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| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
| 2006年12月号 | フィルム中に金ナノ粒子を作製 -立体ナノ配線に道- | 阪大 | 日刊工業新聞 (2006年9月4日PP.28) | PVAフィルム ラジカル前駆体(ベンゾフェノン)と金イオン1〜5%をドープ 波長が異なる二つのレーザを照射 ギ酸がない場合に比べ金ナノ粒子の生成速度は約20倍 | 260 160 |
| 2006年12月号 | 水から酸素を作る新触媒 | 東京理科大 | 日経産業新聞 (2006年9月5日PP.11) | 太陽光に反応 光触媒は円柱状のナトリウム酸ビスマス 光触媒1gあたりで1mlの酸素製造 | 120 |
| 2006年12月号 | 素材別のUHF帯無線ICタグ | 凸版印刷 | 日経産業新聞 (2006年9月8日PP.3) | 素材別にアンテナの設計を変える 素材との干渉を減らし最適通信 | 340 |
| 2006年12月号 | 超高精度レーザ距離計 | 東北大 光電製作所 | 日経産業新聞 (2006年9月8日PP.9) 日刊工業新聞 (2006年9月8日PP.29) | 10kmで誤差10μm以内 周波数シフト帰還型レーザ 光周波数コムを利用した周波数領域方式 シグマ字型レーザ共振器 | 210 320 660 |
| 2006年12月号 | 光遮断機能をもつ強誘電体 | 東大 JST | 日刊工業新聞 (2006年9月8日PP.29) | エルビウム 光アイソレータと光増幅器の機能 チタン酸バリウム | 120 160 240 |
| 2006年12月号 | DRAMの消費電力を10%削減 -絶縁膜材料に水使用- | 日立 | 日刊工業新聞 (2006年9月14日PP.37) | Al2O3絶縁膜 成膜時間半減 シリコン酸窒化膜 漏れ電流抑制 界面の酸化を回避 酸化膜換算膜圧2.9nm | 230 160 |
| 2006年12月号 | フルメタルゲートCMOS | 半導体先端テクノロジーズ(Selete) | 電波新聞 (2006年9月13日PP.1) | 回路線幅45nm以降 0.84nmの高誘電率(High-k)ゲート絶縁膜 デュアルメタルCMOSプロセス 窒化ハフニウムシリケート(HfSiON) | 160 220 |
| 2006年12月号 | 電圧1.5倍 スペース2/3の色素増感太陽電池 | 日本化薬 | 日経産業新聞 (2006年9月14日PP.1) | 1つのセルで電圧1.0V 有機色素 色素が放出した電子を受け取る金属にTiO2にMgを加えた材料 1セルサイズ縦57mm×横4.5mm×厚さ1mm | 250 120 |
| 2006年12月号 | HD-DVD用画像圧縮技術 | 東芝 | 日経産業新聞 (2006年9月14日PP.11) | MPEG-4AVC/H.264 完全2パスVBR | 520 |
| 2006年12月号 | 有機TFT大規模化技術 | 日立 神奈川大 | 日経産業新聞 (2006年9月14日PP.13) | 印刷技術 リソグラフィで材料の位置合わせ ポリカーボネート基板 誤差0.1μm以下 | 250 220 160 |
| 2006年12月号 | 異種材料を分子間結合力で薄膜接合 | 沖電気 沖データ | 電波新聞 (2006年9月8日PP.1) | エピフィルムボンディング(EFB) 薄膜化したLEDアレイと駆動ICを結合 | 250 260 |
| 2006年12月号 | 明るさ1.8倍のLED | 東芝 | 日経産業新聞 (2006年9月21日PP.11) | ナノサイズの微細な凹凸 自己組織化 ポリスチレン ポリメタクリル酸メチル 高分子塗布 200℃で加熱 150〜200nm間隔に直径100nm高さ450〜500nmの円柱状の突起 | 250 160 |
| 2006年12月号 | HEED冷陰極HARP撮像板の高解像度化を実現 | パイオニア NHK | 電波新聞 (2006年9月26日PP.2) | 640×480画素 感度は一般的なCCDの約20倍 サイズ12.8×9.6mm 電荷を膜の内部で倍増 低い駆動電圧で安定的に電子を放出 | 210 |
| 2006年12月号 | 高画質動画を数万人に同時配信 | TVバンク | 日刊工業新聞 (2006年9月27日PP.9) | ネットワークに負荷をかけずに同時配信 動画データを視聴者間で転送し合うオーバレイマルチキャスト技術 | 440 |
| 2006年12月号 | フィルム中に金ナノ粒子を作製 -立体ナノ配線に道- | 阪大 | 日刊工業新聞 (2006年9月4日PP.28) | PVAフィルム ラジカル前駆体(ベンゾフェノン)と金イオン1〜5%をドープ 波長が異なる二つのレーザを照射 ギ酸がない場合に比べ金ナノ粒子の生成速度は約20倍 | 260 160 |
| 2006年12月号 | 水から酸素を作る新触媒 | 東京理科大 | 日経産業新聞 (2006年9月5日PP.11) | 太陽光に反応 光触媒は円柱状のナトリウム酸ビスマス 光触媒1gあたりで1mlの酸素製造 | 120 |
| 2006年12月号 | 素材別のUHF帯無線ICタグ | 凸版印刷 | 日経産業新聞 (2006年9月8日PP.3) | 素材別にアンテナの設計を変える 素材との干渉を減らし最適通信 | 340 |
| 2006年12月号 | 超高精度レーザ距離計 | 東北大 光電製作所 | 日経産業新聞 (2006年9月8日PP.9) 日刊工業新聞 (2006年9月8日PP.29) | 10kmで誤差10μm以内 周波数シフト帰還型レーザ 光周波数コムを利用した周波数領域方式 シグマ字型レーザ共振器 | 210 320 660 |
| 2006年12月号 | 光遮断機能をもつ強誘電体 | 東大 JST | 日刊工業新聞 (2006年9月8日PP.29) | エルビウム 光アイソレータと光増幅器の機能 チタン酸バリウム | 120 160 240 |
| 2006年12月号 | DRAMの消費電力を10%削減 -絶縁膜材料に水使用- | 日立 | 日刊工業新聞 (2006年9月14日PP.37) | Al2O3絶縁膜 成膜時間半減 シリコン酸窒化膜 漏れ電流抑制 界面の酸化を回避 酸化膜換算膜圧2.9nm | 230 160 |
| 2006年12月号 | フルメタルゲートCMOS | 半導体先端テクノロジーズ(Selete) | 電波新聞 (2006年9月13日PP.1) | 回路線幅45nm以降 0.84nmの高誘電率(High-k)ゲート絶縁膜 デュアルメタルCMOSプロセス 窒化ハフニウムシリケート(HfSiON) | 160 220 |
| 2006年12月号 | 電圧1.5倍 スペース2/3の色素増感太陽電池 | 日本化薬 | 日経産業新聞 (2006年9月14日PP.1) | 1つのセルで電圧1.0V 有機色素 色素が放出した電子を受け取る金属にTiO2にMgを加えた材料 1セルサイズ縦57mm×横4.5mm×厚さ1mm | 250 120 |
| 2006年12月号 | HD-DVD用画像圧縮技術 | 東芝 | 日経産業新聞 (2006年9月14日PP.11) | MPEG-4AVC/H.264 完全2パスVBR | 520 |
| 2006年12月号 | 有機TFT大規模化技術 | 日立 神奈川大 | 日経産業新聞 (2006年9月14日PP.13) | 印刷技術 リソグラフィで材料の位置合わせ ポリカーボネート基板 誤差0.1μm以下 | 250 220 160 |
| 2006年12月号 | 異種材料を分子間結合力で薄膜接合 | 沖電気 沖データ | 電波新聞 (2006年9月8日PP.1) | エピフィルムボンディング(EFB) 薄膜化したLEDアレイと駆動ICを結合 | 250 260 |
| 2006年12月号 | 明るさ1.8倍のLED | 東芝 | 日経産業新聞 (2006年9月21日PP.11) | ナノサイズの微細な凹凸 自己組織化 ポリスチレン ポリメタクリル酸メチル 高分子塗布 200℃で加熱 150〜200nm間隔に直径100nm高さ450〜500nmの円柱状の突起 | 250 160 |
| 2006年12月号 | HEED冷陰極HARP撮像板の高解像度化を実現 | パイオニア NHK | 電波新聞 (2006年9月26日PP.2) | 640×480画素 感度は一般的なCCDの約20倍 サイズ12.8×9.6mm 電荷を膜の内部で倍増 低い駆動電圧で安定的に電子を放出 | 210 |
| 2006年12月号 | 高画質動画を数万人に同時配信 | TVバンク | 日刊工業新聞 (2006年9月27日PP.9) | ネットワークに負荷をかけずに同時配信 動画データを視聴者間で転送し合うオーバレイマルチキャスト技術 | 440 |