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2002 年 7 月発表の注目記事
学会誌に掲載された記事は青色で表示しています。

掲載
予定
題 目発表社情報源キーポイント 分類
番号
2002年10月号回線のパンク避けるサーバ用PC
-セシウム原子時計活用-
通信総研日本経済新聞
(2002年7月1日PP.27)
1年間に数μsの狂い
同着扱いを避ける
440
2002年10月号システムLSI設計期間1/10に短縮日立日経産業新聞
(2002年7月2日PP.2)
システムLSI設計
レベルシフタ
220
2002年10月号リチウム電池
-充電18秒で完了-
東大日経産業新聞
(2002年7月2日PP.8)
リチウム電池正極
高速充電
繊維埋込み型電極
250
2002年10月号「ブルーレイ」用ディスク
-互換性高い追記型-
パイオニア日刊工業新聞
(2002年7月3日PP.9)
光ディスク
ブルーレイ追記型
230
330
530
2002年10月号有機フィルム使う記録素子
1行紹介
米カルフォルニア大日経産業新聞
(2002年7月3日PP.9)
高速動作
数日間データ保持
書換え300万回
130
230
2002年10月号円筒形の表示装置
-前も後ろも立体映像-
東大日本経済新聞
(2002年7月5日PP.17)
メガネなし立体表示
発光ダイオード
φ1.6m
人を取り囲む円筒面
256個/列のLED列を回転
250
350
450
2002年10月号DNAで有機EL素子
-小型化と高画質可能性-
1行紹介
千葉大日経産業新聞
(2002年7月8日PP.9)
DNA
有機EL素子
縦横2mm・厚さ30〜50nm
250
2002年10月号多層カーボンナノチューブ
垂直成長させる技術
富士通研日経産業新聞
(2002年7月8日PP.9)
電波新聞
(2002年7月8日PP.1)
日本工業新聞
(2002年7月8日PP.2)
日本経済新聞
(2002年7月8日PP.21)
微細なLSI配線
φ:50nmL: 500nmのCNT
CMOS・FETのシリサイド層上にて成長
電極にNiやCoを混入
CH4とH2の混合ガスによるプラズマCVD法
120
160
220
2002年10月号近接場光記録
-読出し原理実証-
東工大日刊工業新聞
(2002年7月8日PP.7)
面発光レーザ(VCSEL)分布ブラッグ反射層
SNOMプローブの2次元像
200nm以下の分解能
テラバイト級データストレージ技術
230
250
330
2002年10月号高速・簡単に高品質ダイヤ薄膜日本工大日本工業新聞
(2002年7月9日PP.2)
酸素-アセチレン炎
チャンバーフレーム法
1時間に20μm
160
2002年10月号光スイッチ大きさ1/10住友電工日経産業新聞
(2002年7月11日PP.1)
マイクロマシン技術
親指爪程度
従来価格の1/4
約10mm角で4mmの歯が16本
切替時間1.3μs
240
260
440
2002年10月号半導体レーザ
-消費電力を半減-
NEC日本経済新聞
(2002年7月12日PP.17)
発光部の幅を2μmから10μm
45%の消費電力で同一出力
240
250
2002年10月号3次元CG画像作成装置
-光沢や透明感も再現-
NTT日本経済新聞
(2002年7月12日PP.17)
3次元CG
背景に有機EL照明
450
520
2002年10月号「スピン偏極共鳴トンネル効果」発見
-新機能素子実現に道-
産業総研
科学技術振興事業団
日本工業新聞
(2002年7月12日PP.2)
日本経済新聞
(2002年7月12日PP.17)
スピン偏極共鳴トンネル効果
厚さ3μmのCuと単結晶Co
素本偏極量子井戸準位確認
120
220
230
2002年10月号光ファィバ波長分散測定器
-片端だけで測定-
アドバンテスト日経産業新聞
(2002年7月12日)
波長分散分布
OTDR方式
320
440
2002年10月号次世代DVD
-容量4倍パソコン用で標準目指す-
NEC日刊工業新聞
(2002年7月16日PP.1)
光ディスク
405nm青色半導体レーザ
片面最大20.5GB・32Mbps
DVDとの互換制を重視
保護層厚0.6mm
カートリッジ不要
230
330
530
2002年10月号パスワード送信せず本人確認
-新個人認証方式-
東大日本工業新聞
(2002年7月17日PP.2)
1段階の相互認証方式
ディフィ-ヘルマンカギ共有方式
540
620
2002年10月号衣類に縫い込める音響プレーヤインフィニオンテクノロジーズ日本経済新聞
(2002年7月20日PP.9)
洗える
MP3
ポリエステル被服の銅線で編んだ生地
2.5cm×2.5cm×3mm
50g
64MB
330
520
2002年10月号有機EL素子の発光効率を最適化
-真空蒸着装置が不要に-
1行紹介
慶応大日本工業新聞
(2002年7月22日PP.2)
有機EL素子
ウェットプロセス
250
2002年10月号新型スイッチ
-光信号の衝突を回避-
1行紹介
通信総研日経産業新聞
(2002年7月22日)
光信号のまま処理240
340
2002年10月号ギガビットMRAMに道
-形状に依存せずに微細化
東北大日刊工業新聞
(2002年7月22日PP.1)
低磁界スピン反転法
サンドイッチ構造
人工の反強磁性層
230
2002年10月号樹脂の超微小部品を金型で製作
-光スイッチ開発に道-
クラスターテクノロジー日刊工業新聞
(2002年7月24日PP.1)
1μmの樹脂形成品
集中イオンビーム
160
260
2002年10月号ホログラフィックメモリー
-DVD200枚分記録 書換え自在に-
富士ゼロックス日本工業新聞
(2002年7月24日PP.1)
ホログラフィックメモリー
高分子の並び方で記録
演算機能
ポリエステル系高分子
230
2002年10月号有機EL素子
-低コスト化技術-
東工大
ケミプロ化成
日経産業新聞
(2002年7月25日PP.7)
低分子原料をガラス基板に塗布
トリフェノール
トリフェルアミン
低分子アモルファス発光層
250
2002年10月号ビタビデコーダ
-小型・最高速の次世代技術-
中大
機械学習研
日刊工業新聞
(2002年7月25日PP.4)
最尤パス探索アルゴリズム
動的計画法
バックトラック法
83MHz動作
FPGA
誤り訂正符号
340
520
2002年10月号電流
一定方向に電子の自転利用の新素子
東大
NTT
JST
日経産業新聞
(2002年7月26日PP.13)
日刊工業新聞
(2002年7月26日PP.5)
単一スピンダイオード
スピンメモリー
量子コンピュータの出力装置
スピンデバイス
直径0.5μm長さ0.5μmの円筒状
GaAs
GaInAs
極低温
電圧2〜6mVで0.1nA
220
230
2002年10月号携帯向け液晶
-静止画の消費電力1/30-
三洋電機日経産業新聞
(2002年7月26日PP.17)
静止画は表示部内蔵メモリーを利用

表示色数は動画時64万色・静止画時8色
1〜2mW →0.07mW
250
420
2002年10月号量子ドット形成法
-ナノオーダで制御-
(NO31合わせる)
富士通研電波新聞
(2002年7月29日PP.1)
化合物半導体
量子コンピュータ
分子線エピタキシ
結合量子スピンを利用
直径30nmと20nmの量子ドット
120
160
2002年10月号産業用X線CT日立
トヨタ
日本経済新聞
(2002年7月30日PP.11)
高エネルギーX線
厚さ35cmの鉄・厚さ1mのアルミまで可
測定対象は最大1.5m・500kgまで
誤差0.1mm
360
2002年10月号1次元鎖状に量子ドット配列
(NO29合わせる)
電通大日刊工業新聞
(2002年7月31日PP.5)
分子線エピタキシャル法(MBE)
20nm〜30nm直径のIn・As量子ドット
5μm以上の長さに配列 
120
160
2002年10月号摩擦熱で発生するマイクロプラズマ産総研日刊工業新聞
(2002年7月31日PP.5)
マイクロプラズマの全体像を撮影
直径100μm強の彗星形状
660
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