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掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
2018年 3月号 | SiCパワー半導体 電気抵抗1/3に | 三菱電機 東大 | 日刊工業新聞 (2017年12月6日PP.25) | 界面近傍を避けるように電子を流す | 220 |
2015年10月号 | 1500度Cでも耐酸化 SiCセラ複合材料 | 京大 | 日刊工業新聞 (2015年7月30日PP.31) | SiCセラミックス 曲げ強度 耐酸化1500度 | 260 |
2015年 9月号 | SiCウエハー ローム 6インチに大口径化 | ローム | 電波新聞 (2015年6月30日PP.1) | シリコンカーバイドウエハー,大口径化 | 260 |
2015年 8月号 | パワー半導体向けSiC単結晶膜 高速で製造 | 電中研など | 日刊工業新聞 (2015年5月13日PP.19) | 直径150ミリ 膜厚10マイクロメートルのSiC単結晶膜を 一日当たり100枚。膜厚の均一性2%以下 不純物密度の不均一性4%以下 | 260 |
2015年 4月号 | SiC基板 低温プラズマで微細加工 | 理化学研究所 慶大 日進工具 | 日刊工業新聞 (2015年1月14日PP.27) | 表面粗さ1ナノメートル以下 送り速度2倍 | 160 |
2014年 5月号 | パワー半導体向け接合技術 | 日亜化学 阪大 | 日経産業新聞 (2014年2月19日PP.7) | Ag薄膜 SiCとCu基板を接合 250℃で加熱接合 | 120 160 |
2013年12月号 | 16kV耐圧のSiC素子 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2013年9月25日PP.23) | IGBT エピタキシャル成長 フリップ | 220 |
2013年 3月号 | リーク低減したSiCパワー半導体 | 阪大 京大 ローム 東京エレクトロン | 日経産業新聞 (2012年12月12日PP.6) 日刊工業新聞 (2012年12月12日PP.24) | ゲート絶縁膜にアルミ酸化物 N添加によりリーク90%減 耐圧1.5倍 高誘電率ゲート絶縁膜採用のSiC製MOSFET | 120 220 250 |
2013年 1月号 | 23.5kV耐圧のパワー半導体 | 京大 | 日経産業新聞 (2012年10月24日PP.7) | SiC 表面をポリイミドで覆う バイポーラトランジスタ | 220 |
2012年11月号 | 凹凸のないグラフェン成膜法 | 東北大 高輝度光科学研究センター 弘前大 | 日経産業新聞 (2012年8月7日PP.9) | 原子レベルで凹凸のない成膜 SiC基板を表面処理し1600℃に加熱 | 160 |
2012年 9月号 | 20kV対応のSiC素子 | 京大 | 日経産業新聞 (2012年6月5日PP.9) | 180μmの結晶厚さ Alイオン注入量を制御 | 220 |
2012年 8月号 | 太陽電池用Si薄膜の新製造法 | 東京農工大 | 日経産業新聞 (2012年5月29日PP.9) | Siイオンを堆積 厚さ10nmのアモルファスSi 塩化シリコン(SiCl4) 液体中で成膜 | 160 |
2012年 4月号 | 高周波で動作するパワーJFET | 京大 住友電工 | 日経産業新聞 (2012年1月24日PP.10) | SiCを採用 実験では最大1.5A・約30Vで動作 周波数13.56MHz | 220 |
2012年 2月号 | グラフェンを金属性と半導体性に作り分け | 東北大 | 日刊工業新聞 (2011年11月16日PP.27) 日経産業新聞 (2011年11月16日PP.7) | Si基板上に単結晶SiC薄膜を成長させ真空状態で加熱 面が斜めだと半導体性 水平・垂直面だと金属性 モノメチルシランの圧力を調整 | 120 160 |
2011年 9月号 | 変換効率30%超のSi太陽電池 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2011年6月21日PP.1) | 量子ドット型 Si基板上に円盤状の量子ドットを形成する 直径10nm以下のSi量子ドットとSiCを中間層に組み合わせてをミニバンドを形成 タンパク質に鉄の微粒子を含ませ規則正しい構造を作る | 250 160 |
2011年 4月号 | 半導体材料を紫外線で研磨する技術 | 熊本大 | 日経産業新聞 (2011年1月26日PP.9) | 紫外線を照射して表面を酸化 酸化した部分を研磨 SiCやGaNなどの硬い素材に適用可能 | 260 |
2011年 3月号 | 炭化ケイ素(SiC)製ナノものさしがNITEの標準物質DBに登録 | 関西学院大 | 日刊工業新聞 (2010年12月21日PP.20) | 耐酸化性に優れ経年劣化しにくい 段差が0.5nmの標準物質が登録 SiC製 | 160 |
2008年 9月号 | グラフェン薄膜をSi基板に作製 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2008年6月25日PP.22) 日経産業新聞 (2008年6月25日PP.11) | 厚さ80nmの炭化ケイ素の薄膜作製 熱処理 電子移動度数万cm2/Vs | 120 160 |
2008年 3月号 | 世界初のトレンチ型SiC MOSFETと大電流容量を実現したSiC SBD | ローム | 電波新聞 (2007年12月21日PP.1) | 1cm角で300A 900V耐圧 オン抵抗2mΩcm2 JFET抵抗 SBD逆方向耐圧660V | 160 220 |
2007年 4月号 | Siチップ上での光データ通信の速度遅延方法 | 米IBM | 電波新聞 (2007年1月3日PP.2) | 最大100個の小型リングを縦接続した共振器を構築する光遅延線 既存のSiCMOS製造ツール利用可 | 240 340 |
2005年 3月号 | SiCを用いた低抵抗パワーMOSFET | 三菱電機 | 電波新聞 (2004年12月17日PP.2) | 耐圧1.2kV 電流1Aでオン抵抗率12.9mΩcm2 チャンネルエピタキシャル成長層形成技術 単位セル25×25μm チャネル長2μm | 160 220 |
2001年 5月号 | 内部抵抗1/10のトランジスタ | 電総研 | 日経産業新聞 (2001年3月19日PP.11) | SiCトランジスタ MOSFET 1kV-1mΩ | 220 |
2001年 5月号 | 最高移動度と最小抵抗実現のSiC素子 | 電総研 新機能素子研究開発協会 (FED) | 日刊工業新聞 (2001年3月16日PP.7) | チャネル移動度140cm2/Vs 4H-SiC-MOSFET エンハンスメント形 ソースドレインのシート抵抗38Ω | 220 |
2001年 1月号 | SiCパワー素子 | 松下電器 | 電波新聞 (2000年11月22日PP.1) | SiCパワー素子 DACFET ナノ制御δドープ層状構造 113cm2/Vs | 220 |
2001年 1月号 | SiCパワー素子 | 松下電器 | 電波新聞 (2000年11月22日PP.1) | SiCパワー素子 DACFET ナノ制御δドープ層状構造 113cm2/Vs | 220 |
1999年12月号 | 炭化シリコンFETを試作 | 京大 | 日刊工業新聞 (1999年10月11日PP.5) | チャネル移動度95.9c /V/s c面->a面で移動度15〜17倍 4H-SiCと6H-SiCで確認 | 220 |
1996年 7月号 | X線露光用マスク -表面平らで高純度- | NTT | 日経産業新聞 (1996年5月23日PP.5) | 炭化ケイ素 | 160 |
1996年 6月号 | 青色半導体レーザの新製造 -基板に炭化ケイ素利用- | 富士通研 | 日経産業新聞 (1996年4月18日PP.5) | 青色レーザ 炭化ケイ素 SiC基板 高性能レーザ反射面 AlNでバッファ層形成 GaNレーザ 半導体レーザ 製造技術 | 250 260 |
1996年 4月号 | 光通信の信号処理用IC -SiCMOSで作製- | NEC | 日経産業新聞 (1996年2月16日PP.5) | 光通信 Si LSI CMOS MUX/DEMUX 3Gbps | 220 240 |