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| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
| 2003年11月号 | LSI配線用カーボンナノチューブ -触媒微粒子で直径制御- | 富士通 | 日経産業新聞 (2003年8月7日PP.5) | 直径4nmのFe Pt触媒を使用 直径3〜10nmのCNTが林立 作成時基板温度600℃以下 | 120 160 |
| 2003年11月号 | 強誘電体ナノチューブ | サムコ研 英ケンブリッジ大 | 日刊工業新聞 (2003年8月20日PP.8) | 直径800nm 厚さ100nm 長さ80μm ミストデポジション法(CVD) Sr Bi Ta2O5 | 160 120 |
| 2003年11月号 | カーボンナノチューブを長く高密度に生成 | 阪大 高知工科大 | 日経産業新聞 (2003年8月21日PP.1) | 熱CVDとプラズマCVDを組合せる 10億本/cm2で長さ50〜100μm | 160 120 |
| 2003年11月号 | 光ファイバ先端にカーボンナノチューブを合成 -超高速通信に道- | 東大 | 日経産業新聞 (2003年8月28日PP.9) | アルコール原料の単層カーボンナノチューブ 650℃で合成 厚み約100nm 光通信の異常信号除去フィルタ | 140 160 240 |
| 2003年11月号 | 3次元ナノ配線 | 姫路工大 NEC | 日刊工業新聞 (2003年8月29日PP.1) | 集束イオンビーム(FIB) 70〜100nmの配線 | 160 |
| 2003年11月号 | 量子コンピュータ用基本素子 -半導体微細加工技術を使用- | NTT 科学技術事業団 | 日経産業新聞 (2003年8月12日PP.5) | 半導体の表面に3本の長い電極とその間に短い電極を並列に置いた | 160 220 |
| 2003年11月号 | 次世代半導体用絶縁膜 -溶液中で作製- | 理化学研 | 日経産業新聞 (2003年8月21日PP.7) | Hfを含む溶液 400℃加熱 絶縁膜10〜15nm | 160 |
| 2003年11月号 | ダイヤモンドを使ったトランジスタ -世界最高の周波数特性- | NTT 独ウルム大 | 日刊工業新聞 (2003年8月21日PP.5) 日経産業新聞 (2003年8月21日PP.7) 電波タイムズ (2003年8月25日PP.1) | 最高動作周波数81GHz 高純度低欠陥結晶 出力0.3W ミリ波増幅 | 120 160 220 |
| 2003年11月号 | 地上デジタル放送 -関東 近畿で試験電波- | NHK 民放各社 | 電波新聞 (2003年8月7日PP.1) 電波新聞 (2003年8月7日PP.13) | フル出力で送信試験 | 540 |
| 2003年11月号 | 無線LAN用暗号化装置 -ビル間通信を可能に- | 東洋通信機 | 日経産業新聞 (2003年8月19日PP.1) | 無線LAN 暗号 AES 暗号鍵256b | 340 440 520 |
| 2003年11月号 | 高温超電導現象のしくみを発見 -電子の量子的な「ゆらぎ」で発生- | 電力中研 米ロスアラモス国立研究所 | 日刊工業新聞 (2003年8月21日PP.5) | 単層Bi系銅酸化物(-138℃)で発見 | 660 |
| 2003年11月号 | 印象深い場面だけ再生できる撮影システム | 東大 | 日本経済新聞 (2003年8月22日PP.17) | 脳波計 アルファ波を検出 | 310 330 |
| 2003年11月号 | 極端紫外線対応ブランクスとマスク試作 | HOYA | 日刊工業新聞 (2003年8月22日PP.1) | EUV TaBNアモルファス材料のマスク吸収体 反射率65% | 160 |
| 2003年11月号 | 光導波路型波長フィルタ -波長可変幅10倍に- | 横浜国大 | 日刊工業新聞 (2003年8月27日PP.5) | 波長可変幅約10nm 熱光学(TO)効果のポリイミド製の積層微小リング共振器 アド・ドロップフィルタ マイクロヒータで温度可変 | 240 |
| 2003年11月号 | 最小・最薄のメガピクセルCCDカメラモジュール | シャープ | 電波新聞 (2003年8月27日PP.6) | 容積1.44cm3 高さ9.7mm 1/4インチ型 出力画素数1144×880 | 210 260 |
| 2003年11月号 | 携帯電話用カメラ -ピント調整が出荷時不要に コスト3割削減- | 三菱電機 | 日経産業新聞 (2003年8月27日PP.9) | センサに直接プラスチック材料取付け 接着剤を横から塗布 | 260 |
| 2003年11月号 | 200GB級光ディスク -記憶容量10倍に- | 産総研 サムスン電子 | 日経産業新聞 (2003年8月29日PP.9) 日刊工業新聞 (2003年8月29日PP.5) 日本経済新聞 (2003年8月29日PP.17) | 青色DVDの10倍 Tb Fe Co SiO2 ZnS 熱で薄膜が山形に盛り上がり記録 50nmの山が100nmの間隔 熱体積変化膜 記録技術のみ開発 | 160 230 |