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掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
2000年 3月号 | 半導体回路微細化で新技術 -線幅0.1μm以下- | 工技院 | 日本経済新聞 (2000年1月31日PP.17) | 半導体 微細化 線幅0.1μm アンチモン薄膜 | 160 |
2000年 3月号 | 次世代HDD用トンネルMRヘッド | NEC | 日本工業新聞 (2000年1月28日PP.25) | HDD 再生ヘッド TMRヘッド 40〜50Gb/in2 INO法 | 230 210 |
2000年 3月号 | 半導体量子素子 -単一光子を検出- | 東大 | 日経産業新聞 (2000年1月27日PP.5) 日刊工業新聞 (2000年1月27日PP.6) | 半導体量子素子 AlGaAs THz通信 SET ゲート電極20μm 垂直磁場 遠赤外 単一光子 光検出器 | 210 220 |
2000年 3月号 | 波長可変光源を精密制御 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2000年1月25日PP.7) | WDM 波長制御方式 光フィルタ 波長多重光通信 波長可変光源 ファブリペロー共振器 | 240 |
2000年 3月号 | データ放送容量効率化 -BSデジタル放送向け- | フジテレビ NEC | 日経産業新聞 (2000年1月25日PP.3) | BSデジタル放送 HDTV データ放送 VBR | 340 440 |
2000年 3月号 | ETC技術を応用した狭域通信システム -2001年度実用化へ- | 郵政省 | 日刊工業新聞 (2000年1月25日PP.15) | ETC | 540 440 |
2000年 3月号 | 1コマ0.5ミリ秒で高速処理する画像処理デバイス | 松下技研 東大 | 日本工業新聞 (2000年1月21日PP.27) | 2×2画素 動画像処理 | 220 |
2000年 3月号 | 世界最高速のHEMT | 郵政省 富士通 阪大 | 日経産業新聞 (2000年1月21日PP.5) | HEMT 362GHz 電子走行層10nm InGaAs 電子供給層 InAlAs ミリ波 | 220 |
2000年 3月号 | ITS向け画像処理装置 | 富士通 | 日経産業新聞 (2000年1月21日PP.5) | ITS 画像処理 | 320 |
2000年 3月号 | 実時間ホログラフィ用1次元光学結晶 | 筑波大 | 日刊工業新聞 (2000年1月20日PP.6) | フォトニック結晶 半導体量子ビット セレン化カドミウム 非線形光学材料 酸化Si 酸化チタン 欠陥層 | 120 |
2000年 3月号 | 従来形集積回路の1/10未満の実装面積を実現 | NTT | 電波タイムズ (2000年1月19日PP.1) | 半導体光集積回路 WDM 光通信 | 240 |
2000年 3月号 | LSI 3次元集積化技術 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2000年1月19日PP.7) | 3次元LSI 3次元集積化技術 マイクロマシン 3次元イメージセンサ | 210 160 |
2000年 3月号 | 圧縮動画像を短時間で編集できるソフトウェア -コスト1/10に- | KDD研 | 日経産業新聞 (2000年1月18日PP.1) | MPEG-7 MPEG-2 MP-Factory | 520 620 |
2000年 3月号 | 空気利用の触覚ディスプレイ | 法政大 | 日本工業新聞 (2000年1月18日PP.26) | 触覚ディスプレイ 空気噴流 VR | 250 620 |
2000年 3月号 | 初の3次元ソリトン実現 -希ガスに通すだけでパルス幅1/10に圧縮- | 理化学研 | 日刊工業新聞 (2000年1月17日PP.1) | 希ガス通過 パルス幅圧縮 フェムト秒レーザ 高次の非線形現象 CH4 Ar Krの希ガス 30fsに圧縮 | 250 |
2000年 3月号 | フェムト秒レーザ -パルス分散現象克服- | 住友大阪セメント | 日刊工業新聞 (2000年1月17日PP.1) | フェムト秒レーザ | 250 |
2000年 3月号 | CATV送受信機端末を統一 | 郵政省 | 日本経済新聞 (2000年1月16日PP.1) | CATV 送受信端末 デジタル放送 インタネット | 540 440 |
2000年 3月号 | 量子ホール効果を確認 -新形素子開発に道- | NTT 東北大 | 日経産業新聞 (2000年1月14日PP.5) | 量子ホール効果 量子コンピュータ GaAs AlGaAs 3nm厚 | 120 210 660 220 |
2000年 3月号 | 新CDV法を確立 -0.1μmのトランジスタ- | 豊田工大 | 日経産業新聞 (2000年1月14日PP.5) 日刊工業新聞 (2000年1月14日PP.5) | LSI Si窒化薄膜 電子ビーム プラズマ ゲート絶縁膜 0.1μmルール半導体製造 低温 低圧力 | 160 |
2000年 3月号 | 真空マイクロ素子 -ダイヤモンド状炭素エミッタに使用- | 東芝 | 日刊工業新聞 (2000年1月13日PP.6) | DLC 電子放出電圧24V 真空マイクロ素子 マイクロ波CVD法 | 250 150 160 220 |
2000年 3月号 | 光・電子機能を持つ有機材料 -導電性に優れ加工も容易- | 京大 | 日経産業新聞 (2000年1月13日PP.5) | 共役系高分子 EL素子 光電変換機能 ホウ素 誘電性 非線形性 有機材料 光通信用素子 | 150 120 140 |
2000年 3月号 | 大容量光回線 -IP基幹インフラ整備・Tb伝送可能- | KDD | 日刊工業新聞 (2000年1月7日PP.1) | Tb IP基幹インフラ WDM | 440 |
2000年 3月号 | 窒化ガリウム系HEMT -室温から350℃安定に動作- | 名工大 | 日刊工業新聞 (2000年1月7日PP.6) | GaN系HEMT 146mS/mm ゲート長2.1μm 電子移動度740cm2/Vs リセス構造 MOCVD法 | 220 |
2000年 3月号 | EMC対策用チップ -高周波帯域用を開発- | TDK | 日経産業新聞 (2000年1月5日PP.7) | ノイズ 複合磁性材料 高周波 | 120 |
2000年 3月号 | 次世代形HDDヘッド | TDK | 日本経済新聞 (2000年1月4日PP.7) | HDD 再生ヘッド TMRヘッド 50Gb/in2 | 230 210 |