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スピン 関係の注目記事
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掲載
予定
題 目発表社情報源キーポイント 分類
番号
2018年 2月号透過中性子計測
電子スピン配列解明
物材機構
原子力機構
日刊工業新聞
(2017年11月20日PP.19)
透過中性子120
2018年 1月号カイラル磁性体に整流効果
機能性素子実現へ一歩
東大
理研
日刊工業新聞
(2017年10月13日PP.23)
カイラル磁性体
カイラルスピンゆらぎ
120
2017年11月号STOで人工ニューロン開発
音声認識実証
世界初
産総研日刊工業新聞
(2017年8月8日PP.23)
スピントルク発振素子
ニューロモロフィック・コンピューティング
位相干渉で演算素子を表現
520
2017年11月号スピン波で論理演算
回路デバイス開発
豊橋技科大日刊工業新聞
(2017年8月22日PP.25)
磁性ガーネット膜をフォーク状に加工
接続点で位相干渉
220
2017年10月号磁石中の集団スピン運動 量子レベルで定量評価東大日刊工業新聞
(2017年7月6日PP.21)
スピン運動の量子「マグノン」の数を一つずつ計測120
2017年 7月号渦状スピン磁性体発見東大日刊工業新聞
(2017年4月4日PP.25)
磁気スキルミオン120
2017年 7月号スピン制御 新原理実証横国大日刊工業新聞
(2017年4月11日PP.27)
1nsで従来の約3倍高精度に単一スピンを操作220
2017年 7月号次世代メモリー新素材
安価に「スピン液体」作製
東北大
英リバプール大
日経産業新聞
(2017年4月25日PP.8)
日刊工業新聞
(2017年4月25日PP.29)
スピン液体
フェナントレン
安価な炭化水素分子「フェナンスレン」に電子を導入
230
120
2017年 5月号円偏光スピンLED開発東工大日刊工業新聞
(2017年2月8日PP.29)
中間層に独自開発のアルミナを導入250
2017年 5月号電子のスピン
自在に操作
東大日刊工業新聞
(2017年2月27日PP.21)
レーザー光利用120
2017年 1月号新原理の量子計算機開発NTTと情報学研日刊工業新聞
(2016年10月21日PP.21)
相転移
スピン数2000の組合せ最適化問題を5ms以下で解く
420
2017年 1月号磁石内に超電導電子ペア京大日刊工業新聞
(2016年10月27日PP.27)
ルテニウム酸化物の超電導体
エネルギー損失ゼロのスピントロニクス素子
120
2016年12月号光で電気の性質を制御東北大日経産業新聞
(2016年9月2日PP.8)
高速次世代メモリー
スピン
230
2016年12月号高精度量子ビットをシリコン半導体に実装理研日刊工業新聞
(2016年9月6日PP.23)
単一量子ビット操作を従来比約100倍に高速化
ビット忠実度99.6%
半導体量子ドット中に閉じ込めた電子スピンを利用
120
2016年11月号「トポロジカル絶縁体」表面に
高効率スピン流生成
理研日刊工業新聞
(2016年8月5日PP.31)
界面における電流-スピン流の高効率の変換現象を観測120
2016年11月号グラフェン内電子スピン方向
磁性酸化物で制御
量子科学機構
物材機構
筑波大
日刊工業新聞
(2016年7月26日PP.29)
電子デバイスの高速化や省エネルギー化につながるスピントロニクスにグラフェンを応用する際のカギ120
2016年11月号新演算素子を開発
スピン波利用 絶縁体で制御
豊橋技科大日刊工業新聞
(2016年7月26日PP.29)
世界最高の性能を持つスピン波干渉を利用した論理演算素子220
2016年 9月号強磁性半導体の機構解明

http://www.tohoku.ac.jp/japanese/2016/06/press20160602-02.html
東北大日経産業新聞
(2016年6月8日PP.8)
磁性半導体
ガリウム・マンガン・ヒ素
スピントロニクス
120
2016年 9月号消費電力1/100メモリー開発東北大日経産業新聞
(2016年6月15日PP.8)
省電力化
磁気メモリー
CPU
IoT
スピン
230
2016年 9月号電子1個のスピン情報
長距離伝送で検出
東大日刊工業新聞
(2016年5月31日PP.31)
単一電子スピン
量子ドット
伝送
120
140
2016年 7月号低電流で10倍高速動作する磁気メモリ開発東北大日刊工業新聞
(2016年4月13日PP.27)
スピン軌道トルク磁化反転方式230
2016年 7月号大規模な人工スピン群
光共振器で生成
NTTなど日刊工業新聞
(2016年4月19日PP.23)
長さ1kmの光ファイバ共振器
四光波混合
一万時間を超える光パラメトリック発振器を一括生成
コヒーレントイマジングマシンに向けた基盤技術
120
420
240
2016年 7月号低電流で10倍高速動作する磁気メモリ開発東北大日刊工業新聞
(2016年4月13日PP.27)
スピン軌道トルク磁化反転方式
2016年 7月号大規模な人工スピン群
光共振器で生成
NTTなど日刊工業新聞
(2016年4月19日PP.23)
長さ1kmの光ファイバ共振器
四光波混合
一万時間を超える光パラメトリック発振器を一括生成
コヒーレントイマジングマシンに向けた基盤技術
120
420
240
2016年 6月号電子スピン長距離輸送に成功

http://www.ntt.co.jp/news2016/1603/160308c.html
NTT
東北大
日刊工業新聞
(2016年3月9日PP.29)
電子スピン
量子コンピュータ
電界効果型スピントランジスタ
スピン演算素子
半導体中の電子スピンの向きを安定的に操作
240
2016年 4月号記憶性能2倍を実現する次世代不揮発メモリ技術産総研日刊工業新聞
(2016年1月11日PP.13)
19nmの素子サイズのスピントルク書き込み型磁気ランダムアクセスメモリーの実現
230
2016年 4月号スピン液晶特性解明原子力機構日刊工業新聞
(2016年1月15日PP.31)
磁場中のフラストレート強磁性鎖モデル120
2015年 8月号スピンホール効果測定東大日刊工業新聞
(2015年5月22日PP.17)
超伝導状態では
常伝導状態と比較して2000倍以上のスピンホール効果
120
660
2014年12月号超伝導体がスピン流の絶縁体になることを発見九大日刊工業新聞
(2014年9月4日PP.21)
超伝導体が磁力の元になるスピン流に対して絶縁体となることを発見。スピンデバイス開発につながる。450
2014年 8月号室温で核磁気共鳴信号を増大阪大日刊工業新聞
(2014年5月13日PP.19)
光励起三重項状態の電子スピンを用いた動的核偏極法
通常の1万倍の信号
120
2014年 6月号半導体のスピン異常信号解明東北大
独レーゲンスブルク大
日刊工業新聞
(2014年3月11日PP.22)
強磁性半導体(GaMn)As と非磁性半導体GaAs のヘテロ接合
スピンエサキダイオード構造
電子スピンの検出感度40倍
120
660
2014年 5月号スピントロニクス活用で電池の寿命を延ばすMCU東北大
NEC
日刊工業新聞
(2014年2月11日PP.13)
不揮発レジスタの書き込み電力を削減
回路線幅90nmのCMOS回路と三端子MTJ素子を組み合わせたICチップ
220
2014年 4月号マイクロ波帯の小型発振器産総研
キヤノンアネルバ
大阪大
日経産業新聞
(2014年1月9日PP.11)
日刊工業新聞
(2014年1月9日PP.21)
ナノコンタクト型スピントルク発振素子
振動子を100nm以下で作成
240
2014年 1月号高感度なスピントルクダイオード阪大
産総研
日刊工業新聞
(2013年10月21日PP.16)
磁気トンネル接合素子
半導体ダイオードの3倍感度
ナノサイズ磁石利用
非線形効果
220
2013年11月号薄膜中のスピン方向検出技術日本原子力機構
千葉大
高エネ研
日経産業新聞
(2013年8月5日PP.11)
表面から2nmまでX線照射し放出電子を解析120
660
2013年 9月号新色素で有機系太陽電池東大日刊工業新聞
(2013年6月21日PP.25)
エネルギー交換率が約12%と世界最高レベル,分子が光を吸収する際に電子の持つスピンの向きを反転できる新色素(DX)を開発250
2013年 9月号磁化の向きを電圧で高効率制御産総研日刊工業新聞
(2013年6月24日PP.14)
スピントロニクス
1.5nmの金属磁石層
MgOの絶縁層で挟んだ構造
230
2013年 7月号スピン波でスイッチング磁場を低減東北大
慶応大
産総研
日刊工業新聞
(2013年4月17日PP.22)
電波新聞
(2013年4月24日)
FePt合金とNiFe合金の積層磁石薄膜120
2013年 7月号熱エネルギー伝搬方向をスピン波で制御東北大日刊工業新聞
(2013年4月26日PP.21)
マイクロ波と磁場でスピン波を励起
表面スピン波で伝搬
120
2013年 6月号マイクロ波でスピン制御阪大
東北大
日経産業新聞
(2013年3月6日PP.7)
Si製基板にNi・Fe合金・Pdの電極を設けた装置
Ni・Fe合金の電極に磁場をかけスピンの向きをそろえる
マイクロ波照射で電子がPd側に移動
220
2013年 6月号電子スピン素子につながる物理現象発見NTT
東北大
独ポールドルーデ固体エレクトロニクス研
日経産業新聞
(2013年3月19日PP.10)
電子スピン共鳴現象(ESR)
電子自体の磁場でESR
移動スピン共鳴
120
2013年 5月号P型Si中で室温スピン輸送阪大
東北大
日刊工業新聞
(2013年2月14日PP.23)
スピンポンピング
純スピン流
120
2013年 1月号微弱磁気の検出技術東大日経産業新聞
(2012年10月19日PP.10)
スピン利用
脳磁計
地磁気の10兆分の1
Cu-Ni-Pd合金
660
2012年11月号スピンの向きを微小電流で制御理研
東大
物材機構
日刊工業新聞
(2012年8月8日PP.19)
日経産業新聞
(2012年8月23日PP.11)
FeGe化合物
-23〜-3℃かつ150mT磁界
φ70nmのスキルミオンの結晶を観察
スピンの渦巻きを形成
5A/cm2で渦巻きが動く
縦165μm
横100μm
厚さ100nm〜30μmの超小型素子
120
2012年 8月号p型Geに磁性体のスピン情報を室温で入力産総研日刊工業新聞
(2012年5月16日PP.20)
160
(0年0月0日)
p型のGeFe
厚さ2nmのMgOを積層した電極を作成し
スピン情報をFeからGeへ入力
ハンル効果
スピン情報80nm
120
220
2012年 4月号シリコン中のスピン流を発生させることに成功東北大日経産業新聞
(2012年1月19日PP.11)
スピントロニクス120
2012年 4月号金が磁石の性質を持つことを発見高輝度光科学研究センター
香川大
秋田大
北陸先端大
スペインのバスク州立大学
日経産業新聞
(2012年1月24日PP.10)
金を5mm四方
厚さ5μmの反磁性状態の薄膜にして
円偏光X線を当て
電子スピンを検出
120
2012年 4月号準粒子の存在を表す電子状態解明NTT
JST
日刊工業新聞
(2012年1月27日PP.27)
非アーベリアン準粒子
トポロジカル量子計算への応用
NMR法により電子スピン状態を測定
120
2012年 3月号省電力化と高速化を両立したLSI用電子回路東北大
NEC
日刊工業新聞
(2011年12月6日PP.1)
日経産業新聞
(2011年12月8日PP.11)
スピントロニクス素子とCMOS素子のハイブリッド回路を高速化
動作周波数600MHz
ラッチ回路向け
220
2012年 1月号1原子層のみのスピン分析に成功物材機構日経産業新聞
(2011年10月20日PP.11)
スピン偏極Heイオンビーム
スピンのバランスをわざと偏らせる
120
660
2011年12月号量子コンピュータ向け基本素子東大
NTT
日経産業新聞
(2011年9月29日PP.11)
GaAsの素子
スピンが情報の最小単位
量子もつれ
220
2011年11月号磁気・電気的な性質を制御可能な磁性半導体原子力機構
東大
日刊工業新聞
(2011年8月10日PP.15)
スピントロニクス
磁気的な性質と電気的な性質を独立に制御可能
220
230
2011年10月号熱で情報を入力する新現象産総研
オランダ基礎科学財団
日刊工業新聞
(2011年7月5日PP.22)
ゼーベック・スピントンネル現象
熱を利用して磁性体の電子スピンが持つデジタル情報をSi中に入力
230
120
2011年10月号消費電力ほぼ0の半導体素子東大
NTT
日本経済新聞
(2011年7月25日PP.11)
100nmの量子ドットにスピンを閉じ込めた構造
わずかな電圧でスピンを制御
220
2011年 9月号超音波を使ったスピンの長時間制御技術NTT
東北大
独ポールドルーデ研
日経産業新聞
(2011年6月2日PP.11)
半導体中の複数のスピンの向きを揃えたまま約40μm移動
超音波がない場合と比べて100倍以上の移動距離
120
2011年 9月号光を当てると磁石になる新素材東大日経産業新聞
(2011年6月8日PP.8)
Feイオンが有機分子の間に入り込んだ構造
青い光が当たるとFeイオンの向きがそろい磁石の性質を持つようになる
スピンクロスオーバー
120
2011年 9月号待機電力0のメモリー東北大
NEC
日経産業新聞
(2011年6月14日PP.9)
スピントロニクスを使う不揮発性メモリー230
120
2011年 9月号スピン偏極を持つ電子材料東大
理研
広島大
高エネルギー研
産総研
日刊工業新聞
(2011年6月20日PP.17)
結晶構造に生じる電気的偏りを持つ半導体ビスマス・テルル・ヨウ素の単結晶120
2011年 9月号スピンを簡単に注入する技術東北大日経産業新聞
(2011年6月28日PP.9)
低消費電力
素材の中のスピンを動かす
120
2011年 8月号室温で低消費電力な半導体素子

・14と一つにまとめ
東大
東北大
ファインセラミックスセンター
日経産業新聞
(2011年5月27日PP.11)
電子のスピンによる磁石の向きを電圧で制御
電流は通常の1億分の1
La
Alの酸化物基板上に微量のCoを添加したTiO2で素子を作成
220
120
2011年 7月号鉄系超電導体の電子対結合の第3の機構発見東大日刊工業新聞
(2011年4月8日PP.19)
電子対を結び付ける働きをする「のり」
格子振動
スピン
高分解能レーザ光電子分光装置
120
2011年 6月号スピン軌道相互作用の大きさを精密に決定北大
NTT
日刊工業新聞
(2011年3月21日PP.9)
In・Ga・Asをベースとした半導体の量子井戸構造
バンドエンジニアリング
半導体内の電子スピンをトランジスタのゲート電極で制御
120
2011年 4月号Si半導体中の量子もつれを生成・検出慶応大
英オックスフォード大
日刊工業新聞
(2011年1月20日PP.24)
日経産業新聞
(2011年1月24日PP.11)
エンタングルメント
リン原子核のスピンとそこに捉えられている電子のスピンをそれぞれ量子ビットとする
Si原子1個で演算処理
温度20K
120
2011年 4月号テラヘルツ波磁場パルスを使ってスピンを高速制御東大日刊工業新聞
(2011年1月25日)
イットリウムオルソフェライトを試料
パルス幅0.3ps
スピントロニクス素子
120
660
2011年 3月号テラヘルツ波で電子スピンの磁力線状態を制御する技術東大日経産業新聞
(2010年12月8日PP.7)
磁性材料はイットリウム・鉄酸化物(Y3Fe5O12)
3.3ps周期の回転する磁力線
0.3ps間隔で振幅を制御
120
2011年 1月号スピンの量子引きこもり現象の構造解明東工大
東京理科大
日刊工業新聞
(2010年10月6日PP.21)
籠目格子反強磁性体
フッ化ルビジウム銅スズ
電子スピン対のシングレット状態が風車のように配列した構造
120
2010年12月号電子のスピンを直接観察東北大日経産業新聞
(2010年9月7日PP.11)
半球型電子のエネルギー分析器
モット散乱型スピン検出器
1〜50電子Vの間で8m電子Vの分解能で測定
320
2010年12月号分解能を10倍以上のスピン分解光電子分光装置東北大日刊工業新聞
(2010年9月11日PP.13)
スピントロニクス
物質の電子状態をスピンに分解
120
2010年 9月号絶対零度でも電子スピンが継続する特殊構造物質京大
理研
日経産業新聞
(2010年6月4日PP.11)
超電導
三角形に並んだ特殊な分子構造
炭素
水素
パラジウム
120
2010年 8月号スピンRAMの5Gb超の大容量化技術産総研日刊工業新聞
(2010年5月14日PP.18)
日経産業新聞
(2010年5月14日PP.10)
トンネル磁気抵抗素子(TMR素子)
MgO層の厚さを約1nmに
高いスピン分極
磁気抵抗比85%
素子抵抗値約4Ωμm2
230
2010年 6月号絶縁体を使った電気信号伝送東北大
慶応大
日経産業新聞
(2010年3月11日PP.12)
電子のスピン波
磁性ガーネット結晶
1mm離れた先に伝送
120
2010年 3月号スピンMOSトランジスタの基本技術東芝電波新聞
(2009年12月9日PP.1)
電子スピン
ロジックLSI
メモリー機能
磁気トンネル接合
スピン注入磁化反転
230
2010年 1月号物質の微細化による新しい量子効果を発見千葉大
広島大
東北大
日刊工業新聞
(2009年10月22日PP.24)
電子スピン
エネルギー消費量が従来の1/1000
ラシュバ効果
120
2009年11月号偏光を電気信号に変換する受光素子
-光通信容量2倍以上に-
日立
チェコ科学アカデミー
英ケンブリッジ大
日経産業新聞
(2009年8月5日PP.11)
電子スピン
半導体
ガリウムヒ素の素子に数μm間隔で電極を配置
電圧で偏光状態を検出
偏光板なしに偏光状態を区別する受光素子
140
240
120
2009年10月号量子情報の保存を最長にする暗号通信向け技術情報学研日刊工業新聞
(2009年7月3日PP.22)
半導体量子メモリー
7μ秒のコヒーレンス時間で量子情報転写
光パルススピンエコー
コヒーレンス時間従来比7000倍
120
230
2009年10月号「手」4本の金属原子のスピン転移に成功京大
日大
東大
日刊工業新聞
(2009年7月22日PP.27)
二酸化鉄ストロンチウム
室温で70万気圧
33万気圧以上でスピンの大きさ半分
強磁性体
電気を通す物質に変化
120
2009年 9月号電子の自転向き制御技術
-新型メモリー実現に道-
東北大日経産業新聞
(2009年6月5日PP.11)
トランジスタ
高速
低消費電力
スピン
不揮発メモリー
インジウムガリウムヒ素を1μm以下の幅の細線構造に加工
スピンの寿命を10〜65倍に
半導体素子
120
2009年 9月号垂直磁化MRAMを開発
-500MHzの高速動作実現-
NEC
NECエレクトロニクス
日刊工業新聞
(2009年6月16日PP.25)
500MHz動作
従来の2倍
スピントルク磁壁移動方式
電流書込み方式
230
2009年 9月号10年以上作動する32MbMRAM日立
東北大
日経産業新聞
(2009年6月26日PP.11)
スピン注入RAM
酸化マグネシウムの膜をコバルト鉄ボロンで挟んだ素子構造
磁気の向きを電流で制御
230
2009年 5月号量子状態を光で測定東北大日刊工業新聞
(2009年2月5日PP.26)
日経産業新聞
(2009年2月5日PP.11)
量子を重ね合わせた状態を電子スピンに転写
光で測定
電子スピントモグラフィ
光子の偏光状態
電子のスピン状態
レーザ
120
660
2009年 4月号フラーレン-コバルト薄膜のTMR効果の機構解明原子力機構
自然科学研究機構
東北大
東大
日刊工業新聞
(2009年1月23日PP.22)
巨大トンネル磁気抵抗
スピン偏極
X線磁気円偏光2色性分光
局在スピン
120
2009年 2月号書換え電流抑え微細化したMRAM技術富士通研日刊工業新聞
(2008年11月12日PP.1)
スピン注入磁化反転方式
書換え電流従来比1/3程度
磁気トンネル接合素子(MTJ)
220
230
2009年 2月号光による電子スピンの制御技術国立情報学研日経産業新聞
(2008年11月13日PP.10)
特定周波数の光
1〜10psでスピンを制御
情報が消えるまで最大10億回の計算が可能
量子コンピュータ
120
2008年11月号多量子ビット素子
-超高速コンピュータに道-
東大
NTT
日刊工業新聞
(2008年8月18日PP.18)
日経産業新聞
(2008年8月18日PP.6)
GaAs化合物半導体
電子スピン
コバルト製の微小な磁石
直径0.2μmの円盤形の量子ドット
120
220
2008年11月号高性能強磁性トンネル接合素子で高周波発振に成功阪大
産総研
キヤノンアネルバ
日刊工業新聞
(2008年8月29日PP.31)
数-10GHz
発振出力約0.2μW
磁極フリー層(CoFeB)
絶縁性のトンネル障壁層(MgO)
磁極固定層(CoFeB)の3層構造
スピンの歳差運動
同素子を70nm×160nm断面の柱状に加工
120
220
2008年 9月号ダイヤモンド固体素子で「量子もつれ」を室温で実現筑波大
産総研
独シュトゥットガルト大
日刊工業新聞
(2008年6月6日PP.23)
日経産業新聞
(2008年6月6日PP.8)
マイクロ波プラズマCVD
原子量13の炭素を多く含むダイヤとメタンガス
電子スピン
核スピン
3量子ビット
120
160
2008年 3月号ギガビット級のMRAM日立
東北大
日経産業新聞
(2007年12月20日PP.1)
記録層を2層に増やす
スピン注入方式
積層フェリ構造
コバルト鉄ボロン
ルテニウム
回路線幅45nm
小型メモリー素子
長期間保持
230
2008年 2月号InGaAsで縦型量子ドット作製東北大日経産業新聞
(2007年11月29日PP.13)
日刊工業新聞
(2007年11月29日PP.28)
3次元のMOSゲート構造
原子層堆積法
均一で高耐圧なゲート絶縁膜を形成
電子スピンの状態を正確に制御
約10倍の効率
120
220
2007年 9月号スピンの向きがそろった電子の室温での移動に成功阪大日刊工業新聞
(2007年6月21日PP.33)
2つのコバルト電極
幅250nmのグラフェンを通過してもスピンの向きがそろった電子の移動を示す電圧変化を観測
120
2007年 7月号Ptでスピンホール効果を電気的に検出理化学研日経産業新聞
(2007年4月13日PP.9)
室温下で検出
非磁性体
スピン流を立体的に制御する特殊な測定法
660
2006年10月号Si量子計算機読出しに目処慶応大など日刊工業新聞
(2006年7月12日PP.25)
レーザ光照射でリン原子核スピン検出
励起子の発光を計測
単電子トランジスタ
320
2005年11月号次世代スピントランジスタ産総研日経産業新聞
(2005年8月24日PP.8)
p型(Ga
Mn)As半導体をn型ZnSe半導体でサンドイッチした構造
移動の5〜6割は磁石の向きを維持
220
2005年 9月号25GBのライトワンス型BD-R
-スピンコート法で有機色素材料成膜-
パイオニア
三菱化学メディア
電波新聞
(2005年6月10日PP.1)
ジッタ6.0%
反射率40%
再生専用BDと同等の特性
230
530
160
2005年 7月号新固体量子計算機
-半導体で核スピンを精密制御-
NTT
JST
日刊工業新聞
(2005年4月21日PP.28)
NMR
多値核スピン
上端に高周波用アンテナゲート
中心部にGaAs/AlGaAs系量子井戸構造
4スピン準位を反映したコヒーレント振動
120
420
2005年 5月号スピンホール効果観測日立ケンブリッジ研日刊工業新聞
(2005年2月2日PP.29)
特殊なLED
スピンの向きを円偏光の形で検出
ホール電圧効果
120
2004年12月号光の反射・屈折の法則修正促す現象発見
-反射・屈折光が横っ飛びも-
産総研
東大
日刊工業新聞
(2004年9月9日PP.29)
朝日新聞
(2004年9月9日PP.3)
「光のホール効果」
フォトニック結晶
偏光の自由度を考慮
屈折光・反射光の平面は入射光の平面からずれる
スピン
電磁波と光子の二重性
ずれは波長程度
600
2004年 8月号磁気不揮発メモリー素子
-従来の1/100の電流で動作-
東北大日刊工業新聞
(2004年5月10日PP.21)
日経産業新聞
(2004年5月10日PP.7)
スピン素子
MRAM
RuとCo90Fe10合金の二層構造
必要電流2×106A/p2
230
160
2004年 7月号スピンメモリー
-電流のみで磁化反転-
東北大日経産業新聞
(2004年4月1日PP.9)
日刊工業新聞
(2004年4月1日PP.29)
強磁性半導体
MRAM
従来より2〜3桁少ない電流
Ga・AsにMn添加
-193℃
120
230
2004年 6月号スピンエレクトロニクスメモリー素子東北大日経産業新聞
(2004年3月22日PP.9)
TiO2にCo添加
MRAM
230
2003年10月号半導体スピンメモリー
-電界アシストで書込み-
東北大日刊工業新聞
(2003年7月11日PP.5)
日経産業新聞
(2003年7月11日PP.7)
MIS型FET
Mn添加のInAs
書込み磁力を大幅低減
230
2006年10月号Si量子計算機読出しに目処慶応大など日刊工業新聞
(2006年7月12日PP.25)
レーザ光照射でリン原子核スピン検出
励起子の発光を計測
単電子トランジスタ
320
2003年 4月号光子から電子への変換素子
-量子暗号通信へ前進-
NEC
総研大
科学技術振興事業団
日本経済新聞
(2003年1月27日PP.17)
単一光子と単一電子スピンの間の情報伝達
中継用新素子
2個の光子対「ベルペア」
量子暗号通信
140
240


2002年12月号量子レジスタ
科学技術振興事業団日刊工業新聞
(2002年9月12日PP.4)
量子コンピュータ
Si同位体の核スピンを利用
デコヒーレンス時間0.4秒
振動回数3000万回を室温で達成
120
230
2002年12月号量素ドット中の電子スピン保持時間0.2msに
科学技術振興事業団
NTT
日刊工業新聞
(2002年9月19日PP.4)
保持時間1msにメド
人工原子中の電子スピンで実現
電気的ポンププローブ法
120
230
2002年10月号「スピン偏極共鳴トンネル効果」発見
-新機能素子実現に道-
産業総研
科学技術振興事業団
日本工業新聞
(2002年7月12日PP.2)
日本経済新聞
(2002年7月12日PP.17)
スピン偏極共鳴トンネル効果
厚さ3μmのCuと単結晶Co
素本偏極量子井戸準位確認
120
220
230
2002年10月号ギガビットMRAMに道
-形状に依存せずに微細化
東北大日刊工業新聞
(2002年7月22日PP.1)
低磁界スピン反転法
サンドイッチ構造
人工の反強磁性層
230
2002年10月号電流
一定方向に電子の自転利用の新素子
東大
NTT
JST
日経産業新聞
(2002年7月26日PP.13)
日刊工業新聞
(2002年7月26日PP.5)
単一スピンダイオード
スピンメモリー
量子コンピュータの出力装置
スピンデバイス
直径0.5μm長さ0.5μmの円筒状
GaAs
GaInAs
極低温
電圧2〜6mVで0.1nA
220
230
2002年10月号量子ドット形成法
-ナノオーダで制御-
(NO31合わせる)
富士通研電波新聞
(2002年7月29日PP.1)
化合物半導体
量子コンピュータ
分子線エピタキシ
結合量子スピンを利用
直径30nmと20nmの量子ドット
120
160
2002年 9月号演算処理担う論理素子
-すべて金属で作製-
1行紹介
英ダーラム大日本経済新聞
(2002年6月14日PP.15)
磁性鉄合金
電子スピン利用
サイズ100nm
NOT回路
220
2002年 8月号スピンバルブトランジスタ-室温動作に成功-東芝日刊工業新聞
(2002年5月16日PP.1)
室温でMR比200%
磁気ヘッド
SVT(スピンバルブトランジスタ)
230
2002年 7月号単電子スピンバルブ米ベル研
NEC北米研
カナダシモン・フレーザー大学
日刊工業新聞
(2002年4月19日PP.5)
自己組織単分子膜室温で30%以上のGMR120
210
230
2002年 3月号量子コンピュータで因数分解MIT
IBM
日経産業新聞
(2001年12月20日PP.10)
日本工業新聞
(2001年12月21日PP.2)
人工分子溶液
分子中の7つの原子核をメモリーとして利用
マイクロ波
15=3×5
スピン傾きを変化
320
2001年 4月号スピンSTMで新手法
-原子レベルで磁化分布検出-
東芝日刊工業新聞
(2001年2月22日PP.1)
スピン走査トンネル顕微鏡
ダブルバイアス法
分解能1nm
トンネル電流1nA以下
360
2001年 3月号電子状態を瞬時に変化させる光磁石東大日経産業新聞
(2001年1月23日PP.10)
光で磁性を制御
金属錯体化合物
Fe
Co
プルシャンブルー
電子スピン状態
光で変化
ICの安定状態
スイッチング時間10の7乗秒
120
2000年11月号量子箱で「近藤効果」
-量子ドットで最大に-
NTT
東大
デルフト工科大(オランダ)
日刊工業新聞
(2000年9月22日PP.7)
日経産業新聞
(2000年9月22日PP.12)
近藤効果
量子ドット
量子スピン
量子計算機
量子箱
量子コンピュータ
AlGaAs
120
220
2000年10月号量子コンピュータで数学問題処理米IBM
米スタンフォード大
加カルガリー大
日本経済新聞
(2000年8月19日PP.13)
5個のフッ素原子を制御
状態の重ね合せ
核スピン
320
2000年 2月号半導体接合面にスピンの向きそろった電流東北大
米カリフォルニア大
日経産業新聞
(1999年12月16日PP.5)
日刊工業新聞
(1999年12月17日PP.6)
電子スピン
量子コンピュータ
半導体接合面
高速コンピュータ
GaMnAs強磁性半導体
発光ダイオード
偏光度確認
120
250
1999年12月号スピントランジスタ
-基本動作確認-
日立日経産業新聞
(1999年10月7日PP.5)
電子スピン
カーボンナノチューブ
220
1999年12月号次世代HDD用スピントンネル素子NEC日本工業新聞
(1999年10月14日PP.15)
スピントンネル素子
トンネル効果
スピン効果
MR比30%
40Gb/in2
210
230
1999年 5月号量子コンピュータの新基本設計法スタンフォード大(米)日経産業新聞
(1999年3月16日PP.5)
量子コンピュータスピン
量子コンピュータ
マイクロ波照射
120
1998年12月号HDD用GMRヘッドで新技術
-20Gb以上の磁気記録読取り-
アルプス電気日本工業新聞
(1998年10月6日PP.4)
HDD
GMR
スピンバルブ膜
230
1998年 8月号「円偏光」型面発光レーザNTT日経産業新聞
(1998年6月9日PP.1)
円偏光
スピン光学
面発光レーザ
通信容量
超高速光通信
860nm
波長板
データ転送量2倍に
250
240
1998年 1月号スピントンネル素子
-電気抵抗2ケタ低減-
NEC日刊工業新聞
(1997年11月7日PP.5)
スピントンネル素子
次世代HDD用
Fe/Al2O3/CoFe
真空連続成膜
2.4μΩ/cm2
210
230
1996年 3月号MRヘッドの新素子NEC日本経済新聞
(1996年1月22日PP.15)
スピンバルブ素子
3.5インチMDに10GB
MRヘッド
210
230
1995年 5月号超高速光スイッチング用光デバイス
-光だけのオンオフ動作-
富士通研日刊工業新聞
(1995年3月15日PP.8)
電子スピン
超高速光スイッチング用
多重量子井戸構造
240
1993年11月号磁化分布直接観察電子顕微鏡
-20nmの磁化分布直接観察-
日立製作所日刊工業新聞
(1993年9月21日PP.6)
スピンSEM
分解能20nm
磁気記録媒体の評価
電子顕微鏡
360
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