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| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
| 2016年11月号 | 電子の移動 1個ずつ制御 シリコン単電子転送素子 電流再定義へ一歩 | NTT | 日経産業新聞 (2016年7月6日PP.8) 日刊工業新聞 (2016年7月6日PP.23) | シリコン半導体素子 1GHz動作で10-6以下の転送エラー率 直径10nmのシリコン線上に2個のシリコントランジスタを配置した200nmの素子 | 220 660 |
| 2016年 9月号 | 電子1個のスピン情報 長距離伝送で検出 | 東大 | 日刊工業新聞 (2016年5月31日PP.31) | 単一電子スピン 量子ドット 伝送 | 120 140 |
| 2015年 1月号 | 単電子転送の高速化 | NTT | 日刊工業新聞 (2014年10月7日PP.25) | 3.5GHで単電子転送，ナノメートル寸法で2層ゲート構造を持つシリコントランジスタをウエハーレベルで作成 | 120 220 |
| 2011年 5月号 | 室温で安定動作する単一電子素子 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2011年2月16日PP.9) | Si基板のうえにSiO2とAl2O3の薄膜を重ねた 薄膜間にフタロシアニンやフラーレンなどの分子 7℃で動作 | 120 230 |
| 2008年 4月号 | Siを用いた高感度な赤外線検出技術 | NTT | 日経産業新聞 (2008年1月22日PP.9) | 単電子トランジスタ 検出に必要な時間は10億分の1秒 波長が1.3mmと1.5mmの赤外線を区別可能 | 210 |
| 2007年 8月号 | 単電子トランジスタの基本構造を簡単に作製 | 東北大 | 日経産業新聞 (2007年5月31日PP.13) | 既存の半導体プロセスと酸化処理の組合せ 量子ドット Si酸化膜上にAl電極成膜後露光装置で素子構造を作製 | 160 220 |
| 2007年 4月号 | 単電子トランジスタ試作 | 東大 | 日経産業新聞 (2007年1月19日PP.9) | 大きさ2nmの量子ドット | 220 160 |
| 2006年10月号 | テラヘルツ光検出技術 | 理化学研 JST | 日刊工業新聞 (2006年7月7日PP.31) 日経産業新聞 (2006年7月7日PP.8) | CNTでつくったトランジスタ 単電子トランジスタ 極低温領域で光子として量子的に検出 CNT人工原子 テラヘルツ光の周波数約2.5THz | 120 160 320 660 |
| 2006年10月号 | Si量子計算機読出しに目処 | 慶応大など | 日刊工業新聞 (2006年7月12日PP.25) | レーザ光照射でリン原子核スピン検出 励起子の発光を計測 単電子トランジスタ | 320 |
| 2006年 9月号 | 電子1個の動き捉える | NTT 東工大 JST | 日刊工業新聞 (2006年6月16日PP.29) | 半導体二重量子ドット(DQD) 超高感度な単電子電流計 単電子トランジスタ 電流雑音3aA | 120 220 660 |
| 2005年 3月号 | トンネル絶縁膜厚さ2.7nmのフラッシュメモリー -二重接合技術で実現- | 東芝 | 日刊工業新聞 (2004年12月17日PP.33) | 1nmの2枚のシリコン酸化膜で2nm径のシリコン微結晶をサンドウィッチ クーロンブロッケード効果 単一電子素子 | 160 230 |
| 2004年 7月号 | 単電子メモリーの新型素子 -1個の記憶容量5倍- 図使用 | NTT | 日経産業新聞 (2004年4月26日PP.9) | 単電子転送メモリー 配線幅35nm 動作温度-247℃ | 160 230 |
| 2004年 6月号 | 単電子トランジスタ試作 図を使用(日経産業) | 東大生研 | 日経産業新聞 (2004年3月25日PP.9) 日刊工業新聞 (2004年3月10日PP.25) 日経産業新聞 (2004年3月10日PP.9) | 2nmの量子ドット 室温でTrとして機能 1素子2ビット記録 | 160 220 |
| 2006年10月号 | テラヘルツ光検出技術 | 理化学研 JST | 日刊工業新聞 (2006年7月7日PP.31) 日経産業新聞 (2006年7月7日PP.8) | CNTでつくったトランジスタ 単電子トランジスタ 極低温領域で光子として量子的に検出 CNT人工原子 テラヘルツ光の周波数約2.5THz | 120 160 320 660 |
| 2006年10月号 | Si量子計算機読出しに目処 | 慶応大など | 日刊工業新聞 (2006年7月12日PP.25) | レーザ光照射でリン原子核スピン検出 励起子の発光を計測 単電子トランジスタ | 320 |
| 2006年 9月号 | 電子1個の動き捉える | NTT 東工大 JST | 日刊工業新聞 (2006年6月16日PP.29) | 半導体二重量子ドット(DQD) 超高感度な単電子電流計 単電子トランジスタ 電流雑音3aA | 120 220 660 |
| 2003年 4月号 | 光子から電子への変換素子 -量子暗号通信へ前進- | NEC 総研大 科学技術振興事業団 | 日本経済新聞 (2003年1月27日PP.17) | 単一光子と単一電子スピンの間の情報伝達 中継用新素子 2個の光子対「ベルペア」 量子暗号通信 | 140 240 |
| 2002年12月号 | 単一電子素子 -量産化メドに- | 産総研 科学技術新興事業団 富士通研 | 日経産業新聞 (2002年9月17日PP.3) 日本工業新聞 (2002年9月9日PP.2) | 単一電子トランジスタ 室温動作 信号ノイズ従来比1/1000 CNT | 120 220 |
| 2002年 9月号 | 単一電子トランジスタ -ナノチューブで作製- | 産総研 富士通研 | 日本経済新聞 (2002年6月24日PP.23) | SiO2基板上 自己組織化 チューブ径 2nm | 220 120 |
| 2002年 7月号 | 単電子スピンバルブ | 米ベル研 NEC北米研 カナダシモン・フレーザー大学 | 日刊工業新聞 (2002年4月19日PP.5) | 自己組織単分子膜室温で30%以上のGMR | 120 210 230 |
| 2002年 7月号 | 単一電子素子 -消費電力1/1000に 室温で作動成功 | NTT | 日経産業新聞 (2002年4月30日PP.7) | 30nm幅のSi細線温室動作SET | 220 |
| 2002年 6月号 | 単電子素子を用いた多値動作メモリー | NEC | 日刊工業新聞 (2002年3月5日PP.1) | 単電子素子11値の多値メモリー SET -269℃での動作確認 二重ゲート構造 | 230 |
| 2001年 5月号 | 単電子CCD -電子1個自在に転送- | NTT物性科学基礎研 | 日刊工業新聞 (2001年3月30日PP.7) | 単電子電荷結合素子(CCD) 電子1個 25Kで動作 | 220 |
| 2001年 2月号 | 単一電子素子で開発競争 | 東芝 NTT | 日本経済新聞 (2000年12月16日PP.15) | 単一電子素子 常温作動 | 230 220 |
| 2000年10月号 | HD容量上げる微細加工技術 -容量10倍超へ- | 東芝 | 日本経済新聞 (2000年8月19日PP.13) | 高分子材料 自己組織化 ナノテクノロジー 単一電子トランジスタ ハードディスク | 160 230 |
| 2000年 5月号 | Si単電子トランジスタ集積化技術 -メモリードットを利用- | 東大 | 日本工業新聞 (2000年3月10日PP.17) | 単電子トランジスタ 集積化 メモリードット | 220 |
| 2000年 2月号 | 単電子トランジスタの論理回路 -消費電力10万分の1- | NTT | 日経産業新聞 (1999年12月10日PP.5) 日刊工業新聞 (1999年12月10日PP.7) 電波タイムズ (1999年12月17日PP.1) | 単一電子トランジスタ(SET) 論理回路 パターン依存酸化法 V-PADOX法 超低消費電力 1/100,000 Si熱酸化手法 インバータ回路 低温動作:-243℃ | 220 160 |
| 1999年 9月号 | 単一電子素子量産用製造技術 | 東芝 | 日本経済新聞 (1999年7月19日PP.19) | 自己組織化 超微細加工 半導体基板 20〜30nmの凹凸 単一電子素子 製造技術 エッチング | 160 220 260 120 |
| 1999年 8月号 | 1兆ビット不揮発メモリーに道 -電子数に応じ“多値”確認- | NEC | 日刊工業新聞 (1999年6月10日PP.1) | 単一電子トランジスタ(SET) 不揮発性メモリー 多値動作 Si窒化膜 高集積 低消費電力 3.5K 6値を確認 | 230 |
| 1999年 7月号 | 固体電子素子で量子コンピュータ動作確認 | NEC 科学技術振興事業団 | 日刊工業新聞 (1999年4月29日PP.5) 日本工業新聞 (1999年4月30日PP.17) | 超電導単一電子帯トンネル素子 Al薄膜 量子コンピュータ | 420 |
| 1999年 5月号 | 磁界で電流を制御 -次世代複合半導体に道- | 北陸先端大 | 日刊工業新聞 (1999年3月24日PP.7) | ニッケル微粒子 次世代複合半導体 単電子効果 強磁性体微粒子 磁気ドメイン スイッチング機能 | 120 |
| 1998年10月号 | 単一電子メモリー -室温で単一電子動作- | 電総研 | 日経産業新聞 (1998年8月26日PP.4) | 単一電子メモリー 室温動作 多重トンネル接合 | 230 220 |
| 1998年10月号 | サブミクロンサイズのジョセフソン素子 -高温超電導単結晶を採用- | 東北大 | 日経産業新聞 (1998年8月21日PP.5) 電波新聞 (1998年8月21日PP.2) | 超電導素子 ジョセフソン素子 単一電子の制御 素子の微細化 超電導 FIB加工技術 BiSrKCu酸化物 面積1μmで単電子 トンネル効果 液体ヘリウム温度動作 | 120 220 |
| 1998年 4月号 | 新型メモリー -1Tb級も可能- | 日立製作所 | 日本経済新聞 (1998年2月7日PP.11) | LSI試作 1Tb級も 単一電子メモリー 1Tb LSI化 | 230 |
| 1998年 2月号 | 単一電子素子スイッチ | NTT | 日経産業新聞 (1997年12月10日PP.5) 電波新聞 (1997年12月10日PP.2) | 単一電子素子 トンネル効果 電子1個を電流制御 | 220 |
| 1998年 1月号 | 単電子トランジスタ -室温動作に成功- | 東工大 | 日刊工業新聞 (1997年11月6日PP.7) | 単電子トランジスタ オイルミスト EBID | 220 160 |
| 1997年10月号 | 単一電子メモリー -3値でデータを蓄積- | 農工大 | 日経産業新聞 (1997年8月27日PP.5) | 半導体メモリー 多値記録 コンデンサをトンネル接合でサンドイッチ シミュレーション | 130 230 |
| 1997年 6月号 | 単一電子トランジスタ --170℃で作動- | NEC | 日経産業新聞 (1997年4月2日PP.5) | 単一電子素 メモリー -170℃ AL蒸着 -170℃作動 不揮発性メモリー アルミニウム 単一電子トランジスタ | 220 230 |
| 1997年 1月号 | 2nmのSi細線 -電子線露光で作製- | NTT | 日経産業新聞 (1996年11月5日PP.6) | 幅2nm エッチング 電子線露光 Si細線 単一電子トランジスタ | 120 260 160 |
| 1996年 8月号 | 単一電子素子 | 東大 | 日経産業新聞 (1996年6月24日PP.5) | Si 単一電子素子 | 220 160 |
| 1996年 5月号 | 単一電子メモリー -初のチップ化- | 日立製作所 | 日本経済新聞 (1996年3月18日PP.17) | 単一電子メモリー 記録素子 | 230 |
| 1996年 3月号 | 単一電子メモリー -LSI化にメド- | 日立製作所 | 日本経済新聞 (1996年1月13日PP.10) | 単一電子メモリー 大容量 1Tb級メモリー | 230 120 |
| 1995年 6月号 | 単電子トンネルトランジスタ | 東洋大 | 日刊工業新聞 (1995年4月21日PP.5) | 単電子トランジスタ | 220 |
| 1995年 2月号 | 単電子トランジスタ | NTT | 日経産業新聞 (1994年12月16日PP.5) 電波新聞 (1994年12月16日PP.2) 日刊工業新聞 (1994年12月16日PP.7) 日本工業新聞 (1994年12月16日PP.8) | 単電子トランジスタ 量子効果現象 室温動作 | 220 |
| 1994年 2月号 | 単一電子メモリー -室温動作に成功- | 日立製作所 | 電波新聞 (1993年12月8日PP.1) 日経産業新聞 (1993年12月8日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年12月8日PP.9) 日本工業新聞 (1993年12月8日PP.6) | メモリー 初の室温動作 16Gb級 電子1個で1b記録 1カ月のメモリー Si結晶粒子 | 230 220 |
| 1993年 4月号 | 単一電子メモリー -動作実験成功- | 日立製作所英国研 ケンブリッジ大 | 電波新聞 (1993年2月19日PP.1) 日経産業新聞 (1993年2月19日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年2月19日PP.7) 電波ハイテクノロジー (1993年2月25日PP.0) | 電子1個で情報記録 クーロンブロッケード現象 極超低温動作 メモリー 16Gb 多重トンネル接合(MTJ) 単一電子メモリー 半導体メモリー 新原理メモリー 容量1000倍 | 230 220 |