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| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
| 1993年 2月号 | 動画像CODEC用LSIチップセット -2つの国際標準クリア- | 富士通 | 電波タイムズ (1992年12月25日PP.2) | 動画像CODEC用LSI | 240 440 |
| 1993年 2月号 | 超微細MOSトランジスタ -ゲート長0.1μm以下に- | 東芝 | 日刊工業新聞 (1992年12月21日PP.8) | 超微細加工技術 PMOSトランジスタ 固相拡散ドレイン(SPDD)構造 ゲート長0.08μm | 260 220 |
| 1993年 2月号 | 日本語テキスト音声変換装置 | 沖電気 | 電波新聞 (1992年12月17日PP.1) | テキスト音声変換 携帯型(60×100mm) | 520 |
| 1993年 2月号 | 高解像度光リソグラフィ技術 | 日立製作所 ミノルタ | 日刊工業新聞 (1992年12月17日PP.8) | 焦点深度3倍 | 160 |
| 1993年 2月号 | CCD高画質化技術 | NEC | 日刊工業新聞 (1992年12月16日PP.9) | スミア1/10 | 210 |
| 1993年 2月号 | 最小の22μm角ジョセフソン記憶セル | NEC | 日経産業新聞 (1992年12月16日PP.5) | 22μm角 300ps ジョセフソン接合 磁束量子転移型記憶セル 超電導コイル 小型化 高速 省電力 | 220 230 |
| 1993年 2月号 | 超微細放電加工機 | 松下技研 | 電波新聞 (1992年12月15日PP.2) 日刊工業新聞 (1992年12月15日PP.5) | 放電加工機 | 160 |
| 1993年 2月号 | フラッシュメモリーセル -3V単一電源で動作- | 三菱電機 | 電波新聞 (1992年12月17日PP.2) 日経産業新聞 (1992年12月17日PP.7) | メモリー DINOR型 フラッシュメモリー 単一電源 | 230 |
| 1993年 2月号 | フラッシュメモリーセル -AND型- | 日立製作所 | 電波新聞 (1992年12月15日PP.1) 日経産業新聞 (1992年12月15日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年12月15日PP.9) | メモリー AND型 フラッシュメモリー | 230 |
| 1993年 2月号 | 大電流制御可能な新型サイリスタ | 東芝 | 日経産業新聞 (1992年12月15日PP.5) | 従来比10倍の電流制御 | 220 |
| 1993年 2月号 | HEMTと共鳴トンネルダイオードを一体化 | 富士通研 | 日経産業新聞 (1992年12月15日PP.5) 電波新聞 (1992年12月15日PP.6) 日刊工業新聞 (1992年12月15日PP.9) | HEMT 共鳴トンネルダイオード | 220 |
| 1993年 2月号 | 遅延時間19psのHBT | NEC | 電波新聞 (1992年12月15日PP.6) | HBT fmax50GHz 19ns SiGeベースHBT | 220 |
| 1993年 2月号 | 爆薬を利用したヘテロダイヤモンドの合成 | 工技院科学技研 | 日経産業新聞 (1992年12月11日PP.4) | 半導体材料 爆薬ホウ素 炭素 窒素 | 160 260 |
| 1993年 2月号 | 30GHz帯進行波管 | NEC | 日刊工業新聞 (1992年12月9日PP.1) | 30GHz帯衛星通信 進行波管 100W電子ビーム効率12% | 240 |
| 1993年 2月号 | 350文字/秒識別の高速OCR | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1992年12月9日PP.5) | 文字認識 ニューロチップ 350字/秒 認識精度99%以上 | 520 420 |
| 1993年 2月号 | 超解像光磁気ディスク -記録密度6倍以上- | シャープ | 日刊工業新聞 (1992年12月9日PP.10) 電波新聞 (1992年12月9日PP.1) 日経産業新聞 (1992年12月9日PP.9) | 記録圧縮6倍 記録密度6倍 再生時マスキング方式 角速度一定回転方式光磁気ディスク | 230 |
| 1993年 2月号 | 光空間変調器 | 理化学研 | 日経産業新聞 (1992年12月8日PP.5) | 表面プラズモン共鳴 光空間変調器 電磁波現象 | 250 220 |
| 1993年 2月号 | 第3の半導体光源誕生 | NTT | 日刊工業新聞 (1992年12月4日PP.7) 日経産業新聞 (1992年12月4日PP.5) 日本工業新聞 (1992年12月4日PP.5) 日本経済新聞 (1992年12月4日PP.13) 電波新聞 (1992年12月4日PP.3) | 半導体レーザ 10μA 800nm帯 極小電流発振 新発光素子 自然放出光 光コンピュータ | 250 150 |
| 1993年 2月号 | 1GbDRAM用0.2μm以下の超微細パターン形成技術 | 松下電器産業 | 電波新聞 (1992年12月15日PP.1) 日経産業新聞 (1992年12月15日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年12月15日PP.9) 電波新聞ハイテクノロジ (1992年12月17日PP.1) | ArFエキシマレーザ 1GbDRAM 微細加工技術 | 260 230 |
| 1993年 2月号 | SOIを用いた新タイプのDRAM | ソニー | 日刊工業新聞 (1992年12月15日PP.9) | DRAM SOI 512MbDRAM向け | 220 260 |
| 1993年 2月号 | 256MbDRAM用メモリーセル -世界最小面積を実現- | NEC | 電波新聞 (1992年12月12日PP.1) 日経産業新聞 (1992年12月11日PP.4) | DRAM 微細加工技術 | 230 |
| 1993年 2月号 | 256MbDRAM試作 | 富士通 | 日刊工業新聞 (1992年12月9日PP.7) 日本経済新聞 (1992年12月9日PP.1) | 256MbDRAM 線幅0.2μm フィン型電極コンデンサ | 230 |
| 1993年 2月号 | 1Gb級のDRAM量産に必要な光源にメド | ソルテック | 朝日新聞夕刊 (1992年12月2日PP.9) 日経産業新聞 (1992年12月2日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年12月9日PP.9) | 微細加工技術 | 230 |
| 1993年 2月号 | 米HDTVの標準規格審査 -5方式の比較評価報告- | 米連邦通信委員会(FCC) | 電波新聞 (1992年12月2日PP.3) | HDTV | 540 |
| 1993年 2月号 | 次期放送衛星はディジタル方式を見送り | 郵政省 | 日刊工業新聞 (1992年12月2日PP.1) | BS放送 | 540 |
| 1993年 2月号 | 電顕画像ボケ修正 | 新技術開発事業団 | 日経産業新聞 (1992年12月2日PP.5) | 電子線ホログラフィ | 350 |
| 1993年 2月号 | フィルタなしで光多重伝送を実現 | 東芝 | 日刊工業新聞 (1992年12月2日PP.9) | 光通信 光強度/周波数変調 100ch/本 光多重伝送 | 440 540 |
| 1993年 2月号 | 半導体光アンプ -横波と縦波100倍に増幅- | 沖電気 | 日刊工業新聞 (1992年12月2日PP.6) | 光アンプ 量子井戸 偏波無依存型 100倍増幅 半導体光増幅 TE/TM混在で増幅 12層量子井戸構造 | 220 250 240 |
| 1993年 2月号 | 多数信号処理の新型トランジスタ -量子波素子を直列接続- | NTT | 日刊工業新聞 (1992年12月1日PP.9) 日経産業新聞 (1992年12月1日PP.5) | 共鳴トンネル効果 多入力 重み付け演算 量子効果 負性抵抗 量子波素子 4入力演算機能 | 220 |