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| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
| 2018年 2月号 | 高い耐熱・熱伝導性 完全CNT製 放熱シート開発 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2017年11月30日PP.21) | 熱伝導率1mK/80W | 700℃以上の高温に耐える カーボンナノチューブ 120 |
| 2017年 8月号 | 熱ノイズから電力生成 温度差ゼロでも発電 | NTT | 日刊工業新聞 (2017年5月17日PP.29) 日経産業新聞 (2017年5月18日PP.8) | マクスウェルの悪魔の原理 マクスウェルの悪魔の利用 半導体素子 「マクスウェルの悪魔」の原理 省エネ化 | 220 |
| 2017年 8月号 | 固体中の熱流制御 | 東大 | 日経産業新聞 (2017年5月29日PP.8) | フォノン 半導体の放熱性向上 | 120 |
| 2017年 7月号 | 透明セラミックス 1400度の高温OK | 東工大など | 日経産業新聞 (2017年4月19日PP.9) | 窒化ケイ素を利用。全物質の中で3番目の硬さを持ち，空気中で1400℃の高温に耐える | 120 |
| 2017年 6月号 | 塗布型熱電変換材 CNT採用性能2倍に | 産総研 | 日刊工業新聞 (2017年3月15日PP.29) | 発電性能 0.60mW/㎡・K | 150 |
| 2017年 4月号 | パワー半導体 印刷で配線 配線に銀粒子印刷 | 阪大 産総研 | 日経産業新聞 (2017年1月19日PP.8) 日刊工業新聞 (2017年1月23日PP.19) | 耐熱250℃ シリコン製パワーモジュールと比較して1/5～1/10のサイズ パワー半導体 配線技術 | 160 220 |
| 2017年 2月号 | 紙材料でフルカラー液晶 加熱温度変え色調整 | 東京理科大 | 日経産業新聞 (2016年11月8日PP.8) | セルロースからフルカラー液晶 コレステリック液晶 高分子材料 | 250 |
| 2017年 2月号 | トポロジカル絶縁体―「表面だけ導電」に熱い視線 トポロジカル物質 次世代デバイスに道 | 産業技術総合研究所 東大など | 日経産業新聞 (2016年11月25日PP.8) 日刊工業新聞 (2016年11月25日PP.31) | トポロジカル 絶縁体 半金属ビスマスがトポロジカル物質であること発見 | 120 |
| 2017年 1月号 | 600℃でも機能維持する不揮発性メモリー素子 600度でも記録保持 | 千葉工大など | 日刊工業新聞 (2016年10月17日PP.16) 日経産業新聞 (2016年10月27日PP.8) | 白金のナノギャップ構造を利用 二つの白金電極をナノレベルの間隔を隔てて並べた 半導体が動作しない高温環境下でも動作 | 230 |
| 2017年 1月号 | 電池レス無線/感圧SW開発 電磁ノイズ抑制と熱拡散の両特性 一体シートも | パナソニックAIS | 電波新聞 (2016年10月18日PP.1) | 電池レス 無線/感圧スイッチ 電磁ノイズ抑制 熱拡散 | 240 |
| 2016年12月号 | 調合で電流向き自在の熱電対 | 豊橋技科大 | 日刊工業新聞 (2016年9月16日PP.29) | 160℃で0.42mW/メートルケルビン カルシウム マグネシウム ケイ素からなる熱電材料 温度差を電力に変換 | 150 |
| 2016年11月号 | シリコンナノ構造を活用した熱電変換素子 | 東北大など | 日刊工業新聞 (2016年8月22日PP.21) | 直径10nm以下 高さ30nm～100nmのシリコンナノワイヤを1平方cmあたり10の11乗個 既存の素子に比べ 安価で汎用性が高く 大幅な小型化も可能 | 210 250 |
| 2016年11月号 | 反転層チャネルMOSFET ダイヤ半導体で作製 | 金沢大など | 日刊工業新聞 (2016年8月23日PP.23) | パワーデバイス向けノーマリーオフ特性 ダイヤモンドは最も高い絶縁破壊電界とキャリヤ移動度 熱伝導率を持つ究極のパワーデバイス材料 | 220 |
| 2016年11月号 | 温度変化で屈伸する薄膜 | 理研 | 日経産業新聞 (2016年7月21日PP.8) | エネルギー 環境発電 薄膜 | 120 |
| 2016年 4月号 | テラヘルツ波のパワーを常温で高感度に測定 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2016年1月19日PP.29) | 熱電変換素子 | 320 |
| 2016年 2月号 | 高耐熱全固体リチウムイオン二次電池 日立製作所と東北大学 基礎技術を開発 | 日立 東北大 | 電波新聞 (2015年11月13日) | 高耐熱 全固体 リチウムイオン二次電池 スマホ タブレット | 250 |
| 2016年 2月号 | 単結晶ダイヤモンド基板 | 並木精密宝石 | 日刊工業新聞 (2015年11月25日PP.6) | 耐熱性や耐久性に優れており 次世代半導体の基板の可能性 | 120 |
| 2016年 1月号 | レーザ照射で，メカニカル振動子の熱ノイズを半減 | NTT | 東北大 (0年2015月10日PP.20) | 21 | 光共振器を使わずにレーザ冷却 210 |
| 2015年12月号 | 新素材レンズ 積層整形 高品質で形状自在 | ニコン | 日刊工業新聞 (2015年9月18日PP.1) | 透過性と耐熱性の両立 加工コスト10分の1 | 310 |
| 2015年11月号 | 薄膜でも特性劣化せず 強誘電体エピタキシャル膜 http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0720150804eaab.html | 東工大 東北大 | 日刊工業新聞 (2015年8月4日PP.23) | 結晶方位がそろった単結晶膜 組成を変え薄膜を成長させる基材 15nm 強誘電体相400℃ | 120 160 |
| 2015年11月号 | 磁性材料 小型で耐熱 NECトーキン 電源回路部品 自動車エンジン制御装置に活用 | NEC トーキン | 日経産業新聞 (2015年8月12日) | 磁性材料 電源回路部品 自動車エンジン制御装置 | 120 |
| 2015年10月号 | 液晶IC 熱抵抗半減 | リボンディスプレイジャパン | 日刊工業新聞 (2015年7月28日PP.11) | 液晶ドライバIC(ソースドライバ) 液晶テレビの高機能化 放熱性40%改善 4Kテレビ用 ソースドライバー | 220 250 |
| 2015年 9月号 | 原子数個の超薄膜で高温超電導 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2015年6月2日PP.19) | 分子線エピタキシー法，鉄とセレン20層(原子60個分の厚さ)，転移温度60K | 120 |
| 2015年 9月号 | ナノワイヤ型の量子ドットレーザを開発 http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0720150630eaaf.html | 東大 | 日刊工業新聞 (2015年6月30日PP.21) | 世界最小となるナノワイヤ型の量子ドットレーザ，従来に比べ面積は1/100以下，直径290nmのガリウムヒ素製ナノワイヤ，特性温度133K，27℃でレーザ動作に成功 | 240 250 |
| 2015年 8月号 | 染料を使った液晶パネル用カラーフィルタ | 大日本印刷 | 日経産業新聞 (2015年5月15日PP.6) | 赤 緑 青の各色素をセ氏230℃で焼き固めてつくる | 120 160 |
| 2015年 5月号 | カーボンナノチューブの透明導電膜 | 産総研 | 日経産業新聞 (2015年2月10日PP.8) 日刊工業新聞 (2015年2月10日PP.21) | 空気中で1000時間以上安定 表面抵抗率60オーム/スクエア CNTを網目のように配線，ヨウ化銅薄膜の表面にCNTを塗布して強力な光を照射，瞬間的に温度が上昇してヨウ化銅がNTの内部に入り込む | 120 |
| 2015年 4月号 | 温度センサーとデジタル回路融合 単結晶有機半導体で http://www.nedo.go.jp/news/press/AA5_100348.html | 東京大学などの産学官共同チーム | 日刊工業新聞 (2015年1月27日PP.26) | 多結晶シリコン半導体と同等で 既存の多結晶有機半導体に比べて10倍以上の性能を持つ | 160 220 |
| 2015年 4月号 | 白熱電球 効率2倍 | 阪大 | 日経産業新聞 (2015年1月28日PP.10) | フィラメントに大きさ数百ナノメートルの穴を多数空けた LEDに匹敵する効率を狙える | 250 |
| 2015年 2月号 | ボース・アインシュタイン凝縮 超電導状態との近さ解明 | 京大，理化学研究所他 | 日刊工業新聞 (2014年11月4日PP.13) | 超電導転移温度が約10Kの鉄を含む金属間化合物，超電導状態はBECに近い | 120 |
| 2015年 2月号 | 近赤外光で細胞遠隔操作 | 産総研，東北大他 | 日刊工業新聞 (2014年11月20日PP.26) | 近赤外光で熱を発生させる角状炭素構造物「カーボンナノホーン(CNH)」と活性酸素を発生させる色素を組合せた複合体を合成，熱の発生公立が倍，細胞内へのカルシウム流量がCNHの14倍 | 120 |
| 2015年 1月号 | レアメタル使用量が少ない熱電素子材料の開発 | 広島大 産総研 | 日刊工業新聞 (2014年10月8日PP.21) 日経産業新聞 (2014年10月24日PP.10) | 自然界にある鉱物の結晶構造をまねて伝熱変換素子の材料を作成。レアメタル使用量が少なくとも従来同様の性能を出せる。 | 120 |
| 2015年 1月号 | 圧力により吸放熱する磁性材料 | 産総研 東北大 名大 | 日刊工業新聞 (2014年10月28日PP.21) | 窒化マンガンリウム，1000気圧で6KJ/kg吸熱 | 120 |
| 2015年 1月号 | 紙製のディスプレイ | 東大 | 日経産業新聞 (2014年10月29日PP.10) | 銀ナノ粒子のインク，温度で色が変わるインク | 250 |
| 2014年12月号 | 高導電性を持ち光透過性40%の銅薄膜の開発 | 工学院大 | 日刊工業新聞 (2014年9月10日PP.1) | 膜厚40nm 常温常圧で溶液をガラス基板に塗布し熱処理で薄膜化する技術を開発。従来手法に比べ装置コストは1/200に。 | 120 260 |
| 2014年12月号 | 論理演算で消費電力をほぼ0にする新型ICを開発・実証 | 横浜国大 | 日刊工業新聞 (2014年9月17日PP.25) | 磁束の有無で0，1を切り替えるICを開発。超伝導材料のニオブを用いて温度4.2Kで動作。消費電力が従来比100万分の1。 | 220 |
| 2014年12月号 | 全液体蓄電池 | 米MIT | 日刊工業新聞 (2014年9月30日PP.25) | 陰極に液体リチウム，陽極に液体アンチモン・鉛合金.450℃～500℃ので動作.1平方cmあたり275ミリアンペアの電力密度 | 250 |
| 2014年11月号 | パワー半導体の性能向 | 東大 | 日経産業新聞 (2014年8月5日PP.8) | パワー半導体の性能低下の原因になる不純物を1/3に減らす製造技術を開発。熱処理温度を高めた | 260 |
| 2014年 9月号 | 発光効率100%の有機EL素子を開発 | 九大 | 日刊工業新聞 (2014年6月2日PP.17) | 蛍光材料と熱活性化遅延蛍光(TADF)材料を組合せて損失ないエネルギー移動を実現 貴金属を使用しない 高効率と高耐久性を両立 | 250 |
| 2014年 9月号 | 水晶発振器並みの周波数精度を持つCMOS発振器 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2014年6月12日PP.19) | 温度領域ごとに特性を補正するディジタル回路を用いて温度補償100ppm以下の周波数精度を実現 Si半導体発信機 | 220 |
| 2014年 7月号 | 印刷可能な有機光記録材料 | 産総研 | 日経産業新聞 (2014年4月9日PP.10) | 結晶-非晶質間の状態遷移 アントラセンとシアノビフェニルの結合構造 150℃/200℃で記録・消去 5mW/cm2 の青色光で記録可能 微細構造の可視性を生かし表示素子にも応用の可能性 | 130 150 |
| 2014年 7月号 | 量子ドットレーザ搭載Si光配線基板 | 東大 | 日刊工業新聞 (2014年4月16日PP.21) | Si基板上に光配線機能を一体集積 25～125℃動作可能 伝送帯域速度15Tbit/cm2 | 150 160 240 |
| 2014年 7月号 | 高品質薄膜を低コストで作成 | 産総研 | 日経産業新聞 (2014年4月23日PP.10) | BaTiO3の場合220℃・20気圧・70時間で1辺15nmのサイコロ状微粒子 厚さ500nの薄膜 850度で1時間熱処理 誘電率3000 | 160 |
| 2014年 6月号 | マイクロ波照射でグラフェンを安く量産 | マイクロ波化学 | 日経産業新聞 (2014年3月12日PP.1) | グラファイトにマイクロ波を照射し 内部から加熱し グラフェンを剥離 製造時のエネルギーコスト5割減 | 160 120 |
| 2014年 6月号 | ジスプロシウム不要の高性能磁石 | 物材機構 大同特殊鋼 | 日経産業新聞 (2014年3月27日PP.11) | Dy4%の磁石と200℃で同等性能 NdCu合金の液体を微細結晶の磁石に浸透 | 120 |
| 2014年 5月号 | パワー半導体向け接合技術 | 日亜化学 阪大 | 日経産業新聞 (2014年2月19日PP.7) | Ag薄膜 SiCとCu基板を接合 250℃で加熱接合 | 120 160 |
| 2014年 3月号 | バナジウム・リン・窒素化合物4.2Kで超電導状態 | 東大 | 日刊工業新聞 (2013年12月3日PP.19) | アンチポストペブスカイトという結晶構造，転移温度が化合物によって変化するメカニズムには結晶構造の2次元性が鍵 | 120 |
| 2014年 3月号 | グラフェンで幅20nmの微細配線 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2013年12月13日PP.27) | 電気抵抗率は最低4.1μmΩcm 断線しにくい サファイア基板上に約1000℃7-15層のグラフェンを合成 銅配線なみの抵抗率 | 160 120 |
| 2014年 3月号 | 3次元LSI向け多結晶Geトランジスタ | 産総研 | 日刊工業新聞 (2013年12月18日PP.21) | GeのCMOS化 n型MOSFET 500℃以下で形成 p型n型の両極性 多結晶Geトランジスタ Siの3倍の電流駆動能力 | 220 |
| 2014年 2月号 | 市販プリンタで電子回路を印刷 | 東大 英MSリサーチ 米ジョージア工大 | 日経産業新聞 (2013年11月7日PP.11) 日刊工業新聞 (2013年11月8日PP.25) | 化学焼結銀ナノ粒子インク 印刷後の加熱不要 | 320 330 360 |
| 2014年 2月号 | 光子の進み方を揃える量子コンピュータ向け技術 | NTT | 日経産業新聞 (2013年11月13日PP.6) 日刊工業新聞 (2013年11月13日PP.23) | 量子ビットのタイミングを合わせる Si製光導波路 φ210nmの穴を400個 22～55℃で調製 | 120 |
| 2014年 2月号 | 臨界温度45Kの鉄系超電導材料 | 岡山大 名大 | 日経産業新聞 (2013年11月18日PP.11) | 112型の構造 | 120 |
| 2014年 2月号 | 排熱時の温度差で発電 | 奈良先端大，産総研 九州大 奈良女子大 | 日刊工業新聞 (2013年11月27日PP.27) | 排熱時の温度差で発電するシート，熱源に貼るだけで発電できる，リン化号物誘導体を含む18種類の添加薬剤 | 250 |
| 2014年 1月号 | 強力なFe系超電導磁石 | 超電導工学研 | 日経産業新聞 (2013年10月13日PP.7) | 臨界電流 φ8mmのBaO微粒子 -258℃の5T環境 14万A/cm2を40万A/cm2に改善 従来の3倍 | 120 |
| 2014年 1月号 | 第3世代有機EL発光材料 | 九大 | 電波新聞 (2013年10月18日PP.3) | リン光材料に必要なイリジウムや白金不要 高効率と高耐久性を実証 熱活性化遅延蛍光(TADF)材料 | |
| 2014年 1月号 | 高温に対応可能なコンデンサ向けガラス材料 | 東大 広島大 九州シンクロトロン光学研究センター | 日刊工業新聞 (2013年10月24日PP.19) | 220～470℃対応コンデンサ用材料 ガラス結晶化法を使う BaTiO3にCa原子を高濃度に含ませる | 120 |
| 2013年12月号 | 銅ペースト電極材料に | 旭硝子 | 日刊工業新聞 (2013年9月2日PP.10) | タッチパネルやフレキシブル電子素材向け低温硬化型電極材料，120℃から150℃の焼成効果で銀ペーストと同等の比抵抗率 | 250 |
| 2013年11月号 | 磁場で電気抵抗変化 | 京大 阪大 大阪市大 首都大 広島大 | 日刊工業新聞 (2013年8月1日PP.19) | 非磁性のパラジウム-コバルト酸化物(PdCoO2) 磁場によって物質の電気抵抗が変化する磁気抵抗効果がある -271℃ 14Tで測定 ゼロ磁場の350倍 | 120 130 |
| 2013年11月号 | -35℃での超電導の可能性予測 | 長崎総合科学大 | 日経産業新聞 (2013年8月19日PP.5) | ピセン分子 K原子を加える 理論的な予測 | 120 620 |
| 2013年11月号 | 体積の小さい超電導コイル用線材 | 理研 千葉大 | 日経産業新聞 (2013年8月26日PP.9) | Y-Cu酸化物 -196℃ 幅4～5mm 厚さ10μm | 120 |
| 2013年11月号 | 超電導トランジスタ | 分子研 理研 | 日経産業新聞 (2013年8月27日PP.10) | 有機材料 BEDD-TTF -265℃・数Vで電気抵抗0 | 220 |
| 2013年10月号 | 大容量HD向けナノパターンを高速生産 | 素形材センタ 明昌機工 東北大 | 日経産業新聞 (2013年7月11日PP.11) | 微細構造 レーザ光で加熱 φ25nmパターンを45nmピッチで作成 従来の15倍高速 | 230 |
| 2013年 9月号 | 多層グラフェンを用いた微細配線の作成技術 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2013年6月18日PP.23) | 250℃で1cm2当たり1000万Aという高密度電流を流しても150時間通電可能 抵抗率9.1μΩcm Cu同等 | 260 120 |
| 2013年 8月号 | ヘリウム(He)不要の超電導線材 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2013年5月9日PP.11) | Fe | Ba K Asからなる化合物 -237℃で超電導状態 -236℃(37K) Fe-Ba-K-As 冷凍機で冷却可能 120 |
| 2013年 8月号 | 超電導体転移温度と電子対の強さとの関係を解明 | 広島大 大阪府立大 | 日刊工業新聞 (2013年5月14日PP.21) | 超電導が起こる温度と超電導を担う電子対の強さが関係，転移温度-182℃のビスマス系銅酸化物について角度分解光電子分光実験 | 120 |
| 2013年 7月号 | 高精度超音波を発振する半導体素子 | NTT | 日経産業新聞 (2013年4月19日PP.10) | MEMS応用 GaAs 85μm×1.4μm×250μm セーザー 温度2.5Kで2.52MHz(バラツキ70Hz)を入力し174kHz(バラツキ0.08Hz)で発振 | 220 260 |
| 2013年 7月号 | 低温で高い熱電性能の銀系層状化合物 | 東大 理研 | 日刊工業新聞 (2013年4月23日PP.21) | 銀と銅とセレンで構成される銀系層状化合物 室温から-200℃で高い熱電導性能を持つ | 120 |
| 2013年 7月号 | 熱エネルギー伝搬方向をスピン波で制御 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2013年4月26日PP.21) | マイクロ波と磁場でスピン波を励起 表面スピン波で伝搬 | 120 |
| 2013年 4月号 | 太陽熱を効率回収する熱電併給システム -追尾装置不要- | 理研 ダ・ビンチ | 日刊工業新聞 (2013年1月11日PP.23) | フレネルレンズ ロータリー熱エンジン | 350 |
| 2013年 4月号 | グラフェン量産化技術 | 東北大 昭和電工 | 日刊工業新聞 (2013年1月11日PP.23) 日経産業新聞 (2013年1月11日PP.8) | グラファイト，超臨界流体 エタノールに溶かし60気圧400℃の超臨界状態 製造時間1時間 | 120 160 |
| 2013年 4月号 | ミドリムシでバイオプラスチック合成 -耐熱性高く省エネ- | 産総研 NEC 宮崎大 | 日刊工業新聞 (2013年1月14日PP.11) | ミドリムシが作る多糖類に油脂成分を結合 プラスチックの植物成分量は約70% パラミロンと変性カルダノール | 120 |
| 2013年 4月号 | 半導体材料を使った波長2μmで使える赤外受光素子 | 茨城大 東北大 | 日刊工業新聞 (2013年1月18日PP.33) | Mg2Siの基板上にp型層を熱拡散法で作成 | 210 |
| 2013年 4月号 | 発色型と発光型を切替えられるディスプレイ材料 | 千葉大 | 日経産業新聞 (2013年1月21日PP.11) | サーモクロミック材料 温度変化で切り替え 電子ペーパ | 150 |
| 2013年 4月号 | 高い熱電変換効率の高分子材 | 富士フイルム | 日刊工業新聞 (2013年1月31日PP.33) | 体温や電子機器の排熱を利用可能，照明に取り付ける用途を想定 有機系高分子材を開発 P型半導体の高分子とCの混合物 25～100℃で高いZT(熱電変換の性能) | 250 150 |
| 2013年 4月号 | ITOの透明導電膜を付着させたロール状ガラス | 日本電気硝子 | 日経産業新聞 (2013年1月31日PP.1) | 厚さ50μm幅30cmで長さ100mまで可能 300℃で蒸着 | 150 |
| 2013年 2月号 | グラフェン層間化合物 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2012年11月6日PP.19) | 原子交換法 熱分解法 グラフェンでカルシウム原子を挟んだ構造 | 120 150 160 |
| 2013年 2月号 | 電子移動度が高い半導体 | 物材機構 理研 住友金属鉱山 | 日経産業新聞 (2012年11月7日PP.7) | IWO(インジウム タングステン 酸素) 電子移動度18 作製温度は100℃ IGZO(In・Ga・Zn・O)後継の半導体試作 | 250 220 |
| 2013年 1月号 | 膜厚10nmの金属酸化膜トランジスタ | 物材機構 理研 | 日刊工業新聞 (2012年10月18日PP.24) | 酸化タングステン(W2O3) 100℃で成膜が可能 | 120 220 |
| 2013年 1月号 | 高感度な非接触温度センサ | TDK | 日経産業新聞 (2012年10月29日PP.4) | サーミスタの材料を厚さ1μmの薄膜に NTC型の性質 応答時間数ms 薄膜サーミスタ | 210 |
| 2012年11月号 | 凹凸のないグラフェン成膜法 | 東北大 高輝度光科学研究センター 弘前大 | 日経産業新聞 (2012年8月7日PP.9) | 原子レベルで凹凸のない成膜 SiC基板を表面処理し1600℃に加熱 | 160 |
| 2012年11月号 | スピンの向きを微小電流で制御 | 理研 東大 物材機構 | 日刊工業新聞 (2012年8月8日PP.19) 日経産業新聞 (2012年8月23日PP.11) | FeGe化合物 -23～-3℃かつ150mT磁界 φ70nmのスキルミオンの結晶を観察 スピンの渦巻きを形成 5A/cm2で渦巻きが動く 縦165μm 横100μm 厚さ100nm～30μmの超小型素子 | 120 |
| 2012年11月号 | 熱電素子併用し太陽電池の効率を5割向上 | 名大 中国電子科技大 | 日経産業新聞 (2012年8月17日PP.5) | 太陽電池の下に熱電素子を張り合わせる 複合材を挟むと発電効率13.8% 色素増感型 | 250 260 |
| 2012年11月号 | 絶縁体酸化物磁石の極性を電場のみで反転 | 理研 東大 | 日刊工業新聞 (2012年8月20日PP.16) | ジスプロシウム(Dy)・テルビウムフェライト -270.5℃で電場を加えて正負の電極を反転 | 120 |
| 2012年10月号 | 手触りも伝わるロボット | 慶応大 | 日経産業新聞 (2012年7月12日PP.11) | 布や紙の質感の違いを感知可能 温度・圧力・映像・音声センサを搭載 | 410 |
| 2012年10月号 | 1000℃までの熱を電気に変換する素材 | 物材機構 東北大 | 日経産業新聞 (2012年7月27日PP.10) | ホウ素(B)に微量のAl Yを加えた材料 B原子で構成する直径0.5nm球状分子が立体的に積み重なり 球と球の隙間にAlとYが入る n型p型2種類の半導体の温度差で電気が発生 | 120 |
| 2012年 9月号 | 高密度量子ドット作製技術 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2012年6月5日PP.9) | 液滴エピタキシー法 30℃の常温 GaAs基板 7Gaの滴を作る温度を30℃に下げた 従来比5倍の1cm2あたり7300億個の量子ドット | 120 160 |
| 2012年 8月号 | 排熱から電気を生成する変換効率40倍の素子 | 東北大 東北セラミック | 日経産業新聞 (2012年5月21日PP.11) | Mn | Siと Feを含むMn Siでそれぞれ厚さ150μmの薄膜を作り 厚さ15μmの絶縁層を挟みながら交互に重ねる 1cm2厚さ2.5mmの素子を切り出す ゼーベック効果 熱電素子 120 250 |
| 2012年 8月号 | 室温で作動する全固体ナトリウムイオン二次電池 | 大阪府立大 | 日刊工業新聞 (2012年5月23日PP.21) 日経産業新聞 (2012年5月23日PP.7) | 正極材料の重さ1gあたり約90mAh NaとPとSを270℃で加熱 直径1cm・厚さ1mmのボタン型を試作 充放電10回以上で劣化なし 正極にTiS 負極にNa-Sn合金 | 250 |
| 2012年 8月号 | 全固体ナトリウムイオン電池材料 | 東北大 | 日経産業新聞 (2012年5月25日PP.10) 150 (0年0月0日) | 電解質の部分にNa | B N Hの化合物 結晶構造のすきまをNaイオンが動いて充放電 30～50℃でNaイオンの通りやすさが従来の2万倍 120 |
| 2012年 8月号 | 次世代電子材料「シリセン」の大面積製造技術 | 北陸先端大 | 日刊工業新聞 (2012年5月31日PP.29) 日経産業新聞 (2012年5月31日PP.12) | 蜂の巣構造 厚さ原子1個分のSi結晶 2ホウ化ジルコニウム バンドギャップ導入可能 900℃に加熱 縦横1×2cmの基板 | 120 160 |
| 2012年 7月号 | 無鉛の圧電素子 | 東工大 上智大 キヤノン | 日経産業新聞 (2012年4月11日PP.7) | Bi-Zn-Ti酸化物 200pm/V 800℃まで安定 大気圧下で製造可能 | 150 160 |
| 2012年 6月号 | 0～75℃で使えるSi製光スイッチ | NEC | 日刊工業新聞 (2012年3月6日PP.19) | 入力8ポート/出力8ポート間の光経路を切り替え 大きさ16mm×12mm ゲート素子2つで40dB以上の高いスイッチング時のオン・オフ比 | 240 340 440 |
| 2012年 6月号 | 丈夫な超電導ナノワイヤ | 物材機構 東工大 | 日刊工業新聞 (2012年3月21日PP.15) | FeとAs・Ca等を原料 直径1μm以下のひげ状 -240℃で超電導状態 ワイヤ形状は0.2μm～0.5μm 長さ0.1mm～2mm 合金に近い性質 曲げても壊れない 反応ガスなどを輸送する大型機器が不要 | 120 |
| 2012年 6月号 | 有機ELディスプレイの駆動素子を印刷で作製 | 山形大 | 日本経済新聞 (2012年3月26日PP.11) 日経産業新聞 (2012年3月30日PP.10) | Agの微小粒子インク 100pixel/inch 厚さ125μm ポリエステルフィルム ペンタセン 工程のすべてを150℃以下 | 250 260 220 |
| 2012年 5月号 | 軟らかい鏡 | 富士フイルム | 日経産業新聞 (2012年2月17日PP.10) | 厚さ100μm・幅70cm・長さ30m 光の反射率95% 70℃湿度85%で100日後も反射率維持 | 150 |
| 2012年 4月号 | 光照射で磁石化する新材料 | 東大 | 日経産業新聞 (2012年1月12日PP.11) | Co・W・ピリミジンを組み合わせた材料 -225℃以下で波長785nmの光を当てると強い磁石になる 保持力27kOeで光ディスク材料の9倍 | 120 |
| 2012年 4月号 | 有機薄膜太陽電池の材料「ポリチオフェン」を低コストで製造 | 東工大 | 日経産業新聞 (2012年1月19日PP.11) | 製造コスト数千円/g 添加剤に有機亜鉛の錯体 合成温度は25℃ | 150 160 |
| 2012年 4月号 | 三原色発光の無機EL | 産総研 | 日経産業新聞 (2012年1月20日PP.10) | ペロブスカイト型結晶構造を持つ酸化物を用いた素子 耐熱温度150℃ 赤色は20Vで10cd/m2 緑色は40Vで2cd/m2 青色は150Vで2cd/m2の輝度 Ca・Sr・Ti酸化物にEuを添加して赤発光 Tbを加えると緑発光 Sr・Sn・Ti酸化物にEuを加えて青発光 | 120 250 |
| 2012年 3月号 | CNTをフィルム基板上に200℃で合成 | 静岡大 | 日刊工業新聞 (2011年12月21日PP.25) | CVD法 ポリイミドフィルム グラフェン層でニッケルを包んだ特殊な触媒微粒子 アンモニアプラズマ アンモニアとメタンの混合ガス 直径10～50nm 長さ1μm以上 | 120 160 |
| 2012年 3月号 | ホランダイト型クロム酸化物の構造を解析 | 千葉大 東大 高エネルギー加速器研究機構 | 日刊工業新聞 (2011年12月27日PP.18) | 強磁性のまま絶縁体の酸化物 -178℃で絶縁体に変化 | 120 |
| 2012年 3月号 | フラーレンナノウィスカー(FNW)を超電導体に | 物材機構 | 日刊工業新聞 (2011年12月28日PP.16) | しなやかで軽い新しい超電導素材の開発 平均長さ4.4μm 平均直径0.5μm FNWにカリウムを加え200℃で1日加熱 | 120 160 |
| 2012年 2月号 | グラフェンを金属性と半導体性に作り分け | 東北大 | 日刊工業新聞 (2011年11月16日PP.27) 日経産業新聞 (2011年11月16日PP.7) | Si基板上に単結晶SiC薄膜を成長させ真空状態で加熱 面が斜めだと半導体性 水平・垂直面だと金属性 モノメチルシランの圧力を調整 | 120 160 |
| 2012年 1月号 | 分岐数128 伝送距離40kmの光増幅技術 | 富士通 | 日経産業新聞 (2011年10月13日PP.11) | 85℃で安定動作 消費電力が従来の1/6の0.5W以下 | 340 440 |
| 2012年 1月号 | 相変化メモリーが常温で巨大磁気抵抗効果 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2011年10月17日PP.19) | Ge-Te合金とSb-Te合金の薄膜を配向軸をそろえて積層 超格子型相変化膜 室温から約150℃で200%超の磁気抵抗効果 MRAM | 120 230 |
| 2011年12月号 | 光インターコネクト用の超小型光源 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2011年9月16日PP.1) 日経産業新聞 (2011年9月20日PP.9) | シリコンフォトニクス光源 温度調節不要 長さ1mm 幅0.1mm(光源と光変調器合わせて) 光送受信器に載せる光源と光変調器の動作波長を自動的に一致させる機構 | 220 240 |
| 2011年12月号 | 液化と固化の繰り返しが可能な有機材料 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2011年9月29日PP.23) | アゾベンゼンを環状に連結 紫外光で液化 熱で固化 | 160 |
| 2011年11月号 | CNTに通電し温度変化測定 | 情通機構 | 日刊工業新聞 (2011年8月10日PP.15) 日経産業新聞 (2011年8月11日PP.12) | 外形130nm 管の厚さ5nm 長さ3.1nmのCNT 655℃で昇華するZnS | 660 |
| 2011年11月号 | 耐熱210℃の有機導電性材料 | 東工大 | 日経産業新聞 (2011年8月25日PP.11) | 電子移動度3.6 BTBTを改良した材料 大気中で基板に塗布し薄膜作成 | 120 |
| 2011年10月号 | 絶縁体に電子を溶かして導体を生成 | 東工大 | 日刊工業新聞 (2011年7月1日PP.21) | 1600℃の絶縁体 液体金属 ガラス半導体 普通の透明ガラスと比べて数桁以上の電導度 | 120 |
| 2011年10月号 | 熱で情報を入力する新現象 | 産総研 オランダ基礎科学財団 | 日刊工業新聞 (2011年7月5日PP.22) | ゼーベック・スピントンネル現象 熱を利用して磁性体の電子スピンが持つデジタル情報をSi中に入力 | 230 120 |
| 2011年 9月号 | コバルトで超電導材料 | 東工大 | 日経産業新聞 (2011年6月10日PP.10) | La Co Bからなる材料 -269℃で電気抵抗ゼロ | 120 |
| 2011年 8月号 | 高画質シートディスプレイデバイス | 東芝 | 日経産業新聞 (2011年5月16日PP.11) | TFT 有機EL 厚さ0.1mm 重さ1g 200℃で製造 | 250 |
| 2011年 8月号 | 導電・絶縁切替可能な液晶素子 | 山梨大 パイオニア | 日経産業新聞 (2011年5月19日PP.11) | 導電性液晶の層(厚さ200nm)をAl電極層とITO電極層で挟んだ構造 電圧を加えずに瞬間加熱200℃で導電性になる 10～30Vの電圧を加えて瞬間加熱で絶縁性になる | 230 250 120 |
| 2011年 7月号 | 耐熱接合剤でLEDの発光効率向上 | タムラ製作所 | 日経産業新聞 (2011年4月7日PP.1) | 保護層で覆われた銅の微粒子 250℃に加熱してLEDと基板接合 融点1000℃ 発光効率が従来比1割増 | 250 |
| 2011年 6月号 | Si素子で小型光スイッチ | NEC | 日刊工業新聞 (2011年3月7日PP.20) | Siフォトニクス 800μm×60μmの光路切替素子 光合分波素子 素子の内部を局所的に加熱することで材料の屈折率を変更 130nmCMOSプロセス | 240 160 |
| 2011年 6月号 | 温度調節素子不要な40Gbps光通信用光源 | 富士通 富士通研 | 日刊工業新聞 (2011年3月10日PP.22) 日経産業新聞 (2011年3月11日PP.9) | 1.3μm波長レーザ Al・Ga・In・Asを活性層に使用 25～70℃で5km伝送 活性層の前後に反射鏡を集積 | 240 |
| 2011年 5月号 | 微小凹凸でLSI接合 | 九大 | 日経産業新聞 (2011年2月4日PP.10) | 突起電極と対向電極を30℃で20秒押しつけると接合 電気抵抗83mΩ 銅でできた直径数μmの突起と溝をかみ合わせて接合 加熱不要 | 220 260 |
| 2011年 5月号 | 室温で安定動作する単一電子素子 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2011年2月16日PP.9) | Si基板のうえにSiO2とAl2O3の薄膜を重ねた 薄膜間にフタロシアニンやフラーレンなどの分子 7℃で動作 | 120 230 |
| 2011年 5月号 | 書換え速度が向上したReRAM | ソニー | 日経産業新聞 (2011年2月23日PP.7) | 銅化合物と酸化膜を電極で挟んだ構造 読出し速度2.3GB/s 書込み速度216MB/s 100万回書換え可 55℃で10年間データ保存可 容量4Mbit 安定性向上 | 230 |
| 2011年 4月号 | 低電力で磁場を制御可能な現象を常温でも発見 | 東大 JST 物材機構 理化学研 | 日経産業新聞 (2011年1月4日PP.10) | 鉄合金内にnmの磁気の渦巻き スキルミオン結晶 磁気メモリーの低電力化 2℃で確認 | 120 230 |
| 2011年 4月号 | 熱電材料の原子レベル振動観察技術 | 東北大 広島大 | 日経産業新聞 (2011年1月11日PP.9) 日刊工業新聞 (2011年1月11日PP.16) | Ga-Snのかご形材料 かご内のBa原子が振動 テラヘルツ波の共鳴で観察 | 250 660 |
| 2011年 4月号 | Si半導体中の量子もつれを生成・検出 | 慶応大 英オックスフォード大 | 日刊工業新聞 (2011年1月20日PP.24) 日経産業新聞 (2011年1月24日PP.11) | エンタングルメント リン原子核のスピンとそこに捉えられている電子のスピンをそれぞれ量子ビットとする Si原子1個で演算処理 温度20K | 120 |
| 2011年 3月号 | TFT液晶の消費電力を低減 | 阪大 | 日経産業新聞 (2010年12月9日PP.11) | ゲート厚10nm 高濃度硝酸による表面処理 電圧1/12 多結晶Siを120℃で68%以上の高濃度の硝酸に入れて酸化膜を作成 発電効率15%以上向上 1/144に | 250 |
| 2011年 2月号 | 超電導薄膜を高速に作製できる技術 | 吉野 | 日経産業新聞 (2010年11月10日PP.9) 日刊工業新聞 (2010年11月11日PP.21) | MgB2超電導膜 臨界温度39K 材料の微粒子をガスに分布 エアロゾル・デポジション法 従来の100倍の速さで作製可能 | 120 160 |
| 2011年 2月号 | マックスウェルの悪魔再現 | 東大 中大 | 日刊工業新聞 (2010年11月16日PP.26) | 熱力学第二法則のパラドックスを実験で再現 情報をエネルギーに変換するシステム 情報-エネルギーの変換効率は約30% | 660 |
| 2011年 2月号 | 高耐熱性かつ低消費電力のPRAM | 東北大 | 日刊工業新聞 (2010年11月25日PP.31) | 170℃の耐熱性 Ge-Cu-Te化合物 融点520℃ 結晶化温度240℃ | 130 230 |
| 2011年 2月号 | 半導体薄膜を従来より200℃低く結晶化する手法 | 兵庫県立大 | 日刊工業新聞 (2010年11月26日PP.1) | プラスチック基板 420～580℃で結晶化 | 120 250 |
| 2011年 1月号 | 熱アシスト方式を利用したHDD用ヘッド | TDK | 日経産業新聞 (2010年10月8日PP.5) | 1平方インチあたり1Tb 熱アシスト方式 近接場光をディスク表面で発生 レーザのパワーを急峻に変化 | 230 |
| 2010年12月号 | ナノ炭素シート量産技術 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2010年9月29日PP.1) | 400℃で高速製造 ロールツーロール法 ITOの代替 プラズマCVD法を応用 | 150 |
| 2010年10月号 | 大容量で不揮発性を兼ね備えたTMR素子 | 東北大 日立 | 日刊工業新聞 (2010年7月12日PP.1) | 素子寸法40nm 電源供給なしで10年保持 350℃の熱処理耐性 磁化方向を垂直 8Gb Co-Fe-B | 230 |
| 2010年 9月号 | 光による量子ホール効果を確認 | 東大 | 日経産業新聞 (2010年6月29日PP.11) | GaAs AlGaAsを張り合わせた試料 -270℃に冷やし4～6テスラの磁力を加え波長0.15～0.6mmのテラヘルツ波を当てる | 120 |
| 2010年 8月号 | Cs添加フラーレンが超電導状態となる条件解明 | 高輝度光科学研 理研 英リバプール大 | 日経産業新聞 (2010年5月20日PP.13) | 面心立方構造でも-238℃で超電導状態 特定の電子状態で超電導となる | 120 |
| 2010年 8月号 | 量子ドットを300層積層した半導体レーザ | 情通機構 | 日刊工業新聞 (2010年5月26日PP.23) 日経産業新聞 (2010年5月27日PP.13) | 温度調整装置が不要 80℃までの高温域で波長1.55μmでレーザ発振成功 | 120 250 |
| 2010年 7月号 | グラフェン薄膜を半導体上に作製する技術 | 日立 東北大 東洋大 | 日経産業新聞 (2010年4月8日PP.12) | 800℃の加熱条件に設定した熱CVD(化学気相成長)法で作製 厚さ30nm 幅約3μmのアルミナ薄膜 | 120 |
| 2010年 7月号 | 太い単層CNTの製法 | 東大 | 日経産業新聞 (2010年4月19日PP.12) | CNTが伸びながら太さを増す アルミナ材料の表面に直径2nmのてる粒子をまき700℃に加熱 鉄粒子が集まりCNTが成長 根幹部分直径5nm 先端部分の直径1.7nm | 160 120 |
| 2010年 6月号 | 有機EL素子の光取り出し効率2倍超 | 東工大 新日本石油 | 日刊工業新聞 (2010年3月3日PP.20) | ランダムな周期性を持つ凹凸構造 バックリング構造 高分子と蒸着アルミニウムを数回熱収縮 電流効率2.2倍 電力効率2.9倍 | 160 250 |
| 2010年 6月号 | 有機系超電導物質の合成に成功 | 岡山大 北陸先端大 首都大東京 群馬大 | 日経産業新聞 (2010年3月4日PP.12) | 臨界温度20K ピセン分子とカリウム原子を1対3の割合で混ぜる 直径数10μmの微粒子 | 120 |
| 2010年 5月号 | 記録容量5倍の新方式HDD | 日立 | 日経産業新聞 (2010年2月2日PP.1) | 近接場光 熱アシスト 幅20nm以下の領域を加熱 ヘッド部品の先端部曲率半径10nm以下 2.5Tb/in2記録可能 | 230 |
| 2010年 5月号 | CNT内にダイヤ型触媒 | 東京理科大 | 日刊工業新聞 (2010年2月16日PP.22) | 液相一段合成法 金属錯体触媒 アルコール アルゴンガス 抵抗加熱で約800℃ 太さ50nm前後 | 120 160 |
| 2010年 4月号 | インジウム代替電極材 | 神奈川科学技術アカデミー 旭硝子 | 日経産業新聞 (2010年1月21日PP.12) | 二酸化チタン ニオブ スパッタリング 酸化インジウムすず ITO レアメタル 300～400℃で加熱処理 | 120 |
| 2010年 3月号 | ポリマー材の熱伝導率予測するシミュレーション技術 | 三菱電機 東工大 | 日経産業新聞 (2009年12月2日PP.13) | ポリマーの振動を計算して伝導率を予測 予測誤差は従来の1/10 熱伝導率従来比3.5倍 | 620 120 |
| 2010年 3月号 | 高温での寿命が10倍のLED用基板材料 | 利昌工業 | 日経産業新聞 (2009年12月2日PP.1) | 寿命が従来の10倍の3万～5万時間 Si樹脂 200℃で70時間加熱した試験で光の反射率を98%～99%に確保 | 120 250 |
| 2010年 3月号 | マイクロレンズアレイ用熱硬化性樹脂 | JSR | 日経産業新聞 (2009年12月3日PP.10) | 液状で感光すると固化し150℃加熱によりいったん溶けた後硬化 半導体製造技術で成型可能 切削加工や金型が不要 | 210 250 160 |
| 2010年 3月号 | 電流が両方向に流れる液晶性有機半導体 | 理化学研 東大 | 日経産業新聞 (2009年12月8日PP.11) | アリの巣のような形に分岐 トリフェニレン イミダゾリウムイオン 分子の長さや温度を調整 電気伝導度があらゆる方向で円筒形の場合と同程度まで向上 | 120 160 |
| 2010年 1月号 | ダイヤを用いた不純物のない単層CNT作製法 | NTT 東京理科大 | 日経産業新聞 (2009年10月6日PP.11) | 直径4～5nmのナノダイヤ使用 SiO2などの基板上に敷き詰め 850℃のアルゴンガス エタノール吹き込み 直径1～2nm 30分間で約100μmまで成長 | 120 160 |
| 2010年 1月号 | レーザ照射を活用した大容量HDD技術 | TDK | 日経産業新聞 (2009年10月6日PP.1) | 1インチあたり1TB以上 熱アシスト垂直磁気記録 | 230 |
| 2010年 1月号 | 低分子を塗布して作製した有機薄膜太陽電池 | 東大 三菱化学 | 日経産業新聞 (2009年10月23日PP.9) | 変換効率5.2% フラーレン 塗布後熱処理 | 120 250 160 |
| 2009年12月号 | 超電導臨界温度「冷凍庫」レベルに道 | 東工大 米スタンフォード大 | 日経産業新聞 (2009年9月4日PP.11) | 角度分解光電子分光 クーパー対 超電導ギャップ 超電導物質に圧力 -27℃に高められる可能性 | 120 |
| 2009年11月号 | 記録密度3倍の次世代HDD用ヘッド | セイコーインスツル データストレージインスティチュート | 日経産業新聞 (2009年8月3日PP.1) | 磁気ヘッドとディスクの間隔を従来の1/3程度の7nmで維持 熱アシスト磁気記録 1Tbpi 光ファイバ磁気ヘッド | 230 |
| 2009年11月号 | 金属ガラスで1Tbpi以上の磁気記録媒体の製造技術 | RIMCOF | 日刊工業新聞 (2009年8月6日PP.25) | 熱インプリント パターンドメディア サファイアにダイヤモンドライクカーボン(DLC)薄膜 25nm間隔太さ12nmのドットを形成した金型を作製 | 160 230 |
| 2009年11月号 | 電気を流さない電磁石用新素材 | 東北大 | 日経産業新聞 (2009年8月11日PP.6) | メタホウ酸銅 30ガウスの磁場中で-258℃まで冷やす 1cmあたり20kVの電圧をかけて磁場方向から30°に10ガウスの磁力 | 120 |
| 2009年 9月号 | 高温でも記録性能が落ちないReRAM試作 | パナソニック | 日経産業新聞 (2009年6月1日PP.1) | タンタル 白金 85℃以上でも性能維持 100℃でも安定動作 10億回書換えでも劣化せず | 230 |
| 2009年 6月号 | フルカラーの表示が可能な専用フィルタによる偽造防止技術 | 富士フイルム | 日経産業新聞 (2009年3月2日PP.1) | フォージガード ナノメートルレベルの有機材の厚さ 200℃で5時間の耐熱性 肉眼では見えない波長の光を反射する素材 | 120 |
| 2009年 6月号 | 加熱120℃で1%縮む材料 | 京大 | 日経産業新聞 (2009年3月5日PP.11) | 銅・鉄・ランタンなどからなる酸化物，10万気圧・1100℃で合成 電気磁気特性も変化 120℃を下回ると元に戻る | 120 |
| 2009年 5月号 | 安全性高いリチウムイオン電池 | 首都大 | 日経産業新聞 (2009年2月6日PP.11) | 正極にマンガンリン酸塩リチウム 水熱合成を応用して作成 電圧4V 従来のリチウムイオン電池と同等の電流 | 250 |
| 2009年 5月号 | CNTトランジスタを全工程で印刷作製 | NEC | 日刊工業新聞 (2009年2月18日PP.24) 日経産業新聞 (2009年2月18日PP.9) | 200℃以下の低温で揮発性をもつインク オンオフ比約1000の多層構造のp型トランジスタを試作 | 160 120 220 |
| 2009年 4月号 | グラフェンで透明基板 | 韓国成均館大 サムスン綜合技術院 | 日刊工業新聞 (2009年1月15日PP.29) | グラフェンを6～10層積層 折り曲げ自在な電子基板 Si基板 ニッケル薄膜 メタン・水素・アルゴンを混合 1000℃に加熱 25℃に冷却 | 120 |
| 2009年 4月号 | 外径0.8mmの白金測温抵抗素子 | ネツシン 産総研 | 日刊工業新聞 (2009年1月28日PP.11) | 使用範囲-50～160℃ 反応早く±0.002℃の測定 安定性と高い再現性 | 210 |
| 2009年 3月号 | SiO2を室温で成膜 | 日立国際電気 | 日経産業新聞 (2008年12月3日PP.5) | 熱以外の代替エネルギーを活用して成膜 25℃程度で処理 CVD装置で適用 | 160 |
| 2009年 3月号 | 直径10nm以下の立体配線技術 | 東工大 | 日経産業新聞 (2008年12月4日PP.11) | 自己組織化 親水性と疎水性を併せ持つ液状高分子 Si基板上に数～数十μmの厚さで塗布 120℃以上に過熱し冷却 塩化カリウム溶液水 十～数十Vの電圧 | 120 160 |
| 2009年 1月号 | 原子の「ムラ」検査技術 | 静岡大 | 日経産業新聞 (2008年10月2日PP.1) | Si内の原子の分布を検査 -260℃ 高密度の高集積回路開発への可能性 | 210 660 |
| 2009年 1月号 | 液晶テレビ用バックライトの消費電力2/3 | 多摩ファインオプト | 日経産業新聞 (2008年10月29日PP.1) | CCFL 32型でU字型3本 32型で消費電力39W 蓄熱性のある樹脂製シートで装置内温度を一定に保つ | 250 |
| 2008年12月号 | プロジェクタ用ランプ寿命5000時間 | 岩崎電気 | 日経産業新聞 (2008年9月22日PP.1) | 超高圧水銀ランプ 輝度1割向上 加熱などにより発光管内の不純物を抑制 HID | 350 |
| 2008年12月号 | プラスチック上にアルミで配線印刷 | 産総研 | 日経産業新聞 (2008年9月25日PP.11) | 印刷後に加圧しながら150℃以下で加熱 抵抗率5.6×10-4(上付)Ω・cm | 160 |
| 2008年11月号 | 単層CNT内に化合物ナノワイヤ合成 | 名大 高輝度光科学研究センター | 日刊工業新聞 (2008年8月1日PP.27) 日経産業新聞 (2008年8月1日PP.10) | 塩化エルビウム 直径2nmのCNT 石英管 7日間700℃で加熱 90%を超す収率 | 120 160 |
| 2008年11月号 | CNTで-261℃で超電導 | 青山学院大 | 読売新聞 (2008年8月10日PP.17) | 炭素原子100個に対してホウ素2～3個 基板上に薄く膜状に広げる マイスナー効果 | 120 160 |
| 2008年11月号 | 高配向CNTを簡単に合成できる技術 | 東京理科大 | 日刊工業新聞 (2008年8月22日PP.30) | ステンレス基板 約800℃に加熱 液相一段合成法 メタロセン 長さ数100μmまで合成可能 | 120 160 |
| 2008年11月号 | リアルタイム宇宙天気シミュレータ | 情通機構 | 日刊工業新聞 (2008年8月25日PP.19) | 磁気圏シミュレータに加え太陽・太陽風と電離圏・熱圏の二つのリアルタイムシミュレータを開発 | 620 660 |
| 2008年11月号 | 水素を安価に製造する触媒を開発 | 東大 | 日経産業新聞 (2008年8月25日PP.11) | DMEを原料とした触媒 350℃で反応 1000時間利用可能 FeOの表面に微小なCuが分散結合 | 120 |
| 2008年10月号 | 多結晶Siを低温で結晶化させる技術 | 山口大 | 日経産業新聞 (2008年7月7日PP.8) | 紫外線と可視光の波長を持つレーザ光 同時に5ns照射 100回繰り返し 温度250℃以下 多結晶Si材料 | 120 160 |
| 2008年10月号 | 単層CNTで超電導材料 | 青山学院大 東大 東工大 | 日経産業新聞 (2008年7月17日PP.11) | 金属触媒中に炭素とホウ素を混合 直径1nm 長さ1μm -261℃でマイスナー評価 1/100の確率で炭素がホウ素に置換 Bを添加した単層CNT | 120 |
| 2008年 9月号 | グラフェン薄膜をSi基板に作製 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2008年6月25日PP.22) 日経産業新聞 (2008年6月25日PP.11) | 厚さ80nmの炭化ケイ素の薄膜作製 熱処理 電子移動度数万cm2/Vs | 120 160 |
| 2008年 9月号 | 水素イオン電導1万倍に | 豊橋技科大 | 日経産業新聞 (2008年6月27日PP.11) | 硫酸水素セシウム リン・タングステン酸 100℃以上での性能維持可能 強い力でかき混ぜて原子結合に欠陥生成 | 250 160 |
| 2008年 8月号 | レーザ光で磁石になる新素材 | 東大 | 日経産業新聞 (2008年5月8日PP.11) | Co W ピリミジン -233℃で波長840nmの赤外線レーザをあてて磁石になる 532nmのレーザで磁石でなくなる | 120 230 |
| 2008年 8月号 | 磁場で電流変化する有機物質 | 東大 | 日経産業新聞 (2008年5月9日PP.10) 日刊工業新聞 (2008年5月9日PP.23) | 硫黄 セレン -253～-271℃に冷却 9Tの磁場で抵抗が70%以下 テトラチアフルバレン(TTF)に不対電子を持つ有機分子を結合 | 120 |
| 2008年 7月号 | 鉄系加圧で超電導 | 日大 東工大 | 日経産業新聞 (2008年4月24日PP.11) 日刊工業新聞 (2008年4月24日PP.30) | 4万気圧をかけ-230℃で超電導 転移温度-230.15℃ | 120 220 |
| 2008年 6月号 | 25Gbps伝送が可能な半導体レーザ | 日立 日本オプネクスト | 日経産業新聞 (2008年3月3日PP.9) | 波長1300nm 4つの波長を組合せれば100Gbps 伝送実験12kmに成功 0℃～85℃の間で安定動作 | 240 |
| 2008年 6月号 | 電子や熱を通しやすいナノ炭素の新構造体 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2008年3月3日PP.1) 日経産業新聞 (2008年3月5日PP.10) | CNT 窒化チタン コバルト CVD法 直径約10nm高さ約3μm 約50層に積層した厚さ18nmのグラフェン | 120 |
| 2008年 6月号 | 放熱性が3倍の半導体封止材用金属粒子 | 日立ハイテクノロジーズ | 日経産業新聞 (2008年3月14日PP.1) | 電磁波を吸収する機能 二酸化ケイ素 直径20μm 熱伝導率は1mあたり1.61W ヒートシンク | 120 |
| 2008年 6月号 | マルチフェロイック物質を弱い磁場で制御 | 東大 理研 JST | 日経産業新聞 (2008年3月21日PP.11) 日刊工業新聞 (2008年3月21日PP.25) | 強磁性 強誘電性 Y型六方晶フェライト -268℃で六方晶軸と垂直な面内に約300ガウスの磁場 強誘電分極の大きさや方向を自在に制御 | 120 |
| 2008年 5月号 | センサで行動分析を行う『ライフ顕微鏡』 | 日立 | 日経産業新聞 (2008年2月4日PP.1) | 腕時計型と名札型 温度センサと加速度センサ 無線通信機能 分析された行動パターンと本人の自己評価を比較 行動パターンの改善策を提示 赤外線通信によるID識別 人間関係の分析 | 620 |
| 2008年 5月号 | 新種の高温超電導体 | 東工大 | 日経産業新聞 (2008年2月19日PP.8) 日刊工業新聞 (2008年2月19日PP.22) | LaとO2が作る絶縁層とFeとAsが作る電導性の層を交互に積層させた層状化合物 酸素イオンの一部をフッ素イオンで置き換えると超電導 フッ素濃度11%で約-241℃で電気抵抗ゼロ | 120 160 220 |
| 2008年 5月号 | 光の吸収量が裏表で変化する新物質 | 東北大 | 日経産業新聞 (2008年2月25日PP.19) | メタホウ酸銅 -253℃以下に冷却 3/100Tの磁場をかけ 0.88μmの近赤外光を当てる 裏表で吸収量が3倍違う 方向二色性 | 240 120 |
| 2008年 4月号 | フラーレン薄膜状態で積層 | 東大 | 日刊工業新聞 (2008年1月16日PP.32) 日経産業新聞 (2008年1月16日PP.9) | 赤外線レーザで加熱・気化し堆積 数mm四方に直径1nm弱のフラーレンを10～20層堆積 連続光赤外線レーザ堆積法 | 120 160 |
| 2008年 1月号 | ZnO-TFT電子ペーパ表示技術 | 高知工科大 コニカミノルタテクノロジーセンター | 日刊工業新聞 (2007年10月26日PP.26) | 酸化亜鉛薄膜トランジスタ駆動 プロセス温度250℃ 64画素コレステリック液晶電子ペーパ表示 | 250 |
| 2007年11月号 | 界面活性分子を使用したナノ自立膜の新製法 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2007年8月6日PP.8) 日刊工業新聞 (2007年8月6日PP.17) | ドデシルホスホコリン シャボン膜 スパッタ法 電子ビーム蒸着法 熱蒸着法 厚さ1～100nm | 160 |
| 2007年10月号 | 線幅30nm以下の半導体量産向けナノインプリント技術用の石英ガラスモールド試作 | HOYA | 日経産業新聞 (2007年7月19日PP.1) | 位相シフトマスク作成原理を応用 回路パターンの材料であるCrやレジストの中身・厚さ・処理方法を最適化 型を熱硬化樹脂に押し付け紫外線で転写 | 160 |
| 2007年 9月号 | 低抵抗CNT縦穴配線材料 -次世代LSIにおけるCNT配線実現に一歩- | Selete | 日刊工業新聞 (2007年6月5日PP.1) | ビア配線材料 弾道伝導現象 CVD ビア高さ60nm 直径160nm 化学機械研磨(CMP) 22nm世代 450℃で化学気相成長 Cuより低抵抗 | 120 160 |
| 2007年 9月号 | 銅微粒子によるコンデンサ電極 | 東大 | 日経産業新聞 (2007年6月14日PP.13) | 銅微粒子に熱処理を施す 微細粒子を約百nmの大きさで均一に作製 | 120 |
| 2007年 8月号 | 刺激応答性有機発光材料 | 東大生研 | 電波新聞 (2007年5月2日PP.6) | 圧力で緑に変色 加熱で元の青色に戻る 水素結合とスタッキング相互作用を競合 | 120 210 250 660 |
| 2007年 8月号 | 超電導A/D変換器 -次世代通信の基地局の中核部品に- | 国際超電導産技研 日立 横浜国大 | 日刊工業新聞 (2007年5月3日PP.1) | アナログ信号の処理に超電導回路を利用 熱雑音を抑える変調器 周波数を4つに分配 18.6GHzでの動作で帯域10MHzのアナログ信号を14ビットのデジタル信号に変換 | 220 240 |
| 2007年 8月号 | 青色LEDを白色発光に変えるガラス素材 | 京大 | 日経産業新聞 (2007年5月21日PP.1) | 樹脂製に比べ光や熱で劣化しにくい 2cm角 厚さ0.5mm AlやCeの酸化物を溶けたガラスに混合 | 120 250 |
| 2007年 7月号 | 透明導電膜を粒子塗布で製作 | 東北大 DOWAエレクトロニクス | 日経産業新聞 (2007年4月4日PP.12) | InとSnイオン混合溶液を加熱してゲル状にする ITO 大きさ50～100nmの微粒子立方体 | 160 250 |
| 2007年 7月号 | 高品質多結晶Si薄膜を熱処理により5秒で作成技術 | 奈良先端大 松下電器 | 日刊工業新聞 (2007年4月6日PP.1) | フェリチン(鉄貯蔵タンパク質) 直径7nmのNiを触媒として内包 非晶質Si薄膜 650℃で熱処理 プラスチック基板上に高性能TFTを作成可能 | 160 250 |
| 2007年 6月号 | マイクロピラミッド構造を酸化亜鉛薄膜上に作製 | 大阪市大 | 日刊工業新聞 (2007年3月8日PP.26) | 高周波マグネトロンスパッタリング 650℃で20時間 膜厚2μm 一辺2μm 高さ2μm 発光効率数十倍増強 六角錘 アルゴンと酸素の希薄混合ガス | 260 160 250 |
| 2007年 6月号 | 圧力で色変化する有機発光材料 | 東大 | 日経産業新聞 (2007年3月15日PP.10) 日刊工業新聞 (2007年3月15日PP.22) | 圧力を加えた部分の色が青から青緑に変化 約120℃で加熱すると青色に戻る アミド置換テトラフェミルピレン誘導体 | 250 120 |
| 2007年 6月号 | バイオの力でSi薄膜 | 松下電器 奈良先端大 | 電波新聞 (2007年3月22日PP.1) | フェリチンタンパクをSi半導体上に吸着 紫外線処理 700℃程度の温度で5～6秒加熱 粒径10μm | 160 |
| 2007年 6月号 | LED封止用新材料 -封止時間1/50- | 日立化成 | 日経産業新聞 (2007年3月29日PP.1) | 加圧下で160℃に加熱すると数分で硬化 マス目状の型で数百個のLEDを一気に封止可能 複数の樹脂材料を組合わせて開発 110～-40℃まで温度変化しても劣化なし | 120 160 250 260 |
| 2007年 5月号 | 水など液体不要で高い安全性と携帯性がある固体メタノール燃料 | 栗田工業 | 日刊工業新聞 (2007年2月7日PP.11) | 固体状メタノール燃料 ダイレクトメタノール型燃料電池 DMFC 次世代燃料電池 引火点40℃以上 | 250 |
| 2007年 5月号 | 格子配列が整えられた窒化ガリウム基板 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2007年2月9日PP.28) | ZnO圧膜 窒化ガリウム圧膜を積層 900℃でアンモニアと塩化水素を吹きつけ | 160 250 |
| 2007年 4月号 | 青紫色レーザで次世代DVD書込み | 三洋電機 | 日経産業新聞 (2007年1月11日PP.1) | 2層で6倍速 4層記録可能 レーザ光の強さを200mW HD-DVD BD 70℃で1000時間以上安定動作 | 230 250 |
| 2007年 4月号 | 酸化亜鉛を用いた積層薄膜 -透明エレクトロニクスに道- | 東北大 | 日刊工業新聞 (2007年1月26日PP.33) 日経産業新聞 (2007年1月26日PP.10) | 量子ホール効果 温度傾斜法 電子密度1/10の16乗 移動度440cm2/Vs 酸化亜鉛マグネシウム(MgZnO) 膜厚0.6μm | 120 160 |
| 2007年 4月号 | HDDヘッド用光素子開発 | 富士通 富士通研 | 日経産業新聞 (2007年1月15日PP.19) | 照射部面積が縦88×横60nm 酸化タンタル 熱アシスト磁気記録ヘッド | 230 |
| 2007年 2月号 | 炭素のナノ粒子を簡単に作製 -Liイオン2次電池電極材料に使用- | 宮崎大 | 日経産業新聞 (2006年11月24日PP.10) | レゾルシノールとホルムアルデヒドを添加剤を加えて水溶液に入れて90℃で加熱 N2ガス中で約1000℃に加熱 | |
| 2007年 1月号 | HDD磁気ヘッド用積層型光素子 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2006年10月19日PP.25) | 熱アシスト磁気記録方式 波長の15%に相当する88nm×60nmの光ビーム径 Si材料を用いて光の透過層を積層 波長400nmの光で17%の光利用効率 | 120 230 |
| 2006年12月号 | 明るさ1.8倍のLED | 東芝 | 日経産業新聞 (2006年9月21日PP.11) | ナノサイズの微細な凹凸 自己組織化 ポリスチレン ポリメタクリル酸メチル 高分子塗布 200℃で加熱 150～200nm間隔に直径100nm高さ450～500nmの円柱状の突起 | 250 160 |
| 2006年11月号 | 電解質膜の寿命を4万時間にした燃料電池 | 旭化成ケミカルズ | 日本経済新聞 (2006年8月4日PP.13) | 固体高分子型 電解質膜の材料を改良 発熱や酸化による性能低下を克服 | 250 |
| 2006年 9月号 | 強度2倍層間絶縁膜 -50nm世代メモリー向け- | 日立 日立化成 | 日刊工業新聞 (2006年6月13日PP.27) | 塗布型 強固な分子構造 耐熱性800℃ 比誘電率2.4 薬品耐性向上 平坦性維持 | 160 |
| 2006年 8月号 | 単層CNTの新合成技術 -後処理不要 純度97%ー | 産総研 | 日刊工業新聞 (2006年5月12日PP.25) 日経産業新聞 (2006年5月12日PP.9) | 構造欠陥1/10以下 直噴熱分解合成法(DIPS法)を改良 量産性100倍 CNTの直径を0.1nm単位で制御可能 | 120 160 |
| 2006年 7月号 | 稀少金属を使わない透明電極材料 | 神奈川科学技術アカデミー(KAST) | 日経産業新聞 (2006年4月5日PP.9) | In TiO295%とNb5%を混合したセラミックス レーザ照射で蒸発させガラス上に薄膜 500℃に過熱し導電性向上 可視光透過率80% 抵抗率0.001Ω/cm3 | 120 250 |
| 2006年 7月号 | 液体でSiTFT | セイコーエプソン JSR | 朝日新聞 (2006年4月6日PP.3) 日刊工業新聞 (2006年4月6日PP.24) 日経産業新聞 (2006年4月7日PP.9) | HとSiを含む液体材料 回転塗布またはインクジェットで成膜 厚さ300nmのSi膜パターン シラン化合物 500℃前後で焼成 コスト半分 消費電力1/10程度 | 120 160 220 250 |
| 2006年 7月号 | 黒鉛基板上の銀ナノ粒子加熱で液化せず蒸発 | 阪大 | 日刊工業新聞 (2006年4月12日PP.29) | 透過型電子顕微鏡(TEM) 黒鉛基板を680℃で保持 約2分で消滅 ナノ粒子により融点が下がる | 160 |
| 2006年 6月号 | マルチモードファイバ(MMF) -10Gbps 300mの伝送に成功- | 富士通 東大 | 日刊工業新聞 (2006年3月3日PP.1) | 温度無依存の量子ドットレーザ(QDLD) 3Dのナノ構造に電子が閉じ込められて発光 冷却機・電流駆動制御不要 | 240 120 |
| 2006年 5月号 | テラヘルツ光用新型レーザ -コスト1/100- | 情通機構 東大 | 日経産業新聞 (2006年2月22日PP.1) | 透過撮影用光源 量子カスケードレーザ 縦3mm 幅500μm 厚さ10μm GaAs化合物半導体の多層膜構造 3.4THz 動作温度-220℃ | 120 160 250 |
| 2006年 4月号 | ペースト状ナノ粒子 -幅20μm配線可能に- | 大研化学工業 大阪市立工業研 | 日経産業新聞 (2006年1月1日PP.21) | AgとPdの合金ナノ粒子 直径5nm 樹脂と混ぜる スクリーン印刷 プラスチック基板に回路パターンを書く 加熱300℃で樹脂が分解 | 120 160 |
| 2006年 4月号 | 金属内包フラーレン1個でスイッチ動作 | 東工大 名大 | 電波新聞 (2006年1月5日PP.7) | 分子ナノデバイス 融合新興分野 Tb@C82 自己組織化分子膜 測定温度-260℃ | 120 160 660 |
| 2006年 4月号 | ZnOの量産用結晶 -LED基板などへの応用期待- | 東京電波 | 日経産業新聞 (2006年1月31日PP.9) | 3インチウェハ用結晶 約2万個の基板切り出し可能 サファイア基板の4倍近い明るさ サファイアの半額程度の価格 炉の中の最適温度・圧力を決定 | 120 160 250 |
| 2006年 3月号 | 16倍速の二層式DVD向け有機色素 | 富士写真フイルム | 日経産業新聞 (2005年12月14日PP.8) | C・O・Nなどを合成 オキソライフと呼ぶ色素を基に開発 インバーススタック法 データ保存100年以上 隣接トラックへの熱の干渉を低減 ピットを作りやすくする機能 | 120 160 230 |
| 2006年 3月号 | 5TB目指す3.5インチ型HDDの大容量化 | 米日立GST | 日経産業新聞 (2005年12月15日PP.10) | ディスク表面の磁性層を細切れにする レーザでディスク表面を熱してデータ書込み | 230 160 |
| 2006年 3月号 | 明るさ256倍の白色LED材料 | 出光興産 慶応大 | 日経産業新聞 (2005年12月15日PP.11) | 直径10nmの蛍光体粒子にして光の散乱を抑圧 YAG(Y3Al5O12)蛍光体 青色LEDからの光を吸収し白色光を出す 光の透過率80% 300℃の液体中で加圧合成 | 120 160 250 |
| 2006年 2月号 | 寿命2倍の青色有機EL | 出光 | 日経産業新聞 (2005年11月22日PP.3) | 23000時間 熱に強い分子構造 | 120 160 250 |
| 2006年 1月号 | ナタデココで新基板材 -曲がる有機EL- | パイオニア 京大 三菱化学 | 日経産業新聞 (2005年10月17日PP.21) | 厚さ1mm以下 ガラス並みの強度 熱膨張係数はSiの1/30 バイオナノファイバコンポジット 平行光線85%以上透過 繊維質 | 250 120 160 |
| 2006年 1月号 | 超高速メモリー基本素子 | 産総研 | 日経産業新聞 (2005年10月20日PP.12) | 磁気抵抗効果 LaとSrとMnからなる酸化物 絶対温度10℃で動作 磁場を加えると抵抗値が大きく低下 | 120 230 |
| 2005年12月号 | 無線識別(RFID)タグ -プラフィルムに印刷- | 産総研 | 日刊工業新聞 (2005年9月6日PP.25) | 金属インク 圧力アニール法 200℃以下で焼成 5～40MHzで動作 | 160 340 |
| 2005年11月号 | フラーレン分子ナノスイッチ
-SAMで向きを制御- | 東工大 名大 | 日刊工業新聞 (2005年8月2日PP.25) | Tb原子1個 電気的極性 双極子モーメント STM Au基板上に厚さ約1nmのSAMを堆積 -260℃ 分子スイッチ技術 | 120 160 220 |
| 2005年11月号 | 高温超電導体臨界電流163A | 住友電工 | 日刊工業新聞 (2005年8月12日PP.1) | -196℃ 100m級のBi系線材 加圧焼成酸素の注入条件を最適化 粉末を均一化 結晶粒の向きを揃える | 120 160 220 |
| 2005年11月号 | 発光の強さを熱制御できる有機化合物 | 東大 | 日経産業新聞 (2005年8月23日PP.7) | テルピリジン 発光強度に10倍の差 紫外線を当てると青色発光が板状と針状に変化し発光変化 熱で結晶構造可変 | 120 230 |
| 2005年10月号 | 自然光に近い色可能な白色LED | ルミナス | 日経産業新聞 (2005年7月14日PP.1) | 青色LEDの光を赤と緑に効率よく変換 色温度2500～10000Kまでの白色 | 250 160 |
| 2005年 9月号 | 新型ホログラム光ディスク | GE | 日経産業新聞 (2005年6月16日PP.1) | 理論容量5TB 熱可塑性プラスチック 射出成型 一層構造 | 230 120 160 |
| 2005年 7月号 | 空中に絵 文字 | バートン 慶応大 | 読売新聞 (2005年4月4日PP.22) | レーザ光線を照射 空気分子を急加熱発光 10ヶ所/0.1秒 | 250 450 |
| 2005年 4月号 | CNCの量産技術 -合成速度が15倍に 燃料電池電極に応用- | 豊橋技科大 | 日刊工業新聞 (2005年1月10日PP.1) | 触媒を載せた基板を電気炉に自動で連続投入 温度650～800℃ FeとSnの混合触媒 直径200～700nm 長さ1～150μmの螺旋形状のCNCを2g/hr生産 | 120 250 |
| 2005年 4月号 | 待機電流1/20のDDR型DRAM | エルピーダメモリ | 日経産業新聞 (2005年1月17日PP.5) | DRAM内部にエラー訂正回路で電荷補充間隔延ばす 400Mbps製品の消費電流が25℃下で0.04mA | 230 |
| 2005年 4月号 | 窒化ケイ素セラミックスに導電性 -CNTを添加 強度や靭性保持- | 横浜国大 | 日刊工業新聞 (2005年1月18日PP.1) | AlN TiO2(下付) 百数十度低い焼成温度 1mあたり3～500シーメンスの導電性 耐摩耗性も向上 | 120 |
| 2005年 4月号 | 固体酸化物型燃料電池用複合材 -発電性能2倍に向上- | ホソカワ粉体技研 | 日経産業新聞 (2005年1月19日PP.1) | 金属粒子を均一に分布させ粒子間にスペース 1平方㎝あたりの発電能力0.8W 700℃で発電可能な複合粒子 SOFC | 120 250 |
| 2005年 4月号 | 強度ダイヤモンド並みの導電性炭素皮膜 -ハードディスク保護膜向け- | NTTアフティ | 日経産業新聞 (2005年1月27日PP.9) | 厚み約40nm 直径2～3nmの筒状炭素分子が林立 1000℃までの耐熱性 | 230 120 |
| 2005年 4月号 | 青色レーザ発光効率2倍 -省電力・長寿命化に寄与- | NTT | 日経産業新聞 (2005年1月28日PP.1) | 室温で71%の発光効率 下地層を800℃で形成後に同じ800℃を保ちながらInを加え発光層形成 | 160 250 |
| 2005年 3月号 | 溶液中で性質を測定できるICタグ | 日立 | 日経産業新聞 (2004年12月6日PP.8) | 通信可能距離1～7.5cm 温度センサ -30～120℃の範囲で0.5℃精度 pH4～9まで対応 | 210 320 340 |
| 2005年 3月号 | 単層カーボンナノチューブ内に室温・大気圧で氷形成 | 産総研 都立大 | 日刊工業新聞 (2004年12月21日PP.21) | 平均直径1.17のCNT 先端や側面に微小な穴を開けた後水蒸気にさらす 室温27℃で5角形のチューブ状の氷 | 120 160 |
| 2005年 2月号 | 放電量2割増しの電極材料 -リチウム電池用- | JFEミネラル | 日経産業新聞 (2004年11月24日PP.17) | 直径10μm～12μmのLiNiO2粉末 NiやLiに微量のBaやSrを混ぜて焼成 低い酸素発生量 低い温度上昇率 | 250 |
| 2005年 2月号 | マリモのようなナノ炭素材料 -航空機や燃料電池向け- | 物材機構 | 日刊工業新聞 (2004年11月24日PP.1) | 直径1μm～10μm ダイヤモンド核の直径は10nm～100nm 酸化ダイヤモンドを触媒単体 Fe Ni 500℃～700℃のCVD マリモカーボン | 120 |
| 2005年 1月号 | 青紫色半導体レーザ -室温連続発振300mW- | NEC | 日刊工業新聞 (2004年10月5日PP.1) | LD 405nm波長 室温～80℃で動作 活性層の上のp型層にAlNを埋め込んだ | 250 |
| 2005年 1月号 | 通信用レーザ1種類で全波長対応 | NEC | 日経産業新聞 (2004年10月4日PP.8) | WDM ブロードバンド向け 温度を変えるとさまざまな波長 ヒーターで制御 大きさ4mm台 | 240 |
| 2005年 1月号 | CNTをポリマーブレンド法で量産 -紡糸装置製作し実現- | 群馬大 | 日刊工業新聞 (2004年10月22日PP.22) | 炭素前駆体ポリマーと熱分解消失性ポリマーを混合した「三層コアシェル構造」粒子 溶融紡糸工程 遠心紡糸装置 | 120 160 |
| 2005年 1月号 | 色素増感太陽電池 -蓄電機能もたせ実用化へ- | ペクセル・テクノロジーズ | 神奈川新聞 (2004年10月28日PP.9) | 光合成の原理を応用 軽量で折り曲げ可能 150℃程度で融合する半導体膜 | 250 |
| 2004年12月号 | 次世代DRAM向け65nm対応キャパシタ -Nbで高性能化- | 日立 エルピーダメモリ | 日経産業新聞 (2004年9月16日PP.8) | Nb2O5とTaを積層 結晶化温度500℃ | 230 |
| 2004年11月号 | 多層CNT -280℃で低温合成- | 日本工大 | 日刊工業新聞 (2004年8月30日PP.25) | 熱フィラメント・化学気相成長(CVD)法 280℃に加熱した金属触媒 低コスト | 120 |
| 2004年11月号 | 絶縁層薄膜の印刷技術 -印刷でICカード・タグを作製可能- | 産総研 日立 | 朝日新聞 (2004年8月31日PP.2) | Siの酸化物をプラスチックに100℃以下で印刷 | 220 160 |
| 2004年11月号 | 屈折率2超える光学ガラス -モールドプレスで低コスト量産- | 住田光学ガラス | 日刊工業新聞 (2004年8月31日PP.1) | アッベ数(逆分散率)20.6 転移温度496℃ 比重5.48 高い化学的耐久性 光学機器の軽薄短小化 屈折率2.00170 | 310 |
| 2004年10月号 | CNT2芯構造を合成 -4年ぶり新タイプ- | 信州大 | 日経産業新聞 (2004年7月29日PP.8) | nmレベルの電気制御 2本のCNTを2 | 100℃に加熱し 外層だけをつなぎ合わせ Bi-cable 120 160 |
| 2004年 9月号 | 半導体を蒸気洗浄 | アクアサイエンス | 日経産業新聞 (2004年6月4日PP.1) | 純水を約120～150℃で蒸気にし吹き付ける 1～2分/枚で感光剤やポリマーを剥離 | 160 |
| 2004年 9月号 | 65nm半導体絶縁膜技術 | 富士通 | 日経産業新聞 (2004年6月17日PP.7) | 絶縁膜のひずみを利用 成膜の温度や時間を細かく制御 導電率15%改善 | 160 220 |
| 2004年 9月号 | デジカメ・携帯向け電子基板材料 -耐熱5倍ポリイミド代替- | 京セラケミカル | 日経産業新聞 (2004年6月24日PP.1) | 折り曲げ可能な電子基板材料 ガラス繊維 不繊布 エポキシ樹脂 積層板 | 160 |
| 2004年 8月号 | 160Gbps光通信技術 図使用 | NTT | 日経産業新聞 (2004年5月18日PP.1) | 光信号のまま波長強度の低下や歪みを検出修正 精度を200倍に ファイバ温度5～45℃で信号誤りほとんどなし 80㎞の伝送実験 | 340 440 |
| 2004年 7月号 | スピンメモリー -電流のみで磁化反転- | 東北大 | 日経産業新聞 (2004年4月1日PP.9) 日刊工業新聞 (2004年4月1日PP.29) | 強磁性半導体 MRAM 従来より2～3桁少ない電流 Ga・AsにMn添加 -193℃ | 120 230 |
| 2004年 7月号 | 単電子メモリーの新型素子 -1個の記憶容量5倍- 図使用 | NTT | 日経産業新聞 (2004年4月26日PP.9) | 単電子転送メモリー 配線幅35nm 動作温度-247℃ | 160 230 |
| 2004年 5月号 | 0.1ppm高周波水晶発信子 | 日幸電産 | 日刊工業新聞 (2004年2月24日PP.1) | 100MHz帯域で0.1ppmの周波数安定度 加熱炉に工夫 | 250 |
| 2004年 3月号 | アンクールドDFBレーザ -10Gbps直接変調- | 三菱電機 | 電波新聞 (2003年12月16日PP.1) 日刊工業新聞 (2003年12月17日PP.13) | 120℃以上の高温動作 AlGaInAs活性層 | 240 |
| 2004年 2月号 | 高温超電導薄膜作製技術 -無線通信電波振り分け- | NTT物性科学基礎研 | 日経産業新聞 (2003年11月5日PP.10) | 薄膜材料の組成を厳密に制御 Nd | Ba Cuの酸化物 -178℃超電導フィルタ 160 220 |
| 2004年 2月号 | 65nmLSI向け絶縁膜 -量産技術確立- | Selete 東京エレクトロン | 日経産業新聞 (2003年11月6日PP.1) | 高誘電率絶縁膜 ハイK テルフォーミュラ 熱処理計2時間 | 160 |
| 2004年 1月号 | ブラシ状CNT -長さと太さを制御- | 日立造船 大阪府立大 | 日刊工業新聞 (2003年10月24日PP.1) | CVD工程 710℃で長さ50μml・直径15nmφ 740℃で長さ30μml・直径20nmφ | 160 |
| 2003年12月号 | ナノチューブで超電導現象確認 -量子計算機開発に道- | 青山学院大 NTT研 科学技術振興事業団 | 日経産業新聞 (2003年9月5日PP.7) | Alの上に微細な穴のアルミナの穴の中に0.8μmのCNT NbとAlの電極間にCNT -272.4℃で超電導 | 120 160 |
| 2003年12月号 | 磁気記録用5nm径の白金鉄粉 | 同和鉱業 東北大 | 日経産業新聞 (2003年9月29日PP.7) | 高分子のアルコール中で化学反応 加熱工程不要 PtFe | 130 120 |
| 2003年11月号 | LSI配線用カーボンナノチューブ -触媒微粒子で直径制御- | 富士通 | 日経産業新聞 (2003年8月7日PP.5) | 直径4nmのFe Pt触媒を使用 直径3～10nmのCNTが林立 作成時基板温度600℃以下 | 120 160 |
| 2003年11月号 | カーボンナノチューブを長く高密度に生成 | 阪大 高知工科大 | 日経産業新聞 (2003年8月21日PP.1) | 熱CVDとプラズマCVDを組合せる 10億本/cm2で長さ50～100μm | 160 120 |
| 2003年11月号 | 光ファイバ先端にカーボンナノチューブを合成 -超高速通信に道- | 東大 | 日経産業新聞 (2003年8月28日PP.9) | アルコール原料の単層カーボンナノチューブ 650℃で合成 厚み約100nm 光通信の異常信号除去フィルタ | 140 160 240 |
| 2003年11月号 | 次世代半導体用絶縁膜 -溶液中で作製- | 理化学研 | 日経産業新聞 (2003年8月21日PP.7) | Hfを含む溶液 400℃加熱 絶縁膜10～15nm | 160 |
| 2003年11月号 | 高温超電導現象のしくみを発見 -電子の量子的な「ゆらぎ」で発生- | 電力中研 米ロスアラモス国立研究所 | 日刊工業新聞 (2003年8月21日PP.5) | 単層Bi系銅酸化物(-138℃)で発見 | 660 |
| 2003年11月号 | 光導波路型波長フィルタ -波長可変幅10倍に- | 横浜国大 | 日刊工業新聞 (2003年8月27日PP.5) | 波長可変幅約10nm 熱光学(TO)効果のポリイミド製の積層微小リング共振器 アド・ドロップフィルタ マイクロヒータで温度可変 | 240 |
| 2003年11月号 | 200GB級光ディスク -記憶容量10倍に- | 産総研 サムスン電子 | 日経産業新聞 (2003年8月29日PP.9) 日刊工業新聞 (2003年8月29日PP.5) 日本経済新聞 (2003年8月29日PP.17) | 青色DVDの10倍 Tb Fe Co SiO2 ZnS 熱で薄膜が山形に盛り上がり記録 50nmの山が100nmの間隔 熱体積変化膜 記録技術のみ開発 | 160 230 |
| 2003年10月号 | 電力変換素子 -発熱1/10 効率3%高く- | 日立 | 日経産業新聞 (2003年7月22日PP.8) | 電力変換素子 シリコンカーバイド製 変換率93%に向上 | 220 |
| 2003年10月号 | CNTを低温合成技術 -FEDを安価に- | 三菱電機 大阪府立大 | 日経産業新聞 (2003年7月22日PP.8) | 500℃で合成 ガラス基板使用可 直径数十nmの微粒子状鉄合金 | 120 160 |
| 2003年 8月号 | 電気二重層キャパシタ用新電極材 | フロンティアカーボン 関西熱化学 | 日本経済新聞 (2003年5月30日PP.1) | フラーレン混合電極材料 大電流での充放電可 電池の長寿命化 携帯型電子機器用 | 250 |
| 2007年 2月号 | 炭素のナノ粒子を簡単に作製 -Liイオン2次電池電極材料に使用- | 宮崎大 | 日経産業新聞 (2006年11月24日PP.10) | レゾルシノールとホルムアルデヒドを添加剤を加えて水溶液に入れて90℃で加熱 N2ガス中で約1000℃に加熱 | |
| 2007年 1月号 | HDD磁気ヘッド用積層型光素子 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2006年10月19日PP.25) | 熱アシスト磁気記録方式 波長の15%に相当する88nm×60nmの光ビーム径 Si材料を用いて光の透過層を積層 波長400nmの光で17%の光利用効率 | 120 230 |
| 2006年12月号 | 明るさ1.8倍のLED | 東芝 | 日経産業新聞 (2006年9月21日PP.11) | ナノサイズの微細な凹凸 自己組織化 ポリスチレン ポリメタクリル酸メチル 高分子塗布 200℃で加熱 150～200nm間隔に直径100nm高さ450～500nmの円柱状の突起 | 250 160 |
| 2006年11月号 | 電解質膜の寿命を4万時間にした燃料電池 | 旭化成ケミカルズ | 日本経済新聞 (2006年8月4日PP.13) | 固体高分子型 電解質膜の材料を改良 発熱や酸化による性能低下を克服 | 250 |
| 2006年 9月号 | 強度2倍層間絶縁膜 -50nm世代メモリー向け- | 日立 日立化成 | 日刊工業新聞 (2006年6月13日PP.27) | 塗布型 強固な分子構造 耐熱性800℃ 比誘電率2.4 薬品耐性向上 平坦性維持 | 160 |
| 2006年 8月号 | 単層CNTの新合成技術 -後処理不要 純度97%ー | 産総研 | 日刊工業新聞 (2006年5月12日PP.25) 日経産業新聞 (2006年5月12日PP.9) | 構造欠陥1/10以下 直噴熱分解合成法(DIPS法)を改良 量産性100倍 CNTの直径を0.1nm単位で制御可能 | 120 160 |
| 2006年 7月号 | 稀少金属を使わない透明電極材料 | 神奈川科学技術アカデミー(KAST) | 日経産業新聞 (2006年4月5日PP.9) | In TiO295%とNb5%を混合したセラミックス レーザ照射で蒸発させガラス上に薄膜 500℃に過熱し導電性向上 可視光透過率80% 抵抗率0.001Ω/cm3 | 120 250 |
| 2006年 7月号 | 液体でSiTFT | セイコーエプソン JSR | 朝日新聞 (2006年4月6日PP.3) 日刊工業新聞 (2006年4月6日PP.24) 日経産業新聞 (2006年4月7日PP.9) | HとSiを含む液体材料 回転塗布またはインクジェットで成膜 厚さ300nmのSi膜パターン シラン化合物 500℃前後で焼成 コスト半分 消費電力1/10程度 | 120 160 220 250 |
| 2006年 7月号 | 黒鉛基板上の銀ナノ粒子加熱で液化せず蒸発 | 阪大 | 日刊工業新聞 (2006年4月12日PP.29) | 透過型電子顕微鏡(TEM) 黒鉛基板を680℃で保持 約2分で消滅 ナノ粒子により融点が下がる | 160 |
| 2006年 6月号 | マルチモードファイバ(MMF) -10Gbps 300mの伝送に成功- | 富士通 東大 | 日刊工業新聞 (2006年3月3日PP.1) | 温度無依存の量子ドットレーザ(QDLD) 3Dのナノ構造に電子が閉じ込められて発光 冷却機・電流駆動制御不要 | 240 120 |
| 2006年 5月号 | テラヘルツ光用新型レーザ -コスト1/100- | 情通機構 東大 | 日経産業新聞 (2006年2月22日PP.1) | 透過撮影用光源 量子カスケードレーザ 縦3mm 幅500μm 厚さ10μm GaAs化合物半導体の多層膜構造 3.4THz 動作温度-220℃ | 120 160 250 |
| 2006年 4月号 | ペースト状ナノ粒子 -幅20μm配線可能に- | 大研化学工業 大阪市立工業研 | 日経産業新聞 (2006年1月1日PP.21) | AgとPdの合金ナノ粒子 直径5nm 樹脂と混ぜる スクリーン印刷 プラスチック基板に回路パターンを書く 加熱300℃で樹脂が分解 | 120 160 |
| 2006年 4月号 | 金属内包フラーレン1個でスイッチ動作 | 東工大 名大 | 電波新聞 (2006年1月5日PP.7) | 分子ナノデバイス 融合新興分野 Tb@C82 自己組織化分子膜 測定温度-260℃ | 120 160 660 |
| 2006年 4月号 | ZnOの量産用結晶 -LED基板などへの応用期待- | 東京電波 | 日経産業新聞 (2006年1月31日PP.9) | 3インチウェハ用結晶 約2万個の基板切り出し可能 サファイア基板の4倍近い明るさ サファイアの半額程度の価格 炉の中の最適温度・圧力を決定 | 120 160 250 |
| 2003年 5月号 | 快・不快の感情を認識する技術 | 青山学院大 | 日刊工業新聞 (2003年2月21日PP.5) | 鼻の周辺温度を観測 赤外線センサ ニューラルネットワーク | 620 660 |
| 2003年 5月号 | 有機EL使用の面発光素材製造技術 | トッキ 山形大 松下電工 | 日本経済新聞 (2003年2月25日PP.16) | 低コスト製造技術 蒸着炉の内壁を300℃に加熱 材料の70～80%を有効利 | 160 660 |
| 2003年 4月号 | 液状セラミックを塗布した新型放熱器 -放熱効率20倍に- | 沖電気 セﾗミション | 日経産業新聞 (2003年1月20日PP.1) | ヒートシンク 液状セラミック 放熱効率 熱を遠赤外線に変換 | 260 |
| 2003年 3月号 | 次々世代LSI用金属成膜技術 | 三菱重工 | 日刊工業新聞 (2002年12月16日PP.11) | 45nmプロセス用 MCR-CVD 塩素ガス利用 200～300℃で製膜可 | 160 |
| 2003年 1月号 | 電力1/100のレーザ -速度100倍 光通信などに応用- | 科学技術振興事業団 量子もつれプロジェクト | 日経産業新聞 (2002年10月7日PP.10) | エキシトンレーザ ボーズ・アインシュタイン凝縮 -269℃ | 240 250 |
| 2003年 1月号 | フェライト直接めっき | 東工大 東北大 NECトーキン | 日経産業新聞 (2002年10月9日PP.3) | 従来の60倍のノイズ除去効果 厚さ3μm 90℃以下でめっき加工 | 260 |
| 2002年12月号 | 10Gbps動作の発光・受光素子 | 日立 | 電波新聞 (2002年9月6日PP.2) | 85℃ 5000時間越す安定動作 InGaAlAs埋込みヘテロ型半導体レーザ InAlAsメサ型アバランシェフォトダイオード | 210 240 250 |
| 2002年12月号 | 温度変化で伸縮速い新型高分子 | 横浜国大 | 日経産業新聞 (2002年9月10日PP.8) | 光スイッチ アクリルアミド系 | 240 |
| 2002年12月号 | カーボンナノチューブの特性解明へ研究会設立 | 信州大 名大 NEC 他 | 日本経済新聞 (2002年9月16日PP.19) | 地球シミュレータ 研究会設立 熱電導解析 | 120 620 |
| 2002年11月号 | CPU30%高速化 -銅配線の結晶大きく- | 京大 | 日経産業新聞 (2002年8月14日PP.1) | 銅配線の結晶構造を変化させる 250～300℃で数時間加熱 電子の結晶境界面衝突の低減 結晶サイズ10倍で電気抵抗が半減 | 160 |
| 2002年11月号 | 低温で液晶用酸化膜作成技術 | 産総研 明電舎 | 日経産業新聞 (2002年8月30日PP.11) | 高精細液晶表示板 フラッシュメモリー生産の基盤技術 温度400℃ 赤外線ランプ オゾン | 160 |
| 2002年10月号 | 摩擦熱で発生するマイクロプラズマ | 産総研 | 日刊工業新聞 (2002年7月31日PP.5) | マイクロプラズマの全体像を撮影 直径100μm強の彗星形状 | 660 |
| 2002年 9月号 | 形状記憶ポリマー製ネジ -加熱するとネジ山消える- | 三菱重工 | 日本工業新聞 (2002年6月27日PP.14) | 家電リサイクル 家電製品解体 形状記憶ポリマー | 130 660 |
| 2002年 8月号 | 磁気ヘッド用耐熱材料 | 松下電器 | 日本経済新聞 (2002年5月10日PP.17) | 耐熱温度400℃ NiCoFeの混合薄膜 2nm厚のPtをはさむ | 210 |
| 2002年 8月号 | 指紋認証機能付き携帯情報端末(PDA) | シチズン | 日経産業新聞 (2002年5月28日PP.1) | 1.4cm×1.7mmの温度検知センサ 業務用PDA | 210 320 |
| 2002年 6月号 | シリコン系素材で共鳴トンネル効果 | 静岡大 | 日刊工業新聞 (2002年3月4日PP.8) | 光デバイスとの一体化回路の微細化に有効 -258℃～-173℃で電流ピークを確認厚さ2mm | 120 220 |
| 2002年 6月号 | 単電子素子を用いた多値動作メモリー | NEC | 日刊工業新聞 (2002年3月5日PP.1) | 単電子素子11値の多値メモリー SET -269℃での動作確認 二重ゲート構造 | 230 |
| 2002年 6月号 | 新超電導磁石 | 日立 材料研究機構 | 日本経済新聞・夕刊 (2002年3月22日PP.3) 日本経済新聞 (2002年3月29日PP.19) | MgB2 12mのテープ状線材 1300ガウス@-270℃ | 120 |
| 2002年 4月号 | 携帯機器向け熱料電池 -パソコン駆動連続10時間- | 東芝 日立 | 日本経済新聞 (2002年1月20日PP.1) | メタノール燃料電池 最大出力8W40H/10ml 500g 25mm×127mm×105mm | 250 |
| 2002年 3月号 | 熱を伝えるプラスチック 一行紹介 | 日立 | 日本経済新聞 (2001年12月28日PP.13) | 熱電導率従来の5倍 エポキシ樹脂 基本的に並びやすい構造の分子 | 160 260 |
| 2002年 1月号 | 炭素だけで磁石 | ヨッフェ物理技術研究所 | 日本経済新聞 (2001年10月22日PP.25) | フラーレン 700-900℃ 6万気圧で高分子化 | 120 |
| 2001年12月号 | 次世代光ディスク加工技術 -DVDの容量20倍に 赤色半導体レーザ利用- | シャープ 産総研 TDK | 日経産業新聞 (2001年9月11日PP.13) | 原盤加工 吸光発熱薄膜 熱疑固薄膜 幅100nmの線 直径80nmの突起 | 230 160 |
| 2001年12月号 | 1.3μm帯面発光レーザ | NEC | 日刊工業新聞 (2001年9月14日PP.6) | GaAsSb(ガリウム砒素アンチモン)70℃まで連続振発言 | 240 |
| 2001年11月号 | 形状記憶合金製ビス -ネジ取り外し熱で簡単- | シャープ トーキン | 日経産業新聞 (2001年8月14日PP.1) | 形状記憶合金 | 160 260 |
| 2001年11月号 | 低温で基盤形成技術 カーボンナノチューブ | 豊橋技科大 | 日経産業新聞 (2001年8月16日PP.7) | 50℃で基板を加熱 真空中のアーク放電利用 30Vで 50～100Aの放電 太さ数10nm 長さ1μm | 160 120 |
| 2001年10月号 | 低温p-Si技術-ガラス基板に超高速回路- | 富士通 | 日刊工業新聞 (2001年7月13日PP.1) | 粒界3×20μm､ガラス基板 Si2バッファ層 半導体レーザ励起固体レーザによる結晶化 低温p-Si技術 プロセス温度450℃以下 移動度500cm2/V・s | 160 220 250 |
| 2001年 8月号,9月号 | 新超電導物質ワイヤに加工 | 文部科学省材料研究所 | 日本経済新聞 (2001年6月15日PP.17) | MgB2金属管に詰め圧縮 臨界電流密度50kA/cm2 臨界温度39K | 120 |
| 2001年 7月号 | 半導体チップ多段積層技術 | 東芝 | 日本経済新聞 (2001年5月4日PP.11) | 放熱ギャップ チップonチップ | 230 260 |
| 2001年 7月号 | 光の方向変えるスイッチ | NTT | 日本経済新聞 (2001年5月25日PP.17) | 16入力 16出力 最大4Tbps 熱制御 | 240 |
| 2001年 6月号 | 1テラビット級HDD媒体 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2001年4月5日PP.1) | FePt規則合金 Cuを添加 300℃以下の熱処理 4～5Kエルステッド HDD 記録容量1Tb級 Co Cu 白金合金 | 230 130 |
| 2001年 6月号 | 類似画像の検索システム | NTTデータ | 日経産業新聞 (2001年4月16日PP.11) | 被写体の色・形・模様 輪郭抽出 熱拡散利用 | 520 620 |
| 2001年 6月号 | 球面半導体の活用加速 | 山武 凸版印刷 米ボールセミコンダクタ | 日経産業新聞 (2001年4月17日PP.1) | 無線温度センサ 表面弾性波素子 直径1mmの球状Si -55～125℃ | 210 240 |
| 2001年 6月号 | 強誘電体メモリー材料 | 東工大 東大 | 日刊工業新聞 (2001年4月18日PP.5) 日刊工業新聞 (2001年4月26日PP.6) | FeRAM SBT 570℃でエピタキシャル成長 BLT 540℃でエピタキシャル成長 | 130 230 |
| 2001年 6月号 | リフロー対応マンガンリチウム2次電池 -260℃の高温に耐える- | 松下電池 | 電波新聞 (2001年4月25日PP.2) | マンガンリチウム2次電池 鉛フリーハンダ対応 リフロー | 250 |
| 2001年 5月号 | 高分子で超電導実現 | 米ルーセントテクノロジーズ社ベル研 | 日経産業新聞 (2001年3月8日PP.11) | 臨界温度2.35K ポリチオフェンFET ホール対 | 120 220 |
| 2001年 4月号 | 金属の高温超電導 -臨界温度 一挙2倍に- | 青山学院大 | 電波新聞 (2001年2月27日PP.2) | 二ホウ化マグネシウム 39K | 120 |
| 2001年 3月号 | カーボンナノコイル作成 -ディスプレイなどへ応用- | 大阪府立大 豊橋技科大 | 日経産業新聞 (2001年1月23日PP.10) | カーボンナノコイル 太さ数十nm カーボンナノチューブ 有機分子の高温ガス 反応温度650～800℃ 直径数10nm マイクロマシン用ばね | 150 120 260 |
| 2001年 3月号 | 新有機分子 -単一分子に導電性- | 東大 | 日経産業新聞 (2001年1月16日PP.7) | CとSiからなる分子 大きさ2nm 常温～ -273℃で導電性 | 120 |
| 2001年 2月号 | 永久磁石の磁性を電圧で制御 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2000年12月21日PP.6) 日経産業新聞 (2000年12月21日PP.7) | -250℃で動作確認 磁性半導体InMnAs 材料の磁気の向きを制御 | 120 |
| 2001年 2月号 | フラーレンで表面温度測定 | 航空宇宙研 東工大 | 日刊工業新聞 (2000年12月20日PP.7) 日経産業新聞 (2000年12月20日PP.13) | 炭素原子 フラーレン C60 厚さ20μmの膜 キセノンランプで光照射 -10℃～100℃を測定 | 210 660 330 |
| 2001年 2月号 | トランジスタ製造コスト半減 | 東芝 日本真空技術 | 日経産業新聞 (2000年12月15日PP.1) | イオン注入装置 露光工程不要 マスク強度耐熱性向上 | 160 |
| 2000年10月号 | 固体高分子形燃料電池用の高伝導性電極膜 | 武蔵工大 | 日刊工業新聞 (2000年8月30日PP.23) | 電極膜 固体高分子形燃料電池 120～130℃の耐熱性 | 250 |
| 2000年 9月号 | 3次元フォトニック結晶 -光通信帯で完全特性- | 京大 電総研 | 日刊工業新聞 (2000年7月21日PP.5) | 3次元フォトニック結晶 40dB以上の光禁止帯効果 90℃曲がり導波路 低温融着 | 240 |
| 2000年 9月号 | 光で誘電率変化する結晶 | 東工大 神奈川科学技術アカデミー | 日経産業新聞 (2000年7月4日PP.13) | テトラチアフルバレン分子 クロラニル分子 光で結晶構造変化 -170℃で動作 | 120 |
| 2000年 9月号 | 薄形液晶電子ペーパー | 東海大 大日本印刷 | 日経産業新聞 (2000年7月6日PP.1) | 薄い液晶を使った電子ペーパー PET樹脂 染料 液晶分子 60℃で消去 | 250 |
| 2000年 7月号 | 放射光で半導体微細加工 | 岡崎分子研 | 日経産業新聞 (2000年5月1日PP.4) | 自己組織化 加工温度50℃ SI基板の表面に酸化膜 | 160 |
| 2000年 6月号 | 熱方式で56Gb/in2を記録する新媒体 | 富士通 | 日経産業新聞 (2000年4月7日PP.5) | 56Gb/in2 安定化層 | 230 130 |
| 2000年 5月号 | 16MbのFeRAM -強誘電体を低温で加工- | 松下電子 | 日経産業新聞 (2000年3月6日PP.1) | FeRAM 16Mb 積層形 強誘電体メモリー 低温で加工 650℃で結晶膜生成 | 230 |
| 2000年 3月号 | 窒化ガリウム系HEMT -室温から350℃安定に動作- | 名工大 | 日刊工業新聞 (2000年1月7日PP.6) | GaN系HEMT 146mS/mm ゲート長2.1μm 電子移動度740cm2/Vs リセス構造 MOCVD法 | 220 |
| 2000年 2月号 | 高純度Si単結晶 | 慶大 クルチャトフ研 | 日本経済新聞 (1999年12月20日PP.19) | 原子量28 Si 純度99.92% ハロゲンランプ加熱 遠心分離器 熱伝導度1.6倍 | 120 |
| 2000年 2月号 | 単電子トランジスタの論理回路 -消費電力10万分の1- | NTT | 日経産業新聞 (1999年12月10日PP.5) 日刊工業新聞 (1999年12月10日PP.7) 電波タイムズ (1999年12月17日PP.1) | 単一電子トランジスタ(SET) 論理回路 パターン依存酸化法 V-PADOX法 超低消費電力 1/100,000 Si熱酸化手法 インバータ回路 低温動作:-243℃ | 220 160 |
| 1999年11月号 | Si微結晶発光素子-発光均一化と強度10倍- | 東工大 | 日刊工業新聞 (1999年9月27日PP.15) | 発光強度10倍 単結晶フッ化カルリウム 瞬間熱処理(RTA) Si発光素子 Si微結晶 | 250 150 160 |
| 1999年 9月号 | 耐熱追記形光ディスク | NHK | 日本工業新聞 (1999年7月27日PP.1) | 600℃ 3倍高密度 酸化膜 ガーネット膜 追記・書換え併用ディスク | 230 |
| 1999年 6月号 | 電界効果トランジスタ - 400℃で安定動作 - | NTT | 日経産業新聞 (1999年4月23日PP.5) | FET GaN ヘテロ接合 | 220 |
| 1999年 3月号 | 貫通型ノイズフィルタ -1GHz以上の帯域に対応- | EMC TDK | 日刊工業新聞 (1999年1月14日PP.7) | GHz帯対応貫通型ノイズフィルタ 鉄系磁性材料 熱可塑性樹脂 | 220 |
| 1999年 1月号 | 1.55μm半導体レーザ -25℃～85℃まで温度変化- | 東工大 | 電波新聞 (1998年11月3日PP.5) | 閾値電流 1.6倍 波長1.55μm帯 | 250 |
| 1998年12月号 | 半導体レーザ -温度調節器不要に- | 東工大 | 日経産業新聞 (1998年10月20日PP.5) | 半導体レーザ 光通信 歪み量子井戸構造 温度調節器不要 | 250 |
| 1998年10月号 | サブミクロンサイズのジョセフソン素子 -高温超電導単結晶を採用- | 東北大 | 日経産業新聞 (1998年8月21日PP.5) 電波新聞 (1998年8月21日PP.2) | 超電導素子 ジョセフソン素子 単一電子の制御 素子の微細化 超電導 FIB加工技術 BiSrKCu酸化物 面積1μmで単電子 トンネル効果 液体ヘリウム温度動作 | 120 220 |
| 1998年 6月号 | DVD用半導体レーザ | NEC | 日経産業新聞 (1998年4月17日PP.5) | 低消費電力 高温動作 5mW出力 波長650nm 共振器長を350μmに短縮 磁界電流70mA 最高動作温度100℃ | 250 330 |
| 1998年 6月号 | 次世代メモリー -FeRAM高速化- | ローム | 日経産業新聞 (1998年4月16日PP.1) | FeRAM 高速化 低消費電力化 製造技術 PZT成膜温度を550℃に低温化 トランジスタ線幅0.18μm可能に | 230 160 |
| 1998年 5月号 | 超電導薄膜材料 -絶対温度100°で使用可能- | 超電導工学研 | 日経産業新聞 (1998年3月27日PP.5) | 水銀を含む銅酸化化合超電導薄膜 磁気センサ 100K動作 1.5MA/cm2 | 120 210 |
| 1998年 1月号 | 面発光半導体レーザ -制御回路不要に- | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1997年11月10日PP.5) | FTTH 光インタコネクション 面発光 半導体レーザ GaInNAs 波長1.2μm 20～70℃で臨界電流変化1.2倍 AlAs/GaAsの多層ミラー 低温度依存性 | 250 240 |
| 1997年12月号 | 半導体レーザ -青紫色 実用化にメド- | 日亜化学工業 | 日経産業新聞 (1997年10月30日PP.1) | 青紫色半導体レーザ 50℃で寿命1500時間 室温換算寿命10000時間以上 電流密度4kA/m2 波長403nm 片面15GBのDVD用 | 250 |
| 1997年12月号 | 光導波路素子 -温度変化に強く- | NTT | 日経産業新聞 (1997年10月6日PP.5) | 光導波路 アレイ導波路回折格子 Si樹脂性のプリズム 0～80℃で0/05nmの変動 | 240 |
| 1997年12月号 | 高速通信網のATM交換機 -超伝導材でスイッチ- | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1997年10月3日PP.5) | ATM交換機 ジョセフソン素子 ニオブ 4GHz動作 0.16W -270℃動作 | 220 540 340 |
| 1997年11月号 | 光学機器向けプラスチック -透過像の乱れ抑制- | 慶大 日立製作所化成 | 日本経済新聞 (1997年9月13日PP.10) | 複屈折を抑制 100℃でも性質変化なし メチル メタクリート+ベンジル メタクリート | 110 |
| 1997年11月号 | DVD-RAM -片面4.7GBで基本技術- | 日立製作所 | 電波新聞 (1997年9月10日PP.1) 日刊工業新聞 (1997年9月10日PP.11) 日本経済新聞 (1997年9月10日PP.11) 日経産業新聞 (1997年9月10日PP.11) 日本工業新聞 (1997年9月10日PP.4) | DVD-RAM 片面4.7GB ハイコントラスト媒体 7GBDVD-RAM DVD-RAMと互換性あり コントラスト強調層 熱緩衝層 適応型記録波形制御 | 230 330 |
| 1997年 8月号 | 超小型駆動装置 -半導体熱膨張で大きな力- | オムロン | 日経産業新聞 (1997年6月5日PP.5) | マイクロマシン アクチュエータ | 260 250 |
| 1997年 6月号 | CATV用レーザ -消費電力1/10に低減- | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1997年4月23日PP.5) | 半導体レーザ 双方向CATV 動作温度-40～85℃ 冷却不要 レーザ | 240 250 |
| 1997年 6月号 | 単一電子トランジスタ --170℃で作動- | NEC | 日経産業新聞 (1997年4月2日PP.5) | 単一電子素 メモリー -170℃ AL蒸着 -170℃作動 不揮発性メモリー アルミニウム 単一電子トランジスタ | 220 230 |
| 1997年 6月号 | 低電圧・高出力のHBT | NEC | 日刊工業新聞 (1997年4月1日PP.6) | ディジタル携帯電話 AlGaAs/GaAs系 金メッキ高熱伝導 3.4V動作 1.4W出力 チップサイズ0.58×0.77 | 220 |
| 1997年 5月号 | LSI平坦化技術 | NTT 触媒化成工業 | 日刊工業新聞 (1997年3月5日PP.5) | 層間絶縁膜シート 加熱加圧転写 | 160 |
| 1997年 5月号 | 半導体型光フィルタ -温度変化の影響抑制- | NTT | 日経産業新聞 (1997年3月4日PP.5) | 光フィルタ 波長多重通信 0.01nm/℃ InGaAsP | 240 |
| 1997年 3月号 | 磁界とプラズマ併用し，薄膜形成 | 理科大 | 日経産業新聞 (1997年1月20日PP.5) | 磁力で高ガス密度 60℃で絶縁膜形成 有磁界プラズマ装置 | 160 |
| 1997年 2月号 | 青色発光有機EL材 -350℃でも安定- | ソニー | 日経産業新聞 (1996年12月2日PP.5) | 有機EL 亜鉛錯体 耐熱350℃ 発光波長460nmと550nm 20cd フルカラー表示板を試作 青色発光有機EL | 250 150 |
| 1996年10月号 | 皮膚まね感触識別センサ | 佐賀大学 | 日経産業新聞 (1996年8月19日PP.5) | 触覚センサ 温度 硬さ 導電性ゴム | 210 620 |
| 1996年 9月号 | 窒素混入の新半導体材料 -レーザの冷却不要に- | 日立製作所 新情報処理開発機構 | 日経産業新聞 (1996年7月12日PP.5) | GaInPにNを混入 85℃まで安定動作 光ファイバ通信加入者用 1.2μmの発光波長 半導体材料 光通信 レーザ | 250 140 240 |
| 1996年 7月号 | 超高効率複合変換システム -熱電変換効率40%- | 航空宇宙技研 | 日経産業新聞 (1996年5月20日PP.5) | 熱電変換素子 理論計算 | 250 |
| 1996年 5月号 | 新型赤外発光Si結晶 -10倍強力な赤外光発光- | 東大 | 日経産業新聞 (1996年3月28日PP.5) | 半導体レーザ Si結晶 赤外発光 従来比10倍 Si超格子 1.2μm -170℃で動作 | 250 150 |
| 1996年 4月号 | 波長多重通信用フィルタ素子-分離光自由に選択- | 富士通研 | 日経産業新聞 (1996年2月20日PP.5) | 光フィルタ 屈折率温度変化を利用 偏光ビームスプリッタの一種 100波長多重通信 光フィルタ素子 波長多重通信 | 220 240 440 |
| 1996年 3月号 | 強誘電性液晶ディスプレイ -強度，10倍以上- | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1996年1月12日PP.7) | 強誘電性液晶ディスプレイ 熱硬化性樹脂 2/cm2の耐圧力 タッチパネル | 250 210 |
| 1996年 1月号 | 可変波長半導体レーザ -光通信の検波用- | アンリツ | 日経産業新聞 (1995年11月6日PP.5) | 波長1.55±0.015μm 温度制御で波長可変 | 250 |
| 1995年11月号 | ドーナツ構造アルミ電解コンデンサ -コンデンサ発熱半減- | 日本ケミコン | 電波新聞 (1995年9月14日PP.8) 日経産業新聞 (1995年9月14日PP.9) | ドーナツ構造 コンデンサ | 260 |
| 1995年 9月号 | 世界初の量子ドットレーザ | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1995年7月25日PP.1) | 量子ドットレーザ 正孔とじこめ発光 InGaAs 閾値1.1A λ911nm/温度80K パルス発振 超低消費電力 | 250 150 |
| 1995年 9月号 | 高熱伝導性の封止樹脂 -発熱の大きな大型ASICをプラスチックでパッケージ- | 東芝 | 日刊工業新聞 (1995年7月5日PP.7) | エポキシ樹脂+複合セラミック 4W/mケルビン | 160 260 |
| 1995年 4月号 | 樹脂熱圧着方式 -LCDのフレーム面積を大幅に削減- | シャープ | 電波新聞 (1995年2月9日PP.7) | リードフレーム | 250 360 |
| 1995年 3月号 | 長さ3mm，温度変化に強い高性能磁気センサ | 中央大 | 日経産業新聞 (1995年1月10日PP.5) | 磁気センサ 感度0.5ガウス | 210 |
| 1995年 1月号 | 半導体レーザの発振安定化技術 -水晶エタロンで- | 東芝 | 日経産業新聞 (1994年11月18日PP.5) | レーザ 温度変化 | 250 160 |
| 1994年12月号 | 800℃で作動する燃料電池 | 松下電器産業 | 電波新聞 (1994年10月7日PP.1) | 燃料電池 800℃ | 250 |
| 1994年10月号 | 10nm幅のSi細線 - -173℃で量子効果- | NTT | 日経産業新聞 (1994年8月26日PP.5) | Si細線 量子効果 極細構造 | 160 220 |
| 1994年10月号 | 熱エネルギーで直接充電する蓄電池 | NTT | 日経産業新聞 (1994年8月16日PP.3) | 蓄電池 温度差発電 充電型 鉄シアン化合物 バッテリー 熱電気変換 0.15V/mAh | 250 |
| 1994年10月号 | 新型PHB材料 -有機と無機を複合化- | 東大 | 日本工業新聞 (1994年8月10日PP.5) | PHB 光メモリー 動作温度140K | 130 230 |
| 1994年 8月号 | -20℃～70℃の動作温度範囲を実現 -128×128ドットSTN結晶モジュール販売へ- | セイコー電子 | 電波新聞 (1994年6月1日PP.2) | 液晶 広動作温度 | 120 250 |
| 1994年 7月号 | 500℃の環境に耐えるIC -高温電子デバイスの製造に道- | 米ゼネラルエレクトリック | 日経産業新聞 (1994年5月31日PP.4) | シリコンカーバイド 高温デバイス | 120 220 |
| 1994年 7月号 | 熱電変換素子に新製法 -超電力を向上- | 三菱マテリアル | 日経産業新聞 (1994年5月30日PP.5) | 超電力1.5V/600 素子製造技術 β-鉄シリサイド 熱電変換素子 600℃で起電力1.5V | 150 250 |
| 1994年 5月号 | フラーレン大気圧低温合成 | 東工大 | 日刊工業新聞 (1994年3月17日PP.5) | フラーレン CVD法 500℃ プラズマCVD 大気圧 低温合成 | 160 |
| 1994年 5月号 | 青色半導体レーザ -室温で連続発振- | ソニー | 日刊工業新聞 (1994年3月29日PP.1) | 青色半導体レーザ 23℃ λ:189.9nm 半導体レーザ 青色室温連続発振 | 250 |
| 1994年 5月号 | 高耐熱性EOポリマー | 富士通 | 日刊工業新聞 (1994年3月11日PP.5) | 有機EOポリマ 光スイッチ 120℃耐熱 | 140 240 100 |
| 1994年 3月号 | 磁束量子パラメトロン | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1994年1月24日PP.5) | 磁束量子パラメトロン 36GHz-269℃ | 220 |
| 1994年 2月号 | 超電導物質-零下23℃で兆候- | 仏産業物理化学大 | 電波新聞 (1993年12月18日PP.3) | 超電導材料 従来より100℃向上 | 120 |
| 1994年 1月号 | 量子箱レーザ | 東工大 | 日経産業新聞 (1993年11月19日PP.5) | InGaAsP 波長1.3μm -196℃ 発振電流1.1A 半導体レーザ 量子箱 微小半導体粒 超低電流発振 | 250 |
| 1994年 1月号 | 世界最小の冷却装置 -4cm角- | 富士通 | 朝日新聞(夕刊) (1993年11月8日PP.9) | 超小型冷却器 4×1cm CPUチップを80℃に | 260 |
| 1993年12月号 | 書換え可能感熱記録材料 | 日東電工 | 日経産業新聞 (1993年10月21日PP.1) | 感熱記録 ポリ塩化ビニルに高級脂肪酸 1000回以上書換え可能 | 130 |
| 1993年10月号 | 超電導トランジスタ | 沖電気 | 日経産業新聞 (1993年8月19日PP.5) | -253℃ 実用水準の増幅率 酸化物高温超電導 -253℃で完全動作 初の実用水準の増幅率 | 220 |
| 1993年 9月号 | 液体窒素温度でPHB多重記録 | 東レ | 日経産業新聞 (1993年7月16日PP.5) | 記録材料 PHB 初の多重記録 | 130 |
| 1993年 5月号 | 書込み消去自在の高分子感熱紙 | 富士ゼロックス | 日刊工業新聞 (1993年3月4日PP.6) | 記録 解像度0.1μm 側鎖型高分子液晶 | 130 |
| 1993年 4月号 | 超高速トランジスタ | 東工大 | 日経産業新聞 (1993年2月16日PP.5) | 超薄膜 HET -196℃ 従来の5～6倍速 金属 絶縁体Tr コバルトシリサイト フッ化カルシウム 分子線結晶成長法 800GHz | 220 |
| 1993年 3月号 | 低温熱発電素子 -80℃の熱水で連続発電- | 朋の会 理化学研 | 日刊工業新聞 (1993年1月12日PP.9) 電波新聞 (1993年1月22日PP.7) | YSD熱半導体 1.07V/20mA/80℃ 発電 熱半導体 低温熱電変換 | 220 250 |
| 1993年 3月号 | 低温成膜多結晶SiTFTLCD | セイコーエプソン | 日経産業新聞 (1993年1月4日PP.1) | 低温Poly-SiTFT 多結晶SiTFT LCD 400～600℃で低温成膜 ガラス基板 小型 400～600℃ | 250 |
| 1993年 1月号 | 軟X線による静電気除去技術 | 東北大 高砂熱学工業 | 日経産業新聞 (1992年11月25日PP.9) | 静電気 | 160 |
| 1992年12月号 | 10本を1チップ化した半導体レーザ | 三菱電機 | 日刊工業新聞 (1992年10月23日PP.7) | MOCVD法 波長1.3μm 閾値13mA 80℃ P型基板 1チップ化レーザ 10本を集積 1.3Gbps | 250 |
| 1992年11月号 | 世界初1.3μm帯レーザ発振 | 光技術研究開発 古河電工 | 日本工業新聞 (1992年9月22日PP.5) 電波新聞 (1992年9月23日PP.7) | InAsPレーザ 1.3μm帯 120℃で発振 | 230 |
| 1992年10月号 | ビスマス系で積層型ジョセフソン接合素子 | NEC | 日刊工業新聞 (1992年8月25日PP.6) | 223℃の高温動作可能 3端子実現に道 | 220 |
| 1992年10月号 | 超高温環境技術 -Siで2500℃以上の高温実現- | 阪大 | 日経産業新聞 (1992年8月24日PP.5) | 超高温環境技術 Siを燃料 2500℃ | 120 |
| 1992年10月号 | 熱電変換素子 -熱を直接電気に変換- | 朋の会 理研 | 日刊工業新聞 (1992年8月13日PP.5) 日経産業新聞 (1992年8月26日PP.17) | 熱電変換素子 有機半導体 70W/m2(at90℃) 高分子系の素子 | 150 250 |
| 1992年 7月号 | 光音響顕微鏡 | 東大 | 日刊工業新聞 (1992年5月29日PP.7) | 0.5μm測定 干渉レーザ光で超音波と熱伝導利用 | 600 |
| 1992年 2月号 | 赤色可視光半導体レーザ | 三菱電機 | 電波新聞 (1991年12月11日PP.6) 日経産業新聞 (1991年12月11日PP.5) 日刊工業新聞 (1991年12月11日PP.9) | 90℃で10mW 多重量子障壁半導体レーザ 電子波干渉効果 | 250 |
| 1992年 1月号 | 光熱書込み型空間光変調素子 | NHK | 日本工業新聞 (1991年11月5日PP.21) | 60本/mm | 250 |
| 1991年10月号 | 熱電素子による発電 | 山口大 | 日刊工業新聞 (1991年8月20日PP.6) | 250 | |
| 1991年 9月号 | 10μm帯赤外線カメラ | 日電 | 日刊工業新聞 (1991年7月29日PP.13) | SPRITE型素子利用 水平440 垂直308 0.2℃分解能 10μm帯赤外線撮像装置 撮像素子8個で水平440×垂直308 | 310 210 |
| 1991年 6月号 | 高温超電導繊維 | ニチビ 名工大 | 日経産業新聞 (1991年4月9日PP.5) | 臨界電流密度17000A/cm2 絶対温度90度で抵抗ゼロ | 100 |
| 1991年 6月号 | 導波路型ディジタル光SW | 沖電気 | 日刊工業新聞 (1991年4月9日PP.5) | 5mm×3mmのニオブ酸リチウムを熱拡散して 幅7μmのY分岐を形成 分岐角度0.5° クロストークー15dB 1.3μm±0.1μmの波長可 動作25V | 240 |
| 1991年 5月号 | 600℃の低温熱処理による高性能結晶性SiTFT | TDK | 電波新聞 (1991年3月19日PP.7) | 低温熱処理 低価格なガラスベース基板 | 220 |
| 1991年 5月号 | 青緑色レーザ発振に成功 | 京大 | 日刊工業新聞 (1991年3月15日PP.7) | 半導体レーザ -族青緑色で初 540nm(17℃)→490nm MQW11層と井戸層の薄膜化 | 250 |
| 1991年 5月号 | MEEでGaAsとSiの混晶作成に成功 -準安定状態で成長- | NTT | 日刊工業新聞 (1991年3月12日PP.5) | MEE法 成長温度450～500℃Si比率25%時に高品質 | 160 |
| 1991年 4月号 | モータ回転力磁力使い伝達 | 九州工大 東大 | 日経産業新聞 (1991年2月11日PP.0) | 非接触歯車 摩耗 発熱 騒音レス | 660 |
| 1991年 3月号 | サブミクロンの微小駆動素子 | 東大生研 | 日刊工業新聞 (1991年1月31日PP.0) | 0.2mμmギャップを加工 熱酸化現象を微細加工に応用 | 250 |
| 1991年 2月号 | 3×10^11b/cm2高密度光記録 | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1990年12月27日PP.0) | 4.2K(-268.9℃)でのPHB記録方式 基礎技術開発の段階 従来の3000倍の記録密度 | 230 |
| 1991年 2月号 | BiCMOSの低温動作 | 日電 | 日刊工業新聞 (1990年12月21日PP.0) | BiCMOS 83K(-190℃)の低温動作 電流利得124 遅延時間200ps | 220 |
| 1991年 2月号 | 2000時間の長寿命レーザ素子 | シャープ | 電波新聞 (1990年12月20日PP.0) 日刊工業新聞 (1990年12月20日PP.0) | 830nm 150mW 50℃ 2000時間寿命 | 240 |
| 1991年 1月号 | 高感度熱映像カメラ | 電総研 | 日刊工業新聞 (1990年11月29日PP.0) | ΔT=0.022゜C 128画素(60μ×128) 波長3μm程度の赤外線 インジウム アンチモン | 310 |
| 1991年 1月号 | 64Mb級DRAMの10nm厚極薄窒化Si膜形成技術 | 沖電気 | 電波新聞 (1990年11月16日PP.0) | 急速加熱法で極薄膜のSiN 純酸素を亜酸化窒素に置き換え | 260 |
| 1991年 1月号 | 新型ダイオード | 富士通 | 日経産業新聞 (1990年11月9日PP.0) | 2～3mv -269℃(液体He温度) 超電導 | 220 |
| 1990年12月号 | ガリひ素上回る高速動作FET | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1990年10月12日PP.0) | Si系FET 液晶窒素温度 電界効果移動度:10m/s SiGeのヘテロ接合 キャリアは正孔 | 220 |
| 1990年11月号 | 25KbNV-DRAM | シャープ | 電波新聞 (1990年9月28日PP.0) | 32K×8 チップサイズ4.69×10.92m 120万素子 80ns 52mA/200μA 動作時/スタンバイ時ストア時間10ms 0～70℃で十年以上保持 | 230 |
| 1990年11月号 | 新超電導体 | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1990年9月20日PP.0) | 臨界温度130K | 220 |
| 1990年11月号 | ICパッケージ用超低融点ガラス | 日電硝子 | 日刊工業新聞 日経産業新聞 (1990年9月18日PP.0) | 360℃で融点 | 160 |
| 1990年10月号 | 世界で最短波長 | 三洋電機 | 日経産業新聞 (1990年9月6日PP.0) | 631nm 35℃で発振2mW出力 | 250 |
| 1990年 9月号 | 高出力レーザ用耐熱光ファイバ | 藤倉電線 | 日経産業新聞 (1990年8月3日PP.0) | 250℃に耐える | 240 |