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1993 年 1 月発表の注目記事
学会誌に掲載された記事は青色で表示しています。

掲載
予定
題 目発表社情報源キーポイント 分類
番号
1993年 3月号初のリアルタイムエンコーダ日本ビクター
新日鉄
アスキー
ジーシーテクノロジー
電波新聞
(1993年1月29日PP.1)
日経産業新聞
(1993年1月29日PP.9)
ディジタル圧縮システム
MPEG-1
動画圧縮
520
340
320
1993年 3月号ATV対応VTR日立製作所
ソニー
電波新聞
(1993年1月29日PP.13)
ハイビジョンVTR330
1993年 3月号初の100万円切るハイビジョン東芝電波新聞
(1993年1月28日PP.1)
日経産業新聞
(1993年1月28日PP.9)
フルスペックHDTV受像機
32型
ハイビジョン
受像機
420
540
350
1993年 3月号21世紀のディジタル映像像技術
-電通技審答申-
郵政省電波新聞
(1993年1月26日PP.2)
21世紀未来システム
ディジタル映像技術
高能率符号化
走査線2000本
540
640
1993年 3月号スペクトラム拡散方式ワイヤレス伝送技術日本ビクター電波新聞
(1993年1月22日PP.1)
日刊工業新聞
(1993年1月22日PP.9)
日本初540
1993年 3月号新型視覚センサ東大日経産業新聞
(1993年1月21日PP.4)
210
1993年 3月号スイッチング速度20psの高速CMOS富士通日刊工業新聞
(1993年1月20日PP.5)
ディレイ20ps
CMOSトランジスタ
27ps
ゲート長0.17μm
2ゲート構造
従来は28ps(常温)
走査線2000本
従来プロセス
220
1993年 3月号素子分離技術
-分離幅0.3μmを確保-
松下電器産業日経産業新聞
(1993年1月19日PP.5)
素子分離技術
0.3μm間隔
160
1993年 3月号文字拡大・縮小用LSI富士ゼロックス日刊工業新聞
(1993年1月14日PP.7)
47種
処理時間1.8ms/1文字
220
1993年 3月号移動通信で新方式
-周波数を2倍に利用-
郵政省
松下電器産業
電波新聞
(1993年1月13日PP.2)
日刊工業新聞
(1993年1月13日PP.9)
日本工業新聞
(1993年1月13日PP.3)
移動体通信
周波数有効利用
16QAM方式
1993年 3月号量子干渉トランジスタ
-電界で波動を制御-
NTT日刊工業新聞
(1993年1月13日PP.7)
量子干渉トランジスタ
超高速低消費電力
電界効果型Tr
素子数1/50
220
1993年 3月号低温熱発電素子
-80℃の熱水で連続発電-
朋の会
理化学研
日刊工業新聞
(1993年1月12日PP.9)
電波新聞
(1993年1月22日PP.7)
YSD熱半導体
1.07V/20mA/80℃
発電
熱半導体
低温熱電変換
220
250
1993年 3月号家庭用ハイビジョンVTR日本ビクター日経産業新聞
(1993年1月9日PP.4)
電波新聞
(1993年1月9日PP.1)
電波新聞
(1993年1月9日PP.19)
家庭用VTR
ハイビジョン
W-VHS
ハイジョン用VTR
VHS再生可能
330
1993年 3月号光通信のチャンネル切替えシステム
-156Mbpsで成功-
NTT日経産業新聞
(1993年1月8日PP.5)
240
1993年 3月号3.5インチ350MB光磁気ディスクキヤノン電波新聞
(1993年1月8日PP.1)
日経産業新聞
(1993年1月8日PP.7)
日刊工業新聞
(1993年1月8日PP.8)
3.5インチ
350MB
現行の2.7倍の容量
2層構造
記録2.3MB/sのスピード
記録速度従来の10倍
交換結合型
光磁気ディスク
230
1993年 3月号超高密度記録技術
-新聞100年分を1円玉サイズに記録-
日立製作所電波新聞
(1993年1月8日PP.2)
日刊工業新聞
(1993年1月8日PP.9)
原子レベル記録密度
20nmドット
高密度記録
原子間力顕微鏡
Si基板金1Tb/inch
130
660
630
1993年 3月号赤外線空間伝送
-周波数割当制定-
日本電子機械工業会電波新聞
(1993年1月7日PP.1)
540
1993年 3月号超電導薄膜を量産化同和鉱業日経産業新聞
(1993年1月6日PP.1)
超電導薄膜
MOCDV法
220
120
1993年 3月号ATM通信用のスイッチボード
-毎秒4.8Gbの情報処理-
三菱電機日本工業新聞
(1993年1月5日PP.13)
ATMスイッチ
4.8Gbps
240
1993年 3月号書換え可能CD日立製作所化成日本工業新聞
(1993年1月4日PP.1)
書換型光ディスク
CDプレーヤ互換
数十回書換え可能
色素系
0.78μm
5〜8mW
230
1993年 3月号低温成膜多結晶SiTFTLCDセイコーエプソン日経産業新聞
(1993年1月4日PP.1)
低温Poly-SiTFT
多結晶SiTFT
LCD
400〜600℃で低温成膜
ガラス基板
小型
400〜600℃
250
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