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| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
| 2018年 0月号 | ナノ多層薄膜 常温常圧で容易構築 | 大阪府大 | 日刊工業新聞 (2017年9月20日PP.27) | π電子の相互作用により積層されやすいフラットな形状の分子を使用 | 160 |
| 2017年 9月号 | ゲルマニウムLSIに一歩 超薄膜構造均一化 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2017年6月7日PP.23) | 10nm以下の均一な超薄膜構造 | 160 |
| 2017年 8月号 | 3次元MRAM 積層プロセス開発 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2017年5月17日PP.29) | CMOS形成ウェハとTMR薄膜ウェハを別々に形成後圧着 | 230 260 |
| 2017年 8月号 | グラフェンに赤外光照射 高次高調波が発生 | 京大 | 日刊工業新聞 (2017年5月25日PP.23) | 楕円偏光で可視光の生成効率最大 ディラック電子状態に起因 炭素の単一原子層超薄膜のグラフェンに赤外パルス光を照射すると 波長が短い可視光パルス光に変換される 高次高周波 | 120 |
| 2017年 7月号 | 電流かけると単一磁区 | 東大 | 日刊工業新聞 (2017年4月12日PP.31) | コバルトの磁性薄膜と白金の接合材 | 120 |
| 2017年 7月号 | 低コストの酸化チタン膜 高い透明度，液晶などに | 東北大 | 日経産業新聞 (2017年4月26日PP.8) | レーザーを照射して薄膜を作る際に微量のアルミニウムを添加 | 120 |
| 2017年 5月号 | トポロジカル絶縁体 表面金属絶縁化 | 理研など | 日刊工業新聞 (2017年2月24日PP.25) | 二つの磁性層の磁化が反平行になり表面が絶縁化 積層構造の薄膜 | 120 |
| 2017年 4月号 | 光学レンズ 厚さ1/1000 「曲がるスマホ」に道 | 東北大学 | 日経産業新聞 (2017年1月31日PP.10) | 光学レンズ 厚さ1/1000 金薄膜 薄膜 スマートフォン | 310 |
| 2017年 1月号 | ガズバリアフィルム開発 折り曲げ可能な有機EL向け | アサヒ電子研究所 | 日刊工業新聞 (2016年10月28日PP.17) | ガズバリアフィルム PET，CAT-CVD 厚さ0.5μm以下の透明薄膜 | 250 |
| 2016年11月号 | MRAM素子 薄膜で構成 | 東北大など | 日刊工業新聞 (2016年8月18日PP.1) | 磁気トンネル接合素子の出力を従来比約2倍の200mV メモリー MRAM タングステン | 230 |
| 2016年11月号 | 温度変化で屈伸する薄膜 | 理研 | 日経産業新聞 (2016年7月21日PP.8) | エネルギー 環境発電 薄膜 | 120 |
| 2016年 5月号 | 逆光下の被写体も鮮明 有機薄膜採用 CMOSイメージセンサー技術開発 | パナソニック | 電波新聞 (2016年2月4日PP.1) | 逆光やライト照射したの被写体も鮮明に撮影 123dBのダイナミックレンジ 明暗同時撮像ダイナミックレンジ100倍 有機薄膜 CMOSイメージセンサ 車載用 | 210 |
| 2016年 4月号 | インジウム不使用 有機系太陽電池向け透明電極を開発 | 東大 | 日刊工業新聞 (2016年1月27日PP.29) | 有機薄膜太陽電池，透明電極，ニオブを添加した酸化チタン | 250 120 |
| 2016年 3月号 | 薄膜トランジスタ IGZO用い高性能化 | 奈良先端大 | 日刊工業新聞 (2015年12月24日PP.19) | IGZOを用いた薄膜トランジスタの高性能化 駆動電圧は従来の40%以下 劣化量半分以下 | 220 |
| 2015年12月号 | ビスマス薄膜が半導体に変わることを実証 | 東工大 東大 自然科学研究機構 お茶の水女子大 | 日刊工業新聞 (2015年9月11日PP.23) | シンクロトロン放射光施設UVSORで測定 偏光可変の低エネルギー角度分光電子分光装置で内部の電子状態を高精度で観測 | 120 |
| 2015年11月号 | 薄膜でも特性劣化せず 強誘電体エピタキシャル膜 http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0720150804eaab.html | 東工大 東北大 | 日刊工業新聞 (2015年8月4日PP.23) | 結晶方位がそろった単結晶膜 組成を変え薄膜を成長させる基材 15nm 強誘電体相400℃ | 120 160 |
| 2015年 9月号 | 原子数個の超薄膜で高温超電導 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2015年6月2日PP.19) | 分子線エピタキシー法，鉄とセレン20層(原子60個分の厚さ)，転移温度60K | 120 |
| 2015年 5月号 | 固体蛍光体で最短波長の真空紫外光源 | 名工大 | 日刊工業新聞 (2015年2月10日PP.21) | 波長140～220nm 三フッ化マグネシウムカリウム薄膜 | 250 |
| 2015年 5月号 | カーボンナノチューブの透明導電膜 | 産総研 | 日経産業新聞 (2015年2月10日PP.8) 日刊工業新聞 (2015年2月10日PP.21) | 空気中で1000時間以上安定 表面抵抗率60オーム/スクエア CNTを網目のように配線，ヨウ化銅薄膜の表面にCNTを塗布して強力な光を照射，瞬間的に温度が上昇してヨウ化銅がNTの内部に入り込む | 120 |
| 2015年 1月号 | 世界最低損失のアモルファスシリコン光配線の開発 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2014年10月24日PP.19) | 1cmあたりの光損失を従来の1/10の1%以下に抑えた高透過率のアモルファスシリコン薄膜を開発，配線加工後の損失13% | 120 160 |
| 2014年12月号 | 高導電性を持ち光透過性40%の銅薄膜の開発 | 工学院大 | 日刊工業新聞 (2014年9月10日PP.1) | 膜厚40nm 常温常圧で溶液をガラス基板に塗布し熱処理で薄膜化する技術を開発。従来手法に比べ装置コストは1/200に。 | 120 260 |
| 2014年10月号 | ゲルマニウム使用量1/100の結晶薄膜技術 | 筑波大 | 日刊工業新聞 (2014年7月10日PP.1) | Al触媒 粒形100μmの結晶 | 160 |
| 2014年 9月号 | 単結晶並み薄膜結晶をガラス基板上に作製 | 東大 | 日刊工業新聞 (2014年6月6日PP.23) | 二酸化チタンで薄膜 電気抵抗0.36mΩcm | 160 |
| 2014年 8月号 | 変換効率2倍の有機薄膜太陽電池 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2014年5月9日PP.22) | 発電層の構造を改良 効率1.85%から4.15%に改善 | 250 |
| 2014年 7月号 | 省電力な光変調器 ・8と同じ一つに | 東大 住友化学 | 日経産業新聞 (2014年4月22日PP.8) | Si薄膜中にGeを14%混流 歪み効果 | 340 660 |
| 2014年 7月号 | 高品質薄膜を低コストで作成 | 産総研 | 日経産業新聞 (2014年4月23日PP.10) | BaTiO3の場合220℃・20気圧・70時間で1辺15nmのサイコロ状微粒子 厚さ500nの薄膜 850度で1時間熱処理 誘電率3000 | 160 |
| 2014年 5月号 | パワー半導体向け接合技術 | 日亜化学 阪大 | 日経産業新聞 (2014年2月19日PP.7) | Ag薄膜 SiCとCu基板を接合 250℃で加熱接合 | 120 160 |
| 2014年 4月号 | PZT薄膜で圧電MEMSデバイスを作製 | 産総研 大日本印刷 | 日経産業新聞 (2014年1月29日PP.6) 日刊工業新聞 (2014年1月29日PP.21) | 口径200mmのウェハで作製 粗大粒子の発生を抑制 | 210 220 |
| 2014年 3月号 | 有機薄膜太陽電池の発電動作解明 | 神戸大 JST | 日経産業新聞 (2013年12月24日PP.9) | マイクロ波で電子と正孔が生じる向きを調べる | 250 |
| 2014年 1月号 | 太陽電池の感度高める新構造 | 理研 東大 | 日経産業新聞 (2013年10月24日PP.11) | 有機薄膜太陽電池 1nm厚の絶縁層を追加 効率0.4%から0.53%に | 250 |
| 2013年12月号 | GaやZuを使用しないディスプレイ向け半導体 | 物材機構 | 日刊工業新聞 (2013年9月24日PP.15) | 酸化膜半導体 In2O3薄膜にTiO2 WO3 SiO2を添加 オンオフ比9桁 | 250 |
| 2013年11月号 | 薄膜中のスピン方向検出技術 | 日本原子力機構 千葉大 高エネ研 | 日経産業新聞 (2013年8月5日PP.11) | 表面から2nmまでX線照射し放出電子を解析 | 120 660 |
| 2013年11月号 | CNTだけで構成するIC | 名大 フィンランドアールト大 | 日刊工業新聞 (2013年8月13日PP.15) | 電極や配電材料にCNT薄膜，絶縁材料にアクリル樹脂を使う，移動度は毎秒1V当たり1000m2 | 120 220 |
| 2013年10月号 | 量子暗号通信向けの小型光源 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2013年7月31日PP.6) | 量子もつれ光子 AlGaAs薄膜にGaAs量子ドット 一辺15nm厚さ1.5nmの三角形 | 250 |
| 2013年 9月号 | 有機CMOSイメージセンサ | 富士フイルム パナソニック | 電波新聞 (2013年6月12日PP.2) | 受光部に厚さ0.5μmの有機薄膜を使用 ダイナミックレンジ88dB 従来比1.2倍の開口率 入射光線範囲60° | 110 210 |
| 2013年 7月号 | 生きたままの昆虫を電子顕微鏡で観察可能に | 浜松医科大 | 日経産業新聞 (2013年4月16日PP.9) | 「ナノスーツ」 50～100nm厚の薄膜で覆う | 360 660 |
| 2013年 7月号 | スピン波でスイッチング磁場を低減 | 東北大 慶応大 産総研 | 日刊工業新聞 (2013年4月17日PP.22) 電波新聞 (2013年4月24日) | FePt合金とNiFe合金の積層磁石薄膜 | 120 |
| 2013年 5月号 | 有機TFT液晶ディスプレイ | 阪大 大阪産総研 | 日刊工業新聞 (2013年2月5日PP.25) | 有機半導体を用いた 従来の9倍に相当する高速表示ができる有機薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ | 250 |
| 2013年 4月号 | 短時間で鏡から透明へ変化する調光ミラーシート | 産総研 | 日経産業新聞 (2013年1月24日PP.11) | Mg合金とPdの薄膜 370x260mm角で切替え時間5秒 従来比6倍高速 透過率60% 厚さ100nm以下 | 250 |
| 2013年 3月号 | LSI集積度を100倍以上高める技術 | 東大 理研 | 日経産業新聞 (2012年12月11日PP.9) | 原子3個分のMoS2薄膜 0.6nm厚 トランジスタ | 120 220 |
| 2013年 3月号 | 複数の半導体薄膜を使った太陽電池 | 北大 | 日本経済新聞 (2012年12月25日PP.9) | 理論上の変換効率85% | 250 |
| 2013年 1月号 | 高感度な非接触温度センサ | TDK | 日経産業新聞 (2012年10月29日PP.4) | サーミスタの材料を厚さ1μmの薄膜に NTC型の性質 応答時間数ms 薄膜サーミスタ | 210 |
| 2012年11月号 | 化合物型太陽電池の効率向上 | 東大 | 日経産業新聞 (2012年8月8日PP.9) | InGaAsとGaAsPの400nm薄膜結晶層 25.2%の変換効率 幅3～5μmの微細なギザギザ構造 | 250 |
| 2012年 9月号 | 高解像度液晶パネル | シャープ | 日経産業新聞 (2012年6月4日PP.3) | IGZO 有機EL 薄膜トランジスタ | 250 |
| 2012年 9月号 | Co薄膜によるメモリー技術 | 京大 | 日経産業新聞 (2012年6月7日PP.11) | 磁壁 数10nm～数100nm 磁壁移動によりメモリー記録 | 130 |
| 2012年 8月号 | 伝導準位を正確に測定する装置 | 京大 | 日刊工業新聞 (2012年5月14日PP.18) | 光検出の分解能は0.3eV以下 誘電多層膜帯域通過フィルタ 光電子増倍管 屈折率の大きく異なる2つの薄膜を100層交互に重ねる 太陽電池等に使われる有機半導体 石英ガラスの光学素子 | 320 410 |
| 2012年 8月号 | 排熱から電気を生成する変換効率40倍の素子 | 東北大 東北セラミック | 日経産業新聞 (2012年5月21日PP.11) | Mn | Siと Feを含むMn Siでそれぞれ厚さ150μmの薄膜を作り 厚さ15μmの絶縁層を挟みながら交互に重ねる 1cm2厚さ2.5mmの素子を切り出す ゼーベック効果 熱電素子 120 250 |
| 2012年 8月号 | 太陽電池用Si薄膜の新製造法 | 東京農工大 | 日経産業新聞 (2012年5月29日PP.9) | Siイオンを堆積 厚さ10nmのアモルファスSi 塩化シリコン(SiCl4) 液体中で成膜 | 160 |
| 2012年 7月号 | 室温で動作する単一光子源 | 阪大 産総研 | 日刊工業新聞 (2012年4月16日PP.17) 日経産業新聞 (2012年4月17日PP.9) | ダイヤモンドを用いたLED リンを添加したn層 ホウ素を添加したp層 純粋なダイヤモンドをi層 人工ダイヤモンド薄膜 室温動作 | 120 250 240 |
| 2012年 5月号 | 裸眼3次元画像の広角度表示技術 | 豊橋技科大 | 日刊工業新聞 (2012年2月16日PP.19) | Fe-Tbの垂直磁化膜 厚さ数十nm 左右15°の視野で裸眼閲覧可能 FeとTbの合金による磁性薄膜とnmサイズの光メモリー用磁気記録ビットを再生画素に利用 | 450 250 |
| 2012年 4月号 | 有機薄膜太陽電池の材料「ポリチオフェン」を低コストで製造 | 東工大 | 日経産業新聞 (2012年1月19日PP.11) | 製造コスト数千円/g 添加剤に有機亜鉛の錯体 合成温度は25℃ | 150 160 |
| 2012年 4月号 | 金が磁石の性質を持つことを発見 | 高輝度光科学研究センター 香川大 秋田大 北陸先端大 スペインのバスク州立大学 | 日経産業新聞 (2012年1月24日PP.10) | 金を5mm四方 厚さ5μmの反磁性状態の薄膜にして 円偏光X線を当て 電子スピンを検出 | 120 |
| 2012年 4月号 | 単層CNTの色を電圧で制御 | 首都大 | 日経産業新聞 (2012年1月31日PP.1) | 10mm×10mm×数百nm厚 -3V印加で青から黄に変化 1000回繰り返し可能 CNT薄膜を水溶液に入れて電圧を加え変色 | 150 120 |
| 2012年 2月号 | 磁気素子の構造を簡素化して記録密度を向上したHDD | 物材機構 | 日経産業新聞 (2011年11月1日PP.10) | 厚さ2nmの銀薄膜を厚さ4nmのホイスラー合金薄膜で挟んだ3層構造 5Tb/in2 6層以上必要だった薄膜を3層に減らせる 厚さ10nm ホイスラー合金 | 230 120 |
| 2012年 2月号 | 原子1層で超電導状態 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2011年11月4日PP.8) | Si基板上にIn原子1層の平坦な薄膜を作製 2.8Kで電気抵抗がゼロ | 120 |
| 2012年 2月号 | ゲルマニウムを使った半導体素子 | 九大 | 日経産業新聞 (2011年11月10日PP.11) 日刊工業新聞 (2011年11月10日PP.23) | Ge薄膜上にソースゲートドレインを取り付け界面部分を原子層レベルで制御 | 220 |
| 2012年 2月号 | グラフェンを金属性と半導体性に作り分け | 東北大 | 日刊工業新聞 (2011年11月16日PP.27) 日経産業新聞 (2011年11月16日PP.7) | Si基板上に単結晶SiC薄膜を成長させ真空状態で加熱 面が斜めだと半導体性 水平・垂直面だと金属性 モノメチルシランの圧力を調整 | 120 160 |
| 2012年 1月号 | 平らな基板で光閉じこめ効果 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2011年10月17日PP.19) | 基板は島状のZnOを研磨 基板上に微結晶Si層を形成し太陽電池を作成 光に対しては凹凸になる基板を開発 薄膜Si太陽電池の性能向上につながる可能性 | 160 250 |
| 2012年 1月号 | 相変化メモリーが常温で巨大磁気抵抗効果 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2011年10月17日PP.19) | Ge-Te合金とSb-Te合金の薄膜を配向軸をそろえて積層 超格子型相変化膜 室温から約150℃で200%超の磁気抵抗効果 MRAM | 120 230 |
| 2012年 1月号 | 室温下で磁性金属の磁力を電気的にスイッチ | 京大 | 日刊工業新聞 (2011年10月18日PP.23) | 強磁性状態と常磁性状態を切替 Coの超薄膜 | 220 120 |
| 2011年12月号 | ダイヤモンド半導体を使ったバイポーラトランジスタ | 産総研 | 日刊工業新聞 (2011年9月5日PP.19) 10 (0年0月0日) | ダイヤにB | Pを高濃度に添加した低抵抗ダイヤモンド薄膜 増幅率10 バイポーラトランジスタ 室温動作 220 |
| 2011年11月号 | 生きた細胞観察が可能な新型顕微鏡 | 原子力機構 奈良女子大 | 日経産業新聞 (2011年8月18日PP.12) | 分解能90nm 軟X線 波長数nm 20nm厚の金の薄膜で集光 | 360 |
| 2011年11月号 | 耐熱210℃の有機導電性材料 | 東工大 | 日経産業新聞 (2011年8月25日PP.11) | 電子移動度3.6 BTBTを改良した材料 大気中で基板に塗布し薄膜作成 | 120 |
| 2011年10月号 | 有機薄膜太陽電池向け高分子材料 | 東大 住友化学 | 日刊工業新聞 (2011年7月26日PP.31) | 発生電流24mA/cm2 800～1000nm波長を電流に変換可能 変換効率4.8% | 250 150 |
| 2011年 8月号 | 曲げ自在の赤外センサ | 神戸大 | 日刊工業新聞 (2011年5月10日PP.19) | 18mm角・厚さ25μmに10個の素子を集積 1～10μm帯の赤外線を検知可能 有機強誘電体薄膜 | 210 |
| 2011年 8月号 | フッ素化合物を使った有機薄膜太陽電池 | 東大 | 日刊工業新聞 (2011年5月16日PP.15) 日経産業新聞 (2011年5月17日PP.10) | 電圧0.9V n型とp型の薄膜を別々の基板上に作り張り合わせる製法 | 250 |
| 2011年 7月号 | 白色光でカラー再生できる3次元ホログラム | 理研 阪大 | 日刊工業新聞 (2011年4月8日PP.19) | 厚さ55nmのAg薄膜 薄膜の波を打ったような細かい模様で光の場が回折 薄膜の両面はガラスコーティング 全体の厚さは1mm ホログラムの大きさ38mm×26mm | 430 250 450 |
| 2011年 6月号 | 有機半導体薄膜の高精度作製技術 | 東工大 | 日経産業新聞 (2011年3月9日PP.7) | 真空装置不要 液晶状態で塗布 BTBT 電子移動度約3 | 120 160 |
| 2011年 5月号 | 室温で安定動作する単一電子素子 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2011年2月16日PP.9) | Si基板のうえにSiO2とAl2O3の薄膜を重ねた 薄膜間にフタロシアニンやフラーレンなどの分子 7℃で動作 | 120 230 |
| 2011年 3月号 | 光電変換効率2%の透明太陽電池 | 岐阜大 | 日経産業新聞 (2010年12月10日PP.8) | ZnOなどの厚さ3～10μmの薄膜を盛り近赤外光吸収色素をつけた 波長760～1000nmで0.6～2.0%の光を吸収 色素増感型 | 250 |
| 2011年 2月号 | 炭素系ナノテク活用の高速有機トランジスタ | 阪大 山形大 大日本印刷 | 日経産業新聞 (2010年11月1日PP.11) | C60と呼ぶフラーレン薄膜 Al 色素の各層を挟んだ構造 400kHzで高速応答 従来の5倍以上の電流を流せる | 120 220 |
| 2011年 2月号 | 超電導薄膜を高速に作製できる技術 | 吉野 | 日経産業新聞 (2010年11月10日PP.9) 日刊工業新聞 (2010年11月11日PP.21) | MgB2超電導膜 臨界温度39K 材料の微粒子をガスに分布 エアロゾル・デポジション法 従来の100倍の速さで作製可能 | 120 160 |
| 2011年 2月号 | 薄膜の堆積速度を調整可能なスパッタ装置 | 山口大 | 日刊工業新聞 (2010年11月12日PP.20) | 装置1台で薄膜を形成 稼働磁場発生機構 1分間の堆積速度15nmから50nmまで調整可能 | 360 |
| 2011年 2月号 | 半導体薄膜を従来より200℃低く結晶化する手法 | 兵庫県立大 | 日刊工業新聞 (2010年11月26日PP.1) | プラスチック基板 420～580℃で結晶化 | 120 250 |
| 2011年 1月号 | CNT利用の安価な高性能トランジスタ | 名大 | 日経産業新聞 (2010年10月21日PP.11) | Si薄膜の代わりに直径1.5nm 長さ1μmのCNTを敷き詰める 縦横1cmのTFTを試作 厚さ0.5mmの基板上に2～3nmのCNT薄膜を塗布オンオフ比が最大1000万 | 120 220 |
| 2011年 1月号 | 厚さ10nmの薄膜を使用した強誘電体 | 物材機構 | 日刊工業新聞 (2010年10月27日PP.21) | 酸化物ナノシート2種積層 | 120 |
| 2010年11月号 | 誘電率200以上を実現する小型薄膜コンデンサ
・10とあわせて1件 | 物材機構 | 日刊工業新聞 (2010年8月25日PP.24) | チタン酸バリウム系の薄膜と比べ大きさ1/20 容量10倍以上 厚さ1.5nmで横幅約10μm | 120 220 |
| 2010年11月号 | 高性能な薄膜コンデンサ
・9とあわせて1件 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2010年8月25日PP.9) | ペロブスカイトナノシート 膜厚5～20nmで誘電率210～240 | 220 |
| 2010年10月号 | マルチチャンネル超電導単一光子検出システム | 情通機構 | 日刊工業新聞 (2010年7月28日PP.27) 日経産業新聞 (2010年7月28日PP.11) | 1.55μmの波長の光で検出効率20% 従来の100倍 単一光子検出器 動作速度2倍 検出器の大きさ2/3 1550nm通信波長帯 動作速度100MHz 積層薄膜で構成した光共振器 NbN | |
| 2010年 7月号 | C60分子の薄膜を活用した記憶素子 | 物材機構 阪大 | 日刊工業新聞 (2010年4月7日PP.23) | フラーレン 既存の記憶素子の約1000倍の密度 結合状態と非結合状態 多植記録 不揮発性 190Tbpiの高密度記録 | 230 |
| 2010年 7月号 | グラフェン薄膜を半導体上に作製する技術 | 日立 東北大 東洋大 | 日経産業新聞 (2010年4月8日PP.12) | 800℃の加熱条件に設定した熱CVD(化学気相成長)法で作製 厚さ30nm 幅約3μmのアルミナ薄膜 | 120 |
| 2010年 6月号 | フラーレン薄膜に190Tbpiの高密度記録 | 物材機構 阪大 | 日経産業新聞 (2010年3月8日PP.12) | ハードディスクの1000倍 Si基板上にフラーレン分子3個分の薄膜 金属針を1nm未満に接近させ電圧を印加 結合・非結合の状態で「1」「0」を表現 記録速度1kbs | 120 230 |
| 2010年 5月号 | 電子の見かけの質量を1000倍に | 京大 名大 | 日経産業新聞 (2010年2月19日PP.11) 日刊工業新聞 (2010年2月19日PP.20) | 大気の1/10兆の真空状態 特殊な基板にセリウム・インジウム・ランタンなどを蒸着 薄膜の厚さ約300nm 縦横1cm ほぼ絶対零度 分子線エピタキシー 電子を平面上空間に閉じ込める | 120 |
| 2010年 5月号 | 人工原子1個でレーザ光を出す半導体 | 東大 | 日経産業新聞 (2010年2月22日PP.10) 日刊工業新聞 (2010年2月16日PP.22) | 直径100nmの穴を10個開けた厚さ160nmのGaAs半導体薄膜 中央に直径20～25nm厚さ2～3nmのInAsの人工原子を埋め込む 波長917nm フォトニック結晶体 ナノ共振器 | 120 250 240 |
| 2010年 5月号 | 変換効率15.9%の曲がる太陽電池 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2010年2月26日PP.32) | CIGS薄膜 ナトリウム アルカリ金属 セラミックス基板 ケイ酸塩ガラス モリブデン電極 | 160 250 |
| 2010年 3月号 | 光照射で発光波長を制御するLED発光層の成膜技術 | 東大 ブイ・テクノロジー 日東光器 | 日経産業新聞 (2009年12月25日PP.11) | InGaN化合物半導体層を光を当てながら均一成膜 サファイア基板 緑色光と紫外線 波長532nm LED発光層の厚さ1/5 厚さ200nmの薄膜 | 250 160 120 |
| 2010年 2月号 | 寿命9倍の有機EL素子 | 北陸先端大 | 日経産業新聞 (2009年11月5日PP.12) | 正孔注入層に酸化モリブデン 正孔輸送層と発光層の間に薄膜を形成 2.5インチ素子で光が半減するまで326000時間 駆動圧縮を抑制 | 120 |
| 2010年 2月号 | 塗布法で高速な有機薄膜トランジスタ | 大阪大 広島大 | 日刊工業新聞 (2009年11月6日PP.30) | 移動度 5cm2/Vs 非晶質Si 5倍以上の移動度 | 220 |
| 2010年 1月号 | 低分子を塗布して作製した有機薄膜太陽電池 | 東大 三菱化学 | 日経産業新聞 (2009年10月23日PP.9) | 変換効率5.2% フラーレン 塗布後熱処理 | 120 250 160 |
| 2009年12月号 | 性能100倍の有機半導体 | 東洋大 | 日経産業新聞 (2009年9月8日PP.11) | 有機薄膜トランジスタ 不純物層 シミュレーションで確認 | 220 |
| 2009年12月号 | 小型の高周波信号処理チップ | TDK | 日経産業新聞 (2009年9月25日PP.5) | HDDの薄膜成型技術を応用 線幅が最小10μm 高周波帯域のESR(等価直列抵抗)が優れている 体積従来の1/3 バラン カプラー コンデンサ | 220 |
| 2009年11月号 | 金属ガラスで1Tbpi以上の磁気記録媒体の製造技術 | RIMCOF | 日刊工業新聞 (2009年8月6日PP.25) | 熱インプリント パターンドメディア サファイアにダイヤモンドライクカーボン(DLC)薄膜 25nm間隔太さ12nmのドットを形成した金型を作製 | 160 230 |
| 2009年11月号 | 耐久性・高変換効率を両立した有機太陽電池 | 東大 日産化学 | 日経産業新聞 (2009年8月13日PP.5) | 色素増感型と有機薄膜型の素材の組み合わせ 酸化チタンに有機高分子をコーティング ポリチオフェン 変換効率1.7% | 250 120 |
| 2009年 9月号 | インジウム不使用の透明・高電導の有機薄膜製造技術 | 山梨大 | 日経産業新聞 (2009年6月2日PP.11) | 有機高分子PEDOT 絶縁性高分子PSS 膜厚100nm以下 光透過率89% レアメタルを不使用 | 120 |
| 2009年 9月号 | 炭素のみを用いた超格子構造 | 産総研 | 日経産業新聞 (2009年6月12日PP.11) | ダイヤモンド同位体 炭素12と炭素13の同位体 各同位体で膜厚30nmの薄膜を作り交互に25層積層 マイクロ波プラズマCVD | 120 |
| 2009年 6月号 | 酸化ニッケルのナノワイヤでReRAMを製作 | 阪大 | 日刊工業新聞 (2009年3月19日PP.24) 日経産業新聞 (2009年3月19日PP.10) | 50nm以下抵抗変化型不揮発メモリー オンオフ比ニッケル薄膜より100倍高い ナノ-ピコA程度で動作 直径10～20nm 長さ10～20μm | 160 230 |
| 2009年 4月号 | グラフェンで透明基板 | 韓国成均館大 サムスン綜合技術院 | 日刊工業新聞 (2009年1月15日PP.29) | グラフェンを6～10層積層 折り曲げ自在な電子基板 Si基板 ニッケル薄膜 メタン・水素・アルゴンを混合 1000℃に加熱 25℃に冷却 | 120 |
| 2009年 4月号 | 厚さ1/100のSi薄膜型太陽電池新製法 | 産総研 古河電工 | 日経産業新聞 (2009年1月23日PP.10) | 大きさ数10μmのSi結晶の薄膜 厚さ2μmの薄膜型太陽電池 光電変換効率3.5%(12%まで高められる見込み) | 250 160 |
| 2009年 4月号 | フラーレン-コバルト薄膜のTMR効果の機構解明 | 原子力機構 自然科学研究機構 東北大 東大 | 日刊工業新聞 (2009年1月23日PP.22) | 巨大トンネル磁気抵抗 スピン偏極 X線磁気円偏光2色性分光 局在スピン | 120 |
| 2009年 4月号 | 有機薄膜太陽電池の発電効率を改善した新素材 | 東大 阪大 | 日経産業新聞 (2009年1月28日PP.10) | オリゴチオフェンとフラーレンが規則正しく並んだ液晶 電圧を2Vかけた場合電流の大きさは10倍 | 250 120 |
| 2009年 3月号 | Si薄膜の成長速度4倍に | 積水化学工業 | 日経産業新聞 (2008年12月12日PP.11) | プラズマを大気中に取り出し基板に当てる シランガス 45nm/minで成長 圧力0.7～0.9気圧 多結晶とアモルファスから構成 結晶効率80%以上 | 160 |
| 2009年 1月号 | 次世代高速無線用トランジスタ
-消費電力1/3に- | 日立 | 日経産業新聞 (2008年10月17日PP.1) | シリコンゲルマニウムを使った独自の薄膜形成技術 エピタキシャル成長 不純物を約8%抑制 真空集で水素を流し込み酸素を除去 | 160 220 |
| 2009年 1月号 | 折り曲げ自在の薄膜加工技術 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2008年10月30日PP.26) | 厚さ200～10nm程度の薄膜の片側を固定しイオン照射 数十μm程度折り曲げられる | 160 |
| 2008年11月号 | 透明導電膜を酸化亜鉛で作製 | 大阪産業大 | 日経産業新聞 (2008年8月25日PP.11) | 厚さ35nmの透明な薄膜 可視光を最大90%通す インジウムが不要 「比抵抗」は10000分の2～3Ωcm | 120 |
| 2008年11月号 | 半導体装置を用いた液体の膜蒸着技術 | 東工大 | 日経産業新聞 (2008年8月29日PP.9) | イオン液体 1cm2あたり360plのイオン液体が蒸着 厚さ9pmの薄膜を作成 燃料電池の電解質に応用可 イミダゾリウム系 | 120 160 |
| 2008年10月号 | エネルギー変換効率17.7%のフレキシブルCIGS薄膜太陽電池 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2008年7月17日PP.25) | Cu In Se CIGS光吸収層へのアルカリ金属添加量を制御 | 250 |
| 2008年 9月号 | 高純度単層CNTを活用した薄膜トランジスタ | 産総研 | 日刊工業新聞 (2008年6月11日PP.25) 日経産業新聞 (2008年6月11日PP.11) | 分散型ポリフルオレン 超音波で分散 遠心分離機 移動度2cm2/Vs オンオフ比10万以上 CNT液をSi基板にコーティング | 120 160 220 |
| 2008年 9月号 | グラフェン薄膜をSi基板に作製 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2008年6月25日PP.22) 日経産業新聞 (2008年6月25日PP.11) | 厚さ80nmの炭化ケイ素の薄膜作製 熱処理 電子移動度数万cm2/Vs | 120 160 |
| 2008年 4月号 | フラーレン薄膜状態で積層 | 東大 | 日刊工業新聞 (2008年1月16日PP.32) 日経産業新聞 (2008年1月16日PP.9) | 赤外線レーザで加熱・気化し堆積 数mm四方に直径1nm弱のフラーレンを10～20層堆積 連続光赤外線レーザ堆積法 | 120 160 |
| 2008年 2月号 | 有機ELの寿命9倍に | 北陸先端大 | 日経産業新聞 (2007年11月16日PP.1) | 透明電極と正孔輸送層が接する面に酸化モリブデンで作った薄膜挿入 0.75nmの極薄膜採用 360cd/m2の輝度が半減するまで3万7千時間 | 120 160 250 |
| 2008年 2月号 | 量子多体現象 超高速で計算処理 | NII 米スタンフォード大 | 日経産業新聞 (2007年11月22日PP.9) 日刊工業新聞 (2007年11月22日PP.20) | 光と閉じ込める微細構造を相互に連結 厚さ3nm半導体薄膜12層 ボーズアインシュタイン凝縮体を約20個形成 超流動的 | 120 160 220 |
| 2008年 1月号 | ZnO-TFT電子ペーパ表示技術 | 高知工科大 コニカミノルタテクノロジーセンター | 日刊工業新聞 (2007年10月26日PP.26) | 酸化亜鉛薄膜トランジスタ駆動 プロセス温度250℃ 64画素コレステリック液晶電子ペーパ表示 | 250 |
| 2008年 1月号 | MRAM電流制御技術 | 高エネ機構 東大 | 日刊工業新聞 (2007年10月29日PP.21) | SrTiO3基板にμm寸法の(La Sr)MnO3の薄膜をパターン加工 Spring-8 ステップ方向に磁場をかけると単磁区構造になる | 120 160 230 |
| 2007年12月号 | 折り曲げ可能な縦型有機トランジスタ | 千葉大 | 日刊工業新聞 (2007年9月7日PP.1) | 横型では実現できない低電圧駆動の曲がるディスプレイ 従来比約100倍 ±2Vの低電圧で駆動 ペンタセン薄膜 銅フタロシアニン薄膜 ゲート絶縁膜不要 1000以上オンオフ比 | 250 220 160 |
| 2007年 8月号 | オールSiの次世代半導体素子 | 日立 | 日経産業新聞 (2007年5月8日PP.11) | 信号伝達はすべて光 SiO2の絶縁層で挟んだ厚さ9nmのSi薄膜が発光 0.5mm離れたSi受光部 室温動作 | 160 220 |
| 2007年 7月号 | 高品質多結晶Si薄膜を熱処理により5秒で作成技術 | 奈良先端大 松下電器 | 日刊工業新聞 (2007年4月6日PP.1) | フェリチン(鉄貯蔵タンパク質) 直径7nmのNiを触媒として内包 非晶質Si薄膜 650℃で熱処理 プラスチック基板上に高性能TFTを作成可能 | 160 250 |
| 2007年 7月号 | 薄膜を効率よく製造 -非Si系太陽電池量産に使用可能な薄膜技術- | 産総研 | フジサンケイビジネスアイ (2007年4月6日PP.7) | CIGS薄膜 Cu In Ga Se 光電変換層の厚さを数μm 利用効率10倍以上 プラズマクラッキング | 160 250 |
| 2007年 7月号 | 電圧で着脱色する固体薄膜エレクトロクロミック素子 | 農工大 | 日刊工業新聞 (2007年4月13日PP.20) | 従来のエレクトロクロミック素子構造に酸化Si膜を導入 応答速度6倍 応答速度100mms | 120 160 250 |
| 2007年 6月号 | マイクロピラミッド構造を酸化亜鉛薄膜上に作製 | 大阪市大 | 日刊工業新聞 (2007年3月8日PP.26) | 高周波マグネトロンスパッタリング 650℃で20時間 膜厚2μm 一辺2μm 高さ2μm 発光効率数十倍増強 六角錘 アルゴンと酸素の希薄混合ガス | 260 160 250 |
| 2007年 6月号 | バイオの力でSi薄膜 | 松下電器 奈良先端大 | 電波新聞 (2007年3月22日PP.1) | フェリチンタンパクをSi半導体上に吸着 紫外線処理 700℃程度の温度で5～6秒加熱 粒径10μm | 160 |
| 2007年 6月号 | ナノテクノロジー応用の高誘電率半導体素材 -記憶容量100倍に- | 物材機構 | 日経産業新聞 (2007年3月23日PP.11) | 厚さ約1nm横幅数十μmのシート状の酸化チタン 5～15nmの積層薄膜 | 120 |
| 2007年 6月号 | 赤外光伝送を10倍効率化 | 富士通研 東工大 | 日経産業新聞 (2007年3月29日PP.13) | Siと赤外光を通す薄膜上結晶の間に酸化セシウムなどでできた厚さ200nmの中間層 | 120 160 |
| 2007年 6月号 | 1ナノで室温垂直磁化 | 阪大 | 日刊工業新聞 (2007年3月16日PP.22) | 鉄プラチナ規則合金薄膜 円偏光X線 | 230 |
| 2007年 4月号 | 酸化亜鉛を用いた積層薄膜 -透明エレクトロニクスに道- | 東北大 | 日刊工業新聞 (2007年1月26日PP.33) 日経産業新聞 (2007年1月26日PP.10) | 量子ホール効果 温度傾斜法 電子密度1/10の16乗 移動度440cm2/Vs 酸化亜鉛マグネシウム(MgZnO) 膜厚0.6μm | 120 160 |
| 2007年 3月号 | PRAM駆動電力1/10 | 日立 ルネサステクノロジ | 日経産業新聞 (2006年12月13日PP.9) | 記録層と絶縁膜の間に厚さ2～3nmのTa2O5薄膜 記録時電流数百μA | 160 230 |
| 2007年 2月号 | 回路線幅55nmのシステムLSI量産技術 | NECエレクトロニクス | 日刊工業新聞 (2006年11月6日PP.1) | DRAM混載 液浸露光 ゲート絶縁膜上にハフニウム極薄膜 | 160 |
| 2007年 1月号 | 有機薄膜太陽電池の光電変換効率を向上 | 東大 | 日経産業新聞 (2006年10月25日PP.9) | 電極に直径約30nmの無数の突起 1.25cm×2.5cmの試作電池で効率2.7% ポリチオフェン フラーレンを含む有機高分子 | 120 250 |
| 2006年12月号 | 異種材料を分子間結合力で薄膜接合 | 沖電気 沖データ | 電波新聞 (2006年9月8日PP.1) | エピフィルムボンディング(EFB) 薄膜化したLEDアレイと駆動ICを結合 | 250 260 |
| 2006年11月号 | 携帯向け液晶モジュール -ワンセグ画像鮮明に表示- | ソニー ソニー・エリクソン・モバイルコミュニケーションズ | 日経産業新聞 (2006年8月1日PP.9) | フルワイド画像が表示できる携帯向け薄膜トランジスタ(TFT)モジュール 画像サイズを変更なしにワンセグ放送を表示可能 | 250 |
| 2006年 9月号 | 55nm素子形成技術 -SRAMで実用性確認- | NECエレクトロニクス | 日刊工業新聞 (2006年6月16日PP.29) | 酸窒化膜上に極薄膜のハフニウムシリケートを載せたゲート絶縁膜 トランジスタのしきい値制御範囲拡大 漏れ電流10%低減 ArF液浸露光装置 | 160 220 |
| 2006年 7月号 | 稀少金属を使わない透明電極材料 | 神奈川科学技術アカデミー(KAST) | 日経産業新聞 (2006年4月5日PP.9) | In TiO295%とNb5%を混合したセラミックス レーザ照射で蒸発させガラス上に薄膜 500℃に過熱し導電性向上 可視光透過率80% 抵抗率0.001Ω/cm3 | 120 250 |
| 2006年 7月号 | 書き込み速度1000倍の次世代メモリー | 静大 シャープ | 日経産業新聞 (2006年4月7日PP.1) | RRAM(抵抗式随時書込み読出しメモリー) TiNを活用 読出し時間20ns/bit 既存施設の利用可能 TiNの表面にTiO2薄膜 2V程度の電圧による抵抗値の変化利用 | 120 160 230 |
| 2006年 5月号 | 銅ナノインク開発 | 旭化成 | 日刊工業新聞 (2006年2月22日PP.23) | 印刷技術活用 Cu配線や薄膜を低コスト形成 厚さや線幅をμmオーダーで制御可能 酸化膜のナノサイズ微粒子と酸化還元剤をインクに配合 塗布後焼成 エッチング工程不要 | 130 160 120 |
| 2006年 3月号 | 駆動電流を半減したPRAM | 日立 ルネサステクノロジ | 日経産業新聞 (2005年12月13日PP.8) | Ge・Sb・Teの金属間化合物にOを添加 0.1μmの薄膜素子 書込み電流100μA | 120 230 160 |
| 2006年 2月号 | ナノ構造の人工金薄膜 -旋光特性が自然界の500倍- | 東大 | 日刊工業新聞 (2005年11月14日PP.28) | 鏡面非対称のキラルパターン 25nm厚の金薄膜に500nmの卍型パターンを周期的に構成 可視光の偏光は1.5°回転 | 160 250 120 |
| 2006年 2月号 | 次世代光メモリー「RRAM」 -既存の電子材料- | NTT | 日経産業新聞 (2005年11月21日PP.10) | 抵抗式随時書き込み読み出しメモリー Bi4Ti3012の30～50nmの薄膜を電極で挟む ECRスパッタ法を利用 | 120 160 230 |
| 2006年 1月号 | 次世代メモリーPRAM | 日立 ルネサステクノロジ | 日経産業新聞 (2005年10月6日PP.1) | 1.5Vでデータの読み書き可能 厚さ100nmの薄膜をMOSトランジスタ上に配線 | 230 160 |
| 2006年 1月号 | FELの発光効率高める | 高知県産業振興センター | 日経産業新聞 (2005年10月27日PP.8) | 厚さ10nm以下のダイヤモンド薄膜 カーボンナノウォール 1700cd/m2 発光効率60lm/W 5cm角の面発光光源試作 | 120 160 250 |
| 2005年12月号 | 高輝度青色発光素子 | 米カルフォルニア大 JSTなど | 日経産業新聞 (2005年9月22日PP.9) | 窒化ガリウム半導体結晶 「無極性」「半分極性」という異なる性質を持つ結晶薄膜 200ルーメン/W目標 可視光領域のレーザを簡単に作りわける 発生光は偏光性を持つ | 250 120 160 |
| 2005年10月号 | 液晶バックライト輝度4割増 | 三菱レイヨン | 日経産業新聞 (2005年7月5日PP.1) | 100μm厚薄膜シート 非対称・非球面凹面鏡 アクリル樹脂 3000cd/m2 輝度最大約35%向上 | 160 250 |
| 2005年 9月号 | 単層CNT 最高密度の垂直成長 -ダイヤ薄膜成長技術を用いて成功- | 早大 | 日刊工業新聞 (2005年6月8日PP.25) | 先端アークマイクロ波プラズマ励起化学気相成長法(PAMPCVD) 0.5nm厚のFeをアルミナ薄膜で挟む構造 20時間で2mm成長 体積密度66kg/m3 | 120 160 |
| 2005年 9月号 | 線幅32nmLSI向け新技術 -新構造TR・新多層配線技術- | MIRAIプロジェクト | 電波新聞 (2005年6月14日PP.1) 日経産業新聞 (2005年6月14日PP.7) | 高電流駆動力 プロセス損傷抑制可能 歪みSi薄膜 歪みGe薄膜 局所酸化濃縮法 ポーラシリカ低誘電絶縁材料 | 120 160 220 |
| 2005年 4月号 | 有機薄膜太陽電池 -エネルギー変換効率4%- | 産総研 | 日刊工業新聞 (2005年1月28日PP.26) | n型有機半導体にフラーレン p型に亜鉛フタロシアニン使用 i層により実効的な接合面積を増加 厚さp層5nm・i層15nm・n層30nm Pn接合の界面にナノ構造のi層を挿入 タンダム積層 | 120 160 250 |
| 2005年 3月号 | 簡便な金薄膜形成技術 | 大阪府立大 | 日刊工業新聞 (2004年12月27日PP.11) | 金ナノ粒子とチオール分子を含む室温溶液にプラスチック基板を浸して攪拌 薄膜形成時間4時間 45nm厚 | 120 160 350 |
| 2005年 2月号 | ファーレン塗れば半導体に | 産総研 | 日経産業新聞 (2004年11月9日PP.11) | 半導体薄膜 アルキル鎖を結合 n型半導体 | 120 |
| 2005年 2月号 | 身近になった単層ナノチューブ -高純度で安く生産- | 産総研 | 日経産業新聞 (2004年11月19日PP.7) | CVD 鉄微粒子の薄膜を触媒 エチレンガス 10分間で高さ2.5mm 従来法と比較して高さ500倍・成長速度3000倍 直径1～4nm 純度99.98% | 120 160 |
| 2005年 1月号 | 薄型大画面に第三勢力SED -小さなブラウン管数百万個並ぶ- | キヤノン 東芝 | 日本経済新聞 (2004年10月10日PP.29) | 表面電界ディスプレイ 36インチ試作機 数nmの隙間に電圧を加えるトンネリング効果 BdO薄膜を数nm間隔で配置 | 250 350 |
| 2004年12月号 | 薄膜永久磁石 -デバイス微細化に貢献- | NEOMAX | 日刊工業新聞 (2004年9月14日PP.13) | 20nmのNd・Fe・B系磁性膜と10nmの中間膜を交互に重ねた構造 厚さ1μm 最大磁気エネルギー積45.8MGOe スパッタリング法 | 120 160 |
| 2004年12月号 | FeRAM最適結晶選別新技術 | 松下電器 | 日経産業新聞 (2004年9月15日PP.9) | 強誘電体薄膜に電子線照射 結晶粒の大きさや向きを検出 | 230 360 |
| 2004年11月号 | 絶縁層薄膜の印刷技術 -印刷でICカード・タグを作製可能- | 産総研 日立 | 朝日新聞 (2004年8月31日PP.2) | Siの酸化物をプラスチックに100℃以下で印刷 | 220 160 |
| 2004年10月号 | 単層CNT同じ向きに並べる | 東大 | 日刊工業新聞 (2004年7月29日PP.33) | ゼラチンで薄膜化 コイルを巻き付けた円柱状のワイヤバー | 120 |
| 2004年 6月号 | BN薄膜 -CNTしのぐ電子材料- | 物質・材料研究機構 | 日経産業新聞 (2004年3月11日PP.8) 日刊工業新聞 (2004年3月11日PP.25) | FED 照明器具 100倍以上の電界電子放出特性 8.6V/μmで電流密度0.9A/cm2 | 150 |
| 2004年 5月号 | ホログラム応用の光メモリー | NTT | 日経産業新聞 (2004年2月13日PP.7) 日刊工業新聞 (2004年2月13日PP.28) 日本経済新聞 (2004年2月13日PP.17) | ホログラムの光学像 薄膜ホログラム インフォ･マイカ 切手サイズに1GB | 230 330 430 |
| 2004年 5月号 | CCDの大きさ1/4に | ASET 三洋電機 | 日経産業新聞 (2004年2月23日PP.9) | 大きさ縦2.5mm×横3.6mm 画素数縦288×横352 Si基板に銅薄膜で縁取りしたφ50μm程度の穴 | 210 260 |
| 2004年 3月号 | Si層0.7nmトランジスタの動作確認 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2003年12月12日PP.1) | 5原子層 NEDO Si単結晶薄膜厚さ0.7nm SOI 試作素子のゲート長は2～3μm 実現可能なゲート長は1.5～3nmと予想 | 160 220 |
| 2004年 2月号 | フィルムに印刷する薄膜トランジスタ | 凸版印刷 | 日本経済新聞 (2003年11月1日PP.1) | 液晶ディスプレイ用TFT 厚さ50μm 折り曲げ可能 印刷手法のみで形成 | 220 260 250 |
| 2004年 2月号 | 高温超電導薄膜作製技術 -無線通信電波振り分け- | NTT物性科学基礎研 | 日経産業新聞 (2003年11月5日PP.10) | 薄膜材料の組成を厳密に制御 Nd | Ba Cuの酸化物 -178℃超電導フィルタ 160 220 |
| 2004年 1月号 | 有機ELパネルの薄膜封止技術 -超薄型化に道- | トッキ | 日本経済新聞 (2003年10月28日PP.14) | 保護膜厚3μm 従来の1/300 G200ガーディアンシステム 20㎝角のELパネル製造用 | 250 160 |
| 2003年12月号 | 1T型メモリー用強誘電体材料 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2003年9月9日PP.1) | Trの上に強誘電体を一体化 (Y | Yb)MnO3(下付)薄膜 漏れ電流密度10-8(上付)/cm2(上付)以下 分極保持特性105(上付)/s以上 テｰﾗｰドﾘキｯド法 120 |
| 2003年12月号 | パイライト薄膜生成 -太陽電池の効率10倍に- | 静岡大 スズキ | 日経産業新聞 (2003年9月10日PP.7) | 塩化鉄とチオアセトアミド 大気圧ハライドCVD 波長1.2μm周辺の光を吸収可能 | 250 |
| 2003年11月号 | 200GB級光ディスク -記憶容量10倍に- | 産総研 サムスン電子 | 日経産業新聞 (2003年8月29日PP.9) 日刊工業新聞 (2003年8月29日PP.5) 日本経済新聞 (2003年8月29日PP.17) | 青色DVDの10倍 Tb Fe Co SiO2 ZnS 熱で薄膜が山形に盛り上がり記録 50nmの山が100nmの間隔 熱体積変化膜 記録技術のみ開発 | 160 230 |
| 2003年 8月号 | DVD多層記録技術
-映画200本分を1枚に- http://www.hitachi.co.jp/New/cnews/030516a.html | 日立 日立マクセル | 日本経済新聞 (2003年5月16日PP.15) | 透明導電性高分子薄膜を積層 電圧印加で青く発色 発色層で記録再生 記録層2層の基礎実験 200層で60μm厚 | 230 |
| 2003年 8月号 | 透明トランジスタ | 科学技術振興事業団 東工大 | 毎日新聞 (2003年5月23日PP.28) 日経産業新聞 (2003年5月23日PP.8) | MOS 液晶ディスプレイ用 ZrO基板単結晶薄膜 HfOの絶縁体 電流100倍 窓ガラスに映像 | 150 250 |
| 2007年 3月号 | PRAM駆動電力1/10 | 日立 ルネサステクノロジ | 日経産業新聞 (2006年12月13日PP.9) | 記録層と絶縁膜の間に厚さ2～3nmのTa2O5薄膜 記録時電流数百μA | 160 230 |
| 2007年 2月号 | 回路線幅55nmのシステムLSI量産技術 | NECエレクトロニクス | 日刊工業新聞 (2006年11月6日PP.1) | DRAM混載 液浸露光 ゲート絶縁膜上にハフニウム極薄膜 | 160 |
| 2007年 1月号 | 有機薄膜太陽電池の光電変換効率を向上 | 東大 | 日経産業新聞 (2006年10月25日PP.9) | 電極に直径約30nmの無数の突起 1.25cm×2.5cmの試作電池で効率2.7% ポリチオフェン フラーレンを含む有機高分子 | 120 250 |
| 2006年12月号 | 異種材料を分子間結合力で薄膜接合 | 沖電気 沖データ | 電波新聞 (2006年9月8日PP.1) | エピフィルムボンディング(EFB) 薄膜化したLEDアレイと駆動ICを結合 | 250 260 |
| 2006年11月号 | 携帯向け液晶モジュール -ワンセグ画像鮮明に表示- | ソニー ソニー・エリクソン・モバイルコミュニケーションズ | 日経産業新聞 (2006年8月1日PP.9) | フルワイド画像が表示できる携帯向け薄膜トランジスタ(TFT)モジュール 画像サイズを変更なしにワンセグ放送を表示可能 | 250 |
| 2006年 9月号 | 55nm素子形成技術 -SRAMで実用性確認- | NECエレクトロニクス | 日刊工業新聞 (2006年6月16日PP.29) | 酸窒化膜上に極薄膜のハフニウムシリケートを載せたゲート絶縁膜 トランジスタのしきい値制御範囲拡大 漏れ電流10%低減 ArF液浸露光装置 | 160 220 |
| 2006年 7月号 | 稀少金属を使わない透明電極材料 | 神奈川科学技術アカデミー(KAST) | 日経産業新聞 (2006年4月5日PP.9) | In TiO295%とNb5%を混合したセラミックス レーザ照射で蒸発させガラス上に薄膜 500℃に過熱し導電性向上 可視光透過率80% 抵抗率0.001Ω/cm3 | 120 250 |
| 2006年 7月号 | 書き込み速度1000倍の次世代メモリー | 静大 シャープ | 日経産業新聞 (2006年4月7日PP.1) | RRAM(抵抗式随時書込み読出しメモリー) TiNを活用 読出し時間20ns/bit 既存施設の利用可能 TiNの表面にTiO2薄膜 2V程度の電圧による抵抗値の変化利用 | 120 160 230 |
| 2006年 5月号 | 銅ナノインク開発 | 旭化成 | 日刊工業新聞 (2006年2月22日PP.23) | 印刷技術活用 Cu配線や薄膜を低コスト形成 厚さや線幅をμmオーダーで制御可能 酸化膜のナノサイズ微粒子と酸化還元剤をインクに配合 塗布後焼成 エッチング工程不要 | 130 160 120 |
| 2003年 6月号 | 面状光スイッチ用いて超高速光通信のジッタスキューを低減 | 通信総研 FESTA | 電波新聞 (2003年3月15日PP.2) | 有機色素薄膜 面状光スイッチ ジッタスキュー空間パターンとして一括検出 | 240 |
| 2003年 2月号 | 5GHz帯無線LAN規格準拠のFBARフィルタ | 富士通研 富士通メディアデバイス | 日刊工業新聞 (2002年11月18日PP.7) 電波新聞 (2002年11月20日PP.2) | 無線LAN 5GHz帯 圧電薄膜共振器フィルタ FBAR Si基板 2.5x2x0.9mm IEEE802.11a 10GHzまでに対応 | 240 |
| 2003年 2月号 | 単層CNTの化学気相成長に成功 | NEC 科学技術振興事業団 | 日刊工業新聞 (2002年11月22日PP.5) | SWCNT CVD 触媒のFe薄膜をコートしたサファイア基板上 | 160 |
| 2003年 2月号 | リチウムイオン電池延命技術 -容量37%増- | 三洋電機 | 日経産業新聞 (2002年11月27日PP.1) | 負極にSi薄膜 凸凹のある銅薄膜 | 250 |
| 2003年 1月号 | 光ディスク -容量250GB開発にメド- | 東芝 パイオニア 日本サムスン 日本ビクター シャープ TDK パルステック工業 産総研 | 日本経済新聞 (2002年10月18日PP.17) | スーパーレンズ 4nmPtO薄膜 青色レーザ80GB・赤色レーザ60～70GB ディジタルハイビジョン映像を20時間録画可能 ライトワンス | 230 330 |
| 2002年12月号 | 超電導体使った小型増幅器 -高感度・携帯基地局向け- | 富士通研 | 日経産業新聞 (2002年9月17日PP.11) 日本工業新聞 (2002年9月17日PP.2) | 受信用 Y系酸化物高温超電導体の薄膜フィルタ 螺旋型共振器 W27×D15×H37cm | 240 340 |
| 2002年11月号 | 高生産性のナノ加工技術 -インプリントで10nm級- | 姫路工大 産総研 NEC NTT 明昌機工 | 日刊工業新聞 (2002年8月8日PP.4) 日刊工業新聞 (2002年8月14日PP.1) | 室温ナノインプリント技術 モールドのパターン一括転写 基板上のポリマー薄膜 | 160 |
| 2002年11月号 | 有機EL用薄膜新材料 -消費電力2割減- | 三菱化学 阪大 | 日経産業新聞 (2002年8月9日PP.1) | 正孔注入層用薄膜材料 導電性高分子ポリピロール+Pd | 150 250 |
| 2002年11月号 | 紫外線でSBT薄膜の結晶構造を制御 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2002年8月20日PP.1) | 強誘電体メモリー 化学溶液法製膜プロセス | 160 230 |
| 2002年10月号 | 高速・簡単に高品質ダイヤ薄膜 | 日本工大 | 日本工業新聞 (2002年7月9日PP.2) | 酸素-アセチレン炎 チャンバーフレーム法 1時間に20μm | 160 |
| 2002年 9月号 | 高速トランジスタ | 富士通研 | 日経産業新聞 (2002年6月12日PP.12) | 動作速度従来の1.5倍 Si・Ge薄膜 pMOS | 220 |
| 2002年 9月号 | LSIの消費電力を1/10に低減するトランジスタ | 松下電器 | 日本経済新聞 (2002年6月20日PP.11) | SiGeのナノ構造薄膜をSi基板に形成 0.5V動作 CMOSトランジスタ | 220 160 |
| 2002年 8月号 | 磁気ヘッド用耐熱材料 | 松下電器 | 日本経済新聞 (2002年5月10日PP.17) | 耐熱温度400℃ NiCoFeの混合薄膜 2nm厚のPtをはさむ | 210 |
| 2002年 8月号 | BN薄膜で電子放出増加 -FEDなどに応用- | 阪大 | 日刊工業新聞 (2002年5月16日PP.4) | プラズマアシスト化学気相法 CNTにBNナノ薄膜被覆 放出電流100倍 | 120 150 |
| 2002年 7月号 | ナノ精度で一括製造する微細加工技術と製造装置 - 材料問わず3次元加工 - | 富士ゼロックス | 日刊工業新聞 (2002年4月2日PP.1) | 断面パターン薄膜 Arビーム清浄 高精度圧接 | 260 |
| 2002年 7月号 | 次世代メモリーMRAM -1Gb以上に- | 産総研 | 日本経済新聞 (2002年4月26日PP.17) 日刊工業新聞 (2002年4月26日PP.5) | 抵抗値変化幅従来の3倍 厚さ1nmのFe単結晶薄膜 TMR素子をシリコンLSI上に作製 | 210 230 |
| 2002年 6月号 | 集光機能薄膜 | ニューガラスフォーラム(NGF) | 日刊工業新聞 (2002年3月15日PP.6) | 記録密度4倍に向上 コバルト・クロム・ジルコニウム系 酸化コバルト系 金属ガラス 柱状結晶 光ディスク | 120 130 |
| 2002年 5月号 | 強誘電体デバイス -記憶と論理演算を同時に- | 東北大 ローム | 電波新聞 (2002年2月4日PP.1) | 機能パスゲート 0.6 μm 1ポリ1メタル Pb(Zr Ti)O 薄膜 | 220 230 |
| 2002年 5月号 | SPRとGWMを応用したで高感度ガスセンサ | 静岡大 | 日刊工業新聞 (2002年2月18日PP.1) | 表面プラズモン共鳴(SPR) Agと色素を混ぜたポリマ薄膜 導波モード(GWM) 1チップ | 210 |
| 2002年 4月号 | 触媒使う薄膜製造技術 -超大型液晶に期待- | 北陸先端大 | 朝日新聞・夕刊 (2002年1月16日PP.12) | 触媒化学気相成長法 タングステン線材 生産性は従来方式の2.5～5倍 低温で製造 大型薄膜の製造方法 | 160 |
| 2002年 3月号 | ダイヤ薄膜に微細な穴形成 | 東大 都立大 | 日本経済新聞 (2001年12月17日PP.19) | 穴径数10nm 加工速度1μm/分 | 160 |
| 2002年 1月号 | 有機薄膜面発光スイッチ -1Tbpsの直列パルス | FESTA | 日刊工業新聞 (2001年10月29日PP.9) | FESLAP 面方光スイッチ スクエアリリウム色素 光カーシャタ | 240 |
| 2001年12月号 | 次世代光ディスク加工技術 -DVDの容量20倍に 赤色半導体レーザ利用- | シャープ 産総研 TDK | 日経産業新聞 (2001年9月11日PP.13) | 原盤加工 吸光発熱薄膜 熱疑固薄膜 幅100nmの線 直径80nmの突起 | 230 160 |
| 2001年12月号 | Si薄膜にナノ穴形成 -電子線を光速照射アモルファス化可能に- | 阪大 | 日刊工業新聞 (2001年9月18日PP.7) | 量子サイズ効果 直径約3mm | 160 |
| 2001年11月号 | 次世代強誘電体メモリー材料 -漏れ電流2桁改善- | 東工大 | 日刊工業新聞 (2001年8月17日PP.5) | SBTN BTTを3割固溶 FeRAM用材料 薄膜化 | 130 |
| 2001年 8月号,9月号 | 丸められる有機EL | 山形大 インテコ長瀬 | 日本経済新聞 (2001年6月22日PP.17) | EL 耐水性向上 特殊なプラスチックフィルム 水をはじく薄膜 サイズ2インチ | 150 250 |
| 2001年 6月号 | カーボンナノコイル -ら旋状化 大量合成に成功- | 大阪府大 | 日刊工業新聞 (2001年4月10日PP.6) | 酸化InとFeの薄膜を設置した電気炉にアセチレンを送り込む | 160 |
| 2001年 6月号 | 薄膜構造のスーパレンズ -トランジスタ 光方式の作動に成功- | 産業技術総合研 他6社 | 日刊工業新聞 (2001年4月20日PP.6) 日本経済新聞 (2001年4月20日PP.17) | 最大60倍に増幅 Ge・AgOなどの多層膜 青色レーザ励起 信号は赤色レーザ 超解像近接場構造 光トランジスタ | 220 120 |
| 2001年 5月号 | デカップリングキャパシタ -ノイズを高効率で吸収- | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2001年3月14日PP.7) | 薄膜キャパシタ 30pH Si基板 チタン酸バリウム・ストロンチウム(BST)セラミック薄膜使用 | 260 |
| 2001年 4月号 | 超音波センサで画像化 | 阪大 | 日刊工業新聞 (2001年2月20日PP.7) | ガスの可視化 PZT薄膜 アレイ形超音波マイクロセンサ 赤外線受光部BST 微分スペクトルイメージ | 210 |
| 2000年11月号 | 光使う微量物質センサ -10種類を同時検出- | NTT KAST | 日経産業新聞 (2000年9月26日PP.1) | 環境ホルモン・微量物質の直接測定 金薄膜 プラズモン波 | 210 |
| 2000年 8月号 | 次世代露光技術に期待 -極度に明るいレンズで高解像度- | 電機大 | 日本工業新聞 (2000年6月7日PP.17) | 薄膜レジスト 極度に明るいレンズ | 160 |
| 2000年 6月号 | 垂直磁気記録技術 -面内を超える高密度- | 日立 超先端電子技術開発機構(ASET) | 日経産業新聞 (2000年4月6日PP.5) 日刊工業新聞 (2000年4月6日PP.6) | GMRヘッド 単磁極形薄膜ヘッド 垂直磁気記録 52.5Gb/in2 2層膜垂直媒体 | 230 130 |
| 2000年 3月号 | 半導体回路微細化で新技術 -線幅0.1μm以下- | 工技院 | 日本経済新聞 (2000年1月31日PP.17) | 半導体 微細化 線幅0.1μm アンチモン薄膜 | 160 |
| 2000年 3月号 | 新CDV法を確立 -0.1μmのトランジスタ- | 豊田工大 | 日経産業新聞 (2000年1月14日PP.5) 日刊工業新聞 (2000年1月14日PP.5) | LSI Si窒化薄膜 電子ビーム プラズマ ゲート絶縁膜 0.1μmルール半導体製造 低温 低圧力 | 160 |
| 2000年 2月号 | 1GHzの微小トランジスタ | 日立 | 日経産業新聞 (1999年12月7日PP.5) | 1GHz ゲート長0.1μm トランジスタ CMOS 2層構造絶縁膜 タングステン薄膜 | 220 |
| 1999年12月号 | FRAM用高性能材料 | ソウル大 | 日経産業新聞 (1999年10月20日PP.5) 電波新聞 (1999年10月25日PP.2) | 強誘電体メモリー BiLaTi 薄膜材料 分極スイッチング疲労 | 230 130 |
| 1999年12月号 | 高感度なMI磁性薄膜 | 名大 スタンレー電気 | 日刊工業新聞 (1999年10月25日PP.15) | MI効果 非晶質ワイヤ 交差磁気異方性薄膜 FeCoB 線形特性 | 120 210 230 |
| 1999年12月号 | FeRAM用微細回路作製技術 | 京大 | 日経産業新聞 (1999年10月28日PP.5) | 誘電体薄膜 Ti溶液 常温・常圧 酸化ホウ素 | 160 |
| 1999年11月号 | シリコン発光素子 | 松下技研 | 日経産業新聞 (1999年9月6日PP.5) | シリコン超微粒子 透明導電薄膜 酸化インジウム | 250 160 |
| 1999年11月号 | シナプスまねし簡便な学習回路 -回路面積1/100以下- | 東工大 | 日刊工業新聞 (1999年9月21日PP.6) 日経産業新聞 (1999年9月22日PP.5) | 神経シナプス 強誘電体膜 SBT FET 適応学習機能 SBT 新トランジスタ SBTの薄膜 ニューラルネットワーク | 520 220 160 |
| 1999年10月号 | ディスプレイの平板化技術 | 高知工科大 | 電波タイムズ (1999年8月9日PP.6) | ダイヤモンド薄膜 | 150 |
| 1999年10月号 | 新形DVD -80時間の画像を記録- | 工技院融合領域研 | 日経産業新聞 (1999年8月26日PP.4) | 近接場光 光ディスク 酸化銀の薄膜 記録容量200GB | 230 |
| 1999年 8月号 | 誘電体10倍の薄膜形成技術 | 東工大 | 日経産業新聞 (1999年6月4日PP.4) | STO レーザ | 120 250 |
| 1999年 7月号 | 新形の薄膜製造装置 -携帯電話の電力節約- | 北陸先端院大 | 日本経済新聞 (1999年5月31日PP.19) | CVD W触媒 | 160 220 |
| 1999年 7月号 | 次世代LSI用分子性レジスト -線幅0.04μm- | 阪大 | 日本工業新聞 (1999年4月30日PP.17) | 電子線照射 新規化学増幅形分子性レジスト(BCOTPB) アモルファス薄膜 | 160 |
| 1999年 7月号 | 固体電子素子で量子コンピュータ動作確認 | NEC 科学技術振興事業団 | 日刊工業新聞 (1999年4月29日PP.5) 日本工業新聞 (1999年4月30日PP.17) | 超電導単一電子帯トンネル素子 Al薄膜 量子コンピュータ | 420 |
| 1999年 4月号 | 超高速の超電導素子 -赤外光超高感度で検出- | ロチェスタ大 モスクワ州立教育大 | 日経産業新聞 (1999年2月5日PP.5) | 窒化ニオブ薄膜 超電導状態 光子1個 250GHz 超電導素子 | 240 220 |
| 1999年 4月号 | ダイヤモンドの光記憶現象 | 宇都宮大 | 日本工業新聞 (1999年2月5日PP.1) | ボロンドープP形ダイヤモンド薄膜 MPCVD法 ダイヤモンド写真現象 | 130 |
| 1999年 1月号 | インジウム リンの半導体製造技術 -超微細 薄膜で新技術- | 通信 放送機構 | 日刊工業新聞 (1998年11月10日PP.5) | InP 高精度微細加工 超導膜成長 高速動作 静電誘導トランジスタ ISIT TBPガス TEIガス ディジタルエッチング 分子層成長 | 160 |
| 1998年12月号 | 磁気ヘッド用薄膜材料 -記録密度1.5倍に- | 日本ビクター | 日経産業新聞 (1998年10月7日PP.1) | ハイテスラ 1GB HDD VTR 記録用磁気ヘッド 薄膜ヘッド 窒化鉄 | 230 |
| 1998年10月号 | 弱い電子線でも明るく | 静岡大 | 日経産業新聞 (1998年8月31日PP.5) | Ga S Srの蒸着薄膜 0.5μm 2kV 60μA/cm2で40cdの発光 | 150 |
| 1998年 9月号 | 放出効率50%の電子放出素子 | 阪大 | 日経産業新聞 (1998年7月24日PP.5) | 単結晶ダイヤモンド薄膜 電子放出 気相合成 表示用素子 放出電流 放出効率50% ダイヤモンド | 250 |
| 1998年 9月号 | 超高速光スイッチ用有機薄膜 -室温300fs動作- | FESTA | 日刊工業新聞 (1998年7月13日PP.1) | 光スイッチ スクェアリリウム(SQ)色素 有機薄膜 J会合体 超高速光スイッチング 光電変換用色素 | 240 |
| 1998年 8月号 | 高記録密度光ディスク -記録密度 DVDの15倍- | 工技院融合研 | 日本経済新聞 (1998年6月20日PP.11) 日経産業新聞 (1998年6月22日PP.5) | 光ディスク DVD 近接場光 アンチモン アンチモン薄膜 大容量記録 160nm直径の光スポット 波長680nm | 230 |
| 1998年 8月号 | 薄型CRT「HyFED」 | FEPET社(米) | 電波新聞 (1998年6月11日PP.2) | ダイヤモンド/カーボン薄膜 冷陰極 CRT 大型ディスプレイ フィールドエミッション | 250 |
| 1998年 6月号 | プラスチック発光薄膜 -レーザ照射で発光- | 北工研 | 日経産業新聞 (1998年4月20日PP.4) | プラスチック発光薄膜 | 150 250 |
| 1998年 5月号 | 超電導薄膜材料 -絶対温度100°で使用可能- | 超電導工学研 | 日経産業新聞 (1998年3月27日PP.5) | 水銀を含む銅酸化化合超電導薄膜 磁気センサ 100K動作 1.5MA/cm2 | 120 210 |
| 1998年 4月号 | 波長より小さな穴に光透過 | NEC北米研 | 電波新聞 (1998年2月14日PP.2) | 波長1370nmの赤外光 厚さ200nmの銀薄膜 穴の直径が波長の約1/10で光強度2倍 | 130 |
| 1998年 2月号 | HDD向け薄膜技術 | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1997年12月25日PP.1) | GMRヘッド GMRヘッド用材料 3.5インチディスクに40GB | 230 130 210 |
| 1998年 2月号 | 透過力強いX線を反射する鏡 | 名大 | 日本経済新聞 (1997年12月6日PP.11) | 硬X線 多層膜スーパミラー 白金 炭素の薄膜 | 210 160 |
| 1998年 1月号 | 薄型軽量フラットパネルディスプレイ -実用化開発に着手- | 高知工科大 カシオ | 日刊工業新聞 (1997年11月21日PP.6) | フラットパネルディスプレイ 薄膜ダイヤモンド半導体 薄膜ダイヤ | 250 |
| 1997年 6月号 | 紫外光をレーザ発振する新材料 | 東工大 | 日本経済新聞 (1997年4月26日PP.10) | 紫外光をレーザ発振 パルスレーザ分子結晶成長 酸化亜鉛薄膜材料 | 230 250 150 |
| 1997年 6月号 | VTRヘッド -薄膜磁気で容量10倍- | 日本ビクター | 日経産業新聞 (1997年4月21日PP.1) | トラック幅10μm | 230 330 |
| 1997年 5月号 | 電子放出素子 -高効率で放出- | パイオニア | 日経産業新聞 (1997年3月18日PP.11) 電波新聞 (1997年3月18日PP.1) 電波新聞 (1997年3月19日PP.6) | 放出効率30% MIS構造 白金薄膜 多結晶Si HEED フラットパネルディスプレイ 効率30% 発光素子 電子放出 MISダイオード構造 高効率電子放出素子 | 150 250 |
| 1997年 4月号 | 電子放出素子 -ダイヤモンド薄膜使用，ディスプレイ応用-木村) | 阪大 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1997年2月21日PP.5) | 薄膜 FED 電子放出素子 ダイヤモンド薄膜 効率2% 薄型ディスプレイ | 250 |
| 1997年 3月号 | 磁界とプラズマ併用し，薄膜形成 | 理科大 | 日経産業新聞 (1997年1月20日PP.5) | 磁力で高ガス密度 60℃で絶縁膜形成 有磁界プラズマ装置 | 160 |
| 1997年 3月号 | 半導体薄膜製造技術 -電子線照射，室温で製造- | 三菱重工 | 日経産業新聞 (1997年1月20日PP.5) | 半導体薄膜 室温 成長速度0.015μm/6H 室温で絶縁膜 半導体膜 金属膜を形成 | 160 |
| 1997年 2月号 | 薄膜リボン型太陽電池 -両面発電 効率アップ- | 荏原 | 日経産業新聞 (1996年12月30日PP.1) | リボン型単結晶Si 100μm厚 変換効率28%目標 | 150 250 |
| 1996年12月号 | レーザ受光素子-電子回路と一体化 -レーザ受光素子/電子回路と一体化 | NTT | 日経産業新聞 (1996年10月23日PP.4) | レーザ 受光素子 チップ Si電子回路 化合物半導体薄膜 | 160 220 250 |
| 1996年 9月号 | 光触媒薄膜の固定化技術 -半永久的に超親水効果- | TOTO | 日刊工業新聞 (1996年7月24日PP.19) | 光触媒超親水性 表面に安定した水薄膜 くもらないガラス | 110 |
| 1996年 9月号 | 超電導体の薄膜技術でジョセフソン効果 | 三洋電機 | 日経産業新聞 (1996年7月10日PP.4) 電波新聞 (1996年7月10日PP.1) | ジョセフソン素子 85Kでも高速スイッチング タリウム系 伝搬遅延0.05ps 薄膜 超電導 | 220 140 |
| 1996年 6月号 | 透明セラミックス薄膜合成 -透明トランジスタに道- | 東工大 | 日経産業新聞 (1996年4月8日PP.5) | 透明セラミックス 透明トランジスタ 酸化ガリウム銅 液晶ディスプレイ用 透明 うすい黄色 P型半導体 | 120 150 |
| 1996年 6月号 | 低コストの薄膜製造装置 -大型PDPの画質向上- | 中外炉工業 | 日経産業新聞 (1996年4月1日PP.1) | PDP 製造装置 透明導電膜 | 160 250 |
| 1996年 5月号 | 酸化物結晶薄膜 | 東芝 | 日経産業新聞 (1996年3月20日PP.4) | 導電性 超電導性 絶縁性 強磁性 MBE法 | 160 |
| 1996年 5月号 | 赤外線撮影装置 -冷却装置不要で小型- | NEC | 日刊工業新聞 (1996年3月22日PP.13) | 赤外線カメラ チタン薄膜 10μm帯 | 310 |
| 1996年 3月号 | 室温で均質な大面積薄膜 -水溶液から簡単合成- | 京大 | 日刊工業新聞 (1996年1月26日PP.9) | 燃料電池 セラミック薄膜 | 150 250 |
| 1995年11月号 | 非線形光学素子 -光変換効率2～3倍に- | 通信総研 | 日経産業新聞 (1995年9月6日PP.5) | 非線形光学素子 分子線エピタキシ法 有機薄膜 | 240 120 |
| 1995年11月号 | ダイヤ使う高性能ダイオード -平坦な薄膜合成に成功- | 電総研 | 日刊工業新聞 (1995年9月1日PP.5) 日経産業新聞 (1995年9月1日PP.5) | ダイヤモンド ダイオード プラズマエッチング | 160 220 |
| 1995年 3月号 | 非線形光学薄膜 -半導体薄膜の光透過性制御- | 三菱電機 | 電波新聞 (1995年1月13日PP.2) 日本工業新聞 (1995年1月13日PP.8) | 非線形光学薄膜 半導体薄膜 非線形光学現象 小入力制御 | 120 240 |
| 1995年 3月号 | 1GbDRAM用キャパシタ | NEC | 日経産業新聞 (1995年1月5日PP.5) | 1Gb チタン酸ストロンチウム 1GbDRAM 高誘電率薄膜 | 230 130 |
| 1995年 3月号 | ダイヤモンド膜を使った薄型ディスプレイ -米，官民共同で開発- | 米商務省 SIダイヤモンドテクノロジー | 日経産業新聞 (1995年1月4日PP.1) | ダイヤモンド薄膜 フラットパネル 薄型ディスプレイ | 250 |
| 1994年10月号 | 赤色薄膜材料 -エレクトロクロミック素子向け新表示デバイスに利用- | 農工大 | 日刊工業新聞 (1994年8月2日PP.6) | エレクトロクロミック素子用薄膜材料 エレクトロクロミックディスプレイ | 250 |
| 1994年 9月号 | 高性能電波望遠鏡 -600GHz微弱信号をキャッチ- | 通信総研 | 日経産業新聞 (1994年7月1日PP.5) | 受信素子 超電導薄膜素子 SIS構造 電波望遠鏡 600GHz 無線通信 超高周波 低雑音 | 340 220 120 210 |
| 1994年 8月号 | 初の21型TFTカラー液晶ディスプレイ | シャープ | 電波新聞 (1994年6月9日PP.1) 日経産業新聞 (1994年6月9日PP.8) 日本経済新聞 (1994年6月9日PP.12) 日本工業新聞 (1994年6月9日PP.7) 日刊工業新聞 (1994年6月9日PP.7) | 21インチテレビ 液晶ディスプレイ 大画面化 液晶表示装置 TFT LCD ディスプレイ a-Si薄膜トランジスタ 厚さ27mm | 250 350 |
| 1994年 7月号 | 応答速度10倍以上の液晶材料 | 東工大資源科学研 | 日刊工業新聞 (1994年5月25日PP.9) | ポリマー薄膜 200μs 液晶材料 | 150 250 |
| 1994年 5月号 | フォトクロミック有機薄膜 -記録する点，直径0.2μmに- | 九大 | 日経産業新聞 (1994年3月28日PP.5) | 光ディスク用有機薄膜 0.2μm(面積1/16に) | 130 |
| 1994年 5月号 | 高密度記録磁気材料CoCr薄膜 | NTT原子研 | 日刊工業新聞 (1994年3月23日PP.11) 日本工業新聞 (1994年3月23日PP.6) 朝日新聞 (1994年3月23日PP.12) | 磁気記録材料 CoCr微細磁気構造 超微細磁気構造 8nm 10Gb/cm2 | 130 |
| 1994年 3月号 | フラーレン単結晶薄膜化 | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1994年1月12日PP.1) | 炭素物質フラーレン ICB法 マイカ基板 フラーレン(C60) 1cm2 膜厚15nm 半導体材料 t=15nm | 120 |
| 1993年11月号 | LSIの障害電波抑制技術 | 松下電子 | 日経産業新聞 (1993年9月2日PP.1) | 不要電波抑制 強誘電体薄膜 | 120 220 |
| 1993年10月号 | 基板上にトランス一体化 | NTT | 日経産業新聞 (1993年8月24日PP.5) | 変圧器 薄膜トランジスタ 5mm角 厚さ0.4mm | 250 220 |
| 1993年 9月号 | 電子を放出する薄膜 | NHK | 日本工業新聞 (1993年7月20日PP.15) | 陰極材料 フラットディスプレイ 薄膜冷陰極 平面テレビ | 150 250 |
| 1993年 8月号 | 静電容量型差圧センサ | 東芝 | 日本工業新聞 (1993年6月21日PP.17) | センサ Si薄膜 耐圧性はピエゾの10倍 感度500Pa以下 | 210 |
| 1993年 6月号 | 全可視光透過YIG磁性薄膜 | 成蹊大 | 日刊工業新聞 (1993年4月2日PP.7) | 磁性材料 イットリウム 鉄 ガーネット(YIG) 全可視光透過 | 120 150 |
| 1993年 4月号 | 超高速トランジスタ | 東工大 | 日経産業新聞 (1993年2月16日PP.5) | 超薄膜 HET -196℃ 従来の5～6倍速 金属 絶縁体Tr コバルトシリサイト フッ化カルシウム 分子線結晶成長法 800GHz | 220 |
| 1993年 3月号 | 超電導薄膜を量産化 | 同和鉱業 | 日経産業新聞 (1993年1月6日PP.1) | 超電導薄膜 MOCDV法 | 220 120 |
| 1992年12月号 | 薄膜トランジスタ型液晶ディスプレイ -視野角を4倍に拡大- | NEC | 日刊工業新聞 (1992年10月13日PP.6) | 250 | |
| 1992年12月号 | 窒化鉄磁性薄膜新成膜技術 | リコー | 電波新聞 (1992年10月30日PP.2) | 260 | |
| 1992年12月号 | 光当てると自ら発光するEL素子 | 阪大 | 日経産業新聞 (1992年10月23日PP.5) | EL素子 光導電薄膜層 書込型ディスプレイ | 250 |
| 1992年12月号 | ジョセフソン接合素子 | NTT | 日経産業新聞 (1992年10月2日PP.5) | 超電導薄膜 ジョセフソン素子 段差接合 | 220 |
| 1992年12月号 | 超電導小型アンテナ | NTT | 日本工業新聞 (1992年10月2日PP.18) | 移動体通信 小型アンテナ 1/40λ 利得-5.3dB/900 超電導薄膜 | 340 |
| 1992年11月号 | 396GHzGのジョセフソン素子 | 工技院 | 日刊工業新聞 (1992年9月14日PP.7) | 従来は302GHz ニオブ薄膜平面型 ブリッジ素子 | 220 |
| 1992年11月号 | 高速非線形光学材料 | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1992年9月12日PP.1) | 非線形光学材料 超格子薄膜 応答時間40ps 光集積回路 Se化亜鉛系半導体 | 220 130 |
| 1992年11月号 | ジョセフソン素子で高周波測定 -サブミリ波検出- | 神戸製鋼 | 日経産業新聞 (1992年9月8日PP.1) | 超電導薄膜 ジョセフソン電磁波検出器 サブミリ波 ジョセフソン素子 170GHz検出 高品位通信 | 220 210 |
| 1992年11月号 | 導電性高分子利用の薄膜トランジスタ | 三菱電機 | 電波新聞 (1992年9月4日PP.6) 日経産業新聞 (1992年9月4日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年9月4日PP.5) 日本工業新聞 (1992年9月4日PP.15) | 導電性高分子 薄膜Tr ポリマートランジスタ ポリチエニレンビニレン | 220 120 |
| 1992年11月号 | フラーレン，導膜導電性を自由に制御する技術 -フラーレンC60使った半導体材料に道- | 三菱電機 | 電波新聞 (1992年9月2日PP.8) 日経産業新聞 (1992年9月2日PP.4) 日刊工業新聞 (1992年9月2日PP.7) | ICB法でC60の薄膜作製 サッカーボール型炭素分子フラーレン ICB法 | 120 |
| 1992年 6月号 | Si表面にC60単結晶薄膜形成 | 東北大 三重大 | 日刊工業新聞 (1992年4月3日PP.1) | C60 :半導体/絶縁体/金属/超電導にもなる未来材料 | 100 120 |
| 1992年 6月号 | 有機薄膜特性を2.5倍向上 | NTT | 日刊工業新聞 (1992年4月1日PP.6) | 光メモリー スイッチ材料 3次元線形特性改善 ICB法 | 120 130 |
| 1991年12月号 | トンネル接合素子 | 三洋電機 | 電波新聞 (1991年10月12日PP.2) 日経産業新聞 (1991年10月12日PP.5) 日刊工業新聞 (1991年10月12日PP.5) | BKBOエピタキシャル薄膜 超電導論理素子 トンネル接合素子 高温超電導素子 | 220 |
| 1991年10月号 | 高速 低電圧動作の新型素子 -電子走行層厚み0.15μm- | 東芝 | 日刊工業新聞 (1991年8月16日PP.5) | 薄膜SOIに匹敵のSJET SJET | 220 260 |
| 1991年10月号 | ダイヤ薄膜トランジスタ -多結晶ダイヤをIC化- | 神戸製鋼 | 日経産業新聞 (1991年8月12日PP.1) | ダイヤ薄膜トランジスタ 高温，放射線に強いFET | 220 |
| 1991年 8月号 | 有機薄膜素子試作 | 東芝 | 日経産業新聞 (1991年6月24日PP.5) | 記録 光メモリーや波長変換素子に利用 | 120 130 |
| 1991年 7月号 | 3色表示のマルチカラー薄膜EL -来年度商品化- | シャープ | 電波新聞 (1991年5月21日PP.2) | EL | 250 |
| 1991年 7月号 | 有機SHGで青色レーザ -PMMAに色素加え- | 慶大 | 日刊工業新聞 (1991年5月14日PP.5) | 薄膜導波路型SHG(第2高調波)素子 406nm レーザ光波長を半分にする変換効率は約1% 10W出力 第2高調波で変換効率1% | 250 |
| 1991年 5月号 | 青緑色レーザ発振に成功 | 京大 | 日刊工業新聞 (1991年3月15日PP.7) | 半導体レーザ -族青緑色で初 540nm(17℃)→490nm MQW11層と井戸層の薄膜化 | 250 |
| 1991年 4月号 | 米粒大の光・電気変換装置 -微小機械の動力源に- | 東北学院大 | 日経産業新聞 (1991年2月5日PP.0) 日刊工業新聞 (1991年2月5日PP.0) | マイクロマシンの駆動力公電変換 フォトセル 多尺 薄膜トランス電極をSi基板上に一体形成 3.0mm×1.4mmの大きさ830mm 130mW光で510mV(1kl)の出力 変換効率5～10% | 310 |
| 1991年 2月号 | 新素材による超高速素子 | 新技術事業団 | 日刊工業新聞 (1991年1月9日PP.0) | 有機薄膜トランジスタ 1μm/sで移動速度700倍 | 220 |
| 1991年 2月号 | 1原子層ずつ制御の薄膜形成 | 日電 | 日刊工業新聞 (1990年12月26日PP.0) | 260 | |
| 1991年 1月号 | 高温超電導体薄膜でジョセフソン素子 | 東芝 | 日経産業新聞 (1990年11月26日PP.0) | 260 160 | |
| 1991年 1月号 | 64Mb級DRAMの10nm厚極薄窒化Si膜形成技術 | 沖電気 | 電波新聞 (1990年11月16日PP.0) | 急速加熱法で極薄膜のSiN 純酸素を亜酸化窒素に置き換え | 260 |
| 1990年12月号 | 1万倍の高密度光ディスク | 東大 | 日経産業新聞 (1990年10月18日PP.0) | 光電気的記録1000b/μm アゾベンデソ誘導体薄膜 記録:レーザ光+斜状電極 電圧印加(還元)→ヒドロアゾベシデン 再生:吸収光波長/電圧印加時の電流 消去:酸化 | 230 |
| 1990年 9月号 | 1μmの薄膜アモルファス | 三菱レーヨン | 日経産業新聞 (1990年8月3日PP.0) | アモルファス合金 従来20μm | 160 |
| 1990年 9月号 | 酸化物1層制御の新薄膜製法 | 東工大 住友セメント | 日刊工業新聞 (1990年8月2日PP.0) | 酸化セリウム3Aを30層 | 260 |