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| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
| 2018年 1月号 | GaNトランジスタの結晶層を発見 | 物材機構 | 日刊工業新聞 (2017年10月26日PP.23) | 絶縁層とGaNの界面に1.5nmのガリウム磁化膜の薄層 | 220 |
| 2017年 6月号 | 高性能黒リントランジスタ | 東大など | 日刊工業新聞 (2017年3月14日PP.27) | 厚さ原子数層の黒リン バンドギャップ1.5eV | 220 |
| 2017年 6月号 | テラヘルツ波100倍高感度で検出 | 理研 東工大 | 日刊工業新聞 (2017年3月20日PP.13) | 室温動作 光波長変換技術 共鳴トンネルダイオード | 210 |
| 2017年 5月号 | 縦型トランジスタ積層 | 湘南工科大 | 日刊工業新聞 (2017年2月24日PP.25) | パターン面積10-20%小さく 製造コスト30%以下 | 220 260 |
| 2017年 5月号 | 単一超電導ナノチューブ利用 トランジスタ開発 | 東大 | 日刊工業新聞 (2017年2月27日PP.21) | 二硫化タングステンナノチューブにおいて超電導の発現を発見。単一ナノチューブにおける超電導の初めての報告。 | 220 |
| 2017年 3月号 | 二酸化窒素検出感度10倍のグラフェンセンサ | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2016年12月5日PP.21) | 1ppb以下の濃度の二酸化窒素検出可 シリコントランジスタのゲート電極としてグラフェンを採用 | 210 |
| 2017年 3月号 | 3次元フィン型ゲルマニウムトランジスタ開発 | 東北大など | 日刊工業新聞 (2016年12月6日PP.23) | 中性粒子ビーム加工 フィン幅6nm 従来比オン電流約6倍 | 220 |
| 2016年11月号 | 電子の移動 1個ずつ制御 シリコン単電子転送素子 電流再定義へ一歩 | NTT | 日経産業新聞 (2016年7月6日PP.8) 日刊工業新聞 (2016年7月6日PP.23) | シリコン半導体素子 1GHz動作で10-6以下の転送エラー率 直径10nmのシリコン線上に2個のシリコントランジスタを配置した200nmの素子 | 220 660 |
| 2016年 6月号 | 電子スピン長距離輸送に成功 http://www.ntt.co.jp/news2016/1603/160308c.html | NTT 東北大 | 日刊工業新聞 (2016年3月9日PP.29) | 電子スピン 量子コンピュータ 電界効果型スピントランジスタ スピン演算素子 半導体中の電子スピンの向きを安定的に操作 | 240 |
| 2016年 3月号 | 富士通研究所が開発 12W出力ACアダプタ 世界最小・最高効率 | 富士通研 | 電波新聞 (2015年12月11日PP.1) | 小型 高効率 バッテリー トランジスタ ACアダプタ | 250 |
| 2016年 3月号 | 薄膜トランジスタ IGZO用い高性能化 | 奈良先端大 | 日刊工業新聞 (2015年12月24日PP.19) | IGZOを用いた薄膜トランジスタの高性能化 駆動電圧は従来の40%以下 劣化量半分以下 | 220 |
| 2015年12月号 | 積層構造作製 ゲルマニウムトランジスタ 酸化膜品質3倍超 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2015年9月28日PP.22) | ゲルマニウムMOSトランジスタ 酸化膜 ゲートスタック構造 酸素中性子ビーム | 220 |
| 2015年11月号 | 折り曲げ変形自在 柔らかいトランジスタ開発 トランジスタ 柔剛兼備 http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2015/pr20150812/pr20150812.html | 鳥居・浜田・澤谷 | 産総研 (0年2015月8日PP.12) 13 (6年0月2015日PP.8) 26 (5年0月0日) | 19 | 衣類のように柔らかく 曲げたり伸ばしたりしても壊れないトランジスタを開発。単層カーボンナノチューブ イオンゲル シリコンゴム 医療用の人体圧力分布センサー開発 オンオフ比1万 220 210 |
| 2015年 7月号 | 液晶性を活用した高性能有機トランジスタ材料を開発 東工大が「液晶性」付与 http://www.titech.ac.jp/news/2015/030831.html | 東工大 | 日刊工業新聞 (2015年4月13日PP.15) 日経産業新聞 (2015年4月15日PP.10) | 半導体素子を大気中で作製できる技術を開発 「液晶性」を持つ新規の有機トランジスタ材料を開発 | 160 |
| 2015年 6月号 | 光照射でON/OFFする超電導スイッチ https://www.ims.ac.jp/news/2015/02/13_3096.html | 分子科学研，理化学研 | 日刊工業新聞 (2015年3月17日PP.17) | 有機分子を組込んだ電界効果トランジスタ，スピロピラン，光に応答して電気的に分極 光駆動型トランジスタ | 240 220 |
| 2015年 3月号 | 世界最高耐圧のトランジスタを開発 | 早大 | 日刊工業新聞 (2014年12月16日PP.23) | 耐圧1600V，ダイヤモンド製トランジスタ | 220 |
| 2015年 3月号 | 電流駆動力10倍のゲルマニウムトランジスタ | 産総研 | 日刊工業新聞 (2014年12月16日PP.23) | n型多結晶ゲルマニウムトランジスタ，LSIの3次元積層を実現 | 220 |
| 2015年 3月号 | トンネルFETの長寿命化を実証 http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2014/pr20141216_2/pr20141216_2.html | 産総研 | 日刊工業新聞 (2014年12月17日PP.23) | 電界効果トランジスタ(MOSFET)に比べて10万倍以上長寿命，センサネットワーク回路の駆動に必要な相補型金酸化膜半導体の構成に使用 | 220 |
| 2015年 1月号 | 単電子転送の高速化 | NTT | 日刊工業新聞 (2014年10月7日PP.25) | 3.5GHで単電子転送，ナノメートル寸法で2層ゲート構造を持つシリコントランジスタをウエハーレベルで作成 | 120 220 |
| 2014年11月号 | 脳の神経細胞を電子回路に応用したニューロシナプス・チップを開発 | IBM | 日刊工業新聞 (2014年8月19日PP.10) | トランジスタ数54億個 100万個のニューロンと2億5600万個のシナプスで構成 ニューロン数100万個 消費電力70ミリワット | 520 220 |
| 2014年10月号 | 厚さ1μmの薄型フィルムにトランジスタ回路印刷 | 山形大 | 日刊工業新聞 (2014年7月2日PP.19) | ガラス基板上に高分子の薄型フィルム(パリレン-C)を形成 インクジェット法で線幅5?mでトランジスタ回路を印刷 ガラスから電子回路を作製したフィルムを剥がす技術などを開発 | 260 |
| 2014年 6月号 | 単結晶Siトランジスタをプラスチック上で動作実証 | 広島大 | 日刊工業新聞 (2014年3月14日PP.21) | 微小な空間内の液体によって生じる引力を利用，ウェハ上の単結晶Si層を部分的に転写，電界効果移動度は毎秒1V当たり609? | 220 160 |
| 2014年 3月号 | 3次元LSI向け多結晶Geトランジスタ | 産総研 | 日刊工業新聞 (2013年12月18日PP.21) | GeのCMOS化 n型MOSFET 500℃以下で形成 p型n型の両極性 多結晶Geトランジスタ Siの3倍の電流駆動能力 | 220 |
| 2013年12月号 | 光の90%以上を通す透明な半導体集積回路 | 名大 フィンランドアールト大 | 日本経済新聞 (2013年9月17日PP.11) 日経産業新聞 (2013年9月17日PP.10) | CNTで配線とトランジスタを製作 一辺0.5mmの回路 | 120 220 |
| 2013年11月号 | 伸縮自在な有機トランジスタ集積回路と有機LED | 東大 オーストリアヨハネス・ケプラー大 | 電波新聞 (2013年8月1日PP.4) | 世界最軽量(3g/m2)で最薄(2μm) くしゃくしゃに折り曲げても壊れない新しい光源 | 120 250 |
| 2013年11月号 | 超電導トランジスタ | 分子研 理研 | 日経産業新聞 (2013年8月27日PP.10) | 有機材料 BEDD-TTF -265℃・数Vで電気抵抗0 | 220 |
| 2013年 9月号 | 0.37V動作のトランジスタを採用したロジックIC | 超低電圧デバイス技術研究組合 NEDO | 日刊工業新聞 (2013年6月11日PP.21) 日経産業新聞 (2013年6月11日PP.9) | SOTBトランジスタを用いたSRAM シリコン基板上に厚さ10nmの絶縁膜・その上に電極 SOTB 最小電圧0.37Vの演算用LSI | 220 230 |
| 2013年 9月号 | 損失1/10のパワー半導体 | 情通機構 タムラ製作所 | 日経産業新聞 (2013年6月20日PP.11) | Ga203 0.4mm角 MOSトランジスタ オンオフ比10桁以上 | 220 |
| 2013年 6月号 | テラヘルツ波で透過画像を得るモジュール | パイオニア ローム | 日刊工業新聞 (2013年3月26日PP.8) | 共鳴トンネルダイオード 樹脂ケース内部をX線を使わずに透過 | 210 |
| 2013年 5月号 | 有機TFT液晶ディスプレイ | 阪大 大阪産総研 | 日刊工業新聞 (2013年2月5日PP.25) | 有機半導体を用いた 従来の9倍に相当する高速表示ができる有機薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ | 250 |
| 2013年 3月号 | LSI集積度を100倍以上高める技術 | 東大 理研 | 日経産業新聞 (2012年12月11日PP.9) | 原子3個分のMoS2薄膜 0.6nm厚 トランジスタ | 120 220 |
| 2013年 1月号 | 膜厚10nmの金属酸化膜トランジスタ | 物材機構 理研 | 日刊工業新聞 (2012年10月18日PP.24) | 酸化タングステン(W2O3) 100℃で成膜が可能 | 120 220 |
| 2013年 1月号 | 23.5kV耐圧のパワー半導体 | 京大 | 日経産業新聞 (2012年10月24日PP.7) | SiC 表面をポリイミドで覆う バイポーラトランジスタ | 220 |
| 2012年 9月号 | 高解像度液晶パネル | シャープ | 日経産業新聞 (2012年6月4日PP.3) | IGZO 有機EL 薄膜トランジスタ | 250 |
| 2012年 9月号 | CMOSの省エネを実現する低電圧トランジスタ | LEAP 東大 | 日刊工業新聞 (2012年6月20日PP.21) | SOTBを独自の構造にして0.4Vで動作 しきい値電圧の制御が簡単 LGP構造 | 210 |
| 2012年 7月号 | CNT製トランジスタの印刷技術 | 単層CNT融合新素材研究開発機構 産総研 NEC | 日刊工業新聞 (2012年4月19日PP.17) 日経産業新聞 (2012年4月20日PP.10) | 半導体型ナノチューブ プラスチックフィルムに印刷 出力電流のばらつき30% 印刷面にあらかじめ単分子膜を形成しインクの吸着を促進 インクに純度95%以上の半導体型ナノチューブを使用 | 220 260 |
| 2012年 7月号 | 14GHz帯で100Wの出力のGaN系HEMT増幅器 | 三菱電機 | 日刊工業新聞 (2012年4月26日PP.24) | 素子の微線化 低損失回路 衛星通信基地局の電力増幅器向け | 340 |
| 2012年 5月号 | 高集積型の電子素子 | 産総研 東大 | 日経産業新聞 (2012年2月9日PP.11) | 強相関電子材料 CaMnO3を使った素子 10nm以下の微細加工でも高性能を維持 Caの一部をCeに置換 2mm四方のトランジスタを試作 | 220 120 |
| 2011年12月号 | ダイヤモンド半導体を使ったバイポーラトランジスタ | 産総研 | 日刊工業新聞 (2011年9月5日PP.19) 10 (0年0月0日) | ダイヤにB | Pを高濃度に添加した低抵抗ダイヤモンド薄膜 増幅率10 バイポーラトランジスタ 室温動作 220 |
| 2011年 8月号 | 電圧4Vで磁気制御可能なトランジスタ
・13と一つにまとめ | 東大 | 日刊工業新聞 (2011年5月27日PP.25) | 非磁性物質を電気的に強磁性物質に変化 TiOにCoを加える 電気二重層構造 | 220 |
| 2011年 6月号 | GaMnAs半導体の強磁性発現の構造発見 | 東大 | 日刊工業新聞 (2011年3月3日PP.22) | 共鳴トンネル分光法 フェルミ準位の位置を解明 | 120 |
| 2011年 6月号 | スピン軌道相互作用の大きさを精密に決定 | 北大 NTT | 日刊工業新聞 (2011年3月21日PP.9) | In・Ga・Asをベースとした半導体の量子井戸構造 バンドエンジニアリング 半導体内の電子スピンをトランジスタのゲート電極で制御 | 120 |
| 2011年 5月号 | FF回路の素子を減らし省電力化 | 東芝 | 日経産業新聞 (2011年2月23日PP.7) | 基本素子のトランジスタ数24個から22個 | 220 120 |
| 2011年 3月号 | 電流漏れの少ないトランジスタ絶縁膜 | 産総研 | 日経産業新聞 (2010年12月22日PP.7) | ハフニウム化合物の絶縁膜 電流漏れがSi酸化膜比1/100万 | 120 160 |
| 2011年 3月号 | 演算と記憶の複合素子を開発 | 物材機構 阪大 東大 | 日刊工業新聞 (2010年12月24日PP.20) | アトムトランジスタ わずかな金属素子を絶縁体中で移動させることで動作させる 不揮発性ロジック回路 | 220 230 |
| 2011年 2月号 | 炭素系ナノテク活用の高速有機トランジスタ | 阪大 山形大 大日本印刷 | 日経産業新聞 (2010年11月1日PP.11) | C60と呼ぶフラーレン薄膜 Al 色素の各層を挟んだ構造 400kHzで高速応答 従来の5倍以上の電流を流せる | 120 220 |
| 2011年 2月号 | 世界最高の移動度を持つ有機トランジスタ | 物材機構 広島大 | 日刊工業新聞 (2010年11月30日PP.32) | 新開発の溶液プロセス 移動度が9倍以上に向上 | 120 250 |
| 2011年 1月号 | GaN-HEMTを使った高出力な送信用増幅器 | 富士通 | 日刊工業新聞 (2010年10月4日PP.18) | ミリ波帯向け 出力1.3W 67～80GHzで10Gbps 通信可能距離10km | 240 220 |
| 2011年 1月号 | CNT利用の安価な高性能トランジスタ | 名大 | 日経産業新聞 (2010年10月21日PP.11) | Si薄膜の代わりに直径1.5nm 長さ1μmのCNTを敷き詰める 縦横1cmのTFTを試作 厚さ0.5mmの基板上に2～3nmのCNT薄膜を塗布オンオフ比が最大1000万 | 120 220 |
| 2010年 9月号 | 0.5Vで集積回路を動作させる技術 | 東大 | 日刊工業新聞 (2010年6月18日PP.21) | パスゲートトランジスタ SRAM動作時のマージンが70%改善 | 220 |
| 2010年 9月号 | テラヘルツ波検出感度が100倍以上のトランジスタ | パナソニック | 日経産業新聞 (2010年6月23日PP.11) | 室温動作可能 GaN材料 | 220 |
| 2010年 9月号 | 10万倍の抵抗値変化を記憶できる強誘電体採用メモリスタ | パナソニック | 電波新聞 (2010年6月25日PP.1) | 半導体と強誘電体の界面伝導を利用 トランジスタとの一体化 結晶成長技術 | 220 |
| 2010年 9月号 | 化合物半導体を使ったトランジスタ -LSI速度5倍に- | 東大 産総研 物材機構 住友化学 | 日経産業新聞 (2010年6月25日PP.15) | InGaAs 高速LSI | 220 |
| 2010年 6月号 | A-Si製のTFTと同程度の移動度とON/OFF比を実現したCNTトランジスタ | 名大 | 日本経済新聞 (2010年3月1日PP.13) | 太さ1.2nm 長さ200nm 鮭の精子から抽出したDNA 電気の流れやすさ1000倍 | 120 220 |
| 2010年 3月号 | スピンMOSトランジスタの基本技術 | 東芝 | 電波新聞 (2009年12月9日PP.1) | 電子スピン ロジックLSI メモリー機能 磁気トンネル接合 スピン注入磁化反転 | 230 |
| 2010年 2月号 | 塗布法で高速な有機薄膜トランジスタ | 大阪大 広島大 | 日刊工業新聞 (2009年11月6日PP.30) | 移動度 5cm2/Vs 非晶質Si 5倍以上の移動度 | 220 |
| 2009年12月号 | 性能100倍の有機半導体 | 東洋大 | 日経産業新聞 (2009年9月8日PP.11) | 有機薄膜トランジスタ 不純物層 シミュレーションで確認 | 220 |
| 2009年10月号 | 絶縁膜の欠陥1/10のトランジスタ | 東工大 | 日経産業新聞 (2009年7月7日PP.11) | 酸化ランタンに複数のセリウム酸化物を積層 過剰な酸素を制御 二酸化セリウム 三酸化二セリウム | 230 260 |
| 2009年 9月号 | 電子の自転向き制御技術
-新型メモリー実現に道- | 東北大 | 日経産業新聞 (2009年6月5日PP.11) | トランジスタ 高速 低消費電力 スピン 不揮発メモリー インジウムガリウムヒ素を1μm以下の幅の細線構造に加工 スピンの寿命を10～65倍に 半導体素子 | 120 |
| 2009年 9月号 | X帯で出力101WのHEMT増幅器 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2009年6月12日PP.26) | n型窒化ガリウム技術 ゲート長0.25μm 効率53% 出力4倍を達成 | 240 220 |
| 2009年 8月号 | 原子サイズの2層CNTトランジスタ | 青山学院大 名大 東邦大 | 日経産業新聞 (2009年5月15日PP.1) | 電子線によりナノチューブの層を分離 PN接合の特性を確認 太さ2～3nm 2層CNTをSi基板上に乗せる 大きさSiLSIの1/100程度 | 220 120 |
| 2009年 5月号 | CNTトランジスタを全工程で印刷作製 | NEC | 日刊工業新聞 (2009年2月18日PP.24) 日経産業新聞 (2009年2月18日PP.9) | 200℃以下の低温で揮発性をもつインク オンオフ比約1000の多層構造のp型トランジスタを試作 | 160 120 220 |
| 2009年 3月号 | 22ナノ世代LSI向け量産化技術 | Selete | 日刊工業新聞 (2008年12月17日PP.21) | Si基板に約0.4nmの酸化イットリウムを原子層堆積法で薄く成膜 絶縁膜としてハフニウム系の高誘電率膜 MOSトランジスタの絶縁膜にイットリウムを導入 | 220 |
| 2009年 3月号 | ひずみSiを活用してLSI処理速度を40%向上させる技術 | 東大 | 日経産業新聞 (2008年12月18日PP.11) | 約500気圧の引っ張る力で電流量最大4%増加 チャネル幅1～20nmのトランジスタ試作 | 220 |
| 2009年 1月号 | 通電遮断回路不要なGaN-HEMTトランジスタ | 富士通 富士通研 | 日刊工業新聞 (2008年10月10日PP.24) | 2nmのn型GaN膜 AlN 300Vの高耐性で動作 | 220 |
| 2009年 1月号 | 次世代高速無線用トランジスタ
-消費電力1/3に- | 日立 | 日経産業新聞 (2008年10月17日PP.1) | シリコンゲルマニウムを使った独自の薄膜形成技術 エピタキシャル成長 不純物を約8%抑制 真空集で水素を流し込み酸素を除去 | 160 220 |
| 2008年 9月号 | 高純度単層CNTを活用した薄膜トランジスタ | 産総研 | 日刊工業新聞 (2008年6月11日PP.25) 日経産業新聞 (2008年6月11日PP.11) | 分散型ポリフルオレン 超音波で分散 遠心分離機 移動度2cm2/Vs オンオフ比10万以上 CNT液をSi基板にコーティング | 120 160 220 |
| 2008年 9月号 | 立体構造トランジスタの消費電力を1/3以下に抑える技術 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2008年6月19日PP.24) 電波新聞 (2008年6月19日PP.1) | FinFET 漏れ電流70%低減 待機電力20%低減 歪みSiチャネル技術 | 220 |
| 2008年 4月号 | 最速120GHzで動作するダイヤモンド製トランジスタ | NTT 英エレメントシックス | 日経産業新聞 (2008年1月7日PP.9) | 車載用レーダ 多結晶ダイヤモンド基板上 科学的気相成長法 2GHz時の増幅率1万倍 ガリウム・ヒ素に比べて2倍以上の高出力 | 220 |
| 2008年 4月号 | Siを用いた高感度な赤外線検出技術 | NTT | 日経産業新聞 (2008年1月22日PP.9) | 単電子トランジスタ 検出に必要な時間は10億分の1秒 波長が1.3mmと1.5mmの赤外線を区別可能 | 210 |
| 2008年 3月号 | 高速・低消費電力の新トランジスタ | 日立 東大 | 日経産業新聞 (2007年12月14日PP.11) | 絶縁膜厚を10nmにして基板からも電圧制御 漏れ電流1/10 動作速度20%向上 SOI | 160 220 |
| 2008年 3月号 | 耐圧特性10400Vのパワートランジスタ | 松下電器 | 電波新聞 (2007年12月13日PP.2) | GaNパワートランジスタ サファイア基板への貫通電極構造 孔の直径80μm 深さ250μm 欠陥密度10の8乗cm2 オン抵抗186mΩcm2 | 520 220 |
| 2008年 1月号 | ZnO-TFT電子ペーパ表示技術 | 高知工科大 コニカミノルタテクノロジーセンター | 日刊工業新聞 (2007年10月26日PP.26) | 酸化亜鉛薄膜トランジスタ駆動 プロセス温度250℃ 64画素コレステリック液晶電子ペーパ表示 | 250 |
| 2007年12月号 | 折り曲げ可能な縦型有機トランジスタ | 千葉大 | 日刊工業新聞 (2007年9月7日PP.1) | 横型では実現できない低電圧駆動の曲がるディスプレイ 従来比約100倍 ±2Vの低電圧で駆動 ペンタセン薄膜 銅フタロシアニン薄膜 ゲート絶縁膜不要 1000以上オンオフ比 | 250 220 160 |
| 2007年12月号 | 第4世代携帯基地局向け高出力増幅器 | 富士通 | 日経産業新聞 (2007年9月21日PP.11) | GaN製高電子移動トランジスタ(HEMT) ゲート電極下層にTa2O5 素子サイズ1mm×4mm 143Wで電波増幅可能 漏れ電流は1/10以下 消費電力3割減 | 220 340 |
| 2007年10月号 | ナノ炭素材料で単原子トランジスタを試作 | 青山学院大 名大 産総研 富士通研 | 日経産業新聞 (2007年7月20日PP.9) | ピーポッド 量子ドット SiO2の絶縁膜 金とチタンの合金の電極 CNTの内側に複数のフラーレンを並べて詰めた構造 | 120 220 |
| 2007年 9月号 | ミリ波可視化技術 | 富士通 東北大 | 日刊工業新聞 (2007年6月7日PP.20) | 94GHz帯 InP仕様のHEMT 配線距離最適化 不要な電波の吸収層 チップサイズ1.25mm×2.2mm 増幅率33dB 雑音指数3.2dB ITS | 310 340 |
| 2007年 9月号 | 45nm世代以降トランジスタしきい値電圧制御技術 | Selete 物質・材料研究機構 筑波大 早大 阪大 広島大 | 日刊工業新聞 (2007年6月12日PP.24) | 金属電極にAlを10%程度 電圧変動の要因となる絶縁膜中の酸素欠損を解消 窒化ハフニウムシリケート | 220 160 |
| 2007年 9月号 | CMOSトランジスタのしきい値電圧の仕組み解明 | 産総研 超先端電子技術開発機構 | 日刊工業新聞 (2007年6月12日PP.24) | 高誘電率絶縁膜 Si酸化膜と下部絶縁膜の界面でしきい値に大きくずれ Si酸化膜上の絶縁膜を0.1nm寸法で精度よく制御することが閾値電流を制御する鍵 | 120 220 160 |
| 2007年 9月号 | 45nm半導体の製造工程を2割削減する技術 | NECエレクトロニクス | 日経産業新聞 (2007年6月14日PP.9) | 絶縁膜にHfを加えることにより絶縁体の厚みでトランジスタの特性を決定 不純物添加工程が1/6 | 120 160 |
| 2007年 8月号 | 単電子トランジスタの基本構造を簡単に作製 | 東北大 | 日経産業新聞 (2007年5月31日PP.13) | 既存の半導体プロセスと酸化処理の組合せ 量子ドット Si酸化膜上にAl電極成膜後露光装置で素子構造を作製 | 160 220 |
| 2007年 5月号 | C60製トランジスタ | 東大 | 日経産業新聞 (2007年2月2日PP.10) | 分子線エピタキシー法 ペンタセン C60分子を50～80層 n型で毎秒1V当たり5cm2の移動度 n型p型両方で実現可能 | 220 160 120 |
| 2007年 4月号 | 単電子トランジスタ試作 | 東大 | 日経産業新聞 (2007年1月19日PP.9) | 大きさ2nmの量子ドット | 220 160 |
| 2007年 3月号 | 駆動電流が50%超向上する次世代立体型トランジスタ | 東芝 | 日刊工業新聞 (2006年12月15日PP.30) | 雪かき効果 金属シリサイドとチャネル部分のSi界面に不純物原子を高濃度で2～3nm厚に偏析した層を形成 | 160 220 |
| 2007年 3月号 | 線幅32nmLSI性能2倍に | 東芝 | 日経産業新聞 (2006年12月15日PP.10) | Si加工面に1%の歪を加えるn型トランジスタ 0.1%で解析 | 160 220 |
| 2007年 3月号 | 動作速度2割向上した線幅45nmトランジスタ | 富士通 富士通研 | 日経産業新聞 (2006年12月19日PP.11) | 電流低下や電流漏れを抑制 | 160 220 |
| 2007年 2月号 | 有機発光型トランジスタ -動画を明るく滑らかに表示- | パイオニア 千葉大 | 日経産業新聞 (2006年11月15日PP.11) | 有機TFTと有機LEDを積み重ねる 最大輝度1000cd/m2 256階調 プラスチックやフィルムを使用した折り曲げ可能なディスプレイに利用 16×16ドットの画素の電圧を制御しきめ細かく輝度を制御 | 250 220 |
| 2006年11月号 | 携帯向け液晶モジュール -ワンセグ画像鮮明に表示- | ソニー ソニー・エリクソン・モバイルコミュニケーションズ | 日経産業新聞 (2006年8月1日PP.9) | フルワイド画像が表示できる携帯向け薄膜トランジスタ(TFT)モジュール 画像サイズを変更なしにワンセグ放送を表示可能 | 250 |
| 2006年10月号 | テラヘルツ光検出技術 | 理化学研 JST | 日刊工業新聞 (2006年7月7日PP.31) 日経産業新聞 (2006年7月7日PP.8) | CNTでつくったトランジスタ 単電子トランジスタ 極低温領域で光子として量子的に検出 CNT人工原子 テラヘルツ光の周波数約2.5THz | 120 160 320 660 |
| 2006年10月号 | Si量子計算機読出しに目処 | 慶応大など | 日刊工業新聞 (2006年7月12日PP.25) | レーザ光照射でリン原子核スピン検出 励起子の発光を計測 単電子トランジスタ | 320 |
| 2006年 9月号 | 55nm素子形成技術 -SRAMで実用性確認- | NECエレクトロニクス | 日刊工業新聞 (2006年6月16日PP.29) | 酸窒化膜上に極薄膜のハフニウムシリケートを載せたゲート絶縁膜 トランジスタのしきい値制御範囲拡大 漏れ電流10%低減 ArF液浸露光装置 | 160 220 |
| 2006年 9月号 | 電子1個の動き捉える | NTT 東工大 JST | 日刊工業新聞 (2006年6月16日PP.29) | 半導体二重量子ドット(DQD) 超高感度な単電子電流計 単電子トランジスタ 電流雑音3aA | 120 220 660 |
| 2006年 9月号 | 縦型構造のGaNトランジスタ | 松下電器 | 電波新聞 (2006年6月28日PP.1) | 微細セルフアライン工程 チャネル幅0.3μm 単位デバイス幅1.2μm In・Alを添加したInAlGaN4元混晶を20nm成長 | 160 220 |
| 2006年 7月号 | 共鳴トンネルダイオード使用で新回路動作に成功 | 上智大 独デュースブルク・エッセン大 | 日刊工業新聞 (2006年4月6日PP.24) | 超電導ジョセフソン接合素子(JJ) 室温で200GHz動作可能 4RTD回路 Al・Asの二重障壁層とIn・Ga・As系の積層構造で井戸層からなるRTD 試作サイズ15～25μm2 論理積(AND)論理和(OR)回路 | 160 120 220 |
| 2006年 6月号 | CNT素子の新作成法 -電流変動1/1000- | 阪大 産総研 JST | 日刊工業新聞 (2006年3月1日PP.25) 電波新聞 (2006年3月14日PP.6) | CNTトランジスタ 電流の変動0.01% フォトレジストを改善 4μmの電極間に直径1.5nmのCNT CNTをSiN膜で保護 不純物を一切つけない新しいプロセスの開発 | 160 220 |
| 2006年 5月号 | 有機発光トランジスタで8×8のアクティブマトリクスディスプレイパネル | ローム パイオニア 三菱化学 京大 | 電波新聞 (2006年2月21日PP.1) 日刊工業新聞 (2006年2月21日PP.12) | 有機スイッチングトランジスタ 黄色に発光 発光外部量子効率0.8% 表面改質したSi酸化膜のゲート絶縁膜表面にTPPyにルブレンをドープした共蒸着膜を形成 駆動電圧80V 1000cd/m2 | 160 220 250 |
| 2006年 4月号 | 地デジ用高効率電力増幅器 -従来の2倍の効率で低コスト- | NHK アールアンドケイ | 電波新聞 (2006年1月11日PP.10) 電波タイムズ (2006年1月16日PP.3) | GaN-HEMT 低歪 CN確保 出力5Wで約9%の電力効率 | 120 220 340 |
| 2006年 3月号 | 立体構造トランジスタの製造技術
-32nmLSI実現へ- | 東芝 | 日経産業新聞 (2005年12月8日PP.10) | フィンFET ゲート長20nm 不純物によりリーク電流を抑圧 寸法のばらつきをなくし歩留まり向上 基板上に立てたチャネルをゲートが挟み込む構造 | 160 220 230 |
| 2006年 3月号 | 起立型ダブルゲートMOSトランジスタ
-中性粒子ビームエッチング技術確立- | 産総研 | 電波新聞 (2005年12月16日PP.6) | 時間変調塩素プラズマ 加速した負イオン効率よく中性化 Si基板表面の平坦性も1nm以下 | 160 360 |
| 2006年 3月号 | 無線機能を備えた曲がるCPU | 半導体エネ研 TDK | 日経産業新聞 (2005年12月16日PP.1) | 暗号処理機能 ガラス基板上に形成したトランジスタをプラスチック基板上に転写 13.56MHz帯 IC部分は14mm角 通信距離は数mm 厚み0.2mm 1.8V駆動で消費電力4mW | 160 220 260 340 |
| 2006年 1月号 | 次世代メモリーPRAM | 日立 ルネサステクノロジ | 日経産業新聞 (2005年10月6日PP.1) | 1.5Vでデータの読み書き可能 厚さ100nmの薄膜をMOSトランジスタ上に配線 | 230 160 |
| 2005年12月号 | 新原理のトランジスタ | 東北大 | フジサンケイビジネスアイ (2005年9月8日PP.9) | プラスチック製 ゲート部分の分子を電子化学的に酸化・還元させることで電流抵抗値を変化 1.2Vでオン・オフ比2000倍 ポリチオフェン | 120 220 160 |
| 2005年11月号 | 最高性能45nmトランジスタ
-電極に金属材料- | Selete | 日経産業新聞 (2005年8月12日PP.4) | 電極にタンタルシリサイド 電子移動度値が5割高 | 120 220 |
| 2005年11月号 | 次世代スピントランジスタ | 産総研 | 日経産業新聞 (2005年8月24日PP.8) | p型(Ga Mn)As半導体をn型ZnSe半導体でサンドイッチした構造 移動の5～6割は磁石の向きを維持 | 220 |
| 2005年 7月号 | 世界最速のGaNトランジスタ | 情通機構 富士通研 | 日刊工業新聞 (2005年4月8日PP.29) | ミリ波周波数帯で動作 電流利得遮断周波数152GHz | 220 160 |
| 2005年 6月号 | 世界最高速GaNトランジスタ | 情通機構 | 日経産業新聞 (2005年3月29日PP.9) | 最高動作周波数152GHz ゲート長60nm ミリ波 | 220 160 |
| 2005年 3月号 | 有機半導体シート型スキャナ | 東大 国際産学共同研究センター | 日刊工業新聞 (2004年12月11日PP.1) | 電子的にスキャン 駆動トランジスタシートを2層化 実効動作速度5倍 消費電力1/7 解像度36dpi 読取り範囲5×8㎝ 曲る | 160 210 |
| 2005年 3月号 | 携帯電話向けトランジスタ -消費電力1/10に- | 日立 ルネサステクノロジ | 日経産業新聞 (2004年12月14日PP.9) | データ処理速度2割向上 65nm半導体向け 絶縁膜厚さ10nm | 220 |
| 2005年 2月号 | 透明で曲がるトランジスタ | 科技機構 東工大 | 読売新聞 (2004年11月25日PP.3) 朝日新聞 (2004年11月25日PP.3) 日経産業新聞 (2004年11月25日PP.8) | プラスチックのフィルム InGaZnアモルファス酸化物半導体 | 220 260 |
| 2004年 9月号 | 光通信用IC -最高速の144Gbps実現- | 富士通研 | 日経産業新聞 (2004年6月8日PP.8) 日刊工業新聞 (2004年6月8日PP.29) | InP系HEMT セレクタ回路 MUX WDM Y型HEMTゲート電極構造 | 240 220 |
| 2004年 8月号 | 有機EL画素回路簡略に | 日立 | 日経産業新聞 (2004年5月28日PP.1) | 1画素あたり3個のトランジスタ 2.5インチ 680×220ドット デルタ方式の配置 26万色 | 220 250 |
| 2004年 7月号 | 有機トランジスタ 6と合わせて一記事に | 東北大 北陸先端大 岩手大 | 日経産業新聞 (2004年4月5日PP.7) 朝日新聞 (2004年4月5日PP.18) | 自己組織化 半導体と基板の間の膜で電子を制御 電圧制御 ペンタセン アルキシラン フラーレン チャンネル幅50μm | 220 120 |
| 2004年 6月号 | 単電子トランジスタ試作 図を使用(日経産業) | 東大生研 | 日経産業新聞 (2004年3月25日PP.9) 日刊工業新聞 (2004年3月10日PP.25) 日経産業新聞 (2004年3月10日PP.9) | 2nmの量子ドット 室温でTrとして機能 1素子2ビット記録 | 160 220 |
| 2004年 5月号 | MOSイメージセンサ -世界初の1/4型200万画素- | 松下電器 | 電波新聞 (2004年2月16日PP.1) | 画素サイズ2.25μm 1/4型200万画素 4画素共有トランジスタ構造 非対称電界フォトダイオード 並列共通配線構造 | 210 |
| 2004年 5月号 | 消費電力1Wの光送受信IC | 富士通研 | 電波新聞 (2004年2月18日PP.2) 日経産業新聞 (2004年2月18日PP.8) | 40Gbps以上の動作 マルチフェーズクロック技術 InP-HEMT 4対1マルチプレクサ | 220 |
| 2004年 3月号 | Si層0.7nmトランジスタの動作確認 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2003年12月12日PP.1) | 5原子層 NEDO Si単結晶薄膜厚さ0.7nm SOI 試作素子のゲート長は2～3μm 実現可能なゲート長は1.5～3nmと予想 | 160 220 |
| 2004年 3月号 | 歪みSiで微細トランジスタ高速化 | 東芝 | 日経産業新聞 (2003年12月16日PP.9) | ゲート電極に歪みSi 加工寸法45nmトランジスタ 11%高速化 | 160 220 |
| 2004年 2月号 | フィルムに印刷する薄膜トランジスタ | 凸版印刷 | 日本経済新聞 (2003年11月1日PP.1) | 液晶ディスプレイ用TFT 厚さ50μm 折り曲げ可能 印刷手法のみで形成 | 220 260 250 |
| 2004年 2月号 | 手触りを感知するロボット用人工皮膚 | 東大 | 日本経済新聞 (2003年11月24日PP.17) | プラスチック製フィルム内側に圧力感知用トランジスタ実装 10㎝角中に1000個 | 210 620 |
| 2004年 2月号 | a-Siで有機EL基板量産技術 -基板価格3割安く- | カシオ計算機 | 日経産業新聞 (2003年11月26日PP.1) | 1画素当たり3つのトランジスタ 高分子材料の蛍光材料 2.1インチ 160x128ドット 26万色 厚み1.2mm | 250 |
| 2003年12月号 | ナノチューブで半導体 -トランジスタ実現へ- | 東北大 ソニー 都立大 科学技術振興事業団 高輝度光化学研究センター | 日本経済新聞 (2003年9月8日PP.21) 日本工業新聞 (2003年9月9日PP.2) | CNT内部に有機分子 導電性の制御に成功 Spring-8 | 120 160 |
| 2003年12月号 | 有機トランジスタ新製法 -自己組織化を利用- | 日立 産総研 光技術振興協会 | 日刊工業新聞 (2003年9月11日PP.5) | ナノ材料の自己組織化 位置合わせ不要 電極間隔3μm シートディスプレイ用 | 120 160 220 |
| 2003年12月号 | 超高速トランジスタ -カーボンナノチューブ活用- | NEC | 日本経済新聞 (2003年9月19日PP.11) | Siの10倍以上高速に動作 CNTの半導体の性質を利用 | 220 120 |
| 2003年11月号 | ダイヤモンドを使ったトランジスタ -世界最高の周波数特性- | NTT 独ウルム大 | 日刊工業新聞 (2003年8月21日PP.5) 日経産業新聞 (2003年8月21日PP.7) 電波タイムズ (2003年8月25日PP.1) | 最高動作周波数81GHz 高純度低欠陥結晶 出力0.3W ミリ波増幅 | 120 160 220 |
| 2003年 9月号 | リーク電流1/1000のトランジスタ | 東芝 | 日経産業新聞 (2003年6月11日) | 線幅65nm 窒化ハフニウムシリケート | 220 |
| 2003年 9月号 | サブ100nm世代トランジスタ -高速で漏れ電流2ケタ減- | NEC | 日刊工業新聞 (2003年6月12日PP.5) | サブ1nm世代トランジスタ モバイル機器向けSOC ハフニウムシリケート | 220 |
| 2003年 9月号 | 新トライゲートトランジスタ -チャンネル部を立体化- | 米インテル | 日経産業新聞 (2003年6月13日PP.9) | ゲート長が30nm 20GHz級のMPUに適用 | 160 220 |
| 2003年 8月号 | 透明トランジスタ | 科学技術振興事業団 東工大 | 毎日新聞 (2003年5月23日PP.28) 日経産業新聞 (2003年5月23日PP.8) | MOS 液晶ディスプレイ用 ZrO基板単結晶薄膜 HfOの絶縁体 電流100倍 窓ガラスに映像 | 150 250 |
| 2003年 7月号 | 次世代トランジスタ -IC消費電力1/10 漏電抑える- | Selete 早大 物材機構 他 | 日経産業新聞 (2003年4月11日PP.1) | MOSFETの絶縁膜改良 HfOを使う技術 次世代トランジスタ 消費電力1/10 | 160 220 |
| 2007年 3月号 | 駆動電流が50%超向上する次世代立体型トランジスタ | 東芝 | 日刊工業新聞 (2006年12月15日PP.30) | 雪かき効果 金属シリサイドとチャネル部分のSi界面に不純物原子を高濃度で2～3nm厚に偏析した層を形成 | 160 220 |
| 2007年 3月号 | 線幅32nmLSI性能2倍に | 東芝 | 日経産業新聞 (2006年12月15日PP.10) | Si加工面に1%の歪を加えるn型トランジスタ 0.1%で解析 | 160 220 |
| 2007年 3月号 | 動作速度2割向上した線幅45nmトランジスタ | 富士通 富士通研 | 日経産業新聞 (2006年12月19日PP.11) | 電流低下や電流漏れを抑制 | 160 220 |
| 2007年 2月号 | 有機発光型トランジスタ -動画を明るく滑らかに表示- | パイオニア 千葉大 | 日経産業新聞 (2006年11月15日PP.11) | 有機TFTと有機LEDを積み重ねる 最大輝度1000cd/m2 256階調 プラスチックやフィルムを使用した折り曲げ可能なディスプレイに利用 16×16ドットの画素の電圧を制御しきめ細かく輝度を制御 | 250 220 |
| 2006年11月号 | 携帯向け液晶モジュール -ワンセグ画像鮮明に表示- | ソニー ソニー・エリクソン・モバイルコミュニケーションズ | 日経産業新聞 (2006年8月1日PP.9) | フルワイド画像が表示できる携帯向け薄膜トランジスタ(TFT)モジュール 画像サイズを変更なしにワンセグ放送を表示可能 | 250 |
| 2006年10月号 | テラヘルツ光検出技術 | 理化学研 JST | 日刊工業新聞 (2006年7月7日PP.31) 日経産業新聞 (2006年7月7日PP.8) | CNTでつくったトランジスタ 単電子トランジスタ 極低温領域で光子として量子的に検出 CNT人工原子 テラヘルツ光の周波数約2.5THz | 120 160 320 660 |
| 2006年10月号 | Si量子計算機読出しに目処 | 慶応大など | 日刊工業新聞 (2006年7月12日PP.25) | レーザ光照射でリン原子核スピン検出 励起子の発光を計測 単電子トランジスタ | 320 |
| 2006年 9月号 | 55nm素子形成技術 -SRAMで実用性確認- | NECエレクトロニクス | 日刊工業新聞 (2006年6月16日PP.29) | 酸窒化膜上に極薄膜のハフニウムシリケートを載せたゲート絶縁膜 トランジスタのしきい値制御範囲拡大 漏れ電流10%低減 ArF液浸露光装置 | 160 220 |
| 2006年 9月号 | 電子1個の動き捉える | NTT 東工大 JST | 日刊工業新聞 (2006年6月16日PP.29) | 半導体二重量子ドット(DQD) 超高感度な単電子電流計 単電子トランジスタ 電流雑音3aA | 120 220 660 |
| 2006年 9月号 | 縦型構造のGaNトランジスタ | 松下電器 | 電波新聞 (2006年6月28日PP.1) | 微細セルフアライン工程 チャネル幅0.3μm 単位デバイス幅1.2μm In・Alを添加したInAlGaN4元混晶を20nm成長 | 160 220 |
| 2006年 7月号 | 共鳴トンネルダイオード使用で新回路動作に成功 | 上智大 独デュースブルク・エッセン大 | 日刊工業新聞 (2006年4月6日PP.24) | 超電導ジョセフソン接合素子(JJ) 室温で200GHz動作可能 4RTD回路 Al・Asの二重障壁層とIn・Ga・As系の積層構造で井戸層からなるRTD 試作サイズ15～25μm2 論理積(AND)論理和(OR)回路 | 160 120 220 |
| 2006年 6月号 | CNT素子の新作成法 -電流変動1/1000- | 阪大 産総研 JST | 日刊工業新聞 (2006年3月1日PP.25) 電波新聞 (2006年3月14日PP.6) | CNTトランジスタ 電流の変動0.01% フォトレジストを改善 4μmの電極間に直径1.5nmのCNT CNTをSiN膜で保護 不純物を一切つけない新しいプロセスの開発 | 160 220 |
| 2006年 5月号 | 有機発光トランジスタで8×8のアクティブマトリクスディスプレイパネル | ローム パイオニア 三菱化学 京大 | 電波新聞 (2006年2月21日PP.1) 日刊工業新聞 (2006年2月21日PP.12) | 有機スイッチングトランジスタ 黄色に発光 発光外部量子効率0.8% 表面改質したSi酸化膜のゲート絶縁膜表面にTPPyにルブレンをドープした共蒸着膜を形成 駆動電圧80V 1000cd/m2 | 160 220 250 |
| 2006年 4月号 | 地デジ用高効率電力増幅器 -従来の2倍の効率で低コスト- | NHK アールアンドケイ | 電波新聞 (2006年1月11日PP.10) 電波タイムズ (2006年1月16日PP.3) | GaN-HEMT 低歪 CN確保 出力5Wで約9%の電力効率 | 120 220 340 |
| 2003年 6月号 | ルーチング光システム -波長変換と光スイッチを同時に実現- | 豊田工大 | 日刊工業新聞 (2003年3月12日PP.5) | 光トランジスタ2個 33倍に増幅 波長変換 光スイッチ HIRO AWG 切替え約10ns | 240 340 |
| 2003年 4月号 | GaN系高周波トランジスタ | 松下電器 | 電波新聞 (2003年1月20日PP.1) | 受信用低雑音アンプ向け サージ保護回路不要 HFET 雑音指数0.5db | 220 |
| 2003年 4月号 | トランジスタ製造技術 -線幅65nm技術確立- | 半導体先端テクノロジーズ | 日経産業新聞 (2003年1月21日PP.8) | 高誘電率絶縁膜 ハイK 25%のHfO2含有ON2O3 | 120 220 |
| 2003年 3月号 | 新チャネル構造 -ゲート長30nm以下でトランジスタ動作- | 東芝 | 日刊工業新聞 (2002年12月10日PP.4) | オン電流960μA/1μm 65nmプロセスシステムLSI用 プラズマ窒化したゲート酸化膜 スイッチング速度0.72ps(NMOS) 1.41ps(PMOS) | 160 220 |
| 2003年 3月号 | SiMOSトランジスタ -ゲート長6nmと最小- | 米IBM | 日刊工業新聞 (2002年12月11日PP.4) | SOI上のSi膜厚4nm ハロー・インプラント技術 | 160 220 |
| 2003年 3月号 | 電力増幅能力3倍のトランジスタ -携帯基地局向け- | NEC | 日経産業新聞 (2002年12月17日PP.10) | AlNとGaNの化合物にGaNを組み合わせる 長さ0.25μmのゲート 30GHzで2.3Wの出力電力 | 220 |
| 2003年 2月号 | Si製半導体 -｢2世代先｣実現にメド- | 東芝 | 日本経済新聞 (2002年11月29日PP.17) | ゲート電極幅14nmのトランジスタ 基板正負電極間の絶縁膜最適化 ゲート電極材料の改良 | 220 160 |
| 2002年12月号 | 単一電子素子 -量産化メドに- | 産総研 科学技術新興事業団 富士通研 | 日経産業新聞 (2002年9月17日PP.3) 日本工業新聞 (2002年9月9日PP.2) | 単一電子トランジスタ 室温動作 信号ノイズ従来比1/1000 CNT | 120 220 |
| 2002年12月号 | 新構造のトライ・ゲート型トランジスタ開発 | 米インテﾙ | 日刊工業新聞 (2002年9月20日PP.9) | トライゲート型トランジスタ 3次元構造のゲートを採用 同サイズのプレーナ型と比較して20%多い電流を駆動 | 160 220 |
| 2002年10月号 | 「スピン偏極共鳴トンネル効果」発見 -新機能素子実現に道- | 産業総研 科学技術振興事業団 | 日本工業新聞 (2002年7月12日PP.2) 日本経済新聞 (2002年7月12日PP.17) | スピン偏極共鳴トンネル効果 厚さ3μmのCuと単結晶Co 素本偏極量子井戸準位確認 | 120 220 230 |
| 2002年 9月号 | 高速トランジスタ | 富士通研 | 日経産業新聞 (2002年6月12日PP.12) | 動作速度従来の1.5倍 Si・Ge薄膜 pMOS | 220 |
| 2002年 9月号 | 90ナノ世代システムLSIプロセス技術 -世界最小SRAMセル内蔵- | 三菱電機 松下電器 | 電波新聞 (2002年6月13日PP.1) | 140万トランジスタ/mm2 SRAMセルサイズ1.56μm×0.64μm KrF露光 90nmプロセス | 220 230 |
| 2002年 9月号 | LSIの消費電力を1/10に低減するトランジスタ | 松下電器 | 日本経済新聞 (2002年6月20日PP.11) | SiGeのナノ構造薄膜をSi基板に形成 0.5V動作 CMOSトランジスタ | 220 160 |
| 2002年 9月号 | 単一電子トランジスタ -ナノチューブで作製- | 産総研 富士通研 | 日本経済新聞 (2002年6月24日PP.23) | SiO2基板上 自己組織化 チューブ径 2nm | 220 120 |
| 2002年 8月号 | DNAトランジスタ -スパコン携帯型に道- | 富士ゼロックス | 日本経済新聞 (2002年5月9日PP.3) | 大きさ従来トランジスタの1/10 電極間隔10nm サケの精子のDNA | 120 220 |
| 2002年 8月号 | スピンバルブトランジスタ-室温動作に成功- | 東芝 | 日刊工業新聞 (2002年5月16日PP.1) | 室温でMR比200% 磁気ヘッド SVT(スピンバルブトランジスタ) | 230 |
| 2002年 8月号 | ナノチューブトランジスタ | 米IBM | 日経産業新聞 (2002年5月22日PP.8) | Si製の2倍の動作速度 p-n型の作り分け MOSFETと同構造 | 220 |
| 2002年 8月号 | 次世代光伝送向けトランジスタ | 沖電気 | 日経産業新聞 (2002年5月27日PP.7) | ゲート幅100nm 積層部をInとPで構成 ウェットエッチング 6層構造 | 220 160 |
| 2002年 7月号 | 超高集積チップへ道 -ナノチューブトランジスタ試作超LSI配線応用- | 富士ゼロックス NTT | 日本経済新聞 (2002年4月29日PP.15) | CNT 直径20nmリング | 120 220 |
| 2002年 6月号 | シリコン系素材で共鳴トンネル効果 | 静岡大 | 日刊工業新聞 (2002年3月4日PP.8) | 光デバイスとの一体化回路の微細化に有効 -258℃～-173℃で電流ピークを確認厚さ2mm | 120 220 |
| 2002年 6月号 | 最速トランジスタ-動作周波数500GHz超- | 富士通研 通信総研 阪大 | 日経産業新聞 (2002年3月26日PP.14) | 動作周波数562GHz HEMT InP基板 InAIAs電子供給層 InGaAs電子走行層 | 220 |
| 2002年 5月号 | 小型メモリー素子 -DRAM 後の中核技術 | 東芝 | 日本経済新聞 (2002年2月8日PP.17) | システムLSI DRAM トランジスタ下にキャパシタ 消費電力2.5倍 面積半分に | 220 230 |
| 2002年 5月号 | 米TIが0.09μmプロセス技術 一行紹介 | 米T.I | 電波新聞 (2002年2月8日PP.5) | 37nm幅のトランジスタ | 220 |
| 2002年 3月号 | 歪みシリコントランジスタ -電子移動度2.2倍- | 日立 | 電波新聞 (2001年12月6日PP.6) | 平坦化SiGe電子移動度2.2倍 正孔移動度1.42倍 | 220 |
一行紹介 | (2001年11月9日PP.17) | 有機半導体分子層 | |||
| 2002年 1月号 | 増幅限界周波数472GHzトランジスタ (一行で紹介) | 通信総研 富士通研 阪大 | 日刊工業新聞 (2001年10月19日PP.10) | トランジスタ ミリ波通信 | 120 |
| 2001年11月号 | 無線回路1チップに -腕時計型パソコンに道- | 米UCLA | 日本経済新聞 (2001年8月17日PP.17) | 1.8mm×2.4mm 消費電力2.2mW 500bps ウエアラブル機器CMOSトランジスタ | 220 240 |
| 2001年 8月号,9月号 | 20nmゲート長トランジスタ -20GHzMPU動作目指す- | 米インテル | 日刊工業新聞 (2001年6月13日PP.10) | 20GHzマイクロプロセッサ MPU | 520 |
| 2001年 8月号,9月号 | 世界最速のトランジスタ | 米IBM | 日本経済新聞 (2001年6月26日PP.3) | 処理速度210GHz SiGe スイッチ動作速度1.5T回/s | 220 |
| 2001年 6月号 | 新トランジスタ -3種類の信号で複雑演算可能に- | NEC | 日本経済新聞 (2001年4月6日PP.17) | 多値トランジスタ GaAs 2ヶ所のトンネル接合 | 220 |
| 2001年 6月号 | 薄膜構造のスーパレンズ -トランジスタ 光方式の作動に成功- | 産業技術総合研 他6社 | 日刊工業新聞 (2001年4月20日PP.6) 日本経済新聞 (2001年4月20日PP.17) | 最大60倍に増幅 Ge・AgOなどの多層膜 青色レーザ励起 信号は赤色レーザ 超解像近接場構造 光トランジスタ | 220 120 |
| 2001年 6月号 | トランジスタ素子 -1/500の大きさ- | 米IBM | 日本経済新聞 (2001年4月30日PP.25) | カーボンナノチューブ 大電流で金属タイプを焼き切る MOSトランジスタ | 220 |
| 2001年 5月号 | 内部抵抗1/10のトランジスタ | 電総研 | 日経産業新聞 (2001年3月19日PP.11) | SiCトランジスタ MOSFET 1kV-1mΩ | 220 |
| 2001年 4月号 | インクジェット使いTFT製作 | エプソン | 日経産業新聞 (2001年2月28日PP.1) | 水溶性導電性ポリマー 有機トランジスタ回路 | 160 250 |
| 2001年 2月号 | 低雑音増幅IC | 沖電気 | 電波新聞 (2000年12月21日PP.6) | 38GHz帯 60GHz帯 P-HEMT構造 | 240 340 |
| 2001年 2月号 | トランジスタ製造コスト半減 | 東芝 日本真空技術 | 日経産業新聞 (2000年12月15日PP.1) | イオン注入装置 露光工程不要 マスク強度耐熱性向上 | 160 |
| 2001年 2月号 | MPUで新技術 -0.03μmゲート幅のトランジスタ- | インテル | 日経産業新聞 (2000年12月12日PP.1) | MPU CMOS ゲート長0.03μm 線幅0.07μm | 220 |
| 2001年 2月号 | 100GHz超の信号処理用HEMT | 立命館大 工技院大阪工業技研 他 | 日経産業新聞 (2000年12月4日PP.12) 電波タイムズ (2000年12月6日PP.2) | GaN HEMT 130GHz | 220 |
| 2000年12月号 | 量子トッドメモリーー -電界 光で電荷制御に成功- | 富士通 | 日刊工業新聞 (2000年10月5日PP.6) | 量子ドットメモリー(QD) 正四面体溝(TSR) GaAs 縦形高電子移動トランジスタ(HEMT) 多値記憶 | 230 |
| 2000年11月号 | 携帯電話網向け増幅器 -消費電力20%削減ｰ | 住友電工 | 日経産業新聞 (2000年9月26日PP.1) | W-CDMA トランジスタ | 140 |
| 2000年10月号 | HD容量上げる微細加工技術 -容量10倍超へ- | 東芝 | 日本経済新聞 (2000年8月19日PP.13) | 高分子材料 自己組織化 ナノテクノロジー 単一電子トランジスタ ハードディスク | 160 230 |
| 2000年 5月号 | Si単電子トランジスタ集積化技術 -メモリードットを利用- | 東大 | 日本工業新聞 (2000年3月10日PP.17) | 単電子トランジスタ 集積化 メモリードット | 220 |
| 2000年 4月号 | 新半導体製造法 -垂直構造で高集積- | 米ルーセントテクノロジー | 日経産業新聞 (2000年2月25日PP.5) | トランジスタ 半導体 ゲート長50nm 垂直構造 | 220 160 |
| 2000年 4月号 | 最速トランジスタ -40Gbpsの信号処理- | 日立 | 日経産業新聞 (2000年2月8日PP.5) | 光通信向けIC 周波数変換IC ヘテロ接合バイポーラトランジスタ Si-GeHBT 最小線幅0.2μm | 220 |
| 2000年 3月号 | 世界最高速のHEMT | 郵政省 富士通 阪大 | 日経産業新聞 (2000年1月21日PP.5) | HEMT 362GHz 電子走行層10nm InGaAs 電子供給層 InAlAs ミリ波 | 220 |
| 2000年 3月号 | 新CDV法を確立 -0.1μmのトランジスタ- | 豊田工大 | 日経産業新聞 (2000年1月14日PP.5) 日刊工業新聞 (2000年1月14日PP.5) | LSI Si窒化薄膜 電子ビーム プラズマ ゲート絶縁膜 0.1μmルール半導体製造 低温 低圧力 | 160 |
| 2000年 3月号 | 窒化ガリウム系HEMT -室温から350℃安定に動作- | 名工大 | 日刊工業新聞 (2000年1月7日PP.6) | GaN系HEMT 146mS/mm ゲート長2.1μm 電子移動度740cm2/Vs リセス構造 MOCVD法 | 220 |
| 2000年 2月号 | 単電子トランジスタの論理回路 -消費電力10万分の1- | NTT | 日経産業新聞 (1999年12月10日PP.5) 日刊工業新聞 (1999年12月10日PP.7) 電波タイムズ (1999年12月17日PP.1) | 単一電子トランジスタ(SET) 論理回路 パターン依存酸化法 V-PADOX法 超低消費電力 1/100,000 Si熱酸化手法 インバータ回路 低温動作:-243℃ | 220 160 |
| 2000年 2月号 | 1GHzの微小トランジスタ | 日立 | 日経産業新聞 (1999年12月7日PP.5) | 1GHz ゲート長0.1μm トランジスタ CMOS 2層構造絶縁膜 タングステン薄膜 | 220 |
| 1999年12月号 | スピントランジスタ -基本動作確認- | 日立 | 日経産業新聞 (1999年10月7日PP.5) | 電子スピン カーボンナノチューブ | 220 |
| 1999年12月号 | 超機能ターゲット材料 -電極材料を一括作製- | 京大 | 日刊工業新聞 (1999年10月29日PP.7) | GaAsトランジスタ 電極材料 | 160 |
| 1999年11月号 | シナプスまねし簡便な学習回路 -回路面積1/100以下- | 東工大 | 日刊工業新聞 (1999年9月21日PP.6) 日経産業新聞 (1999年9月22日PP.5) | 神経シナプス 強誘電体膜 SBT FET 適応学習機能 SBT 新トランジスタ SBTの薄膜 ニューラルネットワーク | 520 220 160 |
| 1999年 8月号 | 1兆ビット不揮発メモリーに道 -電子数に応じ“多値”確認- | NEC | 日刊工業新聞 (1999年6月10日PP.1) | 単一電子トランジスタ(SET) 不揮発性メモリー 多値動作 Si窒化膜 高集積 低消費電力 3.5K 6値を確認 | 230 |
| 1999年 8月号 | 世界最小のトランジスタ -構造試作 動作を確認- | NEC | 日経産業新聞 (1999年6月17日PP.5) | ゲート電極長50nm P-MOS MOSトランジスタ MOSFET | 160 220 |
| 1999年 6月号 | 電界効果トランジスタ - 400℃で安定動作 - | NTT | 日経産業新聞 (1999年4月23日PP.5) | FET GaN ヘテロ接合 | 220 |
| 1999年 6月号 | 光トランジスタ -光通信波長帯で動作- | 豊田工大 日本山村硝子 | 日刊工業新聞 (1999年4月16日PP.7) | NAND動作 光信号反転器 光増幅効果 波長1.5μm帯 エルビウムイオン 負性非線形吸収効果(NAA効果) 光IC 希土類 低電力 高速 増幅 | 220 |
| 1999年 6月号 | 横形ホットエレクトロントランジスタ | NEC | 日刊工業新聞 (1999年3月29日PP.1) | 横形HET ホットエレクトロン効果 10Tbメモリー MOSトランジスタ 電界変調浅接合形 | 220 |
| 1999年 5月号 | 世界最小MOSトランジスタ -ゲート長8nm- | NEC | 日刊工業新聞 (1999年3月29日PP.1) | MOSトランジスタ HET 10Tbメモリー ホットエレクトロン効果 トランジスタ ゲート長8nm 電子線レジスト 横形HEMT | 220 160 |
| 1999年 5月号 | 世界最大の容量伝送 -350GHzと最高速実現- | NTT | 日刊工業新聞 (1999年3月19日PP.4) 電波タイムズ (1999年3月19日PP.1) | In P系 HEMT 遮断周波数350GHz 3Tbpsを40km伝送 2段階リセスゲート フラーレン添加 電子線レジスト | 220 240 160 |
| 1999年 3月号 | 動作速度25%の向上のトランジスタ | NEC | 日経産業新聞 (1999年1月4日PP.4) | 0.1μm C-MOS トランジスタ | 220 |
| 1999年 2月号 | トランジスタパッケージ -最小の環境配慮型- | 三洋電機 | 日本経済新聞 (1998年12月11日PP.11) | チップサイズパッケージ 鉛使用量ゼロ | 260 |
| 1999年 2月号 | 量子メモリー -低電圧1Vで書込み消去- | 富士通 | 日刊工業新聞 (1998年12月9日PP.5) | テラビット級 HEMT 異方性エッチング TSR溝 量子ドット浮遊ゲート 不揮発性 書込み/消去電圧1V | 230 220 |
| 1999年 2月号 | 書込み速度50倍のフラッシュメモリー | 松下電器産業 松下電子 ヘイロLSI社 | 日本経済新聞 (1998年12月7日PP.17) 電波新聞 (1998年12月7日PP.1) | ゲート間距離40nm 書込み200ns 書込み電圧5V バリスティック型トランジスタ 高効率エレクトロン | 220 230 |
| 1999年 1月号 | 電界効果トランジスタ -低雑音性で世界最高水準- | NEC | 日本工業新聞 (1998年11月13日PP.1) | FET ヘテロ構造 周波数コンバータ NF0.35dB 低雑音 | 220 |
| 1999年 1月号 | インジウム リンの半導体製造技術 -超微細 薄膜で新技術- | 通信 放送機構 | 日刊工業新聞 (1998年11月10日PP.5) | InP 高精度微細加工 超導膜成長 高速動作 静電誘導トランジスタ ISIT TBPガス TEIガス ディジタルエッチング 分子層成長 | 160 |
| 1998年11月号 | 超電導回路 -室温半導体回路複合化に成功- | 富士通 | 日刊工業新聞 (1998年9月3日PP.1) | 超電導回路 室温半導体回路 ジョセフソン接合昇圧回路 HEMT Tb級システム | 220 |
| 1998年10月号 | FEDの新型電極 -次世代表示装置向けに開発- | 電総研 | 日経産業新聞 (1998年8月31日PP.5) | FED 電極 放電電流の変動 大画面表示 薄型表示装置 微細電極 薄型トランジスタ a-Si FED電極 TFTで電流ばらつ き低減 | 250 160 |
| 1998年 9月号 | セル作製技術 -容量2倍のFeRAM- | NEC | 日経産業新聞 (1998年7月13日PP.5) | FeRAM 1組トランジスタ 参照電圧 | 230 |
| 1998年 8月号 | 超小型トランジスタ -金属使い集積度100倍- | 北陸先端院大 海軍研究所(米) | 日本経済新聞 (1998年6月22日PP.19) | 金属製トランジスタ トンネル効果 高集積 LSI 高集積化 | 220 120 |
| 1998年 6月号 | 次世代メモリー -FeRAM高速化- | ローム | 日経産業新聞 (1998年4月16日PP.1) | FeRAM 高速化 低消費電力化 製造技術 PZT成膜温度を550℃に低温化 トランジスタ線幅0.18μm可能に | 230 160 |
| 1998年 4月号 | 世界最高速IC | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1998年2月5日PP.6) | 遮断周波数100GHz Si系HBT HBT 最大発振周波数100GHz 8psの伝搬遅延時間 40～50Gbpsの光伝送システム用 | 220 |
| 1998年 2月号 | 世界最小のトランジスタ | 京大 富士通研 | 日経産業新聞 (1997年12月17日PP.5) 日本経済新聞 (1997年12月17日PP.11) | 線幅40nm クラスタイオン ホウ素原子の10個の塊をイオン注入 トランジスタ | 160 220 |
| 1998年 2月号 | MOSトランジスタ用高信頼ゲート電極構造 -ゲート長0.25μm以下- | NEC | 電波新聞 (1997年12月8日PP.7) | LGP2層 SiOx | 220 160 |
| 1998年 1月号 | 超広帯域ベースバンドIC | NEC | 日刊工業新聞 (1997年11月11日PP.7) | 広帯域IC GaAsヘテロバイポーラ(HBT) | 220 |
| 1998年 1月号 | 単電子トランジスタ -室温動作に成功- | 東工大 | 日刊工業新聞 (1997年11月6日PP.7) | 単電子トランジスタ オイルミスト EBID | 220 160 |
| 1997年12月号 | SRAM小型化技術 | 東芝 | 日経産業新聞 (1997年10月15日PP.5) | トンネル効果 3トランジスタ 負性抵抗 NOSトランジスタ SOI構造 0.35μmプロセス 室温動作 | 220 230 |
| 1997年11月号 | 超微細MOSトランジスタ -模擬素子で正常動作- | NEC | 電波新聞 (1997年9月12日PP.1) 日経産業新聞 (1997年9月12日PP.5) | ゲート長14nm EJ-MOSFET 2重ゲート構造 10Tbメモリーへ道 10Tb MOS | 220 |
| 1997年10月号 | 超高速の半導体素子 | ソニー 他 | 日本経済新聞 (1997年8月25日PP.19) | 半導体素子 量子化機能素子 共鳴トンネルダイオード | 220 |
| 1997年 7月号 | 多値回路用トランジスタ | NEC | 日経産業新聞 (1997年5月19日PP.5) | 負性抵抗 多ピーク 多値回路用トランジスタ GaAs 複数のトンネル接合 3値電流出力 メモリーを試作 | 220 |
| 1997年 6月号 | MOSトランジスタ -正常な動作を実証- | NEC | 日経産業新聞 (1997年4月3日PP.5) | ゲート長0.03μm Tb級メモリー 電界印加でソースドレイン領域を作成 | 220 |
| 1997年 6月号 | 単一電子トランジスタ --170℃で作動- | NEC | 日経産業新聞 (1997年4月2日PP.5) | 単一電子素 メモリー -170℃ AL蒸着 -170℃作動 不揮発性メモリー アルミニウム 単一電子トランジスタ | 220 230 |
| 1997年 6月号 | 低電圧・高出力のHBT | NEC | 日刊工業新聞 (1997年4月1日PP.6) | ディジタル携帯電話 AlGaAs/GaAs系 金メッキ高熱伝導 3.4V動作 1.4W出力 チップサイズ0.58×0.77 | 220 |
| 1997年 4月号 | 光伝送用LSI -消費電力1/10に- | NTT | 日経産業新聞 (1997年2月19日PP.5) | 光伝送 LSI 光伝送用LSI バイポーラトランジスタ | 240 |
| 1997年 3月号 | ダイヤモンドトランジスタ-Si基板に形成- | 早大 | 日経産業新聞 (1997年1月8日PP.4) | ダイヤモンド トランジスタ Si基板 2cm角 | 220 120 |
| 1997年 2月号 | FED基本素子 -低い電圧で安定動作- | 東芝 電総研 富士通研 | 日経産業新聞 (1996年12月9日PP.5) 日本経済新聞 (1996年12月9日PP.17) 日経産業新聞 (1996年12月26日PP.4) | 6ホウ化ランタン陰極 低電圧駆動 陰極にトランジスタ 長寿命化 FED Siの鋳型 陰極 28V動作 3～5Vの低電圧動作可能性 開口制御性向上 0.15μm幅開口 PN接合分離 | 250 260 |
| 1997年 1月号 | 原子細線パターニング | 日立製作所 東大 | 日刊工業新聞 (1996年11月7日PP.6) | 原子リレートランジスタ 原子操作 走査トンネル顕微鏡 Si 原子細線 | 120 160 660 |
| 1997年 1月号 | 2nmのSi細線 -電子線露光で作製- | NTT | 日経産業新聞 (1996年11月5日PP.6) | 幅2nm エッチング 電子線露光 Si細線 単一電子トランジスタ | 120 260 160 |
| 1996年11月号 | 多値論理回路試作 | NTT | 日経産業新聞 (1996年9月23日PP.4) | 共鳴トンネル素子 HEMT InGaAs系 多値回路 4値 室温動作 | 220 |
| 1996年10月号 | SOI方式トランジスタ -1～2割高速化- | 東芝 | 日経産業新聞 (1996年8月27日PP.5) | SOI 速度オーバシュート | 220 |
| 1996年10月号 | Tb級メモリー | 富士通 | 電波新聞 (1996年8月26日PP.6) | メモリー Tb 共鳴トンネル効果 | 230 220 |
| 1996年 9月号 | 新動作原理のMOSFET | 北大 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1996年7月11日PP.6) | MOSFETのゲート部に微小コンタクト追加 ゲート長1.3μm バイポーラトランジスタ MOS バイポーラ FET | 220 |
| 1996年 8月号 | MOS電界効果のトランジスタ -半導体素子の不純物混入- | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1996年6月12日PP.5) | プラズマドーピング | 220 260 |
| 1996年 7月号 | Siで新素子 -消費電力1/10以下に- | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1996年5月31日PP.4) | Si半導体 共鳴トンネル効果 消費電力1/10以下 | 220 |
| 1996年 6月号 | 電極に超電導材料採用のトランジスタ | 慶大 | 日経産業新聞 (1996年4月19日PP.5) | 超電導 電界効果トランジスタ | 220 120 |
| 1996年 6月号 | 透明セラミックス薄膜合成 -透明トランジスタに道- | 東工大 | 日経産業新聞 (1996年4月8日PP.5) | 透明セラミックス 透明トランジスタ 酸化ガリウム銅 液晶ディスプレイ用 透明 うすい黄色 P型半導体 | 120 150 |
| 1996年 3月号 | 最高速バイポーラトランジスタ -Si使い最高速素子- | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1996年1月9日PP.5) | バイポーラ 70GHz Siトランジスタ Woベース電極 バイポーラトランジスタ 遅延時間14.3/s | 220 260 |
| 1996年 2月号 | 低電圧で低歪み高出力HBT | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1995年12月20日PP.7) | HBT GaAs 低電圧 低歪み 2Vで1W | 220 |
| 1996年 2月号 | 低電圧動作のFET -パワートランジスタ電池1本，1.2Vで駆動- | NEC 松下電子 | 日本工業新聞 (1995年12月14日PP.1) 日経産業新聞 (1995年12月20日PP.5) | 電力増幅用FET 低電圧 携帯電話 1.5V動作 FET V型ゲート 1Vで1.2W | 220 |
| 1996年 2月号 | 世界初ゲート長0.1μmの非対称NMOSトランジスタ -世界で初めて開発- | 松下電器産業 | 電波新聞 (1995年12月9日PP.1) | ゲート長0.1μm 非対称NMOSトランジスタ 1.5V動作 | 220 |
| 1996年 2月号 | 多値トランジスタ -電流値量子化を確認- | NTT | 日経産業新聞 (1995年12月1日PP.5) | 電流量子化 0.01K 3ビット分を確認 量子トランジスタ 8段階3ビット | 220 120 |
| 1996年 1月号 | 高出力HBT -26GHz帯送信用デバイス固体化に道- | NEC | 日刊工業新聞 (1995年11月8日PP.7) | ミリ波 高出力HBT 26GHz帯 ミリ波電力増幅器 HBT 高出力 固体化 | 220 |
| 1995年 9月号 | 量子干渉効果を観測 | NTT | 日刊工業新聞 (1995年7月20日PP.7) | 半導体中の超電導電流 HEMT+超電導電極 量子効果 観測技術 | 120 660 360 |
| 1995年 9月号 | 銅配線のCMOSトランジスタ | NTT | 日経産業新聞 (1995年7月19日PP.5) | CMOS 銅配線 | 160 |
| 1995年 8月号 | 高速トランジスタの電極形成技術 -16GbDRAMに対応- | 東芝 | 日経産業新聞 (1995年6月27日PP.5) | トランジスタ電極 ゲート抵抗1/10 | 220 160 |
| 1995年 7月号 | SOI型トランジスタ -耐久性向上・実用化へ- | 東芝 | 日経産業新聞 (1995年5月17日PP.5) | ゲルマニウムイオン注入 高耐圧 SOI SOI型トランジスタ | 220 |
| 1995年 6月号 | 単電子トンネルトランジスタ | 東洋大 | 日刊工業新聞 (1995年4月21日PP.5) | 単電子トランジスタ | 220 |
| 1995年 3月号 | 新型ヘテロ接合バイポーラトランジスタ | 東工大 | 日本工業新聞 (1995年1月18日PP.11) | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ 炭素の添加で安定性向上 | 220 |
| 1995年 2月号 | 単電子トランジスタ | NTT | 日経産業新聞 (1994年12月16日PP.5) 電波新聞 (1994年12月16日PP.2) 日刊工業新聞 (1994年12月16日PP.7) 日本工業新聞 (1994年12月16日PP.8) | 単電子トランジスタ 量子効果現象 室温動作 | 220 |
| 1995年 2月号 | 1GbDRAM用超小型トランジスタ | 松下電器産業 三菱電機 | 日経産業新聞 (1994年12月14日PP.5) | 13.1ps/1.5V 1GbDRAM 松下ゲート長:0.05μm 三菱ゲート長:0.15μm 加工技術 | 220 230 160 |
| 1995年 2月号 | GaAsヘテロバイポーラトランジスタ | 富士通研 | 電波新聞 (1994年12月13日PP.7) 日刊工業新聞 (1994年12月13日PP.6) | トランジスタ 3.5V動作 寿命100年 | 220 |
| 1995年 2月号 | 世界最高速の省電力MOSトランジスタ | 東芝 | 朝日新聞 (1994年12月9日PP.13) 電波新聞 (1994年12月9日PP.2) 日経産業新聞 (1994年12月9日PP.5) | MOSトランジスタ 膜厚1.5nm 1.5V動作 1～4GbDRAM ゲート長0.09μm 省電力 | 220 |
| 1995年 1月号 | 90MHz帯1チップMMIC増幅器 | 三菱電機 | 電波新聞 (1994年11月25日PP.5) 日経産業新聞 (1994年11月25日PP.5) 日刊工業新聞 (1994年11月25日PP.7) | ミリ波増幅器 90GHz HEMT ゲート長0.15μm 高速IC MMIC 雑音3.4dB 利得8.7dB 環境衛星用 | 220 240 |
| 1994年12月号 | SiGe系HBT -20Gbpsと最高速- | NEC | 日刊工業新聞 (1994年10月14日PP.7) | Si Ge系HBT | 440 220 |
| 1994年12月号 | GaAsHBTIC -40Gbpsの超高速処理，次世代光通信に道- | 東芝 | 日刊工業新聞 (1994年10月4日PP.6) | 光通信 GaAsHBTIC | 220 340 |
| 1994年11月号 | 二重障壁構造の量子井戸 -1テラメモリーに道- | 松下電器産業 | 日刊工業新聞 (1994年9月19日PP.15) | 単結晶Si 共鳴トンネル現象 | 220 230 |
| 1994年10月号 | 1Gb以上対応トランジスタ | NEC | 日本工業新聞 (1994年8月16日PP.5) | 0.1μmプロセス DRAM 1GbDRAM以上 トンネル効果を利用 | 220 230 |
| 1994年 8月号 | T型トランジスタ-ゲート電極，長さ70nmに- | NEC | 日経産業新聞 (1994年6月21日PP.4) | ゲート電極 長さ70nm 増幅率ほぼ2倍 高効率 FET ゲート長70nm 電界効果型トランジスタ | 220 |
| 1994年 8月号 | 初の21型TFTカラー液晶ディスプレイ | シャープ | 電波新聞 (1994年6月9日PP.1) 日経産業新聞 (1994年6月9日PP.8) 日本経済新聞 (1994年6月9日PP.12) 日本工業新聞 (1994年6月9日PP.7) 日刊工業新聞 (1994年6月9日PP.7) | 21インチテレビ 液晶ディスプレイ 大画面化 液晶表示装置 TFT LCD ディスプレイ a-Si薄膜トランジスタ 厚さ27mm | 250 350 |
| 1994年 7月号 | トランジスタ470万個搭載60MHz版MPU | 仏ブル社 | 電波新聞 (1994年5月24日PP.4) | トランジスタ470万個の集積度 | 220 |
| 1994年 6月号 | 1チップで1W出力のHBT | 三菱電機 | 日刊工業新聞 (1994年4月23日PP.2) | HBT(ヘテロ接合バイポーラトランジスタ) | 220 |
| 1994年 5月号 | 強誘電体トランジスタ -書換え1兆回実現- | ローム | 日刊工業新聞 (1994年3月16日PP.7) 電波新聞 (1994年3月16日PP.1) | 新型メモリー 書換え1兆回 強誘電体素子 強誘電トランジスタ | 220 |
| 1994年 4月号 | 第2世代量子効果トランジスタMERHET -1素子で論理動作- | 富士通 | 電波新聞 (1994年2月17日PP.6) 日刊工業新聞 (1994年2月17日PP.7) | 量子効果トランジスタ ME(マルチエミッタ) LSIを1/10小型化 RHET(共鳴トンネルホットエレクトロントランジスタ) | 220 |
| 1994年 4月号 | MPEG-2対応DSP -世界初の1チップ化- | 米TI | 日経産業新聞 (1994年2月15日PP.1) | MPEGIC MPEG対応LSI 400万トランジスタ 初の1チップ化 MPEG-2 DSP | 220 520 320 |
| 1994年 3月号 | 新型バイポーラトランジスタ -低消費電力で高速動作- | NTT | 日経産業新聞 (1994年1月4日PP.4) | バイポーラトランジスタ(HBT) InGaAs 遮断周波数176GHz InP/InGaAs 2.3mA/163GHz | 220 |
| 1994年 2月号 | 寿命100倍の新構造トランジスタ | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1993年12月10日PP.5) | 窒素イオン注入 | 260 220 |
| 1994年 2月号 | 共鳴トンネルトランジスタ -金属と絶縁体で試作- | 東工大 | 日経産業新聞 (1993年12月6日PP.5) | 共鳴トランジスタ | 220 |
| 1994年 2月号 | 世界最小MOSトランジスタ -ゲート長世界最小実現- | 東芝 | 電波新聞 (1993年12月3日PP.1) 日経産業新聞 (1993年12月3日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年12月3日PP.7) 日本工業新聞 (1993年12月3日PP.6) | MOSトランジスタ ゲート長0.4μm 超微細加工技術 世界最小 100GbpsのDRAM 1.5V動作 従来ゲート長0.07μm 固層拡散法 | 220 260 |
| 1994年 1月号 | 世界トップレベルのミリ波HEMT | 三菱電機 | 日刊工業新聞 (1993年11月19日PP.7) 電波新聞 (1993年11月19日PP.6) | ミリ波帯用HEMT 雑音指数0.9dB 増幅率9dB InP基板 60GHz | 220 |
| 1993年12月号 | 共鳴ホットエレクトロントランジスタ | 富士通 | 日経産業新聞 (1993年10月26日PP.5) 日経産業新聞 (1993年10月29日PP.5) | トランジスタ 記憶素子 量子効果 ダブルエミッタRHET メモリー 5×7μm | 220 230 |
| 1993年11月号 | 表面トランジスタ -ギガビット級に道- | NEC | 日経産業新聞 (1993年9月27日PP.5) 日本経済新聞 (1993年9月27日PP.19) | ギガビット級LSI STT トンネル効果 | 220 |
| 1993年11月号 | BS受信用HEMT -雑音特性世界最高に- | 富士通研 | 日経産業新聞 (1993年9月1日PP.5) | HEMT InGaP系HEMT f12GHz NF0.45dB G14.5dB | 220 |
| 1993年11月号 | 通信分野向けHEMT -素子特性で世界最高- | 東芝 | 日刊工業新聞 (1993年9月1日PP.8) 電波新聞 (1993年9月10日PP.5) 日経産業新聞 (1993年9月10日PP.9) 日刊工業新聞 (1993年9月10日PP.7) | HEMT 低雑音 高性能 MOCVD In P基板系HEMT NF0.3dB(NF0.38dB) G14.4dB | 220 |
| 1993年10月号 | 基板上にトランス一体化 | NTT | 日経産業新聞 (1993年8月24日PP.5) | 変圧器 薄膜トランジスタ 5mm角 厚さ0.4mm | 250 220 |
| 1993年10月号 | 超電導トランジスタ | 沖電気 | 日経産業新聞 (1993年8月19日PP.5) | -253℃ 実用水準の増幅率 酸化物高温超電導 -253℃で完全動作 初の実用水準の増幅率 | 220 |
| 1993年 8月号 | ミリ波通信用トランジスタ | NEC | 日経産業新聞 (1993年6月28日PP.5) | HBT ミリ波トランジスタ 最大発振周波数:224GHz | 220 240 |
| 1993年 7月号 | トランジスタレーザ | 工技院 三菱化成 | 日経産業新聞 (1993年5月10日PP.5) | トランジスタレーザ 単素子に両機能 同一構造で両機能 低消費電力 | 220 250 |
| 1993年 6月号 | 大電流超電導トランジスタ -5Vで1000A達成- | 富士通 | 日刊工業新聞 (1993年4月15日PP.9) | バイポーラ型 超電導トランジスタ 初の実用レベル チタン酸ストロンチウム 5V/1000A | 220 |
| 1993年 6月号 | 雑音が世界最低のミリ波用HEMT | 三菱電機 | 電波新聞 (1993年4月7日PP.6) 日経産業新聞 (1993年4月7日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年4月7日PP.9) | HEMT 60GHz 雑音指数1.6dB 利得6.5dB 雑音が世界最低 | 220 |
| 1993年 6月号 | 低消費電力ヘテロ接合バイポーラトランジスタ | NEC | 日刊工業新聞 (1993年4月1日PP.5) | HBT 消費電力0.5mW 超高速通信用LSI | 220 |
| 1993年 5月号 | 化合物半導体量子効果トランジスタ | 三洋電機 | 電波新聞 (1993年3月24日PP.1) | 220 | |
| 1993年 4月号 | 人工知能向け超並列チップ | 東北大 | 電波新聞 (1993年2月23日PP.8) 日経産業新聞 (1993年2月23日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年2月23日PP.9) | LSI ニューロンMOSトランジスタ インテリジェントハードウェア ニューロLSI 超並列処理 集積システム スパコンの1000倍速度 柔らかいハードウェア | 520 220 |
| 1993年 4月号 | 化合物半導体使った超高速トランジスタ -新技術で量産化に道- | NTT | 日経産業新聞 (1993年2月17日PP.5) | 220 260 | |
| 1993年 4月号 | 超高速トランジスタ | 東工大 | 日経産業新聞 (1993年2月16日PP.5) | 超薄膜 HET -196℃ 従来の5～6倍速 金属 絶縁体Tr コバルトシリサイト フッ化カルシウム 分子線結晶成長法 800GHz | 220 |
| 1993年 3月号 | スイッチング速度20psの高速CMOS | 富士通 | 日刊工業新聞 (1993年1月20日PP.5) | ディレイ20ps CMOSトランジスタ 27ps ゲート長0.17μm 2ゲート構造 従来は28ps(常温) 走査線2000本 従来プロセス | 220 |
| 1993年 3月号 | 量子干渉トランジスタ -電界で波動を制御- | NTT | 日刊工業新聞 (1993年1月13日PP.7) | 量子干渉トランジスタ 超高速低消費電力 電界効果型Tr 素子数1/50 | 220 |
| 1993年 2月号 | 超微細MOSトランジスタ -ゲート長0.1μm以下に- | 東芝 | 日刊工業新聞 (1992年12月21日PP.8) | 超微細加工技術 PMOSトランジスタ 固相拡散ドレイン(SPDD)構造 ゲート長0.08μm | 260 220 |
| 1993年 2月号 | HEMTと共鳴トンネルダイオードを一体化 | 富士通研 | 日経産業新聞 (1992年12月15日PP.5) 電波新聞 (1992年12月15日PP.6) 日刊工業新聞 (1992年12月15日PP.9) | HEMT 共鳴トンネルダイオード | 220 |
| 1993年 2月号 | 遅延時間19psのHBT | NEC | 電波新聞 (1992年12月15日PP.6) | HBT fmax50GHz 19ns SiGeベースHBT | 220 |
| 1993年 2月号 | 多数信号処理の新型トランジスタ -量子波素子を直列接続- | NTT | 日刊工業新聞 (1992年12月1日PP.9) 日経産業新聞 (1992年12月1日PP.5) | 共鳴トンネル効果 多入力 重み付け演算 量子効果 負性抵抗 量子波素子 4入力演算機能 | 220 |
| 1993年 1月号 | 超電導3端子トランジスタ -1万倍の電流密度実現- | 富士通 | 日刊工業新聞 (1992年11月6日PP.7) | 超電導3端子トランジス 電流密度1万倍 超電導トランジスタ 2極式 電流密度10A | 220 |
| 1993年 1月号 | 超高速バイポーラトランジスタ | 東工大 | 日刊工業新聞 (1992年11月4日PP.5) | HETタイプ 電流増幅率150 | 220 |
| 1992年12月号 | 薄膜トランジスタ型液晶ディスプレイ -視野角を4倍に拡大- | NEC | 日刊工業新聞 (1992年10月13日PP.6) | 250 | |
| 1992年11月号 | 導電性高分子利用の薄膜トランジスタ | 三菱電機 | 電波新聞 (1992年9月4日PP.6) 日経産業新聞 (1992年9月4日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年9月4日PP.5) 日本工業新聞 (1992年9月4日PP.15) | 導電性高分子 薄膜Tr ポリマートランジスタ ポリチエニレンビニレン | 220 120 |
| 1992年10月号 | 1μmゲート長のCMOSトランジスタ -室温動作で28PS- | 東芝 | 電波新聞 (1992年8月26日PP.2) 日経産業新聞 (1992年8月26日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年8月26日PP.9) | CMOSLSI CMOSトランジスタ ゲート長0.1μm 速度2.8ps CMOSプロセス トランジスタ | 220 |
| 1992年10月号 | 1Gbを超える半導体用新型トランジスタ | NEC | 日本経済新聞 (1992年8月21日PP.1) | 半導体トランジスタ 量子効果 大きさ1/30 電力1/10 | 220 |
| 1992年 8月号 | 遮断周波数64GHzの新バイポーラトランジスタ | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1992年6月26日PP.6) | 3次元電流分散構造(FRACS) | 220 |
| 1992年 8月号 | 平面型超電導デバイス | NTT | 日刊工業新聞 (1992年6月4日PP.6) | 超電導トランジスタ 3端子超電導デバイス HEMTにニオム電極 | 220 |
| 1992年 7月号 | 全国発明表彰恩賜賞 -高電子移動度トランジスタ(HEMT)- 特許庁長官賞-日本語ワードプロセッサの同音語選択装置- | 発明協会 | 朝日新聞 (1992年5月24日PP.21) | 600 | |
| 1992年 7月号 | 世界最小トランジスタ | 米IBM | 電波新聞 (1992年5月30日PP.2) | 220 | |
| 1992年 6月号 | 新型バイポーラトランジスタ | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1992年4月28日PP.6) | 220 | |
| 1992年 6月号 | 12GHzSiトランジスタ | 日電 | 日経産業新聞 (1992年4月7日PP.9) 日刊工業新聞 (1992年4月7日PP.9) 日本工業新聞 (1992年4月7日PP.7) | シリコントランジスタ | 220 |
| 1992年 5月号 | 動作周波数1.2GHzATMスイッチLSI -HEMTで開発- | 富士通 富士通研 | 電波新聞 (1992年3月19日PP.6) | HEMT | 240 |
| 1992年 5月号 | 準粒子使い超電導トランジスタ動作実証 | 三洋電機 | 電波新聞 (1992年3月17日PP.1) 日刊工業新聞 (1992年3月17日PP.9) | 超電導素子 | 220 |
| 1992年 4月号 | 高速・新電子波素子 | 東工大 | 日刊工業新聞 (1992年2月19日PP.5) | 応答0.2ps(Siの100倍) 共鳴トンネルダイオード 0.2ps | 220 |
| 1992年 3月号 | 77Kで高速動作するバイポーラトランジスタ -超高速BiCMOSに道- | 東芝 | 日刊工業新聞 (1992年1月16日PP.5) | 160 | |
| 1992年 2月号 | 高速バイポーラトランジスタ -64GHz動作のトランジスタ- | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1991年12月11日PP.5) | ガスドーピングたい積法 fC=64GHz バイポーラトランジスタ | 220 |
| 1992年 2月号 | 低電圧・高速のInGaAsトランジスタ | 富士通 | 日経産業新聞 (1991年12月9日PP.5) 日本経済新聞 (1991年12月9日PP.21) | InGaAsトランジスタ 3.5V 11.9GHz | 220 |
| 1992年 2月号 | ニューロンMOSトランジスタ -脳神経細胞と同じ機能- | 東北大 | 電波新聞 (1991年12月6日PP.2) 朝日新聞 (1991年12月6日PP.1) 日経産業新聞 (1991年12月6日PP.5) 日刊工業新聞 (1991年12月6日PP.1) 日本工業新聞 (1991年12月6日PP.1) | 新素子 新型トランジスタ 従来の10倍 多入力，機能可変 | 220 520 |
| 1991年11月号 | 超高速新トランジスタ -トンネル効果利用- | NTT | 電波新聞 (1991年9月13日PP.3) 日経産業新聞 (1991年9月13日PP.5) 日刊工業新聞 (1991年9月13日PP.9) | 結合量子井戸構造 電流増幅率5.5 増幅確認 トンネル効果利用の共鳴トンネルトランジスタ 動作速度0.1ps(現在最高速の19倍) 動作速度0.1ps(現在最高速の19倍) 量子とじ込めシュタルク効果 | 220 |
| 1991年11月号 | 低雑音トランジスタ -次世代の衛星通信受信用- | 三菱電機 | 電波新聞 (1991年9月5日PP.7) 日経産業新聞 (1991年9月5日PP.5) | HEMT 衛星通信 | 220 |
| 1991年10月号 | 高効率GHz帯HBT | 三菱電機 | 電波新聞 (1991年8月27日PP.6) 日経産業新聞 (1991年8月27日PP.5) 日刊工業新聞 (1991年8月27日PP.11) | AlGaAs/GaAs系 衛星通信 固体アンプ 変換効率9GHz 75% 5.9W 20GHz 57% 5.4W | 240 220 |
| 1991年10月号 | ダイヤ薄膜トランジスタ -多結晶ダイヤをIC化- | 神戸製鋼 | 日経産業新聞 (1991年8月12日PP.1) | ダイヤ薄膜トランジスタ 高温，放射線に強いFET | 220 |
| 1991年 9月号 | 低温動作高速トランジスタ | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1991年7月12日PP.5) | 220 | |
| 1991年 8月号 | 高性能HBT -電流増幅率1000倍に- | 富士通研 | 日経産業新聞 (1991年6月25日PP.1) | 電流増幅率1000倍(従来は100倍) HBT パルスジェットエピタキシ技術で電流増幅率を従来の1000倍にアップ | 220 |
| 1991年 7月号 | 横型バイポーラ | 富士通 | 日本工業新聞 (1991年5月29日PP.1) | トランジスタ(BJT) fT4GHz SOI基板 工程数1/2 | 220 |
| 1991年 7月号 | BS向けHJ-FET -0.5dBの低雑音特性- | 日電 | 電波新聞 (1991年5月21日PP.7) 日経産業新聞 (1991年5月22日PP.8) 日刊工業新聞 (1991年5月22日PP.9) | 電界効果トランジスタ 雑音指数0.5dB BSコンバータ | 220 |
| 1991年 7月号 | 世界初ダイヤトランジスタ | 東海大 | 読売新聞 (1991年5月18日PP.1) | ダイヤモンド トランジスタ | 220 |
| 1991年 6月号 | B-ISDN用新型HBT | NTT | 日経産業新聞 (1991年4月26日PP.5) | 電流増幅率40倍(従来10倍) 10Gbの伝送路可 | 220 |
| 1991年 6月号 | 光トランジスタ -光電算機超高速化へ前進- | NTT | 日刊工業新聞 (1991年4月17日PP.1) 日経産業新聞 (1991年4月17日PP.5) | 論理素子 64b並列処理 3m2チップ上に64個のEARS(面型光スイッチング)素子を集積 光でXORなどの基本論理演算 応答速度20ns SW機能 増幅機能を持つ世界初の光素子 64b演算に成功 高速処理(×1000) 1000b 多重量子井戸構造 光トランジスタ 光コンピュー | 220 |
| 1991年 5月号 | 高温超電導体使うトランジスタ | 富士通 | 日経産業新聞 (1991年3月23日PP.0) | 好悪の超電導体 電圧制御 | 220 |
| 1991年 5月号 | スーパーHEMT -雑音指数など大幅改善- | 富士通 | 電波新聞 (1991年3月20日PP.6) | HEMT 雑音指数 | 220 |
| 1991年 5月号 | ビデオカメラ機能を集約 | 英国エジンバラ大 | 日刊工業新聞 (1991年3月4日PP.6) | 8mm2に1万個のトランジスタ集積 9万画素 レンズ組み込み ビデオチップ | 310 |
| 1991年 4月号 | 30～60GのHEMT | 東芝 | 電波新聞 (1991年2月22日PP.0) | ゲートを0.1μmの微細加工 | 220 |
| 1991年 4月号 | 15.5GHzの高周波で動作 可変分周期 | NTT | 日刊工業新聞 (1991年2月15日PP.0) | 高速可変分周期 ヘテロバイポーラトランジスタ(HBT) | 220 |
| 1991年 4月号 | 4MbBi-CMOS型SRAM | 富士通 | 電波新聞 (1991年2月13日PP.0) | 64kHEMTSRAM 1.2ns 4MSRAM 7ns | 230 |
| 1991年 4月号 | HEMT64kbSRAM | 富士通 | 日刊工業新聞 (1991年2月13日PP.0) 電波新聞 (1991年2月13日PP.0) | 常温で1.2nsの世界最高アクセス時間 | 230 |
| 1991年 2月号 | 新素材による超高速素子 | 新技術事業団 | 日刊工業新聞 (1991年1月9日PP.0) | 有機薄膜トランジスタ 1μm/sで移動速度700倍 | 220 |
| 1991年 2月号 | 1万グレイ耐放射線トランジスタ | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1991年1月7日PP.0) | 耐放射線構造でないトランジスタは性能30%以下に低下 | 220 |
| 1991年 2月号 | 超電導トランジスタにメド | 沖電気 | 日刊工業新聞 (1990年12月29日PP.0) | 応答速度3ps ビスマス系トランジスタ | 220 |
| 1991年 2月号 | 10psの超高速トランジスタ | 日電 | 電波新聞 (1990年12月12日PP.0) | Siバイポーラトランジスタでゲート間遅延時間10ps 3空年後に製品化 | 220 |
| 1991年 2月号 | 負性抵抗効果を確認 | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1990年12月11日PP.0) | Si系量子細線(0.1μm)素子で負性抵抗効果を確認 RHET(共鳴トンネリングホットトランジスタ)では確認されていたがシリコン系は初めて | 220 |
| 1991年 1月号 | 高温超伝導体使用のトランジスタ | サンディア研 ウィスコンシン大 | 日経産業新聞 (1990年11月21日PP.0) | 220 | |
| 1990年12月号 | 応答0.5psの超高速トランジスタ | 三菱電機 | 日刊工業新聞 (1990年10月30日PP.0) | 超電導利用真空トランジスタのシミュレーション確認 応用:超高速トランジスタ SEM 高周波オシロの電子ビーム源 | 220 |
| 1990年12月号 | 低消費電力の高速HBT | 松下電器産業 | 日刊工業新聞 (1990年10月12日PP.0) | PNPコレクタートップ型HBT 動作確認 利点:高集積化 低消費電力 | 220 |
| 1990年10月号 | 量子効果トランジスタ | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1990年8月24日PP.0) | Si | 220 |