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| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
| 2015年 9月号 | フォトレジスト技術でフルカラーOLEDを作成 | 富士フイﾙム IMEC(ベルギー) | 日刊工業新聞 (2015年6月3日PP.11) | サブミクロンサイズのパターン形成，パターニング材料やプロセスを改良，画素密度640ppi | 250 |
| 2015年 8月号 | EUV露光用のレジストを開発 | EUVL基盤開発センター | 日経産業新聞 (2015年5月28日PP.1) | 波長13.5nmのEUVに高感度で反応 | 120 |
| 2013年12月号 | 有機半導体を微細加工する露光技術など | 富士フイルム ベルギーImec | 日経産業新聞 (2013年9月27日PP.9) | 線幅0.5μmまで加工 非フッ素系レジスト 365nmのi線による露光技術により製造 | 160 260 |
| 2011年10月号 | くし形電極で容量2倍以上のリチウムイオン二次電池 | 首都大学東京 東京応化工業 | 日刊工業新聞 (2011年7月7日PP.20) | 2×6mmで334μA/cm2 25μmの厚み 幅20μmの電極 負極にSn-Niの合金 | 正極にLiCoO2をフォトレジストを使って形成 250 |
| 2010年 5月号 | 20nmのナノインプリント向け感光性樹脂開発 | 富士フイルム | 日経産業新聞 (2010年2月17日PP.5) | モールド Siウェハ モノマー エッチング レジスト | 160 |
| 2010年 3月号 | 独自有機化合物による微細加工技術 | 富士フイルム | 日経産業新聞 (2009年12月16日PP.11) | 波長405nmの青色レーザ Siや酸化シリコンやサファイアの円板 直径40nmの穴や幅200nmの溝を規則的に生成 ビオロゲン塩 レジスト | 160 |
| 2008年12月号 | 線幅10μmまでの微細化スクリーン印刷法 | 大阪府立大 新中村化学工業 中沼アートスクリーン 和歌山県工業技術センター | 日経産業新聞 (2008年9月26日PP.9) | プラスチック基板上に線幅13μm アクリル系高分子フォトレジスト材料 波長365nm 254nmの光を照射 | 160 |
| 2007年10月号 | 幅50nmの複数線を同時に描画する並列走査型装置 | 立命館大 兵庫県立大 ユニソク 住友精密工業 JST | 日刊工業新聞 (2007年7月12日PP.20) | フォトレジスト Si基板 並列走査型プローブ ナノライティング装置 Si酸化膜を作製 エッチング 20〜60本を並列に配置 | 160 |
| 2007年10月号 | 線幅30nm以下の半導体量産向けナノインプリント技術用の石英ガラスモールド試作 | HOYA | 日経産業新聞 (2007年7月19日PP.1) | 位相シフトマスク作成原理を応用 回路パターンの材料であるCrやレジストの中身・厚さ・処理方法を最適化 型を熱硬化樹脂に押し付け紫外線で転写 | 160 |
| 2006年10月号 | 立体映像を記録したホログラムの安価量産技術 | 東京理科大 | 日経産業新聞 (2006年7月11日PP.10) | ナノインプリント 微細金型 透明レジスト膜 光硬化性樹脂 紫外線照射 | 160 430 |
| 2006年 9月号 | 発光ダイオードの光を鮮明に出せるプリント基板材料 | タムラ製作所 | 日経産業新聞 (2006年6月21日PP.1) | 液晶部品向け 白か黒色の顔料を配合して使い発光を強調 ソルダーレジスト | 160 |
| 2006年 7月号 | 線幅30μmの基板用樹脂剤 | 関西ペイント | 日経産業新聞 (2006年4月5日PP.1) | スクリーン印刷法 直径1μm以下の無機材料でレジスト剤の粘性を制御 ICタグ | 120 160 340 |
| 2006年 6月号 | CNT素子の新作成法 -電流変動1/1000- | 阪大 産総研 JST | 日刊工業新聞 (2006年3月1日PP.25) 電波新聞 (2006年3月14日PP.6) | CNTトランジスタ 電流の変動0.01% フォトレジストを改善 4μmの電極間に直径1.5nmのCNT CNTをSiN膜で保護 不純物を一切つけない新しいプロセスの開発 | 160 220 |
| 2006年 5月号 | 回路線幅29.9nmパターン生成 -深紫外線光リソグラフィ- | 米IBM JSR | 電波新聞 (2006年2月22日PP.3) 日経産業新聞 (2006年2月22日PP.3) | DUV193nm 光屈折率液侵技術 石英レンズや有機液体などの新素材 EUV(極紫外線)でなくArF対応ステッパの継続使用可能 独自開発のフォトレジスト | 120 160 |
| 2004年12月号 | 単層CNTの位置･直径を初制御 | NEC | 日刊工業新聞 (2004年9月3日PP.28) | SWNT ナノレベルで位置と直径を制御できる成長技術 触媒金属を混ぜた電子線レジストで微細な触媒金属微粒子を配置する技術 CVD 直径1.3nm ばらつき±0.4nm 長さ2μm | 120 160 |
| 2004年 5月号 | 65nm半導体向けレジスト除去技術 | Selete | 日経産業新聞 (2004年2月18日PP.1) | レジスト除去にH2とHeの混合ガス 誘電率上昇ほぼ0 レジスト能力厚さ1μm/分 | 160 |
| 2004年 1月号 | 幅8nmの微細配線用レジスト | NEC トクヤマ | 日経産業新聞 (2003年10月13日PP.5) | 低分子材料 電子ビーム加工用 | 160 |
| 2006年10月号 | 立体映像を記録したホログラムの安価量産技術 | 東京理科大 | 日経産業新聞 (2006年7月11日PP.10) | ナノインプリント 微細金型 透明レジスト膜 光硬化性樹脂 紫外線照射 | 160 430 |
| 2006年 9月号 | 発光ダイオードの光を鮮明に出せるプリント基板材料 | タムラ製作所 | 日経産業新聞 (2006年6月21日PP.1) | 液晶部品向け 白か黒色の顔料を配合して使い発光を強調 ソルダーレジスト | 160 |
| 2006年 7月号 | 線幅30μmの基板用樹脂剤 | 関西ペイント | 日経産業新聞 (2006年4月5日PP.1) | スクリーン印刷法 直径1μm以下の無機材料でレジスト剤の粘性を制御 ICタグ | 120 160 340 |
| 2006年 6月号 | CNT素子の新作成法 -電流変動1/1000- | 阪大 産総研 JST | 日刊工業新聞 (2006年3月1日PP.25) 電波新聞 (2006年3月14日PP.6) | CNTトランジスタ 電流の変動0.01% フォトレジストを改善 4μmの電極間に直径1.5nmのCNT CNTをSiN膜で保護 不純物を一切つけない新しいプロセスの開発 | 160 220 |
| 2006年 5月号 | 回路線幅29.9nmパターン生成 -深紫外線光リソグラフィ- | 米IBM JSR | 電波新聞 (2006年2月22日PP.3) 日経産業新聞 (2006年2月22日PP.3) | DUV193nm 光屈折率液侵技術 石英レンズや有機液体などの新素材 EUV(極紫外線)でなくArF対応ステッパの継続使用可能 独自開発のフォトレジスト | 120 160 |
| 2003年 3月号 | 光触媒リソグラフィ法 -解像度100倍- | 東大 大日本印刷 | 日刊工業新聞 (2002年12月4日PP.5) | 線幅5μm 光触媒とフォトマスクを一体化 レジスト不要 | 160 |
| 2002年 2月号 | 光触媒リソグラフィ -レジストなしで微細加工- | 東大 | 日刊工業新聞 (2001年11月7日PP.1) | 酸化チタン | 160 |
| 2001年10月号 | 「近接場光」で超微細加工 | 富士フイルム | 朝日新聞・夕刊 (2001年7月6日PP.13) | スリット幅130nm 深さ550nm 2層レジスト 水銀ランプ 436nm | 160 460 |
| 2000年11月号 | 微細加工に新感光剤 | NEC | 日経産業新聞 (2000年9月13日PP.9) | 1ギガ超メモリー レジスト用感光剤 フッ化アルゴンレーザ 微細加工技術 線幅0.13μm | 160 |
| 2000年 8月号 | 次世代露光技術に期待 -極度に明るいレンズで高解像度- | 電機大 | 日本工業新聞 (2000年6月7日PP.17) | 薄膜レジスト 極度に明るいレンズ | 160 |
| 1999年 7月号 | 次世代LSI用分子性レジスト -線幅0.04μm- | 阪大 | 日本工業新聞 (1999年4月30日PP.17) | 電子線照射 新規化学増幅形分子性レジスト(BCOTPB) アモルファス薄膜 | 160 |
| 1999年 5月号 | 世界最小MOSトランジスタ -ゲート長8nm- | NEC | 日刊工業新聞 (1999年3月29日PP.1) | MOSトランジスタ HET 10Tbメモリー ホットエレクトロン効果 トランジスタ ゲート長8nm 電子線レジスト 横形HEMT | 220 160 |
| 1999年 5月号 | 世界最大の容量伝送 -350GHzと最高速実現- | NTT | 日刊工業新聞 (1999年3月19日PP.4) 電波タイムズ (1999年3月19日PP.1) | In P系 HEMT 遮断周波数350GHz 3Tbpsを40km伝送 2段階リセスゲート フラーレン添加 電子線レジスト | 220 240 160 |
| 1998年 9月号 | 電子線(EB)露光用ネガレジスト -7nmの最小パターン形成可能- | NEC | 日刊工業新聞 (1998年7月10日PP.4) | アルファメチルスチレン EB用 | 160 |
| 1997年12月号 | 新感光性樹脂 -微細加工可能に- | 東芝 | 日経産業新聞 (1997年10月3日PP.5) | フォトレジスト 1Gb級LSI | 160 |
| 1996年12月号 | 微細回路の加工技術 | 富士通研 | 日経産業新聞 (1996年10月25日PP.4) | 2重レジスト 1.15μm | 160 |
| 1996年 5月号 | 電子線露光用レジスト -フラーレンを利用- | アトムテクノロジ-研究体 | 日刊工業新聞 (1996年3月12日PP.5) | 電子線用レジスト フラーレン 感度0.01クーロン/cm2 10nmオーダの加工 | 160 |
| 1994年11月号 | 走査型電子線露光 -初の5nmパターン形成- | NEC | 日刊工業新聞 (1994年9月13日PP.7) | 無機レジスト法 量子効果素子 イオンビームスパッタ法 | 120 160 |
| 1994年 9月号 | 光露光で0.13μmレジストパターン実現 | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1994年7月14日PP.7) | 4GbDRAM 0.13μm リソグラフィ 高解像度 LSI | 230 160 |
| 1994年 5月号 | 半導体露光技術 | ニコン | 日刊工業新聞 (1994年3月15日PP.1) | 光学露光 非線形光学レジスト 超解像 NOLMEX法 寸法従来比1/2 | 160 |
| 1993年12月号 | 導電性高分子 | 米IBM | 日経産業新聞 (1993年10月25日PP.5) | 導電性材料 静電気防止 レジスト | 100 160 |
| 1993年 5月号 | X線露光用レジスト | 東芝 | 日経産業新聞 (1993年3月25日PP.1) | 半導体用レジスト 0.15μm線幅 1Gbメモリー用 有機化合物系 | 120 160 |
| 1992年 6月号 | 0.075μmで加工できる感光樹脂 | 富士通研 | 日経産業新聞 (1992年4月7日PP.1) 日刊工業新聞 (1992年4月7日PP.6) | フォトレジスト 電子線描画 | 160 260 |