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| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
| 2008年 3月号 | GaNフォトニック結晶面発光レーザ -青紫色領域で発振- | 京大 JST | 日経産業新聞 (2007年12月21日PP.11) 日刊工業新聞 (2007年12月21日PP.22) | 再成長空気孔形成法 波長406nm 素子内部に直径85nm 深さ100nmの微小な空洞を186nm間隔で配置 | 160 250 |
| 2006年 6月号 | 伝送速度2.5倍の面発光レーザ -次世代スーパコンピュータ向け- | NEC | 日経産業新聞 (2006年3月8日PP.13) | 大きさ250μm角 伝送速度25Gbps GaAsIn | 120 250 |
| 2005年10月号 | 半導体レーザ製造技術開発 -コスト1/1000に- | 情通機構 | 日経産業新聞 (2005年7月29日PP.7) | 面発光レーザ GaAs基板にSb系化合物微粒子の量子ドット 波長1.55μm | 120 160 250 |
| 2004年 5月号 | ギガビット通信用面発光レーザ | ローム | 電波新聞 (2004年2月10日PP.5) | スロープ効率世界最高0.95W/A 0.85μm選択酸化AlGaAs系面発光レーザ チップサイズ50μm角 | 240 |
| 2006年 6月号 | 伝送速度2.5倍の面発光レーザ -次世代スーパコンピュータ向け- | NEC | 日経産業新聞 (2006年3月8日PP.13) | 大きさ250μm角 伝送速度25Gbps GaAsIn | 120 250 |
| 2003年 6月号 | 光通信用発光レーザ -10Gbpsコスト半分以下- | 古河電工 | 日経産業新聞 (2003年3月19日PP.1) | 光通信 面発光レーザ 1300nm帯 | 240 250 |
| 2002年10月号 | 近接場光記録 -読出し原理実証- | 東工大 | 日刊工業新聞 (2002年7月8日PP.7) | 面発光レーザ(VCSEL)分布ブラッグ反射層 SNOMプローブの2次元像 200nm以下の分解能 テラバイト級データストレージ技術 | 230 250 330 |
| 2001年12月号 | 1.3μm帯面発光レーザ | NEC | 日刊工業新聞 (2001年9月14日PP.6) | GaAsSb(ガリウム砒素アンチモン)70℃まで連続振発言 | 240 |
| 2001年 8月号,9月号 | 面発光レーザ -電流1/100で発振- | NTT | 日本経済新聞 (2001年6月15日PP.17) 日経産業新聞 (2001年6月15日PP.11) | 面発光レーザ 1.55μm帯 臨界電流0.38mA GaAs基板 InP発光層 GaAs系反射層 SiO系反射層 | 250 240 |
| 2001年 5月号 | 面発光レーザ素子 -1/1000の電流で発光- | ローム 東工大 | 日刊工業新聞 (2001年3月5日PP.1) | 波長850nm LAN用 1mW出力 面発光レーザ | 250 |
| 2000年 7月号 | 長波長面発光レーザ -次世代LANの光源に応用期待- | 新情報処理開発機構(RWCP) NEC | 日刊工業新聞 (2000年5月17日PP.7) | VCSEL | 240 250 |
| 1999年11月号 | 青紫色面発光形半導体レーザ -室温発振に成功- | 東大 | 日刊工業新聞 (1999年9月17日PP.8) 日経産業新聞 (1999年9月17日PP.4) | 窒化ガリウム インジウム 発振波長399nm サファイア基板 多重量子井戸構造 青紫色面発光レーザ 室温発振 | 250 |
| 1999年 7月号 | InP系面発光レーザ | 東工大 | 日刊工業新聞 (1999年5月11日PP.6) | 室温パルス 簡プロセス | 250 |
| 1998年12月号 | 面発光の青色レーザ -世界発開発- | 東大 | 日経産業新聞 (1998年10月28日PP.4) | 青色面発光レーザ DVD 380nm 面発光レーザ 青色レーザ 有機金属気相成長法 窒化ガリウム | 250 230 |
| 1998年11月号 | 世界初の完全単一モード -面発光半導体レーザ開発- | 東工大 | 電波新聞 (1998年9月13日PP.5) 日経産業新聞 (1998年9月21日PP.5) | 単一モードレーザ 面発光レーザ GaAs 傾斜基板 閾値260μA 波長985nm 出力0.7mW 単一波長 | 250 |
| 1998年 8月号 | 「円偏光」型面発光レーザ | NTT | 日経産業新聞 (1998年6月9日PP.1) | 円偏光 スピン光学 面発光レーザ 通信容量 超高速光通信 860nm 波長板 データ転送量2倍に | 250 240 |
| 1997年 2月号 | 電界の振動一定の面発光レーザ | ATR 東工大 | 日経産業新聞 (1996年12月10日PP.5) | GaAs311A面 25μm角 1mAで発振 1500nm 電界方向一定 面発光レーザ | 240 250 |
| 1996年11月号 | 面発光レーザ -連続発振に成功- | 名工大 | 日経産業新聞 (1996年9月3日PP.5) | OEIC 844nm | 250 |
| 1996年 5月号 | 高速光配信 -面発光レーザとPCF組合せ- | NEC | 日刊工業新聞 (1996年3月12日PP.5) | ファイバ 光配信 | 160 240 250 |
| 1995年 9月号 | 超並列光情報処理システム | 文部省 東工大 | 日本経済新聞 (1995年7月31日PP.15) | 面発光レーザ ニューラルネットワーク 光情報処理 並列処理 | 320 520 250 420 |
| 1995年 9月号 | 面発光レーザ | 京大 | 日刊工業新聞 (1995年7月26日PP.5) | 円形回折格子 波長1.3μm 196K 面発光 レーザ パルス発振 | 250 150 |
| 1995年 5月号 | 70μAの電流で発振する面発光レーザ | 東工大 | 日経産業新聞 (1995年3月3日PP.5) | レーザ 面発光 発振電流70μA | 250 |
| 1994年 2月号 | 光電子集積回路 | 松下電器産業 | 電波新聞 (1993年12月8日PP.1) 日経産業新聞 (1993年12月8日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年12月8日PP.9) | 面発光レーザ 光IC OEIC 面積1/3 0.9mm角 光ネットワーク制御 | 220 240 250 |
| 1993年12月号 | 自動的に焦点を合わせる半導体レーザ | 米AT&Tベル研 | 日経産業新聞 (1993年10月19日PP.1) | 半導体レーザ ゾーンレーザ素子 面発光レーザ 光インタコネクション | 250 |
| 1993年 5月号 | 波長1.3μmの面発光レーザ | 東工大 | 日経産業新聞 (1993年3月24日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年3月30日PP.4) | 面発光レーザ 室温で連続発振 世界初 | 250 |
| 1992年 9月号 | 面発光レーザ | 東工大 | 日経産業新聞 (1992年7月7日PP.5) | 77K 1.43μm 化学ビーム成長法 | 250 |
| 1992年 3月号 | 低コストの面発光レーザ | ATR 光電波通信研 | 日経産業新聞 (1992年1月6日PP.4) | 面発光レーザ p-n接合 | 250 |