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掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
2004年 7月号 | スピンメモリー -電流のみで磁化反転- | 東北大 | 日経産業新聞 (2004年4月1日PP.9) 日刊工業新聞 (2004年4月1日PP.29) | 強磁性半導体 MRAM 従来より2〜3桁少ない電流 Ga・AsにMn添加 -193℃ | 120 230 |
2004年 7月号 | LCD128枚で3D映像 | 農工大 | 日経産業新聞 (2004年4月1日PP.9) | 16台のパソコンで制御 眼鏡不要 左右上下30°以内 | 250 450 350 |
2004年 7月号 | 新電池30秒で充電 一行紹介 | NEC | 日本経済新聞 (2004年4月2日PP.17) | 1時間の充電時間を30秒 有機ラジカル電池 ニッケル水素電池と同等 急速放電可能 PTMA樹脂 | 250 |
2004年 7月号 | においを測定・監視 | 双葉エレ 東工大 | 日刊工業新聞 (2004年4月5日PP.11) | OMU-Sn 定量・数値化データベース | 320 620 |
2004年 7月号 | 有機トランジスタ 6と合わせて一記事に | 東北大 北陸先端大 岩手大 | 日経産業新聞 (2004年4月5日PP.7) 朝日新聞 (2004年4月5日PP.18) | 自己組織化 半導体と基板の間の膜で電子を制御 電圧制御 ペンタセン アルキシラン フラーレン チャンネル幅50μm | 220 120 |
2004年 7月号 | プラスチックフィルム基板上にTFT -自在に曲がるCPU- 5と合わせて一記事に | 半導体エネルギー研 | 日刊工業新聞 (2004年4月8日PP.1) | 低温p-SiTFTでCPU形成 8ビットCPU 素子数3万程度 動作周波数25MHz/5V・13MHz/3.3V | 220 260 160 |
2004年 7月号 | 映像を自動編集 | KDDI研 | 日経産業新聞 (2004年4月9日PP.7) | 手作業に比べ時間1/10 MPEG圧縮映像 音声・映像の特徴 | 620 |
2004年 7月号 | IP網でHDTV映像伝送 | フジテレビ NTTCom | 電波新聞 (2004年4月10日) | 2.4Gbps回線 1.5Gbps非圧縮 HDTV i-Visto | 540 |
2004年 7月号 | チップ積層密度1.7倍に | SiPコンソーシアム | 日経産業新聞 (2004年4月13日PP.6) | チップ間に樹脂 パッケージ後厚さ1.2mmなら5枚のチップ積層可 チップオンワイヤ技術 | 260 |
2004年 7月号 | 次世代LSI向けマスク欠陥検査技術 | 東芝 Selete | 日経産業新聞 (2004年4月13日PP.7) | 198.5nmの遠紫外光採用 マスク1枚を2時間程度で検査 欠陥の種類によっては20nm程度も検出 | 360 |
2004年 7月号 | HDTVの4倍の高精細画像を処理 | NTT | 日経産業新聞 (2004年4月13日PP.7) 日刊工業新聞 (2004年4月13日PP.29) | VASAチップ 縦2160×横3840画素 1チップ | 420 220 |
2004年 7月号 | 生物の免疫の仕組みをまねたネット監視技術 | 東京理科大 | 日経産業新聞 (2004年4月15日PP.7) | 多数の小型人工知能ソフトが互いに連動 エージェント | 620 |
2004年 7月号 | 紙でできた次世代光ディスク | 凸版印刷 ソニー | 日経産業新聞 (2004年4月16日PP.5) 日刊工業新聞 (2004年4月16日PP.9) | Blu-ray 25Gb 紙比率51%以上 ポリカーボネイトを紙に染み込ませる | 230 |
2004年 7月号 | 電子線ホログラフィでCMOS解析 図使用 | ファインセラミックスセンター(JFCC) | 日経産業新聞 (2004年4月19日PP.8) | 半導体断面電位解析 不純物の分布を利用 | 360 430 660 |
2004年 7月号 | CG使わず仮想空間作成 | 三洋電機 | 日刊工業新聞 (2004年4月20日PP.1) | 光線探索手法 静止画像を角度1°以下で細切れ撮影 | 520 450 |
2004年 7月号 | 2枚の液晶重ねた8インチ立体画像ディスプレイ | NTT | 日経産業新聞 (2004年4月23日PP.7) | 8インチWVGA(800×480ドット) 2枚のパネル間隔5mm 輝度100cd/m2(上付) 画像データ量2次元画像の1.3倍 輝度の異なる同一画像を重ねて奥行感 2002年は4インチVGAで試作 | 250 450 |
2004年 7月号 | 単電子メモリーの新型素子 -1個の記憶容量5倍- 図使用 | NTT | 日経産業新聞 (2004年4月26日PP.9) | 単電子転送メモリー 配線幅35nm 動作温度-247℃ | 160 230 |
2004年 7月号 | エレクトライド化合物を使った冷電子エミッター | 東工大 | 日刊工業新聞 (2004年4月30日PP.14) | FED セメント素材使用 省エネ・省コスト C12A7 室温下で安定 | 150 |
2004年 7月号 | ガラス加工技術 -ナノサイズで型押し- | 産総研 | 日刊工業新聞 (2004年4月30日PP.14) | 型に非晶質カーボン使用 深さ350nm幅100nmの溝が300nm間隔の型 FIBで加工 |