Japanese only.
掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
1993年 3月号 | 初のリアルタイムエンコーダ | 日本ビクター 新日鉄 アスキー ジーシーテクノロジー | 電波新聞 (1993年1月29日PP.1) 日経産業新聞 (1993年1月29日PP.9) | ディジタル圧縮システム MPEG-1 動画圧縮 | 520 340 320 |
1993年 3月号 | ATV対応VTR | 日立製作所 ソニー | 電波新聞 (1993年1月29日PP.13) | ハイビジョンVTR | 330 |
1993年 3月号 | 初の100万円切るハイビジョン | 東芝 | 電波新聞 (1993年1月28日PP.1) 日経産業新聞 (1993年1月28日PP.9) | フルスペックHDTV受像機 32型 ハイビジョン 受像機 | 420 540 350 |
1993年 3月号 | 21世紀のディジタル映像像技術 -電通技審答申- | 郵政省 | 電波新聞 (1993年1月26日PP.2) | 21世紀未来システム ディジタル映像技術 高能率符号化 走査線2000本 | 540 640 |
1993年 3月号 | スペクトラム拡散方式ワイヤレス伝送技術 | 日本ビクター | 電波新聞 (1993年1月22日PP.1) 日刊工業新聞 (1993年1月22日PP.9) | 日本初 | 540 |
1993年 3月号 | 新型視覚センサ | 東大 | 日経産業新聞 (1993年1月21日PP.4) | 210 | |
1993年 3月号 | スイッチング速度20psの高速CMOS | 富士通 | 日刊工業新聞 (1993年1月20日PP.5) | ディレイ20ps CMOSトランジスタ 27ps ゲート長0.17μm 2ゲート構造 従来は28ps(常温) 走査線2000本 従来プロセス | 220 |
1993年 3月号 | 素子分離技術 -分離幅0.3μmを確保- | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1993年1月19日PP.5) | 素子分離技術 0.3μm間隔 | 160 |
1993年 3月号 | 文字拡大・縮小用LSI | 富士ゼロックス | 日刊工業新聞 (1993年1月14日PP.7) | 47種 処理時間1.8ms/1文字 | 220 |
1993年 3月号 | 移動通信で新方式 -周波数を2倍に利用- | 郵政省 松下電器産業 | 電波新聞 (1993年1月13日PP.2) 日刊工業新聞 (1993年1月13日PP.9) 日本工業新聞 (1993年1月13日PP.3) | 移動体通信 周波数有効利用 16QAM方式 | |
1993年 3月号 | 量子干渉トランジスタ -電界で波動を制御- | NTT | 日刊工業新聞 (1993年1月13日PP.7) | 量子干渉トランジスタ 超高速低消費電力 電界効果型Tr 素子数1/50 | 220 |
1993年 3月号 | 低温熱発電素子 -80℃の熱水で連続発電- | 朋の会 理化学研 | 日刊工業新聞 (1993年1月12日PP.9) 電波新聞 (1993年1月22日PP.7) | YSD熱半導体 1.07V/20mA/80℃ 発電 熱半導体 低温熱電変換 | 220 250 |
1993年 3月号 | 家庭用ハイビジョンVTR | 日本ビクター | 日経産業新聞 (1993年1月9日PP.4) 電波新聞 (1993年1月9日PP.1) 電波新聞 (1993年1月9日PP.19) | 家庭用VTR ハイビジョン W-VHS ハイジョン用VTR VHS再生可能 | 330 |
1993年 3月号 | 光通信のチャンネル切替えシステム -156Mbpsで成功- | NTT | 日経産業新聞 (1993年1月8日PP.5) | 240 | |
1993年 3月号 | 3.5インチ350MB光磁気ディスク | キヤノン | 電波新聞 (1993年1月8日PP.1) 日経産業新聞 (1993年1月8日PP.7) 日刊工業新聞 (1993年1月8日PP.8) | 3.5インチ 350MB 現行の2.7倍の容量 2層構造 記録2.3MB/sのスピード 記録速度従来の10倍 交換結合型 光磁気ディスク | 230 |
1993年 3月号 | 超高密度記録技術 -新聞100年分を1円玉サイズに記録- | 日立製作所 | 電波新聞 (1993年1月8日PP.2) 日刊工業新聞 (1993年1月8日PP.9) | 原子レベル記録密度 20nmドット 高密度記録 原子間力顕微鏡 Si基板金1Tb/inch | 130 660 630 |
1993年 3月号 | 赤外線空間伝送 -周波数割当制定- | 日本電子機械工業会 | 電波新聞 (1993年1月7日PP.1) | 540 | |
1993年 3月号 | 超電導薄膜を量産化 | 同和鉱業 | 日経産業新聞 (1993年1月6日PP.1) | 超電導薄膜 MOCDV法 | 220 120 |
1993年 3月号 | ATM通信用のスイッチボード -毎秒4.8Gbの情報処理- | 三菱電機 | 日本工業新聞 (1993年1月5日PP.13) | ATMスイッチ 4.8Gbps | 240 |
1993年 3月号 | 書換え可能CD | 日立製作所化成 | 日本工業新聞 (1993年1月4日PP.1) | 書換型光ディスク CDプレーヤ互換 数十回書換え可能 色素系 0.78μm 5〜8mW | 230 |
1993年 3月号 | 低温成膜多結晶SiTFTLCD | セイコーエプソン | 日経産業新聞 (1993年1月4日PP.1) | 低温Poly-SiTFT 多結晶SiTFT LCD 400〜600℃で低温成膜 ガラス基板 小型 400〜600℃ | 250 |