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SiC 関係の注目記事
学会誌に掲載された記事は青色で表示しています。

掲載
予定
題 目発表社情報源キーポイント 分類
番号
2018年 3月号SiCパワー半導体 電気抵抗1/3に三菱電機
東大
日刊工業新聞
(2017年12月6日PP.25)
界面近傍を避けるように電子を流す220
2015年10月号1500度Cでも耐酸化 SiCセラ複合材料京大日刊工業新聞
(2015年7月30日PP.31)
SiCセラミックス
曲げ強度
耐酸化1500度
260
2015年 9月号SiCウエハー ローム
6インチに大口径化
ローム電波新聞
(2015年6月30日PP.1)
シリコンカーバイドウエハー,大口径化260
2015年 8月号パワー半導体向けSiC単結晶膜
高速で製造
電中研など日刊工業新聞
(2015年5月13日PP.19)
直径150ミリ
膜厚10マイクロメートルのSiC単結晶膜を
一日当たり100枚。膜厚の均一性2%以下
不純物密度の不均一性4%以下
260
2015年 4月号SiC基板
低温プラズマで微細加工
理化学研究所
慶大
日進工具
日刊工業新聞
(2015年1月14日PP.27)
表面粗さ1ナノメートル以下
送り速度2倍
160
2014年 5月号パワー半導体向け接合技術日亜化学
阪大
日経産業新聞
(2014年2月19日PP.7)
Ag薄膜
SiCとCu基板を接合
250℃で加熱接合
120
160
2013年12月号16kV耐圧のSiC素子産総研日刊工業新聞
(2013年9月25日PP.23)
IGBT
エピタキシャル成長
フリップ
220
2013年 3月号リーク低減したSiCパワー半導体阪大
京大
ローム
東京エレクトロン
日経産業新聞
(2012年12月12日PP.6)
日刊工業新聞
(2012年12月12日PP.24)
ゲート絶縁膜にアルミ酸化物
N添加によりリーク90%減
耐圧1.5倍
高誘電率ゲート絶縁膜採用のSiC製MOSFET
120
220
250
2013年 1月号23.5kV耐圧のパワー半導体京大日経産業新聞
(2012年10月24日PP.7)
SiC
表面をポリイミドで覆う
バイポーラトランジスタ
220
2012年11月号凹凸のないグラフェン成膜法東北大
高輝度光科学研究センター
弘前大
日経産業新聞
(2012年8月7日PP.9)
原子レベルで凹凸のない成膜
SiC基板を表面処理し1600℃に加熱
160
2012年 9月号20kV対応のSiC素子京大日経産業新聞
(2012年6月5日PP.9)
180μmの結晶厚さ
Alイオン注入量を制御
220
2012年 8月号太陽電池用Si薄膜の新製造法東京農工大日経産業新聞
(2012年5月29日PP.9)
Siイオンを堆積
厚さ10nmのアモルファスSi
塩化シリコン(SiCl4)
液体中で成膜
160
2012年 4月号高周波で動作するパワーJFET京大
住友電工
日経産業新聞
(2012年1月24日PP.10)
SiCを採用
実験では最大1.5A・約30Vで動作
周波数13.56MHz
220
2012年 2月号グラフェンを金属性と半導体性に作り分け東北大日刊工業新聞
(2011年11月16日PP.27)
日経産業新聞
(2011年11月16日PP.7)
Si基板上に単結晶SiC薄膜を成長させ真空状態で加熱
面が斜めだと半導体性
水平・垂直面だと金属性
モノメチルシランの圧力を調整
120
160
2011年 9月号変換効率30%超のSi太陽電池東北大日刊工業新聞
(2011年6月21日PP.1)
量子ドット型
Si基板上に円盤状の量子ドットを形成する
直径10nm以下のSi量子ドットとSiCを中間層に組み合わせてをミニバンドを形成
タンパク質に鉄の微粒子を含ませ規則正しい構造を作る
250
160
2011年 4月号半導体材料を紫外線で研磨する技術熊本大日経産業新聞
(2011年1月26日PP.9)
紫外線を照射して表面を酸化
酸化した部分を研磨
SiCやGaNなどの硬い素材に適用可能
260
2011年 3月号炭化ケイ素(SiC)製ナノものさしがNITEの標準物質DBに登録関西学院大日刊工業新聞
(2010年12月21日PP.20)
耐酸化性に優れ経年劣化しにくい
段差が0.5nmの標準物質が登録
SiC製
160
2008年 9月号グラフェン薄膜をSi基板に作製東北大日刊工業新聞
(2008年6月25日PP.22)
日経産業新聞
(2008年6月25日PP.11)
厚さ80nmの炭化ケイ素の薄膜作製
熱処理
電子移動度数万cm2/Vs
120
160
2008年 3月号世界初のトレンチ型SiC MOSFETと大電流容量を実現したSiC SBDローム電波新聞
(2007年12月21日PP.1)
1cm角で300A
900V耐圧
オン抵抗2mΩcm2
JFET抵抗
SBD逆方向耐圧660V
160
220
2007年 4月号Siチップ上での光データ通信の速度遅延方法米IBM電波新聞
(2007年1月3日PP.2)
最大100個の小型リングを縦接続した共振器を構築する光遅延線
既存のSiCMOS製造ツール利用可
240
340
2005年 3月号SiCを用いた低抵抗パワーMOSFET三菱電機電波新聞
(2004年12月17日PP.2)
耐圧1.2kV
電流1Aでオン抵抗率12.9mΩcm2
チャンネルエピタキシャル成長層形成技術
単位セル25×25μm
チャネル長2μm
160
220
2001年 5月号内部抵抗1/10のトランジスタ電総研日経産業新聞
(2001年3月19日PP.11)
SiCトランジスタ
MOSFET
1kV-1mΩ
220
2001年 5月号最高移動度と最小抵抗実現のSiC素子電総研
新機能素子研究開発協会
(FED)
日刊工業新聞
(2001年3月16日PP.7)
チャネル移動度140cm2/Vs
4H-SiC-MOSFET
エンハンスメント形
ソースドレインのシート抵抗38Ω
220
2001年 1月号SiCパワー素子松下電器電波新聞
(2000年11月22日PP.1)
SiCパワー素子
DACFET
ナノ制御δドープ層状構造
113cm2/Vs
220
2001年 1月号SiCパワー素子松下電器電波新聞
(2000年11月22日PP.1)
SiCパワー素子
DACFET
ナノ制御δドープ層状構造
113cm2/Vs
220
1999年12月号炭化シリコンFETを試作京大日刊工業新聞
(1999年10月11日PP.5)
チャネル移動度95.9c /V/s
c面->a面で移動度15〜17倍
4H-SiCと6H-SiCで確認
220
1996年 7月号X線露光用マスク
-表面平らで高純度-
NTT日経産業新聞
(1996年5月23日PP.5)
炭化ケイ素160
1996年 6月号青色半導体レーザの新製造
-基板に炭化ケイ素利用-
富士通研日経産業新聞
(1996年4月18日PP.5)
青色レーザ
炭化ケイ素
SiC基板
高性能レーザ反射面
AlNでバッファ層形成
GaNレーザ
半導体レーザ
製造技術
250
260
1996年 4月号光通信の信号処理用IC
-SiCMOSで作製-
NEC日経産業新聞
(1996年2月16日PP.5)
光通信
Si
LSI
CMOS
MUX/DEMUX
3Gbps
220
240
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