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| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
| 2018年 0月号 | 短波長紫外線に高速反応するセンサ | 山形大など | 日刊工業新聞 (2017年9月26日PP.25) | 反応時間10ms | 210 |
| 2017年 9月号 | 紫外線を完全に吸収 | 東北大 | 日経産業新聞 (2017年6月14日PP.8) | 新物質 デンドリマー 太陽電池 | 120 |
| 2017年 8月号 | 白色発光する透明高分子 | 立命館大 | 日刊工業新聞 (2017年5月29日PP.21) | 波長366nmの紫外線を当てると 400n-700nmの可視光を発光 紫外線を当てると可視光領域全体で発光 発光効率5% 曲面対応 | 120 |
| 2017年 7月号 | 出力10倍殺菌用LED | 情報通信研究機構 | 日経産業新聞 (2017年4月5日PP.8) | LED 窒化アルミニウム 深紫外線領域 | 250 |
| 2017年 6月号 | 深紫外LED5倍効率化 | 理研 | 日刊工業新聞 (2017年3月29日PP.31) | 外部量子効率 275nmで 20.3% 水銀ランプの効率に迫る水準 | 250 |
| 2017年 3月号 | グラフェン光検出器 | 慶応大学 | 日刊工業新聞 (2016年12月1日PP.21) | 紫外から赤外までの広い波長帯域に使用可 | 210 |
| 2017年 3月号 | 窒化アルミニウムをシリコン上に製膜 | 理研 | 日刊工業新聞 (2016年12月26日PP.17) | 安価で高効率な紫外線LED実現に繋がる | 160 |
| 2016年 7月号 | 微細な電子回路量産 | 産総研など | 日刊工業新聞 (2016年4月21日PP.23) | スーパーナップ法を開発，フィルムに電子回路状の紫外線を当てインクを塗布 | 160 |
| 2016年 7月号 | 微細な電子回路量産 | 産総研など | 日刊工業新聞 (2016年4月21日PP.23) | スーパーナップ法を開発，フィルムに電子回路状の紫外線を当てインクを塗布 | 160 |
| 2016年 3月号 | 強いレーザパルスで量子状態高速操作 | 名大など | 日刊工業新聞 (2015年12月1日PP.31) | 量子コンピュータ 極紫外自由電子レーザ 近赤外高強度フェムト秒レーザ 50兆分の1秒で量子状態操作 | 120 |
| 2016年 3月号 | ギガフォトン EUV光源で出力100W 24時間安定発光 メモリーなど 量産用EUVスキャナ実現へ前進 | ギガフォトン | 電波新聞 (2015年12月16日PP.3) | EUV光源 プラズマ 固体レーザ | 250 |
| 2015年12月号 | ビスマス薄膜が半導体に変わることを実証 | 東工大 東大 自然科学研究機構 お茶の水女子大 | 日刊工業新聞 (2015年9月11日PP.23) | シンクロトロン放射光施設UVSORで測定 偏光可変の低エネルギー角度分光電子分光装置で内部の電子状態を高精度で観測 | 120 |
| 2015年 8月号 | EUV露光用のレジストを開発 | EUVL基盤開発センター | 日経産業新聞 (2015年5月28日PP.1) | 波長13.5nmのEUVに高感度で反応 | 120 |
| 2015年 5月号 | 固体蛍光体で最短波長の真空紫外光源 | 名工大 | 日刊工業新聞 (2015年2月10日PP.21) | 波長140〜220nm 三フッ化マグネシウムカリウム薄膜 | 250 |
| 2015年 5月号 | 量子ドット立体型ディスプレイ 各面に異なる画像表示 http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0720150218eaaq.html | 千葉大 | 日刊工業新聞 (2015年2月18日PP.19) | 直径5〜10nmの微細構造セレン化カドミウム製の量子ドットをシリコン樹脂に混ぜた立方体を3次元配置 紫外光を当てると発行する量子ドットを使った立体ディスプレイ 面ごとに異なる画像を同時に表示 | 250 450 |
| 2015年 5月号 | 半導体線幅20nmに対応するナノインプリントリソグラフィ用テンプレートを開発 http://www.dnp.co.jp/news/10107733_2482.html | 大日本印刷 | 日経産業新聞 (2015年2月20日PP.6) | 微細な回路パターンをテンプレートに作製 紫外線硬化樹脂を利用 | 160 |
| 2015年 1月号 | 特定刺激で色が変わる結晶の合成 | 理化学研 | 日経産業新聞 (2014年10月10日PP.10) | 金属錯体という物質を合成.通常は紫外線を当てると青色に光るが外部からの力やアルコール刺激で黄色に | 120 |
| 2013年12月号 | 有機高分子で白色LED | 立命館大 | 日経産業新聞 (2013年9月2日PP.11) | アクリル樹脂のメチル基をAu N ベンゼン環で置換 紫外線で白色発光 | 150 |
| 2013年10月号 | 幅広い波長の光を吸収させる太陽電池用素材 | 東大 | 日経産業新聞 (2013年7月4日PP.11) | 直径0.5〜1μmの量子ドット Cd-SeとZnOの5nm微粒子を樹脂で固め青・緑色レーザ光を照射。近接場光。紫外光は波長を伸ばし 赤外光は縮める波長変換効果を確認 | 120 250 |
| 2013年 8月号 | ナノ粒子で紫外線を捕集 | 北大 | 日経産業新聞 (2013年5月8日PP.7) | 太陽電池の効率向上 光を当てると電子発生 | 250 |
| 2013年 3月号 | EUV利用のフォトマスク欠陥検査装置 | 東北大 EUVL基盤開発センター | 日経産業新聞 (2012年12月19日PP.7) | 13.5nm波長のEUV光 解析能力30nm 16nm世代パターン観察に適用可能 | 160 360 |
| 2013年 2月号 | 安価な各色対応LED蛍光体 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2012年11月2日PP.8) | Ge微粒子 粒径1〜12nmで波長350〜1280nmを発光 紫外LEDの蛍光体 | 250 |
| 2013年 2月号 | 長寿命の深紫外線LED | 日機装 | 日経産業新聞 (2012年11月2日PP.1) | 波長255〜250nm 寿命は約1万時間 窒化ガリウム(GaN) アルミニウム(Al) | 250 |
| 2012年 8月号 | アルカリ性蒸気で発光するポリマー | 物材機構 JST | 日経産業新聞 (2012年5月22日PP.9) | ユーロピウム(Eu)と有機分子のポリマー アルカリ性蒸気で発光し酸性蒸気で消える 紫外線照射で発光 | 150 |
| 2012年 6月号 | 低コストなグラフェン作製技術 | 東京理科大 | 日経産業新聞 (2012年3月19日PP.11) | 直径3nm・長さ20nmの円柱状のTiO2微粒子を利用 油に溶ける性質を付加可能 酸化グラフェンに超音波を30分当てた後紫外線照射 | 120 160 |
| 2012年 5月号 | 発光型/電子ペーパの切り替え可能な表示装置 | 千葉大 | 日経産業新聞 (2012年2月7日PP.10) | 紫外光を当てると光るユーロピウム発光体と 電圧をかけると青く色が付く有機物の着色材料の組み合わせ | 250 350 |
| 2012年 3月号 | ダイヤ分子結晶の紫外線発光技術 | 東工大 米スタンフォード大 | 日経産業新聞 (2011年12月6日PP.10) | 波長230nm以下の紫外線を当てて300nmの紫外線を出す 面発光が可能になる | 120 150 |
| 2011年12月号 | 液化と固化の繰り返しが可能な有機材料 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2011年9月29日PP.23) | アゾベンゼンを環状に連結 紫外光で液化 熱で固化 | 160 |
| 2011年 6月号 | InGaN製の高感度紫外線センサ | 物材機構 | 日刊工業新聞 (2011年3月7日PP.20) | 絶縁層に5nm厚のCaF2 320nm〜400nmの領域を検出 | 210 |
| 2011年 5月号 | Si太陽電池を印刷技術で作製 | 北陸先端大 JSR | 日刊工業新聞 (2011年2月8日PP.24) 日経産業新聞 (2011年2月8日PP.10) | 真空装置が不要 Siインク Siを含む高分子材料の液体を塗布 シクロペンタシランに紫外線を当てる | 160 250 |
| 2011年 4月号 | 半導体材料を紫外線で研磨する技術 | 熊本大 | 日経産業新聞 (2011年1月26日PP.9) | 紫外線を照射して表面を酸化 酸化した部分を研磨 SiCやGaNなどの硬い素材に適用可能 | 260 |
| 2010年 9月号 | 酸化亜鉛LEDの輝度向上 | 東北大 ローム | 日経産業新聞 (2010年6月30日PP.11) | MBE法を応用 Mgを添加 紫外領域では輝度が従来比1万倍以上 | 250 160 |
| 2010年 3月号 | 光照射で発光波長を制御するLED発光層の成膜技術 | 東大 ブイ・テクノロジー 日東光器 | 日経産業新聞 (2009年12月25日PP.11) | InGaN化合物半導体層を光を当てながら均一成膜 サファイア基板 緑色光と紫外線 波長532nm LED発光層の厚さ1/5 厚さ200nmの薄膜 | 250 160 120 |
| 2009年12月号 | 光照射による次世代液晶配向技術 | シャープ | 電波新聞 (2009年9月17日PP.1) 日経産業新聞 (2009年9月17日PP.3) | TFT液晶 UV2A 紫外線照射で高分子膜の向きを制御 液晶分子の傾きを20pmの範囲で制御 コントﾗスト5000:1 バｯクﾗイトの透過率20%向上 応答速度2倍 消費電力2割削減 | 250 160 |
| 2009年11月号 | 簡単構造で耐電圧1kVのダイヤ製ダイオード | 物材機構 | 日経産業新聞 (2009年8月21日PP.9) | ショットキーダイオード CVD エキシマランプで172nmの紫外線照射 | 220 |
| 2009年 9月号 | 合成樹脂基板の上にのせた太陽電池 | 積水樹脂 | 日経産業新聞 (2009年6月9日PP.1) | 耐薬品性のある樹脂に紫外線を吸収する有機物を均一にちりばめる方法 色素増感型 太陽光に反応して電子を発する色素と電子を運ぶ酸化亜鉛を組合せて発電 | 250 |
| 2009年 8月号 | 近紫外線LED採用の液晶モジュール | NEC液晶テクノロジー | 日刊工業新聞 (2009年5月29日) | 高い色再現性能 LED発光波長300〜400nm AdobeRGBカバー率100% | 250 |
| 2009年 7月号 | 紫外光を当てると青くなる有機化合物 | 青山学院大 | 日刊工業新聞 (2009年4月2日PP.22) | 紫外光照射でA字形中央の架橋部分が切れ青くなる 青くなってから無色になるまで1/100秒程度 | 120 |
| 2009年 7月号 | 波長235nmで発光するダイヤモンド深紫外線LED | 産総研 | 日刊工業新聞 (2009年4月3日PP.22) | 従来比1000倍以上の発光強度 2000A/cm2以上の電流注入でも劣化なし 発光出力約30μW | 120 250 |
| 2009年 7月号 | フルカラーで発光するSiナノ結晶 | 広島大 JST | 日経産業新聞 (2009年4月15日PP.9) 日刊工業新聞 (2009年4月15日PP.20) | 超臨界流体のCO2にSiを浸しレーザ照射で5nmのSi粒に加工 パルスレーザアブレーション 急冷で発光強度100倍増加 光を当てると赤・緑・青・紫外光を放つ | 120 250 |
| 2009年 4月号 | 体積1/60の紫外線センサ | アルプス電気 | 日経産業新聞 (2009年1月16日PP.1) | 酸化亜鉛膜 波長300nmの紫外線に最も反応 縦横1.5mm高さ0.7mm | 210 |
| 2009年 3月号 | 電子ペーパ製造費半減 | リコー | 日経産業新聞 (2008年12月4日PP.1) | インクジェット方式印刷技術 電気泳動式 解像度160ppi 厚さ0.3mm 1画素縦横159μm 紫外光で親水性を増す樹脂 | 160 250 |
| 2009年 1月号 | ダイヤで高効率のLED
-作製条件をシミュレーションで解明- | 東工大 スタンフォード大 | 日経産業新聞 (2008年10月9日PP.11) | アダマンタン 直接遷移型電子構造 180nmの紫外線を放出 ダイヤ分子の大きさ0.5〜数nm | 250 |
| 2008年12月号 | 発光率5割増の紫外線LED | 東芝 | 日経産業新聞 (2008年9月26日PP.1) | 波長383nm 厚さ10μmのA1N層をサファイア基板とGaNの間に設ける 電流20mAで23mWの光 | 250 160 |
| 2008年10月号 | 多結晶Siを低温で結晶化させる技術 | 山口大 | 日経産業新聞 (2008年7月7日PP.8) | 紫外線と可視光の波長を持つレーザ光 同時に5ns照射 100回繰り返し 温度250℃以下 多結晶Si材料 | 120 160 |
| 2008年10月号 | ナノSi電子源採用の放電レス発光デバイス | 松下電工 農工大 | 電波新聞 (2008年7月9日PP.1) | キセノンガス 真空紫外光 | 250 |
| 2008年10月号 | 紫外線で変色する有機分子 | 青山学院大 | 日刊工業新聞 (2008年7月17日PP.25) | ヘキサアリールビスイミダゾール(HABI) ナフタレン骨格 炭素-窒素結合の切断 | 120 250 |
| 2008年10月号 | 半導体レーザの世界最短波長を実現 | 浜松ホトニクス | 日経産業新聞 (2008年7月29日PP.8) | 波長342nmの紫外レーザ光を発振 化粧にAlを混ぜる 消費電力1/100以下 Al組成が30% AlGaNを発光層 | 250 120 |
| 2008年 5月号 | 極端紫外光の変換効率4% | 阪大 | 日経産業新聞 (2008年2月22日PP.10) | スズの粒をYAGレーザ照射で膨張させた後に炭酸ガスレーザを照射 EUV | 250 |
| 2008年 5月号 | やわらかい無機発光材料 | 東大 KAST | フジサンケイビジネスアイ (2008年2月28日PP.11) | グラファイトフィルム GaN結晶 パルス励起堆積法 紫外線励起による発光 | 250 160 |
| 2007年10月号 | 線幅30nm以下の半導体量産向けナノインプリント技術用の石英ガラスモールド試作 | HOYA | 日経産業新聞 (2007年7月19日PP.1) | 位相シフトマスク作成原理を応用 回路パターンの材料であるCrやレジストの中身・厚さ・処理方法を最適化 型を熱硬化樹脂に押し付け紫外線で転写 | 160 |
| 2007年 8月号 | 発光効率2.5倍超の酸化亜鉛を用いた半導体新材料 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2007年5月25日PP.29) | ZnOに15%のマグネシウム混入 分子線エピタキシャル法 紫外領域で高効率に発光 | 120 250 |
| 2007年 8月号 | 回路線幅26nmの微細加工に成功 | NEDO | 日経産業新聞 (2007年5月31日PP.3) | 極紫外線(EUV)露光 光源波長13.5nm 0.5mmの範囲に幅26nmの回路を転写 反射型マスク 高性能反射鏡 | 160 |
| 2007年 6月号 | 深紫外固体紫外線レーザ | 三菱電機 阪大 | 電波新聞 (2007年3月15日PP.6) | 波長213nm 出力10W LD励起固体レーザの基本ユニットを最大9段まで連結 非線形光学結晶により波長変換 | 160 250 |
| 2007年 6月号 | バイオの力でSi薄膜 | 松下電器 奈良先端大 | 電波新聞 (2007年3月22日PP.1) | フェリチンタンパクをSi半導体上に吸着 紫外線処理 700℃程度の温度で5〜6秒加熱 粒径10μm | 160 |
| 2007年 2月号 | 0.2mm厚の光学ローパスフィルタ | 三菱レイヨン | 日刊工業新聞 (2006年11月9日PP.28) | 一般的な光硬化樹脂を使用 紫外線の照射方法などを工夫して光重合反応を調節 | 310 |
| 2007年 2月号 | 凹凸がナノ級のUV照射無電解メッキ | 関東学院大 | 日刊工業新聞 (2006年11月16日PP.1) | ポリイミドフィルム 液晶ポリマー 数分間のUV照射で材料に凹凸をつけずに表面改質 Cu・Ni・Pの合金を下地メッキ スパッタリングに比べて低コスト | 160 |
| 2007年 1月号 | 世界最短の光学現象測定 | 理研 東大 | 日刊工業新聞 (2006年10月18日PP.29) | 極端紫外線レーザ光 2光子クーロン爆発 320アト秒幅のパルス光が1000兆分の1.33秒毎に連なった構成を確認 非線形光学現象 規則正しい波の構造 | 250 660 |
| 2006年10月号 | 立体映像を記録したホログラムの安価量産技術 | 東京理科大 | 日経産業新聞 (2006年7月11日PP.10) | ナノインプリント 微細金型 透明レジスト膜 光硬化性樹脂 紫外線照射 | 160 430 |
| 2006年 9月号 | 液晶導光板をインクジェットで生産 -金型不要 コスト1/10- | ミヤカワ | 日経産業新聞 (2006年6月22日PP.1) | オンデマンドマルチドロップ(ODMD)技術 ヘッドからポリカーボネート板に6plのエポキシ樹脂を300万個/秒で吹き付け紫外線照射 14〜15型まで対応可能 | 250 260 |
| 2006年 5月号 | 回路線幅29.9nmパターン生成 -深紫外線光リソグラフィ- | 米IBM JSR | 電波新聞 (2006年2月22日PP.3) 日経産業新聞 (2006年2月22日PP.3) | DUV193nm 光屈折率液侵技術 石英レンズや有機液体などの新素材 EUV(極紫外線)でなくArF対応ステッパの継続使用可能 独自開発のフォトレジスト | 120 160 |
| 2006年 4月号 | 光で分子構造が変化する物質を利用した大容量記録材料 ―書き込み・読み出し 3次元で可能に | 九大 | 日経産業新聞 (2006年1月4日PP.11) | ジアリールエテン フォトクロミック分子 紫外線で蛍光オフ 可視光で蛍光オン | 120 130 |
| 2005年11月号 | 発光の強さを熱制御できる有機化合物 | 東大 | 日経産業新聞 (2005年8月23日PP.7) | テルピリジン 発光強度に10倍の差 紫外線を当てると青色発光が板状と針状に変化し発光変化 熱で結晶構造可変 | 120 230 |
| 2005年 8月号 | n型ダイヤモンド半導体 (001)面に初合成 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2005年5月10日PP.25) | 紫外線発光でpn接合確認 マイクロ波プラズマCVDでリンを添加して合成 | 160 220 |
| 2005年 8月号 | 有機ELパネルの新製法 -光触媒を活用し低コスト化- | 大日本印刷 | 日経産業新聞 (2005年5月23日PP.1) | ホール注入層の形成にインクをはじく光触媒を使用 発光材料塗布部分に紫外線で親水性化 2.4インチ試作パネル 従来の3倍程度の良品率 ITO(酸化インジウム錫)の陽極 | 160 250 |
| 2005年 7月号 | 光硬化樹脂を用いたカーボンファイバ整列技術 | 首都大 | 日刊工業新聞 (2005年4月13日PP.27) | 垂直に揃える 引っ張り上げながら紫外線で硬化 直径150nmのカーボンファイバ混入光硬化樹脂をアクリル基板に吐出 5%で密集 FED用電子銃 | 120 160 |
| 2005年 5月号 | 希土類元素をナノクラスタにした次世代白色LED材料 | KRI | 日刊工業新聞 (2005年2月21日PP.1) | 希土類元素の周囲にAlなどの金属を配した1〜2nmサイズのクラスタ 有機溶媒にEu(赤)Tb(緑)Ce(青)を添加したクラスタに紫外線を照射 | 250 |
| 2005年 2月号 | 次々世代光ディスク -DVD1枚で映画100本分記録- | パイオニア | 日経産業新聞 (2004年11月8日PP.8) | 500GB記録可能 電子線描画 ピット間隔約70nm 感光性樹脂を塗った炭素基板 紫外線レーザ | 230 |
| 2004年12月号 | 新量子暗号通信技術 -半導体から光子の対を発生- | 東北大 阪大 | 日経産業新聞 (2004年9月9日PP.7) 朝日新聞 (2004年9月9日PP.3) | CuAlの結晶に390nmの紫外線レーザ 量子もつれ 光子対 | 220 240 250 120 |
| 2004年10月号 | プラズマパネル -放電・発光現象を解析- | NHK | 日経産業新聞 (2004年7月22日PP.7) | 画素内部のガスや電子の状態 紫外線の発生具合 計算手法 PCで立体的に再現 | 250 620 660 |
| 2004年 7月号 | 次世代LSI向けマスク欠陥検査技術 | 東芝 Selete | 日経産業新聞 (2004年4月13日PP.7) | 198.5nmの遠紫外光採用 マスク1枚を2時間程度で検査 欠陥の種類によっては20nm程度も検出 | 360 |
| 2004年 5月号 | 分子にバーコード | 岡崎国立共同研究機構 | 東京新聞 (2004年2月17日PP.2) | 量子計算機に応用 二つの紫外線レーザパルス | 120 |
| 2004年 4月号 | 光メモリー -蛍光現象使い情報記録- | 東大 化学技術戦略推進機構 | 日経産業新聞 (2004年1月21日PP.8) | 半導体微粒子に紫外線照射 容量DVDの25倍 CdSe 記憶容量5値で100Gbpi | 120 130 |
| 2004年 4月号 | 磁力を光で直接制御 -書換え速度100倍- | 慶大 | 日経産業新聞 (2004年1月30日PP.9) | 常温動作 界面活性剤にアゾベンゼン1%添加 紫外線で磁力変化10% 可視光で元に戻る | 120 130 230 |
| 2003年11月号 | 極端紫外線対応ブランクスとマスク試作 | HOYA | 日刊工業新聞 (2003年8月22日PP.1) | EUV TaBNアモルファス材料のマスク吸収体 反射率65% | 160 |
| 2003年10月号 | 次々世代半導体の回路原板 -窒素化合物で精密描画- | HOYA | 日経産業新聞 (2003年7月23日PP.9) | 反射型マスク 極端紫外線 吸収層にTaとBと窒素化合物 10nm紫外線より短い紫外線 EUVの散乱防ぐ 反射層にM/Siを積み重ね | 120 160 |
| 2003年 9月号 | 透明な太陽電池 -紫外線で発電- | 産総研 | 日本工業新聞 (2003年6月26日PP.1) 日本工業新聞 (2003年6月26日PP.27) | 可視光・赤外光・紫外光を組合わせて利用 | |
| 2003年 7月号 | 紫外線LED | 日本EMC | 日本経済新聞 (2003年4月29日PP.12) | 量子ドット 発光波長360nm GaN | 250 |
| 2003年 7月号 | 光触媒で防食新技術 | 宇都宮大 日本プレテック | 日本工業新聞 (2003年4月30日PP.2) | 酸化チタン皮膜 紫外線 | 250 650 |
| 2007年 2月号 | 0.2mm厚の光学ローパスフィルタ | 三菱レイヨン | 日刊工業新聞 (2006年11月9日PP.28) | 一般的な光硬化樹脂を使用 紫外線の照射方法などを工夫して光重合反応を調節 | 310 |
| 2007年 2月号 | 凹凸がナノ級のUV照射無電解メッキ | 関東学院大 | 日刊工業新聞 (2006年11月16日PP.1) | ポリイミドフィルム 液晶ポリマー 数分間のUV照射で材料に凹凸をつけずに表面改質 Cu・Ni・Pの合金を下地メッキ スパッタリングに比べて低コスト | 160 |
| 2007年 1月号 | 世界最短の光学現象測定 | 理研 東大 | 日刊工業新聞 (2006年10月18日PP.29) | 極端紫外線レーザ光 2光子クーロン爆発 320アト秒幅のパルス光が1000兆分の1.33秒毎に連なった構成を確認 非線形光学現象 規則正しい波の構造 | 250 660 |
| 2006年10月号 | 立体映像を記録したホログラムの安価量産技術 | 東京理科大 | 日経産業新聞 (2006年7月11日PP.10) | ナノインプリント 微細金型 透明レジスト膜 光硬化性樹脂 紫外線照射 | 160 430 |
| 2006年 9月号 | 液晶導光板をインクジェットで生産 -金型不要 コスト1/10- | ミヤカワ | 日経産業新聞 (2006年6月22日PP.1) | オンデマンドマルチドロップ(ODMD)技術 ヘッドからポリカーボネート板に6plのエポキシ樹脂を300万個/秒で吹き付け紫外線照射 14〜15型まで対応可能 | 250 260 |
| 2006年 5月号 | 回路線幅29.9nmパターン生成 -深紫外線光リソグラフィ- | 米IBM JSR | 電波新聞 (2006年2月22日PP.3) 日経産業新聞 (2006年2月22日PP.3) | DUV193nm 光屈折率液侵技術 石英レンズや有機液体などの新素材 EUV(極紫外線)でなくArF対応ステッパの継続使用可能 独自開発のフォトレジスト | 120 160 |
| 2006年 4月号 | 光で分子構造が変化する物質を利用した大容量記録材料 ―書き込み・読み出し 3次元で可能に | 九大 | 日経産業新聞 (2006年1月4日PP.11) | ジアリールエテン フォトクロミック分子 紫外線で蛍光オフ 可視光で蛍光オン | 120 130 |
| 2003年 3月号 | カラー表示材料 -光で書換え- | リコー | 日本経済新聞 (2002年12月6日PP.17) | フルギド系化合物 100回以上書換え可 紫外線で赤青黄が発色し黒化 赤緑青光で青黄赤を透明化して発色 強い光で消去 | 250 130 |
| 2003年 1月号 | セラミックス絶縁体を紫外線で半導体に変換 | 東工大 | 朝日新聞 (2002年10月3日PP.2) | C12A7 | 120 |
| 2002年11月号 | 紫外線でSBT薄膜の結晶構造を制御 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2002年8月20日PP.1) | 強誘電体メモリー 化学溶液法製膜プロセス | 160 230 |
| 2002年 9月号 | 感度10倍のCCD | 東北大 三洋電機 | 日経産業新聞 (2002年6月7日PP.1) | プラズマ照射のオン・オフ切替え 紫外線の影響を1/10に低減 | 210 160 |
| 2002年 9月号 | ダイヤモンドLED -光出力が従来の600倍に- | 東京ガス | 日刊工業新聞 (2002年6月7日PP.5) 日経産業新聞 (2002年6月27日PP.11) | 紫外線LED 出力17μW 波長235nm 発光効率0.032% | 250 160 |
| 2002年 5月号 | 画像認証機 -偽造旅券すぐ判別- | 米イメージング・オートメーション | 日経産業新聞 (2002年2月26日PP.1) | 認証 処理速度は3〜4秒 卓上サイズパソコンとつないで使う赤外線や紫外線など複数の光源使用 | 420 |
| 2001年12月号 | 深紫外用ファイバ -波長193mm 60%の高透過率- | 科学技術振興事業団 昭和電線 旭硝子 | 日刊工業新聞 (2001年9月18日PP.6) | フッ化アルゴンエキシマレーザ SNOM 遺伝子分野 | 240 |
| 2001年 8月号,9月号 | ダイヤで紫外光LED 人工ダイヤの「輝き」 | 物質・材料研究機構 | 日経産業新聞 (2001年6月8日PP.9) 朝日新聞・夕刊 (2001年6月13日PP.12) | 波長235nm 15V､0.1mAで発光 人工ダイヤモンド 約2mm角 波長235nm 青紫の可視光 | 250 |
| 2001年 6月号 | 半導体チップ -極紫外線で加工- | 大手半導体メーカ エネルギー省傘下の研究所 | 日本経済新聞 (2001年4月13日PP.17) | EUV 波長13nm 線幅30nm | 160 |
| 2001年 5月号 | 光で伸縮する単結晶 | 九州大 | 日経産業新聞 (2001年3月2日PP.7) | 1nm単位で長さが変化 スチルベン Tb級メモリー 紫外線で着色/可視光で無色化 光照射で20pmずつ伸張 | 120 130 |
| 2000年11月号 | ホログラフィックメモリー用高性能材料と小形記録再生システム | 科学技術庁無機材研 パイオニア | 電波新聞 (2000年9月22日PP.1) 日刊工業新聞 (2000年9月22日PP.9) | ホログラフィックメモリー 多重記録 角度多重記録 ニオブ酸リチウム単結晶 鉄 テルビウム 紫外線 | 230 430 130 |
| 2000年11月号 | 導波路一体形光ヘッドスライダ | 東大 | 日本工業新聞 (2000年9月19日PP.19) | 光ディスク 近接場 紫外線硬化エポキシ樹脂 | 230 |
| 2000年 8月号 | 新形受光素子 -紫外線下でも感度低下せず- | 三菱電線 ニコン 三重大 | 日本工業新聞 (2000年6月7日PP.7) | 紫外線受光素子 | 210 |
| 2000年 6月号 | 高品質の波長変換結晶 -紫外線レーザ手軽に- | 阪大 | 日本経済新聞 (2000年4月3日PP.17) | CsLiBの酸化物結晶 非線形光学材料 | 140 250 |
| 2000年 5月号 | 紫外線の発光ダイオード -セラミックスを使用- | 科学技術振興事業団 | 日本経済新聞 (2000年3月27日PP.19) | 紫外線発光ダイオード ストロンチウム銅酸化物膜 酸化亜鉛膜 波長380nm エピタキシャル成長 | 250 |
| 2000年 5月号 | 人工ダイヤ常温で紫外線発光 | 東京ガス | 日経産業新聞 (2000年3月3日PP.5) 毎日新聞 (2000年3月27日) | 紫外線 人工ダイヤモンド 波長235nm 常温で発光 LNG | 250 |
| 2000年 4月号 | 光で学習・情報処理するニューラルネットワーク | 工技院物質工学技研 | 日経産業新聞 (2000年2月17日PP.5) | 光信号 ニューラルネットワーク フォトクロミック材料 ジアリールエテン色素 紫外線 光コンピュータシステム シミュレーション確認 | 520 120 |
| 2000年 4月号 | 高分子光ファイバ -紫外光で屈折率制御- | 農工大 トリケミカル研 | 日刊工業新聞 (2000年2月10日PP.6) 日刊工業新聞 (2000年2月17日PP.5) | ニトロン系高分子 光ファイバ 非線形光学材料 | 140 240 |
| 2000年 2月号 | 半導体で最短の発光波長 | 理化学研 | 日刊工業新聞 (1999年12月14日PP.6) 日本工業新聞 (1999年12月16日PP.18) | 量子井戸構造 AlN AlGaN 波長230nm 紫外波長域 波長234nm | 250 |
| 1999年 8月号 | 高精度で有機EL素子 | 山形大 | 日経産業新聞 (1999年6月22日PP.5) | 紫外線 緑色 | 250 |
| 1999年 1月号 | 紫外線全固体レーザ | 東北大 | 日刊工業新聞 (1998年11月25日PP.6) | 30.5mW 波長可変型 | 250 |
| 1999年 1月号 | 条件により光通す結晶 -紫外線レーザに道- | 東芝 | 日本経済新聞 (1998年11月16日PP.19) | セラミックス 電磁気誘起透明化 Y Al酸化物セラミクス プラセジオムイオン 190nm以下 紫外線域 半導体レーザ | 150 |
| 1997年 7月号 | 光効率5〜10倍のLCD | 英スクリーンテクノロジー | 電波新聞 (1997年5月27日PP.3) | フォトルミネッセントLCD 液晶光変調パネル 蛍光体スクリーン 紫外線バックライト | 250 |
| 1997年 6月号 | 紫外光をレーザ発振する新材料 | 東工大 | 日本経済新聞 (1997年4月26日PP.10) | 紫外光をレーザ発振 パルスレーザ分子結晶成長 酸化亜鉛薄膜材料 | 230 250 150 |
| 1997年 4月号 | 微細加工技術 -紫外線レーザ使い0.1μmの穴可能に- | 三菱電機 | 日本経済新聞 (1997年2月1日PP.12) | 0.1μm直径以下の穴 KrF紫外線レーザ 新露光法 | 160 |
| 1996年12月号 | 光磁気効果を紫外線領域で測定可能な新システム | 豊田工大 | 日経産業新聞 (1996年10月29日PP.5) 日刊工業新聞 (1996年10月29日PP.11) | 測定装置 | 320 360 |
| 1996年 3月号 | 紫外線レーザ -紫外線域で最短発振- | 自由電子レーザ | 日経産業新聞 (1996年1月11日PP.5) | 自由電子レーザ研 レーザ 紫外線:波長0.35μm | 250 |
| 1995年 6月号 | 新型ガラス -40倍の蛍光発光- | 住田光学ガラス | 日経産業新聞 (1995年4月2日PP.1) | ルミラス-1 紫外線 | 160 120 |
| 1994年10月号 | 紫外線で電流制御する光スイッチ | NEC 電通大 | 日経産業新聞 (1994年8月24日PP.5) | 光スイッチ | 240 |
| 1991年 7月号 | 紫外線光学顕微鏡 | オリンパス | 日経産業新聞 (1991年5月21日PP.5) | 紫外線 500nm識別 | 310 |
| 1991年 4月号 | オゾン層破壊物質を光分解 | 法政大 | 日本工業新聞 (1991年2月19日PP.0) | オゾン層 紫外線 | 620 |
| 1991年 2月号 | 紫外線で特定フロン分解 | 東芝 | 日刊工業新聞 (1991年1月8日PP.0) | 160 |