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掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
2005年 9月号 | 光電変換器 -1円玉より小さく- | NEC | 日経産業新聞 (2005年6月1日PP.10) | LSI間の配線も光ファイバで接続可能 14mm角 厚さ2mm 1個につき光ファイバを4本接続可能 業界の標準規格予定 | 240 |
2005年 9月号 | 遠隔授業に黒板復活 | 東大 富士通研 | 日刊工業新聞 (2005年6月3日PP.27) | 非圧縮の高精細画像で伝送 毎秒5フレーム 帯域毎秒2MB 解像度1280×1024のXSGA | 440 |
2005年 9月号 | 1セグメント放送用の部品 -業界最小で最薄- | シャープ | 日経産業新聞 (2005年6月3日PP.5) 電波タイムズ (2005年6月20日PP.7) | 受信チューナ部品 フロントエンドモジュール 携帯端末向け放送 10×10×1.4mm 消費電力120mW以下 | 340 |
2005年 9月号 | 多層CNTの抵抗低減 | 富士通 富士通研 | 日刊工業新聞 (2005年6月6日PP.1) | 内層伝導でW並み 抵抗値ビア当たり0.7Ω 1桁低減 Spring-8で炭化チタン層を確認 | 120 160 |
2005年 9月号 | 大容量新記憶メディア -DVDの6倍- | オプトウェア | 日経産業新聞 (2005年6月7日PP.1) | 光ディスク クレジットカード大 コリニア式ホログラム技術 データ転送速度160Mbps ホログラフィック・バーサタイル・カード(HVC) | 230 430 |
2005年 9月号 | 単層CNT 最高密度の垂直成長 -ダイヤ薄膜成長技術を用いて成功- | 早大 | 日刊工業新聞 (2005年6月8日PP.25) | 先端アークマイクロ波プラズマ励起化学気相成長法(PAMPCVD) 0.5nm厚のFeをアルミナ薄膜で挟む構造 20時間で2mm成長 体積密度66kg/m3 | 120 160 |
2005年 9月号 | 25GBのライトワンス型BD-R -スピンコート法で有機色素材料成膜- | パイオニア 三菱化学メディア | 電波新聞 (2005年6月10日PP.1) | ジッタ6.0% 反射率40% 再生専用BDと同等の特性 | 230 530 160 |
2005年 9月号 | 携帯LCDにDRAM集積 | NEC NEC液晶テクノ | 日刊工業新聞 (2005年6月9日PP.1) | 1画素18ビットを12ビットに圧縮 スマートピクセルデータ符号化(SPC) 510kbで24万色の高階調 第3世代SOG | 160 250 230 |
2005年 9月号 | 単一のT字型量子細線光吸収を初めて観測 | 東大物性研 ベル研 | 日刊工業新聞 (2005年6月14日PP.27) | 量子細線 光吸収測定 量子細線レーザ 光変調器 GaAsとAlGaAsで断面が14×6nm | 120 360 660 |
2005年 9月号 | 分子細孔法を用いた45nLSI向け低誘電率膜 | NEC NECエレクトロニクス MIRAIプロジェクト | 日刊工業新聞 (2005年6月14日PP.27) | 内径1nm以下の環状シリカ材料 誘電率2.4 65n世代に対して倍の配線密度と16%減の配線容量 | 120 160 |
2005年 9月号 | 線幅32nmLSI向け新技術 -新構造TR・新多層配線技術- | MIRAIプロジェクト | 電波新聞 (2005年6月14日PP.1) 日経産業新聞 (2005年6月14日PP.7) | 高電流駆動力 プロセス損傷抑制可能 歪みSi薄膜 歪みGe薄膜 局所酸化濃縮法 ポーラシリカ低誘電絶縁材料 | 120 160 220 |
2005年 9月号 | UWB用GaN-MMIC -高周波・高耐圧を実現- | 松下電器 | 電波新聞 (2005年6月15日PP.1) | 22GHz帯で最小雑音指数2.6dB 信号増幅率13dB IIP3入力時7.5dB サージ耐圧150V チップサイズ2.6×1.3mm2 | 120 160 220 |
2005年 9月号 | 量子暗号通信 -8×8規模で実証- | NTT | 日刊工業新聞 (2005年6月15日PP.25) | 微弱な単一光子 マッハツェンダ型光干渉マトリックススイッチ 差動位相シフト方式 15km伝送 鍵生成率2kbps 商用ネットで混在伝送 | 240 440 |
2005年 9月号 | 1インチで10GBのHDD | 東北大 | 日刊工業新聞 (2005年6月15日PP.25) | 垂直磁気記録 1in2当たり1380億ビット 産学連携 | 230 |
2005年 9月号 | 新概念LSIゲート絶縁膜 -Hf添加で移動度15〜20%向上- | 日立 ルネサステクノロジ | 日刊工業新聞 (2005年6月15日PP.25) | 65nm世代 ゲート絶縁膜とゲート電極界面に短分子膜に満たない微量のHfO2添加 バンド構造 仕事関数を制御 | 120 160 220 |
2005年 9月号 | 新型ホログラム光ディスク | GE | 日経産業新聞 (2005年6月16日PP.1) | 理論容量5TB 熱可塑性プラスチック 射出成型 一層構造 | 230 120 160 |
2005年 9月号 | AG・ANDフラッシュメモリ -書込み20倍高速化- | 日立 ルネサステクノロジ | 日刊工業新聞 (2005年6月17日PP.25) | 書込み速度100ns以下 最上位電圧の書込み時間10%短縮 従来0Vのソース電圧を負にしてホットエレクトロンの発生と浮遊ゲートへの電子の引き込み効率を向上 定電荷注入書き込み方式をビット線切り替え技術で改良 | 230 160 |
2005年 9月号 | MRAM新型セル -2つのトンネル接合直列に- | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2005年6月17日PP.25) | 磁気トンネル接合(MTJ) 高信頼性 歩留まり向上 読出しに電圧センス方式 | 230 |
2005年 9月号 | 新暗号化技術 -画像から核部分を切り離し- | 東京理科大 | 日経産業新聞 (2005年6月21日PP.9) 日刊工業新聞 (2005年6月28日PP.33) | 画像情報を数字列に変換してグループに分割して送信 フラクタル画像圧縮技術を暗号化に応用 | 520 440 |
2005年 9月号 | 自動生成ソフト -CGから解析用メッシュ- | 日立 北大 | 日刊工業新聞 (2005年6月23日PP.32) | 有限要素法 従来の1/5の短時間で任意のメッシュ表現が可能 CGや現物を撮像したデータからも生成可能 | 520 660 620 |
2005年 9月号 | ナノ電子機械システム(MEMS) -二層CNTを電流で20〜30度の塑性変形- | 大阪府大 | 日刊工業新聞 (2005年6月24日PP.25) | 曲がる部分を五角形や七角形に変形 CNTの直径が太くなるほど曲げに必要なエネルギーは小さくなる TEMで観察 | 120 |
2005年 9月号 | 携帯向け高歩留まり1.4mm厚の複合電子部品 | 日本IBM 新潟精密 | 日経産業新聞 (2005年6月24日PP.1) | パッケージ・オン・パッケージ(PoP)技術 動作試験可能な基板を積層 電池スペース確保可能 | 260 220 |
2005年 9月号 | 超高密度垂直磁気媒体制作技術 -陽極酸化アルミナナノホールを1次元配列- | 山形富士通 富士通研 KAST | 日刊工業新聞 (2005年6月27日PP.28) | Alの表面をナノインプリント技術で規則的な凹凸をつけて陽極酸化 凹部にナノホール ナノホールにCoを電気メッキで充填 ピッチ25nmで1Tb/sq inch可能 パターンドメディア垂直磁気記録層 | 120 160 230 |
2005年 9月号 | ハンダ使わず異種金属接合 -超音波複合振動で実現- | アサヒEMS | 日刊工業新聞 (2005年6月29日PP.1) | CuとAl AlとFe 原子間吸引力 毎秒2万回転と4万回転の試験装置 | 260 460 |