光源 | 650 |
| 1999年11月号 | 光発生装置 -超短波長連続的に- | 郵政省 | 日経産業新聞 (1999年9月1日PP.5) | 半導体レーザ 波長変換技術 | 240 250 |
| 1999年11月号 | アナログ進化形半導体LSI -「進化」利用して設計- | 電総研 旭化成マイクロシステム | 日刊工業新聞 (1999年9月15日PP.5) 日経産業新聞 (1999年9月16日PP.5) | 遺伝的アルゴリズム アナログLSI 性能調整機能 小形化 省電力化 中間周波数フィルタ設計 回路面積約4割 消費電力約6割 | 520 220 |
| 1999年11月号 | 青紫色面発光形半導体レーザ -室温発振に成功- | 東大 | 日刊工業新聞 (1999年9月17日PP.8) 日経産業新聞 (1999年9月17日PP.4) | 窒化ガリウム インジウム 発振波長399nm サファイア基板 多重量子井戸構造 青紫色面発光レーザ 室温発振 | 250 |
| 1999年11月号 | 簡易部品でミリ波発生 | ATR | 日経産業新聞 (1999年9月22日PP.5) | ミリ波光源 半導体レーザ ファブリペロー形 | 440 240 |
| 1999年11月号 | 紫色半導体レーザ -世界初の実用化- | 日亜化学 | 電波新聞 (1999年9月22日PP.2) 電波タイムズ (1999年9月27日PP.7) | DVD 紫色半導体レーザ 波長405nm 出力5mW | 250 |
| 1999年11月号 | 酸化物基板上で単結晶成長 | 東大 | 日刊工業新聞 (1999年9月24日PP.5) | In As Ga As In Sb 軟磁性体 ホール素子 エピタキシャル成長 酸化物フェライト基板 化合物半導体単結晶成長 基板表面平坦化 メカケミカル研磨 超高感度磁気センサ | 110 160 |
| 1999年11月号 | 次世代半導体ウェハ -SOI低コストで量産- | キヤノン | 日経産業新聞 (1999年9月24日PP.1) | SOIウェハ 高圧水流 張合せ法 ウォータジェット | 160 |
| 1999年10月号 | 10nmを切る半導体量子細線 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1999年8月25日PP.5) | ガスエッチング 有機金属気相成長 光通信帯で発光 InGaAs細線 | 250 160 |
| 1999年 9月号 | 20fsの光パルス発生システム | FESTA | 日刊工業新聞 (1999年7月13日PP.7) | 半導体レーザ ソリトン | 240 250 |
| 1999年 9月号 | 次世代半導体素子 -微細構造を精密検査- | 富士通研 阪大 | 日経産業新聞 (1999年7月13日PP.5) | 次世代半導体素子 微細構造 顕微鏡 | 360 |
| 1999年 9月号 | 単一電子素子量産用製造技術 | 東芝 | 日本経済新聞 (1999年7月19日PP.19) | 自己組織化 超微細加工 半導体基板 20～30nmの凹凸 単一電子素子 製造技術 エッチング | 160 220 260 120 |
| 1999年 9月号 | Si超微粒子 -大きさ望み通り- | 松下技研 | 日経産業新聞 (1999年7月19日PP.5) | 任意サイズ 誤差12% Si超微粒子 超高速半導体 | 160 |
| 1999年 8月号 | 固体冷陰極を微細・高集積化 -低電圧・高電流密度に- | NEC | 日刊工業新聞 (1999年6月2日PP.7) | FEA(フィールド・エミッタアレイ) ゲート径0.35μm 50A/cm2 VECTL 平面ディスプレイ 進行波管 ドライブ電圧25V 7000万個/cm2 半導体微細加工 放電防止構造 | 250 120 |
| 1999年 8月号 | 青紫色半導体レーザ -消費電力1/10に- | 東大 | 日本経済新聞 (1999年6月7日PP.19) | 青紫色半導体レーザ 量子箱 波長405nm 室温でパルス発振 | 250 |
| 1999年 8月号 | 球面半導体を利用したICタグ | ボールセミコンダクタ 日立マクセル | 日経産業新聞 (1999年6月11日PP.1) | 直径1mm 10円以下 | 340 440 |
| 1999年 7月号 | 紙のように薄い半導体 | 東芝 | 東京新聞 (1999年5月24日PP.3) | 薄形半導体 厚さ0.13mm PTP | 160 230 |
| 1999年 7月号 | 青色半導体レーザ -量子ドットで実現- | 東大 | 日刊工業新聞 (1999年5月21日PP.1) | InGaN 量子ドット 10層構造 室温発振 閾値電流 MOCVD 直径約20nm 高さ約4.5nm 波長405nm 色素レーザ励起 | 250 |
| 1999年 6月号 | 世界初の球面集積回路 -球状半導体にIC形成- | 米ボールセミコンダクタ | 日本経済新聞 (1999年4月6日PP.11) 日刊工業新聞 (1999年4月13日PP.11) | 球面集積回路 球状Si N形MOS 球状半導体 インバータ回路 | 220 260 160 |
| 1999年 6月号 | 青紫色半導体レーザ -量産タイプの素子構造，連続発振- | NEC | 日刊工業新聞 (1999年4月6日PP.6) | 青紫色半導体レーザ 室温連続発振 GaIn系 N形NGa基板 HVPE 低欠陥 裏面電極 へき開共振器 波長401.9nm | 250 |
| 1999年 6月号 | 面発光半導体レーザ -フォトニック結晶で製作- | 京大 | 日刊工業新聞 (1999年4月1日PP.6) | 2次元ホトニック結晶 InP半導体レーザ ビーム角1.8° 面発光半導体レーザ 室温パルス発振 | 240 250 |
| 1999年 5月号 | 磁界で電流を制御 -次世代複合半導体に道- | 北陸先端大 | 日刊工業新聞 (1999年3月24日PP.7) | ニッケル微粒子 次世代複合半導体 単電子効果 強磁性体微粒子 磁気ドメイン スイッチング機能 | 120 |
| 1999年 5月号 | 新形ニューロチップ -音声や距離感を素早く認識- | 日立製作所 NTT | 日本経済新聞 (1999年3月20日PP.10) | ニューロチップ 半導体 | 220 |
| 1999年 4月号 | 光スイッチ用半導体素子 -信号の出力25倍- | フェムト秒テクノロジー研究機構 | 日経産業新聞 (1999年2月14日PP.4) | 光スイッチ 消費エネルギー削減 光通信ネットワーク GaAs | 240 |
| 1999年 4月号 | 紫色半導体レーザ -次世代DVD用光源- | 松下電器産業 | 電波新聞 (1999年2月4日PP.1) 日経産業新聞 (1999年2月4日PP.5) 日本経済新聞 (1999年2月4日PP.11) 日本工業新聞 (1999年2月4日PP.4) | 次世代DVD 波長400nm 集光特性 連続発振 多重量子井戸構造 GaN DVD 紫色半導体レーザ 半導体レーザ 記録用光源 | 230 250 |
| 1999年 3月号 | 設計ルール0.1μm以下を可能にするF2レーザ | コマツ | 日刊工業新聞 (1999年1月13日PP.10) | フッ素レーザ 半導体露光装置 半導体製造 光源 | 250 160 |
| 1999年 3月号 | 集積型半導体レーザ -テラビット級に対応可能- | NEC | 日経産業新聞 (1999年1月12日PP.5) 日本工業新聞 (1999年1月12日PP.14) | 集積型半導体レーザ 光ソリトン 10Gbps 1.55μm 6ps 半導体レーザ | 240 250 |
| 1999年 3月号 | 紫色半導体レーザ出荷 -DVD記録容量 赤の2.6倍- | 日亜化学工業 | 日経産業新聞 (1999年1月12日PP.1) | 400nm 50mW 紫色半導体レーザ | 250 |
| 1999年 2月号 | 光ファイバ通信用半導体レーザ | 三菱電機 | 日本工業新聞 (1998年12月11日PP.4) | 光ファイバ DFBレーザ 電解吸収型半導体変調器 | 240 250 |
| 1999年 1月号 | 波長多重光通信用半導体レーザ -4枚のウェハで64種類- | NEC | 日経産業新聞 (1998年11月24日PP.4) | 半導体レーザ 変調器 変調器集積光源 変調光集積 波長多重通信 | 240 250 |
| 1999年 1月号 | 条件により光通す結晶 -紫外線レーザに道- | 東芝 | 日本経済新聞 (1998年11月16日PP.19) | セラミックス 電磁気誘起透明化 Y Al酸化物セラミクス プラセジオムイオン 190nm以下 紫外線域 半導体レーザ | 150 |
| 1999年 1月号 | インジウム リンの半導体製造技術 -超微細 薄膜で新技術- | 通信 放送機構 | 日刊工業新聞 (1998年11月10日PP.5) | InP 高精度微細加工 超導膜成長 高速動作 静電誘導トランジスタ ISIT TBPガス TEIガス ディジタルエッチング 分子層成長 | 160 |
| 1999年 1月号 | 1.55μm半導体レーザ -25℃～85℃まで温度変化- | 東工大 | 電波新聞 (1998年11月3日PP.5) | 閾値電流 1.6倍 波長1.55μm帯 | 250 |
| 1998年12月号 | 半導体レーザ -温度調節器不要に- | 東工大 | 日経産業新聞 (1998年10月20日PP.5) | 半導体レーザ 光通信 歪み量子井戸構造 温度調節器不要 | 250 |
| 1998年12月号 | 光ディスク用半導体レーザ -100mWの高出力- | 松下電子 | 日経産業新聞 (1998年10月6日PP.5) 日刊工業新聞 (1998年10月6日PP.11) | CD-R 光ディスク 半導体レーザ | 250 230 |
| 1998年12月号 | 減圧CVD法による青紫色半導体レーザ -室温連続発振- | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1998年9月30日PP.6) | MOCVD 青紫色半導体レーザ 炭化シリコン基板 窒化ガリウム | 250 |
| 1998年11月号 | 光信号処理チップ | 東工大 東大 | 日本工業新聞 (1998年9月22日PP.21) | AND回路 ディジタル信号処理 光半導体 GaInAsP | 240 220 |
| 1998年11月号 | 青紫色半導体レーザ -室温連像発振に成功- | ソニー | 日刊工業新聞 (1998年9月17日PP.5) | 青紫色半導体レーザ 室温連続発振 窒化Ga 加圧型有機全層気相成長 MOCVD | 250 |
| 1998年11月号 | 世界初の完全単一モード -面発光半導体レーザ開発- | 東工大 | 電波新聞 (1998年9月13日PP.5) 日経産業新聞 (1998年9月21日PP.5) | 単一モードレーザ 面発光レーザ GaAs 傾斜基板 閾値260μA 波長985nm 出力0.7mW 単一波長 | 250 |
| 1998年11月号 | 半導体の新素子構造 -高速動作維持し微細化- | 富士通研 | 日経産業新聞 (1998年9月7日PP.5) | IC ゲート | 220 |
| 1998年11月号 | 超電導回路 -室温半導体回路複合化に成功- | 富士通 | 日刊工業新聞 (1998年9月3日PP.1) | 超電導回路 室温半導体回路 ジョセフソン接合昇圧回路 HEMT Tb級システム | 220 |
| 1998年10月号 | 0.07μm超微細加工技術 | 米TI | 日本経済新聞 (1998年8月27日PP.4) | 半導体微細加工技術 | 160 |
| 1998年 9月号 | ネット対応携帯オーディオ機器 -音声取込み再生- | NTT 神戸製鋼 | 日本経済新聞 (1998年7月24日PP.13) 日経産業新聞 (1998年7月24日PP.3) | 半導体メモリーに録音 CD並みで約25分 FMラジオ並みで約50分 著作権保護を重視 ネットワーク配信 固体メモリー 音声信号圧縮 著作権 マルチメディアコンテンツ 音声圧縮技術 ネットワーク | 330 440 |
| 1998年 8月号 | 超高速光スイッチ用半導体 -光通信の波長で動作- | フェムト秒テクノロジー研究機構 | 日経産業新聞 (1998年6月14日PP.4) | 光スイッチ 量子井戸構造 | 240 |
| 1998年 8月号 | 半導体メモリー量産技術 | NEC | 日本工業新聞 (1998年6月11日PP.1) | 半導体メモリー | 230 160 |
| 1998年 8月号 | 高出力半導体マイクロレーザ | ルーセントテクノロジー(米) エール大(米) マックス・ブランク研(独) | 日経産業新聞 (1998年6月9日PP.5) | マイクロレーザ カオス 非対称共振器 光コンピュータ 光通信 | 250 240 |
| 1998年 7月号 | 量子箱半導体レーザ | 富士通研 | 日経産業新聞 (1998年5月12日PP.1) | 半導体レーザ 40mW出力 量子箱 閾値電流31mA | 250 |
| 1998年 6月号 | 青色半導体レーザ -基板に窒化ガリウム採用- | 日亜化学工業 | 日刊工業新聞 (1998年4月28日PP.7) | 青色半導体レーザ 出力90mW | 250 |
| 1998年 6月号 | DVD用半導体レーザ | NEC | 日経産業新聞 (1998年4月17日PP.5) | 低消費電力 高温動作 5mW出力 波長650nm 共振器長を350μmに短縮 磁界電流70mA 最高動作温度100℃ | 250 330 |
| 1998年 6月号 | 光使う“半導体”素材 -情報処理速度100～1000倍に- | HOYA | 日経産業新聞 (1998年3月31日PP.1) | 光の強さで屈折率変化 1kW/cm2で利用可 酸化チタンに直径数十nmの金粒子を分散蒸着 | 220 230 |
| 1998年 5月号 | 高出力レーザ -材料加工コスト低減- | 阪大 | 日経産業新聞 (1998年3月23日PP.5) | 高出力レーザ技術 半導体レーザ | 250 |
| 1998年 4月号 | 半導体レーザで新技術 | NEC | 日本工業新聞 (1998年2月25日PP.23) | 光通信 半導体レーザ 接合効率 | 250 240 |
| 1998年 3月号 | 16MbDRAM生産計画見直し | 大手半導体メーカ | 日本工業新聞 (1998年1月21日PP.1) | DRAM | 230 |
| 1998年 3月号 | 高移動度連続粒界結晶Si半導体 | シャープ半導体エネルギー研究所 | 日本経済新聞 (1998年1月14日PP.13) 日刊工業新聞 (1998年1月14日PP.13) 電波新聞 (1998年1月14日PP.1) 日本工業新聞 (1998年1月14日PP.4) | CGS 液晶 システムオンパネル 電子移動度300cm2/Vs フルディジタル駆動 ディスプレイ シートコンピュータ 連続粒界結晶Si 高移動度 131万画素2.6型TFT液晶 Si 高速LSI | 250 220 |
| 1998年 3月号 | 米の次世代地上デジタル放送受像機用半導体チップ | 三菱電機 米ルーセントテクノロジー | 電波新聞 (1998年1月7日PP.1) | 受信用IC 5チップ | 220 520 540 |
| 1998年 2月号 | 半導体レーザの小型化 | NTT | 日本経済新聞 (1997年12月13日PP.10) | GaAs 正三角形 正六角形の形状 一辺が数μm 光入射でレーザ発振の可能性を確認 | 250 240 |
| 1998年 2月号 | FeRAM -究極の半導体メモリー- | NEC 富士通 富士通研 沖電気 | 日本経済新聞 (1997年12月8日PP.19) 日経産業新聞 (1997年12月9日PP.9) 日経産業新聞 (1997年12月14日PP.4) | FeRAM メモリー | 230 |
| 1998年 2月号 | 半導体の超小型パッケージ -技術供与へ- | NEC | 日本経済新聞 (1997年12月5日PP.11) | チップとほぼ同等の大きさ ワイヤボンドなし 実装面積1/9 重量1/31 | 260 |
| 1998年 1月号 | 化合物半導体材料の種類を大幅に増やせる新技術 -高出力レーザなどに道 結晶間隔異なっても成長- | NTT | 日経産業新聞 (1997年11月26日PP.5) | GaAs 111面を使用 格子定数の違いは1～2原子層で吸収 InAsを堆積して確認 | 120 160 |
| 1998年 1月号 | 薄型軽量フラットパネルディスプレイ -実用化開発に着手- | 高知工科大 カシオ | 日刊工業新聞 (1997年11月21日PP.6) | フラットパネルディスプレイ 薄膜ダイヤモンド半導体 薄膜ダイヤ | 250 |
| 1998年 1月号 | 面発光半導体レーザ -制御回路不要に- | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1997年11月10日PP.5) | FTTH 光インタコネクション 面発光 半導体レーザ GaInNAs 波長1.2μm 20～70℃で臨界電流変化1.2倍 AlAs/GaAsの多層ミラー 低温度依存性 | 250 240 |
| 1998年 1月号 | 光無線LANシステム | 浜松ホトニクス | 日経産業新聞 (1997年11月5日PP.9) | 光無線LAN 半導体レーザ | 440 240 |
| 1997年12月号 | 半導体レーザ -青紫色 実用化にメド- | 日亜化学工業 | 日経産業新聞 (1997年10月30日PP.1) | 青紫色半導体レーザ 50℃で寿命1500時間 室温換算寿命10000時間以上 電流密度4kA/m2 波長403nm 片面15GBのDVD用 | 250 |
| 1997年12月号 | 可視表示技術 -半導体中の電子の流れを表示- | 電総研 東大 浜松ホトニクス | 日経産業新聞 (1997年9月30日PP.5) | 半導体検査技術 | 320 660 |
| 1997年12月号 | 半導体を挟んだ磁性超格子-磁気抵抗で新現象- | アトムテクノロジー研究体 | 日刊工業新聞 (1997年9月30日PP.6) | 磁性超格子 | 210 120 |
| 1997年11月号 | 160新半導体 -半導体の配線に銅を使用- | IBM | 日本経済新聞 (1997年9月23日PP.11) 読売新聞 (1997年9月24日PP.10) | 銅配線ICの量産技術 高速CMOSロジック用 半導体 同配線 | 220 160 |
| 1997年11月号 | 眼鏡なしで立体画像 | 通信 放送機構 | 日経産業新聞 (1997年9月22日PP.5) | めがねなし 立体 多眼ステレオグラム 半導体レーザ レーザ 立体視 | 450 250 350 |
| 1997年11月号 | 青色半導体レーザ -来年末DVD進化に弾み- | 日亜化学工業 | 日刊工業新聞 (1997年9月10日PP.1) | 青色半導体レーザ 窒化Ga In半導体 | 250 330 |
| 1997年10月号 | 単一電子メモリー -3値でデータを蓄積- | 農工大 | 日経産業新聞 (1997年8月27日PP.5) | 半導体メモリー 多値記録 コンデンサをトンネル接合でサンドイッチ シミュレーション | 130 230 |
| 1997年10月号 | 超高速の半導体素子 | ソニー 他 | 日本経済新聞 (1997年8月25日PP.19) | 半導体素子 量子化機能素子 共鳴トンネルダイオード | 220 |
| 1997年10月号 | 超高密度光メモリー | 富士通 | 日本経済新聞 (1997年8月2日PP.10) | 波長多重記録 半導体媒体 量子ドット | 130 230 |
| 1997年 9月号 | 半導体レーザユニット -携帯電話地下用基地局- | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1997年7月16日PP.1) | 携帯電話 基地局 半導体電話 | 340 440 |
| 1997年 9月号 | 人工網膜 -半導体と生体細胞を合体- | 名大 理化学研 | 日経産業新聞 (1997年7月10日PP.5) | いもり 網膜細胞 | 120 220 210 |
| 1997年 8月号 | 指紋を直接記録できる半導体チップ | SGS-トムソン | 電波新聞 (1997年6月23日PP.9) | 静電容量センサ 指紋 | 210 130 |
| 1997年 8月号 | 半導体の超解像技術向け設計支援ソフト -現行の露光技術活用- | 富士通 | 日刊工業新聞 (1997年6月11日PP.5) 日経産業新聞 (1997年6月25日PP.11) | レベンソン型 学習最適化手法 0.248μmレーザで0.18μm線幅 | 160 620 220 |
| 1997年 8月号 | 超小型駆動装置 -半導体熱膨張で大きな力- | オムロン | 日経産業新聞 (1997年6月5日PP.5) | マイクロマシン アクチュエータ | 260 250 |
| 1997年 7月号 | 次世代大容量光ディスク -DVD越す12GB実現- | ソニー | 電波新聞 (1997年5月21日PP.1) 日刊工業新聞 (1997年5月21日PP.8) 日本経済新聞 (1997年5月21日PP.13) 日経産業新聞 (1997年5月21日PP.9) | CDサイズに片面12GB 青緑色レーザ 515nm 20mW CDサイズ 光ディスク 青緑色半導体レーザ 波長515nm 出力20mWの半導体レーザ 9.5Gb/in2 | 230 330 250 |
| 1997年 6月号 | CATV用レーザ -消費電力1/10に低減- | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1997年4月23日PP.5) | 半導体レーザ 双方向CATV 動作温度-40～85℃ 冷却不要 レーザ | 240 250 |
| 1997年 6月号 | 新型半導体素子 -電源回路1/5に- | NTT | 日経産業新聞 (1997年4月21日PP.5) | パワーMOSFET | 220 |
| 1997年 6月号 | 超小型半導体レーザ | 横浜国大 | 日経産業新聞 (1997年4月11日PP.4) | 1/15サイズ 波長1.55μm 半導体レーザ 電流1/5 | 250 240 |
| 1997年 5月号 | 光増幅器向け半導体レーザ | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1997年3月28日PP.5) | 光増幅器 半導体レーザ | 250 240 |
| 1997年 5月号 | 半導体型光フィルタ -温度変化の影響抑制- | NTT | 日経産業新聞 (1997年3月4日PP.5) | 光フィルタ 波長多重通信 0.01nm/℃ InGaAsP | 240 |
| 1997年 4月号 | 半導体レーザを集積 -40波長を1チップに- | NEC | 電波新聞 (1997年2月18日PP.1) 日経産業新聞 (1997年2月18日PP.5) | 半導体レーザ 多重通信 波長多重通信 | 240 |
| 1997年 3月号 | YAGレーザ -励起光源に半導体- | 松尾産業 | 日経産業新聞 (1997年1月22日PP.1) | 半導体レーザ YAGレーザ | 250 |
| 1997年 3月号 | 半導体薄膜製造技術 -電子線照射，室温で製造- | 三菱重工 | 日経産業新聞 (1997年1月20日PP.5) | 半導体薄膜 室温 成長速度0.015μm/6H 室温で絶縁膜 半導体膜 金属膜を形成 | 160 |
| 1997年 3月号 | 磁石と半導体の2役こなす新材料 -高機能素子に道- | 科学技術振興事業団 | 日本経済新聞 (1997年1月11日PP.11) | さきがけ研究21 磁性体と半導体の融合 | 120 |
| 1997年 2月号 | 青色半導体レーザ -発光を長期安定- | ソニー | 日経産業新聞 (1996年12月26日PP.4) | レーザ 青色半導体レーザ | 250 |
| 1997年 1月号 | ダイヤモンドN型半導体の合成に成功 | 無機材質研 青学大 | 日刊工業新聞 (1996年11月26日PP.7) | マイクロ波プラズマ気相合成法 メタンとフォスフィン 移動度20cm2/V/s | 120 |
| 1997年 1月号 | 赤外半導体レーザ -出力1.5倍に- | 三井石化 | 日経産業新聞 (1996年11月25日PP.1) | 860nm 300mW 寿命10000時間以上 | 250 |
| 1996年12月号 | レーザ受光素子-電子回路と一体化 -レーザ受光素子/電子回路と一体化 | NTT | 日経産業新聞 (1996年10月23日PP.4) | レーザ 受光素子 チップ Si電子回路 化合物半導体薄膜 | 160 220 250 |
| 1996年12月号 | 半導体ウェハ上の溝 -従来の1/2000間隔に- | クレステック NEC | 日経産業新聞 (1996年10月16日PP.1) | 半導体ウェハ レーザ | 160 250 240 |
| 1996年11月号 | 青色半導体レーザ | 東芝 | 日経産業新聞 (1996年9月12日PP.5) 日本経済新聞 (1996年9月12日PP.11) | 半導体レーザ DVD | 250 330 |
| 1996年10月号 | 半導体の素子分離技術 -回路線幅0.25μmまで対応- | 松下電器産業 松下電子 | 日経産業新聞 (1996年8月28日PP.5) | CMOS トレンチ法 0.25μm幅 BとPを含むSiO2 | 260 160 |
| 1996年10月号 | 半導体ウェハ -平坦度2倍に- | 松下電器産業 松下電子 | 日経産業新聞 (1996年8月20日PP.5) | CMP 加圧リング 化学的機械研磨 多層LSI 凹凸0.05μm以内 | 160 |
| 1996年 9月号 | 高速通信用の光発振器 -新聞125年分1秒で送信- | NEC | 日経産業新聞 (1996年7月16日PP.5) | 光通信 光発振器 レーザ 500Gbps 半導体レーザを2連化 10Gbpsの光パルス列から500Gbpsの光パルス 列を発生 高速光通信 半導体レーザ | 240 440 250 |
| 1996年 9月号 | 窒素混入の新半導体材料 -レーザの冷却不要に- | 日立製作所 新情報処理開発機構 | 日経産業新聞 (1996年7月12日PP.5) | GaInPにNを混入 85℃まで安定動作 光ファイバ通信加入者用 1.2μmの発光波長 半導体材料 光通信 レーザ | 250 140 240 |
| 1996年 9月号 | X線による微細加工技術 -半導体基板上に0.07μm幅の溝- | NTT | 日本経済新聞 (1996年6月29日PP.12) | 半導体 64Gbメモリー X線 微細加工 | 220 160 230 |
| 1996年 8月号 | 半導体レーザの新製造技術 -素子均一性2倍に- | NEC | 日経産業新聞 (1996年6月17日PP.5) | レーザ 1.3μm MOVPE法で選択結晶成長 エッチング工程なし 2μA以下の閾値電流 | 240 160 |
| 1996年 8月号 | MOS電界効果のトランジスタ -半導体素子の不純物混入- | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1996年6月12日PP.5) | プラズマドーピング | 220 260 |
| 1996年 8月号 | 自動電子レーザ発振技術 -半導体新材料開発に道- | 住友電工 | 日経産業新聞 (1996年6月9日PP.1) | 自由電子レーザ | 250 |
| 1996年 8月号 | アナログ回線でリアルタイム動画伝送する半導体 | ドーム ローム 東北大 | 日経産業新聞 (1996年6月5日PP.1) | アナログ回路 圧縮 動画伝送 | 340 520 220 |
| 1996年 7月号 | Siで新素子 -消費電力1/10以下に- | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1996年5月31日PP.4) | Si半導体 共鳴トンネル効果 消費電力1/10以下 | 220 |
| 1996年 7月号 | 次世代高速通信向け受光素子-光電変換効率90%- | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1996年5月24日PP.5) | フォトダイオード 効率90% 半導体受光素子 光通信 | 210 |
| 1996年 7月号 | 表示部不要の新型ディスプレイ装置 | マイクロビジョン(米) | 日経産業新聞 (1996年5月22日PP.1) | ディスプレイ 半導体レーザ 仮想網膜表示装置 網膜 | 250 350 620 |
| 1996年 7月号 | DVD用自励発振型赤色半導体レーザ | 松下電子 | 電波新聞 (1996年5月18日PP.1) | DVD 半導体レーザ | 250 |
| 1996年 7月号 | 半導体新微細加工技術 -幅0.03μmの階段構造作成- | 東大 荏原総研 | 日経産業新聞 (1996年5月13日PP.1) | 塩素原子ビーム加工 0.03μm幅 原子ビーム 階段構造 | 160 |
| 1996年 6月号 | 青色半導体レーザの新製造 -基板に炭化ケイ素利用- | 富士通研 | 日経産業新聞 (1996年4月18日PP.5) | 青色レーザ 炭化ケイ素 SiC基板 高性能レーザ反射面 AlNでバッファ層形成 GaNレーザ 半導体レーザ 製造技術 | 250 260 |
| 1996年 6月号 | 透明セラミックス薄膜合成 -透明トランジスタに道- | 東工大 | 日経産業新聞 (1996年4月8日PP.5) | 透明セラミックス 透明トランジスタ 酸化ガリウム銅 液晶ディスプレイ用 透明 うすい黄色 P型半導体 | 120 150 |
| 1996年 6月号 | 超高速光通信用送信機 | NTT | 日経産業新聞 (1996年4月2日PP.5) | 光通信 波長多重通信 InP 半導体レーザと光変調器一体化 1.55μm 20Gbps | 250 440 240 |
| 1996年 5月号 | 新型赤外発光Si結晶 -10倍強力な赤外光発光- | 東大 | 日経産業新聞 (1996年3月28日PP.5) | 半導体レーザ Si結晶 赤外発光 従来比10倍 Si超格子 1.2μm -170℃で動作 | 250 150 |
| 1996年 4月号 | 光信号中継システム -光信号，4波に分け伝送- | 古河電工 | 日経産業新聞 (1996年2月27日PP.5) | 光増幅器 4波長多重 10Gbps 560km 光通信 半導体レーザ 光ファイバ | 440 240 |
| 1996年 4月号 | 青緑色半導体レーザ -室温発振100時間突破- | ソニー | 電波新聞 (1996年2月1日PP.1) 日経産業新聞 (1996年2月1日PP.5) 日刊工業新聞 (1996年2月1日PP.6) | 波長515nm 1mW 青緑色半導体レーザ 室温連続発振101.5時間 | 250 |
| 1996年 3月号 | 光信号の波長変換素子 | 富士通研 | 日経産業新聞 (1996年1月23日PP.4) | 光スイッチ DFBレーザ 光波長変換 波長多重光通信 半導体レーザ 波長変換 | 240 250 |
| 1996年 2月号 | 半導体レーザによる刷版作製技術 | 千葉大 | 日経産業新聞 (1995年12月28日PP.4) | オフセット印刷 レーザ | 160 250 330 |
| 1996年 2月号 | 青紫色半導体レーザ | 日亜化学工業 | 電波新聞 (1995年12月13日PP.1) 日経産業新聞 (1995年12月13日PP.10) 日刊工業新聞 (1995年12月13日PP.9) 日本経済新聞 (1995年12月13日PP.11) | 半導体レーザ 波長410nm DVD GaN 室温 パルス発振 高密度記録 | 250 |
| 1996年 1月号 | 可変波長半導体レーザ -光通信の検波用- | アンリツ | 日経産業新聞 (1995年11月6日PP.5) | 波長1.55±0.015μm 温度制御で波長可変 | 250 |
| 1995年12月号 | 光CATV用PCレーザ -チャンネル2倍に拡大- | NEC | 日刊工業新聞 (1995年10月24日PP.5) | 光双方向通信向け 部分回折格子型半導体レーザ(PCLD) 半導体レーザ | 250 240 440 |
| 1995年12月号 | メモリーカード利用初の携帯ビデオ -通勤電車でビデオを楽しむ- | NEC | 日本経済新聞 (1995年10月13日PP.13) 日経産業新聞 (1995年10月13日PP.5) 日刊工業新聞 (1995年10月13日PP.11) 電波新聞 (1995年10月13日PP.1) | 半導体メモリーカード 録画 再生約4分 MPEG-1 2.5インチTN液晶パネル メモリーカード(40MB) 静止画3000枚 動画40分 | 330 350 230 520 |
| 1995年11月号 | 多孔質Si半導体で緑色発光発光 | ATR 筑波大 | 日刊工業新聞 (1995年9月28日PP.9) | ホトルミネッセンス 多孔質Si半導体 EL素子 | 250 150 |
| 1995年11月号 | 導波路レンズ付き半導体レーザ | 三菱電機 | 電波新聞 (1995年9月14日PP.8) 日本工業新聞 (1995年9月14日PP.10) | 半導体レーザ 光ファイバ | 250 240 |
| 1995年11月号 | 半導体レーザアレイ | 東芝 | 日経産業新聞 (1995年9月12日PP.5) | 半導体レーザ アレイ 27mW 100mA 12素子 | 250 |
| 1995年10月号 | 衛星間光通信 | 通信総研 宇宙開発事業団 | 日刊工業新聞 (1995年8月21日PP.8) | レーザ通信 上り:0.51μmアンゴンレーザ 下り:0.83μm半導体レーザ 衛星通信 光通信 | 440 |
| 1995年10月号 | 波長可変の半導体レーザ | NEC | 日刊工業新聞 (1995年8月4日PP.7) | 半導体レーザ MOCVD法 1.55μm帯 可変幅±3.8nm 連続波長可変 | 250 240 |
| 1995年 9月号 | エキシマレーザ加工システム -半導体の故障解析時間を大幅に短縮- | 浜松ホトニクス | 電波新聞 (1995年7月31日PP.7) | エキシマレーザ加工システム | 160 |
| 1995年 9月号 | 結晶成長で新手法 -半導体金属乱れなく接合- | 富士通研 | 日経産業新聞 (1995年7月28日PP.5) | 格子定数 | 160 |
| 1995年 9月号 | 量子干渉効果を観測 | NTT | 日刊工業新聞 (1995年7月20日PP.7) | 半導体中の超電導電流 HEMT+超電導電極 量子効果 観測技術 | 120 660 360 |
| 1995年 9月号 | 半導体レーザの短波長化用簡易デバイス | 米バーゴ オプティクス社 | 日刊工業新聞 (1995年7月19日PP.4) | 半導体レーザ メモリーデバイス | 250 |
| 1995年 9月号 | 超微細半導体エッチング技術 -0.15μmの超微細加工可能- | 三菱電機 | 電波新聞 (1995年7月13日PP.1) 日経産業新聞 (1995年7月13日PP.5) 日刊工業新聞 (1995年7月13日PP.9) | ガスパフRIE技術 従来0.35μm 1GbDRAMに応用 RIE 0.15μm エッチング | 160 |
| 1995年 8月号 | 半導体レーザ -Si基板上に高速光配線に応用- | 沖電気 | 日経産業新聞 (1995年6月19日PP.1) | 化合物半導体レーザとSiの直接接合 光配線 | 250 260 |
| 1995年 7月号 | 光通信加入者向け半導体レーザ -低価格接続器に道- | 富士通研 | 日経産業新聞 (1995年5月25日PP.5) | レンズなし | 250 240 |
| 1995年 7月号 | 面状に72個集積の半導体レーザ | ソニー | 日経産業新聞 (1995年5月22日PP.5) | 半導体レーザ | 250 |
| 1995年 7月号 | 波長多重通信用半導体レーザ -異なる波長の光均一発振- | 沖電気 | 日経産業新聞 (1995年5月10日PP.5) | 光ファイバ光源 半導体レーザ 波長多重伝送 多重通信 波長多重 | 240 250 |
| 1995年 6月号 | 面方位異なる半導体材料接着技術 | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1995年4月7日PP.5) | OEIC 半導体レーザ | 220 160 |
| 1995年 5月号 | 次世代半導体装置向け非接触の基板搬送技術 -5kgの基板触れずに浮揚- | カイジョー | 日経産業新聞 (1995年3月13日PP.1) | 5kg 7mm浮上 | 360 160 |
| 1995年 5月号 | 次世代画像表示装置 | ソニー TI | 日本経済新聞 (1995年3月4日PP.10) | DMD(ディジタル マイクディスプレイ) ミラーデバイス マイクロミラー 半導体チップ状に形成 | 350 260 |
| 1995年 5月号 | 60μA電流で発振発振する半導体レーザ -複数の反射鏡使い試作- | 東工大 | 日経産業新聞 (1995年3月15日PP.5) | 波長1.5μm 発振電流60μA | 250 |
| 1995年 4月号 | 六角柱半導体レーザ | NTT | 日刊工業新聞 (1995年2月20日PP.6) | 六角柱半導体レーザ(HFLD) 光電子回路(OEIC) | 250 |
| 1995年 3月号 | 非線形光学薄膜 -半導体薄膜の光透過性制御- | 三菱電機 | 電波新聞 (1995年1月13日PP.2) 日本工業新聞 (1995年1月13日PP.8) | 非線形光学薄膜 半導体薄膜 非線形光学現象 小入力制御 | 120 240 |
| 1995年 3月号 | 半導体励起型固体レーザ材料 -バナジウム酸ガドニウム- | 東北大 理研 | 日経産業新聞 (1995年1月11日PP.5) | 固体レーザ材料 バナジウム酸ガドリニウム 単結晶 固体レーザ 波長1.06μm | 150 250 |
| 1995年 3月号 | 680nmの2ビーム赤色半導体レーザ | 松下電器産業 | 電波新聞 (1995年1月6日PP.1) | 2ビーム半導体レーザ | 250 |
| 1995年 3月号 | 150ch伝送可能な半導体レーザ -CATV送信機に- | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1995年1月1日PP.1) | 半導体レーザ CATV送信機 | 440 250 |
| 1995年 1月号 | 半導体メモリーカードオーディオプレーヤ | NEC | 電波新聞 (1994年12月2日PP.1) | メモリーカード オーディオプレーヤ | 230 330 |
| 1995年 1月号 | 半導体レーザの発振安定化技術 -水晶エタロンで- | 東芝 | 日経産業新聞 (1994年11月18日PP.5) | レーザ 温度変化 | 250 160 |
| 1995年 1月号 | 半導体用処理技術 -ニューロチップでマスクデータを検査- | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1994年11月9日PP.1) | ニューロチップ 画像処理 | 520 |
| 1994年12月号 | フルカラー発光素子 | AT＆amp;Tベル研 | 日刊工業新聞 (1994年10月12日PP.7) | 有機半導体 フルカラー表示画面 エレクトロルミネッセンス 発光素子 | 250 |
| 1994年11月号 | 波長1.3μm帯の半導体レーザ | NEC 日立製作所 | 日経産業新聞 (1994年9月26日PP.5) | 半導体レーザ 1Gbps 0.58mA 歪み量子井戸構造 最低電流は3mA | 250 |
| 1994年11月号 | POF向け半導体レーザ -可視光で世界最高速- | NEC | 日経産業新聞 (1994年9月7日PP.1) | POF用レーザダイオード 可視光 波長50nm 光通信レーザ 波長の短い可視光で世界最速2.5Gbps | 250 |
| 1994年11月号 | 光ディスクで高画質動画再生 | 三洋電機 | 電波新聞 (1994年9月2日PP.1) 日経産業新聞 (1994年9月2日PP.8) | MOディスク 12cm 2.5GB 135分 4倍密度 光ディスク動画記録 635nmの半導体レーザ | 230 530 |
| 1994年10月号 | 半導体製品の特許訴訟 | 富士通 | 電波新聞 (1994年9月1日PP.1) | 特許 キルビー特許 | 660 |
| 1994年10月号 | 新構造光通信用半導体レーザ | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1994年8月31日PP.5) | 応力補償型歪み量子井戸構造 130km伝送 | 250 440 |
| 1994年10月号 | 150km無中継伝送できる変調器付半導体レーザ | 三菱電機 | 電波新聞 (1994年8月25日PP.6) 日経産業新聞 (1994年8月25日PP.5) 日刊工業新聞 (1994年8月25日PP.9) | 光伝送 無中継伝送 2.5Gbps 選択領域成長技術 半導体レーザ 150km無中継伝送 | 240 440 250 |
| 1994年10月号 | 高効率の半導体光増幅器 -消費電力1/5で100倍に- | NEC | 日経産業新聞 (1994年8月2日PP.1) | 消費電力1/5 100倍増幅 半導体光増幅器 1.3μm | 240 |
| 1994年 9月号 | 世界最小のLED | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1994年7月12日PP.5) | 半導体細線化技術 細線化LED | 250 |
| 1994年 9月号 | 半導体ナノ細線製造技術 -超高速素子に道- | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1994年7月12日PP.5) | 半導体細線製造加工 量子効果 太さ十数nm 超極細線半導体細線 超高速素子 半導体製造技術 | 160 |
| 1994年 8月号 | InGaAs系半導体レーザの結晶成長に成功 | NEC | 電波新聞 (1994年6月2日PP.1) | InGaAsP系半導体レーザ | 250 |
| 1994年 7月号 | 量子箱構造を自然形成 | NTT | 日経産業新聞 (1994年5月12日PP.5) | 量子箱 半導体レーザ 直径50～200nm | 160 250 |
| 1994年 6月号 | 半導体デバイス用マスク観察走査顕微鏡 | 日本電子 | 電波新聞 (1994年4月15日PP.2) | 顕微鏡 | 360 |
| 1994年 6月号 | C60で光電変換 -太陽電池素子へ道- | 東大 | 日経産業新聞 (1994年4月12日PP.5) | 半導体 C60 光電変換 フラーレン 太陽電池 | 210 110 250 150 |
| 1994年 5月号 | 人工蛋白質で電子素子 -半導体チップ越す集積度- | 三菱電機 サントリー | 日経産業新聞 (1994年3月24日PP.1) | 電子素子 バイオテクノロジ チトクロームC552 1Tbメモリー 分子素子 半導体超える集積度 バイオ素子 ダイオード/スイッチ材料 有機電子素子 蛋白質 | 160 120 220 |
| 1994年 5月号 | 半導体露光技術 | ニコン | 日刊工業新聞 (1994年3月15日PP.1) | 光学露光 非線形光学レジスト 超解像 NOLMEX法 寸法従来比1/2 | 160 |
| 1994年 5月号 | 青色半導体レーザ -室温で連続発振- | ソニー | 日刊工業新聞 (1994年3月29日PP.1) | 青色半導体レーザ 23℃ λ:189.9nm 半導体レーザ 青色室温連続発振 | 250 |
| 1994年 5月号 | 間接遷移型半導体で光輝度発光に成功 | 京大 | 日刊工業新聞 (1994年3月23日PP.7) | LED 間接遷移型半導体 AlGaAs 高輝度LED AlGaAs不規則超格子 | 250 |
| 1994年 5月号 | 光通信向け半導体レーザ -変調差歪み1/3に- | NEC | 電波新聞 (1994年3月11日PP.1) 日経産業新聞 (1994年3月11日PP.5) 日刊工業新聞 (1994年3月11日PP.7) | 半導体レーザ 部分回折格子 変調歪み1/3 1GHz | 250 |
| 1994年 4月号 | 光通信用半導体レーザ g-1.54THz光パルス列発生- | 沖電気 | 電波新聞 (1994年2月25日PP.5) 日経産業新聞 (1994年2月25日PP.9) 日刊工業新聞 (1994年2月25日PP.9) | 光通信半導体レーザ 世界最速1.54THz 1.55μm 光出力16mW 半導体レーザ InP分布反射型構造 超高速光パルス列 | 250 |
| 1994年 3月号 | 1テラビットの超高速半導体全光スイッチ | NEC | 電波新聞 (1994年1月13日PP.1) 日経産業新聞 (1994年1月13日PP.5) 日刊工業新聞 (1994年1月13日PP.7) 日本工業新聞 (1994年1月13日PP.7) | 光スイッチ 1Tb | 240 |
| 1994年 3月号 | フラーレン単結晶薄膜化 | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1994年1月12日PP.1) | 炭素物質フラーレン ICB法 マイカ基板 フラーレン(C60) 1cm2 膜厚15nm 半導体材料 t=15nm | 120 |
| 1994年 3月号 | 発振電流1/10以下の半導体レーザ | NEC | 日経産業新聞 (1994年1月5日PP.5) | 半導体レーザ 面発光型 発振電流190μA 光出力50μW/2mA 半導体レーザ素子 | 250 |
| 1994年 2月号 | 光ディスク用2ビーム赤色半導体レーザ | 松下電器産業 | 電波新聞 (1993年12月16日PP.1) 日経産業新聞 (1993年12月16日PP.4) | 半導体レーザ 光ディスク2.6倍高速化 | 250 |
| 1994年 2月号 | 超微細の半導体回路パターン -作成技術を開発- | 電総研 | 日刊工業新聞 (1993年12月14日PP.17) | 回路線幅0.1μm エッチング工程不要 | 260 |
| 1994年 2月号 | CATV用レーザモジュール -100ch伝送可能- | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1993年12月8日PP.9) 日刊工業新聞 (1993年12月8日PP.10) | 分布帰還型レーザモジュール CATV DFB半導体レーザ | 250 440 |
| 1994年 1月号 | 量子箱レーザ | 東工大 | 日経産業新聞 (1993年11月19日PP.5) | InGaAsP 波長1.3μm -196℃ 発振電流1.1A 半導体レーザ 量子箱 微小半導体粒 超低電流発振 | 250 |
| 1994年 1月号 | 赤色半導体レーザダイオード633n帯で5mW | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1993年11月25日PP.9) | 赤色半導体レーザダイオード 発振波長633nm帯 光出力5mW | 250 |
| 1993年12月号 | 自動的に焦点を合わせる半導体レーザ | 米AT&Tベル研 | 日経産業新聞 (1993年10月19日PP.1) | 半導体レーザ ゾーンレーザ素子 面発光レーザ 光インタコネクション | 250 |
| 1993年12月号 | 高密度光ディスク装置用赤色半導体レーザ | 松下電器産業 | 電波新聞 (1993年10月14日PP.1) | 半導体レーザ | 250 |
| 1993年11月号 | 実用的集積光源 -同一基板に半導体レーザと変調器- | NEC | 日刊工業新聞 (1993年9月15日PP.5) | 実用的集積光源 1.5μm帯レーザ 選択気相成長技術 光通信 | 240 250 440 |
| 1993年11月号 | 半導体光変調器 -60～80kmの長距離伝送実現- | NEC | 電波新聞 (1993年9月3日PP.1) 日経産業新聞 (1993年9月3日PP.4) 日刊工業新聞 (1993年9月3日PP.6) | 光変調器 2.5Gbpsで60～80km伝送 | 240 |
| 1993年11月号 | 光スイッチ用新半導体材料 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1993年9月2日PP.1) | 超高速スイッチング トンネル効果 光スイッチ材料 トンネル双量子井戸 スイッチ速度1～2ps 応答速度1000倍 | 240 120 |
| 1993年10月号 | 面発光半導体レーザ | 松下電器産業 | 日刊工業新聞 (1993年8月26日PP.9) | 面発光半導体レーザ 190μA 50μW 波長0.98μm 常温 | 250 |
| 1993年 9月号 | 青緑色半導体レーザ -波長532nmの室温連続発振- | ソニー | 電波新聞 (1993年7月9日PP.1) 日経産業新聞 (1993年7月9日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年7月9日PP.7) | 青緑色半導体レーザ 波長523nm 室温連続発振 高密度記録 | 250 |
| 1993年 9月号 | 世界最高出力の赤色半導体レーザ | 三洋電機 | 電波新聞 (1993年7月5日PP.1) | 半導体レーザ | 250 |
| 1993年 7月号 | 光CATV | NEC | 日経産業新聞 (1993年5月11日PP.5) | 光通信 高性能半導体レーザ | 440 |
| 1993年 7月号 | コヒーレント光通信用半導体レーザ | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1993年5月7日PP.4) | 半導体レーザ 光のばらつき3.6kHz以下 高品質半導体レーザ 1.55μm | 250 |
| 1993年 6月号 | 半導体レーザによるホログラム | 東海大 | 日経産業新聞 (1993年4月26日PP.1) | ホログラフィ 半導体レーザ | 300 250 |
| 1993年 6月号 | 欠陥の少い量子細線作製 -光を電子に素早く変換- | 光技術研究開発つくば研究所 | 日経産業新聞 (1993年4月19日PP.5) | 次世代の半導体素材 高変換効率 | 160 |
| 1993年 6月号 | 青緑色半導体レーザ -室温発振に成功- | 松下電器産業 | 電波新聞 (1993年4月14日PP.1) | 青色半導体レーザ | 250 |
| 1993年 6月号 | 超高速光通信用光電子素子 -変調器一体化- | 沖電気 | 日経産業新聞 (1993年4月6日PP.5) | 光通信 半導体レーザ 光変調器 16～20GHz対応 光電子素子 レーザと変調器一体化 波長1.55μm コスト削減 電圧半分 | 240 250 220 |
| 1993年 5月号 | 世界最高出力の半導体レーザ | NEC | 日経産業新聞 (1993年3月29日PP.5) | 半導体レーザ DFB構造 波長1.55μm 光出力120mW 分布帰還型 10倍以上の大容量化 | 250 |
| 1993年 5月号 | X線露光用レジスト | 東芝 | 日経産業新聞 (1993年3月25日PP.1) | 半導体用レジスト 0.15μm線幅 1Gbメモリー用 有機化合物系 | 120 160 |
| 1993年 5月号 | 化合物半導体量子効果トランジスタ | 三洋電機 | 電波新聞 (1993年3月24日PP.1) | 220 | |
| 1993年 4月号 | 256MbDRAM | NEC 東芝 日立製作所 富士通 | 電波新聞 (1993年2月25日PP.1) | 半導体メモリー DRAM | 230 |
| 1993年 4月号 | 単一電子メモリー -動作実験成功- | 日立製作所英国研 ケンブリッジ大 | 電波新聞 (1993年2月19日PP.1) 日経産業新聞 (1993年2月19日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年2月19日PP.7) 電波ハイテクノロジー (1993年2月25日PP.0) | 電子1個で情報記録 クーロンブロッケード現象 極超低温動作 メモリー 16Gb 多重トンネル接合(MTJ) 単一電子メモリー 半導体メモリー 新原理メモリー 容量1000倍 | 230 220 |
| 1993年 4月号 | 化合物半導体使った超高速トランジスタ -新技術で量産化に道- | NTT | 日経産業新聞 (1993年2月17日PP.5) | 220 260 | |
| 1993年 3月号 | 低温熱発電素子 -80℃の熱水で連続発電- | 朋の会 理化学研 | 日刊工業新聞 (1993年1月12日PP.9) 電波新聞 (1993年1月22日PP.7) | YSD熱半導体 1.07V/20mA/80℃ 発電 熱半導体 低温熱電変換 | 220 250 |
| 1993年 2月号 | 爆薬を利用したヘテロダイヤモンドの合成 | 工技院科学技研 | 日経産業新聞 (1992年12月11日PP.4) | 半導体材料 爆薬ホウ素 炭素 窒素 | 160 260 |
| 1993年 2月号 | 第3の半導体光源誕生 | NTT | 日刊工業新聞 (1992年12月4日PP.7) 日経産業新聞 (1992年12月4日PP.5) 日本工業新聞 (1992年12月4日PP.5) 日本経済新聞 (1992年12月4日PP.13) 電波新聞 (1992年12月4日PP.3) | 半導体レーザ 10μA 800nm帯 極小電流発振 新発光素子 自然放出光 光コンピュータ | 250 150 |
| 1993年 2月号 | 半導体光アンプ -横波と縦波100倍に増幅- | 沖電気 | 日刊工業新聞 (1992年12月2日PP.6) | 光アンプ 量子井戸 偏波無依存型 100倍増幅 半導体光増幅 TE/TM混在で増幅 12層量子井戸構造 | 220 250 240 |
| 1993年 1月号 | 耐圧メカニズム解明 -新開発のGaAsMESFETで- | NEC | 電波新聞 (1992年11月24日PP.1) | GaAs 製造プロセス GaAs半導体 | 120 160 220 |
| 1993年 1月号 | 次世代半導体材料 -ストロンチウム・チタン酸化物- | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1992年11月6日PP.4) | ストロンチウム チタン酸化物 容量50倍 Si利用の50倍にメモリー増 | 120 160 110 |
| 1992年12月号 | 発振波長635nmの赤色半導体レーザ | 東芝 | 電波新聞 (1992年10月6日PP.2) | 半導体レーザ | 250 |
| 1992年12月号 | 10本を1チップ化した半導体レーザ | 三菱電機 | 日刊工業新聞 (1992年10月23日PP.7) | MOCVD法 波長1.3μm 閾値13mA 80℃ P型基板 1チップ化レーザ 10本を集積 1.3Gbps | 250 |
| 1992年11月号 | 光通信用半導体レーザ | 三菱電機 | 電波新聞 (1992年9月25日PP.1) | 光通信 半導体レーザ | 250 440 |
| 1992年11月号 | 103nmの広波長可変レーザ | NTT | 電波新聞 (1992年9月22日PP.6) 日本工業新聞 (1992年9月22日PP.5) | 波長可変半導体レーザ 可変域103nm 1.5μm | 250 |
| 1992年11月号 | 高速非線形光学材料 | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1992年9月12日PP.1) | 非線形光学材料 超格子薄膜 応答時間40ps 光集積回路 Se化亜鉛系半導体 | 220 130 |
| 1992年11月号 | 光結合技術 -半導体レーザに光導波路- | NTT | 日本経済新聞 (1992年9月5日PP.12) | 250 | |
| 1992年11月号 | フラーレン，導膜導電性を自由に制御する技術 -フラーレンC60使った半導体材料に道- | 三菱電機 | 電波新聞 (1992年9月2日PP.8) 日経産業新聞 (1992年9月2日PP.4) 日刊工業新聞 (1992年9月2日PP.7) | ICB法でC60の薄膜作製 サッカーボール型炭素分子フラーレン ICB法 | 120 |
| 1992年10月号 | 1Gbを超える半導体用新型トランジスタ | NEC | 日本経済新聞 (1992年8月21日PP.1) | 半導体トランジスタ 量子効果 大きさ1/30 電力1/10 | 220 |
| 1992年10月号 | 小電流で出力100mWの半導体レーザ | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1992年8月19日PP.6) | 出力100mW 波長1.48μm帯 | 250 |
| 1992年10月号 | SiGe交互層状で新機能創出へ -発光や高速化が可能- | 東工大 | 日刊工業新聞 (1992年8月19日PP.6) | 半導体素子 SiGe交互層で新素子 | 120 |
| 1992年10月号 | 熱電変換素子 -熱を直接電気に変換- | 朋の会 理研 | 日刊工業新聞 (1992年8月13日PP.5) 日経産業新聞 (1992年8月26日PP.17) | 熱電変換素子 有機半導体 70W/m2(at90℃) 高分子系の素子 | 150 250 |
| 1992年10月号 | 室温で連続発振可能な橙色半導体レーザ- -世界初発振波長615nm- | 三洋電機 | 電波新聞 (1992年8月6日PP.1) | レーザダイオード | 250 |
| 1992年 9月号 | 青色半導体レーザ -ダブルヘテロ構造- | ソニー | 読売新聞 (1992年7月22日PP.1) 電波新聞 (1992年7月24日PP.6) | 青色レーザ 青色半導体レーザ 440nm発振 音声3時間半/12cmCD CD情報量従来の3倍 | 250 330 |
| 1992年 8月号 | 14.6mWの青色レーザ | 旭硝子 | 日経産業新聞 (1992年6月5日PP.5) | 半導体レーザ 非線形光学結晶 | 250 |
| 1992年 7月号 | 半導体レーザ作製新プロセス -結晶成長1工程に- | NTT | 日刊工業新聞 (1992年5月8日PP.5) | 半導体レーザ製造技術 工程半減，歩留向上 | 160 250 |
| 1992年 6月号 | 633nmの半導体レーザ | 上智大 | 日刊工業新聞 (1992年4月24日PP.7) | ガスレーザの代替で小型化可能 | 250 |
| 1992年 6月号 | Si表面にC60単結晶薄膜形成 | 東北大 三重大 | 日刊工業新聞 (1992年4月3日PP.1) | C60 :半導体/絶縁体/金属/超電導にもなる未来材料 | 100 120 |
| 1992年 5月号 | 光ディスク書込み用赤色可視光半導体レーザ | 三菱電機 | 電波新聞 (1992年3月26日PP.1) | 半導体レーザ 赤色可視光 | 250 |
| 1992年 4月号 | 高密度光ディスク記録技術 -記録密度2倍- | 東芝 | 電波新聞 (1992年2月8日PP.1) 日刊工業新聞 (1992年2月8日PP.4) 日本工業新聞 (1992年2月10日PP.15) | 赤色半導体レーザ 光ディスク 690nmレーザ | 230 250 |
| 1992年 4月号 | 出力35mWを実現した赤色半導体レーザ -光ディスク用に開発- | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1992年2月5日PP.5) | 赤色半導体レーザ 35mW 680nmレーザ | 250 |
| 1992年 3月号 | 出力世界最高310mW達成の半導体レーザ | 住友電工 | 日刊工業新聞 (1992年1月30日PP.5) | 半導体レーザ 1.48μm 出力1.2倍 量子井戸 | 250 |
| 1992年 3月号 | 周波数可変半導体レーザ | 三菱電機 | 電波新聞 (1992年1月22日PP.2) 日経産業新聞 (1992年1月22日PP.4) 日刊工業新聞 (1992年1月22日PP.9) 日本工業新聞 (1992年1月22日PP.13) | 4個1チップ化 FDM光通信可能 半導体レーザ | 220 |
| 1992年 2月号 | 世界最小の半導体レーザ | ベル研(米) | 日経産業新聞 (1991年12月18日PP.1) | 直径5μm厚さ0.1μm | 250 |
| 1992年 2月号 | 赤色可視光半導体レーザ | 三菱電機 | 電波新聞 (1991年12月11日PP.6) 日経産業新聞 (1991年12月11日PP.5) 日刊工業新聞 (1991年12月11日PP.9) | 90℃で10mW 多重量子障壁半導体レーザ 電子波干渉効果 | 250 |
| 1992年 2月号 | n型ダイヤ半導体 | 科技庁無機材料研 | 日刊工業新聞 (1991年12月9日PP.1) | ダイヤ半導体 n型 リン触媒 | 220 |
| 1992年 2月号 | 半導体露光装置 | キヤノン | 日経産業新聞 (1991年12月2日PP.1) | 超微細加工技術 0.35μm QUEST | 260 |
| 1992年 1月号 | 世界最小のグリーンレーザ -従来比1/70- | 三菱電機 | 電波新聞 (1991年11月27日PP.1) 日経産業新聞 (1991年11月27日PP.5) 日刊工業新聞 (1991年11月27日PP.9) | レーザ素子 半導体レーザ グリーンレーザ ハイビジョン録画 録画時間3倍 外寸10mm×17.5mm 532nm 4mW 集光レンズなし | 250 |
| 1991年11月号 | 量子井戸導波路型半導体スイッチ -どの偏光でもオンオフ- | 東大 | 日刊工業新聞 (1991年9月10日PP.7) | 量子とじ込めシュタルク効果 偏光無依存量子井戸導波路型半導体光スイッチ | 240 |
| 1991年 9月号 | 毎秒4500枚の世界最高速ビデオカメラ | 近畿大 フォトロン | 日刊工業新聞 (1991年7月24日PP.8) 日経産業新聞 (1991年7月24日PP.5) 電波新聞 (1991年7月24日PP.2) 日経産業新聞 (1991年7月25日PP.8) 電波新聞 (1991年7月29日PP.8) | 白黒画 蛍光灯の明りで可 モノクロ 65000画素 4500コマ/秒 4000画素 45000コマ/秒 カメラ 4万コマ/秒を実現(従来は2000コマ/秒) ディジタル記録方式ハイスピードビデオカメラ 320MB半導体メモリー | 310 |
| 1991年 8月号 | 半導体レーザ光による論理回路 | NTT | 日経産業新聞 (1991年6月18日PP.5) | 四角形の光進路，回転方向にI/O 15μm2 光論理演算 | 220 |
| 1991年 7月号 | HDTVのデコーダ半導体を十数個に削減 -受信機低価格化に道- | 富士通 | 日経産業新聞 (1991年5月13日PP.1) | MUSEデコーダ用半導体 31個のゲートアレイ 30万ゲート1.5μm技術 ハイビジョン HDTV MUSEデコーダ | 220 |
| 1991年 7月号 | 高出力赤色半導体レーザ | 三洋電機 | 電波新聞 (1991年5月13日PP.1) | 赤色レーザ 半導体レーザ 635nm 33mW He-Neレーザ置替え | 250 |
| 1991年 7月号 | 親指大のグリーンレーザ -低雑音特性を達成- | 松下電子 | 日刊工業新聞 (1991年5月9日PP.9) 電波新聞 (1991年5月9日PP.1) | グリーンレーザ 半導体レーザ 1060nmのレーザ光を非線型光学結晶で波長変換して532nmの波長 親指サイズ(16φ×20mm) 532nm/3mW/-135dB/Hz | 250 |
| 1991年 5月号 | 世界最高の電子移動度を実現 | NTT 郵政省 | 日刊工業新聞 (1991年3月19日PP.7) ×日本経済新聞 (1991年3月9日PP.0) | 半導体材料 移動度千万cm2/Vs 弾道輸送距離200μm 入札制 | 120 |
| 1991年 5月号 | 青緑色レーザ発振に成功 | 京大 | 日刊工業新聞 (1991年3月15日PP.7) | 半導体レーザ -族青緑色で初 540nm(17℃)→490nm MQW11層と井戸層の薄膜化 | 250 |
| 1991年 5月号 | 半導体応用機器に対する高調波対策が課題に | 高調波対策委員会 | 電波新聞 (1991年3月14日PP.1) | 高調波対策委員会 総量抑制目標値 規制基準 | 540 |
| 1991年 4月号 | 次世代光通信用半導体レーザ | 沖電気 | 日経産業新聞 (1991年2月26日PP.0) | コヒーレント光通信に利用 光の周波数ばらつき80kHz以下 高品質半導体レーザ素子Δf80kHz | 240 |
| 1991年 4月号 | 光磁気ディスクの記録6倍に | ソニー | 電波新聞 (1991年2月22日PP.0) 日刊工業新聞 (1991年2月22日PP.0) 朝日新聞 (1991年2月22日PP.0) 日経産業新聞 (1991年2月22日PP.0) | 再生時にレーザスポットの中の高温部のみ読出す新技術 超高解像度光信号録再技術スポット径を等価的に縮小 現行半導体レーザ(λ7404nm)で記録波長370nm(1/2)の再生可能 光磁気ディスク 超解像 超解像光信号記録再生 アイソスター | 230 |
| 1991年 3月号 | 量子化半導体レーザ | 科学技術庁 金属材料研 | 日刊工業新聞 (1991年1月25日PP.0) | 250 | |
| 1991年 2月号 | 半導体レーザ1600個集積のLSI | 日電 | 日本経済新聞 (1991年1月7日PP.0) | 開発に成功した段階 超並列光電算機に応用は3年後 | 220 |
| 1991年 2月号 | 半導体に0.15μmの微細加工 | 沖電器 | 日経産業新聞 (1990年12月14日PP.0) | 260 | |
| 1990年12月号 | 波長0.98μm 余分の信号半減の半導体レーザ | 日電 | 日経産業新聞 (1990年10月29日PP.0) | エルビウム添加光ファイバ増幅用半導体レーザの試作 30mW数1000時間確認(推定寿命数万時間あと10倍長寿命化必要) | 250 |
| 1990年11月号 | 高密度半導体レーザ連続発振に成功 | 日経産業新聞 (1990年9月28日PP.0) 電波新聞 (1990年9月28日PP.0) 日刊工業新聞 (1990年9月28日PP.0) | 4.5μm間隔で集積102個 閾電流1.8 ΔI=0.017mA 8.5mW/個 840nm | 250 | |
| 1990年11月号 | スペクトル全幅0.5mm 2.4G対応1.55μm半導体レーザ | 日立製作所 | 電波新聞 (1990年9月17日PP.0) | 閾電流15 微分量子効率0.2mW/mA 光出力 | 250 |
| 1990年11月号 | 世界初のFLCD | 半導体エネ研 | 電波新聞 (1990年9月14日PP.0) | A5版 動画表示 ディスプレイ640×400 19μs応答速度 32画面/s | 250 |
| 1990年11月号 | 光出力のエネルギー変換効率世界最高42%の半導体レーザ | ソニー | 日経産業新聞 日刊工業新聞 (1990年9月11日PP.0) 日刊工業新聞 (1990年9月11日PP.0) | 0.84 発振最小電流0.88 最大40 | 250 |
| 1990年11月号 | 世界最高出力の半導体レーザ | 松下 | 日経産業新聞 (1990年9月10日PP.0) | 2.4W 0.83μm 数十psで点滅 | 250 |
| 1990年11月号 | 世界最高出力可視光半導体レーザ | 日電 | 電波新聞 (1990年9月7日PP.0) 日本経済新聞 (1990年9月7日PP.0) 日経産業新聞 (1990年9月7日PP.0) 日刊工業新聞 (1990年9月7日PP.0) | 0.68μm 300mA 78mW | 250 |