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掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
2018年 2月号 | 透過中性子計測 電子スピン配列解明 | 物材機構 原子力機構 | 日刊工業新聞 (2017年11月20日PP.19) | 透過中性子 | 120 |
2018年 1月号 | カイラル磁性体に整流効果 機能性素子実現へ一歩 | 東大 理研 | 日刊工業新聞 (2017年10月13日PP.23) | カイラル磁性体 カイラルスピンゆらぎ | 120 |
2017年11月号 | STOで人工ニューロン開発 音声認識実証 世界初 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2017年8月8日PP.23) | スピントルク発振素子 ニューロモロフィック・コンピューティング 位相干渉で演算素子を表現 | 520 |
2017年11月号 | スピン波で論理演算 回路デバイス開発 | 豊橋技科大 | 日刊工業新聞 (2017年8月22日PP.25) | 磁性ガーネット膜をフォーク状に加工 接続点で位相干渉 | 220 |
2017年10月号 | 磁石中の集団スピン運動 量子レベルで定量評価 | 東大 | 日刊工業新聞 (2017年7月6日PP.21) | スピン運動の量子「マグノン」の数を一つずつ計測 | 120 |
2017年 7月号 | 渦状スピン磁性体発見 | 東大 | 日刊工業新聞 (2017年4月4日PP.25) | 磁気スキルミオン | 120 |
2017年 7月号 | スピン制御 新原理実証 | 横国大 | 日刊工業新聞 (2017年4月11日PP.27) | 1nsで従来の約3倍高精度に単一スピンを操作 | 220 |
2017年 7月号 | 次世代メモリー新素材 安価に「スピン液体」作製 | 東北大 英リバプール大 | 日経産業新聞 (2017年4月25日PP.8) 日刊工業新聞 (2017年4月25日PP.29) | スピン液体 フェナントレン 安価な炭化水素分子「フェナンスレン」に電子を導入 | 230 120 |
2017年 5月号 | 円偏光スピンLED開発 | 東工大 | 日刊工業新聞 (2017年2月8日PP.29) | 中間層に独自開発のアルミナを導入 | 250 |
2017年 5月号 | 電子のスピン 自在に操作 | 東大 | 日刊工業新聞 (2017年2月27日PP.21) | レーザー光利用 | 120 |
2017年 1月号 | 新原理の量子計算機開発 | NTTと情報学研 | 日刊工業新聞 (2016年10月21日PP.21) | 相転移 スピン数2000の組合せ最適化問題を5ms以下で解く | 420 |
2017年 1月号 | 磁石内に超電導電子ペア | 京大 | 日刊工業新聞 (2016年10月27日PP.27) | ルテニウム酸化物の超電導体 エネルギー損失ゼロのスピントロニクス素子 | 120 |
2016年12月号 | 光で電気の性質を制御 | 東北大 | 日経産業新聞 (2016年9月2日PP.8) | 高速次世代メモリー スピン | 230 |
2016年12月号 | 高精度量子ビットをシリコン半導体に実装 | 理研 | 日刊工業新聞 (2016年9月6日PP.23) | 単一量子ビット操作を従来比約100倍に高速化 ビット忠実度99.6% 半導体量子ドット中に閉じ込めた電子スピンを利用 | 120 |
2016年11月号 | 「トポロジカル絶縁体」表面に 高効率スピン流生成 | 理研 | 日刊工業新聞 (2016年8月5日PP.31) | 界面における電流-スピン流の高効率の変換現象を観測 | 120 |
2016年11月号 | グラフェン内電子スピン方向 磁性酸化物で制御 | 量子科学機構 物材機構 筑波大 | 日刊工業新聞 (2016年7月26日PP.29) | 電子デバイスの高速化や省エネルギー化につながるスピントロニクスにグラフェンを応用する際のカギ | 120 |
2016年11月号 | 新演算素子を開発 スピン波利用 絶縁体で制御 | 豊橋技科大 | 日刊工業新聞 (2016年7月26日PP.29) | 世界最高の性能を持つスピン波干渉を利用した論理演算素子 | 220 |
2016年 9月号 | 強磁性半導体の機構解明 http://www.tohoku.ac.jp/japanese/2016/06/press20160602-02.html | 東北大 | 日経産業新聞 (2016年6月8日PP.8) | 磁性半導体 ガリウム・マンガン・ヒ素 スピントロニクス | 120 |
2016年 9月号 | 消費電力1/100メモリー開発 | 東北大 | 日経産業新聞 (2016年6月15日PP.8) | 省電力化 磁気メモリー CPU IoT スピン | 230 |
2016年 9月号 | 電子1個のスピン情報 長距離伝送で検出 | 東大 | 日刊工業新聞 (2016年5月31日PP.31) | 単一電子スピン 量子ドット 伝送 | 120 140 |
2016年 7月号 | 低電流で10倍高速動作する磁気メモリ開発 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2016年4月13日PP.27) | スピン軌道トルク磁化反転方式 | 230 |
2016年 7月号 | 大規模な人工スピン群 光共振器で生成 | NTTなど | 日刊工業新聞 (2016年4月19日PP.23) | 長さ1kmの光ファイバ共振器 四光波混合 一万時間を超える光パラメトリック発振器を一括生成 コヒーレントイマジングマシンに向けた基盤技術 | 120 420 240 |
2016年 7月号 | 低電流で10倍高速動作する磁気メモリ開発 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2016年4月13日PP.27) | スピン軌道トルク磁化反転方式 | |
2016年 7月号 | 大規模な人工スピン群 光共振器で生成 | NTTなど | 日刊工業新聞 (2016年4月19日PP.23) | 長さ1kmの光ファイバ共振器 四光波混合 一万時間を超える光パラメトリック発振器を一括生成 コヒーレントイマジングマシンに向けた基盤技術 | 120 420 240 |
2016年 6月号 | 電子スピン長距離輸送に成功 http://www.ntt.co.jp/news2016/1603/160308c.html | NTT 東北大 | 日刊工業新聞 (2016年3月9日PP.29) | 電子スピン 量子コンピュータ 電界効果型スピントランジスタ スピン演算素子 半導体中の電子スピンの向きを安定的に操作 | 240 |
2016年 4月号 | 記憶性能2倍を実現する次世代不揮発メモリ技術 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2016年1月11日PP.13) | 19nmの素子サイズのスピントルク書き込み型磁気ランダムアクセスメモリーの実現 | 230 |
2016年 4月号 | スピン液晶特性解明 | 原子力機構 | 日刊工業新聞 (2016年1月15日PP.31) | 磁場中のフラストレート強磁性鎖モデル | 120 |
2015年 8月号 | スピンホール効果測定 | 東大 | 日刊工業新聞 (2015年5月22日PP.17) | 超伝導状態では 常伝導状態と比較して2000倍以上のスピンホール効果 | 120 660 |
2014年12月号 | 超伝導体がスピン流の絶縁体になることを発見 | 九大 | 日刊工業新聞 (2014年9月4日PP.21) | 超伝導体が磁力の元になるスピン流に対して絶縁体となることを発見。スピンデバイス開発につながる。 | 450 |
2014年 8月号 | 室温で核磁気共鳴信号を増大 | 阪大 | 日刊工業新聞 (2014年5月13日PP.19) | 光励起三重項状態の電子スピンを用いた動的核偏極法 通常の1万倍の信号 | 120 |
2014年 6月号 | 半導体のスピン異常信号解明 | 東北大 独レーゲンスブルク大 | 日刊工業新聞 (2014年3月11日PP.22) | 強磁性半導体(Ga | Mn)As と非磁性半導体GaAs のヘテロ接合 スピンエサキダイオード構造 電子スピンの検出感度40倍 120 660 |
2014年 5月号 | スピントロニクス活用で電池の寿命を延ばすMCU | 東北大 NEC | 日刊工業新聞 (2014年2月11日PP.13) | 不揮発レジスタの書き込み電力を削減 回路線幅90nmのCMOS回路と三端子MTJ素子を組み合わせたICチップ | 220 |
2014年 4月号 | マイクロ波帯の小型発振器 | 産総研 キヤノンアネルバ 大阪大 | 日経産業新聞 (2014年1月9日PP.11) 日刊工業新聞 (2014年1月9日PP.21) | ナノコンタクト型スピントルク発振素子 振動子を100nm以下で作成 | 240 |
2014年 1月号 | 高感度なスピントルクダイオード | 阪大 産総研 | 日刊工業新聞 (2013年10月21日PP.16) | 磁気トンネル接合素子 半導体ダイオードの3倍感度 ナノサイズ磁石利用 非線形効果 | 220 |
2013年11月号 | 薄膜中のスピン方向検出技術 | 日本原子力機構 千葉大 高エネ研 | 日経産業新聞 (2013年8月5日PP.11) | 表面から2nmまでX線照射し放出電子を解析 | 120 660 |
2013年 9月号 | 新色素で有機系太陽電池 | 東大 | 日刊工業新聞 (2013年6月21日PP.25) | エネルギー交換率が約12%と世界最高レベル,分子が光を吸収する際に電子の持つスピンの向きを反転できる新色素(DX)を開発 | 250 |
2013年 9月号 | 磁化の向きを電圧で高効率制御 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2013年6月24日PP.14) | スピントロニクス 1.5nmの金属磁石層 MgOの絶縁層で挟んだ構造 | 230 |
2013年 7月号 | スピン波でスイッチング磁場を低減 | 東北大 慶応大 産総研 | 日刊工業新聞 (2013年4月17日PP.22) 電波新聞 (2013年4月24日) | FePt合金とNiFe合金の積層磁石薄膜 | 120 |
2013年 7月号 | 熱エネルギー伝搬方向をスピン波で制御 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2013年4月26日PP.21) | マイクロ波と磁場でスピン波を励起 表面スピン波で伝搬 | 120 |
2013年 6月号 | マイクロ波でスピン制御 | 阪大 東北大 | 日経産業新聞 (2013年3月6日PP.7) | Si製基板にNi・Fe合金・Pdの電極を設けた装置 Ni・Fe合金の電極に磁場をかけスピンの向きをそろえる マイクロ波照射で電子がPd側に移動 | 220 |
2013年 6月号 | 電子スピン素子につながる物理現象発見 | NTT 東北大 独ポールドルーデ固体エレクトロニクス研 | 日経産業新聞 (2013年3月19日PP.10) | 電子スピン共鳴現象(ESR) 電子自体の磁場でESR 移動スピン共鳴 | 120 |
2013年 5月号 | P型Si中で室温スピン輸送 | 阪大 東北大 | 日刊工業新聞 (2013年2月14日PP.23) | スピンポンピング 純スピン流 | 120 |
2013年 1月号 | 微弱磁気の検出技術 | 東大 | 日経産業新聞 (2012年10月19日PP.10) | スピン利用 脳磁計 地磁気の10兆分の1 Cu-Ni-Pd合金 | 660 |
2012年11月号 | スピンの向きを微小電流で制御 | 理研 東大 物材機構 | 日刊工業新聞 (2012年8月8日PP.19) 日経産業新聞 (2012年8月23日PP.11) | FeGe化合物 -23〜-3℃かつ150mT磁界 φ70nmのスキルミオンの結晶を観察 スピンの渦巻きを形成 5A/cm2で渦巻きが動く 縦165μm 横100μm 厚さ100nm〜30μmの超小型素子 | 120 |
2012年 8月号 | p型Geに磁性体のスピン情報を室温で入力 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2012年5月16日PP.20) 160 (0年0月0日) | p型のGe | Fe 厚さ2nmのMgOを積層した電極を作成し スピン情報をFeからGeへ入力 ハンル効果 スピン情報80nm 120 220 |
2012年 4月号 | シリコン中のスピン流を発生させることに成功 | 東北大 | 日経産業新聞 (2012年1月19日PP.11) | スピントロニクス | 120 |
2012年 4月号 | 金が磁石の性質を持つことを発見 | 高輝度光科学研究センター 香川大 秋田大 北陸先端大 スペインのバスク州立大学 | 日経産業新聞 (2012年1月24日PP.10) | 金を5mm四方 厚さ5μmの反磁性状態の薄膜にして 円偏光X線を当て 電子スピンを検出 | 120 |
2012年 4月号 | 準粒子の存在を表す電子状態解明 | NTT JST | 日刊工業新聞 (2012年1月27日PP.27) | 非アーベリアン準粒子 トポロジカル量子計算への応用 NMR法により電子スピン状態を測定 | 120 |
2012年 3月号 | 省電力化と高速化を両立したLSI用電子回路 | 東北大 NEC | 日刊工業新聞 (2011年12月6日PP.1) 日経産業新聞 (2011年12月8日PP.11) | スピントロニクス素子とCMOS素子のハイブリッド回路を高速化 動作周波数600MHz ラッチ回路向け | 220 |
2012年 1月号 | 1原子層のみのスピン分析に成功 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2011年10月20日PP.11) | スピン偏極Heイオンビーム スピンのバランスをわざと偏らせる | 120 660 |
2011年12月号 | 量子コンピュータ向け基本素子 | 東大 NTT | 日経産業新聞 (2011年9月29日PP.11) | GaAsの素子 スピンが情報の最小単位 量子もつれ | 220 |
2011年11月号 | 磁気・電気的な性質を制御可能な磁性半導体 | 原子力機構 東大 | 日刊工業新聞 (2011年8月10日PP.15) | スピントロニクス 磁気的な性質と電気的な性質を独立に制御可能 | 220 230 |
2011年10月号 | 熱で情報を入力する新現象 | 産総研 オランダ基礎科学財団 | 日刊工業新聞 (2011年7月5日PP.22) | ゼーベック・スピントンネル現象 熱を利用して磁性体の電子スピンが持つデジタル情報をSi中に入力 | 230 120 |
2011年10月号 | 消費電力ほぼ0の半導体素子 | 東大 NTT | 日本経済新聞 (2011年7月25日PP.11) | 100nmの量子ドットにスピンを閉じ込めた構造 わずかな電圧でスピンを制御 | 220 |
2011年 9月号 | 超音波を使ったスピンの長時間制御技術 | NTT 東北大 独ポールドルーデ研 | 日経産業新聞 (2011年6月2日PP.11) | 半導体中の複数のスピンの向きを揃えたまま約40μm移動 超音波がない場合と比べて100倍以上の移動距離 | 120 |
2011年 9月号 | 光を当てると磁石になる新素材 | 東大 | 日経産業新聞 (2011年6月8日PP.8) | Feイオンが有機分子の間に入り込んだ構造 青い光が当たるとFeイオンの向きがそろい磁石の性質を持つようになる スピンクロスオーバー | 120 |
2011年 9月号 | 待機電力0のメモリー | 東北大 NEC | 日経産業新聞 (2011年6月14日PP.9) | スピントロニクスを使う不揮発性メモリー | 230 120 |
2011年 9月号 | スピン偏極を持つ電子材料 | 東大 理研 広島大 高エネルギー研 産総研 | 日刊工業新聞 (2011年6月20日PP.17) | 結晶構造に生じる電気的偏りを持つ半導体ビスマス・テルル・ヨウ素の単結晶 | 120 |
2011年 9月号 | スピンを簡単に注入する技術 | 東北大 | 日経産業新聞 (2011年6月28日PP.9) | 低消費電力 素材の中のスピンを動かす | 120 |
2011年 8月号 | 室温で低消費電力な半導体素子
・14と一つにまとめ | 東大 東北大 ファインセラミックスセンター | 日経産業新聞 (2011年5月27日PP.11) | 電子のスピンによる磁石の向きを電圧で制御 電流は通常の1億分の1 La Alの酸化物基板上に微量のCoを添加したTiO2で素子を作成 | 220 120 |
2011年 7月号 | 鉄系超電導体の電子対結合の第3の機構発見 | 東大 | 日刊工業新聞 (2011年4月8日PP.19) | 電子対を結び付ける働きをする「のり」 格子振動 スピン 高分解能レーザ光電子分光装置 | 120 |
2011年 6月号 | スピン軌道相互作用の大きさを精密に決定 | 北大 NTT | 日刊工業新聞 (2011年3月21日PP.9) | In・Ga・Asをベースとした半導体の量子井戸構造 バンドエンジニアリング 半導体内の電子スピンをトランジスタのゲート電極で制御 | 120 |
2011年 4月号 | Si半導体中の量子もつれを生成・検出 | 慶応大 英オックスフォード大 | 日刊工業新聞 (2011年1月20日PP.24) 日経産業新聞 (2011年1月24日PP.11) | エンタングルメント リン原子核のスピンとそこに捉えられている電子のスピンをそれぞれ量子ビットとする Si原子1個で演算処理 温度20K | 120 |
2011年 4月号 | テラヘルツ波磁場パルスを使ってスピンを高速制御 | 東大 | 日刊工業新聞 (2011年1月25日) | イットリウムオルソフェライトを試料 パルス幅0.3ps スピントロニクス素子 | 120 660 |
2011年 3月号 | テラヘルツ波で電子スピンの磁力線状態を制御する技術 | 東大 | 日経産業新聞 (2010年12月8日PP.7) | 磁性材料はイットリウム・鉄酸化物(Y3Fe5O12) 3.3ps周期の回転する磁力線 0.3ps間隔で振幅を制御 | 120 |
2011年 1月号 | スピンの量子引きこもり現象の構造解明 | 東工大 東京理科大 | 日刊工業新聞 (2010年10月6日PP.21) | 籠目格子反強磁性体 フッ化ルビジウム銅スズ 電子スピン対のシングレット状態が風車のように配列した構造 | 120 |
2010年12月号 | 電子のスピンを直接観察 | 東北大 | 日経産業新聞 (2010年9月7日PP.11) | 半球型電子のエネルギー分析器 モット散乱型スピン検出器 1〜50電子Vの間で8m電子Vの分解能で測定 | 320 |
2010年12月号 | 分解能を10倍以上のスピン分解光電子分光装置 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2010年9月11日PP.13) | スピントロニクス 物質の電子状態をスピンに分解 | 120 |
2010年 9月号 | 絶対零度でも電子スピンが継続する特殊構造物質 | 京大 理研 | 日経産業新聞 (2010年6月4日PP.11) | 超電導 三角形に並んだ特殊な分子構造 炭素 水素 パラジウム | 120 |
2010年 8月号 | スピンRAMの5Gb超の大容量化技術 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2010年5月14日PP.18) 日経産業新聞 (2010年5月14日PP.10) | トンネル磁気抵抗素子(TMR素子) MgO層の厚さを約1nmに 高いスピン分極 磁気抵抗比85% 素子抵抗値約4Ωμm2 | 230 |
2010年 6月号 | 絶縁体を使った電気信号伝送 | 東北大 慶応大 | 日経産業新聞 (2010年3月11日PP.12) | 電子のスピン波 磁性ガーネット結晶 1mm離れた先に伝送 | 120 |
2010年 3月号 | スピンMOSトランジスタの基本技術 | 東芝 | 電波新聞 (2009年12月9日PP.1) | 電子スピン ロジックLSI メモリー機能 磁気トンネル接合 スピン注入磁化反転 | 230 |
2010年 1月号 | 物質の微細化による新しい量子効果を発見 | 千葉大 広島大 東北大 | 日刊工業新聞 (2009年10月22日PP.24) | 電子スピン エネルギー消費量が従来の1/1000 ラシュバ効果 | 120 |
2009年11月号 | 偏光を電気信号に変換する受光素子
-光通信容量2倍以上に- | 日立 チェコ科学アカデミー 英ケンブリッジ大 | 日経産業新聞 (2009年8月5日PP.11) | 電子スピン 半導体 ガリウムヒ素の素子に数μm間隔で電極を配置 電圧で偏光状態を検出 偏光板なしに偏光状態を区別する受光素子 | 140 240 120 |
2009年10月号 | 量子情報の保存を最長にする暗号通信向け技術 | 情報学研 | 日刊工業新聞 (2009年7月3日PP.22) | 半導体量子メモリー 7μ秒のコヒーレンス時間で量子情報転写 光パルススピンエコー コヒーレンス時間従来比7000倍 | 120 230 |
2009年10月号 | 「手」4本の金属原子のスピン転移に成功 | 京大 日大 東大 | 日刊工業新聞 (2009年7月22日PP.27) | 二酸化鉄ストロンチウム 室温で70万気圧 33万気圧以上でスピンの大きさ半分 強磁性体 電気を通す物質に変化 | 120 |
2009年 9月号 | 電子の自転向き制御技術
-新型メモリー実現に道- | 東北大 | 日経産業新聞 (2009年6月5日PP.11) | トランジスタ 高速 低消費電力 スピン 不揮発メモリー インジウムガリウムヒ素を1μm以下の幅の細線構造に加工 スピンの寿命を10〜65倍に 半導体素子 | 120 |
2009年 9月号 | 垂直磁化MRAMを開発
-500MHzの高速動作実現- | NEC NECエレクトロニクス | 日刊工業新聞 (2009年6月16日PP.25) | 500MHz動作 従来の2倍 スピントルク磁壁移動方式 電流書込み方式 | 230 |
2009年 9月号 | 10年以上作動する32MbMRAM | 日立 東北大 | 日経産業新聞 (2009年6月26日PP.11) | スピン注入RAM 酸化マグネシウムの膜をコバルト鉄ボロンで挟んだ素子構造 磁気の向きを電流で制御 | 230 |
2009年 5月号 | 量子状態を光で測定 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2009年2月5日PP.26) 日経産業新聞 (2009年2月5日PP.11) | 量子を重ね合わせた状態を電子スピンに転写 光で測定 電子スピントモグラフィ 光子の偏光状態 電子のスピン状態 レーザ | 120 660 |
2009年 4月号 | フラーレン-コバルト薄膜のTMR効果の機構解明 | 原子力機構 自然科学研究機構 東北大 東大 | 日刊工業新聞 (2009年1月23日PP.22) | 巨大トンネル磁気抵抗 スピン偏極 X線磁気円偏光2色性分光 局在スピン | 120 |
2009年 2月号 | 書換え電流抑え微細化したMRAM技術 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2008年11月12日PP.1) | スピン注入磁化反転方式 書換え電流従来比1/3程度 磁気トンネル接合素子(MTJ) | 220 230 |
2009年 2月号 | 光による電子スピンの制御技術 | 国立情報学研 | 日経産業新聞 (2008年11月13日PP.10) | 特定周波数の光 1〜10psでスピンを制御 情報が消えるまで最大10億回の計算が可能 量子コンピュータ | 120 |
2008年11月号 | 多量子ビット素子
-超高速コンピュータに道- | 東大 NTT | 日刊工業新聞 (2008年8月18日PP.18) 日経産業新聞 (2008年8月18日PP.6) | GaAs化合物半導体 電子スピン コバルト製の微小な磁石 直径0.2μmの円盤形の量子ドット | 120 220 |
2008年11月号 | 高性能強磁性トンネル接合素子で高周波発振に成功 | 阪大 産総研 キヤノンアネルバ | 日刊工業新聞 (2008年8月29日PP.31) | 数-10GHz 発振出力約0.2μW 磁極フリー層(CoFeB) 絶縁性のトンネル障壁層(MgO) 磁極固定層(CoFeB)の3層構造 スピンの歳差運動 同素子を70nm×160nm断面の柱状に加工 | 120 220 |
2008年 9月号 | ダイヤモンド固体素子で「量子もつれ」を室温で実現 | 筑波大 産総研 独シュトゥットガルト大 | 日刊工業新聞 (2008年6月6日PP.23) 日経産業新聞 (2008年6月6日PP.8) | マイクロ波プラズマCVD 原子量13の炭素を多く含むダイヤとメタンガス 電子スピン 核スピン 3量子ビット | 120 160 |
2008年 3月号 | ギガビット級のMRAM | 日立 東北大 | 日経産業新聞 (2007年12月20日PP.1) | 記録層を2層に増やす スピン注入方式 積層フェリ構造 コバルト鉄ボロン ルテニウム 回路線幅45nm 小型メモリー素子 長期間保持 | 230 |
2008年 2月号 | InGaAsで縦型量子ドット作製 | 東北大 | 日経産業新聞 (2007年11月29日PP.13) 日刊工業新聞 (2007年11月29日PP.28) | 3次元のMOSゲート構造 原子層堆積法 均一で高耐圧なゲート絶縁膜を形成 電子スピンの状態を正確に制御 約10倍の効率 | 120 220 |
2007年 9月号 | スピンの向きがそろった電子の室温での移動に成功 | 阪大 | 日刊工業新聞 (2007年6月21日PP.33) | 2つのコバルト電極 幅250nmのグラフェンを通過してもスピンの向きがそろった電子の移動を示す電圧変化を観測 | 120 |
2007年 7月号 | Ptでスピンホール効果を電気的に検出 | 理化学研 | 日経産業新聞 (2007年4月13日PP.9) | 室温下で検出 非磁性体 スピン流を立体的に制御する特殊な測定法 | 660 |
2006年10月号 | Si量子計算機読出しに目処 | 慶応大など | 日刊工業新聞 (2006年7月12日PP.25) | レーザ光照射でリン原子核スピン検出 励起子の発光を計測 単電子トランジスタ | 320 |
2005年11月号 | 次世代スピントランジスタ | 産総研 | 日経産業新聞 (2005年8月24日PP.8) | p型(Ga Mn)As半導体をn型ZnSe半導体でサンドイッチした構造 移動の5〜6割は磁石の向きを維持 | 220 |
2005年 9月号 | 25GBのライトワンス型BD-R -スピンコート法で有機色素材料成膜- | パイオニア 三菱化学メディア | 電波新聞 (2005年6月10日PP.1) | ジッタ6.0% 反射率40% 再生専用BDと同等の特性 | 230 530 160 |
2005年 7月号 | 新固体量子計算機 -半導体で核スピンを精密制御- | NTT JST | 日刊工業新聞 (2005年4月21日PP.28) | NMR 多値核スピン 上端に高周波用アンテナゲート 中心部にGaAs/AlGaAs系量子井戸構造 4スピン準位を反映したコヒーレント振動 | 120 420 |
2005年 5月号 | スピンホール効果観測 | 日立ケンブリッジ研 | 日刊工業新聞 (2005年2月2日PP.29) | 特殊なLED スピンの向きを円偏光の形で検出 ホール電圧効果 | 120 |
2004年12月号 | 光の反射・屈折の法則修正促す現象発見 -反射・屈折光が横っ飛びも- | 産総研 東大 | 日刊工業新聞 (2004年9月9日PP.29) 朝日新聞 (2004年9月9日PP.3) | 「光のホール効果」 フォトニック結晶 偏光の自由度を考慮 屈折光・反射光の平面は入射光の平面からずれる スピン 電磁波と光子の二重性 ずれは波長程度 | 600 |
2004年 8月号 | 磁気不揮発メモリー素子 -従来の1/100の電流で動作- | 東北大 | 日刊工業新聞 (2004年5月10日PP.21) 日経産業新聞 (2004年5月10日PP.7) | スピン素子 MRAM RuとCo90Fe10合金の二層構造 必要電流2×106A/p2 | 230 160 |
2004年 7月号 | スピンメモリー -電流のみで磁化反転- | 東北大 | 日経産業新聞 (2004年4月1日PP.9) 日刊工業新聞 (2004年4月1日PP.29) | 強磁性半導体 MRAM 従来より2〜3桁少ない電流 Ga・AsにMn添加 -193℃ | 120 230 |
2004年 6月号 | スピンエレクトロニクスメモリー素子 | 東北大 | 日経産業新聞 (2004年3月22日PP.9) | TiO2にCo添加 MRAM | 230 |
2003年10月号 | 半導体スピンメモリー -電界アシストで書込み- | 東北大 | 日刊工業新聞 (2003年7月11日PP.5) 日経産業新聞 (2003年7月11日PP.7) | MIS型FET Mn添加のInAs 書込み磁力を大幅低減 | 230 |
2006年10月号 | Si量子計算機読出しに目処 | 慶応大など | 日刊工業新聞 (2006年7月12日PP.25) | レーザ光照射でリン原子核スピン検出 励起子の発光を計測 単電子トランジスタ | 320 |
2003年 4月号 | 光子から電子への変換素子 -量子暗号通信へ前進- | NEC 総研大 科学技術振興事業団 | 日本経済新聞 (2003年1月27日PP.17) | 単一光子と単一電子スピンの間の情報伝達 中継用新素子 2個の光子対「ベルペア」 量子暗号通信 | 140 240 |
2002年12月号 | 量子レジスタ | 科学技術振興事業団 | 日刊工業新聞 (2002年9月12日PP.4) | 量子コンピュータ Si同位体の核スピンを利用 デコヒーレンス時間0.4秒 振動回数3000万回を室温で達成 | 120 230 |
2002年12月号 | 量素ドット中の電子スピン保持時間0.2msに | 科学技術振興事業団 NTT | 日刊工業新聞 (2002年9月19日PP.4) | 保持時間1msにメド 人工原子中の電子スピンで実現 電気的ポンププローブ法 | 120 230 |
2002年10月号 | 「スピン偏極共鳴トンネル効果」発見 -新機能素子実現に道- | 産業総研 科学技術振興事業団 | 日本工業新聞 (2002年7月12日PP.2) 日本経済新聞 (2002年7月12日PP.17) | スピン偏極共鳴トンネル効果 厚さ3μmのCuと単結晶Co 素本偏極量子井戸準位確認 | 120 220 230 |
2002年10月号 | ギガビットMRAMに道 -形状に依存せずに微細化 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2002年7月22日PP.1) | 低磁界スピン反転法 サンドイッチ構造 人工の反強磁性層 | 230 |
2002年10月号 | 電流 一定方向に電子の自転利用の新素子 | 東大 NTT JST | 日経産業新聞 (2002年7月26日PP.13) 日刊工業新聞 (2002年7月26日PP.5) | 単一スピンダイオード スピンメモリー 量子コンピュータの出力装置 スピンデバイス 直径0.5μm長さ0.5μmの円筒状 GaAs GaInAs 極低温 電圧2〜6mVで0.1nA | 220 230 |
2002年10月号 | 量子ドット形成法 -ナノオーダで制御- (NO31合わせる) | 富士通研 | 電波新聞 (2002年7月29日PP.1) | 化合物半導体 量子コンピュータ 分子線エピタキシ 結合量子スピンを利用 直径30nmと20nmの量子ドット | 120 160 |
2002年 9月号 | 演算処理担う論理素子 -すべて金属で作製- 1行紹介 | 英ダーラム大 | 日本経済新聞 (2002年6月14日PP.15) | 磁性鉄合金 電子スピン利用 サイズ100nm NOT回路 | 220 |
2002年 8月号 | スピンバルブトランジスタ-室温動作に成功- | 東芝 | 日刊工業新聞 (2002年5月16日PP.1) | 室温でMR比200% 磁気ヘッド SVT(スピンバルブトランジスタ) | 230 |
2002年 7月号 | 単電子スピンバルブ | 米ベル研 NEC北米研 カナダシモン・フレーザー大学 | 日刊工業新聞 (2002年4月19日PP.5) | 自己組織単分子膜室温で30%以上のGMR | 120 210 230 |
2002年 3月号 | 量子コンピュータで因数分解 | MIT IBM | 日経産業新聞 (2001年12月20日PP.10) 日本工業新聞 (2001年12月21日PP.2) | 人工分子溶液 分子中の7つの原子核をメモリーとして利用 マイクロ波 15=3×5 スピン傾きを変化 | 320 |
2001年 4月号 | スピンSTMで新手法 -原子レベルで磁化分布検出- | 東芝 | 日刊工業新聞 (2001年2月22日PP.1) | スピン走査トンネル顕微鏡 ダブルバイアス法 分解能1nm トンネル電流1nA以下 | 360 |
2001年 3月号 | 電子状態を瞬時に変化させる光磁石 | 東大 | 日経産業新聞 (2001年1月23日PP.10) | 光で磁性を制御 金属錯体化合物 Fe Co プルシャンブルー 電子スピン状態 光で変化 ICの安定状態 スイッチング時間10の7乗秒 | 120 |
2000年11月号 | 量子箱で「近藤効果」 -量子ドットで最大に- | NTT 東大 デルフト工科大(オランダ) | 日刊工業新聞 (2000年9月22日PP.7) 日経産業新聞 (2000年9月22日PP.12) | 近藤効果 量子ドット 量子スピン 量子計算機 量子箱 量子コンピュータ AlGaAs | 120 220 |
2000年10月号 | 量子コンピュータで数学問題処理 | 米IBM 米スタンフォード大 加カルガリー大 | 日本経済新聞 (2000年8月19日PP.13) | 5個のフッ素原子を制御 状態の重ね合せ 核スピン | 320 |
2000年 2月号 | 半導体接合面にスピンの向きそろった電流 | 東北大 米カリフォルニア大 | 日経産業新聞 (1999年12月16日PP.5) 日刊工業新聞 (1999年12月17日PP.6) | 電子スピン 量子コンピュータ 半導体接合面 高速コンピュータ GaMnAs強磁性半導体 発光ダイオード 偏光度確認 | 120 250 |
1999年12月号 | スピントランジスタ -基本動作確認- | 日立 | 日経産業新聞 (1999年10月7日PP.5) | 電子スピン カーボンナノチューブ | 220 |
1999年12月号 | 次世代HDD用スピントンネル素子 | NEC | 日本工業新聞 (1999年10月14日PP.15) | スピントンネル素子 トンネル効果 スピン効果 MR比30% 40Gb/in2 | 210 230 |
1999年 5月号 | 量子コンピュータの新基本設計法 | スタンフォード大(米) | 日経産業新聞 (1999年3月16日PP.5) | 量子コンピュータスピン 量子コンピュータ マイクロ波照射 | 120 |
1998年12月号 | HDD用GMRヘッドで新技術 -20Gb以上の磁気記録読取り- | アルプス電気 | 日本工業新聞 (1998年10月6日PP.4) | HDD GMR スピンバルブ膜 | 230 |
1998年 8月号 | 「円偏光」型面発光レーザ | NTT | 日経産業新聞 (1998年6月9日PP.1) | 円偏光 スピン光学 面発光レーザ 通信容量 超高速光通信 860nm 波長板 データ転送量2倍に | 250 240 |
1998年 1月号 | スピントンネル素子 -電気抵抗2ケタ低減- | NEC | 日刊工業新聞 (1997年11月7日PP.5) | スピントンネル素子 次世代HDD用 Fe/Al2O3/CoFe 真空連続成膜 2.4μΩ/cm2 | 210 230 |
1996年 3月号 | MRヘッドの新素子 | NEC | 日本経済新聞 (1996年1月22日PP.15) | スピンバルブ素子 3.5インチMDに10GB MRヘッド | 210 230 |
1995年 5月号 | 超高速光スイッチング用光デバイス -光だけのオンオフ動作- | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1995年3月15日PP.8) | 電子スピン 超高速光スイッチング用 多重量子井戸構造 | 240 |
1993年11月号 | 磁化分布直接観察電子顕微鏡 -20nmの磁化分布直接観察- | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1993年9月21日PP.6) | スピンSEM 分解能20nm 磁気記録媒体の評価 電子顕微鏡 | 360 |