Japanese only.
掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
1999年12月号 | 速度100万倍の新通信網 | 郵政省 | 日本経済新聞 (1999年10月4日PP.3) | 情報新幹線構築 | 640 540 |
1999年12月号 | 光ファイバで新増幅技術 -信号劣化量34%に- | NTT | 日経産業新聞 (1999年10月4日PP.5) 日刊工業新聞 (1999年10月5日PP.6) | コヒーレント光増幅 超低雑音光増幅 増幅率40倍 信号劣化量34% | 240 440 |
1999年12月号 | 光CT装置 | 島津製作所 浜松ホトニクス機械技術研北大 | 日刊工業新聞 (1999年10月5日PP.6) | 近赤外光 200ns間隔の100ps光パルス 770nm・800nm・830nmの3波長 | 320 210 360 |
1999年12月号 | 量子ドットの超高速技術 | フェムト秒テクノロジー研究機構(FESTA) | 日刊工業新聞 (1999年10月5日PP.6) | 回復時間1.8ps 光増幅素子構造 InAsの量子ドット GaAsのスペーサ 超高速光スイッチ ポトルネック問題 | 240 |
1999年12月号 | 初のアクティブ形有機ELディスプレイ | 三洋電機 イーストマン・コダック | 電波タイムズ (1999年10月6日PP.7) | 有機EL アクティブマトリックス形 低温Poly-SiTFTドライバ | 250 |
1999年12月号 | スピントランジスタ -基本動作確認- | 日立 | 日経産業新聞 (1999年10月7日PP.5) | 電子スピン カーボンナノチューブ | 220 |
1999年12月号 | 記録密度35.3Gb達成ハードディスク素材 -ディスク表面改良- | 米IBM | 日経産業新聞 (1999年10月8日PP.5) | ハードディスク 35.3Gb/in2 | 230 |
1999年12月号 | 高輝度X線発生に成功 | 日米光エネルギー物理学共同研究チーム | 日刊工業新聞 (1999年10月8日PP.1) | 電子ビームとレーザの線形衝突 6800eVのX線 2000万個/パルスの光子 半導体露光用X線光源 | 650 |
1999年12月号 | 炭化シリコンFETを試作 | 京大 | 日刊工業新聞 (1999年10月11日PP.5) | チャネル移動度95.9c /V/s c面->a面で移動度15〜17倍 4H-SiCと6H-SiCで確認 | 220 |
1999年12月号 | 微粒子1個に1ビット記録-配列パターンに垂直磁化- | 日立 東北大 | 日刊工業新聞 (1999年10月13日PP.7) | 垂直磁化 円柱状磁性微粒子 パターンドメディア MFM 30Gb/inch2 80nmφ44nmHの円柱状微粒子 150nmピッチ | 130 230 160 |
1999年12月号 | 次世代HDD用スピントンネル素子 | NEC | 日本工業新聞 (1999年10月14日PP.15) | スピントンネル素子 トンネル効果 スピン効果 MR比30% 40Gb/in2 | 210 230 |
1999年12月号 | シリコン・ゲルマニウム・カーボン-発光・高速特性明らかに- | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1999年10月14日PP.6) | シリコン・ゲルマニウム・カーボン | 120 |
1999年12月号 | 米無線ソーラー機を初めて公開 | NASA | 電波タイムズ (1999年10月18日PP.2) | 通信衛星 | 440 340 |
1999年12月号 | 世界初の光マイクロホン | ケンウッド フォノール社(イスラエル) | 日刊工業新聞 (1999年10月19日PP.13) 電波新聞 (1999年10月19日PP.1) 電波タイムズ (1999年10月25日PP.2) | 光マイクロホン LED マイク用素子 | 210 310 |
1999年12月号 | FRAM用高性能材料 | ソウル大 | 日経産業新聞 (1999年10月20日PP.5) 電波新聞 (1999年10月25日PP.2) | 強誘電体メモリー BiLaTi 薄膜材料 分極スイッチング疲労 | 230 130 |
1999年12月号 | 新基本回路構造 -高速60GHz達成- | NEC | 日経産業新聞 (1999年10月20日PP.5) | 超電導 マイクロプロセッサ 60GHz 調停回路 単一磁束量子 MPU 基本回路構造 低消費電力 超電導回路 Nb | 220 |
1999年12月号 | 解像度が1.6倍に高まる新設計のCCD -同一画素数でも高感度- | 富士写真フイルム 富士フイルムマイクロデバイス | 日刊工業新聞 (1999年10月21日PP.9) 日経産業新聞 (1999年10月21日PP.13) | CCD ハニカム構造 解像度1.6倍 | 210 |
1999年12月号 | 液晶ディスプレイ用次世代インタフェース | 日本IBM シャープ 東芝 日立 | 日刊工業新聞 (1999年10月21日PP.9) 日経産業新聞 (1999年10月22日PP.6) | 液晶ディスプレイ | 540 |
1999年12月号 | 光増幅器用の新形光ファイバ -L-Band効率増幅- | 住友電工 | 日経産業新聞 (1999年10月22日PP.5) | 光ファイバ L-Band 光増幅器 | 240 |
1999年12月号 | CDの音質向上に新技術 | 日本ビクター | 日経産業新聞 (1999年10月22日PP.6) 電波タイムズ (1999年10月27日PP.7) | LSI CD DVD | 520 |
1999年12月号 | 超微細放電加工装置 -せん孔時間1/100以下に- | 松下電器 | 日経産業新聞 (1999年10月25日PP.1) | 直径20μmの微細穴 | 360 |
1999年12月号 | 光ファイバ網敷設 -5年間で40000km延長- | 東京電力 | 日刊工業新聞 (1999年10月25日PP.1) | 光ファイバ | 640 |
1999年12月号 | 高感度なMI磁性薄膜 | 名大 スタンレー電気 | 日刊工業新聞 (1999年10月25日PP.15) | MI効果 非晶質ワイヤ 交差磁気異方性薄膜 FeCoB 線形特性 | 120 210 230 |
1999年12月号 | 感触センサ | 阪大 産業科学研 イナバゴム | 日経産業新聞 (1999年10月26日PP.5) | ナノコンポジット 感圧センサ シリコンゴム 球状炭素 セラミックス微粒子 | 210 |
1999年12月号 | BS CS放送方式の共通化 | 電気通信技術審議会 | 読売新聞 (1999年10月26日) | BSデジタル放送 CSデジタル放送 | 540 |
1999年12月号 | 情報記録密度最高に-6.45cm2当たり0.7Tb- | 早大 | 日刊工業新聞 (1999年10月26日PP.6) | 0.7Tb/inch2 Si酸化膜 電子線露光 ウエットエッチング 読出し専用 | 230 |
1999年12月号 | BS CS 地上波デジタル受信機を共有化 | 郵政省民放NHK | 電波新聞 (1999年10月27日PP.2) | BSデジタル放送 CSデジタル放送 地上波デジタル放送 | 540 |
1999年12月号 | ピンぼけをなくす新画像処理システム | 通産省機械技術研 | 電波新聞 (1999年10月28日PP.2) | 形状変化ガラス 圧電素子 CG処理 焦点距離可変 | 310 520 |
1999年12月号 | FeRAM用微細回路作製技術 | 京大 | 日経産業新聞 (1999年10月28日PP.5) | 誘電体薄膜 Ti溶液 常温・常圧 酸化ホウ素 | 160 |
1999年12月号 | 超機能ターゲット材料 -電極材料を一括作製- | 京大 | 日刊工業新聞 (1999年10月29日PP.7) | GaAsトランジスタ 電極材料 | 160 |