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| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
| 2017年 6月号 | テラヘルツ波100倍高感度で検出 | 理研 東工大 | 日刊工業新聞 (2017年3月20日PP.13) | 室温動作 光波長変換技術 共鳴トンネルダイオード | 210 |
| 2016年12月号 | TMR素子開発 室温で抵抗変化率92% | 産総研 | 日刊工業新聞 (2016年9月19日PP.14) | 世界最高性能の半導体系のトンネル磁気抵抗(TMR)素子 磁気抵抗素子(TMR) 超省電力 抵抗変化率92% | 220 230 |
| 2016年11月号 | MRAM素子 薄膜で構成 | 東北大など | 日刊工業新聞 (2016年8月18日PP.1) | 磁気トンネル接合素子の出力を従来比約2倍の200mV メモリー MRAM タングステン | 230 |
| 2015年 3月号 | トンネルFETの長寿命化を実証 http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2014/pr20141216_2/pr20141216_2.html | 産総研 | 日刊工業新聞 (2014年12月17日PP.23) | 電界効果トランジスタ(MOSFET)に比べて10万倍以上長寿命，センサネットワーク回路の駆動に必要な相補型金酸化膜半導体の構成に使用 | 220 |
| 2014年 3月号 | より低電圧で動作するトンネルFET | 東大 | 日経産業新聞 (2013年12月18日PP.6) 日刊工業新聞 (2013年12月27日PP.13) | Znの拡散による不純物分布を持つ新型接合技術 動作電圧0.3V 接合部にZn拡散 従来の1/3の電圧で動作 | 220 260 120 |
| 2014年 1月号 | 高感度なスピントルクダイオード | 阪大 産総研 | 日刊工業新聞 (2013年10月21日PP.16) | 磁気トンネル接合素子 半導体ダイオードの3倍感度 ナノサイズ磁石利用 非線形効果 | 220 |
| 2013年 9月号 | 動作電流が大きなトンネルFET | 産総研 | 日経産業新聞 (2013年6月11日PP.9) 日刊工業新聞 (2013年6月13日PP.21) | 合成電界効果トンネルFET 立体構造 | 220 |
| 2013年 6月号 | テラヘルツ波で透過画像を得るモジュール | パイオニア ローム | 日刊工業新聞 (2013年3月26日PP.8) | 共鳴トンネルダイオード 樹脂ケース内部をX線を使わずに透過 | 210 |
| 2012年 7月号 | 動作寿命10年間のMRAM | 超低電圧デバイス技術研究組合 | 日刊工業新聞 (2012年4月17日PP.20) | MTJ素子のトンネル絶縁膜層を分割して作成 0.5V以下の低い電圧で10年間安定動作 MRAM混載LSI 低消費電力 次世代の不揮発性磁気メモリー | 230 |
| 2012年 2月号 | 光通信並みの速さの無線通信素子 | 阪大 ローム | 日刊工業新聞 (2011年11月22日PP.8) 日経産業新聞 (2011年11月22日PP.10) | 300GHz 1.5×3.0mmの半導体基板 1.5Gbps伝送 トンネル効果 縦1cm 横2cmの大きさの素子 テラヘルツ波の送受信 | 240 120 340 440 |
| 2011年10月号 | 熱で情報を入力する新現象 | 産総研 オランダ基礎科学財団 | 日刊工業新聞 (2011年7月5日PP.22) | ゼーベック・スピントンネル現象 熱を利用して磁性体の電子スピンが持つデジタル情報をSi中に入力 | 230 120 |
| 2011年 6月号 | GaMnAs半導体の強磁性発現の構造発見 | 東大 | 日刊工業新聞 (2011年3月3日PP.22) | 共鳴トンネル分光法 フェルミ準位の位置を解明 | 120 |
| 2010年 8月号 | スピンRAMの5Gb超の大容量化技術 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2010年5月14日PP.18) 日経産業新聞 (2010年5月14日PP.10) | トンネル磁気抵抗素子(TMR素子) MgO層の厚さを約1nmに 高いスピン分極 磁気抵抗比85% 素子抵抗値約4Ωμm2 | 230 |
| 2010年 3月号 | スピンMOSトランジスタの基本技術 | 東芝 | 電波新聞 (2009年12月9日PP.1) | 電子スピン ロジックLSI メモリー機能 磁気トンネル接合 スピン注入磁化反転 | 230 |
| 2009年11月号 | 室温で世界最高の磁気抵抗効果を示す素子 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2009年8月6日PP.25) | 2枚の強磁性膜に絶縁膜を挟む構造 強磁性トンネル接合(MTJ) 二重トンネル障壁MTJ 中間磁性膜厚さ1.2nm 電圧約±0.1Vで磁気抵抗効果最大 | 120 230 |
| 2009年 6月号 | 2層CNTの内部構造を観察する技術 | 日立 名大 東北大 | 日経産業新聞 (2009年3月23日PP.12) | 走査型トンネル顕微鏡(STM) 電子の干渉 先端直径30nm以下のSTM探針 0.1V印加 外側の直径2nm 内側の直径1.4nmの2層CNT 画像処理で電子の密度を色の濃淡で示す | 120 360 |
| 2009年 4月号 | フラーレン-コバルト薄膜のTMR効果の機構解明 | 原子力機構 自然科学研究機構 東北大 東大 | 日刊工業新聞 (2009年1月23日PP.22) | 巨大トンネル磁気抵抗 スピン偏極 X線磁気円偏光2色性分光 局在スピン | 120 |
| 2009年 2月号 | 書換え電流抑え微細化したMRAM技術 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2008年11月12日PP.1) | スピン注入磁化反転方式 書換え電流従来比1/3程度 磁気トンネル接合素子(MTJ) | 220 230 |
| 2008年11月号 | 高性能強磁性トンネル接合素子で高周波発振に成功 | 阪大 産総研 キヤノンアネルバ | 日刊工業新聞 (2008年8月29日PP.31) | 数-10GHz 発振出力約0.2μW 磁極フリー層(CoFeB) 絶縁性のトンネル障壁層(MgO) 磁極固定層(CoFeB)の3層構造 スピンの歳差運動 同素子を70nm×160nm断面の柱状に加工 | 120 220 |
| 2007年 3月号 | MRAM大容量化に道を開く磁性体加工の新技術 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2006年12月5日PP.1) | パルス変調プラズマ方式 磁性体膜の揮発性の大幅向上 磁性特性の劣化改善 磁気トンネル接合素子 | 160 |
| 2006年 7月号 | 共鳴トンネルダイオード使用で新回路動作に成功 | 上智大 独デュースブルク・エッセン大 | 日刊工業新聞 (2006年4月6日PP.24) | 超電導ジョセフソン接合素子(JJ) 室温で200GHz動作可能 4RTD回路 Al・Asの二重障壁層とIn・Ga・As系の積層構造で井戸層からなるRTD 試作サイズ15〜25μm2 論理積(AND)論理和(OR)回路 | 160 120 220 |
| 2006年 2月号 | 磁気抵抗比55%のMRAM -パーマロイ系材料を使用- | 東芝 NEC | 日刊工業新聞 (2005年11月2日PP.26) | 磁気トンネル接合(MTJ)の磁気固定層にAl2O3のトンネル絶縁層を介してNiFeのパーマロイ系フリー層を積層 新キャップ層として非磁気層のNiFeZr 512KbMRAM試作 | 160 230 120 |
| 2005年 9月号 | MRAM新型セル -2つのトンネル接合直列に- | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2005年6月17日PP.25) | 磁気トンネル接合(MTJ) 高信頼性 歩留まり向上 読出しに電圧センス方式 | 230 |
| 2005年 6月号 | トンネルダイオード(RTD)新論理回路開発 | 上智大 | 日刊工業新聞 (2005年3月18日PP.26) | 超電導ジョセフソン接合素子(JJ) 微分負性抵抗(NDR) 4JJ論理回路のJJをRTDに置き換え すべての論理回路構成可能 室温で200GHz動作予測 | 120 140 |
| 2005年 3月号 | トンネル絶縁膜厚さ2.7nmのフラッシュメモリー -二重接合技術で実現- | 東芝 | 日刊工業新聞 (2004年12月17日PP.33) | 1nmの2枚のシリコン酸化膜で2nm径のシリコン微結晶をサンドウィッチ クーロンブロッケード効果 単一電子素子 | 160 230 |
| 2004年12月号 | 走査型トンネル電子顕微鏡(STM) -半導体の不純物分布を数ナノレベルで計測- | 半導体MIRAIプロジェクト | 日経産業新聞 (2004年9月6日PP.7) | Si表面をNH4Fで処理 洗浄用純水中の酸素濃度を減らし 映像ノイズを減らす | 660 360 |
| 2004年11月号 | 高温超電導の仕組みの一端を解明 -格子状の電子分布- | 理化学研 JST | 日刊工業新聞 (2004年8月26日PP.25) 日経産業新聞 (2004年8月26日PP.7) | 銅酸化物二次元面を走査型トンネル電子分光で擬ギャップ状態を観察 カルシウム銅オキシクロライド | 120 660 |
| 2004年 6月号 | 単結晶トンネル磁気抵抗素子(TMR) -記憶容量10倍- | 産総研 JST | 日経産業新聞 (2004年3月3日PP.8) 日刊工業新聞 (2004年3月3日PP.25) | MRAM 室温で磁気抵抗88% 出力電圧380mV MgO | 230 |
| 2007年 3月号 | MRAM大容量化に道を開く磁性体加工の新技術 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2006年12月5日PP.1) | パルス変調プラズマ方式 磁性体膜の揮発性の大幅向上 磁性特性の劣化改善 磁気トンネル接合素子 | 160 |
| 2006年 7月号 | 共鳴トンネルダイオード使用で新回路動作に成功 | 上智大 独デュースブルク・エッセン大 | 日刊工業新聞 (2006年4月6日PP.24) | 超電導ジョセフソン接合素子(JJ) 室温で200GHz動作可能 4RTD回路 Al・Asの二重障壁層とIn・Ga・As系の積層構造で井戸層からなるRTD 試作サイズ15〜25μm2 論理積(AND)論理和(OR)回路 | 160 120 220 |
| 2002年10月号 | 「スピン偏極共鳴トンネル効果」発見 -新機能素子実現に道- | 産業総研 科学技術振興事業団 | 日本工業新聞 (2002年7月12日PP.2) 日本経済新聞 (2002年7月12日PP.17) | スピン偏極共鳴トンネル効果 厚さ3μmのCuと単結晶Co 素本偏極量子井戸準位確認 | 120 220 230 |
| 2002年 6月号 | シリコン系素材で共鳴トンネル効果 | 静岡大 | 日刊工業新聞 (2002年3月4日PP.8) | 光デバイスとの一体化回路の微細化に有効 -258℃〜-173℃で電流ピークを確認厚さ2mm | 120 220 |
| 2001年 6月号 | 新トランジスタ -3種類の信号で複雑演算可能に- | NEC | 日本経済新聞 (2001年4月6日PP.17) | 多値トランジスタ GaAs 2ヶ所のトンネル接合 | 220 |
| 2001年 4月号 | スピンSTMで新手法 -原子レベルで磁化分布検出- | 東芝 | 日刊工業新聞 (2001年2月22日PP.1) | スピン走査トンネル顕微鏡 ダブルバイアス法 分解能1nm トンネル電流1nA以下 | 360 |
| 2001年 4月号 | 任意の位置に分子1個分の配線 | 理化学研 | 日刊工業新聞 (2001年2月8日PP.6) 日経産業新聞 (2001年2月8日PP.12) | ジアセチレン化合物分子 ナノ細線 走査形トンネル顕微鏡(STM) | 160 |
| 2000年 6月号 | 微細な磁界分布を観察する顕微鏡 | 東海大 | 日刊工業新聞 (2000年4月6日PP.6) | 走査形マイクロホールプローブ顕微鏡(SHPM) ホールセンサ 走査トンネル顕微鏡 1μm以下の分解能 | 360 |
| 2000年 3月号 | 次世代HDD用トンネルMRヘッド | NEC | 日本工業新聞 (2000年1月28日PP.25) | HDD 再生ヘッド TMRヘッド 40〜50Gb/in2 INO法 | 230 210 |
| 1999年12月号 | 次世代HDD用スピントンネル素子 | NEC | 日本工業新聞 (1999年10月14日PP.15) | スピントンネル素子 トンネル効果 スピン効果 MR比30% 40Gb/in2 | 210 230 |
| 1999年 7月号 | 固体電子素子で量子コンピュータ動作確認 | NEC 科学技術振興事業団 | 日刊工業新聞 (1999年4月29日PP.5) 日本工業新聞 (1999年4月30日PP.17) | 超電導単一電子帯トンネル素子 Al薄膜 量子コンピュータ | 420 |
| 1998年12月号 | 室温で巨大トンネル磁気抵抗効果を示す新材料 | アトムテクノロジー研究体 (JRCAT) | 日経産業新聞 (1998年10月15日PP.5) 日刊工業新聞 (1998年10月15日PP.5) | セラミックス 巨大トンネル磁気抵抗効果(TMR) コロッサル磁気抵抗(CMR) ストロンチウム 鉄 モリブデン 二重ペロブスカイト構造 トンネル伝導 高密度記録ヘッド | 120 130 |
| 1998年11月号 | DRAMを越える新メモリー-MRAM- | 東芝 | 日本経済新聞 (1998年9月19日PP.11) | 固体磁気メモリー MRAM 大容量 高速読出し アルミナ絶縁層 PtCo合金 強磁性二重トンネル接合 フォトリソグラフィ 読出し速度6ns 不揮発性メモリー | 230 |
| 1998年10月号 | 単一電子メモリー -室温で単一電子動作- | 電総研 | 日経産業新聞 (1998年8月26日PP.4) | 単一電子メモリー 室温動作 多重トンネル接合 | 230 220 |
| 1998年10月号 | サブミクロンサイズのジョセフソン素子 -高温超電導単結晶を採用- | 東北大 | 日経産業新聞 (1998年8月21日PP.5) 電波新聞 (1998年8月21日PP.2) | 超電導素子 ジョセフソン素子 単一電子の制御 素子の微細化 超電導 FIB加工技術 BiSrKCu酸化物 面積1μmで単電子 トンネル効果 液体ヘリウム温度動作 | 120 220 |
| 1998年 8月号 | 0.4V以下の超低電圧Si量子素子 | 松下電器産業 | 電波新聞 (1998年6月24日PP.1) 日刊工業新聞 (1998年6月24日PP.11) 日経産業新聞 (1998年6月24日PP.5) | トンネル障壁 酸化膜 負性特性 エサキダイオード 消費電力 Si量子素子 超低電圧駆動 多結晶Si 量子化機能素子 3nm以下の薄いSi酸化膜 負性抵抗素子 3素子でメモリー | 220 120 |
| 1998年 8月号 | 超小型トランジスタ -金属使い集積度100倍- | 北陸先端院大 海軍研究所(米) | 日本経済新聞 (1998年6月22日PP.19) | 金属製トランジスタ トンネル効果 高集積 LSI 高集積化 | 220 120 |
| 1998年 5月号 | 走査型トンネル顕微鏡 -144個の原子を一挙に操作- | 米コーネル大 | 日経産業新聞 (1998年3月24日PP.5) | 走査型トンネル顕微鏡 STM 大容量メモリー 原子記憶素子 | 360 230 |
| 1998年 2月号 | 単一電子素子スイッチ | NTT | 日経産業新聞 (1997年12月10日PP.5) 電波新聞 (1997年12月10日PP.2) | 単一電子素子 トンネル効果 電子1個を電流制御 | 220 |
| 1998年 1月号 | 4000%の磁気抵抗効果を観測 | アトムテクノロジー研究体(JRCAT) | 日刊工業新聞 (1997年11月26日PP.6) | 層状マンガン酸化物 トンネル磁気抵抗 | 120 130 |
| 1998年 1月号 | スピントンネル素子 -電気抵抗2ケタ低減- | NEC | 日刊工業新聞 (1997年11月7日PP.5) | スピントンネル素子 次世代HDD用 Fe/Al2O3/CoFe 真空連続成膜 2.4μΩ/cm2 | 210 230 |
| 1997年12月号 | SRAM小型化技術 | 東芝 | 日経産業新聞 (1997年10月15日PP.5) | トンネル効果 3トランジスタ 負性抵抗 NOSトランジスタ SOI構造 0.35μmプロセス 室温動作 | 220 230 |
| 1997年10月号 | 単一電子メモリー -3値でデータを蓄積- | 農工大 | 日経産業新聞 (1997年8月27日PP.5) | 半導体メモリー 多値記録 コンデンサをトンネル接合でサンドイッチ シミュレーション | 130 230 |
| 1997年10月号 | 超高速の半導体素子 | ソニー 他 | 日本経済新聞 (1997年8月25日PP.19) | 半導体素子 量子化機能素子 共鳴トンネルダイオード | 220 |
| 1997年 7月号 | 多値回路用トランジスタ | NEC | 日経産業新聞 (1997年5月19日PP.5) | 負性抵抗 多ピーク 多値回路用トランジスタ GaAs 複数のトンネル接合 3値電流出力 メモリーを試作 | 220 |
| 1997年 1月号 | 原子細線パターニング | 日立製作所 東大 | 日刊工業新聞 (1996年11月7日PP.6) | 原子リレートランジスタ 原子操作 走査トンネル顕微鏡 Si 原子細線 | 120 160 660 |
| 1996年11月号 | 多値論理回路試作 | NTT | 日経産業新聞 (1996年9月23日PP.4) | 共鳴トンネル素子 HEMT InGaAs系 多値回路 4値 室温動作 | 220 |
| 1996年10月号 | Tb級メモリー | 富士通 | 電波新聞 (1996年8月26日PP.6) | メモリー Tb 共鳴トンネル効果 | 230 220 |
| 1996年 8月号 | Siで次世代素子 -混載LSI実現に道- | 東芝 | 日経産業新聞 (1996年6月24日PP.5) | トンネル効果 Si | 220 |
| 1996年 7月号 | Siで新素子 -消費電力1/10以下に- | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1996年5月31日PP.4) | Si半導体 共鳴トンネル効果 消費電力1/10以下 | 220 |
| 1995年10月号 | 高温超電導下ジョセフソン効果観測技術 | NTT | 電波新聞 (1995年8月29日PP.2) 日経産業新聞 (1995年8月29日PP.5) 日刊工業新聞 (1995年8月29日PP.6) | ジョセフソン素子 4.2〜80K超電導 高速新デバイスに道 高温超電導体 トンネル効果 | 220 120 660 |
| 1995年 6月号 | 単電子トンネルトランジスタ | 東洋大 | 日刊工業新聞 (1995年4月21日PP.5) | 単電子トランジスタ | 220 |
| 1994年11月号 | 二重障壁構造の量子井戸 -1テラメモリーに道- | 松下電器産業 | 日刊工業新聞 (1994年9月19日PP.15) | 単結晶Si 共鳴トンネル現象 | 220 230 |
| 1994年10月号 | 1Gb以上対応トランジスタ | NEC | 日本工業新聞 (1994年8月16日PP.5) | 0.1μmプロセス DRAM 1GbDRAM以上 トンネル効果を利用 | 220 230 |
| 1994年 6月号 | 3顕微鏡を複合化 | 広島大 | 日刊工業新聞 (1994年4月5日PP.6) | 走査トンネル顕微鏡 原子間力顕微鏡 走査容量顕微鏡 | 360 |
| 1994年 4月号 | 第2世代量子効果トランジスタMERHET -1素子で論理動作- | 富士通 | 電波新聞 (1994年2月17日PP.6) 日刊工業新聞 (1994年2月17日PP.7) | 量子効果トランジスタ ME(マルチエミッタ) LSIを1/10小型化 RHET(共鳴トンネルホットエレクトロントランジスタ) | 220 |
| 1994年 2月号 | 共鳴トンネルトランジスタ -金属と絶縁体で試作- | 東工大 | 日経産業新聞 (1993年12月6日PP.5) | 共鳴トランジスタ | 220 |
| 1993年11月号 | 表面トランジスタ -ギガビット級に道- | NEC | 日経産業新聞 (1993年9月27日PP.5) 日本経済新聞 (1993年9月27日PP.19) | ギガビット級LSI STT トンネル効果 | 220 |
| 1993年11月号 | 光スイッチ用新半導体材料 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1993年9月2日PP.1) | 超高速スイッチング トンネル効果 光スイッチ材料 トンネル双量子井戸 スイッチ速度1〜2ps 応答速度1000倍 | 240 120 |
| 1993年 4月号 | 単一電子メモリー -動作実験成功- | 日立製作所英国研 ケンブリッジ大 | 電波新聞 (1993年2月19日PP.1) 日経産業新聞 (1993年2月19日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年2月19日PP.7) 電波ハイテクノロジー (1993年2月25日PP.0) | 電子1個で情報記録 クーロンブロッケード現象 極超低温動作 メモリー 16Gb 多重トンネル接合(MTJ) 単一電子メモリー 半導体メモリー 新原理メモリー 容量1000倍 | 230 220 |
| 1993年 2月号 | HEMTと共鳴トンネルダイオードを一体化 | 富士通研 | 日経産業新聞 (1992年12月15日PP.5) 電波新聞 (1992年12月15日PP.6) 日刊工業新聞 (1992年12月15日PP.9) | HEMT 共鳴トンネルダイオード | 220 |
| 1993年 2月号 | 多数信号処理の新型トランジスタ -量子波素子を直列接続- | NTT | 日刊工業新聞 (1992年12月1日PP.9) 日経産業新聞 (1992年12月1日PP.5) | 共鳴トンネル効果 多入力 重み付け演算 量子効果 負性抵抗 量子波素子 4入力演算機能 | 220 |
| 1993年 1月号 | 新スイッチング素子 | 東大 | 日経産業新聞 (1992年11月9日PP.5) | トンネル現象 GaAs スイッチング素子 電子波スイッチング素子 トンネル現象利用 | 220 240 |
| 1992年11月号 | 10Gbの量子化メモリー素子 -1チップで文庫本5000冊- | 富士通 | 日刊工業新聞 (1992年9月28日PP.1) | トンネル共鳴 量子効果 量子化メモリー 10Gb 新型メモリー RHET/トンネルダイオード | 230 |
| 1992年11月号 | 超高密度記録・消去STMメモリー -室温大気中で10nmレベル- | NEC | 電波新聞 (1992年9月9日PP.1) 日経産業新聞 (1992年9月9日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年9月9日PP.9) | 記録波長10nm 超高密度記録再生 トンネル顕微鏡(STM) 1インチ四方に1兆ビット 書換え可能STMメモリー ピット径10nm CDROMの3000倍 | 230 330 |
| 1992年 4月号 | 高速・新電子波素子 | 東工大 | 日刊工業新聞 (1992年2月19日PP.5) | 応答0.2ps(Siの100倍) 共鳴トンネルダイオード 0.2ps | 220 |
| 1991年12月号 | トンネル接合素子 | 三洋電機 | 電波新聞 (1991年10月12日PP.2) 日経産業新聞 (1991年10月12日PP.5) 日刊工業新聞 (1991年10月12日PP.5) | BKBOエピタキシャル薄膜 超電導論理素子 トンネル接合素子 高温超電導素子 | 220 |
| 1991年11月号 | 超高速新トランジスタ -トンネル効果利用- | NTT | 電波新聞 (1991年9月13日PP.3) 日経産業新聞 (1991年9月13日PP.5) 日刊工業新聞 (1991年9月13日PP.9) | 結合量子井戸構造 電流増幅率5.5 増幅確認 トンネル効果利用の共鳴トンネルトランジスタ 動作速度0.1ps(現在最高速の19倍) 動作速度0.1ps(現在最高速の19倍) 量子とじ込めシュタルク効果 | 220 |
| 1991年 3月号 | 固体表面から原子1個ずつはぎ取る | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1991年1月15日PP.0) 電波新聞 (1991年1月15日PP.0) | 屋温 走査型トンネル顕微鏡 一文字2nm口 | 130 430 |
| 1990年12月号 | 分子大の文字を描く | NTT | 日経産業新聞 (1990年10月25日PP.0) | Si基板にGeSe化合物 AgSe化合物をつけたフィルム材料 走査型トンネル電子顕微鏡の探針で原子をとばして溝を掘った 溝幅13nm 文字サイズ:40×70nm | 160 |