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| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
| 2005年11月号 | 高出力燃料電池電解質膜 | 名工大 | 日刊工業新聞 (2005年8月1日PP.1) | メタノール型燃料電池 高分子膜ナフィオン内部表面層に無機成分を浸透 出力電流1.5倍 金属アルコキシド ゾルゲル法 | 120 160 250 |
| 2005年11月号 | フラーレン分子ナノスイッチ
-SAMで向きを制御- | 東工大 名大 | 日刊工業新聞 (2005年8月2日PP.25) | Tb原子1個 電気的極性 双極子モーメント STM Au基板上に厚さ約1nmのSAMを堆積 -260℃ 分子スイッチ技術 | 120 160 220 |
| 2005年11月号 | 全光量子計算で新方式
-量子非破壊測定法を利用- | 国立情報学研 英HP研 | 日刊工業新聞 (2005年8月9日PP.23) | 単一光子方式とレーザパルス方式の組合せ 量子計算システムと光量子通信とのインタフェース 量子ビット間に相関 QND | 120 220 |
| 2005年11月号 | 印刷法を使った低コストの曲がる有機EL | 大日本印刷 | 日刊工業新聞 (2005年8月10日PP.1) | グラビア印刷 塗布 バリアフィルム エリアカラー パネルサイズ最大6～7インチ | 250 |
| 2005年11月号 | 自然光に近い白色LED
-カメラ付き携帯のフラッシュ向け- | 東芝 | 日経産業新聞 (2005年8月10日PP.1) | 青色LEDの光を赤色に変える蛍光体を組込む ユーロピウム錯体 演色性80 | 120 250 |
| 2005年11月号 | プラズマディスプレイのガス封印壁間隔を半減 | 東レ | 日経産業新聞 (2005年8月12日PP.1) | 感光性ペースト法 光硬化感光剤 サンドブラスト法よりコスト・歩留まりで優れる | 160 250 |
| 2005年11月号 | 高温超電導体臨界電流163A | 住友電工 | 日刊工業新聞 (2005年8月12日PP.1) | -196℃ 100m級のBi系線材 加圧焼成酸素の注入条件を最適化 粉末を均一化 結晶粒の向きを揃える | 120 160 220 |
| 2005年11月号 | 最高性能45nmトランジスタ
-電極に金属材料- | Selete | 日経産業新聞 (2005年8月12日PP.4) | 電極にタンタルシリサイド 電子移動度値が5割高 | 120 220 |
| 2005年11月号 | 視覚のコントラスト順応メカニズム解明 | 理研 | 日刊工業新聞 (2005年8月18日PP.22) | 機能的磁気共鳴断層撮影装置(fMRI) S字型特性 コントラスト刺激に応じて応答関数が平行移動 V4野のみU字型曲線 | 120 620 660 |
| 2005年11月号 | 量子コンピュータ素子をSiで試作
-保持時間2桁長い量子ビット- | 日立 英ケンブリッジ大 | 日刊工業新聞 (2005年8月22日PP.22) 日経産業新聞 (2005年8月22日PP.7) | 縦50nm×横150nm二重結合量子ドット 配線をなくす構造 コヒーレンス時間200ns 酸化膜埋込み基板(SOI) 電界を介したゲートで制御 | 120 220 |
| 2005年11月号 | 発光の強さを熱制御できる有機化合物 | 東大 | 日経産業新聞 (2005年8月23日PP.7) | テルピリジン 発光強度に10倍の差 紫外線を当てると青色発光が板状と針状に変化し発光変化 熱で結晶構造可変 | 120 230 |
| 2005年11月号 | 光ファイバ通信16倍速で多重伝送
-世界初- | KDDI研 情通機構 | 日経産業新聞 (2005年8月23日PP.5) | 160Gbpsを八重伝送で1.28Tbps 差同位相変調(DPSK)光信号方式 偏波モード分散補償方式 200km距離実験 | 130 240 340 440 |
| 2005年11月号 | 5倍の精度で洪水再現
-被害をGSI上に可視化- | 日立 日本気象協会 | 日刊工業新聞 (2005年8月23日PP.27) | 50m四方単位 洪水の流れに応じた計算領域 誤差の範囲従来の約1/3 | 620 |
| 2005年11月号 | 最薄の5μmのSiウェハ
-紙並みの曲がりに道- | 東京精密 | 日経産業新聞 (2005年8月24日PP.1) | 厚さ725μmのウェハを2種類のダイヤモンド砥石で10μm程度まで削った後SiOで研磨するポリッシュグラインダー | 160 360 |
| 2005年11月号 | 次世代スピントランジスタ | 産総研 | 日経産業新聞 (2005年8月24日PP.8) | p型(Ga Mn)As半導体をn型ZnSe半導体でサンドイッチした構造 移動の5～6割は磁石の向きを維持 | 220 |
| 2005年11月号 | 半導体パッケージHMT | 三井ハイテック | 日経産業新聞 (2005年8月26日PP.1) | 最大端子数304で大きさ12mm×12mm チップと端子間を直接全線で接続 | 260 |