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| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
| 2005年 3月号 | 100Mbps次世代無線アクセス -アンテナ数に応じ容量増- | NTT | 日刊工業新聞 (2004年12月2日PP.25) | 多入力多出力(MIMO)伝送技術 MIMO-OFDM 送受信アンテナ2式試作実験 5GHz帯 | 340 440 660 |
| 2005年 3月号 | 電子掲示板 -話題の流れを見つけるソフト- | NEC | 日本経済新聞 (2004年12月3日PP.17) | データマイニング 電子掲示板 | 620 |
| 2005年 3月号 | 溶液中で性質を測定できるICタグ | 日立 | 日経産業新聞 (2004年12月6日PP.8) | 通信可能距離1～7.5cm 温度センサ -30～120℃の範囲で0.5℃精度 pH4～9まで対応 | 210 320 340 |
| 2005年 3月号 | 異常信号で自動切断する光ファイバ -破損リスク回避- | 物材機構 | 日経産業新聞 (2004年12月7日PP.9) | 2本のファイバ接合部の隙間50μm TeO2の低融点ガラス 炭素系塗料 波長1.54μmの信号を強度1.2～10Wで送信1秒で断線 | 240 |
| 2005年 3月号 | 数百倍高輝度なLED -柱状ナノ構造で実現 GaN系- | 上智大 | 日刊工業新聞 (2004年12月7日PP.29) | 多重量子ディスク(MQD)ナノコラム構造 100～200nm径 高周波分子線エピタキシャル成長で無欠陥形成 | 250 160 |
| 2005年 3月号 | 現行DVDとHD DVDを1枚で収録再生 | 東芝 メモリーテック | 日経産業新聞 (2004年12月8日PP.5) | 2層構造 | 160 230 530 |
| 2005年 3月号 | 有機半導体シート型スキャナ | 東大 国際産学共同研究センター | 日刊工業新聞 (2004年12月11日PP.1) | 電子的にスキャン 駆動トランジスタシートを2層化 実効動作速度5倍 消費電力1/7 解像度36dpi 読取り範囲5×8㎝ 曲る | 160 210 |
| 2005年 3月号 | 携帯電話向けトランジスタ -消費電力1/10に- | 日立 ルネサステクノロジ | 日経産業新聞 (2004年12月14日PP.9) | データ処理速度2割向上 65nm半導体向け 絶縁膜厚さ10nm | 220 |
| 2005年 3月号 | 垂直磁気記録方式の1.8インチ型HDD | 東芝 | 日経産業新聞 (2004年12月15日PP.5) | 容量80GBと40GB | 230 |
| 2005年 3月号 | 第4世代移動体通信システム -1Gbpsで通信実験に成功- | NTTドコモ | 日刊工業新聞 (2004年12月16日PP.8) 日経産業新聞 (2004年12月20日PP.8) | MIMO 4G VSF-OFCDM方式 複数のアンテナを使用 | 440 340 540 |
| 2005年 3月号 | SiCを用いた低抵抗パワーMOSFET | 三菱電機 | 電波新聞 (2004年12月17日PP.2) | 耐圧1.2kV 電流1Aでオン抵抗率12.9mΩcm2 チャンネルエピタキシャル成長層形成技術 単位セル25×25μm チャネル長2μm | 160 220 |
| 2005年 3月号 | 次世代LSIの電流漏れカット | 東芝 | 日経産業新聞 (2004年12月17日PP.7) 日刊工業新聞 (2004年12月17日PP.33) | ニッケルシリサイド層の形成前にSiにFを含ませNiの拡散を抑える 45nm半導体向け | 220 160 |
| 2005年 3月号 | トンネル絶縁膜厚さ2.7nmのフラッシュメモリー -二重接合技術で実現- | 東芝 | 日刊工業新聞 (2004年12月17日PP.33) | 1nmの2枚のシリコン酸化膜で2nm径のシリコン微結晶をサンドウィッチ クーロンブロッケード効果 単一電子素子 | 160 230 |
| 2005年 3月号 | ナノコイル15倍速合成 | 豊橋技科大 東邦ガス 双葉電子工業 日本バルカー工業 | 日経産業新聞 (2004年12月20日PP.8) | 直径200～700nm 長さ1～150μm 1時間あたり2g生産可能 C2H2 CNT合成可能 | 120 160 |
| 2005年 3月号 | DVDレコーダ -見たい場面再生瞬時に- | アースビート | 日経産業新聞 (2004年12月21日PP.1) | 小型静止画を記録 シーンピックシステム 場面転換を検出 | 330 620 |
| 2005年 3月号 | 単層カーボンナノチューブ内に室温・大気圧で氷形成 | 産総研 都立大 | 日刊工業新聞 (2004年12月21日PP.21) | 平均直径1.17のCNT 先端や側面に微小な穴を開けた後水蒸気にさらす 室温27℃で5角形のチューブ状の氷 | 120 160 |
| 2005年 3月号 | 線幅50nmのSRAM -誘電率高い新材料使用- | Selete | 日経産業新聞 (2004年12月21日PP.7) | 高温にさらす時間を1/100にして結晶化を防ぐ HfSiO 容量1Mb 漏れ電流0.1A以下/cm2(実効膜厚1.2nm) | 160 230 |
| 2005年 3月号 | スーパーハイビジョン対応新サラウンドシステム | NHK | 日経産業新聞 (2004年12月24日PP.5) | 22.2チャネルサラウンドシステム 上から10個9個5個(低音用2個含む)を3段に配置 | 450 |
| 2005年 3月号 | Blu-ray DiscとDVDに対応した3層ディスク | 日本ビクター | 日刊工業新聞 (2004年12月27日PP.6) | BD1層とDVD2層の片面3層構造 再生専用ディスク 青色レーザを反射し赤色レーザを透過する高機能反射膜 | 230 |
| 2005年 3月号 | 簡便な金薄膜形成技術 | 大阪府立大 | 日刊工業新聞 (2004年12月27日PP.11) | 金ナノ粒子とチオール分子を含む室温溶液にプラスチック基板を浸して攪拌 薄膜形成時間4時間 45nm厚 | 120 160 350 |
| 2005年 3月号 | 直径1.5mmのギヤードモータ | 東北大 並木精密宝石 YKK | 電波新聞 (2004年12月28日PP.2) | NiZr基の金属ガラス 長さ9.4mm 単体直径288μm 遊星ギヤ 起動トルク0.1mN･m | 260 360 |
| 2005年 3月号 | 次世代半導体材料の劣化長期予測 | 半導体MIRAIプロジェクト 東大 | 日経産業新聞 (2004年12月28日PP.7) | HfAlO ゲート電極にマイナス電圧を印加すると電子の量に比例して劣化 プラス電圧を印加すると正孔の量に比例して劣化 シミュレーションモデル | 120 660 |
| 2005年 3月号 | 地上デジタル放送用光伝送装置 -既存光網で伝送可能- | NHK 古河電工 | 日経産業新聞 (2004年12月28日PP.5) 日刊工業新聞 (2004年12月28日PP.8) | Lバンド波長帯 光信号を波長多重 | 340 440 640 |