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| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
| 2018年 1月号 | 有機半導体に高電流 | 東北大 東工大 | 日経産業新聞 (2017年10月25日PP.8) | ディスプレイ 有機半導体 テトラテトラコンタン 発光 半導体レーザ | 120 |
| 2017年11月号 | レーザカオス利用 強化学習手法開発 | 情報通信機構ら | 日刊工業新聞 (2017年8月28日PP.22) | 1秒あたり1000億個の乱雑信号発生 レーザカオスで1秒当たり100億個の乱雑な信号を取り出し | 620 250 |
| 2017年10月号 | 電子が偏る様子観測 | 東京農工大 | 日経産業新聞 (2017年7月28日PP.12) | レーザ 微細加工 電子の偏り ナノメートルサイズ | 120 250 160 |
| 2017年 7月号 | レーザ発振・高速変調動作 ナノワイヤで実証 | NTT | 日刊工業新聞 (2017年4月7日PP.23) | 10Gbpsの高速変調動作に成功 | 240 |
| 2017年 7月号 | 低コストの酸化チタン膜 高い透明度，液晶などに | 東北大 | 日経産業新聞 (2017年4月26日PP.8) | レーザーを照射して薄膜を作る際に微量のアルミニウムを添加 | 120 |
| 2017年 5月号 | シリコンフォトニクス使用 省エネ光配線実 | 光電子融合基盤技術研究所 | 日刊工業新聞 (2017年2月23日PP.25) | シリコンフォトニクス 高速高密度光トランシーバ 25Gbpsで動作する高密度な光トランシーバ 量子ドットレーザ | 160 240 |
| 2017年 5月号 | 電子のスピン 自在に操作 | 東大 | 日刊工業新聞 (2017年2月27日PP.21) | レーザー光利用 | 120 |
| 2016年11月号 | 量子ドットレーザ開発 | 東大 | 日刊工業新聞 (2016年8月1日PP.17) | エバネッセント型 | 250 |
| 2016年 9月号 | 低雑音マイクロ波発生装置 光物差し採用 小型化 光のクシで通信速度7倍 http://www.ntt.co.jp/news2016/1605/160517a.html | NTT 東京電機大 | 日刊工業新聞 (2016年5月18日PP.25) 日経産業新聞 (2016年5月23日PP.8) | 光周波数コム マイクロ波・ミリ波発生装置 電波の雑音 1/100 無線通信 伝送速度向上 雑音除去 レーザ | 440 340 240 |
| 2016年 7月号 | 銅配線簡略化 レーザー照射だけで http://www.shibaura-it.ac.jp/news/2015/mfpdut000000d7wh-att/mfpbut000000d80m.pdf | 芝浦工大 | 日刊工業新聞 (2016年4月7日PP.26) | 銅錯体 レーザー照射 αケト酸 プリンタブルエレクトロニクス | 160 |
| 2016年 7月号 | 銅配線簡略化 レーザー照射だけで http://www.shibaura-it.ac.jp/news/2015/mfpdut000000d7wh-att/mfpbut000000d80m.pdf | 芝浦工大 | 日刊工業新聞 (2016年4月7日PP.26) | 銅錯体 レーザー照射 αケト酸 プリンタブルエレクトロニクス | 160 |
| 2016年 6月号 | 高輝度三原色レーザ光源 体積1/10 省エネ2 http://www.nedo.go.jp/news/press/AA5_100534.html | 阪大 島津製作所 NEDO | 日刊工業新聞 (2016年3月15日PP.23) | 1万ルーメン LEDに比べ体積が約1/10と小型で 3倍以上の高輝度 2倍の省エネルギー性能 | 250 |
| 2016年 3月号 | 強いレーザパルスで量子状態高速操作 | 名大など | 日刊工業新聞 (2015年12月1日PP.31) | 量子コンピュータ 極紫外自由電子レーザ 近赤外高強度フェムト秒レーザ 50兆分の1秒で量子状態操作 | 120 |
| 2016年 3月号 | ラマン散乱顕微鏡 解像力2倍に | 阪大 | 日刊工業新聞 (2015年12月3日PP.21) | 2本のレーザ光 点線状の光 点の位置をずらした3枚の写真を合成 | 360 |
| 2016年 3月号 | ギガフォトン EUV光源で出力100W 24時間安定発光 メモリーなど 量産用EUVスキャナ実現へ前進 | ギガフォトン | 電波新聞 (2015年12月16日PP.3) | EUV光源 プラズマ 固体レーザ | 250 |
| 2016年 1月号 | レーザ照射で，メカニカル振動子の熱ノイズを半減 | NTT | 東北大 (0年2015月10日PP.20) | 21 | 光共振器を使わずにレーザ冷却 210 |
| 2015年11月号 | 「フォトニック結晶ナノ光ファイバ」の二つの作製方法を開発 | 電通大 石原産業 | 日刊工業新聞 (2015年8月18日PP.17) | フェムト秒レーザを用いてナノファイバ自身に光共振器を形成 外部回折格子を接触させることで光共振器機能を組込む方法 光子機能を制御 | 240 260 |
| 2015年11月号 | レーザ素子 安価に作成 集積回路に組込み容易 | 東京都市大 | 日経産業新聞 (2015年8月20日PP.8) | ゲルマニウムを使った近赤外線レーザ素子 | 160 250 |
| 2015年11月号 | 世界最短波長0.15ナノメートル 原子準位レーザ開発 http://www.uec.ac.jp/about/publicity/media_release/pdf/20150827.pdf | 電通大 理研 高輝度光科学研 東大 阪大 京大 | 日刊工業新聞 (2015年8月27日PP.33) | 波長従来比10分の1以下 0.15nm 世界最短波長の原子準位レーザを開発 | 250 |
| 2015年10月号 | 最小の半導体レーザ | 東大 | 日経産業新聞 (2015年7月7日PP.8) | 太さ鉛筆の2万5000分の1 ガリウム・ヒ素 | 250 |
| 2015年10月号 | パルス幅100ピコ秒で出力 | トリマティス | 日刊工業新聞 (2015年7月31日PP.8) | パルス幅100ピコ秒 レーザ出力 駆動制御回路 | 250 |
| 2015年 9月号 | 高度600kmの衛星画像 レーザーで地上に伝送 http://www.nict.go.jp/press/2015/06/03-2.html | 情通機構 | 日刊工業新聞 (2015年6月4日PP.20) | 1.5μmのレーザを使い，大気のゆらぎによるデータ消失やデータ伝送エラーを解決する独自の演算負荷の小さい誤り訂正機能 | 520 |
| 2015年 9月号 | ナノワイヤ型の量子ドットレーザを開発 http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0720150630eaaf.html | 東大 | 日刊工業新聞 (2015年6月30日PP.21) | 世界最小となるナノワイヤ型の量子ドットレーザ，従来に比べ面積は1/100以下，直径290nmのガリウムヒ素製ナノワイヤ，特性温度133K，27℃でレーザ動作に成功 | 240 250 |
| 2015年 9月号 | 復権モノづくり TRAFAM | 上野 | 次世代3D積層造形技術総合開発機構 (0年2015月6日PP.30) | 1 | 金属3Dプリンタ，レーザ粉体肉盛り法，粉末焼結積層造形法 360 |
| 2015年 8月号 | 文化財3Dモデル簡単制作 画像貼り付け自動調整 | 中央大学 | 日刊工業新聞 (2015年5月15日PP.23) | 文化財や製品などの3次元モデルを簡便に制作。レーザーで立体形状を測定し カメラで全周の写真を撮る。 | 520 |
| 2015年 7月号 | 4Kなど双方向通信 http://news.fujixerox.co.jp/news/2015/001189/ | 富士ゼロックス | 日刊工業新聞 (2015年4月8日PP.11) | 域内情報通信網(LAN)上のデータも双方向通信可能な光電送器，レーザを使うことで映像を圧縮せずに | 340 |
| 2015年 5月号 | 金原子結合X線で観測 | 高エネルギー加速器研究機構 | 日経産業新聞 (2015年2月19日PP.10) | 100フェムト秒のレーザ照射 | 360 |
| 2015年 3月号 | 「量子もつれ光子対」高速30倍で生成 http://www.nict.go.jp/press/2014/12/19-1.html | 情通機構，電通大 | 日刊工業新聞 (2014年12月22日PP.18) | 従来比3倍以上高速，1550nm付近の光ファイバ通信波長帯において2個の光子が特殊な相関を持ち結びつく，高速で安定性の高い周波数コム光源を内蔵した2.5GHzの駆動型レーザシステム | 240 |
| 2015年 1月号 | 石英ガラスに大容量の情報を3億年以上保存可能な技術の開発 | 日立 京大 | 日経産業新聞 (2014年10月21日PP.8) 日刊工業新聞 (2014年10月21日PP.23) | フェムト秒パルスレーザで石英ガラスに刻印 データの書き込み速度1.5kb/s.石英ガラスに1μm程の微細な穴を開け記録.100層の多層記録 | 130 230 430 |
| 2014年11月号 | LEDやレーザー用の新基板材料の開発 | 東北大 福田結晶技術研究所 | 日経産業新聞 (2014年8月21日PP.10) | 基板に使う結晶をSc Al Mgの酸化物から試作 結晶制作の炉内構造を見直し成功 サファイアに比べ結晶の欠陥を1/10に 直径2インチの結晶 | 250 260 110 |
| 2014年 8月号 | 新原理の量子暗号方式 | 東大 | 日刊工業新聞 (2014年5月22日PP.19) | セキュリティ監視不要 既存のレーザー光線と干渉計を組み合わせ 盗聴者は一定の小さい情報しか得られない | 520 |
| 2014年 7月号 | 透明・半透明フィルムのピンホールを検出する検査装置 | 浜松ホトニクス | 日経産業新聞 (2014年4月9日PP.13) | 最小50μmの微小穴検出 半導体レーザ光源とフォトダイオードによる検出部 検査速度600m/min | 360 |
| 2014年 7月号 | 量子ドットレーザ搭載Si光配線基板 | 東大 | 日刊工業新聞 (2014年4月16日PP.21) | Si基板上に光配線機能を一体集積 25〜125℃動作可能 伝送帯域速度15Tbit/cm2 | 150 160 240 |
| 2014年 6月号 | 半導体中の電子を直接観測 | 東工大 | 日経産業新聞 (2014年3月7日PP.9) | GaAs 200fs間隔で測定 レーザパルス光源と光電子顕微鏡を組合せる 電子の移動速度を秒速8万mと測定 | 660 |
| 2014年 6月号 | 多量の量子もつれを生成 | NTT | 日刊工業新聞 (2014年3月18日PP.21) | K原子 1μm間隔で100万個 0.1mm角の立方体光格子に閉じ込める 光格子レーザとゲート操作用レーザを使用 | 120 |
| 2013年12月号 | 高速物体の振動を測定し遠隔地で再現できるシステム | 東大 | 日刊工業新聞 (2013年9月6日PP.21) | 臨場感の高いエンタテインメントなどへの応用が可能 家MR後レーザ連動 臨場感忠実に | |
| 2013年12月号 | フォトニック液晶レーザ | 浜ホト 京大 | 日刊工業新聞 (2013年9月27日PP.33) 日経産業新聞 (2013年9月27日PP.9) | 直径200μmの円形発光面 ビームの広がり角度1度未満 エムスクエア値1.1 | 250 |
| 2013年10月号 | 幅広い波長の光を吸収させる太陽電池用素材 | 東大 | 日経産業新聞 (2013年7月4日PP.11) | 直径0.5〜1μmの量子ドット Cd-SeとZnOの5nm微粒子を樹脂で固め青・緑色レーザ光を照射。近接場光。紫外光は波長を伸ばし 赤外光は縮める波長変換効果を確認 | 120 250 |
| 2013年10月号 | 大容量HD向けナノパターンを高速生産 | 素形材センタ 明昌機工 東北大 | 日経産業新聞 (2013年7月11日PP.11) | 微細構造 レーザ光で加熱 φ25nmパターンを45nmピッチで作成 従来の15倍高速 | 230 |
| 2013年10月号 | Si材料で超小型レーザ | 大阪府立大 京大 JST | 日経産業新聞 (2013年7月12日PP.10) | フォトニック結晶 消費エネルギー1/10000 ラマン効果 | 250 |
| 2013年 9月号 | 小型・省エネ型ラマンシリコンレーザ | 大阪府大 京大 | 日刊工業新聞 (2013年6月27日PP.28) | フォトニック結晶 光共鳴装置 全光通信波長帯を利用可能 | 250 |
| 2013年 8月号 | 光を使わずレーザ発振 | 国立情報学研 | 日経産業新聞 (2013年5月29日PP.1) | 「励起子」 消費電力1/100 800nmの電磁波をあてる | 240 |
| 2013年 8月号 | 半導体レーザを光源に使用した新照明 | 東芝ライテック | 日経産業新聞 (2013年5月21日PP.1) | 青色ダイオード 140Mcd/m2 LED照明の倍以上の明るさ 光ファイバ 寿命2万時間 | 250 |
| 2013年 7月号 | 有機分子の構造変化をピコ秒オーダで観測 | 東工大 | 日経産業新聞 (2013年4月23日PP.9) | 超短パルスレーザと高輝度超短パルス電子線 分子の動きを画像化 | 360 |
| 2013年 7月号 | CNTから陽子ビーム | 阪大 中部大 | 日刊工業新聞 (2013年4月25日PP.28) | ナノチューブ内部に水素化合物を充填し強力なレーザを照射 | 160 |
| 2013年 6月号 | 周波数揺らぎ100万分の1の振動子 | NTT | 日刊工業新聞 (2013年3月19日PP.29) | 長さ250μm・幅85μm・厚さ1.4μmの板バネ SASER フォノンレーザ MEMS レーザ応用 水晶振動子置換え | 260 250 160 |
| 2013年 6月号 | 4波長Si集積レーザ | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2013年3月21日PP.13) | シリコンフォトニクス 反射ミラーによる波長選択 光増幅素子をSi上に0.5μmで貼り合わせた 波長間隔12±0.5nmの4波長を+5dBmで生成 | 240 |
| 2013年 5月号 | テラヘルツ波を用いた高感度顕微鏡 | 岡山大 | 日経産業新聞 (2013年2月9日PP.7) | フェムト秒レーザを照射 数十μm〜数百μmの物体を測定可能 数分間で計測 | 360 |
| 2013年 5月号 | 単純構造で製造容易なレーザ素子 | 産総研 | 日経産業新聞 (2013年2月15日PP.10) | ランダムレーザ 平均粒径約212nm のZnO微粒子 厚さ100μmに成膜 380nm波長でレーザ発振 ZnOなどでできた膜が光源 | 250 |
| 2013年 3月号 | X線自由電子レーザを4万倍に集光 | 高輝度光科学選球センタ 阪大 東大 理研 | 日経産業新聞 (2012年12月18日PP.10) | 反射面が楕円形状 集光鏡面を原子レベルで凹凸調整 | 250 |
| 2013年 1月号 | レーザ光源を採用した小型プロジェクタ 携帯端末内蔵も視野 | パナソニック | 日刊工業新聞 (2012年10月10日PP.9) | レーザ光源 | プロジェクタ レーザバックライト式 スマートフォン程度のサイズ 350 |
| 2012年12月号 | 素子1個で様々な色のレーザ光 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2012年9月13日PP.11) | 厚さ100μm シートをつまんで元の厚さより9%で赤・21%でオレンジ・25%で黄色のレーザ光が出た | 250 |
| 2012年12月号 | 太陽光から効率よくレーザ光に変換できる材料 | 北大 | 日刊工業新聞 (2012年9月24日PP.23) | CaとYとAlの酸化物の結晶にCrとNdを混ぜたもの 浮遊帯溶融 500nm付近で吸収大 | 150 120 250 |
| 2012年12月号 | 石英ガラスにCD並み密度で記録 | 日立 京大 | 日刊工業新聞 (2012年9月25日PP.26) | フェムト秒パルスレーザ 多層記録技術や一括記録技術を開発 4層記録でSN比15dB 40MB/inch 高温劣化加速試験で数億年劣化しない | 330 430 |
| 2012年11月号 | 10兆分の1秒の高速撮影が可能な3次元計測システム | 京都工繊大 千葉大 | 日刊工業新聞 (2012年8月20日PP.16) | ディジタルホログラフィ 光源にフェムト秒パルスレーザを使用 中心波長800nmに対応し 画素ごとに独立させた偏光素子をカメラに搭載 | 430 660 |
| 2012年11月号 | 近接場光を用いたSi製受光素子 | 東大 | 日経産業新聞 (2012年8月22日PP.7) | Si基板に微小な穴 1.3μm波長のレーザを照射すると1.3μm波長の光で電圧変換 長い波長を短い波長に変換することで処理できる波長幅を広げる | 110 210 120 |
| 2012年10月号 | ガラス表面のレーザー加工技術 | 産総研 YEデータ 埼玉県産業振興公社 | 日経産業新聞 (2012年7月23日PP.13) | 「LIBWE法」 色素溶液塗布 レーザ照射で1μm削る 3mm角の加工に20秒 | 260 |
| 2012年 9月号 | 純緑色レーザー | ソニー 住友電工 | 日刊工業新聞 (2012年6月22日PP.8) 日経産業新聞 (2012年6月22日PP.4) | GaN結晶を斜めに切った基板 発振波長530nm 光出力100mW 輝度2倍 | 250 |
| 2012年 7月号 | 高効率1.3μm量子ドットレーザ | 東大 | 日刊工業新聞 (2012年4月2日PP.18) | ウェハ融着法 しきい値を改善 Si基板 | 120 250 |
| 2012年 6月号 | 死角にある物体を3次元画像化 | 米MIT | 日刊工業新聞 (2012年3月28日PP.33) | フェムト秒レーザ 50fsのレーザパルス送出 2ps分解能のカメラで捕捉 | 320 520 |
| 2012年 4月号 | 小型で高速変調可能な緑色レーザ | QDレーザ 東大 富士通研 | 日刊工業新聞 (2012年1月20日PP.25) | 波長532nm 純緑色レーザモジュール 容積0.5cc 出力100mW 100MHzで変調可能 | 250 |
| 2012年 3月号 | 波長1〜1.3μmのレーザ光発振素子 | 情通機構 光伸工学工業 セブンシックス | 日経産業新聞 (2011年12月15日PP.11) | InAs製高さ4〜6nmの量子ドットを素子に埋め込む 直径125μm 数百nmの穴を30から百数十個開けた石英ガラス製光ファイバを使用 | 140 240 250 |
| 2012年 3月号 | 直径25nmの高分子ワイヤ作製 | 物材機構 | 日刊工業新聞 (2011年12月23日PP.13) | レーザ照射 ナノ材料を混合し機能性持たせる 長さ20μm | 160 |
| 2012年 2月号 | 生体内で発電する素子 | 産総研 | 日経産業新聞 (2011年11月30日PP.7) | CNT 4×4×4.4mmの素子 近赤外レーザを体外から当てて8mV発電 | 250 |
| 2012年 1月号 | 25Gbpsで100m伝送可能な小型光送信機 | 日立 | 日刊工業新聞 (2011年10月19日PP.23) | 1Gbpsあたり9mWの低消費電力で動作 回路面積を35%縮小 消費電力を30%低減 CMOSレーザ駆動回路 | 340 440 |
| 2012年 1月号 | 太陽電池の瞬間発電状態を可視化 | 大日本スクリーン製造 阪大 | 日刊工業新聞 (2011年10月26日PP.9) | テラヘルツ波 フェムト秒パルスレーザを短時間照射 レーザテラヘルツ放射顕微鏡 | 250 660 |
| 2011年12月号 | 市販の半導体レーザで「16値」高速光通信 | 日立 | 日刊工業新聞 (2011年9月20日PP.1) | 80Gbpsの信号を320km伝送 位相積算回路 | 440 340 |
| 2011年11月号 | 0.2μm精度の立体化加工技術 | 浜松ホトニクス 京大 | 日経産業新聞 (2011年8月17日PP.1) | フェムト秒レーザ ホログラム技術応用の光変調路 | 160 250 |
| 2011年 7月号 | 鉄系超電導体の電子対結合の第3の機構発見 | 東大 | 日刊工業新聞 (2011年4月8日PP.19) | 電子対を結び付ける働きをする「のり」 格子振動 スピン 高分解能レーザ光電子分光装置 | 120 |
| 2011年 7月号 | 分子1個で高速演算が可能な光技術 | 分子科学研・自然科学研究機構 | 日刊工業新聞 (2011年4月11日PP.17) | 分子コンピュータ 赤外レーザパルスを分子に当てる 0.1ps間隔 分子1個中の異なるエネルギー状態の波動関数の干渉 10兆分の1秒間隔で光る高強度の赤外レーザパルスを当てる | 120 |
| 2011年 7月号 | ポジトロニウムから電子分離 | 東京理科大 高エネルギー加速器研究機構 宮崎大 東大 | 日刊工業新聞 (2011年4月12日PP.21) 日経産業新聞 (2011年4月28日PP.11) | 光脱離 ポジトロニウム負イオンにレーザ照射 ポジトロニウムビーム | 120 |
| 2011年 7月号 | 光の干渉で着色できるレーザ加工技術 | フェトン 神奈川県産業技術センター 東工大 | 日刊工業新聞 (2011年4月27日PP.1) | 周期構造を形成 間隔500〜800nmで制御 300m/分で加工する 近赤外線レーザと緑色レーザを当てnmサイズの周期構造を連続加工 | 160 250 260 460 |
| 2011年 6月号 | 温度調節素子不要な40Gbps光通信用光源 | 富士通 富士通研 | 日刊工業新聞 (2011年3月10日PP.22) 日経産業新聞 (2011年3月11日PP.9) | 1.3μm波長レーザ Al・Ga・In・Asを活性層に使用 25〜70℃で5km伝送 活性層の前後に反射鏡を集積 | 240 |
| 2011年 3月号 | GaN基板の低価格量産技術 | 三菱化学 米カルフォルニア大 | 日経産業新聞 (2010年12月8日PP.1) | コスト1/10 液相法 サファイア基板の1/3の電力で出力3倍 緑色レーザ | 120 |
| 2011年 3月号 | フォトニック人工原子レーザ
-3次元結晶内で発振- | 東大 | 日刊工業新聞 (2010年12月20日PP.17) | 厚さ150nmのGaAsを25層積層 Q値は約4万 中心の層に面積約1.3μm2の欠陥共振器とInAs量子ドットを埋め込み | 140 |
| 2011年 3月号 | CNT内で光化学反応 | NEC 海洋研究開発機構 | 日刊工業新聞 (2010年12月27日PP.1) | スーパコンピュータ 計算機シミュレーション 地球シミュレータ HC1 強度の高いかご状CNTを試験管に見立てる フェムト秒レーザ | 120 160 620 |
| 2011年 1月号 | 熱アシスト方式を利用したHDD用ヘッド | TDK | 日経産業新聞 (2010年10月8日PP.5) | 1平方インチあたり1Tb 熱アシスト方式 近接場光をディスク表面で発生 レーザのパワーを急峻に変化 | 230 |
| 2010年11月号 | 13fJ/bitで情報伝送可能な半導体レーザ | NTT | 日経産業新聞 (2010年8月3日PP.11) 日刊工業新聞 (2010年8月2日PP.19) | フォトニック結晶 既存の約1/20のエネルギー | 250 |
| 2010年10月号 | ピーク出力100W超の青紫色半導体レーザ | 東北大 ソニー | 日刊工業新聞 (2010年7月21日PP.27) 日経産業新聞 (2010年7月21日) | パルスの出力間隔3ps 波長405nm 2光子吸収 繰り返し周波数1GHz | 250 |
| 2010年10月号 | コヒーレント光通信技術で40Gbpsの安定受信を実現 | 沖電気 | 日経産業新聞 (2010年7月26日PP.12) | 消費電力1/10 光モード同期半導体レーザ 電気信号に変換不要 消費電力1/10 光モード同期半導体レーザ 2時間以上安定受信 受信した光信号をレーザの光と重ね合わせ | 250 340 440 |
| 2010年 9月号 | 液晶レーザ発振用有機材料 | 東工大 | 日刊工業新聞 (2010年6月2日PP.22) | 液晶レーザ 従来比1/20の低エネルギー発振 甲虫の上羽構造 コレステリック液晶 | 150 250 |
| 2010年 8月号 | 量子ドットレーザで25Gbpsでデータ通信 | 富士通 東大 | 日刊工業新聞 (2010年5月21日PP.23) | 従来比2.5倍 GaAs基板 InAsの量子ドット 600億個/cm2 量子ドット層8層 | 250 240 |
| 2010年 8月号 | 量子ドットを300層積層した半導体レーザ | 情通機構 | 日刊工業新聞 (2010年5月26日PP.23) 日経産業新聞 (2010年5月27日PP.13) | 温度調整装置が不要 80℃までの高温域で波長1.55μmでレーザ発振成功 | 120 250 |
| 2010年 8月号 | 量子ドットを使用した低消費電力レーザ発振素子 | 東大 | 日経産業新聞 (2010年5月31日PP.12) | Si基板上で微少なレーザ光を発振 InAsでできた直径20nmの「量子ドット」 長さ1mm・幅60μm・厚さ0.3mmの棒状素子 | 120 250 |
| 2010年 5月号 | 人工原子1個でレーザ光を出す半導体 | 東大 | 日経産業新聞 (2010年2月22日PP.10) 日刊工業新聞 (2010年2月16日PP.22) | 直径100nmの穴を10個開けた厚さ160nmのGaAs半導体薄膜 中央に直径20〜25nm厚さ2〜3nmのInAsの人工原子を埋め込む 波長917nm フォトニック結晶体 ナノ共振器 | 120 250 240 |
| 2010年 4月号 | 近接場技術で200GBの新型光ディスク | パイオニア | 日経産業新聞 (2010年1月6日PP.5) | 近接場光 ピット長さ53nm 青色レーザ 光源のレンズとディスクの間隔20nm 100・200GB作製技術および100GB再生技術を確立 BDの8倍の記憶容量 | 230 |
| 2010年 3月号 | 石英ガラスで10万年保存可能な記憶技術 | 日立 | 日刊工業新聞 (2009年12月1日PP.1) | ディジタルデータ ストレージ 短パルスレーザ LED 3cm角の石英ガラス板に4.8KB容量のデータ書込み | 230 |
| 2010年 3月号 | 独自有機化合物による微細加工技術 | 富士フイルム | 日経産業新聞 (2009年12月16日PP.11) | 波長405nmの青色レーザ Siや酸化シリコンやサファイアの円板 直径40nmの穴や幅200nmの溝を規則的に生成 ビオロゲン塩 レジスト | 160 |
| 2010年 2月号 | LSI内1チップ光配線 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2009年11月10日PP.25) | 消費電力1/10 長さ600μmのレーザ光源部品 幅450nmのSi光導波路 受光素子の大きさ1/5 光源と導波路間の光結合効率60%以上 オンチップフォトニクス | 220 |
| 2010年 1月号 | レーザ照射を活用した大容量HDD技術 | TDK | 日経産業新聞 (2009年10月6日PP.1) | 1インチあたり1TB以上 熱アシスト垂直磁気記録 | 230 |
| 2010年 1月号 | 光干渉を使ったナノ精度測定 | 埼玉大 東洋精機製作所 | 日経産業新聞 (2009年10月7日PP.11) | 精度1nm以下 光干渉 レーザ光を2つの経路に分けて解析 20cm2 | 320 660 |
| 2009年12月号 | 大容量 多層光ディスク | TDK | 日経産業新聞 (2009年9月30日PP.1) | 320GB BDと同一形状 青色レーザ ポリカーボネイト 各層で光学特性を変化させる材料の比率を調整 ハイビジョン200時間録画可能 10層構造 | 230 120 160 |
| 2009年11月号 | 携帯電話端末に1Gbpsの赤外線通信機能を開発 | KDDI | 日経産業新聞 (2009年8月6日PP.1) | 1Gbpsの赤外線通信技術が国際標準団体IrDAに採用 半導体レーザ 通信速度従来の250倍 従来のLEDと同じ850nm | 440 540 |
| 2009年10月号 | 純緑色半導体レーザ | 住友電工 | 日本経済新聞 (2009年7月16日PP.11) | 窒化ガリウムの結晶の切り出し方を工夫 室温で波長が531nmのレーザ光 薄型テレビ プロジェクタ | 250 |
| 2009年 7月号 | フルカラーで発光するSiナノ結晶 | 広島大 JST | 日経産業新聞 (2009年4月15日PP.9) 日刊工業新聞 (2009年4月15日PP.20) | 超臨界流体のCO2にSiを浸しレーザ照射で5nmのSi粒に加工 パルスレーザアブレーション 急冷で発光強度100倍増加 光を当てると赤・緑・青・紫外光を放つ | 120 250 |
| 2009年 5月号 | 量子状態を光で測定 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2009年2月5日PP.26) 日経産業新聞 (2009年2月5日PP.11) | 量子を重ね合わせた状態を電子スピンに転写 光で測定 電子スピントモグラフィ 光子の偏光状態 電子のスピン状態 レーザ | 120 660 |
| 2009年 5月号 | ピコレベルの超微小加工技術 | 自然科学研究機構 | 日刊工業新聞 (2009年2月25日PP.28) | ヨウ素分子内の二つの原子の波の干渉を検出 10兆分の1秒の照射時間でレーザ光2発を照射 4pmのレベルで制御 | 160 |
| 2009年 2月号 | レーザ光不要なホログラム記録・再生技術 | 情通機構 | 日経産業新聞 (2008年11月18日PP.11) | 赤青緑の三色のホログラムをリアルタイムで作る 1cmの映像を再生 | 450 |
| 2009年 2月号 | 半導体レーザ出力光を利用した高速乱数生成手法 | NTT 拓殖大 | 日刊工業新聞 (2008年11月24日PP.14) | 1.7Gbps レーザ出力光を反射鏡で再びレーザに戻す 約2〜5GHzで振動 | 250 |
| 2009年 1月号 | 光無線通信で最速1Tbps以上の通信速度 | 情通機構 早大 伊サンタナ大 | 日経産業新聞 (2008年10月2日PP.10) | 波長1.5μm帯のレーザ光 レーザ光直径10μm 通信距離210mで1週間確認 | 440 |
| 2009年 1月号 | 原子レベルの物体の位置を測定可能な小型センサ | 日立 | 日経産業新聞 (2008年10月27日PP.11) | 40pmの測定精度 縦5cm・横2cm・高さ1.4cmの箱型センサ レーザ光 フォトニック結晶 | 210 320 660 |
| 2008年11月号 | 超高密度で記録可能な色素材料 | 奈良先端大 | 日経産業新聞 (2008年8月5日PP.11) | ポルフィリン フォトクロミック分子 光ディスク1枚でテラバイト級の記憶容量 がん治療への応用 2光子吸収 波長800nmのレーザを照射 40000倍の効率で光を吸収 | 120 230 |
| 2008年10月号 | 多結晶Siを低温で結晶化させる技術 | 山口大 | 日経産業新聞 (2008年7月7日PP.8) | 紫外線と可視光の波長を持つレーザ光 同時に5ns照射 100回繰り返し 温度250℃以下 多結晶Si材料 | 120 160 |
| 2008年10月号 | 半導体レーザの世界最短波長を実現 | 浜松ホトニクス | 日経産業新聞 (2008年7月29日PP.8) | 波長342nmの紫外レーザ光を発振 化粧にAlを混ぜる 消費電力1/100以下 Al組成が30% AlGaNを発光層 | 250 120 |
| 2008年 8月号 | レーザ光で磁石になる新素材 | 東大 | 日経産業新聞 (2008年5月8日PP.11) | Co W ピリミジン -233℃で波長840nmの赤外線レーザをあてて磁石になる 532nmのレーザで磁石でなくなる | 120 230 |
| 2008年 8月号 | 数百種類のレーザ発振 | 東工大 | 日経産業新聞 (2008年5月9日PP.10) | WDM 多波長光源 発振波長0.8〜0.9μm | 250 |
| 2008年 7月号 | 低消費電力の緑色レーザ光源
-プロジェクタの超小型化が可能に- | 島津製作所 | 日経産業新聞 (2008年4月23日PP.1) | 大きさ直径約2cm 長さ約5cm 単三乾電池2本で6時間連続発光 2種の光学結晶 3Vで出力50mW 2種の光学結晶を組合せ | 240 250 |
| 2008年 6月号 | 25Gbps伝送が可能な半導体レーザ | 日立 日本オプネクスト | 日経産業新聞 (2008年3月3日PP.9) | 波長1300nm 4つの波長を組合せれば100Gbps 伝送実験12kmに成功 0℃〜85℃の間で安定動作 | 240 |
| 2008年 5月号 | 極端紫外光の変換効率4% | 阪大 | 日経産業新聞 (2008年2月22日PP.10) | スズの粒をYAGレーザ照射で膨張させた後に炭酸ガスレーザを照射 EUV | 250 |
| 2008年 4月号 | 通信速度が250倍の赤外線通信技術
-CDアルバムの無線転送1秒で- | KDDI研 | 日経産業新聞 (2008年1月8日PP.1) | 1Gbpsの近距離通信 半導体レーザ 通信距離数cm データ損失を高精度で認識・再送する通信プロトコル 不揮発メモリー | 440 |
| 2008年 4月号 | ハイビジョン画像をレーザで高速転送 | コンピュータイメージ研究所 | 日経産業新聞 (2008年1月15日PP.1) | 毎秒155メガ 通信距離約300m レーザは20〜25° レンズを2枚に増やしデータ転送距離2〜3km | 420 |
| 2008年 4月号 | フラーレン薄膜状態で積層 | 東大 | 日刊工業新聞 (2008年1月16日PP.32) 日経産業新聞 (2008年1月16日PP.9) | 赤外線レーザで加熱・気化し堆積 数mm四方に直径1nm弱のフラーレンを10〜20層堆積 連続光赤外線レーザ堆積法 | 120 160 |
| 2008年 3月号 | GaNフォトニック結晶面発光レーザ -青紫色領域で発振- | 京大 JST | 日経産業新聞 (2007年12月21日PP.11) 日刊工業新聞 (2007年12月21日PP.22) | 再成長空気孔形成法 波長406nm 素子内部に直径85nm 深さ100nmの微小な空洞を186nm間隔で配置 | 160 250 |
| 2008年 1月号 | GaAs光源利用の半導体ジャイロ | ローム ATR波動工学研 日本航空電子工業 古河電工 | 電波新聞 (2007年10月4日PP.1) | リングレーザジャイロ S-FOG 半導体光増幅器から赤外光を光ファイバで時計回りと反時計回りに発光させ光分岐カプラー合成しPDで受光 サニャック効果 | 210 320 |
| 2008年 1月号 | 光伝播の3D動画像の記録・再生技術 | 京都工繊大 JST | 日経産業新聞 (2007年10月17日PP.10) 日刊工業新聞 (2007年10月17日PP.26) | フェムト秒パルスレーザ ホログラム 直方体形状の拡散体 236psの現象を記録 | 660 |
| 2008年 1月号 | 非極性面採用青色半導体レーザ -室温連続発振に成功- | ローム | 電波新聞 (2007年10月25日PP.1) | 非極性面(m面)GaN 波長463nm 共振器長400μm ストライプ幅2.5μm しきい値電流69mA しきい値電圧6.2V 出力2mW以上 | 120 250 |
| 2007年12月号 | 従来の約1/10以下の細さの金属微細配線技術 | 東北大 チッソ 日本電子精機 | 日刊工業新聞 (2007年9月26日PP.29) | フレキシブルプリンタブルエレクトロニクスへの応用 数百nmの微細配線 波長488nmのアルゴンレーザ | 220 160 |
| 2007年10月号 | 空中に立体動画 | 浜松ホトニクス | 産経ビジネス (2007年7月11日PP.9) 毎日新聞 (2007年7月11日PP.28) | 窒素をプラズマ化 レーザを1秒に1000回発射 焦点を結ぶ場所を高速に移動させる | 450 |
| 2007年10月号 | 水中に立体画像を表示 | KAST 東大 | 日刊工業新聞 (2007年7月26日PP.29) | レーザブレイクダウン効果 YAGレーザ光を誘電体多層膜を用いたミラーで2次元スキャンし液中でビームスポット走査 レーザ出力4mJ | 120 250 |
| 2007年 7月号 | リング状金属によりレンズの屈折率を高める技術 | 理化学研 | 日経産業新聞 (2007年4月18日PP.11) | 波長1/10〜1/4のリングにより透磁率が高まり屈折率増大 AgNO3を透明材料に加えフェムト秒レーザで還元 直径約6nmのリング状金属 | 120 310 |
| 2007年 6月号 | 深紫外固体紫外線レーザ | 三菱電機 阪大 | 電波新聞 (2007年3月15日PP.6) | 波長213nm 出力10W LD励起固体レーザの基本ユニットを最大9段まで連結 非線形光学結晶により波長変換 | 160 250 |
| 2007年 5月号 | RGB3色発光の新結晶 | 岩手大 | 日経産業新聞 (2007年2月26日PP.8) | 硫酸カリウムの中に部分的にアミノベンゼンスルホン酸を溶かして冷却 1cm角の結晶 波長355nmのレーザを照射 リン光 量子効率70% | 120 160 250 |
| 2007年 5月号 | 直径平均3nmのITOナノ粒子を作製 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2007年2月26日PP.22) | 粒径20〜100nmのITO粒子にパルスレーザを集光照射 液相レーザアブレーション技術 In使用量削減 | 160 |
| 2007年 4月号 | 青紫色レーザで次世代DVD書込み | 三洋電機 | 日経産業新聞 (2007年1月11日PP.1) | 2層で6倍速 4層記録可能 レーザ光の強さを200mW HD-DVD BD 70℃で1000時間以上安定動作 | 230 250 |
| 2007年 4月号 | レーザで偽物発見 | 英トータル・ブランド・セキュリティー | 日刊工業新聞 (2007年1月11日PP.27) | 簡易識別技術 ナジネルス セキュリティマーク 偽造防止 エッチング | 620 |
| 2007年 4月号 | LSI間の10Gbps光通信 | 先端フォトニクス | 日経産業新聞 (2007年1月18日PP.1) | GaAs製レーザ 直径50μm程度の光伝送路 電気配線の3倍のレート | 240 340 |
| 2007年 2月号 | フェムト秒レーザ照射で単結晶の格子欠陥確認 | 京大 東大 | 日刊工業新聞 (2006年11月20日PP.19) | 特定方向に数nm幅の転位線 クロス形状の構造MgO結晶 | 120 |
| 2007年 1月号 | 不要発光量を94%抑制したレーザ発振源 | 京大 JST | 日刊工業新聞 (2006年10月13日PP.28) | GaAsの2次元フォトニック結晶 結晶中の発光中心に100〜200の量子ドットを導入 | 250 260 |
| 2007年 1月号 | 世界最短の光学現象測定 | 理研 東大 | 日刊工業新聞 (2006年10月18日PP.29) | 極端紫外線レーザ光 2光子クーロン爆発 320アト秒幅のパルス光が1000兆分の1.33秒毎に連なった構成を確認 非線形光学現象 規則正しい波の構造 | 250 660 |
| 2007年 1月号 | LED向けGaN結晶を横向きに成長させる技術 | ローム | 日経産業新聞 (2006年10月18日PP.9) | 緑色レーザ 六角柱の結晶構造 トリメチルガリウム アンモニア 2mW出力 波長500nmの光を出すことに成功 | 160 250 |
| 2006年12月号 | フィルム中に金ナノ粒子を作製 -立体ナノ配線に道- | 阪大 | 日刊工業新聞 (2006年9月4日PP.28) | PVAフィルム ラジカル前駆体(ベンゾフェノン)と金イオン1〜5%をドープ 波長が異なる二つのレーザを照射 ギ酸がない場合に比べ金ナノ粒子の生成速度は約20倍 | 260 160 |
| 2006年12月号 | 超高精度レーザ距離計 | 東北大 光電製作所 | 日経産業新聞 (2006年9月8日PP.9) 日刊工業新聞 (2006年9月8日PP.29) | 10kmで誤差10μm以内 周波数シフト帰還型レーザ 光周波数コムを利用した周波数領域方式 シグマ字型レーザ共振器 | 210 320 660 |
| 2006年11月号 | GaInNAs半導体レーザ -40Gbps動作に成功- | 日立 | 電波新聞 (2006年8月25日PP.1) | Alフリー分子線エピタキシ技術 活性層 逆メサ型リッジ構造 | 120 160 240 |
| 2006年10月号 | Si量子計算機読出しに目処 | 慶応大など | 日刊工業新聞 (2006年7月12日PP.25) | レーザ光照射でリン原子核スピン検出 励起子の発光を計測 単電子トランジスタ | 320 |
| 2006年 9月号 | 半導体レーザのビーム形状を自在に制御 | 京大 ローム JST | 日刊工業新聞 (2006年6月22日PP.34) 日経産業新聞 (2006年6月22日PP.11) | 2次元フォトニック結晶 レーザ共振器の構造を制御して光分布を変化 格子点や格子間隔を変化 現在の数十倍の記録容量を持つ光ディスクの光源に利用可能 光ピンセットに応用可能 | 120 160 250 |
| 2006年 8月号 | 高速PC板用レーザ直描型露光装置 | ペンタックスインダストリアルインスツルメンツ | 電波新聞 (2006年5月29日PP.7) | 照度を従来比3倍 新オプティカルエンジン DI 回路線幅10μm 毎時160面処理 | 360 |
| 2006年 8月号 | 大口径光電導アンテナ活用の画像計測 -毎秒1000枚- | 筑波大 | 日刊工業新聞 (2006年5月31日PP.33) | テラヘルツ波 超高速CCDカメラ 電極間を従来より1/3000 30Vで大出力化 フェムト秒レーザ GaAs基板 | 210 250 320 |
| 2006年 7月号 | 稀少金属を使わない透明電極材料 | 神奈川科学技術アカデミー(KAST) | 日経産業新聞 (2006年4月5日PP.9) | In TiO295%とNb5%を混合したセラミックス レーザ照射で蒸発させガラス上に薄膜 500℃に過熱し導電性向上 可視光透過率80% 抵抗率0.001Ω/cm3 | 120 250 |
| 2006年 6月号 | マルチモードファイバ(MMF) -10Gbps 300mの伝送に成功- | 富士通 東大 | 日刊工業新聞 (2006年3月3日PP.1) | 温度無依存の量子ドットレーザ(QDLD) 3Dのナノ構造に電子が閉じ込められて発光 冷却機・電流駆動制御不要 | 240 120 |
| 2006年 6月号 | 白色レーザ発振可能なフッ化物ファイバ | 住田光学ガラス | 日刊工業新聞 (2006年3月3日PP.1) | 1本で青色半導体レーザを白色レーザとして連続発振 PrをAlF系ガラスに含ませた独自素材 522nm・635nmとあわせ440nm ディスプレイ光源 高い変換効率 三原色の高い色再現性 | 120 160 240 250 |
| 2006年 6月号 | 伝送速度2.5倍の面発光レーザ -次世代スーパコンピュータ向け- | NEC | 日経産業新聞 (2006年3月8日PP.13) | 大きさ250μm角 伝送速度25Gbps GaAsIn | 120 250 |
| 2006年 6月号 | 青紫色レーザ -雑音1/30に- | 金沢大 | 日経産業新聞 (2006年3月16日PP.1) | 逆位相の電流 レーザ反射光が生じる条件下で雑音抑制 低周波時に負帰還 高周波時に正帰還 | 120 250 |
| 2006年 5月号 | 世界最高速10Gbpsの光無線通信実験に成功 | 早大 情通機構 | 日経産業新聞 (2006年2月3日PP.8) | 1.5μm帯のレーザ光 距離1kmで10Gbps | 440 250 |
| 2006年 5月号 | 女性の顔を20台のカメラで同時撮影 | 花王 | 日経産業新聞 (2006年2月21日PP.9) | 化粧品開発 600万画素のディジタルカメラ20台とライト50個をつけた半円形の装置 15°刻み カメラ1台ずつにレーザポインタ 1ピクセル精度で方向合わせ | 310 320 450 |
| 2006年 5月号 | テラヘルツ光用新型レーザ -コスト1/100- | 情通機構 東大 | 日経産業新聞 (2006年2月22日PP.1) | 透過撮影用光源 量子カスケードレーザ 縦3mm 幅500μm 厚さ10μm GaAs化合物半導体の多層膜構造 3.4THz 動作温度-220℃ | 120 160 250 |
| 2006年 3月号 | 5TB目指す3.5インチ型HDDの大容量化 | 米日立GST | 日経産業新聞 (2005年12月15日PP.10) | ディスク表面の磁性層を細切れにする レーザでディスク表面を熱してデータ書込み | 230 160 |
| 2006年 3月号 | 高密度・高均一な量子ドットの製造に成功 | 産総研 | 電波新聞 (2005年12月30日PP.5) | 通信用半導体レーザ 大きな光増幅 40GHzを超える高速直接変調動作が理論的に可能 1.3μmでレーザ発振動作 As2分子線 組成傾斜歪み緩和層構造 | 160 250 120 |
| 2006年 1月号 | 微小流路内で液体の流れ3次元化 | 東京理科大 京大 千葉大 | 日刊工業新聞 (2005年10月14日PP.25) | 流路を1台の高速デジタルビデオカメラで毎秒1000枚撮影 直径1μm程度の微粒子を混ぜた液体を使用 ホログラム レーザ光照射 干渉しま模様を撮影 μTAS | 310 620 360 |
| 2006年 1月号 | 量子ドットを活用した半導体レーザ | 産総研 | 日経産業新聞 (2005年10月24日PP.11) | InAs製 直径15nm GaAs基板上に1000億個/cm2形成 5層積層 波長1.3μmのレーザ光発振 10GHz高速光通信 | 160 250 120 |
| 2005年12月号 | 次世代型光通信レーザ装置 -光信号数10〜100倍に- | 東北大 アドバンテスト研 | 日経産業新聞 (2005年9月7日PP.7) | DWDM 53cm×42cm×16cmの装置 Er添加光ファイバに光信号を通して増幅後アセチレンガスを通し周波数安定 周波数間隔を10MHz以上に狭める | 120 240 250 340 |
| 2005年12月号 | 高輝度青色発光素子 | 米カルフォルニア大 JSTなど | 日経産業新聞 (2005年9月22日PP.9) | 窒化ガリウム半導体結晶 「無極性」「半分極性」という異なる性質を持つ結晶薄膜 200ルーメン/W目標 可視光領域のレーザを簡単に作りわける 発生光は偏光性を持つ | 250 120 160 |
| 2005年11月号 | 全光量子計算で新方式
-量子非破壊測定法を利用- | 国立情報学研 英HP研 | 日刊工業新聞 (2005年8月9日PP.23) | 単一光子方式とレーザパルス方式の組合せ 量子計算システムと光量子通信とのインタフェース 量子ビット間に相関 QND | 120 220 |
| 2005年10月号 | 100GB光ディスク | シャープ | 日刊工業新聞 (2005年7月8日PP.12) | 記録層を二層化 レーザ光からの情報ピットを読取る超解像機能膜に特殊金属酸化膜を使用 青色レーザ | 160 230 |
| 2005年10月号 | 消費電力1/3の高速光通信用レーザ光源 | 日立 日本オプネクスト | 日経産業新聞 (2005年7月14日PP.8) | 発振波長1.55μm 出力2.5W Alを含む半導体材料で作った変調器を半導体レーザと同一基板に集積 | 120 160 250 |
| 2005年10月号 | 半導体レーザ製造技術開発 -コスト1/1000に- | 情通機構 | 日経産業新聞 (2005年7月29日PP.7) | 面発光レーザ GaAs基板にSb系化合物微粒子の量子ドット 波長1.55μm | 120 160 250 |
| 2005年 9月号 | 単一のT字型量子細線光吸収を初めて観測 | 東大物性研 ベル研 | 日刊工業新聞 (2005年6月14日PP.27) | 量子細線 光吸収測定 量子細線レーザ 光変調器 GaAsとAlGaAsで断面が14×6nm | 120 360 660 |
| 2005年 8月号 | 波長2μm帯伝導冷却型レーザ -460mJの最高出力達成- | 情通機構 | 日刊工業新聞 (2005年5月20日PP.35) | LD励起伝導冷却型レーザ 従来は100mJ CO2の排出量測定に適する | 250 |
| 2005年 7月号 | 空中に絵 文字 | バートン 慶応大 | 読売新聞 (2005年4月4日PP.22) | レーザ光線を照射 空気分子を急加熱発光 10ヶ所/0.1秒 | 250 450 |
| 2005年 7月号 | 液晶で光ダイオード -レーザ発振にも成功- | 東工大 | 日刊工業新聞 (2005年4月25日PP.26) | 色素1%混ぜてレーザ発振 フォトニック結晶構造 コレステリック液晶でネマチック液晶を挟むヘテロ構造液晶 | 120 160 250 |
| 2005年 6月号 | 1Tb級光スイッチ -エネルギー1/5で稼働- 図 | FESTA | 日経産業新聞 (2005年3月15日PP.7) | 制御用レーザ光出力100pJが20pJに 結合量子井戸構造 Al/As/Sb層とIn/Ga/As層の間に1nm以下のAl/As層 | 120 160 240 |
| 2005年 5月号 | 世界初のSiレーザ | 米インテル | 電波新聞 (2005年2月18日PP.1) | 連続波 ラマン効果 波長1.68μm 効率5% 出力約8mW 電圧5Vまたは25V駆動 | 160 250 |
| 2005年 4月号 | 200GBのホログラム光ディスク | 日立マクセル 米インフェイズテクノロジーズ | 日経産業新聞 (2005年1月14日PP.1) | 5インチサイズ 転送速度20MBps 二光束干渉方式 干渉縞を3次元で記録 青色レーザ使用 | 230 430 |
| 2005年 4月号 | 青色レーザ発光効率2倍 -省電力・長寿命化に寄与- | NTT | 日経産業新聞 (2005年1月28日PP.1) | 室温で71%の発光効率 下地層を800℃で形成後に同じ800℃を保ちながらInを加え発光層形成 | 160 250 |
| 2005年 3月号 | Blu-ray DiscとDVDに対応した3層ディスク | 日本ビクター | 日刊工業新聞 (2004年12月27日PP.6) | BD1層とDVD2層の片面3層構造 再生専用ディスク 青色レーザを反射し赤色レーザを透過する高機能反射膜 | 230 |
| 2005年 2月号 | 次々世代光ディスク -DVD1枚で映画100本分記録- | パイオニア | 日経産業新聞 (2004年11月8日PP.8) | 500GB記録可能 電子線描画 ピット間隔約70nm 感光性樹脂を塗った炭素基板 紫外線レーザ | 230 |
| 2005年 2月号 | CNTの長さ制御できる合成技術 | 東大 | 日経産業新聞 (2004年11月26日PP.6) | 精度約0.1μm 石英ガラス基板に青色レーザ光を照射し通過してくる光を計測 | 120 660 |
| 2005年 1月号 | 青紫色半導体レーザ -室温連続発振300mW- | NEC | 日刊工業新聞 (2004年10月5日PP.1) | LD 405nm波長 室温〜80℃で動作 活性層の上のp型層にAlNを埋め込んだ | 250 |
| 2005年 1月号 | 通信用レーザ1種類で全波長対応 | NEC | 日経産業新聞 (2004年10月4日PP.8) | WDM ブロードバンド向け 温度を変えるとさまざまな波長 ヒーターで制御 大きさ4mm台 | 240 |
| 2004年12月号 | 新量子暗号通信技術 -半導体から光子の対を発生- | 東北大 阪大 | 日経産業新聞 (2004年9月9日PP.7) 朝日新聞 (2004年9月9日PP.3) | CuAlの結晶に390nmの紫外線レーザ 量子もつれ 光子対 | 220 240 250 120 |
| 2004年12月号 | 光通信中継器の間隔150kmに | 三菱電機 KDDIグループ | 日経産業新聞 (2004年9月17日PP.9) | 増幅用レーザによりファイバ内で信号増幅 光の位相をずらし受信感度増 誤り訂正 長さ2m太さ30cm | 240 340 440 |
| 2004年10月号 | 量子ドットで単一光子 -光通信波長帯- | 東大(NCRC) 富士通研 | 日刊工業新聞 (2004年7月16日PP.24) 電波新聞 (2004年7月16日PP.2) 日本経済新聞 (2004年7月16日) 日経産業新聞 (2004年7月16日PP.8) | 転送速度100kbps InAs/InPによるQD 伝送距離200km以上 波長1.3〜1.55μmで発生 レーザ光源の約400倍の通信速度 | 240 250 340 140 |
| 2004年 8月号 | 広帯域で集光しやすい新たな光源開発 | 東大 santec | 日経産業新聞 (2004年5月11日PP.9) | 白色ランプなみで半導体レーザに匹敵 集光性2〜3μm 波長1.2〜2μm 光の強度白色ランプの1000倍 光の増幅にErを使う 高非線形ファイバ | 250 350 |
| 2004年 8月号 | 世界最高光出力の青紫色半導体レーザ | 三洋電機 | 日刊工業新聞 (2004年5月27日PP.1) | パルス発振で120mW GaN基板 次世代大容量光ディスク | 250 |
| 2004年 6月号 | 安価な高速光通信用レーザ光源 | 東工大 | 電波新聞 (2004年3月2日PP.9) | LiF DFBレーザ 450nmの光を受けると波長710nmで発振 | 240 250 |
| 2004年 6月号 | 32nm幅の半導体加工技術 | Selete | 日経産業新聞 (2004年3月30日PP.1) | F2(下付)レーザ 波長157nm 液浸技術 | 160 |
| 2004年 5月号 | ギガビット通信用面発光レーザ | ローム | 電波新聞 (2004年2月10日PP.5) | スロープ効率世界最高0.95W/A 0.85μm選択酸化AlGaAs系面発光レーザ チップサイズ50μm角 | 240 |
| 2004年 5月号 | 分子にバーコード | 岡崎国立共同研究機構 | 東京新聞 (2004年2月17日PP.2) | 量子計算機に応用 二つの紫外線レーザパルス | 120 |
| 2004年 5月号 | フェムト秒レーザ活用し衝撃波で細胞操作 | 阪大 科学技術振興機構 京大 | 日刊工業新聞 (2004年2月27日PP.1) | フェムト秒レーザ 細胞を破壊せずに移動 たんぱく質結晶の操作可能 | 250 |
| 2004年 4月号 | フェムト秒レーザ使う顕微鏡 | 阪大 理化学研 | 日経産業新聞 (2004年1月23日PP.7) 日刊工業新聞 (2004年1月23日PP.24) | LSI故障診断 磁界分布変化を検出 分解能3μm LTEM | 360 |
| 2004年 3月号 | 触媒微粒子の直径制御 -多層CNT- | 富士通 富士通研 | 日刊工業新聞 (2003年12月5日PP.1) | MWNT 10nm以下の触媒微粒子を10%標準偏差 レーザアブレーションとDMAの組合せ 幾何平均径5.0nm | 160 |
| 2004年 3月号 | アンクールドDFBレーザ -10Gbps直接変調- | 三菱電機 | 電波新聞 (2003年12月16日PP.1) 日刊工業新聞 (2003年12月17日PP.13) | 120℃以上の高温動作 AlGaInAs活性層 | 240 |
| 2004年 3月号 | DVDとHDDVD両方で記録再生するピックアップ | NEC | 日本経済新聞 (2003年12月19日PP.11) | 赤色レーザ 青色レーザ 波長の違いを内部調整しレンズを共通化 | 230 330 |
| 2004年 2月号 | 量子ドットレーザ光通信用波長で発振 | 通信総研 | 日経産業新聞 (2003年11月14日PP.6) | 1.3μm波長 量子ドットをGa・As・Sbで覆う | 250 |
| 2004年 2月号 | 45nmの回路線幅形成 -フッ素レーザで形成- | Selete | 日経産業新聞 (2003年11月21日PP.7) | 内蔵レンズ開口率0.9 CaFレンズ | 160 260 |
| 2004年 1月号 | 350GB容量の光ディスク | 日立 | 日経産業新聞 (2003年10月31日PP.9) 日本経済新聞 (2003年10月31日PP.17) | 映画140時間分を1枚に レーザ光により結晶構造を変化させてアルカリ溶液によるエッチング 記録点40nm 読出し専用ディスク | 160 230 |
| 2003年 8月号 | 面発光型半導体レーザ
-素子1個で20種の波長- | 東工大 | 日経産業新聞 (2003年5月7日PP.10) | 約1mm角のチップ 950nm〜1500nm 半導体幅で | 240 250 |
| 2003年 8月号 | 半導体レーザ量産技術
-安価な製造法開発- | 東大 富士通 | 日経産業新聞 (2003年5月14日PP.9) | 量子ドットレーザ 光通信 MOCVD 発光波長1.8μm | 240 160 250 |
| 2003年 7月号 | 光通信用の波長可変レーザ -32個分の素子を1個で- | NTT | 日経産業新聞 (2003年4月23日PP.12) | 分布反射型レーザ WDMシステム 波長シフト1nmを1nsで変化 | 240 |
| 2003年 7月号 | 緑色レーザダイオード開発へ | 電力中研 | 日経産業新聞 (2003年4月28日PP.6) | LEDに比べ明るさが100倍 素子の構造をナノﾚベﾙで制御 研究開始 | 160 250 |
| 2007年 2月号 | フェムト秒レーザ照射で単結晶の格子欠陥確認 | 京大 東大 | 日刊工業新聞 (2006年11月20日PP.19) | 特定方向に数nm幅の転位線 クロス形状の構造MgO結晶 | 120 |
| 2007年 1月号 | 不要発光量を94%抑制したレーザ発振源 | 京大 JST | 日刊工業新聞 (2006年10月13日PP.28) | GaAsの2次元フォトニック結晶 結晶中の発光中心に100〜200の量子ドットを導入 | 250 260 |
| 2007年 1月号 | 世界最短の光学現象測定 | 理研 東大 | 日刊工業新聞 (2006年10月18日PP.29) | 極端紫外線レーザ光 2光子クーロン爆発 320アト秒幅のパルス光が1000兆分の1.33秒毎に連なった構成を確認 非線形光学現象 規則正しい波の構造 | 250 660 |
| 2007年 1月号 | LED向けGaN結晶を横向きに成長させる技術 | ローム | 日経産業新聞 (2006年10月18日PP.9) | 緑色レーザ 六角柱の結晶構造 トリメチルガリウム アンモニア 2mW出力 波長500nmの光を出すことに成功 | 160 250 |
| 2006年12月号 | フィルム中に金ナノ粒子を作製 -立体ナノ配線に道- | 阪大 | 日刊工業新聞 (2006年9月4日PP.28) | PVAフィルム ラジカル前駆体(ベンゾフェノン)と金イオン1〜5%をドープ 波長が異なる二つのレーザを照射 ギ酸がない場合に比べ金ナノ粒子の生成速度は約20倍 | 260 160 |
| 2006年12月号 | 超高精度レーザ距離計 | 東北大 光電製作所 | 日経産業新聞 (2006年9月8日PP.9) 日刊工業新聞 (2006年9月8日PP.29) | 10kmで誤差10μm以内 周波数シフト帰還型レーザ 光周波数コムを利用した周波数領域方式 シグマ字型レーザ共振器 | 210 320 660 |
| 2006年11月号 | GaInNAs半導体レーザ -40Gbps動作に成功- | 日立 | 電波新聞 (2006年8月25日PP.1) | Alフリー分子線エピタキシ技術 活性層 逆メサ型リッジ構造 | 120 160 240 |
| 2006年10月号 | Si量子計算機読出しに目処 | 慶応大など | 日刊工業新聞 (2006年7月12日PP.25) | レーザ光照射でリン原子核スピン検出 励起子の発光を計測 単電子トランジスタ | 320 |
| 2006年 9月号 | 半導体レーザのビーム形状を自在に制御 | 京大 ローム JST | 日刊工業新聞 (2006年6月22日PP.34) 日経産業新聞 (2006年6月22日PP.11) | 2次元フォトニック結晶 レーザ共振器の構造を制御して光分布を変化 格子点や格子間隔を変化 現在の数十倍の記録容量を持つ光ディスクの光源に利用可能 光ピンセットに応用可能 | 120 160 250 |
| 2006年 8月号 | 高速PC板用レーザ直描型露光装置 | ペンタックスインダストリアルインスツルメンツ | 電波新聞 (2006年5月29日PP.7) | 照度を従来比3倍 新オプティカルエンジン DI 回路線幅10μm 毎時160面処理 | 360 |
| 2006年 8月号 | 大口径光電導アンテナ活用の画像計測 -毎秒1000枚- | 筑波大 | 日刊工業新聞 (2006年5月31日PP.33) | テラヘルツ波 超高速CCDカメラ 電極間を従来より1/3000 30Vで大出力化 フェムト秒レーザ GaAs基板 | 210 250 320 |
| 2006年 7月号 | 稀少金属を使わない透明電極材料 | 神奈川科学技術アカデミー(KAST) | 日経産業新聞 (2006年4月5日PP.9) | In TiO295%とNb5%を混合したセラミックス レーザ照射で蒸発させガラス上に薄膜 500℃に過熱し導電性向上 可視光透過率80% 抵抗率0.001Ω/cm3 | 120 250 |
| 2006年 6月号 | マルチモードファイバ(MMF) -10Gbps 300mの伝送に成功- | 富士通 東大 | 日刊工業新聞 (2006年3月3日PP.1) | 温度無依存の量子ドットレーザ(QDLD) 3Dのナノ構造に電子が閉じ込められて発光 冷却機・電流駆動制御不要 | 240 120 |
| 2006年 6月号 | 白色レーザ発振可能なフッ化物ファイバ | 住田光学ガラス | 日刊工業新聞 (2006年3月3日PP.1) | 1本で青色半導体レーザを白色レーザとして連続発振 PrをAlF系ガラスに含ませた独自素材 522nm・635nmとあわせ440nm ディスプレイ光源 高い変換効率 三原色の高い色再現性 | 120 160 240 250 |
| 2006年 6月号 | 伝送速度2.5倍の面発光レーザ -次世代スーパコンピュータ向け- | NEC | 日経産業新聞 (2006年3月8日PP.13) | 大きさ250μm角 伝送速度25Gbps GaAsIn | 120 250 |
| 2006年 6月号 | 青紫色レーザ -雑音1/30に- | 金沢大 | 日経産業新聞 (2006年3月16日PP.1) | 逆位相の電流 レーザ反射光が生じる条件下で雑音抑制 低周波時に負帰還 高周波時に正帰還 | 120 250 |
| 2006年 5月号 | 世界最高速10Gbpsの光無線通信実験に成功 | 早大 情通機構 | 日経産業新聞 (2006年2月3日PP.8) | 1.5μm帯のレーザ光 距離1kmで10Gbps | 440 250 |
| 2006年 5月号 | 女性の顔を20台のカメラで同時撮影 | 花王 | 日経産業新聞 (2006年2月21日PP.9) | 化粧品開発 600万画素のディジタルカメラ20台とライト50個をつけた半円形の装置 15°刻み カメラ1台ずつにレーザポインタ 1ピクセル精度で方向合わせ | 310 320 450 |
| 2006年 5月号 | テラヘルツ光用新型レーザ -コスト1/100- | 情通機構 東大 | 日経産業新聞 (2006年2月22日PP.1) | 透過撮影用光源 量子カスケードレーザ 縦3mm 幅500μm 厚さ10μm GaAs化合物半導体の多層膜構造 3.4THz 動作温度-220℃ | 120 160 250 |
| 2003年 6月号 | 光通信用発光レーザ -10Gbpsコスト半分以下- | 古河電工 | 日経産業新聞 (2003年3月19日PP.1) | 光通信 面発光レーザ 1300nm帯 | 240 250 |
| 2003年 6月号 | 半導体レーザ -青紫色の出力2倍に- | 三洋電機 | 日本経済新聞 (2003年3月27日PP.13) | 出力100mW 2層ディスク書込み可能 | 250 |
| 2003年 3月号 | 膵臓ガン診断システム -早期発見に道- | 慶応大 | 日本経済新聞 (2002年12月27日PP.13) | 診断システム 波長630nmのレーザ 圧電素子 フォトフリン 治療も可 | 660 |
| 2003年 2月号 | トップゲート型FET -単層CNTで試作- | NEC 科学技術振興事業団 | 日刊工業新聞 (2002年11月8日PP.5) 日経産業新聞 (2002年11月8日PP.7) | レーザ蒸着法で合成 単相CNTの上にTi層 酸化チタンゲート絶縁膜 相互コンダクタンスが320ns | 160 220 |
| 2003年 2月号 | 量子カスケード半導体レーザの発振に成功 | 東北大 | 日本工業新聞 (2002年11月15日PP.2) | 遠赤外領域 ナノ構造 InAs AlSb 厚さ4〜7nm×20層の超格子×40周期 発光波長9.94μm | 250 220 |
| 2003年 2月号 | レーザで新加工技術 -波長より微細に- | 福井産業支援センター 福井高専 京大 アイテック | 日本経済新聞 (2002年11月29日PP.17) | フェムト秒極短パルスレーザ 波長の1/5〜1/10の微細構造 偏光制御 | 160 |
| 2003年 1月号 | CNT光スイッチ | 産総研 フェムト秒テクノロジー研究機構 | 日経産業新聞 (2002年10月4日PP.10) | ガラス板に吹き付けたCNTに1.55μmのレーザを当て光の強さによってスイッチ動作 | 120 240 |
| 2003年 1月号 | 電力1/100のレーザ -速度100倍 光通信などに応用- | 科学技術振興事業団 量子もつれプロジェクト | 日経産業新聞 (2002年10月7日PP.10) | エキシトンレーザ ボーズ・アインシュタイン凝縮 -269℃ | 240 250 |
| 2003年 1月号 | ガラス表面にホログラフ書込み再生 | 阪大 | 日刊工業新聞 (2002年10月11日PP.5) | フェムト秒レーザ 立体像の再生 | 230 430 |
| 2003年 1月号 | 光ディスク -容量250GB開発にメド- | 東芝 パイオニア 日本サムスン 日本ビクター シャープ TDK パルステック工業 産総研 | 日本経済新聞 (2002年10月18日PP.17) | スーパーレンズ 4nmPtO薄膜 青色レーザ80GB・赤色レーザ60〜70GB ディジタルハイビジョン映像を20時間録画可能 ライトワンス | 230 330 |
| 2002年12月号 | 10Gbps動作の発光・受光素子 | 日立 | 電波新聞 (2002年9月6日PP.2) | 85℃ 5000時間越す安定動作 InGaAlAs埋込みヘテロ型半導体レーザ InAlAsメサ型アバランシェフォトダイオード | 210 240 250 |
| 2002年12月号 | ハイビジョン映像を光無線で伝送 | 日本ビクター | 日経産業新聞 (2002年9月25日PP.11) 日刊工業新聞 (2002年9月25日PP.3) | レーザフォトダイオード アバランシェフォトダイオード アイセーフ光学系 1.25Gbps 最長10m伝送 | 340 |
| 2002年11月号 | 次世代DVD新規格 | 東芝 NEC | 日本経済新聞 (2002年8月24日PP.1) 日本経済新聞 (2002年8月24日PP.14) 朝日新聞 (2002年8月24日PP.3) 日本経済新聞 (2002年8月30日PP.13) | 二重の記録層の凹凸にデータを焼き込む ディジタルハイビジョンを5時間余り 片面2層40GB 保護層0.6mm厚 DVDフォｰﾗムに公開 ランドグループ方式 405nm青色レーザ | 230 530 |
| 2002年10月号 | 近接場光記録 -読出し原理実証- | 東工大 | 日刊工業新聞 (2002年7月8日PP.7) | 面発光レーザ(VCSEL)分布ブラッグ反射層 SNOMプローブの2次元像 200nm以下の分解能 テラバイト級データストレージ技術 | 230 250 330 |
| 2002年10月号 | 半導体レーザ -消費電力を半減- | NEC | 日本経済新聞 (2002年7月12日PP.17) | 発光部の幅を2μmから10μm 45%の消費電力で同一出力 | 240 250 |
| 2002年10月号 | 次世代DVD -容量4倍パソコン用で標準目指す- | NEC | 日刊工業新聞 (2002年7月16日PP.1) | 光ディスク 405nm青色半導体レーザ 片面最大20.5GB・32Mbps DVDとの互換制を重視 保護層厚0.6mm カートリッジ不要 | 230 330 530 |
| 2002年 8月号 | 歯車型の微小レーザ | 横浜国大 | 日本経済新聞 (2002年5月27日PP.21) | 直径25μm 厚さ250nm InP 出力17μW 光励起 | 250 |
| 2002年 8月号 | 光多層記録で基礎技術 -容量DVDの100倍に- | リコー 阪大 | 日経産業新聞 (2002年5月28日PP.9) | 高分子ジアリールエテン層 二光子吸収 300〜1000Gバイト フェムト秒レーザを照射 2010年頃 | 120 130 230 |
| 2002年 7月号 | 単電子スピンバルブ | 米ベル研 NEC北米研 カナダシモン・フレーザー大学 | 日刊工業新聞 (2002年4月19日PP.5) | 自己組織単分子膜室温で30%以上のGMR | 120 210 230 |
| 2002年 5月号 | DVDに世界規格 -次世代光ディスク規格統一- | 松下電器 ソニー 日立 パイオニア シャープ 蘭フィリップス 仏トムソン・マルチメディア 韓サムソン電子 韓LG電子 | 日本経済新聞 (2002年2月16日PP.13) 日本経済新聞 (2002年2月16日PP.1) 日本経済新聞 (2002年2月20日PP.14) 電波新聞 (2002年2月22日PP.15) 学会誌4月号 (0年0月0日) | 波長405nm青紫色レーザ Blu-rayDisc 片面27GB 直径12cm ピックアップ | 330 230 530 |
| 2002年 4月号 | ガラスの中にSi単結晶 | 京大 | 日刊工業新聞 (2002年1月1日PP.1) | フェムト秒レーザパルス p型とn型の半導体 立体的な金配線 | 160 |
| 2002年 4月号 | 次世代大容量書換え型光ディスク | 東芝 | 電波新聞 (2002年1月8日PP.1) 日経産業新聞 (2002年1月8日PP.9) 日刊工業新聞 (2002年1月8日PP.13) 日本工業新聞 (2002年1月8日PP.5) | 30GB直径120mm光ディスク 波長405nmの青色レーザ ランドグルーブ方式 PRML技術 UDF カバー層厚0.1mm | 230 330 |
| 2002年 3月号 | レーザ光使いガラスにカラーマーキング | 埼玉大 | 日本工業新聞 (2001年12月12日PP.2) | レーザ照射部が金色に発色 Auコロイド粒子 有機金属コロイド粒子 | 130 |
| 2002年 1月号 | 2層で50GBの書換え光ディスク装置 -記憶容量10倍に- | 松下電器 | 日刊工業新聞 (2001年10月3日PP.1) 日経産業新聞 (2001年10月16日PP.9) 電波新聞 (2001年10月16日PP.1) 日本工業新聞 (2001年10月16日PP.5) | 青色レーザSHG 50GB 保護層0.1mm 深層記録方式 片面2層 相変化材料 直径12cm Ge・Sb・Te | 230 330 |
| 2002年 1月号 | 次世代DVD用対物レンズ -新型光ヘッド開発- | 日立 旭光学 | 日経産業新聞 (2001年10月12日PP.8) 日刊工業新聞 (2001年10月12日PP.11) 電波新聞 (2001年10月12日PP.1) | 片面2層に読み書き可能 100GB高密度記録 高屈折率ガラス 単レンズ 屈折率可変液晶 レンズディスク間隔 0.7mm 外径5mm NA0.85 レーザ光焦点を自動補正 | 210 230 250 |
| 2002年 1月号 | MOの記録密度増幅技術 | 三洋電機 日立マクセル | 日経産業新聞 (2001年10月24日PP.7) | 磁区拡大再生技術 赤色レーザでDVDの2.2倍青色レーザで7.5倍の記録密度 iDフォーマット1.3GB | 230 |
| 2001年12月号 | 次世代光ディスク加工技術 -DVDの容量20倍に 赤色半導体レーザ利用- | シャープ 産総研 TDK | 日経産業新聞 (2001年9月11日PP.13) | 原盤加工 吸光発熱薄膜 熱疑固薄膜 幅100nmの線 直径80nmの突起 | 230 160 |
| 2001年12月号 | 1.3μm帯面発光レーザ | NEC | 日刊工業新聞 (2001年9月14日PP.6) | GaAsSb(ガリウム砒素アンチモン)70℃まで連続振発言 | 240 |
| 2001年12月号 | 深紫外用ファイバ -波長193mm 60%の高透過率- | 科学技術振興事業団 昭和電線 旭硝子 | 日刊工業新聞 (2001年9月18日PP.6) | フッ化アルゴンエキシマレーザ SNOM 遺伝子分野 | 240 |
| 2001年12月号 | 青色レーザ -酸化亜鉛で開発- | ローム | 日刊工業新聞 (2001年9月20日PP.1) | 波長380nm n型はZnO p型はCu他の金属酸化物 | 250 |
| 2001年12月号 | 高出力・高性能SHG青色レーザ | 松下電器 日本ガイシ | 日本経済新聞 (2001年9月28日PP.17) 電波新聞 (2001年9月28日PP.1) | 非線形光学結晶 ニオブ酸リチウム 波長410nmの30mW青色出力 | 250 |
| 2001年11月号 | 書き替え可能光メモリ- -DVDの1万倍容量を可能- | 京大 | 日刊工業新聞 (2001年8月7日PP.6) | 書き替え可能光メモリー DVDの約1万倍 37Tb/ 3 直径200nmのスポットに記録 100nm間隔立で体的に記録 サマリウムイオン フェムト秒レーザ | 130 230 |
| 2001年11月号 | ナノサイズのくぼみ -レーザで瞬時形成- | 科学技術振興事業団 | 日本経済新聞 (2001年8月24日PP.17) | 量子コンピュータ fsレーザ 干渉を利用 0.1mmの領域に1μm間隔で10〜200nmのくぼみ | 160 |
| 2001年10月号 | 低温p-Si技術-ガラス基板に超高速回路- | 富士通 | 日刊工業新聞 (2001年7月13日PP.1) | 粒界3×20μm､ガラス基板 Si2バッファ層 半導体レーザ励起固体レーザによる結晶化 低温p-Si技術 プロセス温度450℃以下 移動度500cm2/V・s | 160 220 250 |
| 2001年10月号 | ガラス内部に回折格子形成 | 京大 | 日刊工業新聞 (2001年7月31日PP.1) | fs秒レーザ 干渉パターン 石英ガラスの光回折格子 回折効率70% 分波器 | 240 |
| 2001年 8月号,9月号 | 赤色半導体レーザ -光利用効率20%向- | 三洋電機 | 電波新聞 (2001年6月15日PP.2) | アスクペクト比1対1.7の近円形ビーム 光利用効率20%向上 4倍の高速記録が可能 発振波長660nm AlGaInP系赤色半導体レーザ 低損質導波路 | 250 |
| 2001年 8月号,9月号 | 面発光レーザ -電流1/100で発振- | NTT | 日本経済新聞 (2001年6月15日PP.17) 日経産業新聞 (2001年6月15日PP.11) | 面発光レーザ 1.55μm帯 臨界電流0.38mA GaAs基板 InP発光層 GaAs系反射層 SiO系反射層 | 250 240 |
| 2001年 8月号,9月号 | 光スペクトル制御素子 | FESTA | 日刊工業新聞 (2001年6月28日PP.6) | ファイバ 回折格子 フェムト秒レーザによる多重情報発振 | 240 |
| 2001年 7月号 | 光多層記録媒体 -容量DVDの10倍- | 静岡大 豊田中研 | 日経産業新聞 (2001年5月10日PP.9) | ウレタン・ウレア 記録媒体全体の厚さ20μm 記録容量約50GB(DVDと同じ大きさ) フェムト秒レーザで記録 光化学反応 10層の記録層 高分子材料 3種の偏光で3情報記録可 | 230 330 |
| 2001年 7月号 | 配線不良を早期発見 | NEC | 日本経済新聞 (2001年5月18日PP.17) | レーザSQUID顕微鏡 断線・ショートの検査 | 660 360 320 |
| 2001年 7月号 | 短パルスレーザ顕微鏡 | 阪大 | 日経産業新聞 (2001年5月23日PP.9) | フェムト秒レーザ近赤外線レーザーを照射 色素分子を利用 リアタイムで観察可能 | 360 |
| 2001年 6月号 | 次世代光ディスク -容量DVDの5倍- | NEC | 日経産業新聞 (2001年4月19日PP.8) | 25GB大容量光ディスク 青色レーザダイオ-ド光ヘッド 情報転送速度50Mbps | 230 330 |
| 2001年 6月号 | 次世代光メモリー -DVDの2500倍実現- | セントラル硝子 京大 | 日刊工業新聞 (2001年4月20日PP.1) | 1cm3に8Tb ガラスにフェムト秒でレーザ照射 希土類元素の価数が変化 波長680nm 光メモリー | 230 130 430 |
| 2001年 6月号 | 薄膜構造のスーパレンズ -トランジスタ 光方式の作動に成功- | 産業技術総合研 他6社 | 日刊工業新聞 (2001年4月20日PP.6) 日本経済新聞 (2001年4月20日PP.17) | 最大60倍に増幅 Ge・AgOなどの多層膜 青色レーザ励起 信号は赤色レーザ 超解像近接場構造 光トランジスタ | 220 120 |
| 2001年 5月号 | 面発光レーザ素子 -1/1000の電流で発光- | ローム 東工大 | 日刊工業新聞 (2001年3月5日PP.1) | 波長850nm LAN用 1mW出力 面発光レーザ | 250 |
| 2001年 5月号 | 青紫レーザ量産へ -20GB級DVD- | 住友電工 | 日本工業新聞 (2001年3月5日PP.1) | 青紫レーザ DVD 20GB以上 単結晶GaN基板 波長400nm | 250 |
| 2001年 2月号 | 光の波長 計測精度10000倍に | 工技院計量研 英バース大 | 日経産業新聞 (2000年12月21日PP.7) | チタン・サファイア固体レーザ 光ファイバ 0.1nm間隔の物差し 卓上サイズの装置 | 320 360 |
| 2001年 2月号 | X線レーザ装置を小形化 | 豊田工大 | 日経産業新聞 (2000年12月20日PP.13) | 波長15.4nmのX線レーザ X線光電子顕微鏡 | 350 250 360 |
| 2001年 1月号 | ポストDVD -規格統一へ議論始動- | DVDフォーラム | 日経産業新聞 (2000年11月28日PP.3) | ポストDVD 青色レーザ | 330 530 |
| 2001年 1月号 | ガラス内部に発光中心形成 | 岡本硝子 | 日刊工業新聞 (2000年11月21日PP.22) | フェムト秒レーザパルス 蛍光発光するイオン 光メモリー | 130 |
| 2000年12月号 | 超精密技術 -レーザ使い極小文字- | 阪大 | 電波新聞 (2000年10月20日PP.2) | 微粒子20nm 蛍光プラスチック 光ピンセット | 160 |
| 2000年12月号 | 40倍速の高速無線新技術 | ATR | 日本経済新聞 (2000年10月14日PP.13) | 周波数をずらしたレーザ光を利用 | 340 |
| 2000年12月号 | 新規格ディスク装置 -記憶容量DVDの5倍- | ソニー | 日刊工業新聞 (2000年10月4日PP.1) | DVRブルー 22.5GB 相変化(PC)方式 波長405nm青色レーザ DVD | 230 250 530 330 |
| 2000年12月号 | 赤外線自由電子レーザ | 理科大 川崎重工 | 日経産業新聞 (2000年10月3日PP.1) | 赤外光 小形自由電子レーザ 9m×1.2m×1m | 250 |
| 2000年11月号 | 半導体レーザ -180mW世界最高出力- | 松下電子 | 電波新聞 (2000年9月22日PP.5) | 分布帰還形 マストランスポート法 1.5μm帯 | 240 250 |
| 2000年11月号 | 微細加工に新感光剤 | NEC | 日経産業新聞 (2000年9月13日PP.9) | 1ギガ超メモリー レジスト用感光剤 フッ化アルゴンレーザ 微細加工技術 線幅0.13μm | 160 |
| 2000年11月号 | 記録形DVD用赤色半導体レーザ -世界最高の80mW達成- | 三洋電機 | 日本工業新聞 (2000年9月1日PP.9) | 赤色半導体レーザ 単一横モード AlGaInP結晶 | 250 230 |
| 2000年10月号 | 連続発振光ファイバレーザ | 工技院計量研 | 日刊工業新聞 (2000年8月10日PP.6) | 1.5μm帯域 モードホップのない連続発振 ファブリペロー共振器 波長の線幅1kHz | 250 240 |
| 2000年 9月号 | 回折格子を形成する新技術 -硬い材料を直接加工- | 科学技術振興事業団 | 日経産業新聞 (2000年7月25日PP.1) | 80nmチタンサファイアレーザ 1mJ/pulse 干渉縞で回折格子を形成 0.3μm幅の溝 溝間隔1μm幅 | 160 |
| 2000年 8月号 | 201GBの大容量ディスク -電子線で書込み- | パイオニア | 日本経済新聞 (2000年6月10日PP.15) | 記録再生25GB 記録のみ201GB 電子線 青色レーザ 光ディスク DVD | 230 |
| 2000年 7月号 | 世界最速の次世代光ディスク -記録レート70Mbps- | TDK | 日刊工業新聞 (2000年5月30日PP.6) | 次世代光ディスク 記録レート70Mbps 青色レーザ 相変化 | 230 |
| 2000年 7月号 | 長波長面発光レーザ -次世代LANの光源に応用期待- | 新情報処理開発機構(RWCP) NEC | 日刊工業新聞 (2000年5月17日PP.7) | VCSEL | 240 250 |
| 2000年 7月号 | 2倍の情報録画・再生する技術 -赤色レーザ使って実現- | NEC | 日経産業新聞 (2000年5月17日PP.1) | 書換え可能形光ディスク 記録容量10GB 直径12cm 読取りエラー軽減 ズレ検出装置 多層構造 | 230 330 |
| 2000年 7月号 | 光磁気ディスク -記録情報30倍に- | 日大 日立マクセル 富士通 三洋電機 シャープ | 日本経済新聞 (2000年5月15日PP.17) | 光磁気ディスク 64Gb/in2 青色レーザ | 230 |
| 2000年 6月号 | 光通信用固体レーザ -5fsの極短パルスで1.2GHz発振- | 日立 | 日刊工業新聞 (2000年4月20日PP.6) | YAGレーザ 極短パルスレーザ 1.5mm帯 5フェムト秒 L字形共振器 | 240 250 |
| 2000年 6月号 | 光波長多重通信を実現する技術 -レーザ波長域拡大- | 東工大 | 日経産業新聞 (2000年4月7日PP.5) | GaAs In 波長0.85〜1.2μm WDM | 240 |
| 2000年 6月号 | 多層構造電子回路作成技術 | 茨城大 | 日本工業新聞 (2000年4月4日PP.15) | 多層構造電子回路 レーザマイクロ造形法 オール・ソリッドステート・システム 微粉体テープ | 160 260 |
| 2000年 6月号 | 高品質の波長変換結晶 -紫外線レーザ手軽に- | 阪大 | 日本経済新聞 (2000年4月3日PP.17) | CsLiBの酸化物結晶 非線形光学材料 | 140 250 |
| 2000年 5月号 | 直径50.8mmの小形・高密度光磁気ディスク | シャープ ソニー | 日経産業新聞 (2000年3月24日PP.10) 電波新聞 (2000年3月24日PP.1) | 光磁気ディスク 小形・高密度 直径50.8mm 赤色レーザ 1GB | 230 |
| 2000年 5月号 | 極短パルスレーザ -「アト秒」あと一歩- | 理研 | 日刊工業新聞 (2000年3月7日PP.7) | レーザ アト秒 極短パルス | 120 250 |
| 2000年 4月号 | 網膜投影ディスプレイ -電子画像を網膜に直接投影- | イメージ情報研 | 日刊工業新聞 (2000年2月23日PP.7) | レーザ光 ホログラフィック光学素子 立体映像 2眼式立体表示ディスプレイ HMD 赤色レーザ HOE 網膜上に直接投影 | 250 450 |
| 2000年 4月号 | 微小ピラミッド構造の光共振器 | 北大 | 日経産業新聞 (2000年2月22日PP.1) | 光共振器 半導体レーザ 硫化亜鉛 閾値電流 レーザ発振器 | 150 160 |
| 2000年 4月号 | 単結晶窒化ガリウム基板 | 住友電工 | 日経産業新聞 (2000年2月18日PP.1) | 窒化ガリウム 青紫色半導体レーザ | 160 150 |
| 2000年 3月号 | 初の3次元ソリトン実現 -希ガスに通すだけでパルス幅1/10に圧縮- | 理化学研 | 日刊工業新聞 (2000年1月17日PP.1) | 希ガス通過 パルス幅圧縮 フェムト秒レーザ 高次の非線形現象 CH4 Ar Krの希ガス 30fsに圧縮 | 250 |
| 2000年 3月号 | フェムト秒レーザ -パルス分散現象克服- | 住友大阪セメント | 日刊工業新聞 (2000年1月17日PP.1) | フェムト秒レーザ | 250 |
| 2000年 2月号 | 原子波の増幅に成功 | 科学技術振興事業団 | 日刊工業新聞 (1999年12月17日PP.6) | 原子波レーザ 原子波ホログラフィ ルビジウム気体 光レーザ励起 | 150 |
| 2000年 2月号 | レーザ光の歪み補正により集光強度20倍を実現 | 日本原子力研 | 日経産業新聞 (1999年12月1日PP.5) 日刊工業新聞 (1999年12月1日PP.7) | レーザ光歪み補正技術 光誘起屈折率結晶 位相共役鏡 | 450 250 |
| 2001年 1月号 | 折り曲げ可能なディスプレイ | キヤノン | 日本経済新聞 (2000年11月21日PP.13) | 電気泳動ディスプレイ 0.25mm厚 樹脂シート | 250 |
| 2001年 1月号 | ガラス内部に発光中心形成 | 岡本硝子 | 日刊工業新聞 (2000年11月21日PP.22) | フェムト秒レーザパルス 蛍光発光するイオン 光メモリー | 130 |
| 1999年12月号 | 高輝度X線発生に成功 | 日米光エネルギー物理学共同研究チーム | 日刊工業新聞 (1999年10月8日PP.1) | 電子ビームとレーザの線形衝突 6800eVのX線 2000万個/パルスの光子 半導体露光用X線光源 | 650 |
| 1999年11月号 | 光発生装置 -超短波長連続的に- | 郵政省 | 日経産業新聞 (1999年9月1日PP.5) | 半導体レーザ 波長変換技術 | 240 250 |
| 1999年11月号 | 青紫色面発光形半導体レーザ -室温発振に成功- | 東大 | 日刊工業新聞 (1999年9月17日PP.8) 日経産業新聞 (1999年9月17日PP.4) | 窒化ガリウム インジウム 発振波長399nm サファイア基板 多重量子井戸構造 青紫色面発光レーザ 室温発振 | 250 |
| 1999年11月号 | 簡易部品でミリ波発生 | ATR | 日経産業新聞 (1999年9月22日PP.5) | ミリ波光源 半導体レーザ ファブリペロー形 | 440 240 |
| 1999年11月号 | 紫色半導体レーザ -世界初の実用化- | 日亜化学 | 電波新聞 (1999年9月22日PP.2) 電波タイムズ (1999年9月27日PP.7) | DVD 紫色半導体レーザ 波長405nm 出力5mW | 250 |
| 1999年10月号 | タングステン微粒子レーザ照射で整列 | 機械技研 真空冶金 | 日刊工業新聞 (1999年8月5日PP.6) | タングステン 短パルスレーザ 平面ディスプレイ FED タングステン微粒子 | 160 150 250 |
| 1999年 9月号 | 20fsの光パルス発生システム | FESTA | 日刊工業新聞 (1999年7月13日PP.7) | 半導体レーザ ソリトン | 240 250 |
| 1999年 8月号 | 世界初の微細立体配線技術 -レーザ2種を基板に同時照射- | 三洋電機 | 日経産業新聞 (1999年6月3日PP.5) | エキシマレーザ 微細配線技術 マイクロマシン用 可視光レーザ 二波長励起レーザ CVD | 160 260 |
| 1999年 8月号 | 誘電体10倍の薄膜形成技術 | 東工大 | 日経産業新聞 (1999年6月4日PP.4) | STO レーザ | 120 250 |
| 1999年 8月号 | 青紫色半導体レーザ -消費電力1/10に- | 東大 | 日本経済新聞 (1999年6月7日PP.19) | 青紫色半導体レーザ 量子箱 波長405nm 室温でパルス発振 | 250 |
| 1999年 8月号 | 光の人工分子を作製 -光ICの超小形化に道- | 東大 | 日刊工業新聞 (1999年6月7日PP.11) | ポリスチレン微小球 4μm WGM レーザ 光スイッチ | 120 140 240 |
| 1999年 8月号 | 高速2段階ヘッド位置決めシステム -10万5千本/inを実現- | 米シーゲイト | 電波新聞 (1999年6月11日PP.5) | HDD OAW 光ファイバ誘導レーザビーム ハイブリッド形光磁気記録ヘッド | 230 |
| 1999年 7月号 | 青色半導体レーザ -量子ドットで実現- | 東大 | 日刊工業新聞 (1999年5月21日PP.1) | InGaN 量子ドット 10層構造 室温発振 閾値電流 MOCVD 直径約20nm 高さ約4.5nm 波長405nm 色素レーザ励起 | 250 |
| 1999年 7月号 | InP系面発光レーザ | 東工大 | 日刊工業新聞 (1999年5月11日PP.6) | 室温パルス 簡プロセス | 250 |
| 1999年 6月号 | 青紫色半導体レーザ -量産タイプの素子構造，連続発振- | NEC | 日刊工業新聞 (1999年4月6日PP.6) | 青紫色半導体レーザ 室温連続発振 GaIn系 N形NGa基板 HVPE 低欠陥 裏面電極 へき開共振器 波長401.9nm | 250 |
| 1999年 6月号 | 面発光半導体レーザ -フォトニック結晶で製作- | 京大 | 日刊工業新聞 (1999年4月1日PP.6) | 2次元ホトニック結晶 InP半導体レーザ ビーム角1.8° 面発光半導体レーザ 室温パルス発振 | 240 250 |
| 1999年 5月号 | 溶断 溶接用レーザ-コスト 大きさ1/10に- | HOYA | 日経産業新聞 (1999年3月24日PP.1) | 光ファイバ レーザ加工機 効率20% | 250 |
| 1999年 5月号 | 騒音測定システム-広がりも視覚可能に- | 東工大 | 日経産業新聞 (1999年3月23日PP.5) | レーザドップラ ビニール膜 音源探索 | 660 |
| 1999年 4月号 | 赤外線レーザを使用した偽造防止技術 | 近未来通信 | 日刊工業新聞 (1999年2月10日PP.7) | カード 金属箔層 赤外線レーザ 偽造防止 | 130 |
| 1999年 4月号 | 紫色半導体レーザ -次世代DVD用光源- | 松下電器産業 | 電波新聞 (1999年2月4日PP.1) 日経産業新聞 (1999年2月4日PP.5) 日本経済新聞 (1999年2月4日PP.11) 日本工業新聞 (1999年2月4日PP.4) | 次世代DVD 波長400nm 集光特性 連続発振 多重量子井戸構造 GaN DVD 紫色半導体レーザ 半導体レーザ 記録用光源 | 230 250 |
| 1999年 4月号 | 高精度不純物検定装置 -30nmの不純物も検出- | 横河電機 | 日経産業新聞 (1999年2月2日PP.5) | YAGレーザ プラズマ | 250 660 |
| 1999年 3月号 | 光ソリトン -40Gbを70000km伝送- | NTT | 日経産業新聞 (1999年1月25日PP.5) | 光ソリトン 40Gbps 70000km 1.55μm ファイバレーザ | 440 |
| 1999年 3月号 | 設計ルール0.1μm以下を可能にするF2レーザ | コマツ | 日刊工業新聞 (1999年1月13日PP.10) | フッ素レーザ 半導体露光装置 半導体製造 光源 | 250 160 |
| 1999年 3月号 | 集積型半導体レーザ -テラビット級に対応可能- | NEC | 日経産業新聞 (1999年1月12日PP.5) 日本工業新聞 (1999年1月12日PP.14) | 集積型半導体レーザ 光ソリトン 10Gbps 1.55μm 6ps 半導体レーザ | 240 250 |
| 1999年 3月号 | 紫色半導体レーザ出荷 -DVD記録容量 赤の2.6倍- | 日亜化学工業 | 日経産業新聞 (1999年1月12日PP.1) | 400nm 50mW 紫色半導体レーザ | 250 |
| 1999年 2月号 | 光ファイバ通信用半導体レーザ | 三菱電機 | 日本工業新聞 (1998年12月11日PP.4) | 光ファイバ DFBレーザ 電解吸収型半導体変調器 | 240 250 |
| 1999年 2月号 | 波長多重の光記憶素子 -切手大に映画200本分- | 富士通 | 日本経済新聞 (1998年12月7日PP.17) | 1.1Tb/in2 量子ドット波長多重メモリー GaAs基板 InAs 書込み速度5ns/b レーザ 波長多重光記録 光記憶素子 メモリー | 230 |
| 1999年 1月号 | 紫外線全固体レーザ | 東北大 | 日刊工業新聞 (1998年11月25日PP.6) | 30.5mW 波長可変型 | 250 |
| 1999年 1月号 | 波長多重光通信用半導体レーザ -4枚のウェハで64種類- | NEC | 日経産業新聞 (1998年11月24日PP.4) | 半導体レーザ 変調器 変調器集積光源 変調光集積 波長多重通信 | 240 250 |
| 1999年 1月号 | 光通信超大容量伝送実験 -情報量現在の64倍- | NTT | 日本経済新聞 (1998年11月23日PP.17) | 光ファイバ 時分割多重 パルス幅400fs 光レーザ 3種類 60km | 440 240 |
| 1999年 1月号 | 条件により光通す結晶 -紫外線レーザに道- | 東芝 | 日本経済新聞 (1998年11月16日PP.19) | セラミックス 電磁気誘起透明化 Y Al酸化物セラミクス プラセジオムイオン 190nm以下 紫外線域 半導体レーザ | 150 |
| 1999年 1月号 | 3次元記録高密度光メモリー -1立方センチにDVD2000枚分- | 科学技術振興事業団 | 日本経済新聞 (1998年11月14日PP.11) | 立体光メモリー フェムト秒レーザ サマリウム微粒子 ホールバーニング光記録 1Tb/cm3 1Tb/cc 光メモリー | 130 230 |
| 1999年 1月号 | 超短パルス状レーザ | 電総研 | 日経産業新聞 (1998年11月5日PP.5) | 20fs 1.3μm | 250 |
| 1999年 1月号 | 1.55μm半導体レーザ -25℃〜85℃まで温度変化- | 東工大 | 電波新聞 (1998年11月3日PP.5) | 閾値電流 1.6倍 波長1.55μm帯 | 250 |
| 1998年12月号 | 面発光の青色レーザ -世界発開発- | 東大 | 日経産業新聞 (1998年10月28日PP.4) | 青色面発光レーザ DVD 380nm 面発光レーザ 青色レーザ 有機金属気相成長法 窒化ガリウム | 250 230 |
| 1998年12月号 | 半導体レーザ -温度調節器不要に- | 東工大 | 日経産業新聞 (1998年10月20日PP.5) | 半導体レーザ 光通信 歪み量子井戸構造 温度調節器不要 | 250 |
| 1998年12月号 | レーザ走査素子 -超小型 消費電力は1/100- | 日本信号 | 日経産業新聞 (1998年10月20日PP.1) | 光デバイス マイクロマシン レーザ光走査 バーコードリーダ マイクロマシン技術 | 210 260 230 |
| 1998年12月号 | 光ディスク用半導体レーザ -100mWの高出力- | 松下電子 | 日経産業新聞 (1998年10月6日PP.5) 日刊工業新聞 (1998年10月6日PP.11) | CD-R 光ディスク 半導体レーザ | 250 230 |
| 1998年12月号 | 減圧CVD法による青紫色半導体レーザ -室温連続発振- | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1998年9月30日PP.6) | MOCVD 青紫色半導体レーザ 炭化シリコン基板 窒化ガリウム | 250 |
| 1998年11月号 | 青紫色半導体レーザ -室温連像発振に成功- | ソニー | 日刊工業新聞 (1998年9月17日PP.5) | 青紫色半導体レーザ 室温連続発振 窒化Ga 加圧型有機全層気相成長 MOCVD | 250 |
| 1998年11月号 | 波長可変レーザで短いパルス光発生 -10fs以下で成功- | 東大 | 日経産業新聞 (1998年9月16日PP.5) | 波長可変レーザ パルス幅10fs以下 | 250 |
| 1998年11月号 | 世界初の完全単一モード -面発光半導体レーザ開発- | 東工大 | 電波新聞 (1998年9月13日PP.5) 日経産業新聞 (1998年9月21日PP.5) | 単一モードレーザ 面発光レーザ GaAs 傾斜基板 閾値260μA 波長985nm 出力0.7mW 単一波長 | 250 |
| 1998年10月号 | 新型色素レーザ素子 -駆動用の光源不要に- | NTT | 日経産業新聞 (1998年8月28日PP.5) | 色素レーザ素子 1×2cm 0.4mAで青色レーザ発振 | 250 |
| 1998年 9月号 | 低ノイズ型青色SHGレーザ-シングルモード法- | 日立製作所金属 | 電波新聞 (1998年7月14日PP.9) | 固体レーザ 高周波ノイズ シングルモード マルチモード 青色レーザ 次世代DVD | 250 |
| 1998年 8月号 | 基板穴あけ用ガスレーザ加工機 | 三菱電機 | 電波新聞 (1998年6月27日PP.7) | ガスレーザ 微細加工 | 250 |
| 1998年 8月号 | 高出力半導体マイクロレーザ | ルーセントテクノロジー(米) エール大(米) マックス・ブランク研(独) | 日経産業新聞 (1998年6月9日PP.5) | マイクロレーザ カオス 非対称共振器 光コンピュータ 光通信 | 250 240 |
| 1998年 8月号 | 「円偏光」型面発光レーザ | NTT | 日経産業新聞 (1998年6月9日PP.1) | 円偏光 スピン光学 面発光レーザ 通信容量 超高速光通信 860nm 波長板 データ転送量2倍に | 250 240 |
| 1998年 7月号 | 超短パルスレーザの揺らぎ高精度計測方法 | 電総研 | 日刊工業新聞 (1998年5月12日PP.6) | 超短パルスレーザ 高精度計測 | 660 |
| 1998年 7月号 | 量子箱半導体レーザ | 富士通研 | 日経産業新聞 (1998年5月12日PP.1) | 半導体レーザ 40mW出力 量子箱 閾値電流31mA | 250 |
| 1998年 6月号 | 青色半導体レーザ -基板に窒化ガリウム採用- | 日亜化学工業 | 日刊工業新聞 (1998年4月28日PP.7) | 青色半導体レーザ 出力90mW | 250 |
| 1998年 6月号 | プラスチック発光薄膜 -レーザ照射で発光- | 北工研 | 日経産業新聞 (1998年4月20日PP.4) | プラスチック発光薄膜 | 150 250 |
| 1998年 6月号 | DVD用半導体レーザ | NEC | 日経産業新聞 (1998年4月17日PP.5) | 低消費電力 高温動作 5mW出力 波長650nm 共振器長を350μmに短縮 磁界電流70mA 最高動作温度100℃ | 250 330 |
| 1998年 5月号 | 高出力レーザ -材料加工コスト低減- | 阪大 | 日経産業新聞 (1998年3月23日PP.5) | 高出力レーザ技術 半導体レーザ | 250 |
| 1998年 5月号 | 遠赤外光レーザ -平均出力100Wで発振- | 日本原子力研 | 日経産業新聞 (1998年3月6日PP.5) | 自由電子レーザ 遠赤外線レーザ光 | 250 |
| 1998年 4月号 | 超短パルスレーザ | イムラアメリカ | 日刊工業新聞 (1998年2月26日PP.1) | 光ファイバ内で発振 テラビット通信 コンパクト化 超短パルスレーザ | 250 240 |
| 1998年 4月号 | 半導体レーザで新技術 | NEC | 日本工業新聞 (1998年2月25日PP.23) | 光通信 半導体レーザ 接合効率 | 250 240 |
| 1998年 4月号 | 新光学技術RSD -映像を直接網膜上に形成- | オランダNWO | 電波新聞 (1998年2月14日PP.4) | 光学技術RSD(スキャニングディスプレイメソッド) 網膜上に映像 バーチャルリアリティ レーザ | 250 |
| 1998年 2月号 | 半導体レーザの小型化 | NTT | 日本経済新聞 (1997年12月13日PP.10) | GaAs 正三角形 正六角形の形状 一辺が数μm 光入射でレーザ発振の可能性を確認 | 250 240 |
| 1998年 2月号 | DRAM16Gb対応の微細加工 | 超先端電子技術開発機構 | 日本経済新聞 (1997年12月10日PP.13) | 0.04μm ArFエキシマレーザ ガスエッチング | 160 |
| 1998年 2月号 | ディジタル光使う放送機器 | 浜松ホトニクス | 日経産業新聞 (1997年12月3日PP.8) | ディジタル光技術 放送用機器 レーザ | 340 |
| 1998年 1月号 | 化合物半導体材料の種類を大幅に増やせる新技術 -高出力レーザなどに道 結晶間隔異なっても成長- | NTT | 日経産業新聞 (1997年11月26日PP.5) | GaAs 111面を使用 格子定数の違いは1〜2原子層で吸収 InAsを堆積して確認 | 120 160 |
| 1998年 1月号 | 面発光半導体レーザ -制御回路不要に- | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1997年11月10日PP.5) | FTTH 光インタコネクション 面発光 半導体レーザ GaInNAs 波長1.2μm 20〜70℃で臨界電流変化1.2倍 AlAs/GaAsの多層ミラー 低温度依存性 | 250 240 |
| 1998年 1月号 | 光無線LANシステム | 浜松ホトニクス | 日経産業新聞 (1997年11月5日PP.9) | 光無線LAN 半導体レーザ | 440 240 |
| 1997年12月号 | 半導体レーザ -青紫色 実用化にメド- | 日亜化学工業 | 日経産業新聞 (1997年10月30日PP.1) | 青紫色半導体レーザ 50℃で寿命1500時間 室温換算寿命10000時間以上 電流密度4kA/m2 波長403nm 片面15GBのDVD用 | 250 |
| 1997年12月号 | 片面15GBのDVD -記憶容量3倍に- | パイオニア | 日経産業新聞 (1997年10月6日PP.1) | 15GB 波長430nm 430nmレーザ ハイビジョンで2時間13分 片面15GB 430nmSHGレーザ 再生装置の試作 トラック幅0.37μm 3ビーム方式 | 330 230 250 |
| 1997年11月号 | 眼鏡なしで立体画像 | 通信 放送機構 | 日経産業新聞 (1997年9月22日PP.5) | めがねなし 立体 多眼ステレオグラム 半導体レーザ レーザ 立体視 | 450 250 350 |
| 1997年11月号 | 青色半導体レーザ -来年末DVD進化に弾み- | 日亜化学工業 | 日刊工業新聞 (1997年9月10日PP.1) | 青色半導体レーザ 窒化Ga In半導体 | 250 330 |
| 1997年11月号 | 世界最高水準の固体レーザ -小型装置開発に弾み- | 原研 | 日経産業新聞 (1997年9月9日PP.5) | レーザ 0.62J/パルス Tキューブレーザ | 250 |
| 1997年 9月号 | レーザ顕微鏡 -撮影速度30倍 細胞活動克明に- | 横河電機 | 日本経済新聞 (1997年7月28日PP.17) | 共焦点型レーザ顕微鏡 深さ分解能0.5μm 時間分解能1ms | 360 |
| 1997年 9月号 | 半導体レーザユニット -携帯電話地下用基地局- | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1997年7月16日PP.1) | 携帯電話 基地局 半導体電話 | 340 440 |
| 1997年 9月号 | 光ファイバ用光源モジュール-情報伝送距離を5倍- | NEC | 日経産業新聞 (1997年7月10日PP.10) | 光ファイバ用レーザ 光源モジュール | 240 250 |
| 1997年 8月号 | 半導体の超解像技術向け設計支援ソフト -現行の露光技術活用- | 富士通 | 日刊工業新聞 (1997年6月11日PP.5) 日経産業新聞 (1997年6月25日PP.11) | レベンソン型 学習最適化手法 0.248μmレーザで0.18μm線幅 | 160 620 220 |
| 1997年 8月号 | 15GBの高密度記録技術 -光ディスク記憶容量で世界最大- | 松下電器産業 | 電波新聞 (1997年6月10日PP.1) 日本経済新聞 (1997年6月10日PP.11) 日刊工業新聞 (1997年6月10日PP.10) | 8mW 425nm青色レーザ 光ディスク DVD 高密度記録 SHG 425nm 15mW SHGレーザ 相変化ディスク トラックピッチ0.33μm マーク長0.42μm 片面15GB | 230 250 |
| 1997年 7月号 | 次世代大容量光ディスク -DVD越す12GB実現- | ソニー | 電波新聞 (1997年5月21日PP.1) 日刊工業新聞 (1997年5月21日PP.8) 日本経済新聞 (1997年5月21日PP.13) 日経産業新聞 (1997年5月21日PP.9) | CDサイズに片面12GB 青緑色レーザ 515nm 20mW CDサイズ 光ディスク 青緑色半導体レーザ 波長515nm 出力20mWの半導体レーザ 9.5Gb/in2 | 230 330 250 |
| 1997年 7月号 | 緑色の全固体レーザ -出力2倍以上に- | 昭和オプトロニクス | 日経産業新聞 (1997年5月14日PP.5) | 全固体レーザ | 250 |
| 1997年 6月号 | 紫外光をレーザ発振する新材料 | 東工大 | 日本経済新聞 (1997年4月26日PP.10) | 紫外光をレーザ発振 パルスレーザ分子結晶成長 酸化亜鉛薄膜材料 | 230 250 150 |
| 1997年 6月号 | CATV用レーザ -消費電力1/10に低減- | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1997年4月23日PP.5) | 半導体レーザ 双方向CATV 動作温度-40〜85℃ 冷却不要 レーザ | 240 250 |
| 1997年 6月号 | 超小型半導体レーザ | 横浜国大 | 日経産業新聞 (1997年4月11日PP.4) | 1/15サイズ 波長1.55μm 半導体レーザ 電流1/5 | 250 240 |
| 1997年 6月号 | レーザ，小型で9.5テラワット発振 | 日本原子力研究所 | 日経産業新聞 (1997年4月8日PP.5) | レーザ | 250 |
| 1997年 6月号 | 出力30mWレーザ -DVD-RAMに利用- | NEC | 日経産業新聞 (1997年4月11日PP.4) | DVD-RAM 10000時間 | 250 |
| 1997年 5月号 | 光増幅器向け半導体レーザ | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1997年3月28日PP.5) | 光増幅器 半導体レーザ | 250 240 |
| 1997年 4月号 | 半導体レーザを集積 -40波長を1チップに- | NEC | 電波新聞 (1997年2月18日PP.1) 日経産業新聞 (1997年2月18日PP.5) | 半導体レーザ 多重通信 波長多重通信 | 240 |
| 1997年 4月号 | 「原子レーザ」実験成功 | MIT | 日本経済新聞 (1997年2月1日PP.12) | 原子レーザ | 250 |
| 1997年 4月号 | 微細加工技術 -紫外線レーザ使い0.1μmの穴可能に- | 三菱電機 | 日本経済新聞 (1997年2月1日PP.12) | 0.1μm直径以下の穴 KrF紫外線レーザ 新露光法 | 160 |
| 1997年 3月号 | YAGレーザ -励起光源に半導体- | 松尾産業 | 日経産業新聞 (1997年1月22日PP.1) | 半導体レーザ YAGレーザ | 250 |
| 1997年 3月号 | 遠隔発電実験 -レーザ光線でエネルギー伝送- | 科学技術庁 東北大 | 電波新聞 (1997年1月10日PP.2) | レーザ光 エネルギー伝送 | 250 350 |
| 1997年 2月号 | 青色半導体レーザ -発光を長期安定- | ソニー | 日経産業新聞 (1996年12月26日PP.4) | レーザ 青色半導体レーザ | 250 |
| 1997年 2月号 | 電界の振動一定の面発光レーザ | ATR 東工大 | 日経産業新聞 (1996年12月10日PP.5) | GaAs311A面 25μm角 1mAで発振 1500nm 電界方向一定 面発光レーザ | 240 250 |
| 1997年 1月号 | 赤外半導体レーザ -出力1.5倍に- | 三井石化 | 日経産業新聞 (1996年11月25日PP.1) | 860nm 300mW 寿命10000時間以上 | 250 |
| 1996年12月号 | レーザ受光素子-電子回路と一体化 -レーザ受光素子/電子回路と一体化 | NTT | 日経産業新聞 (1996年10月23日PP.4) | レーザ 受光素子 チップ Si電子回路 化合物半導体薄膜 | 160 220 250 |
| 1996年12月号 | ライダー衛星に挑む | 宇宙開発事業団 | 日刊工業新聞 (1996年10月21日PP.7) | レーザレーダ 大気観測 | 460 660 |
| 1996年12月号 | 半導体ウェハ上の溝 -従来の1/2000間隔に- | クレステック NEC | 日経産業新聞 (1996年10月16日PP.1) | 半導体ウェハ レーザ | 160 250 240 |
| 1996年12月号 | 光通信用レーザ -波長制御精度10倍- | NEC | 日刊工業新聞 (1996年10月16日PP.5) | 光通信 レーザ 波長制御 | 240 250 160 |
| 1996年12月号 | レーザ利用で細胞融合効率化 | 東北大 | 日経産業新聞 (1996年10月11日PP.4) | レーザ 細胞融合 | 460 260 |
| 1996年11月号 | 青色半導体レーザ | 東芝 | 日経産業新聞 (1996年9月12日PP.5) 日本経済新聞 (1996年9月12日PP.11) | 半導体レーザ DVD | 250 330 |
| 1996年11月号 | 面発光レーザ -連続発振に成功- | 名工大 | 日経産業新聞 (1996年9月3日PP.5) | OEIC 844nm | 250 |
| 1996年10月号 | レーザ光で断層像撮影 -反射光のずれ画像化- | 東大 浜松ホトニクス | 日経産業新聞 (1996年8月29日PP.5) | レーザ光 CT 干渉縞 | 250 360 |
| 1996年10月号 | 幅20μm 深さ600nmの量子細線 | 松下電器産業 | 日刊工業新聞 (1996年8月15日PP.7) | レーザ加工 GaAs基板 量子細線 20μm 600nm厚 | 160 140 240 |
| 1996年 9月号 | 高速通信用の光発振器 -新聞125年分1秒で送信- | NEC | 日経産業新聞 (1996年7月16日PP.5) | 光通信 光発振器 レーザ 500Gbps 半導体レーザを2連化 10Gbpsの光パルス列から500Gbpsの光パルス 列を発生 高速光通信 半導体レーザ | 240 440 250 |
| 1996年 9月号 | 窒素混入の新半導体材料 -レーザの冷却不要に- | 日立製作所 新情報処理開発機構 | 日経産業新聞 (1996年7月12日PP.5) | GaInPにNを混入 85℃まで安定動作 光ファイバ通信加入者用 1.2μmの発光波長 半導体材料 光通信 レーザ | 250 140 240 |
| 1996年 8月号 | 光信号を60GHzのミリ波電波に変換する技術 | 通信総研 NEC NTTエレクトロニクステクロジー | 日経産業新聞 (1996年6月21日PP.5) | 光ファイバ 光通信 156Mbpsの情報伝達 周波数差60GHzの赤外レーザ 受光素子から60GHz変調波 理論的には10Gbps可 能 | 520 440 |
| 1996年 8月号 | 半導体レーザの新製造技術 -素子均一性2倍に- | NEC | 日経産業新聞 (1996年6月17日PP.5) | レーザ 1.3μm MOVPE法で選択結晶成長 エッチング工程なし 2μA以下の閾値電流 | 240 160 |
| 1996年 8月号 | レーザ焼き付け写真プリント機 -逆光撮影写真くっきり補正- | 富士フイルム | 日経産業新聞 (1996年6月13日PP.1) | CCDカメラ レーザ焼き付け 1000枚/時間 | 310 330 |
| 1996年 8月号 | 自動電子レーザ発振技術 -半導体新材料開発に道- | 住友電工 | 日経産業新聞 (1996年6月9日PP.1) | 自由電子レーザ | 250 |
| 1996年 8月号 | 超電導量子干渉素子 -高温超電導体利用- | NEC | 日経産業新聞 (1996年6月3日PP.5) | SQUID レーザアブレーション | 220 160 |
| 1996年 7月号 | 表示部不要の新型ディスプレイ装置 | マイクロビジョン(米) | 日経産業新聞 (1996年5月22日PP.1) | ディスプレイ 半導体レーザ 仮想網膜表示装置 網膜 | 250 350 620 |
| 1996年 7月号 | DVD用自励発振型赤色半導体レーザ | 松下電子 | 電波新聞 (1996年5月18日PP.1) | DVD 半導体レーザ | 250 |
| 1996年 6月号 | 青色半導体レーザの新製造 -基板に炭化ケイ素利用- | 富士通研 | 日経産業新聞 (1996年4月18日PP.5) | 青色レーザ 炭化ケイ素 SiC基板 高性能レーザ反射面 AlNでバッファ層形成 GaNレーザ 半導体レーザ 製造技術 | 250 260 |
| 1996年 6月号 | 最短波長0.315μmのレーザ発振 | 自由電子レーザ研 | 日経産業新聞 (1996年4月16日PP.5) | 自由電子レーザ装置 | 250 |
| 1996年 6月号 | 量子ドットレーザ -室温で連続発振- | NEC | 日経産業新聞 (1996年4月10日PP.5) | 閾値電流5〜6μA 多層構造 InGaAs | 250 |
| 1996年 6月号 | 超高速光通信用送信機 | NTT | 日経産業新聞 (1996年4月2日PP.5) | 光通信 波長多重通信 InP 半導体レーザと光変調器一体化 1.55μm 20Gbps | 250 440 240 |
| 1996年 5月号 | 新型赤外発光Si結晶 -10倍強力な赤外光発光- | 東大 | 日経産業新聞 (1996年3月28日PP.5) | 半導体レーザ Si結晶 赤外発光 従来比10倍 Si超格子 1.2μm -170℃で動作 | 250 150 |
| 1996年 5月号 | 高速光配信 -面発光レーザとPCF組合せ- | NEC | 日刊工業新聞 (1996年3月12日PP.5) | ファイバ 光配信 | 160 240 250 |
| 1996年 4月号 | 近赤外レーザ利用のLSI欠陥検査 | NEC | 日経産業新聞 (1996年2月29日PP.5) | 検査技術 近赤外レーザ | 660 250 |
| 1996年 4月号 | 光信号中継システム -光信号，4波に分け伝送- | 古河電工 | 日経産業新聞 (1996年2月27日PP.5) | 光増幅器 4波長多重 10Gbps 560km 光通信 半導体レーザ 光ファイバ | 440 240 |
| 1996年 4月号 | ディジタル情報レーザ光で記録 再生 -ホログラフィを応用- | NTT | 日経産業新聞 (1996年2月7日PP.5) | ストロンチウム バリウム ナイオベト(SBN) カラー動画像 レーザ ホログラフィ 記録 再生 ディジタル情報 レーザ光 | 430 230 250 |
| 1996年 4月号 | 青緑色半導体レーザ -室温発振100時間突破- | ソニー | 電波新聞 (1996年2月1日PP.1) 日経産業新聞 (1996年2月1日PP.5) 日刊工業新聞 (1996年2月1日PP.6) | 波長515nm 1mW 青緑色半導体レーザ 室温連続発振101.5時間 | 250 |
| 1996年 3月号 | 光信号の波長変換素子 | 富士通研 | 日経産業新聞 (1996年1月23日PP.4) | 光スイッチ DFBレーザ 光波長変換 波長多重光通信 半導体レーザ 波長変換 | 240 250 |
| 1996年 3月号 | 紫外線レーザ -紫外線域で最短発振- | 自由電子レーザ | 日経産業新聞 (1996年1月11日PP.5) | 自由電子レーザ研 レーザ 紫外線:波長0.35μm | 250 |
| 1996年 2月号 | 半導体レーザによる刷版作製技術 | 千葉大 | 日経産業新聞 (1995年12月28日PP.4) | オフセット印刷 レーザ | 160 250 330 |
| 1996年 2月号 | 青紫色半導体レーザ | 日亜化学工業 | 電波新聞 (1995年12月13日PP.1) 日経産業新聞 (1995年12月13日PP.10) 日刊工業新聞 (1995年12月13日PP.9) 日本経済新聞 (1995年12月13日PP.11) | 半導体レーザ 波長410nm DVD GaN 室温 パルス発振 高密度記録 | 250 |
| 1996年 1月号 | 双方向レーザ伝送 | 通信総研 NASA | 日経産業新聞 (1995年11月16日PP.5) | 双方向レーザ伝送 | 440 |
| 1996年 1月号 | 可変波長半導体レーザ -光通信の検波用- | アンリツ | 日経産業新聞 (1995年11月6日PP.5) | 波長1.55±0.015μm 温度制御で波長可変 | 250 |
| 1995年12月号 | 光CATV用PCレーザ -チャンネル2倍に拡大- | NEC | 日刊工業新聞 (1995年10月24日PP.5) | 光双方向通信向け 部分回折格子型半導体レーザ(PCLD) 半導体レーザ | 250 240 440 |
| 1995年12月号 | メタルマスク加工システム-高精度YAGレーザで加工- | 太陽化学工業 | 日刊工業新聞 (1995年10月6日PP.5) | YAGレーザ | 160 250 |
| 1995年12月号 | 光通信用レーザ -波長分析精度100倍に- | アンリツ | 日経産業新聞 (1995年10月3日PP.5) | 波長分析フィルタ 波長多重通信 大容量化 光フィルタ 帯域2.5GHz | 240 |
| 1995年11月号 | レーザ光で分子集める新手法 | 阪大 | 日経産業新聞 (1995年9月18日PP.5) | 光圧力 分子融合 | 160 |
| 1995年11月号 | 導波路レンズ付き半導体レーザ | 三菱電機 | 電波新聞 (1995年9月14日PP.8) 日本工業新聞 (1995年9月14日PP.10) | 半導体レーザ 光ファイバ | 250 240 |
| 1995年11月号 | 半導体レーザアレイ | 東芝 | 日経産業新聞 (1995年9月12日PP.5) | 半導体レーザ アレイ 27mW 100mA 12素子 | 250 |
| 1995年11月号 | 微小ガラス球でレーザ発振 | 京大 | 日刊工業新聞 (1995年9月6日PP.5) | レーザ | 250 150 |
| 1995年10月号 | 衛星間光通信 | 通信総研 宇宙開発事業団 | 日刊工業新聞 (1995年8月21日PP.8) | レーザ通信 上り:0.51μmアンゴンレーザ 下り:0.83μm半導体レーザ 衛星通信 光通信 | 440 |
| 1995年10月号 | 小型投影装置 -どんな壁にも撮影- | カスト | 日経産業新聞 (1995年8月15日PP.1) | レーザ光線 投影 レーザ ラスタースキャン | 250 350 |
| 1995年10月号 | 波長可変の半導体レーザ | NEC | 日刊工業新聞 (1995年8月4日PP.7) | 半導体レーザ MOCVD法 1.55μm帯 可変幅±3.8nm 連続波長可変 | 250 240 |
| 1995年 9月号 | エキシマレーザ加工システム -半導体の故障解析時間を大幅に短縮- | 浜松ホトニクス | 電波新聞 (1995年7月31日PP.7) | エキシマレーザ加工システム | 160 |
| 1995年 9月号 | 超並列光情報処理システム | 文部省 東工大 | 日本経済新聞 (1995年7月31日PP.15) | 面発光レーザ ニューラルネットワーク 光情報処理 並列処理 | 320 520 250 420 |
| 1995年 9月号 | 面発光レーザ | 京大 | 日刊工業新聞 (1995年7月26日PP.5) | 円形回折格子 波長1.3μm 196K 面発光 レーザ パルス発振 | 250 150 |
| 1995年 9月号 | 世界初の量子ドットレーザ | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1995年7月25日PP.1) | 量子ドットレーザ 正孔とじこめ発光 InGaAs 閾値1.1A λ911nm/温度80K パルス発振 超低消費電力 | 250 150 |
| 1995年 9月号 | 半導体レーザの短波長化用簡易デバイス | 米バーゴ オプティクス社 | 日刊工業新聞 (1995年7月19日PP.4) | 半導体レーザ メモリーデバイス | 250 |
| 1995年 9月号 | 高速光通信用素子 -レーザと変調器一体化- | NEC | 電波新聞 (1995年7月7日PP.10) 日経産業新聞 (1995年7月7日PP.4) 日刊工業新聞 (1995年7月7日PP.6) | レーザ 光変調器 光伝送 300km 変調器とレーザ一体化 2.5Gbps 6W出力 | 250 240 220 |
| 1995年 9月号 | 全固体SHGレーザ | 日立製作所金属 | 日経産業新聞 (1995年7月6日PP.11) 電波新聞 (1995年7月6日PP.6) 日刊工業新聞 (1995年7月6日PP.16) | 青色レーザ SHGレーザ 波長430nm | 250 |
| 1995年 9月号 | 新方式カメラシステム -濁水でも撮影OK- | 石川島播磨 運輸省 | 日経産業新聞 (1995年7月4日PP.5) | パルスレーザ光源 高感度カメラ 50フレーム/s | 310 250 |
| 1995年 8月号 | 半導体レーザ -Si基板上に高速光配線に応用- | 沖電気 | 日経産業新聞 (1995年6月19日PP.1) | 化合物半導体レーザとSiの直接接合 光配線 | 250 260 |
| 1995年 7月号 | 光通信加入者向け半導体レーザ -低価格接続器に道- | 富士通研 | 日経産業新聞 (1995年5月25日PP.5) | レンズなし | 250 240 |
| 1995年 7月号 | 面状に72個集積の半導体レーザ | ソニー | 日経産業新聞 (1995年5月22日PP.5) | 半導体レーザ | 250 |
| 1995年 7月号 | 侵入警報装置 -レーザ光でバリアを作成- | NEC | 電波新聞 (1995年5月20日PP.4) | 侵入警報 レーザ監視 | 250 410 |
| 1995年 7月号 | フッ素樹脂上に電子回路作成 | 工業技術院 上村工業 | 日経産業新聞 (1995年5月18日PP.4) | フッ素樹脂 親水性 エキシマレーザ | 160 |
| 1995年 7月号 | 波長多重通信用半導体レーザ -異なる波長の光均一発振- | 沖電気 | 日経産業新聞 (1995年5月10日PP.5) | 光ファイバ光源 半導体レーザ 波長多重伝送 多重通信 波長多重 | 240 250 |
| 1995年 6月号 | 面方位異なる半導体材料接着技術 | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1995年4月7日PP.5) | OEIC 半導体レーザ | 220 160 |
| 1995年 5月号 | 新しい光記録技術 -石英ガラスにCD100枚分の情報記録- | 徳島大 | 日本経済新聞 (1995年3月13日PP.17) | 2cm角にCD100枚分 1mm層に350層 パルス状レーザ | 130 230 |
| 1995年 5月号 | 60μA電流で発振発振する半導体レーザ -複数の反射鏡使い試作- | 東工大 | 日経産業新聞 (1995年3月15日PP.5) | 波長1.5μm 発振電流60μA | 250 |
| 1995年 5月号 | 70μAの電流で発振する面発光レーザ | 東工大 | 日経産業新聞 (1995年3月3日PP.5) | レーザ 面発光 発振電流70μA | 250 |
| 1995年 4月号 | 六角柱半導体レーザ | NTT | 日刊工業新聞 (1995年2月20日PP.6) | 六角柱半導体レーザ(HFLD) 光電子回路(OEIC) | 250 |
| 1995年 3月号 | DVDシステム対応の光ヘッド | 三菱電機 | 電波新聞 (1995年1月26日PP.1) | DVD 光ヘッド 短波長レーザ | 230 210 |
| 1995年 3月号 | 光ソリトン超高速・長距離伝送 -実験成功- | NTT | 日経産業新聞 (1995年1月13日PP.5) 日刊工業新聞 (1995年1月13日PP.11) 日本工業新聞 (1995年1月13日PP.10) | 光通信 ソリトン通信 80Gbpsで500km伝送 光ソリトン 光多重分離技術 1.55μm/3psレーザ | 440 240 250 |
| 1995年 3月号 | 半導体励起型固体レーザ材料 -バナジウム酸ガドニウム- | 東北大 理研 | 日経産業新聞 (1995年1月11日PP.5) | 固体レーザ材料 バナジウム酸ガドリニウム 単結晶 固体レーザ 波長1.06μm | 150 250 |
| 1995年 3月号 | 680nmの2ビーム赤色半導体レーザ | 松下電器産業 | 電波新聞 (1995年1月6日PP.1) | 2ビーム半導体レーザ | 250 |
| 1995年 3月号 | 150ch伝送可能な半導体レーザ -CATV送信機に- | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1995年1月1日PP.1) | 半導体レーザ CATV送信機 | 440 250 |
| 1995年 2月号 | 金属微粒子の光トラッピング技術 -マイクロ構造物に道- | 東北大 | 日刊工業新聞 (1994年12月23日PP.4) | レーザ光ビーム 光トラッピング 完全非接触 | 160 120 |
| 1995年 1月号 | 半導体レーザの発振安定化技術 -水晶エタロンで- | 東芝 | 日経産業新聞 (1994年11月18日PP.5) | レーザ 温度変化 | 250 160 |
| 1994年12月号 | 映像音声多重信号をレーザで伝送できる装置 | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1994年10月28日PP.1) | 500Mbps 1km 光伝送 | 340 250 |
| 1994年12月号 | ホログラフィ立体映画システム | NTT | 日経産業新聞 (1994年10月13日PP.5) | 動画ホログラフィ レーザ記録 18コマ/秒 | 450 430 |
| 1994年12月号 | SHG式ブルーレーザ | パイオニア | 日経産業新聞 (1994年10月5日PP.1) | 光ディスク SHG方式ブルーレーザ DVD | 250 |
| 1994年11月号 | 波長1.3μm帯の半導体レーザ | NEC 日立製作所 | 日経産業新聞 (1994年9月26日PP.5) | 半導体レーザ 1Gbps 0.58mA 歪み量子井戸構造 最低電流は3mA | 250 |
| 1994年11月号 | ルビジウム原子発振器 -周波数の安定化に成功- | 新技術事業団 アンリツ | 日経産業新聞 (1994年9月16日PP.5) | 原子発振器 レーザ ルビジウム | 250 150 |
| 1994年11月号 | 新型変位計 -レーザ光で凹凸測定- | キーエンス | 日経産業新聞 (1994年9月8日PP.1) | 変位計 | 320 250 |
| 1994年11月号 | POF向け半導体レーザ -可視光で世界最高速- | NEC | 日経産業新聞 (1994年9月7日PP.1) | POF用レーザダイオード 可視光 波長50nm 光通信レーザ 波長の短い可視光で世界最速2.5Gbps | 250 |
| 1994年11月号 | 高密度記録再生技術 -12cm光ディスクの記録再生容量 CDの8倍に- | パイオニア | 電波新聞 (1994年9月20日PP.1) | レーザディスク 135分録画 ダブルデンシティ サンプルサ 青色レーザ 12cmの盤に6Mbpsを135分 | 230 330 520 |
| 1994年11月号 | 光ディスクで高画質動画再生 | 三洋電機 | 電波新聞 (1994年9月2日PP.1) 日経産業新聞 (1994年9月2日PP.8) | MOディスク 12cm 2.5GB 135分 4倍密度 光ディスク動画記録 635nmの半導体レーザ | 230 530 |
| 1994年10月号 | 光ファイバと導波路レーザで接合 -光透過率97%- | 日立製作所電線 | 日経産業新聞 (1994年8月30日PP.5) | 光ファイバと光導波路のレーザ接合 | 440 160 |
| 1994年10月号 | 新構造光通信用半導体レーザ | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1994年8月31日PP.5) | 応力補償型歪み量子井戸構造 130km伝送 | 250 440 |
| 1994年10月号 | 150km無中継伝送できる変調器付半導体レーザ | 三菱電機 | 電波新聞 (1994年8月25日PP.6) 日経産業新聞 (1994年8月25日PP.5) 日刊工業新聞 (1994年8月25日PP.9) | 光伝送 無中継伝送 2.5Gbps 選択領域成長技術 半導体レーザ 150km無中継伝送 | 240 440 250 |
| 1994年 9月号 | 赤色レーザダイオード | 日立製作所 | 電波新聞 (1994年7月4日PP.7) | レーザダイオード 光ディスク 512MB | 230 250 |
| 1994年 8月号 | レーザ干渉計利用の小型装置 -0.4nmの高分解能- | ニコン | 日経産業新聞 (1994年6月22日PP.3) | レーザ干渉計 | 360 |
| 1994年 8月号 | InGaAs系半導体レーザの結晶成長に成功 | NEC | 電波新聞 (1994年6月2日PP.1) | InGaAsP系半導体レーザ | 250 |
| 1994年 7月号 | 量子箱構造を自然形成 | NTT | 日経産業新聞 (1994年5月12日PP.5) | 量子箱 半導体レーザ 直径50〜200nm | 160 250 |
| 1994年 6月号 | SHG方式ブルーレーザの小型モジュールを試作 | 松下電器産業 | 電波新聞 (1994年4月1日PP.1) | ブルーレーザ(SHG方式) 初の小型化(8cc) 429nm 2mW | 250 |
| 1994年 5月号 | 青色半導体レーザ -室温で連続発振- | ソニー | 日刊工業新聞 (1994年3月29日PP.1) | 青色半導体レーザ 23℃ λ:189.9nm 半導体レーザ 青色室温連続発振 | 250 |
| 1994年 5月号 | SHG方式ブルーレーザ -記録再生密度10倍以上に- | パイオニア デュポン | 電波新聞 (1994年3月11日PP.1) | ブルーレーザ SHG方式 KTP単結晶 | 250 |
| 1994年 5月号 | 光通信向け半導体レーザ -変調差歪み1/3に- | NEC | 電波新聞 (1994年3月11日PP.1) 日経産業新聞 (1994年3月11日PP.5) 日刊工業新聞 (1994年3月11日PP.7) | 半導体レーザ 部分回折格子 変調歪み1/3 1GHz | 250 |
| 1994年 4月号 | 光通信用半導体レーザ g-1.54THz光パルス列発生- | 沖電気 | 電波新聞 (1994年2月25日PP.5) 日経産業新聞 (1994年2月25日PP.9) 日刊工業新聞 (1994年2月25日PP.9) | 光通信半導体レーザ 世界最速1.54THz 1.55μm 光出力16mW 半導体レーザ InP分布反射型構造 超高速光パルス列 | 250 |
| 1994年 4月号 | 超小型継電器 | NTT | 日経産業新聞 (1994年2月18日PP.1) | 超小型リレー レーザ動作 10ms 光で切替え Si基板に集積 マイクロマシン 幅200μm 長さ1.5m厚さ10μm | 260 240 |
| 1994年 4月号 | 直接波長変換技術 -高速光信号を10Gbpsで自由に変換- | NTT | 電波新聞 (1994年2月16日PP.2) 日経産業新聞 (1994年2月16日PP.5) | Tb級光通信 光通信 波長可変レーザ 光交換機 | 250 240 340 |
| 1994年 3月号 | 発振電流1/10以下の半導体レーザ | NEC | 日経産業新聞 (1994年1月5日PP.5) | 半導体レーザ 面発光型 発振電流190μA 光出力50μW/2mA 半導体レーザ素子 | 250 |
| 1994年 2月号 | 光ディスク用2ビーム赤色半導体レーザ | 松下電器産業 | 電波新聞 (1993年12月16日PP.1) 日経産業新聞 (1993年12月16日PP.4) | 半導体レーザ 光ディスク2.6倍高速化 | 250 |
| 1994年 2月号 | 光電子集積回路 | 松下電器産業 | 電波新聞 (1993年12月8日PP.1) 日経産業新聞 (1993年12月8日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年12月8日PP.9) | 面発光レーザ 光IC OEIC 面積1/3 0.9mm角 光ネットワーク制御 | 220 240 250 |
| 1994年 2月号 | CATV用レーザモジュール -100ch伝送可能- | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1993年12月8日PP.9) 日刊工業新聞 (1993年12月8日PP.10) | 分布帰還型レーザモジュール CATV DFB半導体レーザ | 250 440 |
| 1994年 1月号 | 量子箱レーザ | 東工大 | 日経産業新聞 (1993年11月19日PP.5) | InGaAsP 波長1.3μm -196℃ 発振電流1.1A 半導体レーザ 量子箱 微小半導体粒 超低電流発振 | 250 |
| 1994年 1月号 | 液晶膜を大面積化 | 工業技術院物質工学工業技研 | 日刊工業新聞 (1993年11月2日PP.6) | 液晶配向膜 偏光エキシマレーザ | 250 260 |
| 1994年 1月号 | 赤色半導体レーザダイオード633n帯で5mW | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1993年11月25日PP.9) | 赤色半導体レーザダイオード 発振波長633nm帯 光出力5mW | 250 |
| 1993年12月号 | 微小共振器型量子細線レーザ -「究極レーザ」へ一歩- | 東大 | 日刊工業新聞 (1993年10月23日PP.1) | 量子細線 選択的有機金属 気相成長法 | 250 |
| 1993年12月号 | 自動的に焦点を合わせる半導体レーザ | 米AT&Tベル研 | 日経産業新聞 (1993年10月19日PP.1) | 半導体レーザ ゾーンレーザ素子 面発光レーザ 光インタコネクション | 250 |
| 1993年12月号 | 高密度光ディスク装置用赤色半導体レーザ | 松下電器産業 | 電波新聞 (1993年10月14日PP.1) | 半導体レーザ | 250 |
| 1993年11月号 | 実用的集積光源 -同一基板に半導体レーザと変調器- | NEC | 日刊工業新聞 (1993年9月15日PP.5) | 実用的集積光源 1.5μm帯レーザ 選択気相成長技術 光通信 | 240 250 440 |
| 1993年10月号 | 面発光半導体レーザ | 松下電器産業 | 日刊工業新聞 (1993年8月26日PP.9) | 面発光半導体レーザ 190μA 50μW 波長0.98μm 常温 | 250 |
| 1993年 9月号 | SHG方式青色レーザ | 島津製作所 | 日本工業新聞 (1993年7月13日PP.1) | レーザ SHG方式 青色で32mW | 250 |
| 1993年 9月号 | 青緑色半導体レーザ -波長532nmの室温連続発振- | ソニー | 電波新聞 (1993年7月9日PP.1) 日経産業新聞 (1993年7月9日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年7月9日PP.7) | 青緑色半導体レーザ 波長523nm 室温連続発振 高密度記録 | 250 |
| 1993年 9月号 | 世界最高出力の赤色半導体レーザ | 三洋電機 | 電波新聞 (1993年7月5日PP.1) | 半導体レーザ | 250 |
| 1993年 9月号 | 世界最高記録密度の青色レーザ光記録装置 | 米IBM | 電波新聞 (1993年7月2日PP.1) | 光磁気ディスク 2.5Gb/inch 6.5Gb/5inch | 230 |
| 1993年 7月号 | 光CATV | NEC | 日経産業新聞 (1993年5月11日PP.5) | 光通信 高性能半導体レーザ | 440 |
| 1993年 7月号 | トランジスタレーザ | 工技院 三菱化成 | 日経産業新聞 (1993年5月10日PP.5) | トランジスタレーザ 単素子に両機能 同一構造で両機能 低消費電力 | 220 250 |
| 1993年 7月号 | レーザ光で衛星間通信 -技術開発をスタート- | NASDA | 電波新聞 (1993年5月7日PP.2) 日刊工業新聞 (1993年5月7日PP.11) | 衛星間通信 | 440 |
| 1993年 7月号 | コヒーレント光通信用半導体レーザ | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1993年5月7日PP.4) | 半導体レーザ 光のばらつき3.6kHz以下 高品質半導体レーザ 1.55μm | 250 |
| 1993年 6月号 | 半導体レーザによるホログラム | 東海大 | 日経産業新聞 (1993年4月26日PP.1) | ホログラフィ 半導体レーザ | 300 250 |
| 1993年 6月号 | 青緑色半導体レーザ -室温発振に成功- | 松下電器産業 | 電波新聞 (1993年4月14日PP.1) | 青色半導体レーザ | 250 |
| 1993年 6月号 | 超高速光通信用光電子素子 -変調器一体化- | 沖電気 | 日経産業新聞 (1993年4月6日PP.5) | 光通信 半導体レーザ 光変調器 16〜20GHz対応 光電子素子 レーザと変調器一体化 波長1.55μm コスト削減 電圧半分 | 240 250 220 |
| 1993年 5月号 | 世界最高出力の半導体レーザ | NEC | 日経産業新聞 (1993年3月29日PP.5) | 半導体レーザ DFB構造 波長1.55μm 光出力120mW 分布帰還型 10倍以上の大容量化 | 250 |
| 1993年 5月号 | 波長1.3μmの面発光レーザ | 東工大 | 日経産業新聞 (1993年3月24日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年3月30日PP.4) | 面発光レーザ 室温で連続発振 世界初 | 250 |
| 1993年 4月号 | AlGaAs化合物の選択成長技術 | 三菱化成 | 日刊工業新聞 (1993年2月3日PP.6) | MOCVDHSE法 選択成長技術 量子化機能素子 レーザ | 260 250 |
| 1993年 2月号 | 第3の半導体光源誕生 | NTT | 日刊工業新聞 (1992年12月4日PP.7) 日経産業新聞 (1992年12月4日PP.5) 日本工業新聞 (1992年12月4日PP.5) 日本経済新聞 (1992年12月4日PP.13) 電波新聞 (1992年12月4日PP.3) | 半導体レーザ 10μA 800nm帯 極小電流発振 新発光素子 自然放出光 光コンピュータ | 250 150 |
| 1993年 2月号 | 1GbDRAM用0.2μm以下の超微細パターン形成技術 | 松下電器産業 | 電波新聞 (1992年12月15日PP.1) 日経産業新聞 (1992年12月15日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年12月15日PP.9) 電波新聞ハイテクノロジ (1992年12月17日PP.1) | ArFエキシマレーザ 1GbDRAM 微細加工技術 | 260 230 |
| 1992年12月号 | 発振波長635nmの赤色半導体レーザ | 東芝 | 電波新聞 (1992年10月6日PP.2) | 半導体レーザ | 250 |
| 1992年12月号 | 光多重記録媒体 | 松下電器産業 | 日刊工業新聞 (1992年10月24日PP.1) | 波長の異なる5本のレーザ 記録現行の10倍 フォトクロミズム | 230 130 |
| 1992年12月号 | 10本を1チップ化した半導体レーザ | 三菱電機 | 日刊工業新聞 (1992年10月23日PP.7) | MOCVD法 波長1.3μm 閾値13mA 80℃ P型基板 1チップ化レーザ 10本を集積 1.3Gbps | 250 |
| 1992年12月号 | 2ビーム・レーザ | ソニー | 日経産業新聞 (1992年10月21日PP.5) | 量子井戸構造 波長780nm 間隔100μm 出力50mW | 250 |
| 1992年12月号 | 超格子素子 | 東大 日立製作所 | 日経産業新聞 (1992年10月9日PP.5) | 新デバイス 高効率レーザ 演算素子 | |
| 1992年11月号 | コヒーレント光通信用素子 | NEC | 日刊工業新聞 (1992年9月26日PP.1) | 1.5μm帯 DFBレーザ デュアルPINダイオード 寿命10万時間 | 340 250 |
| 1992年11月号 | 光通信用半導体レーザ | 三菱電機 | 電波新聞 (1992年9月25日PP.1) | 光通信 半導体レーザ | 250 440 |
| 1992年11月号 | 世界初1.3μm帯レーザ発振 | 光技術研究開発 古河電工 | 日本工業新聞 (1992年9月22日PP.5) 電波新聞 (1992年9月23日PP.7) | InAsPレーザ 1.3μm帯 120℃で発振 | 230 |
| 1992年11月号 | 光アンプ光源にメド -1.02μm帯レーザ- | NEC | 日刊工業新聞 (1992年9月23日PP.1) | 光導波路構造 100mW 光増幅30倍 | 250 |
| 1992年11月号 | レーザと変調器1チップ化 -光出力，10G級10倍に- | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1992年9月22日PP.6) | レーザと変調器1チップ化 10Gbps 1.55μm 出力10倍 | 250 |
| 1992年11月号 | 103nmの広波長可変レーザ | NTT | 電波新聞 (1992年9月22日PP.6) 日本工業新聞 (1992年9月22日PP.5) | 波長可変半導体レーザ 可変域103nm 1.5μm | 250 |
| 1992年11月号 | 光結合技術 -半導体レーザに光導波路- | NTT | 日本経済新聞 (1992年9月5日PP.12) | 250 | |
| 1992年10月号 | 利得結合型DFBレーザ | 東大 横河電機 | 日刊工業新聞 (1992年8月28日PP.7) | 損失回折格子型 出力24mW(1年前に採録済) | 250 |
| 1992年10月号 | 相変化型光ディスク | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1992年8月26日PP.5) | 書換型光ディスク 低出力レーザ光 | 230 |
| 1992年10月号 | 発光層幅30nm以下の量子細線レーザ構造 | NTT | 日刊工業新聞 (1992年8月20日PP.6) | 30nmの発光層幅 | 250 |
| 1992年10月号 | 小電流で出力100mWの半導体レーザ | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1992年8月19日PP.6) | 出力100mW 波長1.48μm帯 | 250 |
| 1992年10月号 | 3.3W超高出力レーザダイオード | ソニー | 電波新聞 (1992年8月12日PP.7) | レーザダイオード | 250 |
| 1992年10月号 | 室温で連続発振可能な橙色半導体レーザ- -世界初発振波長615nm- | 三洋電機 | 電波新聞 (1992年8月6日PP.1) | レーザダイオード | 250 |
| 1992年10月号 | GaAs基板上に量子ドットを形成 | 新技術事業団 | 日刊工業新聞 (1992年8月5日PP.7) | 量子ドット 光素子 レーザ | 220 |
| 1992年 9月号 | 光感応型有機色素系追記型記録媒体 -記録可能なLDへ道- | パイオニア | 電波新聞 (1992年7月25日PP.1) | レーザディスク | 330 |
| 1992年 9月号 | 追記型ビデオディスク -LSとフォーマット互換- | 日立製作所 | 電波新聞 (1992年7月24日PP.1) | レーザディスク 追記型光ディスク | 330 230 |
| 1992年 9月号 | 青色半導体レーザ -ダブルヘテロ構造- | ソニー | 読売新聞 (1992年7月22日PP.1) 電波新聞 (1992年7月24日PP.6) | 青色レーザ 青色半導体レーザ 440nm発振 音声3時間半/12cmCD CD情報量従来の3倍 | 250 330 |
| 1992年 9月号 | 面発光レーザ | 東工大 | 日経産業新聞 (1992年7月7日PP.5) | 77K 1.43μm 化学ビーム成長法 | 250 |
| 1992年 9月号 | 短波長レーザシステム -青色レーザ高性能化にメド- | 沖電気 | 日刊工業新聞 (1992年7月3日PP.7) | 導波路型SHG+DFBレーザ SHG | 250 450 |
| 1992年 8月号 | シリコンガラスの光増幅 | 湘南工科大 | 日刊工業新聞 (1992年6月18日PP.6) | 波長可変レーザ | 250 |
| 1992年 8月号 | レーザリソグラフィ技術 -0.25μmパターン- | 松下電器産業 | 電波新聞 (1992年6月5日PP.1) | 次世代LSI | 160 |
| 1992年 8月号 | 14.6mWの青色レーザ | 旭硝子 | 日経産業新聞 (1992年6月5日PP.5) | 半導体レーザ 非線形光学結晶 | 250 |
| 1992年 7月号 | 光音響顕微鏡 | 東大 | 日刊工業新聞 (1992年5月29日PP.7) | 0.5μm測定 干渉レーザ光で超音波と熱伝導利用 | 600 |
| 1992年 7月号 | レーザ代用の高出力LED | オムロン | 日経産業新聞 (1992年5月25日PP.5) | スポット径10μm 20μm径で20mAで1mW出力 | 250 |
| 1992年 7月号 | 半導体レーザ作製新プロセス -結晶成長1工程に- | NTT | 日刊工業新聞 (1992年5月8日PP.5) | 半導体レーザ製造技術 工程半減，歩留向上 | 160 250 |
| 1992年 6月号 | 633nmの半導体レーザ | 上智大 | 日刊工業新聞 (1992年4月24日PP.7) | ガスレーザの代替で小型化可能 | 250 |
| 1992年 5月号 | 光ディスク書込み用赤色可視光半導体レーザ | 三菱電機 | 電波新聞 (1992年3月26日PP.1) | 半導体レーザ 赤色可視光 | 250 |
| 1992年 4月号 | 新レーザで90km伝送 | 沖電気 | 日刊工業新聞 (1992年2月28日PP.7) | DFBレーザ λ=1.5μmで90km チャーピング1/3に | 240 |
| 1992年 4月号 | 高密度光ディスク記録技術 -記録密度2倍- | 東芝 | 電波新聞 (1992年2月8日PP.1) 日刊工業新聞 (1992年2月8日PP.4) 日本工業新聞 (1992年2月10日PP.15) | 赤色半導体レーザ 光ディスク 690nmレーザ | 230 250 |
| 1992年 4月号 | 出力35mWを実現した赤色半導体レーザ -光ディスク用に開発- | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1992年2月5日PP.5) | 赤色半導体レーザ 35mW 680nmレーザ | 250 |
| 1992年 3月号 | 出力世界最高310mW達成の半導体レーザ | 住友電工 | 日刊工業新聞 (1992年1月30日PP.5) | 半導体レーザ 1.48μm 出力1.2倍 量子井戸 | 250 |
| 1992年 3月号 | 周波数可変半導体レーザ | 三菱電機 | 電波新聞 (1992年1月22日PP.2) 日経産業新聞 (1992年1月22日PP.4) 日刊工業新聞 (1992年1月22日PP.9) 日本工業新聞 (1992年1月22日PP.13) | 4個1チップ化 FDM光通信可能 半導体レーザ | 220 |
| 1992年 3月号 | 低コストの面発光レーザ | ATR 光電波通信研 | 日経産業新聞 (1992年1月6日PP.4) | 面発光レーザ p-n接合 | 250 |
| 1992年 2月号 | 世界最小の半導体レーザ | ベル研(米) | 日経産業新聞 (1991年12月18日PP.1) | 直径5μm厚さ0.1μm | 250 |
| 1992年 2月号 | 赤色可視光半導体レーザ | 三菱電機 | 電波新聞 (1991年12月11日PP.6) 日経産業新聞 (1991年12月11日PP.5) 日刊工業新聞 (1991年12月11日PP.9) | 90℃で10mW 多重量子障壁半導体レーザ 電子波干渉効果 | 250 |
| 1992年 2月号 | 超高速レーザ発振 | 日電 | 日経産業新聞 (1991年12月2日PP.5) | 100Gbps | 250 |
| 1992年 1月号 | 世界最小のグリーンレーザ -従来比1/70- | 三菱電機 | 電波新聞 (1991年11月27日PP.1) 日経産業新聞 (1991年11月27日PP.5) 日刊工業新聞 (1991年11月27日PP.9) | レーザ素子 半導体レーザ グリーンレーザ ハイビジョン録画 録画時間3倍 外寸10mm×17.5mm 532nm 4mW 集光レンズなし | 250 |
| 1992年 1月号 | 波長多重用レーザモジュール | 日電 | 日刊工業新聞 (1991年11月26日PP.5) | 0.04Å波長制御 | 250 |
| 1992年 1月号 | レーザ顕微鏡 -微小電流の検出感度1万倍に- | 日本電子 | 日経産業新聞 (1991年11月21日PP.1) | 1nAの電流漏れ発見50nAから測定可能 レーザ顕微鏡 | 660 |
| 1992年 1月号 | 新原理でレーザ発振 | 東大 | 日刊工業新聞 (1991年11月5日PP.1) | レーザ素子 400〜650nm | 250 |
| 1991年12月号 | レーザ光，緑色に変換 -有機材料で素子試作- | 東レ | 日経産業新聞 (1991年10月4日PP.5) | 有機非線形光学材料 エネルギー変換効率0.13%(実用レベル3〜5%) | 120 140 |
| 1991年11月号 | DFBレーザ -外部変調器なしで100km光伝送可能- | 東芝 | 日刊工業新聞 (1991年9月25日PP.7) 日経産業新聞 (1991年9月23日PP.1) | 10Gbps 量子井戸 光のゆらぎ0.4nm | 250 440 |
| 1991年10月号 | 利得結合DFBレーザ | 東大 | 日刊工業新聞 (1991年8月29日PP.1) | 250 | |
| 1991年10月号 | 青-緑色光線レーザ | 米3M | 電波新聞 (1991年8月29日PP.3) | レーザダイオード | 250 |
| 1991年10月号 | レーザ光のパルスを有機非線形発光材料で圧縮 | 電総研 | 日経産業新聞 (1991年8月20日PP.3) | パルス幅22フェムト秒 DAM 光素子 | 230 240 |
| 1991年 9月号 | Si超微粒子を安定発光 | 電通大 | 日本工業新聞 (1991年7月25日PP.15) | ガス中蒸発法 酸化被膜 アルゴンレーザ励起 | 250 |
| 1991年 9月号 | レーザで微細溝加工 | 理研 | 日刊工業新聞 (1991年7月4日PP.5) | 0.17mm間隔 干渉縞 表面プラズマ波 | 260 |
| 1991年 9月号 | 出力6mWのDFBレーザモジュール | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1991年7月3日PP.7) 電波新聞 (1991年7月3日PP.1) 日刊工業新聞 (1991年7月3日PP.9) | 出力6mWDFB MQW構造 1.3μm 80チャンネル 20km | 250 |
| 1991年 8月号 | 半導体レーザ光による論理回路 | NTT | 日経産業新聞 (1991年6月18日PP.5) | 四角形の光進路，回転方向にI/O 15μm2 光論理演算 | 220 |
| 1991年 8月号 | エキシマレーザ使ったマスクパターン転写加工 -加工速度12倍向上- | 三菱電機 | 電波新聞 (1991年6月11日PP.1) | マスクパターン転写加工 エキシマレーザ 加工速度12倍向上 高反射マスクと高反射ミラー | 160 |
| 1991年 7月号 | 緑レーザ書き替え型光磁気ディスク | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1991年5月29日PP.1) | SHG素子 2層膜媒体 書き替え可能 5インチMOディスク 出力15mW 波長530nm 記録媒体を2層膜にして記録密度3倍に | 330 |
| 1991年 7月号 | コヒーレント光通信レーザ -世界最小スペクトル幅- | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1991年5月14日PP.1) | スペクトル幅78〜145kHz 出力10mW レーザ コヒーレント光通信用 | 250 |
| 1991年 7月号 | 有機SHGで青色レーザ -PMMAに色素加え- | 慶大 | 日刊工業新聞 (1991年5月14日PP.5) | 薄膜導波路型SHG(第2高調波)素子 406nm レーザ光波長を半分にする変換効率は約1% 10W出力 第2高調波で変換効率1% | 250 |
| 1991年 7月号 | 高出力赤色半導体レーザ | 三洋電機 | 電波新聞 (1991年5月13日PP.1) | 赤色レーザ 半導体レーザ 635nm 33mW He-Neレーザ置替え | 250 |
| 1991年 7月号 | 親指大のグリーンレーザ -低雑音特性を達成- | 松下電子 | 日刊工業新聞 (1991年5月9日PP.9) 電波新聞 (1991年5月9日PP.1) | グリーンレーザ 半導体レーザ 1060nmのレーザ光を非線型光学結晶で波長変換して532nmの波長 親指サイズ(16φ×20mm) 532nm/3mW/-135dB/Hz | 250 |
| 1991年 6月号 | 脂肪酸使った記憶素材 -レーザ光で書き込み消去- | リコー | 日経産業新聞 (1991年4月12日PP.5) | 原理的確認 記憶素材 光ディスク 非結晶/結晶の状態変化 ノイズレベル以下に消去 記憶情報を完全消去 | 130 |
| 1991年 6月号 | 波長幅4nmで可変のレーザ | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1991年4月10日PP.5) | 多重量子井戸構造分布レーザ 1548〜1552nmと4nm可変 出力20mW 可変幅 従来の2倍 出力20mn コヒーレント光通信に応用可 | 250 |
| 1991年 5月号 | 小型の緑色レーザ | 日電 | 日経産業新聞 (1991年3月29日PP.5) | 端面近接励起方式 | 250 |
| 1991年 5月号 | 青緑色レーザ発振に成功 | 京大 | 日刊工業新聞 (1991年3月15日PP.7) | 半導体レーザ -族青緑色で初 540nm(17℃)→490nm MQW11層と井戸層の薄膜化 | 250 |
| 1991年 4月号 | 次世代光通信用半導体レーザ | 沖電気 | 日経産業新聞 (1991年2月26日PP.0) | コヒーレント光通信に利用 光の周波数ばらつき80kHz以下 高品質半導体レーザ素子Δf80kHz | 240 |
| 1991年 4月号 | 光磁気ディスクの記録6倍に | ソニー | 電波新聞 (1991年2月22日PP.0) 日刊工業新聞 (1991年2月22日PP.0) 朝日新聞 (1991年2月22日PP.0) 日経産業新聞 (1991年2月22日PP.0) | 再生時にレーザスポットの中の高温部のみ読出す新技術 超高解像度光信号録再技術スポット径を等価的に縮小 現行半導体レーザ(λ7404nm)で記録波長370nm(1/2)の再生可能 光磁気ディスク 超解像 超解像光信号記録再生 アイソスター | 230 |
| 1991年 4月号 | レーザ光を照射により非接触で3次元測定 | 群馬工業試験場 | 日刊工業新聞 (1991年2月11日PP.0) | 変更レンズを使用 200×200mmの範囲で距離12mm以内。 ±70゜ ±10μmnの精度 | 620 |
| 1991年 3月号 | パルスを22フェムト秒に圧縮レーザ | 電総研 住友電工 | 日刊工業新聞 (1991年2月6日PP.0) | DAN(ジメチルアセトアミドニトロベンゼン)と呼ぶ誘導体を用いたファイバ627nmのレーザ光を利用 | 240 250 |
| 1991年 3月号 | 微弱電力でレーザ発生 | 日電 | 日経産業新聞 (1991年1月29日PP.0) | 低消費電力 無しきい値レーザ 0.6ナノジュール560nm | 250 |
| 1991年 3月号 | 量子化半導体レーザ | 科学技術庁 金属材料研 | 日刊工業新聞 (1991年1月25日PP.0) | 250 | |
| 1991年 2月号 | 毎秒35×1010回発光レーザ | ATT ベル研 | 日経産業新聞 (1991年1月9日PP.0) | 24kmを600fsのレーザパルス長で電送 35×1010回発光は7×1011bpsの情報伝送量 | 240 |
| 1991年 2月号 | 半導体レーザ1600個集積のLSI | 日電 | 日本経済新聞 (1991年1月7日PP.0) | 開発に成功した段階 超並列光電算機に応用は3年後 | 220 |
| 1991年 2月号 | 2000時間の長寿命レーザ素子 | シャープ | 電波新聞 (1990年12月20日PP.0) 日刊工業新聞 (1990年12月20日PP.0) | 830nm 150mW 50℃ 2000時間寿命 | 240 |
| 1991年 2月号 | 光宇宙通信の実験装置 | ATR | 日経産業新聞 (1990年12月10日PP.0) | 40kmのレーザ光通信の実験 | 440 |
| 1990年12月号 | 光論理演算素子 -直交レーザで実現- | 光技研 松下電器産業 | 日刊工業新聞 (1990年11月1日PP.0) | 出力レーザ光と直交方向に2つのレーザを入射できる構造で出力パワーを入力光で制御する(直交レーザ素子)試作:4素子集積1.2 0.8mm 動作速度数100ps | 220 |
| 1990年12月号 | 波長0.98μm 余分の信号半減の半導体レーザ | 日電 | 日経産業新聞 (1990年10月29日PP.0) | エルビウム添加光ファイバ増幅用半導体レーザの試作 30mW数1000時間確認(推定寿命数万時間あと10倍長寿命化必要) | 250 |
| 1990年12月号 | ホログラムの実時間記録・再生 | NTT | 日刊工業新聞 (1990年10月25日PP.0) | 強誘電液晶による空間光変調器(SLM) 高速:応答速度70μs/高感度:入力光100mW 可視光でSLMに書き込み 赤外レーザで読みだし 応用:光ニューロコンピュータ用光マスク 3次元ホログラムのディスプレイ | 200 |
| 1990年12月号 | 1万倍の高密度光ディスク | 東大 | 日経産業新聞 (1990年10月18日PP.0) | 光電気的記録1000b/μm アゾベンデソ誘導体薄膜 記録:レーザ光+斜状電極 電圧印加(還元)→ヒドロアゾベシデン 再生:吸収光波長/電圧印加時の電流 消去:酸化 | 230 |
| 1990年11月号 | 高密度半導体レーザ連続発振に成功 | 日経産業新聞 (1990年9月28日PP.0) 電波新聞 (1990年9月28日PP.0) 日刊工業新聞 (1990年9月28日PP.0) | 4.5μm間隔で集積102個 閾電流1.8 ΔI=0.017mA 8.5mW/個 840nm | 250 | |
| 1990年11月号 | 室温で青色レーザ発振 | HOYA | 日経産業新聞 (1990年9月21日PP.0) | 0.47μm 7mW RT | 250 |
| 1990年11月号 | 1V以下で動作する光変換器集積レーザ光源 | KDD | 日経産業新聞 (1990年9月20日PP.0) | 2.4Gb/s 135Km | 250 |
| 1990年11月号 | スペクトル全幅0.5mm 2.4G対応1.55μm半導体レーザ | 日立製作所 | 電波新聞 (1990年9月17日PP.0) | 閾電流15 微分量子効率0.2mW/mA 光出力 | 250 |
| 1990年11月号 | 光出力のエネルギー変換効率世界最高42%の半導体レーザ | ソニー | 日経産業新聞 日刊工業新聞 (1990年9月11日PP.0) 日刊工業新聞 (1990年9月11日PP.0) | 0.84 発振最小電流0.88 最大40 | 250 |
| 1990年11月号 | 世界最高出力の半導体レーザ | 松下 | 日経産業新聞 (1990年9月10日PP.0) | 2.4W 0.83μm 数十psで点滅 | 250 |
| 1990年11月号 | 世界最高出力可視光半導体レーザ | 日電 | 電波新聞 (1990年9月7日PP.0) 日本経済新聞 (1990年9月7日PP.0) 日経産業新聞 (1990年9月7日PP.0) 日刊工業新聞 (1990年9月7日PP.0) | 0.68μm 300mA 78mW | 250 |
| 1990年 9月号 | 高出力レーザ用耐熱光ファイバ | 藤倉電線 | 日経産業新聞 (1990年8月3日PP.0) | 250℃に耐える | 240 |
| 1990年 9月号 | 小電流でレーザ | 京大 | 日経産業新聞 (1990年7月20日PP.0) | インジューム-アンチモン単結晶 厚さ0.2m 4〜7テスラの強磁場で 20〜50A/cm2 5.3μmの赤外レーザ | 250 |