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2005 年 6 月発表の注目記事
学会誌に掲載された記事は青色で表示しています。

掲載
予定
題 目発表社情報源キーポイント 分類
番号
2005年 9月号光電変換器
-1円玉より小さく-
NEC日経産業新聞
(2005年6月1日PP.10)
LSI間の配線も光ファイバで接続可能
14mm角
厚さ2mm
1個につき光ファイバを4本接続可能
業界の標準規格予定
240
2005年 9月号遠隔授業に黒板復活東大
富士通研
日刊工業新聞
(2005年6月3日PP.27)
非圧縮の高精細画像で伝送
毎秒5フレーム
帯域毎秒2MB
解像度1280×1024のXSGA
440
2005年 9月号1セグメント放送用の部品
-業界最小で最薄-
シャープ日経産業新聞
(2005年6月3日PP.5)
電波タイムズ
(2005年6月20日PP.7)
受信チューナ部品
フロントエンドモジュール
携帯端末向け放送
10×10×1.4mm
消費電力120mW以下
340
2005年 9月号多層CNTの抵抗低減富士通
富士通研
日刊工業新聞
(2005年6月6日PP.1)
内層伝導でW並み
抵抗値ビア当たり0.7Ω
1桁低減
Spring-8で炭化チタン層を確認
120
160
2005年 9月号大容量新記憶メディア
-DVDの6倍-
オプトウェア日経産業新聞
(2005年6月7日PP.1)
光ディスク
クレジットカード大
コリニア式ホログラム技術
データ転送速度160Mbps
ホログラフィック・バーサタイル・カード(HVC)
230
430
2005年 9月号単層CNT
最高密度の垂直成長
-ダイヤ薄膜成長技術を用いて成功-
早大日刊工業新聞
(2005年6月8日PP.25)
先端アークマイクロ波プラズマ励起化学気相成長法(PAMPCVD)
0.5nm厚のFeをアルミナ薄膜で挟む構造
20時間で2mm成長
体積密度66kg/m3
120
160
2005年 9月号25GBのライトワンス型BD-R
-スピンコート法で有機色素材料成膜-
パイオニア
三菱化学メディア
電波新聞
(2005年6月10日PP.1)
ジッタ6.0%
反射率40%
再生専用BDと同等の特性
230
530
160
2005年 9月号携帯LCDにDRAM集積NEC
NEC液晶テクノ
日刊工業新聞
(2005年6月9日PP.1)
1画素18ビットを12ビットに圧縮
スマートピクセルデータ符号化(SPC)
510kbで24万色の高階調
第3世代SOG
160
250
230
2005年 9月号単一のT字型量子細線光吸収を初めて観測東大物性研
ベル研
日刊工業新聞
(2005年6月14日PP.27)
量子細線
光吸収測定
量子細線レーザ
光変調器
GaAsとAlGaAsで断面が14×6nm
120
360
660
2005年 9月号分子細孔法を用いた45nLSI向け低誘電率膜NEC
NECエレクトロニクス
MIRAIプロジェクト
日刊工業新聞
(2005年6月14日PP.27)
内径1nm以下の環状シリカ材料
誘電率2.4
65n世代に対して倍の配線密度と16%減の配線容量
120
160
2005年 9月号線幅32nmLSI向け新技術
-新構造TR・新多層配線技術-
MIRAIプロジェクト電波新聞
(2005年6月14日PP.1)
日経産業新聞
(2005年6月14日PP.7)
高電流駆動力
プロセス損傷抑制可能
歪みSi薄膜
歪みGe薄膜
局所酸化濃縮法
ポーラシリカ低誘電絶縁材料
120
160
220
2005年 9月号UWB用GaN-MMIC
-高周波・高耐圧を実現-
松下電器電波新聞
(2005年6月15日PP.1)
22GHz帯で最小雑音指数2.6dB
信号増幅率13dB
IIP3入力時7.5dB
サージ耐圧150V
チップサイズ2.6×1.3mm2
120
160
220
2005年 9月号量子暗号通信
-8×8規模で実証-
NTT日刊工業新聞
(2005年6月15日PP.25)
微弱な単一光子
マッハツェンダ型光干渉マトリックススイッチ
差動位相シフト方式
15km伝送
鍵生成率2kbps
商用ネットで混在伝送
240
440
2005年 9月号1インチで10GBのHDD東北大日刊工業新聞
(2005年6月15日PP.25)
垂直磁気記録
1in2当たり1380億ビット
産学連携
230
2005年 9月号新概念LSIゲート絶縁膜
-Hf添加で移動度15〜20%向上-
日立
ルネサステクノロジ
日刊工業新聞
(2005年6月15日PP.25)
65nm世代
ゲート絶縁膜とゲート電極界面に短分子膜に満たない微量のHfO2添加
バンド構造
仕事関数を制御
120
160
220
2005年 9月号新型ホログラム光ディスクGE日経産業新聞
(2005年6月16日PP.1)
理論容量5TB
熱可塑性プラスチック
射出成型
一層構造
230
120
160
2005年 9月号AG・ANDフラッシュメモリ
-書込み20倍高速化-
日立
ルネサステクノロジ
日刊工業新聞
(2005年6月17日PP.25)
書込み速度100ns以下
最上位電圧の書込み時間10%短縮
従来0Vのソース電圧を負にしてホットエレクトロンの発生と浮遊ゲートへの電子の引き込み効率を向上
定電荷注入書き込み方式をビット線切り替え技術で改良
230
160
2005年 9月号MRAM新型セル
-2つのトンネル接合直列に-
富士通研日刊工業新聞
(2005年6月17日PP.25)
磁気トンネル接合(MTJ)
高信頼性
歩留まり向上
読出しに電圧センス方式
230
2005年 9月号新暗号化技術
-画像から核部分を切り離し-
東京理科大日経産業新聞
(2005年6月21日PP.9)
日刊工業新聞
(2005年6月28日PP.33)
画像情報を数字列に変換してグループに分割して送信
フラクタル画像圧縮技術を暗号化に応用
520
440
2005年 9月号自動生成ソフト
-CGから解析用メッシュ-
日立
北大
日刊工業新聞
(2005年6月23日PP.32)
有限要素法
従来の1/5の短時間で任意のメッシュ表現が可能
CGや現物を撮像したデータからも生成可能
520
660
620
2005年 9月号ナノ電子機械システム(MEMS)
-二層CNTを電流で20〜30度の塑性変形-
大阪府大日刊工業新聞
(2005年6月24日PP.25)
曲がる部分を五角形や七角形に変形
CNTの直径が太くなるほど曲げに必要なエネルギーは小さくなる
TEMで観察
120
2005年 9月号携帯向け高歩留まり1.4mm厚の複合電子部品日本IBM
新潟精密
日経産業新聞
(2005年6月24日PP.1)
パッケージ・オン・パッケージ(PoP)技術
動作試験可能な基板を積層
電池スペース確保可能
260
220
2005年 9月号超高密度垂直磁気媒体制作技術
-陽極酸化アルミナナノホールを1次元配列-
山形富士通
富士通研
KAST
日刊工業新聞
(2005年6月27日PP.28)
Alの表面をナノインプリント技術で規則的な凹凸をつけて陽極酸化
凹部にナノホール
ナノホールにCoを電気メッキで充填
ピッチ25nmで1Tb/sq inch可能
パターンドメディア垂直磁気記録層
120
160
230
2005年 9月号ハンダ使わず異種金属接合
-超音波複合振動で実現-
アサヒEMS日刊工業新聞
(2005年6月29日PP.1)
CuとAl
AlとFe
原子間吸引力
毎秒2万回転と4万回転の試験装置
260
460
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