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| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
| 2017年 5月号 | シリコンフォトニクス使用 省エネ光配線実 | 光電子融合基盤技術研究所 | 日刊工業新聞 (2017年2月23日PP.25) | シリコンフォトニクス 高速高密度光トランシーバ 25Gbpsで動作する高密度な光トランシーバ 量子ドットレーザ | 160 240 |
| 2017年 4月号 | パワー半導体 印刷で配線 配線に銀粒子印刷 | 阪大 産総研 | 日経産業新聞 (2017年1月19日PP.8) 日刊工業新聞 (2017年1月23日PP.19) | 耐熱250℃ シリコン製パワーモジュールと比較して1/5～1/10のサイズ パワー半導体 配線技術 | 160 220 |
| 2016年 7月号 | 銅配線簡略化 レーザー照射だけで http://www.shibaura-it.ac.jp/news/2015/mfpdut000000d7wh-att/mfpbut000000d80m.pdf | 芝浦工大 | 日刊工業新聞 (2016年4月7日PP.26) | 銅錯体 レーザー照射 αケト酸 プリンタブルエレクトロニクス | 160 |
| 2016年 7月号 | 銅配線簡略化 レーザー照射だけで http://www.shibaura-it.ac.jp/news/2015/mfpdut000000d7wh-att/mfpbut000000d80m.pdf | 芝浦工大 | 日刊工業新聞 (2016年4月7日PP.26) | 銅錯体 レーザー照射 αケト酸 プリンタブルエレクトロニクス | 160 |
| 2015年 5月号 | カーボンナノチューブの透明導電膜 | 産総研 | 日経産業新聞 (2015年2月10日PP.8) 日刊工業新聞 (2015年2月10日PP.21) | 空気中で1000時間以上安定 表面抵抗率60オーム/スクエア CNTを網目のように配線，ヨウ化銅薄膜の表面にCNTを塗布して強力な光を照射，瞬間的に温度が上昇してヨウ化銅がNTの内部に入り込む | 120 |
| 2015年 5月号 | 切れた配線自己修復 | 早大 | 日経産業新聞 (2015年2月19日PP.10) | 電気ケーブルや電子回路の配線が切れてもしばらくすると自然につながる自己修復技術 | 160 |
| 2015年 4月号 | ねじれた有機分子合成 光の色変化半導体などの配線に http://www.nagoya-u.ac.jp/about-nu/public-relations/researchinfo/upload_images/20150106_eng.pdf | 名大 | 日経産業新聞 (2015年1月16日PP.10) | らせん状にねじれた有機分子の鎖 有機ELや有機半導体の新しい材料開発につながる | 120 250 |
| 2015年 3月号 | 1ナノ素子で微弱光伝送 東大 LSI配線に応用へ http://www.t.u-tokyo.ac.jp/epage/release/2014/2014112601.html | 東大 | 日経産業新聞 (2014年12月3日PP.10) | 電子の代わりに光を使うLSIを実現する可能性 | 220 |
| 2015年 1月号 | 世界最低損失のアモルファスシリコン光配線の開発 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2014年10月24日PP.19) | 1cmあたりの光損失を従来の1/10の1%以下に抑えた高透過率のアモルファスシリコン薄膜を開発，配線加工後の損失13% | 120 160 |
| 2014年 7月号 | 量子ドットレーザ搭載Si光配線基板 | 東大 | 日刊工業新聞 (2014年4月16日PP.21) | Si基板上に光配線機能を一体集積 25～125℃動作可能 伝送帯域速度15Tbit/cm2 | 150 160 240 |
| 2014年 7月号 | 透明基板上にCNTで回路形成 | 名大 | 日経産業新聞 (2014年4月16日PP.10) | 配線パターンを形成したポリフッ化ビニリデン製シートを原版とする CNTを透明基板に転写 ITOの代替 樹脂シートに溝を作りCNTを振りかけて転写 | 160 260 |
| 2014年 5月号 | 低消費電力のSRAM | 東芝 ルネサスエレクトロニクス | 日経産業新聞 (2014年2月12日PP.7) | 配線幅65nm 消費電力1/100 | 230 |
| 2014年 3月号 | グラフェンで幅20nmの微細配線 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2013年12月13日PP.27) | 電気抵抗率は最低4.1μmΩcm 断線しにくい サファイア基板上に約1000℃7-15層のグラフェンを合成 銅配線なみの抵抗率 | 160 120 |
| 2013年12月号 | 50Gbps信号伝送 | 東工大 | 日刊工業新聞 (2013年9月3日PP.19) | LSIで使うSi材料と同じ半導体プロセスを利用，3次元光多層配線を作成，配線内に回折格子と高反射鏡を使う | 440 |
| 2013年12月号 | 光の90%以上を通す透明な半導体集積回路 | 名大 フィンランドアールト大 | 日本経済新聞 (2013年9月17日PP.11) 日経産業新聞 (2013年9月17日PP.10) | CNTで配線とトランジスタを製作 一辺0.5mmの回路 | 120 220 |
| 2013年 9月号 | 多層グラフェンを用いた微細配線の作成技術 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2013年6月18日PP.23) | 250℃で1cm2当たり1000万Aという高密度電流を流しても150時間通電可能 抵抗率9.1μΩcm Cu同等 | 260 120 |
| 2012年 3月号 | 再構成可能LSI向け配線スイッチ | 超低電圧デバイス技術研究組合 | 日刊工業新聞 (2011年12月8日PP.18) | 10～50nm スイッチ素子を3端子で構成 | 220 |
| 2011年12月号 | シリコン光配線集積回路 | 東大 | 日刊工業新聞 (2011年9月19日PP.10) | チップ間の情報伝送容量3.5Tb/cm2 各光部品を5mmx4.5mmの小型シリコン基板上に集積 | 220 240 |
| 2011年 8月号 | 単分子デバイス回路配線技術 | 物材機構 JST スイスベーゼル大 独ユーリヒ総合研究機構 米カルフォルニア大 | 日刊工業新聞 (2011年5月9日PP.16) | 有機分子を配線 機能性有機分子フタロシアニン 3～4Vを加えて形成する | 120 160 |
| 2011年 3月号 | 28nm世代システムLSI向け混載DRAM技術 | ルネサスエレクトロニクス | 日刊工業新聞 (2010年12月9日PP.22) | 寄生容量・抵抗を削減 CMOSプロセスを導入 低誘電率の多孔質(MPS)膜を採用 配線層内にキャパシタ形成 | 160 230 |
| 2011年 2月号 | 透明な高周波デバイス作成技術 | 物材機構 太陽誘電 | 日刊工業新聞 (2010年11月4日PP.21) | 微細な金属配線と酸化物の透明誘電体からなるハイブリッド素子 | 120 250 |
| 2010年 3月号 | 動作速度が3割向上した高速無線用半導体 | NECエレクトロニクス | 日経産業新聞 (2009年12月18日PP.11) | アナログ部の配線抵抗を従来と比べて半減 動作クロック200GHz 線幅40nmのCMOS | 220 |
| 2010年 2月号 | LSI内1チップ光配線 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2009年11月10日PP.25) | 消費電力1/10 長さ600μmのレーザ光源部品 幅450nmのSi光導波路 受光素子の大きさ1/5 光源と導波路間の光結合効率60%以上 オンチップフォトニクス | 220 |
| 2009年11月号 | ナノサイズの電子回路配線技術 | 阪大 | 日刊工業新聞 (2009年8月28日PP.1) | シリコンナノチェインがCNTに変化 タングステンの針で数十Vの電圧印加 直径10～20nm ワイヤ状のナノ材料に電圧でCNTを生成 | 120 160 |
| 2009年 8月号 | 伸縮可能な有機ELディスプレイ | 東大 大日本印刷 | 日経産業新聞 (2009年5月11日PP.11) 日刊工業新聞 (2009年5月11日PP.20) | ゴムとCNTを組み合わせた素子 10cm2 5mm2の有機EL素子を256個並べる イオン液体 導電性100倍 1000回以上伸縮可能 配線間隔100μm 伸縮性導体 ジェットミル法 | 250 120 |
| 2009年 3月号 | 直径10nm以下の立体配線技術 | 東工大 | 日経産業新聞 (2008年12月4日PP.11) | 自己組織化 親水性と疎水性を併せ持つ液状高分子 Si基板上に数～数十μmの厚さで塗布 120℃以上に過熱し冷却 塩化カリウム溶液水 十～数十Vの電圧 | 120 160 |
| 2008年12月号 | プラスチック上にアルミで配線印刷 | 産総研 | 日経産業新聞 (2008年9月25日PP.11) | 印刷後に加圧しながら150℃以下で加熱 抵抗率5.6×10-4(上付)Ω・cm | 160 |
| 2008年 9月号 | 単層CNTで配線を作製する技術 | 九大 | 日経産業新聞 (2008年6月16日PP.17) | 高い導電性 幅0.5μmの細い線 縦横0.5μmの四角いパターン | 220 160 |
| 2008年 9月号 | 光を直角に曲げる光配線技術 | 物材機構 東北大 | 日刊工業新聞 (2008年6月7日PP.13) 日経産業新聞 (2008年6月2日PP.9) | 球の大きさにより分波器 Si基板に2μm間隔で刻んだパターン上に直径2μmのポリスチレン球 | 240 140 160 |
| 2008年 9月号 | 金使用量6割削減可能な半導体パッケージ新手法 | TOWA | 日経産業新聞 (2008年6月24日PP.1) | コンプレッションモールド法 液体状樹脂に半導体チップを浸して固める 配線ワイヤ直径16μm | 260 |
| 2008年 8月号 | CNTで回路を立体化 | 産総研 | 日経産業新聞 (2008年5月6日PP.6) | 単層CNT LSIの配線 MEMSへの応用 Si基板 イソプロピルアルコール 膜厚100nm～50μm | 120 160 |
| 2008年 7月号 | 光LSI配線構造解明 | 阪大 | 日経産業新聞 (2008年4月3日PP.9) | 光LSI 線幅10nm 表面プラズモン | 120 220 |
| 2008年 5月号 | 最先端LSIパターン作製高速化 | クレステック 農工大 | 日経産業新聞 (2008年2月18日PP.10) | 配線幅40nm回路を10mm角に0.3sで作製 面電子源 | 160 |
| 2008年 5月号 | 演算能力20倍の3次元LSI | 東芝 米スタンフォード大 | 日本経済新聞 (2008年2月18日PP.23) | CNT 素子配線 ReRAMを演算回路と積層 | 220 260 |
| 2008年 4月号 | 世界最長100cmの光配線技術 | 松下電工 | 日経産業新聞 (2008年1月10日PP.1) | 光電配線板材料 機器内部で10Gbps 2層の電気回路の間に光回路がサンドイッチされた構造 エポキシ樹脂フィルム 厚み60μm | 120 160 |
| 2008年 3月号 | 回路線幅32nmLSI向け製造プロセス技術 | Selete 日立建機ファインテック | 日経産業新聞 (2007年12月11日PP.1) | 電流漏れを防ぐ技術 電極素材と配線層間材料を新たに開発 ゲート材料にTiN 絶縁膜に窒化ハフニウムシリケート nMOSにMgO pMOSにAlO ポーラスシリカ SiO 比誘電率2.4 | 120 160 220 |
| 2008年 1月号 | 光配線LSIチップ -線幅22nmに道- | Selete | 日経産業新聞 (2007年10月23日PP.1) | 表面プラズモン SiとSi化合物を重ねた構造の表面にくし形の電極を並べた光電気変換器 縦10μm 横2μm クロック信号部分を光配線に置き換え | 160 240 |
| 2007年12月号 | 従来の約1/10以下の細さの金属微細配線技術 | 東北大 チッソ 日本電子精機 | 日刊工業新聞 (2007年9月26日PP.29) | フレキシブルプリンタブルエレクトロニクスへの応用 数百nmの微細配線 波長488nmのアルゴンレーザ | 220 160 |
| 2007年12月号 | 厚さ300μmのチップ内蔵基板 | TDK | 日刊工業新聞 (2007年9月25日PP.1) | ICチップ厚さ50μm ベアチップのまま配線 モジュール部屋の高さを従来比20～30%低くできる 4層基板 | 260 |
| 2007年11月号 | 通信距離3倍のミリ波新型アンテナ技術 | 東芝 | 日経産業新聞 (2007年8月20日PP.8) | 通信距離が10m以上 立体的な三角形ループ構造 家庭内におけるハイビジョン放送の送受信に利用 受信チップと配線基板上の金属板を金配線で接続 | 340 |
| 2007年 9月号 | 低抵抗CNT縦穴配線材料 -次世代LSIにおけるCNT配線実現に一歩- | Selete | 日刊工業新聞 (2007年6月5日PP.1) | ビア配線材料 弾道伝導現象 CVD ビア高さ60nm 直径160nm 化学機械研磨(CMP) 22nm世代 450℃で化学気相成長 Cuより低抵抗 | 120 160 |
| 2007年 9月号 | ミリ波可視化技術 | 富士通 東北大 | 日刊工業新聞 (2007年6月7日PP.20) | 94GHz帯 InP仕様のHEMT 配線距離最適化 不要な電波の吸収層 チップサイズ1.25mm×2.2mm 増幅率33dB 雑音指数3.2dB ITS | 310 340 |
| 2007年 4月号 | LSI間の10Gbps光通信 | 先端フォトニクス | 日経産業新聞 (2007年1月18日PP.1) | GaAs製レーザ 直径50μm程度の光伝送路 電気配線の3倍のレート | 240 340 |
| 2007年 3月号 | 8枚積層4GbDRAM | NECエレクトロニクス エルピーダメモリ 沖電気 | 日経産業新聞 (2006年12月14日PP.1) | ワンチップ方式より開発期間を3～6年先行 チップを貫通する配線・電極 チップ間を最短距離で接続 | 230 260 |
| 2007年 2月号 | 基板上の光配線自在に | 東海大 | 日経産業新聞 (2006年11月10日PP.8) | 光硬化性樹脂 緑色の光を照射 | 240 260 |
| 2006年12月号 | フィルム中に金ナノ粒子を作製 -立体ナノ配線に道- | 阪大 | 日刊工業新聞 (2006年9月4日PP.28) | PVAフィルム ラジカル前駆体(ベンゾフェノン)と金イオン1～5%をドープ 波長が異なる二つのレーザを照射 ギ酸がない場合に比べ金ナノ粒子の生成速度は約20倍 | 260 160 |
| 2006年 8月号 | 抵抗などを内部に印刷したプリント積層基板 -厚さ従来の6割- | トッパンNECサーキットソリューションズ | 日経産業新聞 (2006年5月30日PP.1) | 8層 チップの厚み30μm程度 配線構造見直し 基板の厚さ0.5mm コンデンサは銅配線の上に誘電体樹脂を印刷し導電性樹脂で挟み込む 抵抗は銅配線を銀メッキし上から炭素樹脂を印刷 | 160 260 |
| 2006年 5月号 | 銅ナノインク開発 | 旭化成 | 日刊工業新聞 (2006年2月22日PP.23) | 印刷技術活用 Cu配線や薄膜を低コスト形成 厚さや線幅をμmオーダーで制御可能 酸化膜のナノサイズ微粒子と酸化還元剤をインクに配合 塗布後焼成 エッチング工程不要 | 130 160 120 |
| 2006年 4月号 | ペースト状ナノ粒子 -幅20μm配線可能に- | 大研化学工業 大阪市立工業研 | 日経産業新聞 (2006年1月1日PP.21) | AgとPdの合金ナノ粒子 直径5nm 樹脂と混ぜる スクリーン印刷 プラスチック基板に回路パターンを書く 加熱300℃で樹脂が分解 | 120 160 |
| 2006年 4月号 | 端子間配線間隔12μmのLCD駆動用ICのプリント基板 | 東レ | 日経産業新聞 (2006年1月20日PP.1) | エッチング工程の一部を工夫 銅メッキ膜を安定してエッチング | 160 250 |
| 2006年 1月号 | 次世代メモリーPRAM | 日立 ルネサステクノロジ | 日経産業新聞 (2005年10月6日PP.1) | 1.5Vでデータの読み書き可能 厚さ100nmの薄膜をMOSトランジスタ上に配線 | 230 160 |
| 2005年12月号 | 液晶ドライバLSI -配線ピッチ30μm- | シャープ | 日刊工業新聞 (2005年9月12日PP.11) | 高精細液晶テレビ フィルム素材や封止樹脂材料を改良 SOF | 120 160 250 |
| 2005年11月号 | 量子コンピュータ素子をSiで試作
-保持時間2桁長い量子ビット- | 日立 英ケンブリッジ大 | 日刊工業新聞 (2005年8月22日PP.22) 日経産業新聞 (2005年8月22日PP.7) | 縦50nm×横150nm二重結合量子ドット 配線をなくす構造 コヒーレンス時間200ns 酸化膜埋込み基板(SOI) 電界を介したゲートで制御 | 120 220 |
| 2005年10月号 | 基盤の配線間隔3割狭く -液晶パネル 軽量・低コスト- | 三井金属 | 日経産業新聞 (2005年7月8日PP.17) | 配線間隔20μm 銅箔を垂直に削り取る COF(チップ・オン・フィルム)方式 | 250 160 |
| 2005年10月号 | LSI配線中欠陥を3次元像化 -超高圧電子顕微鏡- | 阪大 | 日刊工業新聞 (2005年7月29日PP.37) | 断層撮影 トモグラフィー法 加速電圧300万V | 360 660 |
| 2005年 9月号 | 光電変換器 -1円玉より小さく- | NEC | 日経産業新聞 (2005年6月1日PP.10) | LSI間の配線も光ファイバで接続可能 14mm角 厚さ2mm 1個につき光ファイバを4本接続可能 業界の標準規格予定 | 240 |
| 2005年 9月号 | 分子細孔法を用いた45nLSI向け低誘電率膜 | NEC NECエレクトロニクス MIRAIプロジェクト | 日刊工業新聞 (2005年6月14日PP.27) | 内径1nm以下の環状シリカ材料 誘電率2.4 65n世代に対して倍の配線密度と16%減の配線容量 | 120 160 |
| 2005年 9月号 | 線幅32nmLSI向け新技術 -新構造TR・新多層配線技術- | MIRAIプロジェクト | 電波新聞 (2005年6月14日PP.1) 日経産業新聞 (2005年6月14日PP.7) | 高電流駆動力 プロセス損傷抑制可能 歪みSi薄膜 歪みGe薄膜 局所酸化濃縮法 ポーラシリカ低誘電絶縁材料 | 120 160 220 |
| 2005年 6月号 | 超電導LSI設計自動化 | 超伝導工学研 | 日刊工業新聞 (2005年3月23日PP.37) | 超電導単一磁束量子(SFQ)論理合成ツール開発 セルライブラリ 自動配置配線ツール | 120 620 |
| 2005年 5月号 | 2.0μm角画素サイズのMOSイメージセンサ 13とあわせて一件に | 松下電器 | 電波新聞 (2005年2月9日PP.1) | 0.15μmルール微細配線 4画素で1個検出アンプ回路 パルス電源方式 フォトダイオード面積比率30% 消費電力20mW 3400電子/lx・秒 1/4型200万画素 | 160 210 |
| 2005年 1月号 | ナノワイヤ自在に配線 -低コスト技術確立- | 情通機構 | 日刊工業新聞 (2004年10月13日PP.1) | フタロシアニン 幅10nm程度のナノワイヤ 微小ギャップ間にナノデバイス形成可能 低抵抗 高性能 | 160 |
| 2004年10月号 | 携帯・パソコン用光配線 | オムロン | 日経産業新聞 (2004年7月12日PP.1) | 銅線の100倍超速度 Gbpsレベルの伝送速度 光導波路 幅1～2mm 厚さ200μm 長さ数cm アクリル系樹脂 | 240 |
| 2004年 9月号 | 65nm次世代半導体 -配線強化で歩留まり2倍に向上- | 東芝 ソニー | 日経産業新聞 (2004年6月24日PP.9) | 配線の剥落を防ぐ技術 高密度配線 層間絶縁膜 電子ビームで配線材料強度高める | 160 220 260 |
| 2004年 8月号 | 超薄型CNTキャパシタ -プリント配線板に組込む- 図使用 | 日立造船 関西大 | 日刊工業新聞 (2004年5月18日PP.1) | 厚さ200μmまでの電気二重層キャパシタ 5000μF/㎝2 高速充放電 | 160 250 260 |
| 2004年 7月号 | 単電子メモリーの新型素子 -1個の記憶容量5倍- 図使用 | NTT | 日経産業新聞 (2004年4月26日PP.9) | 単電子転送メモリー 配線幅35nm 動作温度-247℃ | 160 230 |
| 2004年 6月号 | 多層プリント配線板技術 -5Gbps 4000ピン対応- | 富士通研 FICT 富士通 | 日刊工業新聞 (2004年3月9日PP.1) | 高速伝送層と高密度実装層を独立に作製し張り合わせる 0.8mmピッチ BGA | 260 |
| 2004年 6月号 | 次世代半導体向け製造技術 -露光処理せず微細配線- | 東芝 | 日経産業新聞 (2004年3月17日PP.11) | 1時間の工程を1分に短縮 ソフトリソグラフィ 直径50nmの粒子を50nm間隔で碁盤の目に並べる | 160 |
| 2004年 5月号 | MOSイメージセンサ -世界初の1/4型200万画素- | 松下電器 | 電波新聞 (2004年2月16日PP.1) | 画素サイズ2.25μm 1/4型200万画素 4画素共有トランジスタ構造 非対称電界フォトダイオード 並列共通配線構造 | 210 |
| 2004年 5月号 | 化学反応でLSI配線切り換え -ナノブリッジ- | NEC 物質・材料研究機構 科学技術研究機構 | 日刊工業新聞 (2004年2月17日PP.27) 日経産業新聞 (2004年2月17日PP.8) | プログラマブルロジックの配線切り換え 固体電解中の金属原子の移動を利用 書き換え可能なセルベースIC | 120 220 |
| 2004年 2月号 | 超微細化工ハンダ電極 -配線間隔半分に- | カシオマイクロニクス | 日本経済新聞 (2003年11月5日PP.15) | 60μm間隔の配線 半球状電極 | 120 |
| 2004年 2月号 | X線撮像器 -X線乱反射でIC実装を検査- | アイビット | 日経産業新聞 (2003年11月14日PP.1) | Al配線材に対応 解像度50μm 後方散乱線も利用 | 360 660 |
| 2004年 1月号 | 幅8nmの微細配線用レジスト | NEC トクヤマ | 日経産業新聞 (2003年10月13日PP.5) | 低分子材料 電子ビーム加工用 | 160 |
| 2003年12月号 | 世界最小の光信号受信機 -パソコン光配線に道- | NEC | 日経産業新聞 (2003年9月24日PP.1) | 現在の4倍の40Gbpsを0/E変換 大きさ1/10で0.3cm3(上付) 光1Wを0.7Aの電流に変換 光1Wあたり88Vの電圧に変換 | 220 240 |
| 2003年11月号 | LSI配線用カーボンナノチューブ -触媒微粒子で直径制御- | 富士通 | 日経産業新聞 (2003年8月7日PP.5) | 直径4nmのFe Pt触媒を使用 直径3～10nmのCNTが林立 作成時基板温度600℃以下 | 120 160 |
| 2003年11月号 | 3次元ナノ配線 | 姫路工大 NEC | 日刊工業新聞 (2003年8月29日PP.1) | 集束イオンビーム(FIB) 70～100nmの配線 | 160 |
| 2007年 3月号 | 8枚積層4GbDRAM | NECエレクトロニクス エルピーダメモリ 沖電気 | 日経産業新聞 (2006年12月14日PP.1) | ワンチップ方式より開発期間を3～6年先行 チップを貫通する配線・電極 チップ間を最短距離で接続 | 230 260 |
| 2007年 2月号 | 基板上の光配線自在に | 東海大 | 日経産業新聞 (2006年11月10日PP.8) | 光硬化性樹脂 緑色の光を照射 | 240 260 |
| 2006年12月号 | フィルム中に金ナノ粒子を作製 -立体ナノ配線に道- | 阪大 | 日刊工業新聞 (2006年9月4日PP.28) | PVAフィルム ラジカル前駆体(ベンゾフェノン)と金イオン1～5%をドープ 波長が異なる二つのレーザを照射 ギ酸がない場合に比べ金ナノ粒子の生成速度は約20倍 | 260 160 |
| 2006年 8月号 | 抵抗などを内部に印刷したプリント積層基板 -厚さ従来の6割- | トッパンNECサーキットソリューションズ | 日経産業新聞 (2006年5月30日PP.1) | 8層 チップの厚み30μm程度 配線構造見直し 基板の厚さ0.5mm コンデンサは銅配線の上に誘電体樹脂を印刷し導電性樹脂で挟み込む 抵抗は銅配線を銀メッキし上から炭素樹脂を印刷 | 160 260 |
| 2006年 5月号 | 銅ナノインク開発 | 旭化成 | 日刊工業新聞 (2006年2月22日PP.23) | 印刷技術活用 Cu配線や薄膜を低コスト形成 厚さや線幅をμmオーダーで制御可能 酸化膜のナノサイズ微粒子と酸化還元剤をインクに配合 塗布後焼成 エッチング工程不要 | 130 160 120 |
| 2006年 4月号 | ペースト状ナノ粒子 -幅20μm配線可能に- | 大研化学工業 大阪市立工業研 | 日経産業新聞 (2006年1月1日PP.21) | AgとPdの合金ナノ粒子 直径5nm 樹脂と混ぜる スクリーン印刷 プラスチック基板に回路パターンを書く 加熱300℃で樹脂が分解 | 120 160 |
| 2006年 4月号 | 端子間配線間隔12μmのLCD駆動用ICのプリント基板 | 東レ | 日経産業新聞 (2006年1月20日PP.1) | エッチング工程の一部を工夫 銅メッキ膜を安定してエッチング | 160 250 |
| 2003年 6月号 | 高密度多層プリント配線基板 -厚さ1/5- | 大日本印刷 | 日経産業新聞 (2003年3月20日PP.1) | 銅基盤に配線層を積層した後に銅基盤を取り除く方式 配線二層0.09mm 三層0.15mm ビルドアップ基板 網の目上素材 | 260 |
| 2003年 1月号 | 金属微粒子の配列方法 -金属ナノ粒子一列に- | 九大 | 日経産業新聞 (2002年10月17日PP.7) | 自己組織化で極細配線 金の粒子が1.5nmの距離で一列 繊維全体の太さは10数nm | 120 160 |
| 2003年 1月号 | 超小型演算処理装置(MPU) -斜め配線で高速化- | 東芝 | 日経産業新聞 (2002年10月22日PP.1) | 処理速度20%向上 エックス･アーキテクチャ | 220 620 |
| 2002年11月号 | CPU30%高速化 -銅配線の結晶大きく- | 京大 | 日経産業新聞 (2002年8月14日PP.1) | 銅配線の結晶構造を変化させる 250～300℃で数時間加熱 電子の結晶境界面衝突の低減 結晶サイズ10倍で電気抵抗が半減 | 160 |
| 2002年11月号 | ナノ応用光通信素子 -4大学と産学共同開発- | NEC 富士通 KDDI 東大等 | 日経産業新聞 (2002年8月19日PP.9) | フォトニックネットワーク 配線面積が現在の1/1000 WDM用 | 160 240 |
| 2002年10月号 | 多層カーボンナノチューブ 垂直成長させる技術 | 富士通研 | 日経産業新聞 (2002年7月8日PP.9) 電波新聞 (2002年7月8日PP.1) 日本工業新聞 (2002年7月8日PP.2) 日本経済新聞 (2002年7月8日PP.21) | 微細なLSI配線 φ:50nmL: 500nmのCNT CMOS･FETのシリサイド層上にて成長 電極にNiやCoを混入 CH4とH2の混合ガスによるプラズマCVD法 | 120 160 220 |
| 2002年 8月号 | 分子集合でナノ配線 | 東大 | 日経産業新聞 (2002年5月10日PP.8) | ピロール 1本あたりの太さ2.7nm 自己組織化 表面にシリカの絶縁層 相田ナノ空間プロジェクト | 120 160 |
| 2002年 7月号 | 超高集積チップへ道 -ナノチューブトランジスタ試作超LSI配線応用- | 富士ゼロックス NTT | 日本経済新聞 (2002年4月29日PP.15) | CNT 直径20nmリング | 120 220 |
| 2002年 6月号 | ASICプラットフォーム | NEC | 日経産業新聞 (2002年3月20日PP.7) | 設計期間半減 チップ下層部に汎用回路埋込み ISSP5層配線構造 | 220 |
| 2002年 5月号 | 集積回路の停電力化技術 ISSCC2002で発表 -ディジタル家電向けCPU- (No4 7と合わせる) | 松下電器 | 日経産業新聞 (2002年2月5日PP.8) | 500mW 400MHz 線幅0.13μm 銅配線 分割並例信号処理 | 220 |
| 2002年 4月号 | ガラスの中にSi単結晶 | 京大 | 日刊工業新聞 (2002年1月1日PP.1) | フェムト秒レーザパルス p型とn型の半導体 立体的な金配線 | 160 |
| 2002年 1月号 | LSI間を光データ転送できる配線技術 | 沖電気 | 日経産業新聞 (2001年10月4日PP.7) 日刊工業新聞 (2001年10月4日PP.11) | 光配線基板 1.55μmの光源 石英基板 | 240 260 |
| 2001年 8月号,9月号 | ナクテク使い立体配線 | 東芝 | 日本経済新聞 (2001年6月15日PP.17) | 銅メッキ 線幅15μm 数10nm径の穴の開いたプラスチックシート 光の強弱で配線と貫通部を作成 | 260 160 |
| 2001年 7月号 | 配線不良を早期発見 | NEC | 日本経済新聞 (2001年5月18日PP.17) | レーザSQUID顕微鏡 断線・ショートの検査 | 660 360 320 |
| 2001年 5月号 | プリント配線板に内蔵する液体冷却技術 | NEC | 日刊工業新聞 (2001年3月22日PP.6) | 銅製マイクロヒートシンク埋込み | 260 |
| 2001年 5月号 | W-CDMA対応LSI | 日立 | 日経産業新聞 (2001年3月15日PP.10) | 低消費電力 ベースバンドモデム 配線幅0.25μm 13mm角 384kbps | 220 |
| 2001年 4月号 | 任意の位置に分子1個分の配線 | 理化学研 | 日刊工業新聞 (2001年2月8日PP.6) 日経産業新聞 (2001年2月8日PP.12) | ジアセチレン化合物分子 ナノ細線 走査形トンネル顕微鏡(STM) | 160 |
| 2001年 2月号 | 新しい銅配線構造 -動作速度1.7倍に- | NEC | 電波新聞 (2000年12月12日PP.6) | ロジックLSI デュアルダマシン | 160 220 |
| 2000年12月号 | 新形導電性銀ペースト -配線幅10μm実現- | アルバック・コーポレートセンター ハリマ化成 | 日本工業新聞 (2000年10月27日PP.7) | ナノ粒子ペースト | 160 |
| 1999年 8月号 | 世界初の微細立体配線技術 -レーザ2種を基板に同時照射- | 三洋電機 | 日経産業新聞 (1999年6月3日PP.5) | エキシマレーザ 微細配線技術 マイクロマシン用 可視光レーザ 二波長励起レーザ CVD | 160 260 |
| 1998年 8月号 | 新型フラッシュメモリーセル -低電圧で書込み消去 セル小型化 工程4割減- | NEC 東芝 | 日経産業新聞 (1998年6月22日PP.5) | フラッシュメモリー 角型構造 情報記憶用電極に角構造 表面積2倍 書込み消去電圧20Vから16V 絶縁溝を配線後に作る | 230 160 |
| 1998年 8月号 | 次世代LSI用配線技術 | 東芝 | 日経産業新聞 (1998年6月19日PP.4) | 抵抗 容量減少 ニオブ 絶縁膜に配線用溝と接続用の孔 ニオブを使用 抵抗3～5割 静電容量4割程度削減 | 160 |
| 1998年 8月号 | 信号伝達の遅れを改善した配線技術 | 松下電子 | 日経産業新聞 (1998年6月10日PP.5) | すきま配線 多層配線 中空構造絶縁体 | 160 |
| 1998年 7月号 | 強誘電体メモリー -多層配線で高速化- | NEC | 日経産業新聞 (1998年5月15日PP.5) | FeRAM 強誘電体メモリー 多層配線 | 230 |
| 1998年 7月号 | ロジック向け高性能配線基本技術 | NEC | 日刊工業新聞 (1998年5月12日PP.6) | 低誘電材 | 160 |
| 1998年 6月号 | 配線技術 -次世代高速ロジックLSI実現へ- | 富士通研 | 日経産業新聞 (1998年4月14日PP.5) | 有機高分子 絶縁膜 | 220 160 |
| 1998年 3月号 | 家庭内配線を一本化 | 郵政省 | 日本経済新聞 (1998年1月11日PP.11) | 家庭内配線を一本化 | 540 440 |
| 1997年11月号 | 160新半導体 -半導体の配線に銅を使用- | IBM | 日本経済新聞 (1997年9月23日PP.11) 読売新聞 (1997年9月24日PP.10) | 銅配線ICの量産技術 高速CMOSロジック用 半導体 同配線 | 220 160 |
| 1997年 6月号 | 住宅情報化配線 | 通産省 郵政省 建設省 住宅情報化推進協議会 | 電波新聞 (1997年4月8日PP.1) | 情報化住宅 住宅情報化推進協議会 情報コンセント | 660 440 |
| 1997年 5月号 | 不要な電磁波ノイズ抑制技術 | NEC | 日経産業新聞 (1997年3月19日PP.5) | 電磁波ノイズ プリント配線基板 | 260 |
| 1997年 3月号 | マルチメディア対応住宅 -屋内配線のモデル提案- | 住宅情報化推進協議会 | 日経産業新聞 (1997年1月20日PP.3) | 情報コンセント 屋内配線 | 440 |
| 1997年 2月号 | 混載LSI向け配線形成技術 | 富士通研 | 日経産業新聞 (1996年12月11日PP.5) 電波新聞 (1996年12月11日PP.5) | プラグ アスペクト比8 ビアホール アルミニウム DRAM MPU | 260 220 230 |
| 1996年12月号 | エッチングせずプリント回路 | 日本ハイブリッド | 日経産業新聞 (1996年10月11日PP.1) | プリント配線法 製造技術 加振定着 銅粉末 | 160 |
| 1996年12月号 | CVD -水平と垂直 一括作製- | NEC | 日経産業新聞 (1996年10月7日PP.5) | CVD アルミ配線 | 160 |
| 1996年12月号 | 1ギガ世代以降の銅配線 -量産プロセスにメド- | 富士通 | 日刊工業新聞 (1996年10月3日PP.6) | スパッタ リフロー 銅配線 | 160 |
| 1996年 8月号 | 次世代高速LSI向け新銅線配線技術 | 三菱電機 | 電波新聞 (1996年6月20日PP.11) 日経産業新聞 (1996年6月20日PP.5) 日刊工業新聞 (1996年6月20日PP.7) | 銅配線 バリアメタル 寿命1000倍 電気抵抗Alの60% | 160 |
| 1996年 8月号 | 超高速LSI配線技術 | NEC | 日刊工業新聞 (1996年6月12日PP.8) | 超高速LSI 配線技術 低誘電率 | 260 220 |
| 1996年 2月号 | 基板1枚に多層配線形成技術 | 大日本印刷 | 日経産業新聞 (1995年12月18日PP.1) | プリント配線板 圧着転写 | 160 330 |
| 1996年 2月号 | 新DRAMセル構造 -MPUとDRAMの混載容易に- | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1995年12月12日PP.7) 電波新聞 (1995年12月12日PP.6) | DRAM MPU 裏面配線 セル構造 CMP(研磨平坦化) 多層配線 | 230 160 220 260 |
| 1995年 9月号 | 銅配線のCMOSトランジスタ | NTT | 日経産業新聞 (1995年7月19日PP.5) | CMOS 銅配線 | 160 |
| 1995年 8月号 | 高速ロジック向け銅配線 -0.5μmピッチの技術確率- | NEC | 日刊工業新聞 (1995年6月21日PP.7) | ダマシン法 配線抵抗1.9μΩ/cm 配線抵抗Al配線の70%以下 窒化チタンと酸化Alによる耐酸化構造 | 160 |
| 1995年 8月号 | 半導体レーザ -Si基板上に高速光配線に応用- | 沖電気 | 日経産業新聞 (1995年6月19日PP.1) | 化合物半導体レーザとSiの直接接合 光配線 | 250 260 |
| 1995年 7月号 | 広帯域測定用プローブ -PC板の配線に単点接触- | NTT | 電波新聞 (1995年5月4日PP.3) | 広帯域プローブ 帯域10GHz 従来比4倍 | 310 |
| 1995年 6月号 | LSI配線を銅で形成する技術 -信号遅延解消へ- | 東芝 | 日経産業新聞 (1995年4月2日PP.4) | LSI配線 銅 信号遅延 カメラ | 160 |
| 1995年 2月号 | 光を当てると絶縁体に変わるシリコン材料 | 東芝シリコーン | 日経産業新聞 (1994年12月5日PP.5) | Si材料 配線技術 | 100 |
| 1994年 6月号 | 新概念の量子効果IC -電極も配線も不要に- | 東芝 | 日刊工業新聞 (1994年4月8日PP.6) | 量子効果 LSI 量子効果IC 配線不要 シミュレーション 量子効果集積回路 | 220 |
| 1993年10月号 | 光インタコネクション技術 -無配線で光入出力- | 東大 | 日本工業新聞 (1993年8月13日PP.9) | 初の実用レベル ホログラム利用 | 240 |
| 1993年 9月号 | 立体交差不要の新方式 | 東芝 | 日刊工業新聞 (1993年7月26日PP.6) | 量子配線技術 2次元電子ガス層 | 120 220 |
| 1993年 8月号 | ATMスイッチ網に光配線 | NTT | 日刊工業新聞 (1993年6月17日PP.7) | 光配線技術 再ルーチングバンヤン網方式 100Gb級 | 240 |
| 1993年 8月号 | 次世代LSI向け超微細配線 -最小線幅0.25μm銅使い，2層配線- | 富士通 | 日経産業新聞 (1993年6月8日PP.5) | 銅線 0.25μm 2層配線 超微細配線 寿命100倍 次世代LSI | 160 |
| 1992年12月号 | 単結晶アルミ配線形成技術 | 東芝 | 日刊工業新聞 (1992年10月29日PP.7) | 260 | |
| 1991年10月号 | 高速動作BiCOMS | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1991年8月28日PP.5) 日刊工業新聞 (1991年8月28日PP.6) | 0.2μmの微細配線 線幅従来は0.8μmこのたび0.3μm 動作電圧3.3V | 220 |
| 1991年 7月号 | 256MDRAM向け微細配線技術 | 日電 | 日経産業新聞 (1991年5月28日PP.1) | アルミ合金配線0.25μm 口径で深さ1μm │ | 260 |